JPWO2019181142A1 - 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換モジュールおよび光センサ - Google Patents
熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換モジュールおよび光センサ Download PDFInfo
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Abstract
Description
ηは変換効率、ΔTはThとTcとの差、Thは高温側の温度、Tcは低温側の温度、Mは(1+ZT)1/2、ZT=α2ST/κ、ZTは無次元性能指数、αはゼーベック係数、Sは導電率、κは熱伝導率である。変換効率はZTの単調増加関数である。ZTを増大させることが、熱電変換材料の開発において重要である。
非特許文献1、非特許文献2および特許文献1に開示の熱電変換材料よりも高い変換効率を有する熱電変換材料が求められている。ZTを増大させることができれば、熱電変換の効率を向上させることができる。
上記熱電変換材料によれば、熱電変換の効率を向上させることができる。
最初に本願の実施態様を列記して説明する。本願に係る熱電変換材料は、母材元素からなる半導体であるベース材料と、母材元素と異なる元素であり、最外殻の内側に位置するd軌道またはf軌道に空軌道を有し、ベース材料の禁制帯内に第一の付加準位を形成する第一の添加元素と、母材元素および第一の添加元素の双方と異なる元素であり、ベース材料の禁制帯内に第二の付加準位を形成する第二の添加元素と、を含む。第二の添加元素の最外殻の電子数と母材元素のうち少なくとも1つの最外殻の電子数との差は、1である。
次に、本願の熱電変換材料の実施形態を、図面を参照しつつ説明する。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明は繰り返さない。
本願の実施の形態1に係る熱電変換材料の構成について説明する。本願の実施の形態1に係る熱電変換材料は、母材元素からなる半導体であるベース材料と、母材元素と異なる元素であり、最外殻の内側に位置する(隣接する)d軌道またはf軌道に空軌道を有する第一の添加元素と、母材元素および第一の添加元素の双方と異なる元素である第二の添加元素と、を含む。第二の添加元素の最外殻の電子数と母材元素の最外殻の電子数との差は、1である。本実施形態において、ベース材料は、例えば、半導体であるSiGeである。具体的には、母材元素は、SiとGeである。第一の添加元素は、Auである。第二の添加元素は、Bである。Auにより形成される第一の付加準位は、SiGeの禁制帯内に存在する。Bの最外殻の電子数と母材元素であるSi、Geの最外殻の電子数との差は、1である。
実施の形態2に係る熱電変換材料では、上記実施の形態1の熱電変換材料において、第一の添加元素を、Feとし、第二の添加元素を、Pとする。Feにより形成される第一の付加準位は、SiGeの禁制帯内に存在する。Pにより形成される第二の付加準位は、SiGeの禁制帯に隣接する価電子帯または伝導帯のうちの第一の付加準位に近い方のエネルギーバンドである伝導帯と第一の付加準位との間に存在する。このようにすることにより、ベース材料をSiGeとした場合に、Feを第一の添加元素として、禁制帯内に新規準位となる第一の付加準位を形成することができる。また、Pを第二の添加元素とし、第二の添加元素によって形成される第二の付加準位によるドナー準位を形成してフェルミ準位を制御することができる。その結果、より確実にZTを増大させて、熱電変換の効率の向上を図ることができる。
本実施の形態に係る熱電変換材料において、ベース材料は、MnSi系材料であり、第一の添加元素は、ReまたはWであり、第二の添加元素は、CrまたはFeである。この実施の形態2に係る熱電変換材料により、より確実に導電性を上昇させることができる。その結果、ZTを増大させて、熱電変換の効率の向上を図ることができる。
本実施の形態に係る熱電変換材料において、ベース材料は、SnSe系材料であり、第一の添加元素は、Sc、TiまたはZrであり、第二の添加元素は、F、Cl、Br、I、N、P、As、Sb、Bi、B、Al、GaまたはInである。この実施の形態3に係る熱電変換材料により、より確実に導電性を上昇させることができる。その結果、ZTを増大させて、熱電変換の効率の向上を図ることができる。
本実施の形態に係る熱電変換材料において、ベース材料は、Cu2Se系材料であり、第一の添加元素は、V、Sc、Ti、CoまたはNiであり、第二の添加元素は、F、Cl、Br、I、N、P、As、Sb、Bi、Mg、ZnまたはCdである。この実施の形態4に係る熱電変換材料により、より確実に導電性を上昇させることができる。その結果、ZTを増大させて、熱電変換の効率の向上を図ることができる。
次に、本願に係る熱電変換材料を用いた熱電変換素子の一実施形態として、発電素子について説明する。
π型熱電変換素子21を複数個電気的に接続することにより、熱電変換モジュールとしての発電モジュールを得ることができる。本実施の形態の熱電変換モジュールである発電モジュール41は、π型熱電変換素子21が直列に複数個接続された構造を有する。
次に、本願に係る熱電変換材料を用いた熱電変換素子の他の実施の形態として、光センサである赤外線センサについて説明する。
Claims (19)
- 母材元素からなる半導体であるベース材料と、
前記母材元素と異なる元素であり、最外殻の内側に位置するd軌道またはf軌道に空軌道を有し、前記ベース材料の禁制帯内に第一の付加準位を形成する第一の添加元素と、
前記母材元素および前記第一の添加元素の双方と異なる元素であり、前記ベース材料の禁制帯内に第二の付加準位を形成する第二の添加元素と、を含み、
前記第二の添加元素の最外殻の電子数と前記母材元素のうち少なくとも1つの最外殻の電子数との差は、1である、熱電変換材料。 - 前記熱電変換材料の組織中に、粒径が50nm以下である前記母材元素からなる結晶相を含む、請求項1に記載の熱電変換材料。
- 前記熱電変換材料のX線回折パターンにおいて、前記母材元素からなる結晶相を示すピークのうちの最大強度を有するピークの強度に対する、前記第一の添加元素および前記第二の添加元素のうちの少なくともいずれか一方を含む結晶相を示すピークのうちの最大強度を有するピークの強度の比は、2.0%以下である、請求項2に記載の熱電変換材料。
- 前記熱電変換材料の組織全体に対する、前記第一の添加元素および前記第二の添加元素のうちの少なくともいずれか一方を含む結晶相の割合は、6.0体積%以下である、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の熱電変換材料。
- 前記熱電変換材料の組織は、前記母材元素を主成分とするアモルファス相を含み、
前記母材元素からなる結晶相は、前記アモルファス相中に存在する、請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の熱電変換材料。 - 前記第一の添加元素は、遷移金属である、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の熱電変換材料。
- 前記第二の付加準位は、前記ベース材料の禁制帯に隣接する価電子帯または伝導帯のうちの前記第一の付加準位に近い方のエネルギーバンドと前記第一の付加準位との間に存在する、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の熱電変換材料。
- 前記第一の付加準位の状態密度は、前記ベース材料の禁制帯に隣接する価電子帯の状態密度の最大値に対して0.1以上の比率を有する、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の熱電変換材料。
- 前記第一の添加元素の含有割合は、0.1at%以上5at%以下である、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の熱電変換材料。
- 前記ベース材料は、SiGe系材料であり、
前記ベース材料のバンドギャップに対する、前記ベース材料の価電子帯に最も近い位置にある前記第一の付加準位と前記ベース材料の価電子帯とのエネルギー差の比が、20%以上であり、
前記ベース材料のバンドギャップに対する、前記ベース材料の伝導帯に最も近い位置にある前記第一の付加準位と前記ベース材料の伝導帯とのエネルギー差の比が、20%以上である、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の熱電変換材料。 - 前記第一の添加元素は、Au、Fe、Cu、Ni、Mn、Cr、V、Ti、Ag、Pd、PtまたはIrである、請求項10に記載の熱電変換材料。
- 前記第一の添加元素は、AuまたはCuであり、
前記第二の添加元素は、Bである、請求項11に記載の熱電変換材料。 - 前記第一の添加元素は、Feであり、
前記第二の添加元素は、Pである、請求項11に記載の熱電変換材料。 - 前記ベース材料は、MnSi系材料であり、
前記第一の添加元素は、ReまたはWであり、
前記第二の添加元素は、CrまたはFeである、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の熱電変換材料。 - 前記ベース材料は、SnSe系材料であり、
前記第一の添加元素は、Sc、TiまたはZrであり、
前記第二の添加元素は、F、Cl、Br、I、N、P、As、Sb、Bi、B、Al、GaまたはInである、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の熱電変換材料。 - 前記ベース材料は、Cu2Se系材料であり、
前記第一の添加元素は、V、Sc、Ti、CoまたはNiであり、
前記第二の添加元素は、F、Cl、Br、I、N、P、As、Sb、Bi、Mg、ZnまたはCdである、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の熱電変換材料。 - 熱電変換材料部と、
前記熱電変換材料部に接触して配置される第1電極と、
前記熱電変換材料部に接触し、前記第1電極と離れて配置される第2電極と、を備え、
前記熱電変換材料部は、導電型がp型またはn型となるように成分組成が調整された請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の熱電変換材料からなる、熱電変換素子。 - 請求項17に記載の熱電変換素子を複数個含む、熱電変換モジュール。
- 光エネルギーを吸収する吸収体と、
前記吸収体に接続される熱電変換材料部と、を備え、
前記熱電変換材料部は、導電型がp型またはn型となるように成分組成が調整された請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の熱電変換材料からなる、光センサ。
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