JPWO2019111664A1 - 弾性波装置 - Google Patents
弾性波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019111664A1 JPWO2019111664A1 JP2019558103A JP2019558103A JPWO2019111664A1 JP WO2019111664 A1 JPWO2019111664 A1 JP WO2019111664A1 JP 2019558103 A JP2019558103 A JP 2019558103A JP 2019558103 A JP2019558103 A JP 2019558103A JP WO2019111664 A1 JPWO2019111664 A1 JP WO2019111664A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- equation
- piezoelectric layer
- formula
- elastic wave
- wave device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 40
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 description 44
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 29
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02228—Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/175—Acoustic mirrors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
スプリアスモードを効果的に抑制することができる、弾性波装置を提供する。弾性波装置１は、シリコンにより構成されている支持基板２と、支持基板２上に直接的または間接的に設けられている圧電体層５と、圧電体層５上に設けられているＩＤＴ電極６とを備える。ＩＤＴ電極６の電極指ピッチにより規定される波長をλとしたときに、圧電体層５の厚みは１λ以下である。圧電体層５を伝搬するバルク波の縦波成分の音速であるＶＬが、下記の式（１）の音速ＶＳｉ−１に対し、下記の式（２）の関係を満たす。ＶＳｉ−１＝（Ｖ２）１／２（ｍ／秒） …式（１）ＶＳｉ−１≦ＶＬ…式（２）式（１）におけるＶ２は、下記の式（３）の解である。Ａｘ３＋Ｂｘ２＋Ｃｘ＋Ｄ＝０ …式（３）
Description
本発明は、シリコン（Ｓｉ）からなる支持基板を用いた弾性波装置に関する。
従来、シリコンからなる支持基板を用いた弾性波装置が種々提案されている。下記の特許文献１には、高次モードの応答を抑制するために、シリコン基板の結晶方位を所定の結晶方位とした弾性波装置が開示されている。
しかしながら、本願発明者らの検討により、特許文献１に記載の弾性波装置においては、シリコン基板の結晶方位の状態によっては、圧電体の板波の応答に起因するスプリアスが比較的大きいことが明らかとなった。
本発明の目的は、スプリアスモードを効果的に抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、シリコンにより構成されている支持基板と、前記支持基板上に直接的または間接的に設けられている圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極とを備え、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλとしたときに、前記圧電体層の厚みが１λ以下であり、前記圧電体層を伝搬するバルク波の縦波成分の音速であるＶＬが、下記の式（１）の音速ＶＳｉ−１に対し、下記の式（２）の関係を満たす、弾性波装置。
ＶＳｉ−１＝（Ｖ２）１／２（ｍ／秒） …式（１）
ＶＳｉ−１≦ＶＬ …式（２）
式（１）におけるＶ２は、下記の式（３）の解である。
Ａｘ３＋Ｂｘ２＋Ｃｘ＋Ｄ＝０ …式（３）
式（３）の３つの解であるＶ１、Ｖ２及びＶ３は、Ｖ１≦Ｖ２≦Ｖ３の関係にある。
式（３）において、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ、下記の式（３Ａ）、式（３Ｂ）、式（３Ｃ）及び式（３Ｄ）で表される値である。
Ａ＝−ρ３ …式（３Ａ）
Ｂ＝ρ２（Ｌ１１＋Ｌ２２＋Ｌ３３） …式（３Ｂ）
Ｃ＝ρ（Ｌ２１ ２＋Ｌ２３ ２＋Ｌ３１ ２−Ｌ１１・Ｌ３３−Ｌ２２・Ｌ３３−Ｌ１１・Ｌ２２） …式（３Ｃ）
Ｄ＝２・Ｌ２１・Ｌ２３・Ｌ３１＋Ｌ１１・Ｌ２２・Ｌ３３−Ｌ３１ ２・Ｌ２２−Ｌ１１・Ｌ２３ ２−Ｌ２１ ２・Ｌ３３ …式（３Ｄ）
ＶＳｉ−１≦ＶＬ …式（２）
式（１）におけるＶ２は、下記の式（３）の解である。
Ａｘ３＋Ｂｘ２＋Ｃｘ＋Ｄ＝０ …式（３）
式（３）の３つの解であるＶ１、Ｖ２及びＶ３は、Ｖ１≦Ｖ２≦Ｖ３の関係にある。
式（３）において、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ、下記の式（３Ａ）、式（３Ｂ）、式（３Ｃ）及び式（３Ｄ）で表される値である。
Ａ＝−ρ３ …式（３Ａ）
Ｂ＝ρ２（Ｌ１１＋Ｌ２２＋Ｌ３３） …式（３Ｂ）
Ｃ＝ρ（Ｌ２１ ２＋Ｌ２３ ２＋Ｌ３１ ２−Ｌ１１・Ｌ３３−Ｌ２２・Ｌ３３−Ｌ１１・Ｌ２２） …式（３Ｃ）
Ｄ＝２・Ｌ２１・Ｌ２３・Ｌ３１＋Ｌ１１・Ｌ２２・Ｌ３３−Ｌ３１ ２・Ｌ２２−Ｌ１１・Ｌ２３ ２−Ｌ２１ ２・Ｌ３３ …式（３Ｄ）
ただし、式（３Ａ）、式（３Ｂ）、式（３Ｃ）または式（３Ｄ）において、ρは、シリコンの密度（ｇ／ｃｍ３）を示す。また、Ｌ１１、Ｌ２２、Ｌ３３、Ｌ２１、Ｌ３１及びＬ２３は、下記の式（４Ａ）、式（４Ｂ）、式（４Ｃ）、式（４Ｄ）、式（４Ｅ）、式（４Ｆ）で表される値である。
Ｌ１１＝ｃ１１・ａ１ ２＋ｃ４４・ａ２ ２＋ｃ４４・ａ３ ２ …式（４Ａ）
Ｌ２２＝ｃ４４・ａ１ ２＋ｃ１１・ａ２ ２＋ｃ４４・ａ３ ２ …式（４Ｂ）
Ｌ３３＝ｃ４４・ａ１ ２＋ｃ４４・ａ２ ２＋ｃ１１・ａ３ ２ …式（４Ｃ）
Ｌ２１＝（ｃ１２＋ｃ４４）・ａ２・ａ１ …式（４Ｄ）
Ｌ３１＝（ｃ１２＋ｃ４４）・ａ１・ａ３ …式（４Ｅ）
Ｌ２３＝（ｃ４４＋ｃ１２）・ａ３・ａ２ …式（４Ｆ）
Ｌ１１＝ｃ１１・ａ１ ２＋ｃ４４・ａ２ ２＋ｃ４４・ａ３ ２ …式（４Ａ）
Ｌ２２＝ｃ４４・ａ１ ２＋ｃ１１・ａ２ ２＋ｃ４４・ａ３ ２ …式（４Ｂ）
Ｌ３３＝ｃ４４・ａ１ ２＋ｃ４４・ａ２ ２＋ｃ１１・ａ３ ２ …式（４Ｃ）
Ｌ２１＝（ｃ１２＋ｃ４４）・ａ２・ａ１ …式（４Ｄ）
Ｌ３１＝（ｃ１２＋ｃ４４）・ａ１・ａ３ …式（４Ｅ）
Ｌ２３＝（ｃ４４＋ｃ１２）・ａ３・ａ２ …式（４Ｆ）
ただし、式（４Ａ）、式（４Ｂ）、式（４Ｃ）、式（４Ｄ）、式（４Ｅ）、式（４Ｆ）において、ｃ１１、ｃ１２、ｃ４４は、それぞれ、シリコンの弾性定数（Ｎ／ｍ２）であり、ａ１、ａ２及びａ３は、下記の式（５Ａ）、式（５Ｂ）及び式（５Ｃ）で表される値である。
ａ１＝ｃｏｓ（φ）・ｃｏｓ（ψ）−ｓｉｎ（φ）・ｃｏｓ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ａ）
ａ２＝ｓｉｎ（φ）・ｃｏｓ（ψ）＋ｃｏｓ（φ）・ｃｏｓ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ｂ）
ａ３＝ｓｉｎ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ｃ）
ａ１＝ｃｏｓ（φ）・ｃｏｓ（ψ）−ｓｉｎ（φ）・ｃｏｓ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ａ）
ａ２＝ｓｉｎ（φ）・ｃｏｓ（ψ）＋ｃｏｓ（φ）・ｃｏｓ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ｂ）
ａ３＝ｓｉｎ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ｃ）
なお、式（５Ａ）、式（５Ｂ）及び式（５Ｃ）におけるφ，θ及びψは、シリコンの結晶方位（φ，θ，ψ）における、φ，θ，ψである。
本発明に係る弾性波装置によれば、スプリアスモードを効果的に抑制することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。
弾性波装置１は、シリコンからなる支持基板２を有する。本実施形態では、支持基板２上に直接的に圧電体層５が積層されている。圧電体層５は、本実施形態では、タンタル酸リチウムからなる。圧電体層５のオイラー角（φ，θ，ψ）は特に限定されないが、本実施形態ではオイラー角（０°，１４０°，０°）である。なお、圧電体層５は、ニオブ酸リチウムや窒化アルミニウムなどからなっていてもよい。
圧電体層５上にはＩＤＴ電極６が設けられている。ＩＤＴ電極６は、圧電体層５の上面に設けられているが、下面にも設けられていてもよい。ＩＤＴ電極６は複数の電極指を有する。ＩＤＴ電極６に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。ＩＤＴ電極６の、電極指が延びる方向に直交する方向としての弾性波伝搬方向の両側には、反射器７及び反射器８が設けられている。ＩＤＴ電極６、反射器７及び反射器８はＡｌからなる。なお、ＩＤＴ電極６、反射器７及び反射器８の材料は上記に限定されない。ＩＤＴ電極６、反射器７及び反射器８は、複数の金属層が積層された積層金属膜からなっていてもよく、単層の金属膜からなっていてもよい。
図１（ｂ）に示すように、弾性波装置１は、ＩＤＴ電極６、反射器７及び反射器８を有する弾性波共振子である。
なお、ＩＤＴ電極６上に誘電体膜を形成してもよい。
ここで、ＩＤＴ電極６の電極指ピッチにより規定される波長をλとすると、圧電体層５の厚みは０．２０λである。ＩＤＴ電極６の厚みは０．０８λである。波長λは、特に限定されないが、本実施形態では１μｍである。なお、圧電体層５及びＩＤＴ電極６の厚みは上記に限定されない。圧電体層５の厚みは１λ以下であればよい。これにより、所望のモードを好適に励振させることができる。
図２（ａ）〜図２（ｆ）は、板波のモードの例を示す図である。図２（ａ）〜図２（ｄ）においては、矢印の方向が弾性波の変位方向を示し、図２（ｅ）及び図２（ｆ）においては紙面厚み方向が弾性波の変位方向を示す。
板波は、変位成分に応じてラム波（弾性波伝搬方向及び圧電体の厚み方向の成分が主）とＳＨ波（ＳＨ成分が主）とに分類される。さらに、ラム波は対称モード（Ｓモード）と反対称モード（Ａモード）とに分類される。なお、圧電体の厚み方向における半分のラインで折り返したとき、変位が重なるものを対称モード、変位が反対方向のものを反対称モードとしている。モードの名称における下付きの数値は厚み方向の節の数を示している。例えば、Ａ１モードラム波とは、１次反対称モードラム波である。上記各モードは、単独で励振される場合及び混合モードとして励振される場合がある。各モードの音速が近い場合に、混合モードとして励振され得る。
図３は、各モードの板波が励振される例を示す図である。なお、図３は、第１の比較例のインピーダンス周波数特性を示す図である。第１の比較例は、支持基板２を有しない点において、本実施形態と異なる。
本実施形態では、ＳＨ０モードをメインモードとして利用する。厚みが薄い圧電体層５においては、ＳＨ０モード以外のモードも励振される。図３に示すように、例えば、Ｓ０モード及びＳＨ１モードが励振される。メインモード以外のモードのレスポンスは、スプリアスとなる。従来においては、ＳＨ０モードを圧電体層５側に閉じ込めようとすると、ＳＨ０モード以外のモードである板波も圧電体層５側に閉じ込められていた。そのため、ＳＨ０モードを閉じ込めることと、スプリアスを抑制することとの両立は困難であった。
これに対して、圧電体層５を伝搬するスプリアスとなるモードの音速よりも、支持基板２を伝搬するバルク波の音速が低い場合には、スプリアスとなるモードを支持基板２側に漏洩させることができ、スプリアスを抑制することができる。なお、以下において、スプリアスとなるモードやスプリアスをスプリアスモードと記載することがある。ここで、シリコンからなる支持基板２を伝搬するバルク波の音速は、シリコンの結晶方位（φ，θ，ψ）によって変わる。本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。１）支持基板２がシリコンにより構成されている。２）下記の式（１）、式（２）、式（３）、式（３Ａ）、式（３Ｂ）、式（３Ｃ）、式（３Ｄ）、式（４Ａ）、式（４Ｂ）、式（４Ｃ）、式（４Ｄ）、式（４Ｅ）、式（４Ｆ）、式（５Ａ）、式（５Ｂ）及び式（５Ｃ）の関係を満たす。それによって、メインモードを圧電体層５側に効果的に閉じ込めることができ、かつスプリアスモードを抑制することができる。以下において、本実施形態の構成の詳細を説明する。
圧電体層５を伝搬するＳＨ０モードの音速をＶＳＨ０とし、圧電体層５をＩＤＴ電極６で規定される方向に伝搬するバルク波の縦波成分の音速をＶＬとし、支持基板２を伝搬するバルク波の音速をＶＳｉ−１とする。より具体的には、音速ＶＳｉ−１は支持基板２を伝搬する横波の音速である。音速ＶＳｉ−１は、下記の式（１）の関係を満たす。音速ＶＳｉ−１、音速ＶＳＨ０及び音速ＶＬは、下記の式（２）の関係を満たす。
ＶＳｉ−１＝（Ｖ２）１／２（ｍ／秒） …式（１）
ＶＳｉ−１≦ＶＬ …式（２）
圧電体層５を伝搬するバルク波の縦波成分の音速ＶＬは、圧電体層５を伝搬するＳ０モードの音速を規定する。本実施形態では、図３の第１の比較例を参照して示したように、ＳＨ０モード以外のモードのうち最も遅いモードはＳ０モードである。ＶＳｉ−１≦ＶＬの関係を満たすため、ＳＨ０モード以外の全てのモードが圧電体層５を伝搬する音速は、支持基板２を伝搬するバルク波の音速ＶＳｉ−１よりも高い。よって、スプリアスモードを支持基板２側に漏洩させることができ、スプリアスモードを抑制することができる。
なお、より具体的には、音速ＶＬは、圧電体層５を伝搬するＳ０モードの最高音速を規定する。Ｓ０モードの音速と音速ＶＬとが一致しない場合においても、双方の音速の差は大きくはならず、Ｓ０モードを支持基板２側に漏洩させる効果を得ることができる。さらに、音速ＶＬよりも音速が高いモードを支持基板２側に効果的に漏洩させることができる。よって、スプリアスモードを抑制することができる。
式（１）におけるＶ２は、下記の式（３）の解である。
Ａｘ３＋Ｂｘ２＋Ｃｘ＋Ｄ＝０ …式（３）
式（３）の３つの解であるＶ１、Ｖ２及びＶ３は、Ｖ１≦Ｖ２≦Ｖ３の関係にある。
式（１）においては、ＶＳｉ−１を、上記３つの解のうち少なくともＶ１以上であるＶ２の関数として規定している。音速ＶＳｉ−１は、支持基板２を伝搬する速い横波の音速である。よって、（Ｖ１）１／２≦（Ｖ２）１／２＝ＶＳｉ−１≦ＶＬとすることができ、スプリアスモードを支持基板２側に、より一層確実に漏洩させることができる。
式（３）において、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ、下記の式（３Ａ）、式（３Ｂ）、式（３Ｃ）及び式（３Ｄ）で表される値である。
Ａ＝−ρ３ …式（３Ａ）
Ｂ＝ρ２（Ｌ１１＋Ｌ２２＋Ｌ３３） …式（３Ｂ）
Ｃ＝ρ（Ｌ２１ ２＋Ｌ２３ ２＋Ｌ３１ ２−Ｌ１１・Ｌ３３−Ｌ２２・Ｌ３３−Ｌ１１・Ｌ２２） …式（３Ｃ）
Ｄ＝２・Ｌ２１・Ｌ２３・Ｌ３１＋Ｌ１１・Ｌ２２・Ｌ３３−Ｌ３１ ２・Ｌ２２−Ｌ１１・Ｌ２３ ２−Ｌ２１ ２・Ｌ３３ …式（３Ｄ）
ただし、式（３Ａ）、式（３Ｂ）、式（３Ｃ）または式（３Ｄ）において、ρは、シリコンの密度（ｇ／ｃｍ３）を示す。また、Ｌ１１、Ｌ２２、Ｌ３３、Ｌ２１、Ｌ３１及びＬ２３は、下記の式（４Ａ）、式（４Ｂ）、式（４Ｃ）、式（４Ｄ）、式（４Ｅ）、式（４Ｆ）で表される値である。
Ｌ１１＝ｃ１１・ａ１ ２＋ｃ４４・ａ２ ２＋ｃ４４・ａ３ ２ …式（４Ａ）
Ｌ２２＝ｃ４４・ａ１ ２＋ｃ１１・ａ２ ２＋ｃ４４・ａ３ ２ …式（４Ｂ）
Ｌ３３＝ｃ４４・ａ１ ２＋ｃ４４・ａ２ ２＋ｃ１１・ａ３ ２ …式（４Ｃ）
Ｌ２１＝（ｃ１２＋ｃ４４）・ａ２・ａ１ …式（４Ｄ）
Ｌ３１＝（ｃ１２＋ｃ４４）・ａ１・ａ３ …式（４Ｅ）
Ｌ２３＝（ｃ４４＋ｃ１２）・ａ３・ａ２ …式（４Ｆ）
ただし、式（４Ａ）、式（４Ｂ）、式（４Ｃ）、式（４Ｄ）、式（４Ｅ）、式（４Ｆ）において、ｃ１１、ｃ１２、ｃ４４は、それぞれ、シリコンの弾性定数（Ｎ／ｍ２）であり、ａ１、ａ２及びａ３は、下記の式（５Ａ）、式（５Ｂ）及び式（５Ｃ）で表される値である。
ａ１＝ｃｏｓ（φ）・ｃｏｓ（ψ）−ｓｉｎ（φ）・ｃｏｓ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ａ）
ａ２＝ｓｉｎ（φ）・ｃｏｓ（ψ）＋ｃｏｓ（φ）・ｃｏｓ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ｂ）
ａ３＝ｓｉｎ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ｃ）
なお、式（５Ａ）、式（５Ｂ）及び式（５Ｃ）におけるφ、θ及びψは、シリコンの結晶方位（φ，θ，ψ）における、φ，θ，ψである。
上記式（２）を満たすように、シリコンの結晶方位（φ，θ，ψ）の値を選択することで、ＳＨ０モードを圧電体層５側に効果的に閉じ込めることができ、かつスプリアスモードを抑制することができる。
ところで、上記シリコンの結晶方位（φ，θ，ψ）を、図４を参照して説明する。
図４は、シリコンの結晶方位の定義を説明するための模式図である。
図４のシリコンの結晶構造において、右ネジの回転方向を正とした場合、Ｚ−Ｘ−Ｚを回転軸とする。結晶方位（φ，θ，ψ）とは、１）（Ｘ，Ｙ，Ｚ）をＺ軸回りに「φ」回転し、（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）とし、次に、２）（Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１）をＸ１軸回りに「θ」回転し、（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）とし、さらに３）（Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２）をＺ２軸回りに「ψ」回転し、（Ｘ３，Ｙ３，Ｚ３）とした方位となる。
図５に示すように、シリコンの結晶方位（０°，０°，０°）のときに、シリコンの結晶のＸ軸と、ＩＤＴ電極の電極指が延びる方向と直交する方向Ｘａとが同一の方向となる。
シリコンの弾性定数ｃ１１、ｃ１２及びｃ４４は以下のように定義される値である。
弾性体の歪みＳと応力Ｔは比例関係にある。この比例関係は、以下の行列で表される。
この式の比例定数（ｃｉｊ）が弾性定数と呼ばれている。弾性定数ｃｉｊは固体の属する結晶系によって決まる。例えば、シリコンでは、結晶の対称性から、以下の３つの独立な値で表現することができる。
シリコンの弾性定数（Ｎ／ｍ２）
上述した弾性定数ｃ１１、ｃ１２及びｃ４４は、上記のようにして定義されるシリコンの弾性定数である。なお、シリコンの弾性定数ｃ１１＝１．６７４Ｅ＋１１（Ｎ／ｍ２）、ｃ１２＝６．５２３Ｅ＋１０（Ｎ／ｍ２）、ｃ４４＝７．９５７Ｅ＋１０（Ｎ／ｍ２）である（Ｈ． Ｊ． ＭｃＳｋｉｍｉｎ， ｅｔ ａｌ．， ”Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｌａｓｔｉｃ Ｃｏｎｓｔａｎｔｓ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｓｉｎｇｌｅ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ａｎｄ Ｔｈｅｉｒ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃｏｎｓｔａｎｔｓ”， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｖｏｌ． ８３， ｐ．１０８０（Ｌ） （１９５１）．）。また、シリコンの密度ρ＝２．３３１（ｇ／ｃｍ３）である。
以下において、本実施形態と第２の比較例とを比較することにより、本実施形態の効果をより詳細に説明する。なお、第２の比較例は、支持基板の結晶方位が本実施形態と異なる。
本実施形態の弾性波装置の条件は以下の通りである。
圧電体層５：材料タンタル酸リチウム、オイラー角（０°，１４０°，０°）、厚み０．２０λ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−５４．７°，３０°）
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−５４．７°，３０°）
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
第２の比較例の弾性波装置の条件は以下の通りである。
圧電体層５：材料タンタル酸リチウム、オイラー角（０°，１４０°，０°）、厚み０．２０λ
支持基板：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−５４．７°，０°）
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
支持基板：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−５４．７°，０°）
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
図６は、第１の比較例及び第２の比較例の弾性波装置のインピーダンス周波数特性並びに各音速の関係を示す図である。図７は、第１の実施形態及び第１の比較例の弾性波装置のインピーダンス周波数特性並びに各音速の関係を示す図である。図６においては、実線が第２の比較例の結果を示し、破線が第１の比較例の結果を示す。図７においては、実線が第１の実施形態の結果を示し、破線が第１の比較例の結果を示す。なお、第１の実施形態及び第２の比較例において波長λは１μｍであるため、図６及び図７の横軸を音速（ｍ／秒）の指標としても用いている。例えば、５０００ＭＨｚの場合、５０００ｍ／秒を示す。図６及び図７において、一点鎖線は音速ＶＬを示し、二点鎖線は音速ＶＳｉ−１及び後述する音速ＶＳｉを示す。音速の関係を示す、後述する各図においても同様である。
図６に示すように、第２の比較例においては、ＶＳｉ≦ＶＬ≦ＶＳｉ−１となっている。なお、ＶＳｉは、支持基板を伝搬する遅い横波の音速である。圧電体層５を伝搬するバルク波の縦波成分の音速ＶＬは、支持基板を伝搬する遅い横波の音速ＶＳｉよりも高いが、支持基板を伝搬する速い横波の音速ＶＳｉ−１よりも低い。そのため、Ｓ０モードが圧電体層５側に閉じ込められ、５７００ＭＨｚ付近においてＳ０モードによるスプリアスが生じている。
なお、第２の比較例においては、横波が伝搬する音速が高い支持基板上に圧電体層５が積層されている。そのため、第２の比較例におけるＳ０モードによるスプリアスは、支持基板２を有しない第１の比較例よりも高域側に生じている。
第１の実施形態においては、図７に示すように、Ｓ０モード及びＳ０モード以外のモードによるスプリアスが抑制されていることがわかる。第１の実施形態においては、ＶＳｉ≦ＶＳｉ−１≦ＶＬとなるように支持基板２の結晶方位が選択されているため、ＳＨ０モード以外の板波を支持基板２側に漏洩させることができる。従って、スプリアスモードを効果的に抑制することができる。
圧電体層５を伝搬するバルク波の縦波成分の音速ＶＬは、下記の式（６）の音速ＶＳｉ−２に対し、式（７）を満たすことが好ましい。なお、支持基板２を伝搬するバルク波の音速を上記音速ＶＳｉ−２とする。より具体的には、音速ＶＳｉ−２は、支持基板２を伝搬する横波の音速である。
ＶＳｉ−２＝（Ｖ３）１／２（ｍ／秒） …式（６）
ＶＳｉ−２≦ＶＬ …式（７）
上記の式（３）の３つの解であるＶ１、Ｖ２及びＶ３は、Ｖ１≦Ｖ２≦Ｖ３の関係にあるため、音速ＶＳｉ−２は音速ＶＳｉ−１以上である。式（７）を満たす場合、この音速ＶＳｉ−２よりも音速ＶＬが高いため、ＳＨ０モード以外の板波をより一層確実に支持基板２側に漏洩させることができ、より一層確実にスプリアスモードを抑制することができる。
圧電体層５を伝搬するＳＨ０モードの音速よりも、支持基板２を伝搬するバルク波の音速を高くすると、圧電体層５側にＳＨ０モードを効果的に閉じ込めることができる。この場合、圧電体層５を伝搬するＳＨ０モードの音速ＶＳＨ０と、圧電体層５を伝搬するバルク波の縦波成分の音速であるＶＬとが、上記の式（２）の音速ＶＳｉ−１に対し、下記の式（８）の関係を満たす。
ＶＳＨ０≦ＶＳｉ−１≦ＶＬ …式（８）
なお、第１の実施形態において式（８）を満たす場合においても、ＶＳｉ、ＶＳｉ−１、ＶＬの関係は以下のようになる。
ＶＳｉ≦ＶＳｉ−１≦ＶＬ
ＶＳｉ≦ＶＳｉ−１≦ＶＬ
この場合においても、式（７）の関係を満たすことが好ましい。
ＶＳｉ−２≦ＶＬ …式（７）
ＶＳｉ−２≦ＶＬ …式（７）
図８は、第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
本実施形態は、支持基板２と圧電体層５との間に、圧電体層５を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低い、低音速膜１４が設けられている点において、第１の実施形態と異なる。このように、本実施形態では、支持基板２上に間接的に圧電体層５が設けられている。圧電体層５の構成及び支持基板２の結晶方位も第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第２の実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
低音速膜１４は、ＳｉＯｘにより表される酸化ケイ素からなる。より具体的には、低音速膜１４はＳｉＯ２からなる。なお、低音速膜１４は、ｘが２以外の正数である酸化ケイ素からなっていてもよい。あるいは、低音速膜１４は、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタルまたは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料などからなっていてもよい。低音速膜１４の材料は、相対的に低音速な材料であればよい。もっとも、低音速膜１４は酸化ケイ素からなることが好ましい。それによって、周波数温度特性を改善することができる。
低音速膜１４の厚みは特に限定されないが、本実施形態では０．３３５λである。低音速膜１４の厚みは、２λ以下であることが好ましい。低音速膜１４の厚みを２λ以下において調整することにより、電気機械結合係数を容易に調整することができる。
本実施形態の弾性波装置の条件は以下の通りである。
圧電体層５：材料タンタル酸リチウム、カット角５０°Ｙ、厚み０．３０λ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−９０°，３５°）
低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．３３５λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−９０°，３５°）
低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．３３５λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
本実施形態の弾性波装置は、圧電体層５を伝搬するＳＨ０モードの音速よりも伝搬するバルク波の音速が高い支持基板２、低音速膜１４及び圧電体層５からなる積層体を有する。よって、圧電体層５側にＳＨ０モードをより一層効果的に閉じ込めることができる。
ここで、低音速膜と圧電体層とが積層されている場合、ＳＨ１モードなどが低域側に移動する場合がある。これを第３の比較例により示す。なお、第３の比較例は、支持基板を有しない点において、本実施形態と異なる。
図９は、第１の比較例及び第３の比較例の弾性波装置のインピーダンス周波数特性を示す図である。図９において、実線は第３の比較例の結果を示し、破線は第１の比較例の結果を示す。
図９に示すように、低音速膜１４を有しない第１の比較例よりも、低音速膜１４と圧電体層５とが積層された第３の比較例においては、ＳＨ１モード及びＡ１モードは低域側に生じている。なお、Ｓ０モードは、低域側に移動したＳＨ２モードとの混合モードとなっており、第１の比較例におけるＳ０モードよりも若干高域側に移動している。
低音速膜１４と圧電体層５とが積層されている場合においても、本実施形態においてはスプリアスモードを抑制することができる。これを、本実施形態と第４の比較例とを比較することにより示す。なお、第４の比較例は、支持基板の結晶方位が結晶方位（０°，０°，０°）である点において、本実施形態と異なる。
図１０は、第２の実施形態及び第４の比較例の弾性波装置のインピーダンス周波数特性を示す図である。図１０において、実線は第２の実施形態の結果を示し、破線は第４の比較例の結果を示す。一点鎖線はＶＬを示し、二点鎖線はＶＳｉ−１を示す。
第４の比較例においては、５６００ＭＨｚ付近において、Ｓ０モード及びＳＨ２モードの混合モードによる大きなスプリアスが生じていることがわかる。これに対して、第２の実施形態においては、Ｓ０モード及びＳＨ２モードの混合モードによるスプリアスが抑制されていることがわかる。第２の実施形態においては、第４の比較例よりも音速ＶＳｉ−１が低くされており、５１００ｍ／秒とされている。このように、式（２）を満たすように支持基板２の結晶方位が選択されているため、スプリアスモードを抑制することができる。
ＶＳｉ−１≦ＶＬ …式（２）
さらには、低音速膜１４の厚みは、圧電体層５の厚み以下であることが好ましい。この場合には、スプリアスモードをより一層抑制することができる。これを以下において示す。
第２の実施形態の構成を有する複数の弾性波装置を、それぞれ低音速膜の厚みを異ならせて作製した。
第２の実施形態の構成を有する各弾性波装置の条件は、以下の通りである。
圧電体層５：材料タンタル酸リチウム、カット角５０°Ｙ、厚み０．２０λ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−９０°，８０°）
低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．１５λ、または０．２λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０２５λ
波長λ：１μｍ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−９０°，８０°）
低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．１５λ、または０．２λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０２５λ
波長λ：１μｍ
図１９は、第２の実施形態の構成を有する各弾性波装置の位相特性を示す図である。図２０は、第２の実施形態の構成を有する各弾性波装置の位相特性を拡大して示す図である。図１９及び図２０において、実線は、低音速膜の厚みを０．１５λとし、圧電体層よりも薄くした場合の結果を示す。破線は、低音速膜の厚みを０．２λとし、圧電体層と同じ厚みとした場合の結果を示す。
図１９及び図２０に示される通り、低音速膜を圧電体層よりも薄くした場合において、低音速膜を圧電体層と同じ厚みとした場合よりも、４．５ＧＨｚ〜７ＧＨｚにおけるスプリアスの最大位相レベルがより抑えられていることがわかる。これは、低音速膜を薄くすることによって、低音速膜による板波モードの低速化が抑えられ、より支持基板にスプリアスモードが漏洩され易くなったからである。
さらに、第２の実施形態の構成を有する複数の弾性波装置を、それぞれ低音速膜の厚みを異ならせて作製した。なお、これらの弾性波装置においては、図１９及び図２０により位相特性を示した弾性波装置とは、圧電体層の厚みが異なる。
第２の実施形態の構成を有する各弾性波装置の条件は、以下の通りである。
圧電体層５：材料タンタル酸リチウム、カット角５０°Ｙ、厚み０．３０λ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−５４．７°，４５°）
低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．１λ、０．２λ、または０．３λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０４λ
波長λ：１μｍ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−５４．７°，４５°）
低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．１λ、０．２λ、または０．３λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０４λ
波長λ：１μｍ
図２１は、第２の実施形態の構成を有する各弾性波装置の位相特性を示す図である。図２２は、第２の実施形態の構成を有する各弾性波装置の位相特性を拡大して示す図である。図２１及び図２２において、実線は、低音速膜の厚みを０．１λとし、圧電体層よりも薄くした場合の結果を示す。一点鎖線は、低音速膜の厚みを０．２λとし、圧電体層よりも薄くした場合の結果を示す。破線は、低音速膜の厚みを０．３λとし、圧電体層と同じ厚みとした場合の結果を示す。
図２１及び図２２に示される通り、低音速膜を圧電体層よりも薄くした場合においては、低音速膜を圧電体層と同じ厚みとした場合よりも、４．５ＧＨｚ〜７ＧＨｚにおけるスプリアスの最大位相レベルがより抑えられている。図１９〜図２２に示したように、圧電体層の厚みによらず、低音速膜を圧電体層より薄くすることで、スプリアスモードをより一層抑制することができる。さらに、低音速膜の厚みは薄いほど望ましく、それによって、スプリアスモードをより一層抑制できることがわかる。
圧電体層５は、０．１５λ以下であることが好ましい。それによって、より一層スプリアスモードを抑制することができる。これを以下において説明する。
図１１は、圧電体層における板波のモードの分散関係を示す図である。なお、図１１は、圧電体層が３６°ＹＸ−ＬｉＴａＯ３からなる場合の例を示す。
図１１に示すように、圧電体層５の厚みが０．１５λ以下の場合、Ａ０モード及びＳ０モード以外のスプリアスとなるモードは、ほぼ励振されないことがわかる。圧電体層５が薄くなるほど、Ａ０モードの音速は０ｍ／秒に近づいていくことがわかる。他方、Ａ０モード及びＳ０モード以外のスプリアスとなるモードが励振されたとしても、１００００ｍ／秒を超える音速となる場合が多い。よって、メインモードであるＳＨ０モードの２倍程度の周波数までは、スプリアスモードは生じ難い。
ここで、圧電体層５の厚みを０．１５λ以下とした、第２の実施形態の変形例のインピーダンス周波数特性及びリターンロスを示す。本変形例の弾性波装置の条件は以下の通りである。
圧電体層５：材料タンタル酸リチウム、カット角５０°Ｙ、厚み０．１０λ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−５４．７°，３０°）
低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．１λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−５４．７°，３０°）
低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．１λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
図１２は、第２の実施形態の変形例に係る弾性波装置のインピーダンス周波数特性を示す図である。図１３は、第２の実施形態の変形例に係る弾性波装置のリターンロスを示す図である。
図１２に示すように、第２の実施形態の変形例では、メインモードの０．５倍以上、２．２倍以下程度の周波数において、スプリアスモードが効果的に抑制されていることがわかる。上述したように、圧電体層５の厚みが０．１５λ以下であるため、Ｓ０モード以外のモードによるスプリアスを抑制することができ、かつ第２の実施形態と同様に、Ｓ０モードによるスプリアスも抑制することができる。図１３に示すように、絶対値が１ｄＢより大きいロスも生じていないことがわかる。
図１４は、第３の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
本実施形態は、支持基板２と低音速膜１４との間に、圧電体層５を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高い、高音速膜２３が設けられている点において、第２の実施形態と異なる。圧電体層５及び低音速膜１４の厚み並びに支持基板２の結晶方位も第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第３の実施形態の弾性波装置は第２の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
高音速膜２３は窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる。なお、高音速膜２３は、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、ケイ素、ＤＬＣ膜、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、マグネシア、または、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料のいずれかからなっていてもよい。高音速膜２３の材料は、相対的に高音速な材料であればよい。
本実施形態の弾性波装置の条件は以下の通りである。
圧電体層５：材料タンタル酸リチウム、カット角５０°Ｙ、厚み０．２０λ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−５４．７°，３０°） 低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．２２５λ
高音速膜２３：材料ＳｉＮ、厚み０．４λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−５４．７°，３０°） 低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．２２５λ
高音速膜２３：材料ＳｉＮ、厚み０．４λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
スプリアスとなる各モードが高音速膜２３を伝搬する音速は高いため、上記各モードを支持基板２側に、より一層漏洩させることができる。よって、スプリアスモードを効果的に抑制することができる。なお、メインモードであるＳＨ０モードは、圧電体層５側に効果的に閉じ込めることができる。これを下記の図１５及び図１６により示す。なお、高音速膜を有しない点以外においては第３の実施形態と同様の構成を有する、第３の実施形態の変形例の弾性波装置を用意した。
図１５は、第３の実施形態及び変形例の弾性波装置の位相特性を示す図である。図１６は、第３の実施形態及び変形例の弾性波装置の位相特性を拡大して示す図である。図１５及び図１６において、実線は第３の実施形態の結果を示し、破線は変形例の結果を示す。
図１５に示すように、第３の実施形態においては、３７００ＭＨｚ〜４０００ＭＨｚ付近において、位相特性が９０°に近くなっている。よって、挿入損失が低くなっていることがわかる。これは変形例も同様である。
図１５及び図１６に示すように、５０００ＭＨｚ付近において、変形例においてもスプリアスモードを抑制することはできているが、第３の実施形態においては、スプリアスモードをより一層抑制できていることがわかる。
以下において、第４の実施形態の構成を説明する。本実施形態は、圧電体層５がニオブ酸リチウムからなる点において、第３の実施形態と異なる。低音速膜１４及び高音速膜２３の厚み並びに支持基板２の結晶方位も第３の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第４の実施形態の弾性波装置は第３の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
本実施形態の弾性波装置の条件は以下の通りである。
圧電体層５：材料ニオブ酸リチウム、カット角３０°Ｙ、厚み０．３０λ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−９０°，３５°）
低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．３λ
高音速膜２３：材料ＳｉＮ、厚み０．１λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
支持基板２：材料シリコン、結晶方位（−４５°，−９０°，３５°）
低音速膜１４：材料ＳｉＯ２、厚み０．３λ
高音速膜２３：材料ＳｉＮ、厚み０．１λ
ＩＤＴ電極６：材料Ａｌ、厚み０．０８λ
波長λ：１μｍ
本実施形態においても、第３の実施形態と同様に、スプリアスモードを抑制することができる。これを、以下において、本実施形態と第５の比較例とを比較することにより示す。なお、第５の比較例は、支持基板の結晶方位が結晶方位（０°，０°，０°）である点において本実施形態と異なる。
図１７は、第４の実施形態及び第５の比較例の弾性波装置のインピーダンス周波数特性を示す図である。図１７において、実線は第４の実施形態の結果を示し、破線は第５の比較例の結果を示す。
第５の比較例においては、５４００ＭＨｚ付近において、大きなスプリアスモードが生じていることがわかる。これに対して、第４の実施形態においては、スプリアスモードが抑制されていることがわかる。第４の実施形態においては、第５の比較例よりも音速ＶＳｉ−１が低くされており、５１００ｍ／秒とされている。このように、式（２）を満たすように支持基板２の結晶方位が選択されているため、スプリアスモードを抑制することができる。
ＶＳｉ−１≦ＶＬ …式（２）
高音速膜２３の膜厚は、０．１λ以上、０．６λ以下であることが好ましい。この場合には、スプリアスとなるモードを支持基板２側に、より一層漏洩させ易い。よって、スプリアスモードをより一層抑制することができる。
図１８は、第５の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
本実施形態は、支持基板２と圧電体層５との間に支持体３４が設けられており、かつキャビティＡが設けられている点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第５の実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
支持体３４には凹部３４ａが設けられており、凹部３４ａを圧電体層５が覆っている。これにより、支持体３４及び圧電体層５により囲まれたキャビティＡが設けられている。支持体３４は、特に限定されないが、本実施形態では酸化ケイ素からなる。
圧電体層５において励振された板波は、圧電体層５とキャビティＡとの界面において、圧電体層５側に反射される。他方、支持体３４における圧電体層５を支持している部分から、スプリアスとなるモードを支持基板２側に漏洩させることができる。本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、スプリアスモードを抑制することができる。
なお、支持体３４は必ずしも設けられていなくともよい。この場合、支持基板２に凹部が設けられていてもよい。該凹部が圧電体層５に覆われることにより、支持基板２及び圧電体層５により囲まれたキャビティが設けられていてもよい。
上記各実施形態及び上記各変形例においては、弾性波装置が弾性波共振子である例を示した。なお、本発明の弾性波装置は、例えば、弾性波共振子を含むラダー型フィルタや縦結合共振子型弾性波フィルタなどであってもよく、あるいは、弾性波共振子を含む帯域通過型フィルタなどを複数有するマルチプレクサであってもよい。
１…弾性波装置
２…支持基板
５…圧電体層
６…ＩＤＴ電極
７，８…反射器
１４…低音速膜
２３…高音速膜
３４…支持体
３４ａ…凹部
２…支持基板
５…圧電体層
６…ＩＤＴ電極
７，８…反射器
１４…低音速膜
２３…高音速膜
３４…支持体
３４ａ…凹部
Claims (12)
- シリコンにより構成されている支持基板と、
前記支持基板上に直接的または間接的に設けられている圧電体層と、
前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、
を備え、
前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλとしたときに、前記圧電体層の厚みが１λ以下であり、
前記圧電体層を伝搬するバルク波の縦波成分の音速であるＶＬが、下記の式（１）の音速ＶＳｉ−１に対し、下記の式（２）の関係を満たす、弾性波装置。
ＶＳｉ−１＝（Ｖ２）１／２（ｍ／秒） …式（１）
ＶＳｉ−１≦ＶＬ …式（２）
式（１）におけるＶ２は、下記の式（３）の解である。
Ａｘ３＋Ｂｘ２＋Ｃｘ＋Ｄ＝０ …式（３）
式（３）の３つの解であるＶ１、Ｖ２及びＶ３は、Ｖ１≦Ｖ２≦Ｖ３の関係にある。
式（３）において、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ、下記の式（３Ａ）、式（３Ｂ）、式（３Ｃ）及び式（３Ｄ）で表される値である。
Ａ＝−ρ３ …式（３Ａ）
Ｂ＝ρ２（Ｌ１１＋Ｌ２２＋Ｌ３３） …式（３Ｂ）
Ｃ＝ρ（Ｌ２１ ２＋Ｌ２３ ２＋Ｌ３１ ２−Ｌ１１・Ｌ３３−Ｌ２２・Ｌ３３−Ｌ１１・Ｌ２２） …式（３Ｃ）
Ｄ＝２・Ｌ２１・Ｌ２３・Ｌ３１＋Ｌ１１・Ｌ２２・Ｌ３３−Ｌ３１ ２・Ｌ２２−Ｌ１１・Ｌ２３ ２−Ｌ２１ ２・Ｌ３３ …式（３Ｄ）
ただし、式（３Ａ）、式（３Ｂ）、式（３Ｃ）または式（３Ｄ）において、ρは、シリコンの密度（ｇ／ｃｍ３）を示す。また、Ｌ１１、Ｌ２２、Ｌ３３、Ｌ２１、Ｌ３１及びＬ２３は、下記の式（４Ａ）、式（４Ｂ）、式（４Ｃ）、式（４Ｄ）、式（４Ｅ）、式（４Ｆ）で表される値である。
Ｌ１１＝ｃ１１・ａ１ ２＋ｃ４４・ａ２ ２＋ｃ４４・ａ３ ２ …式（４Ａ）
Ｌ２２＝ｃ４４・ａ１ ２＋ｃ１１・ａ２ ２＋ｃ４４・ａ３ ２ …式（４Ｂ）
Ｌ３３＝ｃ４４・ａ１ ２＋ｃ４４・ａ２ ２＋ｃ１１・ａ３ ２ …式（４Ｃ）
Ｌ２１＝（ｃ１２＋ｃ４４）・ａ２・ａ１ …式（４Ｄ）
Ｌ３１＝（ｃ１２＋ｃ４４）・ａ１・ａ３ …式（４Ｅ）
Ｌ２３＝（ｃ４４＋ｃ１２）・ａ３・ａ２ …式（４Ｆ）
ただし、式（４Ａ）、式（４Ｂ）、式（４Ｃ）、式（４Ｄ）、式（４Ｅ）、式（４Ｆ）において、ｃ１１、ｃ１２、ｃ４４は、それぞれ、シリコンの弾性定数（Ｎ／ｍ２）であり、ａ１、ａ２及びａ３は、下記の式（５Ａ）、式（５Ｂ）及び式（５Ｃ）で表される値である。
ａ１＝ｃｏｓ（φ）・ｃｏｓ（ψ）−ｓｉｎ（φ）・ｃｏｓ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ａ）
ａ２＝ｓｉｎ（φ）・ｃｏｓ（ψ）＋ｃｏｓ（φ）・ｃｏｓ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ｂ）
ａ３＝ｓｉｎ（θ）・ｓｉｎ（ψ） …式（５Ｃ）
なお、式（５Ａ）、式（５Ｂ）及び式（５Ｃ）におけるφ，θ及びψは、シリコンの結晶方位（φ，θ，ψ）における、φ，θ，ψである。 - 前記圧電体層を伝搬するバルク波の縦波成分の音速であるＶＬが、下記の式（６）の音速ＶＳｉ−２に対し、下記の式（７）の関係を満たす、請求項１に記載の弾性波装置。
ＶＳｉ−２＝（Ｖ３）１／２（ｍ／秒） …式（６）
ＶＳｉ−２≦ＶＬ …式（７） - 前記圧電体層を伝搬するＳＨ０モードの音速ＶＳＨ０と、前記圧電体層を伝搬するバルク波の縦波成分の音速であるＶＬとが、上記の式（２）の音速ＶＳｉ−１に対し、下記の式（８）の関係を満たす、請求項１または２に記載の弾性波装置。
ＶＳＨ０≦ＶＳｉ−１≦ＶＬ …式（８） - 前記支持基板と前記圧電体層との間に、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低い、低音速膜が設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記支持基板と前記低音速膜との間に、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高い、高音速膜が設けられている、請求項４に記載の弾性波装置。
- 前記高音速膜の厚みが０．６λ以下である、請求項５に記載の弾性波装置。
- 前記低音速膜の厚みが２λ以下である、請求項４〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記低音速膜の厚みが前記圧電体層の厚み以下である、請求項４〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記支持基板と前記圧電体層との間にキャビティが設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体層がタンタル酸リチウムからなる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体層がニオブ酸リチウムからなる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体層の厚みが０．１５λ以下である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017236239 | 2017-12-08 | ||
| JP2017236239 | 2017-12-08 | ||
| PCT/JP2018/042169 WO2019111664A1 (ja) | 2017-12-08 | 2018-11-14 | 弾性波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019111664A1 true JPWO2019111664A1 (ja) | 2020-11-19 |
| JP6825722B2 JP6825722B2 (ja) | 2021-02-03 |
Family
ID=66750935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019558103A Active JP6825722B2 (ja) | 2017-12-08 | 2018-11-14 | 弾性波装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11509282B2 (ja) |
| JP (1) | JP6825722B2 (ja) |
| KR (1) | KR102358899B1 (ja) |
| CN (1) | CN111434037B (ja) |
| WO (1) | WO2019111664A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2021060521A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | ||
| CN115398801A (zh) | 2020-03-06 | 2022-11-25 | 京瓷株式会社 | 弹性波谐振器、弹性波滤波器、分波器、通信装置 |
| WO2021200835A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2021200469A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JP7188412B2 (ja) * | 2020-04-17 | 2022-12-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び複合フィルタ装置 |
| WO2021221162A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2021246446A1 (ja) * | 2020-06-03 | 2021-12-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2021246447A1 (ja) * | 2020-06-04 | 2021-12-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2022014440A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2022019170A1 (ja) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2022071605A1 (ja) * | 2020-10-02 | 2022-04-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 |
| CN112398456A (zh) * | 2020-11-20 | 2021-02-23 | 天通瑞宏科技有限公司 | 一种高性能声表面波器件及其制备方法 |
| CN116569487A (zh) * | 2020-12-11 | 2023-08-08 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| CN117200743A (zh) * | 2022-05-31 | 2023-12-08 | 华为技术有限公司 | 滤波器及电子设备 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0998058A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| WO2005099091A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波フィルタ |
| JP2009236674A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tdk Corp | 振動ジャイロセンサ |
| WO2016093284A1 (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | 株式会社ニコン | 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法 |
| WO2017043394A1 (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| WO2017209131A1 (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | 京セラ株式会社 | 複合基板、およびそれを用いた弾性波素子 |
| WO2018151147A1 (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7105980B2 (en) * | 2002-07-03 | 2006-09-12 | Sawtek, Inc. | Saw filter device and method employing normal temperature bonding for producing desirable filter production and performance characteristics |
| JP5713025B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-05-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
-
2018
- 2018-11-14 KR KR1020207014980A patent/KR102358899B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-14 WO PCT/JP2018/042169 patent/WO2019111664A1/ja active Application Filing
- 2018-11-14 CN CN201880077856.5A patent/CN111434037B/zh active Active
- 2018-11-14 JP JP2019558103A patent/JP6825722B2/ja active Active
-
2020
- 2020-05-28 US US16/885,321 patent/US11509282B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0998058A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| WO2005099091A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波フィルタ |
| JP2009236674A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tdk Corp | 振動ジャイロセンサ |
| WO2016093284A1 (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | 株式会社ニコン | 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法 |
| WO2017043394A1 (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| WO2017209131A1 (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | 京セラ株式会社 | 複合基板、およびそれを用いた弾性波素子 |
| WO2018151147A1 (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11509282B2 (en) | 2022-11-22 |
| KR20200079513A (ko) | 2020-07-03 |
| WO2019111664A1 (ja) | 2019-06-13 |
| KR102358899B1 (ko) | 2022-02-08 |
| US20200295730A1 (en) | 2020-09-17 |
| JP6825722B2 (ja) | 2021-02-03 |
| CN111434037B (zh) | 2023-09-08 |
| CN111434037A (zh) | 2020-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6825722B2 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP6662490B2 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP6822597B2 (ja) | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
| JPWO2020100744A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| JPWO2020204036A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| JPWO2005086345A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| CN111446942B (zh) | 弹性波装置 | |
| JP2019140456A (ja) | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
| JP7485478B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| JPWO2020209190A1 (ja) | 弾性波装置及びマルチプレクサ | |
| WO2020184621A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| US20230022219A1 (en) | Acoustic wave device | |
| WO2021220887A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| WO2021215302A1 (ja) | 複合基板及び弾性波装置 | |
| KR102667725B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
| WO2021090861A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| WO2022264933A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| WO2021210551A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| WO2021220974A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| WO2022168799A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| WO2020241776A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| WO2022168798A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| WO2020184624A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| WO2022220222A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP2021158553A (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ、マルチプレクサおよびウエハ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200527 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201215 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201228 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6825722 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |