WO2020184624A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2020184624A1
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wave device
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Inventor
克也 大門
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device in which a hypersonic film and a low sound velocity film are laminated between a support substrate and a piezoelectric layer.
  • Patent Document 1 discloses such an elastic wave device.
  • a support substrate, a hypersonic film, a low sound velocity film, and a piezoelectric film are laminated in this order.
  • An IDT electrode is provided on the piezoelectric film.
  • the higher-order mode leaks to the support substrate side. Therefore, the influence of the higher-order mode can be suppressed. However, it is required to further reduce the influence of the higher-order mode.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device capable of further reducing the influence of a higher-order mode that becomes spurious.
  • the elastic wave device includes a support substrate, a high sound velocity film provided on the support substrate, a first low sound velocity film provided on the high sound velocity film, and the first low sound velocity film.
  • a second bass sound film provided on the sound velocity film, a piezoelectric layer provided on the second bass velocity film, and an IDT electrode provided on the piezoelectric layer are provided.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating in the high-pitched sound film is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer, and the sound velocity of the bulk wave propagating in the first low-pitched sound film propagates in the piezoelectric layer.
  • FIG. 1 is a front sectional view showing a main part of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing the electrode structure of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing the phase characteristics of the elastic wave devices of Example 1 and Comparative Example 1.
  • FIG. 4 is a diagram showing the phase characteristics of the elastic wave device, which is an enlarged view of the portion surrounded by the alternate long and short dash line in FIG.
  • FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the thickness of the Ta 2 O 5 film and the phase of the higher-order mode.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the thickness of the ZrO 2 film and the phase of the higher-order mode.
  • FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the thickness of the lead molybdate film and the phase of the higher-order mode.
  • FIG. 1 is a front sectional view showing a main part of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the support substrate 2, the hypersonic film 3, the first hypersonic film 4, the second hypersonic film 5, and the piezoelectric layer 6 are laminated in this order. ..
  • the IDT electrode 7 is provided on the piezoelectric layer 6.
  • reflectors 8 and 9 are provided on both sides of the IDT electrode 7 in the elastic wave propagation direction. As a result, an elastic wave resonator is constructed.
  • the material constituting the support substrate 2 is not particularly limited, and various semiconductors and dielectrics can be used.
  • the support substrate 2 is a silicon substrate. More specifically, it is a silicon substrate having a crystal orientation of Si (111).
  • the propagation angle of the support substrate 2 is 46 °.
  • the propagation angle of the support substrate 2 is an angle formed by the elastic wave propagation direction and the silicon crystal axis [1-10] on the (111) plane.
  • Si (111) indicates that the silicon crystal structure having a diamond structure is a substrate cut on the (111) plane orthogonal to the crystal axis represented by the Miller index [111]. It also includes other crystallographically equivalent surfaces.
  • the crystal orientation, propagation angle, and material of the support substrate 2 are not limited to the above.
  • the hypersonic film 3 is made of a hypersonic material in which the sound velocity of the propagating bulk wave is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 6.
  • the hypersonic film 3 is a silicon nitride film.
  • the high-pitched sound material mainly consists of aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon oxide, silicon oxynitride, DLC (diamond-like carbon) film or diamond, a medium containing the material as a main component, and a mixture of the materials. A medium or the like as a component can be used.
  • the film thickness of the hypersonic film 3 is 300 nm.
  • the first bass velocity film 4 is made of a bass velocity material in which the sound velocity of the propagating bulk wave is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer 6.
  • the first bass velocity film 4 is a silicon oxide film.
  • the main component is the above-mentioned material such as silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, or a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide. It is possible to use the medium or the like.
  • the film thickness of the first bass velocity film 4 is set to 300 nm.
  • the second bass velocity film 5 is made of a bass velocity material in which the sound velocity of the propagating bulk wave is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer 6.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating through the second bass velocity film 5 is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating through the first bass velocity film 4.
  • tantalum pentoxide is used as the bass velocity material constituting such a second bass velocity film 5.
  • the various bass velocity materials described above can be used.
  • the second bass velocity film 5 is a dielectric selected from the group consisting of tantalum pentoxide such as tantalum pentoxide, niobium oxide such as tungsten oxide and niobium pentoxide, zirconia, lead molybdate and hafnium oxide. Consists of. In that case, the influence of the higher-order mode can be further reduced.
  • a support substrate made of, for example, a silicon substrate, a high sound velocity film made of silicon nitride, a first low sound velocity film made of silicon oxide or a compound obtained by adding fluorine, carbon or boron to silicon oxide, and tantalate oxide, oxidation.
  • a combination of a second bass sound film made of niobate, tungsten oxide, zirconia, lead molybdate and hafnium oxide and a piezoelectric layer made of lithium tantalate or lithium niobate is used.
  • the film thickness of the second bass velocity film 5 is 25 nm.
  • the piezoelectric layer 6 is composed of LiTaO 3 having a 55 ° Y-cut X propagation.
  • the film thickness of the piezoelectric layer 6 was 400 nm.
  • Piezoelectric layer 6 may be made of other piezoelectric single crystal such as LiNbO 3.
  • a Ti / Al / Ti laminated film was used from the piezoelectric layer 6 side.
  • a protective film 10 made of a silicon oxide film was laminated so as to cover the IDT electrode 7.
  • the thickness of the protective film 10 was 35 nm.
  • the thickness of the protective film 10 is the thickness of the silicon oxide film on the IDT electrode 7.
  • the electrode finger pitch of the IDT electrode 7 was 1 ⁇ m, and the logarithm of the electrode fingers was one pair. Since it is based on the periodic boundary condition of the finite element method, it is calculated as one pair, but it is assumed that the logarithmic direction is an infinite pair.
  • FIG. 3 shows the phase characteristics of the elastic wave device of the above embodiment.
  • an elastic wave device configured in the same manner as in Example 1 was used as Comparative Example 1 except that the second bass velocity film 5 was not provided.
  • the solid line shows the result of Example 1
  • the broken line shows the result of Comparative Example 1.
  • the portion surrounded by the alternate long and short dash line in FIG. 3 is enlarged and shown in FIG.
  • Example 1 having the second bass velocity film 5 As described above, in Example 1 having the second bass velocity film 5, the reason why the influence of the higher-order mode can be further reduced is not always clear, but the sound velocity is lower than that of the first bass velocity film 4. It is considered that the provision of the second bass velocity film 5 makes it possible to further attract the energy of the higher-order mode to the support substrate 2 side.
  • the maximum phase value due to the response of the other higher-order modes appearing in the 3600 MHz to 4300 MHz band is also sufficiently smaller than that of Comparative Example 1 according to Example 1.
  • FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the film thickness of the Ta 2 O 5 film and the phase of the higher-order mode.
  • the film thickness of the Ta 2 O 5 film is 30 nm or less, that is, 0.015 ⁇ or less, the influence of the higher-order mode can be reduced as compared with the case of Comparative Example 1. Therefore, it is desirable that the film thickness of the Ta 2 O 5 film is 30 nm or less and 0.015 ⁇ or less.
  • Example 2 an elastic wave device of Example 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the second bass velocity film 5 was a ZrO 2 film.
  • the film thickness of the ZrO 2 film was variously changed, and the phase change of the higher-order mode appearing in the vicinity of 2500 MHz to 3000 MHz was obtained.
  • the results are shown in FIG.
  • the film thickness of the ZrO 2 film is not more than 0.02 ⁇ If so, it can be seen that the influence of the higher-order mode can be effectively reduced.
  • Example 3 an elastic wave device of Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that the Ta 2 O 5 film of Example 1 was changed to a lead molybdate film. Also in Example 3, the lead molybdate film thickness was changed to determine the relationship between the lead molybdate film thickness and the phase of the higher-order mode. The results are shown in FIG. As is clear from FIG. 7, even when the second bass velocity film 5 is made of a lead molybdate film, if the film thickness is 0.03 ⁇ or less, the second bass velocity film 5 is not provided. It can be seen that the influence of the higher-order mode can be reduced as compared with the case.
  • the inventor of the present application has confirmed that the influence of the higher-order mode can be further reduced even when the second bass velocity film 5 made of hafnium oxide is used.
  • the second bass velocity film 5 is composed of one kind of dielectric selected from the group consisting of tantalum pentoxide, zirconia, lead molybdate and hafnium oxide.
  • a Rayleigh wave may be generated as an unnecessary wave.
  • the Rayleigh wave phase derived from the second Euler angles ⁇ of the piezoelectric layer 6, the thickness of the piezoelectric layer 6, and the thickness of the second bass velocity film 5 may be ⁇ 70 [deg] or less. preferable.
  • the second Euler angles are ⁇ in Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ).
  • the following equation 1 is derived, which is a relational expression between the phase of the Rayleigh wave and the second Euler angles ⁇ of the piezoelectric layer 6, the thickness of the piezoelectric layer 6, and the thickness of the second bass velocity film 5. ..
  • Equation 1 was derived when the film 5 was provided and the piezoelectric layer 6 was provided on the second hypersonic film 5.
  • the piezoelectric layer 6 is composed of LiTaO 3 (LT), and the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the piezoelectric layer 6 are within the Euler angles (within 0 ⁇ 5 °, ⁇ , 0 ⁇ ). (Within the range of 5 °).
  • the material of the second bass velocity film 5 was Ta 2 O 5 .
  • the thickness of the piezoelectric layer 6 is described as LT
  • the thickness of the second bass velocity film 5 is described as Ta 2 O 5 film thickness.
  • the Rayleigh wave phase derived by Equation 1 is ⁇ 70 [deg] or less.

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Abstract

高次モードの影響をより一層小さくすることができる、弾性波装置を提供する。　支持基板２と、支持基板２上に設けられている高音速膜３と、高音速膜３上に設けられている第１の低音速膜４と、第１の低音速膜４上に設けられている第２の低音速膜５と、第２の低音速膜５上に設けられている圧電体層６と、圧電体層６上に設けられているＩＤＴ電極７とを備え、高音速膜３を伝搬するバルク波の音速が、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高く、第１の低音速膜４を伝搬するバルク波の音速が、圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低く、第２の低音速膜５を伝搬するバルク波の音速が、第１の低音速膜４を伝搬するバルク波の音速よりも低い、弾性波装置１。

Description

弾性波装置
　本発明は、支持基板と圧電体層との間に高音速膜及び低音速膜が積層されている、弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置は、携帯電話機の帯域通過型フィルタ等に広く用いられている。下記の特許文献１には、このような弾性波装置が開示されている。特許文献１では、支持基板、高音速膜、低音速膜及び圧電膜がこの順序で積層されている。圧電膜上にＩＤＴ電極が設けられている。
国際公開第２０１６／１０３９５３号
　特許文献１に記載の弾性波装置では、高次モードが支持基板側に漏洩する。そのため、高次モードによる影響を抑制することができる。しかしながら、高次モードの影響をより一層小さくすることが求められている。
　本発明の目的は、スプリアスとなる高次モードの影響をより一層小さくすることが可能である、弾性波装置を提供することである。
　本発明に係る弾性波装置は、支持基板と、前記支持基板上に設けられている高音速膜と、前記高音速膜上に設けられている第１の低音速膜と、前記第１の低音速膜上に設けられている第２の低音速膜と、前記第２の低音速膜上に設けられている圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極とを備え、前記高音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高く、前記第１の低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低く、前記第２の低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記第１の低音速膜を伝搬するバルク波の音速よりも低い、弾性波装置である。
　本発明に係る弾性波装置では、スプリアスとなる高次モードの影響をより一層小さくすることが可能となる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の要部を示す正面断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図３は、実施例１及び比較例１の弾性波装置の位相特性を示す図である。 図４は、図３中の一点鎖線で囲まれた部分を拡大して示す、弾性波装置の位相特性を示す図である。 図５は、Ｔａ２Ｏ５膜の厚みと、高次モードの位相との関係を示す図である。 図６は、ＺｒＯ２膜の厚みと、高次モードの位相との関係を示す図である。 図７は、モリブデン酸鉛膜の厚みと、高次モードの位相との関係を示す図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の要部を示す正面断面図である。図１に示すように、弾性波装置１では、支持基板２、高音速膜３、第１の低音速膜４、第２の低音速膜５及び圧電体層６がこの順序で積層されている。圧電体層６上に、ＩＤＴ電極７が設けられている。実際には、図２に示すように、ＩＤＴ電極７の弾性波伝搬方向両側に反射器８，９が設けられている。それによって、弾性波共振子が構成されている。
　支持基板２を構成する材料は特に限定されず、様々な半導体や誘電体を用いることができる。本実施形態では、支持基板２は、シリコン基板である。より具体的には、結晶方位がＳｉ（１１１）のシリコン基板である。支持基板２の伝搬角は４６°である。なお、支持基板２の伝搬角とは、（１１１）面において弾性波伝搬方向とシリコンの結晶軸［１－１０］とのなす角である。ここで、Ｓｉ（１１１）とは、ダイヤモンド構造を有するシリコンの結晶構造において、ミラー指数［１１１］で表される結晶軸に直交する（１１１）面においてカットした基板であることを示す。なお、その他の結晶学的に等価な面も含む。もっとも、支持基板２の結晶方位、伝搬角及び材料は上記に限定されない。
　高音速膜３は、伝搬するバルク波の音速が圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い高音速材料からなる。本実施形態では、高音速膜３は窒化ケイ素膜である。もっとも、上記高音速材料としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、前記材料の混合物を主成分とする媒質等を用いることができる。
　本実施形態では、高音速膜３の膜厚は３００ｎｍとした。
　第１の低音速膜４は、伝搬するバルク波の音速が、圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い低音速材料からなる。本実施形態では、第１の低音速膜４は酸化ケイ素膜である。もっとも、このような低音速材料としては、これに限定されず、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物など、前記材料を主成分とした媒質等を用いることができる。
　本実施形態では、第１の低音速膜４の膜厚は３００ｎｍとした。
　第２の低音速膜５は、伝搬するバルク波の音速が、圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い低音速材料からなる。ここで、第２の低音速膜５を伝搬するバルク波の音速は、第１の低音速膜４を伝搬するバルク波の音速よりも低くされている。本実施形態では、このような第２の低音速膜５を構成する低音速材料として五酸化タンタルが用いられている。
　もっとも、上記第１の低音速膜４と第２の低音速膜５との音速関係を満たす限り、前述した様々な低音速材料を用いることができる。好ましくは、第２の低音速膜５は、五酸化タンタルなどの酸化タンタル、酸化タングステン、五酸化ニオブなどの酸化ニオブ、ジルコニア、モリブデン酸鉛及び酸化ハフニウムからなる群から選択した１種の誘電体からなる。その場合には、高次モードの影響をより一層小さくすることができる。
　好ましくは、例えばシリコン基板からなる支持基板上に、窒化ケイ素からなる高音速膜、酸化ケイ素または酸化ケイ素にフッ素、炭素もしくはホウ素を加えた化合物からなる第１の低音速膜と、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、ジルコニア、モリブデン酸鉛及び酸化ハフニウムからなる第２の低音速膜と、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる圧電体層の組み合わせが用いられる。
　本実施形態では、上記第２の低音速膜５の膜厚は２５ｎｍとした。
　圧電体層６は、本実施形態では、５５°ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ３からなる。圧電体層６の膜厚は４００ｎｍとした。圧電体層６は、ＬｉＮｂＯ３等の他の圧電単結晶からなるものであってもよい。
　ＩＤＴ電極７及び反射器８，９は、圧電体層６側からＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜を用いた。膜厚は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ＝１２ｎｍ／１００ｎｍ／１０ｎｍとした。
　また、ＩＤＴ電極７を覆うように、酸化ケイ素膜からなる保護膜１０を積層した。この保護膜１０の厚みは３５ｎｍとした。ここで、保護膜１０の厚みとは、ＩＤＴ電極７上における酸化ケイ素膜の厚みである。
　ＩＤＴ電極７における電極指ピッチは１μｍ、電極指の対数は１対とした。なお、有限要素法の周期境界条件に基づくため１対で計算しているが、対数方向は無限対と仮定している。
　上記実施形態の弾性波装置の位相特性を図３に示す。比較のために、第２の低音速膜５が設けられていないことを除いては、実施例１と同様にして構成された弾性波装置を比較例１とした。図３においては、実線で実施例１の結果を、破線で比較例１の結果を示す。また、図３の一点鎖線で囲まれた部分を図４に拡大して示す。
　図３から明らかなように、実施例１及び比較例１のいずれにおいても、２０００ＭＨｚ付近におけるメインの応答強度が十分大きくされている。
　他方、図４に示すように、比較例１では、２５００ＭＨｚ～３０００ＭＨｚ付近に表れている高次モードの応答における位相最大値が大きいのに対し、実施例１によれば、高次モードの応答による位相最大値を十分に小さくすることが可能とされている。
　上記のように、第２の低音速膜５を有する実施例１において、高次モードの影響をより一層小さくし得る理由は必ずしも明らかではないが、第１の低音速膜４よりも音速が低い第２の低音速膜５を設けることにより、高次モードのエネルギーを支持基板２側により一層引き付けることが可能とされていることによると考えられる。
　また、３６００ＭＨｚ～４３００ＭＨｚ帯に表れている他の高次モードの応答による位相最大値についても、実施例１によれば、比較例１に比べ十分に小さくされている。
　次に、上記実施例１における第２の低音速膜５であるＴａ２Ｏ５膜の膜厚を種々変更し、２５００ＭＨｚ～３０００ＭＨｚ付近の高次モードの位相を測定した。ここで、ＩＤＴ電極７の電極指ピッチにより規定される波長をλとする。図５はＴａ２Ｏ５膜の膜厚と、高次モードの位相との関係を示す図である。
　図５から明らかなように、Ｔａ２Ｏ５膜の膜厚が３０ｎｍ以下、すなわち０．０１５λ以下であれば、比較例１の場合に比べて高次モードの影響を小さくし得ることがわかる。したがって、Ｔａ２Ｏ５膜の膜厚は、３０ｎｍ以下、０．０１５λ以下であることが望ましい。
　次に、第２の低音速膜５を、ＺｒＯ２膜としたことを除いては実施例１と同様にして実施例２の弾性波装置を作成した。この実施例２において、ＺｒＯ２膜の膜厚を種々変化させ、上記２５００ＭＨｚ～３０００ＭＨｚ付近に表れる高次モードの位相の変化を求めた。結果を図６に示す。図６から明らかなように、第２の低音速膜５がＺｒＯ２膜の場合にも、第２の低音速膜５を有しない場合に比べ、ＺｒＯ２膜の膜厚が０．０２λ以下であれば、高次モードの影響を効果的に小さくし得ることがわかる。
　次に、実施例１のＴａ２Ｏ５膜をモリブデン酸鉛膜に変更したことを除いては、実施例１と同様にして実施例３の弾性波装置を作製した。実施例３においても、モリブデン酸鉛膜厚を変化させ、モリブデン酸鉛膜厚と高次モードの位相との関係を求めた。結果を図７に示す。図７から明らかなように、第２の低音速膜５がモリブデン酸鉛膜からなる場合においても、その膜厚を０．０３λ以下とすれば、第２の低音速膜５が設けられていない場合に比べ、高次モードの影響を小さくし得ることがわかる。
　なお、本願の発明者は、酸化ハフニウムからなる第２の低音速膜５を用いた場合においても、同様に高次モードの影響をより一層小さくし得ることを確認した。
　したがって、本発明では、好ましくは、第２の低音速膜５は、五酸化タンタル、ジルコニア、モリブデン酸鉛及び酸化ハフニウムからなる群から選択した１種の誘電体からなる。
　ところで、弾性波装置１において、不要波としてレイリー波が生じる場合がある。このとき、圧電体層６の第２オイラー角θと、圧電体層６の厚みと、第２の低音速膜５の厚みから導出されるレイリー波位相が－７０［ｄｅｇ］以下となることが好ましい。なお、第２オイラー角とは、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるθである。ここで、レイリー波の位相と、圧電体層６の第２オイラー角θ、圧電体層６の厚み及び第２の低音速膜５の厚みとの関係式である、下記の式１を導出した。
　なお、支持基板２上に高音速膜３が設けられており、高音速膜３上に第１の低音速膜４が設けられており、第１の低音速膜４上に第２の低音速膜５が設けられており、第２の低音速膜５上に圧電体層６が設けられている場合において式１を導出した。式１の導出に際し、圧電体層６がＬｉＴａＯ３（ＬＴ）からなり、圧電体層６のオイラー角（φ，θ，ψ）が、オイラー角（０±５°の範囲内，θ，０±５°の範囲内）であるとした。第２の低音速膜５の材料はＴａ２Ｏ５とした。下記の式１においては、圧電体層６の厚みはＬＴと記載しており、第２の低音速膜５の厚みはＴａ２Ｏ５膜厚と記載している。
　式１により導出されるレイリー波位相が－７０［ｄｅｇ］以下となることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　１…弾性波装置
　２…支持基板
　３…高音速膜
　４，５…第１，第２の低音速膜
　６…圧電体層
　７…ＩＤＴ電極
　８，９…反射器
　１０…保護膜

Claims (6)

  1. 　支持基板と、
    　前記支持基板上に設けられている高音速膜と、
    　前記高音速膜上に設けられている第１の低音速膜と、
    　前記第１の低音速膜上に設けられている第２の低音速膜と、
    　前記第２の低音速膜上に設けられている圧電体層と、
    　前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極とを備え、
    　前記高音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高く、
    　前記第１の低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低く、
    　前記第２の低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記第１の低音速膜を伝搬するバルク波の音速よりも低い、弾性波装置。
  2. 　前記第１の低音速膜が酸化ケイ素膜である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第２の低音速膜が酸化タンタル、酸化タングステン、酸化ニオブ、ジルコニア、モリブデン酸鉛及び酸化ハフニウムからなる群から選択した一種の誘電体からなる膜である、請求項１又は２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記支持基板がシリコン基板である、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記圧電体層の第２オイラー角θと、前記圧電体層の厚みと、前記第２の低音速膜の厚みから導出されるレイリー波位相が－７０［ｄｅｇ］以下となる、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　シリコン基板からなる支持基板と、
    　前記支持基板上に設けられ、窒化ケイ素からなる高音速膜と、
    　前記高音速膜上に設けられ、酸化ケイ素、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素もしくはホウ素を加えた化合物からなる第１の低音速膜と、
    　前記第１の低音速膜上に設けられ、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、ジルコニア、モリブデン酸鉛及び酸化ハフニウムからなる第２の低音速膜と、
    　前記第２の低音速膜上に設けられ、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる圧電体層と、
    　前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極とを備える、弾性波装置。
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JP2015115870A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 株式会社村田製作所 弾性波デバイス
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