JPWO2019082714A1 - 多層基板、インターポーザおよび電子機器 - Google Patents

多層基板、インターポーザおよび電子機器 Download PDF

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Abstract

多層基板(301)は、第1主面(MS1)を有する素体(10)と、第1主面(MS1)に形成され、金属箔からなる第1外部電極(外部電極(P11,P12))と、第1層間接続導体(LC11,LC12)と、第1層間接続導体(LC11,LC12)よりも高い導電率を有する金属製の第2層間接続導体(LC21,LC22)と、を備える。素体(10)は、複数の絶縁基材層(11,12,13,14,15)を積層してなる。第1層間接続導体(LC11,LC12)は、少なくとも第1外部電極が形成される絶縁基材層(11)に形成され、第1外部電極に接続されている。第2層間接続導体(LC21,LC22)は、素体(10)の内部に配置され、第1層間接続導体(LC11,LC12)を介して第1外部電極に接続される。

Description

本発明は、複数の絶縁層が積層された素体に層間接続導体が形成された多層基板、インターポーザ、およびそのインターポーザを備える電子機器に関する。
従来、銅箔等による導体パターンが表面に設けられた複数の絶縁基材層を積層してなる多層基板が知られている。
例えば、特許文献1には、各絶縁基材層にそれぞれ形成した開口内に導電性ペーストを充填して焼成することにより形成される、層間接続導体を備えた多層基板が開示されている。上記多層基板の層間接続導体は、各絶縁基材層に形成された導体同士を、複数の絶縁基材層の積層方向に接合する接合材として機能する。
特開2003−086948号公報
しかし、特許文献1に示される多層基板では、層間接続導体の材料に、接合材としての機能を満たす材料が選択されるため、選択できる材料が限定されてしまう。また、接合材としての機能を満たす材料は、金属単体に比べて導体抵抗の高いものが多いため、焼成後の層間接続導体の導体抵抗は高くなりやすい。
本発明の目的は、素体表面に形成された外部電極との接合性を保ちつつ、導体抵抗の低減が可能な層間接続導体を備えた多層基板、インターポーザ、およびそのインターポーザを備える電子機器を提供することにある。
(1)本発明の多層基板は、
複数の絶縁基材層を積層してなり、前記複数の絶縁基材層の積層方向に対して直交する第1主面を有する素体と、
前記第1主面に形成され、金属箔からなる第1外部電極と、
前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第1外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第1外部電極に接続される第1層間接続導体と、
前記素体内に配置され、前記第1層間接続導体を介して前記第1外部電極に接続され、前記第1層間接続導体よりも高い導電率を有する金属製の第2層間接続導体と、
を備えることを特徴とする。
第1層間接続導体は、例えば、絶縁基材層に形成した貫通孔に導電性ペーストを充填し、加熱プレス処理により導電性ペーストを固化させることにより設けられるビア導体である。上記導電性ペーストには導体パターン等との接合性を重視した材料が用いられるため、ビア導体等の導電性はあまり高くない場合が多い。一方、この構成によれば、第1層間接続導体(例えば、ビア導体)および第2層間接続導体(金属部材)を併用して、複数の絶縁基材層の積層方向に延びて第1外部電極に接続される配線を形成している。そのため、上記配線を複数のビア導体のみで形成する場合に比べて、導体損失を低減できる。
この構成によれば、第1層間接続導体と第1外部電極との界面が、固相拡散接合により接続され、第1層間接続導体と第2層間接続導体との界面が、固相拡散接合により接続される。そのため、第1外部電極に接続される第1層間接続導体を、めっき法等を用いて形成する場合に比べて、容易な製法により、第1外部電極と第1層間接続導体との間の接合強度、および第1層間接続導体と第2層間接続導体との間の接合強度を高くできる。
(2)上記(1)において、前記第1層間接続導体は、前記第1外部電極が形成される絶縁基材層のみに形成されることが好ましい。この構成によれば、第1層間接続導体が複数のビア導体を互いに接続した構成である場合と比べて、積層方向に延びる配線の導体損失を低減でき、積層方向に延びる配線の電気的な接続信頼性を高めることができる。
(3)上記(1)または(2)において、前記素体は、前記第1主面に対向する第2主面を有し、前記第2主面に形成され、金属箔からなる第2外部電極と、前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第2外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第2層間接続導体および前記第2外部電極にそれぞれ接続される第3層間接続導体と、をさらに備え、前記第2層間接続導体は、前記第3層間接続導体よりも高い導電性を有していてもよい。導電性ペーストが固化されてなるビア導体等は導電性があまり高くない場合が多い。一方、この構成によれば、第3層間接続導体(例えば、ビア導体)および第2層間接続導体(金属部材)を併用して、複数の絶縁基材層の積層方向に延びて第2外部電極に接続される配線を形成している。そのため、上記配線を複数のビア導体のみで形成する場合に比べて、導体損失を低減できる。
(4)上記(3)において、前記第3層間接続導体は、前記第2外部電極が形成される絶縁基材層のみに形成されることが好ましい。この構成によれば、第3層間接続導体が複数のビア導体を互いに接続した構成である場合と比べて、積層方向に延びる配線の導体損失を低減でき、積層方向に延びる配線の電気的な接続信頼性を高めることができる。
(5)上記(1)から(4)のいずれかにおいて、前記素体は、前記積層方向の厚みが、前記積層方向に直交する方向の長さよりも厚いことが好ましい。素体の積層方向の厚みが厚く、積層方向に延びて外部電極に接続される配線が長い場合、上記配線を複数のビア導体のみで形成すると、上記配線での導体損失が大きくなる。そのため、特に、素体の積層方向の厚みが厚く、上記配線が長い場合に、第1層間接続導体と第2層間接続導体とを併用することによる導体損失の低減効果は大きい。
(6)上記(1)から(5)のいずれかにおいて、前記素体は、前記第1主面に直交する端面を有し、前記端面に形成される面状導体を備えていてもよい。この構成によれば、面状導体によるシールド効果によって、第2層間接続導体等から外部への不要輻射を抑制できる、または第2層間接続導体等に対する外部からのノイズの影響を抑制できる。
(7)上記(1)から(6)のいずれかにおいて、前記第2層間接続導体は、前記複数の絶縁基材層のうち2以上の絶縁基材層に亘って配置されていることが好ましい。この構成によれば、積層方向に延びて外部電極に接続される配線を形成するのに必要な、ビア導体の数を少なくできるため、多層基板の製造工程を簡略化できる。また、この構成により、上記配線の電気的な接続信頼性が高まる。
(8)上記(1)から(7)のいずれかにおいて、前記第2層間接続導体の前記積層方向の長さは、前記第2層間接続導体と導通する層間接続導体の前記積層方向の長さよりも長いことが好ましい。この構成によれば、第2層間接続導体の積層方向の長さが、ビア導体等の積層方向の長さよりも短い場合に比べて、導体損失を低減できる。
(9)上記(1)から(8)のいずれかにおいて、高周波伝送線路の少なくとも一部を構成する信号線を備え、前記信号線は、前記第1層間接続導体および前記第2層間接続導体を含むことが好ましい。この構成によれば、第2層間接続導体を含まない信号線に比べて、信号線全体の導体抵抗は低減され、伝送損失を低減できる。
(10)本発明のインターポーザは、
第1部材と第2部材との間に配置され、前記第1部材および前記第2部材を電気的に接続するインターポーザであって、
前記インターポーザは、
複数の絶縁基材層を積層してなり、前記複数の絶縁基材層の積層方向に対して直交し、互いに対向する第1主面および第2主面を有する素体と、
前記第1主面に形成され、金属箔からなる第1外部電極と、
前記第2主面に形成され、金属箔からなる第2外部電極と、
前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第1外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第1外部電極に接続される第1層間接続導体と、
前記素体内に配置され、前記第1層間接続導体を介して前記第1外部電極に接続され、前記第1層間接続導体よりも高い導電率を有する金属製の第2層間接続導体と、
前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第2外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第2層間接続導体および前記第2外部電極にそれぞれ接続される第3層間接続導体と、
を備え、
前記第2層間接続導体は、前記第3層間接続導体よりも高い導電性を有することを特徴とする。
この構成によれば、素体表面に形成される外部電極との接合性を保ちつつ、導体抵抗の低減が可能な層間接続導体を備えたインターポーザを実現できる。
(11)上記(10)において、前記第1外部電極と前記第2外部電極との間の配線は、前記第1層間接続導体、前記第2層間接続導体および前記第3層間接続導体のみで形成されることが好ましい。この構成によれば、第1外部電極と第2外部電極との間の配線に、第1層間接続導体および第3層間接続導体以外の他のビア導体が含まれていないため、上記配線に他のビア導体が含まれている場合に比べて、導体損失をさらに低減できる。
(12)上記(10)または(11)において、前記素体は、前記第1主面に直交する端面を有し、前記端面に形成される面状導体をさらに備えることが好ましい。この構成によれば、面状導体によるシールド効果によって、第2層間接続導体等(信号線)から外部への不要輻射を抑制できる、または第2層間接続導体(信号線)に対する外部からのノイズの影響を抑制できる。
(13)本発明の電子機器は、
第1部材と、
第2部材と、
前記第1部材と前記第2部材との間に配置され、前記第1部材と前記第2部材とを電気的に接続するインターポーザと、
を備え、
前記インターポーザは、
複数の絶縁基材層を積層してなり、前記複数の絶縁基材層の積層方向に対して直交し、互いに対向する第1主面および第2主面を有する素体と、
前記第1主面に形成され、金属箔からなる第1外部電極と、
前記第2主面に形成され、金属箔からなる第2外部電極と、
前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第1外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第1外部電極に接続される第1層間接続導体と、
前記素体内に配置され、前記第1層間接続導体を介して前記第1外部電極に接続され、前記第1層間接続導体よりも高い導電率を有する金属製の第2層間接続導体と、
前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第2外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第2層間接続導体および前記第2外部電極にそれぞれ接続される第3層間接続導体と、
を有し、
前記第2層間接続導体は、前記第3層間接続導体よりも高い導電性を有することを特徴とする。
この構成によれば、素体表面に形成される外部電極との接合性を保ちつつ、導体抵抗の低減が可能な層間接続導体を有するインターポーザを備えた、電子機器を実現できる。
(14)上記(13)において、前記第1部材または前記第2部材に実装され、前記第1部材と前記第2部材との間に配置される部品をさらに備えていてもよい。
(15)上記(14)において、前記素体は、前記第1主面に直交する端面を有し、前記インターポーザは、前記端面に形成される面状導体を有し、前記面状導体は、前記第2層間接続導体と前記部品との間に位置することが好ましい。この構成によれば、面状導体によるシールド効果によって、第2層間接続導体等(信号線)から部品に対する不要輻射を抑制できる、または信号線に対する部品からのノイズの影響を抑制できる。
本発明によれば、素体表面に形成される外部電極との接合性を保ちつつ、導体抵抗の低減が可能な層間接続導体を備えた多層基板、インターポーザ、およびそのインターポーザを備える電子機器を実現できる。
図1は、第1の実施形態に係る多層基板301の断面図である。 図2は、第1の実施形態に係る電子機器501の主要部を示す断面図である。 図3は、多層基板301の製造工程を順に示す断面図である。 図4は、第2の実施形態に係るインターポーザ402の断面図である。 図5は、第2の実施形態に係る電子機器502の主要部を示す断面図である。 図6は、インターポーザ402の製造工程を順に示す断面図である。
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第2の実施形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第1の実施形態》
図1は、第1の実施形態に係る多層基板301の断面図である。
多層基板301は、素体10、外部電極P11,P12,GP11,GP12,GP13,GP14、第1層間接続導体LC11,LC12、第2層間接続導体LC21,LC22、第4層間接続導体LC41,LC42、導体21,31,32,41,42,43,44等を備える。
素体10は、長手方向がX軸方向に一致する長尺状の絶縁体の平板であり、複数の絶縁基材層11,12,13,14,15を積層し、加熱プレスしてなる。素体10は、互いに対向する第1主面MS1および第2主面MS2を有する。第1主面MS1および第2主面MS2は、複数の絶縁基材層11〜15の積層方向(Z軸方向)に対して直交する面である。素体10は、例えば液晶ポリマー(LCP)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を主材料とする平板である。なお、素体10の第1主面MS1または第2主面MS2には、ソルダーレジスト膜やカバーレイフィルム等の保護層が形成されていてもよい。
外部電極P11,P12,GP11,GP12,GP13,GP14は、第1主面MS1に形成されるCu箔等の金属箔からなる導体パターンである。なお、外部電極P11,P12,GP11,GP12,GP13,GP14には、例えばNiを下地としたAuめっき処理が施されていてもよい。また、外部電極P11,P12,GP11,GP12,GP13,GP14の表面に、はんだがプリコートされていてもよい。
本実施形態では、外部電極P11,P12が本発明における「第1外部電極」に相当する。
第1層間接続導体LC11,LC12は、第1外部電極(外部電極P11,P12)が形成される絶縁基材層11のみに形成されるビア導体である。第1層間接続導体LC11は第1外部電極(外部電極P11)に接続され、第1層間接続導体LC12は第1外部電極(外部電極P12)に接続される。第1層間接続導体LC11,LC12は、例えば、絶縁基材層11に設けた貫通孔にCu,Sn等もしくはそれらの合金等の金属粉を含む導電性ペーストを配設した後、加熱プレス処理により固化させることにより形成されたビア導体である。なお、第1層間接続導体LC11,LC12は、例えば、はんだでもよい。
本発明における「第1層間接続導体」とは、第1外部電極と第2層間接続導体(後に詳述する)との間を接続するビア導体である。本実施形態に係る第1層間接続導体LC11,LC12は、第1外部電極が形成される絶縁基材層11のみに形成される1つのビア導体であるが、この構成に限定されるものではない。第1層間接続導体は、例えば、絶縁基材層11を含む複数の絶縁基材層11,12にそれぞれ形成される複数のビア導体を互いに接続したものでもよい。
第2層間接続導体LC21,LC22は、素体10内に配置され、第1層間接続導体LC11,LC12よりも高い導電率を有する金属部材である。第2層間接続導体LC21は、第1層間接続導体LC11を介して第1外部電極(外部電極P11)に接続されている。第2層間接続導体LC22は、第1層間接続導体LC12を介して第1外部電極(外部電極P12)に接続されている。第2層間接続導体LC21,LC22は、例えば直径約0.1mm〜0.2mm程度のCu製ピン、またはCu製ワイヤーを所定長単位で切断したものである。
第1層間接続導体の導電率、および第2層間接続導体の導電率は、シミュレーションによって算出が可能である。例えば、第1層間接続導体および第2層間接続導体を有し、その両端に電極が形成された構造体と、第1層間接続導体のみ、または第2層間接続導体のみを有し、その両端に電極が形成された構造体と、を用意する。その後、それらの構造体の電極にプローバーを当ててマルチメーターによって測定し、その測定結果をシミュレーションすることで算出できる。
第4層間接続導体LC41,LC42は、第1外部電極(外部電極P11,P12)に接続されるビア導体である。第4層間接続導体LC41は第2層間接続導体LC21に接続され、第4層間接続導体LC42は第2層間接続導体LC22に接続される。第4層間接続導体LC41,LC42は、例えば、絶縁基材層13に設けた貫通孔にCu,Snもしくはそれらの合金等の金属粉を含む導電性ペーストを配設した後、加熱プレス処理により固化させることによって形成されたビア導体である。なお、第4層間接続導体LC41,LC42は、例えば、はんだでもよい。
「第4層間接続導体」とは、第2層間接続導体と他の導体(外部電極以外の導体パターン)との間、または、第2層間接続導体同士を接続するビア導体を言う。本実施形態に係る第4層間接続導体LC41,LC42は、絶縁基材層13のみに形成される1つのビア導体であるが、この構成に限定されるものではない。第4層間接続導体は、例えば、複数の絶縁基材層にそれぞれ形成される複数のビア導体を互いに接続したものでもよい。
図1に示すように、接続された第1層間接続導体(LC11,LC12)、第2層間接続導体(LC21,LC22)および第4層間接続導体(LC41,LC42)は、1または複数の絶縁基材層(絶縁基材層11,12,13)を貫通するように素体10内に配置されている。
導体21,31,32,41,42,43,44は、素体10内に形成された導体パターンである。導体21,31,41,42,43,44は、例えばCu箔等の導体パターンである。
図1に示すように、外部電極P11は外部電極P12に接続されている。具体的には、外部電極P11は、第1層間接続導体LC11、第2層間接続導体LC21および第4層間接続導体LC41を介して、導体21の一端に接続される。導体21の他端は、第1層間接続導体LC12、第2層間接続導体LC22および第4層間接続導体LC42を介して、外部電極P12に接続される。
また、外部電極GP11は外部電極GP12に接続されている。具体的には、外部電極GP11は層間接続導体を介して導体31の一端に接続され、導体31の他端は層間接続導体を介して外部電極GP12に接続される。外部電極GP13は外部電極GP14に接続されている。具体的には、外部電極GP13は、導体41,42および複数の層間接続導体を介して、導体32の一端に接続される。導体32の他端は、導体43,44および複数の層間接続導体を介して、外部電極GP14に接続される。なお、これらの層間接続導体は、例えば、絶縁基材層に設けた貫通孔に導電性ペーストを配設した後、加熱プレス処理により固化させることによって設けられたビア導体である。また、これらの層間接続導体は、例えばはんだでもよい。
本実施形態では、図1に示すように、導体21、導体31,32(グランド導体)、導体21と導体31とで挟まれる絶縁基材層12,13、導体21と導体32とで挟まれる絶縁基材層14、を含んだストリップライン構造の高周波伝送線路が構成される。
なお、本実施形態では、電気的に接続された外部電極P11,P12、第1層間接続導体LC11,LC12、第2層間接続導体LC21,LC22、第4層間接続導体LC41,LC42および導体21が、本発明における「信号線」に相当する。
次に、本発明の多層基板301を備える電子機器について、図を参照して説明する。図2は、第1の実施形態に係る電子機器501の主要部を示す断面図である。
電子機器501は、多層基板301、回路基板101および部品91等を備える。回路基板101は、例えばガラス/エポキシ基板である。
図2に示すように、回路基板101の上面S1には、多層基板301および部品91が実装されている。素体10の第1主面MS1は、回路基板101の上面S1に対向する。部品91は、例えばチップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品である。
回路基板101の上面S1には、複数のランド61,62,71,72,73,74,75,76が形成されている。上記ランド71〜74は、回路基板101のグランドに接続されている。
外部電極P11,P12(第1外部電極)は、上記ランド61,62にそれぞれ直接はんだ付けされる。外部電極GP11,GP12,GP13,GP14は、上記ランド71,72,73,74にそれぞれ直接はんだ付けされ、回路基板101のグランドに電気的に接続される。これにより、多層基板301は回路基板101に電気的に接続される。また、部品91は、上記ランド75,76にそれぞれ直接はんだ付けされる。
本実施形態に係る多層基板301によれば、次のような効果を奏する。
(a)上述したように、第1層間接続導体LC11,LC12等のビア導体は、例えば、絶縁基材層に形成した貫通孔に導電性ペーストを充填し、加熱プレス処理により導電性ペーストを固化させることにより設けられる。導電性ペーストには導体パターン等との接合性を重視した材料(例えば、導体パターンと固相拡散層を形成し得る材料)が用いられるため、ビア導体等の導電性はあまり高くない場合が多い。一方、本実施形態では、第1層間接続導体LC11,LC12(例えば、ビア導体)および第2層間接続導体LC21,LC22(金属部材)を併用して、複数の絶縁基材層11〜15の積層方向(Z軸方向)に延びて第1外部電極(外部電極P11,P12)に接続される配線を形成している。そのため、上記配線を複数のビア導体のみで形成する場合に比べて、導体損失を低減できる。
また、本実施形態では、Z軸方向に延びて第1外部電極に接続される配線の一部に、固相拡散層よりも剛性の高い金属からなる第2層間接続導体LC21,LC22を用いるため、上記配線の剛性が高まる。したがって、多層基板に曲げ応力が加わった場合でも、上記配線にクラックを生じ難くできる。
(b)また、本実施形態では、貫通孔を利用して接合材として機能するビア導体(第1層間接続導体LC11,LC12および第4層間接続導体LC41,LC42)を形成するため、素体10を形成する際に、接合材としての第1層間接続導体LC11,LC12の位置ずれは起こり難い。また、素体10を形成する際に、接合材としての第4層間接続導体LC41,LC42の位置ずれは起こり難い。したがって、第1層間接続導体LC11,LC12(または、第4層間接続導体LC41,LC42)の位置ずれに伴う特性変化や、他の導体(第1外部電極、第2層間接続導体または導体32)との短絡を起こり難くできる。
(c)本実施形態では、第1外部電極(外部電極P11,P12)と第1層間接続導体LC11,LC12との界面が、固相拡散接合により接続される。この構成によれば、第1外部電極に接続される第1層間接続導体を、めっき法等を用いて形成する場合に比べて、容易な製法により、第1外部電極と第1層間接続導体との間の接合強度を高くできる。
(d)また、本実施形態では、第1層間接続導体LC11,LC12と第2層間接続導体LC21,LC22との界面が、固相拡散接合により接続される。この構成によれば、第2層間接続導体に接続される第1層間接続導体を、めっき法等を用いて形成する場合と比べて、容易な製法により、第1層間接続導体と第2層間接続導体との間の接合強度を高くできる。
(e)また、第1外部電極(外部電極P11,P12)に接続されるビア導体(第1層間接続導体LC11,LC12)は、導電性ペーストを加熱プレス処理により固化させて形成するものであるため、加熱プレス時に外部電極P11,P12を平坦化させやすい。そのため、はんだを用いて多層基板を回路基板101に実装する際に、外部電極P11,P12表面の凹凸に起因した回路基板101への接合不良を抑制でき、接合強度を高めることができる。
(f)上述したように、本実施形態では、ビア導体(第1層間接続導体LC11,LC12)および金属部材(第2層間接続導体LC21,LC22)を併用して、Z軸方向に延びる配線を形成している。導電性ペーストを固化してなる第1層間接続導体LC11,LC12(ビア導体)は、樹脂成分を含むため、単体金属である第2層間接続導体LC21,LC22に比べて、樹脂を主材料とする絶縁基材層との接合強度が高い。そのため、第2層間接続導体のみを用いてZ軸方向に延びる配線を形成する場合に比べて、Z軸方向に延びる配線と絶縁基材層との接合強度が高まる。この構成により、機械的強度と電気的な接続信頼性の高い多層基板を実現できる。
(g)本実施形態によれば、上述したように(上記(a)(c)(d)(f)を参照)、第1層間接続導体と外部電極との間、第1層間接続導体と第2層間接続導体との間の接合強度を高めることができ、積層方向(Z軸方向)に延びて第1外部電極に接続される配線の、剛性を高めることができる。特に、本実施形態に係る電子機器501のように、多層基板301を回路基板101にはんだで直接接続する場合には、コネクタを用いて多層基板を回路基板に接続する場合に比べて、多層基板301と回路基板101の線膨張係数差に起因する応力が、多層基板301に加わりやすい。一方、本実施形態によれば、多層基板301と回路基板101の線膨張係数差に起因する応力が加わっても、上記配線にクラックを生じ難くできる。
(h)本実施形態では、複数の絶縁基材層11,12,13,14,15が熱可塑性樹脂からなる。この構成によれば、後に詳述するように、積層した複数の絶縁基材層11,12,13,14,15を一括プレスすることにより、素体10を容易に形成できるため、多層基板301の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。
(i)また、本実施形態では、高周波伝送線路部の信号線に、第1層間接続導体LC11,LC12(ビア導体)よりも高い導電率を有する第2層間接続導体LC21,LC22を用いている。この構成によれば、第2層間接続導体LC21,LC22を含まない信号線に比べて、信号線全体の導体抵抗は低減され、伝送損失を低減できる。
また、高周波伝送線路の信号線に、第1層間接続導体および第2層間接続導体を用いる場合、第2層間接続導体では、使用周波数帯における導体損失が小さいことが望ましい。第1層間接続導体の導体損失、および第2層間接続導体の導体損失は、シミュレーションによって算出が可能である。例えば、第1層間接続導体および第2層間接続導体を有し、その両端に電極が形成された構造体と、第1層間接続導体のみ、または第2層間接続導体のみを有し、その両端に電極が形成された構造体と、を用意する。その後、それらの構造体の電極にプローバーを当ててネットワークアナライザで測定し、その測定結果をシミュレーションすることで算出できる。
(j)本実施形態では、外部電極P11,P12(第1外部電極)が、複数のランド61,62にそれぞれ直接はんだ付けされている。この構成によれば、コネクタを介して多層基板301を回路基板101に接続する場合と比較して、インピーダンス不整合が生じ難く、反射損失も抑えられる。また、この構成によれば、コネクタを介して多層基板301を回路基板101に接続する場合と比較して、不要な隙間が殆ど無く多層基板301と回路基板101とを接合できるため、電子機器内の狭いスペースにも配置できるようになる。
本実施形態に係る多層基板301は、例えば次のような工程で製造される。図3は、多層基板301の製造工程を順に示す断面図である。なお、図3では、説明の都合上ワンチップ(個片)での製造工程で説明するが、実際の多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。
まず、図3中の(1)に示すように、複数の絶縁基材層11,12,13,14,15を準備する。絶縁基材層11,12,13,14,15は、例えば液晶ポリマー(LCP)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等の熱可塑性樹脂を主材料とするシートである。
その後、複数の絶縁基材層11,12,13,14に、外部電極P11,P12,GP11,GP12,GP13,GP14および導体21,31,32,41,42,43,44等を形成する。具体的には、集合基板状態の絶縁基材層11,13,14の片面に、金属箔(例えばCu箔)をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。また、集合基板状態の絶縁基材層12の両面に、金属箔(例えばCu箔)をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングする。
これにより、集合基板状態の絶縁基材層11に外部電極P11,P12,GP11,GP12,GP13,GP14を形成し、集合基板状態の絶縁基材層12に導体31,41,44を形成し、集合基板状態の絶縁基材層13に導体21,42,43を形成し、集合基板状態の絶縁基材層14に導体32を形成する。
また、複数の絶縁基材層11,12,13,14には、第1層間接続導体LC11,LC12および層間接続導体が形成される。第1層間接続導体LC11,LC12および層間接続導体は、絶縁基材層11,12,13,14にレーザー等で貫通孔を設けた後、Cu,Snもしくはそれらの合金等の金属粉を含む導電性ペーストを配設(充填)し、後の加熱プレス処理により固化させることによって設けられる。そのため、第1層間接続導体LC11,LC12および層間接続導体は、後の加熱プレス時の温度よりも融点(溶融温度)の低い材料とする。なお、第1層間接続導体LC11,LC12は、例えばはんだでもよい。
さらに、絶縁基材層12に開口AP1,AP2を形成する。開口AP1,AP2は、平面形状が、第2層間接続導体LC21,LC22の平面形状に合わせた貫通孔である。開口AP1,AP2は、例えばレーザー加工、またはパンチング等による型抜きによって形成される。
次に、図3中の(2)に示すように、第2層間接続導体LC21,LC22を準備する。その後、絶縁基材層11,12,13,14,15の順に積層すると同時に、積層した複数の絶縁基材層11〜15の内部に形成された2つの空洞部内に第2層間接続導体LC21,LC22をそれぞれ収納(埋設)する。具体的に説明すると、開口AP1,AP2によって、積層した複数の絶縁基材層11〜15の内部に2つの空洞部が形成される。第2層間接続導体LC21,L22は、例えば直径約0.1mm〜0.2mm程度のCu製ピン、またはCu製ワイヤーを所定長単位で切断したものである。
その後、積層した複数の絶縁基材層11〜15を加熱プレスすることにより、集合基板状態の素体10を形成する。本実施形態では、複数の絶縁基材層11,12,13,14,15がそれぞれ熱可塑性樹脂を主材料とするシートであり、加熱プレス時に樹脂が上記空洞部内に回り込むため、加熱プレス後の素体内には隙間が殆ど残らない。なお、加熱プレスする際に、プレス機の平滑な面を外部電極P11,P12(第1外部電極)に押し当ててプレスを行うことにより、第1外部電極P11,P12の表面を平坦化できる。
最後に集合基板から個々の個片に分離して、図3中の(3)に示す多層基板301を得る。
上記製造方法によれば、積層した複数の絶縁基材層11〜15を一括プレスすることにより、多層基板301(素体10)を容易に形成できるため、製造工程の工数が削減され、コストを低く抑えることができる。
《第2の実施形態》
第2の実施形態では、素体の第2主面にも外部電極が形成された例を示す。
図4は、第2の実施形態に係るインターポーザ402の断面図である。なお、本実施形態では、第1部材と第2部材との間に配置され(挟まれ)、第1部材と第2部材とを電気的に接続するインターポーザを例として説明するが、第1の実施形態で示した多層基板であってもよい。
インターポーザ402は、素体10A、外部電極P11,P12,P21,P22、面状導体1,2、第1層間接続導体LC11,LC12、第2層間接続導体LC21A,LC22A、第3層間接続導体LC31,LC32等を備える。
以下、第1の実施形態に係る多層基板301と異なる部分について説明する。
素体10Aは、直方体状の絶縁体であり、複数の絶縁基材層11a,12a,13a,14a,15aを積層し、加熱プレスしてなる。素体10Aは、互いに対向する第1主面MS1および第2主面MS2を有する。また、素体10Aは、第1主面MS1および第2主面MS2に直交する端面SS1,SS2を有する。
外部電極P11,P12は、第1主面MS1に形成されるCu箔等からなる導体パターンであり、P21,P22は、第2主面MS2に形成されるCu箔等からなる導体パターンである。
本実施形態では、外部電極P11,P12が本発明における「第1外部電極」に相当し、外部電極P21,P22が本発明における「第2外部電極」に相当する。
面状導体1は素体10Aの端面SS1に形成される導体膜であり、面状導体2は素体10Aの端面SS2に形成される導体膜である。面状導体1,2は、例えば無電界めっき等によって形成されるCu等のめっき膜である。
第1層間接続導体LC11,LC12は、第1外部電極(外部電極P11,P12)が形成される絶縁基材層11aのみに形成されるビア導体である。第1層間接続導体LC11は外部電極P11に接続され、第1層間接続導体LC12は外部電極P12に接続される。
第3層間接続導体LC31,LC32は、第2外部電極(外部電極P21,P22)が形成される絶縁基材層15aのみに形成されるビア導体である。第3層間接続導体LC31は、外部電極P21および第2層間接続導体LC21Aにそれぞれ接続される。また、第3層間接続導体LC32は、外部電極P22および第2層間接続導体LC22Aにそれぞれ接続される。第3層間接続導体LC31,LC32は、例えば、絶縁基材層15aに設けた貫通孔にCu,Snもしくはそれらの合金等の金属粉を含む導電性ペーストを配設した後、加熱プレス処理により固化させることによって形成されたビア導体である。なお、第3層間接続導体LC31,LC32は、例えばはんだでもよい。
本発明における「第3層間接続導体」とは、第2外部電極と第2層間接続導体との間を接続するビア導体である。本実施形態に係る第3層間接続導体LC31,LC32は、第2外部電極が形成される絶縁基材層15aのみに形成される1つのビア導体であるが、この構成に限定されるものではない。第3層間接続導体は、例えば、絶縁基材層15aを含む複数の絶縁基材層15a,14aにそれぞれ形成される複数のビア導体を互いに接続したものでもよい。
第2層間接続導体LC21A,LC22Aは、素体10A内に配置され、第1層間接続導体LC11,LC12および第3層間接続導体LC31,LC32よりも高い導電率を有する金属部材である。第2層間接続導体LC21Aは、第1層間接続導体LC11を介して外部電極P11に接続され、第3層間接続導体LC31を介して外部電極P21に接続されている。第2層間接続導体LC22Aは、第1層間接続導体LC11を介して外部電極P12に接続され、第3層間接続導体LC32を介して外部電極P22に接続されている。
なお、本実施形態に係る第2層間接続導体LC21A,LC22Aは、第1の実施形態で説明した第2層間接続導体LC21,LC22よりもZ軸方向の長さが長い。
図4に示すように、外部電極P11は外部電極P21に接続され、外部電極P12は外部電極P22に接続されている。具体的には、外部電極P11は、第1層間接続導体LC11、第2層間接続導体LC21Aおよび第3層間接続導体LC31を介して、外部電極P21に接続される。外部電極P12は、第1層間接続導体LC12、第2層間接続導体LC22Aおよび第3層間接続導体LC32を介して、外部電極P22に接続される。
本実施形態では、電気的に接続された外部電極P11,P21、第1層間接続導体LC11、第2層間接続導体LC21Aおよび第3層間接続導体LC31が、本発明における「信号線」に相当する。また、電気的に接続された外部電極P12,P22、第1層間接続導体LC12、第2層間接続導体LC22Aおよび第3層間接続導体LC32が、本発明における「信号線」に相当する。
なお、本実施形態では、図4に示すように、第1外部電極(外部電極P11,P12)と第2外部電極(外部電極P21,P22)との間の配線は、第1層間接続導体(LC11,LC12)、第2層間接続導体(LC21A,LC22A)および第3層間接続導体(LC31,LC32)のみで形成されている。言い換えると、本実施形態に係る「信号線」は、第1層間接続導体および第3層間接続導体以外のビア導体(例えば、第4層間接続導体)を含んでいない。
図4に示すように、本実施形態では、第2層間接続導体LC21A,LC22Aが、複数の絶縁基材層12a,13a,14aに亘って配置されている。また、素体10Aは、積層方向(Z軸方向)の厚みLaが、積層方向に直交する方向(X軸方向またはY軸方向)の長さLbよりも厚い(La>Lb)。また、本実施形態では、第2層間接続導体LC21A,LC22Aの積層方向(Z軸方向)の長さが、ビア導体(第1層間接続導体および第3層間接続導体)のZ軸方向の長さよりも長い。
次に、本発明のインターポーザ402を備える電子機器について、図を参照して説明する。図5は、第2の実施形態に係る電子機器502の主要部を示す断面図である。
電子機器502は、インターポーザ402、回路基板102,201および部品92等を備える。インターポーザ402および部品92は、全体が回路基板102と回路基板201との間に配置されている(挟まれている)。回路基板102,201は、例えばガラス/エポキシ基板である。部品92は、例えばチップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品、RFIC素子、インピーダンス整合回路等である。
本実施形態では、回路基板102が本発明における「第1部材」に相当し、回路基板201が本発明における「第2部材」に相当する。
図5に示すように、回路基板102の上面S1には、インターポーザ402および部品92が実装されている。素体10Aの第1主面MS1は、回路基板102の上面S1に対向し、素体10Aの第2主面MS2は、回路基板201の下面S2に対向する。
回路基板102の上面S1には、複数のランド61,62,71,72が形成されている。外部電極P11,P12(第1外部電極)は、上記ランド61,62にそれぞれ直接はんだ付けされる。これにより、インターポーザ402が回路基板102に電気的に接続される。また、部品92の端子は、上記ランド71,72にそれぞれ直接はんだ付けされる。
また、回路基板201の下面には、複数のランド81,82が形成されている。外部電極P21,P22(第2外部電極)は、上記ランド81,82にそれぞれ直接はんだ付けされる。これにより、インターポーザ402は、回路基板201に電気的に接続される。
図5に示すように、電子機器502では、面状導体1が、信号線(例えば、第2層間接続導体LC21A,LC22A)と部品92との間に位置している。
本実施形態に係るインターポーザ402および電子機器502によれば、第1の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。
(k)本実施形態では、第1部材(回路基板102)と第2部材(回路基板201)との間にインターポーザ402が挟まれ、第1部材および第2部材がインターポーザ402を介して電気的に接続されている。この構成によれば、第1部材の表面(回路基板102の上面S1)または第2部材の表面(回路基板201の下面S2)に部品92を実装する空間を確保しつつ、第1部材と第2部材とが離間した状態で電気的に接続できる。
(l)上述したように、導電性ペーストを固化させてなるビア導体等の導電性はあまり高くない場合が多い。一方、本実施形態では、第3層間接続導体LC31,LC32(ビア導体)および第2層間接続導体LC21A,LC22A(金属部材)を併用して、複数の絶縁基材層11a〜15aの積層方向(Z軸方向)に延びて第2外部電極(外部電極P21,P22)に接続される配線を形成している。そのため、上記配線を複数のビア導体のみで形成する場合に比べて、導体損失を低減できる。
(m)本実施形態では、第2外部電極(外部電極P21,P22)と第3層間接続導体LC31,LC32との界面が、固相拡散接合により接続される。この構成によれば、第2外部電極に接続される第3層間接続導体を、めっき法等を用いて形成する場合に比べて、容易な製法により、第3層間接続導体と第2外部電極との間の接合強度を高くできる。
(n)また、本実施形態では、第3層間接続導体LC31,LC32と第2層間接続導体LC21,LC22との界面が、固相拡散接合により接続される。この構成によれば、第2層間接続導体に接続される第3層間接続導体を、めっき法等を用いて形成する場合と比べて、容易な製法により、第2層間接続導体と第3層間接続導体との間の接合強度を高くできる。
(o)上述したように、第2外部電極(外部電極P21,P22)に接続される第3層間接続導体LC31,LC32(ビア導体)は、導電性ペーストを加熱プレス処理により固化させて形成するものであるため、加熱プレス時に外部電極P21,P22を平坦化させやすい。特に、インターポーザは、第1部材と第2部材との間の距離に対して高精度に配置する必要があるが、外部電極の表面に凹凸がある場合には、インターポーザを高精度に配置することは困難となる。しかし、上記構成によれば、第1外部電極の表面と同様に、第2外部電極の表面を容易に平坦化できるため、インターポーザを高精度に配置でき、外部電極表面の凹凸に起因した接合不良も抑制できる。
(p)また、絶縁基材層の積層数が多い素体の場合に、積層方向(Z軸方向)に延びて外部電極(第1外部電極または第2外部電極)に接続される上記配線を全て上記ビア導体で形成すると、必要なビア導体の数が多くなって、ビア導体の接続箇所が多くなることにより電気的接続の信頼性が低くなる。一方、本実施形態では、第2層間接続導体LC21A,LC22Aが複数の絶縁基材層12a,13a,14aに亘って配置されている。この構成によれば、上記配線を形成するのに必要な、ビア導体の数を少なくできるため、インターポーザ402の製造工程を簡略化できる。また、この構成によれば、上記配線の電気的な接続信頼性が高まる。
なお、本実施形態では、例えばCu製ワイヤーを切断して第2層間接続導体を成形しているため、Z軸方向に長い形状(長尺状)の第2層間接続導体を容易に得ることができる。
(q)本実施形態では、図4に示すように、第1外部電極(外部電極P11,P12)が形成される絶縁基材層11aのみに第1層間接続導体LC11,LC12が形成されている。この構成によれば、第1層間接続導体が複数のビア導体を互いに接続した構成である場合と比べて、積層方向(Z軸方向)に延びて第1外部電極に接続される配線の導体損失を低減でき、上記配線の電気的な接続信頼性を高めることができる。
なお、第1層間接続導体は、1つの絶縁基材層(第1外部電極が形成される絶縁基材層)に形成される1つのビア導体に限定されるものではなく、複数のビア導体を互いに接続したものでもよい。具体的に説明すると、第1層間接続導体は、複数の絶縁基材層(例えば、図4に示す複数の絶縁基材層11a,12a)にそれぞれ形成される複数のビア導体を互いに接続したものでもよい。但し、導体損失を低減するという作用効果の点では、第1層間接続導体が、第1外部電極が形成される絶縁基材層のみに形成される構成が好ましい。
(r)本実施形態では、図4に示すように、第2外部電極(外部電極P21,P22)が形成される絶縁基材層15aのみに第3層間接続導体LC31,LC32が形成されている。この構成によれば、第3層間接続導体が複数のビア導体を互いに接続した構成である場合と比べて、積層方向(Z軸方向)に延びて第2外部電極に接続される配線の導体損失を低減でき、上記配線の電気的な接続信頼性を高めることができる。
なお、第3層間接続導体は、1つの絶縁基材層(第2外部電極が形成される絶縁基材層)に形成される1つのビア導体に限定されるものではなく、複数のビア導体を互いに接続したものでもよい。具体的に説明すると、第3層間接続導体は、複数の絶縁基材層(例えば、図4に示す複数の絶縁基材層15a,14a)にそれぞれ形成される複数のビア導体を互いに接続したものでもよい。但し、導体損失を低減するという作用効果の点では、第3層間接続導体が、第2外部電極が形成される絶縁基材層のみに形成される構成が好ましい。
(s)本実施形態に係る素体10Aは、積層方向(Z軸方向)の厚みLaが、積層方向に直交する方向(X軸方向またはY軸方向)の長さLbよりも厚い(La>Lb)。素体の積層方向(Z軸方向)の厚みが厚く、積層方向(Z軸方向)に延伸して外部電極に接続される配線が長い場合、上記配線を複数のビア導体のみで形成すると、上記配線での導体損失が大きくなる。そのため、特に、素体のZ軸方向の厚みが厚く、上記配線が長い場合に、第1層間接続導体と第2層間接続導体とを併用することによる導体損失の低減効果は大きい。
(t)さらに、本実施形態では、第2層間接続導体LC21A,LC22Aの積層方向(Z軸方向)の長さが、第2層間接続導体LC21A,LC22Aに導通する層間接続導体(例えば、第1層間接続導体および第3層間接続導体等のビア導体)のZ軸方向の長さよりも長い。この構成によれば、第2層間接続導体LC21A,LC22Aの積層方向の長さが、上記層間接続導体(例えば、第1層間接続導体および第3層間接続導体等のビア導体)のZ軸方向の長さよりも短い場合に比べて、導体損失を低減できる。
(u)また、本実施形態では、図4に示すように、第1外部電極と第2外部電極との間の配線(外部電極P11と外部電極P21との間の配線、または、外部電極P12と外部電極P22との間の配線)が、第1層間接続導体、第2層間接続導体および第3層間接続導体のみで形成されている。この構成によれば、第1外部電極と第2外部電極との間の配線に、第1層間接続導体および第3層間接続導体以外の他のビア導体(例えば、第4層間接続導体)が含まれていないため、上記配線に他のビア導体が含まれる場合に比べて、導体損失をさらに低減できる。
(v)本実施形態に係るインターポーザ402は、素体10Aの端面SS1,SS2に形成される面状導体1,2を備える。また、本実施形態では、面状導体1が、信号線(第2層間接続導体LC21A,LC22A等)と部品92との間に位置している。この構成によれば、面状導体によるシールド効果によって、信号線から外部への(部品92に対する)不要輻射を抑制できる、または信号線に対する外部(部品92)からのノイズの影響を抑制できる。なお、本実施形態で示した面状導体1,2は、回路基板102または回路基板201のグランドに接続されていてもよい。
また、この構成によれば、信号線(第2層間接続導体LC21A,LC22A等)と端面SS1,SS2との間に層間接続導体を配置する構成に比べて、信号線と外部(部品92)とのアイソレーションを高めることができる。
本実施形態に係るインターポーザ402は、例えば次のような工程で製造される。図6は、インターポーザ402の製造工程を順に示す断面図である。なお、図6では、説明の都合上ワンチップ(個片)での製造工程で説明するが、実際のインターポーザの製造工程は集合基板状態で行われる。
まず、図6中の(1)に示すように、複数の絶縁基材層11a,12a,13a,14a,15aを準備する。絶縁基材層11a,12a,13a,14a,15aの構成は、第1の実施形態で説明したものと同じである。
その後、複数の絶縁基材層11a,15aに、外部電極P11,P12,P21,P22を形成する。具体的には、集合基板状態の絶縁基材層11a,15aの片面に、金属箔(例えばCu箔)をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、集合基板状態の絶縁基材層11aに外部電極P11,P12を形成し、集合基板状態の絶縁基材層15aに外部電極P21,P22を形成する。
また、複数の絶縁基材層11a,15aには、第1層間接続導体LC11,LC12および第3層間接続導体LC31,LC32が形成される。第1層間接続導体LC11,LC12および第3層間接続導体LC31,LC32は、絶縁基材層11a,15aにレーザー等で貫通孔を設けた後、Cu,Snもしくはそれらの合金等の金属粉を含む導電性ペーストを配設(充填)し、後の加熱プレス処理により固化させることによって設けられる。そのため、第1層間接続導体LC11,LC12および第3層間接続導体LC31,LC32は、後の加熱プレス時の温度よりも融点(溶融温度)の低い材料とする。なお、第3層間接続導体LC31,LC32は、例えばはんだでもよい。
さらに、絶縁基材層12aに開口AP1,AP2を形成し、絶縁基材層13aに開口AP3,AP4を形成し、絶縁基材層14aに開口AP5,AP6する。開口AP1,AP3,AP5は、平面形状が、第2層間接続導体LC21Aの平面形状に合わせた貫通孔である。開口AP2,AP4,AP6は、平面形状が第2層間接続導体LC22Aの平面形状に合わせた貫通孔である。開口AP1,AP2,AP3,AP4,AP5,AP6は、例えばレーザー加工、またはパンチング等による型抜きによって形成される。
次に、図6中の(2)に示すように、第2層間接続導体LC21A,LC22Aを準備する。その後、絶縁基材層11a,12a,13a,14a,15aの順に積層すると同時に、積層した複数の絶縁基材層11a〜15aの内部に形成された2つの空洞部内に第2層間接続導体LC21A,LC22Aをそれぞれ収納(埋設)する。具体的に説明すると、開口AP1,AP2,AP3,AP4,AP5,AP6によって、積層した複数の絶縁基材層11a〜15aの内部に2つの空洞部が形成される。
その後、積層した複数の絶縁基材層11a〜15aを加熱プレスすることにより、集合基板状態の素体10Aを形成した後、集合基板から個々の個片に分離する。
最後に、素体10Aの端面SS1,SS2に、面状導体1,2をそれぞれ形成して、図6中の(3)に示すインターポーザ402を得る。面状導体1,2は、例えば無電界めっき等によって形成されるCu等のめっき膜である。
なお、本実施形態では、第1部材(回路基板102)のみに部品92が実装された電子機器の例を示したが、この構成に限定されるものではない。部品は第2部材(回路基板201)のみに実装されていてもよく、部品が第1部材および第2部材の両方に実装されていてもよい。
本実施形態では、インターポーザ402と第1部材(回路基板102)とがはんだを介して直接的に接続される例を示したが、インターポーザと第1部材とは、コネクタを介して接続されていてもよい。例えば、インターポーザ402に第1外部電極に接続されたプラグを設け、第1部材(回路基板102)の上面S1にレセプタクルを実装し、プラグとレセプタクルとの嵌合により電気的・機械的に接続する構成でもよい。このことは、インターポーザと第2部材との間の接続についても同様である。
《その他の実施形態》
なお、以上に示した各実施形態では、素体の形状が長尺状または直方体状である例を示したが、素体の形状は本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。素体の平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、L字形、クランク形、T字形、Y字形、リング状等であってもよい。
以上に示した各実施形態では、5つの絶縁基材層を積層してなる素体の例を示したが、素体を形成する絶縁基材層の積層数は、これに限定されるものではない。素体を形成する絶縁基材層の積層数は複数であれば、4以下でもよく、6以上でもよい。
また、以上に示した各実施形態では、素体を形成する複数の絶縁基材層が熱可塑性樹脂からなる例について示したが、この構成に限定されるものではない。複数の絶縁基材層は、熱硬化性樹脂であってもよい。但し、複数の絶縁基材層が熱可塑性樹脂である場合には、上述したように、絶縁基材を容易に形成できるため、多層基板の製造工程の工数が削減され、コストを低く抑えることができる。
また、第1外部電極および第2外部電極の形状、個数等については、以上に示した各実施形態での構成例に限定されるものではなく、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。
なお、インターポーザに形成される高周波伝送線路は、上述した各実施形態で示す構成に限定されるものではない。インターポーザには、例えば他の伝送線路(マイクロストリップライン、コプレーナライン等)が形成されていてもよい。
また、以上に示した各実施形態では、高周波伝送線路のみ形成された多層基板(またはインターポーザ)の例を示したが、この構成に限定されるものではない。多層基板(またはインターポーザ)に形成される回路構成は、各実施形態で説明した構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。例えば、多層基板(またはインターポーザ)には、各種フィルタ(ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ)等の周波数フィルタが設けられていてもよい。さらに、多層基板(またはインターポーザ)は、導体パターンで構成されるコイルや、導体パターンで形成されるキャパシタが形成されていてもよい。また、例えば、チップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品が、素体に実装されていてもよい。さらに、素体の内部に、上記チップ部品が埋設されていてもよい。
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
AP1,AP2,AP3,AP4,AP5,AP6…開口
La…素体の積層方向の厚み
Lb…素体の積層方向に直交する方向の長さ
LC11,LC12…第1層間接続導体
LC21,LC21A,LC22,LC22A…第2層間接続導体
LC31,LC32…第3層間接続導体
LC41,LC42…第4層間接続導体
MS1…素体の第1主面
MS2…素体の第2主面
GP11,GP12,GP13,GP14…外部電極
P11,P12…外部電極(第1外部電極)
P21,P22…外部電極(第2外部電極)
S1…回路基板の上面
S2…回路基板の下面
SS1,SS2…素体の端面
1,2…面状導体
10,10A…素体
11,11a,12,12a,13,13a,14,14a,15,15a…絶縁基材層
21,31,32,41,42,43,44…導体
61,62,71,72,73,74,75,76,81,82…ランド
91…部品
92…部品
101…回路基板
102…回路基板(第1部材)
201…回路基板(第2部材)
301…多層基板
402…インターポーザ
501,502…電子機器

Claims (15)

  1. 複数の絶縁基材層を積層してなり、前記複数の絶縁基材層の積層方向に対して直交する第1主面を有する素体と、
    前記第1主面に形成され、金属箔からなる第1外部電極と、
    前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第1外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第1外部電極に接続される第1層間接続導体と、
    前記素体内に配置され、前記第1層間接続導体を介して前記第1外部電極に接続され、前記第1層間接続導体よりも高い導電率を有する金属製の第2層間接続導体と、
    を備えることを特徴とする多層基板。
  2. 前記第1層間接続導体は、前記第1外部電極が形成される絶縁基材層のみに形成される、請求項1に記載の多層基板。
  3. 前記素体は、前記第1主面に対向する第2主面を有し、
    前記第2主面に形成され、金属箔からなる第2外部電極と、
    前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第2外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第2層間接続導体および前記第2外部電極にそれぞれ接続される第3層間接続導体と、
    をさらに備え、
    前記第2層間接続導体は、前記第3層間接続導体よりも高い導電性を有する、請求項1または2に記載の多層基板。
  4. 前記第3層間接続導体は、前記第2外部電極が形成される絶縁基材層のみに形成される、請求項3に記載の多層基板。
  5. 前記素体は、前記積層方向の厚みが、前記積層方向に直交する方向の長さよりも厚い、請求項1から4のいずれかに記載の多層基板。
  6. 前記素体は、前記第1主面に直交する端面を有し、
    前記端面に形成される面状導体を備える、請求項1から5のいずれかに記載の多層基板。
  7. 前記第2層間接続導体は、前記複数の絶縁基材層のうち2以上の絶縁基材層に亘って配置されている、請求項1から6のいずれかに記載の多層基板。
  8. 前記第2層間接続導体の前記積層方向の長さは、前記第2層間接続導体と導通する層間接続導体の前記積層方向の長さよりも長い、請求項1から7のいずれかに記載の多層基板。
  9. 高周波伝送線路の少なくとも一部を構成する信号線を備え、
    前記信号線は、前記第1層間接続導体および前記第2層間接続導体を含む、請求項1から8のいずれかに記載の多層基板。
  10. 第1部材と第2部材との間に配置され、前記第1部材および前記第2部材を電気的に接続するインターポーザであって、
    前記インターポーザは、
    複数の絶縁基材層を積層してなり、前記複数の絶縁基材層の積層方向に対して直交し、互いに対向する第1主面および第2主面を有する素体と、
    前記第1主面に形成され、金属箔からなる第1外部電極と、
    前記第2主面に形成され、金属箔からなる第2外部電極と、
    前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第1外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第1外部電極に接続される第1層間接続導体と、
    前記素体内に配置され、前記第1層間接続導体を介して前記第1外部電極に接続され、前記第1層間接続導体よりも高い導電率を有する金属製の第2層間接続導体と、
    前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第2外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第2層間接続導体および前記第2外部電極にそれぞれ接続される第3層間接続導体と、
    を備え、
    前記第2層間接続導体は、前記第3層間接続導体よりも高い導電性を有することを特徴とするインターポーザ。
  11. 前記第1外部電極と前記第2外部電極との間の配線は、前記第1層間接続導体、前記第2層間接続導体および前記第3層間接続導体のみで形成される、請求項10に記載のインターポーザ。
  12. 前記素体は、前記第1主面に直交する端面を有し、
    前記端面に形成される面状導体をさらに備える、請求項10または11に記載のインターポーザ。
  13. 第1部材と、
    第2部材と、
    前記第1部材と前記第2部材との間に配置され、前記第1部材と前記第2部材とを電気的に接続するインターポーザと、
    を備え、
    前記インターポーザは、
    複数の絶縁基材層を積層してなり、前記複数の絶縁基材層の積層方向に対して直交し、互いに対向する第1主面および第2主面を有する素体と、
    前記第1主面に形成され、金属箔からなる第1外部電極と、
    前記第2主面に形成され、金属箔からなる第2外部電極と、
    前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第1外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第1外部電極に接続される第1層間接続導体と、
    前記素体内に配置され、前記第1層間接続導体を介して前記第1外部電極に接続され、前記第1層間接続導体よりも高い導電率を有する金属製の第2層間接続導体と、
    前記複数の絶縁基材層のうち、少なくとも前記第2外部電極が形成される絶縁基材層に形成され、前記第2層間接続導体および前記第2外部電極にそれぞれ接続される第3層間接続導体と、
    を有し、
    前記第2層間接続導体は、前記第3層間接続導体よりも高い導電性を有する、電子機器。
  14. 前記第1部材または前記第2部材に実装され、前記第1部材と前記第2部材との間に配置される部品をさらに備える、請求項13に記載の電子機器。
  15. 前記素体は、前記第1主面に直交する端面を有し、
    前記インターポーザは、前記端面に形成される面状導体を有し、
    前記面状導体は、前記第2層間接続導体と前記部品との間に位置する、請求項14に記載の電子機器。
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