JP2015185550A - 多層高周波基板、アンテナ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】貫通孔に導電性ペーストを充填し積層することでIVH(Inner Via Hall:インナービアホール)構造とする多層化技術が知られている。高周波回路の場合、一般の電子回路基板に比べ1層あたりの基板厚が厚くなるため、例えば、導電ペーストを充填するための貫通孔が大きくなり充填が不十分で気泡が混入する等の課題があった。
【解決手段】表面に、スルーホールを介してストリップ導体と電気的に接続するランドを備える複数のストリップ線路を積層して構成される多層高周波基板であって、積層するストリップ線路のランドの間を異方導電性接着剤により接合するようにした。
【選択図】 図1
【解決手段】表面に、スルーホールを介してストリップ導体と電気的に接続するランドを備える複数のストリップ線路を積層して構成される多層高周波基板であって、積層するストリップ線路のランドの間を異方導電性接着剤により接合するようにした。
【選択図】 図1
Description
本発明は、高周波用多層基板に関するものである。
近年、通信機器やレーダ装置の小型化、薄型化、高機能化に伴い、通信機器やレーダ装置の主要部品である高周波信号の伝送回路においても多層化による高密度実装が求められている。回路基板の高密度多層化技術としては、貫通孔に導電性ペーストを充填し1層ずつ積層することで層間接続としてIVH(Inner Via Hall: インナービアホール)構造を用いた多層化技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
高周波信号を伝送するためには、PTFE(polytetrafluoroethylene:4フッ化エチレン樹脂)基板のような低誘電率、低誘電正接である材料を用いることが求められる。また、多層化するためには、ストリップ導体の上下に誘電体基板を挟んで地導体を設けるストリップ線路方式がよく用いられるが、ストリップ線路方式では、誘電体基板の厚さが薄くなるとストリップ導体幅の製造公差によるインピーダンスの変動が大きくなるため、伝送線路としての特性ばらつきが大きくなる。そのため、電子回路用の基板と比較して誘電体基板を厚くする必要があり、例えば、X帯では0.5〜1.0(mm)程度の基板厚がよく用いられる。
上記のように、高周波信号を伝送する伝送線路では、一般的な電子回路に比べ1層あたりの基板厚が厚くなるため、従来のIVH構造を用いた多層化技術を適用した場合、導電ペーストを充填するための貫通孔が大きくなる。このため、ペーストを充填する際に充填が不十分となり気泡が混入するという課題があった。
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、高周波信号の伝送基板の多層化において、薄型化が容易で、且つ、低コストで、特性の優れた高密度実装可能な多層高周波基板を得ることを目的とする。
この発明に係る多層高周波基板は、表面に、スルーホールを介してストリップ導体と電気的に接続するランドを備える複数のストリップ線路を積層して構成される多層高周波基板であって、積層する前記ストリップ線路のランドの間は、異方導電性接着剤により接合される。
本発明によれば、貫通孔に導電ペーストを充填し1層ずつ積層することで層間接続するIVH構造を用いた多層化技術の採用が難しい高周波信号の伝送用基板であっても、IVH構造と同様の機能を有しながら、複数の層を一括で積層可能な多層高周波基板を提供できる。
実施の形態1.
以下、本発明の実施の形態1に係る多層高周波基板100について図を用いて説明する。
図1は、実施の形態1に係る多層高周波基板100の構成部品を示した図である。
多層高周波基板100は、第1のストリップ線路10と、第2のストリップ線路11と、第3のストリップ線路12から構成される。
第1のストリップ線路10は、地導体1a、1bが表面に設けられた誘電体基板2a、2bの間にストリップライン3aが配置されている。誘電体基板2aの表面に設けられたスルーホール部ランド4aとストリップライン3aとの間は、スルーホール8aで電気的に接続されている。また、誘電体基板2bの表面に設けられたスルーホール部ランド4bとストリップライン3aとの間は、スルーホール8bで電気的に接続されている。
第2のストリップ線路11は、第1のストリップライン10と同様の構造であり、地導体1c、1dが表面に設けられた誘電体基板2c、2dの間にストリップライン3cが配置され、スルーホール8c、8dにより、誘電体基板2c、2dの表面に設けられたスルーホール部ランド4c、4dと接続されている。
また、第3のストリップ線路12も、第1、第2のストリップライン10、11と同様の構造であり、地導体1e、1fが表面に設けられた誘電体基板2e、2fの間にストリップライン3eが配置され、スルーホール8e、8fにより、誘電体基板2e、2fの表面に設けられたスルーホール部ランド4e、4fと接続されている。
以下、本発明の実施の形態1に係る多層高周波基板100について図を用いて説明する。
図1は、実施の形態1に係る多層高周波基板100の構成部品を示した図である。
多層高周波基板100は、第1のストリップ線路10と、第2のストリップ線路11と、第3のストリップ線路12から構成される。
第1のストリップ線路10は、地導体1a、1bが表面に設けられた誘電体基板2a、2bの間にストリップライン3aが配置されている。誘電体基板2aの表面に設けられたスルーホール部ランド4aとストリップライン3aとの間は、スルーホール8aで電気的に接続されている。また、誘電体基板2bの表面に設けられたスルーホール部ランド4bとストリップライン3aとの間は、スルーホール8bで電気的に接続されている。
第2のストリップ線路11は、第1のストリップライン10と同様の構造であり、地導体1c、1dが表面に設けられた誘電体基板2c、2dの間にストリップライン3cが配置され、スルーホール8c、8dにより、誘電体基板2c、2dの表面に設けられたスルーホール部ランド4c、4dと接続されている。
また、第3のストリップ線路12も、第1、第2のストリップライン10、11と同様の構造であり、地導体1e、1fが表面に設けられた誘電体基板2e、2fの間にストリップライン3eが配置され、スルーホール8e、8fにより、誘電体基板2e、2fの表面に設けられたスルーホール部ランド4e、4fと接続されている。
スルーホール部ランド4bとスルーホール部ランド4c、スルーホール部ランド4dとスルーホール部ランド4eが対応する位置にあって、これらのスルーホール部ランド4と地導体1の間が各々電気的に接続されることで、多層(実施の形態1では3層)高周波基板が構成される。
第1のストリップ線路10と第2のストリップ線路11の間には、異方導電性接着剤21が挿入され、第1のストリップ線路10と第2のストリップ線路11が接着固定される。また、第2のストリップ線路11と第3のストリップ線路12の間には、異方導電性接着剤22が挿入され、第2のストリップ線路11と第3のストリップ線路12が接着固定される。
異方導電性接着剤21は、導体球もしくは樹脂球にめっきされた導体性粒子6および導電性粒子6を含み導電性粒子により層間方向のみ導通を得ることができる接着剤である。同様に異方導電性接着剤22は、導体球もしくは樹脂球にめっきされた導体性粒子7および導電性粒子7を含み導電性粒子により層間方向のみ導通を得ることができる接着剤である
次に、本実施の形態に係る多層高周波基板の製造方法について説明する。
まず、第1のストリップ線路10、第2のストリップ線路11、第3のストリップ線路12を、誘電体基板2の2枚の積層とスルーホール加工、エッチング等により製造する。
次に、第1のストリップ線路10と第2のストリップ線路11の間、第2のストリップ線路11と第3のストリップ線路12の間にそれぞれ異方導電性接着剤21、22を塗布し、加熱した状態で加圧する工程により貼り合わせる。このとき、貼り合わせ面には、グランドである地導体1と信号ラインであるランド4が混在しているが、異方導電性接着剤21、22は、積層方向のみ導通があり積層方向と直交する面方向には導電性がないとの特徴があるため、グランドと信号ラインがショートすることなく積層可能である。
図2は、実施の形態1に係る多層高周波基板100を示した図である。異方導電性接着剤21、22により、第1のストリップ線路10、第2のストリップ線路11、第3のストリップ線路12が接合される。
このように、各層のストリップ線路を予め製造し、ストリップ線路3間の接続に異方導電接着剤21、22を用いることで、容易に、IVH構造を有する多層化基板を提供することができる。
まず、第1のストリップ線路10、第2のストリップ線路11、第3のストリップ線路12を、誘電体基板2の2枚の積層とスルーホール加工、エッチング等により製造する。
次に、第1のストリップ線路10と第2のストリップ線路11の間、第2のストリップ線路11と第3のストリップ線路12の間にそれぞれ異方導電性接着剤21、22を塗布し、加熱した状態で加圧する工程により貼り合わせる。このとき、貼り合わせ面には、グランドである地導体1と信号ラインであるランド4が混在しているが、異方導電性接着剤21、22は、積層方向のみ導通があり積層方向と直交する面方向には導電性がないとの特徴があるため、グランドと信号ラインがショートすることなく積層可能である。
図2は、実施の形態1に係る多層高周波基板100を示した図である。異方導電性接着剤21、22により、第1のストリップ線路10、第2のストリップ線路11、第3のストリップ線路12が接合される。
このように、各層のストリップ線路を予め製造し、ストリップ線路3間の接続に異方導電接着剤21、22を用いることで、容易に、IVH構造を有する多層化基板を提供することができる。
実施の形態2.
図2は、実施の形態2に係るアンテナ装置110の構造を示した図である。図において20はアンテナ、31〜35はストリップ線路、23は異方導電性接着剤、40はストリップ線路35に形成されたビア部、51は内層部品、50は内層部品、60は異方導電性ゴムである。ストリップ線路31、32、33、34、35の間は、実施の形態1と同様に異方導電性接着剤により接着され多層高周波基板を構成する。アンテナ20は裏面に給電用導体を備え、アンテナ20の裏面の給電用導体と多層高周波基板の表面のランドとは異方導電性接着剤により接着される。なお、アンテナ20と多層高周波基板の接合に用いる異方導電性接着剤と、多層高周波基板を構成するストリップ線路間の接続に用いる異方導電性接着剤は同じものであってもよいし、異なる種類のものでもよい。
また、内層部品50とストリップ線路35とは異方導電性ゴム60により接続される。
図2は、実施の形態2に係るアンテナ装置110の構造を示した図である。図において20はアンテナ、31〜35はストリップ線路、23は異方導電性接着剤、40はストリップ線路35に形成されたビア部、51は内層部品、50は内層部品、60は異方導電性ゴムである。ストリップ線路31、32、33、34、35の間は、実施の形態1と同様に異方導電性接着剤により接着され多層高周波基板を構成する。アンテナ20は裏面に給電用導体を備え、アンテナ20の裏面の給電用導体と多層高周波基板の表面のランドとは異方導電性接着剤により接着される。なお、アンテナ20と多層高周波基板の接合に用いる異方導電性接着剤と、多層高周波基板を構成するストリップ線路間の接続に用いる異方導電性接着剤は同じものであってもよいし、異なる種類のものでもよい。
また、内層部品50とストリップ線路35とは異方導電性ゴム60により接続される。
ここで、図4は、特開2013−187731号公報に開示されたアンテナ装置の断面図である。
図4において、アンテナユニット50は、素子アンテナ1と、モジュール2と、ストリップ導体3bを有したトリプレート線路3から構成される。素子アンテナ1は、BGA4によりトリプレート線路3の表面上に接続されている。モジュール2は、モジュール側接続端子としての上部のコネクタ2aを介して、トリプレート線路3の裏面に接続されている。
アンテナユニット50は、複数個配列されて、例えばマイクロ波帯及びミリ波帯で動作するフェードアレイアンテナを構成する。
モジュール2は、片端に高周波コネクタ2aが設けられている。モジュール2は、内部に図示しない増幅器及び移相器や、制御用IC等の電子部品が収容されており、金属や導電材で被覆された樹脂等を外殻に設けたケーシングで覆われている。
また、モジュール用接続端子としての高周波用コネクタ3dは、誘電体基板3aの裏面に設けられ、例えば内側に内導体を有し、内導体を内包する絶縁体の外周に外導体が設けられている。給電用導体3eとストリップ導体3bの一端部は、誘電体基板3a内層に設けられたスルーホール3gにより接続されている。ストリップ導体3bの他端部と高周波用コネクタ3dは、誘電体基板3a内層に設けられたスルーホール3gにより接続されている。
このように、従来のアンテナ装置においては、アンテナ1とモジュール2は高周波用コネクタ2a、3dを介して接続されるため、接続部の寸法が大きく、薄型化、小型化が困難であった。
図4において、アンテナユニット50は、素子アンテナ1と、モジュール2と、ストリップ導体3bを有したトリプレート線路3から構成される。素子アンテナ1は、BGA4によりトリプレート線路3の表面上に接続されている。モジュール2は、モジュール側接続端子としての上部のコネクタ2aを介して、トリプレート線路3の裏面に接続されている。
アンテナユニット50は、複数個配列されて、例えばマイクロ波帯及びミリ波帯で動作するフェードアレイアンテナを構成する。
モジュール2は、片端に高周波コネクタ2aが設けられている。モジュール2は、内部に図示しない増幅器及び移相器や、制御用IC等の電子部品が収容されており、金属や導電材で被覆された樹脂等を外殻に設けたケーシングで覆われている。
また、モジュール用接続端子としての高周波用コネクタ3dは、誘電体基板3aの裏面に設けられ、例えば内側に内導体を有し、内導体を内包する絶縁体の外周に外導体が設けられている。給電用導体3eとストリップ導体3bの一端部は、誘電体基板3a内層に設けられたスルーホール3gにより接続されている。ストリップ導体3bの他端部と高周波用コネクタ3dは、誘電体基板3a内層に設けられたスルーホール3gにより接続されている。
このように、従来のアンテナ装置においては、アンテナ1とモジュール2は高周波用コネクタ2a、3dを介して接続されるため、接続部の寸法が大きく、薄型化、小型化が困難であった。
これに対し本実施の形態2に係るアンテナ装置110においては、異方導電性接着剤を、給電回路であるストリップ線路31〜35の間、及びストリップ線路31とアンテナ20の接続に用い、内層部品50をストリップ線路35上に平面実装するようにしたので、高周波用コネクタを使わず、アンテナ装置の薄型化、小型化が可能となる。
また、アンテナ20と多層高周波基板を一体で形成することができるため、アンテナ装置のコストの低減を図ることができる。
また、アンテナ20と多層高周波基板を一体で形成することができるため、アンテナ装置のコストの低減を図ることができる。
このように本実施の形態2に係るアンテナ装置は、アンテナと多層高周波基板とを異方導電性接着剤により接合し、アンテナ装置用内層部品も平面実装するようにした。
本実施の形態では、異方導電性接着剤によりストリップ線路間を接続するようにしたので、従来の導電ペーストを充填するための貫通孔が大きくなり、導電ペーストを充填する際の気泡混入の課題が解決されて、また、高周波コネクタが不要となるため、アンテナ装置の薄型化、小型化を図ることができる。また、アンテナと多層高周波基板の一体形成によりアンテナ装置の製造コストを低減することができる。
本実施の形態では、異方導電性接着剤によりストリップ線路間を接続するようにしたので、従来の導電ペーストを充填するための貫通孔が大きくなり、導電ペーストを充填する際の気泡混入の課題が解決されて、また、高周波コネクタが不要となるため、アンテナ装置の薄型化、小型化を図ることができる。また、アンテナと多層高周波基板の一体形成によりアンテナ装置の製造コストを低減することができる。
1a〜1f 地導体、2a〜2f 誘電体基板、3a、3c、3e ストリップ線路、4a〜4f ランド、6、7 導体球または導体性粒子、8a〜8f スルーホール、10 第1のストリップ線路、11 第2のストリップ線路、12、第3のストリップ線路、20 アンテナ、21、22、23 異方導電性接着剤、31〜35 ストリップ線路、50 内層部品、60 異方導電性ゴム、100 多層高周波基板、110 多層高周波基板を用いたアンテナ装置。
Claims (2)
- 表面に、スルーホールを介してストリップ導体と電気的に接続するランドを備える複数のストリップ線路を積層して構成される多層高周波基板であって、
積層する前記ストリップ線路のランドの間は、異方導電性接着剤により接合されていることを特徴とする多層高周波基板。 - 裏面に給電用導体を有するアンテナと、
表面に、スルーホールを介してストリップ導体と電気的に接続するランドを備える複数のストリップ線路を積層して構成される多層高周波基板であって、積層する前記ストリップ線路のランドの間は、異方導電性接着剤により接合される多層高周波基板と、
を備え、
前記アンテナの給電用導体と前記多層高周波基板の表面のランドとは異方導電性接着剤により接合されることを特徴とするアンテナ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014057728A JP2015185550A (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 多層高周波基板、アンテナ装置 |
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JP2014057728A JP2015185550A (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 多層高周波基板、アンテナ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2015185550A true JP2015185550A (ja) | 2015-10-22 |
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JP2014057728A Pending JP2015185550A (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 多層高周波基板、アンテナ装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021502768A (ja) * | 2017-11-10 | 2021-01-28 | レイセオン カンパニー | ロープロファイルフェーズドアレイ |
WO2021054194A1 (ja) | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 積水化学工業株式会社 | 接着剤及びアンテナ装置 |
US11411314B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna module and communication apparatus equipped therewith |
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US11158955B2 (en) | 2017-11-10 | 2021-10-26 | Raytheon Company | Low profile phased array |
JP7014907B2 (ja) | 2017-11-10 | 2022-02-01 | レイセオン カンパニー | ロープロファイルフェーズドアレイ |
US11411314B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna module and communication apparatus equipped therewith |
WO2021054194A1 (ja) | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 積水化学工業株式会社 | 接着剤及びアンテナ装置 |
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