JPWO2019043840A1 - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
発光装置１は、基台３０と、基台３０上にフリップチップ実装された窒化物半導体発光素子１０と、窒化物半導体発光素子１０を封止する非晶質フッ素樹脂と、を備える。発光装置１は、発光装置１の出荷後の熱処理による非晶質フッ素樹脂の形状変化を防止する形状変化防止層６０を備え、形状変化防止層６０は、熱硬化性樹脂または紫外線硬化樹脂が硬化した層で構成され、この硬化した層が、非晶質フッ素樹脂の表面を直接被覆している。
Description
本発明は、基台上にフリップチップ実装された窒化物半導体発光素子を備える発光装置に関し、特に、発光中心波長が３６５ｎｍ以下の光（紫外線）を出射する窒化物半導体発光素子備える発光装置に関する。
従来から、発光ダイオードや半導体レーザ等の窒化物半導体発光素子として、サファイア等の基板の主面上にエピタキシャル成長させた複数の窒化物半導体層からなる発光素子構造を形成したものが知られている。窒化物半導体層は、一般式Ａｌ１−ｘ−ｙＧａｘＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される。
窒化物半導体発光素子を実装した発光装置として、窒化物半導体発光素子をフリップチップ実装して、窒化物半導体層で発生する光を基板の裏面（主面の反対側の面）側から取り出す発光装置が知られている。また、このような発光装置の中には、フリップチップ実装された窒化物半導体発光素子における基板の裏面側にレンズを設けたものがある（例えば、下記特許文献１の図１参照）。
特許文献１には、窒化物半導体発光素子を非晶質フッ素樹脂で封止するとともに、当該非晶質フッ素樹脂の表面を球面に成形することでレンズを構成してもよい旨が記載されている。しかしながら、レンズに限らず非晶質フッ素樹脂からなる部材を備えた発光装置に対して、高温の熱処理を伴う工程を適用すると、熱により非晶質フッ素樹脂が軟化して形状が変化してしまう。そのため、非晶質フッ素樹脂を備えた発光装置を購入したユーザ（以下、単に「ユーザ」と称する）は、当該発光装置に対して高温の熱処理を伴う工程を適用することができず、何らかの代替方法を選択せざるを得ないという制約を受けることが問題となる。
この問題の具体例として、上記の発光装置を所望の被実装装置（例えば、紫外線殺菌装置）に実装するためのはんだリフロー工程が挙げられる。例えば、ユーザが、一般的なはんだ（例えば、融点が約２２０℃であるＳｎＡｇＣｕ系はんだ）を使用して、はんだリフロー工程により所望の被実装装置に実装しようとする場合、はんだの十分な濡れ性を確保して確実に接合するためには、発光装置及び被実装装置を２６０℃程度まで加熱する必要がある。しかし、２６０℃は、非晶質フッ素樹脂が軟化して形状が変化し得る温度であるから、非晶質フッ素樹脂を備えた発光装置に対しては、このようなはんだリフロー工程を適用することができない。そうなると、ユーザは、非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じない温度であっても確実に接合することができる特殊な実装方法や特殊なはんだを選択せざるを得ないなどの制約を受けることになる。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、出荷後に非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じ得る温度の熱処理が可能な発光装置を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明は、基台と、前記基台上にフリップチップ実装された窒化物半導体発光素子と、前記窒化物半導体発光素子を封止する非晶質フッ素樹脂と、を備えてなる発光装置であって、前記発光装置の出荷後の熱処理による前記非晶質フッ素樹脂の形状変化を防止する形状変化防止層を備え、前記形状変化防止層は、熱硬化性樹脂または紫外線硬化樹脂が硬化した層で構成され、前記硬化した層が、前記非晶質フッ素樹脂の表面を直接被覆していることを特徴とする発光装置を提供する。
この発光装置によれば、熱によって軟化し難い樹脂である、熱硬化性樹脂または紫外線硬化樹脂が硬化した層で構成された形状変化防止層で、非晶質フッ素樹脂の表面を直接被覆することで、出荷後の熱処理による非晶質フッ素樹脂の形状変化を防止することができる。
なお、本発明において、ＡｌＧａＮ系半導体は、一般式ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（ｘはＡｌＮモル分率、０≦ｘ≦１）で表わされる３元（または２元）加工物を基本とし、そのバンドギャップエネルギがＧａＮ（ｘ＝０）のバンドギャップエネルギ（約３．４ｅＶ）以上の３族窒化物半導体であり、当該バンドギャップエネルギに関する条件を満たす限りにおいて、微量のＩｎ、Ｐ、Ａｓ等が含有されている場合も含まれる。
また、上記特徴の発光装置において、前記形状変化防止層が、前記非晶質フッ素樹脂の露出面の内、少なくとも、前記窒化物半導体発光素子から出射される光を集束または拡散させる光学レンズ形状の表面を被覆していてもよい。
この発光装置によれば、形状によって光学的特性が左右される光学レンズ形状である非晶質フッ素樹脂の形状変化を防止して、発光装置の発光性能が大きく損なわれることを防止することができる。
また、上記特徴の発光装置において、前記形状変化防止層が、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂で構成されていてもよい。
また、上記特徴の発光装置において、前記形状変化防止層が、ヘリウム、アルゴン、酸素、窒素、及び、水蒸気に対してガス透過性を有していてもよい。
この発光装置によれば、形状変化防止層と非晶質フッ素樹脂との間に、大気中や発光装置の気密パッケージ内に含まれている気体が閉じ込められることによる、形状変化防止層の脱落や非晶質フッ素樹脂の変形を防止することができる。
また、上記特徴の発光装置において、前記非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の構造単位が、含フッ素脂肪族環構造を有していてもよい。また、前記非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基がパーフルオロアルキル基であってもよい。また、上記特徴の発光装置において、前記窒化物半導体発光素子が、発光中心波長が２００ｎｍ以上約３６５ｎｍ以下の範囲内にある紫外線発光素子であってもよい。
また、上記特徴の発光装置において、前記非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の重量平均分子量が７０００００以下であってもよい。
この発光装置によれば、出荷後の熱処理温度の最大値を２６０℃と想定した場合において、出荷後の熱処理によって生じる可能性がある非晶質フッ素樹脂の形状変化を、形状変化防止層によって防止することができる。
また、上記特徴の発光装置において、出荷形態として、内部が減圧された気密パッケージ内、ヘリウムガスまたはアルゴンガスが充填された気密パッケージ内、または、ヘリウムガスまたはアルゴンガスが充填され内部が減圧された気密パッケージ内に封入されていてもよい。
この発光装置によれば、出荷後のユーザによる熱処理の際に、非晶質フッ素樹脂が吸着している酸素、窒素、水蒸気が膨張して、非晶質フッ素樹脂が発泡することを防止することができる。
上記特徴の発光装置によれば、形状変化防止層を備えているため、出荷後の熱処理による非晶質フッ素樹脂の形状変化を防止することができる。したがって、上記特徴の発光装置は、出荷後に非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じ得る温度の熱処理が可能である。
以下、本発明の実施形態に係る発光装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、説明の理解を容易にするために、一部において要部を強調して模式的に示しているため、各部の寸法比が必ずしも実際の素子及び使用する部品と同じ寸法比であるとは限らない。また、以下では、本発明の実施形態に係る発光装置が備える窒化物半導体発光素子が、発光ダイオードである場合を例に挙げて説明する。
＜窒化物半導体発光素子＞
まず、本発明の実施形態に係る発光装置が備える窒化物半導体発光素子の一例について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る発光装置が備える窒化物半導体発光素子の素子構造の一例を模式的に示す断面図であり、図２は、図１に示す窒化物半導体発光素子の平面視形状を模式的に示す平面図である。
まず、本発明の実施形態に係る発光装置が備える窒化物半導体発光素子の一例について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る発光装置が備える窒化物半導体発光素子の素子構造の一例を模式的に示す断面図であり、図２は、図１に示す窒化物半導体発光素子の平面視形状を模式的に示す平面図である。
図１に示すように、本発明の実施形態に係る発光装置が備える窒化物半導体発光素子１０は、サファイア基板１１の主面上に、複数のＡｌＧａＮ系半導体層からなる半導体積層部１２、ｎ電極１３、及び、ｐ電極１４を備える。なお、窒化物半導体発光素子１０は、後述の図３に示すようにフリップチップ実装され、半導体積層部１２からの発光は、サファイア基板１１の裏面側から外部に取り出されることが予め想定されている。
半導体積層部１２は、一例として、サファイア基板１１側から順番に、ＡｌＮ層２０、ＡｌＧａＮ層２１、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層２２、活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＮの電子ブロック層２４、ｐ型ＡｌＧａＮのｐ型クラッド層２５、ｐ型ＧａＮのｐ型コンタクト層２６を積層して構成される。ｎ型クラッド層２２からｐ型コンタクト層２６により発光ダイオード構造が形成される。サファイア基板１１とＡｌＮ層２０とＡｌＧａＮ層２１は、その上に発光ダイオード構造を形成するためにテンプレートとして機能する。ｎ型クラッド層２２より上部の活性層２３、電子ブロック層２４、ｐ型クラッド層２５、及び、ｐ型コンタクト層２６の一部が、ｎ型クラッド層２２の一部表面が露出するまで反応性イオンエッチング等により除去されている。当該除去後のｎ型クラッド層２２の露出面より上部の活性層２３からｐ型コンタクト層２６まで半導体層を、便宜的に、「メサ部分」と称する。活性層２３は、一例として、ｎ型ＡｌＧａＮのバリア層とＡｌＧａＮまたはＧａＮの井戸層からなる単層の量子井戸構造となっている。活性層２３は、下側層と上側層にＡｌＮモル分率の大きいｎ型及びｐ型ＡｌＧａＮ層で挟持されるダブルヘテロジャンクション構造であればよく、また、上記単層の量子井戸構造を多層化した多重量子井戸構造であってもよい。
各ＡｌＧａＮ層は、有機金属化合物気相成長（ＭＯＶＰＥ）法、あるいは、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法等の周知のエピタキシャル成長法により形成されており、ｎ型層のドナー不純物として例えばＳｉを使用し、ｐ型層のアクセプタ不純物として例えばＭｇを使用する。
ｎ型クラッド層２２の露出した表面に、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕのｎ電極１３が形成されている。また、ｐ型コンタクト層２６の表面に、例えば、Ｎｉ／Ａｕのｐ電極１４が形成されている。なお、ｎ電極１３及びｐ電極１４を構成する金属層の層数、材質は、上記例示した層数、材質に限定されるものではない。
また、図２に示すように、窒化物半導体発光素子１０の平面視のチップ形状は正方形で、チップの外周部分において、中央に位置する平面視櫛形形状の上記メサ部分を取り囲むように、ｎ型クラッド層２２の表面が露出している。さらに、ｎ電極１３が上記メサ部分を取り囲むように環状にｎ型クラッド層２２の露出表面上に形成され、ｐ電極１４が上記メサ部分の頂部に形成されている構成例を想定する。図２において、ハッチングを施した部分が、それぞれ、ｎ電極１３及びｐ電極１４である。また、メサ部分とｎ型クラッド層２２の露出表面の境界線ＢＬを参照用に示している。
本例の窒化物半導体発光素子１０では、図２に示すように、チップの４隅においてｎ電極１３の露出面積が広くなっており、フリップチップ実装において、当該４隅において、ｎ電極１３がサブマウント上の対応する電極パッドとの間でボンディング材料を介して物理的かつ電気的に接続する構成例を想定する。なお、窒化物半導体発光素子１０の平面視のチップ形状、メサ部分の平面視形状、ｎ電極１３及びｐ電極１４の個数及び形成位置は、図２に例示した形状、個数、形成位置に限定されるものではない。また、本例の窒化物半導体発光素子では、チップサイズとして、１辺が０．８ｍｍ〜１．５ｍｍ程度を想定するが、チップサイズは当該範囲内に限定されるものではない。
窒化物半導体発光素子１０は、サファイア基板１１の表面側に形成される半導体積層部１２、ｎ電極１３、及び、ｐ電極１４は、上記に例示した構成及び構造に限定されるものではなく、種々の公知の構成及び構造を採用し得る。また、窒化物半導体発光素子１０は、半導体積層部１２、ｎ電極１３、及び、ｐ電極１４以外の構成要素、例えば、保護膜等を備えていてもよい。よって、各ＡｌＧａＮ層２０〜２６、各電極１３，１４の膜厚等の詳細な説明は割愛する。
後述するように、本発明の実施形態に係る発光装置は、サブマウント等の基台に窒化物半導体発光素子１０がフリップチップ実装されるとともに非晶質フッ素樹脂で封止されている構成において、発光装置の出荷後における非晶質フッ素樹脂の形状変化を防止する構成に特徴がある。よって、サファイア基板１１の表面上に形成される半導体積層部１２、ｎ電極１３、及び、ｐ電極１４については、本発明の本旨ではなく、また、具体的な素子構造として種々の変形例が考えられ、周知の製造方法により製造可能であるので、窒化物半導体発光素子１０の製造方法についての詳細な説明は割愛する。
＜発光装置＞
次に、本発明の実施形態に係る発光装置について、図３及び図４を参照して説明する。図３は、本発明の実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。図４は、図３に示す発光装置で使用されるサブマウントの平面視形状と断面形状を模式的に示す平面図と断面図である。
次に、本発明の実施形態に係る発光装置について、図３及び図４を参照して説明する。図３は、本発明の実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。図４は、図３に示す発光装置で使用されるサブマウントの平面視形状と断面形状を模式的に示す平面図と断面図である。
図３に示すように、窒化物半導体発光素子１０は、サファイア基板１１の主面側がサブマウント３０に載置されるように実装される（フリップチップ実装される）。なお、図３を参照した以下の説明では、サブマウント３０の載置面を基準として窒化物半導体発光素子１０側の方向を上方向とする。
図４において、（Ａ）はサブマウント３０の平面視形状を示す平面図であり、（Ｂ）は当該平面図（Ａ）におけるサブマウント３０の中心を通過するサブマウント３０の表面に垂直な断面での断面形状を示す断面図である。サブマウント３０の一辺の長さは、窒化物半導体発光素子１０を搭載して、その周囲に封止樹脂を形成できる余裕があれば、特定の値に限定されるものではない。一例として、平面視正方形のサブマウント３０の一辺の長さは、例えば、搭載する同じく平面視正方形の窒化物半導体発光素子１０のチップサイズ（一辺の長さ）の１．５〜２倍程度以上が好ましい。なお、サブマウント３０の平面視形状は正方形に限定されるものではない。
サブマウント３０は、絶縁性セラミックス等の絶縁材料からなる平板状の基材３１を備え、基材３１の表面側に、アノード側の第１金属電極配線３２とカソード側の第２金属電極配線３３がそれぞれ形成されてなり、基材３１の裏面側にリード端子３４，３５が形成されている。基材３１の表面側の第１及び第２金属電極配線３２，３３は、上記基材３１に設けられた貫通電極（図示せず）を介して、基材３１の裏面側のリード端子３４，３５と、各別に接続している。サブマウント３０を別の配線基板等の上に載置する場合に、当該配線基板上の金属配線とリード端子３４，３５との間で電気的な接続が形成される。また、リード端子３４，３５は、基材３１の裏面の略全面を覆い、ヒートシンカーの機能を果たしている。
第１及び第２金属電極配線３２，３３は、図４に示すように、基材３１の中央部分の窒化物半導体発光素子１０が搭載される箇所及びその周囲に形成され、互いに離間して配置され、電気的に分離している。第１金属電極配線３２は、第１電極パッド３２０とそれに接続する第１配線部３２１で構成される。また、第２金属電極配線３３は、４つの第２電極パッド３３０とそれらに接続する第２配線部３３１で構成される。第１電極パッド３２０は、窒化物半導体発光素子１０のｐ電極１４の櫛形の平面視形状の外枠（櫛形の凹部にもメサ部分があると仮定した場合の形状の外周）より僅かに大きい平面視形状を有し、基材３１の中央部分の中心に位置している。第２電極パッド３３０の平面視形状、個数、及び配置は、窒化物半導体発光素子１０のｐ電極１４が第１電極パッド３２０と対面するように窒化物半導体発光素子１０を配置した場合に、ｎ電極１３のチップの４隅の露出面積が広くなっている部分が第２電極パッド３３０とそれぞれ対面するように設定されている。図４（Ａ）において、第１電極パッド３２０と第２電極パッド３３０にそれぞれハッチングを付している。なお、第１及び第２金属電極配線３２，３３の平面視形状は、図４（Ａ）に示す形状に限定されるものではなく、ｐ電極１４が第１電極パッド３２０と対面し、ｎ電極１３の４隅が第２電極パッド３３０と対面できる平面視形状であれば、種々の変形が可能である。
サブマウント３０の基材３１は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の紫外線被曝によって劣化しない絶縁材料で形成される。なお、基材３１は、放熱性の点でＡｌＮが好ましいが、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、または、窒化ホウ素（ＢＮ）であっても良く、また、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックスであってもよい。また、基材３１は、上記絶縁材料の無垢材に限らず、シリカガラスをバインダーとして上記絶縁材料の粒子を密に結合させた焼結体でも良く、さらに、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）薄膜、工業用ダイヤモンド薄膜等でもよい。
なお、サブマウント３０が、基材３１の裏面側にリード端子３４，３５を設けない構成の場合、基材３１は、絶縁材料だけで構成するのではなく、金属膜（例えば、Ｃｕ、Ａｌ等）と上述の絶縁材料からなる絶縁層の積層構造としてもよい。
第１及び第２金属電極配線３２，３３は、一例として、銅の厚膜メッキ膜と、当該厚膜メッキ膜の表面（上面及び側壁面）を被覆する１層または多層の表面金属膜で構成される。当該表面金属膜の最外層は、厚膜メッキ膜を構成する銅よりイオン化傾向の小さい金属（例えば、金（Ａｕ）または白金族金属（Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ、または、これらの内の２以上の合金）または金と白金族金属の合金）で構成される。
図３に示すように、窒化物半導体発光素子１０は、ｎ電極１３とｐ電極１４を下向きにして、ｐ電極１４と第１電極パッド３２０、ｎ電極１３の４隅と４つの第２電極パッド３３０が、それぞれ対向してＡｕＳｎはんだや金バンプ等のボンディング材料Ｂ１を介して電気的及び物理的に接続して、基材３１の中央部分上に載置され固定されている。なお、ボンディング材料Ｂ１をＡｕＳｎはんだ等のはんだ材料で構成する場合において、ｐ電極１４とｎ電極１３の各頂面（図３中の下面）が同一平面となるように高さを揃えて形成し、はんだリフロー等の周知のはんだ付け方法で、ｐ電極１４と第１金属電極配線３２、ｎ電極１３と第２金属電極配線３３を、物理的かつ電気的に接続してもよい。さらに、この場合、ｐ電極１４とｎ電極１３の各頂面が同一平面となるように高さを揃える方法として、例えば、ｐ電極１４と電気的に接続し、絶縁保護膜を介して、上記メサ部分の頂面（図３中の下面）及び側面を覆うようにｐ側のメッキ電極を形成し、当該ｐ側のメッキ電極から離間して、ｎ電極１３と電気的に接続するｎ側のメッキ電極を、ｐ側のメッキ電極と同じ高さに、電解メッキ法等により形成する方法が考えられる。当該メッキ電極の詳細については、国際公開第２０１６／１５７５１８号の明細書等の記載が参考になる。
また、図３に示すように、サブマウント３０上に実装された窒化物半導体発光素子１０は、封止樹脂４０によって封止されている。具体的には、窒化物半導体発光素子１０の上面と側面、及び、サブマウント３０の上面（第１及び第２金属電極配線３２，３３の上面及び側面、第１及び第２金属電極配線３２，３３間に露出した基材３１の表面）が、封止樹脂４０によって被覆され、サブマウント３０と窒化物半導体発光素子１０の間の間隙部に封止樹脂４０が充填されている。さらに、封止樹脂４０の上面は、封止樹脂４０と同じフッ素樹脂製のレンズ４１で覆われている。なお、レンズ４１は、窒化物半導体発光素子１０から出射される光を少なくとも集束または拡散させる光学レンズ形状であり、その形状は発光装置１の目的に応じて適宜設計される。
封止樹脂４０及びレンズ４１は、耐熱性、紫外線耐性、及び、紫外線透過性に優れた非晶質フッ素樹脂で構成される。非晶質フッ素樹脂としては、結晶性ポリマーのフッ素樹脂を共重合化してポリマーアロイとして非晶質化させたものや、パーフルオロジオキソールの共重合体（デュポン社製の商品名テフロンＡＦ（登録商標））やパーフルオロブテニルビニルエーテルの環化重合体（旭硝子社製の商品名サイトップ（登録商標））が挙げられる。
非晶質フッ素樹脂は、金属に対して結合性を呈する反応性の末端官能基を有している結合性の非晶質フッ素樹脂と、当該反応性の末端官能基を有していない非結合性の非晶質フッ素樹脂とに大別される。当該反応性の末端官能基は、一例として、カルボキシル基（ＣＯＯＨ）またはエステル基（ＣＯＯＲ）である。ただし、Ｒはアルキル基を表す。
電極の周囲に形成される封止樹脂４０は、電極を構成する金属のマイグレーションの要因となり得る反応性の末端官能基を有していない非結合性の非晶質フッ素樹脂で構成すると、当該マイグレーションによる短絡を防止することができるため、好ましい。例えば、重合体または共重合体を構成する構造単位が含フッ素脂肪族環構造を有し、末端官能基が金属等に対して難結合性を呈するＣＦ３等のパーフルオロアルキル基である非結合性の非晶質フッ素樹脂を使用して、封止樹脂４０を構成すると、好ましい。また、レンズ４１は、結合性及び非結合性のいずれの非晶質フッ素樹脂で構成してもよいが、本発明の実施形態に係る発光装置１では、レンズ４１が封止樹脂４０と同様に非結合性の非晶質フッ素樹脂で構成されているものとする。
含フッ素脂肪族環構造を有する構造単位としては、環状含フッ素単量体に基づく単位（以下、「単位Ａ」）、または、ジエン系含フッ素単量体の環化重合により形成される単位（以下、「単位Ｂ」）が好ましい。なお、非晶質フッ素樹脂の組成及び構造は、本願発明の本旨ではないため、当該単位Ａ及び単位Ｂに関する詳細な説明は割愛するが、当該単位Ａ及び単位Ｂに関しては、本願と同じ出願人による国際公開第２０１４／１７８２８８号の段落［００３１］〜［００５８］に詳細に説明されているので、参照されたい。
なお、上記単量体の環化重合方法、単独重合方法及び共重合方法としては、例えば特開平４−１８９８８０号公報等に開示された公知の方法を適用できる。そして、上記単量体の重合（環化重合、単独重合、共重合）時における上記単量体の濃度の調整、開始剤の濃度の調整、添加移動剤の添加等の方法により、所望の重量平均分子量である非晶質フッ素樹脂が得られる。また、以下では、非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の重量平均分子量を、単に非晶質フッ素樹脂の重量平均分子量として説明している。
また、重合処理後の非晶質フッ素樹脂の末端官能基には、上述の反応性の末端官能基やその他不安定な官能基が形成されている可能性がある。そのため、末端官能基がＣＦ３である非結合性の非晶質フッ素樹脂を得る場合は、例えば、特開平１１−１５２３１０号公報等に開示された公知の方法を用いて、フッ素ガスを当該重合処理後の非晶質フッ素樹脂と接触させることで、これらの反応性の末端官能基や不安定な末端官能基を非反応性の末端官能基であるＣＦ３に置換する。
非結合性の非晶質フッ素樹脂の市販品の一例として、サイトップ（旭硝子社製）等が挙げられる。なお、末端官能基がＣＦ３であるサイトップは、下記の化１に示す上記単位Ｂの重合体である。
＜発光装置の製造方法＞
次に、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
次に、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
まず、ダイシングされた窒化物半導体発光素子１０のベアチップを、サブマウント３０の第１及び第２金属電極配線３２，３３上に、周知のフリップチップ実装により固定する。具体的には、ｐ電極１４と第１金属電極配線３２が、ＡｕＳｎはんだや金バンプ等のボンディング材料Ｂ１を介して、物理的かつ電気的に接続し、ｎ電極１３と第２金属電極配線３３が、ボンディング材料Ｂ１を介して、物理的かつ電気的に接続する（工程１）。
引き続き、非結合性の非晶質フッ素樹脂を、含フッ素溶媒、好ましくは、非プロトン性含フッ素溶媒に溶解した塗工液を準備する（工程２）。
引き続き、工程２で準備した塗工液をサブマウント３０及び窒化物半導体発光素子１０上に、剥離性の良いテフロンニードル等を用いて注入した後、塗工液を徐々に加熱しながら溶媒を蒸発させて、窒化物半導体発光素子１０の上面と側面、サブマウント３０の上面（第１及び第２金属電極配線３２，３３の上面及び側面、第１及び第２金属電極配線３２，３３間に露出した基材３１の表面）、及び、サブマウント３０と窒化物半導体発光素子１０の間の間隙部に、非結合性の非晶質フッ素樹脂である封止樹脂４０が形成される（工程３）。なお、工程３における溶媒の蒸発に当たっては、封止樹脂４０内に気泡が残らないように、溶媒の沸点以下の低温域（例えば、室温付近）から溶媒の沸点以上の高温域（例えば、２００℃付近）まで徐々に加熱して、溶媒を蒸発させる。
引き続き、非結合性の非晶質フッ素樹脂の分解が開始する温度（約３５０℃）以下の温度範囲、例えば、１５０℃〜３００℃、より好ましくは、２００℃〜３００℃の温度範囲で、封止樹脂４０を加熱して軟化させ、窒化物半導体発光素子１０の上面の封止樹脂４０を窒化物半導体発光素子１０側に向けて押圧する（工程４）。
引き続き、封止樹脂４０の上部に、封止樹脂４０と同じ非結合性の非晶質フッ素樹脂製のレンズ４１を、例えば射出成形、トランスファー成形、圧縮成形等の周知の成形方法により、窒化物半導体発光素子１０を覆うように形成する（工程５）。当該各成形用の成形型は、金属型、シリコーン樹脂型、または、これらの組み合わせを使用できる。
なお、工程４の加熱及び押圧処理は、工程５のレンズ４１の形成時に同時に行ってもよい。あるいは、工程４で加熱処理だけを行い、押圧処理を工程５のレンズ４１の形成時に行ってもよい。また、ボンディング材料Ｂ１をＡｕＳｎはんだ等のはんだ材料で構成する場合、工程３〜５における温度がボンディング材料Ｂ１の融点（ＡｕＳｎはんだの場合はおよそ２８０℃）を超えないように設定すると、ボンディング材料Ｂ１が融解して窒化物半導体発光素子１０とサブマウント３０との接続が損なわれることを防止することができるため、好ましい。
＜ユーザによる発光装置の利用態様＞
次に、ユーザによる本発明の実施形態に係る発光装置１の利用態様について図面を参照して説明する。図５は、本発明の実施形態に係る発光装置が実装された被実装装置の一例を模式的に示す断面図である。
次に、ユーザによる本発明の実施形態に係る発光装置１の利用態様について図面を参照して説明する。図５は、本発明の実施形態に係る発光装置が実装された被実装装置の一例を模式的に示す断面図である。
図５に示すように、ユーザは、所望の被実装装置（例えば、紫外線殺菌装置）５０に対して発光装置１を実装する。例えば、ＳｎＡｇＣｕ系はんだ等のボンディング材料Ｂ２を介して、被実装装置５０におけるランド５１と発光装置１におけるリード端子３４とが物理的かつ電気的に接続されるとともに、被実装装置５０におけるランド５２と発光装置１におけるリード端子３５が物理的かつ電気的に接続されることで、発光装置１が被実装装置５０に実装される。
被実装装置５０に対する発光装置１の実装は、例えば、はんだリフロー工程によって行われる。はんだリフロー工程は、例えば、ＳｎＡｇＣｕ系はんだ等のボンディング材料Ｂ２が表面に形成されたランド５１上にリード端子３４が位置するとともに、ボンディング材料Ｂ２が表面に形成されたランド５２上にリード端子３５が位置するように、被実装装置５０に対して発光装置１を載置した状態で、発光装置１及び被実装装置５０を加熱する工程である。より具体的には、所定の温度プロファイルを有するリフロー炉内において、ベルトコンベア等の移動装置を用いて、発光装置１を載置した被実装装置５０を進行させることによって、発光装置１及び被実装装置５０を加熱する。
ここで、はんだリフロー工程における温度プロファイルについて、一例を挙げて説明する。図６は、はんだリフロー工程における温度プロファイルの一例を示す図である。なお、図６に示す温度は、ボンディング材料Ｂ２付近（例えば、被実装装置５０における実装面付近）の温度である。また、図６に示すような温度プロファイルは、例えば、発光装置１が熱によって損傷することを防止する目的で、発光装置１のメーカによって設定される。
図６に例示する温度プロファイルは、Ｐ１〜Ｐ５の期間に分かれている。期間Ｐ１〜Ｐ３は昇温期間、期間Ｐ４は最高温度である温度Ｔ２を維持する期間、期間Ｐ５は降温期間である。ただし、期間Ｐ２における昇温勾配は、期間Ｐ１及びＰ３のそれぞれにおける昇温勾配よりも緩やかであり、期間Ｐ２の終了時点における温度Ｔ１は、ボンディング材料Ｂ２の融点以下である。また、温度Ｔ２は、ボンディング材料Ｂ２の融点以上である。
例えば、ボンディング材料Ｂ２が、一般的なはんだであって融点が２２０℃であるＳｎＡｇＣｕ系はんだである場合、温度Ｔ１は２００℃程度、温度Ｔ２は２６０℃程度に設定される。
ただし、２６０℃という温度は、非晶質フッ素樹脂が軟化して形状変化が生じ得る温度である。また、はんだリフロー工程に限らず、ユーザが、非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じ得る温度での熱処理を希望することもあり得る。そして、発光装置１に対してこのような温度での熱処理が行われた場合、封止樹脂４０及びレンズ４１を構成する非晶質フッ素樹脂の形状が変化することで、発光装置１の性能が損なわれ得る。特に、形状によって光学的特性が左右されるレンズ４１の形状が変化すれば、発光装置１の発光性能が大きく損なわれ得る。
そこで、本発明の実施形態に係る発光装置１は、以下説明するように、非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じ得る温度での熱処理が可能になるような形態で出荷する。これにより、ユーザは、非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じ得る温度での熱処理を行うことが可能になる。
＜発光装置の出荷形態＞
非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じ得る温度での熱処理が可能な発光装置１の出荷形態について、図面を参照して説明する。図７は、本発明の実施形態に係る発光装置の出荷形態の一例を模式的に示す断面図である。
非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じ得る温度での熱処理が可能な発光装置１の出荷形態について、図面を参照して説明する。図７は、本発明の実施形態に係る発光装置の出荷形態の一例を模式的に示す断面図である。
図７に示すように、出荷時における発光装置１は、出荷後の熱処理による非晶質フッ素樹脂の形状変化を防止する形状変化防止層６０を備えている。形状変化防止層６０は、非晶質フッ素樹脂の表面を直接被覆するように形成されている。例えば、形状変化防止層６０は、非晶質フッ素樹脂の露出面の内、少なくとも、光学レンズ形状の表面を直接被覆するように形成される。具体的に例えば、レンズ４１の表面の全面と、レンズ４１の周辺部分に相当する封止樹脂４０の表面とのそれぞれを被覆するように、形状変化防止層６０が形成される。
形状変化防止層６０は、少なくとも、非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じる下限温度において安定な材料（例えば、形状変化及び分解が生じ難い材料）で構成される。例えば、形状変化防止層６０は、２６０℃において安定な材料で構成される。具体的に、形状変化防止層６０は、熱によって軟化し難い樹脂である、熱硬化性樹脂または紫外線硬化樹脂（常温よりも高い温度で紫外線硬化する紫外線硬化樹脂も含む）を硬化させた層で構成すると、好ましい。例えば、形状変化防止層６０を、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂を硬化させた層で構成すると、好ましい。
形状変化防止層６０は、例えば射出成形、トランスファー成形、圧縮成形等の周知の成形方法により、非晶質フッ素樹脂の表面に対して上述の樹脂材料を成形することで形成される。当該各成形用の成形型は、金属型や、形状変化防止層６０を構成する樹脂材料とは親和性が低い（離型し易い）樹脂型などを使用できる。ただし、形状変化防止層６０を成形する際の温度は、非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じる下限温度よりも低い温度であると、好ましい。
形状変化防止層６０は、発光装置１を被実装装置５０に対して実装するはんだリフロー工程などの熱処理を伴う工程が終了した後に、ユーザによって、例えばピンセットや針などを用いて剥離するなどの物理的な方法や、溶媒に溶かすなどの化学的な方法、あるいは、これらの両方の方法により除去される。また、物理的な方法で形状変化防止層６０を除去することを想定する場合、非晶質フッ素樹脂から剥離可能な程度に非晶質フッ素樹脂に対する親和性が低い材料で形状変化防止層６０を形成すると、好ましい。
以上のように、発光装置１は、熱によって軟化し難い樹脂である、熱硬化性樹脂または紫外線硬化樹脂が硬化した層で構成された形状変化防止層６０で、非晶質フッ素樹脂の表面を直接被覆することで、出荷後の熱処理による非晶質フッ素樹脂の形状変化を防止することができる。したがって、発光装置１は、出荷後に非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じ得る温度の熱処理が可能である。
特に、図７に示すように、少なくともレンズ４１（光学レンズ形状の部分）の表面を被覆するように形状変化防止層６０を設けることで、形状によって光学的特性が左右されるレンズ４１の形状変化を防止して、発光装置１の発光性能が大きく損なわれることを防止することができる。
なお、形状変化防止層６０は、上述のように非晶質フッ素樹脂の表面に対して樹脂材料を成形することによって形成してもよいが、レンズ４１の外形に嵌合するように別途作製したキャップ状の形状変化防止層をレンズ４１に被せてもよいし、レンズ４１の成形時に使用した型（例えば、シリコーン樹脂型）をレンズ４１の成形後も除去せずに残すことで、形状変化防止層６０として利用してもよい。
また、図７では、レンズ４１の表面の全面と、レンズ４１の周辺部分に相当する封止樹脂４０の露出部分の表面とのそれぞれを被覆するように、形状変化防止層６０が形成される場合を例示しているが、非晶質フッ素樹脂の露出面の全面（レンズ４１及び封止樹脂４０のそれぞれの露出面の全面。サブマウント３０の端部付近における封止樹脂４０の側面も含む。）を被覆するように、形状変化防止層を形成してもよい。この場合、レンズ４１の形状変化だけでなく、封止樹脂４０の形状変化も防止することができる。
また、ユーザが物理的な方法で形状変化防止層６０を除去することを想定する場合、形状変化防止層６０の除去を容易にするためのハンドル部を形状変化防止層６０に設けてもよい。ここで、ハンドル部を有する形状変化防止層を備えた発光装置の一例について、図面を参照して説明する。図８は、本発明の実施形態に係る発光装置の出荷形態の別例を模式的に示す断面図である。
図８に示すように、形状変化防止層６０Ａには、形状変化防止層６０Ａを把持し易くするために突出したハンドル部６１が設けられている。特に、ハンドル部６１には、ピンセットの先端や針などの細長い治具を挿通して把持するための貫通孔６１１が設けられている。なお、図８に例示するハンドル部６１の形状は一例に過ぎず、形状変化防止層６０Ａの把持を容易にするための形状であれば、どのような形状であってもよい。例えば、ハンドル部６１が、貫通孔６１１を備えない形状であってもよい。また、図８では、ハンドル部６１が形状変化防止層６０Ａレンズ４１の周辺部分に設けられる場合について例示しているが、例えばレンズ４１の頂上付近に設けてもよい。
＜変形等＞
［１］ 発光装置１が長時間大気に曝されるなどして、封止樹脂４０やレンズ４１を構成する非晶質フッ素樹脂が酸素、窒素、水蒸気を十分に吸着している場合、出荷後のユーザによる熱処理の際に、非晶質フッ素樹脂が吸着している酸素、窒素、水蒸気が膨張して、非晶質フッ素樹脂が発泡することがあり得る。
［１］ 発光装置１が長時間大気に曝されるなどして、封止樹脂４０やレンズ４１を構成する非晶質フッ素樹脂が酸素、窒素、水蒸気を十分に吸着している場合、出荷後のユーザによる熱処理の際に、非晶質フッ素樹脂が吸着している酸素、窒素、水蒸気が膨張して、非晶質フッ素樹脂が発泡することがあり得る。
このような発泡を防止するために、発光装置１を、非晶質フッ素樹脂が酸素、窒素、水蒸気を吸着しにくいパッケージで出荷すると好ましい。例えば、発光装置１を、内部が大気圧よりも減圧された気密パッケージ、ヘリウムガスまたはアルゴンガスが充填された気密パッケージ、または、ヘリウムガスまたはアルゴンガスが充填され内部が大気圧よりも減圧された気密パッケージ内に封入して出荷すると、好ましい。また、気密パッケージは、例えば、樹脂材料（例えば、ポリエチレンやポリプロピレン）にアルミを蒸着したシートで構成される。
上記のような気密パッケージ内に発光装置１を封入して出荷すると、ユーザが気密パッケージを破って発光装置１を取り出して熱処理をする際に、非晶質フッ素樹脂が吸着している酸素、窒素、水蒸気を、発光装置１を大気中に十分曝した場合よりも減少させることができる。例えば、ユーザが発光装置１を熱処理する際における非晶質フッ素樹脂が吸着している酸素、窒素、水蒸気の量を、大気中に発光装置１を曝した場合において非晶質フッ素樹脂が吸着し得る最大量よりも少なく、好ましくは当該最大量の２分の１以下、さらに好ましくは３分の１以下にすることができる。また例えば、ユーザが発光装置１を熱処理する際における非晶質フッ素樹脂が吸着している酸素、窒素、水蒸気の量を、非晶質フッ素樹脂が吸着しているヘリウムガスまたはアルゴンガスの量よりも少なくすることができる。
なお、発光装置１の出荷形態として、非晶質フッ素樹脂の発泡を防止するための気密パッケージのみを採用し、上述した形状変化防止層６０を設けなくてもよい。
また、形状変化防止層６０を設けた上で、上述の気密パッケージを採用してもよい。この場合、形状変化防止層６０が、ヘリウム、アルゴン、酸素、窒素、及び、水蒸気に対してガス透過性を有していると、形状変化防止層６０と非晶質フッ素樹脂との間に気体が閉じ込められることによる形状変化防止層６０の脱落や非晶質フッ素樹脂の変形などの問題を回避することができるため、好ましい。
また、上述した非晶質フッ素樹脂の発泡は、発泡が生じるような高温での熱処理を行う前に脱気処理することによっても、抑制することが可能である。脱気処理として、例えば、１２０℃で２時間の真空脱気処理や、図６に示したはんだリフロー工程における期間Ｐ２の昇温勾配を１０℃／時間などと極めて緩やかにするという処理が挙げられる。ただし、これらの処理は、非晶質フッ素樹脂の変形や発泡を防止するために、長時間を要するという問題がある。
しかし、形状変化防止層６０を備えた発光装置１であれば、ある程度の高温に曝しても、非晶質フッ素樹脂の変形を防止することができる。そのため、発光装置１の場合は、例えば、真空脱気処理の温度を１２０℃よりも高くして、その分、処理時間を２時間よりも短くするなど、脱気処理における条件設定の自由度を高めることができる。さらに、この場合、形状変化防止層６０が、酸素、窒素、及び、水蒸気に対してガス透過性を有していると、真空脱気処理の際に、形状変化防止層６０と非晶質フッ素樹脂との間に気体が閉じ込められることによる形状変化防止層６０の脱落や非晶質フッ素樹脂の変形などの問題を回避することができるため、好ましい。
［２］ 非晶質フッ素樹脂は、結合性・非結合性を問わず、重量平均分子量が大きくなるほど溶融粘度が大きくなり、溶融粘度がおよそ１０００００Ｐａ・ｓよりも大きくなると流動性が失われて形状変化が生じなくなる。ここで、出荷後の熱処理温度の最大値を２６０℃と想定した場合、樹脂の溶融粘度比が分子量比の３．４乗に比例すること（粘度の３．４乗則）、重量平均分子量が２５００００の非晶質フッ素樹脂の２６０℃における溶融粘度がおよそ３０００Ｐａ・ｓであることから、重量平均分子量が７０００００よりも大きければ、２６０℃において非晶質フッ素樹脂の形状変化は生じない（溶融粘度が１０００００Ｐａ・ｓよりも大きくなる）と言える。
したがって、上述した形状変化防止層６０は、重量平均分子量が７０００００以下である場合に、その効果を発揮し得ることになる。さらに、２６０℃において非晶質フッ素樹脂の形状変化が生じないほどに溶融粘度が高い場合、成形時における非晶質フッ素樹脂の流動性を確保するために成形温度を高くせざるを得なくなるが、ボンディング材料Ｂ１をＡｕＳｎはんだ等のはんだ材料で構成する場合、成形温度がボンディング材料Ｂ１の融点（ＡｕＳｎはんだの場合はおよそ２８０℃）を超えることで、窒化物半導体発光素子１０とサブマウント３０との接続が損なわれ得る。これらの理由から、非晶質フッ素樹脂の重量平均分子量は、７０００００以下が好ましい。
また、重量平均分子量が１５００００程度と小さい非晶質フッ素樹脂を用いた場合、ユーザによる熱処理によって非晶質フッ素樹脂の形状が変化する危険が極めて高くなるが、形状変化防止層６０を設けることによって、この危険を回避することができる。即ち、形状変化防止層６０を設ける場合は、重量平均分子量が１５００００以上の非晶質フッ素樹脂を用いることが可能である。さらに、封止樹脂４０やレンズ４１の成形に問題がない限度において、１５００００よりも小さい重量平均分子量の非晶質フッ素樹脂を用いることも可能である。
なお、封止樹脂４０及びレンズ４１のそれぞれを構成する非晶質フッ素樹脂の重量平均分子量は、同じであってもよいし異なっていてもよい。また、非晶質フッ素樹脂の分子量の推定は極めて困難であるが、重量平均分子量は、例えば、溶融粘度または固有粘度による換算により推定できる。
［３］ 上記実施形態では、ユーザが熱処理後に形状変化防止層６０を除去することを前提としているが、形状変化防止層６０の除去を不要にしてもよい。例えば、発光装置１の動作に対してほとんど悪影響を与えない材料及び形状で形状変化防止層６０が構成されているなどの場合、形状変化防止層６０の除去を不要にしてもよい。
［４］ 上記実施形態では、１つの窒化物半導体発光素子１０をサブマウント３０上に載置した発光装置１について説明したが、発光装置１は、サブマウントまたはプリント基板等の基台上に、複数の窒化物半導体発光素子１０を載置して構成してもよい。この場合、複数の窒化物半導体発光素子１０を封止樹脂４０で、まとめて封止しても良く、また、１つずつ個別に封止してもよい。この場合、例えば、基台の表面に、封止する単位の１または複数の窒化物半導体発光素子１０の周りを囲む樹脂ダムを形成しておき、その樹脂ダムで囲まれた領域に、例えば、上記実施形態で説明した要領で、封止樹脂４０を形成する。また、封止樹脂４０と同様に、レンズ４１も、複数の窒化物半導体発光素子１０に対してまとめて形成してもよいし、１つずつ個別に形成してもよい。さらに、形状変化防止層６０も、複数の窒化物半導体発光素子１０及び非晶質フッ素樹脂に対してまとめて形成してもよいし、１つずつ個別に形成してもよい。なお、窒化物半導体発光素子１０を載置する基台は、サブマウント及びプリント基板に限定されるものではない。
また、１つの窒化物半導体発光素子１０をサブマウント３０上に載置する場合においても、１枚の基材３１の表面側に、複数のサブマウント３０の第１及び第２金属電極配線３２，３３を形成し、１枚の基材３１の裏面側に、複数のサブマウント３０のリード端子３４，３５を形成し、複数のサブマウント３０をマトリクス状に配置したサブマウント板に、複数の窒化物半導体発光素子１０をそれぞれ各サブマウント３０上にフリップチップ実装し、複数の窒化物半導体発光素子１０に対してそれぞれ封止樹脂４０または封止樹脂４０とレンズ４１を形成した後に、当該サブマウント板を個々のサブマウント３０に分割して、１つの窒化物半導体発光素子１０をサブマウント３０上に載置してなる発光装置１を製造してもよい。さらに、この場合、複数の窒化物半導体発光素子１０及び非晶質フッ素樹脂のそれぞれに対して形状変化防止層６０を形成した後に、サブマウント板を個々のサブマウント３０に分割してもよい。
本発明に係る発光装置は、基台上にフリップチップ実装された窒化物半導体発光素子を備える発光装置に利用可能であり、特に、発光中心波長が３６５ｎｍ以下の光（紫外線）を出射する窒化物半導体発光素子備える発光装置に利用可能である。
１： 発光装置
１０： 窒化物半導体発光素子
１１： サファイア基板
１２： 半導体積層部
１３： ｎ電極
１４： ｐ電極
２０： ＡｌＮ層
２１： ＡｌＧａＮ層
２２： ｎ型クラッド層（ｎ型ＡｌＧａＮ）
２３： 活性層
２４： 電子ブロック層（ｐ型ＡｌＧａＮ）
２５： ｐ型クラッド層（ｐ型ＡｌＧａＮ）
２６： ｐコンタクト層（ｐ型ＧａＮ）
３０： サブマウント（基台）
３１： 基材
３２： 第１金属電極配線
３２０： 第１電極パッド
３２１： 第１配線部
３３： 第２金属電極配線
３３０： 第２電極パッド
３３１： 第２配線部
３４，３５：リード端子
４０： 封止樹脂
４１： レンズ
５０： 被実装装置
５１，５２：ランド
６０，６０Ａ：形状変化防止層
６１： ハンドル部
Ｂ１： ボンディング材料
Ｂ２： ボンディング材料
Ｔ１〜Ｔ５：期間
１０： 窒化物半導体発光素子
１１： サファイア基板
１２： 半導体積層部
１３： ｎ電極
１４： ｐ電極
２０： ＡｌＮ層
２１： ＡｌＧａＮ層
２２： ｎ型クラッド層（ｎ型ＡｌＧａＮ）
２３： 活性層
２４： 電子ブロック層（ｐ型ＡｌＧａＮ）
２５： ｐ型クラッド層（ｐ型ＡｌＧａＮ）
２６： ｐコンタクト層（ｐ型ＧａＮ）
３０： サブマウント（基台）
３１： 基材
３２： 第１金属電極配線
３２０： 第１電極パッド
３２１： 第１配線部
３３： 第２金属電極配線
３３０： 第２電極パッド
３３１： 第２配線部
３４，３５：リード端子
４０： 封止樹脂
４１： レンズ
５０： 被実装装置
５１，５２：ランド
６０，６０Ａ：形状変化防止層
６１： ハンドル部
Ｂ１： ボンディング材料
Ｂ２： ボンディング材料
Ｔ１〜Ｔ５：期間
Claims (9)
- 基台と、前記基台上にフリップチップ実装された窒化物半導体発光素子と、前記窒化物半導体発光素子を封止する非晶質フッ素樹脂と、を備えてなる発光装置であって、
前記発光装置の出荷後の熱処理による前記非晶質フッ素樹脂の形状変化を防止する形状変化防止層を備え、
前記形状変化防止層は、熱硬化性樹脂または紫外線硬化樹脂が硬化した層で構成され、前記硬化した層が、前記非晶質フッ素樹脂の表面を直接被覆していることを特徴とする発光装置。 - 前記形状変化防止層が、前記非晶質フッ素樹脂の露出面の内、少なくとも、前記窒化物半導体発光素子から出射される光を集束または拡散させる光学レンズ形状の表面を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
- 前記形状変化防止層が、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
- 前記形状変化防止層が、ヘリウム、アルゴン、酸素、窒素、及び、水蒸気に対してガス透過性を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の発光装置。
- 前記非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の構造単位が、含フッ素脂肪族環構造を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の発光装置。
- 前記非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基がパーフルオロアルキル基であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の発光装置。
- 前記窒化物半導体発光素子が、発光中心波長が２００ｎｍ以上約３６５ｎｍ以下の範囲内にある紫外線発光素子であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の発光装置。
- 前記非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の重量平均分子量が７０００００以下であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の発光装置。
- 出荷形態として、内部が減圧された気密パッケージ内、ヘリウムガスまたはアルゴンガスが充填された気密パッケージ内、または、ヘリウムガスまたはアルゴンガスが充填され内部が減圧された気密パッケージ内に封入されていることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の発光装置。
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|---|---|---|---|---|
| JP7055201B2 (ja) * | 2018-06-08 | 2022-04-15 | 日機装株式会社 | 半導体発光装置 |
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| CN112310293A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-02-02 | 陕西坤同半导体科技有限公司 | 一种有机发光器件 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01139370A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Nec Corp | 半導体装置の出荷包装方法 |
| JPH11227710A (ja) * | 1998-02-10 | 1999-08-24 | Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd | 半導体装置の梱包方法 |
| US20060138443A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Iii-N Technology, Inc. | Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes |
| JP2009049177A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Siltronic Japan Corp | 包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法 |
| JP2009113353A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Seiko Epson Corp | セミフィニッシュレンズの製造方法、セミフィニッシュレンズおよびプラスティックレンズの製造方法 |
| JP2010505253A (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光学素子、ビーム放射性デバイスおよび光学素子を製造する方法 |
| JP2016006832A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-14 | 旭硝子株式会社 | 光学素子、発光素子パッケージおよび発光素子パッケージの製造方法 |
| JP2016032049A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR20160091146A (ko) * | 2015-01-23 | 2016-08-02 | 서울바이오시스 주식회사 | 이중 렌즈 구조를 갖는 자외선 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
| WO2017022755A1 (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体発光素子用の基台及びその製造方法 |
| JP2017045902A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 日機装株式会社 | 発光装置 |
| JP2017120837A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 紫外線発光装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2010074038A1 (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | 旭硝子株式会社 | 発光素子モジュールおよびその製造方法 |
| JP5767062B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-08-19 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法 |
| JP2014130963A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| RU2589449C1 (ru) | 2013-04-30 | 2016-07-10 | Соко Кагаку Ко., Лтд. | Излучающий ультрафиолетовое излучение прибор |
| WO2015068807A1 (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-14 | 旭硝子株式会社 | 離型フィルム、および半導体パッケージの製造方法 |
| EP3279951B1 (en) | 2015-04-03 | 2019-09-11 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Nitride-semiconductor ultraviolet-light emitting element |
| JP6451579B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-01-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US10361346B2 (en) * | 2015-10-27 | 2019-07-23 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Nitride semiconductor ultraviolet light emitting device and method for manufacturing same |
| JP2017130587A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 旭化成株式会社 | 紫外線発光装置及びそれを備えた装置 |
-
2017
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-
2018
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Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01139370A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Nec Corp | 半導体装置の出荷包装方法 |
| JPH11227710A (ja) * | 1998-02-10 | 1999-08-24 | Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd | 半導体装置の梱包方法 |
| US20060138443A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Iii-N Technology, Inc. | Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes |
| JP2010505253A (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光学素子、ビーム放射性デバイスおよび光学素子を製造する方法 |
| JP2009049177A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Siltronic Japan Corp | 包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法 |
| JP2009113353A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Seiko Epson Corp | セミフィニッシュレンズの製造方法、セミフィニッシュレンズおよびプラスティックレンズの製造方法 |
| JP2016006832A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-14 | 旭硝子株式会社 | 光学素子、発光素子パッケージおよび発光素子パッケージの製造方法 |
| JP2016032049A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR20160091146A (ko) * | 2015-01-23 | 2016-08-02 | 서울바이오시스 주식회사 | 이중 렌즈 구조를 갖는 자외선 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
| WO2017022755A1 (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体発光素子用の基台及びその製造方法 |
| JP2017045902A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 日機装株式会社 | 発光装置 |
| JP2017120837A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 紫外線発光装置 |
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