JPWO2018186093A1 - マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 Download PDF

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Abstract

マルチプレクサ（１）は、直列腕共振子（Ｓ１〜Ｓ５）と並列腕共振子（Ｐ１〜Ｐ４）とを有するラダー型の弾性波フィルタである第１フィルタ（１０）と、共通接続点（Ｎ）で第１フィルタ（１０）に接続された第２フィルタ（２０）と、直列腕共振子（Ｓ１）に並列に接続されたインダクタを構成するインダクタパターン（Ｌｐ）と、インダクタパターン（Ｌｐ）が形成された層と同一層にインダクタパターン（Ｌｐ）と間隔をあけて隣り合うように形成されたグランドパターン（Ｇｐ）とを有する基板（３０）と、を備え、インダクタパターン（Ｌｐ）とグランドパターン（Ｇｐ）との最小の間隔（ｄ）は、グランドパターン（Ｇｐ）における最小のパターン幅（Ａ）の１．５５倍以下である。

Description

本発明は、共通接続点で接続された複数のフィルタを備えるマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
近年の携帯電話には、一端末で複数の周波数帯域及び複数の無線方式、いわゆるマルチバンド化及びマルチモード化に対応することが要求されている。これに対応すべく、１つのアンテナの直下には、共通接続点で接続された互いに異なる周波数帯域の信号を通過する第１フィルタ及び第２フィルタを備えるマルチプレクサが配置される。
第１フィルタは、直列腕共振子と並列腕共振子とを有する、例えばラダー型の弾性波フィルタであり、当該直列腕共振子にインダクタが並列に接続される（例えば、特許文献１参照）。これにより、直列腕共振子の反共振点を調整することができ、第１フィルタと第２フィルタとのアイソレーション特性を改善することができる。
特開２００３−３３２８８５号公報
しかしながら、上記特許文献１では、アイソレーション特性の改善が不十分であり、よりアイソレーション特性を改善することが求められている。
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、アイソレーション特性をより改善することができるマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、直列腕共振子と並列腕共振子とを有するラダー型の弾性波フィルタである第１フィルタと、共通接続点で前記第１フィルタに接続された第２フィルタと、前記直列腕共振子に並列に接続されたインダクタを構成するインダクタパターンと、前記インダクタパターンが形成された層と同一層に前記インダクタパターンと間隔をあけて隣り合うように形成されたグランドパターンとを有する基板と、を備え、前記インダクタパターンと前記グランドパターンとの最小の間隔は、前記グランドパターンにおける最小のパターン幅の１．５５倍以下である。
これによれば、インダクタパターンとグランドパターンとの最小の間隔が、グランドパターンにおける最小のパターン幅の１．５５倍以下となり、当該最小の間隔が小さくなり得るため、インダクタパターンとグランドパターンとの結合により十分な容量成分が得られる。したがって、当該容量成分とインダクタパターンのインダクタンス成分とによるＬＣ共振により、直列腕共振子の反共振点をより調整することができるため、第２フィルタの通過帯域における第１フィルタと第２フィルタとのアイソレーションをより改善することができる。また、当該最小の間隔が小さくなるほど、グランドパターンの面積が大きくなり得るため、第１フィルタの通過帯域における第１フィルタと第２フィルタとのアイソレーションをより改善することができる。このように、第１フィルタと第２フィルタとのアイソレーション特性をより改善することができる。
また、前記インダクタパターンは、複数の直線状の配線パターンによって形成され、前記複数の直線状の配線パターンのうちの少なくとも２つの直線状の配線パターンと前記グランドパターンとはそれぞれ前記最小の間隔をあけて隣り合っていてもよい。
これによれば、少なくとも２つの直線状の配線パターンとグランドパターンとのそれぞれの最小の間隔が最小のパターン幅の１．５５倍以下となるため、得られる容量成分をより大きくすることができ、また、グランドパターンの面積をより大きくすることができる。
また、前記インダクタパターン及び前記グランドパターンは、複数の層にわたって前記基板に形成され、前記複数の層のそれぞれにおいて、前記インダクタパターンと前記グランドパターンとは前記最小の間隔をあけて隣り合っていてもよい。
これによれば、インダクタパターン及びグランドパターンが形成された複数の層のそれぞれにおいて、インダクタパターンとグランドパターンとの最小の間隔が最小のパターン幅の１．５５倍以下となっているため、得られる容量成分をより大きくすることができ、また、グランドパターンの面積をより大きくすることができる。
また、前記最小の間隔は、前記最小のパターン幅の０．１倍以上であってもよい。
これによれば、例えば、インダクタパターンとグランドパターンとの最小の間隔が狭すぎると、インダクタパターンとグランドパターンとが導通してしまうおそれがあるが、当該最小の間隔が最小のパターン幅の０．１倍以上であるため、インダクタパターンとグランドパターンとが導通してしまうことを抑制しつつ、得られる容量成分をより大きくすることができ、また、グランドパターンの面積をより大きくすることができる。
本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、上記のマルチプレクサと、前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える。
これによれば、アイソレーション特性をより改善することができる高周波フロントエンド回路を提供できる。
本発明の一態様に係る通信装置は、アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する上記の高周波フロントエンド回路と、を備える。
これによれば、アイソレーション特性をより改善することができる通信装置を提供できる。
本発明に係るマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置によれば、アイソレーション特性をより改善することができる。
図１は、実施の形態１に係るマルチプレクサの回路構成図である。 図２は、実施の形態１に係る基板を構成する複数の層の配線レイアウトを示す図である。 図３Ａは、実施の形態１に係る第１フィルタ及び第２フィルタの通過特性を示す図である。 図３Ｂは、実施の形態１に係る第１フィルタと第２フィルタとのアイソレーション特性を示す図である。 図４は、最小のパターン幅に対する最小の間隔の比率を振ったときのアイソレーションを示す図である。 図５は、実施の形態２に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置の回路構成図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさは、必ずしも厳密ではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する場合がある。
（実施の形態１）
［１．マルチプレクサの回路構成］
図１は、実施の形態１に係るマルチプレクサ１の回路構成図である。図１に示されるように、マルチプレクサ１は、第１フィルタ１０、第２フィルタ２０、インダクタＬｐ、整合用インダクタＬａｎｔ、並びに、入出力端子１１及び２１を備える。なお、図１に示されていないが、マルチプレクサ１は、基板３０を備え、インダクタＬｐは基板３０に形成されたインダクタパターンにより構成される。基板３０については、後述する図２で詳細に説明する。以下、インダクタＬｐをインダクタパターンＬｐとも呼ぶ。また、図１には、第１フィルタ１０と第２フィルタ２０との共通接続点Ｎが示されている。また、図１には、マルチプレクサ１の構成要素ではないアンテナ素子ＡＮＴが示されている。アンテナ素子ＡＮＴは、高周波信号を送受信する、例えばＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）等の通信規格に準拠したマルチバンド対応のアンテナである。
第１フィルタ１０は、共通接続点Ｎと入出力端子１１とを結ぶ直列腕に接続された直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５及び上記直列腕とグランドとを結ぶ並列腕に接続された並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４を備えるラダー型の弾性波フィルタである。直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４により、第１通過帯域を有するバンドパスフィルタが構成される。本実施の形態では、第１通過帯域は例えば１９２０ＭＨｚから１９８０ＭＨｚである。直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）共振子である。第１フィルタ１０は、ＳＡＷ共振子により構成されたＳＡＷフィルタの場合、基板とＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極とを備えている。基板は、少なくとも表面に圧電性を有する基板である。基板は、例えば、表面に圧電薄膜を備え、当該圧電薄膜と音速の異なる膜、および支持基板などの積層体で構成されていてもよい。当該基板は、例えば、高音速支持基板と、高音速支持基板上に形成された圧電薄膜とを含む積層体、高音速支持基板と、高音速支持基板上に形成された低音速膜と、低音速膜上に形成された圧電薄膜とを含む積層体、または、支持基板と、支持基板上に形成された高音速膜と、高音速膜上に形成された低音速膜と、低音速膜上に形成された圧電薄膜とを含む積層体であってもよい。また、基板は、基板全体に圧電性を有していてもよい。なお、これらの共振子は、弾性境界波やＢＡＷ（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波共振子であってもよい。
第１フィルタ１０は、例えば送信信号経路に設けられたフィルタであり、入出力端子１１は、例えば送信用パワーアンプを介してＲＦ信号処理回路に接続される。なお、第１フィルタ１０は、受信信号経路に設けられるフィルタであってもよく、入出力端子１１は、受信用ローノイズアンプを介してＲＦ信号処理回路に接続されてもよい。
インダクタパターンＬｐは、例えば、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５のうちの入出力端子１１に接続された直列腕共振子Ｓ１に並列に接続されている。これにより、直列腕共振子Ｓ１の反共振点を調整することができる。なお、インダクタパターンＬｐは、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５のいずれの直列腕共振子に並列に接続されてもよい。また、マルチプレクサ１は、インダクタパターンＬｐを複数備えていてもよく、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５のうちの２つ以上の直列腕共振子にそれぞれインダクタパターンＬｐが並列に接続されてもよい。
なお、第１フィルタ１０は、５つの直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５及び４つの並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４を備えたがこれに限らない。第１フィルタ１０は、少なくとも１つの直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を備えていればよい。
第２フィルタ２０は、共通接続点Ｎと入出力端子１１との間に配置され、第１通過帯域とは異なる通過帯域（第２通過帯域）を有するフィルタであり、共通接続点Ｎで第１フィルタ１０に接続される。これにより、マルチプレクサ１は、いわゆるマルチバンド化及びマルチモード化に対応することができる。第２フィルタ２０は、例えば、直列腕共振子Ｓ１１及び縦結合共振子Ｓ１２を備える縦結合型のフィルタであり、直列腕共振子Ｓ１１及び縦結合共振子Ｓ１２により、第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有するバンドパスフィルタが構成される。本実施の形態では、第２通過帯域は、第１通過帯域よりも高帯域であり、例えば２１１０ＭＨｚから２１７０ＭＨｚである。なお、第２フィルタ２０は、縦結合型のフィルタでなくてもよい。例えば、第２フィルタ２０は、第１フィルタ１０と同じようにラダー型の弾性波フィルタであってもよく、また、ＬＣ共振回路のような弾性波共振子を有さない構成であってもよい。
第２フィルタ２０は、例えば受信信号経路に設けられたフィルタであり、入出力端子２１は、例えば受信用ローノイズアンプを介してＲＦ信号処理回路に接続される。なお、第２フィルタ２０は、送信信号経路に設けられるフィルタであってもよく、入出力端子２１は、送信用パワーアンプを介してＲＦ信号処理回路に接続されてもよい。
整合用インダクタＬａｎｔは、共通接続点Ｎとグランドとの間に接続されている。これにより、アンテナ素子ＡＮＴと第１フィルタ１０及び第２フィルタ２０とのインピーダンス整合が行われる。
［２．基板の配線レイアウト］
次に、基板３０における配線レイアウトについて、図２を用いて説明する。
図２は、実施の形態１に係る基板３０を構成する複数の層の配線レイアウトを示す図である。基板３０は、例えば、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）であり、複数の層から構成される多層基板である。基板３０は、例えば６層で構成され、図２の（ａ）〜（ｄ）は、１層目から４層目の配線レイアウトを示している。なお、５層目、６層目の配線レイアウトについては図示を省略している。また、基板３０の層数は、６層に限らず、何層であってもよい。
図２の（ａ）に示されるように、基板３０の１層目には、例えばバンプ３１が設けられ、バンプ３１上に第１フィルタ１０を構成する半導体チップ等が搭載されることで、基板３０（インダクタパターンＬｐ）と第１フィルタ１０（直列腕共振子Ｓ１）とが並列に接続される。
基板３０は、インダクタパターンＬｐと、インダクタパターンＬｐが形成された層と同一層にインダクタパターンＬｐと間隔をあけて隣り合うように形成されたグランドパターンＧｐとを有する。図２の（ｂ）〜（ｄ）に示されるように、インダクタパターンＬｐ及びグランドパターンＧｐは、例えば、複数の層（２層目から４層目）にわたって基板３０に形成される。インダクタパターンＬｐは、複数の層上に形成された配線パターンが層間導体（ビア導体）によって接続されたらせん形状を有する。グランドパターンＧｐは、複数の層上に形成されたベタパターンが層間導体（ビア導体）によって接続されることで複数の層にわたって基板３０に形成される。
インダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとの最小の間隔ｄは、グランドパターンＧｐにおける最小のパターン幅Ａの１．５５倍以下である。最小のパターン幅Ａは、例えば、複数の層にわたって形成されたグランドパターンＧｐのうち最もパターン幅が狭くなっている部分の幅であり、本実施の形態では、図２の（ｃ）に示されるように、３層目に最小のパターン幅Ａとなっている部分がある。また、最小の間隔ｄは、例えば、複数の層にわたって形成された、隣り合うインダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとにおいて最も間隔が狭くなっている部分の間隔であり、本実施の形態では、図２の（ｂ）〜（ｄ）に示されるように、２層目〜４層目にそれぞれ最小の間隔ｄとなっている部分がある。
隣り合うインダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとの最小の間隔ｄが最小のパターン幅Ａの１．５５倍以下であることで、インダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとの結合により十分な容量成分が得られ、また、最小の間隔ｄが小さくなる分グランドパターンＧｐの面積が大きくなり得る。ここで、基板３０の３層目に着目して、同一層におけるインダクタパターンＬｐ及びグランドパターンＧｐの配置について説明する。
図２の（ｃ）に示されるように、基板３０の３層目において、インダクタパターンＬｐは、複数の直線状の配線パターンＬｐ１〜Ｌｐ６によって形成され、渦巻形状を有する。このとき、複数の直線状の配線パターンＬｐ１〜Ｌｐ６のうちの少なくとも２つの直線状の配線パターンとグランドパターンＧｐとはそれぞれ最小の間隔ｄをあけて隣り合っている。本実施の形態では、最小の間隔ｄをあけて隣り合っている少なくとも２つの直線状の配線パターンは、配線パターンＬｐ１及びＬｐ２である。したがって、配線パターンＬｐ１とグランドパターンＧｐとの最小の間隔ｄは最小のパターン幅Ａの１．５５倍以下であり、配線パターンＬｐ２とグランドパターンＧｐとの最小の間隔ｄは最小のパターン幅Ａの１．５５倍以下である。例えば、最小の間隔ｄは、２０μｍであり、最小のパターン幅Ａは１８６μｍである。したがって、最小の間隔は、最小のパターン幅Ａの０．１０７５倍となっている。
このように、少なくとも２つの直線状の配線パターン（ここでは、配線パターンＬｐ１及びＬｐ２）とグランドパターンＧｐとのそれぞれの最小の間隔ｄが最小のパターン幅Ａの１．５５倍以下となっているため、得られる容量成分がより大きくなり、また、グランドパターンＧｐの面積が大きくなり得る。
また、図２の（ｂ）及び（ｄ）に示されるように、２層目及び４層目においても３層目と同じように、インダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとの最小の間隔ｄは、最小のパターン幅Ａの１．５５倍以下となっている。
［３．マルチプレクサの特性］
次に、本実施の形態におけるマルチプレクサ１の特性について、図３Ａ及び図３Ｂを用いて説明する。
図３Ａは、実施の形態１に係る第１フィルタ１０及び第２フィルタ２０の通過特性を示す図である。図３Ａにおいて、実線は、本実施の形態における通過特性であり、最小の間隔ｄが最小のパターン幅Ａの０．１０７５倍の場合の特性を示している。上述したように、最小の間隔ｄを２０μｍとし、最小のパターン幅Ａを１８６μｍとしている。一方、点線は、比較例における通過特性であり、最小の間隔ｄを１９５μｍとし、最小のパターン幅Ａを１１μｍとした場合、すなわち、最小の間隔ｄが最小のパターン幅Ａの１７．７２７３倍の場合の特性を示している。
最小の間隔ｄが最小のパターン幅Ａの０．１０７５倍である実施の形態１の場合、インダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとの結合により十分な容量成分が得られ、当該容量成分とインダクタパターンＬｐのインダクタンス成分とによるＬＣ共振により、直列腕共振子の反共振点を調整することができる。
例えば、直列腕共振子の反共振点を調整することで、第１フィルタ１０の減衰帯域の減衰量を変えたり周波数を変えたりすることができ、アイソレーション特性を改善できると考えられる。したがって、図３Ｂに示されるように、比較例（点線）と比べてインダクタパターンＬｐに対してグランドパターンＧｐが十分近接している実施の形態１（実線）の場合には、第２フィルタ２０の第２通過帯域（２１１０ＭＨｚから２１７０ＭＨｚ付近）における第１フィルタ１０と第２フィルタ２０とのアイソレーション特性（具体的には、入出力端子１１から入出力端子２１への通過特性）が改善していることがわかる。
また、第１フィルタ１０の第１通過帯域（１９２０ＭＨｚから１９８０ＭＨｚ付近）における第１フィルタ１０と第２フィルタ２０とのアイソレーション特性が改善していることがわかる。これは、第１通過帯域における第２フィルタ２０の減衰量は、グランドパターンＧｐの面積が大きいほど大きくなり、それに伴いアイソレーション特性が改善するためである。
［４．最小の距離に対する最小の間隔の比率の他の例］
本実施の形態では、最小の間隔ｄは２０μｍであり、最小のパターン幅Ａは１８６μｍであり、最小のパターン幅Ａに対する最小の間隔ｄの比率ｄ／Ａは０．１０７５であったが、これらのパラメータは一例であり、比率ｄ／Ａが１．５５以下であればよい（つまり、最小の間隔ｄが最小のパターン幅Ａの１．５５倍以下であればよい）。以下では、比率ｄ／Ａの他の例について説明する。なお、比率ｄ／Ａが１．５５よりも大きいときの例も示している。
表１に、比率ｄ／Ａを変化させたとき（具体的には、最小の間隔ｄ及び最小のパターン幅Ａを変化させたとき）のアイソレーションを示す。なお、ＲｘＩＳＯとは第２通過帯域における第１フィルタ１０と第２フィルタ２０とのアイソレーションであり、ＴｘＩＳＯとは第１通過帯域における第１フィルタ１０と第２フィルタ２０とのアイソレーションである。
Figure 2018186093
表１に示されるように、比率ｄ／Ａを振ったときのＲｘＩＳＯ及びＴｘＩＳＯの変化をグラフ化したものを図４に示す。図４は、最小のパターン幅Ａに対する最小の間隔ｄの比率を振ったときのアイソレーションを示す図である。
図４及び表１に示されるように、比率ｄ／Ａが小さくなるほど、得られる容量成分が大きくなり、また、グランドパターンＧｐの面積が大きくなるため、ＲｘＩＳＯ及びＴｘＩＳＯは改善されていく傾向がある。しかしながら、比率ｄ／Ａが１７．７２７３から２．６７８６へと小さくなる場合には、ＴｘＩＳＯの改善量は０．８ｄＢとあまり改善していないことがわかる。これに対して、比率ｄ／Ａが２．６７８６から１．５４３２へと小さくなることで、ＴｘＩＳＯの改善量は３．１ｄＢと大きく改善していることがわかる。したがって、比率ｄ／Ａを１．５５以下にすることで、より効果的にＲｘＩＳＯ及びＴｘＩＳＯを改善することができる。
また、図４及び表１において、最小の間隔ｄは最小のパターン幅Ａの０．１倍以上となっている。例えば、最小のパターン幅Ａが１８６μｍのときに最小の間隔ｄは２０μｍとなっている。２０μｍは、配線パターン間が導通してしまわないように配線パターンを形成するための、パターン間隔の限界値である。したがって、インダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとの最小の間隔ｄが狭すぎると、インダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとが導通してしまうおそれがあるが、最小の間隔ｄが最小のパターン幅Ａの０．１倍以上であるため、インダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとが導通してしまうことを抑制しつつ、より容量成分を大きくし、また、グランドパターンＧｐの面積をより大きくすることができる。
このように、最小のパターン幅Ａに対する最小の間隔ｄの比率が１．５５以下であることで、ＲｘＩＳＯ及びＴｘＩＳＯを共に改善することができる。
［５．効果等］
以上説明したように、インダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとの最小の間隔ｄが、グランドパターンＧｐにおける最小のパターン幅Ａの１．５５倍以下となり最小の間隔ｄが小さくなるため、インダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとの結合により十分な容量成分が得られる。したがって、当該容量成分とインダクタパターンＬｐのインダクタンス成分とによるＬＣ共振により、直列腕共振子の反共振点をより調整することができるため、第２フィルタの通過帯域における第１フィルタと第２フィルタとのアイソレーションをより改善することができる。また、最小の間隔ｄが小さくなることで、グランドパターンＧｐの面積が大きくなり得るため、第１フィルタ１０の通過帯域における第１フィルタ１０と第２フィルタ２０とのアイソレーションをより改善することができる。このように、第１フィルタ１０と第２フィルタ２０とのアイソレーション特性をより改善することができる。
また、インダクタパターンＬｐ及びグランドパターンＧｐが形成された複数の層のそれぞれにおいて、インダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとの最小の間隔ｄが最小のパターン幅Ａの１．５５倍以下となっているため、より容量成分が大きくなり、直列腕共振子の反共振点をより深くすることができ、第１フィルタ１０と第２フィルタ２０とのアイソレーション特性をより改善することができる。
（実施の形態２）
上記実施の形態１に係るマルチプレクサ１は、高周波フロントエンド回路、さらには当該高周波フロントエンド回路を備える通信装置に適用することもできる。そこで、本実施の形態では、このような高周波フロントエンド回路及び通信装置について説明する。
図５は、実施の形態２に係る高周波フロントエンド回路２および通信装置３の回路構成図である。なお、同図には、通信装置３と接続されるアンテナ素子ＡＮＴについても併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）５０とは、通信装置３を構成している。
高周波フロントエンド回路２は、マルチプレクサ１と、マルチプレクサ１に接続された増幅回路とを備える。ここでは、増幅回路として、パワーアンプ４０ａ及びローノイズアンプ４０ｂを示している。
パワーアンプ４０ａは、ＲＦ信号処理回路５０から出力された高周波信号（高周波送信信号）を増幅し、マルチプレクサ１を介してアンテナ素子ＡＮＴへ出力する送信増幅回路である。
ローノイズアンプ４０ｂは、アンテナ素子ＡＮＴ、マルチプレクサ１を経由した高周波信号（高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路５０へ出力する受信増幅回路である。
ＲＦ信号処理回路５０は、アンテナ素子ＡＮＴから高周波フロントエンド回路２を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理をして生成された受信信号をベースバンド信号処理回路へ出力する。また、ＲＦ信号処理回路５０は、ベースバンド信号処理回路から入力された高周波送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理をして生成された高周波送信信号を、高周波フロントエンド回路２を介してアンテナ素子ＡＮＴへ出力する。
なお、高周波フロントエンド回路２は、上述した各構成要素の間に、他の回路素子を備えていてもよい。
以上のように構成された高周波フロントエンド回路２および通信装置３によれば、実施の形態１に係るマルチプレクサ１を備えることにより、アイソレーション特性をより改善することができる。
（その他の実施の形態）
以上、本発明の実施の形態に係るマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、上記実施の形態を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本発明に含まれる。
例えば、上記実施の形態では、マルチプレクサ１として、送信信号経路に設けられた第１フィルタ１０及び受信信号経路に設けられた第２フィルタ２０が共通接続点Ｎに接続された回路を例に説明したが、本発明は、第１フィルタ１０及び第２フィルタ２０が共に送信信号経路又は受信信号経路に設けられる回路や、３つ以上の信号経路が共通接続点Ｎに接続された回路についても適用することができる。
また、例えば、上記実施の形態では、最小の間隔ｄで隣り合うインダクタパターンＬｐとグランドパターンＧｐとは、基板３０を構成する複数の層（例えば２層目から４層目）において形成されていたが、基板３０を構成する複数の層のうちの少なくとも１つの層において形成されていればよい。
また、例えば、上記実施の形態では、基板３０は、多層基板であったが、これに限らず、１層の基板であってもよい。
本発明は、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１ マルチプレクサ
２ 高周波フロントエンド回路
３ 通信装置
１０ 第１フィルタ
１１、２１ 入出力端子
２０ 第２フィルタ
３０ 基板
３１ バンプ
４０ａ パワーアンプ
４０ｂ ローノイズアンプ
５０ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
Ａ 最小のパターン幅
ＡＮＴ アンテナ素子
Ｇｐ グランドパターン
Ｌｐ インダクタパターン（インダクタ）
Ｌｐ１〜Ｌｐ６ 配線パターン
Ｌａｎｔ 整合用インダクタ
Ｐ１〜Ｐ４ 並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ５、Ｓ１１ 直列腕共振子
Ｓ１２ 縦結合共振子
ｄ 最小の間隔

Claims (6)

  1. 直列腕共振子と並列腕共振子とを有するラダー型の弾性波フィルタである第１フィルタと、
    共通接続点で前記第１フィルタに接続された第２フィルタと、
    前記直列腕共振子に並列に接続されたインダクタを構成するインダクタパターンと、前記インダクタパターンが形成された層と同一層に前記インダクタパターンと間隔をあけて隣り合うように形成されたグランドパターンとを有する基板と、を備え、
    前記インダクタパターンと前記グランドパターンとの最小の間隔は、前記グランドパターンにおける最小のパターン幅の１．５５倍以下である、
    マルチプレクサ。
  2. 前記インダクタパターンは、複数の直線状の配線パターンによって形成され、
    前記複数の直線状の配線パターンのうちの少なくとも２つの直線状の配線パターンと前記グランドパターンとはそれぞれ前記最小の間隔をあけて隣り合っている、
    請求項１に記載のマルチプレクサ。
  3. 前記インダクタパターン及び前記グランドパターンは、複数の層にわたって前記基板に形成され、
    前記複数の層のそれぞれにおいて、前記インダクタパターンと前記グランドパターンとは前記最小の間隔をあけて隣り合っている、
    請求項１又は２に記載のマルチプレクサ。
  4. 前記最小の間隔は、前記最小のパターン幅の０．１倍以上である、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、
    前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える、
    高周波フロントエンド回路。
  6. アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項５に記載の高周波フロントエンド回路と、を備える、
    通信装置。
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