JPWO2018174064A1 - 弾性波装置、分波器および通信装置 - Google Patents

Abstract

ＳＡＷ装置は、圧電基板と、圧電基板の下面に貼り合わされている、圧電基板よりも熱膨張係数が小さい支持基板と、圧電基板上に位置しているＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極上に空間を形成しているカバーと、カバー上において互いに並列に延びており、平面透視において少なくとも一部が空間に重なっている複数のストリップ導体と、を有している。

Description

本開示は、弾性波を利用する電子部品である弾性波装置、当該弾性波装置を含む分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：surface acoustic wave）である。

弾性波装置として、いわゆるＷＬＰ（ウェハレベルパッケージ）形のものが知られている。ＷＬＰ形の弾性波装置は、例えば、圧電基板と、圧電基板の上面に位置する励振電極と、励振電極の上から圧電基板の上面を覆って励振電極を封止するカバーとを有している。カバーは、例えば、弾性波が圧電基板の上面を伝搬しやすいように（圧電基板が振動しやすいように）、励振電極上に空間を構成するように形成される。

上記のような構成において、カバーが空間側に撓むことを抑制するために、カバーの上面側に導電体（金属）からなる補強層を設ける技術が知られている（例えば特許文献１〜３）。特許文献１では、平面形状がストライプ状またはメッシュ状の補強層が開示されている。

特開２００８−２２７７４８号公報 特許第４５８６８５２号公報 特開２０１１−１８８２５５号公報

本開示の一態様に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板の下面に位置する前記圧電基板よりも熱膨張係数が小さい支持基板と、前記圧電基板上に位置している励振電極と、前記励振電極上に空間を形成しているカバーと、前記カバー上において互いに並列に延びており、平面透視において少なくとも一部が前記空間に重なっている複数の第１ストリップ導体と、を有している。

本開示の一態様に係る分波器は、送信信号をフィルタリングしてアンテナへ出力する送信フィルタと、前記アンテナからの受信信号をフィルタリングする受信フィルタと、を有しており、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一部が、上記の弾性波装置に含まれている。

本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナと接続されている上記の分波器と、前記分波器に接続されているＩＣと、を有している。

第１実施形態に係るＳＡＷ装置を示す外観斜視図である。 図１のＳＡＷ装置の一部を破断して示す斜視図である。 図１のＳＡＷ装置が有するＳＡＷ共振子の構成を示す平面図である。 図４（ａ）は図１のIVａ-IVａ線における断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の領域IVｂの拡大図である。 図１のＳＡＷ装置の平面図である。 図６（ａ）はストリップ導体のＩＤＴ電極に対する相対位置の一例を示す平面透視図であり、図６（ｂ）はストリップ導体の変形例を示す平面図であり、図６（ｃ）は図５のＶＩｃ−ＶＩｃ線における断面図である。 第２実施形態に係るＳＡＷ装置の構成を示す平面図である。 第３実施形態に係るＳＡＷ装置の構成を示す平面図である。 ＳＡＷ装置により構成された分波器の構成を模式的に示す回路図である。 分波器の利用例としての通信装置を示す模式図である。 図１１（ａ）および図１１（ｂ）は実施例および比較例に係るＳＡＷ装置における温度変化に起因する特性の変化を示す図である。 他の実施例および比較例に係るＳＡＷ装置における温度変化に起因する特性の変化を示す図である。 変形例に係るＳＡＷ装置の部分断面図である。 第４実施形態に係るＳＡＷ装置の構成を示す平面図である。 貫通導体の変形例を示す断面図である。

以下、本開示に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

同一または類似する構成については、「端子９Ａ」、「端子９Ｂ」のように、同一名称および同一の数字の符号に対して互いに異なるアルファベットの符号を付すことがあり、また、この場合において、単に「端子９」のように、アルファベットを省略することがある。

第２の実施形態以降において、既に説明された構成と共通または類似する構成について、既に説明された構成に付した符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。なお、既に説明された構成と対応（類似）する構成については、既に説明された構成と異なる符号を付した場合においても、特に断りがない点は、既に説明された構成と同様である。

本開示に係るＳＡＷ装置は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義するとともに、Ｄ３軸の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いることがある。また、平面視または平面透視という場合、特に断りがない限りは、Ｄ３軸方向に見ることをいう。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板の上面に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板の上面に直交するように定義されている。

＜第１実施形態＞
（ＳＡＷ装置の全体構成）
図１は、第１実施形態に係るＳＡＷ装置１の構成を示す外観斜視図である。図２は、ＳＡＷ装置１の一部を破断して示す斜視図である。

ＳＡＷ装置１は、ＷＬＰ形の電子部品であり、その外形は、例えば、概略薄型の直方体状とされている。ＳＡＷ装置１の寸法は適宜に設定されてよい。一例を挙げると、平面視における１辺の長さ（Ｄ１軸方向またはＤ２軸方向）は、０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、厚さ（Ｄ３軸方向）は、０．２ｍｍ以上０．６ｍｍ以下である。

ＳＡＷ装置１の上面には、複数（図示の例では１２個）の端子９Ａ〜９Ｋが露出している。ＳＡＷ装置１は、例えば、上面を不図示の回路基板に対向させて配置され、回路基板のパッドと端子９とが半田等のバンプによって接合されることによって回路基板に実装される。その後、トランスファモールド等によって不図示のモールド樹脂がＳＡＷ装置１の周囲に配置されてＳＡＷ装置１は樹脂封止される。モールド樹脂は、バンプの厚さで回路基板とＳＡＷ装置１との間に構成された隙間にも充填される。

ＳＡＷ装置１は、例えば、基板３と、基板３の上面に設けられる１以上（図示の例では複数）のＳＡＷ共振子５（図２）と、ＳＡＷ共振子５を覆うカバー７と、カバー７の上面７ａにおいて露出する上述の複数の端子９と、カバー７の上面７ａに重なる補強層１１とを有している。

基板３は、例えば、圧電基板１３と、圧電基板１３の下面に貼り合わされた支持基板１５とを有している。

圧電基板１３は、例えば、圧電性を有する単結晶によって構成されている。単結晶は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）または水晶（ＳｉＯ_２）からなる。カット角は適宜なものとされてよい。例えば、圧電基板１３は、回転ＹカットＸ伝搬のものである。すなわち、Ｘ軸は圧電基板１３の上面（Ｄ１軸）に平行であり、Ｙ軸は、圧電基板１３の上面の法線に対して所定の角度で傾斜している。

圧電基板１３の平面形状は、例えば、矩形である。圧電基板１３の大きさは適宜に設定されてよい。一例を挙げると、平面視における１辺の長さ（Ｄ１軸方向またはＤ２軸方向）は、０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、厚さ（Ｄ３軸方向）は、０．１μｍ以上３０μｍ以下である。厚さは、ＳＡＷ共振子５により励振されるＳＡＷの波長により定義されてもよく、その場合には、０．０５λ以上１５λ以下としてもよい。例えば、ＳＡＷ装置１が２ＧＨｚのフィルタとして機能する場合には、１λは約２μｍとなる。

支持基板１５は、例えば、圧電基板１３の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。これにより、例えば、圧電基板１３の熱膨張を助長することがなく、ＳＡＷ装置１の電気特性の温度変化を低減することができる。特に、圧電基板１３と支持基板１５とが直接接合されているか、１５λ以下の介在層を介して接合されているときには、支持基板１５により、圧電基板１３の熱変形を抑制し、ＳＡＷ装置１の電気特性の温度変化を低減することができる。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板１５は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。

支持基板１５の平面形状および平面視における寸法は、例えば、圧電基板１３と同等である。支持基板１５の厚みは適宜に設定されてよい。例えば、支持基板１５の厚みは、圧電基板１３の厚みよりも厚くされる。一例として、支持基板１５の厚みは、圧電基板１３の厚みの１０倍以上であり、また、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下である。

圧電基板１３および支持基板１５は、例えば、不図示の介在層を介して互いに貼り合わされている。介在層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ_２，Ｓｉ_３Ｎ_４，ＡｌＮ等が挙げられる。また、複数の異なる材料からなる薄層を積層させた積層体を介在層としてもよい。このような積層体としては、例えば、音響反射膜を構成していてもよい。また、圧電基板１３および支持基板１５は、接着面をプラズマや中性子線などで活性化処理した後に介在層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていても良い。

ＳＡＷ共振子５は、圧電基板１３の上面１３ａに導電層等が設けられることによって構成されている。複数のＳＡＷ共振子５は、例えば、ラダー型に接続されてラダー型ＳＡＷ共振子フィルタを構成してよい。また、そのようなフィルタが２つ以上設けられることによって、複数のＳＡＷ共振子５（ＳＡＷ装置１）は、分波器（例えばデュプレクサ）を構成してよい。

なお、本実施形態の説明においては、端子９の機能等について説明するときに、ＳＡＷ装置１が分波器である場合を例に取ることがある。

カバー７は、例えば、平面視において枠状の枠部１７と、枠部１７の開口を塞ぐ蓋部１９とを有している。これにより、圧電基板１３の上面１３ａ上には、上面１３ａの振動を容易化するための空間２１（図２）が構成される。

枠部１７は、例えば、概ね一定の厚さの層に空間２１となる開口が１以上形成されることにより構成されている。枠部１７の厚さ（空間２１の高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部１９は、例えば、枠部１７上に積層される、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部１９の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。

枠部１７および蓋部１９は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。図１および図２では、説明の便宜上、枠部１７と蓋部１９との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部１７と蓋部１９とは、同一材料により一体的に形成されていてもよい。

カバー７（枠部１７および蓋部１９）は、基本的に絶縁材料によって構成されている。絶縁材料は、例えば、感光性の樹脂である。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。なお、カバー７の一部に導体が配されていてもよい。なお、カバー７の熱膨張係数は、適宜な大きさであってよく、例えば、圧電基板１３を構成する圧電体の材料の熱膨張係数よりも大きい。

端子９は、例えば、カバー７の上面７ａに位置する層状の導電体（例えば金属）からなる。金属は、例えば、Ｃｕである。なお、端子９は、複数の導体層（複数の材料）から構成されていてもよい。端子９の平面形状は、適宜に設定されてよく、図示の例では円形である。端子９は、例えば、後述するようにＳＡＷ共振子５と電気的に接続されている。複数の端子９の数および配置は、適宜に設定されてよい。図示の例では、複数の端子９は、平面視で矩形のカバー７（圧電基板１３）の外周縁に沿って配置されている。

端子９Ａ〜９Ｌの役割は適宜に設定されてよい。例えば、端子９Ｃ、９Ｇおよび９Ｋは、信号の入力または出力に利用される端子であり、その他の端子９（９Ａ、９Ｂ、９Ｄ、９Ｆ、９Ｈ、９Ｉ、９Ｊおよび９Ｌ）は、基準電位が付与される端子である。ＳＡＷ装置１が分波器である場合においては、例えば、端子９Ｃは、アンテナと接続されるアンテナ端子であり、端子９Ｇおよび９Ｋの一方はアンテナ端子（９Ｃ）から出力すべき送信信号が入力される送信端子であり、他方はアンテナ端子から入力された受信信号を出力する受信端子である。

補強層１１の材料は、例えば、カバー７の材料よりもヤング率が高い材料であり、例えば、金属（導体）である。金属は、例えば、Ｃｕであり、また、端子９（その大部分）と同一材料であってもよい。また、補強層１１は、複数の導体層（複数の材料）から構成されていてもよい。導体（補強層１１の材料、金属）は、一般に、圧電基板１３を構成する圧電体の材料よりも熱膨張係数が大きい。なお、補強層１１の材料およびカバー７の材料は、いずれが他方よりも熱膨張係数が大きくてもよい。補強層１１の厚さは適宜に設定されてよく、例えば、２０μｍ以上３０μｍ以下である。

（ＳＡＷ共振子の基本構成）
図３は、ＳＡＷ共振子５の構成を示す平面図である。

ＳＡＷ共振子５は、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子によって構成されている。ＳＡＷ共振子５は、例えば、概念的かつ模式的に示すパッド３９Ａおよび３９Ｂの一方から所定の周波数の電気信号が入力されると共振を生じ、その共振を生じた信号をパッド３９Ａおよび３９Ｂの他方から出力する。

ＳＡＷ共振子５は、例えば、上述の圧電基板１３と、圧電基板１３の上面１３ａ上に設けられたＩＤＴ（interdigital transducer）電極２３と、ＩＤＴ電極２３の両側に位置する１対の反射器２５とを含んでいる。

ＩＤＴ電極２３および反射器２５は、圧電基板１３上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極２３および反射器２５は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、金属である。金属は、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）である。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金である。層状導体は、複数の金属層から構成されていてもよい。層状導体の厚さは、ＳＡＷ共振子５に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ〜６００ｎｍである。

ＩＤＴ電極２３は、１対の櫛歯電極２７を含んでいる。なお、視認性を良くするために、一方の櫛歯電極２７にはハッチングを付している。各櫛歯電極２７は、バスバー２９と、バスバー２９から互いに並列に延びる複数の電極指３１と、複数の電極指３１間においてバスバー２９から突出するダミー電極３３とを含んでいる。１対の櫛歯電極２７は、複数の電極指３１が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。

バスバー２９は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、一対のバスバー２９は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）において互いに対向している。なお、バスバー２９は、幅が変化したり、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜したりしていてもよい。

各電極指３１は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。各櫛歯電極２７において、複数の電極指３１は、ＳＡＷの伝搬方向に配列されている。また、一方の櫛歯電極２７の複数の電極指３１と他方の櫛歯電極２７の複数の電極指３１とは、基本的には交互に配列されている。

複数の電極指３１のピッチｐ（例えば互いに隣り合う２本の電極指３１の中心間距離）は、ＩＤＴ電極２３内において基本的に一定である。なお、ＩＤＴ電極２３の一部に、他の大部分よりもピッチｐが狭くなる狭ピッチ部、または他の大部分よりもピッチｐが広くなる広ピッチ部が設けられてもよい。

電極指３１の本数は、ＳＡＷ共振子５に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図２は模式図であることから、電極指３１の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多くの電極指３１が配列されてよい。後述する反射器２５のストリップ電極３７についても同様である。

複数の電極指３１の長さは、例えば、互いに同等である。なお、ＩＤＴ電極２３は、複数の電極指３１の長さ（別の観点では交差幅）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。電極指３１の長さおよび幅は、要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。

ダミー電極３３は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に突出している。その幅は、例えば電極指３１の幅と同等である。また、複数のダミー電極３３は、複数の電極指３１と同等のピッチで配列されており、一方の櫛歯電極２７のダミー電極３３の先端は、他方の櫛歯電極２７の電極指３１の先端とギャップを介して対向している。なお、ＩＤＴ電極２３は、ダミー電極３３を含まないものであってもよい。

１対の反射器２５は、ＳＡＷの伝搬方向において複数のＩＤＴ電極２３の両側に位置している。各反射器２５は、例えば、電気的に浮遊状態とされてもよいし、基準電位が付与されてもよい。各反射器２５は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器２５は、互いに対向する１対のバスバー３５と、１対のバスバー３５間において延びる複数のストリップ電極３７とを含んでいる。複数のストリップ電極３７のピッチ、および互いに隣接する電極指３１とストリップ電極３７とのピッチは、基本的には複数の電極指３１のピッチと同等である。

なお、特に図示しないが、圧電基板１３の上面１３ａは、ＩＤＴ電極２３および反射器２５の上から、ＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４等からなる保護膜によって覆われていてもよい。保護膜はこれらの材料からなる複数層の積層体としてもよい。保護膜は、単にＩＤＴ電極２３等の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。また、保護膜が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極２３および反射器２５の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。

保護膜が設けられる場合において、保護膜は、圧電基板１３と枠部１７との間に介在してもよいし、介在しなくてもよい。すなわち、カバー７は、圧電基板１３の上面１３ａ上に直接に載置されてもよいし、間接的に載置されてもよい。

１つの櫛歯電極２７によって圧電基板１３の上面１３ａに電圧が印加されることによって上面１３ａをＤ１軸方向に伝搬するＳＡＷが励振される。ＳＡＷ共振子５において、共振周波数は、電極指３１のピッチｐを半波長とするＳＡＷの周波数と概ね同等となる。反共振周波数は、共振周波数と容量比とによって決定され、容量比は、主として圧電基板１３によって規定され、電極指３１の本数、交差幅または膜厚等によって調整される。

（端子とＳＡＷ共振子との接続）
図４（ａ）は、図１のIVａ-IVａ線における断面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の領域IVｂの拡大図である。

上記のように端子９は、ＳＡＷ共振子５（ＩＤＴ電極２３）と電気的に接続されている。より具体的には、例えば、図２および図４（ａ）に示すように、複数の端子９の一部（例えば９Ａおよび９Ｋ）は、配線４１、パッド４３および貫通導体４５によって、ＳＡＷ共振子５と接続されている。

配線４１およびパッド４３は、例えば、圧電基板１３の上面１３ａ上に導体層が設けられることによって構成されている。当該導体は、ＩＤＴ電極２３および反射器２５を構成する導体層と同一の材料および厚さの導体層から構成されてよい。なお、パッド４３は、他の部分と共通する導体層上に他の材料からなる導体層を含んでいてもよい。配線４１は、例えば、ＳＡＷ共振子５とパッド４３とを接続し、またはＳＡＷ共振子５同士を接続している。なお、ＩＤＴ電極２３を構成する導体層と同一の導体層からなる配線４１に対して絶縁層を介して交差する配線４１が設けられていてもよい。

貫通導体４５は、例えば、パッド４３上に立つ柱状に形成されており、枠部１７および蓋部１９を貫通している。貫通導体４５は、例えば、Ｃｕ等の金属によって構成されている。なお、貫通導体４５は、複数の材料から構成されていてもよい。例えば、内部と外周面とが互いに異なる材料から構成されていてもよい。貫通導体４５の上には、複数の端子９のうちの一部（例えば９Ａおよび９Ｋ）が配置されている。なお、貫通導体４５は、複数の端子９および補強層１１と同一の材料から一体的に構成されていてもよい。

また、図４（ａ）に示すように、複数の端子９の他の一部（例えば９Ｌ）は、貫通導体４５上には設けられておらず、補強層１１を介して貫通導体４５と接続されている。

なお、このような貫通導体４５上にない端子９と、補強層１１との区別は、適宜になされてよい。例えば、ＳＡＷ装置１が不図示の回路基板に不図示のバンプによって表面実装されている場合においては、そのバンプの接合位置によって特定可能である。また、例えば、ＳＡＷ装置１のパンフレットおよび仕様書等に基づいて端子９の位置が特定され、ひいては、端子９と補強層１１とが区別されてもよい。

また、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、補強層１１上に、ソルダーレジスト等からなる絶縁層４７が設けられている場合においては、絶縁層４７から露出している部分が端子９として特定されてよい。絶縁層４７は、例えば、バンプによって意図しない短絡が生じてしまうおそれを低減することに寄与する。なお、絶縁層４７は設けられなくてもよい。

また、図４（ｂ）に示すように、カバー７上に、端子９および補強層１１を構成する第１金属層４９と、端子９の表面を構成する（補強層１１の表面を構成しない）第２金属層５１とが設けられている場合においては、第２金属層５１が配置されている領域が端子９として特定されてよい。第１金属層４９は、例えば、Ｃｕから構成され、第２金属層５１は、例えば、ＡｕまたはＡｇから構成されている。第２金属層５１は、例えば、端子９とバンプとの接合強度の向上、および／または端子９の腐食防止に寄与する。なお、第２金属層５１は、設けられなくてもよい。

（補強層の平面形状）
図５は、ＳＡＷ装置１の平面図である。

なお、この図では、貫通導体４５も点線で示している。図示の例では、端子９Ａ〜９Ｌのうち、端子９Ａ、９Ｃ、９Ｅ、９Ｇおよび９Ｋは貫通導体４５上に位置しており、その他の端子９は貫通導体４５から離れている。

補強層１１は、平面視において、所定方向に延びている複数の長尺状パターンを含んでいる。複数の長尺状パターンは、例えば、バス導体５５Ａおよび５５Ｂと、バス導体５５Ａよりも幅が狭いストリップ導体５７Ａおよび５７Ｂとを有している。なお、補強層１１は、端子９Ｈに接続されているエリアパターン５６のように、長尺状パターンに分類すること（所定方向に延びていると概念すること）が困難な導体パターンを含んでいてもよい。

Ａの付加符号を付したバス導体５５Ａおよびストリップ導体５７Ａは、例えば、ＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直交する方向（電極指３１に平行な方向）に延びる導体である。Ｂの付加符号を付したバス導体５５Ｂおよびストリップ導体５７Ｂは、例えば、ＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向、電極指３１に直交する方向）に延びる導体である。なお、後述する他の実施形態においても、バス導体５５およびストリップ導体５７の付加符号ＡおよびＢと、ＳＡＷの伝搬方向との対応関係は上記と同様である。

補強層１１がバス導体５５およびストリップ導体５７から構成されていることから、カバー７の上面７ａには、補強層１１および端子９の非配置領域が複数構成されている。補強層１１および端子９の合計面積は、適宜に設定されてよい。例えば、補強層１１および端子９の合計面積は、上面７ａの面積の２／３以下または１／２以下である。

後に詳述するように、バス導体５５は、直接または端子９等を介して間接に貫通導体４５に接続され、ひいては、パッド４３および配線４１を介してＩＤＴ電極２３と接続されている。同様に、ストリップ導体５７は、直接またはバス導体５５等を介して間接に貫通導体４５に接続され、ひいては、パッド４３および配線４１を介してＩＤＴ電極２３と接続されている。換言すれば、バス導体５５またはストリップ導体５７は、カバー７内に少なくとも一部が位置する接続導体（貫通導体４５、パッド４３および配線４１等）によってＩＤＴ電極２３と接続されていることになる。これにより、ＩＤＴ電極２３からバス導体５５またはストリップ導体５７までの放熱経路が構成されている。

（バス導体）
バス導体５５は、例えば、一定の幅で直線状に延びている。バス導体５５の幅は、適宜に設定されてよい。例えば、バス導体５５の幅は、端子９の幅（当該端子９に接続されているバス導体５５の幅方向における端子９の大きさ。端子９が円形の場合は直径。）と概ね同等である。ここでいう概ね同等は、例えば、両者の差が端子９の幅の±２０％以下の状態である。もちろん、バス導体５５の幅は、端子９の幅よりも小さくてもよいし、大きくてもよい。

複数のバス導体５５の本数または面積の合計は適宜に設定されてよい。例えば、バス導体５５（５５Ａおよび５５Ｂの双方）の面積の合計は、カバー７の上面の面積の１／２未満または１／３未満である。また、バス導体５５Ａおよび５５Ｂは、いずれの本数が多くてもよい。同様に、バス導体５５Ａの面積の合計と、バス導体５５Ｂの面積の合計とはいずれが大きくてもよい。図示の例では、バス導体５５Ａおよび５５Ｂの本数（または面積の合計）は、概ね同等であり、若干、バス導体５５Ａの方がバス導体５５Ｂよりも本数が多い（または面積の合計が大きい）。

複数のバス導体５５は、カバー７の上面７ａの適宜な位置に適宜な長さで配置されてよい。例えば、図５では、上面７ａの外縁（１辺）に隣接して当該外縁に沿って、当該外縁よりも短い長さで延びるバス導体５５が設けられている。また、上面７ａの外縁に隣接する位置から上面７ａの内側に延びるバス導体５５が設けられている。この他、特に図示しないが、上面７ａの外縁（１辺）に隣接して当該外縁に沿って当該外縁と概ね同等の長さで延びるバス導体５５、上面７ａの外縁から離れた位置において延びるバス導体５５、または上面７ａを横断または縦断する（すなわち外縁から外縁まで延びる）バス導体５５が設けられていてもよい。なお、上記において、バス導体５５が上面７ａの外縁に隣接するとは、例えば、バス導体５５と外縁との距離が、バス導体５５の幅よりも小さい距離である状態である。

複数のバス導体５５の空間２１（別の観点では枠部１７）に対する位置も任意である。例えば、複数のバス導体５５のうち、上述した上面７ａの外縁に沿って延びるバス導体５５は、少なくとも外縁側が枠部１７に重なっており、蓋部１９を介して枠部１７に支持されている。また、例えば、上面７ａの外縁から内側へ延びるバス導体５５は、外縁側は蓋部１９を介して枠部１７に支持され、内側は空間２１に重なっている。なお、複数の空間２１が構成されているような場合には、複数の空間２１を仕切る壁部（枠部１７）の上にバス導体５５が位置していてもよい。また、図示の例とは異なり、平面透視において、空間２１に重なるバス導体５５が存在しなくてもよい。

複数のバス導体５５は、互いに適宜な位置関係で配置されてよく、また、端子９を介してまたは介さずに、適宜に接続されて所定の形状を構成してよい。例えば、Ｌ字を構成するように２本のバス導体５５が接続されていてもよいし（端子９Ｆ付近参照）、矩形の３辺を構成するように３本のバス導体５５が接続されていてもよいし（端子９Ｄおよび９Ｅ付近参照）、矩形の４辺を構成するように４本のバス導体５５が接続されていてもよい（端子９Ａ、９Ｂおよび９Ｌ付近参照）。その他、Ｔ字が構成されるように２本（３本と捉えられてもよい）のバス導体５５が接続されたり、十字が構成されるように２本（４本と捉えられてもよい）のバス導体５５が接続されたりしてもよい。

バス導体５５は、例えば、端子９から延びている。バス導体５５と接続される端子９は、貫通導体４５上に位置しているもの（９Ａ等）であってもよいし、貫通導体４５から離れているもの（９Ｌ等）であってもよい。バス導体５５と接続される端子９は、例えば、基準電位が付与される端子である。なお、図示の例とは異なり、バス導体５５は、端子９と分離されていてもよいし、基準電位が付与される端子９に代えて、信号が入力または出力される端子９から延びていてもよい。

以下の説明では、例えば、端子９Ｉは１本のバス導体５５Ｂの中途に位置しているのではなく、端子９Ｉから互いに逆側に２本のバス導体５５Ｂが延びていると捉え、このような捉え方のもと、バス導体５５の本数を数える。このとき、一の端子９から延びるバス導体５５の本数は、１〜４本のいずれであってもよい。バス導体５５は、２つの端子９の電気的な接続に寄与していてもよいし、寄与していなくてもよい。

複数のバス導体５５がなす形状（Ｌ字等）と、バス導体５５と端子９との接続態様とは適宜に組み合わされてよい。

例えば、図５では、貫通導体４５から離れている端子９Ｌは、２本のバス導体５５が構成するＬ字の頂点に位置している。換言すれば、端子９Ｌからは、互いに交差（例えば直交）する方向に（少なくとも）２本のバス導体５５（５５Ａおよび５５Ｂ）が延びている。端子９Ｂ、９Ｄ、９Ｆ、９Ｉおよび９Ｊ（これらは貫通導体４５から離れている端子９である。）についても同様である。

また、例えば、貫通導体４５から離れている端子９Ｌは、３本のバス導体５５が構成する矩形の３辺の一の頂点に位置している。換言すると、端子９Ｌから延びるバス導体５５Ａおよび５５Ｂが設けられているとともに、端子９から延びているバス導体５５Ａの端子９Ｌから離れた位置から、端子９Ｌから延びているバス導体５５Ｂと並列に延びるバス導体５５Ｂが設けられている（Ａ、Ｂは逆でもよい。）。端子９Ｂ、９Ｄ、９Ｉおよび９Ｊ（これらは貫通導体４５から離れている端子９である。）についても同様である。

また、例えば、貫通導体４５から離れている端子９Ｌは、４本のバス導体５５が構成する矩形の４辺の一の頂点に位置している。換言すると、端子９Ｌから延びるバス導体５５Ａおよび５５Ｂが設けられているとともに、端子９から延びているバス導体５５Ａおよび５５Ｂの端子９Ｌから離れた位置から、端子９Ｌから延びているバス導体５５Ｂおよび５５Ａに並列に延びるバス導体５５Ｂおよび５５Ａが設けられている。端子９Ｂ（貫通導体４５から離れている端子９である。）についても同様である。

なお、貫通導体４５から離れている端子９に着目したが、貫通導体４５上の端子９についても、上記と同様のバス導体５５がなす形状と端子９との位置関係が成立してよい。

（ストリップ導体）
ストリップ導体５７は、例えば、一定の幅で直線状に延びている。ストリップ導体５７の幅は、適宜に設定されてよい。例えば、ストリップ導体５７の幅は、バス導体５５の幅（別の観点では端子９の幅乃至は最大径）の１／２以下または１／４以下である。

複数のストリップ導体５７の本数または面積の合計は適宜に設定されてよい。例えば、複数のストリップ導体５７の本数（５７Ａおよび５７Ｂの合計）は、複数のバス導体５５の本数（５５Ａおよび５５Ｂの合計）よりも多い。また、例えば、複数のストリップ導体５７の合計面積は、複数のバス導体５５の合計面積よりも大きくてもよいし、同等でもよいし、小さくてもよい。

ストリップ導体５７Ａおよび５７Ｂは、いずれの本数が多くてもよい。同様に、ストリップ導体５７Ａの面積の合計と、ストリップ導体５７Ｂの面積の合計とはいずれが大きくてもよい。本実施形態では、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に延びるストリップ導体５７Ａの方が、ＳＡＷの伝搬方向に延びるストリップ導体５７Ｂよりも、本数が多い（または合計面積が大きい）。例えば、ストリップ導体５７Ａの本数（または合計面積）は、ストリップ導体５７Ｂの本数（または合計面積）の２倍よりも多く、５倍以上または１０倍以上である。

複数のストリップ導体５７は、カバー７の上面７ａの適宜な位置に適宜な長さで配置されてよい。例えば、ストリップ導体５７は、上面７ａを概ね縦断または横断する長さを有していてもよいし、そのような長さを有していなくてもよい。複数のバス導体５５の空間２１（別の観点では枠部１７）に対する位置も適宜に設定されてよい。ただし、例えば、少なくとも一部のストリップ導体５７は、その長さ方向の一部または全体が空間２１に重なっている。

複数のストリップ導体５７は、互いに適宜な位置関係で配置されてよく、また、適宜に接続されて所定の形状を構成してよい。図示の例では、比較的多い数でストリップ導体５７ＡがＳＡＷの伝搬方向に概ね均等のピッチで配列されている。そして、ストリップ導体５７Ｂは、複数のストリップ導体５７Ａに交差している。なお、本実施形態の説明では、ストリップ導体５７Ａとストリップ導体５７Ｂとが交差するという場合、十字を構成するような交差だけでなく、Ｔ字またはＬ字を構成するような交差も含むものとする。

カバー７の上面７ａ上のストリップ導体５７全体ではなく、上記のように互いに交差しているストリップ導体５７Ａおよび５７Ｂの一纏りに着目したときも、ストリップ導体５７Ａおよび５７Ｂは、いずれの本数が多くてもよい（合計面積が大きくてもよい）。そして、図示の例では、ストリップ導体５７Ａの方がストリップ導体５７Ｂよりも本数が多い（または合計面積が大きい）。例えば、ストリップ導体５７Ａの本数（または合計面積）は、ストリップ導体５７Ｂの本数（または合計面積）の２倍よりも多く、または５倍以上である。

複数のストリップ導体５７は、例えば、バス導体５５から延びている（バス導体５５と接続されている）。なお、本実施形態の説明では、ストリップ導体５７とバス導体５５とが十字を構成するように交差していると捉えてよい構成についても、ストリップ導体５７がバス導体５５から延びていると表現する（バス導体５５を挟んで互いに逆側のストリップ導体５７は互いに異なるものとして表現する。）。

図５でも多数例示されているように、互いに接続されているストリップ導体５７とバス導体５５とは、互いに交差する方向に延びていてもよいし（すなわち、バス導体５５Ａからストリップ導体５７Ｂが延びていたり、バス導体５５Ｂからストリップ導体５７Ａが延びていたりしてよい）、互いに同一方向に延びていてもよい（すなわち、バス導体５５Ａからストリップ導体５７Ａが延びていたり、バス導体５５Ｂからストリップ導体５７Ｂが延びていたりしてよい）。

また、例えば、複数のストリップ導体５７は、バス導体５５から延びているストリップ導体５７と接続されている（交差している。）。例えば、図５の例では、端子９Ｊから−Ｄ２方向に延びているバス導体５５Ａから＋Ｄ１軸方向に１本のストリップ導体５７Ｂが延びており、このストリップ導体５７Ｂに対して複数のストリップ導体５７Ａが交差している。

また、例えば、複数のストリップ導体５７は、端子９Ｈに接続されているエリアパターン５６から延びている。あるいは、複数のストリップ導体５７は、エリアパターン５６から延びているストリップ導体５７に交差している。

複数のストリップ導体５７のうち一部は、端子９同士の電気的な接続に寄与してもよい。例えば、端子９Ｆと端子９Ｈとの間に位置している複数のストリップ導体５７は、これらの接続に寄与している。なお、この例では、複数のストリップ導体５７は、直接には、端子９Ｆに接続されているバス導体５５と、端子９Ｈに接続されているエリアパターン５６とを接続している。この他、ストリップ導体５７は、例えば、バス導体５５同士を接続したり、エリアパターン５６同士を接続したりすることによって、端子９同士を電気的に接続してもよい。

なお、特に図示しないが、ストリップ導体５７は、バス導体５５、エリアパターン５６、端子９および他のストリップ導体５７と接続されずに単体で存在していてもよい。また、例えば、互いに接続された（互いに交差している）複数のストリップ導体５７が、バス導体５５、エリアパターン５６および端子９と接続されずに存在していてもよい。

複数のバス導体５５同士の位置関係（複数のバス導体５５がなす形状）に対する複数のストリップ導体５７の位置関係も適宜に設定されてよい。例えば、端子９Ａから−Ｄ１方向に延びているバス導体５５Ｂと、端子９Ｌから−Ｄ１方向に延びているバス導体５５Ｂとは互いに並列に延びており、この２つのバス導体５５Ｂに架け渡されるように複数のストリップ導体５７Ａが設けられている。また、この複数のストリップ導体５７Ａは、別の観点では、複数のバス導体５５によって構成される矩形の３辺または４辺の内部において２本のバス導体５５に架け渡されている。

（ストリップ導体のＩＤＴ電極に対する相対位置）
図６（ａ）は、ストリップ導体５７のＩＤＴ電極２３（ＳＡＷ共振子５）に対する相対位置の一例を示す平面透視図である。

既述のように、ストリップ導体５７Ａは、ＩＤＴ電極２３の電極指３１に対して平行な方向に延びており、ひいては、複数のストリップ導体５７Ａは、複数の電極指３１の配列方向において配列されている。また、ストリップ導体５７Ｂは、電極指３１に対して直交する方向に延びている。

複数のストリップ導体５７Ａは、例えば、複数の電極指３１のピッチよりは大きいが、ＩＤＴ電極２３のＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）における大きさよりは小さいピッチで配列されている。その結果、複数のストリップ導体５７Ａは、複数の電極指３１の配置領域に重なっている。一方、ストリップ導体５７Ｂは、例えば、複数の電極指３１の配置領域に重なっていない。なお、複数の電極指３１の配置領域は、例えば、複数の電極指３１の配列方向における両端の電極指３１と、１対のバスバー２９の互いに対向する側の縁部とによって囲まれる領域（すなわち、ＩＤＴ電極２３の配置領域から１対のバスバー２９の配置領域を除いた領域）である。

より具体的には、例えば、２つのＩＤＴ電極２３が直列に接続されており、ストリップ導体５７Ｂは、その間に位置している。なお、図示の例では、２つのＩＤＴ電極２３は、配線４１によって接続され、ストリップ導体５７Ｂは、配線４１上に位置している。ただし、２つのＩＤＴ電極２３は、バスバー２９同士が直接に接続されていてもよいし、ストリップ導体５７Ｂは、２つのＩＤＴ電極２３の間に位置するバスバー２９に少なくとも一部が重なっていてもよい。

この直列接続された２つ（２以上）のＩＤＴ電極２３（ＳＡＷ共振子５）は、例えば、ラダー型ＳＡＷ共振子フィルタ内の１つの直列共振子または１つの並列共振子を構成するものである。すなわち、設計上の思想としては、２つのＳＡＷ共振子５は、１つのＳＡＷ共振子を２以上に分割したものである。このような分割は、例えば、耐電力性の向上に有利である。

なお、このような相対関係とされずに、ストリップ導体５７Ｂが複数の電極指３１の配置領域と重なっていたり、および／またはストリップ導体５７Ａが複数の電極指３１の配置領域と重ならないように配置されたりしてもよい。

（ストリップ導体の変形例）
図６（ｂ）は、ストリップ導体５７の変形例を示す平面図である。この図に示すように、ストリップ導体５７は、端子９から延びていても構わない。なお、図示の例では、ストリップ導体５７の端子９とは反対側の端部は、他の導体に接続されていない。もちろん、当該反対側の端部は、他の端子９、バス導体５５、エリアパターン５６または図示のストリップ導体５７（ここでは５７Ａ）と直交する方向に延びるストリップ導体５７（ここでは５７Ｂ）と接続されていてもよい。また、図示のストリップ導体５７（ここでは５７Ａ）の中途位置に対して、不図示の他のストリップ導体５７（ここでは５７Ｂ）が交差していてもよい。

（ストリップ導体の幅および厚さの大小関係）
図６（ｃ）は、図５のＶＩｃ−ＶＩｃ線における断面図である。

ストリップ導体５７（補強層１１）の厚さｔ１は、例えば、ストリップ導体５７の幅ｗ１よりも大きい。例えば、厚さｔ１は、幅ｗ１に比較して１μｍ以上、または４μｍ以上大きい。また、別の観点では、例えば、厚さｔ１は、幅ｗ１の５％以上、または２０％以上大きい。一例として、例えば、幅ｗ１は２０μｍ程度であり、厚さｔ１は２５μｍ程度である。ただし、厚さｔ１は、幅ｗ１と同等とされてもよいし、幅ｗ１よりも小さくされてもよい。

以上のとおり、本実施形態では、ＳＡＷ装置１は、圧電基板１３と、圧電基板１３の下面に貼り合わされている、圧電基板１３よりも熱膨張係数が小さい支持基板１５と、圧電基板１３上に位置しているＩＤＴ電極２３と、ＩＤＴ電極２３上に空間２１を形成しているカバー７と、カバー７上において互いに並列に延びており、平面透視において少なくとも一部が空間２１に重なっている複数のストリップ導体５７と、を有している。

従って、例えば、支持基板１５によって圧電基板１３の熱膨張が抑制され、ひいては、温度変化に起因する電気特性の変化が抑制される。すなわち、温度補償効果が得られる。また、例えば、複数のストリップ導体５７によってカバー７の剛性を強化してカバー７が空間２１側へ撓むおそれを低減できる。

ここで、補強層（導体）は、一般に圧電基板１３よりも熱膨張係数が大きく、また、ヤング率が比較的大きい（例えばカバー７よりも大きい）。従って、例えば、カバー７の上面７ａにベタ状の補強層を設けた場合においては、補強層の熱膨張によって圧電基板１３に引張応力が加えられるおそれがある。その結果、支持基板１５による温度補償効果が減じられるおそれがある。

しかし、ＳＡＷ装置１では、複数のストリップ導体５７によって補強層１１を構成していることから、ベタ状の補強層を設けた態様に比較して、支持基板１５による効果が減じられるおそれが低減される。また、例えば、補強層１１は、ベタ状の補強層に比較して、体積に対する表面積が大きくなるから、体積に対する放熱の効率性が向上する。

本実施形態では、ＳＡＷ装置１は、カバー７上において複数のストリップ導体５７それぞれよりも広い幅で延びているバス導体５５をさらに有している。複数のストリップ導体５７は、バス導体５５から延びている。

従って、例えば、複数のストリップ導体５７はバス導体５５に支持されることになり、複数のストリップ導体５７によるカバー７の補強の効果が増大する。また、例えば、断面積が相対的に大きく、熱を伝え易いバス導体５５に複数のストリップ導体５７が接続されていることによって、複数のストリップ導体５７間において熱を伝え易くなり、熱の偏りを解消して複数のストリップ導体５７から均等に（効率的に）放熱を行い易くなる。

本実施形態では、ＳＡＷ装置１は、端子９Ａおよび９Ｌ付近において例示されているように、一のバス導体５５と、当該バス導体５５に対して並列に延びており、複数のストリップ導体５７よりも幅が広い他のバス導体５５をさらに有している。複数のストリップ導体５７は、上記の２つのバス導体５５の間に架け渡されている。

従って、例えば、複数のストリップ導体５７は、バス導体５５によって両端支持されることになり、複数のストリップ導体５７によるカバー７の補強の効果がさらに増大する。また、複数のストリップ導体５７間において熱を伝える効果も向上し、ひいては、放熱性も向上する。

本実施形態では、ＳＡＷ装置１は、互いに並列に延びる複数のストリップ導体５７（本実施形態では５７Ａ）と、当該複数のストリップ導体５７Ａと交差している１以上のストリップ導体５７Ｂとを有している。この互いに交差する複数のストリップ導体５７Ａおよび１以上のストリップ導体５７Ｂにおいて、１以上のストリップ導体５７Ｂの数は、複数のストリップ導体５７Ａの数の１／２未満である。

従って、例えば、複数のストリップ導体５７Ａが１以上のストリップ導体５７Ｂによって互いに接続されていることによって、複数のストリップ導体５７Ａ間において熱が伝わり易くなり、熱の偏りを解消して放熱効果を向上させることができる。このことは、特に図示しないが、本願発明者の行ったシミュレーション計算によって確認されている。その一方で、ストリップ導体５７Ｂの数が相対的に少なくされていることにより、例えば、ストリップ導体５７Ｂの熱膨張に起因して圧電基板１３に生じる、ストリップ導体５７Ｂの延在方向における引張応力が低減される。

なお、ストリップ導体５７Ａおよび５７Ｂによってミアンダ型のインダクタを構成した態様（この態様も本開示に係る技術に含まれても構わない。）を考える。このインダクタにおいて、ストリップ導体５７Ａの数に対してストリップ導体５７Ｂの数が最小になるようにインダクタを区切った場合、１本のストリップ導体５７Ｂと２本のストリップ導体５７Ａとの組み合わせが抽出される。すなわち、ストリップ導体５７Ａの数に対してストリップ導体５７Ｂの数が最小になるようにインダクタを区切ったとしても、ストリップ導体５７Ｂの数は、ストリップ導体５７Ａの１／２である。従って、ストリップ導体５７Ｂの数がストリップ導体５７Ａの数の１／２未満という事項は、ミアンダ型のインダクタとの差異を示していることにもなる。

本実施形態では、励振電極は、互いに並列に延びる複数の電極指３１を有しているＩＤＴ電極２３である。ストリップ導体５７Ａおよび５７Ｂのうち相対的に数が多い複数のストリップ導体５７Ａは、複数の電極指３１が延びる方向に延びている。

すなわち、複数の電極指３１に交差（例えば直交）するストリップ導体５７Ｂの数が少なくされている。これにより、例えば、ＳＡＷの伝搬方向において補強層１１（ストリップ導体５７Ｂ）から圧電基板１３に加えられる引張応力が低減されることになる。一方、圧電基板１３の膨張は、特にＳＡＷの伝搬方向における膨張がＳＡＷ装置１の電気特性に影響を及ぼす。従って、例えば、支持基板１５による温度補償効果の低下が効果的に低減される。

本実施形態では、上記のように複数のストリップ導体５７Ａに交差するとともに相対的に数が少ない１以上のストリップ導体５７Ｂは、例えば、平面透視において複数の電極指３１と重なっていない。

従って、例えば、ストリップ導体５７ＢとＩＤＴ電極２３との間で、意図しない電気的な結合が生じてしまうおそれが低減される。すなわち、ストリップ導体５７ＢがＳＡＷ装置１の特性に影響を及ぼすおそれが低減される。ストリップ導体５７Ｂは、数が少ないことから、そのような配置も可能になる。

本実施形態では、複数のストリップ導体５７は、厚みが幅よりも大きい。

従って、例えば、ストリップ導体５７は、その断面積に対して、空間２１側への撓み変形に関する断面２次モーメントが相対的に大きくされる。その結果、例えば、カバー７が空間２１側へ撓むおそれを低減する効果を保ちつつ、圧電基板１３に対してその平面方向に及ぼす熱応力を低減することができる。

本実施形態では、ＳＡＷ装置１は、少なくとも一部がカバー７内に位置しており、ＩＤＴ電極２３と複数のストリップ導体５７とを接続している接続導体（例えば配線４１、パッド４３、貫通導体４５、端子９およびバス導体５５）をさらに有している。

従って、例えば、ＩＤＴ電極２３からストリップ導体５７への伝熱経路が構成されていることになる。その結果、ＩＤＴ電極２３において、温度変化に起因する特性変化が低減される。また、例えば、ストリップ導体５７が基準電位が付与される端子９に接続されている場合においては、基準電位が付与される導体の体積が大きくなるから、基準電位が安定する。その結果、例えば、ＳＡＷ装置１の特性が向上する。

また、本実施形態では、ＳＡＷ装置１は、一つのバス導体５５Ｂに複数のストリップ導体５７Ａが接続されている。そして、これら複数のストリップ導体５７Ａが略同一のピッチで配置されている。

従って、ストリップ導体５７Ａが梁のように機能して、蓋部１９が空間２１の側に変形することを抑制することができる。また、ストリップ導体５７Ａが均等ピッチで配置されていることから、外部からの応力を分散させることができるので、ＳＡＷ装置１の信頼性を高めることができる。

さらに、上述の構成より、ストリップ導体５７Ａの幅に比べ複数のストリップ導体５７Ａ間の距離が大きくなっていても、蓋部１９の変形を抑制することができる。また、ストリップ導体５７Ａの幅に比べ複数のストリップ導体５７Ａ間の距離を大きくすることで、圧電基板１３に対してその平面方向に及ぼす熱応力を低減することができる。

本実施形態では、別の観点では、ＳＡＷ装置１は、圧電基板１３と、圧電基板１３上に位置しているＩＤＴ電極２３と、ＩＤＴ電極２３を覆っているカバー７と、カバー７の少なくとも上面７ａ側部分を貫通している、ＩＤＴ電極２３と電気的に接続されている貫通導体４５と、カバー７上に位置しており、平面視において貫通導体４５から離れている端子９（例えば端子９Ｌ、９Ｂ、９Ｄ、９Ｆ、９Ｉまたは９Ｊ）と、カバー７上に位置しており、貫通導体４５と上記の貫通導体４５から離れている端子９とを接続している補強層１１と、を有している。補強層１１は、貫通導体４５から離れている端子９を起点として互いに交差する方向に延びるバス導体５５Ａおよび５５Ｂを有している。

従って、例えば、実装されているＳＡＷ装置１に平面方向（Ｄ１軸方向および／またはＤ２軸方向）における力が加えられたときに、ＳＡＷ装置１の変形または破損のおそれが低減される。すなわち、せん断応力耐性を向上させることができる。具体的には、例えば、以下のとおりである。

ＳＡＷ装置１は、例えば、複数の端子９と、不図示の回路基板とが不図示のバンプによって接合されることによって回路基板に実装される。従って、実装されているＳＡＷ装置１に平面方向の力が加えられると、この力は、複数の端子９に加えられることになる。ここで、例えば、貫通導体４５上の端子９は、カバー７よりもヤング率が大きい貫通導体４５から反力を受けることから、圧電基板１３またはカバー７に対する平面方向における変位が生じにくい。一方、貫通導体４５から離れている端子９においては、そのような反力が得られないことから、圧電基板１３またはカバー７に対する変位が生じやすい。その結果、貫通導体４５から離れている端子９およびその周囲においては、変形乃至は破損が生じやすい。例えば、端子９がカバー７上の本来の位置からずれてしまう。ひいては、例えば、短絡または断線が生じるおそれがある。

しかし、本実施形態では、貫通導体４５から離れている端子９から、互いに交差する方向へバス導体５５Ａおよび５５Ｂが延びている。バス導体５５Ａは、その延在方向（Ｄ２軸方向）において比較的長い距離に亘ってカバー７と密着しているから、当該延在方向において変位しにくい。このようなバス導体５５Ａが端子９を起点として延びていることから、端子９は、バス導体５５Ａの延在方向における変位が抑制される。同様に、貫通導体４５から離れている端子９は、バス導体５５Ｂの延在方向（Ｄ１軸方向）における変位が抑制される。その結果、貫通導体４５から離れている端子９は、平面方向における変位が抑制される。ひいては、端子９およびその周囲における変形乃至は破損が抑制される。

本実施形態では、補強層１１は、例えば、端子９Ｌから延びるバス導体５５Ｂに対して並列に延びて、端子９Ｌから延びるバス導体５５Ａと接続されているバス導体５５Ｂをさらに有している（この接続は、端子９を介していても介していなくてもよく、本実施形態では端子９Ａを介している。）。すなわち、矩形の３辺が構成されるようにバス導体５５Ａおよび５５Ｂが設けられている。

従って、例えば、端子９Ｌの平面方向における変位は、矩形の３辺の変形（例えば２辺がなす角度を変化させるような変形）を伴うことになる。その結果、例えば、端子９Ｌは、補強層１１からさらに反力を得やすくなる。ひいては、せん断応力耐性がさらに向上する。特に、矩形の４辺が構成されるようにバス導体５５Ａおよびバス導体５５Ｂが設けられている場合においては、この効果が増大する。

本実施形態では、補強層１１は、例えば、端子９Ｌから延びるバス導体５５Ａおよび５５Ｂのバス導体５５Ｂから延びており、バス導体５５Ａおよび５５Ｂよりも幅が狭い複数のストリップ導体５７Ａを有している。

従って、例えば、ストリップ導体５７Ａの延びる方向において、端子９Ｌの変位がさらに抑制される。また、複数のバス導体５５Ａがバス導体５５Ｂから延びる場合に比較して、補強層１１の面積を小さくすることができる。その結果、例えば、補強層１１の熱膨張に起因して圧電基板１３に生じる引張応力を低減することができ、ひいては、ＳＡＷ装置１の特性が変化してしまうおそれを低減できる。この効果は、複数のストリップ導体５７がＳＡＷの伝搬方向に配列されているものである場合に顕著となる。

本実施形態では、補強層１１は、例えば、端子９Ｌから延びるバス導体５５Ｂと、当該バス導体５５Ｂに並列に延びるバス導体５５Ｂ（端子９Ａから延びるもの）との間に架け渡されており、バス導体５５Ａおよび５５Ｂよりも幅が狭い複数のストリップ導体５７Ａを有している。

従って、例えば、端子９Ｌの平面方向における変位は、１対のバス導体５５Ｂおよび複数のストリップ導体５７Ａによって構成されている形状の変形を伴うことになる。その結果、例えば、端子９Ｌは、補強層１１からさらに反力を得やすくなる。また、複数のバス導体５５Ａが１対のバス導体５５Ｂ間に架け渡されている場合に比較して、補強層１１の面積を小さくすることができる。

本実施形態では、ＳＡＷ装置１は、圧電基板１３の下面に貼り合わされている、圧電基板１３よりも熱膨張係数が小さい支持基板１５をさらに有している。補強層１１は、バス導体５５を含む構成である。

従って、例えば、複数のストリップ導体によって補強層１１を構成していることによる効果と同様に、ベタ状の補強層を設けた場合に比較して、補強層１１によって支持基板１５の温度補償効果が減じられてしまうおそれが低減される。

なお、第１実施形態において、ＳＡＷ装置１は弾性波装置の一例である。ＩＤＴ電極２３は励振電極の一例である。ストリップ導体５７Ａは第１ストリップ導体の一例である。ストリップ導体５７Ｂは第２ストリップ導体の一例である。バス導体５５Ｂは第１バス導体および第２バス導体の一例である。補強層１１は導体層の一例である。バス導体５５Ａまたは５５Ｂは第１延出部〜第４延出部の一例である。

また、上述の例では、貫通導体４５がカバー７を貫通することで、パッド４３をカバー７の上面まで電気的に導出しているが、この限りではない。例えば、カバー７の外周縁の外側にパッド４３が位置するようにカバー７を配置し、パッド４３の上面からカバー７の上面までカバー７の外側面の一部を連続して覆うような導出電極を設けてもよい。この場合には、カバー７を導出電極で補強し、かつ、水分等の侵入を防ぐことができる。

さらに、上述の説明では、端子９に半田等を形成して、ＳＡＷ装置１を回路基板に実装する構成について説明したが、この限りではない。図１３に、ＳＡＷ装置１の変形例を示す。図１３は、図５のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に相当する位置における断面図である。

図１３に示すように、蓋部１９上に、比較的厚みのある絶縁層４７を設けてもよい。この場合には、例えば、絶縁層４７は空間２１と同等以上の高さ（厚み）を備えていてもよい。絶縁層４７は、例えば、図４と同様にソルダ―レジストにより形成される。

そして、端子９上に位置し、絶縁層４７中を厚み方向に貫通する上部貫通導体４４を備え、この上部貫通導体４４上に半田を形成することで回路基板への実装を容易なものにしてもよい。

この場合には、半田から上部貫通導体４４を介して端子９に応力が伝わる。そして、端子９の直下に貫通導体４５を有する場合には、端子９の上下に一連の貫通導体（４５，４４）があることから、端子９に加わる面方向における応力に対抗することができる。

一方で、端子９が貫通導体４５から離れている場合、すなわち端子９の直下に貫通導体４５がなく、直上のみに上部貫通導体４４が位置する場合には、端子９に加わる面方向における応力に対抗する力が弱くなる。しかしながら、バス導体５５Ａ，５５Ｂが端子９を起点に延在していることから、バス導体５５により端子９に加わる面方向における応力に対抗する力を高めることができる。

なお、図１３に示す構成のＳＡＷ装置１を回路基板に実装してダイシェアテストを行なったところ、端子９の剥がれ、絶縁層４７とカバー７との剥がれ共に生じなかった。これに対して、比較例のＳＡＷ装置として端子９から延びるバス導体５５を備えない点のみＳＡＷ装置１と異なり、その他の点は図１３に示すＳＡＷ装置１と同様としたものを作製した。比較例のＳＡＷ装置は、同様のテストの結果、貫通導体４５から離れた位置における端子９がカバー７から剥離し、かつ、絶縁層４７とカバー７との剥がれも生じた。以上より、バス導体５５によりＳＡＷ装置１の信頼性を高めることができることを確認した。

＜第２実施形態＞
図７は、第２実施形態に係るＳＡＷ装置２０１の構成を示す平面図である。この図は、第１実施形態の図５に対応している。

ＳＡＷ装置２０１は、補強層の具体的な形状がＳＡＷ装置１と異なり、その他は同様である。ＳＡＷ装置２０１の補強層２１１は、ＳＡＷ装置１の補強層１１に比較して、バス導体５５の数が減じられている。また、これに伴い、複数のストリップ導体５７の配置領域は、第１実施形態よりも広くされている。

＜第３実施形態＞
図８は、第３実施形態に係るＳＡＷ装置３０１の構成を示す平面図である。この図は、第１実施形態の図５に対応している。

ＳＡＷ装置３０１は、補強層の具体的な形状がＳＡＷ装置１と異なり、その他は同様である。ＳＡＷ装置１の補強層１１では、ストリップ導体５７Ａの本数がストリップ導体５７Ｂの本数よりも多くされた。これに対して、ＳＡＷ装置３０１の補強層３１１では、ストリップ導体５７Ｂの本数がストリップ導体５７Ａの本数よりも多くされている。なお、ＳＡＷ装置３０１において、バス導体５５の配置は、ＳＡＷ装置１におけるものと同様である。

＜第４実施形態＞
図１４は、第４実施形態に係るＳＡＷ装置４０１の構成を示す平面図である。この図は、第１実施形態の図５に対応している。

ＳＡＷ装置４０１は、補強層の具体的な形状がＳＡＷ装置１と異なり、その他は同様である。ＳＡＷ装置４０１の補強層４１１は、ＳＡＷ装置１の補強層１１において、複数のストリップ導体５７が省略された形状である。

このような構成においても、貫通導体４５から離れている端子９を起点として互いに交差する方向に延びるバス導体５５Ａおよび５５Ｂが設けられていることにより、例えば、せん断応力耐性が向上する。

（貫通導体の変形例）
図１５は、貫通導体の変形例を示す断面図である。この図は、図４（ａ）に相当する。

紙面左側に示すように、カバー７の全体を貫通する貫通導体４５が設けられるのではなく、枠部１７（別の観点ではカバー７の下面側部分）を貫通する貫通導体４６Ａと、蓋部１９（別の観点ではカバー７の上面側部分）を貫通する貫通導体４６Ｂと、貫通導体４６Ａおよび４６Ｂを接続する内部配線４２とが設けられてもよい。

貫通導体４６Ａは、例えば、パッド４３上に位置している。貫通導体４６Ｂは、平面視において貫通導体４６Ａから離れている。内部配線４２は、枠部１７と蓋部１９との間（別の観点ではカバー７内）において圧電基板１３の上面１３ａに平行に延びる層状導体からなる。端子９は、図示の例のように、補強層１１（例えばバス導体５５）を介して貫通導体４６Ｂと接続されていてもよいし、図示とは異なり、貫通導体４６Ｂ上に設けられて貫通導体４６Ｂと接続されていてもよい。

このような貫通導体４６Ａおよび４６Ｂならびに内部配線４２を用いることによって、貫通導体（４６Ｂ）と補強層１１（バス導体５５）との接続位置に対する、圧電基板１３上のパッド４３の位置による制約が緩和される。その結果、例えば、貫通導体４６Ｂによってバス導体５５の変位を抑制できるように適宜な位置に貫通導体４６Ｂを配置することができる。ひいては、せん断応力耐性を向上させることが容易化される。

＜分波器＞
図９は、ＳＡＷ装置１（または２０１、３０１もしくは４０１）が分波器である場合における、ＳＡＷ装置１の構成を模式的に示す回路図である。この図の紙面左上に示された符号から理解されるように、この図では、櫛歯電極２７が二叉のフォーク形状によって模式的に示されている。

分波器１０１は、例えば、送信端子（例えば９Ｋ）からの送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子（例えば９Ｃ）へ出力する送信フィルタ１０９と、アンテナ端子９Ｃからの受信信号をフィルタリングして１対の受信端子（例えば９Ｇ）に出力する受信フィルタ１１１とを有している。

送信フィルタ１０９および受信フィルタ１１１は、例えば、それぞれ、複数のＳＡＷ共振子５がラダー型に接続されて構成された、ラダー型ＳＡＷ共振子フィルタによって構成されている。例えば、送信フィルタ１０９は、送信端子９Ｋとアンテナ端子９Ｃとの間に直列に接続された複数（１つでも可）のＳＡＷ共振子５（いわゆる直列共振子）と、その直列のラインと基準電位とを接続する複数（１つでも可）のＳＡＷ共振子５（いわゆる並列共振子）とを有している。

なお、特に図示しないが、送信フィルタ１０９および／または受信フィルタ１１１は、ラダー型フィルタ以外のフィルタであってもよい。例えば、これらのフィルタは、縦結合多重モード（２重モードを含むものとする）型ＳＡＷ共振子フィルタであってもよい。この多重モード型フィルタにおいては、例えば、複数のＩＤＴ電極２３がＳＡＷの伝搬方向に互いに隣接して配列され、その両側に１対の反射器２５が設けられる。

＜通信装置＞
図１０は、ＳＡＷ装置１（分波器）の利用例としての通信装置１５１の要部を示すブロック図である。通信装置１５１は、電波を利用した無線通信を行うものであり、ＳＡＷ装置１を含んでいる。

通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されてＳＡＷ装置１（送信端子９Ｋ）に入力される。そして、ＳＡＷ装置１は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子９Ｃからアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。

また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されてＳＡＷ装置１（アンテナ端子９Ｃ）に入力される。ＳＡＷ装置１は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して増幅器１６１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。

なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図１０では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図１０は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。

＜実施例および比較例＞
実施例および比較例に係るＳＡＷ装置を試作してその特性を調べた。その結果を以下に示す。

図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、実施例および比較例に係るＳＡＷ装置における温度変化に起因する特性の変化を示す図である。図１１（ａ）は、ＳＡＷ装置の周囲温度を−２５℃から８５℃へ変化させたときの結果を示している。図１１（ｂ）は、ＳＡＷ装置の周囲温度を２５℃から８５℃へ変化させたときの結果を示している。

横軸の「Ｅ１」は、実施例に対応しており、横軸の「Ｃ１」〜「Ｃ３」は、比較例に対応している。具体的には、実施例Ｅ１では、補強層は、バス導体５５およびストリップ導体５７を有している。なお、実施例Ｅ１の補強層の詳細形状は、図７（第２実施形態）のものに近い。比較例Ｃ１では、カバー７の上面にベタ状の補強層が設けられている。比較例Ｃ２は、補強層が設けられていない。比較例Ｃ３は、補強層および補強層を覆う絶縁層（図４の４７参照。実施例および他の比較例では設けられている。）が設けられていない。

縦軸は、ＳＡＷ装置１の周囲の温度を変化させたときの、周波数の変化量ｄｆ（Ｈｚ）または圧電基板１３に生じる応力σ（Ｐａ）を示している。変化量ｄｆは、ＳＡＷ装置１が含むラダー型フィルタにおいて、減衰量が２０ｄＢとなる周波数の変化量である。変化量ｄｆは、実測によって得られている。応力σはシミュレーション計算によって得られている。

線Ｌ１は、応力σを示している。線Ｌ２〜Ｌ４は、変化量ｄｆを示しており、具体的な種々の設計値および／または補強層の厚みが互いに異なっている。

これらの図から、バス導体５５およびストリップ導体５７によって補強層１１（Ｅ１）が構成されることによって、ベタ状の補強層（Ｃ１）が設けられる場合に比較して、変化量ｄｆが小さくなることが確認できる。すなわち、支持基板１５による温度補償効果が補強層によって低減されることを抑制できることが確認できる。さらに言い換えると、本構成によれば、補強層１１が存在していても、支持基板１５による温度補償効果を維持できる。また、その効果の程度は、比較例Ｃ１〜Ｃ３および実施例Ｅ１の比較から、十分な大きさであることが確認できる。また、変化量ｄｆの改善の傾向は、応力σの変化の傾向と類似しており、変化量ｄｆの改善が応力σに起因するものであることが確認できる。

なお、比較例Ｃ２、Ｃ３は、変化量ｄｆの改善は見込めるが、外部からの応力により蓋部１９が空間２１の側に変形し圧電基板１３と接触してしまうことを確認した。なお、実際に回路基板に実装し、トランスファモールド方式でモールドした際に、比較例Ｃ１、実施例Ｅ１は空間２１を維持していたが、比較例Ｃ２、Ｃ３は空間２１が潰れていることを確認した。

なお、枠部１７の外周で囲まれた面積に対して補強層１１の面積の割合を変化させて製造したＳＡＷ装置１を回路基板に実装し、トランスファモールド方式でモールドして空間２１の形状を確認した。その結果、図７に示すＳＡＷ装置２０１のように、バス導体５５を減らし、枠部１７の外周で囲まれた面積に対してに対して補強層１１の面積の割合を３５％としたときも、空間２１を維持できることを確認した。

図１２は、他の実施例および比較例に係るＳＡＷ装置における温度変化に起因する特性の変化を示す図である。

横軸の「Ｅ１１」〜「Ｅ１３」は、実施例に対応しており、横軸の「Ｃ１１」は、比較例に対応している。具体的には、実施例Ｅ１１では、補強層の詳細形状は、第１実施形態（図５）の補強層１１と概ね同じである。実施例Ｅ１２では、補強層の詳細形状は、第２実施形態（図７）の補強層２１１と概ね同じである。実施例Ｅ１３では、補強層の詳細形状は、第３実施形態（図８）の補強層３１１と概ね同じである。比較例Ｃ１では、カバー７の上面にベタ状の補強層が設けられている。

縦軸は、図１１と同様に、ＳＡＷ装置１の周囲の温度を変化させたときの、周波数の変化量ｄｆまたは圧電基板１３に生じる応力σを示している。この図においても、変化量ｄｆは、実測によって得られ、応力σはシミュレーション計算によって得られている。

棒グラフは、その頂部の位置によって変化量ｄｆを示している。菱形のプロットは、応力σを示している。

この図から、実施例Ｅ１１〜Ｅ１３のいずれにおいても、比較例Ｃ１１に比較して、変化量ｄｆを小さくする効果が得られること、この効果は、熱応力の低下によって得られていることが確認できる。また、実施例Ｅ１１およびＥ１３の比較から、ＳＡＷの伝搬方向に延びるストリップ導体５７Ｂの数を相対的に少なくした方が、変化量ｄｆが小さくなることが確認できる。なお、変化量ｄｆの縮小の観点からは、実施例Ｅ１２が最もよい。ただし、カバー７の補強の観点も踏まえると、必ずしもその限りではない。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）装置であってもよいし、圧電薄膜共振器を含むものであってもよい。また、弾性波装置は、送信フィルタと受信フィルタとを有する分波器（狭義のデュプレクサ）に限定されず、例えば、複数の受信信号を分波する分波器であってもよい。また、弾性波装置は、３つ以上の信号を分波するものであってもよいし、３つ以上のフィルタを有するものであってもよい。

弾性波装置は、カバーを貫通する貫通導体４５およびカバー上の端子９を有さないものであってもよい。例えば、カバーの、パッド４３上に貫通孔を設け、弾性波装置が実装される回路基板のパッドと、パッド４３とが直接にバンプによって接合されてもよい。

バス導体およびストリップ導体は、弾性波の伝搬方向に対して傾斜していてもよい。バス導体およびストリップ導体は、一定の幅で延びていなくてもよく、連続的または階段状に幅が変化してもよい。また、バス導体およびストリップ導体は、直線状に延びていなくてもよく、湾曲したり、屈曲したりするように延びていてもよい。ストリップ導体よりも幅が広いバス導体は設けられなくてもよい。また、ストリップ導体は、比較的幅が広くてもよい。例えば、ストリップ導体は、実施形態のバス導体と同程度の幅を有していてもよい。

なお、本開示からは、支持基板の存在を前提としない技術を抽出可能である。例えば、以下の技術を抽出可能である。

圧電基板と、
前記圧電基板上に位置している励振電極と、
前記励振電極上に空間を形成しているカバーと、
前記カバー上において延びているバス導体と、
前記カバー上において、前記バス導体よりも狭い幅で前記バス導体から延びており、平面透視において少なくとも一部が前記空間に重なっている第１ストリップ導体と、
を有している弾性波装置。

圧電基板と、
前記圧電基板上に位置している励振電極と、
前記励振電極上に空間を形成しているカバーと、
前記カバー上において延びており、平面透視において少なくとも一部が前記空間に重なっている複数の第１ストリップ導体と、
前記複数の第１ストリップ導体と交差している１以上の第２ストリップ導体と、
有しており、
前記１以上の第２ストリップ導体の数が前記複数の第１ストリップ導体の数の１／２未満である
弾性波装置。

圧電基板と、
前記圧電基板上に位置している励振電極と、
前記励振電極上に空間を形成しているカバーと、
前記カバー上において延びており、平面透視において少なくとも一部が前記空間に重なっている複数の第１ストリップ導体と、
を有しており、
前記複数の第１ストリップ導体は、厚みが幅よりも大きい
弾性波装置。

また、本開示からは、支持基板だけでなく、ストリップ導体の存在を前提としない技術を抽出可能である。例えば、以下の技術を抽出可能である。

圧電基板と、
前記圧電基板上に位置している励振電極と、
前記励振電極を覆っているカバーと、
前記カバーの少なくとも上面側部分を貫通している、前記励振電極と電気的に接続されている第１貫通導体と、
前記カバー上に位置しており、平面視において前記第１貫通導体から離れている端子と、
前記カバー上に位置しており、前記第１貫通導体と前記端子とを接続している導体層と、
を有しており、
前記導体層は、前記端子を起点として互いに交差する方向に延びる第１延出部および第２延出部を有している
弾性波装置。

なお、上記の技術においては、カバーは、励振電極上に空間を形成しないものであってもよい。従って、弾性波装置は、弾性境界波装置（ただし、広義にはＳＡＷ装置に含まれる。）であってもよい。

また、上述の例では、カバー７を構成する枠部１７は圧電基板１３上に位置する場合を例に説明したが、この限りではない。具体的には、圧電基板１３を平面視で支持基板１５よりも内側に位置させ、枠部１７を、圧電基板１３に覆われていない支持基板１５上に位置させてもよい。上述の例では、圧電基板に加わる引張応力を抑制することで、支持基板１５による温度補償効果が効果的に発現されるようにした。これに対して、枠部１７を支持基板１５上に位置させる場合には、導体パターンがベタパターンの場合に比べて支持基板１５に加わる引張応力を減少させることができる。これにより、効果的に圧電基板１３の熱膨張を抑制することができるものとなる。

１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、７…カバー、１３…圧電基板、１５…支持基板、２３…ＩＤＴ電極（励振電極）、５５（５５Ａおよび５５Ｂ）…ストリップ導体。

Claims (16)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板の下面に位置する、前記圧電基板よりも熱膨張係数が小さい支持基板と、
   前記圧電基板上に位置している励振電極と、
   前記励振電極上に空間を形成しているカバーと、
   前記カバー上において互いに並列に延びており、平面透視において少なくとも一部が前記空間に重なっている複数の第１ストリップ導体と、
   を有している弾性波装置。
2. 前記カバー上において前記複数の第１ストリップ導体それぞれよりも広い幅で延びている第１バス導体をさらに有しており、
   前記複数の第１ストリップ導体は、前記第１バス導体から延びている
   請求項１に記載の弾性波装置。
3. 前記第１バス導体と並列に延びており、前記複数の第１ストリップ導体よりも幅が広い第２バス導体をさらに有しており、
   前記複数の第１ストリップ導体は、前記第１バス導体と前記第２バス導体との間に架け渡されている
   請求項２に記載の弾性波装置。
4. 前記複数の第１ストリップ導体と交差している１以上の第２ストリップ導体をさらに有しており、
   前記１以上の第２ストリップ導体の数が前記複数の第１ストリップ導体の数の１／２未満である
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
5. 前記励振電極は、互いに並列に延びる複数の電極指を有しているＩＤＴ電極であり、
   前記複数の第１ストリップ導体は、前記複数の電極指が延びる方向に延びている
   請求項４に記載の弾性波装置。
6. 前記１以上の第２ストリップ導体は、平面透視において前記複数の電極指と重なっていない
   請求項４または５に記載の弾性波装置。
7. 前記複数の第１ストリップ導体は、厚みが幅よりも大きい
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
8. 少なくとも一部が前記カバー内に位置しており、前記励振電極と前記複数の第１ストリップ導体とを接続している接続導体をさらに有している
   請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
9. 前記カバーの少なくとも上面側部分を貫通している、前記励振電極と電気的に接続されている第１貫通導体と、
   前記カバー上に位置しており、平面視において前記第１貫通導体から離れている端子と、
   前記カバー上に位置しており、前記第１貫通導体と前記端子とを接続している導体層と、
   を有しており、
   前記導体層は、前記端子を起点として互いに交差する方向に延びる第１延出部および第２延出部を有している
   請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
10. 前記導体層は、前記第１延出部に対して並列に延びて前記第２延出部と接続されている第３延出部をさらに有している
    請求項９に記載の弾性波装置。
11. 前記導体層は、前記第１延出部と前記第３延出部とに架け渡されている第４延出部をさらに有している
    請求項１０に記載の弾性波装置。
12. 前記複数の第１ストリップ導体は、前記第１延出部から前記第１延出部に交差する方向に延びており、前記第１延出部および前記第２延出部よりも幅が狭い
    請求項９〜１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
13. 前記複数の第１ストリップ導体は、前記第１延出部と前記第３延出部との間に架け渡されており、前記第１〜第３延出部よりも幅が狭い
    請求項１０または１１に記載の弾性波装置。
14. 前記カバーの下面側部分のみを貫通している第２貫通導体と、
    前記カバーに埋設されており、前記第２貫通導体から前記圧電基板の上面に平行に延びている内部配線と、
    をさらに有しており、
    前記第１貫通導体は、前記カバーの上面側部分のみを貫通しており、前記内部配線と接続されている
    請求項９〜１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
15. 送信信号をフィルタリングしてアンテナへ出力する送信フィルタと、
    前記アンテナからの受信信号をフィルタリングする受信フィルタと、
    を有しており、
    前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一部が、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の弾性波装置に含まれている
    分波器。
16. アンテナと、
    前記アンテナと接続されている請求項１５に記載の分波器と、
    前記分波器に接続されているＩＣと、
    を有している通信装置。

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