JPWO2018163002A1 - 半導体装置、および半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 438
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 203
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 834
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 392
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 246
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 243
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 241
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 152
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 124
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 123
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 110
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 97
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 66
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 15
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 395
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 220
- 230000006870 function Effects 0.000 description 159
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 147
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 94
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 description 84
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 73
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 63
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 58
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 53
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 48
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 48
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 45
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 43
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 41
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 40
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 35
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 33
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 27
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 26
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 26
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 24
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 22
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 22
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 22
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 21
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 15
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000899 pressurised-fluid extraction Methods 0.000 description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 11
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011733 molybdenum Chemical group 0.000 description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 10
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 9
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical group [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical group [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Chemical group 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Chemical group 0.000 description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 7
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical group [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 4
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000013527 convolutional neural network Methods 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical group [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical group [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical group [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 2
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 2
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000000306 recurrent effect Effects 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 1
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 1
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
Description
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ200を有する半導体装置の一例について説明する。
図1(A)、図1(B)、および図1(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200、およびトランジスタ200周辺の上面図および断面図である。
図1に示すように、トランジスタ200は、基板(図示せず)の上に配置された絶縁体214および絶縁体216と、絶縁体214および絶縁体216に埋め込まれるように配置された導電体205と、絶縁体216と導電体205の上に配置された絶縁体220と、絶縁体220の上に配置された絶縁体222と、絶縁体222の上に配置された絶縁体224と、絶縁体224の上に配置された酸化物230(酸化物230a、酸化物230b、および酸化物230c)と、酸化物230の上に配置された絶縁体250と、絶縁体250の上に配置された導電体260(導電体260aおよび導電体260b)と、導電体260の上に配置された絶縁体270、および絶縁体271と、少なくとも絶縁体250、および導電体260の側面に接して配置された絶縁体272と、酸化物230、および絶縁体272と接して配置された絶縁体274と、絶縁体274上の絶縁体275と、を有する。また、トランジスタ200は、絶縁体280と、絶縁体224とが、接する領域を有する。
図2(A)、図2(B)、および図2(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200a、およびトランジスタ200a周辺の上面図および断面図である。
トランジスタ200aは、図2(A)に示すように、絶縁体274の上面から見た形状が、酸化物230および導電体260を包含する形状となっているところが、トランジスタ200と異なるところである。つまり、絶縁体274の上面から見た形状が、図12(B)に示す形状となっている。その他の構成および効果は、図1に示す、トランジスタ200を有する半導体装置を参酌することができる。
図3(A)、図3(B)、および図3(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200b、およびトランジスタ200b周辺の上面図および断面図である。
トランジスタ200bは、図3(A)に示すように、絶縁体274の上面から見た形状が、酸化物230の一部および導電体260の一部を包含する形状となっているところが、トランジスタ200と異なるところである。つまり、絶縁体274の上面から見た形状が、図13(A)に示す形状となっている。
図4(A)、図4(B)、および図4(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200c、およびトランジスタ200c周辺の上面図および断面図である。
トランジスタ200cは、図4に示すように絶縁体275上に絶縁体282が配置され、絶縁体282上に絶縁体280が配置される構造となっているところが、トランジスタ200と異なるところである。絶縁体282と、絶縁体224と、が接する領域を有することで、絶縁体282の成膜時に酸素を絶縁体224に供給することができる。
図5(A)、図5(B)、および図5(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200d、およびトランジスタ200d周辺の上面図および断面図である。
トランジスタ200dは、図5に示すように絶縁体275を有しない構造となっているところが、トランジスタ200と異なるところである。絶縁体274として、酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁性材料を用いることで、絶縁体275を必ずしも絶縁体274上に配置する必要がない場合がある。つまり絶縁体280が有する過剰酸素は、絶縁体274の透過を抑制されるが、絶縁体280と、絶縁体224と、が接する領域においては、絶縁体280中の過剰酸素が絶縁体224を通過して、酸化物230に拡散し、酸化物230中の欠陥を効率良く修復すことができる。即ち、チャネル形成領域(領域234)近傍の欠陥を修復し、より、キャリア密度を低減することができる。一方、領域231aおよび領域231bは、絶縁体274と酸化物230と、が接しているので、キャリア密度が高い状態を保つことができる。また、このような構造とすることで、半導体装置の作製工程数を削減することができるので好ましい。その他の構成および効果は、図1に示す、トランジスタ200を有する半導体装置を参酌することができる。
図6(A)、図6(B)、および図6(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200e、およびトランジスタ200e周辺の上面図および断面図である。
トランジスタ200eは、図6に示すように、絶縁体275を有せず、絶縁体274上に絶縁体282が配置され、絶縁体282上に絶縁体280が配置される構造となっているところが、トランジスタ200と異なるところである。絶縁体274として、酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁性材料を用いることで、絶縁体275を必ずしも絶縁体274上に配置する必要がない場合がある。
図7(A)、図7(B)、および図7(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200f、およびトランジスタ200f周辺の上面図および断面図である。
トランジスタ200fは、図7に示すように、絶縁体274を有さない構造となっているところが、トランジスタ200と異なるところである。
図8(A)、図8(B)、および図8(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200g、およびトランジスタ200g周辺の上面図および断面図である。
図8に示すように、トランジスタ200gは、酸化物230cの形状が、図1に示すトランジスタ200と異なる。即ち、図8(B)に示すように、トランジスタ200gのL長方向の断面において、酸化物230cの端部は、絶縁体274の端部および絶縁体275の端部と略等しい構造となっている。酸化物230c、絶縁体274および絶縁体275を一回のフォトリソグラフィー工程によって、形成できるので、半導体装置の作製工程数を削減することができるので好ましい。その他の構成および効果は、図1に示す、トランジスタ200を有する半導体装置を参酌することができる。
図9(A)、図9(B)、および図9(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200h、およびトランジスタ200h周辺の上面図および断面図である。
図9に示すように、トランジスタ200hは、絶縁体275を有しない構造であり、かつ、酸化物230cの形状が、図1に示すトランジスタ200と異なる。即ち、図9(B)に示すように、トランジスタ200hのL長方向の断面において、酸化物230cの端部は、絶縁体274の端部と略等しい構造となっている。絶縁体275の形成を省略し、さらに、酸化物230cおよび絶縁体274を一回のフォトリソグラフィー工程によって、形成できるので、半導体装置の作製工程数を削減することができるので好ましい。その他の構成および効果は、図1に示すトランジスタ200を有する半導体装置および図5に示すトランジスタ200dを有する半導体装置を参酌することができる。
図10(A)、図10(B)、および図10(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200i、およびトランジスタ200i周辺の上面図および断面図である。
図10に示すように、トランジスタ200iは、一つのゲート電極に対して複数のチャネル形成領域を有するところが、図1(A)、(B)および(C)に示すトランジスタ200の構成と異なる。トランジスタ200iは、複数のチャネル形成領域を有することで大きなオン電流を得ることができる。また、それぞれのチャネル形成領域は、ゲート電極で覆われた構造、つまりs−channel構造となっているため、それぞれのチャネル形成領域において大きなオン電流を得ることができる。なお、図10は、3つのチャネル形成領域を有する一例を示すが、チャネル形成領域の数はこれに限定されない。その他の構成及び効果は、上述の図1(A)、(B)および(C)に示したトランジスタ200の構成を参酌する。
図43(A)、図43(B)、および図43(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200j、およびトランジスタ200j周辺の上面図および断面図である。
図43に示すように、トランジスタ200jは、基板(図示せず)の上に配置された絶縁体216と、絶縁体216に埋め込まれるように配置された導電体205と、絶縁体216と導電体205の上に配置された絶縁体224と、絶縁体224の上に配置された酸化物230と、酸化物230の上に配置された絶縁体250と、絶縁体250の上に配置された導電体260と、酸化物230、絶縁体250の側面、導電体260の側面および導電体260の上面と接して配置された絶縁体274と、を有する。また、トランジスタ200jは、絶縁体280と、絶縁体224とが、接する領域を有する。その他の構成および効果は、上述の図1(A)、(B)および(C)に示したトランジスタ200の構成を参酌する。
図44(A)、図44(B)、および図44(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200k、およびトランジスタ200k周辺の上面図および断面図である。
図44に示すように、トランジスタ200kは、基板(図示せず)の上に配置された絶縁体216と、絶縁体216の上に配置された絶縁体224と、絶縁体224の上に配置された酸化物230と、酸化物230の上に配置された絶縁体250と、絶縁体250の上に配置された導電体260と、酸化物230、絶縁体250の側面、導電体260の側面および導電体260の上面と接して配置された絶縁体274と、を有する。また、トランジスタ200kは、絶縁体280と、絶縁体224とが、接する領域を有する。つまり、トランジスタ200kは、導電体205を有しないところが、図43(A)、(B)および(C)に示すトランジスタ200jと異なる。その他の構成および効果は、トランジスタ200jの構成を参酌する。
図45(A)、図45(B)、および図45(C)は、本発明の一態様に係るトランジスタ100A、およびトランジスタ100A周辺の上面図および断面図である。
トランジスタ100Aは、基板102上の絶縁層104と、絶縁層104上の半導体層108と、半導体層108上の絶縁層140と、絶縁層140上の金属酸化物層114と、金属酸化物層114上の導電層142と、絶縁層104、半導体層108、及び導電層142上の絶縁層116と、を有する。半導体層108の、導電層142と重畳する部分は、チャネル形成領域として機能する。
以下では、半導体装置に用いることができる構成材料について説明する。
上述のトランジスタを形成する基板としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板または導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板(イットリア安定化ジルコニア基板など)、樹脂基板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの半導体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えばSOI(Silicon On Insulator)基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
絶縁体としては、絶縁性を有する酸化物、窒化物、酸化窒化物、窒化酸化物、金属酸化物、金属酸化窒化物、金属窒化酸化物などがある。
導電体としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウムなどから選ばれた金属元素を1種以上含む材料を用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
半導体層108および酸化物230として、酸化物半導体として機能する金属酸化物(以下、酸化物半導体ともいう)を用いることが好ましい。以下では、本発明に係る半導体層および酸化物230に適用可能な金属酸化物について説明する。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud−Aligned Composite)−OSの構成について説明する。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、CAAC−OS(c−axis aligned crystalline oxide semiconductor)、多結晶酸化物半導体、nc−OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、擬似非晶質酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like oxide semiconductor)および非晶質酸化物半導体などがある。
続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。
ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。
次に、本発明に係るトランジスタ200を有する半導体装置について、作製方法を図1および図15乃至図23を用いて説明する。また、図1および図15乃至図23において、各図の(A)は上面図を示す。また、各図の(B)は(A)にA1−A2の一点鎖線で示す部位に対応する断面図である。また、各図の(C)は、(A)にA3−A4の一点鎖線で示す部位に対応する断面図である。
絶縁体282の成膜は、スパッタリング法により成膜することが好ましい。スパッタリング法を用いることで、容易に絶縁体282と接する絶縁体280に過剰酸素領域を形成することができる。
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図25乃至図28を用いて説明する。
図25に示す記憶装置は、トランジスタ300と、トランジスタ200、および容量素子100を有している。
本発明の一態様の記憶装置は、図25に示すようにトランジスタ300、トランジスタ200、容量素子100を有する。トランジスタ200はトランジスタ300の上方に設けられ、容量素子100はトランジスタ300、およびトランジスタ200の上方に設けられている。
図26に示す半導体装置は、トランジスタ400と、トランジスタ200、および容量素子100を有する記憶装置である。以下に、記憶装置としての一形態を、図26を用いて説明する。
図26(B)は、容量素子100、トランジスタ200、およびトランジスタ400を有する記憶装置の断面図である。なお、図26に示す記憶装置において、先の実施の形態、および<記憶装置1の構造>に示した半導体装置、および記憶装置を構成する構造と同機能を有する構造には、同符号を付記する。
図27に示す半導体装置は、トランジスタ300と、トランジスタ200、トランジスタ400、および容量素子100を有する記憶装置である。以下に、記憶装置としての一形態を、図27を用いて説明する。
本実施の形態では、図29および図30を用いて、本発明の一態様に係る、酸化物を半導体に用いたトランジスタ(以下、OSトランジスタと呼ぶ。)、および容量素子が適用されている記憶装置の一例として、NOSRAMについて説明する。NOSRAM(登録商標)とは「Nonvolatile Oxide Semiconductor RAM」の略称であり、ゲインセル型(2T型、3T型)のメモリセルを有するRAMを指す。なお、以下において、NOSRAMのようにOSトランジスタを用いたメモリ装置を、OSメモリと呼ぶ場合がある。
図29にNOSRAMの構成例を示す。図29に示すNOSRAM1600は、メモリセルアレイ1610、コントローラ1640、行ドライバ1650、列ドライバ1660、出力ドライバ1670を有する。なお、NOSRAM1600は、1のメモリセルで多値データを記憶する多値NOSRAMである。
図30(A)はメモリセル1611の構成例を示す回路図である。メモリセル1611は2T型のゲインセルであり、メモリセル1611はワード線WWL、RWL、ビット線BL、ソース線SL、配線BGLに電気的に接続されている。メモリセル1611は、ノードSN、OSトランジスタMO61、トランジスタMP61、容量素子C61を有する。OSトランジスタMO61は書き込みトランジスタである。トランジスタMP61は読み出しトランジスタであり、例えばpチャネル型Siトランジスタで構成される。容量素子C61はノードSNの電圧を保持するための保持容量である。ノードSNはデータの保持ノードであり、ここではトランジスタMP61のゲートに相当する。
本実施の形態では、図31および図32を用いて、本発明の一態様に係る、OSトランジスタ、および容量素子が適用されている記憶装置の一例として、DOSRAMについて説明する。DOSRAM(登録商標)とは、「Dynamic Oxide Semiconductor RAM」の略称であり、1T(トランジスタ)1C(容量)型のメモリセルを有するRAMを指す。DOSRAMも、NOSRAMと同様に、OSメモリが適用されている。
図31にDOSRAMの構成例を示す。図31に示すように、DOSRAM1400は、コントローラ1405、行回路1410、列回路1415、メモリセルおよびセンスアンプアレイ1420(以下、「MC−SAアレイ1420」と呼ぶ。)を有する。
MC−SAアレイ1420は、メモリセルアレイ1422をセンスアンプアレイ1423上に積層した積層構造をもつ。グローバルビット線GBLL、GBLRはメモリセルアレイ1422上に積層されている。DOSRAM1400では、ビット線の構造に、ローカルビット線とグローバルビット線とで階層化された階層ビット線構造が採用されている。
コントローラ1405は、DOSRAM1400の動作全般を制御する機能を有する。コントローラ1405は、外部からの入力されるコマンド信号を論理演算して、動作モードを決定する機能、決定した動作モードが実行されるように、行回路1410、列回路1415の制御信号を生成する機能、外部から入力されるアドレス信号を保持する機能、内部アドレス信号を生成する機能を有する。
行回路1410は、MC−SAアレイ1420を駆動する機能を有する。デコーダ1411はアドレス信号をデコードする機能を有する。ワード線ドライバ回路1412は、アクセス対象行のワード線WLを選択する選択信号を生成する。
列回路1415は、データ信号WDA[31:0]の入力を制御する機能、データ信号RDA[31:0]の出力を制御する機能を有する。データ信号WDA[31:0]は書き込みデータ信号であり、データ信号RDA[31:0]は読み出しデータ信号である。
本実施の形態では、図33から図36を用いて、本発明の一態様に係る、OSトランジスタ、および容量素子が適用されている半導体装置の一例として、FPGA(フィールドプログラマブルゲートアレイ)について説明する。本実施の形態のFPGAは、コンフィギュレーションメモリ、およびレジスタにOSメモリが適用されている。ここでは、このようなFPGAを「OS−FPGA」と呼ぶ。
図33(A)にOS−FPGAの構成例を示す。図33(A)に示すOS−FPGA3110は、マルチコンテキスト構造によるコンテキスト切り替えとPLE毎の細粒度パワーゲーティングを実行するNOFF(ノーマリオフ)コンピューティングが可能である。OS−FPGA3110は、コントローラ(Controller)3111、ワードドライバ(Word driver)3112、データドライバ(Data driver)3113、プログラマブルエリア(Programmable area)3115を有する。
“H”の信号storeがOS−FF3140に入力されると、シャドウレジスタ3142はFF3141のデータをバックアップする。ノードN36は、ノードQのデータが書き込まれることで、“L”となり、ノードNB36は、ノードQBのデータが書き込まれることで、“H”となる。しかる後、パワーゲーティングが実行され、パワースイッチ3127をオフにする。FF3141のノードQ、QBのデータは消失するが、電源オフであっても、シャドウレジスタ3142はバックアップしたデータを保持する。
パワースイッチ3127をオンにし、PLE3121に電源を供給する。しかる後、“H”の信号loadがOS−FF3140に入力されると、シャドウレジスタ3142はバックアップしているデータをFF3141に書き戻す。ノードN36は“L”であるので、ノードN37は“L”が維持され、ノードNB36は“H”であるので、ノードNB37は“H”となる。よって、ノードQは“H”になり、ノードQBは“L”になる。つまり、OS−FF3140はバックアップ動作時の状態に復帰する。
本実施の形態では、図37を用いて、上記実施の形態に示す半導体装置を適用した、AIシステムについて説明を行う。
本実施の形態では、上記実施の形態に示すAIシステムの応用例について図38を用いて説明を行う。
本実施の形態は、上記実施の形態に示すAIシステムが組み込まれたICの一例を示す。
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図40、および図41を用いて説明する。
図40(A)は、ダイシング処理が行なわれる前の基板811の上面図を示している。基板811としては、例えば、半導体基板(「半導体ウエハ」ともいう。)を用いることができる。基板811上には、複数の回路領域812が設けられている。回路領域812には、本発明の一態様に係る半導体装置などを設けることができる。
チップ815を用いた電子部品の一例について、図41(A)および図41(B)を用いて説明する。なお、電子部品は、半導体パッケージ、またはIC用パッケージともいう。電子部品は、端子取り出し方向、端子の形状などに応じて、複数の規格、名称などが存在する。
本発明の一態様に係る半導体装置は、様々な電子機器に用いることができる。図42に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いた電子機器の具体例を示す。
本実施の形態においては、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例について説明を行う。
図46(A)は、表示装置の一例を示す上面図である。図46(A)に示す表示装置700は、第1の基板701上に設けられた画素部702と、第1の基板701に設けられたソースドライバ回路部704及びゲートドライバ回路部706と、画素部702、ソースドライバ回路部704、及びゲートドライバ回路部706を囲むように配置されるシール材712と、第1の基板701に対向するように設けられる第2の基板705と、を有する。なお、第1の基板701と第2の基板705は、シール材712によって貼り合わされている。すなわち、画素部702、ソースドライバ回路部704、及びゲートドライバ回路部706は、第1の基板701とシール材712と第2の基板705によって封止されている。なお、図46(A)には図示しないが、第1の基板701と第2の基板705の間には表示素子が設けられる。
以下では、表示素子として液晶素子及びEL素子を用いる構成について、図47および図48を用いて説明する。なお、図47は、図46(A)に示す一点鎖線Q−Rにおける断面図であり、表示素子として液晶素子を用いた構成である。また、図48は、図46(A)に示す一点鎖線Q−Rにおける断面図であり、表示素子としてEL素子を用いた構成である。
図47および図48に示す表示装置700は、引き回し配線部711と、画素部702と、ソースドライバ回路部704と、FPC端子部708と、を有する。また、引き回し配線部711は、信号線710を有する。また、画素部702は、トランジスタ750及び容量素子790を有する。また、ソースドライバ回路部704は、トランジスタ752を有する。
図47に示す表示装置700は、液晶素子775を有する。液晶素子775は、導電膜772、導電膜774、及び液晶層776を有する。導電膜774は、第2の基板705側に設けられ、対向電極としての機能を有する。
図48に示す表示装置700は、発光素子782を有する。発光素子782は、導電膜772、EL層786、及び導電膜788を有する。図48に示す表示装置700は、画素毎に設けられる発光素子782が有するEL層786が発光することによって、画像を表示することができる。なお、EL層786は、有機化合物、または量子ドットなどの無機化合物を有する。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置について、図49を用いて説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示モジュールについて、図50を用いて説明を行う。
図50に示す表示モジュール8000は、上部カバー8001と下部カバー8002との間に、FPC8003に接続されたタッチパネル8004、FPC8005に接続された表示パネル8006、バックライト8007、フレーム8009、プリント基板8010、バッテリ8011を有する。
100A トランジスタ
102 基板
104 絶縁層
108 半導体層
108n 領域
110 導電体
112 導電体
114 金属酸化物層
116 絶縁層
118 絶縁層
120 導電体
121a 導電層
121b 導電層
130 絶縁体
140 絶縁層
141 導電層
141a 開口部
141b 開口部
142 導電層
150 絶縁体
200 トランジスタ
200a トランジスタ
200b トランジスタ
200c トランジスタ
200d トランジスタ
200e トランジスタ
200f トランジスタ
200g トランジスタ
200h トランジスタ
200i トランジスタ
200j トランジスタ
200k トランジスタ
203 導電体
203a 導電体
203b 導電体
205 導電体
205a 導電体
205b 導電体
208 絶縁体
210 絶縁体
212 絶縁体
214 絶縁体
216 絶縁体
218 導電体
220 絶縁体
222 絶縁体
224 絶縁体
224A 絶縁膜
230 酸化物
230a 酸化物
230A 酸化膜
230b 酸化物
230B 酸化膜
230c 酸化物
230C 酸化膜
231 領域
231a 領域
231b 領域
232 接合領域
232a 接合領域
232b 接合領域
234 領域
239 領域
246 導電体
248 導電体
250 絶縁体
250A 絶縁膜
252a 導電体
252b 導電体
260 導電体
260a 導電体
260A 導電膜
260b 導電体
260B 導電膜
270 絶縁体
270A 絶縁膜
271 絶縁体
271A 絶縁膜
272 絶縁体
272A 絶縁膜
274 絶縁体
274A 絶縁膜
275 絶縁体
275A 絶縁膜
280 絶縁体
282 絶縁体
286 絶縁体
288 過剰酸素
300 トランジスタ
311 基板
313 半導体領域
314a 低抵抗領域
314b 低抵抗領域
315 絶縁体
316 導電体
320 絶縁体
322 絶縁体
324 絶縁体
326 絶縁体
328 導電体
330 導電体
350 絶縁体
352 絶縁体
354 絶縁体
356 導電体
360 絶縁体
362 絶縁体
364 絶縁体
366 導電体
370 絶縁体
372 絶縁体
374 絶縁体
376 導電体
380 絶縁体
382 絶縁体
384 絶縁体
386 導電体
400 トランジスタ
403 導電体
403a 導電体
403b 導電体
405 導電体
405a 導電体
405b 導電体
430c 酸化物
431a 酸化物
431b 酸化物
432a 酸化物
432b 酸化物
450 絶縁体
460 導電体
460a 導電体
460b 導電体
470 絶縁体
472 絶縁体
501 画素回路
502 画素部
504 駆動回路部
504a ゲートドライバ
504b ソースドライバ
506 保護回路
507 端子部
550 トランジスタ
552 トランジスタ
554 トランジスタ
560 容量素子
562 容量素子
570 液晶素子
572 発光素子
650a メモリセル
650b メモリセル
700 表示装置
700A 表示装置
701 基板
702 画素部
704 ソースドライバ回路部
705 基板
706 ゲートドライバ回路部
708 FPC端子部
710 信号線
711 配線部
712 シール材
716 FPC
721 ソースドライバIC
722 ゲートドライバ回路
723 FPC
724 プリント基板
730 絶縁膜
732 封止膜
734 絶縁膜
736 着色膜
738 遮光膜
750 トランジスタ
752 トランジスタ
760 接続電極
770 平坦化絶縁膜
772 導電膜
773 絶縁膜
774 導電膜
775 液晶素子
776 液晶層
778 構造体
780 異方性導電膜
782 発光素子
786 EL層
788 導電膜
790 容量素子
811 基板
812 回路領域
813 分離領域
814 分離線
815 チップ
850 電子部品
852 プリント基板
854 実装基板
855 リード
1001 配線
1002 配線
1003 配線
1004 配線
1005 配線
1006 配線
1007 配線
1008 配線
1009 配線
1010 配線
1400 DOSRAM
1405 コントローラ
1410 行回路
1411 デコーダ
1412 ワード線ドライバ回路
1413 列セレクタ
1414 センスアンプドライバ回路
1415 列回路
1416 グローバルセンスアンプアレイ
1417 入出力回路
1420 MC−SAアレイ
1422 メモリセルアレイ
1423 センスアンプアレイ
1425 ローカルメモリセルアレイ
1426 ローカルセンスアンプアレイ
1444 スイッチアレイ
1445 メモリセル
1446 センスアンプ
1447 グローバルセンスアンプ
1600 NOSRAM
1610 メモリセルアレイ
1611 メモリセル
1611−1614 メモリセル
1612 メモリセル
1613 メモリセル
1614 メモリセル
1640 コントローラ
1650 行ドライバ
1651 行デコーダ
1652 ワード線ドライバ
1660 列ドライバ
1661 列デコーダ
1662 ドライバ
1663 DAC
1670 出力ドライバ
1671 セレクタ
1672 ADC
1673 出力バッファ
2000 CDMA
2910 情報端末
2911 筐体
2912 表示部
2913 カメラ
2914 スピーカ部
2915 操作スイッチ
2916 外部接続部
2917 マイク
2920 ノート型パーソナルコンピュータ
2921 筐体
2922 表示部
2923 キーボード
2924 ポインティングデバイス
2940 ビデオカメラ
2941 筐体
2942 筐体
2943 表示部
2944 操作スイッチ
2945 レンズ
2946 接続部
2950 情報端末
2951 筐体
2952 表示部
2960 情報端末
2961 筐体
2962 表示部
2963 バンド
2964 バックル
2965 操作スイッチ
2966 入出力端子
2967 アイコン
2980 自動車
2981 車体
2982 車輪
2983 ダッシュボード
2984 ライト
3110 OS−FPGA
3111 コントローラ
3112 ワードドライバ
3113 データドライバ
3115 プログラマブルエリア
3117 IOB
3119 コア
3120 LAB
3121 PLE
3123 LUTブロック
3124 レジスタブロック
3125 セレクタ
3126 CM
3127 パワースイッチ
3128 CM
3130 SAB
3131 SB
3133 PRS
3135 CM
3137 メモリ回路
3137B メモリ回路
3140 OS−FF
3141 FF
3142 シャドウレジスタ
3143 メモリ回路
3143B メモリ回路
3188 インバータ回路
3189 インバータ回路
4010 演算部
4011 アナログ演算回路
4012 DOSRAM
4013 NOSRAM
4014 FPGA
4020 制御部
4021 CPU
4022 GPU
4023 PLL
4025 PROM
4026 メモリコントローラ
4027 電源回路
4028 PMU
4030 入出力部
4031 外部記憶制御回路
4032 音声コーデック
4033 映像コーデック
4034 汎用入出力モジュール
4035 通信モジュール
4041 AIシステム
4041_n AIシステム
4041_1 AIシステム
4041A AIシステム
4041B AIシステム
4098 バス線
4099 ネットワーク
7000 AIシステムIC
7001 リード
7003 回路部
7031 Siトランジスタ層
7032 配線層
7033 OSトランジスタ層
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8007 バックライト
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
Claims (11)
- 基板上の第1の絶縁体と、
前記第1の絶縁体上の酸化物と、
前記酸化物上の第2の絶縁体と、
前記第2の絶縁体上の導電体と、
前記第2の絶縁体の側面および前記導電体の側面に接する第3の絶縁体と、
前記酸化物の少なくとも上面に接し、かつ前記第3の絶縁体の側面および前記導電体の上面に接する第4の絶縁体と、
前記第4の絶縁体上の第5の絶縁体と、
前記第5の絶縁体上の第6の絶縁体と、
前記第6の絶縁体上の第7の絶縁体と、を有し、
前記第6の絶縁体は、酸素を有し、
前記第6の絶縁体と、前記第1の絶縁体とは、接する領域を有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 基板上の第1の絶縁体と、
前記第1の絶縁体上の第1の酸化物と、
前記第1の酸化物上の第2の酸化物と、
前記第2の酸化物上の第3の酸化物と、
前記第3の酸化物上の第2の絶縁体と、
前記第2の絶縁体上の導電体と、
前記第2の絶縁体の側面および前記導電体の側面に接する第3の絶縁体と、
前記第2の酸化物の少なくとも上面に接し、かつ前記第3の酸化物の側面、前記第3の絶縁体の側面および前記導電体の上面に接する第4の絶縁体と、
前記第4の絶縁体上の第5の絶縁体と、
前記第5の絶縁体上の第6の絶縁体と、
前記第6の絶縁体上の第7の絶縁体と、を有し、
前記第6の絶縁体は、酸素を有し、
前記第6の絶縁体と、前記第1の絶縁体とは、接する領域を有し、
前記第3の酸化物は、前記第2の絶縁体よりも酸素を通しにくく、
前記第3の酸化物は、前記第2の酸化物よりも酸素を通しにくい、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記第3の絶縁体、前記第5の絶縁体および前記第7の絶縁体は、アルミニウムおよびハフニウムのいずれか一方または双方の酸化物を有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記導電体の側面と、前記酸化物の底面と、のなす角度は、75度以上100度以下であること特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、前記酸化物は、側面と上面との間に湾曲面を有し、前記湾曲面の曲率半径が、3nm以上10nm以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1において、
前記酸化物は、Inと、元素Mと、Znと、を含み、
元素MはAl、Ga、Y、またはSnであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記酸化物は、第1の領域と、前記第2の絶縁体と重なる第2の領域を有し、
前記第1の領域の少なくとも一部は、前記第4の絶縁体と接し、
前記第1の領域は、水素および窒素の少なくとも一方の濃度が前記第2の領域よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項7において、
前記第2の領域は、前記第3の絶縁体および前記第2の絶縁体と重なる部分を有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記導電体は、導電性酸化物を有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記第4の絶縁体は、水素および窒素のいずれか一方または両方を有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 基板上に第1の絶縁体を形成し、
前記第1の絶縁体の上に、酸化物層を形成し、
前記酸化物層の上に、第1の絶縁膜および導電膜を順に成膜し、
前記第1の絶縁膜および前記導電膜をエッチングして、第2の絶縁体および導電体を形成し、
前記第1の絶縁体、前記酸化物層、前記第2の絶縁体、および前記導電体を覆って、ALD法を用いて第2の絶縁膜を成膜し、
前記第2の絶縁膜にドライエッチング処理を行って、前記第2の絶縁体の側面および前記導電体の側面に接する第3の絶縁体を形成し、
前記第1の絶縁体、前記酸化物層、前記第3の絶縁体、および前記導電体を覆って、PECVD法を用いて第3の絶縁膜を成膜し、
前記第3の絶縁膜上に第4の絶縁膜を成膜し、
前記酸化物層を包含するように、前記第3の絶縁膜および前記第4の絶縁膜を加工し、第4の絶縁体および第5の絶縁体を形成し、
前記第5の絶縁体上に第6の絶縁体を形成し、
前記第6の絶縁体上にスパッタリング法を用いて第7の絶縁体を形成する、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017044778 | 2017-03-09 | ||
JP2017044778 | 2017-03-09 | ||
PCT/IB2018/051127 WO2018163002A1 (ja) | 2017-03-09 | 2018-02-23 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018163002A1 true JPWO2018163002A1 (ja) | 2020-01-09 |
JP7177036B2 JP7177036B2 (ja) | 2022-11-22 |
Family
ID=63447474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019503812A Active JP7177036B2 (ja) | 2017-03-09 | 2018-02-23 | 半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200243685A1 (ja) |
JP (1) | JP7177036B2 (ja) |
KR (1) | KR20190120299A (ja) |
CN (1) | CN110383492A (ja) |
DE (1) | DE112018001210T5 (ja) |
WO (1) | WO2018163002A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220375938A1 (en) * | 2019-11-08 | 2022-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102416148B1 (ko) | 2020-06-15 | 2022-07-04 | 고려대학교 산학협력단 | 최적화된 패시베이션층을 포함하는 마이크로 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2011138934A (ja) | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
WO2012017843A1 (en) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
TWI663726B (zh) * | 2014-05-30 | 2019-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
US9653613B2 (en) * | 2015-02-27 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
2018
- 2018-02-23 WO PCT/IB2018/051127 patent/WO2018163002A1/ja active Application Filing
- 2018-02-23 DE DE112018001210.7T patent/DE112018001210T5/de not_active Withdrawn
- 2018-02-23 CN CN201880016313.2A patent/CN110383492A/zh active Pending
- 2018-02-23 JP JP2019503812A patent/JP7177036B2/ja active Active
- 2018-02-23 US US16/486,182 patent/US20200243685A1/en not_active Abandoned
- 2018-02-23 KR KR1020197027684A patent/KR20190120299A/ko not_active Application Discontinuation
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US20170018647A1 (en) * | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device |
JP2017028269A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、半導体装置の作製方法、および電子機器 |
US20170040457A1 (en) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor Device, Manufacturing Method of the Same, and Electronic Device |
JP2017034258A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、半導体装置の作製方法、および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112018001210T5 (de) | 2019-11-21 |
CN110383492A (zh) | 2019-10-25 |
US20200243685A1 (en) | 2020-07-30 |
JP7177036B2 (ja) | 2022-11-22 |
KR20190120299A (ko) | 2019-10-23 |
WO2018163002A1 (ja) | 2018-09-13 |
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Date | Code | Title | Description |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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