JPWO2018061187A1 - 半導体ランプ - Google Patents

Abstract

半導体ランプ（１）は、ヒートシンク（４）と、少なくとも一つの半導体光源（５ａ）を有する光源基板（５）と、照明手段である反射部（７ｂ）と、を備える。ヒートシンク（４）は、半導体ランプ（１）の外側に面する第一面（８ａ）と、第一面（８ａ）と反対側の第二面（８ｂ）とを有する板状のベース部（８）と、ベース部（８）の第一面（８ａ）から突出するフィン（９）とを備える。光源基板（５）は、ベース部（８）の第二面（８ｂ）に設置される。照明手段である反射部（７ｂ）は、ベース部（８）の第一面（８ａ）を照らす。

Description

本発明は、半導体ランプに関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）のような半導体光源を備えた半導体ランプが広く用いられている。下記特許文献１には、Ｈｉｇｈ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ（ＨＩＤ）ランプの代替として使用することを目的とした半導体ランプが開示されている。この半導体ランプでは、半導体光源が実装される実装基板を有する平板状の光源ユニットの裏面を内側に向け、ランプ軸線の周りに複数の光源ユニットを配置している。それらの光源ユニットの裏面側に、放熱フィン、及び、空気が流通する空間を設けている。

日本特許第５５５９８２４号公報

大光束の半導体ランプでは、半導体光源の温度が高くなりやすい。半導体光源が発熱により高温になると、エネルギー効率が低下したり、半導体光源の寿命が短くなったりする。そのため、半導体光源が高温にならないように、半導体光源の熱を散逸させる放熱性を良好にすることが望まれている。大光束のランプは、例えば、天井のように気温の高い環境に設置されたり、街路灯のように密閉される器具に組み込まれたりするので、半導体光源の温度上昇を抑制することが難しい。特許文献１のランプでは、放熱フィンが複数の光源ユニットで囲まれた内側の空間にあるため、当該空間に熱がこもり易く、放熱フィンからの放熱性が良くない。

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、放熱性に優れ、かつ、輝度ムラを軽減できる半導体ランプを提供することを目的とする。

本発明の半導体ランプは、ヒートシンクと、少なくとも一つの半導体光源を有する光源基板と、照明手段と、を備える。ヒートシンクは、半導体ランプの外側に面する第一面と、第一面と反対側の第二面とを有する板状のベース部と、ベース部の第一面から突出するフィンとを備える。光源基板は、ベース部の第二面に設置される。照明手段は、ベース部の第一面を照らす。

本発明の半導体ランプによれば、ヒートシンクのベース部の第一面を照らす照明手段を備えたことで、放熱性に優れ、かつ、輝度ムラを軽減することが可能となる。

実施の形態１による半導体ランプを示す斜視図である。 図１に示す半導体ランプから側面カバー及びリフレクターを除去した状態を示す斜視図である。 図１に示す半導体ランプが備える側面カバー及びリフレクターを示す斜視図である。 図１に示す半導体ランプをランプ軸線に沿う視線で見た図である。 実施の形態１の半導体ランプの断面図である。 比較例の半導体ランプを外周側から見たときの輝度の分布を模式的に示すグラフである。 実施の形態１の半導体ランプを外周側から見たときの輝度の分布を模式的に示すグラフである。 実施の形態２による半導体ランプを示す斜視図である。 実施の形態３による半導体ランプを示す断面図である。 実施の形態４による半導体ランプを示す斜視図である。 実施の形態５による半導体ランプを示す斜視図である。 実施の形態６による半導体ランプを示す斜視図である。 実施の形態７による半導体ランプの一部を示す斜視図である。 実施の形態８による半導体ランプを示す斜視図である。 図１４に示す半導体ランプをランプ軸線に沿う視線で見た図である。 図１４に示す半導体ランプの断面図である。 実施の形態９による半導体ランプの一部を示す斜視図である。

以下、図面を参照して実施の形態について説明する。各図において共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。本開示は、以下の各実施の形態で説明する構成のうち、組合わせ可能な構成のあらゆる組合わせを含み得る。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１による半導体ランプ１を示す斜視図である。図１に示す本実施の形態の半導体ランプ１の用途は、特に限定されるものではない。本実施の形態の半導体ランプ１は、例えば、街路灯、道路灯、公園灯、高天井灯などの、屋内及び屋外の照明器具（図示せず）が備える電気ソケットに対して取り付け可能である。半導体ランプ１は、例えば水銀ランプのような、従来のＨｉｇｈ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ（ＨＩＤ）ランプの代替として使用されるものでもよい。

半導体ランプ１は、口金２を備える。本実施の形態における口金２は、電気ソケットに対してねじ込むことで接続可能なねじ込み式の口金である。照明器具が備える電気ソケットに口金２をねじ込むことで、半導体ランプ１を当該照明器具に取り付けることができる。半導体ランプ１は、図示のようなねじ込み式の口金２に代えて、差し込み式の口金を備えるものでもよい。以下の説明では、口金２側の半導体ランプ１の端を「近位端」とし、口金２と反対側の半導体ランプ１の端を「遠位端」とする。また、近位端から遠位端に向かう方向を「遠位方向」とし、遠位端から近位端に向かう方向を「近位方向」とする。

半導体ランプ１は、近位端から遠位端へ延びるランプ軸線ＡＸを有する。ランプ軸線ＡＸは、口金２の中心を通る。ランプ軸線ＡＸは、半導体ランプ１の中心軸に相当する。半導体ランプ１は、口金２が上向きまたは斜め上向き、口金２が下向きまたは斜め下向き、口金２が横向き、などのいかなる姿勢で使用されてもよい。

半導体ランプ１は、ランプ軸線ＡＸを中心とする周方向に間隔をおいて配置された複数の発光ユニット３を備える。これらの発光ユニット３は、互いに同一または類似の構成を有する。複数の発光ユニット３のそれぞれは、ヒートシンク４及び光源基板５を備える。ヒートシンク４は、高い熱伝導率を有する材料、例えば金属材料で形成されることが望ましい。

以下の説明では、「周方向」とは、特に断らない限り、ランプ軸線ＡＸを中心とする周方向を意味する。「半径方向」とは、特に断らない限り、ランプ軸線ＡＸを中心とする半径方向を意味する。

半導体ランプ１は、側面カバー６を備える。側面カバー６は、光を透過させる。本実施の形態における側面カバー６は、ランプ軸線ＡＸを中心とする円柱面に沿う曲面を有する。

半導体ランプ１は、リフレクター７を備える。リフレクター７は、ランプ軸線ＡＸの方向の位置に関して、口金２と複数の発光ユニット３との間の位置にある。リフレクター７の形状は、ランプ軸線ＡＸを中心とする円形である。

図２は、図１に示す半導体ランプ１から側面カバー６及びリフレクター７を除去した状態を示す斜視図である。図２に示すように、ヒートシンク４は、板状のベース部８と、複数のフィン９とを備える。ベース部８は、第一面８ａ及び第二面８ｂを有する。第一面８ａは、半導体ランプ１の外側に面する。第二面８ｂは、第一面８ａと反対側の面である。第二面８ｂは、半導体ランプ１の内側に面する。フィン９は、第一面８ａから突出する。フィン９は、半導体ランプ１の外側に面する。本実施の形態では、フィン９の形状は、板状である。平行する複数のフィン９が設けられている。本実施の形態におけるフィン９は、ランプ軸線ＡＸと平行に延びる。フィン９の形状は、板状に限らず、ピン形でもよい。フィン９は、ベース部８と一体的に形成されたものでもよい。フィン９を備えたことで、ヒートシンク４の表面積を大きくできるので、放熱を促進できる。

第一面８ａ及び第二面８ｂは、ランプ軸線ＡＸに対して平行である。このような構成に限らず、第一面８ａ及び第二面８ｂがランプ軸線ＡＸに対して傾斜していてもよい。

光源基板５は、ヒートシンク４のベース部８の第二面８ｂに設置されている。光源基板５は、少なくとも一つの半導体光源５ａを有する。本実施の形態では、光源基板５は、複数の半導体光源５ａを有する。光源基板５は、半導体ランプ１の内側に面する。半導体光源５ａは、半導体ランプ１の内側に向かって光を放射する。

半導体光源５ａは、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子である。半導体光源５ａは、例えば、表面実装型ＬＥＤパッケージ、チップ・スケール・パッケージのＬＥＤ、砲弾型ＬＥＤパッケージ、配光レンズ付きＬＥＤパッケージ、のいずれかでもよい。また、光源基板５は、チップ・オン・ボード（ＣＯＢ）タイプのＬＥＤパッケージであってもよい。半導体光源５ａは、ＬＥＤ素子に限らず、例えば、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子、半導体レーザ素子などでもよい。

半導体光源５ａは、指向性の低い配光を有する拡散発光源となるものが好ましい。本実施の形態における光源基板５は、ランプ軸線ＡＸに平行な方向を長手方向とする形状を有する。本実施の形態では、光源基板５の長手方向に沿って複数の半導体光源５ａが並んでいるとともに、その長手方向に垂直な方向に沿って複数の半導体光源５ａが並んでいる。図示の構成に限らず、光源基板５は、ランプ軸線ＡＸに対して傾斜した方向を長手方向とする形状でもよい。

以下の説明では、光源基板５から放射される光の光度が最高になる方向に沿う軸を当該光源基板５の「光軸」と呼ぶ。本実施の形態において、光源基板５の光軸は、ベース部８の第二面８ｂに対して垂直でもよい。光源基板５の光軸は、ランプ軸線ＡＸに対して垂直でもよい。あるいは、光源基板５の光軸は、ランプ軸線ＡＸに垂直な平面に対して傾斜していてもよい。

光源基板５の半導体光源５ａと反対側の面は、ヒートシンク４のベース部８に対して熱的に接続される。ベース部８は、光源基板５及びフィン９を支える。光源基板５の半導体光源５ａで発生した熱は、ベース部８へ熱伝導し、ベース部８からフィン９へ熱伝導する。ベース部８及びフィン９の表面から対流及び輻射により熱が散逸する。光源基板５と、ベース部８の第二面８ｂとの間に、例えば、熱伝導性グリス、熱伝導性シート、熱伝導性接着剤、熱伝導性両面粘着テープのような熱伝導性材料（図示せず）が挟まれていてもよい。光源基板５をベース部８に固定する方法は、例えば、ネジ止め、接着など、いかなる方法でもよい。あるいは、光源基板５の金属基板と、ベース部８とが一体的に形成されていてもよい。

本実施の形態におけるヒートシンク４のベース部８は、ランプ軸線ＡＸに対して平行な方向を長手方向とする形状を有する。ベース部８の長手方向の長さを長くすることで、半導体ランプ１の配光特性に影響することなく、光源基板５の面積を大きくできる。このため、半導体ランプ１の大光束化への対応に有利である。本実施の形態の構成に代えて、ヒートシンク４のベース部８の形状は、ランプ軸線ＡＸに対して傾斜した方向を長手方向とする形状でもよい。その場合でも、本実施の形態と類似の効果が得られる。

半導体ランプ１は、支持体１０及び口金保持部１１を備える。各々の発光ユニット３は、支持体１０により支持されている。支持体１０に対して近位側に口金保持部１１が接続されている。口金保持部１１に対して近位側に口金２が接続されている。支持体１０は、各々の発光ユニット３へ向かって放射状に突出する複数の腕部１０ａを有する。ヒートシンク４のベース部８は、腕部１０ａに対して固定されている。ヒートシンク４を支持体１０に固定する方法は、例えば、ネジ止め、凹部と凸部との嵌合、差し込み、スライド、接着、溶接など、いかなる方法でもよい。

支持体１０は、高い熱伝導率を有する材料、例えば金属材料で構成されることが望ましい。ベース部８から支持体１０へ熱伝導することで、支持体１０の表面からも放熱でき、放熱性がさらに向上する。口金保持部１１の少なくとも一部は、絶縁性を有する樹脂材料で構成されてもよい。口金保持部１１は、耐熱性及び放熱性に優れた樹脂材料、金属材料、またはこれらの組み合わせにより構成されることが望ましい。

半導体ランプ１が備える複数の発光ユニット３は、ランプ軸線ＡＸから等距離、かつ、ランプ軸線ＡＸの周りに等角度間隔で配置されている。本実施の形態１では、３個の発光ユニット３が１２０°間隔で配置されている。各々の発光ユニット３は、他の発光ユニット３をランプ軸線ＡＸを中心に回転移動した位置にある。各々の発光ユニット３は、隣り合う発光ユニット３をランプ軸線ＡＸを中心に１２０°回転移動した位置にある。

図３は、図１に示す半導体ランプ１が備える側面カバー６及びリフレクター７を示す斜視図である。図４は、図１に示す半導体ランプ１をランプ軸線ＡＸに沿う視線で見た図である。図４は、半導体ランプ１を遠位側から見た図である。

図４に示すように、側面カバー６は、周方向に隣り合う２個の発光ユニット３同士の間の開口を覆う。本実施の形態の半導体ランプ１は、発光ユニット３と同数の側面カバー６を備える。複数の発光ユニット３及び側面カバー６は、周方向に沿って交互に配置される。半導体ランプ１は、複数の発光ユニット３及び側面カバー６により囲まれるランプ内部空間を有する。ランプ内部空間は、半導体ランプ１の内側の空間である。光源基板５からランプ内部空間へ発せられた光は、側面カバー６を透過して、半導体ランプ１の外側の空間へ出射する。以下の説明では、半導体ランプ１の外側の空間を「ランプ外部空間」と呼ぶことがある。

側面カバー６は、ランプ外部空間へ向けて凸になるように湾曲した曲面を有する。本実施の形態であれば、側面カバー６を備えたことで、ランプ内部空間へ光が出射する出射面の表面積を大きくできるので、優れた照明効率及び配光特性が得られる。

側面カバー６は、光を拡散透過させることが望ましい。側面カバー６が光を拡散透過させる場合には、側面カバー６からランプ外部空間へ放射される光は、側面カバー６の表面の法線方向に放射されるだけでなく、側面カバー６の表面からあらゆる方向へ向かって放射される。その結果、半導体ランプ１の配光特性がより良好になる。

側面カバー６は、光拡散剤となる粒子が基材に分散された乳白色の樹脂材料で構成されてもよい。側面カバー６は、高い曇り度すなわちヘーズと、高い全光線透過率とを有することが望ましい。側面カバー６の基材は、例えば、優れた強度耐性、耐熱性、及び耐水性を有するポリカーボネート樹脂でもよい。側面カバー６の基材がポリカーボネート樹脂である場合には、側面カバー６の表面及び裏面にアクリル系樹脂のハードコート処理を施すことで、耐光性すなわち耐変色性をさらに向上してもよい。側面カバー６の基材は、その他の樹脂、例えば、アクリル系樹脂、ポリスチレン樹脂などでもよい。側面カバー６の光拡散剤は、例えば、シリコーン系微粒子、アクリル系微粒子、ポリスチレン微粒子などでもよい。側面カバー６は、上記の構成に代えて、透明基材の表面にディンプル加工あるいはシボ加工のような微細な凹凸を形成したものでもよい。

側面カバー６は、発光ユニット３との間に隙間が生じないように取り付けられることが望ましい。本実施の形態では、側面カバー６の縁部がフィン９に接する。側面カバー６とフィン９との接触部１２にて側面カバー６がフィン９に固定されてもよい。そのようにすることで、側面カバー６をヒートシンク４によって支持できる。

本実施の形態では、ベース部８の第一面８ａ及びフィン９が、半導体ランプ１の外側に面する。換言すれば、ベース部８の第一面８ａ及びフィン９が、ランプ外部空間の方を向く。これにより、以下の効果が得られる。ベース部８の第一面８ａ及びフィン９の近くに熱気がこもらない。ベース部８の第一面８ａ及びフィン９への通気性を良好にできる。このため、対流及び輻射によるヒートシンク４の放熱効率を高くできる。その結果、半導体光源５ａの温度を低くでき、半導体光源５ａの発光効率を高くでき、半導体光源５ａの寿命を長くできる。特に、光源基板５の半導体光源５ａの搭載個数を多くした場合でも、放熱面積を十分に確保可能であるため、半導体光源５ａの温度を低くして発光効率を向上できる。よって、半導体ランプ１の大光束化への対応に有利である。

図３に示すように、周方向に隣り合う２個の側面カバー６同士は、連結部１３を介して連結されている。複数の側面カバー６が連結部１３を介して連結されることで、全体として円筒形の部品が形成される。連結部１３は、側面カバー６と同じ材質であることが望ましい。側面カバー６及び連結部１３が一体形成されてもよい。側面カバー６の近位側の部分が連結部１３に連結されている。

連結部１３を介して連結された複数の側面カバー６の近位端は、円形の開口を形成する。リフレクター７は、当該開口を覆うように配置される。側面カバー６の近位端がリフレクター７の外縁に固定されていてもよい。リフレクター７は、中央部分に円形開口７ａを有する。図１に示すように、口金２は、リフレクター７の円形開口７ａから近位方向へ突出する。円形開口７ａの内縁部が口金保持部１１の外周部に固定されることで、リフレクター７が支持される。

図５は、実施の形態１の半導体ランプ１の断面図である。図５は、ランプ軸線ＡＸを含む平面での断面図である。図５では、側面カバー６を除去した状態にしている。

図５に示すように、口金２と光源基板５との間は、配線１４を介して電気的に接続されている。口金２に印加された直流電力が配線１４により光源基板５へ供給されることで、半導体光源５ａが点灯する。配線１４は、口金２、口金保持部１１及び支持体１０の内部に形成された空洞に収納されている。本実施の形態であれば、光源基板５に給電する配線１４が外部空間に露出せずに収納されていることで、配線１４を汚れなどから確実に保護できる。光源基板５は、配線１４と接続されるコネクタ５ｂを備える。半導体ランプ１の組立時に、コネクタ５ｂにより配線１４を光源基板５に電気的に接続できるので、組立性を良好にできる。

上記の構成に代えて、半導体ランプ１は、口金２に印加された交流電力を直流電力に変換する電源回路（図示省略）を内蔵し、口金２からその電源回路を介して光源基板５へ給電するように構成されていてもよい。

リフレクター７の、遠位方向に向く面は、光を反射させる反射面となる。リフレクター７は、光を反射させる反射部７ｂを有する。反射部７ｂは、ヒートシンク４及びベース部８の長手方向の一端側すなわち近位端側に配置されている。反射部７ｂと、ベース部８の近位端との間には、空間がある。

光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部は、反射部７ｂに到達する。図５中の光線Ｒ１は、光源基板５の半導体光源５ａから放射されて反射部７ｂに到達する光の一例である。反射部７ｂは、その光を拡散反射させる。反射部７ｂにより拡散反射された光の一部は、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａに照射される。図５中の光線Ｒ２は、反射部７ｂにより反射されて第一面８ａに照射される光の一例である。このようにして、反射部７ｂは、光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部を、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａへ反射させる。本実施の形態における反射部７ｂは、第一面８ａを照らす照明手段の例である。反射部７ｂにより反射された光の一部は、ヒートシンク４のフィン９にも照射される。よって、反射部７ｂは、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。

なお、反射部７ｂにて鏡面反射した光がベース部８の第一面８ａへ照射されるように反射部７ｂの傾斜角度が適合されている構成にしてもよい。その場合には、反射部７ｂは、光を鏡面反射させるように構成されていてもよい。

図４に示すように、リフレクター７の反射面のうち、ランプ軸線ＡＸに沿う視線で見たときにベース部８の第一面８ａより外側になる領域が、反射部７ｂに相当する。

以下の説明では、本実施の形態１の半導体ランプ１からリフレクター７を除去したものを比較例の半導体ランプとする。すなわち、比較例の半導体ランプは、反射部７ｂを備えない。図６は、比較例の半導体ランプを外周側から見たときの輝度の分布を模式的に示すグラフである。図６の横軸は、周方向の位置を示す。図６に示すように、比較例の半導体ランプにおける輝度の分布は、以下のようになる。発光ユニット３同士の間の位置においては、側面カバー６の表面から光が出射するため、輝度が高くなる。これに対し、ヒートシンク４の位置においては、光がランプ外部空間へ放射されないので、実質的に輝度がゼロとなる。このように、比較例の半導体ランプを外周側から見た場合には、周方向において大きな輝度ムラが生じる。

図７は、実施の形態１の半導体ランプ１を外周側から見たときの輝度の分布を模式的に示すグラフである。図７の横軸は、周方向の位置を示す。図７に示すように、実施の形態１の半導体ランプ１における輝度の分布は、以下のようになる。発光ユニット３同士の間の位置においては、側面カバー６の表面から光が出射するため、輝度が高くなる。ヒートシンク４の位置においては、反射部７ｂにより反射された光でベース部８の第一面８ａが照らされることで、比較例よりも輝度が高くなる。このように、実施の形態１の半導体ランプ１によれば、比較例に比べて、周方向における輝度ムラを軽減できる。

リフレクター７の材質は、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂のような樹脂材料でもよいし、アルミニウムまたはその合金、ステンレス鋼のような金属材料でもよいし、樹脂材料と金属材料との組み合わせでもよい。リフレクター７の表面に高反射白色塗装が施されてもよい。リフレクター７は、例えば蒸着によって形成された金属の反射膜を備えたものでもよい。

ベース部８の第一面８ａ及びフィン９の表面特性は、光拡散性及び高反射性を有することが望ましい。例えば、それらの表面に、高反射白色塗装が施されてもよい。これらの構成によれば、半導体ランプ１の周囲への光の拡散を向上でき、さらに広配光化が図れる。ベース部８の第二面８ｂ、支持体１０、及び口金保持部１１の表面特性についても、上記と同様にすることが望ましい。

半導体ランプ１において、側面カバー６及びリフレクター７を固定する方法は、特に限定されず、例えば、凹部と凸部との嵌合、差し込み、スライド、ネジ止め、接着、溶接、またはこれらのうちの二以上の組み合わせ、などの方法でもよい。

本実施の形態であれば、光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光を反射部７ｂが反射させることでヒートシンク４のベース部８の第一面８ａを照らすことができる。このため、ベース部８の第二面８ｂに設置された光源基板５以外の別途の光源を設ける必要がないという利点がある。

本実施の形態では、反射部７ｂは、ヒートシンク４のベース部８の長手方向の位置に関して、口金２とベース部８との間の位置にある。このような位置に反射部７ｂが配置されることで、ランプ外部空間へ放射される光を反射部７ｂが遮らないようにできる。

本実施の形態における反射部７ｂは、ベース部８の長手方向の一端すなわち近位端から第一面８ａを照らす照明部の例である。このように、ベース部８の長手方向の一端から照明部が第一面８ａを照らすように構成することで、ランプ外部空間へ放射される光を当該照明部が遮らないようにできる。本発明における照明部は、反射部７ｂのように、他の光源から発せられた光を反射させることで第一面８ａを照らすものでもよいし、あるいは、自ら光を放つことで第一面８ａを照らすものでもよい。自ら光を放つ照明部の例については、実施の形態８にて説明する。

図５に示すように、ランプ軸線ＡＸから反射部７ｂの外縁までの最大距離をＬ１とし、ランプ軸線ＡＸからフィン９の末端までの最大距離をＬ２とする。図５に示す例では、Ｌ１＞Ｌ２となっている。Ｌ１≧Ｌ２であれば、反射部７ｂからヒートシンク４に照射される光量がより多くなり、ヒートシンク４をより明るく照らすことが可能となる。図示の構成に代えて、Ｌ１＜Ｌ２となるように構成してもよい。Ｌ１＜Ｌ２の場合には、リフレクター７の外縁と側面カバー６の近位端部との間に形成される開口を空気が通過可能になるので、放熱性がより良好になり、半導体光源５ａの温度をさらに低くできる。

口金２の近位端とリフレクター７との間の最短距離をＬ３とする。照明器具のグローブに半導体ランプ１を入れて使用する場合には、当該グローブとリフレクター７とが接触することのないように、Ｌ３の寸法が設定されればよい。

発光ユニット３は、光源基板５の半導体光源５ａ側の面を覆う光源カバー（図示省略）をさらに備えてもよい。当該光源カバーは、光を正透過させることが望ましい。当該光源カバーは、光源基板５の全体を覆うようにして、ベース部８の第二面８ｂに対して取り付けられてもよい。すなわち、当該光源カバー及びベース部８で囲まれる閉空間に光源基板５が収納されてもよい。当該光源カバーは、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン樹脂などの樹脂材料で構成されてもよい。当該光源カバーの表面にハードコート処理が施されてもよい。当該光源カバーは、防水性を有してもよい。当該光源カバーとベース部８との接合部に、防水性を有するシール材または接着剤（図示省略）が備えられてもよい。当該シール材または接着剤は、例えば、軟性樹脂材料、シリコーン系などのシーリング材料、ゴム系材料などで構成されてもよい。当該光源カバーを設けることで、光源基板５を汚れあるいは水などから確実に保護することができ、半導体光源５ａの劣化あるいは故障を確実に抑制できる。

本実施の形態では、半導体ランプ１は、その外径がランプ軸線ＡＸに沿ってほぼ一定になる形状を有する。半導体ランプ１の形状は、このような形状に限定されない。例えば、ランプ軸線ＡＸの中央部分において半導体ランプ１の外径が最大になり、その中央部分から遠位方向及び近位方向にむかって半導体ランプ１の外径が漸減する形状にしてもよい。

光源基板５の半導体光源５ａから、反射部７ｂ以外の部分のリフレクター７に到達した光は、ランプ内部空間へ向けて反射される。そのようにしてランプ内部空間へ向けて反射された光が、側面カバー６を透過してランプ外部空間へ出射することで、光量を増加させることができる。

本実施の形態では、発光ユニット３を複数組み合わせることで、半導体ランプ１の主要部を組み立てることが可能である。このため、半導体ランプ１は、組立性に優れており、製造コストの低減に有利である。また、発光ユニット３の搭載個数を変えることで、光束クラスの異なるランプを容易に製造できる。

側面カバー６に代えて、各々の発光ユニット３が個別の透光性カバーを備えるように構成してもよい。その場合には、当該透光性カバーは、発光ユニット３の長手方向に平行な中心軸を有する筒状の形状を有し、光を拡散透過させるものであることが望ましい。

本実施の形態では、半導体ランプ１が備える発光ユニット３の数が三個の例を説明した。このような構成に限らず、本発明の半導体ランプが備える発光ユニット３の数は、一個でも、二個でも、四個またはそれ以上でもよい。複数の発光ユニット３が備えられる場合には、それらの発光ユニット３は、ランプ軸線ＡＸから等距離、かつ、ランプ軸線ＡＸの周りに等角度間隔で配置されることが望ましい。半導体ランプが三個またはそれ以上の発光ユニット３を備える場合には、周方向における配光ムラ及び輝度ムラを小さくする上で特に有利になる。

半導体ランプが発光ユニット３を一個のみ備える場合でも、ベース部８の第一面８ａを照らす照明手段を備えることで、ベース部８の第一面８ａ側の輝度の低下を軽減でき、周方向の輝度ムラを小さくできる。

実施の形態２．
次に、図８を参照して、実施の形態２について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。

図８は、実施の形態２による半導体ランプ１５を示す斜視図である。半導体ランプ１５は、実施の形態１の半導体ランプ１と同じ構成に加えて、リフレクター１６をさらに備える。リフレクター１６の材質は、リフレクター７と同一または類似である。リフレクター１６は、半導体ランプ１の遠位端に配置されている。リフレクター１６の形状は、ランプ軸線ＡＸを中心とする円形である。リフレクター１６は、側面カバー６の遠位端によって囲まれる開口を覆う。

リフレクター１６の、近位方向に向く面は、光を反射させる反射面となる。リフレクター１６は、光を反射させる反射部１６ａを有する。リフレクター１６の反射面のうち、ランプ軸線ＡＸに沿う視線で見たときにベース部８の第一面８ａより外側になる領域が、反射部１６ａに相当する。反射部１６ａは、ヒートシンク４及びベース部８の長手方向の他端側すなわち遠位端側に配置されている。反射部１６ａと、ベース部８の遠位端との間には、空間がある。

光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部は、反射部１６ａに到達する。反射部１６ａは、その光を拡散反射させる。反射部１６ａにより拡散反射された光の一部は、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａに照射される。このようにして、反射部１６ａは、光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部を、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａへ反射させる。本実施の形態における反射部１６ａは、第一面８ａを照らす照明手段の例である。反射部１６ａにより反射された光の一部は、ヒートシンク４のフィン９にも照射される。よって、反射部１６ａは、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。

本実施の形態であれば、ベース部８の第一面８ａは、反射部７ｂ及び反射部１６ａの双方から照らされる。このため、実施の形態１に比べて、ヒートシンク４をより明るく照らすことができ、周方向における輝度ムラをさらに軽減できる。

実施の形態１で説明したように、反射部７ｂは、ベース部８の長手方向の一端すなわち近位端から第一面８ａを照らす第一照明部の例である。本実施の形態の反射部１６ａは、ベース部８の長手方向の他端すなわち遠位端から第一面８ａを照らす第二照明部の例である。このように、ベース部８の長手方向の両端から第一面８ａを照らすように照明部を備えたことで、以下の効果が得られる。ランプ外部空間へ放射される光をこれらの照明部が遮らないようにし、かつ、ヒートシンク４をより明るく照らすことができる。

光源基板５の半導体光源５ａから、反射部１６ａ以外の部分のリフレクター１６に到達した光は、ランプ内部空間へ向けて反射される。そのようにしてランプ内部空間へ向けて反射された光が、側面カバー６を透過してランプ外部空間へ出射することで、光量を増加させることができる。

実施の形態３．
次に、図９を参照して、実施の形態３について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。

図９は、実施の形態３による半導体ランプ１７を示す断面図である。図９は、ランプ軸線ＡＸを含む平面での断面図である。半導体ランプ１７は、実施の形態１の半導体ランプ１と比べて、リフレクター７に代えてリフレクター１８を備える点で異なる。リフレクター１８は、リフレクター７と比べて、形状が異なる。リフレクター１８の材質は、リフレクター７と同一または類似である。

リフレクター１８は、光を反射させる反射部１８ａを有する。リフレクター１８は、ランプ軸線ＡＸに垂直な平面に対して傾斜した部分を有する。その傾斜した部分は、半径方向外方へ向かって遠位方向へ移行するように傾斜している。反射部１８ａは、この傾斜した部分にある。

リフレクター１８は、上記傾斜した部分に比べてランプ軸線ＡＸに近い部分である内周部分１８ｂを有する。内周部分１８ｂは、口金保持部１１の外周を環状に取り囲む。内周部分１８ｂは、ランプ軸線ＡＸに対して垂直な板状である。

光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部は、反射部１８ａに到達する。図９中の光線Ｒ３は、光源基板５の半導体光源５ａから放射されて反射部１８ａに到達する光の一例である。反射部１８ａは、その光を拡散反射または鏡面反射させる。反射部１８ａにより反射された光は、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａに照射される。図９中の光線Ｒ４は、反射部１８ａにより反射されて第一面８ａに照射される光の一例である。このようにして、反射部１８ａは、光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部を、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａへ反射させる。本実施の形態における反射部１８ａは、第一面８ａを照らす照明手段の例である。反射部１８ａにより反射された光の一部は、ヒートシンク４のフィン９にも照射される。よって、反射部１８ａは、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。

本実施の形態であれば、実施の形態１の効果に加えて、リフレクター１８を上記の形状にしたことで、さらに以下の効果が得られる。光源基板５からの光を反射部１８ａがより効率良く反射させることができる。このため、ヒートシンク４をより明るく照らすことができ、周方向における輝度ムラをより小さくできる。照明器具のグローブに半導体ランプ１７を入れて使用する場合に、当該グローブとリフレクター１８とが接触しにくくなる。

実施の形態４．
次に、図１０を参照して、実施の形態４について説明するが、前述した実施の形態との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。

図１０は、実施の形態４による半導体ランプ２０を示す斜視図である。図１０に示す半導体ランプ２０は、実施の形態１の半導体ランプ１と比べて、リフレクター７に代えてリフレクター２１を備える点で異なる。リフレクター２１は、実施の形態３のリフレクター１８に類似した構成を有する。リフレクター２１は、リフレクター１８のうちの内周部分１８ｂを除去したものに相当する。

半導体ランプ２０は、光を透過させる端面カバー２２を備える。端面カバー２２は、上記除去された内周部分１８ｂを塞ぐように配置される。端面カバー２２は、口金保持部１１の外周を環状に取り囲む。端面カバー２２は、ランプ軸線ＡＸに対して垂直な板状である。端面カバー２２は、光源基板５からの光を、ベース部８の長手方向へ向かって透過させる。端面カバー２２は、光源基板５からの光を、近位方向へ透過させる。端面カバー２２は、光を拡散透過させることが望ましい。端面カバー２２の材質は、側面カバー６と同一または類似の材質とすることができる。本実施の形態であれば、端面カバー２２を備えたことで、近位方向にも良好に配光できる。

リフレクター２１は、複数の反射部２１ａを備える。各々の発光ユニット３に対して反射部２１ａが設けられている。反射部２１ａの構成及び機能は、実施の形態３における反射部１８ａと同じである。反射部２１ａは、端面カバー２２に隣接する。端面カバー２２に対して半径方向外方に反射部２１ａが位置する。本実施の形態であれば、反射部２１ａが端面カバー２２に隣接するように構成したことで、反射部２１ａ及び端面カバー２２を小さいスペースに設けることが可能となる。

本実施の形態では、半導体ランプ２０の近位端側に端面カバー２２を配置する例を説明した。このような構成に限らず、半導体ランプ２０の遠位端側にも端面カバーを備えてもよい。光源基板５からの光を、遠位端側の端面カバーから、ベース部８の長手方向へ向かって透過させることで、遠位方向にも良好に配光できる。

実施の形態５．
次に、図１１を参照して、実施の形態５について説明するが、前述した実施の形態との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。

図１１は、実施の形態５による半導体ランプ２３を示す斜視図である。半導体ランプ２３は、実施の形態１の半導体ランプ１と比べて、リフレクター７に代えて、複数のリフレクター２４を備える点で異なる。各々のリフレクター２４は、各々の発光ユニット３に対して設けられている。近位端側から半導体ランプ２３を見たとき、複数のリフレクター２４は、中央部分から複数の発光ユニット３の方向へ放射状に突出する。複数のリフレクター２４は、実施の形態３のリフレクター１８を部分的に切り取ったものに相当する。リフレクター２４は、反射部２４ａを備える。反射部２４ａの構成及び機能は、実施の形態３における反射部１８ａと同じである。

周方向に隣り合う２個のリフレクター２４同士の間に、開口２５が形成される。開口２５は、リフレクター２４の縁部と側面カバー６の近位端とで囲まれて形成される。ランプ内部空間からランプ外部空間へ、またはその逆へ、開口２５を通って空気が通過可能である。これにより、ランプ内部空間に熱気がこもることを防止できるので、半導体光源５ａの温度をより低くでき、半導体光源５ａの発光効率をより高くでき、半導体光源５ａの寿命をより長くできる。

実施の形態６．
次に、図１２を参照して、実施の形態６について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。

図１２は、実施の形態６による半導体ランプ２６を示す斜視図である。半導体ランプ２６は、実施の形態１の半導体ランプ１の構成に加えて、反射部２７及び２８をさらに備える。反射部２７及び２８は、側面カバー６と一体的に形成されている。反射部２７及び２８は、側面カバー６に隣接する。側面カバー６の内面及び外面は、反射部２７及び２８の内面及び外面に連続する。

反射部２７は、ベース部８の長手方向の中央部分において第一面８ａと対向する。ヒートシンク４は、フィン９が切り欠かれた切欠き部２９を有する。切欠き部２９は、反射部２７と対向する位置のフィン９が切り欠かれた領域である。

光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部は、切欠き部２９を通って反射部２７の内面に到達する。反射部２７は、その光を拡散反射または鏡面反射させる。反射部２７により反射された光は、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａに照射される。このようにして、反射部２７は、光源基板５からの光を、ベース部８の第一面８ａへ反射させる。本実施の形態における反射部２７は、第一面８ａを照らす照明手段の例である。反射部２７により反射された光の一部は、フィン９にも照射される。よって、反射部２７は、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。

本実施の形態における反射部２７は、ベース部８の長手方向の中央部分から第一面８ａを照らす中央照明部の例である。このように、ベース部８の長手方向の中央部分から中央照明部が第一面８ａを照らすように構成することで、ベース部８の長手方向の中央部分及びその近くをより明るく照らすことが可能となる。

反射部２７は、一部の光を反射させ、残りの光を透過させてもよい。すなわち、光源基板５から切欠き部２９を通って反射部２７の内面に到達した光の一部は、反射部２７を透過してランプ外部空間へ出射してもよい。

半導体ランプ２６では、ヒートシンク４の近位端とリフレクター７との距離が実施の形態１に比べて大きい。反射部２８は、ヒートシンク４の近位端と、リフレクター７の外縁との間にある。

光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部は、反射部２８の内面に到達する。光源基板５からの光が、直接、反射部２８の内面に到達してもよい。光源基板５からの光が、リフレクター７で反射した後に反射部２８の内面に到達してもよい。反射部２８は、それらの光を拡散反射または鏡面反射させる。反射部２８により反射された光は、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａに照射される。このようにして、反射部２８は、光源基板５からの光を、ベース部８の第一面８ａへ反射させる。本実施の形態における反射部２８は、第一面８ａを照らす照明手段の例である。反射部２８により反射された光の一部は、フィン９にも照射される。よって、反射部２８は、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。

本実施の形態では、反射部２８は、ベース部８の長手方向の位置に関して、口金２とベース部８との間の位置にある。このような位置に反射部２８が配置されることで、ランプ外部空間へ放射される光を反射部２８が遮らないようにできる。

本実施の形態における反射部２８は、ベース部８の長手方向の一端すなわち近位端から第一面８ａを照らす照明部の例である。このように、ベース部８の長手方向の一端から照明部が第一面８ａを照らすように構成することで、ランプ外部空間へ放射される光を当該照明部が遮らないようにできる。反射部２８は、一部の光を反射させ、残りの光を透過させてもよい。すなわち、光源基板５から反射部２８の内面に到達した光の一部は、反射部２８を透過してランプ外部空間へ出射してもよい。

本実施の形態であれば、反射部２７及び２８を側面カバー６と一体的に形成したことで、部品点数を増やすことなく、周方向の輝度ムラをさらに小さくすることが可能となる。

実施の形態７．
次に、図１３を参照して、実施の形態７について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。

図１３は、実施の形態７による半導体ランプ３０の一部を示す斜視図である。半導体ランプ３０の光源基板５は、半導体光源５ａに加えて、少なくとも一つの第二半導体光源５ｃをさらに備える。光源基板５へ供給された直流電力により第二半導体光源５ｃが点灯する。半導体光源５ａは、第一半導体光源に相当する。半導体光源５ａの光軸方向は、ランプ軸線ＡＸに対して垂直である。半導体光源５ａの光軸方向は、ベース部８の第二面８ｂに対して垂直である。第二半導体光源５ｃの光軸方向は、半導体光源５ａの光軸方向とは異なる方向である。第二半導体光源５ｃの光軸方向は、ランプ軸線ＡＸに垂直な平面に対して傾斜している。第二半導体光源５ｃの光軸方向は、リフレクター７の反射部７ｂに近づくように延びる。第二半導体光源５ｃは、リフレクター７の反射部７ｂに向かって光を放射する。

本実施の形態であれば、第二半導体光源５ｃを備えたことで、反射部７ｂで反射してベース部８の第一面８ａに照射される光の量をより多くすることができる。このため、実施の形態１に比べて、ヒートシンク４をより明るく照らすことができ、周方向における輝度ムラをさらに軽減できる。

実施の形態８．
次に、図１４から図１６を参照して、実施の形態８について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。

図１４は、実施の形態８による半導体ランプ３２を示す斜視図である。図１５は、図１４に示す半導体ランプ３２をランプ軸線ＡＸに沿う視線で見た図である。図１５は、半導体ランプ３２を遠位側から見た図である。図１６は、図１４に示す半導体ランプ３２の断面図である。図１６は、ランプ軸線ＡＸを含む平面での断面図である。

これらの図に示す半導体ランプ３２は、実施の形態１の半導体ランプ１と比べて、リフレクター７に代えて、基板部３３を備える点で異なる。図１４に示すように、基板部３３は、ヒートシンク４の近位端に設置されている。

図１５に示すように、基板部３３は、少なくとも一つの半導体光源３３ａを有する。半導体光源３３ａとしては、半導体光源５ａについて説明したようなものを用いることができる。本実施の形態における基板部３３は、複数の半導体光源３３ａを有する。ランプ軸線ＡＸに沿う視線で見たとき、複数の半導体光源３３ａは、それぞれ、フィン９同士の間に位置する。基板部３３の半導体光源３３ａから発せられた光の少なくとも一部は、フィン９同士の間を通って、ベース部８の第一面８ａに照射される。半導体光源３３ａは、図示しない透明カバーにより覆われることで保護されることが望ましい。

本実施の形態における基板部３３は、ベース部８の第一面８ａを照らす照明手段の例である。基板部３３が発した光の一部は、ヒートシンク４のフィン９にも照射される。よって、基板部３３は、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。

本実施の形態であれば、基板部３３から発せられた光が第一面８ａを照らすことで、実施の形態１と同一または類似の効果が得られる。すなわち、周方向における輝度ムラを軽減できる。

本実施の形態では、基板部３３は、ヒートシンク４のベース部８の長手方向の位置に関して、口金２とベース部８との間の位置にある。このような位置に基板部３３が配置されることで、ランプ外部空間へ放射される光を基板部３３が遮らないようにできる。

本実施の形態における基板部３３は、ベース部８の長手方向の一端すなわち近位端から第一面８ａを照らす照明部の例である。このように、ベース部８の長手方向の一端から照明部が第一面８ａを照らすように構成することで、ランプ外部空間へ放射される光を当該照明部が遮らないようにできる。

本実施の形態であれば、基板部３３から発せられた光を、直接、ベース部８の第一面８ａに照射できる。このため、実施の形態１に比べて、ベース部８の第一面８ａの輝度をさらに高くできる。

図１６に示すように、口金２からの配線１４は、光源基板５だけでなく、基板部３３にも接続されている。口金２に印加された電力により、光源基板５の半導体光源５ａと、基板部３３の半導体光源３３ａとの双方が点灯する。本実施の形態であれば、簡単な構成で光源基板５及び基板部３３の双方に電力を供給できる。

本実施の形態では、ヒートシンク４の近位端に基板部３３を設置した例を説明した。このような構成に代えて、ヒートシンク４の遠位端に基板部３３を設置してもよい。ヒートシンク４の近位端及び遠位端の両方に基板部３３を設置してもよい。

実施の形態９．
次に、図１７を参照して、実施の形態９について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。

図１７は、実施の形態９による半導体ランプ３４の一部を示す斜視図である。半導体ランプ３４は、実施の形態５で説明したリフレクター２４と、実施の形態８で説明した基板部３３との双方を備える。本実施の形態であれば、リフレクター２４からの反射光と、基板部３３から直接照射される光との両方でベース部８の第一面８ａを照らすことができる。このため、ベース部８の第一面８ａの輝度をさらに高くでき、周方向における輝度ムラをより小さくできる。基板部３３は、実施の形態５以外の他の実施の形態にも組み合わせ可能であることは言うまでもない。

１ 半導体ランプ、 ２ 口金、 ３ 発光ユニット、 ４ ヒートシンク、 ５ 光源基板、 ５ａ 半導体光源、 ５ｃ 第二半導体光源、 ６ 側面カバー、 ７ リフレクター、 ７ｂ 反射部、 ８ ベース部、 ８ａ 第一面、 ８ｂ 第二面、 ９ フィン、 １０ 支持体、 １１ 口金保持部、 １４ 配線、 １５ 半導体ランプ、 １６ リフレクター、 １６ａ 反射部、 １７ 半導体ランプ、 １８ リフレクター、 １８ａ 反射部、 ２０ 半導体ランプ、 ２１ リフレクター、 ２１ａ 反射部、 ２２ 端面カバー、 ２３ 半導体ランプ、 ２４ リフレクター、 ２４ａ 反射部、 ２６ 半導体ランプ、 ２７，２８ 反射部、 ３０，３２ 半導体ランプ、 ３３ 基板部、 ３３ａ 半導体光源、 ３４ 半導体ランプ

Claims (13)

1. 半導体ランプにおいて、
   前記半導体ランプの外側に面する第一面と、前記第一面と反対側の第二面とを有する板状のベース部と、前記ベース部の前記第一面から突出するフィンとを備えるヒートシンクと、
   前記ベース部の前記第二面に設置され、少なくとも一つの半導体光源を有する光源基板と、
   前記ベース部の前記第一面を照らす照明手段と、
   を備える半導体ランプ。
2. ランプ軸線を中心とする周方向に間隔をおいて配置された複数の発光ユニットを備え、
   前記複数の発光ユニットのそれぞれは、前記ヒートシンク及び前記光源基板を備え、
   前記複数の発光ユニットのそれぞれの前記光源基板が前記半導体ランプの内側に面する請求項１に記載の半導体ランプ。
3. 前記複数の発光ユニットは、前記周方向に隣り合う第一発光ユニット及び第二発光ユニットを含み、
   前記第一発光ユニット及び前記第二発光ユニットの間の開口を覆い、光を透過させる側面カバーを備える請求項２に記載の半導体ランプ。
4. 前記照明手段は、前記光源基板からの光を前記ベース部の前記第一面へ反射させる少なくとも一つの反射部を備え、
   前記少なくとも一つの反射部は、前記側面カバーと一体的に形成された反射部を含む請求項３に記載の半導体ランプ。
5. 前記照明手段は、前記光源基板からの光を前記ベース部の前記第一面へ反射させる少なくとも一つの反射部を備える請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体ランプ。
6. 電気ソケットに対して接続可能な口金を備え、
   前記少なくとも一つの反射部は、前記ベース部の長手方向の位置に関して前記口金と前記ベース部との間の位置にある反射部を含む請求項４または請求項５に記載の半導体ランプ。
7. 前記光源基板からの光を前記ベース部の長手方向へ向かって透過させる端面カバーを備え、
   前記少なくとも一つの反射部は、前記端面カバーに隣接する反射部を含む請求項４から請求項６のいずれか一項に記載の半導体ランプ。
8. 前記光源基板の前記少なくとも一つの半導体光源は、第一半導体光源及び第二半導体光源を含み、
   前記第二半導体光源の光軸方向は、第一半導体光源の光軸方向とは異なる方向であり、
   前記第二半導体光源は、少なくとも一つの前記反射部に向かって光を放射する請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の半導体ランプ。
9. 前記照明手段は、半導体光源を有する基板部を備え、
   前記照明手段の前記基板部から発せられた光が前記ベース部の前記第一面へ照射される請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の半導体ランプ。
10. 電気ソケットに対して接続可能な口金を備え、
    前記口金に印加された電力により、前記光源基板の前記少なくとも一つの半導体光源と、前記照明手段の前記半導体光源との双方が点灯する請求項９に記載の半導体ランプ。
11. 前記照明手段は、前記ベース部の長手方向の一端から前記第一面を照らす照明部を備える請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体ランプ。
12. 前記照明手段は、前記ベース部の長手方向の一端から前記第一面を照らす第一照明部と、前記ベース部の長手方向の他端から前記第一面を照らす第二照明部とを備える請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体ランプ。
13. 前記照明手段は、前記ベース部の長手方向の中央部分から前記第一面を照らす中央照明部を備える請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の半導体ランプ。

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