JPWO2018052045A1 - 基板接着方法及び積層体の製造方法 - Google Patents

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Abstract

従来よりも簡便な方法で精密微細空間を形成することができる基板接着方法、及び、該基板接着方法を用いて積層体を製造する方法を提供すること。支持フィルム上に形成されたホトレジストパターンの上記支持フィルムと反対側の面上に第１の基板を接し、上記支持フィルム、上記ホトレジストパターン及び上記第１の基板を圧着する第１圧着工程、上記圧着後の上記支持フィルムを剥離する支持フィルム剥離工程、並びに、上記ホトレジストパターンの上記第１の基板と反対側の面上に第２の基板を接し、上記第１の基板、上記ホトレジストパターン及び上記第２の基板を圧着する第２圧着工程を含む、基板接着方法。

Description

本発明は、基板接着方法及び積層体の製造方法に関する。
近年、産業分野において、各種製品の中に精密微細空間を形成し、更にこの微細空間を有する部材を形成することによって、様々な作用を得る技術が注目されている。例えば、半導体デバイスの中に精密微細空間を構成し、この空間に存在する空気層を誘電体層として用いる技術や、精密微細空間を多数形成し、内部に電気的あるいは熱的に圧力を発生する素子を内蔵して、精密微細空間に充填したインク等の液体を定量的かつ連続的に吐出する液体吐出装置等の技術が開発されている。
このような精密微細空間の形成方法として、例えば、精密微細凹部を有する基板上に、フィルムを布設する工程を有する精密微細空間の形成方法において、第一ステージ上に基板を載置し、該第一ステージの外周を覆う第二ステージの最上面を該第一ステージの最上面よりも高くなるように設定し、上記基板上にフィルムを布設することよりなる方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
特開２００８−９６４号公報
また、精密微細空間の形成には、従来、感光性樹脂組成物層を支持フィルムと剥離フィルムとで挟むように積層してなるドライフィルムを用い、剥離フィルムを剥離して該感光性樹脂組成物層の面を基板に圧着した後、支持フィルムを剥離して露出させた該感光性樹脂組成物層にフォトリソグラフィ技術を適用してホトレジストパターンを形成した後、該ホトレジストパターンを上記基板と挟むように別の基板で積層して圧着し、該ホトレジストパターンがこれら２枚の基板に挟まれることにより精密微細空間を形成する方法が用いられてきた。
近年、精密微細空間の構造が複雑化してきており、例えば、複数の層で別個の精密微細空間をなす構造が積層されたような構造であっても作製できる方法が望ましい。しかしながら、上述した従来のフィルムを布設する方法では、精密微細空間をなす複数の構造を積層することが困難であった。また、精密微細空間の構造の複雑化に対応できるように、従来よりも自在に精密微細空間の構造を形成できることが望まれる。しかも、そのように複雑な構造であっても、できるだけ少ない工程数によって効率良く製造することが求められる。しかしながら、そのような精密微細空間を製造することができる方法は従来存在しなかった。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、従来よりも簡便な方法で精密微細空間を形成することができる基板接着方法、及び、該基板接着方法を用いて積層体を製造する方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、ドライフィルム等の支持フィルム上に形成されたホトレジストパターンの該支持フィルムと反対側の面上に第１の基板を圧着した後、該支持フィルムを第２の基板で置換して該ホトレジストパターンに圧着することにより、２枚の基板をホトレジストパターンを介して接着する方法を見出し、本発明を完成するに至った。該方法により、ホトレジストパターンが２枚の基板に挟まれて精密微細空間を形成することにもなる。
本発明の第一の態様は、支持フィルム上に形成されたホトレジストパターンの上記支持フィルムと反対側の面上に第１の基板を接し、上記支持フィルム、上記ホトレジストパターン及び上記第１の基板を圧着する第１圧着工程、
上記圧着後の上記支持フィルムを剥離する支持フィルム剥離工程、並びに、
上記ホトレジストパターンの上記第１の基板と反対側の面上に第２の基板を接し、上記第１の基板、上記ホトレジストパターン及び上記第２の基板を圧着する第２圧着工程
を含む、基板接着方法である。
本発明の第二の態様は、本発明の第一の態様の基板接着方法を用いる、第１の基板、ホトレジストパターン及び第２の基板をこの順に積層してなる積層体の製造方法である。
本発明によれば、従来よりも簡便な方法で精密微細空間を形成することができる基板接着方法、及び、該基板接着方法を用いて積層体を製造する方法を提供することができる。
本発明の基板接着方法における工程の模式的断面図である。 本発明に用いるホトレジストパターンが形成された支持フィルムの製造工程の一例を示す模式的断面図である。
＜＜基板接着方法＞＞
本発明の第一の態様の基板接着方法は、上述のように、第１圧着工程、支持フィルム剥離工程、及び、第２圧着工程を含む。
以下に、図１及び図２を適宜参照しながら詳細に説明する。尚、各図に示す本発明の実施態様はあくまでも一実施態様にすぎず、これらに限定されない。
＜第１圧着工程＞
本実施態様の基板接着方法における第１圧着工程は、支持フィルム上に形成されたホトレジストパターンの上記支持フィルムと反対側の面上に第１の基板を接し、上記支持フィルム、上記ホトレジストパターン及び上記第１の基板を圧着することを含む。
本実施態様において、ホトレジストパターンとしては特に限定されず、例えば、フォトリソグラフィ技術に用いることができる従来公知の感光性樹脂組成物から従来公知の方法により形成されるものを用いることができる。ホトレジストパターンは、支持フィルム上に形成されているものであれば特に限定されないが、通常、該支持フィルム、感光性樹脂組成物層及び剥離フィルムがこの順に積層されてなるドライフィルムを用いて好適に形成することができる。ドライフィルムについては後述する。
図１（１）の模式的断面図に示すように、本実施態様における第１圧着工程において、支持フィルム３上のホトレジストパターン２Ｒの該支持フィルム３と反対側の面上に第１の基板４を接する。このようにホトレジストパターン２Ｒに接した状態の第１の基板４は、ホトレジストパターンに対する位置としては、上述のドライフィルムにおいて剥離フィルムが存在していた所に位置することとなる。第１の基板については後述する。
第１圧着工程において、支持フィルム３、ホトレジストパターン２Ｒ及び第１の基板４をこの順に積層したものを、次に、圧着する。圧着は、公知の方法により行うことができる。第１圧着工程における圧着は、ホトレジストパターン２Ｒと第１の基板４とを少なくとも接着することができる条件で行えばよいが、好ましくは０．００１〜１０００ＭＰａ、より好ましくは０．０１〜５００ＭＰａ、更に好ましくは０．０５〜２００ＭＰａの条件下に行い、また、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１００〜３００℃、更に好ましくは１００〜２５０℃、更により好ましくは１００〜２００℃の条件下に行う。かかる圧着は、支持フィルム３、ホトレジストパターン２Ｒ及び第１の基板４の材質、厚さ等にもよるが、好ましくは１秒〜３０分、より好ましくは５秒〜１５分、更に好ましくは１０秒〜１０分行う。第１圧着工程における圧着は、第２圧着工程における圧着と同じ条件で行ってもよいが、後工程である第２圧着工程における圧着も施されることから、第２圧着工程における圧着よりも緩和された条件で行うことができ、特に温度は、第２圧着工程における圧着よりも低い温度であってもよい。
圧着としては、第１の基板を予め加熱（予熱）しておき、この上にホトレジストパターンと支持フィルムとが積層されてなる積層体を置いて押圧する、いわゆる熱圧着方式を用いることができ、第１の基板が金属製である場合、熱圧着方式を好ましく採用することができる。熱圧着は、例えば、第１の基板に加え又は第１の基板の代りに、圧着装置の被圧着物に接する部材の表面を予熱して行ってもよい。予熱温度としては、例えば、第１の基板が金属製である場合、第１の基板のホトレジストパターンと接する側の表面温度として、例えば、１００〜３００℃、好ましくは１００〜２００℃の範囲である。
ホトレジストパターン２Ｒは、特に限定されないが、圧着により基板と接着する程度の接着性を有するものが好ましい。かかる接着性は、後述の一般に用いられる感光性樹脂組成物から形成されるホトレジストパターンであれば、通常有する性質である。
＜支持フィルム剥離工程＞
本実施態様の基板接着方法における支持フィルム剥離工程は、上記圧着後の支持フィルムを剥離することを含む。
図１（２）の模式的断面図に示すように、本実施態様における支持フィルム剥離工程において、前工程である第１圧着工程において圧着された支持フィルム３、ホトレジストパターン２Ｒ及び第１の基材４がこの順に積層されてなる積層体から支持フィルム３が剥離される。支持フィルム３を剥離する方法としては特に限定されない。
＜第２圧着工程＞
本実施態様の基板接着方法における第２圧着工程は、ホトレジストパターンの第１の基板と反対側の面上に第２の基板を接し、上記第１の基板、上記ホトレジストパターン及び上記第２の基板を圧着することを含む。
図１（３）の模式的断面図に示すように、前工程である支持フィルム剥離工程において支持フィルムが剥離されることにより露出するホトレジストパターン２Ｒの面、すなわち、第１の基板４と反対側の面、つまり、前工程で剥離された支持フィルムが接着していた面に、第２の基板５を接する。
第２圧着工程において、上記のように第１の基板４、ホトレジストパターン２Ｒ及び第２の基板５をこの順に積層したものを、次に、圧着する。圧着は、第１圧着工程における圧着と同様に行うことができ、ギャングボンディングによる方法が好ましい。第２圧着工程における圧着は、ホトレジストパターン２Ｒと第２の基板５とを少なくとも接着することができる条件で行えばよく、好ましくは０．００１〜１０００ＭＰａ、より好ましくは０．０１〜５００ＭＰａ、更に好ましくは０．０５〜２００ＭＰａの条件下に行い、また、好ましくは１００〜３００℃、より好ましくは１００〜２５０℃、更に好ましくは１００〜２００℃の条件下に行う。かかる圧着は、ホトレジストパターン２Ｒ及び第２の基板５の材質、厚さ等にもよるが、好ましくは５秒〜３０分、より好ましくは１０秒〜１５分、更に好ましくは１５秒〜１０分行う。圧着は、好ましくは熱圧着であり、熱圧着は、第１圧着工程における熱圧着について上述した条件等と同様に行うことができる。
第１の基板及び第２の基板としては、同種のものであってもよいし、異なるものであってもよい。第１の基板及び第２の基板としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。該基板としては、例えば、シリコン、窒化シリコン、チタン、タンタル、パラジウム、チタンタングステン、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、エンジニアリングプラスチック、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂基板、ガラス基板等が挙げられる。
本実施態様において、第１の基板及び／又は第２の基板として、上述のホトレジストパターンと接する面の少なくとも一部に構造物を有するものであっても好ましく用いることができる。構造物は、例えば、第１の基板及び／又は第２の基板のホトレジストパターンと接する面の少なくとも一部に凹凸構造、特に凸構造を形成する構造物であってもよい。また、構造物は、電子部品用の基板等に設けられることが多い構造物であってよく、例えば、配線、回路、及び電極からなる群より選択される少なくとも１つであってよい。配線、回路、電極等の材料としては、例えば銅、ハンダ、クロム、アルミニウム、ニッケル、金等が用いられる。
以上の工程により、図１（４）の模式的断面図に示すように、第１の基板４、ホトレジストパターン２Ｒ及び第２の基板５をこの順に積層してなる積層体を得ることができる。ホトレジストパターン２Ｒが第１の基板４及び第２の基板５からなる２枚の基板に挟まれることにより、ホトレジストパターンの形状及び構造に基づく精密微細空間を形成することになる。
本実施態様において、上述の第１圧着工程に供する、支持フィルム上に形成されたホトレジストパターンは、典型例としては、図２（１）の模式的断面図に示すように、支持フィルム３、感光性樹脂組成物層２及び剥離フィルム１がこの順に積層されてなるドライフィルムを用いて形成することができる。
本実施態様において支持フィルムは、第１圧着工程における圧着に供することができるフィルムであれば特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム等が挙げられ、圧着に対する強度、ドライフィルムにおける汎用性の点でポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが好ましい。支持フィルムの厚みは、６〜３５０μｍであることが好ましく、１０〜１００μｍであることがより好ましい。支持フィルムは、光透過性を有するものであってもよく、また、ホトレジストパターンから容易に剥離できるように離型処理されているものであってもよい。
感光性樹脂組成物層を形成する感光性樹脂組成物としては、特に限定されず、例えば、ドライフィルムにおける感光性樹脂組成物層を形成するために通常用いられる感光性樹脂組成物を用いることができ、ポジ型感光性樹脂組成物であってもよく、ネガ型感光性樹脂組成物であってもよい。ここで、ポジ型感光性樹脂組成物は、非化学増幅系、化学増幅系の何れであってもよい。非化学増幅系ポジ型感光性樹脂組成物としては、例えば、キノンジアジド基含有化合物及びアルカリ可溶性樹脂を少なくとも含有するものが挙げられる。一方、化学増幅系ポジ型感光性樹脂組成物としては、例えば、酸解離性の脱離基を有し、当該脱離基が露光により光酸発生剤から発生する酸の作用で脱離することによりアルカリ可溶性が増大する樹脂、及び光酸発生剤を少なくとも含むものが挙げられる。また、ネガ型感光性樹脂組成物としては、例えば、アルカリ可溶性樹脂、光重合性モノマー、及び光重合開始剤を少なくとも含有する重合型のネガ型感光性樹脂組成物；アルカリ可溶性樹脂、架橋剤、及び酸発生剤を少なくとも含有する化学増幅型のネガ型感光性樹脂組成物；酸解離性の脱離基を有し、当該脱離基が露光により光酸発生剤から発生する酸の作用で脱離することにより極性が増大する樹脂、及び光酸発生剤を少なくとも含む溶剤現像プロセス用の化学増幅型ネガ型感光性樹脂組成物が挙げられる。
支持フィルム上に感光性樹脂組成物層を積層する方法としては特に限定されず、例えば、アプリケーター、バーコーター、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター等を用いて、支持フィルム上に乾燥後の膜厚が好ましくは５〜３００μｍ、より好ましくは１５〜１５０μｍ、特に好ましくは２０〜１３０μｍとなるように感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥させる方法を用いることができる。
ドライフィルムは、感光性樹脂組成物層の上に更に剥離フィルム１を有していてもよい。剥離フィルム１は、一般には保護フィルムと称されることもあり、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、及びポリエチレン（ＰＥ）フィルム等公知の種々のフィルムを用いることができ、これらを単独で使用してもよく、複数組み合わせて使用してもよい。なお、剥離フィルム１は、本実施態様においては剥離して用いる点で特に必要ではなく、従って、剥離フィルムを有さないドライフィルムを本実施態様に供することもできる。
本実施態様の基材接着方法に供するホトレジストパターンとしては、支持フィルム上に積層した感光性樹脂組成物層に対して、位置選択的に露光した後、現像することを含む工程により形成されるものを用いることができる。ホトレジストパターンは、ドライフィルムから供する場合、図２（２）の模式的断面図に示すように、ドライフィルムの剥離フィルム１を剥離して、感光性樹脂組成物層２を露出させ、該感光性樹脂組成物層２から形成する。ホトレジストパターンのパターニングは、また、上記露光法以外にも、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング等のエッチングのほか、インプリント技術（インプリントリソグラフィ）、インクジェットプリント法等によっても行うことができる。
支持フィルム３上に積層された感光性樹脂組成物層２に対して、位置選択的に露光する方法としては特に限定されず、ホトレジストパターンのパターン形状に応じて行う。感光性樹脂組成物層２に対する選択的露光は、通常、図２（３）の模式的断面図に示すように、ホトレジストパターンのパターン形状に応じた形状のマスク１０１を介して行う。露光に用いられる放射線としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、ｇ線ステッパー、ｉ線ステッパー等から放射される紫外線、電子線、レーザー光線等が挙げられる。露光量は、使用する光源や塗布膜の膜厚等によっても異なるが、通常、１〜１０００ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは１０〜５００ｍＪ／ｃｍ２である。
露光により、必要に応じて加熱（ＰＥＢ）を経て、図２（４）の模式的断面図に示すように、感光性樹脂組成物層２においてホトレジストパターンのパターン形状に応じた形状のレジスト部２Ｒが形成される。露光後加熱（ＰＥＢ）の条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚等によって異なるが、例えば、６０〜１５０℃、通常は７０〜１４０℃、好ましくは８０〜１３０℃の温度下に、例えば、３０秒〜６００秒間、通常は４５〜３００秒、好ましくは６０〜１８０秒である。尚、図２（３）（４）の模式的断面図には感光性樹脂組成物層をネガ型感光性樹脂組成物が形成する場合を示すが、本実施態様はこれに限定されず、ポジ型感光性樹脂組成物であってもよい。
位置選択的に露光された感光性樹脂組成物層を現像する方法としては、特に限定されず、一般に、図２（５）の模式的断面図に示すように、未硬化部分等の非レジスト部を、現像液を用いて溶解除去することにより行う。かかる除去後に支持フィルム３上に残存するレジスト部がホトレジストパターン２Ｒを構成することとなる。現像液としては、公知の現像液を用いることができ、例えば、アルカリ現像液、すなわちリチウム、ナトリウム、カリウム等アルカリ金属の水酸化物；テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウムヒドロキシド類；トリメチルスルホニウムヒドロキシド等のスルホニウムヒドロキシド類からなる水溶液；等の汎用のアルカリ現像液や、有機溶剤、すなわちアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテル等の多価アルコール類（（ポリ）アルキレングリコール等）及びその誘導体（（ポリ）アルキレングリコールモノアルキルエーテル、（ポリ）アルキレングリコールジアルキルエーテル、（ポリ）アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート等）；乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類を用いることができる。
現像後の処理として、必要に応じて、流水等により洗浄した後、感光性樹脂組成物に用いた樹脂の種類に応じて、６０〜２５０℃程度の加熱、又は１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２程度の露光を行うことにより、ホトレジストパターンを更に硬化させてもよい。
本実施態様の基板接着方法には、上述したドライフィルムに限定されず、市販されているドライフィルムを幅広く好適に用いることができる。市販のドライフィルムを用いる場合、剥離フィルムないし保護フィルムを剥離して、露出させた感光性樹脂組成物層に対して、目的に応じて例えば上述のように位置選択的に露光した後、現像することを含む工程によりホトレジストパターンを形成したものを、本実施態様の基板接着方法における上述の第１圧着工程に供することができる。このように、本実施態様の基板接着方法は、市販のドライフィルムをも好適に適用することができ、汎用性が高く有用な方法である。
＜＜積層体の製造方法＞＞
本発明の第一の態様である基板接着方法を用いる、第１の基板、ホトレジストパターン及び第２の基板をこの順に積層してなる積層体を製造する方法もまた、本発明の一つである。かかる本発明の第二の態様である積層体の製造方法においても、第１の基板、ホトレジストパターン及び第２の基板については、本発明の第一の態様である基板接着方法において上述したとおりである。
本実施態様は、ホトレジストパターンの形成を、従来のように基板上で直接行うのではなく、上述のように、支持フィルム上で行うものである。本実施態様は、このように予め支持フィルム上に形成したホトレジストパターンを第１の基板上にいわば転写した上で、支持フィルムを剥離して代りに第２の基板を圧着するものである。従って、本実施態様によれば、第１の基板上及び第２の基板上で直接ホトレジストパターンを形成する必要がない。
これにより、本実施態様においては、第１の基板及び第２の基板として、上述の第１圧着工程及び第２圧着工程における圧着に供することができる程度の強度があれば、また、該圧着として熱圧着を行う場合は該熱圧着に供することができる程度の強度及び耐熱性があれば、何れも特に限定されることなく、種々の基板を用いることができる。
本実施態様においては、ホトレジストパターンと接する面に、圧着、露光及び現像からなる群より選択される少なくとも１つの工程、並びに／又は、感光性樹脂組成物により変化を生じる部位を有する基板であっても、第２の基板として用いることができるほか、特に、第１の基板として用いることができ、また、第１の基板及び第２の基板として用いることもできる。従来の方法では、ホトレジストパターンの形成を基板上で直接行うことにより、例えば、圧着工程において負荷される圧力；圧着工程における圧着として熱圧着を行う場合は圧力及び熱；露光工程において照射されるｇｈｉ線等の放射線；現像工程において暴露されるアルカリ水溶液、有機溶剤等の現像液；感光性樹脂組成物に含有される有機溶剤その他の各種化学品との接触；ホトレジストパターン形成過程における感光性樹脂組成物層及び／又はそのレジスト部の硬化のための放射線照射、加熱；等のように、熱、放射線、圧力等の負荷を受け、また、各種化学品に暴露されると、一般に、変質、ダメージ等の化学的及び／又は物理的な変化のような何らかの変化が基板上に生じるおそれがある。例えば、ホトレジストパターンと接する面に上述の構造物を有する基板は、このようなおそれが強い場合がある。従って、基板上で直接ホトレジストパターンを形成する従来法においては、かかる変化を生じる部位をホトレジストパターンと接する面に有する基板を用いることができなかった。これに対し本実施態様は、上述のようにホトレジストパターンを支持フィルム上で形成し、基板上では直接形成しないので、上記の変化を受けるおそれがないか又は極力抑えられる。本実施態様は、この点においても、種々の基板を用いることができ、汎用性が高く有用な方法である。
本実施態様において、上述のように、ホトレジストパターンと接する面の少なくとも一部に構造物を有する基板を、第２の基板として用いることができるほか、特に、第１の基板として用いることができ、また、第１の基板及び第２の基板として用いることもできる。本実施態様は、このように、多様な基板を用いることができ、しかも、ホトレジストパターンと接する面の少なくとも一部に構造物を有する基板であっても、第１の基板か第２の基板かの別なく自在に用いることができる。本実施態様は、このように、精密微細空間を形成する方法に自由度を与えるので、多様なニーズに応じて精密微細空間を設計することを可能にする。これに対し、基板上で直接ホトレジストパターンを形成する従来法においては、最初にホトレジストパターンと接するという点で本実施態様における第１の基板に相当する基板は、ホトレジストパターンと接する面の少なくとも一部に上述のような構造物を有する基板であれば、該面上で直接ホトレジストパターンを形成する際に生じ得る上述の変化を避ける必要から、用いることができなかった。
本実施態様の方法は、以上のように、従来よりも工程数が少なく簡便な方法で精密微細空間を形成することを可能にする方法である。本実施態様の方法は、また、第１の基板及び第２の基板でホトレジストパターンを挟んでなる積層体を形成することができ、かかる積層体は、一般に強度のある２枚の基板が外形をなすものであるので、寸法精度に優れた精密微細空間を有する部材を製造することができ、また、複数積み重ねることも容易である。従って、本実施態様の方法を繰り返し用いることにより、例えば、ホトレジストパターンを基板を介して積層することができるので、複数の層で別個の精密微細空間をなす構造が積層されたような構造であっても容易に製造することができる。本実施態様は、このように、精密微細空間の構造の複雑化にも対応できる方法である。しかも、本実施態様は、複雑な構造であっても、できるだけ少ない工程数によって効率良く製造することを可能にする。
＜＜積層体＞＞
本発明により得られる第１の基板、ホトレジストパターン及び第２の基板をこの順に積層してなる積層体は、ホトレジストパターンが２枚の基板に挟まれて形成する精密微細空間を含む構造体である。かかる積層体は、特に限定されないが、例えば、精密微細空間を提供する部材として、主に電子部品内に形成されたもの、例えば、半導体ウェーハと透明基板との間のスペーサ、微細な構造を有する精密微細空間の形成等に好ましく用いることができ、例えば、ＳＡＷフィルター、インクジェットヘッド、レジスト液滴吐出ヘッド、ＤＮＡ液滴吐出ヘッド等の液体吐出ヘッド等に用いることができる他、例えば、マイクロ光アレイ、マイクロスイッチ、マイクロリレー、光スイッチ、圧力センサ等に使用することができる。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
支持フィルムとして用いるＰＥＴフィルム上に、アプリケーターにより感光性樹脂組成物としてドライフィルムレジストＴＭＭＲ Ｓ２０００（東京応化工業社製）を塗布し、乾燥した塗布膜に、剥離フィルムとしてＰＥＴフィルムを積層し、図２（１）の模式的断面図に示すように、支持フィルム３、膜厚５０μｍの感光性樹脂組成物層２及び剥離フィルム１がこの順に積層されてなるドライフィルムを得た。
得られたドライフィルムについて、図２（２）の模式的断面図に示すように、該ドライフィルムの剥離フィルム１を剥離し、図２（３）の模式的断面図に示すように、露出させた感光性樹脂組成物層２に対し、マスク１０１を介して、Ｐｒｉｓｍａ ＧＨＩ（ウルトラテック社製）を用いて２５０ｍＪ／ｃｍ２の照射量でｇｈｉ線で位置選択的に露光した後、図２（４）の模式的断面図に示すように、ホットプレート（図示せず）上に支持フィルム３側が接するように載置して８０℃で５分間の露光後加熱（ＰＥＢ）を行ってレジスト部２Ｒを形成し、次いで、図２（５）の模式的断面図に示すように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を感光性樹脂組成物層に滴下して、２３℃で６０秒間放置し、これを４回繰り返して現像した後、窒素ブローしてホトレジストパターン２Ｒを得た。
図１（１）の模式的断面図に示すように、得られた支持フィルム３上に形成されたホトレジストパターン２Ｒの該支持フィルム３と反対側の面上に第１の基板４を接し、支持フィルム３、ホトレジストパターン２Ｒ及び第１の基板４を１５０℃、１００ＭＰａで圧着する第１圧着工程を行った。次に、図１（２）の模式的断面図に示すように、支持フィルム３を剥離する支持フィルム剥離工程を経て、図１（３）の模式的断面図に示すように、ホトレジストパターン２Ｒの第１の基板４と反対側の面上に第２の基板５を接し、第１の基板４、ホトレジストパターン２Ｒ及び第２の基板５を２００℃、１００ＭＰａで圧着する第２圧着工程により、図１（４）の模式的断面図に示すように、第１の基板４、ホトレジストパターン２Ｒ及び第２の基板５がこの順に積層されてなる積層体を得た。
１ 剥離フィルム
２ 感光性樹脂組成物層
２Ｒ 感光性樹脂組成物層におけるレジスト部ないしホトレジストパターン
３ 支持フィルム
４ 第１の基板
５ 第２の基板
１０１ マスク

Claims (9)

  1. 支持フィルム上に形成されたホトレジストパターンの前記支持フィルムと反対側の面上に第１の基板を接し、前記支持フィルム、前記ホトレジストパターン及び前記第１の基板を圧着する第１圧着工程、
    前記圧着後の前記支持フィルムを剥離する支持フィルム剥離工程、並びに、
    前記ホトレジストパターンの前記第１の基板と反対側の面上に第２の基板を接し、前記第１の基板、前記ホトレジストパターン及び前記第２の基板を圧着する第２圧着工程
    を含む、基板接着方法。
  2. 前記ホトレジストパターンは、前記支持フィルム上に積層した感光性樹脂組成物層に対して、位置選択的に露光した後、現像することを含む工程により形成され、
    前記支持フィルムがＰＥＴフィルムである、請求項１記載の基板接着方法。
  3. 前記第１の基板は、前記ホトレジストパターンと接する面に、前記圧着、前記露光及び前記現像からなる群より選択される少なくとも１つの工程、並びに／又は、前記感光性樹脂組成物により変化を生じる部位を有する、請求項１又は２記載の基板接着方法。
  4. 前記第１の基板は、前記ホトレジストパターンと接する面の少なくとも一部に構造物を有する、請求項１〜３の何れか１項記載の基板接着方法。
  5. 前記構造物は、配線、回路、及び電極からなる群より選択される少なくとも１つである、請求項４記載の基板接着方法。
  6. 前記第１圧着工程における前記圧着は０．００１〜１０００ＭＰａの条件下に行う、請求項１〜５の何れか１項記載の基板接着方法。
  7. 前記第１圧着工程における前記圧着は、１００℃以上の条件下に行う、請求項１〜６の何れか１項記載の基板接着方法。
  8. 前記第２圧着工程における前記圧着は、１００〜３００℃及び０．００１〜１０００ＭＰａの条件下に行う、請求項１〜７の何れか１項記載の基板接着方法。
  9. 請求項１〜８の何れか１項記載の基板接着方法を用いる、第１の基板、ホトレジストパターン及び第２の基板をこの順に積層してなる積層体の製造方法。
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