JPWO2018012223A1 - 塗布液、その製造方法、電子デバイス作製用インク、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び光電変換素子 - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 191
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 164
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 242
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 121
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 121
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 93
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 78
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 187
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 122
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 47
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 37
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 36
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 30
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 23
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 310
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 182
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 86
- 239000010408 film Substances 0.000 description 85
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 65
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 63
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 63
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 44
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 39
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 35
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 34
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 31
- 230000006870 function Effects 0.000 description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 26
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 23
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 14
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 14
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 14
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 11
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 11
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000002336 sorption--desorption measurement Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 238000004808 supercritical fluid chromatography Methods 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 7
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 4
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 4
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N Carbon disulfide Chemical compound S=C=S QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005526 G1 to G0 transition Effects 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound OCC(F)(F)C(F)F NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- MBMBGCFOFBJSGT-KUBAVDMBSA-N all-cis-docosa-4,7,10,13,16,19-hexaenoic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCC(O)=O MBMBGCFOFBJSGT-KUBAVDMBSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940045985 antineoplastic platinum compound Drugs 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 150000003284 rhodium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGTWZHXOSWQKCY-UHFFFAOYSA-N 1,8-Octanedithiol Chemical compound SCCCCCCCCS PGTWZHXOSWQKCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRGVRURTPPUEDB-UHFFFAOYSA-N 2-methylidene-3h-furan Chemical class C=C1CC=CO1 IRGVRURTPPUEDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNPLRTWSLDSFET-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)O1 PNPLRTWSLDSFET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWFFDTZNRAEFIY-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(4-methoxyphenyl)aniline Chemical group C1=CC(OC)=CC=C1C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 PWFFDTZNRAEFIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(C)C)C)C1=CC=CC=C1 AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-phenylcyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCC(CC1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]propan-2-yl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C)(C)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-phenylmethyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229920000623 Cellulose acetate phthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical class [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 238000001159 Fisher's combined probability test Methods 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- SPEUIVXLLWOEMJ-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde dimethyl acetal Natural products COC(C)OC SPEUIVXLLWOEMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 101150059062 apln gene Proteins 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical group 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229940081734 cellulose acetate phthalate Drugs 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 150000008422 chlorobenzenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N ctk1a7239 Chemical compound C12=CC=CC=C2N2CC=CC3=NC=CC1=C32 VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 1
- 229940090949 docosahexaenoic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000020669 docosahexaenoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000007876 drug discovery Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011067 equilibration Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 1
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M isovalerate Chemical compound CC(C)CC([O-])=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N naphthalene perylene Chemical group C1=CC=CC2=CC=CC=C21.C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 150000002908 osmium compounds Chemical class 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol;zinc Chemical compound [Zn].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005838 radical anions Chemical class 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000009789 rate limiting process Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- 210000002374 sebum Anatomy 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000025 triisopropylsilyl group Chemical group C(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)* 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
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- H10K71/10—Deposition of organic active material
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Abstract
Description
有機化合物を利用した電子デバイス、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子(organic elec特開2010−272619号公報、特開2014−078742号公報等に記載の手法を用いることができる。troluminescent diode:「OLED」、「有機EL素子」ともいう。)、有機光電変換素子、及び有機トランジスタなどの種々の電子デバイスが開発され、それらの技術的進展に伴い、様々な産業・市場分野での普及が進んでいる。
例えば、有機電子デバイスの典型的例である有機EL素子は、ディスプレイや照明、インジケータなどの様々な分野で利用が始まり、既に液晶ディスプレイや発光ダイオード(light emitting diode:LED)と共に現在の生活に入り込み、これから飛躍的普及拡大期を迎えようとしている。
しかし、有機EL素子等の有機電子デバイスの発展を促進するためには、その研究・開発過程で解決しなければならない問題は数多く残存している。とりわけ、有機化合物を利用することに由来する種々の問題が、各種有機電子デバイスに共通するあるいは特有の問題として残存している。これらの解決すべき問題は、量子効率や発光寿命等の性能の一層の向上と、生産性の一層の向上すなわちコストダウンとに直結する究極的課題であると言える。
つまり、生産性が低いことを解決することは、有機EL素子を発展させるための必要条件であると言える。また、このことは、他の有機電子デバイス、例えば有機光電変換素子についても同様であると考えられる。
そこで、以下において、特に生産性に係る究極的課題の観点から、有機電子デバイスの典型的例である有機EL素子の製造に関する従来技術の問題点について説明する。
まず、有機機能層を形成する方法、すなわち真空蒸着法(「真空蒸着成膜法」ともいう。)と湿式塗布法(「ウエット・コーティング法」、「湿式塗布成膜法」ともいう。)に起因する問題点について述べる。
有機EL素子は、有機機能層の一つである発光層中に存在する発光材料(一般的には「ドーパント」ともいう。)に電子と正孔が注入され、その再結合が起こったときにできる励起子が、基底状態に戻る際に光を放出することを基本原理としている。
この励起子は、その名のとおり励起状態にある非常に活性な化学種であるため、容易に水分子や酸素分子と反応し、分解や変性などの化学変化又は状態変化を起こしやすく、発光性が減少してしまう。つまり、発光寿命が減少してしまう要因の1つである。
すなわち、発光層のような有機機能層を形成する際には、その形成過程において全く水分や酸素が入らない環境下で行う必要がある。
したがって、上述の水分や酸素による弊害防止と有機化合物をアモルファス状態にする必要性等の理由から、これまでの良好な性能を発揮する有機EL素子の有機機能層に対する成膜方法は、真空蒸着法によるものであった。既に量産化されているスマートフォン用の有機ELディスプレイも、大型テレビに使われる有機ELディスプレイも、有機機能層の成膜方法には蒸着法が採用されている。
しかしながら、真空蒸着法により有機EL素子を作製する場合、発光色再現方式に関する下記のような問題がある。
有機エレクトロルミネッセンスは自発光であり、発光色は発光層を構成する発光材料で一義的に決まるため、基本的には赤(Red:R)、緑(Green:G)、青(Blue:B)の画素ごとに、それぞれの発光色の有機EL素子を作り、それをアレイ化してディスプレイにする方法(RGBサイド・バイ・サイド方式)が採用されてきた。
この決定的な問題のため、スマートフォン用の小〜中型サイズのディスプレイは、RGBサイド・バイ・サイド方式で年間数億パネル生産されているにもかかわらず、50インチを越えるような大型ディスプレイにおいては、シャドーマスクの熱変形に端を発する製造歩留りが低く、大規模な生産は行われていない。
有機EL素子を構成する有機機能層は4層〜7層程度の積層構造を採り、さらに全体の層(膜)厚は100〜200nm程度である。これ以上薄すぎると、下地層となる電極の表面粗さの影響で、陽極と陰極が部分的に短絡してしまい、電流リーク現象が起こってしまう。
また、これよりも厚いと、有機EL素子の電荷伝導機構がオームの法則と異なり、チャイルド則にのっとる空間電荷制限電流(space charge limited current:SCLC)であるために、流れる電流密度は電極間距離の3乗に反比例してしまうことから、大幅な駆動電圧上昇が起こり、消費電力が大きくなってしまうという問題が生じる。
また、蒸着可能な低分子化合物であっても、化合物の分子構造と溶解させる溶媒を適切に選択することで、ナノメートルオーダーで平滑な塗布膜を形成することも可能であり、2010年にコニカミノルタは、低分子化合物を4層積層塗布して、高効率発光するリン光白色素子の試作品を発表している。
しかしながら、後で詳述するように、溶媒や有機材料(溶質)の精製及び取扱いにおいて、塗布液中に含有される溶存しやすい水分や酸素に起因する問題は十分に解決されていない。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
なお、本発明の理解を容易にするため、本発明に係る基本的方針と研究・開発の経緯について後述する。
50℃以下・大気圧の条件下での前記有機溶媒に対する溶存二酸化炭素濃度が、1ppm以上前記有機溶媒に対する飽和濃度以下の範囲内であることを特徴とする塗布液。
前記有機化合物と二酸化炭素とを混合する工程を有することを特徴とする塗布液の製造方法。
前述した又は後述するような技術的背景のもとでは、有機EL素子の製造方法において採用すべき技術としては、必然的に次に掲げるような選択になるものと推定している。
<製造方法に関する基本的方針>
(1)有機EL化合物は低分子化合物を使うことが好ましい(高分子化合物は好ましくない)
(2)成膜法は塗布法を使う(蒸着法は好ましくない)
(3)塗布液中の溶媒は汎用溶媒が好ましい(高価な脱水高純度溶媒は好ましくない)
(4)溶解は単分子状態が好ましい(微結晶分散液は好ましくない)
(5)化合物の精製には吸着−脱着平衡を活用するのが好ましい(熱平衡は好ましくない)
まずは、上記のような基本的方針にしたときに、方針(3)〜(5)を全て満たす方法を創出することが当面の技術課題であり、それを達成することが最も価値のある技術であると考え、それを達成する手段について、研究・開発を重ねてきた。
ところが、塗布プロセスで、一瞬でも大気に触れると、塗布溶液は直ちに酸素や水分を吸ってしまい、せっかく最善の注意を払って調製した脱水・脱酸素の塗布溶液が台無しになってしまい、有機EL素子の特性、とりわけ発光寿命に大きな劣化を招いてしまう。
我々が発見した現象は、塗布溶液の初期状態において、水や酸素は除いておくのだが、その溶液に飽和濃度に近い二酸化炭素を溶け込ませることにより、溶液自体が水や酸素を吸収しにくくなることである。
先にも述べたように、低分子化合物を塗布成膜する開発において、二酸化炭素の超臨界高速液体クロマトグラフィー(high performance liquid chromatography:HPLC)によって有機EL材料を精製する技術を見つけ出していた(特許第4389494号公報)。
しかし、成膜プロセスで空気に触れたり、塗布装置に微量に付着している水分等で汚染したりして、素子を作るたびに性能の変動が大きいという問題が見いだされた。
また、超臨界二酸化炭素のみならず、普通に溶解した有機EL材料の有機溶媒溶液に二酸化炭素ガスをバブリングさせるとか、接触させることでも同様の効果が発現することを見いだした。
さらに付け加えると、ここまでの説明は低分子化合物を用いた塗布成膜法による有機EL素子に関する記載であったが、これは代表的かつ最も効果的なアプリケーションの一つにすぎず、低分子化合物を塗布して成膜する他の電子デバイス、例えば、有機薄膜太陽電池、有機トランジスタ、有機化合物を用いた電極などにも同じ技術が適用できることは言うまでも無い。
(a)低分子化合物を溶解させた溶液に二酸化炭素を飽和に近い濃度で含有する塗布用の溶液
(b)二酸化炭素を超臨界状態で溶液に接触させた塗布用の溶液
(c)溶質が吸着−脱着平衡を経て溶媒に分散された塗布用の溶液
すなわち、超臨界二酸化炭素HPLC精製した溶離液を完全に濃縮乾固しない状態で使うことにより、上記(a)〜(c)は同時に達成されるものであるが、本発明はそれが前提ではなく、二酸化炭素と溶存させていることと、吸着−脱着平衡を経て溶媒に分散(つまり完全溶解)されているのであれば、方法は問わないものである。
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
本発明の塗布液は、50℃以下・大気圧の条件下での前記有機溶媒に対する溶存二酸化炭素濃度が、1ppm以上前記有機溶媒に対する飽和濃度以下の範囲内であることによって、塗布前後の溶液中に溶存している二酸化炭素が、ガス状の二酸化炭素として抜けていく際に、溶存酸素を一緒に溶液系外に持ち去ってくれ、また、溶液中に微量に含有している水も二酸化炭素との水素結合により除去される。さらに、飽和に近い濃度で残存している二酸化炭素によって、酸素や水の溶液系内への混入を防ぐことができる。その結果、高性能な電子デバイスを作製でき、かつ、歩留りを向上させることができる。本発明における二酸化炭素は、塗布液中の酸素や水の除去、及び塗布液内への酸素や水の混入を防ぐ目的で塗布液中に溶存させているのであって、例えば、噴霧するための媒体として用いるものではない。
前記塗布液が、電子デバイス作製用塗布液であることが、良好な性能の電子デバイスを作製することができる点で好ましく、前記電子デバイスが、発光デバイスであることが好ましい。
前記有機化合物と二酸化炭素とを混合する工程後に、前記有機化合物を含む溶液を用いて前記塗布液を製造することが好ましい。すなわち、塗布液中に含有されている二酸化炭素によって、成膜プロセスで空気に触れたり、塗布装置に微量に付着している水分が塗布液中にコンタミすることを防止できる点で好ましい。また、精製した有機化合物を、濃縮乾固させた後に、塗布成膜に相応しい溶媒に再溶解させて、塗布液を作製するといった工程を行う必要もない。
超臨界流体を用いて前記有機化合物を含む溶液中の物質を分離する工程を有することが、精製工程の効率化の点で好ましい。
本発明の塗布液は、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び光電変換素子の、各有機機能層の形成に好適に用いられる。
本発明の塗布液は、有機化合物と有機溶媒とを含む塗布液であって、50℃以下・大気圧の条件下での前記有機溶媒に対する溶存二酸化炭素濃度が、1ppm以上前記有機溶媒に対する飽和濃度以下の範囲内であることを特徴とする。
本発明は、前述のように、下記基本的方針(1)〜(5)に基づいて検討し、完成したものである。
(1)有機EL化合物は低分子化合物が好ましい(高分子化合物は好ましくない)
(2)成膜法は塗布法を使う(蒸着法は好ましくない)
(3)塗布液中の溶媒は汎用溶媒が好ましい(高価な脱水高純度溶媒は好ましくない)
(4)溶解は単分子状態が好ましい(微結晶分散液は好ましくない)
(5)化合物の精製には吸着−脱着平衡を活用するのが好ましい(熱平衡は好ましくない)
以下において、まず、上記各方針の根拠となる基本的考え方の観点から、本発明について説明をし、その後、具体的技術について説明をする。
湿式塗布法による有機機能層の形成において、高分子化合物に対する低分子化合物の優位性を説明する。
(第1の要因):純度の優位性
低分子化合物を高分子化合物(いわゆるポリマー)と比較してみると、その違いがよくわかる。まず、低分子化合物は昇華精製を適用するのは分子量が小さいため好適であり、再結晶も分子量分布が小さく望ましい。また、低分子化合物の精製方法には、精製効率の低い(理論段数の低い)高速液体クロマトグラフィー(high performance liquid chromatography:HPLC)やカラムクロマトグラフィーを用いることができるため好ましい。
高分子化合物の精製では、ほとんどの場合、良溶媒と貧溶媒を使った再沈殿法を繰り返し行うことで精製しており、低分子化合物の方が高純度としやすい。
また、高分子化合物がπ共役系高分子化合物である場合、重合反応を起こすための金属触媒や重合開始剤を用いる必要があり、重合末端には、反応活性の置換基が残存してしまうケースが多く、それも低分子化合物の方が高純度にできる理由の一つでもある。
発光ポリマー(light emitting polymer:LEP)は、分子量が大きくなると、π共役系ポリマーであるが故に、分子を安定化させるためには共役系を拡張することになるために、原理的に一重項又は三重項の励起状態と基底状態とのエネルギー準位差(「エネルギー準位のギャップ」、「バンドギャップ」ともいう。)は狭くなり、青色発光が難しくなる。また、蛍光の青色発光よりも高いエネルギー準位(大きいエネルギー準位差)が要求される青色リン光においては、発光ポリマーは、その発光物質となる遷移金属錯体を形成することが構造上難しい。さらに、発光ポリマーをホストとして用いようとしても、前記のπ共役の拡張により高い三重項エネルギーを有する化合物(「高T1化合物」と略称する。)にしにくい。
また、最近注目されている熱活性化型遅延蛍光(thermally activated delayed fluorescence:TADF)もπ共役ポリマーで成し遂げられた前例はなく、このように市場要求の高い高効率青色発光に用いることは難しい。
第2の要因と類似した理由(要因)ではあるが、低分子化合物は、発光ポリマー(LEP)に比べ合成できる分子構造に制限がなく、とりわけ発光ポリマーにおいて主鎖をπ共役連結にするとなると、適用できる骨格や合成方法も限定的となるが、低分子化合物では新たな機能付与や物性値の調整(Tgや融点、溶解性など)を分子構造によって成し遂げることが相対的に用意であり、これが低分子化合物の第3の優位性である。
低分子化合物を用いた湿式塗布法による有機機能層形成における本質的な課題は、何かについて説明する。
有機EL素子に用いられるほぼ全ての材料は、有機EL素子内部においては、電子及び正孔が分子間をホッピング移動しなければならない。基本的に電子はLUMO準位を伝ってホッピングし、正孔はHOMO準位を使ってホッピングすることになる。
すなわち、必ず隣接する分子同士はπ共役系が重なり合うように存在しないと、そのようなキャリア伝導が起こらないため、可能な限りπ共役系ユニットだけで分子構造を形成することが有利である。
例えば、溶媒に対する溶解性を向上させるために、立体的に嵩高い置換基(sec−ブチル基や、tert−オクチル基、トリイソプロピルシリル基など)を一つの分子中に複数個置換してしまうと、分子間のπ共役系は重ね合わすことが難しくなり、嵩高い置換基の部分でホッピング移動が阻害されてしまう。
すなわち、通電発光中の有機EL素子の内部ではジュール熱が発生しており、実際に素子内部、特に再結合が起こる発光層内では100℃以上の発熱があることもわかっている。
また、有機EL素子全体の有機層厚は200nm程度の極めて薄い層であることから、熱は層(膜)間で伝導し発光層のみならず、全ての層で高温状態が継続されることになる。
このような状態にさらされる有機分子は、それ自体のガラス転移点(Tg)を超えると、アモルファスの状態から結晶状態へと相転移を起こす。
この結晶は次第に成長し、数十nmを超えると、その化合物が存在していた層厚を超えることになり、有機EL素子としての層による機能分離ができなくなるために、結果として発光効率が低下することになる。
つまり、有機EL素子の低分子化合物は、嵩高い非芳香族性の置換基を持たずに、かつ、ガラス転移点(Tg)が100℃以上(好ましくは150℃以上)を超えるような分子であらねばならない。
このような分子を構築するには、通常、π共役系を大きくするか、芳香族基を単純連結するのであるが、通常の場合できてくる化合物は、溶媒に対する溶解性が極めて低くなり、塗布溶液になり得ないか、又は塗布できたとしても、結晶析出や物質の偏在などが生じることとなる。
しかしながら、このように性能が改善された有機EL素子にもまだ多くの課題が残存している。
それらの課題としては、例えば、低分子化合物の純度、当該化合物表面に付着している微量水分、使用する溶媒の酸素含有量、水分含有量などの除去が挙げられる。
このような、できる限りの悪影響を排除した、極めて厳格な管理の下において塗布法による有機EL素子を作製した場合であっても、蒸着法で作製した有機EL素子の性能を超えることは困難であった。
さらに、そもそも、真空を使った蒸着法の生産性が低いことが、有機EL素子の大型化や量産性、つまりコストに悪影響を与えるために、塗布法が注目されているのであるが、その塗布法もこのような厳格な管理の下で行うのでは、かえって蒸着法よりも生産性が低く、コスト高になってしまう。
低分子化合物の利点は高分子化合物よりも数多くの精製手段が活用でき、高純度にできる点である。しかし、結局のところ、一般的に現在実用されている有機EL素子を構成する有機化合物のほぼ全てが、昇華精製という精製手段を経て使用されている。
昇華精製は古典的な精製方法であるが、再結晶やカラムクロマトグラフィー、HPLCなどの精製方法に比べると圧倒的に精製効率(理論段数)は小さく、実質上は金属や無機物質などの除去と溶媒の除去を行うための手段として使われている。
なぜ昇華精製が有機EL用の有機化合物で採用されているかというと、有機EL素子の製造プロセスが真空蒸着法を採用していることが主な理由である。有機化合物に溶媒がごく微量でも含まれていると、蒸着装置内で真空下に置いた際有機化合物中の溶媒が揮散し真空度を下げてしまう。
それが連続生産を不可能にしてしまい、製造上の問題となる。そのため、精製時に溶媒が完璧に除去される昇華精製法が採用されているのである。
よって、有機EL素子の生産方式が蒸着法から塗布法に代わった際には、前記の理由から昇華精製法による有機化合物の精製は必須ではなくなる。
次に、低分子有機化合物の精製法としては最も一般的な再結晶について考えてみる。
この方法は、熱力学第二法則(式1)に基づいた精製方法である。
−ΔG=−ΔH+TΔS ・・・(式1)
物質は、物質相互間の存在距離が短くなるほどファンデルワールス力や水素結合力、π−π相互作用力、双極子−双極子相互作用力などが増大し、エンタルピー(−ΔH)は大きくなる。
一方で、物質が媒体に完全分散しているとき、すなわち溶解しているとき、物質は自由に動き回れるため、その乱雑さは増大し、エントロピー(ΔS)は大きくなる。
熱力学第二法則では、全ての存在状態は、ギプスの自由エネルギー(−ΔG)を一定に保つか、又は、大きくする方向に移行する。
Aを溶かすことのできるBという溶媒中に高温でAを溶解するとAは分散状態で存在することになる。そのため、A同士間の存在距離が大きく互いに相互作用しにくくなるため、エンタルピー(−ΔH)は極めて小さくなる。
一方で、Aは溶液の中を自由に動き回れるためエントロピー(ΔS)は極めて大きい。この高温溶液を冷やすと、絶対温度TがかかったTΔSは、冷やす前よりも小さくなる。そのとき、冷やす前後でギプスの自由エネルギー(−ΔG)を一定に保つためには、エンタルピー(−ΔH)を大きくせざるを得なくなる。
つまり、温度が下がってTΔSが小さくなった分、AはAとの距離を小さくしてエンタルピーを大きくしなければならなくなるのである。その極限状態が、AとAとの距離が最小となる結晶状態であり、それによってエンタルピー項(−ΔH)は増大していく。
こうしてエンタルピーが増大していくと、系内の成分数は減ってしまうため、エントロピーは小さくなり、その小さくなった分、また結晶を作ってエンタルピーを増大していく。
ただし、注意しなければならないのが、溶質Aと溶媒Bとの相互作用である。溶質Aは溶媒Bと溶媒和されることによって溶解するため、A−B間の相互作用が大きくなければそもそもAはBに溶解しない。しかし、相互作用が大きすぎると冷却して低下するエントロピー項の減少に打ち勝つ程、AとAとの距離を短くできないことになり(AとAとの間にはBが介在することになるために)、再結晶は起こらない結果となる。
つまり、A−Aという相互作用力とA−B間の相互作用力とを再結晶が起こる条件に調整できた場合のみ、この再結晶による精製方法が適用できる。このような再結晶の精製方法では、一度に数百Kg以上の大量精製も可能であることから、化学工業では古くからこの方法が使われている。
次に、カラムクロマトグラフィー(以下、「クロマト法」ともいう。)について考えてみる。
カラムクロマトグラフィーの最も典型的なところでは、固定相には微粒子シリカゲルを用い、そこに化合物Aを吸着させ、それを溶離液と呼ばれる移動相(B)で徐々に溶出させて行くというものである。
このとき、シリカゲル表面と化合物Aとの相互作用(吸着)に対して、移動相(B)との相互作用が拮抗する場合、Aはシリカと移動相Bとの間で、吸着−脱着の平衡を繰り返し、シリカとの相互作用が小さい場合は早く、相互作用が大きい場合には遅く、溶出して行く。
このときに、吸着−脱着平衡の往復回数が大きいほど理論段数(すなわち精製効率)が増大することから、クロマト法による精製効率は、固定相の長さに比例し、移動相の通過速度にも比例し、固定相の表面積にも比例することになる。
これを実現させたのが、高速液体クロマトグラフィーであり、これが、有機化合物の成分分析や品質保証に幅広く使われているのも、この理論に裏打ちされた高度の理論段数を実現できる希な手法であることに起因している。
また、温度も任意に変えることが可能であるため、精製可能となる溶質の適用範囲が極めて広く、ほぼ汎用的な精製法として活用できることが最大の特徴である。
一方、クロマト法の欠点もある。前述のように、理論段数を大きくするための根本的な原理が、吸着−脱着平衡を活用しているところにある。
つまり、精製効果を高めるためには、良溶媒B′の他に、大過剰の貧溶媒Cを混合し、吸着−脱着平衡の往復回数を増やす必要がある。ただし、この場合、精製されて分取した化合物Aの溶液には、大過剰のCが含まれており、これを濃縮しなければならないことが最大の問題である。
例えば、1gのAを得るためには、良溶媒B′と貧溶媒Cの混合比率が1:99〜10:90くらいにする必要があり、一般的にはおおよそ10Lから100Lの貧溶媒Cが必要となってしまう。そのため、HPLC分取は、研究開発には適用されているものの、大量生産には使われていないのが実情である。
この超臨界二酸化炭素には、普通の流体や液体とは異なった特徴がある。それは、温度と圧力を変化させることで、溶解したいものの極性に合わせて、連続的に極性を変化させることができることである。
このように様々な極性を持たせることができる超臨界二酸化炭素であるが、比較的低い温度と圧力で形成する超臨界二酸化炭素の極性は、シクロヘキサンやヘプタン程度である。現在市販されている超臨界HPLCでは、この程度の極性の超臨界二酸化炭素が、装置内で作られ、それが良溶媒と混合されてカラム内に入り、通常のHPLCと同様の機構で化合物の精製が行われる。
そのため、高純度の新規合成化合物を数多く合成する必要のある創薬の業界では、最近この超臨界HPLCを積極的に活用するようになって来ており、その影響で分析用、分取用ともに販売価格が下がり、かなり一般的に使われるようになってきた。
このような特徴と経緯から、我々はこの超臨界HPLCを、高純度が要求される有機EL材料の精製に活用してきた(特許第4389494号公報)。
以上述べてきたように、有機EL業界の生産性向上が望まれる中、低分子有機化合物の精製法はさまざまあるが、どれも一長一短あり、製造した化合物の特性、及びその化合物が要求される純度、残留する溶媒の可否などによって、しかるべき精製方法が選択され、また組み合わされて使われている。
まず、溶解とは何かを考える。通常は、溶質Aを溶媒分子BがAとBとの相互作用力で取り囲み、Aの集合体をばらばらにしてAの回りにBを存在させることによって、すなわちAを孤立単一分子状態にすることをいうが、本当にそうなっているのかを確かめるのは難しい。
例えば、Aが溶解性の極めて低い、又は結晶性の高い分子だった場合、可視光の波長以上のサイズの結晶であれば、溶解していないことは、光散乱等で容易に検出できる。しかし、例えば、中途半端に溶解性の低い物質であった場合、Aの数分子からなる微小結晶の回りを溶媒分子Bが取り囲んでいたとしても、それは溶解しているように見えてしまう。有機EL素子では、これが後々大きな問題を引き起こす可能性がある。
一方で、塗布成膜法の場合、もし仮に、塗布溶液が有機EL化合物の微結晶の分散物であった場合には、見た目では完全溶解しているように見えるが、得られる薄膜の実態は微結晶が寄せ集められた薄膜となる。そのため、例えばHOMOやLUMOの準位も単分子のそれではなく、スタックした集合体(結晶状態)のそれとなってしまい、性能の低下の要因となりうる。
また、経時では、その微結晶が核となり、粗大結晶へと成長していくことになるため、層間の機能分離ができなくなるばかりか、陽極と陰極を短絡させる大きな結晶となってしまうと、ダークスポットを発生させてしまうという大きな問題がある。
低分子を用いた塗布成膜素子に関しては、上述の長年の検討により、初期状態である塗布溶液をいかにして単分子分散状態に近似させるかが、まずは蒸着法と同等の性能を出すための必要条件となることは、明らかである。
図1は、破線が蒸着法で作製した薄膜を構成する化合物の微粒子の粒径分布曲線(横軸:粒径(nm)、縦軸:頻度分布)であり、実線が塗布法で作製した薄膜構成化合物の微粒子の粒径分布である。どちらも同じ化合物を用いているため、直接比較することができる。
蒸着成膜における化合物の微粒子の粒径分布幅は、極大ピークに対応する位置の粒径が約2nmであり、単分散に近い粒径となっている。これは、分子1つ又は2つのサイズであることから、蒸着成膜では、ほぼ単一分子がランダムに配置されてアモルファス膜が形成されていることを表している。
一方で、塗布成膜における化合物の微粒子の粒径分布では、極大ピークに対応する位置の粒径が約4.5nmであり、蒸着成膜の粒径分布よりも幅広く分布している。
先にも述べたように、蒸着と塗布とで同じ化合物を用いていることから、化合物本来の結晶性や凝集性は同じであり、この違いは、塗布溶液の状態における分子の分散状態が、単一孤立分子ではなく、5から10分子の微結晶の分散物であったことが推測される。
もちろん、この塗布液は1週間以上、窒素雰囲気下のグローブボックスで保管しておいても結晶が析出することもなく、いわゆる澄明な溶液であるのだが、X線で解析すると、数分子微結晶の分散物を、我々は溶解した溶液と勘違いしている訳である。
この結果から明らかなように、図2に示した結果では、蒸着膜と塗布膜との有機化合物の微粒子の粒径分布にほとんど差がないことが分かる。
このように、分子構造を改良し、溶解方法を工夫することで、ほぼ孤立単一分子を分散する完全溶解状態をつくることができることを、我々はこの検討の中で確認していた。
これは塗布法により作製した有機EL素子が、蒸着法による有機EL素子と同等性能を発揮できることを証明した大きな成果ではあったが、逆に、我々は、塗布法による素子で蒸着法による素子同等にするためには、多大なプロセス負荷があることも知ってしまった。
すなわち、現状のままでは、塗布法で蒸着法と同じ性能を出すためには、本来生産性に優れるはずの塗布法であるにも拘わらず、溶解方法や保管方法など、大変手間のかかるプロセスを実行しなければならず、特に生産量が増えた際には、このプロセスが律速過程になってしまう危険性が高く、この技術領域を改善することが、将来の大量生産には不可欠であることを強く認識している。
有機EL素子は、励起状態になった発光材料が基底状態に戻る際に光を放つ現象を基本機能としているものである。
また、電極から発光層までの間は、電子及び正孔をホッピング現象を通じて輸送する必要がある。
まず、励起状態についてであるが、例えば、5%濃度の発光材料をドーピングを施した有機EL素子の場合、1000cd/m2の輝度で、1年間発光させ続けるには、単純に計算して、一つのドーパントが約10億回励起子になる必要がある。このとき、たった1回だけでも、励起子が水分子と反応すると、本来の分子とは違う化合物になってしまう。また、励起子が酸素分子と反応すると、何らかの酸化反応や酸化カップリング反応が起こってしまう。これが、有機EL素子の機能低下の原因となる化学変化の最も代表的な現象である。
つまり、水分子や酸素分子は、塗布液には一切あってはならないものであり、それが前提となる訳である。
ただし、工業上では、純度の高い無水溶媒は非常に高価であり、取り扱い性も難しい。そのため、結局、塗布法でコストダウンするためには、消耗剤となる溶媒をいかに汎用的なものを使えるかが重要である。
前記のように、水と酸素の存在は有機EL素子性能、とりわけ発光素子寿命においては致命的な欠点となると推定されている。
塗布法で最も気をつけなければならないところが、水と酸素の混入を防ぐことと言っても過言でなく、そのためには、溶質の方も、通常の試薬や薬品のように、粉体のまま、空気中に放置しておくことはできない。
我々が、塗布成膜素子を作製する際には、通常、溶質となる物質をフラスコやシュレンク管のような、減圧と不活性ガスパージの両方が行える器具に入れ、真空ポンプで減圧にしながら、ヒートガン等で容器を加熱し、それと窒素封入した上で、窒素雰囲気下のグローブボックスに移し、そこで、脱水溶媒に溶解して、窒素下のまま塗布成膜するのが一般的な手法である。
このとき、酸素を完全に抜くために、溶解に窒素ガスをバブリングすることも行うし、脱水溶媒も、溶解直前にアルミナやゼオライトの吸収管を通して使う。このような処置は、パイロットプラントや実際の工場においても同様又はこれに準ずることが行われているのであるが、このプロセスに非常に時間がかかり生産性を落としていることは前述のとおりであり、この部分を解決することが、最大の課題であると我々は考えている。
[塗布液]
本発明の塗布液は、有機化合物と有機溶媒とを含む塗布液であって、50℃以下・大気圧の条件下での前記有機溶媒に対する溶存二酸化炭素濃度が、1ppm以上前記有機溶媒に対する飽和濃度以下の範囲内であることを特徴とする。
また、前記溶存二酸化炭素濃度が、前記条件下で、5〜1000ppmの範囲内であることが好ましい。
また、前記塗布液中に酸素が1ppm以上存在する場合は、前記溶存二酸化炭素濃度が、前記条件下で、溶存酸素濃度の1.0〜100000倍の範囲内で含まれることが、塗布液を用いて作成したデバイスの安定性の点で好ましい。すなわち、大気中で塗布液を調製すると、大気中の二酸化炭素についても塗布液中に取り込まれる可能性がある。しかしながら、大気中の二酸化炭素の比率は非常に低く(0.03〜0.04%程度)、その結果、塗布液に取り込まれる二酸化炭素の量も非常に低くなるはずであるが、これまでに塗布液中の溶存二酸化炭素濃度を測定した事例は報告されていない。また、その効果について調べた知見はない。本発明では、大気中の主要成分である窒素、酸素の塗布液中の濃度に比べて、二酸化炭素の濃度が高い状態を積極的に作り出し、その結果として、塗布液への酸素や水の取り込みを抑制する効果を期待したものである。
電子デバイスとしては、有機EL素子、光電変換素子(太陽電池)、又は液晶表示素子等の発光デバイスであることが好ましい。
本発明において用いられる有機化合物は、特定種類・特定構造の化合物に限定されるものではないが、各種電子デバイスに用いられる化合物であることが、本発明の効果発現の観点から、好ましい。
例えば、塗布液が、有機EL素子を作製するための塗布液である場合には、有機化合物が有機エレクトロルミネッセンス材料(以下、「有機EL材料」ともいう。)であることが好ましい。有機EL材料とは、後述する陽極と陰極間に形成される有機エレクトロルミネッセンス層(以下、「有機機能層」、「有機EL層」ともいう。)に用いることが可能な化合物をいう。また、これら陽極、陰極、及び有機EL材料を用いた有機EL層からなる発光素子を有機EL素子と呼ぶ。有機EL材料として用いられる化合物例は、後述する。
また、塗布液が、光電変換素子を作製するための、塗布液である場合には、有機化合物がp型有機半導体材料やn型有機半導体材料であることが好ましい。これらp型有機半導体材料、及びn型有機半導体材料として用いられる化合物例は、後述する。
本発明において、有機溶媒とは、本発明に係る上記有機化合物を溶解し得る有機化合物からなる媒体をいう。
本発明に係る有機EL素子材料を溶解又は分散する液媒体としては、塩化メチレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸イソブチル等の脂肪酸エステル類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール(TFPO)等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、n−ブタノール、s−ブタノール、t−ブタノールのアルコール類、DMF、DMSO等の有機溶媒が挙げられ、素子中の含まれる溶媒量を抑制する点から、沸点が50〜180℃の範囲の溶媒が好ましい。
本発明の塗布液の製造方法は、前記有機化合物と前記二酸化炭素とを混合する工程(以下、混合工程ともいう。)を有することを特徴とする。
前記混合工程後に、前記有機化合物を含む溶液を用いて前記塗布液を製造することが好ましい。
また、本発明の塗布液の製造方法は、超臨界流体を用いて前記有機化合物を含む溶液中の物質(例えば、水、酸素、及び有機化合物)を分離する工程(以下、分離工程ともいう。)を有することが好ましい。
このように炭酸ガスのバブリングによって、得られた溶液、すなわち、混合工程によって二酸化炭素が混合された有機溶媒及び有機化合物の溶液を用いて、本発明の塗布液を製造することができる。すなわち、混合工程によって得られた溶液をそのまま、本発明の塗布液として用いることができる。
充填カラムを用いた方法では、図3に示すように、有機溶媒(二酸化炭素を含む)を含有する超臨界流体11、ポンプ12、必要に応じてモディファイヤ13、分離する有機化合物を注入するインジェクタ14、そして分離用のカラム15、さらに必要であれば検出器17、そして圧力調整弁18からなる装置を用いればよい。カラム15はカラムオーブン16内で温度調整される。充填剤としては従来のクロマトグラフィー法に用いられているシリカ、又は表面修飾したシリカ等適宜選択することができる。
このように、本発明の塗布液の製造方法は、有機溶媒及び二酸化炭素を含有する超臨界流体を用いて、有機化合物、水及び酸素を分離する工程(分離工程)を有することが好ましい。そして、分離した有機化合物及び有機溶媒(二酸化炭素を含む)を含有する溶液を用いて、本発明の塗布液を製造することができる。すなわち、混合工程によって得られた溶液をそのまま、本発明の塗布液として用いることができる。
ここで、超臨界状態について説明する。物質は、温度、圧力(又は体積)等の環境条件の変化により気体、液体、固体の三つの状態の間を移り変わるが、これは分子間力と運動エネルギーとのバランスで決定される。横軸に温度を、縦軸に圧力をとって気液固三態の移り変わりを表したものを状態図(相図)というが、その中で気体、液体、固体の三相が共存し、平衡にある点を三重点という。三重点より温度が高い場合は、液体とその蒸気が平衡になる。この時の圧力は飽和蒸気圧であり、蒸発曲線(蒸気圧線)で表される。この曲線で表される圧力よりも低い圧力では液体は全部気化し、またこれよりも高い圧力を加えれば蒸気は全部液化する。圧力を一定にして温度も変化させてもこの曲線を越えると液体が蒸気に、また蒸気が液体になる。この蒸発曲線には、高温、高圧側に終点があり、これを臨界点(critical point)と呼ぶ。臨界点は物質を特徴づける重要な点であり、液体と蒸気との区別がつかなくなる状態で、気液の境界面も消失する。
臨界点より高温の状態では、気液共存状態を生じることなく液体と気体の間を移り変わることができる。
臨界温度以上でかつ臨界圧力以上の状態にある流体を超臨界流体といい、超臨界流体を与える温度・圧力領域を超臨界領域という。超臨界流体は高い運動エネルギーを有する高密度流体と理解でき、溶質を溶解するという点では液体的な挙動を、密度の可変性という点では気体的な特徴を示す。超臨界流体の溶媒特性はいろいろあるが、低粘性で高拡散性であり固体材料への浸透性が優れていることが重要な特性である。
超臨界流体として用いる溶媒は一種類を単独で用いることも可能であるし、極性を調整するためのいわゆるモディファイヤ、エントレーナと呼ばれる物質を添加することも可能である。
エントレーナとしては、例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、アセトアルデヒドジエチルアセタール等のアセタール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸系溶媒、アセトニトリル、ピリジン、N,N−ジメチルホルムアミド等の窒素化合物系溶媒、二硫化炭素、ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物系溶媒、さらに水、硝酸、硫酸等が挙げられる。
本発明の電子デバイス作製用インクは、上記塗布液を含有することを特徴とする。すなわち、本発明の電子デバイス作製用インクは、上記塗布液に由来することを特徴とする。
電子デバイスとしては、発光デバイスであることが好ましく、さらには、有機EL素子、又は光電変換素子等であることが好ましい。
本発明の塗布液を含有する電子デバイス作製用インクを用いたインクジェット法により、前記電子デバイスを構成する各層を形成することができる。
本発明の電子デバイスは、上記塗布液を用いて形成された有機機能層を有することを特徴とする。すなわち、本発明の電子デバイスは、上記塗布液に由来する有機機能層を有することを特徴とし、言い換えると、上記塗布液を塗膜化してなる有機機能層を有することを特徴とする。
電子デバイスとしては、発光デバイスであることが好ましく、さらには、有機EL素子又は光電変換素子等であることが好ましい。
本発明の有機EL素子は、上記塗布液を用いて形成された有機機能層を有することを特徴とする。すなわち、本発明の有機EL素子は、上記塗布液に由来する有機機能層を有することを特徴とし、言い換えると、上記塗布液を塗膜化してなる有機機能層を有することを特徴とする。
以下、有機EL素子の詳細を説明する。
前述のように本発明の有機EL素子は、基板上に、陽極と陰極、これらの電極間に1層以上の有機機能層(「有機化合物層」、「有機EL層」ともいう。)を挾持した構造を有している。
本発明の有機EL素子に用いることができる基板としては、特に限定されないが、ガラス基板とプラスチック基板等を用いることができ、また、透明であっても不透明であってもよい。基板側から光を取り出す場合には、基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基板としては、ガラス、石英、透明プラスチック基板を挙げることができる。また、基板としては、基板側からの酸素や水の侵入を阻止するため、JIS Z−0208に準拠した試験において、その厚さが1μm以上で水蒸気透過度が1g/(m2・24h・atm)(25℃)以下であるものが好ましい。
プラスチック基板の基材として用いられる樹脂フィルムとしては、特に限定は無く、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル又はポリアリレート類、有機無機ハイブリッド樹脂等を挙げることができる。
金属酸化物、金属酸窒化物又は金属窒化物としては、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、インジウム・スズ酸化物(ITO)、酸化アルミニウム等の金属酸化物、窒化ケイ素等の金属窒化物、酸窒化ケイ素、酸窒化チタン等の金属酸窒化物等が挙げられる。
前記樹脂フィルムに、バリアー膜を設ける方法は、特に限定されず、いかなる方法でもよいが、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、CVD法(化学的気相堆積:例えば、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法など)、コーティング法、ゾル・ゲル法等を用いることができる。これらのうち、緻密な膜を形成できる点から、大気圧又は大気圧近傍でのプラズマCVD処理による方法が好ましい。
有機EL素子の陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、金属の電気伝導性化合物、又はこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。ここで、「金属の電気伝導性化合物」とは、金属と他の物質との化合物のうち電気伝導性を有するものをいい、具体的には、例えば、金属の酸化物、ハロゲン化物等であって電気伝導性を有するものをいう。
有機機能層(「有機EL層」、「有機化合物層」ともいう。)には少なくとも発光層が含まれるが、発光層とは広義には、陰極と陽極とからなる電極に電流を流した際に発光する層のことを指し、具体的には、陰極と陽極とからなる電極に電流を流した際に発光する有機化合物を含有する層を指す。
(i)陽極/発光層/陰極
(ii)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(iii)陽極/発光層/電子注入層/陰極
(iv)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(v)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(vi)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
等の構造が挙げられる。
本発明に係る発光層は、電極又は電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。発光層は単一の組成を持つ層であってもよいし、同一又は異なる組成をもつ複数の層からなる積層構造であってもよい。
溶存二酸化炭素濃度を上記範囲とする手段としては、上述したように、リン光性ドーパント及びホスト化合物と、有機溶媒とを含む溶液に炭酸ガスをバブリングする方法、又は、有機溶媒及び二酸化炭素を含有する超臨界流体を用いた超臨界流体クロマトグラフィー法が挙げられる。
正孔注入層に用いられる正孔注入材料は、正孔の注入、電子の障壁性のいずれかを有するものである。また、正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料は、電子の障壁性を有するとともに正孔を発光層まで輸送する働きを有するものである。したがって、本発明においては、正孔輸送層は正孔注入層に含まれる。これら正孔注入材料及び正孔輸送材料は、有機物、無機物のいずれであってもよい。具体的には、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、ポルフィリン化合物、チオフェンオリゴマー等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。これらのうちでは、アリールアミン誘導体及びポルフィリン化合物が好ましい。アリールアミン誘導体の中では、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物が好ましく、芳香族第三級アミン化合物がより好ましい。
また、本発明において、上記の正孔注入材料や正孔輸送材料を本発明の有機化合物として用いることが好ましい。すなわち、正孔輸送層(又は正孔注入層)を、当該正孔輸送材料(又は正孔注入材料)と有機溶媒とを含む溶液を、スピンコート等の塗布によって形成することが好ましく、当該正孔輸送材料(又は正孔注入材料)と、有機溶媒とを含む塗布液において、50℃以下、大気圧条件下での有機溶媒に対する溶存二酸化炭素濃度を1ppm〜前記有機溶媒に対する飽和濃度とすることが好ましい。
溶存二酸化炭素濃度を上記範囲とする手段としては、上述したように、正孔輸送材料と、有機溶媒とを含む溶液に炭酸ガスをバブリングする方法、又は、有機溶媒及び二酸化炭素を含有する超臨界流体を用いた超臨界流体クロマトグラフィー法が挙げられる。
電子注入層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。この電子注入層に用いられる材料(以下、電子注入材料ともいう)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。
また、本発明において、上記の電子注入材料を本発明の有機化合物として用いることが好ましい。すなわち、電子注入層を、当該電子注入材料と有機溶媒とを含む溶液を、スピンコート等の塗布によって形成することが好ましく、当該電子注入材料と、有機溶媒とを含む塗布液において、50℃以下、大気圧条件下での有機溶媒に対する溶存二酸化炭素濃度を1ppm〜前記有機溶媒に対する飽和濃度とすることが好ましい。
溶存二酸化炭素濃度を上記範囲とする手段としては、上述したように、電子注入材料と、有機溶媒とを含む溶液に炭酸ガスをバブリングする方法、又は、有機溶媒及び二酸化炭素を含有する超臨界流体を用いた超臨界流体クロマトグラフィー法が挙げられる。
陽極と発光層又は正孔注入層の間、及び、陰極と発光層又は電子注入層との間にはバッファー層(電極界面層)を存在させてもよい。バッファー層とは、駆動電圧低下や発光効率向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(第123〜166頁)に詳細に記載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層とがある。
上述のように有機EL素子の陰極としては、一般に仕事関数の小さい(4eV未満)金属(以下、電子注入性金属と称する)、合金、金属の電気伝導性化合物あるいはこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
また、層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50〜450同、真空度10−6〜10−2Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、厚さ0.1nm〜5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
有機EL素子の封止手段としては、特に限られないが、例えば、有機EL素子の外周部を封止用接着剤で封止した後、有機EL素子の発光領域を覆うように封止部材を配置する方法が挙げられる。
本発明の有機EL素子を用いる多色表示装置は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、他層は共通であるので、シャドーマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
図6は、画素の模式図である。画素は、有機EL素子60、スイッチングトランジスタ61、駆動トランジスタ62、コンデンサ63等を備えている。複数の画素に有機EL素子60として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
本発明の光電変換素子は、上記塗布液を用いて形成された有機機能層を有することを特徴とする。すなわち、本発明の光電変換素子は、上記塗布液に由来する有機機能層を有することを特徴とし、言い換えると、上記塗布液を塗膜化してなる有機機能層を有することを特徴とする。
以下、光電変換素子及び太陽電池の詳細を説明する。
図8は、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子からなるシングル構成(バルクヘテロジャンクション層が1層の構成)の太陽電池の一例を示す断面図である。
図8において、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子200は、基板201の一方面上に、透明電極(陽極)202、正孔輸送層207、バルクヘテロジャンクション層の光電変換部204、電子輸送層(又はバッファー層ともいう。)208及び対極(陰極)203が順次積層されている。
また、さらなる太陽光利用率(光電変換効率)の向上を目的として、このような光電変換素子を積層した、タンデム型の構成(バルクヘテロジャンクション層を複数有する構成)であってもよい。
図9は、タンデム型のバルクヘテロジャンクション層を備える有機光電変換素子からなる太陽電池を示す断面図である。タンデム型構成の場合、基板201上に、順次透明電極202、第1の光電変換部209を積層した後、電荷再結合層(中間電極)205を積層した後、第2の光電変換部206、次いで対極203を積層することで、タンデム型の構成とすることができる。
電子受容体と電子供与体とが混合されたバルクヘテロジャンクション層の形成方法としては、蒸着法、塗布法(キャスト法、スピンコート法を含む)等を例示することができる。このうち、前述の正孔と電子が電荷分離する界面の面積を増大させ、高い光電変換効率を有する素子を作製するためには、塗布法が好ましい。また塗布法は、製造速度にも優れている。
本発明においては、上記のバルクヘテロジャンクション層を構成するn型半導体材料及びp型半導体材料を本発明の有機化合物として用いることができる。すなわち、バルクヘテロジャンクション層を、当該n型半導体材料及びp型半導体材料と、有機溶媒とを含む溶液を、塗布によって形成することが好ましく、当該n型半導体材料及びp型半導体材料と、有機溶媒とを含む塗布液において、50℃以下、大気圧条件下での有機溶媒に対する溶存二酸化炭素濃度を1ppm〜前記有機溶媒に対する飽和濃度とすることが好ましい。
溶存二酸化炭素濃度を上記範囲とする手段としては、上述したように、n型半導体材料及びp型半導体材料と、有機溶媒とを含む溶液に炭酸ガスをバブリングする方法、又は、有機溶媒及び二酸化炭素を含有する超臨界流体を用いた超臨界流体クロマトグラフィー法が挙げられる。
次に、有機光電変換素子を構成する電極について説明する。
本発明において対極(陰極)とは、電子を取り出す電極のことが好ましい。例えば、陰極として用いる場合、導電材単独層であってもよいが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用してもよい。
対極材料としては、例えば、特開2010−272619号公報、特開2014−078742号公報等に記載の公知の陰極の導電材を用いることができる。
本発明において透明電極は、光電変換部で発生した正孔を取り出す機能を有する陽極とすることが好ましい。例えば、陽極として用いる場合、好ましくは波長380〜800nmの光を透過する電極である。材料としては、例えば、特開2010−272619号公報、特開2014−078742号公報等に記載の公知の陽極用の材料を用いることができる。
また、タンデム構成の場合に必要となる中間電極の材料としては、透明性と導電性を併せ持つ化合物を用いた層であることが好ましい。
材料としては、例えば、特開2010−272619号公報、特開2014−078742号公報等に記載の公知の中間電極用の材料を用いることができる。
本発明の有機光電変換素子は、バルクヘテロジャンクション層で発生した電荷をより効率的に取り出すことを可能とするために、バルクヘテロジャンクション層と透明電極との中間には正孔輸送層・電子ブロック層を有していることが好ましい。
本発明の有機光電変換素子は、バルクヘテロジャンクション層と対極との中間には電子輸送層・正孔ブロック層・バッファー層を形成することで、バルクヘテロジャンクション層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となるため、これらの層を有していることが好ましい。
エネルギー変換効率の向上や、素子寿命の向上を目的に、各種中間層を素子内に有する構成としてもよい。中間層の例としては、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層、UV吸収層、光反射層、波長変換層等を挙げることができる。
基板側から光電変換される光が入射する場合、基板はこの光電変換される光を透過させることが可能な、すなわち、この光電変換すべき光の波長に対して透明な部材であることが好ましい。基板は、例えば、ガラス基板や樹脂基板等が好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが望ましい。
本発明で透明基板として好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限がなく、その材料、形状、構造、厚さ等については公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、特開2010−272619号公報、特開2014−078742号公報等に記載の公知の材料を用いることができる。
本発明の有機光電変換素子は、太陽光のより効率的な受光を目的として、各種の光学機能層を有していてよい。光学機能層としては、例えば、反射防止膜、マイクロレンズアレイ等の集光層、対極で反射した光を散乱させて再度バルクヘテロジャンクション層に入射させることができるような光拡散層等を設けてもよい。
公報等に記載の公知の反射防止層、集光層及び光散乱層をそれぞれ用いることができる。
本発明に係る電極、発電層、正孔輸送層、電子輸送層等をパターニングする方法やプロセスには特に制限はなく、例えば、特開2010−272619号公報、特開2014−078742号公報等に記載の公知の手法を適宜適用することができる。
また、作製した有機光電変換素子が環境中の酸素、水分等で劣化しないために、有機光電変換素子だけでなく有機エレクトロルミネッセンス素子等で公知の手法によって封止することが好ましい。例えば、特開2010−272619号公報、特開2014−078742号公報等に記載の手法を用いることができる。
高純度窒素雰囲気下で、トルエン(関東化学株式会社、脱水トルエン)1LにCBP、5gを溶かした溶液(s−1)に対して、高純度炭酸ガス(大陽日酸、高純度炭酸ガス(>99.995 vol.%)を流速100mL/minで10分間バブリングした後、10分間脱気し溶液s−5を用意した。
s−1及びs−5中の含有二酸化炭素量は、ガスクロマトグラフィーにて測定した。具体的には、カラム充填剤にWaters Corporation製 Porapack Type S GC Bulk Packing Material(Mesh80−100)を使用し、絶対検量線法にて測定した。
また、s−1及びs−5の含水量は、カールフィッシャー法にて測定した。それぞれの結果を表1に示す。
また、表1に示した各種溶媒に対して、同様の処理を行い、各種溶媒に高純度炭酸ガスをバブリングしないもの(s−2〜s−4)と、バブリングしたもの(s−6〜s−8)を用意し、s−2〜s−4及びs−6〜s−8の含有二酸化炭素量及び含水量を測定した。その結果を表1に示す。
トルエン(関東化学株式会社、脱水トルエン)、酢酸イソブチル(関東化学株式会社、特級酢酸イソブチル)、TFPO(東京化成工業株式会社、2,2,3,3-テトラフルオロ-1-プロパノール)
[実施例2]
実施例1で作製したs−1〜s−8を表2に示す条件下で1時間保存した後に、それぞれのサンプルの溶存酸素濃度をガスクロマトグラフィーにて測定した。それぞれの結果を表2に示す。
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウム・スズ酸化物)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この基板上に、実施例1で作製したs−4をインクジェット法にて成膜(膜厚約40nm)し、乾燥開始前の質量(w(0))を測定した。その後、60℃でt分間乾燥した時の質量(w(t))及び1時間真空乾燥した時の質量(w(60))を測定した。
1時間真空乾燥した基板の質量(w(60))と乾燥開始前の質量(w(0))及びt分間乾燥した時の(w(t))を用いて、t分乾燥後の乾燥度(Dry(101))を次式により求めた。
Dry101(t)=(1-((w(t) - w(60)) / (w(0) - w(60)))×100
s−4を、表3に記載のその他の溶液に置き換えて同様の測定を行い、表3の結果を得た。
<正孔輸送層(HT層)用塗布液の調製>
窒素雰囲気下のグローブボックスにて、ポリビニルカルバゾール(PVK)600mgをクロロベンゼン100mlに溶解した溶液(溶液s−10)を二分割し、それぞれ下記の方法にて処理し、一方を溶液s−11とし、もう一方を窒素雰囲気下のグルーブボックス内で10分間二酸化炭素バブリングし溶液s−12とした。溶液s−12の二酸化炭素濃度を実施例1の方法で測定し、200ppmの二酸化炭素を含有していることを確認した。さらに、溶液s−11、溶液s−12をそれぞれ三分割し、下記の方法にて処理して表4に示す溶液を得た。
処理1:溶液s−11を調製した窒素雰囲気下で30分間保管し、溶液s−111を得た。
処理2:溶液s−11をドライエア雰囲気下で30分間保管し、溶液s−112を得た。
処理3:溶液s−11を大気下で30分間保管し、溶液s−113を得た。
処理4:溶液s−12を調製した窒素雰囲気下で30分間保管し、溶液s−121を得た。
処理5:溶液s−12をドライエア雰囲気下で30分間保管し、溶液s−122を得た。
処理6:溶液s−12を大気下で30分間保管し、溶液s−123を得た。
窒素雰囲気下のグローブボックスにて、CBP600mgと化合物Ir−12を30.0mgとをトルエン/酢酸イソブチル(1/1)60mlに溶解した溶液(溶液s−20)を二分割し、それぞれ下記の方法にて処理し、一方を溶液s−21とし、もう一方を窒素雰囲気下のグルーブボックス内で10分間二酸化炭素バブリングし溶液s−22とした。溶液s−22の二酸化炭素濃度を実施例1の方法で測定し、250ppmの二酸化炭素を含有していることを確認した。さらに溶液s−21、溶液s−22をそれぞれ三分割し、下記の方法にて処理して表4に示す溶液を得た。
処理11:溶液s−21を調製した窒素雰囲気下で30分間保管し、溶液s−211を得た。
処理12:溶液s−21をドライエア雰囲気下で30分間保管し、溶液s−212を得た。
処理13:溶液s−21を大気下で30分間保管し、溶液s−213を得た。
処理14:溶液s−22を調製した窒素雰囲気下で30分間保管し、溶液s−221を得た。
処理15:溶液s−22をドライエア雰囲気下で30分間保管し、溶液s−222を得た。
処理16:溶液s−22を大気下で30分間保管し、溶液s−223を得た。
窒素雰囲気下のグローブボックスにて、バソキュプロイン(BCP)200mgをシクロヘキサン60mlに溶解した溶液(溶液s−30)を二分割し、それぞれ下記の方法にて処理し、一方を溶液s−31とし、もう一方を窒素雰囲気下のグルーブボックス内で10分間二酸化炭素バブリングし溶液s−32とした。溶液s−32の二酸化炭素濃度を実施例1の方法で測定し、180ppmの二酸化炭素を含有していることを確認した。さらに溶液s−31、溶液s−32をそれぞれ三分割し、下記の方法にて処理して表4に示す溶液を得た。
処理21:溶液s−31を調製した窒素雰囲気下で30分間保管し、溶液s−311を得た。
処理22:溶液s−31をドライエア雰囲気下で30分間保管し、溶液s−312を得た。
処理23:溶液s−31を大気下で30分間保管し、溶液s−313を得た。
処理24:溶液s−32を調製した窒素雰囲気下で30分間保管し、溶液s−321を得た。
処理25:溶液s−32をドライエア雰囲気下で30分間保管し、溶液s−322を得た。
処理26:溶液s−32を大気下で30分間保管し、溶液s−323を得た。
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウム・スズ酸化物)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この基板を市販のスピンコータに取り付け、溶液s−111(10ml)を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート(層厚約40nm)、60℃で1時間真空乾燥し、正孔輸送層とした。次に溶液s−211(6ml)を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコートし(層厚約40nm)、60℃で1時間真空乾燥し、発光層とした。さらに溶液s−311(6ml)を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコートし(層厚約10nm)、60℃で1時間真空乾燥し、正孔阻止の役割も兼ねた電子輸送層を設けた。
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記電子輸送層の上に蒸着して、さらに層厚40nmの電子注入層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き、フッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1を作製した。
有機EL素子1の作製において、溶液s−111、溶液s−211、溶液s−311を、表4に示す溶液に置き換えた以外は有機EL素子1と同じ方法で表4に示す有機EL素子を作製した。
上述のようにして作製した表4に示す有機EL素子について下記の評価を行い、その結果を表4に示す。
作製した有機EL素子について、温度23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で10V直流電圧印加による連続点灯を行い、点灯開始時の発光輝度から輝度が半減する時間(以下、発光寿命という)及び発光効率(lm/W)を測定し、その結果を表4に示す。ただし、発光寿命及び発光効率は、有機EL素子1の発光寿命及び発光効率をそれぞれ100とした相対値で表した。なお、発光輝度は、コニカミノルタ製CS−1000を用いて測定した。
<インク用化合物の精製>
日本分光社製超臨界流体クロマトグラフィーシステムを用いて、以下の条件にてCBPを分取した。
超臨界CO2送液ポンプ:SCF−Get
全自動圧力調整弁:SFC−Bpg
カラムオーブン:GC−353B
インジェクタ:7125i
カラム:C18−Silica、3μm、4.6mm×250mm
移動層:二酸化炭素/トルエン=9/1
移動層流量:3ml/min
圧力:18MPa
温度:40℃
検出:紫外検出器(210nm)
上記条件によってCBPを10質量%、二酸化炭素を300ppm含むトルエン溶液を得た。この溶液を組成物1とする。次に、CBPをIr−14、Ir−1、Ir−15にそれぞれ変えた以外は同様にして、下記組成物を得た。
組成物2:Ir−14を10質量%、二酸化炭素を300ppm含むトルエン溶液
組成物3:Ir−1を10質量%、二酸化炭素を300ppm含むトルエン溶液
組成物4:Ir−15を10質量%、二酸化炭素を300ppm含むトルエン溶液
次に、移動層を二酸化炭素/TFPO=9/1、CBPをBCPに変えた以外は同様にして、BCPを10質量%、二酸化炭素を300ppm含むTFPO溶液を得た。この溶液を組成物5とする。
(正孔注入層組成物)
PEDOT/PSS混合水分散液(1.0質量%) 20質量部
水 65質量部
エトキシエタノール 10質量部
グリセリン 5質量部
PEDOT/PSS:ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(Bayer社製、Baytron P Al 4083)
組成物1 9.5質量部
組成物2 0.5質量部
トルエン 40質量部
酢酸イソブチル 50質量部
組成物1 9.5質量部
組成物3 0.5質量部
トルエン 40質量部
酢酸イソブチル 50質量部
組成物1 9.5質量部
組成物4 0.5質量部
トルエン 40質量部
酢酸イソブチル 50質量部
組成物5 10質量部
TFPO 90質量部
図10は、有機ELフルカラー表示装置の概略構成図を示す。陽極としてガラス基板101上にITO透明電極(102)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)に100μmのピッチでパターニングを行った後、このガラス基板上でITO透明電極の間に非感光性ポリイミドの隔壁103(幅20μm、厚さ2.0μm)をフォトリソグラフィーで形成させた。ITO電極上ポリイミド隔壁の間に、上記組成の正孔注入層組成物をインクジェットヘッド(コニカミノルタ製「KM512L」)を用いて吐出注入し、200℃、10分間の乾燥処理により層厚40nmの正孔注入層104を作製した。この正孔注入層上に、それぞれ上記の青色発光層組成物、緑色発光層組成物、赤色発光層組成物を同様にインクジェットヘッドを使用して吐出注入し、それぞれの発光層(105B、105G、105R)を形成させた。続いて、電子輸送層組成物を同様にインクジェットヘッドを使用して吐出注入し、発光層105の各層上に正孔阻止の役割も兼ねた電子輸送層(106)を形成させた。最後に電子輸送層106上に、陰極としてAl(107)を真空蒸着して有機EL素子を作製した。
作製した有機EL素子は、それぞれの電極に電圧を印加することにより各々青色、緑色、赤色の発光を示し、フルカラー表示装置として利用できることがわかった。
バルクヘテロジャンクション層のp型材料として、Macromolecules 2007,40,1981に記載の低バンドギャップポリマー、PCPDTBTを非特許文献(Nature Mat.vol.6(2007),p497)を参考として合成し、使用した。またn型材料として、PCBM(フロンティアカーボン社より購入)を使用した。
ガラス基板上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を140nm堆積したものを、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングとを用いて2mm幅にパターニングして、透明電極を形成した。
パターン形成した透明電極を、界面活性剤と超純水による超音波洗浄、超純水による超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。この透明基板上に、導電性高分子であるBaytron P4083(スタルクヴィテック製)を60nmの膜厚でスピンコートした後、140℃で大気中10分間加熱乾燥した。
これ以降は基板をグローブボックス中に持ち込み、窒素雰囲気下で作業した。まず、窒素雰囲気下で上記基板を140℃で10分間加熱処理した。
二酸化炭素ガスを10分間バブリングしたクロロベンゼンを用意し、溶存二酸化炭素濃度をガスクロマトグラフィーにて測定したところ350ppmの濃度であった。このクロロベンゼンにp型半導体材料として、PCPDTBTを1.0質量%、n型半導体材料として[6,6]−フェニルC61−ブチリックアシッドメチルエステル(略称、PCBM)(フロンティアカーボン製、NANOM SPECTRA E100H)の2.0質量%、さらに1,8−オクタンジチオールの2.4質量%を溶解した液を作製し、0.45μmのフィルターでろ過をかけながら1200rpmで60秒のスピンコートを行い、室温で30分乾燥し、光電変換部(バルクヘテロジャンクション層)を得た。
次に、上記バルクヘテロジャンクション層を形成した基板を真空蒸着装置内に設置した。2mm幅のシャドーマスクが透明電極と直交するように素子をセットし、10−3Pa以下まで真空蒸着機内を減圧した後、フッ化リチウムを0.5nm、Alを80nm蒸着した。最後に120℃で30分間の加熱を行い、有機光電変換素子1を得た。なお、蒸着速度はいずれも2nm/秒で蒸着し、2mm角のサイズとした。得られた有機光電変換素子1は、窒素雰囲気下でアルミニウムキャップとUV硬化樹脂を用いて封止を行った。
(変換効率の評価)
上記作製した有機光電変換素子に、ソーラーシミュレーター(AM1.5Gフィルタ)の100mW/cm2の強度の光を照射し、有効面積を4.0mm2にしたマスクを受光部に重ね、短絡電流密度Jsc(mA/cm2)及び開放電圧Voc(V)、曲線因子(フィルファクター)FFを、同素子上に形成した4箇所の受光部をそれぞれ測定し、平均値を求めた。また、Jsc、Voc、及びFFから式2に従って光電変換効率η(%)を求めたところ、3.9%の光電変換効率であった。
式2 Jsc(mA/cm2)×Voc(V)×FF=η(%)
以上から、本発明の塗布液を用いて、高効率の有機光電変換素子を作製できることがわかる。
12 ポンプ
13 モディファイヤ
14 インジェクタ
15 カラム
16 カラムオープン
17 検出器
18 圧力調整弁
41 ディスプレイ
53 画素
55 走査線
56 データ線
60 有機EL素子
61 スイッチングトランジスタ
62 駆動トランジスタ
63 コンデンサ
67 電源ライン
101 ガラス基板
102 ITO透明電極
103 隔壁
104 正孔注入層
105B、105G、105R 発光層
106 電子輸送層
107 陰極(Al)
200 バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子
201 基板
202 透明電極(陽極)
203 対極(陰極)
204 光電変換部(バルクヘテロジャンクション層)
205 電荷再結合層
206 第2の光電変換部
207 正孔輸送層
208 電子輸送層
209 第1の光電変換部
A 表示部
B 制御部
Claims (14)
- 有機化合物と有機溶媒とを含む塗布液であって、
50℃以下・大気圧の条件下での前記有機溶媒に対する溶存二酸化炭素濃度が、1ppm以上前記有機溶媒に対する飽和濃度以下の範囲内であることを特徴とする塗布液。 - 前記溶存二酸化炭素濃度が、前記条件下で、5〜1000ppmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の塗布液。
- 前記塗布液中に酸素が1ppm以上存在する場合は、前記溶存二酸化炭素濃度が、前記条件下で、溶存酸素濃度の1.0〜100000倍の範囲内で含まれることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の塗布液。
- 前記塗布液が、電子デバイス作製用塗布液であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の塗布液。
- 前記電子デバイスが、発光デバイスであることを特徴とする請求項4に記載の塗布液。
- 前記有機化合物が、有機エレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の塗布液。
- 前記塗布液が、インクジェット用インクであることを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の塗布液。
- 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の塗布液を製造する塗布液の製造方法であって、
前記有機化合物と二酸化炭素とを混合する工程を有することを特徴とする塗布液の製造方法。 - 前記有機化合物と二酸化炭素とを混合する工程後に、前記有機化合物を含む溶液を用いて前記塗布液を製造することを特徴とする請求項8に記載の塗布液の製造方法。
- 超臨界流体を用いて前記有機化合物を含む溶液中の物質を分離する工程を有することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の塗布液の製造方法。
- 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の塗布液を含有することを特徴とする電子デバイス作製用インク。
- 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の塗布液を用いて形成された有機機能層を有することを特徴とする電子デバイス。
- 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の塗布液を用いて形成された有機機能層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の塗布液を用いて形成された有機機能層を有することを特徴とする光電変換素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016136499 | 2016-07-11 | ||
JP2016136499 | 2016-07-11 | ||
PCT/JP2017/022768 WO2018012223A1 (ja) | 2016-07-11 | 2017-06-21 | 塗布液、その製造方法、電子デバイス作製用インク、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び光電変換素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018012223A1 true JPWO2018012223A1 (ja) | 2019-04-25 |
JP6844621B2 JP6844621B2 (ja) | 2021-03-17 |
Family
ID=60952123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018527474A Active JP6844621B2 (ja) | 2016-07-11 | 2017-06-21 | 塗布液、その製造方法、電子デバイス作製用インク、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び光電変換素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6844621B2 (ja) |
KR (1) | KR102174806B1 (ja) |
CN (1) | CN109479355B (ja) |
TW (1) | TWI700343B (ja) |
WO (1) | WO2018012223A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7513547B2 (ja) * | 2021-02-25 | 2024-07-09 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05115703A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-14 | Mitsubishi Kakoki Kaisha Ltd | 超臨界流体クロマト分離方法 |
WO2001038003A1 (fr) * | 1999-11-26 | 2001-05-31 | Asahi Glass Company, Limited | Procede de fabrication de couche mince a partir d'une substance organique et appareil correspondant |
JP2004524948A (ja) * | 2000-12-06 | 2004-08-19 | ウィルヘルム・テオドラス・ステファヌス・ハック | 圧縮二酸化炭素を使用するパターン化付着 |
JP4389494B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2009-12-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法 |
KR20150101956A (ko) * | 2014-02-27 | 2015-09-04 | 주식회사 동진쎄미켐 | 습식 공정에 의해 형성된 유기 반도체 소자의 정제 방법 |
JP2016501430A (ja) * | 2012-11-20 | 2016-01-18 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 電子素子の製造のための高純度溶媒における調合物 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100461474B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2004-12-16 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 |
US7030168B2 (en) * | 2001-12-31 | 2006-04-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Supercritical fluid-assisted deposition of materials on semiconductor substrates |
JP4195411B2 (ja) * | 2004-04-12 | 2008-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
JP5760779B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-08-12 | 株式会社リコー | 発光素子及び表示装置 |
-
2017
- 2017-06-21 JP JP2018527474A patent/JP6844621B2/ja active Active
- 2017-06-21 KR KR1020197000606A patent/KR102174806B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-21 WO PCT/JP2017/022768 patent/WO2018012223A1/ja active Application Filing
- 2017-06-21 CN CN201780042907.6A patent/CN109479355B/zh active Active
- 2017-06-27 TW TW106121462A patent/TWI700343B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05115703A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-14 | Mitsubishi Kakoki Kaisha Ltd | 超臨界流体クロマト分離方法 |
WO2001038003A1 (fr) * | 1999-11-26 | 2001-05-31 | Asahi Glass Company, Limited | Procede de fabrication de couche mince a partir d'une substance organique et appareil correspondant |
JP2004524948A (ja) * | 2000-12-06 | 2004-08-19 | ウィルヘルム・テオドラス・ステファヌス・ハック | 圧縮二酸化炭素を使用するパターン化付着 |
JP4389494B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2009-12-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法 |
JP2016501430A (ja) * | 2012-11-20 | 2016-01-18 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 電子素子の製造のための高純度溶媒における調合物 |
KR20150101956A (ko) * | 2014-02-27 | 2015-09-04 | 주식회사 동진쎄미켐 | 습식 공정에 의해 형성된 유기 반도체 소자의 정제 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018012223A1 (ja) | 2018-01-18 |
KR20190016090A (ko) | 2019-02-15 |
TWI700343B (zh) | 2020-08-01 |
CN109479355A (zh) | 2019-03-15 |
KR102174806B1 (ko) | 2020-11-05 |
JP6844621B2 (ja) | 2021-03-17 |
TW201815999A (zh) | 2018-05-01 |
CN109479355B (zh) | 2021-07-16 |
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