JPWO2017179514A1 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

青色蛍光発光層（３４Ｂ）が副画素（３Ｂ）と副画素（３Ｇ１）とに共通に設けられ、緑色蛍光発光層（３４Ｇ）が副画素（３Ｇ１）と副画素（３Ｇ２）とに共通に設けられ、赤色発光層（３４Ｒ）が副画素（３Ｇ２）と副画素（３Ｒ）とに共通に設けられており、対向面間距離（ＤＢＧ）がフェルスター半径以下であり、副画素（３Ｇ２）では緑色蛍光発光層と赤色発光層とがセパレート層（３５）を介して積層されている。

Description

本発明は、表示装置およびその製造方法に関する。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、例えば、エレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」と記す）現象を利用した発光素子（ＥＬ素子）を用いた自発光型の表示装置が開発されている。
ＥＬ素子を備えた表示装置は、低電圧で発光が可能であり、自己発光型であるために視野角が広く、視認性が高く、また、薄膜型の完全固体素子であるために省スペースや携帯性等の観点から注目を集めている。
ＥＬ素子は、発光材料を含む発光層を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有している。ＥＬ素子は、発光層に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出を利用して発光する。
ＥＬ素子における発光層の形成には、主に、真空蒸着法等の蒸着方式が用いられる。このような蒸着方式を用いたフルカラーの有機ＥＬ表示装置の形成には、大別して、白色ＣＦ（カラーフィルタ）方式と塗分方式とがある。
白色ＣＦ方式は、白色発光のＥＬ素子とＣＦ層とを組み合わせて各副画素における発光色を選択する方式である。
塗分方式は、蒸着マスクを用いて発光色毎に塗り分け蒸着を行う方式であり、一般的に、基板上に配列した、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色のＥＬ素子からなる副画素を、ＴＦＴを用いて、選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示が行われる。各ＥＬ素子間には、各副画素における発光領域を画定するバンク（隔壁）が設けられており、各ＥＬ素子の発光層は、蒸着マスクを用いて、上記バンクの開口部に形成される。
日本国公開特許公報「特開２０１５−２１６１１３号公報（２０１５年１２月３日公開）」
白色ＣＦ方式は、高精細な蒸着マスクを必要とすることなく高精細な表示装置を実現することができるというメリットがある。
しかしながら、白色ＣＦ方式は、カラーフィルタによるエネルギー損失があり、駆動電圧が高くなることから、消費電力が大きいという問題がある。また、このような白色発光のＥＬ素子は、レイヤー数が多く、また、カラーフィルタを必要とすることから、製造コストが非常に高くなってしまうというデメリットがある。
一方、塗分方式は、発光効率や低電圧駆動等の特性は良いが、高精度なパターニングを行うのが難しい。例えば、蒸着マスクの開口精度、並びに、蒸着源と被成膜基板との距離関係によっては、隣接画素への混色が発生してしまうという問題がある。また、蒸着マスクの厚みや蒸着角度によっては、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる蒸着ボケ（シャドー）が発生する場合がある。このように、塗分方式を用いた表示装置では、隣接画素方向からの蒸着物侵入による混色やシャドーに由来する、表示品位の低下が問題となる。特に、隣接画素に他色ドーパントが付着した場合、他色ドーパントの付着量が極めて少量であっても、デバイス構造によっては、ＥＬ発光スペクトルへの寄与がかなり大きくなり、色度が変化してしまうことがある。
このため、塗分方式により高精細な表示装置を実現するには、蒸着角度が鋭角になるように蒸着源を被成膜基板から離間させる必要があり、それらを収容する真空チャンバの高さを高くする必要がある。
しかしながら、このような高さのある真空チャンバを製造するには多大なコストがかかる上、材料利用効率も悪くなり、材料コストも嵩むことになる。
近年は、見た目の精細度を向上させるため、Ｓストライプ配列やペンタイル配列といった、ＲＧＢストライプ配列以外の画素配列も実用化されている。
しかしながら、従来は、何れの画素配列の場合にも、副画素間のバンク幅を少なくとも十数μｍ程度確保する必要があり、塗分方式を用いた従来の表示装置の解像度は、実質５００ｐｐｉほどで頭打ちとなっている。
なお、特許文献１には、生産性が高く、消費電力が低減された発光装置を提供するために、赤色の光を呈する発光素子と、赤色の光を透過する光学素子とを有するＲ副画素と、緑色の光を呈する発光素子と、緑色の光を透過する光学素子とを有するＧ副画素と、青色の光を呈する発光素子と、青色の光を透過する光学素子とを有するＢ副画素とを少なくとも有する発光装置において、各発光素子に、５４０ｎｍ〜５８０ｎｍの波長範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有する第１の発光層、または、４２０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長範囲に発光ピークを有する第２の発光材料を有する第２の発光層を、共通して用いることが開示されている。
なお、上記発光装置は、黄色（Ｙ）の光を呈する発光素子と、黄色の光を透過する光学素子とを有するＹ副画素をさらに有していてもよく、第１の発光層は、黄緑色、黄色、または橙色の発光を呈する発光材料からなる発光層であり、第２の発光材料は、紫色、青色、または青緑色の発光を呈する発光材料からなる発光層である。
特許文献１では、発光素子と、カラーフィルタ、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタ等の光学素子とを併用し、光学干渉効果と、光学素子による混色光のカットとによって色純度を高めている。
しかしながら、特許文献１では、例えばＧ副画素とＲ副画素とに発光色が黄色または橙色の発光層を共通層として設ける等、共通層を設ける２つの副画素に、共通層として、両副画素のスペクトルの中間色の発光ピークを有する共通層を設けている。このため、光学干渉効果で所望の色を強めようとしても、色ズレが発生したり、効率低下を招いたりしてしまい、単色の色再現性を高めることが難しい。
また、特許文献１では、貼り合わせ基板（封止基板）上に設けられた光学素子によって色度を向上させると考えられるが、色度と発光効率とがトレードオフになり、白色ＣＦ方式同様、高色純度と低消費電力とを両立することができないという問題がある。
また、発光素子と光学素子との間にはギャップがあるため、斜め方向への射出光において混色が起こる可能性がある。このため、特許文献１の発光装置は、配光特性にも問題がある。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色可能性を低減することで混色防止の蒸着マージンを低減させ、より容易に高精細化を実現することができるとともに、高色度と低消費電力とを両立することができる表示装置およびその製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる表示装置は、第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素を含む画素を複数有し、第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層が、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して設けられており、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層が、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して設けられており、第３の発光材料を含む第３の発光層が、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通して設けられており、上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高く、上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下であり、上記第３の副画素は、光層以外の少なくとも１層の機能層からなり、フェルスター半径を越える層厚を有する中間層を備え、該第３の副画素では、上記第２の発光層と上記第３の発光層とが、上記中間層を介して積層されており、上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる表示装置の製造方法は、第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素を含む画素を複数有し、上記第１の副画素では、第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する表示装置の製造方法であって、上記画素に複数の機能層を形成する機能層形成工程を含み、上記機能層形成工程は、上記第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層を、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して形成する第１の発光層形成工程と、上記第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層を、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して形成する第２の発光層形成工程と、上記第３の発光材料を含む第３の発光層を、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通して形成する第３の発光層形成工程と、上記第３の副画素で、上記第２の発光層と上記第３の発光層とが、発光層以外の少なくとも１層の機能層からなり、フェルスター半径を越える厚みを有する中間層を介して積層されるように、上記第３の副画素に上記中間層を形成する中間層形成工程と、を含み、上記機能層形成工程では、上記第２の副画素で、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下となるように上記第１の発光層および上記第２の発光層を形成するとともに、上記第２の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態のエネルギー準位が、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高い蛍光発光材料を使用する。
本発明の上記一態様によれば、上記第１の発光層が上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通に設けられ、上記第２の発光層が上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通に設けられ、上記第３の発光層が上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通に設けられることで、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層を、それぞれ線形蒸着することができる。
そして、本発明の上記一態様によれば、上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とが積層されるが、上記第２の発光層の発光材料である第２の蛍光発光材料は、上記第１の発光層の発光材料である第１の蛍光発光材料よりも最低励起一重項状態のエネルギー準位が低く、かつ、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下であることから、たとえ上記第１の発光層上で正孔と電子とが再結合したとしても、フェルスター型のエネルギー移動により、上記第２の蛍光発光材料がほぼ１００％発光し、混色を抑制することができる。
また、上記第３の副画素では、上記第２の発光層と上記第３の発光層とが積層されるが、上記第２の発光層と上記第３の発光層とは、上記中間層を介して積層されていることで、上記第３の発光層から上記第２の発光層へのエネルギー移動が阻害されるので、混色を抑制することができる。
また、本発明の上記一態様によれば、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層を、それぞれ線形蒸着することができるとともに、上述したように発光層の積層構造を有しているにも拘らず混色が生じ難いことから、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色防止の蒸着マージンを低減させることができ、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも容易に高精細化を実現することができる。
また、本発明の上記一態様によれば、上記表示装置は、上述したように発光層の積層構造を有しているにも拘らず、白色ＣＦ方式や特許文献１のようにＣＦ層や光学干渉効果を必須としないため、消費電力の増大や配光特性の悪化を回避することができる。このため、高色度と低消費電力とを両立することができる。
したがって、本発明の上記一態様によれば、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色可能性を低減することで混色防止の蒸着マージンを低減させ、より容易に高精細化を実現することができるとともに、高色度と低消費電力とを両立することができる表示装置を提供することができる。
本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける発光原理を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の画素配列を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 青色蛍光発光材料、緑色蛍光発光材料、および赤色発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位の関係を示す図である。 本発明の実施形態１で用いられる、青色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルおよび緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一例を示すグラフである。 本発明の実施形態１で用いられるセパレート層の材料の吸収スペクトルおよび緑色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルの一例を示すグラフである。 青色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトル、緑色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトル、および赤色発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルの一例を示すグラフである。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置における発光層ユニットの製造工程を工程順に示す平面図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置の画素配列を模式的に示す図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置における発光層ユニットの製造工程を工程順に示す平面図である。 （ａ）はフェルスター遷移について説明する図であり、（ｂ）はデクスター遷移について説明する図であり、（ｃ）はＴＡＤＦ材料について説明する図である。 本発明の実施形態６にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける発光原理を模式的に示す図である。 本発明の実施形態６にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態６にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態７にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける発光原理を模式的に示す図である。 本発明の実施形態７にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態７にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態８にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態８にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態８にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 （ａ）・（ｂ）は、それぞれ、本発明の実施形態８にかかる発光層ユニットの積層構造の他の例を模式的に示す図である。 本発明の実施形態９にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態９にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態９にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態１０にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１０にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態１０にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態１１にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１１にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態１１にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態１２にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態１３にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態１４にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１４にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
〔実施形態１〕
本発明の実施の一形態について、図１〜図１０に基づいて説明すれば、以下の通りである。
以下では、本実施形態にかかる表示装置として、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
＜有機ＥＬ表示装置の概略構成＞
図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における発光原理を模式的に示す図である。また、図２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図３は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の画素配列を模式的に示す図である。図４は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図４は、図３に示す有機ＥＬ表示装置１のＬ１−Ｌ２線断面に相当する、図３に一点鎖線で枠囲みして示す１画素領域の概略構成の一例を示している。
図４に示すように、上記有機ＥＬ表示装置１は、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板１０と封止基板４０とが図示しないシール材を介して貼り合わされた構成を有している。ＴＦＴ基板１０上には、各色に発光する複数の有機ＥＬ素子２０が設けられている。このため、有機ＥＬ素子２０は、ＴＦＴ基板１０および封止基板４０からなる一対の基板間に封入されている。有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間には、例えば、図示しない充填剤層が設けられている。以下では、ＴＦＴ基板１０が矩形状である場合を例に挙げて説明する。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、封止基板４０側から光を取り出すトップエミッション型の表示装置である。以下に、より詳細に説明する。
＜ＴＦＴ基板１０の構成＞
ＴＦＴ基板１０は、ＴＦＴ１２や配線１４を含むＴＦＴ回路が形成された回路基板である。ＴＦＴ基板１０は、支持基板として、図示しない絶縁基板１１を備えている。
絶縁基板１１は、絶縁性を有していれば特に限定されるものではない。絶縁基板１１には、例えば、ガラス基板や石英基板等の無機基板、ポリエチレンテレフタレートまたはポリイミド樹脂等からなるプラスチック基板等、公知の各種絶縁基板を用いることができる。
なお、本実施形態では、後述するように、絶縁基板１１として、透光性を有するガラス基板（透光性基板）を用いる場合を例に挙げて説明する。しかしながら、トップエミッション型の有機ＥＬ素子２０においては、絶縁基板１１に透光性を必要としない。このため、本実施形態のように有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、絶縁基板１１として、シリコンウェハ等の半導体基板、アルミニウム（Ａｌ）または鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板の表面に酸化シリコンまたは有機絶縁材料等からなる絶縁物をコーティングした基板、Ａｌ等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法によって絶縁化処理した基板等、透光性を有さない絶縁基板（非透光性基板）を使用してもよい。
絶縁基板１１上には、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる、複数の配線１４が設けられている。これら配線１４およびＴＦＴ１２は、層間絶縁膜１３によって覆われている。また、ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。
ＴＦＴ基板１０上には、上記配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光する有機ＥＬ素子２０の発光領域４が設けられている。
すなわち、これら配線１４で囲まれた領域が１つの副画素３（ドット）であり、副画素３毎に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光領域４が画成されている。
図３および図４に示すように、各画素２（すなわち、１画素）は、４つの副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒによって構成されている。これら副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒには、有機ＥＬ素子２０として、対応する発光色の有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ１・２０Ｇ２・２０Ｒがそれぞれ設けられている。
第１の色として青色を表示する副画素３Ｂ（第１の副画素、青色の副画素）は、発光色が青色の有機ＥＬ素子２０Ｂからなり、青色の光を透過する。第２の色として緑色を表示する副画素３Ｇ１（第２の副画素、第１の緑色の副画素）は、発光色が緑色の有機ＥＬ素子２０Ｇ１からなり、緑色の光を透過する。同様に、第２の色として緑色を表示する副画素３Ｇ２（第３の副画素、第２の緑色の副画素）は、発光色が緑色の有機ＥＬ素子２０Ｇ２からなり、緑色の光を透過する。第３の色として赤色を表示する副画素３Ｒ（第４の副画素、赤色の副画素）は、発光色が赤色の有機ＥＬ素子２０Ｒからなり、赤色の光を透過する。
なお、本実施形態では、各副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒを区別する必要がない場合には、これら副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒを総称して単に副画素３と称する。同様に、本実施形態では、各有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ１・２０Ｇ２・２０Ｒを区別する必要がない場合には、これら有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ１・２０Ｇ２・２０Ｒを総称して単に有機ＥＬ素子２０と称する。また、各発光領域４Ｂ・４Ｇ１・４Ｇ２・４Ｒを区別する必要がない場合には、これら発光領域４Ｂ・４Ｇ１・４Ｇ２・４Ｒを総称して単に発光領域４と称する。なお、これら総称の部材番号については、図４等に、例えば３Ｂ（３）のように括弧書きで併記する。
各副画素３には、それぞれ、有機ＥＬ素子２０に駆動電流を供給する駆動用トランジスタとしてのＴＦＴを含む複数のＴＦＴ１２が設けられている。各副画素３の発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、各有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像を表示する。
＜有機ＥＬ素子２０の構成＞
図４に示すように、各有機ＥＬ素子２０は、第１電極２１、有機ＥＬ層２２、第２電極２３を備えている。有機ＥＬ層２２は、第１電極２１と第２電極２３とで挟持されている。本実施形態では、第１電極２１と第２電極２３との間に設けられた層を総称して有機ＥＬ層２２と称する。有機ＥＬ層２２は、少なくとも１層の機能層からなる有機層であり、少なくとも１層の発光層３４を含む発光層ユニット３３を含んでいる。
これら第１電極２１、有機ＥＬ層２２、第２電極２３は、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層されている。
第１電極２１は、副画素３毎に島状にパターン形成されており、第１電極２１の端部は、バンク１５（隔壁、エッジカバー）で覆われている。第１電極２１は、層間絶縁膜１３に設けられたコンタクトホール１３ａを介してそれぞれＴＦＴ１２と接続されている。
バンク１５は絶縁層であり、例えば感光性樹脂で構成されている。バンク１５は、第１電極２１の端部で、電極集中や有機ＥＬ層２２が薄くなって第２電極２３と短絡することを防止する。また、バンク１５は、隣り合う副画素３に電流が漏れないように、画素分離膜としても機能している。
バンク１５には、副画素３毎に開口部１５ａが設けられている。図４に示すように、この開口部１５ａによる第１電極２１および有機ＥＬ層２２の露出部が、各副画素３の発光領域４であり、それ以外の領域は非発光領域である。
一方、第２電極２３は、全ての画素２における副画素３に共通に設けられた共通電極である。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、副画素３毎に第２電極２３が設けられていてもよい。
第２電極２３上には、該第２電極２３を覆うように保護層２４が設けられている。保護層２４は、上側電極である第２電極２３を保護し、酸素や水分が外部から各有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する。なお、保護層２４は、全ての有機ＥＬ素子２０における第２電極２３を覆うように、全ての有機ＥＬ素子２０に共通して設けられている。本実施形態では、各副画素３に形成された、第１電極２１、有機ＥＬ層２２、第２電極２３、および、必要に応じて形成される保護層２４をまとめて有機ＥＬ素子２０と称する。
（第１電極２１および第２電極２３）
第１電極２１および第２電極２３は、対の電極であり、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。
陽極は、発光層ユニット３３に正孔（ｈ＋）を注入する電極としての機能を有していればよい。また、陰極は、発光層ユニット３３に電子（ｅ−）を注入する電極としての機能を有していればよい。
陽極および陰極の形状、構造、大きさ等は、特に制限はなく、有機ＥＬ素子２０の用途、目的に応じて、適宜選択することができる。
本実施形態では、図４に示すように、第１電極２１が陽極であり、第２電極２３が陰極である場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではなく、第１電極２１が陰極であり、第２電極２３が陽極であってもよい。第１電極２１が陽極であり、第２電極２３が陰極である場合と、第１電極２１が陰極であり、第２電極２３が陽極である場合とでは、発光層ユニット３３を構成する各機能層の積層順あるいはキャリア輸送性（正孔輸送性、電子輸送性）が反転する。同様に、第１電極２１および第２電極２３を構成する材料も反転する。
陽極および陰極として用いることができる電極材料としては、特に限定されるものではなく、例えば公知の電極材料を用いることができる。
陽極としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、およびニッケル（Ｎｉ）等の金属、並びに、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明電極材料等が利用できる。
一方、陰極としては、発光層３４に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。陰極としては、例えば、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、またはこれらの金属を含有するＡｇ（銀）−Ｍｇ（マグネシウム）合金、Ａｌ−Ｌｉ合金等の合金等が利用できる。
なお、陽極および陰極の厚みは、特に限定されるものではなく、従来と同様に設定することができる。
発光層ユニット３３で発生させた光は、第１電極２１および第２電極２３のうち何れか一方の電極側から光が取り出される。光を取り出す側の電極には、透光性電極材料を使用した、透明もしくは半透明の透光性電極（透明電極、半透明電極）を使用し、光を取り出さない側の電極には、反射電極材料を使用した反射電極、もしくは、反射電極として、反射層を有する電極を使用することが好ましい。
すなわち、第１電極２１および第２電極２３としては、様々な導電性材料を用いることができるが、上述したように有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、有機ＥＬ素子２０を支持する支持体であるＴＦＴ基板１０側の第１電極２１を反射電極材料で形成し、有機ＥＬ素子２０を挟んで第１電極２１とは反対側に位置する第２電極２３を、透明のまたは半透明の透光性電極材料で形成することが好ましい。
第１電極２１および第２電極２３は、それぞれ、１つの電極材料からなる単層であってもよいし、複数の電極材料からなる積層構造を有していてもよい。
したがって、上述したように有機ＥＬ素子２０がトップエミッション型の有機ＥＬ素子である場合、図２に示すように、第１電極２１を、反射電極２１ａ（反射層）と、透光性電極２１ｂとの積層構造としてもよい。本実施形態では、第１電極２１は、ＴＦＴ基板１０側から、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂが、この順に積層された構成を有している。
反射電極材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）または炭素（Ｃ）等の黒色電極材料、Ａｌ、Ａｇ、金（Ａｕ）、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ａｌ−ネオジウム（Ｎｄ）合金、またはＡｌ−シリコン（Ｓｉ）合金等の反射性金属電極材料等が挙げられる。
また、透光性電極材料としては、例えば、上述した透明電極材料等を用いてもよいし、薄膜にしたＡｇ等の半透明の電極材料を用いてもよい。
（有機ＥＬ層２２）
本実施形態にかかる有機ＥＬ層２２は、図４に示すように、機能層として、第１電極２１側から、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３４を含む発光層ユニット３３、電子輸送層３６、電子注入層３７が、この順に積層された構成を有している。正孔注入層３１、正孔輸送層３２、電子輸送層３６、電子注入層３７は、全ての画素２における副画素３に共通して設けられている。
但し、発光層ユニット３３以外の機能層は、有機ＥＬ層２２として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。以下に、上記各機能層について説明する。
（発光層ユニット３３）
前述したように、各有機ＥＬ素子２０における有機ＥＬ層２２は、少なくとも１層の機能層からなる有機層であり、図１、図２および図４に示すように、各有機ＥＬ素子２０における発光層ユニット３３は、少なくとも１層の発光層３４を含んでいる。
各有機ＥＬ素子２０のうち、有機ＥＬ素子２０Ｂは、発光層３４として、青色の光を発光する青色蛍光発光材料を含む青色蛍光発光層３４Ｂを含んでいる。有機ＥＬ素子２０Ｒは、発光層３４として、赤色の光を発光する赤光発光材料を含む赤色発光層３４Ｒを含んでいる。有機ＥＬ素子２０Ｇ１は、発光層３４として、緑色の光を発光する緑色蛍光発光材料を含む緑色蛍光発光層３４Ｇを含むとともに、青色蛍光発光層３４Ｂを含んでいる。有機ＥＬ素子２０Ｇ２は、発光層３４として、緑色蛍光発光層３４Ｇを含むとともに、赤色発光層３４Ｒを含んでいる。
青色蛍光発光層３４Ｂは、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に共通して設けられている。緑色蛍光発光層３４Ｇは、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通して設けられている。赤色発光層３４Ｒは、副画素３Ｇ２および副画素３Ｒに共通して設けられている。
このため、各画素２には、図４に示すように、第１電極２１と第２電極との間に、少なくとも、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、および赤色発光層３４Ｒを含む複数の機能層が形成されている。そして、各副画素３には、上記複数の機能層のうち、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、および赤色発光層３４Ｒのうち少なくとも１層の発光層３４を含む少なくとも１層の機能層が、それぞれ第１電極２１と第２電極との間に設けられている。
本実施形態において、副画素３Ｂにおける青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとは、互いに隣接して設けられている。一方、副画素３Ｇ１における、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間には、フェルスター型のエネルギー移動（フェルスター遷移）を阻害するセパレート層３５が設けられている。
セパレート層３５は、発光材料を含まず、発光層以外の少なくとも１層の機能層からなり、フェルスター半径を越える層厚を有している。セパレート層３５は、少なくとも１５ｎｍの層厚を有していることが好ましい。
フェルスター半径とは、フェルスター遷移が起こり得る、互いに隣り合う発光層３４間の距離（具体的には、互いに隣り合う発光層３４における互いに最隣接する、互いの対向面間の距離）を意味する。互いに隣り合う一方の発光層３４に含まれる発光材料のＰＬ（フォトルミネセンス）発光スペクトルと他方の発光層３４に含まれる発光材料の吸収スペクトルとの重なり程度が大きければ、フェルスター半径は大きくなり、重なり程度が小さければ、フェルスター半径も小さくなる。
一般的に、フェルスター半径は１〜１０ｎｍ程度と言われている。このため、互いに隣り合う発光層３４における互いの対向面間の距離を１０ｎｍよりも大きく離間させれば、フェルスター遷移は起こらない。
しかしながら、互いに隣り合う発光層３４間の距離を少なくとも１５ｎｍ離間させることで、互いに隣り合う発光層３４の発光材料のＰＬ（フォトルミネセンス）発光スペクトルと吸収スペクトルとが完全に重なる場合でも、隣り合う発光層３４間においてフェルスター遷移が起こらない。したがって、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＧＲ）、つまり、緑色蛍光発光層３４Ｇにおける最も赤色発光層３４Ｒ側に位置する面（本実施形態では緑色蛍光発光層３４Ｇの下面）と赤色発光層３４Ｒにおける最も緑色蛍光発光層３４Ｇ側に位置する面（本実施形態では赤色発光層３４Ｒの上面）との間の距離は、１５ｎｍ以上であることが好ましい。このため、上記セパレート層３５は、少なくとも１５ｎｍの層厚を有していることが好ましい。
セパレート層３５は、赤色発光層３４Ｒと同じく、副画素３Ｇ２および副画素３Ｒに共通して設けられている。なお、セパレート層３５の層厚は、フェルスター遷移を阻害することができる厚みに設定されていればよく、フェルスター半径を越える層厚を有していれば特に限定されないが、セパレート層３５の層厚が大きくなれば、その分、有機ＥＬ表示装置１の厚みが増大するため、有機ＥＬ表示装置１の大型化の抑制や素子の低電圧化の観点から、５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３０ｎｍ以下とすることが、より好ましい。
このため、セパレート層３５は、その一部が、副画素３Ｇ２において、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとで挟持されている一方、他の一部が、副画素３Ｒにおいて、赤色発光層３４Ｒに隣接して積層されている。
各実施形態では、このように発光層３４と、複数の発光層３４で少なくとも一部が挟持された、発光層３４以外の機能層からなる中間層と、で構成される積層体を、発光層ユニット３３と称する。なお、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１では、上記中間層は、セパレート層３５である。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１では、画素２において、発光層ユニット３３を構成するこれら発光層３４およびセパレート層３５は、図１、図２、および図４に示すように、第１電極２１側から、青色蛍光発光層３４Ｂおよび赤色発光層３４Ｒ、上記中間層、緑色蛍光発光層３４Ｇの順に積層されている。
発光層ユニット３３は、副画素３Ｂでは青色蛍光発光層３４Ｂからなり、副画素３Ｇ１では、第１電極２１側から、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇが、この順に積層された積層構造を有している。また、発光層ユニット３３は、副画素３Ｇ２では、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇがこの順に積層された積層構造を有し、副画素３Ｒでは、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５がこの順に積層された積層構造を有している。
図５は、青色蛍光発光材料、緑色蛍光発光材料、および赤色発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位（以下、「Ｓ１準位」と記す）の関係を示す図である。図５中、Ｓ１（１）は、第１の蛍光発光材料である青色蛍光発光材料のＳ１準位を示し、Ｓ１（２）は、第２の蛍光発光材料である緑色蛍光発光材料のＳ１準位を示し、Ｓ１（３）は、第３の発光材料である赤色発光材料のＳ１準位を示す。なお、図５中、Ｓ０は、基底状態を示す。
図５に示すように、緑色蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位（Ｓ１（２））は、上記青色蛍光発光材料のＳ１準位（Ｓ１（１））よりも低く、かつ、赤色発光材料のＳ１準位（Ｓ１（３））よりも高い。
また、図６は、本実施形態で用いられる、青色蛍光発光材料のＰＬ（フォトルミネセンス）発光スペクトルおよび緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一例を示すグラフである。
なお、図６では、青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いた２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）のＰＬ発光スペクトルを示すとともに、緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルとして、後述する実施例１で用いた２，３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン（クマリン６）の吸収スペクトルを示している。
また、図７は、本実施形態で用いられる、中間層であるセパレート層３５の材料の吸収スペクトルおよび緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一例を示すグラフである。
なお、図７では、セパレート層３５の材料の吸収スペクトルとして、後述する実施例１で用いた４，４’−ビス（９−カルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）の吸収スペクトルを示し、緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、上述したように、後述する実施例１で用いたクマリン６のＰＬ発光スペクトルを示している。
図６に示すように、上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とは重なっていることが好ましく、図７に示すように、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間に設けられている中間層に含まれる全ての材料（本実施形態ではセパレート層３５の材料）の吸収スペクトルと上記緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとには重なりが存在しないことが好ましい。
このように上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とが重なっていることで、上記青色蛍光発光材料から上記緑色蛍光発光材料へのエネルギー移動が起き易い。
副画素３Ｇ１では、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとは直接接触していることから、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＢＧ）はフェルスター半径以下である。
このため、副画素３Ｇ１では上記青色蛍光発光材料のＳ１準位から上記緑色蛍光発光材料のＳ１準位へのフェルスター遷移が起こる。すなわち、青色蛍光発光層３４Ｂから緑色蛍光発光層３４Ｇにフェルスター遷移が起こる。
なお、本実施形態において、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＢＧ）とは、青色蛍光発光層３４Ｂにおける最も緑色蛍光発光層３４Ｇ側に位置する面（本実施形態では青色蛍光発光層３４Ｂの上面）と緑色蛍光発光層３４Ｇにおける最も青色蛍光発光層３４Ｂ側に位置する面（本実施形態では緑色蛍光発光層３４Ｇの下面）との間の距離を示す。
一方、上記中間層に含まれる全ての材料（セパレート層３５の材料）の吸収スペクトルと上記緑色蛍光発光材料の発光スペクトルとに重なりが存在しないことで、上記緑色蛍光発光材料から上記中間層に含まれる材料へのエネルギー移動は起こり難い。
セパレート層３５は、フェスルター半径を越える層厚を有していることから、副画素３Ｇ２における対向面間距離ＤＧＲは、フェスルター半径よりも大きい。
このため、副画素３Ｇ２で、上記中間層を介して緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのフェルスター型のエネルギー移動は起こらない。勿論、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間に中間層が設けられており、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとが互いに接触していないことから、デクスター型のエネルギー移動も起こらない。
各発光層３４は、正孔および電子の輸送を担うホスト材料と、発光材料として発光を担う発光ドーパント（ゲスト）材料との２成分系で形成されていてもよく、発光材料単独で形成されていてもよい。
発光層３４中の材料（成分）のうち含有比率の最も多い材料は、ホスト材料であってもよく、発光材料であってもよい。
ホスト材料は、正孔および電子の注入が可能であり、正孔と電子とが輸送され、その分子内で再結合することで発光材料を発光させる機能を有している。ホスト材料を使用する場合、発光材料は、ホスト材料に均一に分散される。
ホスト材料を使用する場合、ホスト材料には、Ｓ１準位および最低励起三重項状態のエネルギー準位（以下、「Ｔ１準位」と記す）のうち少なくとも一方が、発光材料のそれよりも高い値を有する有機化合物が用いられる。これにより、ホスト材料は、発光材料のエネルギーを、該発光材料中に閉じ込めることができ、発光材料による発光効率を向上させることができる。
本実施形態にかかる積層構造を有する各副画素３で表示すべき発光色を効率良く得るためには、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料、望ましくは全ての材料は、図１および図２に正孔（ｈ＋）および電子（ｅ−）の移動を矢印で示すように、電子移動度の極めて低い、正孔輸送性材料であることが望ましい。また、セパレート層３５は、セパレート層３５全体として、正孔輸送性および電子輸送性がともに高いバイポーラ輸送性を示すことが望ましい。このため、セパレート層３５中に含まれる材料は、バイポーラ輸送性材料のように単独でバイポ−ラ輸送性を示す材料であってもよく、単独では、正孔移動度が電子移動度よりも高い、正孔輸送性を示す材料、または、電子移動度が正孔移動度よりも高い、電子輸送性を示す材料を、セパレート層３５としてバイポーラ輸送性を示すように、二種類以上組み合わせて用いても構わない。また、赤色発光層３４Ｒ中の混合比率の最も高い材料、望ましくは全ての材料は、図１および図２に示すようにバイポーラ輸送性材料であることが望ましいが、正孔輸送性材料であっても構わない。青色蛍光発光層３４Ｂ中の混合比率の最も高い材料、望ましくは全ての材料には、バイポーラ輸送性材料または正孔輸送性材料が好適に用いられる。
正孔輸送性のホスト材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ］ビフェニル（ＴＰＤ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、３，３’−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）等の正孔輸送性材料が挙げられる。電子輸送性のホスト材料としては、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、ビス［（２−ジフェニルホスホリル）フェニル］エーテル（ＤＰＥＰＯ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）−１，１’−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンジントリル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾリル）（ＴＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−４−（フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）等の電子輸送性材料が挙げられる。バイポーラ輸送性のホスト材料としては、例えば、４，４’−ビス（９−カルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）等のバイポーラ輸送性材料が挙げられる。
青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇ中の発光材料は、ともに蛍光発光材料である。
青色蛍光発光材料としては、例えば、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］サルホン（ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、ペリレン、４，５−ビス（カルバゾール−９−イル）−１，２−ジシアノベンゼン（２ＣｚＰＮ）等、青色発光する蛍光発光材料を用いることができる。
緑色蛍光発光材料としては、例えば、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン（クマリン６）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）、１，２，３，５−テトラキス（カルバゾール−９−イル）−４，６−ジシアノベンゼン（４ＣｚＩＰＮ）、１，２，３，４−テトラキス（カルバゾール−９−イル）−５，６−ジシアノベンゼン（４ＣｚＰＮ）、次式
Figure 2017179514
で示されるＰＸＺ−ＤＰＳ等が挙げられる。
赤色発光材料は、発光色が赤色であれば、燐光発光材料であってもよく、蛍光発光材料であってもよい。但し、赤色発光層３４Ｒではエネルギー移動を用いないことから、燐光発光材料、またはＴＡＤＦ（Thermally Activated Delayed Fluorescence：熱活性化遅延蛍光）材料であることが、発光効率が高くなることから望ましい。
ＴＡＤＦ材料は、熱活性化により最低励起三重項状態から逆項間交差により最低励起一重項状態を生成できる材料であり、Ｓ１準位とＴ１準位とのエネルギー差ΔＥＳＴが極めて小さい遅延蛍光材料である。発光材料にこのようにＳ１準位とＴ１準位とのエネルギー差ΔＥＳＴが極めて小さい遅延蛍光材料を用いることで、熱エネルギーによるＴ１準位からＳ１準位への逆項間交差が生じる。このＴＡＤＦ材料による遅延蛍光を利用すると、蛍光型発光においても、理論上、内部量子効率を１００％にまで高めることができる。ΔＥＳＴは、小さければ小さいほど、最低励起三重項状態から最低励起一重項状態に逆項間交差し易く、ΔＥＳＴが０．３ｅＶ以下であれば室温でも比較的容易に逆項間交差することができる。
赤色蛍光発光材料としては、例えば、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（ＤＢＰ）、（Ｅ）−２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）スチリル］−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝マロノニトリル（ＤＣＭ）等が挙げられる。また、赤色燐光発光材料としては、例えば、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））等が挙げられる。また、赤色発光するＴＡＤＦ材料としては、例えば、次式
Figure 2017179514
で示されるＰＰＺ−ＤＰＯ、次式
Figure 2017179514
で示されるＰＰＺ−ＤＰＳ、次式
Figure 2017179514
で示される４ＣｚＴＰＮ−Ｐｈ等が挙げられる。
また、セパレート層３５としては、例えば、上述したようにバイポーラ輸送性材料である４，４’−ビス（９−カルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。
上記発光層ユニット３３における各機能層の層厚は、対向面間距離ＤＧＲおよび対向面間距離ＤＢＧが上述した条件を満足するように形成されていれば、特に限定されるものではない。しかしながら、上記発光層ユニット３３のうち、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚は、１０ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。
副画素３Ｇ１では、前述したようにフェルスター遷移を利用する。青色蛍光発光層３４Ｂの層厚を１０ｎｍ以下に設定することで、副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も緑色蛍光発光層３４Ｇから遠い青色蛍光発光材料の分子（すなわち、青色蛍光発光層３４Ｂにおける、緑色蛍光発光層３４Ｇとは反対側の表面、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂの下面に位置する青色蛍光発光材料の分子）から緑色蛍光発光層３４Ｇにおける緑色蛍光発光材料までの距離が１０ｎｍ以下となる。言い換えれば、青色蛍光発光層３４Ｂの任意の位置から緑色蛍光発光層３４Ｇまでの最短距離が何れも１０ｎｍ以下となる。このため、副画素３Ｇ１における任意の位置の青色蛍光発光材料の分子から緑色蛍光発光材料へのフェルスター遷移が可能であり、たとえ青色蛍光発光層３４Ｂにおける緑色蛍光発光層３４Ｇとは反対側の表面に位置する青色蛍光発光材料の分子であっても、フェルスター遷移が可能となる。
（正孔注入層３１および正孔輸送層３２）
正孔注入層３１は、正孔注入性材料を含み、発光層３４への正孔注入効率を高める機能を有する層である。正孔注入層３１と正孔輸送層３２とは、互いに独立した層として形成されていてもよく、正孔注入層兼正孔輸送層として一体化されていてもよい。また、正孔注入層３１と正孔輸送層３２とが両方設けられている必要はなく、一方のみ（例えば正孔輸送層３２のみ）が設けられていてもよい。
正孔注入層３１、正孔輸送層３２、あるいは正孔注入層兼正孔輸送層の材料、すなわち、正孔注入性材料あるいは正孔輸送性材料には、既知の材料を用いることができる。
これらの材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。より具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリル−アミノ）−フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、９，１０−ジフェニルアントラセン−２−スルフォネート（ＤＰＡＳ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（４−（ジ（３−トリル）アミノ）フェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、イリジウム（III）トリス［Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンズイミダゾル−２−イリデン−Ｃ２，Ｃ２’］（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）３）、４，４’，４”−トリス−（Ｎ−カルバゾリル）−トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、２，２−ビス（ｐ−トリメリットオキシフェニル）プロパン酸無水物（ＢＴＰＤ）、ビス［４−（ｐ，ｐ−ジトリルアミノ）フェニル］ジフェニルシラン（ＤＴＡＳｉ）等が用いられる。
なお、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、正孔注入層兼正孔輸送層は、不純物がドープされていない真性正孔注入性材料あるいは真性正孔輸送性材料であってもよいし、導電性を高める等の理由で不純物がドープされていても構わない。
また、高効率の発光を得るためには、励起エネルギーを、発光層ユニット３３内、特に、発光層ユニット３３における発光層３４内に閉じ込めることが望ましい。このため、上記正孔注入性材料および正孔輸送性材料としては、発光層３４中の発光材料のＳ１準位およびＴ１準位よりも励起準位の高いＳ１準位およびＴ１準位を有する材料を使用することが望ましい。このため、上記正孔注入性材料および正孔輸送性材料としては、励起準位が高く、かつ、高い正孔移動度を有する材料を選択することがより好ましい。
（電子輸送層３６および電子注入層３７）
電子注入層３７は、電子注入性材料を含み、発光層３４への電子注入効率を高める機能を有する層である。
また、電子輸送層３６は、電子輸送性材料を含み、発光層３４への電子輸送効率を高める機能を有する層である。
なお、電子注入層３７と電子輸送層３６とは、互いに独立した層として形成されていてもよく、電子注入層兼電子輸送層として一体化されていてもよい。また、電子注入層３７と電子輸送層３６とが両方設けられている必要もなく、一方のみ、例えば電子輸送層３６のみが設けられていてもよい。勿論、両方とも設けられていなくても構わない。
電子注入層３７、電子輸送層３６、あるいは電子注入層兼電子輸送層の材料、すなわち、電子注入性材料あるいは電子輸送性材料として用いられる材料としては、既知の材料を用いることができる。
これらの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、およびこれらの誘導体や金属錯体、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。
より具体的には、例えば、ビス［（２−ジフェニルホスホリル）フェニル］エーテル（ＤＰＥＰＯ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、３，３’−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾル−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３−フェニル−４（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、１，１０−フェナントロリン、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、ＬｉＦ等が挙げられる。
（保護層２４）
保護層２４は、透光性を有する、絶縁性材料や導電性材料で形成される。保護層２４の材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の無機絶縁材料や、ＩＴＯ等の導電性材料が挙げられる。なお、保護層２４は、無機絶縁層と有機絶縁層との積層構造を有していてもよい。上記有機絶縁層に用いられる有機絶縁材料としては、例えば、ポリシロキサン、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等が挙げられる。
保護層２４の厚みは、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止することができるように、材料に応じて適宜設定すればよく、特に限定されない。
（封止基板４０）
封止基板４０としては、例えば、ガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。本実施形態のように有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、封止基板４０には、透光性を有する絶縁基板が用いられる。
なお、絶縁基板１１および封止基板４０は、それぞれ、フレキシブル性を有する絶縁フィルムであってもよく、これら絶縁基板１１および封止基板４０に、それぞれ、屈曲性を有する基板を用いることで、上記有機ＥＬ表示装置１を、フレキシブルディスプレイ、あるいは、ベンダブルディスプレイとすることもできる。
なお、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間には、封止基板４０がＴＦＴ基板１０に衝突し、有機ＥＬ素子２０が損傷するのを防ぐために、図示しないギャップスペーサが設けられていてもよい。
＜有機ＥＬ表示装置１の表示方法＞
次に、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の表示方法について説明する。
前述したように、有機ＥＬ表示装置１は、各色の発光層３４を備えた有機ＥＬ素子２０が設けられた副画素３を複数備え、ＴＦＴ１２を用いて各副画素３における有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光することによりカラー表示を行う。以下では、各副画素３における発光について説明する。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、表示領域には、複数の画素２が、マトリクス状に配置されている。
各画素２は、上述したように副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２からなる２種類の緑色の副画素３（副画素３Ｇ）を有し、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｇ２、副画素３Ｒの４つの副画素３で構成されている。
表示領域において、これら画素２は、図３に示すように、行方向（第１の方向）に、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが隣り合うとともに副画素３Ｒと副画素３Ｇ２とが隣り合い、行方向に直交する列方向（第２の方向）に、副画素３Ｂと副画素３Ｒとが隣り合うとともに副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが隣り合うＳストライプ型の画素配列（Ｓストライプ配列）を有している。それぞれ行方向に沿って形成された、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とからなる列と、副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとからなる列とは、列方向に交互に配置されている。これにより、表示領域において、例えば奇数行では、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが交互に配置され、偶数行では、副画素３Ｒと副画素３Ｇ２とが交互に配置されている。
本実施形態によれば、Ｓストライプ型の画素配列とすることで、見かけの精細度を向上させることができる。
本実施形態では、従来のＳストライプ型の画素配列を有する有機ＥＬ表示装置と異なり、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが、図１、図２および図４に示すように、異なる積層構造を有している。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１において、図４に示すように、第１電極２１および第２電極２３のそれぞれから有機ＥＬ層２２に注入された正孔（ｈ＋）および電子（ｅ−）は、図１に示すように、副画素３Ｂでは、青色蛍光発光層３４Ｂで再結合して励起子が生成する。生成された励起子は、失活して基底状態（以下、「Ｓ０」と記す）に戻る際に光を放出する。これにより、副画素３Ｂでは青色発光する。
また、前述したように、緑色蛍光発光材料のＳ１準位は、青色蛍光発光材料のＳ１準位よりも低く、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料には正孔輸送性材料が用いられ、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料にはバイポーラ輸送性材料または正孔輸送性材料が用いられることから、副画素３Ｇ１では、第１電極２１および第２電極２３のそれぞれから有機ＥＬ層２２に注入された正孔および電子は、図１に示すように、緑色蛍光発光層３４Ｇで再結合して励起子が生成する。
なお、正孔と電子とが仮に青色蛍光発光層３４Ｂ上で再結合した場合でも、Ｓ１準位間のフェルスター遷移により青色蛍光発光層３４Ｂから緑色蛍光発光層３４Ｇにエネルギーが移動し、緑色蛍光発光層３４Ｇがほぼ１００％発光（緑色発光）し、青色混色が抑制される。
また、前述したように、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料には正孔輸送性材料が用いられ、赤色発光層３４Ｒおよびセパレート層３５中の材料のうち含有比率の最も多い材料には例えばバイポーラ輸送性材料が用いられることから、副画素３Ｇ２では、第１電極２１および第２電極２３のそれぞれから有機ＥＬ層２２に注入された正孔および電子は、図１に示すように、緑色蛍光発光層３４Ｇで再結合して励起子が生成する。
このとき、緑色蛍光発光材料のＳ１準位は、赤色発光材料のＳ１準位よりも高いが、セパレート層３５により、緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのエネルギー移動は阻害されることから、副画素３Ｇ２での赤色混色は抑制され、副画素３Ｇ２では、緑色発光する。
なお、後述するように線形蒸着により青色蛍光発光層３４Ｂを副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とに共通して形成する際に、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ１に侵入したとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇは電子輸送性が極めて低く、殆ど電子を流さないため、副画素３Ｇ２で青色混色は発生しない。なお、ここで、線形蒸着とは、ドット状ではなく、直線状に蒸着を行うことを示す。
また、前述したように、赤色発光層３４Ｒおよびセパレート層３５中の材料のうち含有比率の最も多い材料には例えばバイポーラ輸送性材料が用いられることから、副画素３Ｒでは、第１電極２１および第２電極２３のそれぞれから有機ＥＬ層２２に注入された正孔および電子は、図１に示すように、赤色発光層３４Ｒで再結合して励起子が生成する。これにより、副画素３Ｒでは赤色発光する。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
次に、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図８〜図１０を参照して以下に説明する。
図９の（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１における発光層ユニット３３の製造工程を工程順に示す平面図である。また、図１０は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
なお、図９の（ａ）〜（ｃ）では、発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒの識別のために、各発光領域４に、図３と同じハッチングを行っており、実際の蒸着は、各蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇの各開口部７１Ｂ・７１Ｒ・７１Ｇ内において行われる。発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒは、それぞれ、順に、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｇ２、副画素３Ｒ内に位置する。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造工程は、上述したＴＦＴ基板１０を作製するＴＦＴ基板作製工程と、該ＴＦＴ基板１０上に有機ＥＬ素子２０を形成する有機ＥＬ素子作製工程と、該有機ＥＬ素子作製工程で作製した有機ＥＬ素子２０を封止する封止工程と、を備えている。
有機ＥＬ素子作製工程は、図１０に示すように、例えば、陽極形成工程（Ｓ１）、正孔注入層形成工程（Ｓ２）、正孔輸送層形成工程（Ｓ３）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）、赤色発光層形成工程（Ｓ５）、セパレート層形成工程（Ｓ６）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、電子輸送層形成工程（Ｓ８）、電子注入層形成工程（Ｓ９）、陰極形成工程（Ｓ１０）、保護層形成工程（Ｓ１１）を含んでいる。本実施形態では、有機ＥＬ素子作製工程は、一例として、この順に行われる。なお、上記括弧内は、ステップ番号を示している。
但し、本実施形態は、図１、図２、および図４に示す積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができれば、上記製造工程順に限定されるものではなく、例えば、後述する実施形態１２に示すように、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）を行う前に、赤色発光層形成工程（Ｓ５）およびセパレート層形成工程（Ｓ６）を行っても構わない。
以下に、上記した各工程について説明する。
まず、ＴＦＴ基板作製工程で、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成された絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間絶縁膜１３を形成する。
層間絶縁膜１３としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。層間絶縁膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。
次に、層間絶縁膜１３に、陽極としての第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。これによりＴＦＴ基板１０が作製される。
次いで、このようにして形成されたＴＦＴ基板１０上に、有機ＥＬ素子２０を形成する（有機ＥＬ素子作製工程）。
有機ＥＬ素子作製工程では、まず、上記ＴＦＴ基板１０上に、陽極として、第１電極２１を形成する（Ｓ１）。
本実施形態にかかる陽極形成工程（Ｓ１）は、ＴＦＴ基板１０上に反射電極２１ａを形成する反射電極形成工程と、反射電極２１ａ上に透光性電極２１ｂを形成する透光性電極形成工程と、を備えている。
したがって、上記陽極形成工程（Ｓ１）では、まず、ＴＦＴ基板１０上に、第１電極２１における反射電極２１ａとして、反射電極材料を所定の厚みでパターン形成する。
反射電極２１ａは、例えば、スパッタリング法等により反射電極材料を成膜後に、副画素３毎に、フォトリソグラフィにより図示しないレジストパターンを形成し、これらレジストパターンをマスクとして上記反射電極材料からなる層をエッチングした後、レジストパターンを剥離洗浄することで副画素３毎に分離するようにパターニングしてもよいし、印刷法あるいは蒸着マスクを用いた蒸着法等により、パターン成膜してもよい。上記蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法等を用いることができる。
次に、第１電極２１における透光性電極２１ｂとして、反射電極２１ａ上に、透光性電極材料を、所定の厚みでパターン形成する。
反射電極２１ａと陰極としての第２電極２３との間の距離は、各副画素３から発光される各色の波長領域の光のピーク波長の強度を増強させる距離に設定することが望ましい。
図８は、青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、および赤色発光材料のＰＬ発光スペクトルの一例を示すグラフである。
なお、図８では、青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いたＴＢＰｅのＰＬ発光スペクトルを示し、緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いたクマリン６のＰＬ発光スペクトルを示し、赤色発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いたＩｒ（ｐｉｑ）３のＰＬ発光スペクトルを示している。
図８に示すように、上記青色蛍光発光材料のピーク波長（第１のピーク波長）は略４７０ｎｍであり、緑色蛍光発光材料のピーク波長（第２のピーク波長）は略５２０ｎｍであり、上記赤色発光材料のピーク波長（第３のピーク波長）は略５９０ｎｍである。
本実施形態にかかる有機ＥＬ素子２０は、マイクロキャビティ（微小共振器）方式の有機ＥＬ素子である。マイクロキャビティ方式の有機ＥＬ素子においては、発光した光が陽極と陰極との間で多重反射し、共振することで発光スペクトルが急峻になり、特定波長の発光強度が増幅される。
有機ＥＬ素子に、このような共振構造（マイクロキャビティ構造）を導入する方法としては、例えば、発光色毎に有機ＥＬ素子の２つの共振面間の長さ（キャビティ長）、すなわち、光路長を変える方法が知られている。
本実施形態では、副画素３毎に透光性電極２１ｂの厚みを設定することで、副画素３毎にキャビティ長を変更し、マイクロキャビティ効果により、発光の色度や発光効率の向上を図っている。
このため、本実施形態において各副画素３における発光材料から発光される光は、一部は直接外部に出射されるが、他の一部は多重反射されて外部に出射される。すなわち、各副画素３から外部に出射される光には、発光材料から発光された後、そのまま、有機ＥＬ層２２を挟んで反射電極とは反対側に設けられた透光性電極（本実施形態では第２電極２３）を介して外部に出射される光と、発光材料から発光された後、陽極と陰極との間（より厳密には、上記反射電極と透光性電極との間であり、本実施形態では第１電極２１における反射電極２１ａと第２電極２３との間）で多重反射されて、上記反射電極とは反対側に設けられた透光性電極（本実施形態では第２電極２３）を介して外部に出射される光とが含まれる。
したがって、副画素３Ｂでは、青色蛍光発光層３４Ｂから発光された光が外部に出射されるが、このとき外部に出射される光には、青色蛍光発光層３４Ｂで発光された光（すなわち、青色蛍光発光材料から発光された光）を、副画素３Ｂにおける陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれる。また、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２では、緑色蛍光発光層３４Ｇから発光された光が外部に出射されるが、副画素３Ｇ１から外部に出射される光には、緑色蛍光発光層３４Ｇで発光された光（すなわち、緑色蛍光発光材料から発光された光）を、副画素３Ｇ１における陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれ、副画素３Ｇ２から外部に出射される光には、上記緑色蛍光発光層３４Ｇで発光された光を、副画素３Ｇ２における陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれる。また、副画素３Ｒでは、赤色発光層３４Ｒから発光された光が外部に出射されるが、このとき外部に出射される光には、赤色発光層３４Ｒで発光された光（すなわち、赤色発光材料から発光された光）を、副画素３Ｒにおける陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれる。
副画素３Ｂでは、反射電極２１ａと第２電極２３との間の距離が、青色の波長領域の光を外部に取り出す（すなわち、出射させる）のに最適な厚み（青色蛍光発光材料のピーク波長の強度を増強させる距離）となるように透光性電極２１ｂの厚みが設定される。同様に、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２では、反射電極２１ａと第２電極２３との間の距離が、緑色の波長領域の光を外部に取り出すのに最適な厚み（緑色蛍光発光材料のピーク波長の強度を増強させる距離）となるように透光性電極２１ｂの厚みが設定され、副画素３Ｒでは、反射電極２１ａと第２電極２３との間の距離が、赤色の波長領域の光を外部に取り出すのに最適な厚み（赤色発光材料のピーク波長の強度を増強させる距離）となるように透光性電極２１ｂの厚みが設定される。
なお、各副画素３における透光性電極２１ｂの厚みを変更する方法としては、特に限定されるものではなく、蒸着法あるいは印刷法等により、副画素３毎に所望の厚みに透光性電極材料を成膜してもよく、スパッタリング法等により透光性電極材料を成膜後に、フォトリソグラフィによりパターン化し、その後、上記透光性電極材料からなる各層の厚みを、アッシング等により所望の厚みに調整してもよい。
これにより、ＴＦＴ基板１０上に、副画素３毎に異なる層厚を有する第１電極２１を、マトリクス状に形成する。
次に、層間絶縁膜１３と同様にして、第１電極２１の端部を覆うようにバンク１５をパターン形成する。以上の工程により、陽極として、副画素３毎にバンク１５で分離された第１電極２１が作製される。
次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。
次いで、従来と同様にして、正孔注入層３１の材料、正孔輸送層３２の材料を、上記第１電極２１が形成されたＴＦＴ基板１０上における表示領域全面に、この順に蒸着する（Ｓ２、Ｓ３）。
その後、図９の（ａ）中、破線で示す発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されるように、各画素２における副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に対応して二副画素分の開口部７１Ｂが行方向および列方向に複数設けられた青色蛍光発光層形成用の蒸着マスク７０Ｂを用いて、青色蛍光発光層３４Ｂの材料を、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とを結ぶ方向に線形蒸着する。本実施形態では、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１からなる奇数行目の副画素列に青色蛍光発光層３４Ｂの材料を線形蒸着した。これにより、上記正孔輸送層３２上に、青色蛍光発光層３４Ｂを、行方向に沿った断続的なストライプ状に形成した（Ｓ４）。
次に、図９の（ｂ）中、破線で示す発光領域４Ｒおよび発光領域４Ｇ２に赤色発光層３４Ｒが形成されるように、各画素２における副画素３Ｒおよび副画素３Ｇ２に対応して二副画素分の開口部７１Ｒが行方向および列方向に複数設けられた赤色発光層形成用の蒸着マスク７０Ｒを用いて、赤色発光層３４Ｒの材料を、副画素３Ｒと副画素３Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着する。本実施形態では、副画素３Ｒおよび副画素３Ｇ２からなる偶数行目の副画素列に赤色発光層３４Ｒの材料を線形蒸着した。これにより、上記正孔輸送層３２上に、赤色発光層３４Ｒを、青色蛍光発光層３４Ｂと平行、かつ、行方向に沿った断続的なストライプ状に形成した（Ｓ５）。
続いて、上記赤色発光層３４Ｒ上に、赤色発光層形成用の蒸着マスク７０Ｒを用いて、上記セパレート層３５の材料を、副画素３Ｒと副画素３Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着する。これにより、上記赤色発光層３４Ｒ上に、平面視で、上記赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有するセパレート層３５を積層した（Ｓ６）。
なお、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とが、平面視で同じパターンを有することから、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とを、同じ蒸着マスク７０Ｒを用いて連続して形成する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とを、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いてパターン形成しても構わない。
次いで、図９の（ｃ）中、破線で示す発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に緑色蛍光発光層３４Ｇが形成されるように、各画素２における副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に対応して二副画素分の開口部７１Ｇが行方向および列方向に複数設けられた緑色蛍光発光層形成用の蒸着マスク７０Ｇを用いて、緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着する。本実施形態では、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２からなる偶数列目の副画素列に緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を線形蒸着した。これにより、上記正孔輸送層３２上に、副画素３Ｇ１において青色蛍光発光層３４Ｂに重なり、副画素３Ｇ２においてセパレート層３５に重なる、列方向に沿った断続的なストライプ状の緑色蛍光発光層３４Ｇを形成した（Ｓ７）。
なお、蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇとしては、例えば、金属製のメタルマスクを用いることができる。
その後、従来と同様にして、電子輸送層３６の材料、電子注入層３７の材料を、上記各色の発光層３４が形成されたＴＦＴ基板１０上における表示領域全面に、この順に蒸着する（Ｓ８、Ｓ９）。
次に、陰極として、第２電極２３を、上記電子注入層３７を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に形成する（Ｓ１０）。
第２電極２３の形成には、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の蒸着法を用いてもよく、スパッタリング法、あるいは印刷法等を用いてもよい。
その後、保護層２４の材料を、上記第２電極２３を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ１１）。これにより、上記ＴＦＴ基板１０上に、有機ＥＬ素子２０が形成される。
その後、封止工程を行うことで、図４に示すように、上記有機ＥＬ素子２０が形成されたＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、図示しない充填剤層およびシール材を介して貼り合わせる。これにより、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１が得られる。
但し、有機ＥＬ素子２０の封止方法としては、上記した方法に限定されず、公知の各種封止方法を採用することができる。
本実施形態では、実施例１として、図１０に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
実施例１で上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下では、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例１）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１６０ｎｍ／副画素３Ｇ２：１４５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ＡＤＮ（ホスト材料、９０％）／ＴＢＰｅ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
上述したように、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、および赤色発光層３４Ｒを、各画素２内で、それぞれ２つの副画素３に共通な共通発光層とし、該共通発光層の活用で生産性を高めながら、蛍光発光材料のフェルスター型のエネルギー移動と、その遷移可能距離とを利用して発光を行う。
上述したように、本実施形態によれば、副画素３Ｇ２では、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとが積層されるが、緑色蛍光発光材料は、青色蛍光発光材料よりもＳ１準位が低く、かつ、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとにおける互いの対向面間距離ＤＢＧがフェルスター半径以下であることから、たとえ青色蛍光発光層３４Ｂ上で正孔と電子とが再結合したとしても、フェルスター遷移により、緑色蛍光発光材料がほぼ１００％発光し、混色を抑制することができる。
また、副画素３Ｒでは、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとが積層されるが緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとは、セパレート層３５（中間層）を介して積層されていることで、赤色発光層３４Ｒから緑色蛍光発光層３４Ｇへのエネルギー移動が阻害されるので、混色を抑制することができる。
上述した積層構造を有さないＳストライプ配列を有する有機ＥＬ表示装置では、緑色の副画素からなる副画素列に対してしか線形蒸着を行うことはできない。
しかしながら、本実施形態によれば、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２を、上述した積層構造とすることで、上述したように、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向だけでなく、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とを結ぶ方向、および、副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとを結ぶ方向にも線形蒸着が可能であり、これらの方向への混色を抑制することができる。
また、本実施形態によれば、上述したように、Ｓストライプ配列となるように配列された、ＲＧＢの全ての副画素３における発光層３４およびセパレート層３５を、二副画素分の開口部からなる開口パターンを有する蒸着マスクで蒸着することができる。このため、混色防止の蒸着マージンを低減させ、これら副画素３間のピッチを狭めて精細度を向上させたり、同一精細度で副画素３の面積を広げて電流ストレスを低下させることで、各有機ＥＬ素子２０を長寿命化させたりすることができる。
このように、本実施形態によれば、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒを、それぞれ線形蒸着することができるとともに、上述したように発光層３４の積層構造を有しているにも拘らず混色が生じ難いことから、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色防止の蒸着マージンを低減させることができ、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも容易に高精細化を実現することができる。
また、上記有機ＥＬ表示装置１は、上述したように発光層の積層構造を有しているにも拘らず、白色ＣＦ方式や特許文献１のようにＣＦ層や光学干渉効果を必須としないため、消費電力の増大や配光特性の悪化を回避することができる。このため、高色度と低消費電力とを両立することができる。
したがって、本実施形態によれば、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色可能性を低減することで混色防止の蒸着マージンを低減させ、より容易に高精細化を実現することができるとともに、高色度と低消費電力とを両立することができる表示装置を提供することができる。
＜変形例＞
なお、本実施形態では、本実施形態にかかる表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合を例に挙げて説明した。しかしながら本実施形態にかかる表示装置は、ＰＬ発光する表示装置であればよい。したがって、本実施形態にかかる表示装置は、上述した例示に限定されるものではなく、例えば無機ＥＬ表示装置であってもよく、ＰＬ発光を利用した、ＥＬ表示装置以外の表示装置であってもよい。また、前記各発光材料に無機材料を使用し、有機層に代えて無機層を形成してもよい。
また、本実施形態では、第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層として青色蛍光発光層３４Ｂを形成し、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層として緑色蛍光発光層３４Ｇを形成し、第３の発光材料を含む第３の発光層として赤色発光層３４Ｒを形成したが、本実施形態は、これに限定されるものではない。上記第１の蛍光発光材料と第２の蛍光発光材料と第３の発光材料との組み合わせは、青色蛍光発光材料と緑色蛍光発光材料と赤色発光材料との組み合わせに限定されるものではなく、上記第２の蛍光発光材料が、上記第１の蛍光発光材料から発光される光のピーク波長（第１のピーク波長）よりも長波長のピーク波長（第２のピーク波長）を有する光を発光し、上記第３の発光材料が上記第２のピーク波長よりも長波長のピーク波長（第３のピーク波長）を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料のＳ１準位が、上記第１の蛍光発光材料のＳ１よりも低く、かつ、上記第３の発光材料のＳ１よりも高い組み合わせであればよい。
〔実施形態２〕
本発明の実施の他の形態について、主に図３、図１０、および図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施形態では、実施形態１との相違点について説明するものとし、実施形態１で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
図１１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じく、図３に示すＳストライプ型の画素配列を有している。このため、図１１は、図３に一点鎖線で枠囲みして示す１画素領域の概略構成の一例を示し、図３に示すＬ１−Ｌ２線断面に相当する断面の概略構成を示している。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、発光層ユニット３３から発せられた光を、第１電極２１側、すなわちＴＦＴ基板１０側から取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置であり、第１電極２１が透光性電極であり、保護層２４を設ける代わりに、第２電極２３に、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１における第２電極２３（半透明電極）よりも層厚が厚い反射電極を用いた点を除けば、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じである。
有機ＥＬ表示装置１の光取り出し方向は、第１電極２１側および第２電極２３側の何れであるかを問わない。このため、有機ＥＬ表示装置１は、本実施形態のようなボトムエミッション型の構造であってもよい。
なお、このように有機ＥＬ表示装置１がボトムエミッション型である場合、絶縁基板１１には、透明基板あるいは透光性基板と称される、ガラス基板、プラスチック基板等の透光性を有する絶縁基板が用いられる。
また、有機ＥＬ表示装置１がボトムエミッション型である場合、発光層ユニット３３から発せられた光は、透光性電極側から直接、もしくは反射電極で反射させて、透光性電極側から取り出される。このため、本実施形態では、上述したようにＴＦＴ基板１０側の第１電極２１を透光性電極とし、第２電極２３を反射電極とする。これら透光性電極および反射電極の材料としては、例えば、実施形態１に例示の透光性電極材料、反射電極材料等を使用することができる。
本実施形態では、図１０に示したフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、透光性電極からなる第１電極２１、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、電子輸送層３６、電子注入層３７、反射電極からなる第２電極２３を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例２）
第１電極２１（陽極、透光性電極）：ＩＴＯ（５０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ＡＤＮ（ホスト材料、９０％）／ＴＢＰｅ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、反射電極）：Ａｌ（１００ｎｍ）
本実施形態によれば、実施形態１と同様の効果を有する、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置１を提供することができる。
また、上述したように有機ＥＬ表示装置１をボトムエミッション構造とした場合、マイクロキャビティ効果が弱く、各副画素３における有機ＥＬ素子２０の光路長（キャビティ長）を変化させても、各副画素３における有機ＥＬ素子２０の色度や発光効率が変化し難い。このため、第２電極２３を、実施形態１にかかる第１電極２１のように反射電極と、層厚調整層（光路長調整層）としての透光性電極との積層構造とし、該透光性電極の層厚を変更する等して各副画素３における有機ＥＬ素子２０の光路長を変更したり、副画素３毎に、第１電極２１と第２電極２３との間の有機ＥＬ層２２の層厚を変更したりしなくても、各副画素３における有機ＥＬ素子２０の色度や効率が変化し難い。
このため、本実施形態によれば、上述したように、有機ＥＬ表示装置１における各層を一様な層厚としても特に問題がなく、有機ＥＬ表示装置１をトップエミッション構造とする場合よりも製造プロセスを簡便化することができる。
〔実施形態３〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図１〜図４、図１０〜図１３に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施形態では、実施形態１、２との相違点について説明するものとし、実施形態１、２で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１、２と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
図１２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の画素配列を模式的に示す図である。
実施形態１、２では、有機ＥＬ表示装置１が、Ｓストライプ配列を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、有機ＥＬ表示装置１は、図１２に示すように、副画素３Ｇ１が副画素３Ｂに対し行方向に隣り合うとともに副画素３Ｒに対し列方向に隣り合い、副画素３Ｇ２が副画素３Ｒに対し行方向に隣り合うとともに副画素３Ｂに対し列方向に隣り合い、行方向および列方向に交差（具体的には、それぞれに対し斜め４５度の角度で交差）する斜め方向（第３の方向）に、副画素３Ｂと副画素３Ｒとが隣り合うとともに副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが隣り合うペンタイル型の画素配列（ペンタイル配列）を有していてもよい。
なお、ペンタイル配列では、表示領域において、画素２が、行方向に、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが隣り合うとともに副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとが隣り合い、列方向に、副画素３Ｂと副画素３Ｇ２とが隣り合うとともに副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとが隣り合う。それぞれ行方向に沿って形成された、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とからなる列と、副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとからなる列とは、列方向に交互に配置されている。このため、ペンタイル配列でも、表示領域における行方向の各色の副画素３の繰り返しとしては、Ｓストライプ配列同様、例えば奇数行では、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが交互に配置され、偶数行では、副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとが交互に配置されている。なお、これらの配列は、人間の色覚がＲおよびＢに鈍感でＧに敏感であることを利用したものである。これらの配列では、図３および図１２に示すように、各行を、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１、あるいは副画素３Ｇ２および副画素３Ｒの２色ずつで構成し、各行において、ＲＧＢ配列と比較して欠落する色の副画素を、隣接する行の副画素との組み合わせで擬似的に再現する。このため、これらの配列では、縦ストライプ型のＲＧＢ配列と比較して、行方向において欠落する色の副画素の分、各行の副画素３のドット幅を大きくすることができる。このため、高精細な有機ＥＬ表示装置１の製造が容易になるとともに、少ない画素数でも見かけの解像度を高く維持することができる。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、従来のペンタイル配列を有する有機ＥＬ表示装置と異なり、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが、図１、図２、図４、および図１１に示したように、異なる積層構造を有している。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
図１３の（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１における発光層ユニット３３の製造工程を工程順に示す平面図である。なお、図１３の（ａ）〜（ｃ）では、発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒの識別のために、各発光領域４に、図１２と同じハッチングを行っており、実際の蒸着は、各蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇの各開口部７１Ｂ・７１Ｒ・７１Ｇ内において行われる。前述したように、発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒは、それぞれ、順に、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｇ２、副画素３Ｒ内に位置する。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、バンク１５の形成時に、発光領域４に対応した開口部１５ａが形成されるようにバンク１５をパターン形成するとともに、図１３の（ｃ）に示すように、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）で、実施形態１にかかる蒸着マスク７０Ｇとは異なる開口パターンを有する蒸着マスク７０Ｇを用いた以外は、実施形態１、２にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同じである。本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法では、図１０に示す青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）〜緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）において、図１３の（ａ）〜（ｃ）に示す蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇを用いて蒸着を行う。
本実施形態では、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）において、図１３の（ａ）に示すように、破線で示す発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されるように、蒸着マスク７０Ｂとして、各画素２における副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に対応して二副画素分の開口部７１Ｂが行方向および列方向に複数設けられた、図９の（ａ）に示した蒸着マスク７０Ｂと同様の蒸着マスク７０Ｂを用いて、青色蛍光発光層３４Ｂの材料を、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とを結ぶ方向に線形蒸着する。本実施形態では、実施形態１同様、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１からなる奇数行目の副画素列に青色蛍光発光層３４Ｂの材料を線形蒸着することで、正孔輸送層３２上に、青色蛍光発光層３４Ｂを、行方向に沿った断続的なストライプ状に形成した。
また、赤色発光層形成工程（Ｓ５）およびセパレート層形成工程（Ｓ６）では、図１３の（ｂ）に示すように、破線で示す発光領域４Ｇ２および発光領域４Ｒに赤色発光層３４Ｒおよびセパレート層３５が形成されるように、蒸着マスク７０Ｒとして、各画素２における副画素３Ｇ２および副画素３Ｒに対応して二副画素分の開口部７１Ｒが行方向および列方向に複数設けられた、図９の（ｂ）に示した蒸着マスク７０Ｒと同様の蒸着マスク７０Ｒを用いて、赤色発光層３４Ｒの材料およびセパレート層３５の材料を、それぞれ、副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとを結ぶ方向に線形蒸着する。本実施形態では、副画素３Ｇ２および副画素３Ｒからなる偶数行目の副画素列に赤色発光層３４Ｒの材料を線形蒸着することで、正孔輸送層３２上に、赤色発光層３４Ｒを、青色蛍光発光層３４Ｂと平行、かつ、行方向に沿った断続的なストライプ状に形成し、上記赤色発光層３４Ｒ上に、平面視で、上記赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有するセパレート層３５を積層した。
なお、勿論、本実施形態でも、実施形態１同様、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とを、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いてパターン形成しても構わない。
緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）では、図１３の（ｃ）に示すように、蒸着マスク７０Ｇとして、破線で示す発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に緑色蛍光発光層３４Ｇが形成されるように、各画素２における副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に対応して二副画素分の開口部７１Ｇが、上記斜め方向に複数設けられた蒸着マスク７０Ｇを用いて、緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を、各画素２において隣り合う副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向（すなわち、直接隣り合う副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向）に線形蒸着する。これにより、正孔輸送層３２上に、副画素３Ｇ１において青色蛍光発光層３４Ｂに重なり、副画素３Ｇ２においてセパレート層３５に重なる、上記斜め方向に沿った断続的なストライプ状の緑色蛍光発光層３４Ｇを形成した。
なお、本実施形態では、上述したように、蒸着マスク７０Ｇとして、開口部７１Ｇが、上記斜め方向に複数設けられた蒸着マスク７０Ｇを用いる場合を例に挙げて説明したが、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）において、実施形態１で用いた蒸着マスク７０Ｇと同様の蒸着マスク７０Ｇを使用し、被成膜基板（被機能層形成基板、ここでは、該緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）直前のセパレート層形成工程（Ｓ６）までの工程によりセパレート層３５が形成されたＴＦＴ基板１０）を、蒸着マスク７０Ｇに対して４５度回転して線形蒸着することで、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒを、それぞれ線形蒸着してもよい。
また、緑色蛍光発光層３４Ｇの形成には、蒸着マスク７０Ｇとして、１副画素ずつ別個の開口部７１Ｇが設けられた開口パターンを有する通常の蒸着マスクを用いてもよい。すなわち、発光層ユニット３３を構成する各機能層のうち緑色蛍光発光層３４Ｇを除く層を、上述した方向に二副画素分の開口部が設けられた開口パターンを有する蒸着マスクで蒸着し、緑色蛍光発光層３４Ｇのみ、上述した通常の蒸着マスクで蒸着してもよい。
本実施形態によれば、ペンタイル型の画素配列とすることで、見かけの精細度を向上させることができる。
通常、ペンタイル配列を有する有機ＥＬ表示装置では、緑色の副画素からなる副画素列に対してしか線形蒸着を行うことはできない。しかしながら、本実施形態によれば、発光層ユニット３３を構成する全ての層を線形蒸着することができる。また、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、上述したように画素配列が異なるだけで、有機ＥＬ表示装置１の表示方法（表示原理）そのものは、実施形態１と同じである。このため、本実施形態でも、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
〔実施形態４〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図１４の（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施形態では、実施形態１〜３との相違点について説明するものとし、実施形態１〜３で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜３と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を用いた点で、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１と異なっている。
図１４の（ａ）はフェルスター遷移について説明する図であり、図１４の（ｂ）はデクスター遷移（デクスター型のエネルギー移動）について説明する図であり、図１４の（ｃ）はＴＡＤＦ材料について説明する図である。
図１４の（ａ）に示すように、フェルスター機構（双極子−双極子相互作用）を用いたフェルスター遷移では、ＨＯＭＯ（最高被占軌道）準位のアクセプターの電子が、ＬＵＭＯ（最低空軌道）準位に励起されたドナーの電子の双極子振動に共鳴してＬＵＭＯ準位の波動運動に変化することで、基底状態（一重項基底状態）から励起一重項状態に励起される。このように、励起一重項状態のドナーで吸収された光のエネルギーによってアクセプターにエネルギーが移動し、アクセプターが蛍光分子の場合、アクセプターから蛍光が放射される。なお、図１４の（ａ）において、１Ｄ＊はドナーの励起一重項状態を示し、１Ａは、アクセプターの基底状態（一重項基底状態）を示す。
フェルスター遷移では、近接した２つの色素分子間で、電子の共鳴により励起エネルギーが直接移動することから、エネルギー移動に色素分子間の直接的接触を必要としない。フェルスター遷移は、ドナーとアクセプターとの間の距離が有効半径（フェルスター半径）内であれば起こり得る。
図１４の（ｂ）に示すように、デクスター機構（電子交換相互作用）を用いたデクスター遷移では、色素分子の衝突による色素分子間での軌道の重なりにより、励起三重項状態にあるドナーの電子と三重項基底状態のアクセプターの電子とを交換し合うことで、エネルギー移動が起こる。なお、図１４の（ｂ）において、３Ｄ＊はドナーの励起三重項状態を示し、３Ａは、アクセプターの基底状態（三重項基底状態）を示す。
デクスター遷移では、色素分子間の衝突を必要とするため、色素分子同士が接触している必要がある。
通常、有機ＥＬ素子では、発光層に電子および正孔を注入して再結合させることにより励起子を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出を利用するが、この励起子が励起一重項状態として生成される確率は２５％であり、励起三重項状態として生成される確率は７５％である。
しかしながら、図１４の（ａ）に示すように、励起一重項状態（Ｓ１準位）から基底状態（Ｓ０準位）への遷移は、スピン多重度が同じ状態間の許容遷移であるのに対し、図１４の（ｂ）に示すように、励起三重項状態（Ｔ１準位）から基底状態（Ｓ０準位）への遷移は、スピン多重度が異なる状態間での禁制遷移である。このため、Ｔ１準位で生成された三重項励起子は、発光せずに、熱エネルギー等に変化して熱として失活し、発光に寄与しない。このため、通常の蛍光発光材料は、Ｔ１準位で励起子が生成されると、発光効率が低下してしまうという課題がある。
また、ある材料（近接した２つの色素分子のうち一方の色素分子）の励起三重項状態から別の材料（近接した２つの色素分子のうち他方の色素分子）の励起三重項状態へのフェルスター遷移は禁制であり、デクスター遷移しか起こらない。そのため、Ｔ１準位で励起子が生成した場合、直接接触する分子にしかエネルギーが移動しない。
したがって、副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成した場合、Ｔ１準位の青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へはエネルギーが移動せず、Ｓ１準位の青色蛍光発光材料からＳ１準位の緑色蛍光発光材料にしかエネルギーが移動しないので、副画素３Ｇ１において、混色や発光効率の低下が起こる可能性がないとは言えない。
このため、青色蛍光発光層３４Ｂに用いられる青色蛍光発光材料は、ＴＡＤＦ材料であることが好ましい。
実施形態１で説明したように、ＴＡＤＦ材料は、ΔＥＳＴが極めて小さく、図１４の（ｃ）に示すように、Ｔ１準位からＳ１準位への逆項間交差が生じる。このため、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用すれば、逆項間交差により、Ｔ１準位の励起子がＳ１準位にアップコンバージョンされる。
このため、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用すれば、たとえ副画素３Ｇ１において青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成されたとしても、Ｔ１準位からＳ１準位への逆項間交差によるＳ１準位間のフェルスター遷移により、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのエネルギー移動が起こる。したがって、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、副画素３Ｇ１での青色混色を抑制することができ、副画素３Ｇ１での色度を改善することができる。
また、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、副画素３Ｂにおいて、Ｔ１準位の励起子がＳ１準位にアップコンバージョンされ、副画素３Ｂでの発光効率が改善されるので、有機ＥＬ表示装置１の発光効率が改善される。なお、同様の理由から、緑色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用してもよい。この場合、副画素３Ｇ１・３Ｇ２において、Ｔ１準位の励起子がＳ１準位にアップコンバージョンされ、副画素３Ｇ１・３Ｇ２での発光効率が改善されることで、有機ＥＬ表示装置１の発光効率が改善される。勿論、副画素３Ｒでの発光効率の改善のために、前述したように赤色発光材料にＴＡＤＦ材料を使用してもよい。
青色発光するＴＡＤＦ材料としては、例えば、前述した２ＣｚＰＮ、ＤＭＡＣ−ＤＰＳ等が挙げられる。また、緑色発光するＴＡＤＦ材料としては、例えば、前述した４ＣｚＩＰＮ、４ＣｚＰＮ、ＰＸＺ−ＤＰＳ等が挙げられる。
本実施形態では、一例として、実施例１において、青色蛍光発光層３４Ｂを、ＡＤＮ（ホスト材料、９０％）／ＴＢＰｅ（青色蛍光発光材料、１０％）に代えて、ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）で形成した以外は、実施例１と同じ条件で有機ＥＬ表示装置１を製造した。
〔実施形態５〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図１、図２、図４、図１０を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１〜４との相違点について説明するものとし、実施形態１〜４で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜４と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、図１、図２、図４に示す積層構造と同じ積層構造を有している。このような積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１では、図１に示したように、副画素３Ｇ２では、セパレート層３５よりも陰極側（すなわち、第２電極２３）の緑色蛍光発光層３４Ｇで正孔と電子とを再結合させて励起子生成し、緑色発光させる必要がある。また、副画素３Ｒでは、セパレート層３５よりも陽極側（すなわち、第１電極２１）の赤色発光層３４Ｒで正孔と電子とを再結合させて励起子生成し、赤色発光させる必要がある。
このため、実施形態１で説明したように、セパレート層３５は、正孔輸送性および電子輸送性がともに高いバイポーラ輸送性を示すことが望ましい。
そこで、本実施形態では、セパレート層３５を、複数の材料で形成することで、キャリア輸送性を調整する。
特に、図１、図２、図４に示したように副画素３Ｒで赤色発光層３４Ｒ上にセパレート層３５が設けられている場合、赤色発光層３４Ｒからセパレート層３５に正孔が流れすぎることによる発光効率の低下が懸念される。そこで、セパレート層３５に含まれる電子輸送性材料の混合比率を、正孔輸送性材料の混合比率よりも高くすることが望ましい。
このように、セパレート層３５を、バイポーラ輸送性を有する１種類の材料で構成するよりも、キャリア輸送性が異なる複数の材料で形成した方が、キャリア輸送性を制御し易く、各色の発光効率をより容易に改善することができる。
本実施形態では、図１０に示すフローチャートに基づいて、図４に示すように、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例３）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１６０ｎｍ／副画素３Ｇ２：１４５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＢＣＰ（７０％）／ＴＰＤ（３０％）（１０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
以上のように、本実施形態では、セパレート層３５を、電子輸送性材料であるＢＣＰと、正孔輸送性材料であるＴＰＤとの混合層とし、ＢＣＰをＴＰＤよりも多く混合した。
〔実施形態６〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図１０、図１２、および図１５〜図１７に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施形態では、実施形態１〜５との相違点について説明するものとし、実施形態１〜５で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜５と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
図１５は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における発光原理を模式的に示す図である。また、図１６は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図１７は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図１７は、図３または図１２に示すＬ１−Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、セパレート層３５が、複数の層からなる積層体である点を除けば、実施形態１〜５にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じ構成を有している。
図１５〜図１７に示すように、本実施形態にかかるセパレート層３５は、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂの２層構造を有している。図１５および図１６に示すように、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂは、互いに異なるキャリア輸送性を有している。このように第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂが互いに異なるキャリア輸送性を有していることで、各副画素３で表示される発光色を、より高効率に得ることができる。
例えば、陽極である第１電極２１側に位置する第１セパレート層３５ａでは正孔輸送性材料の混合比率よりも電子輸送性材料の混合比率を高くすることで、第１セパレート層３５ａに隣接する赤色発光層３４Ｒからの正孔漏れを抑制することができる。一方、陰極である第２電極２３側に位置する第２セパレート層３５ｂでは、電子輸送性材料の混合比率よりも正孔輸送性材料の混合比率を高くすることで、第２セパレート層３５ｂに隣接する緑色蛍光発光層３４Ｇからの電子漏れを抑制することができる。これにより、副画素３Ｒでは、赤色発光層３４Ｒからの正孔漏れによる赤色発光材料の発光効率の低下を抑制することができるとともに、副画素３Ｇ２では、緑色蛍光発光層３４Ｇからの電子漏れによる緑色蛍光発光材料の発光効率の低下を抑制することができる。
前述したように、副画素３Ｇ２における対向面間距離ＤＧＲがフェスルター半径よりも大きければ、副画素３Ｇ２における緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのエネルギー移動（フェルスター遷移並びにデクスター遷移）は起こらない。
したがって、上述したようにセパレート層３５が複数の層からなる積層体である場合、該積層体の層厚（すなわち、セパレート層３５を構成する各層の合計の層厚）がフェルスター半径よりも大きければ、セパレート層３５を構成する各層の層厚は、フェルスター半径以下であっても構わない。
例えば、上記第１セパレート層３５ａの層厚および第２セパレート層３５ｂの層厚がともにフェルスター半径以下であったとしても、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂからなるセパレート層３５の層厚（つまり、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂの合計の層厚）がフェルスター半径よりも大きければ、図１５に示すように副画素３Ｇ２における緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間のエネルギー移動を阻害し、副画素３Ｇ２における混色抑制効果を得ることができる。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
本実施形態では、上述したようにセパレート層３５が第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂからなることで、図１０に示すセパレート層形成工程（Ｓ６）は、第１セパレート層形成工程と第２セパレート層形成工程とを含んでいる。
第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂは、何れも、平面視で、赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有している。
このため、第１セパレート層形成工程および第２セパレート層形成工程では、それぞれ、赤色発光層形成用の蒸着マスク７０Ｒを用いて、第１セパレート層３５ａの材料、第２セパレート層３５ｂの材料を、副画素３Ｒと副画素３Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着することができる。これにより、上記赤色発光層３４Ｒ上に、平面視で、上記赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有する第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂを積層することができる。
なお、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒ、第１セパレート層３５ａ、および第２セパレート層３５ｂが、平面視で同じパターンを有することから、これら赤色発光層３４Ｒ、第１セパレート層３５ａ、および第２セパレート層３５ｂを、同じ蒸着マスク７０Ｒを用いて連続して形成する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、これら赤色発光層３４Ｒ、第１セパレート層３５ａ、および第２セパレート層３５ｂを、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いてパターン形成しても構わない。
本実施形態では、図１０に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒ、第１セパレート層３５ａ、第２セパレート層３５ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例４）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１６０ｎｍ／副画素３Ｇ２：１４５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
第１セパレート層３５ａ：ＢＣＰ（８０％）／ＴＰＤ（２０％）（１０ｎｍ）
第２セパレート層３５ｂ：ＢＣＰ（３０％）／ＴＰＤ（７０％）（１０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
以上のように、本実施形態では、セパレート層３５を第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂの２層構造とし、該セパレート層３５の層厚は、１５ｎｍ以上とした。なお、本実施形態でも、これら第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂからなるセパレート層３５の層厚は、５０ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以下であることがより好ましい。このため、上述した範囲を満足するように第１セパレート層３５ａの層厚および第２セパレート層３５ｂの層厚が設定されることが望ましい。
〔実施形態７〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図１０、および図１８〜図２０に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施形態では、実施形態１〜６との相違点について説明するものとし、実施形態１〜６で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜６と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
図１８は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における発光原理を模式的に示す図である。また、図１９は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図２０は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図２０は、図３または図１２に示すＬ１−Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、図１８〜図２０に示すように、第１セパレート層３５ａの成膜領域と第２セパレート層３５ｂの成膜領域とにずれがある（言い換えれば、第１セパレート層３５ａと第２セパレート層３５ｂとで成膜範囲が異なっている）ことを除けば、実施形態７にかかる有機ＥＬ表示装置１と同様の構成を有している。
本実施形態では、第１セパレート層３５ａは副画素３Ｇ２および副画素３Ｒに共通して設けられている一方、第２セパレート層３５ｂは副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通して設けられている。すなわち、本実施形態では、第１セパレート層３５ａと第２セパレート層３５ｂとは、副画素３Ｇ２でのみ重なるように形成されている。
前述したように、副画素３Ｇ２における対向面間距離ＤＧＲがフェスルター半径よりも大きければ、副画素３Ｇ２における緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのエネルギー移動（フェルスター遷移並びにデクスター遷移）は起こらない。
したがって、副画素３Ｇ２における緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間の第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂの合計の層厚がフェルスター半径よりも大きければ、副画素３Ｇ２における緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへの上記エネルギー移動を阻害することができる。このため、副画素３Ｇ２における緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間に第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂが位置するように第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂが設けられていれば、第１セパレート層３５ａと第２セパレート層３５ｂとは、上述したように位置をずらして成膜されていてもよい。
なお、上述したように第２セパレート層３５ｂが、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通層として設けられている場合、図１０に示したように青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）と緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）との間でセパレート層形成工程（Ｓ６）を行うと、図１８〜図２０に示すように、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間に、第２セパレート層３５ｂが配置される。
このように、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間に、中間層として、セパレート層３５を構成する機能層のうち一部の機能層が配置される場合、該中間層の層厚がフェルスター半径よりも大きいと、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間のフェルスター遷移を利用することができなくなる。
副画素３Ｇ１で、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間のフェルスター遷移を利用するためには、副画素３Ｇ１における対向面間距離ＤＢＧは、フェルスター半径以下とする必要がある。
したがって、上述したように副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間に第２セパレート層３５ｂが配置される場合、第２セパレート層３５ｂの層厚は、フェルスター半径以下とする必要がある。このため、この場合、上記第２セパレート層３５ｂの層厚は、１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。
一方、第１セパレート層３５ａは、該第１セパレート層３５ａと上記第２セパレート層３５ｂとの合計の層厚がフェルスター半径を越えるように設定されていれば、フェルスター半径以下の層厚を有していてもよく、該第１セパレート層３５ａ単独でフェルスター半径を越える層厚を有していてもよい。
但し、これら発光層ユニット３３を構成する各機能層の積層順を変更し、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）と緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）とを連続して行う場合、これら青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）と緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）とを、何れを先に行う場合にも、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとは、直接接触することになる。このため、このように、発光層ユニット３３を構成する各機能層の積層順を、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとが隣接するように変更した場合、第１セパレート層３５ａと上記第２セパレート層３５ｂとの合計の層厚がフェルスター半径を越えるように設定されていれば、これら第１セパレート層３５ａの層厚および上記第２セパレート層３５ｂの層厚は、それぞれ、フェルスター半径以下の層厚を有していてよく、単独でフェルスター半径を越える層厚を有していてもよい。
このように、第１セパレート層３５ａと第２セパレート層３５ｂとが副画素３Ｇ２でのみ重なるように第１セパレート層３５ａの成膜範囲と第２セパレート層３５ｂの成膜領域とを異なる成膜範囲とすることで、副画素３Ｇ２および副画素３Ｒでのキャリアバランスの制御をより容易に行うことができる。
例えば、図１８に示すように第１セパレート層３５ａを副画素３Ｇ２および副画素３Ｒに共通して設けるとともに第２セパレート層３５ｂを副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通して設ける場合、図１８および図１９に示すように第１セパレート層３５ａをバイポーラ輸送性材料で構成し、第２セパレート層３５ｂを正孔輸送性材料で構成すれば、副画素３Ｇ１・３Ｇ２では緑色蛍光発光層３４Ｇで正孔と電子とが再結合し易くなり、副画素３Ｒ上では赤色発光層３４Ｒで正孔と電子とが再結合し易くなる。
このため、上述した構成とすることで、より容易に、各色の発光効率の改善および混色の抑制を行うことができる。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
実施形態７同様、本実施形態でも、上述したようにセパレート層３５が第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂからなることで、図１０に示すセパレート層形成工程（Ｓ６）は、第１セパレート層形成工程と第２セパレート層形成工程とを含んでいる。
本実施形態では、上述したように、第１セパレート層３５ａを副画素３Ｇ２および副画素３Ｒに共通して設けることで、赤色発光層３４Ｒと、該赤色発光層３４Ｒに隣接する第１セパレート層３５ａとは、平面視で同じパターンを有している。
また、本実施形態では、第２セパレート層３５ｂを副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通して設けることで、緑色蛍光発光層３４Ｇと、該緑色蛍光発光層３４Ｇに隣接する第２セパレート層３５ｂとは、平面視で同じパターンを有している。
このため、第１セパレート層形成工程では、赤色発光層形成用の蒸着マスク７０Ｒを用いて、第１セパレート層３５ａの材料を、副画素３Ｒと副画素３Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着することができる。これにより、上記赤色発光層３４Ｒ上に、平面視で、上記赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有する第１セパレート層３５ａを積層することができる。
また、第２セパレート層形成工程では、緑色蛍光発光層形成用の蒸着マスク７０Ｇを用いて、第２セパレート層３５ｂの材料を、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着することができる。これにより、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に、第２セパレート層３５ｂと、該第２セパレート層３５ｂ上に積層された、平面視で該第２セパレート層３５ｂと同じパターンを有する緑色蛍光発光層３４Ｇとを形成することができる。
なお、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒと第１セパレート層３５ａとを、同じ蒸着マスク７０Ｒを用いて連続して形成し、第２セパレート層３５ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとを、同じ蒸着マスク７０Ｇを用いて連続して形成する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、これら赤色発光層３４Ｒと第１セパレート層３５ａとを、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いてパターン形成し、第２セパレート層３５ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとを、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いてパターン形成しても構わない。
本実施形態では、図１０に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒ、第１セパレート層３５ａ、第２セパレート層３５ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例５）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１５０ｎｍ／副画素３Ｇ２：１４５ｎｍ／副画素３Ｒ：５０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
第１セパレート層３５ａ：ＣＢＰ（１０ｎｍ）
第２セパレート層３５ｂ：ＴＰＤ（１０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
上述したように本実施形態では、第１セパレート層３５ａの材料に、バイポーラ輸送性材料であるＣＢＰを使用し、第２セパレート層３５ｂの材料に、正孔輸送性材料であるＴＰＤを使用した。このように、第１セパレート層３５ａをバイポーラ輸送性材料で形成することで、副画素３Ｇ１では、緑色蛍光発光層３４Ｇで正孔と電子とが結合し易くなる一方、副画素３Ｒでは、赤色発光層３４Ｒで正孔と電子とが結合し易くなる。また、副画素３Ｇ２では、緑色蛍光発光層３４Ｇで正孔と電子とが結合し易くなる一方、第２セパレート層３５ｂが電子をブロックするため、赤色発光層３４Ｒでは正孔と電子との再結合が起こり難く、緑色発光のみが起こる。
〔実施形態８〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図１０、図１２、図２１〜図２４の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施形態では、実施形態１〜７との相違点について説明するものとし、実施形態１〜７で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜７と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
図２１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図２２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図２２は、図３または図１２に示すＬ１−Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂ中の青色蛍光発光材料から、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動する際に、青色蛍光発光材料の分子と緑色蛍光発光材料の分子とが直接接触してしまうと、Ｔ１準位間のデクスター遷移が起こり、発光せずに熱として失活してしまう可能性がある。
そこで、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間には、発光材料を含まず、青色蛍光発光層３４Ｂ中の青色蛍光発光材料から、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の緑色蛍光発光材料へのデクスター遷移を阻害する、フェルスター半径以下の層厚を有する薄いブロック層３８が設けられていることが望ましい。
ブロック層３８の層厚はフェルスター半径以下であることから、副画素３Ｇ１における、上記青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのフェルスター遷移は阻害されないが、デクスター遷移は阻害される。このため、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間に、任意の材料からなる薄いブロック層３８を設けることで、副画素３Ｇ１での緑色蛍光発光材料の発光効率を改善することができる。
ブロック層３８の層厚は、対向面間距離ＤＢＧに等しいことから、フェルスター半径以下に設定する必要がある。ブロック層３８の層厚は、確実にフェルスター遷移させるために、できるだけ薄く形成されていることが好ましく、１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。
図２１および図２２は、ブロック層３８を、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に、共通層として設けた場合を例に挙げて示している。
このようにブロック層３８を副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通に設ける場合、ブロック層３８は、例えば、ブロック層３８全体としてバイポーラ輸送性もしくは正孔輸送性を示すことが望ましい。このため、ブロック層３８の材料には、バイポーラ輸送性材料のように単独でバイポーラ輸送性を示す材料、二種類以上組み合わせることでバイポーラ輸送性を示す材料、もしくは、正孔輸送性材料を示す材料が使用される。なお、図２１では、矢印で示すようにブロック層３８がバイポーラ輸送性材料である場合を例に挙げて示しているが、正孔輸送性材料を用いることがより好ましい。これにより、副画素３Ｇ１・３Ｇ２において、緑色蛍光発光層３４Ｇで正孔と電子とがより再結合し易くなる。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
図２３は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、図２３に示すように、図１０に示す有機ＥＬ素子作製工程において、セパレート層形成工程（Ｓ６）と緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）との間に、ブロック層形成工程（Ｓ２１）を含む点を除けば、実施形態１〜７にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同じである。
なお、上述したようにブロック層３８が、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通層として設けられている場合、図２３に示すように赤色発光層形成工程（Ｓ５）と緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）との間で、セパレート層形成工程（Ｓ６）およびブロック層形成工程（Ｓ２１）を行うと、図２１および図２２に示すように、副画素３Ｇ２における赤色発光層３４Ｒと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間に、セパレート層３５およびブロック層３８が配置される。
このため、図２１および図２２に示す有機ＥＬ表示装置１は、副画素３Ｇ２では、赤色発光層３４Ｒと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間に、中間層（第１の中間層）としてセパレート層３５およびブロック層３８を有している一方、副画素３Ｂでは、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間に、中間層（第２中間層）としてブロック層３８を有している。
したがって、図２１および図２２に示す有機ＥＬ表示装置１では、セパレート層３５と上記ブロック層３８との合計の層厚が、副画素３Ｇ２における対向面間距離ＤＧＲとなる。
前述したように、副画素３Ｇ２における対向面間距離ＤＧＲがフェスルター半径よりも大きければ、副画素３Ｇ２における緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのエネルギー移動（フェルスター遷移並びにデクスター遷移）は起こらない。
このため、上記セパレート層３５は、該セパレート層３５と上記ブロック層３８との合計の層厚がフェルスター半径を越えるように設定されていれば、フェルスター半径以下の層厚を有していてもよく、該セパレート層３５単独でフェルスター半径を越える層厚を有していてもよい。
なお、実施形態７で示した図１８〜図２０に記載の有機ＥＬ表示装置１では、第１セパレート層３５ａを副画素３Ｇ２および副画素３Ｒに共通して設ける一方、フェルスター半径以下の層厚を有する第２セパレート層３５ｂを副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通して設けた。これに対し、上述した図２１および図２２に示す有機ＥＬ表示装置１では、セパレート層３５を副画素３Ｇ２および副画素３Ｒに共通して設ける一方、フェルスター半径以下の層厚を有するブロック層３８を副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通して設けている。
このため、図１８〜図２０に記載の有機ＥＬ表示装置１と、図２１および図２２に示す有機ＥＬ表示装置１とは、実質的に同じ構成を有している。但し、本実施形態では、後述するように、ブロック層３８およびセパレート層３５の層厚およびそれらの材料を、実施形態７で製造した有機ＥＬ表示装置１の第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂの層厚およびそれらの材料から変更しているとともに、該変更により、副画素３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒにおける透光性電極２１ｂの層厚が、実施形態７におけるそれとは異なっている。
上記第２セパレート層３５ｂとブロック層３８との本質的な違いは、以下の点にある。第２セパレート層３５ｂは、セパレート層３５の一部であり、副画素３Ｇ２における緑色蛍光発光材料から赤色発光材料へのフェルスター型のエネルギー移動を阻害するためのものであり（なお、結果的に副画素３Ｇ２における緑色蛍光発光材料から赤色発光材料へのデクスター型のエネルギー移動も阻害される）、副画素３Ｇ２における緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間に必須に配置され、副画素３Ｇ２以外の副画素３への配置は必須ではない。但し、前述したようにセパレート層３５、あるいは、第１セパレート層３５および第２セパレート層３５ｂのそれぞれを、画素２内において、副画素３Ｇ２と、該副画素３Ｇ２に隣り合う他の副画素３とに共通して設けることで、これらセパレート層３５、あるいは、第１セパレート層３５および第２セパレート層３５ｂのそれぞれを、副画素３Ｇ２と、該副画素３Ｇ２に隣り合う他の副画素３とを結ぶ方向に線形蒸着することができる。
これに対し、ブロック層３８は、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのデクスター遷移を阻害するためのものであり、副画素３Ｇ１における緑色蛍光発光層３４Ｇと青色蛍光発光層３４Ｂとの間に必須に配置され、副画素３Ｇ１以外の副画素３への配置は必須ではない。但し、上述したようにブロック層３８を例えば副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通して設けることで、ブロック層３８の材料を、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着することができる。
一方、第１セパレート層３５ａは、該第１セパレート層３５ａと上記第２セパレート層３５ｂとの合計の層厚がフェルスター半径を越えるように設定されていれば、フェルスター半径以下の層厚を有していてもよく、該第１セパレート層３５ａ単独でフェルスター半径を越える層厚を有していてもよい。
本実施形態では、図２３に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、ブロック層３８、緑色蛍光発光層３４Ｇ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例６）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１５５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１４０ｎｍ／副画素３Ｒ：４５ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（１５ｎｍ）
ブロック層３８：ｍＣＰ（５ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
＜変形例＞
図２１および図２２では、ブロック層３８を、副画素３Ｇ１・３Ｇ２に共通に設ける場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではない。
図２４の（ａ）・（ｂ）は、それぞれ、本実施形態にかかる発光層ユニット３３の積層構造の他の例を模式的に示す図である。
上述したように、ブロック層３８は、副画素３Ｇ１における緑色蛍光発光層３４Ｇと青色蛍光発光層３４Ｂとの間に配置されていればよい。
ブロック層３８は、図２４の（ａ）に示すように副画素３Ｂ・３Ｇ１に共通層として設けられていてもよく、図２４の（ｂ）に示すように全副画素３に共通層として設けられていてもよい。
このようにブロック層３８を、副画素３Ｂ・３Ｇ１もしくは全副画素３に共通して形成する場合、ブロック層３８の材料には、図２４の（ａ）・（ｂ）に示すようにバイポーラ輸送性材料が用いられる。
図２４の（ａ）に示すようにブロック層３８を副画素３Ｂ・３Ｇ１に共通層として設けることで、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのデクスター遷移を阻害することができるとともに、ブロック層３８の材料を、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とを結ぶ方向に線形蒸着することができる。
また、図２４の（ｂ）に示すようにブロック層３８を全副画素３に共通層として設ける場合、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのデクスター遷移を阻害することができるとともに、表示領域全体が開口されたオープンマスクを用いてブロック層３８を蒸着することができる。
〔実施形態９〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図１２、図２５〜図２７を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１〜８との相違点について説明するものとし、実施形態１〜８で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜８と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
図２５は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図２６は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図２６は、図３または図１２に示すＬ１−Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
青色蛍光発光層３４Ｂがホスト材料を含む場合、青色蛍光発光層３４Ｂに用いられるホスト材料としては、青色蛍光発光材料からホスト材料にエネルギー移動してしまうために起こる発光効率低下を抑制するために、Ｓ１準位やＴ１準位が高いものを使用することが好ましい。
現在使用されている有機ＥＬ素子用のホスト材料には、電子輸送性のホスト材料が多い。このため、このようなホスト材料に電子輸送性のホスト材料を選択することで、選択肢が広がり、上記条件を満足するホスト材料を選択することが容易となる。
しかしながら、青色蛍光発光層３４Ｂに、該青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料として電子輸送性のホスト材料を使用する場合等、青色蛍光発光層３４Ｂ中に含まれる、混合比の最も多い材料が、電子輸送性材料である場合、実施形態１〜８にかかる有機ＥＬ表示装置１のように、第１電極２１が陽極であり、第２電極２３が陰極である場合に、第１電極２１と第２電極２３との間に、発光層ユニット３３として、第１電極２１側から、青色蛍光発光層３４Ｂおよび赤色発光層３４Ｒ、中間層、緑色蛍光発光層３４Ｇがこの順に積層されていると、副画素３Ｇ１において、正孔と電子とが緑色蛍光発光層３４Ｇで上手く再結合できない可能性がある。
これは、これら発光層ユニット３３を構成する機能層のうちで緑色蛍光発光層３４Ｇが最も陰極側に位置することから、緑色蛍光発光層３４Ｇには、該緑色蛍光発光層３４Ｇ中で最も含有比率の多い材料として正孔輸送性材料が使用されるため、陰極側の緑色蛍光発光層３４Ｇが電子を流し難く、上述したように陽極側の青色蛍光発光層３４Ｂに、該青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料として電子輸送性材料を使用した場合、青色蛍光発光層３４Ｂが正孔を流し難いためである。
そこで、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、図２５および図２６に示すように、発光層ユニット３３が、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５（中間層）、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂの順に積層されている構成を有している。すなわち、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの積層順が入れ替わっており、青色蛍光発光層３４Ｂが、緑色蛍光発光層３４Ｇよりも、陰極である第２電極２３側に位置している点を除けば、実施形態１〜８にかかる有機ＥＬ表示装置１と同様の構成を有している。
なお、図２５および図２６では、説明および図示の便宜上、中間層がセパレート層３５である（すなわち、中間層としてセパレート層３５のみが設けられている）場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、中間層は、前述したようにセパレート層３５およびブロック層３８を含んでいてもよい。また、前述したように、セパレート層３５は、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂを含む積層体であってもよい。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
図２７は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、一例として、有機ＥＬ素子作製工程が、図２７に示すように、陽極形成工程（Ｓ１）、正孔注入層形成工程（Ｓ２）、正孔輸送層形成工程（Ｓ３）、赤色発光層形成工程（Ｓ５）、セパレート層形成工程（Ｓ６）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）、電子輸送層形成工程（Ｓ８）、電子注入層形成工程（Ｓ９）、陰極形成工程（Ｓ１０）、保護層形成工程（Ｓ１１）の順で行われることを除けば、実施形態１〜８にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同じである。これにより、図２５および図２６に示す積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
本実施形態では、図２７に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例７）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１６５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１４５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＤＰＥＰＯ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
なお、実施例７では、上述したように、一例として、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料に、正孔輸送性材料であるｍＣＰをホスト材料として使用した。
＜効果＞
実施例７では、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料に正孔輸送性材料を使用した場合を例に挙げたが、本実施形態によれば、上述したように青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料が電子輸送性材料であったとしても、副画素３Ｇ１では、正孔輸送性材料を最も含有比率の多い材料として含む緑色蛍光発光層３４Ｇが、陽極である第１電極２１側に位置することで、緑色蛍光発光層３４Ｇで正孔と電子とが再結合し易くなり、高発光効率化することができる。
本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂ中に含まれる含有比率が最も多い材料のキャリア移動度に特に制限はなく、該材料が、実施形態１〜８のように正孔輸送性材料またはバイポーラ輸送性材料であっても、上記効果を得ることができる。
なお、本実施形態でも、実施形態１〜８同様、上述したように、緑色蛍光発光層３４Ｇ中で最も含有比率の多い材料には正孔輸送性材料が使用され、赤色発光層３４Ｒ中で最も含有比率の多い材料にはバイポーラ輸送材料または正孔輸送性材料（望ましくはバイポ−ラ輸送材料）が使用され、中間層には、中間層全体としてはバイポーラ輸送性を有するような材料が使用される。
本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、実施形態１〜８と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、実施形態１〜８と同様、各副画素３での混色を抑制することができることは勿論のこと、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入したとしても、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはない。
また、本実施形態では、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）の前に赤色発光層形成工程（Ｓ５）が行われることで、赤色発光材料が副画素３Ｂに侵入したとしても、副画素３Ｂに侵入した赤色発光層３４Ｒは、青色蛍光発光層３４Ｂよりも陽極側に位置する。このため、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料が正孔輸送性材料である場合、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。
〔実施形態１０〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図１２、図２８〜図３０を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１〜９との相違点について説明するものとし、実施形態１〜９で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜９と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
図２８は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図２９は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図２９は、図３または図１２に示すＬ１−Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
前記したように、現在開発されている有機ＥＬ素子用のホスト材料には、電子輸送性のホスト材料が多い。
そして、各発光層３４中で最も含有比率の多い材料にそれぞれ正孔輸送性のホスト材料を使用する等、各発光層３４中で最も含有比率の多い材料が何れも正孔輸送性材料である場合、高電圧化してしまうことが多い。
昨今の有機ＥＬ表示装置業界の開発状況を踏まえると、正孔輸送性のホスト材料よりも電子輸送性のホスト材料の方が、合成が容易であり、かつ、種類が豊富で、開発も非常に進んでいる。このため、ホスト材料として電子輸送性のホスト材料を選択する方が、正孔輸送性のホスト材料よりも特性の良い材料が入手し易い。
実際、正孔移動度が非常に高い正孔輸送性材料よりも、電子移動度が非常に高い電子輸送性材料の方がよく知られている。このため、各発光層３４中で最も含有比率の多い材料として、正孔輸送性材料を選択するよりも、電子輸送性材料を選択した方が、低電圧化し易い。
そこで、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１では、図２８および図２９に示すように、発光層ユニット３３が、第１電極２１から、緑色蛍光発光層３４Ｇ、セパレート層３５（中間層）および青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒの順に積層された構成を有するとともに、緑色蛍光発光層３４Ｇ中で最も含有比率の多い材料として電子輸送性材料を使用している。これにより、有機ＥＬ表示装置１を低電圧化することが可能である。
本実施形態では、上述したように、緑色蛍光発光層３４Ｇ中で最も含有比率の多い材料に電子輸送性材料を使用し、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料にバイポーラ輸送性材料もしくは電子輸送性材料（望ましくは電子輸送性材料）を使用し、赤色発光層３４Ｒ中で最も含有比率の多い材料にバイポーラ輸送材料または電子輸送性材料を使用し、中間層に、中間層全体としてはバイポーラ輸送性を有するような材料を使用する。これにより、各有機ＥＬ素子２０を低電圧化することが可能であり、有機ＥＬ表示装置１をより低電圧化することが可能となる。
また、本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、実施形態１〜９と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、実施形態１〜９と同様、各副画素３での混色を抑制することができることは勿論のこと、上述したように緑色蛍光発光層３４Ｇ中で最も含有比率の多い材料に電子輸送性材料を使用することで、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入したとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇがほとんど正孔を流さないため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはないというメリットもある。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
図３０は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、一例として、有機ＥＬ素子作製工程が、図３０に示すように、陽極形成工程（Ｓ１）、正孔注入層形成工程（Ｓ２）、正孔輸送層形成工程（Ｓ３）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、セパレート層形成工程（Ｓ６）、赤色発光層形成工程（Ｓ５）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）、電子輸送層形成工程（Ｓ８）、電子注入層形成工程（Ｓ９）、陰極形成工程（Ｓ１０）、保護層形成工程（Ｓ１１）の順で行われることを除けば、実施形態１〜９にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同じである。これにより、図２８および図２９に示す積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。但し、本実施形態は、図２８および図２９に示す積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができれば、上記製造工程順に限定されるものではなく、後述する実施形態１３に示すように、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）後に青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）を行い、その後、セパレート層形成工程（Ｓ６）、赤色発光層形成工程（Ｓ５）を行っても構わない。
本実施形態では、図３０に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、緑色蛍光発光層３４Ｇ、セパレート層３５、赤色発光層３４Ｒ、青色蛍光発光層３４Ｂ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例８）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１６５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１４５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＢＣＰ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ＤＰＥＰＯ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＤＰＥＰＯ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
本実施形態では、このように、一例として、青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇ中で最も含有比率の多い材料に、電子輸送性材料からなるホスト材料を使用し、赤色発光層３４Ｒ中で最も含有比率の多い材料に、バイポーラ輸送性材料からなるホスト材料を使用した。
〔実施形態１１〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図１２、図３１〜図３３を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１〜１０との相違点について説明するものとし、実施形態１〜１０で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜１０と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
図３１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図３２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図３２は、図３または図１２に示すＬ１−Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、図３１および図３２に示すように、発光層ユニット３３が、第１電極２１と第２電極２３との間に、第１電極２１側から、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、セパレート層３５（中間層）、赤色発光層３４Ｒの順に積層された構成を有するとともに、緑色蛍光発光層３４Ｇ中で最も含有比率の多い材料として電子輸送性材料を使用している。
より具体的には、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの積層順が入れ替わっており、緑色蛍光発光層３４Ｇが青色蛍光発光層３４Ｂよりも陰極側である第２電極２３側に位置している点を除けば、実施形態１０にかかる有機ＥＬ表示装置１と同様の構成を有している。
本実施形態では、実施形態１０同様、緑色蛍光発光層３４Ｇ中で最も含有比率の多い材料に電子輸送性材料を使用し、赤色発光層３４Ｒ中で最も含有比率の多い材料にバイポーラ輸送性材料または電子輸送性材料を使用し、セパレート層３５に、セパレート層３５全体としてはバイポーラ輸送性を有するような材料を使用する。
なお、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料のキャリア移動度は、特に制限されないが、電子輸送性を有している（すなわち、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料が電子輸送性材料である）ことが望ましい。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
図３３は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、一例として、有機ＥＬ素子作製工程が、図３３に示すように、陽極形成工程（Ｓ１）、正孔注入層形成工程（Ｓ２）、正孔輸送層形成工程（Ｓ３）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、セパレート層形成工程（Ｓ６）、赤色発光層形成工程（Ｓ５）、電子輸送層形成工程（Ｓ８）、電子注入層形成工程（Ｓ９）、陰極形成工程（Ｓ１０）、保護層形成工程（Ｓ１１）の順で行われることを除けば、実施形態１〜１０にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同じである。これにより、図３１および図３２に示す積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
本実施形態では、図３３に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、セパレート層３５、赤色発光層３４Ｒ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例９）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１６０ｎｍ／副画素３Ｇ２：１４５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ＤＰＥＰＯ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＢＣＰ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＤＰＥＰＯ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
＜効果＞
本実施形態によれば、図３１および図３２に示すように、副画素３Ｇ１では、電子輸送性材料を含有比率が最も多い材料として含む緑色蛍光発光層３４Ｇが陰極である第２電極２３側に位置することで、緑色蛍光発光層３４Ｇで正孔と電子とが再結合し易くなり、高発光効率を実現することができる。
また、上述したように緑色蛍光発光層３４Ｇ中で最も含有比率の多い材料に電子輸送性材料を使用することで、実施形態１０同様、有機ＥＬ表示装置１を低電圧化することができる。
さらに、現在開発されている有機ＥＬ素子用のホスト材料には電子輸送性のホスト材料が多いことから、上述したように各発光層３４中で最も含有比率の多い材料に電子輸送性材料を使用することで、例えばホスト材料の選択肢が広がるとともに、各有機ＥＬ素子２０を低電圧化することが可能であり、有機ＥＬ表示装置１をより低電圧化することが可能となる。
また、本実施形態によれば、実施形態１〜１０にかかる何れの有機ＥＬ表示装置１よりも、隣り合う副画素３への蒸着物侵入による混色が発生し難い。
本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、実施形態１〜１０と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、実施形態１〜１０同様、各副画素３での混色を抑制することができることは勿論のこと、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入したとしても、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはないというメリットもある。
また、他の実施形態では、上述したように青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入しても青色混色は発生しないが、隣り合う他の副画素３に侵入すると、混色を回避できないリスクもある。
しかしながら、本実施形態によれば、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料が電子輸送性材料である場合、赤色発光材料が副画素３Ｂにおける青色蛍光発光層３４Ｂ上に侵入したとしても、正孔が赤色発光層３４Ｒにまで到達せず、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。このため、より混色リクスが小さい。
〔実施形態１２〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図１、図２、図４、図１１、図１５〜図２２、図２４の（ａ）・（ｂ）、および図３４を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１〜１１との相違点について説明するものとし、実施形態１〜１１で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜１１と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、青色蛍光発光層３４Ｂが少なくとも１５ｎｍの層厚を有していることを除けば、実施形態１〜８にかかる有機ＥＬ表示装置１と同様の構成（すなわち、図１、図２、図４、図１１、図１５〜図２２、図２４の（ａ）・（ｂ）に示す構成）を有している。
本実施形態では、発光層ユニット３３における各機能層の材料に、実施形態１〜８にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における各機能層の材料と同様のキャリア移動度を有する材料を使用することができる。
したがって、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料としては、バイポーラ輸送性材料、正孔輸送性材料を使用することができるが、そのなかでも、後述する実施例１０に示すｍＣＰのように、正孔輸送性材料を用いることが好ましい。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
図３４は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
実施形態１〜８では、図１０および図２３に示したように、陽極としての第１電極２１側から、発光層ユニット３３における、青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、および緑色蛍光発光層３４Ｇを、この順に積層する（すなわち、ステップＳ１の後、ステップＳ４〜Ｓ７をこの順に行う）場合を例に挙げて説明した。
しかしながら、発光層ユニット３３におけるこれら機能層の形成順（積層順）は、これに限定されるものではない。
本実施形態では、陽極としての第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇを、この順に形成する。
このため、本実施形態では、図３４に示すように、陽極形成工程（Ｓ１）、正孔注入層形成工程（Ｓ２）、正孔輸送層形成工程（Ｓ３）、赤色発光層形成工程（Ｓ５）、セパレート層形成工程（Ｓ６、中間層形成工程）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、電子輸送層形成工程（Ｓ８）、電子注入層形成工程（Ｓ９）、陰極形成工程（Ｓ１０）、保護層形成工程（Ｓ１１）を、この順に行う。これにより、上述した積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
本実施形態では、図３４に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例１０）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３０ｎｍ／副画素３Ｇ１：１５０ｎｍ／副画素３Ｇ２：１４５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（２０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
＜効果＞
本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、例えば実施形態１〜８と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態によれば、各副画素３での混色を抑制することができることは勿論のこと、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入したとしても、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはない。
また、本実施形態では、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）の前に赤色発光層形成工程（Ｓ５）が行われることで、赤色発光材料が副画素３Ｂに侵入したとしても、副画素３Ｂに侵入した赤色発光層３４Ｒは、青色蛍光発光層３４Ｂよりも陽極側に位置する。このため、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料が正孔輸送性材料である場合、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。
さらに、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ１に侵入した場合、副画素３Ｂ同様、副画素３Ｇ１に侵入した赤色発光層３４Ｒは、青色蛍光発光層３４Ｂよりも陽極側に位置する。このため、副画素３Ｇ１で、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚が厚ければ、緑色蛍光発光層３４Ｇよりも陽極側には電子が流れず、かつ、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚がフェルスター半径を越えることで、青色蛍光発光層３４Ｂを挟んで緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのエネルギー移動は距離的に起こらないため、赤色混色は発生しない。
このため、本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、構造的に混色を回避できるケースが３パターンあり、実施形態１１に示す積層構造よりも、隣り合う副画素３への蒸着物侵入による混色がさらに発生し難い。このため、より混色リクスが小さい。
〔実施形態１３〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図２８、図２９、および図３５を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１〜１２との相違点について説明するものとし、実施形態１〜１２で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜１２と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、青色蛍光発光層３４Ｂが少なくとも１５ｎｍの層厚を有していることを除けば、実施形態１０にかかる有機ＥＬ表示装置１と同様の構成（すなわち、図２８、図２９に示す構成）を有している。
本実施形態では、発光層ユニット３３における各機能層の材料に、実施形態１０にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における各機能層の材料と同様のキャリア移動度を有する材料を使用することができる。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
図３５は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
実施形態１０では、図３０に示したように、陽極としての第１電極２１側から、発光層ユニット３３における、緑色蛍光発光層３４Ｇ、セパレート層３５、赤色発光層３４Ｒ、青色蛍光発光層３４Ｂを、この順に積層する（すなわち、ステップＳ１の後、ステップＳ４、ステップＳ７、ステップＳ６、ステップＳ５をこの順に行う）場合を例に挙げて説明した。
しかしながら、発光層ユニット３３におけるこれら機能層の形成順（積層順）は、これに限定されるものではない。
本実施形態では、陽極としての第１電極２１側から、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、セパレート層３５、赤色発光層３４Ｒを、この順に形成する。
このため、本実施形態では、図３５に示すように、陽極形成工程（Ｓ１）、正孔注入層形成工程（Ｓ２）、正孔輸送層形成工程（Ｓ３）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）、セパレート層形成工程（Ｓ６、中間層形成工程）、赤色発光層形成工程（Ｓ５）、電子輸送層形成工程（Ｓ８）、電子注入層形成工程（Ｓ９）、陰極形成工程（Ｓ１０）、保護層形成工程（Ｓ１１）を、この順に行う。これにより、上述した積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
本実施形態では、図３５に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、セパレート層３５、赤色発光層３４Ｒ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例１１）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３０ｎｍ／副画素３Ｇ１：１５５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１４５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＢＣＰ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ＤＰＥＰＯ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（２０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＤＰＥＰＯ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
＜効果＞
本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、例えば実施形態１０と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態によれば、各副画素３での混色を抑制することができることは勿論のこと、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入したとしても、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはない。
また、本実施形態では、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ４）の後で赤色発光層形成工程（Ｓ５）が行われることで、赤色発光材料が副画素３Ｂに侵入したとしても、副画素３Ｂに侵入した赤色発光層３４Ｒは、青色蛍光発光層３４Ｂよりも陰極側に位置する。このため、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も含有比率の多い材料が電子輸送性材料である場合、赤色発光層３４Ｒまで正孔が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。
さらに、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ１に侵入した場合、副画素３Ｂ同様、副画素３Ｇ１に侵入した赤色発光層３４Ｒは、青色蛍光発光層３４Ｂよりも陰極側に位置する。このため、副画素３Ｇ１で、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚が厚ければ、緑色蛍光発光層３４Ｇよりも陰極側には正孔が流れず、かつ、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚がフェルスター半径を越えることで、青色蛍光発光層３４Ｂを挟んで緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのエネルギー移動は距離的に起こらないため、赤色混色は発生しない。
このため、本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、実施形態１２に示す積層構造同様、構造的に混色を回避できるケースが３パターンあり、隣り合う副画素３への蒸着物侵入による混色が発生し難い。このため、より混色リクスが小さい。
また、実施形態１０で説明したように、発光層３４、特に、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇが、これら各層において含有比率が最も多い材料としてそれぞれ電子輸送性材料を含むことで、各有機ＥＬ素子２０を低電圧化し易く、有機ＥＬ表示装置１を容易に低電圧化することができる。
〔実施形態１４〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図９の（ｂ）、図１０、図１２、図１３の（ｂ）、図３６、図３７を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１〜１３との相違点について説明するものとし、実施形態１〜１３で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜１３と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
図３６は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図３７は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図３７は、図３または図１２に示すＬ１−Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
図３６および図３７に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、セパレート層３５が副画素３Ｇ２に選択的に形成されている（すなわち、副画素３Ｇ２における赤色発光層３４Ｒと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間にのみセパレート層３５が設けられている）点を除けば、例えば、実施形態１または実施形態３に示す有機ＥＬ表示装置１と同様の構成を有している。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、赤色発光層形成工程（Ｓ５）で、図９の（ｂ）または図１３の（ｂ）に示す蒸着マスク７０Ｒを用いて赤色発光層３４Ｒを線形蒸着した後、セパレート層形成工程（Ｓ６）において、副画素３Ｇ２にのみ対応した開口部を有する専用の蒸着マスクを用いてセパレート層３５を形成することを除けば、実施形態１または実施形態３に示す有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同じである。
但し、本実施形態では、このように副画素３Ｇ２にのみセパレート層３５を積層することで、実施形態１、３とは、副画素３Ｒにおける機能層（有機層）の全層厚が変わる。このため、光学最適化を行い、実施形態１、３とは、副画素３Ｒにおける透光性電極２１ｂの層厚を変更した。
本実施形態では、図１０に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、上述したように、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例１２）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１６０ｎｍ／副画素３Ｇ２：１４５ｎｍ／副画素３Ｒ：６０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ＡＤＮ（ホスト材料、９０％）／ＴＢＰｅ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
＜効果＞
本実施形態によれば、塗分蒸着回数が、実施形態１よりも１回増加してしまうデメリットはあるが、セパレート層３５の材料のキャリア移動度に対する最適条件が変化し、高特性の有機ＥＬ素子２０（特に、高特性の有機ＥＬ素子２０Ｇ２）を形成することができる。
特に、本実施形態では、セパレート層３５に正孔輸送性材料を用いることで、副画素３Ｇ２で赤色発光するリスクをさらに低減することができる。
また、副画素３Ｒにセパレート層３５を設けないことで、赤色発光層３４Ｒでキャリアの再結合が起こり易くなり、高発光効率化が可能となる。
＜変形例＞
なお、本実施形態では、実施形態１・３にかかる有機ＥＬ表示装置１においてセパレート層３５が副画素３Ｇ２のみに形成されている場合（すなわち、中間層が、副画素３Ｇ２のみに形成されている場合）を例に挙げて図示並びに説明したが、実施形態２・４〜１３にかかる有機ＥＬ表示装置１においてセパレート層３５が副画素３Ｇ２のみに形成されている構成としてもよいことは、言うまでもない。これにより、各実施形態において、各実施形態に記載の効果と併せて上述した効果を得ることができる。
〔まとめ〕
本発明の態様１にかかる表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置１）は、第１の副画素（例えば副画素３Ｂ）、第２の副画素（例えば副画素３Ｇ１）、第３の副画素（例えば副画素３Ｇ２）、および第４の副画素（例えば副画素３Ｒ）を含む画素（画素２）を複数有し、第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層（例えば青色蛍光発光層３４Ｂ）が、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して設けられており、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層（例えば緑色蛍光発光層３４Ｇ）が、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して設けられており、第３の発光材料を含む第３の発光層（例えば赤色発光層３４Ｒ）が、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通して設けられており、上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位（Ｓ１準位）は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高く、上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離（例えば対向面間距離ＤＢＧ）がフェルスター半径以下であり、上記第３の副画素は、発光層以外の少なくとも１層の機能層（例えばセパレート層３５、ブロック層３８）からなり、フェルスター半径を越える層厚を有する中間層（例えばセパレート層３５、ブロック層３８）を備え、該第３の副画素では、上記第２の発光層と上記第３の発光層とが、上記中間層を介して積層されており、上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する。
本発明の態様２にかかる表示装置は、上記態様１において、陽極（例えば第１電極２１）および陰極（例えば第２電極２３）を有し、上記陽極および上記陰極のうち一方は反射電極（例えば反射電極２１ａ）を含み、他方は透光性電極であり、上記画素には、上記陽極と上記陰極との間に、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層、および上記中間層を含む複数の機能層（例えば正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、ブロック層３８、電子輸送層３６、電子注入層３７）が設けられており、上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第１の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、上記第２の副画素では、上記第２の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第２の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第３の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第４の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射されてもよい。
本発明の態様３にかかる表示装置は、上記態様２において、上記発光層および上記中間層は、上記画素において、上記陽極側から、上記第１の発光層および上記第３の発光層、上記中間層、上記第２の発光層の順に積層されており、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料が正孔輸送性材料であってもよい。
本発明の態様４にかかる表示装置は、上記態様２において、上記発光層および上記中間層は、上記画素において、上記陽極側から、上記第３の発光層、上記中間層、上記第２の発光層、上記第１の発光層の順に積層されており、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料が正孔輸送性材料であってもよい。
本発明の態様５にかかる表示装置は、上記態様４において、上記第１の発光層中で最も含有比率の多い材料が正孔輸送性材料であってもよい。
本発明の態様６にかかる表示装置は、上記態様２において、上記発光層および上記中間層は、上記画素において、上記陽極側から、上記第２の発光層、上記中間層および上記第１の発光層、上記第３の発光層の順に積層されており、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料が電子輸送性材料であってもよい。
本発明の態様７にかかる表示装置は、上記態様２において、上記発光層および上記中間層は、上記画素において、上記陽極側から、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記中間層、上記第３の発光層の順に積層されており、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料が電子輸送性材料であってもよい。
本発明の態様８にかかる表示装置は、上記態様７において、上記第１の発光層中で最も含有比率の多い材料が電子輸送性材料であってもよい。
本発明の態様９にかかる表示装置は、上記態様２において、上記発光層および上記中間層は、上記画素において、上記陽極側から、上記第３の発光層および上記第１の発光層、上記中間層、上記第２の発光層の順に積層されており、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料が正孔輸送性材料であってもよい。
本発明の態様１０にかかる表示装置は、上記態様９において、上記第１の発光層中で最も含有比率の多い材料が正孔輸送性材料であってもよい。
本発明の態様１１にかかる表示装置は、上記態様２において、上記発光層および上記中間層は、上記画素において、上記陽極側から、上記第２の発光層、上記第１の発光層および上記中間層、上記第３の発光層の順に積層されており、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料が電子輸送性材料であってもよい。
本発明の態様１２にかかる表示装置は、上記態様１１において、上記第１の発光層中で最も含有比率の多い材料が電子輸送性材料であってもよい。
本発明の態様１３にかかる表示装置は、上記態様９〜１２の何れかにおいて、上記第１の発光層の層厚が少なくとも１５ｎｍであってもよい。
本発明の態様１４にかかる表示装置は、上記態様１〜１３の何れかにおいて、上記中間層は、上記機能層として、フェルスター半径を越える層厚を有するセパレート層（セパレート層３５）を含み、上記セパレート層は、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通に設けられていてもよい。
本発明の態様１５にかかる表示装置は、上記態様１４において、上記セパレート層は、キャリア輸送性が異なる複数の材料を含んでいてもよい。
本発明の態様１６にかかる表示装置は、上記態様１４において、上記セパレート層は、第１セパレート層（第１セパレート層３５ａ）と第２セパレート層（第２セパレート層３５ｂ）との積層体であり、上記第１セパレート層および上記第２セパレート層は、それぞれ、正孔輸送性材料および電子輸送性材料を互いに異なる混合比率で含むバイポーラ輸送性材料であり、上記第１セパレート層と上記第２セパレート層との合計の層厚が、フェルスター半径よりも大きくてもよい。
本発明の態様１７にかかる表示装置は、上記態様１〜１３の何れかにおいて、上記中間層は、上記機能層として、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通に設けられた第１セパレート層と、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通に設けられた第２セパレート層とを含むセパレート層を含み、上記第３の副画素における上記第１セパレート層と上記第２セパレート層との合計の層厚が、フェルスター半径よりも大きくてもよい。
本発明の態様１８にかかる表示装置は、上記態様１〜１３の何れかにおいて、上記中間層は、上記機能層として、フェルスター半径を越える層厚を有するセパレート層を含み、上記セパレート層は、上記第３の副画素にのみ設けられていてもよい。
本発明の態様１９にかかる表示装置は、上記態様１〜１３、１８の何れかにおいて、上記中間層は、上記第３の副画素にのみ設けられていてもよい。
本発明の態様２０にかかる表示装置は、上記態様１〜１８の何れかにおいて、上記中間層は、機能層として、フェルスター半径以下の層厚を有するブロック層（ブロック層３８）を含み、上記ブロック層は、少なくとも上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通に設けられているとともに、上記第２の副画素では、上記ブロック層を介して上記第１の発光層と上記第２の発光層とが積層されていてもよい。
本発明の態様２１にかかる表示装置は、上記態様２０において、上記ブロック層は、全ての副画素に共通に設けられていてもよい。
本発明の態様２２にかかる表示装置は、上記態様１〜１８の何れかにおいて、上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とが、発光層以外の少なくとも１層の機能層からなり、フェルスター半径以下の層厚を有するブロック層を介して積層されており、上記ブロック層は、少なくとも上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通に設けられていてもよい。
本発明の態様２３にかかる表示装置は、上記態様２０〜２２の何れかにおいて、上記ブロック層の層厚が１０ｎｍ以下であってもよい。
本発明の態様２４にかかる表示装置は、上記態様１〜２３の何れかにおいて、上記第１の蛍光発光材料の発光スペクトルの一部と、上記第２の蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とが重なっていてもよい。
本発明の態様２５にかかる表示装置は、上記態様１〜２４の何れかにおいて、上記第２の発光層と上記第３の発光層との間に設けられる上記中間層中に含まれる全ての材料の吸収スペクトルと、上記第２の蛍光発光材料の発光スペクトルとに重なりが存在しない構成であってもよい。
本発明の態様２６にかかる表示装置は、上記態様１〜２５の何れかにおいて、上記第２の発光層と上記第３の発光層との間に設けられる上記中間層の層厚が少なくとも１５ｎｍであってもよい。
本発明の態様２７にかかる表示装置は、上記態様１〜２６の何れかにおいて、上記第１の蛍光発光材料は、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料であってもよい。
本発明の態様２８にかかる表示装置は、上記態様１〜２７の何れかにおいて、上記第１の副画素は青色の副画素（副画素３Ｂ）であり、上記第２の副画素は第１の緑色の副画素（副画素３Ｇ１）であり、上記第３の副画素は第２の緑色の副画素（副画素３Ｇ２）であり、上記第４の副画素は赤色の副画素（副画素３Ｒ）であってもよい。
本発明の態様２９にかかる表示装置は、上記態様２８において、行方向に、上記青色の副画素と上記第１の緑色の副画素とが隣り合うとともに上記赤色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合い、上記行方向に直交する列方向に、上記青色の副画素と上記赤色の副画素とが隣り合うとともに上記第１の緑色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合うＳストライプ型の画素配列を有していてもよい。
本発明の態様３０にかかる表示装置は、上記態様２８において、上記第１の緑色の副画素が上記青色の副画素に対し行方向に隣り合うとともに上記赤色の副画素に対し上記行方向に直交する列方向に隣り合い、上記第２の緑色の副画素が上記赤色の副画素に対し上記行方向に隣り合うとともに上記青色の副画素に対し上記列方向に隣り合い、上記行方向および上記列方向に交差する斜め方向に、上記青色の副画素と上記赤色の副画素とが隣り合うとともに上記第１の緑色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合うペンタイル型の画素配列を有していてもよい。
本発明の態様３１にかかる表示装置は、上記態様１〜３０の何れかにおいて、トップエミッション型のＥＬ表示装置であってもよい。
本発明の態様３２にかかる表示装置は、上記態様１〜３０の何れかにおいて、ボトムエミッション型のＥＬ表示装置であってもよい。
本発明の態様３３にかかる表示装置は、上記態様１〜３２の何れかにおいて、有機ＥＬ表示装置であってもよい。
本発明の態様３４にかかる表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置１）の製造方法は、第１の副画素（例えば副画素３Ｂ）、第２の副画素（例えば副画素３Ｇ１）、第３の副画素（例えば副画素３Ｇ２）、および第４の副画素（例えば副画素３Ｒ）を含む画素（画素２）を複数有し、上記第１の副画素では、第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する表示装置の製造方法であって、上記画素に複数の機能層（例えば正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、ブロック層３８、電子輸送層３６、電子注入層３７）を形成する機能層形成工程を含み、上記機能層形成工程は、上記第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層（例えば青色蛍光発光層３４Ｂ）を、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して形成する第１の発光層形成工程と、上記第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層（例えば緑色蛍光発光層３４Ｇ）を、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して形成する第２の発光層形成工程と、上記第３の発光材料を含む第３の発光層（例えば赤色発光層３４Ｒ）を、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通して形成する第３の発光層形成工程と、上記第３の副画素で、上記第２の発光層と上記第３の発光層とが、発光層以外の少なくとも１層の機能層（例えばセパレート層３５、ブロック層３８）からなり、フェルスター半径を越える厚みを有する中間層（例えばセパレート層３５、ブロック層３８）を介して積層されるように、上記第３の副画素に上記中間層を形成する中間層形成工程と、を含み、上記機能層形成工程では、上記第２の副画素で、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下となるように上記第１の発光層および上記第２の発光層を形成するとともに、上記第２の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態のエネルギー準位が、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高い蛍光発光材料を使用する。
本発明の態様３５にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３４において、陽極（例えば第１電極２１）を形成する陽極形成工程と、陰極（例えば第２電極２３）を形成する陰極形成工程とをさらに備え、上記陽極および上記陰極のうち一方は反射電極（例えば反射電極２１ａ）を含み、他方は透光性電極であってもよい。
本発明の態様３６にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３５において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われるとともに、上記機能層形成工程において、上記第１の発光層形成工程、上記第３の発光層形成工程、上記中間層形成工程、上記第２の発光層形成工程は、この順に行われ、上記第２の発光層形成工程では、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料として正孔輸送性材料を使用してもよい。
本発明の態様３７にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３５において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われるとともに、上記機能層形成工程において、上記第３の発光層形成工程、上記中間層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記第１の発光層形成工程は、この順に行われ、上記第２の発光層形成工程では、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料として正孔輸送性材料を使用してもよい。
本発明の態様３８にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３７において、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の発光層中で最も含有比率の多い材料として正孔輸送性材料を使用してもよい。
本発明の態様３９にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３５において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われるとともに、上記機能層形成工程において、上記第２の発光層形成工程、上記中間層形成工程、上記第３の発光層形成工程、上記第１の発光層形成工程は、この順に行われ、上記第２の発光層形成工程では、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料として電子輸送性材料を使用してもよい。
本発明の態様４０にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３５において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われるとともに、上記機能層形成工程において、上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記中間層形成工程、上記第３の発光層形成工程は、この順に行われ、上記第２の発光層形成工程では、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料として電子輸送性材料を使用してもよい。
本発明の態様４１にかかる表示装置の製造方法は、上記態様４０において、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の発光層中で最も含有比率の多い材料として電子輸送性材料を使用してもよい。
本発明の態様４２にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３５において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われるとともに、上記機能層形成工程において、上記第３の発光層形成工程、上記中間層形成工程、上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程は、この順に行われ、上記第２の発光層形成工程では、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料として正孔輸送性材料を使用してもよい。
本発明の態様４３にかかる表示装置の製造方法は、上記態様４２において、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の発光層中で最も含有比率の多い材料として正孔輸送性材料を使用してもよい。
本発明の態様４４にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３５において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われるとともに、上記機能層形成工程において、上記第２の発光層形成工程、上記第１の発光層形成工程、上記中間層形成工程、上記第３の発光層形成工程は、この順に行われ、上記第２の発光層形成工程では、上記第２の発光層中で最も含有比率の多い材料として電子輸送性材料を使用してもよい。
本発明の態様４５にかかる表示装置の製造方法は、上記態様４４において、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の発光層中で最も含有比率の多い材料として電子輸送性材料を使用してもよい。
本発明の態様４６にかかる表示装置の製造方法は、上記態様４２〜４５の何れかにおいて、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の発光層の層厚が少なくとも１５ｎｍとなるように上記第１の発光層を形成してもよい。
本発明の態様４７にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３４〜４６の何れかにおいて、上記中間層形成工程は、上記機能層として、フェルスター半径を越える厚みを有するセパレート層（セパレート層３５）を形成するセパレート層形成工程を含み、上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層を、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通して形成してもよい。
本発明の態様４８にかかる表示装置の製造方法は、上記態様４７において、上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層を、キャリア輸送性が異なる複数の材料で形成してもよい。
本発明の態様４９にかかる表示装置の製造方法は、上記態様４７において、上記セパレート層は、第１セパレート層（第１セパレート層３５ａ）と第２セパレート層（第２セパレート層３５ｂ）との積層体であり、上記セパレート層形成工程は、上記第１セパレート層を形成する第１セパレート層形成工程と、上記第２セパレート層を形成する第２セパレート層形成工程と、を含み、上記第１セパレート層形成工程および上記第２セパレート層形成工程では、上記第１セパレート層および上記第２セパレート層を、それぞれ、正孔輸送性材料および電子輸送性材料を互いに異なる混合比率で含むバイポーラ輸送性材料を使用し、かつ、上記第１セパレート層と上記第２セパレート層との合計の層厚が、フェルスター半径よりも大きくなるように形成してもよい。
本発明の態様５０にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３４〜４６の何れかにおいて、上記中間層形成工程は、上記機能層として、第１セパレート層および第２セパレート層を含むセパレート層を形成するセパレート層形成工程を含み、上記セパレート層形成工程は、上記第１セパレート層を上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通して形成する第１セパレート層形成工程と、上記第２セパレート層を上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して形成する第２セパレート層形成工程と、を含み、上記第１セパレート層形成工程および上記第２セパレート層形成工程では、上記第１セパレート層および上記第２セパレート層を、上記第１セパレート層と上記第２セパレート層との合計の層厚が、フェルスター半径よりも大きくなるように形成してもよい。
本発明の態様５１にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３４〜４６の何れかにおいて、上記中間層形成工程は、上記機能層として、フェルスター半径を越える厚みを有するセパレート層を形成するセパレート層形成工程を含み、上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層を、上記第３の副画素に選択的に形成してもよい。
本発明の態様５２にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３４〜４６の何れかにおいて、上記中間層形成工程では、上記中間層を、上記第３の副画素に選択的に形成してもよい。
本発明の態様５３にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３４〜５２の何れかにおいて、上記中間層形成工程は、上記機能層として、フェルスター半径以下の層厚を有するブロック層（ブロック層３８）を形成するブロック層形成工程を含み、上記ブロック層形成工程では、上記ブロック層を、少なくとも上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通し、かつ、上記第２の副画素で、上記ブロック層を介して上記第１の発光層と上記第２の発光層とが積層されるように形成してもよい。
本発明の態様５４にかかる表示装置の製造方法は、上記態様５３において、上記ブロック層形成工程では、上記ブロック層を、全ての副画素に共通して形成してもよい。
本発明の態様５５にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３４〜５２の何れかにおいて、上記機能層形成工程は、上記第２の副画素で、上記第１の発光層と上記第２の発光層とが、発光層以外の少なくとも１層の機能層からなり、フェルスター半径以下の層厚を有するブロック層を介して積層されるように、上記第２の副画素に上記ブロック層を形成するブロック層形成工程をさらに含み、上記ブロック層形成工程では、上記ブロック層を、少なくとも上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して形成してもよい。
本発明の態様５６にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３４〜５５の何れかにおいて、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料を使用してもよい。
本発明の態様５７にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３４〜５６の何れかにおいて、上記第１の副画素は青色の副画素であり、上記第２の副画素は第１の緑色の副画素であり、上記第３の副画素は第２の緑色の副画素であり、上記第４の副画素は赤色の副画素であり、上記第１の蛍光発光材料に、青色の光を発光する蛍光発光材料を使用し、上記第２の蛍光発光材料に、緑色の光を発光する蛍光発光材料を使用し、上記第３の発光材料に、赤色の光を発光する発光材料を使用してもよい。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
１ 有機ＥＬ表示装置（表示装置）
２ 画素
３、３Ｂ、３Ｇ１、３Ｇ２、３Ｒ 副画素
４、４Ｂ、４Ｇ１、４Ｇ２、４Ｒ 発光領域
１０ ＴＦＴ基板
１１ 絶縁基板
１２ ＴＦＴ
１３ 層間絶縁膜
１３ａ コンタクトホール
１４ 配線
１５ バンク
１５ａ 開口部
２０、２０Ｂ、２０Ｇ１、２０Ｇ２、２０Ｒ 有機ＥＬ素子
２１ 第１電極（陽極）
２１ａ 反射電極
２１ｂ 透光性電極
２２ 有機ＥＬ層
２３ 第２電極（陰極）
２４ 保護層
３１ 正孔注入層（機能層）
３２ 正孔輸送層（機能層）
３３ 発光層ユニット
３４ 発光層（機能層）
３４Ｂ 青色蛍光発光層（機能層）
３４Ｇ 緑色蛍光発光層（機能層）
３４Ｒ 赤色発光層（機能層）
３５ セパレート層（機能層）
３５ａ 第１セパレート層（機能層）
３５ｂ 第２セパレート層（機能層）
３６ 電子輸送層（機能層）
３７ 電子注入層（機能層）
３８ ブロック層（機能層）
４０ 封止基板
７０Ｂ、７０Ｒ、７０Ｇ 蒸着マスク
７１Ｂ、７１Ｒ、７１Ｇ 開口部
ＤＢＧ、ＤＧＲ 対向面間距離

Claims (20)

  1. 第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素を含む画素を複数有し、
    第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層が、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して設けられており、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層が、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して設けられており、第３の発光材料を含む第３の発光層が、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通して設けられており、
    上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高く、
    上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下であり、
    上記第３の副画素は、
    発光層以外の少なくとも１層の機能層からなり、フェルスター半径を越える層厚を有する中間層を備え、該第３の副画素では、上記第２の発光層と上記第３の発光層とが、上記中間層を介して積層されており、
    上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、
    上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光することを特徴とする表示装置。
  2. 陽極および陰極を有し、
    上記陽極および上記陰極のうち一方は反射電極を含み、他方は透光性電極であり、
    上記画素には、上記陽極と上記陰極との間に、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層、および上記中間層を含む複数の機能層が設けられており、
    上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第１の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、
    上記第２の副画素では、上記第２の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第２の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、
    上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第３の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、
    上記第４の副画素では、上記第３の発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第４の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 上記中間層は、上記機能層として、フェルスター半径を越える層厚を有するセパレート層を含み、
    上記セパレート層は、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 上記セパレート層は、キャリア輸送性が異なる複数の材料を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
  5. 上記セパレート層は、第１セパレート層と第２セパレート層との積層体であり、
    上記第１セパレート層および上記第２セパレート層は、それぞれ、正孔輸送性材料および電子輸送性材料を互いに異なる混合比率で含むバイポーラ輸送性材料であり、
    上記第１セパレート層と上記第２セパレート層との合計の層厚が、フェルスター半径よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
  6. 上記中間層は、上記機能層として、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通に設けられた第１セパレート層と、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通に設けられた第２セパレート層とを含むセパレート層を含み、
    上記第３の副画素における上記第１セパレート層と上記第２セパレート層との合計の層厚が、フェルスター半径よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
  7. 上記中間層は、上記機能層として、フェルスター半径を越える層厚を有するセパレート層を含み、
    上記セパレート層は、上記第３の副画素にのみ設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
  8. 上記中間層は、機能層として、フェルスター半径以下の層厚を有するブロック層を含み、
    上記ブロック層は、少なくとも上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通に設けられているとともに、上記第２の副画素では、上記ブロック層を介して上記第１の発光層と上記第２の発光層とが積層されていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の表示装置。
  9. 上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とが、発光層以外の少なくとも１層の機能層からなり、フェルスター半径以下の層厚を有するブロック層を介して積層されており、
    上記ブロック層は、少なくとも上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通に設けられていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の表示装置。
  10. 上記第１の蛍光発光材料の発光スペクトルの一部と、上記第２の蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とが重なっていることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の表示装置。
  11. 上記第２の発光層と上記第３の発光層との間に設けられる上記中間層中に含まれる全ての材料の吸収スペクトルと、上記第２の蛍光発光材料の発光スペクトルとに重なりが存在しないことを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の表示装置。
  12. 上記第１の蛍光発光材料は、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料であることを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の表示装置。
  13. 上記第１の副画素は青色の副画素であり、上記第２の副画素は第１の緑色の副画素であり、上記第３の副画素は第２の緑色の副画素であり、上記第４の副画素は赤色の副画素であることを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の表示装置。
  14. 行方向に、上記青色の副画素と上記第１の緑色の副画素とが隣り合うとともに上記赤色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合い、上記行方向に直交する列方向に、上記青色の副画素と上記赤色の副画素とが隣り合うとともに上記第１の緑色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合うＳストライプ型の画素配列を有していることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
  15. 上記第１の緑色の副画素が上記青色の副画素に対し行方向に隣り合うとともに上記赤色の副画素に対し上記行方向に直交する列方向に隣り合い、上記第２の緑色の副画素が上記赤色の副画素に対し上記行方向に隣り合うとともに上記青色の副画素に対し上記列方向に隣り合い、上記行方向および上記列方向に交差する斜め方向に、上記青色の副画素と上記赤色の副画素とが隣り合うとともに上記第１の緑色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合うペンタイル型の画素配列を有していることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
  16. 第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素を含む画素を複数有し、上記第１の副画素では、第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する表示装置の製造方法であって、
    上記画素に複数の機能層を形成する機能層形成工程を含み、
    上記機能層形成工程は、
    上記第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層を、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して形成する第１の発光層形成工程と、
    上記第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層を、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して形成する第２の発光層形成工程と、
    上記第３の発光材料を含む第３の発光層を、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通して形成する第３の発光層形成工程と、
    上記第３の副画素で、上記第２の発光層と上記第３の発光層とが、発光層以外の少なくとも１層の機能層からなり、フェルスター半径を越える厚みを有する中間層を介して積層されるように、上記第３の副画素に上記中間層を形成する中間層形成工程と、を含み、
    上記機能層形成工程では、
    上記第２の副画素で、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下となるように上記第１の発光層および上記第２の発光層を形成するとともに、
    上記第２の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態のエネルギー準位が、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高い蛍光発光材料を使用することを特徴とする表示装置の製造方法。
  17. 陽極を形成する陽極形成工程と、陰極を形成する陰極形成工程とをさらに備え、
    上記陽極および上記陰極のうち一方は反射電極を含み、他方は透光性電極であることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
  18. 上記中間層形成工程は、上記機能層として、フェルスター半径を越える厚みを有するセパレート層を形成するセパレート層形成工程を含み、
    上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層を、上記第３の副画素および上記第４の副画素に共通して形成することを特徴とする請求項１６または１７に記載の表示装置の製造方法。
  19. 上記第１の発光層形成工程では、上記第１の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料を使用することを特徴とする請求項１６〜１８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  20. 上記第１の副画素は青色の副画素であり、上記第２の副画素は第１の緑色の副画素であり、上記第３の副画素は第２の緑色の副画素であり、上記第４の副画素は赤色の副画素であり、
    上記第１の蛍光発光材料に、青色の光を発光する蛍光発光材料を使用し、
    上記第２の蛍光発光材料に、緑色の光を発光する蛍光発光材料を使用し、
    上記第３の発光材料に、赤色の光を発光する発光材料を使用することを特徴とする請求項１６〜１９の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
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