JP6637601B2 - 表示装置の製造方法および表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置の製造方法および表示装置に関する。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、例えば、エレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」と記す）現象を利用した発光素子（ＥＬ素子）を用いた自発光型の表示装置が開発されている。
ＥＬ素子を備えた表示装置は、低電圧で発光が可能であり、自己発光型であるために視野角が広く、視認性が高く、また、薄膜型の完全固体素子であるために省スペースや携帯性等の観点から注目を集めている。
ＥＬ素子は、発光材料を含む発光層を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有している。ＥＬ素子は、発光層に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出を利用して発光する。
ＥＬ素子における発光層の形成には、主に、真空蒸着法等の蒸着方式が用いられる。このような蒸着方式を用いたフルカラーの有機ＥＬ表示装置の形成には、大別して、白色ＣＦ（カラーフィルタ）方式と塗分方式とがある。
白色ＣＦ方式は、白色発光のＥＬ素子とＣＦ層とを組み合わせて各副画素における発光色を選択する方式である。
塗分方式は、蒸着マスクを用いて発光色毎に塗り分け蒸着を行う方式であり、一般的に、基板上に配列した、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色のＥＬ素子からなる副画素を、ＴＦＴを用いて、選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示が行われる。各ＥＬ素子間には、各副画素における発光領域を画定するバンク（隔壁）が設けられており、各ＥＬ素子の発光層は、蒸着マスクを用いて、上記バンクの開口部に形成される。
日本国公開特許公報「特開２０１５−２１６１１３号公報（２０１５年１２月３日公開）」
白色ＣＦ方式は、高精細な蒸着マスクを必要とすることなく高精細な表示装置を実現することができるというメリットがある。
しかしながら、白色ＣＦ方式は、カラーフィルタによるエネルギー損失があり、駆動電圧が高くなることから、消費電力が大きいという問題がある。また、このような白色発光のＥＬ素子は、レイヤー数が多く、また、カラーフィルタを必要とすることから、製造コストが非常に高くなってしまうというデメリットがある。
一方、塗分方式は、発光効率や低電圧駆動等の特性は良いが、高精度なパターニングを行うのが難しい。例えば、蒸着マスクの開口精度、並びに、蒸着源と被成膜基板との距離関係によっては、隣接画素への混色が発生してしまうという問題がある。また、蒸着マスクの厚みや蒸着角度によっては、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる蒸着ボケ（シャドー）が発生する場合がある。このように、塗分方式を用いた表示装置では、隣接画素方向からの蒸着物侵入による混色やシャドーに由来する、表示品位の低下が問題となる。特に、隣接画素に他色ドーパントが付着した場合、他色ドーパントの付着量が極めて少量であっても、デバイス構造によっては、ＥＬ発光スペクトルへの寄与がかなり大きくなり、色度が変化してしまうことがある。
このため、塗分方式により高精細な表示装置を実現するには、蒸着角度が鋭角になるように蒸着源を被成膜基板から離間させる必要があり、それらを収容する真空チャンバの高さを高くする必要がある。
しかしながら、このような高さのある真空チャンバを製造するには多大なコストがかかる上、材料利用効率も悪くなり、材料コストも嵩むことになる。
近年は、見た目の精細度を向上させるため、Ｓストライプ配列やペンタイル配列といった、ＲＧＢストライプ配列以外の画素配列も実用化されている。
しかしながら、従来は、何れの画素配列の場合にも、副画素間のバンク幅を少なくとも十数μｍ程度確保する必要があり、塗分方式を用いた従来の表示装置の解像度は、実質５００ｐｐｉほどで頭打ちとなっている。
なお、特許文献１には、生産性が高く、消費電力が低減された発光装置を提供するために、赤色の光を呈する発光素子と、赤色の光を透過する光学素子とを有するＲ副画素と、緑色の光を呈する発光素子と、緑色の光を透過する光学素子とを有するＧ副画素と、青色の光を呈する発光素子と、青色の光を透過する光学素子とを有するＢ副画素とを少なくとも有する発光装置において、各発光素子に、５４０ｎｍ〜５８０ｎｍの波長範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有する第１の発光層、または、４２０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長範囲に発光ピークを有する第２の発光材料を有する第２の発光層を、共通して用いることが開示されている。
なお、上記発光装置は、黄色（Ｙ）の光を呈する発光素子と、黄色の光を透過する光学素子とを有するＹ副画素をさらに有していてもよく、第１の発光層は、黄緑色、黄色、または橙色の発光を呈する発光材料からなる発光層であり、第２の発光材料は、紫色、青色、または青緑色の発光を呈する発光材料からなる発光層である。
特許文献１では、発光素子と、カラーフィルタ、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタ等の光学素子とを併用し、光学干渉効果と、光学素子による混色光のカットとによって色純度を高めている。
しかしながら、特許文献１では、例えばＧ副画素とＲ副画素とに発光色が黄色または橙色の発光層を共通層として設ける等、共通層を設ける２つの副画素に、共通層として、両副画素のスペクトルの中間色の発光ピークを有する共通層を設けている。このため、光学干渉効果で所望の色を強めようとしても、色ズレが発生したり、効率低下を招いたりしてしまい、単色の色再現性を高めることが難しい。
また、特許文献１では、貼り合わせ基板（封止基板）上に設けられた光学素子によって色度を向上させると考えられるが、色度と発光効率とがトレードオフになり、白色ＣＦ方式同様、高色純度と低消費電力とを両立することができないという問題がある。
また、発光素子と光学素子との間にはギャップがあるため、斜め方向への射出光において混色が起こる可能性がある。このため、特許文献１の発光装置は、配光特性にも問題がある。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色可能性を低減することで混色防止の蒸着マージンを低減させ、より容易に高精細化を実現することができるとともに、高色度と低消費電力とを両立することができる表示装置の製造方法およびそのような表示装置を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる表示装置の製造方法は、第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素からなる画素が複数配設された表示領域を有する基板を備え、上記第１の副画素と上記第２の副画素とが第１の方向に交互に配置されているとともに、上記第３の副画素と第４の副画素とが、上記第１の方向に交互に配置されており、上記第１の副画素および上記第２の副画素からなる列と、上記第３の副画素および上記第４の副画素からなる列とが、上記第１の方向に直交する第２の方向に交互に配置されており、上記第１の副画素では、第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高い表示装置の製造方法であって、各機能層に対応した所定の開口パターンを有する複数のマスク開口がそれぞれ形成された蒸着マスクを介して上記基板上に各機能層に対応した蒸着粒子をそれぞれ蒸着することで、上記基板上に、上記蒸着粒子からなる複数の機能層を形成する機能層形成工程を含み、上記機能層形成工程は、上記第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層を、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して形成する第１の発光層形成工程と、上記第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層を、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して形成する第２の発光層形成工程と、上記第３の発光材料を含む第３の発光層を、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して形成する第３の発光層形成工程と、上記第２の副画素で、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層を介して積層されるように、上記第２の副画素に上記セパレート層を形成するセパレート層形成工程と、を含み、上記機能層形成工程では、上記第２の副画素で、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下となるように上記第１の発光層および上記第２の発光層を形成するとともに、上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記第３の発光層形成工程のうち少なくとも２つの発光層形成工程で、上記蒸着マスクとして、上記マスク開口が、複数の画素に跨がって設けられたスリット型のマスク開口を含むスリットマスクを用いて、上記蒸着粒子を上記基板に線形蒸着する。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる表示装置は、第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素からなる画素が複数配設された表示領域を有する基板を備え、上記第１の副画素と上記第２の副画素とが第１の方向に交互に配置されているとともに、上記第３の副画素と第４の副画素とが、上記第１の方向に交互に配置されており、上記第１の副画素および上記第２の副画素からなる列と、上記第３の副画素および上記第４の副画素からなる列とが、上記第１の方向に直交する第２の方向に交互に配置されており、第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層が、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して設けられており、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層が、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して設けられており、第３の発光材料を含む第３の発光層が、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して設けられており、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層のうち少なくとも２つの発光層は、複数の画素に跨がって設けられた発光層を含み、上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高く、上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下であり、かつ、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層を介して積層されており、上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する。
本発明の上記一態様によれば、Ｓストライプ配列またはペンタイル配列を有する従来の表示装置ではなし得なかった、複数の色の発光層の線形蒸着が可能となる。
そして、上記線形蒸着に、複数の画素に跨がって設けられたスリット型のマスク開口を有するスリットマスクを使用することで、蒸着マスクにおける、各画素内における隣接副画素間の非開口パターン並びに隣接画素間の非開口パターンを無くすことができる。このため、従来の発光層形成用の蒸着マスクにおいて、一度に蒸着される隣接副画素間の非開口パターンを減らすことができるとともに、隣接副画素間の非開口パターン並びに隣接画素間の非開口パターンの厚みに由来するシャドーが無くなり、副画素内の膜厚バラつきを低減することができる。
本発明の上記一態様によれば、上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層と上記第３の発光層とが積層されるが、上記第１の発光層から上記第２の発光層にフェルスター型のエネルギー移動を生じる一方で、上記第１の発光層および上記第２の発光層から上記第３の発光層へのフェルスター型のエネルギー移動は生じないため、上記第２の蛍光発光材料のみが発光する。
つまり、上記第２の発光層の発光材料である第２の蛍光発光材料は、上記第１の発光層の発光材料である第１の蛍光発光材料よりも最低一重項励起状態のエネルギー準位が低く、かつ、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下であることから、たとえ上記第１の発光層上で正孔と電子とが再結合したとしても、フェルスター型のエネルギー移動により、上記第２の蛍光発光材料がほぼ１００％発光する。また、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層との間には上記セパレート層が設けられていることから、上記第１の発光層および上記第２の発光層から上記第３の発光層へのエネルギー移動が阻害される。このため、上記第２の副画素に、上記第１の発光層と上記第２の発光層と上記第３の発光層とが積層されていたとしても、混色を抑制することができる。
また、本発明の上記一態様によれば、上述したように、複数の色の発光層の線形蒸着が可能になるとともに、上記第２の副画素では、上述したように発光層が複数積層されているにも拘らず混色が生じ難いことから、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色防止の蒸着マージンを低減させることができ、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも容易に高精細化を実現することができる。
また、上記表示装置は、上述したように発光層の積層構造を有しているにも拘らず、白色ＣＦ方式や特許文献１のようにＣＦ層や光学干渉効果を必須としないため、消費電力の増大や配光特性の悪化を回避することができる。このため、高色度と低消費電力とを両立することができる。
したがって、本発明の上記一態様によれば、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色可能性を低減することで混色防止の蒸着マージンを低減させ、より容易に高精細化を実現することができるとともに、高色度と低消費電力とを両立することができる表示装置を提供することができる。
したがって、本発明の上記一態様によれば、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色可能性を低減することで混色防止の蒸着マージンを低減させ、より容易に高精細化を実現することができるとともに、高色度と低消費電力とを両立することができる表示装置を提供することができる。
本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける発光原理を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の画素配列を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 青色蛍光発光材料、緑色蛍光発光材料、および赤色発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位の関係を示す図である。 本発明の実施形態１で用いられる、青色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルおよび緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一例を示すグラフである。 本発明の実施形態１で用いられるセパレート層の材料の吸収スペクトルおよび緑色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトル並びに青色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルの一例を示すグラフである。 青色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトル、緑色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトル、および赤色発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルの一例を示すグラフである。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置における発光層ユニットの製造工程を工程順に示す平面図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置における各色の発光層およびセパレート層の積層状態を示す平面図である。 本発明の実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置の画素配列を模式的に示す図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置における発光層ユニットの製造工程を工程順に示す平面図である。 本発明の実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置における各色の発光層およびセパレート層の積層状態を示す平面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置の製造に用いられる蒸着装置の要部の概略構成を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す蒸着装置における蒸着マスクに対して被成膜基板を４５度回転させた状態を示す平面図である。 本発明の実施形態４の例１にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態４の例２にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態４の例３にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
〔実施形態１〕
本発明の実施の一形態について、図１〜図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
以下では、本実施形態にかかる表示装置として、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
＜有機ＥＬ表示装置の概略構成＞
図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における発光原理を模式的に示す図である。また、図２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図３は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の画素配列を模式的に示す図である。図４は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図４は、図３に示す有機ＥＬ表示装置１のＬ１−Ｌ２線断面に相当する、図３に一点鎖線で枠囲みして示す１画素領域の概略構成の一例を示している。
図４に示すように、上記有機ＥＬ表示装置１は、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板１０（基板）と封止基板４０とが図示しないシール材を介して貼り合わされた構成を有している。ＴＦＴ基板１０上には、各色に発光する複数の有機ＥＬ素子２０が設けられている。このため、有機ＥＬ素子２０は、ＴＦＴ基板１０および封止基板４０からなる一対の基板間に封入されている。有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間には、例えば、図示しない充填剤層が設けられている。以下では、ＴＦＴ基板１０が矩形状である場合を例に挙げて説明する。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、封止基板４０側から光を取り出すトップエミッション型の表示装置である。以下に、より詳細に説明する。
＜ＴＦＴ基板１０の構成＞
ＴＦＴ基板１０は、ＴＦＴ１２や配線１４を含むＴＦＴ回路が形成された回路基板である。ＴＦＴ基板１０は、支持基板として、図示しない絶縁基板１１を備えている。
絶縁基板１１は、絶縁性を有していれば特に限定されるものではない。絶縁基板１１には、例えば、ガラス基板や石英基板等の無機基板、ポリエチレンテレフタレートまたはポリイミド樹脂等からなるプラスチック基板等、公知の各種絶縁基板を用いることができる。
なお、本実施形態では、後述するように、絶縁基板１１として、透光性を有するガラス基板（透光性基板）を用いる場合を例に挙げて説明する。しかしながら、トップエミッション型の有機ＥＬ素子２０においては、絶縁基板１１に透光性を必要としない。このため、本実施形態のように有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、絶縁基板１１として、シリコンウェハ等の半導体基板、アルミニウム（Ａｌ）または鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板の表面に酸化シリコンまたは有機絶縁材料等からなる絶縁物をコーティングした基板、Ａｌ等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法によって絶縁化処理した基板等、透光性を有さない絶縁基板（非透光性基板）を使用してもよい。
絶縁基板１１上には、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線１４が設けられている。これら配線１４およびＴＦＴ１２は、層間絶縁膜１３によって覆われている。また、ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。
ＴＦＴ基板１０上には、上記配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光する有機ＥＬ素子２０の発光領域４が設けられている。
すなわち、これら配線１４で囲まれた領域が１つの副画素３（ドット）であり、副画素３毎に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光領域４が画成されている。
図３および図４に示すように、各画素２（すなわち、１画素）は、４つの副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒによって構成されている。これら副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒには、有機ＥＬ素子２０として、対応する発光色の有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ１・２０Ｇ２・２０Ｒがそれぞれ設けられている。
第１の色として青色を表示する副画素３Ｂ（第１の副画素、青色の副画素）は、発光色が青色の有機ＥＬ素子２０Ｂからなり、青色の光を透過する。第２の色として緑色を表示する副画素３Ｇ１（第２の副画素、第１の緑色の副画素）は、発光色が緑色の有機ＥＬ素子２０Ｇ１からなり、緑色の光を透過する。同様に、第２の色として緑色を表示する副画素３Ｇ２（第３の副画素、第２の緑色の副画素）は、発光色が緑色の有機ＥＬ素子２０Ｇ２からなり、緑色の光を透過する。第３の色として赤色を表示する副画素３Ｒ（第４の副画素、赤色の副画素）は、発光色が赤色の有機ＥＬ素子２０Ｒからなり、赤色の光を透過する。
なお、本実施形態では、各副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒを区別する必要がない場合には、これら副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒを総称して単に副画素３と称する。同様に、本実施形態では、各有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ１・２０Ｇ２・２０Ｒを区別する必要がない場合には、これら有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ１・２０Ｇ２・２０Ｒを総称して単に有機ＥＬ素子２０と称する。また、各発光領域４Ｂ・４Ｇ１・４Ｇ２・４Ｒを区別する必要がない場合には、これら発光領域４Ｂ・４Ｇ１・４Ｇ２・４Ｒを総称して単に発光領域４と称する。
各副画素３には、それぞれ、有機ＥＬ素子２０に駆動電流を供給する駆動用トランジスタとしてのＴＦＴを含む複数のＴＦＴ１２が設けられている。各副画素３の発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、各有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像を表示する。
＜有機ＥＬ素子２０の構成＞
図４に示すように、各有機ＥＬ素子２０は、第１電極２１、有機ＥＬ層２２、第２電極２３を備えている。有機ＥＬ層２２は、第１電極２１と第２電極２３とで挟持されている。本実施形態では、第１電極２１と第２電極２３との間に設けられた層を総称して有機ＥＬ層２２と称する。有機ＥＬ層２２は、少なくとも１層の機能層からなる有機層であり、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒのうち、少なくとも１層の発光層（以下、これら青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒを区別する必要がない場合には、これら青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒを総称して単に発光層３４と称する）を含む発光層ユニット３３を含んでいる。
これら第１電極２１、有機ＥＬ層２２、第２電極２３は、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層されている。
第１電極２１は、副画素３毎に島状にパターン形成されており、第１電極２１の端部は、バンク１５（隔壁、エッジカバー）で覆われている。第１電極２１は、層間絶縁膜１３に設けられたコンタクトホール１３ａを介してそれぞれＴＦＴ１２と接続されている。
バンク１５は絶縁層であり、例えば感光性樹脂で構成されている。バンク１５は、第１電極２１の端部で、電極集中や有機ＥＬ層２２が薄くなって第２電極２３と短絡することを防止する。また、バンク１５は、隣り合う副画素３に電流が漏れないように、画素分離膜としても機能している。
バンク１５には、副画素３毎に開口部１５ａが設けられている。図４に示すように、この開口部１５ａによる第１電極２１および有機ＥＬ層２２の露出部が、各副画素３の発光領域４であり、それ以外の領域は非発光領域である。
一方、第２電極２３は、各副画素３に共通に設けられた共通電極である。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、副画素３毎に第２電極２３が設けられていてもよい。
第２電極２３上には、該第２電極２３を覆うように保護層２４が設けられている。保護層２４は、上側電極である第２電極２３を保護し、酸素や水分が外部から各有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する。なお、保護層２４は、全ての有機ＥＬ素子２０における第２電極２３を覆うように、全ての有機ＥＬ素子２０に共通して設けられている。本実施形態では、各副画素３に形成された、第１電極２１、有機ＥＬ層２２、第２電極２３、および、必要に応じて形成される保護層２４をまとめて有機ＥＬ素子２０と称する。
（第１電極２１および第２電極２３）
第１電極２１および第２電極２３は、対の電極であり、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。
陽極は、発光層ユニット３３に正孔（ｈ＋）を注入する電極としての機能を有していればよい。また、陰極は、発光層ユニット３３に電子（ｅ−）を注入する電極としての機能を有していればよい。
陽極および陰極の形状、構造、大きさ等は、特に制限はなく、有機ＥＬ素子２０の用途、目的に応じて、適宜選択することができる。
本実施形態では、図４に示すように、第１電極２１が陽極であり、第２電極２３が陰極である場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではなく、第１電極２１が陰極であり、第２電極２３が陽極であってもよい。第１電極２１が陽極であり、第２電極２３が陰極である場合と、第１電極２１が陰極であり、第２電極２３が陽極である場合とでは、発光層ユニット３３を構成する各機能層の積層順あるいはキャリア輸送性（正孔輸送性、電子輸送性）が反転する。同様に、第１電極２１および第２電極２３を構成する材料も反転する。
陽極および陰極として用いることができる電極材料としては、特に限定されるものではなく、例えば公知の電極材料を用いることができる。
陽極としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、およびニッケル（Ｎｉ）等の金属、並びに、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明電極材料等が利用できる。
一方、陰極としては、発光層３４に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。陰極としては、例えば、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、またはこれらの金属を含有するＡｇ（銀）−Ｍｇ（マグネシウム）合金、Ａｌ−Ｌｉ合金等の合金等が利用できる。
なお、陽極および陰極の厚みは、特に限定されるものではなく、従来と同様に設定することができる。
発光層ユニット３３で発生させた光は、第１電極２１および第２電極２３のうち何れか一方の電極側から光が取り出される。光を取り出す側の電極には、透光性電極材料を使用した、透明もしくは半透明の透光性電極（透明電極、半透明電極）を使用し、光を取り出さない側の電極には、反射電極材料を使用した反射電極、もしくは、反射電極として、反射層を有する電極を使用することが好ましい。
すなわち、第１電極２１および第２電極２３としては、様々な導電性材料を用いることができるが、上述したように有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、有機ＥＬ素子２０を支持する支持体であるＴＦＴ基板１０側の第１電極２１を反射電極材料で形成し、有機ＥＬ素子２０を挟んで第１電極２１とは反対側に位置する第２電極２３を、透明のまたは半透明の透光性電極材料で形成することが好ましい。
第１電極２１および第２電極２３は、それぞれ、１つの電極材料からなる単層であってもよいし、複数の電極材料からなる積層構造を有していてもよい。
したがって、上述したように有機ＥＬ素子２０がトップエミッション型の有機ＥＬ素子である場合、図２に示すように、第１電極２１を、反射電極２１ａ（反射層）と、透光性電極２１ｂとの積層構造としてもよい。本実施形態では、第１電極２１は、ＴＦＴ基板１０側から、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂが、この順に積層された構成を有している。
反射電極材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）または炭素（Ｃ）等の黒色電極材料、Ａｌ、Ａｇ、金（Ａｕ）、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ａｌ−ネオジウム（Ｎｄ）合金、またはＡｌ−シリコン（Ｓｉ）合金等の反射性金属電極材料等が挙げられる。
また、透光性電極材料としては、例えば、上述した透明電極材料等を用いてもよいし、薄膜にしたＡｇ等の半透明の電極材料を用いてもよい。
（有機ＥＬ層２２）
本実施形態にかかる有機ＥＬ層２２は、図４に示すように、機能層として、第１電極２１側から、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３４を含む発光層ユニット３３、電子輸送層３６、電子注入層３７が、この順に積層された構成を有している。正孔注入層３１、正孔輸送層３２、電子輸送層３６、電子注入層３７は、全ての画素２における副画素３に共通して設けられている。
但し、発光層ユニット３３以外の機能層は、有機ＥＬ層２２として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。以下に、上記各機能層について説明する。
（発光層ユニット３３）
前述したように、各有機ＥＬ素子２０における有機ＥＬ層２２は、少なくとも１層の機能層からなる有機層であり、図１、図２および図４に示すように、各有機ＥＬ素子２０における発光層ユニット３３は、少なくとも１層の発光層３４を含んでいる。
各有機ＥＬ素子２０のうち、有機ＥＬ素子２０Ｂは、発光層３４として、青色の光を発光する青色蛍光発光材料を含む青色蛍光発光層３４Ｂを含んでいる。有機ＥＬ素子２０Ｒは、発光層３４として、赤色の光を発光する赤光発光材料を含む赤色発光層３４Ｒを含んでいる。有機ＥＬ素子２０Ｇ２は、発光層３４として、緑色の光を発光する緑色蛍光発光材料を含む緑色蛍光発光層３４Ｇを含んでいる。有機ＥＬ素子２０Ｇ２は、発光層３４として、赤色発光層３４Ｒ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、および青色蛍光発光層３４Ｂを含んでいる。すなわち、有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ２・２０Ｒには、それぞれ、発光層３４が１層のみ設けられているのに対し、有機ＥＬ素子２０Ｇ１には、発光層３４として、有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ２・２０Ｒに設けられた各発光層３４（言い換えれば、ＲＧＢの各色の発光層３４）がそれぞれ設けられている。
青色蛍光発光層３４Ｂは、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に共通して設けられている。緑色蛍光発光層３４Ｇは、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通して設けられている。赤色発光層３４Ｒは、副画素３Ｇ１および副画素３Ｒに共通して設けられている。
このため、各画素２には、図４に示すように、第１電極２１と第２電極との間に、少なくとも、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、および赤色発光層３４Ｒを含む複数の機能層が形成されている。そして、各副画素３には、上記複数の機能層のうち、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、および赤色発光層３４Ｒのうち少なくとも１層の発光層３４を含む少なくとも１層の機能層が、それぞれ第１電極２１と第２電極との間に設けられている。
副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとは、互いに隣接して設けられている一方、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間には、フェルスター型のエネルギー移動（フェルスター遷移）を阻害するセパレート層３５が設けられている。
セパレート層３５は、発光材料を含まず、発光層以外の少なくとも１層の機能層からなり、フェルスター半径を越える層厚を有している。セパレート層３５は、少なくとも１５ｎｍの層厚を有していることが好ましい。
フェルスター半径とは、フェルスター遷移が起こり得る、互いに隣り合う発光層３４間の距離（具体的には、互いに隣り合う発光層３４における互いに最隣接する、互いの対向面間の距離）を意味する。互いに隣り合う一方の発光層３４に含まれる発光材料のＰＬ（フォトルミネセンス）発光スペクトルと他方の発光層３４に含まれる発光材料の吸収スペクトルとの重なり程度が大きければ、フェルスター半径は大きくなり、重なり程度が小さければ、フェルスター半径も小さくなる。
一般的に、フェルスター半径は１〜１０ｎｍ程度と言われている。このため、互いに隣り合う発光層３４における互いの対向面間の距離を１０ｎｍよりも大きく離間させれば、フェルスター遷移は起こらない。
しかしながら、互いに隣り合う発光層３４間の距離を少なくとも１５ｎｍ離間させることで、互いに隣り合う発光層３４の発光材料のＰＬ（フォトルミネセンス）発光スペクトルと吸収スペクトルとが完全に重なる場合でも、隣り合う発光層３４間においてフェルスター遷移が起こらない。したがって、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＧＲ）、つまり、緑色蛍光発光層３４Ｇにおける最も赤色発光層３４Ｒ側に位置する面（本実施形態では緑色蛍光発光層３４Ｇの下面）と赤色発光層３４Ｒにおける最も緑色蛍光発光層３４Ｇ側に位置する面（本実施形態では赤色発光層３４Ｒの上面）との間の距離は、１５ｎｍ以上であることが好ましい。このため、上記セパレート層３５は、少なくとも１５ｎｍの層厚を有していることが好ましい。
セパレート層３５は、赤色発光層３４Ｒと同じく、副画素３Ｇ１および副画素３Ｒに共通して設けられている。なお、セパレート層３５の層厚は、フェルスター遷移を阻害することができる厚みに設定されていればよく、フェルスター半径を越える層厚を有していれば特に限定されないが、セパレート層３５の層厚が大きくなれば、その分、有機ＥＬ表示装置１の厚みが増大するため、有機ＥＬ表示装置１の大型化の抑制や素子の低電圧化の観点から、５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３０ｎｍ以下とすることが、より好ましい。
このため、セパレート層３５は、その一部が、副画素３Ｇ１において、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとで挟持されている一方、他の一部が、副画素３Ｒにおいて、赤色発光層３４Ｒに隣接して積層されている。
各実施形態では、このように発光層３４と、複数の発光層３４で少なくとも一部が挟持された、発光層３４以外の機能層からなる中間層と、で構成される積層体を、発光層ユニット３３と称する。なお、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１では、上記中間層は、セパレート層３５である。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１では、画素２において、発光層ユニット３３を構成するこれら発光層３４およびセパレート層３５は、図１、図２、および図４に示すように、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂの順に積層されている。
発光層ユニット３３は、副画素３Ｂでは青色蛍光発光層３４Ｂからなり、副画素３Ｇ１では、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂが、この順に積層された積層構造を有している。また、発光層ユニット３３は、副画素３Ｇ２では緑色蛍光発光層３４Ｇからなり、副画素３Ｒでは、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５がこの順に積層された積層構造を有している。
図５は、青色蛍光発光材料、緑色蛍光発光材料、および赤色発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位（以下、「Ｓ１準位」と記す）の関係を示す図である。図５中、Ｓ１（１）は、第１の蛍光発光材料である青色蛍光発光材料のＳ１準位を示し、Ｓ１（２）は、第２の蛍光発光材料である緑色蛍光発光材料のＳ１準位を示し、Ｓ１（３）は、第３の発光材料である赤色発光材料のＳ１準位を示す。なお、図５中、Ｓ０は、基底状態を示す。
図５に示すように、緑色蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位（Ｓ１（２））は、上記青色蛍光発光材料のＳ１準位（Ｓ１（１））よりも低く、かつ、赤色発光材料のＳ１準位（Ｓ１（３））よりも高い。
また、図６は、本実施形態で用いられる、青色蛍光発光材料のＰＬ（フォトルミネセンス）発光スペクトルおよび緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一例を示すグラフである。
なお、図６では、青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いた２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）のＰＬ発光スペクトルを示すとともに、緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルとして、後述する実施例１で用いた２，３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン（クマリン６）の吸収スペクトルを示している。
また、図７は、本実施形態で用いられる、セパレート層３５の材料の吸収スペクトルおよび緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル並びに青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一例を示すグラフである。
なお、図７では、セパレート層３５の材料の吸収スペクトルとして、後述する実施例１で用いた４，４’−ビス（９−カルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）の吸収スペクトルを示している。また、図７では、緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、上述したように、後述する実施例１で用いたクマリン６のＰＬ発光スペクトルを示し、青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、図６に示した、後述する実施例１で用いたＴＢＰｅのＰＬ発光スペクトルを示している。
図６に示すように、上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とは重なっていることが好ましい。また、図７に示すように、赤色発光層３４Ｒに隣接する中間層（第１の中間層）、言い換えれば、赤色発光層３４Ｒと、該赤色発光層３４Ｒに積層方向に隣り合う発光層（本実施形態では緑色蛍光発光層３４Ｇ）との間に設けられた中間層に含まれる全ての材料（すなわち、セパレート層３５の材料）の吸収スペクトルと、上記中間層を介して上記赤色発光層３４Ｒとは反対側に設けられた発光層である、上記青色蛍光発光層３４Ｂおよび上記緑色蛍光発光層３４Ｇのうち、少なくとも、上記中間層（すなわち、セパレート層３５）に隣接する発光層である緑色蛍光発光層３４Ｇ中の緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとには、重なりが存在しないことが好ましい。また、上記中間層（すなわち、セパレート層３５）に含まれる全ての材料の吸収スペクトルと、上記緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルおよび上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとには、重なりが存在しないことがより好ましい。
このように上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とが重なっていることで、上記青色蛍光発光材料から上記緑色蛍光発光材料へのエネルギー移動が起き易い。
副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとは直接接触していることから、これら青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＢＧ）はフェルスター半径以下である。
このため、副画素３Ｇ１では上記青色蛍光発光材料のＳ１準位から上記緑色蛍光発光材料のＳ１準位へのフェルスター遷移が起こる。すなわち、青色蛍光発光層３４Ｂから緑色蛍光発光層３４Ｇにフェルスター遷移が起こる。
なお、本実施形態において、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＢＧ）とは、青色蛍光発光層３４Ｂにおける最も緑色蛍光発光層３４Ｇ側に位置する面（本実施形態では青色蛍光発光層３４Ｂの下面）と緑色蛍光発光層３４Ｇにおける最も青色蛍光発光層３４Ｂ側に位置する面（本実施形態では緑色蛍光発光層３４Ｇの上面）との間の距離を示す。
一方、上記中間層（第１の中間層、セパレート層３５）に含まれる全ての材料の吸収スペクトルと、上記青色蛍光発光層３４Ｂおよび上記緑色蛍光発光層３４Ｇのうち、少なくとも、上記セパレート層３５に隣接する発光層である緑色蛍光発光層３４Ｇ中の緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとに重なりが存在しないことで、上記青色蛍光発光材料および上記緑色蛍光発光材料から上記中間層に含まれる材料へのエネルギー移動が起こり難い。なお、このとき、上記中間層（第１の中間層、セパレート層３５）に含まれる全ての材料の吸収スペクトルと、上記緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルおよび上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとに重なりが存在しないことで、上記緑色蛍光発光材料および上記青色蛍光発光材料から上記中間層に含まれる材料へのエネルギー移動が、より起こり難い。
セパレート層３５は、フェルスター半径を越える層厚を有していることから、副画素３Ｇ１における対向面間距離ＤＧＲは、フェルスター半径よりも大きい。
このため、副画素３Ｇ１で、上記セパレート層３５を介して緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのフェルスター型のエネルギー移動は起こらない。勿論、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間に上記セパレート層３５が設けられており、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとが互いに接触していないことから、デクスター型のエネルギー移動も起こらない。
各発光層３４は、正孔および電子の輸送を担うホスト材料と、発光材料として発光を担う発光ドーパント（ゲスト）材料との２成分系で形成されていてもよく、発光材料単独で形成されていてもよい。
発光層３４中の材料（成分）のうち含有比率の最も多い材料は、ホスト材料であってもよく、発光材料であってもよい。
ホスト材料は、正孔および電子の注入が可能であり、正孔と電子とが輸送され、その分子内で再結合することで発光材料を発光させる機能を有している。ホスト材料を使用する場合、発光材料は、ホスト材料に均一に分散される。
ホスト材料を使用する場合、ホスト材料には、Ｓ１準位および最低励起三重項状態のエネルギー準位（以下、「Ｔ１準位」と記す）のうち少なくとも一方が、発光材料のそれよりも高い値を有する有機化合物が用いられる。これにより、ホスト材料は、発光材料のエネルギーを、該発光材料中に閉じ込めることができ、発光材料による発光効率を向上させることができる。
本実施形態にかかる積層構造を有する各副画素３で表示すべき発光色を効率良く得るためには、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料は、図１および図２に正孔（ｈ＋）および電子（ｅ−）の移動を矢印で示すように、電子移動度の極めて低い、正孔輸送性材料であることが望ましい。また、セパレート層３５は、セパレート層３５全体として、正孔輸送性および電子輸送性がともに高いバイポーラ輸送性を示すことが望ましい。このため、セパレート層３５中に含まれる材料は、バイポーラ輸送性材料のように単独でバイポ−ラ輸送性を示す材料であってもよく、単独では、正孔移動度が電子移動度よりも高い、正孔輸送性、または、電子移動度が正孔移動度よりも高い、電子輸送性を示す材料を、セパレート層３５としてバイポーラ輸送性を示すように、二種類以上組み合わせて用いても構わない。また、赤色発光層３４Ｒ中の混合比率の最も高い材料は、図１および図２に示すようにバイポーラ輸送性材料であることが望ましいが、正孔輸送性材料であっても構わない。
正孔輸送性のホスト材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ］ビフェニル（ＴＰＤ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、３，３’−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）等の正孔輸送性材料が挙げられる。電子輸送性のホスト材料としては、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、ビス［（２−ジフェニルホスホリル）フェニル］エーテル（ＤＰＥＰＯ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）−１，１’−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンジントリル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾリル）（ＴＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−４−（フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）等の電子輸送性材料が挙げられる。バイポーラ輸送性のホスト材料としては、例えば、４，４’−ビス（９−カルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）等のバイポーラ輸送性材料が挙げられる。
青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇ中の発光材料は、ともに蛍光発光材料である。
青色蛍光発光材料としては、例えば、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］サルホン（ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、ペリレン、４，５−ビス（カルバゾール−９−イル）−１，２−ジシアノベンゼン（２ＣｚＰＮ）等、青色発光する蛍光発光材料を用いることができる。
緑色蛍光発光材料としては、例えば、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン（クマリン６）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）、１，２，３，５−テトラキス（カルバゾール−９−イル）−４，６−ジシアノベンゼン（４ＣｚＩＰＮ）、１，２，３，４−テトラキス（カルバゾール−９−イル）−５，６−ジシアノベンゼン（４ＣｚＰＮ）、次式
Figure 0006637601
で示されるＰＸＺ−ＤＰＳ等が挙げられる。
赤色発光材料は、発光色が赤色であれば、燐光発光材料であってもよく、蛍光発光材料であってもよい。但し、赤色発光層３４Ｒではエネルギー移動を用いないことから、燐光発光材料、またはＴＡＤＦ（Thermally Activated Delayed Fluorescence：熱活性化遅延蛍光）材料であることが、発光効率が高くなることから望ましい。
ＴＡＤＦ材料は、熱活性化により最低励起三重項状態から逆項間交差により最低励起一重項状態を生成できる材料であり、Ｓ１準位とＴ１準位とのエネルギー差ΔＥＳＴが極めて小さい遅延蛍光材料である。発光材料にこのようにＳ１準位とＴ１準位とのエネルギー差ΔＥＳＴが極めて小さい遅延蛍光材料を用いることで、熱エネルギーによるＴ１準位からＳ１準位への逆項間交差が生じる。このＴＡＤＦ材料による遅延蛍光を利用すると、蛍光型発光においても、理論上、内部量子効率を１００％にまで高めることができる。ΔＥＳＴは、小さければ小さいほど、最低励起三重項状態から最低励起一重項状態に逆項間交差し易く、ΔＥＳＴが０．３ｅＶ以下であれば室温でも比較的容易に逆項間交差することができる。
赤色蛍光発光材料としては、例えば、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（ＤＢＰ）、（Ｅ）−２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）スチリル］−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝マロノニトリル（ＤＣＭ）等が挙げられる。また、赤色燐光発光材料としては、例えば、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））等が挙げられる。また、赤色発光するＴＡＤＦ材料としては、例えば、次式
Figure 0006637601
で示されるＰＰＺ−ＤＰＯ、次式
Figure 0006637601
で示されるＰＰＺ−ＤＰＳ、次式
Figure 0006637601
で示される４ＣｚＴＰＮ−Ｐｈ等が挙げられる。
また、セパレート層３５としては、例えば、上述したようにバイポーラ輸送性材料である４，４’−ビス（９−カルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。
上記発光層ユニット３３における各機能層の層厚は、対向面間距離ＤＧＲおよび対向面間距離ＤＢＧが上述した条件を満足するように形成されていれば、特に限定されるものではない。
しかしながら、上記発光層ユニット３３のうち、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚は、１０ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。青色蛍光発光層３４Ｂの層厚を１０ｎｍ以下に設定することで、副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も緑色蛍光発光層３４Ｇから遠い青色蛍光発光材料の分子（すなわち、青色蛍光発光層３４Ｂにおける、緑色蛍光発光層３４Ｇとは反対側の表面、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂの上面に位置する青色蛍光発光材料の分子）から緑色蛍光発光層３４Ｇにおける緑色蛍光発光材料までの距離が１０ｎｍ以下となる。言い換えれば、青色蛍光発光層３４Ｂの任意の位置から緑色蛍光発光層３４Ｇまでの最短距離が何れも１０ｎｍ以下となる。このため、副画素３Ｇ１における任意の位置の青色蛍光発光材料の分子から緑色蛍光発光材料へのフェルスター遷移が可能であり、たとえ青色蛍光発光層３４Ｂにおける緑色蛍光発光層３４Ｇとは反対側の表面に位置する青色蛍光発光材料の分子であっても、フェルスター遷移が可能となる。
（正孔注入層３１および正孔輸送層３２）
正孔注入層３１は、正孔注入性材料を含み、発光層３４への正孔注入効率を高める機能を有する層である。正孔注入層３１と正孔輸送層３２とは、互いに独立した層として形成されていてもよく、正孔注入層兼正孔輸送層として一体化されていてもよい。また、正孔注入層３１と正孔輸送層３２とが両方設けられている必要はなく、一方のみ（例えば正孔輸送層３２のみ）が設けられていてもよい。
正孔注入層３１、正孔輸送層３２、あるいは正孔注入層兼正孔輸送層の材料、すなわち、正孔注入性材料あるいは正孔輸送性材料には、既知の材料を用いることができる。
これらの材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。より具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリル−アミノ）−フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、９，１０−ジフェニルアントラセン−２−スルフォネート（ＤＰＡＳ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（４−（ジ（３−トリル）アミノ）フェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、イリジウム（III）トリス［Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンズイミダゾル−２−イリデン−Ｃ２，Ｃ２’］（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）３）、４，４’，４”−トリス−（Ｎ−カルバゾリル）−トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、２，２−ビス（ｐ−トリメリットオキシフェニル）プロパン酸無水物（ＢＴＰＤ）、ビス［４−（ｐ，ｐ−ジトリルアミノ）フェニル］ジフェニルシラン（ＤＴＡＳｉ）等が用いられる。
なお、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、正孔注入層兼正孔輸送層は、不純物がドープされていない真性正孔注入性材料あるいは真性正孔輸送性材料であってもよいし、導電性を高める等の理由で不純物がドープされていても構わない。
また、高効率の発光を得るためには、励起エネルギーを、発光層ユニット３３内、特に、発光層ユニット３３における発光層３４内に閉じ込めることが望ましい。このため、上記正孔注入性材料および正孔輸送性材料としては、発光層３４中の発光材料のＳ１準位およびＴ１準位よりも励起準位の高いＳ１準位およびＴ１準位を有する材料を使用することが望ましい。このため、上記正孔注入性材料および正孔輸送性材料としては、励起準位が高く、かつ、高い正孔移動度を有する材料を選択することがより好ましい。
（電子輸送層３６および電子注入層３７）
電子注入層３７は、電子注入性材料を含み、発光層３４への電子注入効率を高める機能を有する層である。
また、電子輸送層３６は、電子輸送性材料を含み、発光層３４への電子輸送効率を高める機能を有する層である。
なお、電子注入層３７と電子輸送層３６とは、互いに独立した層として形成されていてもよく、電子注入層兼電子輸送層として一体化されていてもよい。また、電子注入層３７と電子輸送層３６とが両方設けられている必要もなく、一方のみ、例えば電子輸送層３６のみが設けられていてもよい。勿論、両方とも設けられていなくても構わない。
電子注入層３７、電子輸送層３６、あるいは電子注入層兼電子輸送層の材料、すなわち、電子注入性材料あるいは電子輸送性材料として用いられる材料としては、既知の材料を用いることができる。
これらの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、およびこれらの誘導体や金属錯体、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。
より具体的には、例えば、ビス［（２−ジフェニルホスホリル）フェニル］エーテル（ＤＰＥＰＯ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、３，３’−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾル−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３−フェニル−４（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、１，１０−フェナントロリン、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、ＬｉＦ等が挙げられる。
（保護層２４）
保護層２４は、透光性を有する、絶縁性材料や導電性材料で形成される。保護層２４の材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の無機絶縁材料や、ＩＴＯ等の導電性材料が挙げられる。なお、保護層２４は、無機絶縁層と有機絶縁層との積層構造を有していてもよい。上記有機絶縁層に用いられる有機絶縁材料としては、例えば、ポリシロキサン、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等が挙げられる。
保護層２４の厚みは、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止することができるように、材料に応じて適宜設定すればよく、特に限定されない。
（封止基板４０）
封止基板４０としては、例えば、ガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。本実施形態のように有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、封止基板４０には、透光性を有する絶縁基板が用いられる。
なお、絶縁基板１１および封止基板４０は、それぞれ、フレキシブル性を有する絶縁フィルムであってもよく、これら絶縁基板１１および封止基板４０に、それぞれ、屈曲性を有する基板を用いることで、上記有機ＥＬ表示装置１を、フレキシブルディスプレイ、あるいは、ベンダブルディスプレイとすることもできる。
なお、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間には、封止基板４０がＴＦＴ基板１０に衝突し、有機ＥＬ素子２０が損傷するのを防ぐために、図示しないギャップスペーサが設けられていてもよい。
＜有機ＥＬ表示装置１の表示方法＞
次に、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の表示方法について説明する。
前述したように、有機ＥＬ表示装置１は、各色の発光層３４を備えた有機ＥＬ素子２０が設けられた副画素３を複数備え、ＴＦＴ１２を用いて各副画素３における有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光することによりカラー表示を行う。以下では、各副画素３における発光について説明する。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、表示領域には、複数の画素２が、マトリクス状に配置されている。
各画素２は、上述したように副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２からなる２種類の緑色の副画素３（副画素３Ｇ）を有し、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｇ２、副画素３Ｒの４つの副画素３で構成されている。
表示領域において、これら画素２は、図３に示すように、副画素３Ｇ１が副画素３Ｂに対し行方向（第１の方向）に隣り合うとともに副画素３Ｒに対し列方向（すなわち、行方向に直交する方向、第２の方向）に隣り合い、副画素３Ｇ２が副画素３Ｒに対し行方向に隣り合うとともに副画素３Ｂに対し列方向に隣り合い、行方向および列方向に交差（具体的には、それぞれに対し斜め４５度の角度で交差）する斜め方向（第３の方向）に、副画素３Ｂと副画素３Ｒとが隣り合うとともに副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが隣り合うペンタイル型の画素配列（ペンタイル配列）を有している。これにより、表示領域において、画素２は、行方向に、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが隣り合うとともに副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとが隣り合い、列方向に、副画素３Ｂと副画素３Ｇ２とが隣り合うとともに副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとが隣り合う構成を有する。それぞれ行方向に沿って形成された、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とからなる列と、副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとからなる列とは、列方向に交互に配置されている。例えば奇数行では、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが交互に配置され、偶数行では、副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとが交互に配置されている。また、例えば奇数列では副画素３Ｂと副画素３Ｇ２とが交互に配置され、偶数列では、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとが交互に配置されている。
本実施形態によれば、ペンタイル型の画素配列とすることで、見かけの精細度を向上させることができる。
本実施形態では、従来のペンタイル型の画素配列を有する有機ＥＬ表示装置と異なり、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが、図１、図２および図４に示すように、異なる積層構造を有している。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１において、図４に示すように、第１電極２１および第２電極２３のそれぞれから有機ＥＬ層２２に注入された正孔（ｈ＋）および電子（ｅ−）は、図１に示すように、副画素３Ｂでは、青色蛍光発光層３４Ｂで再結合して励起子が生成し、副画素３Ｇ２では、緑色蛍光発光層３４Ｇで再結合して励起子が生成する。生成された励起子は、失活して基底状態（以下、「Ｓ０」と記す）に戻る際に光を放出する。これにより、副画素３Ｂでは青色発光し、副画素３Ｇ２では緑色発光する。
また、前述したように、赤色発光層３４Ｒおよびセパレート層３５中の材料のうち含有比率の最も多い材料には例えばバイポーラ輸送性材料が用いられることから、副画素３Ｒでは、第１電極２１および第２電極２３のそれぞれから有機ＥＬ層２２に注入された正孔および電子は、図１に示すように、赤色発光層３４Ｒで再結合して励起子が生成する。
また、前述したように、緑色蛍光発光材料のＳ１準位は、青色蛍光発光材料のＳ１準位よりも低く、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料には正孔輸送性材料が用いられる。そして、赤色発光層３４Ｒおよびセパレート層３５中の材料のうち含有比率の最も多い材料には例えばバイポーラ輸送性材料が用いられる。緑色蛍光発光材料のＳ１準位は、赤色発光材料のＳ１準位よりも高いが、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間には、フェルスター半径を越える層厚を有するセパレート層３５が設けられていることから、赤色発光層３４Ｒにはエネルギーが移動しない。
このため、副画素３Ｇ１では、第１電極２１および第２電極２３のそれぞれから有機ＥＬ層２２に注入された正孔および電子は、青色蛍光発光層３４Ｂまたは緑色蛍光発光層３４Ｇで再結合して励起子が生成する。
上述したように、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料に、正孔輸送性材料が用いられる。青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成されるか、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成されるかは、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のキャリア移動度と、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料におけるキャリア移動度との関係、並びに、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの積層順によって決定される。
図１では、一例として、青色蛍光発光層３４Ｂが緑色蛍光発光層３４Ｇよりも陰極側（第２電極２３側）に位置し、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料がともに正孔輸送性材料であり、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成される場合を例に挙げて示している。
青色蛍光発光層３４ＢのＳ１準位は緑色蛍光発光層３４ＧのＳ１準位よりも高く、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成された場合、該青色蛍光発光層３４Ｂで生成された励起子は、Ｓ１準位間のフェルスター遷移により青色蛍光発光層３４Ｂから緑色蛍光発光層３４Ｇにエネルギーが移動する。一方、上述したように、青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのエネルギー移動は、セパレート層３５により阻害される。このため、副画素３Ｇ１では、緑色蛍光発光層３４Ｇがほぼ１００％発光（緑色発光）する。したがって、本実施形態では、副画素３Ｇ１では発光層３４が複数積層されているにも拘らず、混色が抑制される。
また、本実施形態によれば、後述するように線形蒸着により青色蛍光発光層３４Ｂを副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とに共通して形成する際に、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇ上に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されたとしても、上述したように青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはない。なお、ここで、線形蒸着とは、ドット状ではなく、直線状に蒸着を行うことを示す。
また、本実施形態によれば、後述するように線形蒸着により赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｂに侵入し、青色蛍光発光層３４Ｂの下（つまり、第１電極２１側）に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。
同様に、後述するように線形蒸着により赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの下に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｇ２で赤色混色が発生することはない。
したがって、本実施形態によれば、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに正孔輸送性材料とすることで、赤色発光層３４Ｒの蒸着時に、赤色発光材料が微量だけ他の副画素３（すなわち、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ２のうち少なくとも一方の副画素３）に侵入しても、混色が起こり難い構成とすることができる。
このように、本実施形態によれば、発光層３４の移動度の制御、並びに、フェルスター遷移の効果により、混色が発生する条件数を低減することができる。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
次に、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図８〜図１１を参照して以下に説明する。
図９の（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１における発光層ユニット３３の製造工程を工程順に示す平面図である。また、図１０は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。図１１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１における各色の発光層３４およびセパレート層３５の積層状態を示す平面図である。なお、図１１では、発光層３４Ｒおよびセパレート層３５を、セパレート層３５が上層で発光層３４Ｒが下層となるように重ねて記載している。
なお、図９の（ａ）〜（ｃ）では、発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒの識別のために、各発光領域４に、図３と同じハッチングを行っており、実際の蒸着は、各蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇの各開口部７１Ｂ・７１Ｒ・７１Ｇ（マスク開口）内において行われる。発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒは、それぞれ、順に、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｇ２、副画素３Ｒ内に位置する。
また、図１１では、図示の便宜上、ＴＦＴ基板１０の表示領域１ａにおける、発光層３４Ｂ・３４Ｒ・３４Ｇ、並びに、発光領域４Ｂ・４Ｇ１・４Ｇ２・４Ｒに対応する、バンク１５の開口部１５ａ以外の図示を省略している。
以下、各蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇを区別する必要がない場合には、これら蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇを総称して単に蒸着マスク７０と称する。また、各開口部７１Ｂ・７１Ｒ・７１Ｇを区別する必要がない場合には、これら開口部７１Ｂ・７１Ｒ・７１Ｇを総称して単に開口部７１と称する。
発光層ユニット３３における各機能層、特に各発光層３４の蒸着には、蒸着マスク７０として、スリット型の開口部７１を有するスリットマスクを用いることが望ましい。本実施形態では、蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇに、それぞれ、スリットマスクを使用する。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造工程は、上述したＴＦＴ基板１０を作製するＴＦＴ基板作製工程と、該ＴＦＴ基板１０上に有機ＥＬ素子２０を形成する有機ＥＬ素子作製工程と、該有機ＥＬ素子作製工程で作製した有機ＥＬ素子２０を封止する封止工程と、を備えている。
有機ＥＬ素子作製工程は、図１０に示すように、例えば、陽極形成工程（Ｓ１）、正孔注入層形成工程（Ｓ２）、正孔輸送層形成工程（Ｓ３）、赤色発光層形成工程（Ｓ４）、セパレート層形成工程（Ｓ５）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、電子輸送層形成工程（Ｓ８）、電子注入層形成工程（Ｓ９）、陰極形成工程（Ｓ１０）、保護層形成工程（Ｓ１１）を含んでいる。本実施形態では、有機ＥＬ素子作製工程は、一例として、この順に行われる。なお、上記括弧内は、ステップ番号を示している。
以下に、上記した各工程について説明する。
まず、ＴＦＴ基板作製工程で、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成された絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間絶縁膜１３を形成する。
層間絶縁膜１３としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。層間絶縁膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。
次に、層間絶縁膜１３に、陽極としての第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。これによりＴＦＴ基板１０が作製される。
次いで、このようにして形成されたＴＦＴ基板１０上に、有機ＥＬ素子２０を形成する（有機ＥＬ素子作製工程）。
有機ＥＬ素子作製工程では、まず、上記ＴＦＴ基板１０上に、陽極として、第１電極２１を形成する（Ｓ１）。
本実施形態にかかる陽極形成工程（Ｓ１）は、ＴＦＴ基板１０上に反射電極２１ａを形成する反射電極形成工程と、反射電極２１ａ上に透光性電極２１ｂを形成する透光性電極形成工程と、を備えている。
したがって、上記陽極形成工程（Ｓ１）では、まず、ＴＦＴ基板１０上に、第１電極２１における反射電極２１ａとして、反射電極材料を所定の厚みでパターン形成する。
反射電極２１ａは、例えば、スパッタリング法等により反射電極材料を成膜後に、副画素３毎に、フォトリソグラフィにより図示しないレジストパターンを形成し、これらレジストパターンをマスクとして上記反射電極材料からなる層をエッチングした後、レジストパターンを剥離洗浄することで副画素３毎に分離するようにパターニングしてもよいし、印刷法あるいは蒸着マスクを用いた蒸着法等により、パターン成膜してもよい。上記蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法等を用いることができる。
次に、第１電極２１における透光性電極２１ｂとして、反射電極２１ａ上に、透光性電極材料を、所定の厚みでパターン形成する。
反射電極２１ａと陰極としての第２電極２３との間の距離は、各副画素３から発光される各色の波長領域の光のピーク波長の強度を増強させる距離に設定することが望ましい。
図８は、青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、および赤色発光材料のＰＬ発光スペクトルの一例を示すグラフである。
なお、図８では、青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いたＴＢＰｅのＰＬ発光スペクトルを示し、緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いたクマリン６のＰＬ発光スペクトルを示し、赤色発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いたＩｒ（ｐｉｑ）３のＰＬ発光スペクトルを示している。
図８に示すように、上記青色蛍光発光材料のピーク波長（第１のピーク波長）は略４７０ｎｍであり、緑色蛍光発光材料のピーク波長（第２のピーク波長）は略５２０ｎｍであり、上記赤色発光材料のピーク波長（第３のピーク波長）は略５９０ｎｍである。
本実施形態にかかる有機ＥＬ素子２０は、マイクロキャビティ（微小共振器）方式の有機ＥＬ素子である。マイクロキャビティ方式の有機ＥＬ素子においては、発光した光が陽極と陰極との間で多重反射し、共振することで発光スペクトルが急峻になり、特定波長の発光強度が増幅される。
有機ＥＬ素子に、このような共振構造（マイクロキャビティ構造）を導入する方法としては、例えば、発光色毎に有機ＥＬ素子の２つの共振面間の長さ（キャビティ長）、すなわち、光路長を変える方法が知られている。
本実施形態では、副画素３毎に透光性電極２１ｂの厚みを設定することで、副画素３毎にキャビティ長を変更し、マイクロキャビティ効果により、発光の色度や発光効率の向上を図っている。
このため、本実施形態において各副画素３における発光材料から発光される光は、一部は直接外部に出射されるが、他の一部は多重反射されて外部に出射される。すなわち、各副画素３から外部に出射される光には、発光材料から発光された後、そのまま、有機ＥＬ層２２を挟んで反射電極とは反対側に設けられた透光性電極（本実施形態では第２電極２３）を介して外部に出射される光と、発光材料から発光された後、陽極と陰極との間（より厳密には、上記反射電極と透光性電極との間であり、本実施形態では第１電極２１における反射電極２１ａと第２電極２３との間）で多重反射されて、上記反射電極とは反対側に設けられた透光性電極（本実施形態では第２電極２３）を介して外部に出射される光とが含まれる。
したがって、副画素３Ｂでは、青色蛍光発光層３４Ｂから発光された光が外部に出射されるが、このとき外部に出射される光には、青色蛍光発光層３４Ｂで発光された光（すなわち、青色蛍光発光材料から発光された光）を、副画素３Ｂにおける陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれる。また、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２では、緑色蛍光発光層３４Ｇから発光された光が外部に出射されるが、副画素３Ｇ１から外部に出射される光には、緑色蛍光発光層３４Ｇで発光された光（すなわち、緑色蛍光発光材料から発光された光）を、副画素３Ｇ１における陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれ、副画素３Ｇ２から外部に出射される光には、上記緑色蛍光発光層３４Ｇで発光された光を、副画素３Ｇ２における陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれる。また、副画素３Ｒでは、赤色発光層３４Ｒから発光された光が外部に出射されるが、このとき外部に出射される光には、赤色発光層３４Ｒで発光された光（すなわち、赤色発光材料から発光された光）を、副画素３Ｒにおける陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれる。
副画素３Ｂでは、反射電極２１ａと第２電極２３との間の距離が、青色の波長領域の光を外部に取り出す（すなわち、出射させる）のに最適な厚み（青色蛍光発光材料のピーク波長の強度を増強させる距離）となるように透光性電極２１ｂの厚みが設定される。同様に、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２では、反射電極２１ａと第２電極２３との間の距離が、緑色の波長領域の光を外部に取り出すのに最適な厚み（緑色蛍光発光材料のピーク波長の強度を増強させる距離）となるように透光性電極２１ｂの厚みが設定され、副画素３Ｒでは、反射電極２１ａと第２電極２３との間の距離が、赤色の波長領域の光を外部に取り出すのに最適な厚み（赤色発光材料のピーク波長の強度を増強させる距離）となるように透光性電極２１ｂの厚みが設定される。
なお、各副画素３における透光性電極２１ｂの厚みを変更する方法としては、特に限定されるものではなく、蒸着法あるいは印刷法等により、副画素３毎に所望の厚みに透光性電極材料を成膜してもよく、スパッタリング法等により透光性電極材料を成膜後に、フォトリソグラフィによりパターン化し、その後、上記透光性電極材料からなる各層の厚みを、アッシング等により所望の厚みに調整してもよい。
これにより、ＴＦＴ基板１０上に、副画素３毎に異なる層厚を有する第１電極２１を、マトリクス状に形成する。
次に、層間絶縁膜１３と同様にして、第１電極２１の端部を覆うようにバンク１５をパターン形成する。以上の工程により、陽極として、副画素３毎にバンク１５で分離された第１電極２１が作製される。
次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。
次いで、従来と同様にして、正孔注入層３１の材料、正孔輸送層３２の材料を、上記第１電極２１が形成されたＴＦＴ基板１０上における表示領域１ａ（図１１参照）全面に、この順に蒸着する（Ｓ２、Ｓ３）。
次いで、上記正孔輸送層３２上に、赤色発光層３４Ｒを形成する（Ｓ４）。
赤色発光層形成工程（Ｓ４）では、図９の（ａ）中、破線で示す発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに赤色発光層３４Ｒが形成されるように、赤色発光層形成用の蒸着マスク７０Ｒとして、列方向（第２の方向）に隣り合う（つまり、直接隣り合う）副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとをそれぞれ結ぶように複数の画素２に跨がって設けられた、上記第２の方向が開口長方向となるスリット型の開口部７１Ｒを有するスリットマスクを用いて、赤色発光層３４Ｒの材料を、列方向に隣り合う発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とを結ぶ方向（すなわち、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向）に線形蒸着する。
なお、本実施形態において、有機ＥＬ表示装置１の製造方法にかかる以下の説明では、発光領域４、発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒを、順に、副画素３、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｇ２、副画素３Ｒと読み替えて、同様の説明を行うことが可能である。
上記開口部７１Ｒは、同一画素２内並びに列方向に隣り合う画素２における発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを交互に結ぶように、例えば、同一画素２内に配置された発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを１組として列方向に並ぶ複数組の発光領域４に対応して形成されている。
なお、図９の（ａ）〜（ｃ）および図１１では、図示の便宜上、画素２の数を省略して示している。このため、図９の（ａ）に示す例では、列方向に並ぶ二画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒ（つまり、四副画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒ）に跨がる開口部７１Ｒが複数形成されている場合を例に挙げて図示している。
しかしながら、開口部７１Ｒは、それぞれ、列方向に連続した三つ以上の画素２における発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに対応して形成されていてもよく、例えば、ＴＦＴ基板１０の表示領域１ａにおける列方向の端から端まで連続して形成されていてもよい。
このように、開口部７１Ｒは、列方向に並ぶ複数の画素２における発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに対応して、列方向に沿った断続的なストライプ状に形成されていてもよく、表示領域１ａにおける列方向の端から端まで連続したストライプ状に形成されていてもよい。
何れの場合にも、赤色発光層形成工程（Ｓ４）では、平面視で（つまり、蒸着マスク７０のマスク面に垂直な方向から見たとき）、蒸着マスク７０Ｒにおける開口部７１Ｒと同じパターンを有する赤色発光層３４Ｒが形成される。これにより、本実施形態では、図１１に示すように、副画素３Ｇ１および副画素３Ｒからなる偶数列目の副画素列に、列方向に沿った、複数画素に渡るライン状の赤色発光層３４Ｒを形成した。
続いて、上記赤色発光層３４Ｒ上に、赤色発光層形成用の蒸着マスク７０Ｒを用いて、上記セパレート層３５の材料を、発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを結ぶ方向に線形蒸着する。これにより、図１１に示すように、上記赤色発光層３４Ｒ上に、平面視で、上記赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有するセパレート層３５を積層した（Ｓ５）。
なお、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とが、平面視で同じパターンを有することから、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とを、同じ蒸着マスク７０Ｒを用いて連続して形成する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とを、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いてパターン形成しても構わない。
次に、上記正孔輸送層３２上に、上記セパレート層３５に交差（具体的には、斜め４５の角度で交差）するように、緑色蛍光発光層３４Ｇを形成する（Ｓ６）。
緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）では、図９の（ｂ）中、破線で示す発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に緑色蛍光発光層３４Ｇが形成されるように、緑色蛍光発光層形成用の蒸着マスク７０Ｇとして、斜め方向（第３の方向）に隣り合う（つまり、直接隣り合う）発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とをそれぞれ結ぶように複数の画素２に跨がって設けられた、上記第３の方向が開口長方向となるスリット型の開口部７１Ｇを有するスリットマスクを用いて、緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を、斜め方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着する。
上記開口部７１Ｇは、少なくとも同一画素２内で斜め方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを結ぶとともに、これら開口部７１Ｇのうち一部の開口部７１Ｇが、斜め方向に隣り合う画素２における発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを交互に結ぶように、斜め方向に並ぶ複数の画素２における発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に対応して形成されている。
上述したように、図９の（ａ）〜（ｃ）および図１１では、図示の便宜上、画素２の数を省略して示している。このため、図９の（ｂ）に示す例では、上下左右方向（つまり、行方向および列方向）に隣り合う２×２の画素２（言い換えれば、４×４の副画素３）内において斜め方向に並ぶ発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを結ぶように、該２×２の画素２内に、斜め方向に並ぶ二画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２（つまり、四副画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２）に跨がる開口部７１Ｇを挟んで、同一画素２内において斜め方向に並ぶ二副画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に跨がる開口部７１Ｇが形成されている場合を例に挙げて図示している。
しかしながら、開口部７１Ｇは、例えば、斜め方向に連続した三つ以上の画素２における発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に跨がる開口部７１Ｇを含んでいてもよいし、それぞれ、ＴＦＴ基板１０の表示領域１ａにおける斜め方向（すなわち、対角線に平行な方向）の端から端まで連続して形成されていてもよい。
つまり、開口部７１Ｇは、表示領域１ａにおける斜め方向の端から端まで連続したストライプ状に形成されており、複数の画素２における発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に跨がる複数の開口部７１Ｇを挟むように、並列配置された両端の開口部７１Ｇのみが、同一画素２内において斜め方向に並ぶ二副画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に跨がって形成されていていてもよい。
また、開口部７１Ｇは、例えば、行方向および列方向に隣り合う２×２の画素２を１組として、各組内において斜め方向に隣り合う（つまり、直接隣り合う）発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とをそれぞれ結ぶように、スリット型の開口部７１Ｇからなる開口部７１Ｇ群が組毎に設けられていてもよい。言い換えれば、開口部７１Ｇは、斜め方向に伸びるストライプ状の開口部７１Ｇが、組毎に分断されてなる、斜め方向に沿った断続的なストライプ状に形成されていてもよい。
但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、蒸着マスク７０Ｇは、行方向並びに列方向にそれぞれ複数個ずつ隣り合う、４個以上の画素２を１組として、スリット型の開口部７１Ｇからなる開口部７１Ｇ群が組毎に設けられた構成を有していてもよい。例えば、行方向×列方向に、２×３あるいは４×４の画素２を１組として、スリット型の開口部７１Ｇからなる開口部７１Ｇ群が組毎に設けられたスリットマスクを蒸着マスク７０Ｇとして使用してもよい。このように行方向並びに列方向にそれぞれ複数個ずつ隣り合う、４個以上の画素２を１組として、スリット型の開口部７１Ｇからなる開口部７１Ｇ群が組毎に設けられていることで、画素２内で開口部７１Ｇが分断されず、同じ画素２内の発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とに、両発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に跨がる同じ緑色蛍光発光層３４Ｇを、共通して形成することができる。すなわち、同じ画素２内の副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とに、両副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に跨がる同じ緑色蛍光発光層３４Ｇを、共通して形成することができる。
何れの場合にも、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）では、平面視で、蒸着マスク７０Ｇにおける開口部７１Ｇと同じパターンを有する緑色蛍光発光層３４Ｇが形成される。これにより、本実施形態では、正孔輸送層３２上に、図１１に示すように、平面視で、開口部７１Ｇと同じパターンを有し、副画素３Ｇ１においてセパレート層３５に重なり、副画素３Ｇ２において正孔輸送層３２上に直接配置された、上記斜め方向に沿ったライン状の複数の緑色蛍光発光層３４Ｇを形成した。
次いで、上記正孔輸送層３２上に、上記セパレート層３５および緑色蛍光発光層３４Ｇに交差（具体的には、それぞれに対し斜め４５度の角度で交差）するように、行方向に沿ったストライプ状の緑色蛍光発光層３４Ｇを形成する（Ｓ７）。
青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）では、図９の（ｃ）中、破線で示す発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されるように、青色蛍光発光層形成用の蒸着マスク７０Ｂとして、行方向（第１の方向）に隣り合う（つまり、直接隣り合う）発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とをそれぞれ結ぶように複数の画素２に跨がって設けられた、上記第１の方向が開口長方向となるスリット型の開口部７１Ｂを有するスリットマスクを用いて、青色蛍光発光層３４Ｂの材料を、行方向に隣り合う発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とを結ぶ方向に線形蒸着する。
上記開口部７１Ｂは、同一画素２内並びに行方向に隣り合う画素２における発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とを交互に結ぶように、例えば、同一画素２内に配置された発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とを１組として行方向に並ぶ複数組の発光領域４に対応して形成されている。
図示の便宜上、図９の（ｃ）に示す例では、発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１（つまり、四副画素分の発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１）に跨がる開口部７１Ｂが複数形成されている場合を例に挙げて図示している。
しかしながら、開口部７１Ｂは、それぞれ、行方向に連続した三つ以上の画素２における発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１に対応して形成されていてもよく、例えば、ＴＦＴ基板１０の表示領域１ａにおける行方向の端から端まで連続して形成されていてもよい。
このように、開口部７１Ｂは、行方向に並ぶ複数の画素２における発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１に対応して、行方向に沿った断続的なストライプ状に形成されていてもよく、表示領域１ａにおける行方向の端から端まで連続したストライプ状に形成されていてもよい。
何れの場合にも、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）では、平面視で、蒸着マスク７０Ｂにおける開口部７１Ｂと同じパターンを有する青色蛍光発光層３４Ｂが形成される。これにより、本実施形態では、図１１に示すように、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１からなる奇数行目の副画素列に、副画素３Ｇ１において緑色蛍光発光層３４Ｇに重なり、副画素３Ｂにおいて正孔輸送層３２上に直接配置された、行方向に沿った、複数画素に渡るライン状の青色蛍光発光層３４Ｂを形成した。
各発光層３４は、例えば、平面視で、ＴＦＴ基板１０とほぼ同じ大きさを有する各蒸着マスク７０（具体的には、例えば蒸着マスク７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂ）を、それぞれ、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整した後、ＴＦＴ基板１０に密着（接触）させて固定し、ＴＦＴ基板１０と蒸着マスク７０とを共に回転させながら、蒸着源（図示せず）より飛散した蒸着粒子を、蒸着マスク７０の開口部７１を通じて表示領域１ａ全面に均一に蒸着することで成膜することができる。
あるいは、上記各蒸着マスク７０を、それぞれ、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整した後、ＴＦＴ基板１０に密着（接触）させて固定し、ＴＦＴ基板１０および蒸着マスク７０と、蒸着源と、のうち少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させることで、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、蒸着マスク７０の開口部７１を通じて表示領域１ａ全面に均一に蒸着することで各発光層３４を成膜してもよい。
また、上記各蒸着マスク７０として、ＴＦＴ基板１０よりも小さな蒸着マスクを使用し、各蒸着マスク７０を、ＴＦＴ基板１０に対し順次移動させて、その都度ＴＦＴ基板１０に密着（接触）させるステップ蒸着を行うことで、各発光層３４を成膜してもよい。
これら蒸着マスク７０としては、例えば、金属製のメタルマスク、あるいは、金属を含む複合マスクを用いることができる。蒸着マスク７０としてこのようなマスクを使用した場合、例えば、ＴＦＴ基板１０を介して該蒸着マスク７０とは反対側に、マグネットプレート等の磁石や電磁石等の磁力発生源を配置し、磁力により該蒸着マスク７０を吸着して保持することで、各発光層３４の成膜時に、蒸着マスク７０を、ＴＦＴ基板１０に密着（接触）した状態で固定することができる。但し、本実施形態はこれに限定されるものではなく、蒸着マスク７０として樹脂製の蒸着マスクを用いてもよいことは、言うまでもない。
その後、従来と同様にして、電子輸送層３６の材料、電子注入層３７の材料を、上記各色の発光層３４が形成されたＴＦＴ基板１０上における表示領域１ａ全面に、この順に蒸着する（Ｓ８、Ｓ９）。
次に、陰極として、第２電極２３を、上記電子注入層３７を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域１ａ全面に形成する（Ｓ１０）。
第２電極２３の形成には、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の蒸着法を用いてもよく、スパッタリング法、あるいは印刷法等を用いてもよい。
その後、保護層２４の材料を、上記第２電極２３を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ１１）。これにより、上記ＴＦＴ基板１０上に、有機ＥＬ素子２０が形成される。
その後、封止工程を行うことで、図４に示すように、上記有機ＥＬ素子２０が形成されたＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、図示しない充填剤層およびシール材を介して貼り合わせる。これにより、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１が得られる。
但し、有機ＥＬ素子２０の封止方法としては、上記した方法に限定されず、公知の各種封止方法を採用することができる。
本実施形態では、実施例１として、図１０に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
実施例１で上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下では、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
（実施例１）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ＡＤＮ（ホスト材料、９０％）／ＴＢＰｅ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
上述したように、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、および赤色発光層３４Ｒを、各画素２内で、それぞれ２つの副画素３に共通な共通発光層とし、該共通発光層の活用で生産性を高めながら、蛍光発光材料のフェルスター型のエネルギー移動と、その遷移可能距離とを利用して発光を行う。
上述したように、本実施形態によれば、副画素３Ｇ１では、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとが積層されるが、青色蛍光発光層３４Ｂから緑色蛍光発光層３４Ｇにフェルスター型のエネルギー移動を生じる一方で、青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのフェルスター型のエネルギー移動は生じないため、緑色蛍光発光材料のみが発光する。
つまり、緑色蛍光発光層３４Ｇの発光材料である緑色蛍光発光材料は、青色蛍光発光層３４Ｂの発光材料である青色蛍光発光材料よりもＳ１準位が低く、かつ、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとにおける互いの対向面間距離ＤＢＧがフェルスター半径以下であることから、たとえ青色蛍光発光層３４Ｂ上で正孔と電子とが再結合したとしても、フェルスター遷移により、緑色蛍光発光材料がほぼ１００％発光する。また、赤色発光層３４Ｒと、青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇのうち赤色発光層３４Ｒ側に位置する緑色蛍光発光層３４Ｇとの間にはセパレート層３５が設けられていることから、青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのエネルギー移動が阻害される。このため、上述したように、副画素３Ｇ１に、ＲＧＢの各色の発光層３４が積層されていたとしても、混色を抑制することができる。
上述した積層構造を有さないペンタイル配列を有する有機ＥＬ表示装置では、緑色の副画素からなる副画素列に対してしか線形蒸着を行うことはできない。言い換えれば、上述した積層構造を有さないペンタイル配列を有する有機ＥＬ表示装置では、１つの色の発光層の形成にしかスリットマスクを使用することはできない。
しかしながら、本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、赤色発光層３４Ｒ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂの蒸着時に、それぞれ、副画素３Ｇ１を含む、隣り合う複数の副画素３を１つの蒸着領域とし、少なくとも一部の発光層３４が、複数の画素２に跨がるように成膜することが可能となる。すなわち、副画素３Ｇ１が、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｒにそれぞれ設けられた各色の発光層３４を全て含む積層構造を有していることで、上述したように、発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを結ぶ方向だけでなく、発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを結ぶ方向、および、発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とを結ぶ方向にも線形蒸着が可能である。つまり、本実施形態によれば、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向だけでなく、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向、および、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とを結ぶ方向にも線形蒸着が可能であり、これらの方向への混色を抑制することができる。
すなわち、本実施形態によれば、赤色発光層形成工程（Ｓ４）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）の何れであってもスリットマスクを使用することができる。したがって、本実施形態によれば、従来とは異なり、それぞれ発光色のピーク波長が異なる、複数の色の発光層３４の形成（言い換えれば、例えば上記Ｓ４、Ｓ６、Ｓ７のうち少なくとも２つの工程）にスリットマスクを使用することができる。
さらに言えば、本実施形態によれば、従来とは異なり、上述したように、全ての発光層３４の形成に、スリットマスクを使用することができる。
したがって、本実施形態によれば、上述した積層構造を有さないペンタイル配列を有する有機ＥＬ表示装置ではなし得なかった、複数の色の発光層３４の線形蒸着、さらには、全ての発光層３４の線形蒸着が可能となる。
また、本実施形態によれば、上述したように、ペンタイル配列となるように配列された、ＲＧＢの全ての副画素３における発光層３４、および中間層（第１の中間層）であるセパレート層３５を、複数の画素２に跨がって設けられたスリット型の開口部７１を有するスリットマスクを用いて蒸着することができる。したがって、本実施形態によれば、発光層３４のみならず、上述したように、発光層ユニット３３を構成する全ての層の形成にスリットマスクを使用することができる。
このように蒸着マスク７０にスリットマスクを使用することで、従来の発光層形成用の蒸着マスクにおいて、一度に蒸着される隣接副画素３間の非開口パターン（例えばメタルパターン）を減らすことができる。
なお、本実施形態では、発光層ユニット３３を構成する全ての層の形成に、複数の画素２（例えば、４つの発光領域４）に跨がって設けられたスリット型の開口部７１を含む開口部７１を有するスリットマスクを用いる場合を例に挙げて説明したが、本実施形態は、これに限定されるものではない。
蒸着マスク７０としては、例えば、各画素２における副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に対応して二副画素分の開口部７１が設けられた蒸着マスク７０を使用してもよい。このように画素２毎に発光層３４を成膜する場合、各画素２内における隣接副画素３間の非開口パターンを無くすことができる。したがって、この場合にも、従来の発光層形成用の蒸着マスクにおいて、一度に蒸着される隣接副画素３間の非開口パターンを減らすことができる。
なお、勿論、青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒ、緑色蛍光発光層３４Ｇのうち一部の発光層３４の形成に、蒸着マスク７０として、一副画素ずつ別個の開口部７１が設けられた開口パターンを有する通常の蒸着マスクを用いてもよい。
例えば、発光層ユニット３３を構成する各機能層のうち、緑色蛍光発光層３４Ｇのみ、上述した通常の蒸着マスクで蒸着を行い、その他の機能層の成膜に上述したスリットマスクを使用すれば、上述した積層構造を有さないペンタイル配列を有する有機ＥＬ表示装置ではなし得ない、青色蛍光発光層３４Ｂの線形蒸着、赤色発光層３４Ｒの線形蒸着を行うことができる。
しかしながら、蒸着マスク７０に、複数の画素２に跨がって設けられたスリット型の開口部７１を有するスリットマスクを用いることで、上述したように画素２毎に発光層３４を成膜する場合と比較して、隣接画素２間の蒸着マスクの非開口パターンを無くすことができるという利点がある。
本実施形態によれば、上述した隣接副画素３間の非開口パターン並びに隣接画素２間の非開口パターンの厚みに由来するシャドーが無くなり、副画素３内の膜厚バラつきを低減することができる。
また、本実施形態によれば、混色防止の蒸着マージンを低減させることができ、発光層３４の成膜時に、各開口部７１内で隣り合う副画素３間のピッチを狭めて精細度を向上させたり、同一精細度で副画素３の面積を広げて電流ストレスを低下させることで、各有機ＥＬ素子２０を長寿命化させたりすることができる。
このように、本実施形態によれば、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒを、それぞれ線形蒸着することができるとともに、上述したように副画素３Ｇ１では、発光層３４が複数積層されているにも拘らず混色が生じ難いことから、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色防止の蒸着マージンを低減させることができ、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも容易に高精細化を実現することができる。
また、上記有機ＥＬ表示装置１は、上述したように発光層の積層構造を有しているにも拘らず、白色ＣＦ方式や特許文献１のようにＣＦ層や光学干渉効果を必須としないため、消費電力の増大や配光特性の悪化を回避することができる。このため、高色度と低消費電力とを両立することができる。
したがって、本実施形態によれば、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色可能性を低減することで混色防止の蒸着マージンを低減させ、より容易に高精細化を実現することができるとともに、高色度と低消費電力とを両立することができる表示装置を提供することができる。
また、本実施形態では、発光領域４Ｇ１・４Ｇ２（副画素３Ｇ１・３Ｇ２）を、図３、図９の（ａ）〜（ｃ）、および図１１に示すように、発光領域４Ｂ・４Ｒ（副画素３Ｂ・３Ｒ）に対し、４５度回転させた菱形形状とした。
本実施形態では、図９の（ｂ）に示すように、緑色蛍光発光層３４Ｇを斜め方向に線形蒸着する。このため、図９の（ｂ）に示すように、蒸着マスク７０Ｇの開口部７１Ｇの各辺（各開口端）と、これらの辺に対向する、発光領域４Ｇ１・４Ｇ２の各辺とが平行になるように線形蒸着を行うことで、各発光領域４間の隙間を最大限利用することができ、副画素３の配設密度を高めることができる。
＜変形例＞
なお、本実施形態では、本実施形態にかかる表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合を例に挙げて説明した。しかしながら本実施形態にかかる表示装置は、ＰＬ発光する表示装置であればよい。したがって、本実施形態にかかる表示装置は、上述した例示に限定されるものではなく、例えば無機ＥＬ表示装置であってもよく、ＰＬ発光を利用した、ＥＬ表示装置以外の表示装置であってもよい。また、前記各発光材料に無機材料を使用し、有機層に代えて無機層を形成してもよい。
また、本実施形態では、第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層として青色蛍光発光層３４Ｂを形成し、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層として緑色蛍光発光層３４Ｇを形成し、第３の発光材料を含む第３の発光層として赤色発光層３４Ｒを形成したが、本実施形態は、これに限定されるものではない。上記第１の蛍光発光材料と第２の蛍光発光材料と第３の発光材料との組み合わせは、青色蛍光発光材料と緑色蛍光発光材料と赤色発光材料との組み合わせに限定されるものではなく、上記第２の蛍光発光材料が、上記第１の蛍光発光材料から発光される光のピーク波長（第１のピーク波長）よりも長波長のピーク波長（第２のピーク波長）を有する光を発光し、上記第３の発光材料が上記第２のピーク波長よりも長波長のピーク波長（第３のピーク波長）を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料のＳ１準位が、上記第１の蛍光発光材料のＳ１よりも低く、かつ、上記第３の発光材料のＳ１よりも高い組み合わせであればよい。
〔実施形態２〕
本発明の実施の他の形態について、主に図１〜図４、図１０、図１２〜図１４に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施形態では、実施形態１との相違点について説明するものとし、実施形態１で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
図１２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の画素配列を模式的に示す図である。
実施形態１、２では、有機ＥＬ表示装置１が、ペンタイル配列を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、有機ＥＬ表示装置１は、図１２に示すように、行方向（第１の方向）に、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが隣り合うとともに副画素３Ｒと副画素３Ｇ２とが隣り合い、行方向に直交する列方向（第２の方向）に、副画素３Ｂと副画素３Ｒとが隣り合うとともに副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが隣り合うＳストライプ型の画素配列（Ｓストライプ配列）を有していてもよい。Ｓストライプ配列でも、それぞれ行方向に沿って形成された、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とからなる列と、副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとからなる列とは、列方向に交互に配置されており、表示領域における行方向の各色の副画素３の繰り返しとしては、ペンタイル配列同様、例えば奇数行では、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが交互に配置され、偶数行では、副画素３Ｒと副画素３Ｇ２とが交互に配置されている。
なお、これらの配列は、人間の色覚がＲおよびＢに鈍感でＧに敏感であることを利用したものである。これらの配列では、図３および図１２に示すように、各行を、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１、あるいは副画素３Ｇ２および副画素３Ｒの２色ずつで構成し、各行において、ＲＧＢ配列と比較して欠落する色の副画素を、隣接する行の副画素との組み合わせで擬似的に再現する。
このため、これらの配列では、縦ストライプ型のＲＧＢ配列と比較して、行方向において欠落する色の副画素の分、各行の副画素３のドット幅を大きくすることができる。このため、高精細な有機ＥＬ表示装置１の製造が容易になるとともに、少ない画素数でも見かけの解像度を高く維持することができる。
なお、本実施形態では、図１２〜図１４に示すように、各発光領域４（副画素３）を、何れも正方形状とした。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、従来のＳストライプ配列を有する有機ＥＬ表示装置と異なり、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが、図１、図２、図４に示したように、異なる積層構造を有している。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
図１３の（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１における発光層ユニット３３の製造工程を工程順に示す平面図である。図１４は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１における各色の発光層３４およびセパレート層３５の積層状態を示す平面図である。なお、図１４では、発光層３４Ｒ（図１１中、３４Ｒ（３４）と表記）およびセパレート層３５を、セパレート層３５が上層で発光層３４Ｒが下層となるように重ねて記載している。
なお、図１３の（ａ）〜（ｃ）では、発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒの識別のために、各発光領域４に、図１２と同じハッチングを行っており、実際の蒸着は、各蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇの各開口部７１Ｂ・７１Ｒ・７１Ｇ内において行われる。前述したように、発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒは、それぞれ、順に、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｇ２、副画素３Ｒ内に位置する。
また、図１４では、図示の便宜上、ＴＦＴ基板１０の表示領域１ａにおける、発光層３４Ｂ・３４Ｒ・３４Ｇ、並びに、発光領域４Ｂ・４Ｇ１・４Ｇ２・４Ｒに対応する、バンク１５の開口部１５ａ以外の図示を省略している。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、バンク１５の形成時に、図１４に示す発光領域４（すなわち、発光領域４Ｂ・４Ｇ１・４Ｇ２・４Ｒ）に対応した開口部１５ａが形成されるようにバンク１５をパターン形成するとともに、図１３の（ａ）に示すように、赤色発光層３４Ｒ（Ｓ４）および緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）で、実施形態１にかかる蒸着マスク７０Ｒ・７０Ｇとは異なる開口パターンを有する蒸着マスク７０Ｒ・７０Ｇを用いた以外は、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同じである。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法では、図１０に示す赤色発光層形成工程（Ｓ４）〜青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）において、図１３の（ａ）〜（ｃ）に示す蒸着マスク７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂを用いて蒸着を行う。
本実施形態では、赤色発光層形成工程（Ｓ４）およびセパレート層形成工程（Ｓ５）において、正孔輸送層３２上に、図１３の（ａ）に示すように、破線で示す発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに赤色発光層３４Ｒおよびセパレート層３５が形成されるように、開口部７１Ｒとして、斜め方向（第３の方向）に隣り合う（つまり、直接隣り合う）発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとをそれぞれ結ぶように複数の画素２に跨がって設けられた、上記第３の方向が開口長方向となるスリット型の開口部７１Ｒを少なくとも有するスリットマスクを蒸着マスク７０Ｒとして用いて、赤色発光層３４Ｒの材料およびセパレート層３５の材料を、それぞれ、発光領域４Ｇ１と発光領域４とを結ぶ方向（すなわち、直接隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを結ぶ方向、言い換えれば、直接隣り合う副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向）に線形蒸着する。
なお、本実施形態でも、有機ＥＬ表示装置１の製造方法にかかる以下の説明では、上述したように、発光領域４、発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒを、順に、副画素３、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｇ２、副画素３Ｒと読み替えて、同様の説明を行うことが可能である。
上記開口部７１Ｒは、少なくとも同一画素２内で斜め方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを結ぶとともに、これら開口部７１Ｒのうち一部の開口部７１Ｒが、斜め方向に隣り合う画素２における発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを交互に結ぶように、斜め方向に並ぶ複数の画素２における発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに対応して形成されている。
なお、図１３の（ａ）〜（ｃ）および図１４では、図示の便宜上、画素２の数を省略して示している。このため、図１３の（ａ）に示す例では、上下左右方向（つまり、行方向および列方向）に隣り合う２×２の画素２（言い換えれば、４×４の副画素３）内において斜め方向に並ぶ発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを結ぶように、該２×２の画素２内に、斜め方向に並ぶ二画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒ（つまり、四副画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒ）に跨がる開口部７１Ｒを挟んで、同一画素２内において斜め方向に並ぶ二副画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに跨がる開口部７１Ｒが形成されている場合を例に挙げて図示している。
しかしながら、本実施形態のように赤色発光層３４Ｒを斜め方向に蒸着する場合でも、開口部７１Ｒは、例えば、斜め方向に連続した三つ以上の画素２における発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに跨がる開口部７１Ｒを含んでいてもよいし、それぞれ、ＴＦＴ基板１０の表示領域１ａにおける斜め方向の端から端まで連続して形成されていてもよい。
つまり、開口部７１Ｒは、表示領域１ａにおける斜め方向の端から端まで連続したストライプ状に形成されており、複数の画素２における発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに跨がる複数の開口部７１Ｒを挟むように、並列配置された両端の開口部７１Ｒのみが、同一画素２内において斜め方向に並ぶ二副画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに跨がって形成されていていてもよい。
また、開口部７１Ｒは、例えば、行方向および列方向に隣り合う２×２の画素２を１組として、各組内において斜め方向に隣り合う（つまり、直接隣り合う）発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとをそれぞれ結ぶように、スリット型の開口部７１Ｒからなる開口部７１Ｒ群が組毎に設けられていてもよい。言い換えれば、開口部７１Ｒは、斜め方向に伸びるストライプ状の開口部７１Ｒが、組毎に分断されてなる、斜め方向に沿った断続的なストライプ状に形成されていてもよい。
但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、蒸着マスク７０Ｒは、行方向並びに列方向にそれぞれ複数個ずつ隣り合う、４個以上の画素２を１組として、スリット型の開口部７１Ｒからなる開口部７１Ｒ群が組毎に設けられた構成を有していてもよい。例えば、行方向×列方向に、２×３あるいは４×４の画素２を１組として、スリット型の開口部７１Ｒからなる開口部７１Ｒ群が組毎に設けられたスリットマスクを蒸着マスク７０Ｒとして使用してもよい。このように行方向並びに列方向にそれぞれ複数個ずつ隣り合う、４個以上の画素２を１組として、スリット型の開口部７１Ｒからなる開口部７１Ｒ群が組毎に設けられていることで、画素２内で開口部７１Ｒが分断されず、同じ画素２内の発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとに、両発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに跨がる同じ赤色発光層３４Ｒを、共通して形成することができる。
何れの場合にも、赤色発光層形成工程（Ｓ４）およびセパレート層形成工程（Ｓ５）では、平面視で、蒸着マスク７０Ｒにおける開口部７１Ｒと同じパターンを有する赤色発光層３４Ｒおよびセパレート層３５が形成される。これにより、本実施形態では、正孔輸送層３２上に、図１４に示すように、平面視で、開口部７１Ｒと同じパターンを有する、上記斜め方向に沿ったライン状の複数の赤色発光層３４Ｒを形成し、該赤色発光層３４Ｒ上に、該赤色発光層３４Ｒと平面視で同じパターンを有するセパレート層３５を積層した。
なお、勿論、本実施形態でも、実施形態１同様、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とを、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いてパターン形成しても構わない。
緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）では、図１３の（ｂ）に示すように、上記正孔輸送層３２上に、上記セパレート層３５に交差（具体的には、斜め４５度の角度で交差）するように、列方向に沿った、複数画素に渡るライン状の緑色蛍光発光層３４Ｇを形成する（Ｓ６）。
すなわち、本実施形態では、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）において、図１３の（ｂ）に示すように、蒸着マスク７０Ｇとして、破線で示す発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に緑色蛍光発光層３４Ｇが形成されるように、開口部７１Ｇとして、列方向（第２の方向）に隣り合う（つまり、直接隣り合う）発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とをそれぞれ結ぶように複数の画素２に跨がって設けられた、上記第２の方向が開口長方向となるスリット型の開口部７１Ｇを有するスリットマスクを用いて、緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を、列方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着する。
上記開口部７１Ｇは、同一画素２内並びに列方向に隣り合う画素２における発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを交互に結ぶように、例えば、同一画素２内に配置された発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを１組として列方向に並ぶ複数組の発光領域４に対応して形成されている。
なお、上述したように、図１３の（ａ）〜（ｃ）および図１４では、図示の便宜上、画素２の数を省略して示している。このため、本実施形態でも、図１３の（ｂ）に示す例では、列方向に並ぶ二画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２（つまり、四副画素分の発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２）に跨がる開口部７１Ｇが複数形成されている場合を例に挙げて図示している。
しかしながら、開口部７１Ｇは、それぞれ、列方向に連続した三つ以上の画素２における発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に対応して形成されていてもよく、例えば、ＴＦＴ基板１０の表示領域１ａにおける行方向の端から端まで連続して形成されていてもよい。
このように、開口部７１Ｇは、列方向に並ぶ複数の画素２における副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に対応して、列方向に沿った断続的なストライプ状に形成されていてもよく、表示領域１ａにおける列方向の端から端まで連続したストライプ状に形成されていてもよい。
何れの場合にも、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）では、平面視で、蒸着マスク７０Ｇにおける開口部７１Ｇと同じパターンを有する緑色蛍光発光層３４Ｇが形成される。
本実施形態では、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２からなる偶数列目の副画素列に緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を線形蒸着することで、正孔輸送層３２上に、図１４に示すように、平面視で、開口部７１Ｇと同じパターンを有し、副画素３Ｇ１においてセパレート層３５に重なり、副画素３Ｇ２において正孔輸送層３２上に直接配置された、列方向に沿った、複数画素に渡るライン状の緑色蛍光発光層３４Ｇを形成した。
また、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）では、図１３の（ｃ）に示すように、セパレート層３５に直交し、緑色蛍光発光層３４Ｇに交差（具体的には、斜め４５度の角度で交差）するように、行方向に沿った、複数画素に渡るライン状の青色蛍光発光層３４Ｂを形成する。
すなわち、本実施形態では、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）において、図１３の（ｃ）に示すように、破線で示す発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されるように、実施形態１同様、行方向（第１の方向）に隣り合う発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とをそれぞれ結ぶように複数の画素２に跨がって設けられた、上記第１の方向が開口長方向となるスリット型の開口部７１Ｂを有するスリットマスクを蒸着マスク７０Ｂとして用いて、青色蛍光発光層３４Ｂの材料を、行方向に隣り合う発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とを結ぶ方向に線形蒸着する。
本実施形態でも、開口部７１Ｂは、同一画素２内並びに行方向に隣り合う画素２における発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とを交互に結ぶように、例えば、同一画素２内に配置された発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とを１組として行方向に並ぶ複数組の発光領域４に対応して形成されている。
図示の便宜上、図１３の（ｃ）に示す例では、実施形態１同様、行方向に並ぶ発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１（つまり、四副画素分の発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１）に跨がる開口部７１Ｂが複数形成されている場合を例に挙げて図示している。
しかしながら、本実施形態でも、開口部７１Ｂは、行方向に並ぶ複数の画素２における発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１に対応して、行方向に沿った断続的なストライプ状に形成されていてもよく、表示領域１ａにおける行方向の端から端まで連続したストライプ状に形成されていてもよい。
何れの場合にも、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）では、平面視で、蒸着マスク７０Ｂにおける開口部７１Ｂと同じパターンを有する青色蛍光発光層３４Ｂが形成される。
本実施形態では、実施形態１同様、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１からなる奇数行目の副画素列に青色蛍光発光層３４Ｂの材料を線形蒸着することで、図１４に示すように、副画素３Ｇ１において緑色蛍光発光層３４Ｇに重なり、副画素３Ｂにおいて正孔輸送層３２上に直接配置された、行方向に沿った、複数画素に渡るライン状の青色蛍光発光層３４Ｂを形成した。
本実施形態によれば、上述したようにＳストライプ型の画素配列とすることで、見かけの精細度を向上させることができる。
上述した積層構造を有さないＳストライプ配列を有する有機ＥＬ表示装置では、緑色の副画素からなる副画素列に対してしか線形蒸着を行うことはできない。言い換えれば、上述した積層構造を有さないＳストライプ配列を有する有機ＥＬ表示装置では、１つの色の発光層の形成にしかスリットマスクを使用することはできない。
しかしながら、本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、実施形態１同様、発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを結ぶ方向だけでなく、発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを結ぶ方向、および、発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とを結ぶ方向にも線形蒸着が可能であり、これらの方向への混色を抑制することができる。つまり、本実施形態によれば、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向だけでなく、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向、および、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とを結ぶ方向にも線形蒸着が可能であり、これらの方向への混色を抑制することができる。
このため、本実施形態によれば、上述した積層構造を有さないＳストライプ配列を有する有機ＥＬ表示装置ではなし得なかった、複数の色の発光層３４の線形蒸着、さらには、全ての発光層３４を含む、発光層ユニット３３を構成する全ての層の線形蒸着が可能となる。
また、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、上述したように画素配列が異なるだけで、有機ＥＬ表示装置１の表示方法（表示原理）そのものは、実施形態１と同じである。
したがって、本実施形態でも実施形態１と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態でも、実施形態１と同様の変形が可能である。
例えば、本実施形態でも、蒸着マスク７０として、例えば、各画素２における副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に対応して二副画素分の開口部７１が設けられた蒸着マスク７０を使用してもよく、青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒ、緑色蛍光発光層３４Ｇのうち一部の発光層３４の形成に、蒸着マスク７０として、一副画素ずつ別個の開口部７１が設けられた開口パターンを有する通常の蒸着マスクを用いてもよい。また、上記各蒸着マスク７０として、ＴＦＴ基板１０よりも小さな蒸着マスクを使用し、各蒸着マスク７０を、ＴＦＴ基板１０に対し順次移動させて、その都度ＴＦＴ基板１０に密着（接触）させるステップ蒸着を行うことで、各発光層３４を成膜してもよい。
また、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３は、上述したように、図１、図２、図４に示す積層構造と同様の積層構造を有している。このため、赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｂに侵入し、青色蛍光発光層３４Ｂの下に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。また、赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの下に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｇ２で赤色混色が発生することはない。したがって、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに正孔輸送性材料とすることで、赤色発光層３４Ｒの蒸着時に、赤色発光材料が微量だけ他の副画素３（すなわち、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ２のうち少なくとも一方の副画素３）に侵入しても、混色が起こり難い構成とすることができる。
また、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒを蒸着する場合、図１３の（ａ）に示すように、平面視で、蒸着マスク７０Ｒの開口部７１Ｒの各辺（各開口端）と、該開口部７１Ｒ内に位置する副画素３の発光領域４の各辺（言い換えれば、上記開口部７１Ｒ内に位置する副画素３におけるバンク１５の各開口部１５ａの各開口端）とが非平行の関係となる。このため、赤色発光層３４Ｒが蒸着される副画素３Ｒ・３Ｇ１では、それぞれの発光領域４Ｒ・４Ｇ１を、これら発光領域４Ｒ・４Ｇ１に隣り合う他の副画素３Ｂ・３Ｇ２における発光領域４Ｂ・４Ｇ２よりも小さく形成し、それに合わせて蒸着マスク７０Ｒの開口部７１Ｒの大きさを小さくしなければ、これら副画素３Ｂ・３Ｇ２への赤色発光層３４Ｒの材料の侵入が起こり易くなってしまう。
つまり、図１３の（ａ）に示すように、赤色発光層３４Ｒが形成される発光領域４Ｒ・４Ｇ１を、発光領域４Ｂ・４Ｇ２と同じ大きさとした場合、蒸着マスク７０Ｒに、二副画素分の発光領域４Ｒ・４Ｇ１全体が含まれる大きさの開口部７１Ｒを形成すると、図１３の（ａ）に示すよりも混色防止の蒸着マージンを増加させて非発光領域を大きく形成しなければ、蒸着マスク７０Ｒの開口部７１Ｒが、他の発光領域４Ｂ・４Ｇ２の角部に、部分的に重なってしまう。
しかしながら、本実施形態によれば、上述したように、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに正孔輸送性材料とすることで、赤色発光材料が他の副画素３に侵入しても混色が起こり難いことから、図１２および図１３の（ａ）〜（ｃ）に示すように発光領域４Ｒ・４Ｇ１を、発光領域４Ｂ・４Ｇ２よりも小さく形成する必要がなくなる。言い換えれば、上述したように青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに正孔輸送性材料とすることで、そうでない場合よりも、各副画素３の開口率を大きくすることができる。
〔実施形態３〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図９、図１３、および図１５の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施形態では、実施形態１、２との相違点について説明するものとし、実施形態１、２で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１、２と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
実施形態１、２で説明したように、蒸着マスク７０にスリットマスクを使用する場合、被機能層形成基板である被成膜基板よりも小さな蒸着マスク７０を用いて走査しながら蒸着（スキャン蒸着）を行うスキャン蒸着法（スモールマスクスキャン蒸着法）により発光層ユニット３３における各機能層を蒸着してもよい。
図１５の（ａ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造に用いられる蒸着装置の要部の概略構成を示す斜視図であり、図１５の（ｂ）は、図１５の（ａ）に示す蒸着装置における蒸着マスク７０に対して被成膜基板となるＴＦＴ基板１０Ａを４５度回転させた状態を示す平面図である。
図１５の（ａ）に示すように、スキャン蒸着方式を用いた蒸着装置は、図示しない成膜チャンバ（真空チャンバ）を備えるとともに、該成膜チャンバ内に、蒸着粒子９１の供給源である蒸着源６０と、蒸着マスク７０と、を少なくとも有するマスクユニット５０を備えている。マスクユニット５０は、蒸着源６０と蒸着マスク７０との間に、蒸着源６０から射出された蒸着粒子９１の通過角度（流れ）を制限する制限板ユニット８０をさらに備えていることが望ましい。
蒸着源６０、制限板ユニット８０、蒸着マスク７０、被成膜基板となるＴＦＴ基板１０Ａは、図示しない成膜チャンバ内に、蒸着源６０側からこの順に、互いに一定の空隙を有して（つまり、一定距離離間して）対向配置される。
蒸着源６０、制限板ユニット８０、および蒸着マスク７０は、マスクユニット５０として、それぞれの相対的な位置が固定されている。
本実施形態では、蒸着マスク７０として、被成膜基板となるＴＦＴ基板１０Ａよりも面積が小さい（より厳密には、ＴＦＴ基板１０の走査方向におけるＴＦＴ基板１０Ａの長さよりも上記走査方向の長さが短い）矩形状の蒸着マスク７０を使用する。
なお、被成膜基板となるＴＦＴ基板１０Ａは、１つの有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０であってもよく、複数の有機ＥＬ表示装置１を切り出し可能なマザー基板（つまり、複数の有機ＥＬ表示装置１における複数のＴＦＴ基板１０に対応する複数の回路が設けられた大型のＴＦＴ基板）であってもよい。量産プロセスでは、有機ＥＬ表示装置１をマザー基板上に複数形成した後、個々の有機ＥＬ表示装置１に分断する。
蒸着マスク７０には、ＴＦＴ基板１０Ａの走査方向に直交する方向に沿って、複数の開口部７１が設けられている。
蒸着源６０は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器である。蒸着源６０は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有し、外部から蒸着材料が供給されるように形成されていてもよい。
蒸着源６０における制限板ユニット８０との対向面には、蒸着粒子９１を射出させる複数の射出口６１が、上記走査方向に直交する方向（すなわち、開口部７１の配列方向）に沿って一定ピッチで配されている。
但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、ＴＦＴ基板１０Ａの大きさによって、射出口６１が１つのみ設けられた蒸着源６０を１つだけ使用してもよく、また、射出口６１が１つのみ設けられた蒸着源６０を上記走査方向に直交する方向に複数配設してもよい。
蒸着源６０は、好適には上記制限板ユニット８０を介して蒸着マスク７０に対向配置されている。蒸着源６０は、蒸着材料を加熱して蒸発（蒸着材料が液体材料である場合）または昇華（蒸着材料が固体材料である場合）させることで気体状の蒸着粒子９１を発生させる。蒸着源６０は、このように気体にした蒸着材料を、蒸着粒子９１として、射出口６１から制限板ユニット８０および蒸着マスク７０に向かって射出する。
制限板ユニット８０は、上記走査方向に直交する方向に互いに離間し、かつ、互いに平行に設けられた、複数の制限板８１を備えている。上記第２の方向に隣り合う制限板８１間には、それぞれ、開口領域として、制限板開口８２が形成されている。
蒸着源６０から射出された蒸着粒子９１は、制限板開口８２を通った後、蒸着マスク７０に形成されたマスク開口である開口部７１を通過して、被成膜基板であるＴＦＴ基板１０Ａに蒸着される。
本実施形態では、図１５の（ａ）に示すように、マスクユニット５０を、ＴＦＴ基板１０Ａに、一定の空隙を介して対向配置させ、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａのうち少なくとも一方を、上記走査方向に平行な方向に相対移動させて、蒸着粒子９１を、蒸着マスク７０の開口部７１を介して上記ＴＦＴ基板１０Ａにおける、蒸着マスク７０との対向面（つまり、被成膜面）に蒸着させることにより、発光層ユニット３３における各機能層を形成する。
なお、勿論、有機ＥＬ層２２における発光層ユニット３３以外の有機層（機能層）の蒸着に、上記マスクユニット５０を備えた蒸着装置を使用することも可能である。有機ＥＬ層２２における発光層ユニット３３以外の有機層（機能層）の蒸着に上記蒸着装置を使用する場合、蒸着マスク７０には、表示領域１ａに対向する領域全体が開口されたオープンマスクを使用することができる。
このように、スキャン蒸着方式では、被成膜基板と蒸着マスク７０とを密着せず、被成膜基板を走査しながら蒸着するため、従来は、Ｓストライプ型あるいはペンタイル型の画素配列となるようにスキャン蒸着方式により全ての発光層を形成することはできず、発光色が緑色の発光層以外の発光層の形成にスキャン蒸着方式を用いることはできなかった。
しかしながら、本実施形態によれば、蒸着マスク７０として、青色蛍光発光層３４Ｂ、赤色発光層３４Ｒおよびセパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇにそれぞれ対応した開口部７１を有する蒸着マスク７０を用いてスキャン蒸着を行うことで、スキャン蒸着による利点を活かしながら、ペンタイル型あるいはＳストライプ型の画素配列を有する、高精細な、発光層ユニット３３を構成する各機能層を形成することができる。
スキャン蒸着法では、上述したように被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスク７０を必要とせず、被成膜基板に大型の被成膜基板を使用することができる。このため、被成膜基板として大型のＴＦＴ基板１０Ａを使用することができる。また、本実施形態によれば、塗分方式を用いる場合のように蒸着源と被成膜基板との間の距離を大きくとる必要がなく、蒸着源６０と被成膜基板となるＴＦＴ基板１０Ａとの間の距離を小さくすることができるため、材料利用効率が高く、装置サイズの小型化も可能である。
＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
本実施形態によれば、図９の（ｂ）に示す緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）、あるいは、図１３の（ａ）に示す赤色発光層形成工程（Ｓ４）およびセパレート層形成工程（Ｓ５）において、被成膜基板（ＴＦＴ基板１０Ａ）を、蒸着マスク７０に対して４５度回転し、斜め方向に蒸着すれば、図９の（ａ）〜（ｃ）および図１３の（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光層ユニット３３における全ての層の形成に、蒸着マスク７０としてスリットマスクを用いることができる。
なお、ここで、被成膜基板を、蒸着マスク７０に対して４５度回転し、斜め方向に蒸着するとは、被成膜基板を、蒸着マスク７０の開口部７１および制限板開口８２の長辺方向（つまり、開口長方向であるスリット方向）が、それぞれ、被成膜基板（より厳密には被成膜基板の表示領域）の一辺もしくは軸（被成膜基板もしくは被成膜基板の表示領域が円形もしくは楕円形である場合）に対し４５度の角度をなす斜め方向に平行な方向となるように被成膜基板を配置し、上記斜め方向に平行な方向に、上記マスクユニット５０および被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させながら蒸着することを示す。
したがって、本実施形態で、被成膜基板を、蒸着マスク７０に対して４５度回転し、斜め方向に蒸着するとは、被成膜基板を、蒸着マスク７０の開口部７１および制限板開口８２の長辺方向がそれぞれ被成膜基板の対角線（より厳密には被成膜基板における表示領域１ａの対角線）に平行な方向となるように被成膜基板を配置し、該被成膜基板の対角線に平行な方向に、上記マスクユニット５０および被成膜基板のうち少なくとも一方を相対移動させながら蒸着することを示す。
以下に、より詳細に説明する。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、図１０に示す赤色発光層形成工程（Ｓ４）〜青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）において、スキャン蒸着法を用いて、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂを形成することを除けば、実施形態１、２にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同じである。
そこで、以下では、上記赤色発光層形成工程（Ｓ４）〜青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）において、スキャン蒸着法を用いて、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂを形成する方法について説明する。
まず、図３に示すように、有機ＥＬ表示装置１がペンタイル型の画素配列を有する場合について説明する。
有機ＥＬ表示装置１がペンタイル型の画素配列を有する場合、図９の（ａ）に示す赤色発光層形成工程（Ｓ４）では、まず、図１５の（ａ）に示す蒸着マスク７０として、平面視での面積がＴＦＴ基板１０Ａよりも小さい蒸着マスク７０Ｒを使用し、該蒸着マスク７０Ｒの開口長方向がＴＦＴ基板１０Ａの列方向（第２の方向）となるようにＴＦＴ基板１０Ａを配置する。続いて、蒸着マスク７０Ｒの開口長方向（すなわち上記第２の方向）が走査方向となるように、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａのうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させながら、赤色発光層３４Ｒの材料を、上記第２の方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを結ぶ方向（つまり、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向）に線形蒸着する。
これにより、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒを、ＴＦＴ基板１０Ａの表示領域（例えば図１１に示すＴＦＴ基板１０の表示領域１ａ）における列方向の端から端まで連続したストライプ状に形成した。より具体的には、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒを、ＴＦＴ基板１０Ａの列方向の端から端まで連続したストライプ状に形成した。
次いで、セパレート層形成工程（Ｓ５）では、上記赤色発光層３４Ｒ上に、上記蒸着マスク７０Ｒ、もしくは、上記蒸着マスク７０Ｒと同じ開口パターンを有する専用の蒸着マスクを用いて、上記赤色発光層形成工程（Ｓ４）と同様にして、上記セパレート層３５の材料を、上記第２の方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを結ぶ方向（つまり、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向）に線形蒸着する。これにより、上記赤色発光層３４Ｒ上に、平面視で、上記赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有するセパレート層３５を積層する。
その後、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）では、図１５の（ａ）・（ｂ）に示す蒸着マスク７０として、平面視での面積がＴＦＴ基板１０Ａよりも小さい蒸着マスク７０Ｇを使用し、図１５の（ｂ）に示すように、該蒸着マスク７０Ｇの開口長方向がＴＦＴ基板１０Ａにおける前記斜め方向（第３の方向）となるように、上記蒸着マスク７０（すなわち蒸着マスク７０Ｇ）に対して、ＴＦＴ基板１０Ａを４５度回転させて配置する。続いて、蒸着マスク７０Ｇの開口長方向（すなわち上記第３の方向）が走査方向となるように、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａのうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させながら、緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を、上記第３の方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを結ぶ方向（つまり、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向）に線形蒸着する。
これにより、本実施形態では、緑色蛍光発光層３４Ｇを、ＴＦＴ基板１０Ａの表示領域（例えば図１１に示すＴＦＴ基板１０の表示領域１ａ）における上記斜め方向（図１５の（ｂ）に示す例では対角線方向）の端から端まで連続したストライプ状に形成した。より具体的には、本実施形態では、緑色蛍光発光層３４Ｇを、ＴＦＴ基板１０Ａの上記斜め方向（図１５の（ｂ）に示す例では対角線方向）の端から端まで連続したストライプ状に形成した。
なお、本実施形態では、図３および図９の（ａ）〜（ｃ）に示すように、蒸着マスク７０Ｇにおける開口部７１Ｇの開口幅を、蒸着マスク７０Ｒ・７０ＢＧにおける開口部７１Ｒ・７１Ｂの開口幅よりも小さく形成している。このため、上記説明では、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）において、蒸着マスク７０として、専用の蒸着マスク７０Ｇを用いる場合を例に挙げて説明したが、開口部７１Ｇと開口部７１Ｒとが、同じ開口幅および開口ピッチを有している場合、上記蒸着マスク７０としては、例えば、赤色発光層形成工程（Ｓ４）で用いた蒸着マスク７０と同じ開口パターンを有する蒸着マスク７０を使用してもよく、蒸着マスク７０に付着した蒸着膜の昇華または蒸着マスク７０から剥がれ落ちた蒸着膜の昇華による混色の問題がなければ、赤色発光層形成工程（Ｓ４）で用いた蒸着マスク７０と同じ蒸着マスク７０を使用してもよい。スキャン蒸着法を採用する場合、発光層３４と開口部７１とが平面視で同じ形状を有している必要はないことから、開口部７１Ｇと開口部７１Ｒとが同じ開口幅および開口ピッチを有している場合、蒸着マスク７０Ｇには、蒸着マスク７０Ｒと同じ開口パターンを有する蒸着マスク７０を使用することができる。
何れにしても、本実施形態によれば、セパレート層形成工程（Ｓ５）後、ＴＦＴ基板１０Ａを、同一平面内において４５度回転させることで、蒸着マスク７０としてスリットマスクを用いて、緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を、上記斜め方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着することができる。
その後、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）では、図１５の（ａ）に示す蒸着マスク７０として、平面視での面積がＴＦＴ基板１０Ａよりも小さい蒸着マスク７０Ｂを使用し、該蒸着マスク７０Ｂの開口長方向がＴＦＴ基板１０Ａにおける行方向（第１の方向）となるように、ＴＦＴ基板１０Ａを、図１５の（ｂ）に示す状態から、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）におけるＴＦＴ基板１０Ａの回転方向と同じ方向（例えば時計回り）にさらに４５度回転させる。これにより、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）では、ＴＦＴ基板１０Ａを、赤色発光層形成工程（Ｓ４）およびセパレート層形成工程（Ｓ５）におけるＴＦＴ基板１０Ａの配置に対し、同一平面内において９０度回転させた状態となるように配置する。続いて、蒸着マスク７０Ｂの開口長方向（すなわち上記第１の方向）が走査方向となるように、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａのうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させながら、青色蛍光発光層３４Ｂの材料を、上記第１の方向に隣り合う発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とを結ぶ方向（つまり、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とを結ぶ方向）に線形蒸着する。
これにより、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂを、ＴＦＴ基板１０Ａの表示領域（例えば図１１に示すＴＦＴ基板１０の表示領域１ａ）における行方向の端から端まで連続したストライプ状に形成した。より具体的には、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂを、ＴＦＴ基板１０Ａの行方向の端から端まで連続したストライプ状に形成した。
なお、上記説明では、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）において、蒸着マスク７０として、専用の蒸着マスク７０Ｂを用いる場合を例に挙げて説明したが、スキャン蒸着法を採用する場合、蒸着マスク７０Ｂには、蒸着マスク７０Ｇ同様、蒸着マスク７０Ｒと同じ開口パターンを有する蒸着マスク７０を使用することができる。したがって、上記蒸着マスク７０としては、上述した混色の問題がなければ、例えば、赤色発光層形成工程（Ｓ４）や緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）で用いた蒸着マスク７０と同じ蒸着マスク７０を使用してもよい。
このように、有機ＥＬ表示装置１がペンタイル型の画素配列を有する場合、セパレート層形成工程（Ｓ５）後、図１５の（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０Ａを同一平面内において４５度回転させて、蒸着マスク７０の開口長方向がＴＦＴ基板１０Ａの対角線方向と平行になるようにＴＦＴ基板１０Ａを配置することで、蒸着マスク７０としてスリットマスクを用いて、緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を、上記斜め方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着することができる。
なお、上記説明では、マスクユニット５０に対し、ＴＦＴ基板１０Ａを回転させる場合を例に挙げて説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、ＸＹステージ等を用いて、マスクユニット５０を、同一平面内で、ＴＦＴ基板１０Ａに対して回転させても構わない。なお、ここで、マスクユニット５０を、同一平面内で、ＴＦＴ基板１０Ａに対して回転させるとは、マスクユニット５０を、該マスクユニットを構成する、蒸着源６０、制限板ユニット８０、および蒸着マスク７０等の構成要素の個々の相対的位置関係を保持したまま水平方向に回転させることを示す。なお、この場合、マスクユニット５０を構成する各構成要素が、１つのホルダで一体的に保持されている場合、これら構成要素を、上記ホルダごと水平方向に回転させることで、これら構成要素を、一体的に水平方向に回転（つまり、マスクユニット５０そのものを水平方向に回転）させてもよく、これら構成要素が、互いの相対的な位置関係を保持した状態で、別個の保持部材によって個々に保持されている場合、それぞれの構成要素を、最終的に互いの相対的な位置関係が保持されるように、個々に水平方向に回転させてもよい。
以上のように、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａの少なくとも一方を、１つ前の発光層形成工程における状態から、同一平面内で、他方に対して相対的に回転させることで、何れの方向に対しても、蒸着マスク７０としてスリットマスクを用いて線形蒸着を行うことができる。このため、赤色発光層形成工程（Ｓ４）〜青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）の全ての工程において、スリットマスクを用いて線形蒸着を行うことができる。なお、ここで、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａの少なくとも一方を、同一平面内で、他方に対して相対的に回転させるとは、マスクユニット５０を回転させる場合、マスクユニット５０を、該マスクユニットが配置されている平面と同一平面内で回転させることを示し、ＴＦＴ基板１０Ａを回転させる場合、ＴＦＴ基板１０Ａを、該ＴＦＴ基板１０Ａが配置されている平面と同一平面内で回転させることを示す。
次に、図１２に示すように、有機ＥＬ表示装置１がＳストライプ型の画素配列を有する場合について説明する。
有機ＥＬ表示装置１がＳストライプ型の画素配列を有する場合、図１３の（ａ）に示す赤色発光層形成工程（Ｓ４）では、まず、図１５の（ａ）・（ｂ）に示す蒸着マスク７０として、平面視での面積がＴＦＴ基板１０Ａよりも小さい蒸着マスク７０Ｒを使用し、図１５の（ｂ）に示すように、該蒸着マスク７０Ｒの開口長方向がＴＦＴ基板１０Ａにおける前記斜め方向（第３の方向）となるように、上記蒸着マスク７０（すなわち蒸着マスク７０Ｒ）の外縁（各辺）に対して、ＴＦＴ基板１０Ａの外縁（各辺）を４５度傾斜（回転）させて配置する。続いて、蒸着マスク７０Ｒの開口長方向（すなわち上記第３の方向）が走査方向となるように、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａのうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させながら、赤色発光層３４Ｒの材料を、上記第３の方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを結ぶ方向に線形蒸着する。
これにより、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒを、ＴＦＴ基板１０Ａの表示領域（例えば図１４に示すＴＦＴ基板１０の表示領域１ａ）における上記斜め方向（図１５の（ｂ）に示す例では対角線方向）の端から端まで連続したストライプ状に形成した。より具体的には、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒを、ＴＦＴ基板１０Ａの上記斜め方向（図１５の（ｂ）に示す例では対角線方向）の端から端まで連続したストライプ状に形成した。
次いで、セパレート層形成工程（Ｓ５）では、上記赤色発光層３４Ｒ上に、上記蒸着マスク７０Ｒ、もしくは、上記蒸着マスク７０Ｒと同じ開口パターンを有する専用の蒸着マスクを用いて、上記赤色発光層形成工程（Ｓ４）と同様にして、上記セパレート層３５の材料を、上記第３の方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを結ぶ方向に線形蒸着する。これにより、上記赤色発光層３４Ｒ上に、平面視で、上記赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有するセパレート層３５を積層する。
その後、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）では、図１５の（ａ）に示す蒸着マスク７０として、平面視での面積がＴＦＴ基板１０Ａよりも小さい蒸着マスク７０Ｇを使用し、図１５の（ａ）に示すように、該蒸着マスク７０Ｇの開口長方向がＴＦＴ基板１０Ａの列方向（第２の方向）となるように、上記蒸着マスク７０（すなわち蒸着マスク７０Ｇ）に対して、ＴＦＴ基板１０Ａを、例えば反時計回りに４５度もしくは時計回りに１３５度回転させて配置する。続いて、蒸着マスク７０Ｇの開口長方向（すなわち上記第２の方向）が走査方向となるように、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａのうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させながら、緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を、上記第２の方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着する。
これにより、本実施形態では、緑色蛍光発光層３４Ｇを、ＴＦＴ基板１０Ａの表示領域（例えば図１４に示すＴＦＴ基板１０の表示領域１ａ）における列方向の端から端まで連続したストライプ状に形成した。より具体的には、本実施形態では、緑色蛍光発光層３４Ｇを、ＴＦＴ基板１０Ａの列方向の端から端まで連続したストライプ状に形成した。
その後、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）では、図１５の（ａ）に示す蒸着マスク７０として、平面視での面積がＴＦＴ基板１０Ａよりも小さい蒸着マスク７０Ｂを使用し、該蒸着マスク７０Ｂの開口長方向がＴＦＴ基板１０Ａにおける行方向（第１の方向）となるように、ＴＦＴ基板１０Ａを、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）におけるＴＦＴ基板１０Ａの状態（配置）から、時計回りもしくは反時計回りに９０度回転させる。続いて、蒸着マスク７０Ｂの開口長方向（すなわち上記第１の方向）が走査方向となるように、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａのうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させながら、青色蛍光発光層３４Ｂの材料を、上記第１の方向に隣り合う発光領域４Ｂと発光領域４Ｇ１とを結ぶ方向に線形蒸着する。
これにより、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂを、ＴＦＴ基板１０Ａの表示領域（例えば図１４に示すＴＦＴ基板１０の表示領域１ａ）における行方向の端から端まで連続したストライプ状に形成した。より具体的には、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂを、ＴＦＴ基板１０Ａの行方向の端から端まで連続したストライプ状に形成した。
このように、有機ＥＬ表示装置１がＳストライプ型の画素配列を有する場合、赤色発光層形成工程（Ｓ４）およびセパレート層形成工程（Ｓ５）において、図１５の（ｂ）に示すように、蒸着マスク７０の開口長方向がＴＦＴ基板１０Ａの対角線方向と平行になるように蒸着マスク７０の外縁（各辺）に対して、ＴＦＴ基板１０Ａの外縁（各辺）を４５度傾斜（回転）させて配置することで、蒸着マスク７０としてスリットマスクを用いて、赤色発光層３４Ｒの材料を、上記斜め方向に隣り合う発光領域４Ｇ１と発光領域４Ｒとを結ぶ方向に線形蒸着することができる。
なお、上記説明でも、マスクユニット５０に対し、ＴＦＴ基板１０Ａを回転させる場合を例に挙げて説明したが、前述したように、例えば、ＸＹステージ等を用いて、ＴＦＴ基板１０Ａに対してマスクユニット５０を回転させても構わない。
以上のように、有機ＥＬ表示装置１がＳストライプ型の画素配列を有する場合でも、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａの少なくとも一方を、１つ前の発光層形成工程における状態から、同一平面内で、他方に対して相対的に回転させることで、何れの方向に対しても、蒸着マスク７０としてスリットマスクを用いて線形蒸着を行うことができる。このため、赤色発光層形成工程（Ｓ４）〜青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）の全ての工程において、スリットマスクを用いて線形蒸着を行うことができる。
また、上記説明では、各色の発光層３４の形成工程で、蒸着マスク７０として、それぞれ専用の蒸着マスク７０を用いる場合を例に挙げて説明したが、前述したように、蒸着マスク７０に付着した蒸着膜の昇華または蒸着マスク７０から剥がれ落ちた蒸着膜の昇華による混色の問題がなければ、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）および青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）では、赤色発光層形成工程（Ｓ４）で用いた蒸着マスク７０と同じ蒸着マスク７０を使用してもよく、該蒸着マスク７０と同じ開口パターンを有するそれぞれ別個の蒸着マスク７０を使用してもよい。
また、本実施形態では、図１５の（ａ）に示すように、マスクユニット５０が、制限板ユニット８０を備えるとともに、蒸着源６０として、射出口６１がライン状に配されたライン蒸着源を使用している場合を例に挙げ、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａの少なくとも一方を、１つ前の発光層形成工程における状態から、同一平面内で、他方に対して相対的に回転させる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、制限板ユニット８０は、必須ではなく、蒸着源６０の種類も特に限定されない。このため、マスクユニット５０をＴＦＴ基板１０Ａに対して相対的に回転させる場合、マスクユニット５０の構成によっては、マスクユニット５０全体を回転させる必要はなく、少なくとも蒸着マスク７０を、同一平面内で、ＴＦＴ基板１０Ａに対して相対的に回転させればよい。
また、本実施形態では、上述したように、上記赤色発光層形成工程（Ｓ４）〜青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）において、スキャン蒸着法を用いて、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂを形成する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、上記Ｓ４〜Ｓ７で示す何れか少なくとも一つの工程で、上記スキャン蒸着を行う代わりに、上記各蒸着マスク７０を、ＴＦＴ基板１０に対し順次移動させて、その都度ＴＦＴ基板１０に密着（接触）させるステップ蒸着を行ってもよい。この場合にも、上述したように、マスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０Ａの少なくとも一方を、１つ前の発光層形成工程における状態から、同一平面内で、他方に対して相対的に回転させることで、ＴＦＴ基板１０Ａよりも小さな蒸着マスク７０を用いて、線形蒸着を行うことが可能である。
〔実施形態４〕
本発明の実施のさらに他の形態について、主に図１６〜図１８を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１〜３との相違点について説明するものとし、実施形態１〜３で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１〜３と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、以下の点を除けば、実施形態１〜３にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じである。
実施形態１では、図１０に示したように、Ｓ１〜Ｓ１１に示す工程が、この順に行われる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、Ｓ４〜Ｓ７に示す工程は、必ずしもこの順に行われる必要はない。以下に上記工程順を入れ替えた例について説明する。
また、以下では、各例に対し、ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みについて実施例を挙げて具体的に説明する。但し、各実施例に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、実施例１同様、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
＜例１＞
図１６は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。
図１６に示す例では、発光層ユニット３３を、第１電極２１と第２電極２３との間に、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇの順に積層している。このため、上記発光層ユニット３３では、緑色蛍光発光層３４Ｇが、青色蛍光発光層３４Ｂよりも、陰極側である第２電極２３側に位置している。
本例では、図１６に示すように、セパレート層３５を挟んで青色蛍光発光層３４Ｂと赤色発光層３４Ｒとが積層方向に隣り合う。このため、本例では、セパレート層３５の層厚に等しい、青色蛍光発光層３４Ｂと赤色発光層３４Ｒとにおける互いの対向面間の距離（以下、「対向面間距離ＤＢＲ」と記す）、つまり、青色蛍光発光層３４Ｂにおける最も赤色発光層３４Ｒ側に位置する面（本実施形態では青色蛍光発光層３４Ｂの下面）と赤色発光層３４Ｒにおける最も青色蛍光発光層３４Ｂ側に位置する面（本実施形態では赤色発光層３４Ｒの上面）との間の距離が、フェルスター半径を越える距離に設定される。対向面間距離ＤＢＲは、前記対向面間距離Ｄ ＧＲ （つまり、図２に示す副画素３Ｇ１における対向面間距離Ｄ ＢＲ ）同様、１５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることが好ましく、１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料は、正孔輸送性材料であることが好ましい。なお、赤色発光層３４Ｒには、バイポーラ輸送性材料または正孔輸送性材料が使用され、セパレート層３５等の中間層には、全体としてバイポーラ輸送性を有するような材料が使用される。
また、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚は、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、１０ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。
また、本例でも、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とは重なっていることが好ましく、セパレート層３５の材料の吸収スペクトルと、セパレート層３５を介して赤色発光層３４Ｒとは反対側に設けられた青色蛍光発光層３４Ｂおよび上記緑色蛍光発光層３４Ｇのうち、少なくとも、セパレート層３５に隣接する発光層（但し、本例では青色蛍光発光層３４Ｂ）中の蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、より好適には、上記緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルおよび上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとには、重なりが存在しないことがより好ましい。
また、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料のうち少なくとも一方、望ましくは、その両方は、ＴＡＤＦ材料であることが好ましい。この理由は、以下の通りである。
通常、有機ＥＬ素子では、発光層に電子および正孔を注入して再結合させることにより励起子を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出を利用するが、この励起子が励起一重項状態として生成される確率は２５％であり、励起三重項状態として生成される確率は７５％である。
しかしながら、励起一重項状態（Ｓ１準位）から基底状態（Ｓ０準位）への遷移は、スピン多重度が同じ状態間の許容遷移であるのに対し、励起三重項状態（Ｔ１準位）から基底状態（Ｓ０準位）への遷移は、スピン多重度が異なる状態間での禁制遷移である。このため、Ｔ１準位で生成された三重項励起子は、発光せずに、熱エネルギー等に変化して熱として失活し、発光に寄与しない。このため、通常の蛍光発光材料は、Ｔ１準位で励起子が生成されると、発光効率が低下してしまうという課題がある。
また、ある材料（近接した２つの色素分子のうち一方の色素分子）の励起三重項状態から別の材料（近接した２つの色素分子のうち他方の色素分子）の励起三重項状態へのフェルスター遷移は禁制であり、デクスター遷移しか起こらない。そのため、Ｔ１準位で励起子が生成した場合、直接接触する分子にしかエネルギーが移動しない。
したがって、例えば図１で示したように副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成した場合、Ｔ１準位の青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へはエネルギーが移動せず、Ｓ１準位の青色蛍光発光材料からＳ１準位の緑色蛍光発光材料にしかエネルギーが移動しないので、副画素３Ｇ１において、混色や発光効率の低下が起こる可能性がないとは言えない。
このため、青色蛍光発光層３４Ｂに用いられる青色蛍光発光材料は、ＴＡＤＦ材料であることが好ましい。
実施形態１で説明したように、ＴＡＤＦ材料は、ΔＥＳＴが極めて小さく、Ｔ１準位からＳ１準位への逆項間交差が生じる。このため、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用すれば、逆項間交差により、Ｔ１準位の励起子がＳ１準位にアップコンバージョンされる。
このため、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用すれば、たとえ副画素３Ｇ１において青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成されたとしても、Ｔ１準位からＳ１準位への逆項間交差によるＳ１準位間のフェルスター遷移により、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのエネルギー移動が起こる。したがって、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、副画素３Ｇ１での青色混色を抑制することができ、副画素３Ｇ１での色度を改善することができる。
また、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、副画素３Ｂにおいて、Ｔ１準位の励起子がＳ１準位にアップコンバージョンされ、副画素３Ｂでの発光効率が改善されるので、有機ＥＬ表示装置１の発光効率が改善される。なお、同様の理由から、緑色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用してもよい。この場合、副画素３Ｇ１・３Ｇ２において、Ｔ１準位の励起子がＳ１準位にアップコンバージョンされ、副画素３Ｇ１・３Ｇ２での発光効率が改善されることで、有機ＥＬ表示装置１の発光効率が改善される。勿論、副画素３Ｒでの発光効率の改善のために、前述したように赤色発光材料にＴＡＤＦ材料を使用してもよい。
青色発光するＴＡＤＦ材料としては、例えば、前述した２ＣｚＰＮ、ＤＭＡＣ−ＤＰＳ等が挙げられる。また、緑色発光するＴＡＤＦ材料としては、例えば、前述した４ＣｚＩＰＮ、４ＣｚＰＮ、ＰＸＺ−ＤＰＳ等が挙げられる。
実施形態１〜３同様、本例でも、副画素３Ｂでは青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成し、副画素３Ｇ２では緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成し、副画素３Ｒでは赤色発光層３４Ｒで励起子が生成する。また、本例のように副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの積層順を実施形態１〜３とは逆転させた場合でも、副画素３Ｇ１で、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成されるか、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成されるかは、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のキャリア移動度と、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料におけるキャリア移動度との関係によって変わる。
本例では、上述したように、緑色蛍光発光層３４Ｇが青色蛍光発光層３４Ｂよりも陰極側（第２電極２３側）に位置する。このため、図１６に示すように、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料がともに正孔輸送性材料である場合、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成される。
この場合、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料の両方にＴＡＤＦ材料を用いることが望ましい。緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成される場合、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が励起一重項状態として生成される確率は２５％であり、励起三重項状態として生成される確率は７５％である。このため、緑色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用しない場合、７５％の励起子は、非発光で熱失活してしまうことになる。緑色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、副画素３Ｇ１において、Ｔ１準位の励起子がＳ１準位にアップコンバージョンされ、副画素３Ｇ１での発光効率が改善されるので、有機ＥＬ表示装置１の発光効率が改善される。また、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、たとえ青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成された場合であっても、Ｔ１準位からＳ１準位への逆項間交差によるＳ１準位間のフェルスター遷移により、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのエネルギー移動が起こる。したがって、緑色蛍光発光材料および青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、副画素３Ｇ１での青色混色を抑制することができ、副画素３Ｇ１での色度を改善することができる。
本例にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法では、図１０に示す有機ＥＬ素子作製工程において、Ｓ４〜Ｓ７で示す工程を、赤色発光層形成工程（Ｓ４）、セパレート層形成工程（Ｓ５）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）の順に行う。これにより、上述した積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。以下に、実施例を示す。なお、以下の実施例では、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料に、それぞれＴＡＤＦ材料を使用した。
（実施例２）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／４ＣｚＩＰＮ（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
本例によれば、図１６に示すように、副画素３Ｇ１において、緑色蛍光発光層３４Ｇが、発光層ユニット３３内で、最も陰極側（すなわち第２電極２３側）に位置する。このため、上述したように緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料（実施例２ではホスト材料であるｍＣＰ）および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料（実施例２ではホスト材料であるｍＣＰ）のうち少なくとも一方の材料のキャリア移動度が正孔輸送性であれば、励起子が緑色蛍光発光層３４Ｇで生成される確率が高まり、発光効率が向上する。
また、仮に、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成した場合でも、上述したように青色蛍光発光層３４Ｂの層厚が、１０ｎｍ以下に設定されていることで、励起子生成位置から緑色蛍光発光層３４Ｇまでの距離が近くなるため、フェルスター遷移が起こる確率が向上し、色度向上、発光効率の改善が見込める。
また、本例によれば、線形蒸着により青色蛍光発光層３４Ｂを副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とに共通して形成する際に、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの下（つまり、第１電極２１側）に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されたとしても、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはない。
また、本例でも、実施形態１〜３同様、赤色発光層３４Ｒは、発光層ユニット３３内で、最も陽極側（すなわち第１電極２１側）に位置し、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）および緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）の前に赤色発光層形成工程（Ｓ４）が行われる。
このため、本例でも、線形蒸着により赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｂに侵入し、青色蛍光発光層３４Ｂの下に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。
同様に、赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの下に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｇ２で赤色混色が発生することはない。
したがって、本例によれば、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに正孔輸送性材料とすることで、赤色発光層３４Ｒの蒸着時に、赤色発光材料が微量だけ他の副画素３（すなわち、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ２のうち少なくとも一方の副画素３）に侵入しても、混色が起こり難い構成とすることができる。
なお、本例でも、Ｓ４〜Ｓ７で示す工程でスキャン蒸着法を用いる場合、各発光材料を蒸着するとき（言い換えれば、各発光層形成工程では）、被成膜基板とマスクユニット５０（少なくとも蒸着マスク７０）とを相対的に回転させてから蒸着が行われる。本例でも、このようにマスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０（ＴＦＴ基板１０Ａ）のうち少なくとも一方を、１つ前の発光層形成工程における状態から、同一平面内において、他方に対し相対的に回転させることで、蒸着マスク７０の開口長方向と走査方向とを一致させることができ、所望の方向に線形蒸着を行うことができる。
＜例２＞
図１７は、本実施形態にかかる他の有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。
図１７に示す例では、発光層ユニット３３を、第１電極２１と第２電極２３との間に、第１電極２１側から、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、セパレート層３５（第１の中間層）、赤色発光層３４Ｒ、の順に積層している。
すなわち、本例では、発光層ユニット３３の積層順が、実施形態１〜３とは逆順である。このため、本例では、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料に、電子輸送性材料が使用される。
また、本例では、赤色発光層３４Ｒには、バイポーラ輸送性材料または電子輸送性材料が使用される。一方、セパレート層３５には、全体としてバイポーラ輸送性を有するような材料が使用される。
また、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚は、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、１０ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。
また、本例でも、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とは重なっていることが好ましく、セパレート層３５の材料の吸収スペクトルと、セパレート層３５を介して赤色発光層３４Ｒとは反対側に設けられた青色蛍光発光層３４Ｂおよび上記緑色蛍光発光層３４Ｇのうち、少なくとも、セパレート層３５に隣接する発光層（本例では緑色蛍光発光層３４Ｇ）中の蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、より好適には、上記緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルおよび上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとには、重なりが存在しないことがより好ましい。
また、本例でも、本実施形態において上述した例１で説明した理由と同じ理由から、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料のうち少なくとも一方、望ましくは、その両方が、ＴＡＤＦ材料であることが好ましい。
実施形態１〜３同様、本例でも、副画素３Ｂでは青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成し、副画素３Ｇ２では緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成し、副画素３Ｒでは赤色発光層３４Ｒで励起子が生成する。また、副画素３Ｇ１で、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成されるか、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成されるかは、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のキャリア移動度と、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料におけるキャリア移動度との関係によって変わる。
本例では、上述したように、発光層ユニット３３の積層順が、実施形態１〜３とは逆順に積層されている。このため、図１７に示すように緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料がともに電子輸送性材料である場合、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成される。したがって、この場合、本実施形態において上述した例１で説明した理由と同様の理由から、少なくとも青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を用いることが望ましい。
本例にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法では、図１０に示す有機ＥＬ素子作製工程において、Ｓ４〜Ｓ７で示す工程を、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）、セパレート層形成工程（Ｓ５）、赤色発光層形成工程（Ｓ４）の順に行う。これにより、上述した積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。以下に、実施例を示す。
（実施例３）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ＤＰＥＰＯ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＢＣＰ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
本例では、上述したように発光層ユニット３３の積層順が、実施形態１〜３とは逆順に積層されていることから、上述したように緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料に電子輸送性材料を使用することで、混色が起こり難くなり、発光効率を改善することができる。
このため、ドーパント材料の発光効率を向上することができる、ドーパント材料と相性の良いホスト材料や、ホスト材料へのエネルギー移動による効率低下を抑制することができる、Ｓ１準位やＴ１準位の高いホスト材料が、電子輸送性材料である場合、発光層ユニット３３の積層順を上述した積層順とすることで、より高特性の有機ＥＬ表示装置１を提供することができる。
また、昨今の有機ＥＬ表示装置業界の開発状況を踏まえると、正孔輸送性のホスト材料よりも電子輸送性のホスト材料の方が、合成が容易であり、かつ、種類が豊富で、開発も非常に進んでいる。このため、ホスト材料として電子輸送性のホスト材料を選択する方が、正孔輸送性のホスト材料よりも特性の良い材料が入手し易い。
実際、正孔移動度が非常に高い正孔輸送性材料よりも、電子移動度が非常に高い電子輸送性材料の方がよく知られており、例えば、現在市場に見られる正孔輸送性のホスト材料よりも、電子輸送性のホスト材料の方が、低電圧化し易い傾向にある。このため、本例にかかる有機ＥＬ表示装置１によれば、実施形態１〜３および本実施形態において上述した例１にかかる有機ＥＬ表示装置１よりも低電圧化が期待できる。
また、本例によれば、線形蒸着により青色蛍光発光層３４Ｂを副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とに共通して形成する際に、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの下（つまり、第１電極２１側）に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されたとしても、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはない。
また、本例では、赤色発光層３４Ｒが、発光層ユニット３３内で、最も陰極側（すなわち第２電極２３側）に位置し、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）および緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）の後で赤色発光層形成工程（Ｓ４）が行われる。
このため、本例によれば、線形蒸着により赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｂに侵入し、青色蛍光発光層３４Ｂの上（すなわち第２電極２３側）に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が電子輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで正孔が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。
同様に、赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの上に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が電子輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで正孔が届かないため、副画素３Ｇ２で赤色混色が発生することはない。
したがって、本例によれば、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに電子輸送性材料とすることで、赤色発光層３４Ｒの蒸着時に、赤色発光材料が微量だけ他の副画素３（すなわち、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ２のうち少なくとも一方の副画素３）に侵入しても、混色が起こり難い構成とすることができる。
また、本例でも、Ｓ４〜Ｓ７で示す工程でスキャン蒸着法を用いる場合、各発光材料を蒸着するとき（言い換えれば、各発光層形成工程では）、被成膜基板とマスクユニット５０（少なくとも蒸着マスク７０）とを相対的に回転させてから蒸着が行われる。本例でも、このようにマスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０（ＴＦＴ基板１０Ａ）のうち少なくとも一方を、１つ前の発光層形成工程における状態から、同一平面内において、他方に対し相対的に回転させることで、蒸着マスク７０の開口長方向と走査方向とを一致させることができ、所望の方向に線形蒸着を行うことができる。
＜例３＞
図１８は、本実施形態にかかるさらに他の有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。
図１８に示す例では、発光層ユニット３３を、第１電極２１と第２電極２３との間に、第１電極２１側から、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、セパレート層３５（第１の中間層）、赤色発光層３４Ｒ、の順に積層している。
すなわち、本例では、本実施形態にかかる上述した例２にかかる有機ＥＬ表示装置１とは、副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの積層順が入れ替わっており、緑色蛍光発光層３４Ｇが青色蛍光発光層３４Ｂよりも陰極側である第２電極２３側に位置している。
本例では、図１８に示すように、セパレート層３５を挟んで青色蛍光発光層３４Ｂと赤色発光層３４Ｒとが積層方向に隣り合う。このため、本例では、実施形態にかかる上述した例１同様、セパレート層３５の層厚に等しい、青色蛍光発光層３４Ｂと赤色発光層３４Ｒとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＢＲ）、つまり、青色蛍光発光層３４Ｂにおける最も赤色発光層３４Ｒ側に位置する面（本実施形態では青色蛍光発光層３４Ｂの上面）と赤色発光層３４Ｒにおける最も青色蛍光発光層３４Ｂ側に位置する面（本実施形態では赤色発光層３４Ｒの下面）との間の距離が、フェルスター半径を越える距離に設定される。なお、本例でも、対向面間距離ＤＢＲは、前記対向面間距離Ｄ ＧＲ同様、１５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることが好ましく、１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、本実施形態にかかる上述した例２同様、本例でも、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料は、電子輸送性材料であることが好ましい。また、本例でも、赤色発光層３４Ｒには、バイポーラ輸送性材料または正孔輸送性材料が使用され、セパレート層３５等の中間層には、全体としてバイポーラ輸送性を有するような材料が使用される。
また、本例でも、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚は、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、１０ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。
また、本例でも、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とは重なっていることが好ましく、セパレート層３５の材料の吸収スペクトルと、セパレート層３５を介して赤色発光層３４Ｒとは反対側に設けられた青色蛍光発光層３４Ｂおよび上記緑色蛍光発光層３４Ｇのうち、少なくとも、セパレート層３５に隣接する発光層（但し、本例では青色蛍光発光層３４Ｂ）中の蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、より好適には、上記緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルおよび上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとには、重なりが存在しないことがより好ましい。
また、本例にかかる有機ＥＬ表示装置１は、上述したように、本実施形態にかかる上述した例２において、副画素３Ｇ１の青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの積層順が入れ替わった構成を有している。一方で、本例にかかる有機ＥＬ表示装置１は、本実施形態にかかる上述した例１にかかる有機ＥＬ表示装置１において、発光層ユニット３３の積層順が、上記例１にかかる有機ＥＬ表示装置１とは逆順に積層されているとともに、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料に、電子輸送性材料を使用し、赤色発光層３４Ｒに、バイポーラ輸送性材料または正孔輸送性材料を使用した以外は、上記例１にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じ構成を有していると言える。
本例では、緑色蛍光発光層３４Ｇが、上記例１・２とは逆に、青色蛍光発光層３４Ｂよりも陽極側（第１電極２１側）に位置する。このため、図１８に示すように、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料がともに電子輸送性材料である場合、上記例１に示す有機ＥＬ表示装置１と同じく、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成される。
このため、図１８に示す有機ＥＬ表示装置１では、上記例１で説明した理由と同様の理由から、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料の両方にＴＡＤＦ材料を用いることが望ましい。
勿論、本例でも、副画素３Ｇ１で、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成されるか、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成されるかは、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のキャリア移動度と、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料におけるキャリア移動度との関係によって変わる。このため、本例は、上記構成に限定されず、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料のうち少なくとも一方が、ＴＡＤＦ材料であってもよい。
本例にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法では、図１０に示す有機ＥＬ素子作製工程において、Ｓ４〜Ｓ７で示す工程を、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、セパレート層形成工程（Ｓ５）、赤色発光層形成工程（Ｓ４）の順に行う。これにより、上述した積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。以下に、実施例を示す。
（実施例４）
反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
正孔注入層３１：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）
正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＢＣＰ（ホスト材料、９０％）／４ＣｚＩＰＮ（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
青色蛍光発光層３４Ｂ：ＤＰＥＰＯ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
本例では、図１８に示すように、副画素３Ｇ１において、緑色蛍光発光層３４Ｇが、発光層ユニット３３内で、最も陽極側（すなわち第１電極２１側）に位置する。このため、上述したように緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料（実施例４ではホスト材料であるＤＰＥＰＯ）および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料（実施例４ではホスト材料であるＢＣＰ）のうち少なくとも一方の材料のキャリア移動度が電子輸送性であれば、励起子が緑色蛍光発光層３４Ｇで生成される確率が高まり、発光効率が向上する。
また、仮に、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成した場合でも、上述したように青色蛍光発光層３４Ｂの層厚が、１０ｎｍ以下に設定されていることで、励起子生成位置から緑色蛍光発光層３４Ｇまでの距離が近くなるため、フェルスター遷移が起こる確率が向上し、色度向上、発光効率の改善が見込める。
また、本例によれば、線形蒸着により青色蛍光発光層３４Ｂを副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とに共通して形成する際に、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの上（つまり、第２電極２３側）に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されたとしても、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはない。
また、本例でも、上記例２同様、赤色発光層３４Ｒが、発光層ユニット３３内で、最も陰極側（すなわち第２電極２３側）に位置する。そして、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）および青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）の後で赤色発光層形成工程（Ｓ４）が行われる。
このため、本例によれば、線形蒸着により赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｂに侵入し、青色蛍光発光層３４Ｂの上（すなわち第２電極２３側）に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が電子輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで正孔が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。
同様に、赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの上に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が電子輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで正孔が届かないため、副画素３Ｇ２で赤色混色が発生することはない。
したがって、本例でも、上記例２同様、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに電子輸送性材料とすることで、赤色発光層３４Ｒの蒸着時に、赤色発光材料が微量だけ他の副画素３（すなわち、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ２のうち少なくとも一方の副画素３）に侵入しても、混色が起こり難い構成とすることができる。
また、本例でも、上記例２同様、ドーパント材料と相性の良いホスト材料や、ホスト材料へのエネルギー移動による効率低下を抑制することができる、Ｓ１準位やＴ１準位の高いホスト材料が、電子輸送性材料である場合、発光層ユニット３３の積層順を上述した積層順とすることで、より高特性の有機ＥＬ表示装置１を提供することができる。
さらに、上記例２で説明したように、ホスト材料として電子輸送性のホスト材料を選択する方が、正孔輸送性のホスト材料よりも特性の良い材料が入手し易く、また、現在市場に見られる正孔輸送性のホスト材料よりも、電子輸送性のホスト材料の方が、低電圧化し易い傾向にある。このため、本例にかかる有機ＥＬ表示装置１によれば、上記例２にかかる有機ＥＬ表示装置１同様、実施形態１〜３および上記例１にかかる有機ＥＬ表示装置１よりも低電圧化が期待できる。
また、本例でも、Ｓ４〜Ｓ７で示す工程でスキャン蒸着法を用いる場合、各発光材料を蒸着するとき（言い換えれば、各発光層形成工程では）、被成膜基板とマスクユニット５０（少なくとも蒸着マスク７０）とを相対的に回転させてから蒸着が行われる。本例でも、このようにマスクユニット５０およびＴＦＴ基板１０（ＴＦＴ基板１０Ａ）のうち少なくとも一方を、１つ前の発光層形成工程における状態から、同一平面内において、他方に対し相対的に回転させることで、蒸着マスク７０の開口長方向と走査方向とを一致させることができ、所望の方向に線形蒸着を行うことができる。
＜その他の変形例＞
実施形態１〜３および本実施形態では、有機ＥＬ表示装置１が、発光層ユニット３３から発せられた光を、封止基板４０側から取り出すトップエミッション型の表示装置である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、有機ＥＬ表示装置１の光取り出し方向は、第１電極２１側および第２電極２３側の何れであるかを問わない。したがって、有機ＥＬ表示装置１は、発光層ユニット３３から発せられた光を、第１電極２１側、すなわちＴＦＴ基板１０側から取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置であってもよい。この場合、第１電極２１が透光性電極であり、保護層２４を設ける代わりに、第２電極２３に、有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の表示装置である場合の第２電極２３（半透明電極）よりも層厚が厚い反射電極を用いてもよい。
なお、このように有機ＥＬ表示装置１がボトムエミッション型である場合、絶縁基板１１には、透明基板あるいは透光性基板と称される、ガラス基板、プラスチック基板等の透光性を有する絶縁基板が用いられる。
また、有機ＥＬ表示装置１がボトムエミッション型である場合、発光層ユニット３３から発せられた光は、透光性電極側から直接、もしくは反射電極で反射させて、透光性電極側から取り出される。なお、これら透光性電極および反射電極の材料としては、例えば、前述した透光性電極材料、反射電極材料等を使用することができる。
また、副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂ中の青色蛍光発光材料から、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動する際に、青色蛍光発光材料の分子と緑色蛍光発光材料の分子とが直接接触してしまうと、Ｔ１準位間のデクスター遷移が起こり、発光せずに熱として失活してしまう可能性がある。
そこで、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間には、発光材料を含まず、青色蛍光発光層３４Ｂ中の青色蛍光発光材料から、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の緑色蛍光発光材料へのデクスター遷移を阻害する、フェルスター半径以下の層厚を有する薄いブロック層（図示せず）が設けられていてもよい。
ブロック層の層厚はフェルスター半径以下であることから、副画素３Ｇ１における、上記青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのフェルスター遷移は阻害されないが、デクスター遷移は阻害される。このため、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間に、任意の材料からなる薄いブロック層を設けることで、副画素３Ｇ１での緑色蛍光発光材料の発光効率を改善することができる。
ブロック層の層厚は、対向面間距離ＤＢＧに等しいことから、フェルスター半径以下に設定する必要がある。ブロック層の層厚は、確実にフェルスター遷移させるために、できるだけ薄く形成されていることが好ましく、１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。
ブロック層は、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に共通層として設けられていてもよく、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通層として設けられていてもよい。
ブロック層を、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に共通層として設ける場合、ブロック層の形成には、蒸着マスク７０Ｂ、もしくは、蒸着マスク７０Ｂと同じパターンを有する専用の蒸着マスクを使用して、青色蛍光発光層３４Ｂと同様に形成することができる。
また、ブロック層を、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通層として設ける場合、ブロック層の形成には、蒸着マスク７０Ｇ、もしくは、蒸着マスク７０Ｇと同じパターンを有する専用の蒸着マスクを使用して、緑色蛍光発光層３４Ｇと同様に形成することができる。
また、セパレート層３５は、キャリア輸送性が異なる複数の層で形成されていてもよい。
また、セパレート層３５の形成にスリットマスクを使用することはできなくなるが、セパレート層３５は、副画素３Ｇ１に選択的に形成されていても構わない。すなわち、副画素３Ｇ１における、赤色発光層３４Ｒと、該赤色発光層３４Ｒに隣接して積層される、緑色蛍光発光層３４Ｇまたは青色蛍光発光層３４Ｂと、の間にのみセパレート層３５が設けられていても構わない。
〔まとめ〕
本発明の態様１にかかる表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置１）の製造方法は、第１の副画素（例えば副画素３Ｂ）、第２の副画素（例えば副画素３Ｇ１）、第３の副画素（例えば副画素３Ｇ２）、および第４の副画素（例えば副画素３Ｒ）からなる画素（画素２）が複数配設された表示領域（表示領域１ａ）を有する基板（ＴＦＴ基板１０・１０Ａ）を備え、上記第１の副画素と上記第２の副画素とが第１の方向（例えば行方向）に交互に配置されているとともに、上記第３の副画素と第４の副画素とが、上記第１の方向に交互に配置されており、上記第１の副画素および上記第２の副画素からなる列と、上記第３の副画素および上記第４の副画素からなる列とが、上記第１の方向に直交する第２の方向（例えば列方向）に交互に配置されており、上記第１の副画素では、第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位（Ｓ１準位）は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高い表示装置の製造方法であって、各機能層に対応した所定の開口パターンを有する複数のマスク開口（例えば開口部７１・７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ）がそれぞれ形成された蒸着マスク（例えば蒸着マスク７０・７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂ）を介して上記基板上に各機能層に対応した蒸着粒子をそれぞれ蒸着することで、上記基板上に、上記蒸着粒子からなる複数の機能層（例えば正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、電子輸送層３６、電子注入層３７、ブロック層等）を形成する機能層形成工程を含み、上記機能層形成工程は、上記第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層（例えば青色蛍光発光層３４Ｂ）を、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して形成する第１の発光層形成工程と、上記第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層（例えば緑色蛍光発光層３４Ｇ）を、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して形成する第２の発光層形成工程と、上記第３の発光材料を含む第３の発光層（例えば赤色発光層３４Ｒ）を、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して形成する第３の発光層形成工程と、上記第２の副画素で、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層（セパレート層３５）を介して積層されるように、上記第２の副画素に上記セパレート層を形成するセパレート層形成工程と、を含み、上記機能層形成工程では、上記第２の副画素で、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下となるように上記第１の発光層および上記第２の発光層を形成するとともに、上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記第３の発光層形成工程のうち少なくとも２つの発光層形成工程で、上記蒸着マスクとして、上記マスク開口が、複数の画素に跨がって設けられたスリット型のマスク開口を含むスリットマスクを用いて、上記蒸着粒子を上記基板に線形蒸着する。
本発明の態様２にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１において、上記表示装置は、上記第２の方向に、上記第２の副画素と上記第４の副画素とが隣り合うとともに上記第３の副画素と上記第１の副画素とが隣り合い、上記第１の方向および上記第２の方向にそれぞれ交差する第３の方向に、上記第１の副画素と上記第４の副画素とが隣り合うとともに上記第２の副画素と上記第３の副画素とが隣り合うペンタイル型の画素配列を有し、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の蛍光発光材料を、上記第１の方向に隣り合う上記第１の副画素と上記第２の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着し、上記第２の発光層形成工程では、上記第２の蛍光発光材料を、上記第３の方向に隣り合う上記第２の副画素と上記第３の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着し、上記第３の発光層形成工程では、上記第３の発光材料を、上記第２の方向に隣り合う上記第２の副画素と上記第４の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着してもよい。
本発明の態様３にかかる表示装置の製造方法は、上記態様２において、上記少なくとも２つの発光層形成工程では、上記スリットマスクとして、上記基板よりも面積が小さいスリットマスクを備えるとともに、上記蒸着粒子（９１）を射出する蒸着源（６０）を備え、上記蒸着マスクと上記蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニット（５０）を使用し、上記スリットマスクと上記基板とを、一定の空隙を介して対向配置し、上記基板を走査しながら、上記マスクユニットおよび上記基板のうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させることで、上記スリットマスクを介して、上記蒸着粒子を上記基板に線形蒸着するとともに、
上記第１〜第３の発光層形成工程のうち、最初に行われる発光層形成工程以外の発光層形成工程では、上記基板および上記スリットマスクのうち少なくとも一方を、１つ前の発光層形成工程における状態から、同一平面内で、他方に対し相対的に回転させた後、上記線形蒸着を行ってもよい。
本発明の態様４にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３において、上記少なくとも２つの発光層形成工程は、上記第２の発光層形成工程を含み、上記第３の方向は、上記基板の一辺または軸に対し４５度の角度をなす斜め方向（例えば対角線方向）であり、上記第２の発光層形成工程では、上記スリットマスクのマスク開口の開口長方向が上記斜め方向に平行な方向となるように上記基板を配置し、上記斜め方向に平行な方向に、上記マスクユニットおよび上記基板のうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させてもよい。
本発明の態様５にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１において、上記表示装置は、上記第２の方向に、上記第１の副画素と上記第４の副画素とが隣り合うとともに上記第２の副画素と上記第３の副画素とが隣り合うＳストライプ型の画素配列を有し、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の蛍光発光材料を、上記第１の方向に隣り合う上記第１の副画素と上記第２の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着し、上記第２の発光層形成工程では、上記第２の蛍光発光材料を、上記第２の方向に隣り合う上記第２の副画素と上記第３の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着し、上記第３の発光層形成工程では、上記第３の発光材料を、上記第１の方向および上記第２の方向にそれぞれ交差する第３の方向（斜め方向）に隣り合う上記第２の副画素と上記第４の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着してもよい。
本発明の態様６にかかる表示装置の製造方法は、上記態様５において、上記少なくとも２つの発光層形成工程では、上記スリットマスクとして、上記基板よりも面積が小さいスリットマスクを備えるとともに、上記蒸着粒子（９１）を射出する蒸着源（６０）を備え、上記蒸着マスクと上記蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニット（５０）を使用し、上記スリットマスクと上記基板とを、一定の空隙を介して対向配置し、上記基板を走査しながら、上記マスクユニットおよび上記基板のうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させることで、上記スリットマスクを介して、上記蒸着粒子を上記基板に線形蒸着するとともに、上記第１〜第３の発光層形成工程のうち、最初に行われる発光層形成工程以外の発光層形成工程では、上記基板および上記スリットマスクのうち少なくとも一方を、１つ前の発光層形成工程における状態から、同一平面内で、他方に対し相対的に回転させた後、上記線形蒸着を行ってもよい。
本発明の態様７にかかる表示装置の製造方法は、上記態様６において、上記少なくとも２つの発光層形成工程は、上記第３の発光層形成工程を含み、上記第３の方向は、上記基板の一辺または軸に対し４５度の角度をなす斜め方向（例えば対角線方向）であり、上記第３の発光層形成工程では、上記スリットマスクのマスク開口の開口長方向が上記斜め方向に平行な方向となるように上記基板を配置し、上記斜め方向に平行な方向に、上記マスクユニットおよび上記基板のうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させてもよい。
本発明の態様８にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１〜７の何れかにおいて、上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層を、上記第３の発光層の形成に使用する蒸着マスクと同じ開口パターンを有する蒸着マスク（例えば、蒸着マスク７０Ｒ、もしくは、蒸着マスク７０Ｒと同じ開口パターンを有する、セパレート層の形成専用の蒸着マスク）を用いて、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して形成してもよい。
本発明の態様９にかかる表示装置の製造方法は、上記態様７において、上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記第３の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程の全ての工程において、上記蒸着マスクとして、上記スリットマスクをそれぞれ使用してもよい。
本発明の態様１０にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１〜９の何れかにおいて、陽極（例えば第１電極２１）を形成する陽極形成工程と、陰極（例えば第２電極２３）を形成する陰極形成工程と、をさらに備え、上記陽極および上記陰極のうち一方は反射電極（例えば反射電極２１ａ）を含み、他方は透光性電極であってもよい。
本発明の態様１１にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１０において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われ、上記機能層形成工程において、上記第３の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記第１の発光層形成工程は、この順に行われるとともに、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に正孔輸送性材料を使用する方法であってもよい。
本発明の態様１２にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１０において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われ、上記機能層形成工程において、上記第３の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程は、この順に行われるとともに、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に正孔輸送性材料を使用する方法であってもよい。
本発明の態様１３にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１０において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われ、上記機能層形成工程において、上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第３の発光層形成工程は、この順に行われるとともに、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に電子輸送性材料を使用する方法であってもよい。
本発明の態様１４にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１０において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われ、上記機能層形成工程において、上記第２の発光層形成工程、上記第１の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第３の発光層形成工程は、この順に行われるとともに、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に電子輸送性材料を使用する方法であってもよい。
本発明の態様１５にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１〜１４の何れかにおいて、上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層がフェルスター半径を越える層厚を有するように上記セパレート層を形成してもよい。
本発明の態様１６にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１〜１５の何れかにおいて、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の発光層の層厚が１０ｎｍ以下となるように上記第１の発光層を形成してもよい。
本発明の態様１７にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１〜１６の何れかにおいて、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料を使用してもよい。
本発明の態様１８にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１〜１７の何れかにおいて、上記第２の発光層形成工程では、上記第２の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料を使用してもよい。
本発明の態様１９にかかる表示装置の製造方法は、上記態様１〜１８の何れかにおいて、上記第１の副画素は青色の副画素であり、上記第２の副画素は第１の緑色の副画素であり、上記第３の副画素は第２の緑色の副画素であり、上記第４の副画素は赤色の副画素であり、上記第１の蛍光発光材料に、青色の光を発光する蛍光発光材料を使用し、上記第２の蛍光発光材料に、緑色の光を発光する蛍光発光材料を使用し、上記第３の発光材料に、赤色の光を発光する発光材料を使用してもよい。
本発明の態様２０にかかる表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置１）は、第１の副画素（例えば副画素３Ｂ）、第２の副画素（例えば副画素３Ｇ１）、第３の副画素（例えば副画素３Ｇ２）、および第４の副画素（例えば副画素３Ｒ）を含む画素（画素２）が複数配設された表示領域（表示領域１ａ）を有する基板（ＴＦＴ基板１０・１０Ａ）を備え、上記第１の副画素と上記第２の副画素とが第１の方向（例えば行方向）に交互に配置されているとともに、上記第３の副画素と第４の副画素とが、上記第１の方向に交互に配置されており、上記第１の副画素および上記第２の副画素からなる列と、上記第３の副画素および上記第４の副画素からなる列とが、上記第１の方向に直交する第２の方向（例えば列方向）に交互に配置されており、第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層（例えば青色蛍光発光層３４Ｂ）が、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して設けられており、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層（例えば緑色蛍光発光層３４Ｇ）が、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して設けられており、第３の発光材料を含む第３の発光層（例えば赤色発光層３４Ｒ）が、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して設けられており、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層のうち少なくとも２つの発光層は、複数の画素に跨がって設けられた発光層を含み、上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位（Ｓ１準位）は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高く、上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離（例えば対向面間距離ＤＢＧ）がフェルスター半径以下であり、かつ、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層（セパレート層３５）を介して積層されており、上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する。
本発明の態様２１にかかる表示装置は、上記態様２０において、陽極（例えば第１電極２１）および陰極（例えば第２電極２３）を有し、上記陽極および上記陰極のうち一方は反射電極（例えば反射電極２１ａ）を含み、他方は透光性電極であり、上記画素には、上記陽極と上記陰極との間に、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層、および上記セパレート層を含む複数の機能層（例えば正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、ブロック層、電子輸送層３６、電子注入層３７）が設けられており、上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第１の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、上記第２の副画素では、上記第２の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第２の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第３の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第３の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射されてもよい。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
１ 有機ＥＬ表示装置（表示装置）
１ａ 表示領域
２ 画素
３、３Ｂ、３Ｇ１、３Ｇ２、３Ｒ 副画素
４、４Ｂ、４Ｇ１、４Ｇ２、４Ｒ 発光領域
１０ ＴＦＴ基板（基板）
１１ 絶縁基板
１２ ＴＦＴ
１３ 層間絶縁膜
１３ａ コンタクトホール
１４ 配線
１５ バンク
１５ａ 開口部
２０、２０Ｂ、２０Ｇ１、２０Ｇ２、２０Ｒ 有機ＥＬ素子
２１ 第１電極（陽極）
２１ａ 反射電極
２１ｂ 透光性電極
２２ 有機ＥＬ層
２３ 第２電極（陰極）
２４ 保護層
３１ 正孔注入層（機能層）
３２ 正孔輸送層（機能層）
３３ 発光層ユニット
３４ 発光層（機能層）
３４Ｂ 青色蛍光発光層（機能層）
３４Ｇ 緑色蛍光発光層（機能層）
３４Ｒ 赤色発光層（機能層）
３５ セパレート層（機能層）
３６ 電子輸送層（機能層）
３７ 電子注入層（機能層）
４０ 封止基板
５０ マスクユニット
６０ 蒸着源
６１ 射出口
８０ 制限板ユニット
８１ 制限板
８２ 制限板開口
９１ 蒸着粒子
７０Ｂ、７０Ｒ、７０Ｇ、７０ 蒸着マスク
７１Ｂ、７１Ｒ、７１Ｇ、７１ 開口部（マスク開口）
ＤＢＧ、ＤＧＲ 対向面間距離

Claims (16)

  1. 第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素からなる画素が複数配設された表示領域を有する基板を備え、上記第１の副画素と上記第２の副画素とが第１の方向に交互に配置されているとともに、上記第３の副画素と第４の副画素とが、上記第１の方向に交互に配置されており、上記第１の副画素および上記第２の副画素からなる列と、上記第３の副画素および上記第４の副画素からなる列とが、上記第１の方向に直交する第２の方向に交互に配置されており、上記第１の副画素では、第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高い表示装置の製造方法であって、
    各機能層に対応した所定の開口パターンを有する複数のマスク開口がそれぞれ形成された蒸着マスクを介して上記基板上に各機能層に対応した蒸着粒子をそれぞれ蒸着することで、上記基板上に、上記蒸着粒子からなる複数の機能層を形成する機能層形成工程を含み、
    上記機能層形成工程は、
    上記第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層を、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して形成する第１の発光層形成工程と、
    上記第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層を、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して形成する第２の発光層形成工程と、
    上記第３の発光材料を含む第３の発光層を、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して形成する第３の発光層形成工程と、
    上記第２の副画素で、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層を介して積層されるように、上記第２の副画素に上記セパレート層を形成するセパレート層形成工程と、を含み、
    上記機能層形成工程では、
    上記第２の副画素で、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下となるように上記第１の発光層および上記第２の発光層を形成するとともに、
    上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記第３の発光層形成工程のうち少なくとも２つの発光層形成工程で、上記蒸着マスクとして、上記マスク開口が、複数の画素に跨がって設けられたスリット型のマスク開口を含むスリットマスクを用いて、上記蒸着粒子を上記基板に線形蒸着することを特徴とする表示装置の製造方法。
  2. 上記表示装置は、上記第２の方向に、上記第２の副画素と上記第４の副画素とが隣り合うとともに上記第３の副画素と上記第１の副画素とが隣り合い、上記第１の方向および上記第２の方向にそれぞれ交差する第３の方向に、上記第１の副画素と上記第４の副画素とが隣り合うとともに上記第２の副画素と上記第３の副画素とが隣り合うペンタイル型の画素配列を有し、
    上記第１の発光層形成工程では、上記第１の蛍光発光材料を、上記第１の方向に隣り合う上記第１の副画素と上記第２の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着し、
    上記第２の発光層形成工程では、上記第２の蛍光発光材料を、上記第３の方向に隣り合う上記第２の副画素と上記第３の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着し、
    上記第３の発光層形成工程では、上記第３の発光材料を、上記第２の方向に隣り合う上記第２の副画素と上記第４の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  3. 上記少なくとも２つの発光層形成工程では、上記スリットマスクとして、上記基板よりも面積が小さいスリットマスクを備えるとともに、上記蒸着粒子を射出する蒸着源を備え、上記蒸着マスクと上記蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットを使用し、上記スリットマスクと上記基板とを、一定の空隙を介して対向配置し、上記基板を走査しながら、上記マスクユニットおよび上記基板のうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させることで、上記スリットマスクを介して、上記蒸着粒子を上記基板に線形蒸着するとともに、
    上記第１〜第３の発光層形成工程のうち、最初に行われる発光層形成工程以外の発光層形成工程では、上記基板および上記スリットマスクのうち少なくとも一方を、１つ前の発光層形成工程における状態から、同一平面内で、他方に対し相対的に回転させた後、上記線形蒸着を行うことを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
  4. 上記少なくとも２つの発光層形成工程は、上記第２の発光層形成工程を含み、
    上記第３の方向は、上記基板の一辺または軸に対し４５度の角度をなす斜め方向であり、
    上記第２の発光層形成工程では、上記スリットマスクのマスク開口の開口長方向が上記斜め方向に平行な方向となるように上記基板を配置し、
    上記斜め方向に平行な方向に、上記マスクユニットおよび上記基板のうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させることを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
  5. 上記表示装置は、上記第２の方向に、上記第１の副画素と上記第４の副画素とが隣り合うとともに上記第２の副画素と上記第３の副画素とが隣り合うＳストライプ型の画素配列を有し、
    上記第１の発光層形成工程では、上記第１の蛍光発光材料を、上記第１の方向に隣り合う上記第１の副画素と上記第２の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着し、
    上記第２の発光層形成工程では、上記第２の蛍光発光材料を、上記第２の方向に隣り合う上記第２の副画素と上記第３の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着し、
    上記第３の発光層形成工程では、上記第３の発光材料を、上記第１の方向および上記第２の方向にそれぞれ交差する第３の方向に隣り合う上記第２の副画素と上記第４の副画素とを結ぶ方向に線形蒸着することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  6. 上記少なくとも２つの発光層形成工程では、上記スリットマスクとして、上記基板よりも面積が小さいスリットマスクを備えるとともに、上記蒸着粒子を射出する蒸着源を備え、上記蒸着マスクと上記蒸着源との相対的な位置を固定したマスクユニットを使用し、上記スリットマスクと上記基板とを、一定の空隙を介して対向配置し、上記基板を走査しながら、上記マスクユニットおよび上記基板のうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させることで、上記スリットマスクを介して、上記蒸着粒子を上記基板に線形蒸着するとともに、
    上記第１〜第３の発光層形成工程のうち、最初に行われる発光層形成工程以外の発光層形成工程では、上記基板および上記スリットマスクのうち少なくとも一方を、１つ前の発光層形成工程における状態から、同一平面内で、他方に対し相対的に回転させた後、上記線形蒸着を行うことを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
  7. 上記少なくとも２つの発光層形成工程は、上記第３の発光層形成工程を含み、
    上記第３の方向は、上記基板の一辺または軸に対し４５度の角度をなす斜め方向であり、
    上記第３の発光層形成工程では、上記スリットマスクのマスク開口の開口長方向が上記斜め方向に平行な方向となるように上記基板を配置し、
    上記斜め方向に平行な方向に、上記マスクユニットおよび上記基板のうち少なくとも一方を他方に対して相対移動させることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
  8. 上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層を、上記第３の発光層の形成に使用する蒸着マスクと同じ開口パターンを有する蒸着マスクを用いて、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して形成することを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  9. 上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記第３の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程の全ての工程において、上記蒸着マスクとして、上記スリットマスクをそれぞれ使用することを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
  10. 陽極を形成する陽極形成工程と、
    陰極を形成する陰極形成工程と、をさらに備え、
    上記陽極および上記陰極のうち一方は反射電極を含み、他方は透光性電極であることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  11. 上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われ、
    上記機能層形成工程において、上記第３の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記第１の発光層形成工程は、この順に行われるとともに、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に正孔輸送性材料を使用することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
  12. 上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われ、
    上記機能層形成工程において、上記第３の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程は、この順に行われるとともに、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に正孔輸送性材料を使用することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
  13. 上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われ、
    上記機能層形成工程において、上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第３の発光層形成工程は、この順に行われるとともに、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に電子輸送性材料を使用することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
  14. 上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われ、
    上記機能層形成工程において、上記第２の発光層形成工程、上記第１の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第３の発光層形成工程は、この順に行われるとともに、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に電子輸送性材料を使用することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
  15. 上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層がフェルスター半径を越える層厚を有するように上記セパレート層を形成することを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  16. 第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素からなる画素が複数配設された表示領域を有する基板を備え、上記第１の副画素と上記第２の副画素とが第１の方向に交互に配置されているとともに、上記第３の副画素と第４の副画素とが、上記第１の方向に交互に配置されており、上記第１の副画素および上記第２の副画素からなる列と、上記第３の副画素および上記第４の副画素からなる列とが、上記第１の方向に直交する第２の方向に交互に配置されており、
    第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層が、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して設けられており、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層が、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して設けられており、第３の発光材料を含む第３の発光層が、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して設けられており、
    上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層のうち少なくとも２つの発光層は、複数の画素に跨がって設けられた発光層を含み、
    上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高く、
    上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下であり、かつ、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層を介して積層されており、
    上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、
    上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光することを特徴とする表示装置。
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