JPWO2017163669A1 - 積層体、パターン状被めっき層付き基板の製造方法、金属層含有積層体の製造方法、タッチパネルセンサー、及びタッチパネル - Google Patents

Abstract

本発明は、パターン太りの発生が抑制された金属層含有積層体を得ることができる、積層体を提供する。また、本発明は、パターン状被めっき層付き基板、及び金属層含有積層体の製造方法、並びにタッチパネルセンサー及びタッチパネルを提供する。本発明の積層体は、基板と、被めっき層形成用層と、仮保護膜と、をこの順に含む積層体であって、被めっき層形成用層が、重合開始剤、及び、化合物Ｘ又は組成物Ｙを含み、仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ０と、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ１と、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ２と、が式（Ｚ）で表される関係を満たす。

Description

本発明は、積層体、パターン状被めっき層付き基板の製造方法、金属層含有積層体の製造方法、タッチパネルセンサー、及びタッチパネルに関する。

絶縁性を有する基板の表面にパターン状に形成された金属層による配線を含む金属層含有積層体が、タッチパネルセンサー及びタッチパネル等の電子部品、及び半導体素子等に用いられている。特許文献１には、「めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基、ラジカル重合性基、及びイオン性極性基を含むポリマーを含む被めっき層形成用組成物。」及び「基板上に、被めっき層形成用組成物を接触させた後、被めっき層形成用組成物に対してパターン状にエネルギーを付与して、エネルギー付与領域の被めっき層形成用組成物を硬化させる工程と、（２）基板上の被めっき層形成用組成物のうちエネルギーの未付与領域を水溶液で現像し、パターン状の被めっき層を形成する工程と、（３）パターン状の被めっき層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（４）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を含む金属パターン材料の作製方法。」が記載されている。

特許文献１に記載された被めっき層形成用組成物によれば、水溶液による現像が可能で、且つ、めっき触媒又はその前駆体に対する優れた吸着性を有する被めっき層を形成することができる。また、特許文献１に記載された金属パターン材料の作製方法によれば、基板との密着性に優れた金属パターンを、水溶液による現像を用いて簡易に形成することができる。

特開２０１０−２４８４６４号公報

特許文献１に記載された被めっき層形成用組成物を用いて作製した積層体に対し、所定のパターン形状を有するフォトマスクを密着させて光を照射し、その後現像すると、フォトマスクの開口パターンが転写された被めっき層を基板上に形成することができる（この基板を、以下「パターン状被めっき層付き基板」という。）。
本発明者は、フォトマスク及び被めっき層形成用層の間に仮保護膜を配置して露光し、その後現像すれば、パターン状被めっき層付き基板の歩留まりをより向上できることを知見した。言い換えれば、仮保護膜を含む積層体によれば、パターン状被めっき層付き基板の歩留まりをより向上できることを知見した。
しかし、仮保護膜を含む積層体を用いて作製されたパターン状被めっき層付き基板においては、フォトマスクの開口パターンに対して、得られる金属層含有積層体の金属配線パターンが太ってしまう（パターン太りが生じる）問題が新たに発生することも、また知見した。

そこで、本発明は、パターン太りの発生が抑制された金属層含有積層体を得ることができる、積層体を提供することを課題とする。また、本発明は、パターン状被めっき層付き基板、及び金属層含有積層体の製造方法、並びにタッチパネルセンサー及びタッチパネルを提供することも課題とする。

本発明者は、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、基板と、被めっき層形成用層と、仮保護膜と、をこの順に含む積層体であって、基板、被めっき層形成用層に含まれる重合開始剤、及び仮保護膜の光吸収特性を制御することにより、上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。

［１］ 基板と、被めっき層形成用層と、仮保護膜と、をこの順に含む積層体であって、
被めっき層形成用層が、重合開始剤、及び、以下の化合物Ｘ又は組成物Ｙを含み、
仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０と、
重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１と、
基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２と、が以下の式（Ｚ）で表される関係を満たす、積層体。
式（Ｚ） λ_０＜λ_１＜λ_２
化合物Ｘ：めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基、及び、重合性基を含む化合物
組成物Ｙ：めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基を含む化合物、及び、重合性基を含む化合物を含む組成物
［２］ 基板が、紫外線吸収剤を含む、［１］に記載の積層体。
［３］ 基板が樹脂Ｐ_１を含む樹脂基板であり、樹脂Ｐ_１が芳香族基を含み、
仮保護膜が樹脂Ｐ_２を含む膜であり、樹脂Ｐ_２が芳香族基を含まない、［１］又は［２］に記載の積層体。
［４］ 樹脂Ｐ_１がポリエチレンテレフタレート及びポリカーボネートからなる群から選択される少なくとも１種を含む、［３］に記載の積層体。
［５］ 樹脂Ｐ_１がポリエチレンテレフタレートである、［４］に記載の積層体。
［６］ ［１］〜［５］のいずれかに記載の積層体中の仮保護膜側から、被めっき層形成用層に対してパターン状に光を照射する工程と、被めっき層形成用層上の仮保護膜を除去する工程と、被めっき層形成用層中の光が照射されていない領域を除去して、基板上にパターン状被めっき層を形成する工程と、を含む、パターン状被めっき層付き基板の製造方法。
［７］ ［１］〜［５］のいずれかに記載の積層体中の仮保護膜側から、被めっき層形成用層に対してパターン状に光を照射する工程と、被めっき層形成用層上の仮保護膜を除去する工程と、被めっき層形成用層中の光が照射されていない領域を除去して、基板上にパターン状被めっき層を形成する工程と、パターン状被めっき層にめっき触媒又はその前駆体を付与して、めっき触媒又はその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程と、を含む、金属層含有積層体の製造方法。
［８］ ［７］に記載の製造方法より得られる金属層含有積層体を含む、タッチパネルセンサー。
［９］ ［７］に記載の製造方法より得られる金属層含有積層体を含む、タッチパネル。

本発明によれば、パターン太りの発生が抑制された金属層含有積層体を得ることができる（以下「本発明の効果を有する」ともいう。）、積層体を提供することができる。また、本発明によれば、パターン状被めっき層付き基板、及び金属層含有積層体の製造方法、並びにタッチパネルセンサー及びタッチパネルを提供することができる。

本発明の第一の実施形態に係る積層体の断面図である。 積層体の仮保護膜側にフォトマスクを配置し、パターン状に光を照射したときの断面図である。 仮保護膜、重合開始剤、及び基板の紫外可視吸収スペクトルの関係を表す図である。 本発明の第二の実施形態に係るパターン状被めっき層付き基板の製造方法を示す断面図である。 本発明の第二の実施形態に係るパターン状被めっき層付き基板の製造方法を示す断面図である。 本発明の第二の実施形態に係るパターン状被めっき層付き基板の製造方法を示す断面図である。 本発明の第二の実施形態に係るパターン状被めっき層付き基板の製造方法を示す断面図である。 本発明の第三の実施形態に係る金属層含有積層体の製造方法を示す断面図である。 本発明の第三の実施形態に係る金属層含有積層体の変形例を示す断面図である。

以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

［積層体］
本発明の第一の実施形態に係る積層体は、基板と、被めっき層形成用層と、仮保護膜と、をこの順に含む積層体であって、被めっき層形成用層が、重合開始剤、及び、以下の化合物Ｘ又は組成物Ｙを含み、仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０と、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１と、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２と、が以下の式（Ｚ）で表される関係を満たす、積層体である。なお、各吸収端の単位はｎｍである。
式（Ｚ） λ_０＜λ_１＜λ_２
化合物Ｘ：めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基、及び、重合性基を含む化合物。
組成物Ｙ：めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基を含む化合物、及び、重合性基を含む化合物を含む組成物。

上記積層体の特徴点の一つとしては、基板、被めっき層形成用層に含まれる重合開始剤、及び仮保護膜の光吸収特性を制御している点が挙げられる。以下、図面を参照しながら上記特徴点について詳述する。

図１は第一の実施形態に係る積層体の断面図である。本実施形態に係る積層体１００は、基板１０１と、被めっき層形成用層１０２と、仮保護膜１０３とをこの順に含む。
この積層体の仮保護膜側にフォトマスクを配置し、パターン状に光を照射すると、フォトマスクが積層体と直接接しない。従って、両者の間で成分の移行が起こらないため、及び／又は、フォトマスクが被めっき層形成用層の成分で汚染されないため、パターン状被めっき層付き基板の歩留まりが向上する。
図２は、積層体の仮保護膜１０３側にフォトマスク２０１を配置し、パターン状に光を照射したときの断面図である。図中の矢印は、光の照射を模式的に表したものである。
仮保護膜１０３に照射された光は、仮保護膜１０３を透過し、被めっき層形成用層１０２に到達し、図示しない重合開始剤を感光させる。被めっき層形成用層１０２に到達した光の一部は、被めっき層形成用層１０２を透過し、基板１０１に到達する。
フォトマスク２０１と被めっき層形成用層１０２との間に仮保護膜１０３を配置した（被めっき層形成用層１０２上に仮保護膜１０３を配置した）ことにより、仮保護膜１０３の厚みの分、フォトマスク２０１を経由して照射された光が散乱される。この光が基板１０１まで到達すると、基板１０１の界面で散乱され再び被めっき層形成用層１０２に入射するものと推測される。これにより、被めっき層形成用層１０２の感光領域が、所望のパターン形状よりも広がってしまうものと推測される。感光領域が広がることで、これにより得られる金属層含有積層体における配線太りが生ずる。
ここで、本実施形態に係る仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０と、被めっき層形成用層に含まれる重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１と、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２は、下記式（Ｚ）で表される関係を満たす。λ_０、λ_１、及びλ_２の関係を図３に示す。
式（Ｚ）λ_０＜λ_１＜λ_２
図３に示すように、λ_０＜λ_１の関係を満たせば、仮保護膜に吸収されない波長領域の光によって、重合開始剤を感光させることができる。また、λ_１＜λ_２の関係を満たせば、被めっき層形成用層を透過した光は、基板に吸収される。これにより、仮保護膜の厚みによって散乱された光が基板まで到達したとしても、この散乱光は基板によって吸収され、被めっき層形成用層に再び入射することが抑制されたものと推測される。
この結果として、本発明の効果を有する積層体を得ることができたものと推測される。

〔基板〕
基板は、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２が上記式（Ｚ）で表される関係を満たすものであれば特に制限されず、なかでも、絶縁性基板が好ましく、より具体的には、樹脂からなる基板（以下「樹脂基板」ともいう。）、セラミック基板、及びガラス基板等を使用することができ、樹脂基板がより好ましい。なお、樹脂基板には、下記の粘着シートも含まれる。

樹脂基板の材料としては、特に制限されないが、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２が上記式（Ｚ）で表される関係を満たしやすい点で、芳香族基を含む樹脂Ｐ_１を含むことが好ましい。芳香族基を含むとは、樹脂Ｐ_１の構造単位中に芳香族基を含むことを意図する。芳香族基としては、特に制限されず、例えば、具体的には、置換又は無置換のベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、及びフェナジン環等が挙げられる。なお、樹脂基板の材料として、樹脂は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよいが、２種以上の樹脂を併用する場合、少なくとも、最も含有量が多い樹脂が樹脂Ｐ_１であるのが好ましい。

樹脂基板の材料としては、例えば、ポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、及びシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。なかでも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリオレフィン、又はポリカーボネートが好ましく、光の透過率が高く、機械特性も優れる点で、ポリエチレンテレフタレート及びポリカーボネートからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、ポリエチレンテレフタレート（PolyEthylene Terephthalate、以下、単に「ＰＥＴ」ともいう。）、又はポリカーボネートがより好ましく、ポリエチレンテレフタレートが更に好ましい。
また、基板としては、粘着性のある基板、つまり、粘着シートを使用してもよい。粘着シートを構成する材料としては公知の材料（アクリル系粘着剤、又はシリコーン系粘着剤等）が使用できる。

基板の厚み（ｍｍ）は特に制限されないが、取り扱い性及び薄型化のバランスの点から、樹脂基板では０．０１〜２ｍｍが好ましく、０．０２〜１ｍｍがより好ましく、０．０３〜０．１ｍｍが更に好ましい。また、ガラス基板では、０．０１〜２ｍｍが好ましく、０．３〜０．８ｍｍがより好ましく、０．４〜０．７ｍｍが更に好ましい。
また、基板は、光を適切に透過することが好ましい。具体的には、基板の全光線透過率は、８５〜１００％であることが好ましい。

基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２は、上記式（１）で表される関係を満たせば、特に制限されないが、形成されるパターン状被めっき層付き基板の透明性及び視認性に優れる点で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３８０ｎｍ以下であることがより好ましく、３２０ｎｍ以下であることが更に好ましい。下限は特に制限されないが、材料特性の点から、２５０ｎｍ以上の場合が多い。
基板の紫外可視吸収スペクトルの吸収端の位置は、通常、基板の材料に依存する。
なお、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２とは、基板の紫外可視吸収スペクトルをＵＶ−３０００（島津製作所）にて測定した際に、吸光度が１．０以下となる最も長波長側の波長を意図する。

＜紫外線吸収剤＞
基板には、紫外線吸収剤が含まれていてもよい。基板に紫外線吸収剤が含まれることにより、基板の紫外可視吸収スペクトルの吸収端λ_２がより長波長側に移動し、上記式（Ｚ）で表される関係を満たしやすい。特に、基板と下記の仮保護膜とが、同一の材料である場合、基板には紫外線吸収剤が含まれることが好ましい。具体的には、仮保護膜がＰＥＴからなる場合、基板は紫外線吸収剤を含むＰＥＴからなることが好ましい。
なお、紫外線吸収剤としては、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１よりも長波長側に吸収端を有する紫外線吸収剤を選択することが好ましい。つまり、使用される紫外線吸収剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１よりも長波長側にあることが好ましい。
なお、紫外線吸収剤を用いた場合の基板の紫外可視吸収スペクトルの吸収端の測定方法も、上記と同様の手順が挙げられる。

使用される紫外線吸収剤の種類は特に制限されず、公知の紫外線吸収剤を使用でき、例えば、サリチル酸系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、マロン酸エステル系紫外線吸収剤、及び、シュウ酸アニリド系紫外線吸収剤等が挙げられる。
上記サリチル酸系紫外線吸収剤としては、フェニルサリシート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサリシート、及び、ｐ−オクチルフェニルサリシート等が挙げられる。
上記ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４、４′−ジメトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン、及び、ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイルフェニル）メタン等が挙げられる。
上記ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール、２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、及び、２−（２′−ヒドロキシ−４′−オクトキシフェニル）ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
上記シアノアクリレート系紫外線吸収剤としては、２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３′−ジフェニルアクリレート、及び、エチル−２−シアノ−３，３′−ジフェニルアクリレート等が挙げられる。

紫外線吸収剤の含有量は特に制限されないが、基板の全質量１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部が好ましく、０．１〜１０質量部がより好ましい。紫外線吸収剤の含有量が上記範囲内にあると、基板がより優れた紫外線の吸収性を有し、かつ紫外線吸収剤が基板表面に析出しにくい。

基板は、単層構造であっても、複層構造であってもよい。
基板が複層構造である場合、例えば、基板としては、支持体と、支持体上に配置された、紫外線吸収剤を含む紫外線吸収層とを含む積層体が挙げられる。
支持体には、紫外線吸収剤が含まれていなくても、含まれていてもよく、その種類としては上記した基板として例示したものが挙げられる。
紫外線吸収層には、少なくとも紫外線吸収剤が含まれる。紫外線吸収剤としては、上記したものが挙げられる。なお、紫外線吸収剤には、樹脂等のバインダーが含まれていてもよい。

〔被めっき層形成用層〕
被めっき層形成用層は、下記の光照射により被めっき層となる層であり、重合開始剤、及び、以下の化合物Ｘ又は組成物Ｙを少なくとも含む。より具体的には、被めっき層形成用層は、重合開始剤と化合物Ｘとを含む層であっても、重合開始剤と組成物Ｙとを含む層であってもよい。
化合物Ｘ：めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基（以後、単に「相互作用性基」とも称する）、及び、重合性基を含む化合物。
組成物Ｙ：めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基を含む化合物、及び、重合性基を含む化合物を含む組成物。
以下では、まず、被めっき層形成用層に含まれる材料について詳述する。

＜重合開始剤＞
重合開始剤としては特に制限されず、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１が式（Ｚ）で表される関係を満たせばよく、公知の重合開始剤（いわゆる光重合開始剤）等を用いることができる。重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、α−アミノアルキルフェノン類、ベンゾイン類、ケトン類、チオキサントン類、ベンジル類、ベンジルケタール類、オキスムエステル類、アンソロン類、テトラメチルチウラムモノサルファイド類、ビスアシルフォスフィノキサイド類、アシルフォスフィンオキサイド類、アントラキノン類、及び、アゾ化合物等、並びに、これらの誘導体を挙げることができる。重合開始剤は、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
なお、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの吸収端λ_１とは、重合開始剤濃度が０．０１質量％の溶液（溶媒としては、重合開始剤が溶解する溶媒、例えば、アセトニトリルを使用）を用意し、上記ＵＶ−３０００にて測定した際に、吸光度が１．０以下となる最も長波長側の波長を意図する。

第一の実施形態においては、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１は、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２及び下記の仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０との関係で、以下の式（Ｚ）を満たせばよい。
式（Ｚ） λ_０＜λ_１＜λ_２
なお、λ_２とλ_１の差としては、光が基板により吸収されやすくなる点で、４ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましく、１０ｎｍ以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１５０ｎｍ程度の場合が多い。
ここで、２種以上の重合開始剤を併用する場合には、より長波長側に紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端を有する重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端をλ₁とする。

被めっき層形成用層中における重合開始剤の含有量は特に制限されないが、被めっき層の硬化性の点で、被めっき層形成用層全質量に対して、０．０１〜５質量％であることが好ましく、０．１〜３質量％であることがより好ましい。

＜化合物Ｘ＞
化合物Ｘは、相互作用性基及び重合性基を含む化合物である。
相互作用性基とは、パターン状被めっき層に付与されるめっき触媒又はその前駆体と相互作用できる官能基を意図し、例えば、めっき触媒若しくはその前駆体と静電相互作用を形成可能な官能基、又は、めっき触媒若しくはその前駆体と配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、及び含酸素官能基等を使用することができる。
相互作用性基としてより具体的には、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級のアミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、及びシアネート基等の含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボン酸基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、及びＮ−ヒドロキシ構造を含む基等の含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基、及びスルホン酸エステル構造を含む基等の含硫黄官能基；ホスフォート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基、及びリン酸エステル構造を含む基等の含リン官能基；塩素原子、及び臭素原子等のハロゲン原子を含む基等が挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用することができる。
なかでも、極性が高く、めっき触媒又はその前駆体等への吸着能が高いことから、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、及びボロン酸基等のイオン性極性基、エーテル基、又はシアノ基が好ましく、カルボン酸基又はシアノ基がより好ましい。
化合物Ｘには、相互作用性基が２種以上含まれていてもよい。

上記化合物Ｘは、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。低分子化合物は分子量が１０００未満の化合物を意図し、高分子化合物とは分子量が１０００以上の化合物を意図する。
なお、上記重合性基を含む低分子化合物とは、いわゆるモノマー（単量体）に該当する。また、高分子化合物とは、所定の繰り返し単位を含むポリマーであってもよい。
また、化合物としては１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、溶解性が高く、取扱い性がより優れる点で、１０００以上７０万以下が好ましく、２０００以上２０万以下がより好ましい。特に、重合感度の観点から、２００００以上であることが更に好ましい。
このような重合性基、及び相互作用性基を含むポリマーの合成方法は特に制限されず、公知の合成方法（特許公開２００９−２８０９０５号の段落［００９７］〜［０１２５］参照）が使用される。

（ポリマーの第一の好ましい態様）
ポリマーの第一の好ましい態様として、下記式（ａ）で表される重合性基を含む繰り返し単位（以下、適宜、重合性基ユニットとも称する）、及び、下記式（ｂ）で表される相互作用性基を含む繰り返し単位（以下、適宜、相互作用性基ユニットとも称する）を含む共重合体が挙げられる。

上記式（ａ）及び式（ｂ）中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は、それぞれ独立して、水素原子、又は、置換若しくは無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、又はブチル基等）を表す。なお、置換基の種類は特に制限されないが、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、及びフッ素原子等が挙げられる。
なお、Ｒ¹としては、水素原子、メチル基、又は、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ²としては、水素原子、メチル基、又は、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ³としては、水素原子が好ましい。Ｒ⁴としては、水素原子が好ましい。Ｒ⁵としては、水素原子、メチル基、又は、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。

上記式（ａ）及び式（ｂ）中、Ｘ、Ｙ、及びＺは、それぞれ独立して、単結合、又は、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換若しくは無置換の２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８。例えば、メチレン基、エチレン基、又はプロピレン基等のアルキレン基）、置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２。例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、又はこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンカルボニルオキシ基、又はアルキレンカルボニルオキシ基等）等が挙げられる。

Ｘ、Ｙ、及びＺとしては、ポリマーの合成が容易で、下記の金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、又は置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましく、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、又はアミド基（−ＣＯＮＨ−）がより好ましい。

上記式（ａ）及び式（ｂ）中、Ｌ¹及びＬ²は、それぞれ独立して、単結合、又は、置換若しくは無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義としては、上記したＸ、Ｙ、及びＺで述べた２価の有機基と同義である。
Ｌ¹としては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、脂肪族炭化水素基、又は、ウレタン結合若しくはウレア結合を含む２価の有機基（例えば、脂肪族炭化水素基）が好ましく、なかでも、総炭素数１〜９であるものがより好ましい。なお、ここで、Ｌ¹の総炭素数とは、Ｌ¹で表される置換又は無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。

また、Ｌ²は、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、又は、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、若しくはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。なかでも、Ｌ²は、単結合、又は、総炭素数が１〜１５であることがより好ましい。Ｌ^２で表される２価の有機基は、無置換であることが好ましい。なお、ここで、Ｌ²の総炭素数とは、Ｌ²で表される置換又は無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。

上記式（ｂ）中、Ｗは、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上記の通りである。

上記重合性基ユニットの含有量は、反応性（硬化性及び／又は重合性）及び合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜４０モル％がより好ましい。
また、上記相互作用性基ユニットの含有量は、めっき触媒又はその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜９５モル％が好ましく、１０〜９５モル％がより好ましい。

（ポリマーの第二の好ましい態様）
ポリマーの第二の好ましい態様としては、下記式（Ａ）、式（Ｂ）、及び式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む共重合体が挙げられる。

式（Ａ）で表される繰り返し単位は上記式（ａ）で表される繰り返し単位と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ⁵、Ｘ及びＬ²は、上記式（ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ⁵、Ｘ及びＬ²と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）中のＷａは、下記のＶで表される親水性基又はその前駆体基を除く、めっき触媒又はその前駆体と相互作用する基を表す。なかでも、シアノ基、又はエーテル基が好ましい。

式（Ｃ）中、Ｒ⁶は、それぞれ独立して、水素原子、又は、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
式（Ｃ）中、Ｕは、単結合、又は、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上記したＸ、Ｙ及びＺで表される２価の有機基と同義である。Ｕとしては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、又は置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｌ³は、単結合、又は、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上記したＬ¹及びＬ²で表される２価の有機基と同義である。Ｌ³としては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、又は、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、若しくはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。

式（Ｃ）中、Ｖは親水性基又はその前駆体基を表す。親水性基とは親水性を示す基であれば特に限定されず、例えば、水酸基、及びカルボン酸基等が挙げられる。また、親水性基の前駆体基とは、所定の処理（例えば、酸又はアルカリにより処理）により親水性基を生じる基を意味し、例えば、ＴＨＰ（2-tetrahydropyranyl group：２−テトラヒドロピラニル基）で保護したカルボン酸基等が挙げられる。
親水性基としては、めっき触媒又はその前駆体との相互作用の点で、イオン性極性基であることが好ましい。イオン性極性基としては、具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、及びボロン酸基が挙げられる。なかでも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましい。

上記ポリマーの第２の好ましい態様における各ユニットの好ましい含有量は、以下の通りである。
式（Ａ）で表される繰り返し単位の含有量は、反応性（硬化性及び／又は重合性）及び合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位の含有量は、めっき触媒又はその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜７５モル％が好ましく、１０〜７０モル％がより好ましい。
式（Ｃ）で表される繰り返し単位の含有量は、水溶液による現像性及び耐湿密着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜７０モル％が好ましく、２０〜６０モル％がより好ましく、３０〜５０モル％が更に好ましい。

上記ポリマーの具体例としては、例えば、特開２００９−００７５４０号公報の段落［０１０６］〜［０１１２］に記載のポリマー、特開２００６−１３５２７１号公報の段落［００６５］〜［００７０］に記載のポリマー、及びＵＳ２０１０−０８０９６４号の段落［００３０］〜［０１０８］に記載のポリマー等が挙げられる。
このポリマーは、公知の方法（例えば、上記で列挙された文献中の方法）により製造することができる。

（モノマーの好ましい態様）
上記化合物がいわゆるモノマーである場合、モノマーの好ましい態様の一つとして式（Ｘ）で表される化合物が挙げられる。

式（Ｘ）中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は、それぞれ独立して、水素原子、又は置換若しくは無置換のアルキル基を表す。無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、又はブチル基が挙げられる。また、置換アルキル基としては、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、又はフッ素原子等で置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、及びブチル基が挙げられる。なお、Ｒ¹¹としては、水素原子、又はメチル基が好ましい。Ｒ¹²としては、水素原子が好ましい。Ｒ¹³としては、水素原子が好ましい。

Ｌ¹⁰は、単結合、又は、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換又は無置換の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８）、置換又は無置換の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、及びこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンカルボニルオキシ基、及びアルキレンカルボニルオキシ基等）等が挙げられる。
置換又は無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、又は、これらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたものが好ましい。
置換又は無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、又は、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたフェニレン基が好ましい。
式（Ｘ）中、Ｌ¹⁰の好適態様の一つとしては、−ＮＨ−脂肪族炭化水素基−、又は、−ＣＯ−脂肪族炭化水素基−が挙げられる。

Ｗの定義は、式（ｂ）中のＷの定義の同義であり、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上記の通りである。
式（Ｘ）中、Ｗの好適態様としては、イオン性極性基が挙げられ、カルボン酸基がより好ましい。

＜組成物Ｙ＞
組成物Ｙは、相互作用性基を含む化合物、及び、重合性基を含む化合物を含む組成物である。つまり、被めっき層形成用層が、相互作用性基を含む化合物、及び、重合性基を含む化合物の２種を含む。相互作用性基及び重合性基の定義は、上記の通りである。
相互作用性基を含む化合物としては、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。相互作用性基を含む化合物の好適態様としては、上記した式（ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子（例えば、ポリアクリル酸）が挙げられる。なお、相互作用性基を含む化合物には、重合性基は含まれない。
重合性基を含む化合物とは、いわゆるモノマーであり、形成される被めっき層の硬度がより優れる点で、２個以上の重合性基を含む多官能モノマーであることが好ましい。多官能モノマーとは、具体的には、２〜６個の重合性基を含むモノマーを使用することが好ましい。反応性に影響を与える架橋反応中の分子の運動性の観点から、用いる多官能モノマーの分子量としては１５０〜１０００が好ましく、２００〜７００がより好ましい。また、複数存在する重合性基同士の間隔（距離）としては原子数で１〜１５であることが好ましく、６以上１０以下であることがより好ましい。
重合性基を含む化合物には、相互作用性基が含まれていてもよい。

重合性基を含む化合物の好適形態の一つとしては、以下の式（１）で表される化合物が挙げられる。

式（１）中、Ｒ₂₀は、重合性基を表す。
Ｌは、単結合、又は、２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上記の通りである。
Ｑは、ｎ価の有機基を表す。ｎ価の有機基としては、下記式（１Ａ）で表される基、下記式（１Ｂ）で表される基、

−ＮＨ−、−ＮＲ（Ｒ：アルキル基）−、−Ｏ−、−Ｓ−、カルボニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、シクロアルキレン基、芳香族基、ヘテロ環基、及び、これらを２種以上組み合わせた基からなるｎ価の有機基を好ましい例として挙げることができる。
ｎは、２以上の整数を表し、２〜６が好ましい。

なお、相互作用性基を含む化合物と重合性基を含む化合物との質量比（相互作用性基を含む化合物の質量／重合性基を含む化合物の質量）は特に制限されないが、形成される被めっき層の強度及びめっき適性のバランスの点で、０．１〜１０が好ましく、０．５〜５がより好ましい。

被めっき層形成用層中の化合物Ｘ（又は、組成物Ｙ）の含有量は特に制限されないが、被めっき層形成用層全質量に対して、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、９９．５質量％以下が好ましい。

被めっき層形成用層には、上記重合開始剤、化合物Ｘ、組成物Ｙ以外の成分が含まれていてもよい。
例えば、被めっき層形成用層には、モノマー（但し、上記式（Ｘ）で表される化合物を除く）が含まれていてもよい。モノマーが含まれることにより、被めっき層中の架橋密度等を適宜制御することができる。
使用されるモノマーは特に制限されず、例えば、付加重合性を含む化合物としてはエチレン性不飽和結合を含む化合物、開環重合性を含む化合物としてはエポキシ基を含む化合物等が挙げられる。なかでも、被めっき層中の架橋密度を向上する点から、多官能モノマーを使用することが好ましい。多官能モノマーとは、重合性基を２個以上含むモノマーを意味する。具体的には、２〜６個の重合性基を含むモノマーを使用することが好ましい。

被めっき層形成用層には、他の添加剤（例えば、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、及び可塑剤等）を必要に応じて添加してもよい。

〔仮保護膜〕
仮保護膜は、被めっき層形成用層上に配置される。仮保護膜は、積層体にパターン状に光を照射するために用いられるフォトマスクが、被めっき層形成用層と直接接触しないように、被めっき層形成用層を保護する機能を有する部材である。
仮保護膜は、特に、フォトマスクを被めっき層形成用層に直接密着させて光照射する、いわゆる密着露光を行う際に有用で、積層体を用いて製造されるパターン状被めっき層付き基板の歩留まりを向上することができる。なお、被めっき層形成用層上に配置された仮保護膜は、光が照射された後、積層体から除去される。

仮保護膜としては、仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０が上記式（Ｚ）で表される関係を満たすものであれば特に制限されず、例えば、絶縁性仮保護膜が好ましく、より具体的には、樹脂からなる仮保護膜（以下「樹脂仮保護膜」ともいう。）、セラミックからなる仮保護膜、ガラスからなる仮保護膜等を使用することができ、樹脂仮保護膜が好ましい。なお、樹脂仮保護膜としては、下記の粘着シートも含まれる。

樹脂からなる仮保護膜の材料としては、特に制限されないが、仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０が上記式（１）で表される関係を満たしやすい点で、芳香族基を含まない樹脂Ｐ_２を含むことが好ましい。芳香族基を含まない樹脂Ｐ_２としては、具体的には、具体的には２５０ｎｍの波長の光の透過率が５０％以上の樹脂が好ましい。樹脂Ｐ_２としては、具体的には、ポリオレフィン系樹脂、及びシクロオレフィン系樹脂が挙げられる。

樹脂からなる仮保護膜の材料としては、例えば、ポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、及びシクロオレフィン系樹脂が挙げられ、中でもポリエステル系樹脂、ポリアクリル系樹脂、セルロース系樹脂、又はシクロオレフィン系樹脂が好ましく、シクロオレフィン系樹脂がより好ましい。

仮保護膜の厚みは特に制限されないが、取り扱い性がより優れ、被めっき層形成用層との貼り合わせが容易な点で、樹脂仮保護膜は１〜３００μｍが好ましく、２〜２００μｍがより好ましく、２〜１００μｍが更に好ましく、３〜５０μｍが特に好ましい。
また、仮保護膜は、光を適切に透過することが好ましい。具体的には、仮保護膜の全光線透過率は、８５〜１００％であることが好ましい。

仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０は、上記式（Ｚ）で表される関係を満たせば、特に制限されないが、形成されるパターン状被めっき層付き基板の透明性及び視認性に優れる点で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３５０ｎｍ以下であることがより好ましく、３００ｎｍ以下であることが更に好ましい。下限は特に制限されないが、材料特性の点から、２００ｎｍ以上の場合が多い。
仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの吸収端λ_０の位置は、通常、仮保護膜の材料に依存する。
なお、仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０とは、仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルをＵＶ−３０００（島津製作所）にて測定した際に、吸光度が１．０以下となる最も長波長側の波長を意図する。

仮保護膜は、単層構造であっても、複層構造であってもよい。仮保護膜が複層構造となる場合に仮保護膜を構成する部材については特に制限されないが、例えば、仮保護膜は、被めっき層形成用層からの剥離を容易にするための層（例えば、上記樹脂からなる膜に、剥離剤を塗布して形成することができる。）を含んでもよい。

〔積層体の製造方法〕
基板と、被めっき層形成用層と、仮保護膜とをこの順に含む積層体の製造方法は特に制限されず、基板の上に上記成分を含む組成物を塗布して被めっき層形成用層を形成し（塗布法）、仮保護膜をラミネートして積層体を形成する方法、及び、基板とは別の仮基板上に被めっき層形成用層を形成して、基板上に転写し（転写法）、仮保護膜をラミネートして積層体を形成する方法等が挙げられる。なかでも、被めっき層形成用層の厚みの制御がしやすい点で、塗布法が好ましい。
以下、塗布法の態様について詳述する。

塗布法で使用される組成物には、重合開始剤、及び、化合物Ｘ又は組成物Ｙが少なくとも含まれる。必要に応じて、他の成分が含まれていてもよい。
なお、組成物には、取扱い性の点から、溶剤が含まれることが好ましい。
使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水；メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、１−メトキシ−２−プロパノール、グリセリン、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール系溶剤；酢酸等の酸；アセトン、メチルエチルケトン、及びシクロヘキサノン等のケトン系溶剤；ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤；アセトニトリル、及びプロピオニトリル等のニトリル系溶剤；酢酸メチル、及び酢酸エチル等のエステル系溶剤；ジメチルカーボネート、及びジエチルカーボネート等のカーボネート系溶剤；この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、及びハロゲン系溶剤等が挙げられる。
このなかでも、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、及びカーボネート系溶剤が好ましい。
組成物中の溶剤の含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、５０〜９８質量％が好ましく、７０〜９５質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、厚みの制御等がしやすい。

塗布法を用いる際、組成物を基板上に塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（例えば、スピンコート、ダイコート、又はディップコート等）を使用できる。
基板上に塗布された組成物は、必要に応じて乾燥させ、残存する溶剤を除去してもよい。
なお、乾燥条件は特に制限されないが、生産性がより優れる点で、温度が室温〜２２０℃（好ましくは５０〜１２０℃）で、時間が１〜３０分間（好ましく１〜１０分間）が好ましい。

被めっき層形成用層の厚みは特に制限されないが、０．０１〜２０μｍが好ましく、０．１〜１０μｍがより好ましく、０．１〜５μｍが更に好ましい。

なお、上記積層体には、基板、被めっき層形成用層、及び仮保護膜以外の他の層が含まれていてもよい。
例えば、基板と被めっき層形成用層との間には、プライマー層が配置されていてもよい。プライマー層が配置されることにより、下記のパターン状被めっき層と基板との密着性が向上する。
プライマー層によってパターン状被めっき層の密着性を高めるためには、表面エネルギーを制御すること、パターン状被めっき層との化学結合を形成すること、及び応力緩和による粘着力を利用する等、種々の密着力向上の手段を取ることができる。表面エネルギーを制御する場合、例えば、パターン状被めっき層の表面エネルギーに近い低分子層及び／又は高分子層を用いることができる。化学結合を形成する場合は、重合活性部位を含む低分子層及び／又は高分子層を用いることができる。応力緩和による粘着力を利用する場合は、弾性率の低いゴム性の樹脂等を用いることができる。

プライマー層の厚みは特に制限されないが、一般的には、０．０１〜１００μｍが好ましく、０．０５〜２０μｍがより好ましく、０．０５〜１０μｍが更に好ましい。
プライマー層の材料は特に制限されず、基板との密着性が良好な樹脂であることが好ましい。樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、及びこれらの混合物が挙げられ、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、及びイソシアネート系樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド、及びＡＢＳ（acrylonitrile butadiene styrene）樹脂等が挙げられる。
熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とは、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。また、シアノ基を含む樹脂を使用してもよく、具体的には、ＡＢＳ樹脂、及び、特開２０１０−８４１９６号の段落〔００３９〕〜〔００６３〕記載の「側鎖にシアノ基を含むユニットを含むポリマー」を用いてもよい。
また、ＮＢＲゴム（アクリロニトリル・ブタジエンゴム）、又はＳＢＲゴム（スチレン・ブタジエンゴム）等のゴム成分を用いることもできる。

プライマー層を構成する材料の好適態様の一つとしては、水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を含むポリマーが挙げられる。共役ジエン化合物単位とは、共役ジエン化合物由来の繰り返し単位を意味する。共役ジエン化合物としては、一つの単結合で隔てられた、二つの炭素−炭素二重結合を含む分子構造を含む化合物であれば特に制限されない。
共役ジエン化合物由来の繰り返し単位の好適態様の一つとしては、ブタジエン骨格を含む化合物が重合反応することで生成する繰り返し単位が挙げられる。
上記共役ジエン化合物単位は水素添加されていてもよく、水素添加された共役ジエン化合物単位を含む場合、パターン状金属層の密着性がより向上し好ましい。つまり、共役ジエン化合物由来の繰り返し単位中の二重結合が水素添加されていてもよい。
水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を含むポリマーには、上記した相互作用性基が含まれていてもよい。
このポリマーの好適な態様としては、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、カルボン酸基含有ニトリルゴム（ＸＮＢＲ）、アクリロニトリル−ブタジエン−イソプレンゴム（ＮＢＩＲ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、又は、これらの水素添加物（例えば、水素添加アクリロニトリルブタジエンゴム）等が挙げられる。

プライマー層には、他の添加剤（例えば、増感剤、酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、及び可塑剤等）が含まれていてもよい。

プライマー層の形成方法は特に制限されず、使用される樹脂を基板上にラミネートする方法、並びに、必要な成分を溶解可能な溶剤に溶解し、塗布等の方法で基板表面上に塗布及び／又は乾燥する方法等が挙げられる。
塗布方法における加熱温度と時間は、塗布溶剤が充分乾燥し得る条件を選択すればよいが、製造適性の点からは、加熱温度２００℃以下、時間６０分以内の範囲の加熱条件を選択することが好ましく、加熱温度４０〜１００℃、時間２０分以内の範囲の加熱条件を選択することがより好ましい。なお、使用される溶剤は、使用する樹脂に応じて適宜最適な溶剤（例えば、シクロヘキサノン、又はメチルエチルケトン）が選択される。

なお、上記では基板と、被めっき層形成用層と、仮保護膜と、をこの順に含む積層体について説明したが、基板と、被めっき層形成用層と、仮保護膜と、をこの順に含んでいれば、基板の両面に被めっき層形成用層が配置されていてもよい。すなわち、仮保護膜、被めっき層形成用層、基板、被めっき層形成用層、仮保護膜の順に各部材を含む積層体も本実施形態に含まれるものである。

［パターン状被めっき層付き基板の製造方法］
次に、本発明の第二の実施形態であるパターン状被めっき層付き基板の製造方法について詳述する。上記パターン状被めっき層付き基板の製造方法は、基板と、被めっき層形成用層と、仮保護膜と、をこの順に含む積層体を作製する工程Ａと、積層体中の仮保護膜側から、被めっき層形成用層に対してパターン状に光を照射する工程Ｂと、被めっき層形成用層上の仮保護膜を除去する工程Ｃと、被めっき層形成用層中の光が照射されていない領域を除去して、基板上にパターン状被めっき層を形成する工程Ｄと、を含む。
なお、図４〜７は上記実施形態の一例を工程順に示した断面図である。上記図面を参照しながら、各工程について詳述する。

〔工程Ａ：積層体を作製する工程（積層体作製工程）〕
工程Ａは、基板と、被めっき層形成用層と、仮保護膜と、をこの順に含む積層体を作製する工程である。より具体的には、図４に示すように、本工程では、基板４０１と、基板４０１上に配置された被めっき層形成用層４０２、及び被めっき層形成用層４０２上に配置された仮保護膜４０３とを含む積層体４００を製造する。本工程で得られる積層体４００は、下記の光照射が施される被めっき層形成用層４０２を備える積層体に該当する。なお、本工程には、上記第一の実施形態である積層体を構成する部材及び材料として説明した各部材及び各材料を適宜使用することができる。また、本工程は、上記第一の実施形態である積層体の製造方法として説明した製造方法を適宜使用することができる。

〔工程Ｂ：積層体中の仮保護膜側から、被めっき層形成用層に対してパターン状に光を照射する工程（照射工程）〕
本工程は、上記工程で作製した積層体４００の仮保護膜４０３側から、被めっき層形成用層４０２に対してパターン状に光を照射する工程（パターン状に露光を行う工程）である。つまり、本工程は、被めっき層形成用層４０２に対して、重合開始剤が感光する波長の光をパターン状に照射する工程である。なお、本工程の後、被めっき層形成用層の未照射領域（未露光部）を除去して、パターン状被めっき層を形成する。なお、上記光は、仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０よりも長波長側の波長を含み、かつ、重合開始剤が感光する波長を含む光に該当する。
より具体的には、まず、図５に示すように、被めっき層形成用層４０２の所定の照射領域５０２（光が照射される領域）に対して、フォトマスク５０１の開口をとおして、重合開始剤が感光する波長の光を照射する。上記のとおり、本実施形態では、各部材の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端が上記式（Ｚ）で表される関係を満たす。仮保護膜４０３側からパターン状に照射された光は、仮保護膜４０３を透過し、被めっき層形成用層４０２に含まれる重合開始剤を感光させる。そして、照射された光のうち、一部は被めっき層形成用層４０２を透過し、基板４０１に到達する。基板４０１の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２は、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１よりも長波長側にあるため、被めっき層形成用層４０２を透過した光は基板４０１によって吸収される。これにより、被めっき層形成用層４０２を透過した光が、基板４０１の界面で散乱され、再び被めっき層形成用層４０２に入射することを防ぐことができる。この結果として、被めっき層形成用層４０２に所望の照射領域５０２を形成することができる。
なお、図５では、フォトマスク５０１を仮保護膜４０３に直接接触させて露光する密着露光の例が記載されているが、本実施形態に係るパターン状被めっき層付き基板の製造方法は投影露光にも適用することができる。
被めっき層形成用層４０２における、光が照射された領域（照射領域５０２）では、重合性基間の重合及び／又は基板と重合性基との反応等が進行し、硬化して、不溶部となる。この不溶部は、いわゆる被めっき層となる。光が照射された後、仮保護膜４０３は除去される。
本工程で被めっき層形成用層４０２に対して照射される光は、被めっき層形成用層４０２中の重合開始剤が感光する波長の光である。より具体的には、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１よりも短波長側の波長の光である。なお、本工程で被めっき層形成用層４０２に対して照射される光としては、重合開始剤が感光する波長の光が含まれていればよく、それ以外の波長の光が含まれていてもよい。つまり、被めっき層形成用層４０２に対して照射される光には、重合開始剤が感光する波長の光が含まれていればよく、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１よりも長波長側の波長の光が含まれていてもよい。
照射される光は上記要件を満たしていれば、単色光であっても、連続光であってもよい。上記のような要件を満たす光を照射する際には、光源を適宜選択する方法、及び光源と所定の遮光フィルターを用いて特定の波長の光を選択する方法等が挙げられる。

被めっき層形成用層４０２にパターン状に光を照射する（以下「露光する」ともいう。）方法は特に制限されない。光を照射するために用いられる光源は特に制限されず、上記波長の光を照射できればよく、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、及びカーボンアーク灯等がある。
光を照射する時間（以下「露光時間」ともいう。）としては、重合開始剤の反応性及び／又は光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。照射する光のエネルギー（以下「露光エネルギー」ともいう。）としては、１０〜８０００ｍＪ程度であればよく、好ましくは５０〜３０００ｍＪの範囲である。
なお、パターン状に光を照射する方法は特に制限されず、公知の方法が採用され、例えば、フォトマスクの開口を介して被めっき層形成用層に光を照射すればよい。

〔工程Ｃ：被めっき層形成用層上の仮保護膜を除去する工程〕
本工程は、上記工程でパターン状に露光が行われた積層体の被めっき層形成用層４０２から、仮保護膜４０３を除去する工程である。除去する方法については特に制限されず、公知の方法を用いることができる。例えば、ラミネートされた仮保護膜４０３を剥離する方法が挙げられる。

〔工程Ｄ：被めっき層形成用層中の光が照射されていない領域を除去して、基板上にパターン状被めっき層を形成する工程（除去工程）〕
本工程は、上記照射工程が施された被めっき層形成用層４０２の未照射領域６０１（未露光部）を除去する工程である。本工程を実施することにより、被めっき層形成用層４０２中の未照射領域６０１が除去され、パターン状被めっき層６０２が形成される。より具体的には、図６及び７に示すように、光が照射され、仮保護膜４０３が除去された積層体６００に本処理を施すことにより、未照射領域６０１が除去され、パターン状被めっき層６０２を含むパターン状被めっき層付き基板７００が得られる。
上記除去方法は特に制限されず、被めっき層形成用層４０２中に含まれる化合物に応じて適宜最適な方法が選択されるが、通常、上記化合物が溶解する溶剤を被めっき層形成用層４０２に接触させる方法が挙げられる。
より具体的には、アルカリ性溶液を現像液として用いる方法が挙げられる。アルカリ性溶液を用いて、未照射領域６０１を除去する場合は、照射工程が施され仮保護膜４０３が除去された積層体６００をアルカリ性溶液中に浸漬させる方法（浸漬方法）、及び、その被めっき層形成用層４０２上にアルカリ性溶液を塗布する方法（塗布方法）等が挙げられるが、浸漬方法が好ましい。浸漬方法の場合、浸漬時間としては生産性及び作業性等の観点から、１〜３０分程度が好ましい。

上記手順によって、基板４０１と、パターン状被めっき層６０２とを含むパターン状被めっき層付き基板７００が得られる。
パターン状被めっき層付き基板７００は、金属膜（導電膜）を形成する用途に使用できる。つまり、パターン状被めっき層にめっき触媒又はその前駆体を付与して、更に、めっき処理を施すことにより、パターン状被めっき層上に金属層を形成することができる。つまり、パターン状被めっき層の形状を制御することにより、金属層のパターンを制御することができる。また、このようなパターン状被めっき層を使用することにより、金属層の基板に対する密着性が優れる。
なお、上記では、基板の片面にパターン状被めっき層を配置したパターン状被めっき層付き基板の製造方法を示したが、基板の両面にパターン状被めっき層を配置してもよい。この場合、基板の両面に被めっき層形成用層及び仮保護膜を含む積層体を用いることにより、実施可能である。

［金属層含有積層体の製造方法］
次に、本発明の第三の実施形態である金属層含有積層体の製造方法について詳述する。上記金属層含有積層体の製造方法は、上記パターン状被めっき層付き基板のパターン状被めっき層にめっき触媒又はその前駆体を付与して、めっき触媒又はその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程（以下「金属層形成工程」ともいう。）を含む。
本実施形態において用いられるパターン状被めっき層を形成する部材及び材料、並びにパターン状被めっき層付き基板の製造方法としては、上記の各部材、各材料及び製造方法を適宜使用することができる。以下では、金属層形成工程の手順について説明する。

〔金属層形成工程〕
本工程は、パターン状被めっき層付き基板中のパターン状被めっき層にめっき触媒又はその前駆体を付与して、めっき触媒又はその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程である。より具体的には、本工程を実施することにより、図８に示すように、パターン状被めっき層６０２上に金属層８０１が形成され、金属層含有積層体８００が得られる。
以下では、パターン状被めっき層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程（工程Ｘ）と、めっき触媒又はその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う工程（工程Ｙ）とに分けて説明する。

＜工程Ｘ：めっき触媒付与工程＞
本工程では、まず、パターン状被めっき層にめっき触媒又はその前駆体を付与する。上記化合物由来の相互作用性基が、その機能に応じて、付与されためっき触媒又はその前駆体を吸着する。より具体的には、パターン状被めっき層中及びパターン状被めっき層表面上に、めっき触媒又はその前駆体が付与される。
めっき触媒又はその前駆体は、めっき処理の触媒及び電極として機能するものである。そのため、使用されるめっき触媒又はその前駆体の種類は、めっき処理の種類に応じて適宜決定される。
なお、用いられるめっき触媒又はその前駆体は、無電解めっき触媒又はその前駆体であることが好ましい。以下では、無電解めっき触媒又はその前駆体等について詳述する。

本工程において用いられる無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、特に制限されず、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を含む金属（Ｎｉよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの）等が挙げられる。具体的には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、及びＣｏ等が挙げられる。なかでも、触媒能の高さから、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、又はＣｕが好ましい。
この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。
本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンはパターン状被めっき層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。

無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いてパターン状被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に制限はなく、Ｍ(ＮＯ_３)_ｎ、ＭＣｌ_ｎ、Ｍ_２／ｎ(ＳＯ_４)、Ｍ_３／ｎ(ＰＯ_４)（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）等が挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｐｔイオン、及びＰｄイオンが挙げられる。なかでも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数及び触媒能の点で、Ａｇイオン、Ｐｄイオン、又はＣｕイオンがより好ましい。
本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、０価金属を使用することもできる。

めっき触媒又はその前駆体をパターン状被めっき層に付与する方法としては、例えば、めっき触媒又はその前駆体を適切な溶剤に分散又は溶解させた溶液（めっき触媒又はその前駆体、及び、溶媒を含む触媒付与液）を調製し、その溶液をパターン状被めっき層上に塗布するか、又は、その溶液中にパターン状被めっき層が形成された積層体を浸漬すればよい。
上記溶剤としては、水及び／又は有機溶剤が適宜使用される。有機溶剤としては、パターン状被めっき層に浸透する溶剤が好ましく、例えば、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、２−（１−シクロヘキセニル）シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、又はジメチルセロソルブ等を用いることができる。

めっき触媒又はその前駆体、及び、溶剤を含む触媒付与液のｐＨは特に制限されないが、めっき処理の際に、所望の位置に所望の量の金属層が形成されやすい点で、３．０〜７．０であることが好ましく、３．２〜６．８がより好ましく、３．５〜６．６が更に好ましい。
触媒付与液の調製方法は特に制限されず、所定の金属塩を適切な溶剤で溶解させ、必要に応じて、酸又はアルカリを用いてｐＨを所定の範囲に調整すればよい。

溶液中のめっき触媒又はその前駆体の濃度は特に制限されないが、０．００１〜５０質量％であることが好ましく、０．００５〜３０質量％であることがより好ましい。
また、めっき触媒又はその前駆体に対して被めっき層を接触させる時間（以下「接触時間」ともいう。）としては、３０秒〜２４時間程度であることが好ましく、１分〜１時間程度であることがより好ましい。

パターン状被めっき層のめっき触媒又はその前駆体の吸着量に関しては、使用するめっき浴種、触媒金属種、パターン状被めっき層の相互作用性基種、及び使用方法等により異なるが、めっきの析出性の観点から、５〜１０００ｍｇ／ｍ^２が好ましく、１０〜８００ｍｇ／ｍ^２がより好ましく、２０〜６００ｍｇ／ｍ^２が更に好ましい。

＜工程Ｙ：めっき処理工程＞
次に、めっき触媒又はその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う。
めっき処理の方法は特に制限されず、例えば、無電解めっき処理、又は、電解めっき処理（電気めっき処理）が挙げられる。本工程では、無電解めっき処理を単独で実施してもよいし、無電解めっき処理を実施した後に更に電解めっき処理を実施してもよい。
なお、本明細書においては、いわゆる銀鏡反応は、上記無電解めっき処理の一種として含まれる。よって、例えば、銀鏡反応等によって、付着させた金属イオンを還元させて、所望のパターン状金属層を形成してもよく、更にその後電解めっき処理を実施してもよい。
以下、無電解めっき処理、及び、電解めっき処理の手順について詳述する。

無電解めっき処理とは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与されたパターン状被めっき層を備える積層体を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行うことが好ましい。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与されたパターン状被めっき層を備える基板を、無電解めっき触媒前駆体がパターン状被めっき層に吸着又は含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、積層体を水洗して余分な無電解めっき触媒前駆体（金属塩等）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させることが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、無電解めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。

一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤等の公知の添加剤が含まれていてもよい。
無電解めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶剤である必要があり、その点から、アセトン等のケトン類、メタノール、エタノール、及びイソプロパノール等のアルコール類が好ましい。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、及びロジウムが知られており、なかでも、導電性の観点からは、銅、銀、又は金が好ましく、銅がより好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤及び／又は添加剤が選択される。
無電解めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度であることが好ましく、１分〜３時間程度であることがより好ましい。

本工程おいては、パターン状被めっき層に付与されためっき触媒又はその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒又はその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対して、電気めっきを行うことができる。
なお、上記のとおり、本工程においては、上記無電解めっき処理の後に、必要に応じて、電解めっき処理を行うことができる。このような態様では、形成される金属層の厚みを適宜調整可能である。
電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。尚、電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、及び亜鉛等が挙げられ、導電性の観点から、銅、金、又は銀が好ましく、銅がより好ましい。

上記工程を実施することにより、パターン状被めっき層上に金属層（めっき層）を形成することができる。
金属層形成にサブトラクティブ法を用いた場合、パターン状の金属層間に親水性樹脂等で構成される被めっき層が存在するために、金属層のパターンがより微細化した際には金属層間の被めっき層の影響により金属イオンのマイグレーションが生じやすく、絶縁性が低下する懸念がある（サブトラクティブ法による金属層形成は、特開２０１２−０９７２９６号公報等に記載されている。）。一方、本発明の上記手順では、パターン状被めっき層を形成し、そのパターン状被めっき層上に導電層に該当する金属層を形成する、いわゆるアディティブ法であり、この方法で得られる金属層含有積層体では金属層間に被めっき層が残存しないため、マイグレーションの発生がより抑制され、タッチパネルセンサー用の導電性フィルムとして好適に使用できる。
なお、図８においては、パターン状被めっき層６０２の上面のみに金属層８０１が配置される態様を示しているが、この態様には限定されず、図９に示すように、パターン状被めっき層６０２の基板４０１との接触面以外の表面上に金属層８０１が配置される金属層含有積層体（９００）であってもよい。つまり、パターン状被めっき層の基板との接触面以外の表面を覆うように金属層が配置されていてもよい。
また、上記では、基板の片面にパターン状被めっき層を配置し、更に金属層を形成する態様を示したが、基板の両面にパターン状被めっき層を配置し、更に金属層を形成してもよい。

〔用途〕
上記処理により得られた金属層含有積層体は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（又は、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible printed circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、及びマザーボード等の種々の用途に適用することができる。なかでも、タッチパネルセンサー（静電容量式タッチパネルセンサー）に用いることが好ましい。上記金属層含有積層体をタッチパネルセンサーに適用する場合、金属層含有積層体中の金属層がタッチパネルセンサー中の検出電極又は引き出し配線として機能する。
なお、本明細書においては、タッチパネルセンサーと、各種表示装置（例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electro-luminescence）表示装置）とを組み合わせたものを、タッチパネルと呼ぶ。タッチパネルとしては、いわゆる静電容量式タッチパネルが好ましく挙げられる。

以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

［基板の作製］
〔基板Ｓ１−１の作製〕
ＺＦ１４（ゼオン社製ゼオノアフィルム）をトルエンに溶解させ紫外線吸収剤１（ＵＶＳＯＲＢ１０１、富士フイルムファインケミカル社製）を樹脂成分中２質量％になるよう添加して塗液を作製した。上記塗液を用いて、１００μｍの厚みになるように、基板Ｓ１−１を作製した。なお、上記紫外線吸収剤１の構造を下記に示した。

・紫外線吸収剤１

〔基板Ｓ１−２の作製〕
Ｆ５０２３（ＪＳＲ社製アートンフィルム）をトルエンに溶解させ紫外線吸収剤１を樹脂成分中２質量％になるよう添加した以外、上記Ｓ１−１と同様の方法により製膜した基板をＳ１−２とした。

〔基板Ｓ１−３の作製〕
ペレット状のＰＥＴを３００℃に加熱して融解させて溶融物を作製し、１００μｍの厚みになるように溶融物を押出して製膜した基板をＳ１−３とした。
〔基板Ｓ１−４の作製〕
ペレット状のＰＥＴを３００℃に加熱して融解させて溶融物を作製し、溶融物に紫外線吸収剤１を樹脂成分中２質量％になるよう添加し、１００μｍの厚みになるように製膜した基板をＳ１−４とした。

［プライマー層形成用組成物の作製］
水素化ニトリルブタジエンゴムＺｅｔｐｏｌｅ００２０（日本ゼオン社製）１００ｇをシクロペンタノン（東京化成工業社製）９００ｇに溶解させた液をプライマー層形成用組成物とした。

［被めっき形成用層の形成用組成物の作製］
＜被めっき層形成用層の形成用組成物（以下単に「被めっき層形成用組成物」という。）１の調製＞
２−プロパノール ９６．８５質量％
ポリアクリル酸 ０．８２質量％
ＦＦＭ−２（和光純薬工業社製） ２．１８質量％
ＩＲＧＡＣＵＲＥ１２７（ＢＡＳＦ社製） ０．１５質量％
上記の組成物を混合し、被めっき層形成用組成物１を得た。なお、ＦＦＭ−２の構造を下記式（Ａ）に示した。

・ＦＦＭ−２

＜被めっき層形成用組成物２の調製＞
２−プロパノール ９６．８５質量％
ポリアクリル酸 ０．８２質量％
ＦＦＭ−２（和光純薬工業社製） ２．１８質量％
ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製） ０．１５質量％
上記の組成物を混合し、被めっき層形成用組成物２を得た。

＜被めっき層形成用組成物３の調製＞
２−プロパノール ６．８５質量％
ポリアクリル酸 ０．８２質量％
ＦＦＭ−２（和光純薬工業社製） ２．１８質量％
ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９（ＢＡＳＦ社製） ０．０７５質量％
ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４（ＢＡＳＦ社製） ０．０７５質量％
上記の組成物を混合し、被めっき層形成用組成物３を得た。

＜被めっき層形成用組成物４の調製＞
２−プロパノール ９６．８５質量％
ポリマー１ ３質量％
ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製） ０．１５質量％
上記の組成物を混合し、被めっき層形成用組成物４を得た。なお、ポリマー１の構造を下記に示した。

・ポリマー１

なお、上記ポリマー１は以下の方法により合成した。
２Ｌの三口フラスコに酢酸エチル１Ｌ、２−アミノエタノール１５９ｇを入れ、氷浴にて冷却した。そこへ、２−ブロモイソ酪酸ブロミド１５０ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温（２５℃）まで上昇させて２時間反応させた。反応終了後、反応溶液に蒸留水３００ｍＬを追加して反応を停止させた。その後、酢酸エチル相を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、更に酢酸エチルを留去することで原料Ａを８０ｇ得た。
次に、５００ｍＬの三口フラスコに、原料Ａ４７．４ｇ、ピリジン２２ｇ、酢酸エチル１５０ｍＬを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、アクリル酸クロライド２５ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温に上げて３時間反応させた。反応終了後、反応溶液に蒸留水３００ｍＬを追加し、反応を停止させた。その後、酢酸エチル相を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、更に酢酸エチルを留去した。その後、カラムクロマトグラフィーにて、以下のモノマーＭ１（２０ｇ）を得た。なお、モノマーＭ１の構造を下記に示した。

・モノマーＭ１

５００ｍＬの三口フラスコに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８ｇを入れ、窒素気流下、６５℃まで加熱した。そこへ、モノマーＭ１：１４．３ｇ、アクリロニトリル（東京化成工業社製）３．０ｇ、アクリル酸（東京化成工業社製）６．５ｇ、Ｖ−６５（和光純薬工業社製）０．４ｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８ｇ溶液を、４時間かけて滴下した。
滴下終了後、更に反応溶液を３時間撹拌した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド４１ｇを追加し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、４−ヒドロキシＴＥＭＰＯ（東京化成工業社製）０．０９ｇ、ＤＢＵ（ジアザビシクロウンデセン）５４．８ｇを加え、室温で１２時間反応を行った。その後、反応液に７０質量％メタンスルホン酸水溶液５４ｇ加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー１を１２ｇ得た。
得られたポリマー１の同定をＩＲ（Infrared radiation）測定機（堀場製作所社製）を用いて行った。測定はポリマーをアセトンに溶解させＫＢｒ結晶を用いて行った。ＩＲ測定の結果、２２４０ｃｍ^-１付近にピークが観測されニトリルユニットであるアクリロニトリルがポリマーに導入されている事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。また、重ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）に溶解させ、ブルカー社製３００ＭＨｚの^１Ｈ ＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）（ＡＶ−３００）にて測定を行った。ニトリルユニットに相当するピークが２．５−０．７ｐｐｍ（５Ｈ分）にブロードに観察され、重合性基ユニットに相当するピークが７．８−８．１ｐｐｍ（１Ｈ分）、５．８−５．６ｐｐｍ（１Ｈ分）、５．４−５．２ｐｐｍ（１Ｈ分）、４．２−３．９ｐｐｍ（２Ｈ分）、３．３−３．５ｐｐｍ（２Ｈ分）、２．５−０．７ｐｐｍ（６Ｈ分）にブロードに観察され、カルボン酸基含有ユニットに相当するピークが２．５−０．７ｐｐｍ（３Ｈ分）にブロードに観察され、重合性基ユニット：ニトリルユニット：カルボン酸ユニット＝３０：３０：４０（ｍｏｌ％）であることが分かった。

［実施例１］
基板Ｓ１−３の片側の表面上に、乾燥後の厚みが１μｍとなるよう、プライマー層形成用組成物をバーコーターで塗布し塗膜を作製した。この塗膜を１４０℃のオーブン中で、１０分乾燥して、プライマー層を基板の片側の表面上に成膜した。その後、プライマー層上に、乾燥後の厚みが０．５μｍとなるよう、被めっき層形成用組成物１をバーコーターで塗布し、塗膜を作製した。この塗膜を８０℃のオーブン中で、２分乾燥して被めっき層形成用層を得た。その後、被めっき層形成用層に、仮保護膜としてＦ５０２３（厚み１００μｍ）をラミネートし、積層体を得た。次に、２μｍの配線幅による１５０μｍ角の格子状のメッシュパターンと、１ｍｍの配線幅の複数の直線が２ｍｍ間隔で平行に配置されたパターンの両方を同時に形成できるフォトマスクを仮保護膜に密着させ、３００ｎｍ以下の波長の光を含む出射光を出射できる紫外線ランプＤｅｅｐ ＵＶ Ｌａｍｐ（Ｕｓｈｉｏ社製）を用いて、露光エネルギーが４５００ｍＪになるよう露光した。その後、積層体から仮保護膜を剥離し、仮保護膜が除去された積層体を４０℃に加熱した１質量％炭酸ナトリウム水溶液に５分間浸漬することで現像して、パターン状被めっき層付き基板を得た。
このパターン状被めっき層付き基板を、Ｐｄ触媒付与液ＭＡＴ−２（上村工業社製）のＭＡＴ−２Ａのみを５倍に希釈したものに室温にて５分間浸漬し、引き上げた後、純水にて２回洗浄した。次に、上記洗浄後のパターン状被めっき層付き基板を、還元剤ＭＡＢ（上村工業社製）に３６℃にて５分間浸漬し、引き上げた後、純水にて２回洗浄した。その後、上記洗浄後のパターン状被めっき層付き基板を無電解めっき液スルカップＰＥＡ（上村工業社製）に室温にてそれぞれ６０分浸漬し、引き上げた後、純水にて洗浄し、金属層含有積層体を得た。なお、上記金属層はタッチパネル用配線として用いることができる。

［実施例２］
基板をＳ１−１に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物２に、仮保護膜をＺＦ１４（厚み１００μｍ）に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［実施例３］
基板をＳ１−１に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物２に、仮保護膜を１６ＱＳ６２（東レ社製ＰＥＴフィルム、厚み１６μｍ）に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［実施例４］
基板をＳ１−２に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物２に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［実施例５］
基板をＳ１−２に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物２に、仮保護膜を１６ＱＳ６２（東レ社製ＰＥＴフィルム、厚み１６μｍ）に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［実施例６］
基板をＳ１−４に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物２に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［実施例７］
基板をＳ１−４に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物２に、仮保護膜を１６ＱＳ６２（東レ社製ＰＥＴフィルム、厚み１６μｍ）に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［実施例８］
基板をＳ１−４に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物４に、仮保護膜を１６ＱＳ６２（東レ社製ＰＥＴフィルム、１６μｍ）に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［比較例１］
基板をＺＦ１４（厚み１００μｍ）に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物２に、仮保護膜をＺＦ１４（厚み１００μｍ）に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［比較例２］
基板をＦ５０２３（厚み１００μｍ）に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物２に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［比較例３］
被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物２に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［比較例４］
被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物２に、仮保護膜を１６ＱＳ６２（東レ社製ＰＥＴフィルム、厚み１６μｍ）に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［比較例５］
基板をＳ１−１に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物３に、仮保護膜をＺＦ１４（厚み１００μｍ）に変更し、露光量を３０００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様に金属層含有積層体を作製した。

［比較例６］
基板をＳ１−１に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物３に、仮保護膜を１６ＱＳ６２（東レ社製ＰＥＴフィルム、１６μｍ）に変更し、露光量を３０００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［比較例７］
基板をＳ１−２に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物３に変更し、露光量を３０００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［比較例８］
基板をＳ１−２に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物３に、仮保護膜を１６ＱＳ６２（東レ社製ＰＥＴフィルム、１６μｍ）に変更し、露光量を３００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［比較例９］
基板をＳ１−４に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物３に変更し、露光量を３０００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

［比較例１０］
基板をＳ１−４に、被めっき層形成用組成物１を被めっき層形成用組成物３に、仮保護膜を１６ＱＳ６２（東レ社製ＰＥＴフィルム、１６μｍ）に変更し、露光量を３０００ｍＪに変更した以外は実施例１と同様にして金属層含有積層体を作製した。

なお、上記各実施例及び比較例の仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０と、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１と、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２の位置（ｎｍ）を表１にまとめて示した。この吸収端の決定方法は、上記の通りである。

［配線太りの評価］
各実施例及び各比較例の金属層含有積層体の金属配線のパターン形状を目視にて確認して配線太りを評価した。評価は以下の基準で行い、評価「Ｂ」以上が実用上好ましい。なお、結果はまとめて表１に示した。
（評価基準）
１ｍｍの配線幅の複数の直線が２ｍｍ間隔で平行に配置されたパターンにおいて、
Ａ：配線太りが０．５ｍｍ未満である。
Ｂ：配線太りが０．５ｍｍ以上０．７５ｍｍ未満である。
Ｃ：配線太りが０．７５ｍｍ以上１ｍｍ未満である。
Ｄ：配線太りが１ｍｍ以上１．２５ｍｍ未満である。
Ｅ：配線太りが１．２５ｍｍ以上である。

表１に示した結果から、基板と、被めっき層形成用層と、仮保護膜と、をこの順に含む積層体であって、被めっき層形成用層が、重合開始剤、及び、上記化合物Ｘ又は組成物Ｙを含み、仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０と、重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１と、基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２と、が上記式（Ｚ）で表される関係を満たす、積層体である実施例１〜８の積層体は、本発明の効果を有することがわかった。一方で、λ_０、λ_１、及びλ_２が上記の所定の関係を満たさない比較例１〜１０に記載の積層体は、本発明の効果を有しないことがわかった。
被めっき層形成用層が所定の組成物Ｙを含む実施例７の積層体は、組成物Ｙを含まない実施例８の積層体よりもより配線太りが抑制されることがわかった。

１００ 積層体
１０１ 基板
１０２ 被めっき層形成用層
１０３ 仮保護膜
２０１ フォトマスク
４００ 積層体
４０１ 基板
４０２ 被めっき層形成用層
４０３ 仮保護膜
５０１ フォトマスク
５０２ 照射領域
６００ 積層体
６０１ 未照射領域
７００ パターン状被めっき層付き基板
８００ 金属層含有積層体
８０１ 金属層
９００ 金属層含有積層体

Claims (9)

1. 基板と、被めっき層形成用層と、仮保護膜と、をこの順に含む積層体であって、
   前記被めっき層形成用層が、重合開始剤、及び、以下の化合物Ｘ又は組成物Ｙを含み、
   前記仮保護膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_０と、
   前記重合開始剤の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_１と、
   前記基板の紫外可視吸収スペクトルの長波長側の吸収端λ_２と、が以下の式（Ｚ）で表される関係を満たす、積層体。
   式（Ｚ） λ_０＜λ_１＜λ_２
   化合物Ｘ：めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基、及び、重合性基を含む化合物
   組成物Ｙ：めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基を含む化合物、及び、重合性基を含む化合物を含む組成物
2. 前記基板が、紫外線吸収剤を含む、請求項１に記載の積層体。
3. 前記基板が樹脂Ｐ_１を含む樹脂基板であり、前記樹脂Ｐ_１が芳香族基を含み、
   前記仮保護膜が樹脂Ｐ_２を含む膜であり、前記樹脂Ｐ_２が芳香族基を含まない、請求項１又は２に記載の積層体。
4. 前記樹脂Ｐ_１がポリエチレンテレフタレート及びポリカーボネートからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項３に記載の積層体。
5. 前記樹脂Ｐ_１がポリエチレンテレフタレートである、請求項４に記載の積層体。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層体中の前記仮保護膜側から、前記被めっき層形成用層に対してパターン状に光を照射する工程と、
   前記被めっき層形成用層上の前記仮保護膜を除去する工程と、
   前記被めっき層形成用層中の前記光が照射されていない領域を除去して、前記基板上にパターン状被めっき層を形成する工程と、を含む、パターン状被めっき層付き基板の製造方法。
7. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層体中の前記仮保護膜側から、前記被めっき層形成用層に対してパターン状に光を照射する工程と、
   前記被めっき層形成用層上の前記仮保護膜を除去する工程と、
   前記被めっき層形成用層中の前記光が照射されていない領域を除去して、前記基板上にパターン状被めっき層を形成する工程と、
   前記パターン状被めっき層にめっき触媒又はその前駆体を付与して、前記めっき触媒又はその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、前記パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程と、を含む、金属層含有積層体の製造方法。
8. 請求項７に記載の製造方法より得られる金属層含有積層体を含む、タッチパネルセンサー。
9. 請求項７に記載の製造方法より得られる金属層含有積層体を含む、タッチパネル。