JPWO2016159025A1 - ポリカーボネート系樹脂組成物及びその成形体 - Google Patents

Abstract

ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）を１０〜９０質量％、ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）以外の芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）を１０〜９０質量％含み、前記ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体のポリオルガノシロキサンブロックの分子量分布を特定の領域に制御した、ポリカーボネート系樹脂組成物である。

Description

本発明は、透明性に優れ、且つ低温耐衝撃性を有するポリカーボネート系樹脂組成物及びその成形体に関する。

ポリカーボネート樹脂は、その高い耐衝撃性、耐薬品性、及び難燃性等の優れた性質から注目されている。そのため、電気・電子機器分野、自動車分野等の様々な分野において幅広く利用が期待されている。特に、携帯電話、モバイルパソコン、デジタルカメラ、ビデオカメラ、電動工具などの筐体、及びその他の日用品への利用が広がっている。
通常、代表的なポリカーボネートとしては、原料の二価フェノールとして、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〔通称：ビスフェノールＡ〕を用いたホモポリカーボネートが一般的に使用されている。このホモポリカーボネートの難燃性や耐衝撃性等の物性を改良するために、ポリオルガノシロキサンを共重合モノマーとして用いたポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（以下、ＰＣ−ＰＯＳと称することがある。）が知られている（特許文献１〜３参照）。
ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体の耐衝撃性、特に低温下での耐衝撃性を改善する場合には、特許文献３に開示されるように、鎖長の長いポリオルガノシロキサンを用いる方法が知られている。しかし、この方法では、透明性が低下するという問題があった。
逆に、ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体の透明性をより改善するためには、比較的鎖長の短いポリオルガノシロキサンを用いる方法が知られている（特許文献４，５参照）。しかし、この方法では、耐衝撃性が低下するという問題があった。
また、特許文献６では、光線透過率の相違する２種類のポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体の配合によって、優れた耐衝撃性を維持しつつ透明性を向上させる試みがなされているが、その透明性は十分とはいえないものであった。このように、これまでのポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体において、優れた透明性及び耐衝撃性、特に低温下での耐衝撃性を両立させることは困難であった。

特許第２６６２３１０号公報 特開２０１１−２１１２７号公報 特開２０１２−２４６４３０号公報 特開平８−８１６２０号公報 特開２０１１−４６９１１号公報 特表２００６−５２３２４３号公報

本発明は、優れた透明性及び耐衝撃性、特に低温下での耐衝撃性を有するポリカーボネート系樹脂組成物及びその成形体を提供することを目的とする。

本発明者らは、ポリカーボネート系樹脂組成物に含まれるポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体のポリオルガノシロキサンブロックの分子量分布を特定の領域に制御することにより、上記課題が達成されることを見出した。
すなわち本発明は、下記１〜１４に関する。
１．ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）を１０〜９０質量％、ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）以外の芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）を１０〜９０質量％含み、
前記ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）が、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートブロック（Ａ）及び下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）を有し、
前記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）の、ポリスチレンを換算基準としたゲル浸透クロマトグラフ法による測定から得られる、横軸が分子量Ｍの対数値ｌｏｇ（Ｍ）であり、縦軸が濃度分率ｗを分子量の対数値ｌｏｇ（Ｍ）で微分したｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）である微分分子量分布曲線において、
（１）ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）の値が、３．４≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．０の範囲で最大となり、
（２）前記微分分子量分布曲線において、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値が、ｌｏｇ（Ｍ）の全範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値に対して６〜４０％であることを特徴とする、ポリカーボネート系樹脂組成物。

［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。Ｘは、単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基、フルオレンジイル基、炭素数７〜１５のアリールアルキレン基、炭素数７〜１５のアリールアルキリデン基、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−又は−ＣＯ−を示す。Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を示す。ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。］
２．ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）を１０〜９０質量％、ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）以外の芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）を１０〜９０質量％含み、
前記ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）が、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートブロック（Ａ）及び下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）を有し、
ポリスチレンを換算基準としたゲル浸透クロマトグラフ法による測定から得られる、横軸が分子量Ｍの対数値ｌｏｇ（Ｍ）であり、縦軸が濃度分率ｗを分子量の対数値ｌｏｇ（Ｍ）で微分したｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）である微分分子量分布曲線において、
（１）ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）の値が、３．４≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．０の範囲で最大となり、
（２）前記微分分子量分布曲線において、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値が、ｌｏｇ（Ｍ）の全範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値に対して６〜４０％であるポリオルガノシロキサンを原料に用いることを特徴とする、ポリカーボネート系樹脂組成物。

［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。Ｘは、単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基、フルオレンジイル基、炭素数７〜１５のアリールアルキレン基、炭素数７〜１５のアリールアルキリデン基、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−又は−ＣＯ−を示す。Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を示す。ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。］
３．前記芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）が芳香族ホモポリカーボネート樹脂を含む、１又は２に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
４．前記芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）が前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートブロック（Ａ'）及び前記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）を有するポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体を含む、１〜３のいずれかに記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
５．前記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）の平均鎖長が２０以上６０未満である、４に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
６．前記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）の平均鎖長が６０以上５００以下である、４に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
７．前記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）の平均鎖長が３０以上８５以下である、１〜６のいずれかに記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
８．前記ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）中の前記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）の含有量が０．５〜２０．０質量％である、１〜７のいずれかに記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
９．前記ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）の粘度平均分子量が１２，０００〜４０，０００である、１〜８のいずれかに記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
１０．前記一般式（Ｉ）におけるａ及びｂが０であり、Ｘが単結合または炭素数２〜８のアルキリデン基である、１〜９のいずれかに記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
１１．前記一般式（Ｉ）におけるａ及びｂが０であり、Ｘが炭素数３のアルキリデン基である、１０に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
１２．前記一般式（ＩＩ）におけるＲ^３及びＲ^４がメチル基である、１〜１１のいずれかに記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
１３．１〜１２のいずれかに記載のポリカーボネート系樹脂組成物を成形してなる成形体。
１４．電気及び電子機器用部品である、１３に記載の成形体。

本発明によれば、優れた透明性及び耐衝撃性、特に低温下での耐衝撃性を有するポリカーボネート系樹脂組成物及びその成形体を得ることができる。

得られる微分分布曲線の一例を示すグラフであり、ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）について、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲で積分した値を斜線部分で示したものである。

以下、本発明のポリカーボネート系樹脂組成物について詳細に説明する。なお、本明細書において、好ましいとされている規定は任意に採用することができ、好ましいもの同士の組み合わせはより好ましいといえる。また、本明細書において、「ＸＸ〜ＹＹ」の記載は、「ＸＸ以上ＹＹ以下」を意味する。

本発明は、ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）を１０〜９０質量％、ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）以外の芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）を１０〜９０質量％含み、
前記ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）が、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートブロック（Ａ）及び下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）を有し、
前記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）のポリスチレンを換算基準としたゲル浸透クロマトグラフ法による測定から得られる、横軸が分子量Ｍの対数値ｌｏｇ（Ｍ）であり、縦軸が濃度分率ｗを分子量の対数値ｌｏｇ（Ｍ）で微分したｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）である微分分子量分布曲線において、
（１）ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）の値が、３．４≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．０の範囲で最大となり、
（２）前記微分分子量分布曲線において、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値が、ｌｏｇ（Ｍ）の全範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値に対して６〜４０％であることを特徴とする、ポリカーボネート系樹脂組成物である。

［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。Ｘは、単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基、フルオレンジイル基、炭素数７〜１５のアリールアルキレン基、炭素数７〜１５のアリールアルキリデン基、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−又は−ＣＯ−を示す。Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を示す。ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。］

［ポリカーボネート系樹脂］
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物には、ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）を含むポリカーボネート系樹脂が用いられる。ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）は、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートブロック（Ａ）及び下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）を有する。

上記一般式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２がそれぞれ独立して示すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ^１及びＲ^２がそれぞれ独立して示すアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、各種ブチル基（「各種」とは、直鎖状及びあらゆる分岐鎖状のものを含むことを示し、以下、同様である。）、各種ペンチル基、及び各種ヘキシル基が挙げられる。Ｒ^１及びＲ^２がそれぞれ独立して示すアルコキシ基としては、アルキル基部位が前記アルキル基である場合が挙げられる。
Ｘが表すアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられ、炭素数１〜５のアルキレン基が好ましい。Ｘが表すアルキリデン基としては、エチリデン基、イソプロピリデン基等が挙げられる。Ｘが表すシクロアルキレン基としては、シクロペンタンジイル基やシクロヘキサンジイル基、シクロオクタンジイル基等が挙げられ、炭素数５〜１０のシクロアルキレン基が好ましい。Ｘが表すシクロアルキリデン基としては、例えば、シクロヘキシリデン基、３，５，５−トリメチルシクロヘキシリデン基、２−アダマンチリデン基等が挙げられ、炭素数５〜１０のシクロアルキリデン基が好ましく、炭素数５〜８のシクロアルキリデン基がより好ましい。Ｘが表すアリールアルキレン基のアリール部位としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基などの環形成炭素数６〜１４のアリール基が挙げられる。Ｘが表すアリールアルキリデン基のアリール部位としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基などの環形成炭素数６〜１４のアリール基が挙げられる。
ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。
中でも、ａ及びｂが０であり、Ｘが単結合または炭素数２〜８のアルキリデン基であるもの、またはａ及びｂが０であり、Ｘが炭素数３のアルキリデン基、特にイソプロピリデン基であるものが好適である。

上記一般式（ＩＩ）中、Ｒ^３又はＲ^４で示されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。Ｒ^３又はＲ^４で示されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、各種ブチル基、各種ペンチル基、及び各種ヘキシル基が挙げられる。Ｒ^３又はＲ^４示されるアルコキシ基としては、アルキル基部位が前記アルキル基である場合が挙げられる。Ｒ^３又はＲ^４で示されるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
なお、Ｒ^３及びＲ^４としては、いずれも、好ましくは、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基であり、いずれもメチル基であることがより好ましい。

本発明に用いられるＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）中の前記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）の含有量は、好ましくは０．５〜２０．０質量％、より好ましくは１．５〜１５．０質量％である。ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）の含有量が０．５質量％以上であると、十分な低温耐衝撃性が得られ、２０．０質量％以下であると、十分な耐熱性が得られる。

本発明に用いられるＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）における上記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）は、好ましくは下記一般式（ＩＩ−Ｉ）〜（ＩＩ−ＩＩＩ）で表される。

［式中、Ｒ^３〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を示し、複数のＲ^３〜Ｒ^６は、互いに同一であっても異なっていても良い。Ｙは−Ｒ^７Ｏ−、−Ｒ^７ＣＯＯ−、−Ｒ^７ＮＨ−、−Ｒ^７ＮＲ^８−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−Ｒ^７ＣＯＯ−Ｒ^９−Ｏ−、または−Ｒ^７Ｏ−Ｒ^１０−Ｏ−を示し、複数のＹは、互いに同一であっても異なっていても良い。前記Ｒ^７は、単結合、直鎖、分岐鎖若しくは環状アルキレン基、アリール置換アルキレン基、置換または無置換のアリーレン基、またはジアリーレン基を示す。Ｒ^８は、アルキル基、アルケニル基、アリール基、またはアラルキル基を示す。Ｒ^９は、ジアリーレン基を示す。Ｒ^１０は、直鎖、分岐鎖もしくは環状アルキレン基、又はジアリーレン基を示す。βは、ジイソシアネート化合物由来の２価の基、又はジカルボン酸若しくはジカルボン酸のハロゲン化物由来の２価の基を示す。ｐとｑはそれぞれ１以上の整数であり、ｐとｑの和はｎ−２である。ｎは、ポリオルガノシロキサンの平均鎖長を表す。］

Ｒ^３〜Ｒ^６がそれぞれ独立して示すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。Ｒ^３〜Ｒ^６がそれぞれ独立して示すアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、各種ブチル基、各種ペンチル基、及び各種ヘキシル基が挙げられる。Ｒ^３〜Ｒ^６がそれぞれ独立して示すアルコキシ基としては、アルキル基部位が前記アルキル基である場合が挙げられる。Ｒ^３〜Ｒ^６がそれぞれ独立して示すアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
Ｒ^３〜Ｒ^６としては、いずれも、好ましくは、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基である。
一般式（ＩＩ−Ｉ）、（ＩＩ−ＩＩ）及び／または（ＩＩ−ＩＩＩ）中の、Ｒ^３〜Ｒ^６がいずれもメチル基であるものが好ましい。

Ｙが示す−Ｒ^７Ｏ−、−Ｒ^７ＣＯＯ−、−Ｒ^７ＮＨ−、−Ｒ^７ＮＲ^８−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−Ｒ^７ＣＯＯ−Ｒ^９−Ｏ−、または−Ｒ^７Ｏ−Ｒ^１０−Ｏ−におけるＲ^７が表す直鎖又は分岐鎖アルキレン基としては、炭素数１〜８、好ましくは炭素数１〜５のアルキレン基が挙げられ、環状アルキレン基としては、炭素数５〜１５、好ましくは炭素数５〜１０のシクロアルキレン基が挙げられる。

本発明に用いられるＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）におけるポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）の平均鎖長ｎは、好ましくは３０以上８５以下、より好ましくは４０以上７５以下、さらに好ましくは５８以上７２以下である。平均鎖長ｎは核磁気共鳴（ＮＭＲ）測定により算出される。平均鎖長ｎが３０以上であれば低温における耐衝撃性が十分な樹脂組成物及び成形体を得ることができる。また、平均鎖長ｎが８５以下であれば、成形外観に優れる樹脂組成物及び成形体を得ることができる。

本発明に用いられるＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）を構成する一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）は、上記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）のポリスチレンを換算基準としたゲル浸透クロマトグラフ法による測定から得られる、横軸が分子量Ｍの対数値ｌｏｇ（Ｍ）であり、縦軸が濃度分率ｗを分子量の対数値ｌｏｇ（Ｍ）で微分したｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）である微分分子量分布曲線において、下記（１）及び（２）を満たす。
（１）ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）の値が、３．４≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．０の範囲で最大となる。
（２）微分分子量分布曲線において、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値が、ｌｏｇ（Ｍ）の全範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値に対して６〜４０％である。

＜ポリオルガノシロキサン＞
本発明に用いられるポリオルガノシロキサンは、ポリスチレンを換算基準としたゲル浸透クロマトグラフ法による測定から得られる、横軸が分子量Ｍの対数値ｌｏｇ（Ｍ）であり、縦軸が濃度分率ｗを分子量の対数値ｌｏｇ（Ｍ）で微分したｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）である微分分子量分布曲線において、
（１）ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）の値が、３．４≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．０の範囲で最大となり、
（２）前記微分分子量分布曲線において、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値が、ｌｏｇ（Ｍ）の全範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値に対して６〜４０％のポリオルガノシロキサンである。

本発明に用いられるポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）を構成するポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）が当該特徴を有するには、以下の一般式（２）、（３）及び／または（４）に示すポリオルガノシロキサンを原料として用いることができる。

［式中、Ｒ^３〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を示し、複数のＲ^３〜Ｒ^６は、互いに同一であっても異なっていても良い。Ｙは−Ｒ^７Ｏ−、−Ｒ^７ＣＯＯ−、−Ｒ^７ＮＨ−、−Ｒ^７ＮＲ^８−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−Ｒ^７ＣＯＯ−Ｒ^９−Ｏ−、または−Ｒ^７Ｏ−Ｒ^１０−Ｏ−を示し、複数のＹは、互いに同一であっても異なっていても良い。前記Ｒ^７は、単結合、直鎖、分岐鎖若しくは環状アルキレン基、アリール置換アルキレン基、置換または無置換のアリーレン基、またはジアリーレン基を示す。Ｒ^８は、アルキル基、アルケニル基、アリール基、またはアラルキル基を示す。Ｒ^９は、ジアリーレン基を示す。Ｒ^１０は、直鎖、分岐鎖もしくは環状アルキレン基、又はジアリーレン基を示す。Ｚは、水素原子又はハロゲン原子を示し、複数のＺは、互いに同一であっても異なっていても良い。βは、ジイソシアネート化合物由来の２価の基、又はジカルボン酸若しくはジカルボン酸のハロゲン化物由来の２価の基を示す。ｐとｑはそれぞれ１以上の整数であり、ｐとｑの和はｎ−２である。ｎは、ポリオルガノシロキサンの平均鎖長を表す。］

Ｒ^３〜Ｒ^６がそれぞれ独立して示すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。Ｒ^３〜Ｒ^６がそれぞれ独立して示すアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、各種ブチル基、各種ペンチル基、及び各種ヘキシル基が挙げられる。Ｒ^３〜Ｒ^６がそれぞれ独立して示すアルコキシ基としては、アルキル基部位が前記アルキル基である場合が挙げられる。Ｒ^３〜Ｒ^６がそれぞれ独立して示すアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
Ｒ^３〜Ｒ^６としては、いずれも、好ましくは、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基である。
一般式（２）、（３）及び／または（４）で表されるポリオルガノシロキサンとしては、Ｒ^３〜Ｒ^６がいずれもメチル基であるものが好ましい。

Ｙが示す−Ｒ^７Ｏ−、−Ｒ^７ＣＯＯ−、−Ｒ^７ＮＨ−、−Ｒ^７ＮＲ^８−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−Ｒ^７ＣＯＯ−Ｒ^９−Ｏ−、または−Ｒ^７Ｏ−Ｒ^１０−Ｏ−におけるＲ^７が表す直鎖又は分岐鎖アルキレン基としては、炭素数１〜８、好ましくは炭素数１〜５のアルキレン基が挙げられ、環状アルキレン基としては、炭素数５〜１５、好ましくは炭素数５〜１０のシクロアルキレン基が挙げられる。

Ｒ^７が表すアリール置換アルキレン基としては、芳香環にアルコキシ基、アルキル基のような置換基を有していてもよく、その具体的構造としては、例えば、下記の一般式（５）または（６）の構造を示すことができる。なお、アリール置換アルキレン基を有する場合、アルキレン基がＳｉに結合している。

［式中ｃは正の整数を示し、通常１〜６の整数である。］

Ｒ^７、Ｒ^９及びＲ^１０が示すジアリーレン基とは、二つのアリーレン基が直接、又は二価の有機基を介して連結された基のことであり、具体的には−Ａｒ^１−Ｗ−Ａｒ^２−で表わされる構造を有する基である。ここで、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、アリーレン基を示し、Ｗは単結合、又は２価の有機基を示す。Ｗの示す２価の有機基は、例えばイソプロピリデン基、メチレン基、ジメチレン基、トリメチレン基である。
Ｒ^７、Ａｒ^１及びＡｒ^２が表すアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントリレン基などの環形成炭素数６〜１４のアリーレン基が挙げられる。これらアリーレン基は、アルコキシ基、アルキル基等の任意の置換基を有していてもよい。
Ｒ^８が示すアルキル基としては炭素数１〜８、好ましくは１〜５の直鎖または分岐鎖のものである。アルケニル基としては、炭素数２〜８、好ましくは２〜５の直鎖または分岐鎖のものが挙げられる。アリール基としてはフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。アラルキル基としては、フェニルメチル基、フェニルエチル基等が挙げられる。
Ｒ^１０が示す直鎖、分岐鎖もしくは環状アルキレン基は、Ｒ^７と同様である。

Ｙとしては、好ましくは−Ｒ^７Ｏ−であって、Ｒ^７が、アリール置換アルキレン基であって、特にアルキル基を有するフェノール系化合物の残基であり、アリルフェノール由来の有機残基やオイゲノール由来の有機残基がより好ましい。
なお、一般式（３）中のｐ及びｑについては、ｐ＝ｑ、すなわち、ｐ＝（ｎ−２）／２、ｑ＝（ｎ−２）／２であることが好ましい。
ｎは上述した通り、好ましくは３０以上８５以下、より好ましくは４０以上７５以下、さらに好ましくは５８以上７２以下である。
また、βは、ジイソシアネート化合物由来の２価の基又はジカルボン酸又はジカルボン酸のハロゲン化物由来の２価の基を示し、例えば、以下の一般式（７−１）〜（７−５）で表される２価の基が挙げられる。

一般式（２）で表されるポリオルガノシロキサンとしては、例えば、以下の一般式（２−１）〜（２−１１）の化合物が挙げられる。

上記一般式（２−１）〜（２−１１）中、Ｒ^３〜Ｒ^６、ｎ及びＲ^８は上記の定義の通りであり、好ましいものも同じである。ｃは正の整数を示し、通常１〜６の整数である。
これらの中でも、重合の容易さの観点においては、上記一般式（２−１）で表されるフェノール変性ポリオルガノシロキサンが好ましい。また、入手の容易さの観点においては、上記一般式（２−２）で表される化合物中の一種であるα，ω−ビス［３−（ｏ−ヒドロキシフェニル）プロピル］ポリジメチルシロキサン、上記一般式（２−３）で表される化合物中の一種であるα，ω−ビス［３−（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）プロピル］ポリジメチルシロキサンが好ましい。

上記で掲げたものの他、特表２０１３−５２３９３８号公報、特開平４−２２５０５９号公報、特表２００６−５１８８０３号公報、及び国際公開公報ＷＯ２０１３／１１５６０４等に記載されているポリオルガノシロキサン化合物も好適に用いることができる。

上記一般式で示したポリオルガノシロキサンの平均鎖長ｎは、好ましくは３０以上８５以下、より好ましくは４０以上７５以下、さらに好ましくは５８以上７２以下である。平均鎖長ｎは核磁気共鳴（ＮＭＲ）測定により算出される。平均鎖長ｎが３０以上であれば低温における耐衝撃性が十分に得られる。また、平均鎖長ｎが８５以下であれば、成形外観に優れる共重合体を得ることができる。

ポリオルガノシロキサンの分子量・分子量分布測定値を得るためのゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）装置には特に制限はなく、一般に市販されているＧＰＣ装置、例えば、東ソー株式会社製、示差屈折計（ＲＩ）内蔵型ＧＰＣ測定器、「ＨＬＣ−８２００」を利用することが可能である。具体的には、ＧＰＣカラムとして、東ソー株式会社製、「ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ４０００ＨＸＬ」と「ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ２０００ＨＸＬ」とを連結させたものを用いる。カラム温度は４０℃に設定し、溶離液にはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用い、流速１．０ｍｌ／分にて測定する。検量線の作製には、東ソー株式会社製の標準ポリスチレンを用いる。このようにして得られる分子量の対数値を、対数分子量（ｌｏｇ（Ｍ））と称する。

ＧＰＣ装置の示差屈折（ＲＩ）検出計において検出される強度分布の時間曲線（一般に、溶出曲線と呼ぶ）を、分子量既知の物質から得た較正曲線を用いて溶出時間を分子量に換算する。ここで、ＲＩ検出強度は成分濃度とは比例関係にあるので、溶出曲線の全面積を１００％としたときの強度面積を求め、それぞれの溶出時間の濃度分率を求める。濃度分率を順次積算し、横軸に分子量の対数値（ｌｏｇ（Ｍ））、縦軸に濃度分率（ｗ）の積算値をプロットすることにより積分分子量分布曲線を得ることができる。
続いて、各分子量の対数値における曲線の微分値（すなわち、積分分子量曲線の傾き）を求め、横軸に分子量の対数値（ｌｏｇ（Ｍ））、縦軸に上記微分値（ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ））をプロットして微分分子量分布曲線を得ることができる。従って、微分分子量分布とは、濃度分率（ｗ）を分子量の対数値（ｌｏｇ（Ｍ））で微分した値、すなわち「ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）」を意味する。この微分分子量分布曲線から、特定のｌｏｇ（Ｍ）における微分分子量分布ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）を読み取ることができる。なお、複数のポリオルガノシロキサンを配合したポリオルガノシロキサン配合物についても、ポリオルガノシロキサン配合物をＧＰＣ法により測定した後、同じ手法により微分分子量分布曲線を得ることができる。

本発明においては、（１）ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）の値が、３．４≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．０の範囲で、好ましくは３．５≦ｌｏｇ（Ｍ）≦３．８の範囲で最大となる。微分分子量分布ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）の最大値とは、微分分子量曲線におけるピークトップを指す。微分分子量曲線におけるピークトップのｌｏｇ（Ｍ）の値が３．４以上であると、十分な低温耐衝撃性が得られ、４．０以下であれば、良好な透明性が得られる。

また、本発明においては、（２）前記微分分子量分布曲線において、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値が、ｌｏｇ（Ｍ）の全範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値に対して６〜４０％であり、好ましくは６．５〜３０％である。上記割合が６％以上であると、十分な低温耐衝撃性が得られ、４０％以下であれば、良好な透明性が得られる。ここで、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値の、ｌｏｇ（Ｍ）の全範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値に対する割合は、ＰＯＳの分子量分布において、ｌｏｇ（Ｍ）が４．００〜４．５０である成分がＰＯＳ全体に対して存在する割合を示すものである。

前記ポリオルガノシロキサンの製造方法は特に限定されない。例えば、特開平１１−２１７３９０号公報に記載の方法によれば、シクロトリシロキサンとジシロキサンとを酸性触媒存在下で反応させて、α，ω−ジハイドロジェンオルガノペンタシロキサンを合成し、次いで、ヒドロシリル化反応用触媒の存在下に、該α，ω−ジハイドロジェンオルガノペンタシロキサンにフェノール性化合物（例えば２−アリルフェノール、４−アリルフェノール、オイゲノール、２−プロペニルフェノール等）等を付加反応させることで、粗ポリオルガノシロキサンを得ることができる。また、特許第２６６２３１０号公報に記載の方法によれば、オクタメチルシクロテトラシロキサンとテトラメチルジシロキサンとを硫酸（酸性触媒）の存在下で反応させ、得られたα，ω−ジハイドロジェンオルガノポリシロキサンを上記と同様に、ヒドロシリル化反応用触媒の存在下にフェノール性化合物等を付加反応させることで、粗ポリオルガノシロキサンを得ることができる。なお、α，ω−ジハイドロジェンオルガノポリシロキサンは、その重合条件によりその鎖長ｎを適宜調整して用いることもできるし、市販のα，ω−ジハイドロジェンオルガノポリシロキサンを用いてもよい。

上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、遷移金属系触媒が挙げられるが、中でも反応速度及び選択性の点から白金系触媒が好ましく用いられる。白金系触媒の具体例としては、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金とビニル基含有シロキサンとの錯体、白金担持シリカ、白金担持活性炭等が挙げられる。

粗ポリオルガノシロキサンを吸着剤と接触させることにより、粗ポリオルガノシロキサン中に含まれる、上記ヒドロシリル化反応用触媒として使用された遷移金属系触媒に由来する遷移金属を、吸着剤に吸着させて除去することが好ましい。
吸着剤としては、例えば、１０００Å以下の平均細孔直径を有するものを用いることができる。平均細孔直径が１０００Å以下であれば、粗ポリオルガノシロキサン中の遷移金属を効率的に除去することができる。このような観点から、吸着剤の平均細孔直径は、好ましくは５００Å以下、より好ましくは２００Å以下、更に好ましくは１５０Å以下、より更に好ましくは１００Å以下である。また同様の観点から、吸着剤は多孔性吸着剤であることが好ましい。

吸着剤としては、上記の平均細孔直径を有するものであれば特に限定されないが、例えば活性白土、酸性白土、活性炭、合成ゼオライト、天然ゼオライト、活性アルミナ、シリカ、シリカ−マグネシア系吸着剤、珪藻土、セルロース等を用いることができ、活性白土、酸性白土、活性炭、合成ゼオライト、天然ゼオライト、活性アルミナ、シリカ及びシリカ−マグネシア系吸着剤からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。

粗ポリオルガノシロキサン中に含まれる遷移金属を吸着剤に吸着させた後、吸着剤は任意の分離手段によってポリオルガノシロキサンから分離することができる。ポリオルガノシロキサンから吸着剤を分離する手段としては、例えばフィルタや遠心分離等が挙げられる。フィルタを用いる場合は、メンブランフィルタ、焼結金属フィルタ、ガラス繊維フィルタ等のフィルタを用いることができるが、特にメンブランフィルタを用いることが好ましい。
遷移金属の吸着後に吸着剤をポリオルガノシロキサンから分離する観点から、吸着剤の平均粒子径は、通常１μｍ〜４ｍｍ、好ましくは１〜１００μｍである。

前記吸着剤を使用する場合には、その使用量は特に限定されない。粗ポリオルガノシロキサン１００質量部に対して、好ましくは１〜３０質量部、より好ましくは２〜２０質量部の範囲の量の多孔性吸着剤を使用することができる。

なお、処理する粗ポリオルガノシロキサンの分子量が高いために液体状態でない場合は、吸着剤による吸着及び吸着剤の分離を行う際に、ポリオルガノシロキサンが液体状態となるような温度に加熱してもよい。または、塩化メチレンやヘキサン等の溶剤に溶かして行ってもよい。

所望の分子量分布のポリオルガノシロキサンは、例えば、複数のポリオルガノシロキサンを配合することにより分子量分布を調節して得られる。配合は、複数のα，ω−ジハイドロジェンオルガノポリシロキサンを配合したあと、ヒドロシリル化反応用触媒の存在下にフェノール化合物等を付加反応させることで所望の分子量分布となる粗ポリオルガノシロキサンを得ることもできる。また、複数の粗ポリオルガノシロキサンを配合したのち、ヒドロシリル化反応触媒を除去させるなどの精製を行ってもよい。精製後の複数のポリオルガノシロキサンを配合してもよい。また、ポリオルガノシロキサン製造時の重合条件により適宜調整することもできる。また、既存のポリオルガノシロキサンから各種分離等の手段によって一部のみを分取することで得ることもできる。

＜ＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）の製造方法＞
本発明に用いるＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）を製造する方法としては、界面重合法（ホスゲン法）、ピリジン法、エステル交換法等の公知の製造方法を用いることができる。特に界面重合法の場合に、ＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）を含む有機相と未反応物や触媒残渣等を含む水相との分離工程が容易となり、アルカリ洗浄、酸洗浄、純水洗浄による各洗浄工程におけるＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）を含む有機相と水相との分離が容易となり、効率よくＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）が得られる。

ＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）の製造方法に特に制限はなく、公知のＰＣ−ＰＯＳ共重合体の製造方法、例えば、特開２０１０−２４１９４３号公報等に記載の方法を参照して製造することができる。
具体的には、予め製造されたポリカーボネートオリゴマーと、上記ポリオルガノシロキサンとを、非水溶性有機溶媒（塩化メチレン等）に溶解させ、二価フェノール系化合物（ビスフェノールＡ等）のアルカリ性化合物水溶液（水酸化ナトリウム水溶液等）を加え、重合触媒として第三級アミン（トリエチルアミン等）や第四級アンモニウム塩（トリメチルベンジルアンモニウムクロライド等）を用い、末端停止剤（ｐ−ｔ−ブチルフェノール等の１価フェノール）の存在下、界面重縮合反応させることにより製造できる。また、ＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）は、ポリオルガノシロキサンと、二価フェノールと、ホスゲン、炭酸エステル又はクロロホーメートとを共重合させることによっても製造できる。

本発明においては、上述した通り、ポリスチレンを換算基準としたＧＰＣ法による測定結果から得られる微分分子量分布曲線において、縦軸をｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）、横軸をｌｏｇ（Ｍ）（ｗは濃度分率、Ｍは分子量である）としたとき、（１）ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）の値が、３．４≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．０の範囲で最大となり、（２）上記微分分子量分布曲線において、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値が、ｌｏｇ（Ｍ）の全範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値に対して６〜４０％であるポリオルガノシロキサンを原料に用いる。具体的には、一般式（２）、（３）及び／又は（４）で表されるポリオルガノシロキサンを用いる。

ポリカーボネートオリゴマーは、塩化メチレン、クロロベンゼン、クロロホルム等の有機溶剤中で、二価フェノールとホスゲンやトリホスゲンのようなカーボネート前駆体との反応によって製造することができる。なお、エステル交換法を用いてポリカーボネートオリゴマーを製造する際には、二価フェノールとジフェニルカーボネートのようなカーボネート前駆体との反応によって製造することもできる。
二価フェノールとしては、下記一般式（ｉ）で表される二価フェノールを用いることが好ましい。

式中、Ｒ^１、Ｒ^２、ａ、ｂ及びＸは上述した通りである。

上記一般式（ｉ）で表される二価フェノールとしては、例えば、ビス（ヒドロキシアリール）アルカン類、ビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類、ジヒドロキシアリールエーテル類、ジヒドロキシジアリールスルフィド類、ジヒドロキシジアリールスルホキシド類、ジヒドロキシジアリールスルホン類、ジヒドロキシジフェニル類、ジヒドロキシジアリールフルオレン類、ジヒドロキシジアリールアダマンタン類等が挙げられる。これらの二価フェノールは、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。

ビス（ヒドロキシアリール）アルカン類としては、例えばビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン［ビスフェノールＡ］、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ナフチルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパン等が挙げられる。

ビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類としては、例えば１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，５，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ノルボルナン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロドデカン等が挙げられる。ジヒドロキシアリールエーテル類としては、例えば４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルフェニルエーテル等が挙げられる。

ジヒドロキシジアリールスルフィド類としては、例えば４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルフィド等が挙げられる。ジヒドロキシジアリールスルホキシド類としては、例えば４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルホキシド等が挙げられる。ジヒドロキシジアリールスルホン類としては、例えば４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルホン等が挙げられる。

ジヒドロキシジフェニル類としては、例えば４，４’−ジヒドロキシジフェニル等が挙げられる。ジヒドロキシジアリールフルオレン類としては、例えば９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン等が挙げられる。ジヒドロキシジアリールアダマンタン類としては、例えば１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチルアダマンタン等が挙げられる。

上記以外の二価フェノールとしては、例えば４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスフェノール、１０，１０−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−９−アントロン、１，５−ビス（４−ヒドロキシフェニルチオ）−２，３−ジオキサペンタン等が挙げられる。

上記二価フェノールは、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
これらの中でも、ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系二価フェノールが好ましく、ビスフェノールＡがより好ましい。二価フェノールとしてビスフェノールＡを用いた場合、前記一般式（ｉ）において、Ｘがイソプロピリデン基であり、且つａ＝ｂ＝０となる。

得られるＰＣ−ＰＯＳ共重合体の分子量を調整するために、末端停止剤を使用することができる。末端停止剤としては、例えば、フェノール、ｐ−クレゾール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、ｍ−ペンタデシルフェノール及びｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール等の一価フェノールを挙げることができる。これら一価フェノールは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記界面重縮合反応後、適宜静置して水相と有機溶媒相とに分離し［分離工程］、有機溶媒相を洗浄（好ましくは塩基性水溶液、酸性水溶液、水の順に洗浄）し［洗浄工程］、得られた有機相を濃縮［濃縮工程］、及び乾燥する［乾燥工程］ことによって、ＰＣ−ＰＯＳ共重合体を得ることができる。

本発明に用いられるＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）の粘度平均分子量は、使用される用途や製品により、適宜、目的の分子量となるように分子量調整剤等を用いることにより製造することができる。通常は、１２，０００〜４０，０００、好ましくは１５，０００〜３０，０００程度の範囲として製造される。粘度平均分子量が１２，０００以上であれば、成形体の強度が十分であり、４０，０００以下であれば、適切な温度領域での射出成形や押出成形が可能となるため、良好な透明性が得られる。
また、成形温度を上げることによりＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）の粘度を下げることも可能であるが、その場合、成形サイクルが長くなり経済性に劣るほか、温度を上げすぎるとＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）の熱劣化により透明性が低下する傾向がある。
なお、粘度平均分子量（Ｍｖ）は、２０℃における塩化メチレン溶液の極限粘度〔η〕を測定し、Ｓｃｈｎｅｌｌの式（〔η〕＝１．２３×１０^−５×Ｍｖ^０．８３）より算出した値である。

本発明のポリカーボネート系樹脂組成物におけるポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）の配合量は、１０〜９０質量％であり、１５〜８５質量％であることが好ましく、２０〜８０質量％であることがより好ましい。

［芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）］
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物に用いられるポリカーボネート系樹脂は、前記ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）以外の芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）を含む。

芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）の第１の態様としては、一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートブロック（Ａ'）及び下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）を含み、上記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）が、例えば、下記一般式（ｉｉ−Ｉ）〜（ｉｉ−ＩＩＩ）のいずれかで表され、かつ、平均鎖長が２０以上６０未満の芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２ａ）が挙げられる。芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２ａ）の平均鎖長は、好ましくは３０〜５０であり、より好ましくは３０〜４５である。ポリカーボネートブロック（Ａ'）中の一般式（Ｉ）及びその好ましい態様、及びポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）中の一般式（ＩＩ）及びその好ましい態様は、前記（Ｅ−１）と同じである。

芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）の第２の態様としては、一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートブロック（Ａ'）及び下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）を含み、上記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）が、例えば、下記一般式（ｉｉ−Ｉ）〜（ｉｉ−ＩＩＩ）のいずれかで表され、かつ、平均鎖長が６０以上５００以下の芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２ｂ）が挙げられる。上記芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２ｂ）の平均鎖長は、好ましくは７０〜２００であり、より好ましくは８０〜１５０である。ポリカーボネートブロック（Ａ'）中の一般式（Ｉ）及びその好ましい態様、及びポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）中の一般式（ＩＩ）及びその好ましい態様は、前記（Ｅ−１）と同じである。

［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。Ｘは、単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基、フルオレンジイル基、炭素数７〜１５のアリールアルキレン基、炭素数７〜１５のアリールアルキリデン基、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−又は−ＣＯ−を示す。Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を示す。ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。］

［式中、Ｒ^３〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を示し、複数のＲ^３〜Ｒ^６は、互いに同一であっても異なっていても良い。Ｙは−Ｒ^７Ｏ−、−Ｒ^７ＣＯＯ−、−Ｒ^７ＮＨ−、−Ｒ^７ＮＲ^８−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−Ｒ^７ＣＯＯ−Ｒ^９−Ｏ−、または−Ｒ^７Ｏ−Ｒ^１０−Ｏ−を示し、複数のＹは、互いに同一であっても異なっていても良い。前記Ｒ^７は、単結合、直鎖、分岐鎖若しくは環状アルキレン基、アリール置換アルキレン基、置換または無置換のアリーレン基、またはジアリーレン基を示す。Ｒ^８は、アルキル基、アルケニル基、アリール基、またはアラルキル基を示す。Ｒ^９は、ジアリーレン基を示す。Ｒ^１０は、直鎖、分岐鎖もしくは環状アルキレン基、又はジアリーレン基を示す。βは、ジイソシアネート化合物由来の２価の基、又はジカルボン酸若しくはジカルボン酸のハロゲン化物由来の２価の基を示す。ｐとｑはそれぞれ１以上の整数であり、ｐとｑの和はｎ−２である。ｎは、ポリオルガノシロキサンの平均鎖長を表す。］

上記Ｒ^３〜Ｒ^１０の好ましい態様は前記と同じである。また、芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２ａ）及び（Ｅ−２ｂ）の製造方法も前記（Ｅ−１）と同様である。但し、（Ｅ−２ａ）及び（Ｅ−２ｂ）中のポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ’）は、前述のＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）中のポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）が有する所定の分子量分布の要件を満たさないものである。

芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）の第３の態様としては、芳香族ホモポリカーボネート樹脂が挙げられる。具体的には、前記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し構造を有していないものであり、かつ主鎖が下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位である芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２ｃ）が挙げられる。上記芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２ｃ）としては、特に制限はなく種々の公知のポリカーボネート樹脂を使用できる。

［式中、Ｒ^９及びＲ^１０は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。Ｘ’は単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−又は−ＣＯ−を示す。ｄ及びｅは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。］

上記式（ＩＩＩ）中のＲ^９及びＲ^１０の具体例としては、前記Ｒ^１及びＲ^２と同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。Ｒ^９及びＲ^１０としては、より好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基である。Ｘ’の具体例としては、前記Ｘと同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。ｄ及びｅは、それぞれ独立に、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。

上記芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２ｃ）は、具体的には、反応に不活性な有機溶媒、アルカリ水溶液の存在下、二価フェノール系化合物及びホスゲンと反応させた後、第三級アミンもしくは第四級アンモニウム塩等の重合触媒を添加して重合させる界面重合法や、二価フェノール系化合物をピリジン又はピリジンと不活性溶媒の混合溶液に溶解し、ホスゲンを導入し直接製造するピリジン法等従来のポリカーボネートの製造法により得られるものを使用できる。
上記の反応に際し、必要に応じて、分子量調節剤（末端停止剤）、分岐化剤等が使用される。
なお、上記二価フェノール系化合物としては、下記一般式（ＩＩＩ’）で表されるものが挙げられる。

［式中、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｘ’、ｄ及びｅは前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。］

該二価フェノール系化合物の具体例としては、例えば、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〔ビスフェノールＡ〕、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン等のビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系二価フェノール、４，４'−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）オキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン等が挙げられる。
これらの中でも、ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系二価フェノールが好ましく、ビスフェノールＡがより好ましい。

上記芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

本発明のポリカーボネート系樹脂組成物における芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）の配合量は、１０〜９０質量％であり、１５〜８５質量％であることが好ましく、２０〜８０質量％であることがより好ましい。

前記ＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）及び芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）（以下、（Ｅ−１）及び（Ｅ−２）をまとめて「ポリカーボネート系樹脂」ともいう）中の、前記一般式（ＩＩ）で表わされる繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロックの含有量は、好ましくは０．５〜２０．０質量％、より好ましくは１．５〜１５．０質量％である。ポリオルガノシロキサンブロックの含有量が０．５質量％以上であると、十分な低温耐衝撃性が得られ、２０．０質量％以下であると、十分な耐熱性が得られる。
また上記ポリカーボネート系樹脂の粘度平均分子量は、好ましくは１２，０００〜４０，０００、より好ましくは１５，０００〜３０，０００である。当該粘度平均分子量が１２，０００以上であれば、成形体の強度が十分であり、４０，０００以下であれば、適切な温度領域での射出成形や押出成形が可能となるため、良好な透明性が得られる。

［その他の添加剤］
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の添加剤を含ませることができる。その他の添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤や離型剤、染料等を挙げることができる。これらの中でも、本発明のポリカーボネート系樹脂組成物は酸化防止剤を含むことが好ましい。ポリカーボネート系樹脂組成物に酸化防止剤が含まれることにより、ポリカーボネート系樹脂組成物の溶融時における酸化劣化を防止することができ、酸化劣化による着色等を防止することができる。酸化防止剤としては、リン系酸化防止剤及び／又はフェノール系酸化防止剤等が好適に用いられる。
リン系酸化防止剤としては、例えば、トリフェニルホスファイト、ジフェニルノニルホスファイト、ジフェニル（２−エチルヘキシル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、ジフェニルイソオクチルホスファイト、２，２’−メチレンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、ジフェニルモノ（トリデシル）ホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、フェニルジ（トリデシル）ホスファイト、トリス（２−エチルヘキシル）ホスファイト、トリス（イソデシル）ホスファイト、トリス（トリデシル）ホスファイト、ジブチルハイドロジェンホスファイト、トリラウリルトリチオホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスホナイト、４，４’−イソプロピリデンジフェノールドデシルホスファイト、４，４’−イソプロピリデンジフェノールトリデシルホスファイト、４，４’−イソプロピリデンジフェノールテトラデシルホスファイト、４，４’−イソプロピリデンジフェノールペンタデシルホスファイト、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェニル）ジトリデシルホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリル−ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルビスフェノールＡペンタエリスリトールジホスファイト、テトラフェニルジプロピレングリコールジホスファイト、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ジ−トリデシルホスファイト−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、３，４，５，６−ジベンゾ−１，２−オキサホスファン、トリフェニルホスフィン、ジフェニルブチルホスフィン、ジフェニルオクタデシルホスフィン、トリス−（ｐ−トリル）ホスフィン、トリス−（ｐ−ノニルフェニル）ホスフィン、トリス−（ナフチル）ホスフィン、ジフェニル−（ヒドロキシメチル）−ホスフィン、ジフェニル−（アセトキシメチル）−ホスフィン、ジフェニル−（β−エチルカルボキシエチル）−ホスフィン、トリス−（ｐ−クロロフェニル）ホスフィン、トリス−（ｐ−フルオロフェニル）ホスフィン、ジフェニルベンジルホスフィン、ジフェニル−β−シアノエチルホスフィン、ジフェニル−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−ホスフィン、ジフェニル−１，４−ジヒドロキシフェニル−２−ホスフィン、フェニルナフチルベンジルホスフィン等が挙げられる。

また、リン系酸化防止剤として、例えば、Ｉｒｇａｆｏｓ１６８（ＢＡＳＦジャパン（株）製、商標）、Ｉｒｇａｆｏｓ１２（ＢＡＳＦジャパン（株）製、商標）、Ｉｒｇａｆｏｓ３８（ＢＡＳＦジャパン（株）製、商標）、アデカスタブ２１１２（株式会社ＡＤＥＫＡ製、商標）、アデカスタブ Ｃ（株式会社ＡＤＥＫＡ製、商標）、アデカスタブ ３２９Ｋ（株式会社ＡＤＥＫＡ製、商標）、アデカスタブ ＰＥＰ３６（株式会社ＡＤＥＫＡ製、商標）、ＪＣ２６３（城北化学工業株式会社製、商標）、Ｓａｎｄｓｔａｂ Ｐ−ＥＰＱ（クラリアント社製、商標）、Ｗｅｓｔｏｎ ６１８（ＧＥ社製、商標）、Ｗｅｓｔｏｎ６１９Ｇ（ＧＥ社製、商標）及びＷｅｓｔｏｎ ６２４（ＧＥ社製、商標）等の市販品を挙げることができる。

フェノール系酸化防止剤としては、例えば、ｎ−オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕等のヒンダードフェノール類が挙げられる。
これら酸化防止剤の中では、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト等のペンタエリスリトールジホスファイト構造を持つものやトリフェニルホスフィンが好ましい。

フェノール系酸化防止剤としては、例えば、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０（ＢＡＳＦジャパン（株）製、商標）、Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（ＢＡＳＦジャパン（株）製、商標）、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０（ＢＡＳＦジャパン（株）製、商標）、Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４（ＢＡＳＦジャパン（株）製、商標）、Ｉｒｇａｎｏｘ３１２５（ＢＡＳＦジャパン（株）製、商標）、ＢＨＴ（武田薬品工業株式会社製、商標）、Ｃｙａｎｏｘ１７９０（サイアナミド社製、商標）及びＳｕｍｉｌｉｚｅｒＧＡ−８０（住友化学株式会社製、商標）等の市販品を挙げることができる。

前記酸化防止剤の含有量は、前記（Ｅ−１）及び（Ｅ−２）の合計量１００質量部に対して、０．００１〜０．５質量部程度であり、好ましくは０．０１〜０．３質量部、より好ましくは０．０５〜０．３質量部である。前記酸化防止剤の含有量が０．００１質量部以上であれば、十分な酸化防止効果が得られ、０．５質量部以下であれば、成形時に用いる金型汚れを十分に抑制できる。

本発明のポリカーボネート系樹脂組成物は、前記の各成分を上記割合で、更に必要に応じて用いられる各種任意成分を適当な割合で配合し、混練することにより得られる。
配合及び混練は、通常用いられている機器、例えば、リボンブレンダー、ドラムタンブラーなどで予備混合して、ヘンシェルミキサー、バンバリーミキサー、単軸スクリュー押出機、二軸スクリュー押出機、多軸スクリュー押出機及びコニーダ等を用いる方法で行うことができる。混練の際の加熱温度は、通常、２４０〜３２０℃の範囲で適宜選択される。この溶融混練成形としては、押出成形機、特に、ベント式の押出成形機の使用が好ましい。

［成形体］
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物は、上記の溶融混練成形機、又は、得られたペレットを原料として、射出成形法、射出圧縮成形法、押出成形法、ブロー成形法、プレス成形法、真空成形法及び発泡成形法等により各種成形体を製造することができる。特に、得られたペレットを用いて、射出成形及び射出圧縮成形による射出成形体の製造に好適に用いることができる。
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物からなる成形体は、例えば、
（１）テレビ、ラジオカセット、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、オーディオプレーヤー、ＤＶＤプレーヤー、エアコンディショナ、携帯電話、ディスプレイ、コンピュータ、レジスター、電卓、複写機、プリンター、ファクシミリ等の電気・電子機器用部品、
（２）上記（１）の電気・電子機器用の筐体等として好適に用いることができる。

次に、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの例により何ら限定されるものではない。なお、各例における特性値、評価結果は、以下の要領に従って求めた。

（１）ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）
ポリオルガノシロキサンのＧＰＣ測定は以下の条件で行った。
試験機器：ＴＯＳＯＨ ＨＬＣ ８２２０
カラム：ＴＯＳＯＨ ＴＳＫ−ＧＥＬ ＧＨＸＬ−Ｌ，Ｇ４０００ＨＸＬ，Ｇ２０００ＨＸＬ
溶媒：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍｌ／分
検出器：ＲＩ
注入濃度：０．１ｗ／ｖ％
注入量：０．１ｍｌ
検量線の作製には、東ソー株式会社製の標準ポリスチレンを用いた。

微分分子量分布曲線は、次のような方法で得ることが出来る。まず、ＲＩ検出計において検出される強度分布の時間曲線（溶出曲線）を、検量線を用いて分子量の対数値（ｌｏｇ（Ｍ））に対する分子量分布曲線とした。次に、分布曲線の全面積を１００％とした場合のｌｏｇ（Ｍ）に対する積分分子量分布曲線を得た後、この積分分子量分布曲線をｌｏｇ（Ｍ）で、微分することによってｌｏｇ（Ｍ）に対する微分分子量分布曲線を得ることが出来る。なお、微分分子量分布曲線を得るまでの一連の操作は、通常、ＧＰＣ測定装置に内蔵の解析ソフトウェアを用いて行うことが出来る。図１は、得られる微分分布曲線の一例を示すグラフであり、ｄｗ／ｌｏｇ（Ｍ）の値が最大値のｌｏｇ（Ｍ）の値及びｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）について、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲で積分した値を斜線部分で示したものである。

なお、ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体中のポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）又はポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ’）のＧＰＣ測定は以下の条件で行った。
得られたＰＣ−ＰＯＳ共重合体のフレーク４．３ｇにメチレンクロライドを２０ｍｌ加え、完全に溶解した。マグネチックスターラーで撹拌しながら、水酸化ナトリウムのメタノール溶液（４８質量％のＮａＯＨ水溶液とメタノールを容積比で１：９の割合で混合したもの）２０ｍｌを加え、３０分撹拌した。析出したＰＣ由来の固形分結晶を溶解するため、イオン交換水２５ｍｌを加え１分間攪拌後、静置することで有機層と水層に分離し有機層を得た。有機層に有機層の１５容積％の０．０３ｍｏｌ／ＬのＮａＯＨ水溶液を加え攪拌により洗浄後、静置分離し有機層を得る操作を二回実施した。得られた有機層に有機層の１５容積％の０．２ｍｏｌ／Ｌの塩酸を加え攪拌により洗浄後、静置分離し有機層を得た。次に、有機層を有機層の１５容積％の純水を加え攪拌により洗浄後、静置分離し有機層を得た。得られた有機層を乾燥機にて６０℃で１６時間乾燥した。得られたサンプルをＧＰＣにて測定した。ここで、得られるＧＰＣスペクトルにおいて、ポリスチレン換算分子量でｌｏｇ［Ｍ］２．０以上３．０未満に最大値を持つＰＣ由来の低分子量成分と、ｌｏｇ［Ｍ］３．０以上４．５未満に最大値を持つＰＯＳ成分であることが分かる。このＰＯＳのスペクトルについて確認することで、用いたポリオルガノシロキサンの分子量分布を確認することができる。

（２）ポリジメチルシロキサン鎖長及び含有量
ＮＭＲ測定によって、ポリジメチルシロキサンのメチル基の積分値比により算出した。
＜ポリジメチルシロキサンの鎖長の定量方法＞
^１Ｈ−ＮＭＲ測定条件
ＮＭＲ装置：株式会社ＪＥＯＬ ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製 ＥＣＡ５００
プローブ：５０ＴＨ５ＡＴ／ＦＧ２
観測範囲：−５〜１５ｐｐｍ
観測中心：５ｐｐｍ
パルス繰り返し時間：９秒
パルス幅：４５°
ＮＭＲ試料管：５φ
サンプル量： ４５〜５５ｍｇ
溶媒：重クロロホルム
測定温度：室温
積算回数：２５６回
アリルフェノール末端ポリジメチルシロキサンの場合
Ａ：δ−０．０２〜０．５付近に観測されるジメチルシロキサン部のメチル基の積分値
Ｂ：δ２．５０〜２．７５付近に観測されるアリルフェノールのベンジル位のメチレン基の積分値
ポリジメチルシロキサンの鎖長＝（Ａ／６）／（Ｂ／４）

＜ＰＣ−ＰＤＭＳ中のポリジメチルシロキサン含有量の定量方法＞
例）アリルフェノール末端ポリジメチルシロキサンを共重合したｐ−ｔ−ブチルフェノール（ＰＴＢＰ）末端ポリカーボネート中のポリジメチルシロキサン共重合量の定量方法にて定量した。
ＮＭＲ装置：株式会社ＪＥＯＬ ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製 ＥＣＡ−５００
プローブ：ＴＨ５ ５φＮＭＲ試料管対応
観測範囲：−５〜１５ｐｐｍ
観測中心：５ｐｐｍ
パルス繰り返し時間：９秒
パルス幅：４５°
積算回数：２５６回
ＮＭＲ試料管：５φ
溶媒：重クロロホルム
測定温度：室温
Ａ：δ１．５〜１．９付近に観測されるＢＰＡ部のメチル基の積分値
Ｂ：δ−０．０２〜０．３付近に観測されるジメチルシロキサン部のメチル基の積分値
Ｃ：δ１．２〜１．４付近に観測されるｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル部のブチル基の積分値
ａ＝Ａ／６
ｂ＝Ｂ／６
ｃ＝Ｃ／９
Ｔ＝ａ＋ｂ＋ｃ
ｆ＝ａ／Ｔ×１００
ｇ＝ｂ／Ｔ×１００
ｈ＝ｃ／Ｔ×１００
ＴＷ＝ｆ×２５４＋ｇ×７４．１＋ｈ×１４９
ＰＤＭＳ（ｗｔ％）＝ｇ×７４．１／ＴＷ×１００

（３）粘度平均分子量
粘度平均分子量（Ｍｖ）は、ウベローデ型粘度計を用いて、２０℃における塩化メチレン溶液の粘度を測定し、これより極限粘度［η］を求め、次式（Ｓｃｈｎｅｌｌ式）にて算出した。
［η］＝１．２３×１０^−５×Ｍｖ^０．８３

＜ポリカーボネートオリゴマーの製造＞
５．６質量％の水酸化ナトリウム水溶液に、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）（後から溶解する）に対して２０００ｐｐｍの亜二チオン酸ナトリウムを加えた。これにＢＰＡ濃度が１３．５質量％となるようにＢＰＡを溶解し、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液を調製した。このＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液を４０Ｌ／ｈｒ、塩化メチレンを１５Ｌ／ｈｒ、及びホスゲンを４．０ｋｇ／ｈｒの流量で内径６ｍｍ、管長３０ｍの管型反応器に連続的に通した。管型反応器はジャケット部分を有しており、ジャケットに冷却水を通して反応液の温度を４０℃以下に保った。管型反応器を出た反応液を、後退翼を備えた内容積４０Ｌのバッフル付き槽型反応器へ連続的に導入し、ここにさらにＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液を２．８Ｌ／ｈｒ、２５質量％の水酸化ナトリウム水溶液を０．０７Ｌ／ｈｒ、水を１７Ｌ／ｈｒ、１質量％のトリエチルアミン水溶液を０．６４Ｌ／ｈｒの流量で添加して反応を行なった。槽型反応器から溢れ出る反応液を連続的に抜き出し、静置することで水相を分離除去し、塩化メチレン相を採取した。
このようにして得られたポリカーボネートオリゴマーは濃度３３０ｇ／Ｌ、クロロホーメート基濃度０．７１ｍｏｌ／Ｌであった。

＜ＰＣ−ＰＯＳ共重合体（Ｅ−１）の製造＞
製造例１（ＳｉＰＣ−ａ１の製造）
邪魔板、パドル型攪拌翼及び冷却用ジャケットを備えた５０Ｌ槽型反応器に上記の通り製造したポリカーボネートオリゴマー溶液１３．５Ｌ、塩化メチレン１１．４Ｌ、及び平均鎖長ｎ＝６４、ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）が最大値となるｌｏｇ（Ｍ）が３．７、ｌｏｇ（Ｍ）４．００〜４．５０の範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値がｌｏｇ（Ｍ）の全範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値に対して（以下、実施例においてはｌｏｇ（Ｍ）４．００〜４．５０の割合と呼ぶことがある）１５．０％であるアリルフェノール末端変性ポリジメチルシロキサン（以下、ポリジメチルシロキサンをＰＤＭＳと呼ぶことがある）３５０ｇを塩化メチレン８００ｍｌに溶解したもの、ならびに、トリエチルアミン７．９ｍＬを仕込み、攪拌下でここに６．４質量％の水酸化ナトリウム水溶液１２８４ｇを加え、２０分間ポリカーボネートオリゴマーとアリルフェノール末端変性ＰＤＭＳの反応を行った。なお、ここで用いたアリルフェノール末端変性ＰＤＭＳは、平均鎖長ｎ＝３４、ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）が最大値となるｌｏｇ（Ｍ）が３．６、ｌｏｇ（Ｍ）４．００〜４．５０の割合が５．６％のアリルフェノール末端変性ＰＤＭＳと、平均鎖長ｎ＝９２、ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）が最大値となるｌｏｇ（Ｍ）が４．１、ｌｏｇ（Ｍ）４．００〜４．５０の割合が３４．８％のアリルフェノール末端変性ＰＤＭＳとを質量比５：５で配合したものである。
この重合液に、ｐ−ｔ−ブチルフェノール（ＰＴＢＰ）の塩化メチレン溶液（ＰＴＢＰ１２８．１ｇを塩化メチレン１．３Ｌに溶解したもの）、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ５６７ｇと亜二チオン酸ナトリウム１．９ｇとを水８．３Ｌに溶解した水溶液にＢＰＡ９９７ｇを溶解させたもの）を添加し４０分間重合反応を実施した。
希釈のため塩化メチレン１０Ｌを加え２０分間攪拌した後、ＰＣ−ＰＤＭＳを含む有機相と過剰のＢＰＡ及びＮａＯＨを含む水相に分離し、有機相を単離した。
こうして得られたＰＣ−ＰＤＭＳの塩化メチレン溶液を、その溶液に対して、１５容積％の０．０３ｍｏｌ／ＬＮａＯＨ水溶液、０．２Ｎ塩酸で順次洗浄し、次いで洗浄後の水相中の電気伝導度が０．０１μＳ／ｍ以下になるまで純水で洗浄を繰り返した。
洗浄により得られたポリカーボネートの塩化メチレン溶液を濃縮・粉砕し、得られたフレークを減圧下１２０℃で乾燥した。ＰＤＭＳ濃度は６．０質量％、ＩＳＯ１６２８−４（１９９９）に準拠して測定した粘度数は４７．７、粘度平均分子量Ｍｖ＝１７，８００であった。このようにして、ＰＣ−ＰＤＭＳ（Ｅ−１）として、ＳｉＰＣ−ａ１を得た。

＜芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２ａ）の製造＞
製造例２（ＳｉＰＣ−ｂ１の製造）
製造例１において用いたアリルフェノール末端変性ＰＤＭＳを、平均鎖長ｎ＝３４、ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）が最大値を取るときのｌｏｇ（Ｍ）が３．６、ｌｏｇ（Ｍ）４．００〜４．５０の割合が５．６％のアリルフェノール末端変性ＰＤＭＳに変えた以外は製造例１と同様に行って、ＰＣ−ＰＯＳ共重合体（ＳｉＰＣ−ｂ１）のフレークを得た。得られたフレークのＰＤＭＳ量は６．０質量％、ＩＳＯ１６２８−４（１９９９）に準拠して測定した粘度数は４７．３、粘度平均分子量は１７，５００であった。

＜芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２ｂ）の製造＞
製造例３（ＳｉＰＣ−ｃ１の製造）
製造例１において用いたアリルフェノール末端変性ＰＤＭＳを、平均鎖長ｎ＝９２、ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）が最大値を取るときのｌｏｇ（Ｍ）が４．１、ｌｏｇ（Ｍ）４．００〜４．５０の割合が３４．８％のアリルフェノール末端変性ＰＤＭＳを３５０ｇに変えた以外は製造例１と同様に行って、ＰＣ−ＰＯＳ共重合体（ＳｉＰＣ−ｃ１）のフレークを得た。得られたフレークのＰＤＭＳ量は６．０質量％、ＩＳＯ１６２８−４（１９９９）に準拠して測定した粘度数は４７．４、粘度平均分子量は１７，７００であった。

＜芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２ｃ）＞
ＰＣ−１：芳香族ホモポリカーボネート樹脂［出光興産株式会社製、タフロンＦＮ１７００（商品名）、粘度平均分子量＝１７，７００］

実施例１〜５及び比較例１〜７
製造例１〜３で得られたＰＣ−ＰＯＳ共重合体、及びその他の各成分を表１及び表２に示す配合割合（単位；質量部）で混合し、ベント式二軸押出機（東芝機械株式会社製、ＴＥＭ３５Ｂ）に供給し、スクリュー回転数１５０ｒｐｍ、吐出量２０ｋｇ／ｈｒ、樹脂温度２９５〜３００℃にて溶融混練し、評価用ペレットサンプルを得た。この評価用ペレットサンプルを１２０℃で８時間乾燥させた後、射出成形機（日精樹脂工業株式会社製、ＮＥＸ１１０、スクリュー径３６ｍｍΦ）を用いて、シリンダー温度２８０℃、金型温度８０℃にて、射出成形してＩｚｏｄ試験を行うための試験片（６３×１３×３．２ｍｍ試験片２個）を作成した。さらに乾燥した評価用ペレットサンプルを射出成形機（株式会社ニイガタマシンテクノ製、ＭＤ５０ＸＢ、スクリュー径３０ｍｍφ）を用いて透明性の評価試験を行うための試験片（３段プレート９０ｍｍ×５０ｍｍ、３ｍｍ厚部分４５ｍｍ×５０ｍｍ、２ｍｍ厚部分２２．５ｍｍ×５０ｍｍ、１ｍｍ厚部分２２．５ｍｍ×５０ｍｍ）を作成した。また、その他の各成分について、以下に示す。各成分と評価試験結果について、表１及び表２に示す。

［評価試験］
＜全光線透過率（Ｔｔ）及びヘイズ値＞
前記３段プレートの３ｍｍ厚部分について、全光線透過率についてはＩＳＯ１３４６８に基づいて３回測定し、ヘイズ値についてはＩＳＯ１４７８２に基づいて３回測定し、それぞれその平均を求めた。

＜アイゾット（Ｉｚｏｄ）衝撃強度＞
ＡＳＴＭ規格Ｄ−２５６に準拠して、測定温度−４０℃におけるノッチ付きアイゾット衝撃強度を測定した。その判断基準として−４０℃で４０ｋＪ／ｍ^２以上であれば、低温での耐衝撃性が優れていることを示すものである。

＜その他の成分＞
酸化防止剤：「ＩＲＧＡＦＯＳ１６８（商品名）」［トリス（２，４−ジ−t−ブチルフェニル）ホスファイト、ＢＡＳＦジャパン株式会社製］

表１から明らかなように、実施例１〜５のポリカーボネート系樹脂組成物から得られた成形体は、透明性及び耐衝撃性が共に優れ、特に低温下での耐衝撃性に優れていることが示されている。
一方、比較例１〜７で示されているように、ポリオルガノシロキサンの分子量分布が制御された特定のポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体と芳香族ポリカーボネート樹脂とを組み合わせたポリカーボネート系樹脂組成物を用いない場合には、透明性及び低温での耐衝撃性を両立する成形体とはならないことが示されている。具体的には、実施例１〜５と同程度の低温下での耐衝撃性を示す比較例１〜３，７では透明性が劣り、実施例１〜５と同程度の透明性を示す比較例４〜６では低温での耐衝撃性が劣る結果となった。

本発明で得られるポリカーボネート系樹脂組成物は、透明性及び低温耐衝撃性に優れるため、電気及び電子機器用部品、照明器具内外装部品、車両内外装部品、食品トレーや食器に好適に用いることができる。

Claims (14)

1. ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）を１０〜９０質量％、ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）以外の芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）を１０〜９０質量％含み、
   前記ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）が、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートブロック（Ａ）及び下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）を有し、
   前記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）の、ポリスチレンを換算基準としたゲル浸透クロマトグラフ法による測定から得られる、横軸が分子量Ｍの対数値ｌｏｇ（Ｍ）であり、縦軸が濃度分率ｗを分子量の対数値ｌｏｇ（Ｍ）で微分したｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）である微分分子量分布曲線において、
   （１）ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）の値が、３．４≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．０の範囲で最大となり、
   （２）前記微分分子量分布曲線において、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値が、ｌｏｇ（Ｍ）の全範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値に対して６〜４０％であることを特徴とする、ポリカーボネート系樹脂組成物。
   
   ［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。Ｘは、単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基、フルオレンジイル基、炭素数７〜１５のアリールアルキレン基、炭素数７〜１５のアリールアルキリデン基、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−又は−ＣＯ−を示す。Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を示す。ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。］
2. ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）を１０〜９０質量％、ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）以外の芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）を１０〜９０質量％含み、
   前記ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）が、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートブロック（Ａ）及び下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）を有し、
   ポリスチレンを換算基準としたゲル浸透クロマトグラフ法による測定から得られる、横軸が分子量Ｍの対数値ｌｏｇ（Ｍ）であり、縦軸が濃度分率ｗを分子量の対数値ｌｏｇ（Ｍ）で微分したｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）である微分分子量分布曲線において、
   （１）ｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）の値が、３．４≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．０の範囲で最大となり、
   （２）前記微分分子量分布曲線において、４．００≦ｌｏｇ（Ｍ）≦４．５０の範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値が、ｌｏｇ（Ｍ）の全範囲でｄｗ／ｄｌｏｇ（Ｍ）値を積分した値に対して６〜４０％であるポリオルガノシロキサンを原料に用いることを特徴とする、ポリカーボネート系樹脂組成物。
   
   ［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。Ｘは、単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基、フルオレンジイル基、炭素数７〜１５のアリールアルキレン基、炭素数７〜１５のアリールアルキリデン基、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−又は−ＣＯ−を示す。Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を示す。ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。］
3. 前記芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）が芳香族ホモポリカーボネート樹脂を含む、請求項１又は２に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
4. 前記芳香族ポリカーボネート樹脂（Ｅ−２）が前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートブロック（Ａ'）及び前記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）を有するポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
5. 前記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）の平均鎖長が２０以上６０未満である、請求項４に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
6. 前記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ'）の平均鎖長が６０以上５００以下である、請求項４に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
7. 前記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）の平均鎖長が３０以上８５以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
8. 前記ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）中の前記ポリオルガノシロキサンブロック（Ｂ）の含有量が０．５〜２０．０質量％である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
9. 前記ポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体（Ｅ−１）の粘度平均分子量が１２，０００〜４０，０００である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
10. 前記一般式（Ｉ）におけるａ及びｂが０であり、Ｘが単結合または炭素数２〜８のアルキリデン基である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
11. 前記一般式（Ｉ）におけるａ及びｂが０であり、Ｘが炭素数３のアルキリデン基である、請求項１０に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
12. 前記一般式（ＩＩ）におけるＲ^３及びＲ^４がメチル基である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載のポリカーボネート系樹脂組成物を成形してなる成形体。
14. 電気及び電子機器用部品である、請求項１３に記載の成形体。