JPWO2016142995A1 - レーザ装置及び極端紫外光生成システム - Google Patents

Abstract

レーザ装置は、マスタオシレータと、複数の増幅器と、レーザ光路を逆行する光を検出する光センサ装置と、制御部と、を含んでもよい。光センサ装置は、レーザ光路を逆行する光のエネルギを検出する第１光センサと、レーザ光路を逆行する光のパワーを検出する第２光センサと、を含んでもよい。制御部は、エネルギ検出信号の強度が第１閾値を超えた場合、戻り光が発生していると判定してもよい。制御部は、パワー検出信号の強度が第２閾値を超えた場合、自励発振光が発生していると判定してもよい。

Description

本開示は、レーザ装置及び極端紫外光生成システムに関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

特開２０００−６８５７８号 特公昭４６−１９２７０号 特開２０１１−１４５４７号 特開２００８−４２０４８号 特開２０１２−１４７０２２号 特開２０１３−２０７２９８号

概要

本開示の一例は、レーザ光路上を進行するレーザ光を出力するマスタオシレータと、前記レーザ光路上において、前記マスタオシレータから出力されたレーザ光を増幅する複数の増幅器と、前記レーザ光路を逆行する光のエネルギを検出する第１光センサと、前記レーザ光路を逆行する光のパワーを検出する第２光センサと、を含む光センサ装置と、前記第１光センサのエネルギ検出信号と前記第２光センサのパワー検出信号とを受信し、前記エネルギ検出信号及び前記パワー検出信号の強度を監視し、前記エネルギ検出信号の強度が第１閾値を超えた場合に戻り光が発生していると判定し、前記パワー検出信号の強度が第２閾値を超えた場合に自励発振光が発生していると判定し、前記戻り光及び前記自励発振光についての判定結果をメモリに格納する、制御部と、を備えたレーザ装置であってもよい。

本開示の他の例は、レーザ光路上を進行するレーザ光を出力するマスタオシレータと、前記レーザ光路上において、前記マスタオシレータから出力されたレーザ光を増幅する複数の増幅器と、前記レーザ光路を逆行する光を検出する光センサ装置と、前記光センサ装置からの検出信号の強度が第１閾値を超えた時間が０より長く第２閾値以下の場合に戻り光が発生していると判定し、前記光センサ装置からの検出信号の強度が第３閾値を超えた時間が前記第２閾値以上の第４閾値より長い場合に自励発振光が発生していると判定し、前記戻り光及び前記自励発振光についての判定結果をメモリに格納する、制御部と、を備えたレーザ装置であってもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ＥＵＶ光生成システムの構成例の詳細を示す。 図３は発散角の定義を示す。 図４Ａは、パルスレーザ光の焦点をターゲット位置に設定した場合の戻り光の状態を示す。 図４Ｂは、パルスレーザ光の焦点をターゲット位置より上流側に設定した場合の戻り光の状態を示す。 図４Ｃは、パルスレーザ光の焦点をターゲット位置より下流側に設定した場合の戻り光の状態を示す。 図５Ａは、戻り光の時間波形を模式的に示す。 図５Ｂは、自励発振光の時間波形を模式的に示す。 図６は、実施形態１における、ＥＵＶ光生成システムの構成例を示す。 図７は、実施形態１における、レーザ制御部による戻り光及び自励発振光の有無の判定方法の一例を説明するグラフを示す。 図８は、実施形態１における、レーザ制御部による戻り光及び自励発振光の検出並びに対応動作のフローチャートを示す。 図９は、実施形態１における、フォーカス調整の詳細のフローチャートを示す。 図１０は、実施形態２における、ＥＵＶ光生成システムの構成例を示す。 図１１Ａは、実施形態２における、レーザ光路を逆行する光のエネルギを反映した検出信号１の例を示す。 図１１Ｂは、実施形態２における、レーザ光路を逆行する光のパワーを反映した検出信号２の例を示す。 図１２は、実施形態２における、レーザ制御部による戻り光及び自励発振光の検出並びに対応動作のフローチャートを示す。 図１３は、実施形態２における、フォーカス調整の詳細のフローチャートを示す。 図１４は、光アイソレータの構成例を示す。 図１５は、パルスレーザ光の光強度の時間変化と、高電圧電源からポッケルスセルに印加される制御電圧の時間変化との関係を示す。 図１６Ａは、ビーム調節器の構成例を示す。 図１６Ｂは、図１６Ａに示すビーム調節器の状態から、移動プレートを軸外放物面凹面ミラーから離した状態を示す。 図１６Ｃは、図１６Ａに示すビーム調節器の状態から、移動プレートを軸外放物面凹面ミラーに近づけた状態を示す。 図１７は、制御部の構成例を示す。

実施形態

内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
構成
動作
３．ＥＵＶ光生成システムの詳細
構成
動作
課題
４．実施形態１
構成
動作
効果
５．実施形態２
構成
動作
効果
６．構成要素の説明
６．１ 光アイソレータ
構成
動作
６．２ ビーム調節器
構成
動作
６．３ 制御部
構成
動作
接続機器

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムは、レーザ装置が出力するパルスレーザ光を、ターゲットに照射することで、ＥＵＶ光を生成し得る。ＥＵＶ光の出力向上のため、レーザ光も高出力化することが求められ得る。レーザ装置は、マスタオシレータと、増幅器とを含んでもよい。

レーザ光を高出力化する場合、増幅器を高ゲイン化して増幅率を向上させ得る。しかし、これに伴って、ターゲットによるレーザ光の反射光（戻り光）も強くなり得る。さらに、戻り光はレーザ光路を逆行し、増幅器によって増幅されより強い戻り光となり得る。強い戻り光がレーザ光路を逆行する過程で、レーザ光路上の光学素子を破損させ得る。

一方、レーザ装置が複数の増幅器を備える場合、自励発振光が発生し得る。自励発振光はマスタオシレータ側及び／又はターゲット側に進行し得る。自励発振光は、レーザ光路において予期しない集光状態となり、集光された光学素子を破損させ得る。

本開示における一例は、レーザ光路を逆行する光の検出信号の時間変化を解析し、検出信号に戻り光又は自励発振光による波形が含まれているか否か判定してもよい。これにより、戻り光及び自励発振光の発生に応じた適切な対応が実行され得る。

２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
＜構成＞
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いてもよい（ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６（例えばドロップレット発生器）を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えばチャンバ２の壁に取り付けられてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウインドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点、及び第２の焦点を有する。

ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ発生位置（プラズマ生成領域２５）又はその近傍に位置し、その第２の焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられてもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５を含んでもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置の少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。

更に、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１を設けてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置してもよい。

更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するターゲット回収部２８などを含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定する光学素子と、この光学素子の位置または姿勢を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

＜動作＞
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経てパルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力してもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。レーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が生成される。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されるとともに集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５はターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミングの制御及びターゲット２７の出力方向の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、及びパルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。

３．ＥＵＶ光生成システムの詳細
＜構成＞
図２は、ＥＵＶ光生成システム１１の構成例の詳細を示す。図２に示されるように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａ、ＥＵＶ集光ミラー２３、ターゲット回収部２８、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１、プレート８２、８３、レーザ光マニュピレータ８４、及びダンパミラー４６が設けられてもよい。

チャンバ２には、プレート８２が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してプレート８２に固定されてもよい。レーザ光集光光学系２２ａは、凸面ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２を含んでもよい。凸面ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２によって反射されたパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５で集光されるように、これらのミラーの位置及び姿勢が保持されてもよい。ターゲット回収部２８は、ターゲット２７の軌道の延長線上に配置されてもよい。

レーザ光集光光学系２２ａは、プレート８３上に配置されてもよい。プレート８３は、レーザ光マニュピレータ８４を介してプレート８２に接続されてもよい。プレート８３は移動プレートであってよい。 レーザ光マニュピレータ８４は、プレート８３をプレート８２に対して移動することでパルスレーザ光の集光位置を、ＥＵＶ光生成制御部５から指定された位置にＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向において移動できるように構成されてもよい。

ダンパミラー４６は、プラズマ生成領域２５の下流におけるレーザ光路上に配置され、プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光をビームダンプ装置４７に向けて反射するように構成されていてもよい。ダンパミラー４６は、入射するパルスレーザ光を平行光化して反射してもよく、軸外放物面ミラーであってもよい。ダンパミラー４６は、その反射面をターゲット物質の融点以上に加熱するヒータを備えてもよい。

チャンバ２には、ビームダンプ装置４７が取り付けられてもよい。ビームダンプ装置４７は、ダンパミラー４６で反射されたパルスレーザ光が入射する位置に配置されてもよい。ビームダンプ装置４７は、チャンバ２に取り付けられ、ダンパミラー４６で反射されたパルスレーザ光が入射するダンパウインドウを、含んでもよい。

チャンバ２には、ターゲット供給部２６が取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６は、ターゲットの材料を溶融した状態で内部に貯蔵してもよい。ターゲット供給部２６に形成されたノズル孔の位置がチャンバ２の内部に位置していてもよい。ターゲット供給部２６は、ノズル孔を介して、溶融したターゲットの材料をドロップレット状のターゲット２７としてチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給してもよい。本開示において、ターゲット２７をドロップレット２７とも呼ぶ。

チャンバ２の外部には、レーザ装置３、ビームデリバリシステムであるレーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、が設けられてもよい。レーザ装置３は、マスタオシレータ（ＭＯ）３１０と、複数の増幅器（ＰＡ）３１１〜３１４と、光アイソレータ３１５と、レーザ制御部３１６と、ビーム調節器３１７とを含んでよい。レーザ装置３はさらに、レーザ光路上に高反射ミラー３１８の他、不図示の光学素子を含んでもよい。

これらの光学素子は、レーザ光を伝送及び／又は整形するように構成されてよい。マスタオシレータ３１０と増幅器３１１〜３１４とは、主発振器出力増幅器（ＭＯＰＡ）を構成してよい。増幅器３１１〜３１４は、マスタオシレータ３１０が出力するレーザ光路上に配置されてよい。

増幅器３１１〜３１４は、それぞれ、ＰＡ電源３２１〜３２４に接続されてもよい。ＰＡ電源３２１〜３２４は、レーザ制御部３１６に接続され、レーザ制御部３１６はＥＵＶ光生成制御部５に接続されてよい。

光アイソレータ３１５は、マスタオシレータ３１０から増幅器３１１までのレーザ光路に配置され、レーザ制御部からの指示によってレーザ光の透過（開）と遮断（閉）を行うように構成されてよい。光アイソレータ３１５の詳細は、図１４及び１５を参照して後述する。高反射ミラー３１８は、光アイソレータ３１５から増幅器３１１までのレーザ光路に配置されてもよい。

ビーム調節器３１７は、レーザ光進行方向制御部３４からレーザ光集光光学系２２ａに至るレーザ光路に配置され、レーザ制御部３１６からの指示によってレーザ光の発散角を調節するように構成されてよい。ビーム調節器３１７の詳細は、図１６Ａ〜１６Ｃを参照して後述する。

レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ装置３が出力するパルスレーザ光を、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに導いてもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４２及び高反射ミラー３４４を備えてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６からの制御信号を受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６からの制御信号に従って、ターゲット供給部２６と、レーザ装置３と、レーザ光マニュピレータ８４とを制御してもよい。

＜動作＞
ＥＵＶ光生成制御部５からのターゲット出力信号ＴＴに従って、ターゲット供給部２６は、所定速度及び所定周波数で、プラズマ生成領域２５にドロップレット状のターゲット２７を供給してもよい。例えば、ターゲット供給部２６は、数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚにおける所定周波数で、ドロップレットを生成してもよい。

ターゲットセンサ４は、所定領域を通過するターゲット２７を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の検出信号として通過タイミング信号ＰＴをＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６から、バースト信号ＢＴを受信してもよい。バースト信号ＢＴは、所定期間においてＥＵＶ光を生成すべきことをＥＵＶ光生成システム１１に指示する信号であってもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、当該所定期間において、ＥＵＶ光を露光装置６に出力するための制御を行ってもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、バースト信号ＢＴがＯＮの期間において、レーザ装置３が通過タイミング信号ＰＴに応じてパルスレーザ光を出力するように制御してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、バースト信号ＢＴがＯＦＦの期間において、レーザ装置３がパルスレーザ光の出力を停止するように制御してもよい。

例えば、ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６から受信したバースト信号ＢＴと、通過タイミング信号ＰＴに対して所定の時間遅延させた発光トリガ信号ＥＴとを、レーザ装置３に出力してもよい。バースト信号ＢＴがＯＮである間、レーザ装置３は、発光トリガ信号ＥＴに応答して、パルスレーザ光を出力してもよい。

レーザ制御部３１６は、発光トリガ信号ＥＴが入力されると、マスタオシレータ３１０にレーザ出力信号ＬＯを出力し得る。これに先立って、レーザ制御部３１６は、ＰＡ電源３２１〜３２４をＯＮとしてもよい。これによりＰＡ電源３２１〜３２４は、増幅器３１１〜３１４のそれぞれの内部電極に電圧または電流を供給し増幅器３１１〜３１４のそれぞれを増幅可能な状態としてもよい。

マスタオシレータ３１０はレーザ出力信号ＬＯに同期してパルスレーザ光を出力し得る。レーザ出力信号ＬＯに同期して、レーザ制御部３１６は、光アイソレータ３１５を開いてもよい。出力されたパルスレーザ光は、増幅器３１１〜３１４によって増幅され、レーザ光進行方向制御部３４を経由して、ビーム調節器３１７に入射し得る。ビーム調節器３１７は、入射したパルスレーザ光の発散角を調節して出力してもよい。ビーム調節器３１７から出力されたパルスレーザ光は、ウインドウ２１を通過した後、チャンバ２に入射し得る。レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光は数ｋＷ〜数十ｋＷに達し得る。

ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光マニュピレータ８４によってパルスレーザ光の照射位置を調整してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、通過タイミング信号ＰＴと発光トリガ信号ＥＴとの間の遅延時間を変更してもよい。

パルスレーザ光は、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７に、レーザ光集光光学系２２ａによって集光照射され、ＥＵＶ光を生成し得る。パルスレーザ光の照射径はターゲット２７の径より大きくてもよく、パルスレーザ光の一部はターゲット２７に照射されず、ダンパミラー４６に入射してもよい。

ダンパミラー４６によって反射されたパルスレーザ光は、ビームダンプ装置４７で吸収され熱に変換されてもよい。この際発生する熱は、図示しない冷却装置によって外部に排出されてもよい。

ターゲット２７にパルスレーザ光が照射されないことがある。例えばレーザ装置３の出力安定化や光路調整のため、パルスーザ光は出力させ続ける一方、ターゲット２７を供給しない又は遅延時間を変更して意図的に照射を避けることがある。このような場合、パルスレーザ光はターゲット２７に照射されずに、出力を維持したままダンパミラー４６に入射し得る。

＜課題＞
図３は発散角の定義を示す。図３において、レーザ光軸４１８と平行に進行するパルスレーザ光４０１Ａを、発散角θ＝０の平行光と定義する。レーザ光軸４１８に対して広がる方向に進行するパルスレーザ光４０１Ｃを、プラス発散角のパルスレーザ光と定義する。レーザ光軸４１８に対して狭まる方向に進行するパルスレーザ光４０１Ｂを、マイナス発散角のパルスレーザ光と定義する。なお、発散角θは半角で定義する。

図４Ａ〜図４Ｃは、ターゲット２７における照射パルスレーザ光の集光状態による戻り光の状態を示す。図４Ａ〜図４Ｃにおいて、実線矢印は照射パルスレーザ光を示し、破線矢印は戻り光を示す。ビーム調節器３１７に入射するパルスレーザ光は平行光とする。

図４Ａは、パルスレーザ光の焦点４１３Ａをターゲット位置に設定した場合の戻り光の状態を示す。パルスレーザ光の焦点４１３Ａがターゲット位置に位置する状態を、ベストフォーカス状態とも呼ぶ。ビーム調節器３１７から出力されるパルスレーザ光４１１Ａは、平行光であってもよい。ターゲット２７はプラズマ化する前に表面反射によってパルスレーザ光を反射し得る。ターゲット２７で反射されたパルスレーザ光は、戻り光となり得る。

パルスレーザ光の焦点をターゲット位置に設定した場合、戻り光は照射パルスレーザ光の光路をほぼ逆行し得る。ビーム調節器３１７へ入射する戻り光４１２Ａは、平行光であり得る。さらに、戻り光は、上流側のパルスレーザ光の光路を構成する光学素子に入射し、光学素子を破損させ得る。特にレーザ装置３がマスタオシレータ３１０と複数の増幅器３１４を備えたＭＯＰＡ構成の場合、上流側に行くほど光学素子のレーザ耐性は低くなり得る。この場合、増幅後の高出力レーザ光の一部である戻り光は、レーザ耐性の低い光学素子を破損させ得る。

図４Ｂは、パルスレーザ光の焦点４１３Ｂをターゲット位置より上流側に設定した場合の戻り光の状態を示す。パルスレーザ光の焦点４１３Ｂがターゲット位置より上流側に位置する状態を、手前フォーカス状態とも呼ぶ。ビーム調節器３１７から出力されるパルスレーザ光４１１Ｂは、マイナス発散角のパルスレーザ光であり得る。ターゲット２７はプラズマ化する前に表面反射によってパルスレーザ光を反射し得る。ターゲット２７で反射されたパルスレーザ光は、戻り光となり得る。

ビーム調節器３１７へ入射する戻り光４１２Ｂは、マイナス発散角のパルスレーザ光であり得る。マイナス発散角の戻り光は、上流側のパルスレーザ光の光路の途中で集光され得る。例えば戻り光は、レーザ光進行方向制御部３４の光学素子の表面付近に集光されると、光学素子を破損させ得る。また、光学素子表面以外の空間で集光された場合でも、その後発散し、光学素子を保持する不図示のホルダ等が加熱され得る。加熱されたホルダの熱変形により、光学素子のアライメント（角度や位置）がずれ得る。

図４Ａ及び４Ｂの状態では、レーザ光集光光学系２２ａからマスタオシレータ３１０に至るレーザ光路を戻り光が逆行し得る。図５Ａは、戻り光の時間波形を模式的に示す。戻り光はパルス光であり、戻り光の時間波形はターゲットへのレーザ照射に同期したピークを持ち得る。

図４Ｃは、パルスレーザ光の焦点４１３Ｃをターゲット位置より下流側に設定した場合の戻り光の状態を示す。パルスレーザ光の焦点４１３Ｃが、ターゲット位置より下流側に位置する状態を、デフォーカス状態とも呼ぶ。ビーム調節器３１７から出力されるパルスレーザ光４１１Ｃは、プラス発散角のパルスレーザ光であり得る。ターゲット２７はプラズマ化する前に表面反射によってパルスレーザ光を反射し得る。ターゲット２７で反射されたパルスレーザ光は、戻り光となり得る。

ビーム調節器３１７へ入射する戻り光４１２Ｃは、プラス発散角のレーザ光であり得る。プラス発散角の戻り光は、拡散しながらパルスレーザ光の光路を逆行し、その過程でエネルギ密度が低下し得る。このため、上流側のレーザ光路を構成する光学素子が破損する可能性が非常に低くなり得る。

以上のように、ターゲット位置とパルスレーザ光の焦点との状態によって、戻り光による光学素子損傷やアライメントずれが生じ得る。

一方、レーザ装置３が複数の増幅器３１１〜３１４を備える場合、自励発振光が発生し得る。自励発振光は、増幅可能な状態にある増幅器が発する自然放出光（ＡＳＥ）が、同じく増幅可能な状態にある他の増幅器によって増幅されて発生し得る。

通常、レーザ装置３は自励発振光を生じないよう設計・調整され得る。しかし、光学素子の光学面損傷や、光学面への異物の付着がある場合、これらによる反射光が他の増幅器で増幅されて自励発振に至り得る。また、自励発振光は、レーザ光路内の光学素子のアライメントが初期調整時からずれることによっても生じ得る。

自励発振光はマスタオシレータ側及び／又はターゲット側に進行し得る。自励発振光は、レーザ光路において予期しない集光状態となり得、集光された光学素子を破損させ得る。図５Ｂは、自励発振光の時間波形を模式的に示す。自励発振光の時間波形は、特定現象に起因したピークを特定できない不規則な波形であり、戻り光のパルス波形と比較して持続的な波形となり得る。

以上のように、自励発振光は光学素子損傷やアライメントずれによって発生し得る。自励発振光が発生すると、光学素子はさらに大きな損傷を受け得る。したがって、レーザ装置３は、大きなダメージを被り得る。また、上述のように、光学素子損傷やアライメントずれは戻り光によって生じ得る。従って、戻り光によって自励発振が誘発され、レーザ装置３に大きな損傷をもたらし得る。

レーザ装置３に対しては、パルスレーザ光を高出力化する要求があり得る。レーザ装置３は、初期調整時、図４Ｃの状態にアライメントされてもよい。しかし、パルスレーザ光が高出力化して光学素子への入熱が増大すると、光学素子が熱変形し、熱レンズ効果等によって、図４Ａや図４Ｂの状態になり得る。その結果、戻り光が発生し得る。また、高出力化されたパルスレーザ光の戻り光も高出力のため、レーザ光路上の光学素子が破損しやすくなり得る。

さらに、パルスレーザ光を高出力化するために増幅器を高ゲイン化して増幅率を向上させてもよい。増幅器を高ゲイン化すると、ＡＳＥが増加し、自励発振しやすくなり得る。このため、パルスレーザ光を高出力化すると、戻り光や自励発振光によって光学素子が破損し、レーザ装置３が故障しやすく又はレーザ装置３の性能が低下しやすくなり得る。

４．実施形態１
＜構成＞
図６を参照して実施形態１におけるＥＵＶ光生成システム１１の構成を説明する。図２の構成との相違点を主に説明する。レーザ装置３は、ビームスプリッタ３２７と、光センサ３２８と、表示装置３３５とを備えてもよい。

ビームスプリッタ３２７は、高反射ミラー３１８に替えて配置してよい。ビームスプリッタ３２７は、入射した光の一部を反射し一部を透過させるように構成されてもよい。光センサ３２８は、レーザ光路を逆行してビームスプリッタ３２７を透過した光を受光するよう配置されてよい。本実施形態において、レーザ光路を逆行する光を検出する光センサ装置は、一つの光センサ３２８で構成されてもよい。

レーザ光路を逆行した光には、戻り光及び自励発振光が含まれ得る。ビームスプリッタ３２７と光センサ３２８との間に、不図示の光学系を配置してもよい。光学系はコリメート光学系や集光光学系であってもよい。光センサ３２８は、レーザ制御部３１６にレーザ光路を逆行した光の時間波形を出力してもよい。レーザ光路を逆行した光の時間波形を、検出信号と呼称してもよい。

マスタオシレータ３１０と増幅器３１１との間のビームスプリッタ３２７が分離した光を受光する光センサ３２８は、戻り光及び増幅器３１１〜３１４のいずれの増幅器からの自励発振光も検出し得る。なお、ビームスプリッタ３２７は、レーザ光路上の他の位置にあってもよい。

表示装置３３５は、レーザ制御部３１６から送信される情報をオペレータに表示してもよい。表示装置３３５はディスプレイを含んでよく、ディスプレイを備えたコンピュータであってもよい。ビーム調節器３１７は、レーザ制御部３１６に接続され、レーザ制御部３１６によって制御されてもよい。

＜動作＞
ビームスプリッタ３２７は、光アイソレータ３１５を介してマスタオシレータ３１０から入射したパルスレーザ光を、増幅器３１１に向けて反射してもよい。ビームスプリッタ３２７は、レーザ光路を逆行した光を透過させ、光センサ３２８に入射させてもよい。ビームスプリッタ３２７は、レーザ光路を逆行した光の一部を抽出して光センサ３２８に導くように構成されてもよい。

レーザ制御部３１６は、光センサ３２８からの検出信号を取り込んでもよい。レーザ制御部３１６は、光センサ３２８が出力した検出信号に基づいて、レーザ光路を逆行した光に、光学素子に有害な戻り光又は自励発振光が含まれているか否か、すなわち、戻り光及び自励発振光の有無を判定してもよい。レーザ制御部３１６は、検出信号の強度の時間変化に基づいて、戻り光及び自励発振光の有無を判定してもよい。光センサ３２８は、例えば、受光した光のエネルギ又はパワーに応じた検出信号を出力してもよい。検出信号は、例えば電圧値であってもよい。

レーザ制御部３１６は、閾値を超える値の持続時間が長い検出信号波形を検出すると、自励発振光が生成されていると判定してもよい。さらに、レーザ制御部３１６は、閾値を超える値のパルス状の検出信号波形を検出すると、戻り光が生成されていると判定してもよい。

図７は、レーザ制御部３１６による戻り光及び自励発振光の有無の判定方法の一例を説明するグラフを示す。図７は、光センサ３２８の異なる二つの検出信号ＤＳ＿１及びＤＳ＿２を示す。検出信号ＤＳ＿１は、戻り光の検出信号の例を示す。検出信号ＤＳ＿２は、自励発振光の検出信号の例を示す。レーザ制御部３１６には、検出信号の強度閾値Ｉｃが設定されていてもよい。さらに、時間閾値Ｔｃが設定されていてもよい。

検出信号ＤＳ＿１において、時間Ｔ＿１の間、信号強度は強度閾値Ｉｃを超えている。一方、検出信号ＤＳ＿２において、時間Ｔ＿２の間、信号強度は強度閾値Ｉｃを超えている。時間Ｔ＿１は、時間閾値Ｔｃよりも短く、時間Ｔ＿２は、時間閾値Ｔｃよりも長い。

レーザ制御部３１６は、検出信号の強度が強度閾値Ｉｃを超えた時間Ｔを計測し、時間Ｔと時間閾値Ｔｃとを比較して、戻り光及び自励発振光の有無を判定してもよい。時間Ｔが時間閾値Ｔｃを超える場合、レーザ制御部３１６は、自励発振光が発生していると判定してもよい。時間Ｔが時間閾値Ｔｃ以下である場合、レーザ制御部３１６は、戻り光が発生していると判定してもよい。

図８は、レーザ制御部３１６による戻り光及び自励発振光の検出並びに対応動作のフローチャートを示す。レーザ制御部３１６は、光センサ３２８が出力した検出信号の取り込みを開始してもよい（Ｓ１０１）。

レーザ制御部３１６は、検出信号が強度閾値Ｉｃを超えたか否かを判定してもよい（Ｓ１０２）。強度閾値Ｉｃは、レーザ装置３に含まれる光学素子のダメージ閾値に基づいて予め設定されていてもよい。レーザ制御部３１６は、レーザ装置３の運転条件（出力エネルギ、繰り返し、Ｄｕｔｙ等）によって異なる強度閾値Ｉｃを保持していてもよい。検出信号が強度閾値Ｉｃを超えた場合（Ｓ１０２：ＹＥＳ）、レーザ制御部３１６は、検出信号の強度が、強度閾値Ｉｃを超えた時間Ｔを計測してもよい（Ｓ１０３）。一方、検出信号が強度閾値Ｉｃ以下である場合、Ｓ１０２を実行してもよい。

レーザ制御部３１６は、時間Ｔが時間閾値Ｔｃを超えたか否か判定してもよい（Ｓ１０４）。レーザ制御部３１６は、時間Ｔと時間閾値Ｔｃとを比較して、戻り光と自励発振光のいずれを検出したのかを判定してもよい。時間Ｔが時間閾値Ｔｃを超えた場合、レーザ制御部３１６は、自励発振光を検出したと判定してもよい。時間Ｔが時間閾値Ｔｃ以下である場合、レーザ制御部３１６は、戻り光を検出したと判定してもよい。

レーザ制御部３１６は、戻り光が検出されたか自励発振光が検出されたかによって、その後の処理を選択してもよい。具体的には、自励発振光が検出された場合（Ｓ１０４：Ｙ）、レーザ制御部３１６は、レーザ装置３を停止した後、検出結果のログの格納、及び表示装置３３５を介したオペレータへの情報提示を行い、処理を終了してもよい。

具体的には、レーザ制御部３１６は、マスタオシレータ３１０を停止し、光アイソレータ３１５を閉じ、さらに、ＰＡ電源３２１〜３２４による増幅器３１１〜３１４の放電を停止してもよい（Ｓ１０５）。レーザ制御部３１６は、さらに、ＥＵＶ光生成制御部５に、レーザ装置３の停止を通知してもよい（Ｓ１０６）。ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６にレーザ装置３の停止を通知してもよい。

レーザ制御部３１６は、自励発振光の検出結果をログテーブルに出力し、格納してもよい（Ｓ１０７）。ログテーブルは、レーザ制御部３１６における動作のログを日時と関連付けて格納してもよい。ログテーブルは、図１７を参照して後述するストレージメモリ１００５に格納されていてもよい。レーザ制御部３１６は、レーザ装置３の停止の情報を、ログテーブルに格納してもよい。

レーザ制御部３１６は、表示装置３３５に対して、以下の内容の情報を出力してもよい（Ｓ１０８）。（１）自励発振を検出したこと、（２）レーザ装置３を停止したこと、（３）オペレータによるレーザ装置３の損傷確認及びレーザ光路のアライメント確認が必要なこと。表示装置３３５は、当該項目の情報を表示してもよい。

上記表示により、オペレータはレーザ装置３の損傷確認及びレーザ光路のアライメント確認等を実施する契機を取得し得る。なお、閾値Ｉｃ、Ｔｃは、ネットワークを介した通信、記憶媒体の接続、又はコンソールを介した入力によって、レーザ制御部３１６のストレージメモリ１００５に予め格納されていてもよい。

戻り光が検出された場合（Ｓ１０４：Ｎ）、レーザ制御部３１６は、一旦レーザ光出力を停止し、検出結果のログの格納及び表示装置３３５を介したオペレータへの情報提示を行った後、フォーカス調整を行ってもよい。

具体的には、レーザ制御部３１６は、マスタオシレータ３１０を停止し、さらに光アイソレータ３１５を閉じてもよい（Ｓ１０９）。レーザ制御部３１６は、ＰＡ電源３２１〜３２４からの電力供給を停止することなく、増幅器３１１〜３１４を動作させ続けてもよい。これにより、後述するフォーカス調整Ｓ１１３の時間を短縮し得る。ＰＡ電源３２１〜３２４からの電力供給は、停止されてもよい。

レーザ制御部３１６は、さらに、ＥＵＶ光生成制御部５に、レーザ光出力の停止を通知してもよい（Ｓ１１０）。ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６にレーザ光出力の停止を通知してもよい。

レーザ制御部３１６は、戻り光の検出結果をログテーブルに出力し、格納してもよい（Ｓ１１１）。レーザ制御部３１６は、レーザ光出力の停止の情報を、ログテーブルに格納してもよい。

レーザ制御部３１６は、表示装置３３５に対して、以下の内容の情報を出力してもよい（Ｓ１１２）。（１）戻り光を検出したこと、（２）レーザ出力を停止したこと、（３）フォーカス調整を行うこと、（４）フォーカス調整時、間欠的にレーザ光を出力すること。表示装置３３５は、当該項目の情報を表示してもよい。

レーザ制御部３１６は、フォーカス調整を実施してもよい（Ｓ１１３）。フォーカス調整Ｓ１１３の詳細は、図９を参照して後述する。

フォーカス調整中又はフォーカス調整後に、ＥＵＶ光生成制御部５からレーザ光出力の再開信号を受信すると、レーザ制御部３１６は、レーザ光出力を再開してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５からレーザ光出力の再開信号を受信しない場合、レーザ制御部３１６は、本処理を終了してもよい。

図９は、フォーカス調整Ｓ１１３の詳細のフローチャートを示す。レーザ制御部３１６は、フォーカス調整Ｓ１１３において、レーザ光の発散角を所定量だけプラス発散角とする操作を、戻り光が検出されなくなるまで繰り返してもよい。この時の所定量は実験等によって決定された値でもよい。

具体的には、レーザ制御部３１６は、ビーム調節器３１７から出力されるレーザ光を、所定量だけプラス発散角となるよう、ビーム調節器３１７を調整してもよい（Ｓ２０１）。さらに、レーザ制御部３１６は、所定時間だけ、マスタオシレータ３１０からパルスレーザ光を出力させ、光アイソレータ３１５を開いてもよい（Ｓ２０２）。所定時間は、時間閾値Ｔｃよりも十分長い時間でよく、実験等で決定されてもよい。

レーザ制御部３１６は、光センサ３２８から検出信号を受信し、検出信号の強度が、強度閾値Ｉｃを超えたか否か判定してもよい（Ｓ２０３）。検出信号の強度が強度閾値Ｉｃを超えたと判定された場合（Ｓ２０３：Ｙ）、レーザ制御部３１６は、マスタオシレータ３１０を停止し、さらに、光アイソレータ３１５を閉じた後（Ｓ２０４）、ステップＳ２０１に戻ってもよい。

ステップＳ２０３において検出信号の強度が強度閾値Ｉｃを超えていないと判定された場合（Ｓ２０３：Ｎ）、レーザ制御部３１６は、マスタオシレータ３１０を停止し、さらに、光アイソレータ３１５を閉じてもよい（Ｓ２０５）。さらに、レーザ制御部３１６は、ＥＵＶ光生成制御部５にレーザ光出力が再開可能であることを通知してもよい（Ｓ２０６）。ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光出力が再開可能であることを露光装置６に通知してもよい。

レーザ制御部３１６は、表示装置３３５に対して、以下の内容の情報を出力してもよい（Ｓ２０７）。（１）フォーカス調整の結果、戻り光が検出されなくなったこと、（２）レーザ光出力が再開可能なこと、（３）フォーカス調整量。表示装置３３５は、当該項目の情報を表示してもよい。レーザ制御部３１６は、フォーカス調整の結果をログテーブルに格納してもよい。

＜効果＞
本実施形態は、一つの光センサの検出信号において、レーザ光路を逆行した光が、光学素子に損傷を与える可能性のある戻り光であるか、自励発振光であるかを、適切に判定し得る。本実施形態は、レーザ光路を逆行した光が光学素子に損傷を与える可能性のある光かどうか判定して適切に対応し得るので、光学素子の損傷を抑制し得る。本実施形態は、レーザ光路を逆行した光を戻り光と判定した場合、フォーカス調整を行って戻り光を低減し得る。このため、高出力化に伴い光学素子の熱レンズ効果が大きくなっても、光学素子の損傷を抑制し得る。

本実施形態は、レーザ光路を逆行した光を自励発振光と判定した場合、即座にレーザ装置３を停止し得る。これにより、オペレータが、光学素子の損傷確認及びアライメント確認等の契機を取得し得る。

高出力化に伴って増幅器を高ゲイン化した場合、戻り光によって生じた光学素子のわずかな損傷によっても自励発振が生じることが多くなり得る。本実施形態は、戻り光と区別して自励発振を検知することで、高出力化した場合に、より早期に光学素子の損傷を検出し得る。以上により、レーザ装置３からのパルスレーザ光を高出力化することに伴う、戻り光及び自励発振光による光学素子の損傷を抑制し、レーザ装置３を安定して稼働させ得る。

なお、レーザ制御部３１６は、戻り光と自励発振光を検出するために、異なる強度閾値及び／又は異なる時間閾値を使用してもよい。例えば、自励発振光検出ための強度閾値は戻り光検出のため強度閾値より小さくてもよい。自励発振光検出のための時間閾値は、戻り光検出のための時間閾値以上であってもよい。

レーザ光路を逆行する光を検出する光センサ装置は、ゲインが異なる同種類の光センサを含んでもよい。レーザ制御部３１６は、ゲインが異なる同種類の光センサからの検出信号を受信し、一方の光センサの検出信号において戻り光を検出し、他方の光センサの検出信号において自励発振光を検出してもよい。本実施形態において説明したレーザ装置３は、ＥＵＶ光生成システム１１とは異なるシステムにも適用し得る。例えば、アニール用レーザ装置や加工用レーザ装置にも適用し得る。この点は、実施形態２において同様であってよい。

５．実施形態２
＜構成＞
図１０を参照して実施形態２におけるＥＵＶ光生成システム１１の構成を説明する。図６の構成との相違点を主に説明する。レーザ装置３は、ビームスプリッタ３２７、３２９と、光センサ３３１、３３２とを備えてもよい。光センサ３３１、３３２は、レーザ制御部３１６に接続され、レーザ制御部３１６に制御されてもよい。

レーザ光マニュピレータ８４は、レーザ制御部３１６に接続され、レーザ制御部３１６に制御されてもよい。レーザ光マニュピレータ８４は、３軸ステージであってもよい。レーザ光マニュピレータ８４は、レーザ制御部３１６の指示に基づいて、レーザ光集光光学系２２ａをＸＹＺの各軸に沿って移動してもよい。

ビームスプリッタ３２９は、ビームスプリッタ３２７を透過した光の一部を光センサ３３１に向けて透過させ、他の一部を光センサ３３２に向けて反射するように構成されてもよい。ビームスプリッタ３２９の反射率は、５０％より大きくするようにしてもよい。本実施形態において、レーザ光路を逆行する光を検出する光センサ装置は、二つの光センサ３３１、３３２を含んで構成されてよい。光センサ３３１、３３２は、レーザ光路上の異なる位置で抽出された光を受光してもよい。例えば、光センサ３３２が受光する光のレーザ光路上の抽出位置は、光センサ３３１が受光する光のレーザ光路上の分離位置よりも、下流であってもよい。

光センサ３３１は、エネルギセンサであってもよい。光センサ３３１は、レーザ光路を逆行した光のパルスエネルギを反映した検出信号１をレーザ制御部３１６に出力してもよい。例えば、光センサ３３１は、ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ式センサ又はＭＣＴ（Ｍｅｒｃｕｒｙ Ｃａｄｍｉｕｍ Ｔｅｌｌｕ）式センサでもよい。ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ式センサは、センサ素子中の電子に光エネルギを吸収させ、光起電力効果によって直接的に電気エネルギに変換するセンサである。ＭＣＴ式光センサは、赤外線入射によって抵抗値が減少するセンサである。

ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ式センサ又はＭＣＴ式センサは、入射した光のパルスエネルギを反映した電圧値又は電流値を出力し得る。パルスエネルギは、ピークパワーをパルス幅で除算した値（Ｊ）であってもよい。ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ式又はＭＣＴ式のセンサは、応答速度が速く、比較的短時間にパルス光として入射する戻り光をパルス毎に検出し得る。応答速度は、数ｎＳ以下であってもよい。

ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ式センサ又はＭＣＴ式センサは、センサの温度変化による感度特性変化が大きく、感度特性変化は、３％／ｄｅｇ以下であり得る。このため、ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ式センサ又はＭＣＴ式センサは、センサへの入熱が比較的大きく変動する自励発振光よりも、パルス光である戻り光を精度良く検出し得る。

光センサ３３２は、パワーメータであってもよい。パワーメータの応答速度は、エネルギセンサの応答速度よりも遅くなり得る。光センサ３３２は、レーザ光路を逆行した光のパワーを反映した検出信号２を、レーザ制御部３１６に出力してもよい。光センサ３３２は、サーモパイル式のセンサであってもよい。サーモパイル式センサは、多数の熱電対の接点を集中させ、直列に接続したセンサであり、熱起電力によって動作し得る。

サーモパイル式センサは、入射した光のパワーを反映した電圧値又は電流値を出力し得る。入射光のパワーは、単位時間当たりの平均出力（Ｗ）であってもよい。サーモパイル式センサは、応答速度が遅く、その値は数十ｍＳであり得る。そのため、サーモパイル式センサは、比較的短時間のパルス光として入射する戻り光よりも、自励発振光をより正確に検出し得る。

サーモパイル式センサにおいて、センサの温度変化による感度特性変化が非常に小さく、感度特性変化は、０．１％／ｄｅｇ程度であり得る。このため、サーモパイル式センサは、センサへの入熱が比較的大きく変動する自励発振光を比較的精度良く検出し得る。

＜動作＞
ビームスプリッタ３２７は、光アイソレータ３１５を介してマスタオシレータ３１０から入射したパルスレーザ光を、増幅器３１１に向けて反射してもよい。ビームスプリッタ３２７は、レーザ光路を逆行した光を透過させ、ビームスプリッタ３２９に入射させてもよい。

ビームスプリッタ３２９は、ビームスプリッタ３２７を透過した光を光センサ３３１及び光センサ３３２に入射させてもよい。ビームスプリッタ３２７の反射率が５０％より大きく構成されている場合、パワーメータである光センサ３３２への入射光量は、エネルギセンサである光センサ３３１への入射光量よりも多くなり得る。光センサ３３１、３３２は、それぞれ、検出信号１、２を、レーザ制御部３１６に出力してもよい。

図１１Ａ、１１Ｂは、それぞれ、検出信号１、２の例を示す。検出信号１、２は、例えば電圧信号であってもよい。レーザ制御部３１６は、検出信号１に基づいて、レーザ光路を逆行した光にレーザ装置３に有害な戻り光が含まれているか否か判定してもよい。さらに、レーザ制御部３１６は、検出信号２に基づいて、レーザ光路を逆行した光に、光学素子に有害な自励発振光が含まれているか否か判定してもよい。

図１１Ａに示すように、レーザ制御部３１６は、検出信号１が閾値Ｅｃを超えたか否かを判定してもよい。レーザ制御部３１６は、検出信号１が閾値Ｅｃを超えた場合、戻り光を検出したと判定してもよい。

図１１Ｂに示すように、レーザ制御部３１６は、検出信号２が閾値Ｐｃを超えたか否かを判定してもよい。レーザ制御部３１６は、検出信号２が閾値Ｐｃを超えた場合、自励発振光を検出したと判定してもよい。

図１２は、レーザ制御部３１６による戻り光及び自励発振光の検出並びに対応動作のフローチャートを示す。レーザ制御部３１６は、光センサ３３１、３３２が出力した検出信号１、２の取り込みを開始してもよい（Ｓ３０１）。

レーザ制御部３１６は、光センサ３３２からの検出信号２の強度が、閾値Ｐｃを超えたか否かを判定してもよい（Ｓ３０２）。閾値Ｐｃは、所定のパワーを反映した電圧値であってもよい。閾値Ｐｃは、レーザ装置３に含まれる光学素子の損傷閾値に基づいて予め設定されていてもよい。レーザ制御部３１６は、レーザ装置３の運転条件（出力エネルギ、繰り返し、Ｄｕｔｙ等）によって異なる閾値Ｐｃを保持していてもよい。

検出信号２の強度が閾値Ｐｃを超えた場合（Ｓ３０２：Ｙ）、レーザ制御部３１６は、自励発振光が検出されたと判定し、対応する処理Ｓ３０３〜Ｓ３０６を実行してもよい。ステップＳ３０３〜Ｓ３０６は、実施形態１で説明した図８のフローチャートにおけるステップＳ１０５〜Ｓ１０８と同様でよい。

検出信号２の強度が閾値Ｐｃ以下である場合（Ｓ３０２：Ｎ）、レーザ制御部３１６は、光センサ３３１からの検出信号１の強度が、閾値Ｅｃを超えたか否かを判定してもよい（Ｓ３０７）。閾値Ｅｃは、所定のエネルギを反映した電圧値であってもよい。閾値Ｅｃは、レーザ装置３に含まれる光学素子の損傷閾値に基づいて予め設定されていてもよい。レーザ制御部３１６は、レーザ装置３の運転条件（出力エネルギ、繰り返し、Ｄｕｔｙ等）によって異なる閾値Ｅｃを保持していてもよい。

検出信号１の強度が閾値Ｅｃを超えた場合（Ｓ３０７：Ｙ）、レーザ制御部３１６は、戻り光が検出されたと判定し、対応する処理Ｓ３０８〜Ｓ３１４を実行してもよい。ステップＳ３０８〜Ｓ３１４は、実施形態１で説明した図８のフローチャートにおけるステップＳ１０９〜Ｓ１１５と同様でよい。

なお、閾値Ｅｃ、Ｐｃは、ネットワークを介した通信、記憶媒体の接続、又はコンソールを介した入力によって、レーザ制御部３１６のストレージメモリ１００５に予め格納されていてもよい。

レーザ制御部３１６は、フォーカス調整Ｓ３１２において、実施形態１におけるフォーカス調整Ｓ１１３と異なる方法を採用してもよい。レーザ制御部３１６は、レーザ光マニュピレータ８４を使用して、フォーカス調整を実行してもよい。図１３は、本実施形態に係るフォーカス調整Ｓ３１２の詳細のフローチャートを示す。

レーザ制御部３１６は、レーザ光マニュピレータ８４によってレーザ光集光光学系２２ａを所定量だけ、＋Ｚ方向に移動してもよい（Ｓ４０１）。次に、レーザ制御部３１６は、所定時間だけ、マスタオシレータ３１０からパルスレーザ光を出力させ、光アイソレータ３１５を開いてもよい（Ｓ４０２）。所定時間は、実験等で決定されてもよい。

レーザ制御部３１６は、光センサ３３１から検出信号１を受信し、検出信号１の強度が、閾値Ｅｃを超えたか否か判定してもよい（Ｓ４０３）。検出信号１の強度が閾値Ｅｃを超えたと判定された場合（Ｓ４０３：Ｙ）、レーザ制御部３１６は、マスタオシレータ３１０を停止し、さらに、光アイソレータ３１５を閉じた後（Ｓ４０４）、ステップＳ４０１に戻ってもよい。

ステップＳ４０３において検出信号１の強度が閾値Ｅｃを超えていないと判定された場合（Ｓ４０３：Ｎ）、レーザ制御部３１６は、マスタオシレータ３１０を停止し、さらに、光アイソレータ３１５を閉じてもよい（Ｓ４０５）。さらに、レーザ制御部３１６は、ＥＵＶ光生成制御部５にレーザ光出力が再開可能であることを通知してもよい（Ｓ４０６）。ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光出力が再開可能であることを露光装置６に通知してもよい。

レーザ制御部３１６は、表示装置３３５に対して、以下の内容の情報を出力してもよい（Ｓ４０７）。（１）フォーカス調整の結果、戻り光が検出されなくなったこと、（２）レーザ光出力が再開可能なこと、（３）フォーカス調整量。表示装置３３５は、当該項目の情報を表示してもよい。レーザ制御部３１６は、フォーカス調整の結果をログテーブルに格納してもよい。
なお、フォーカス調整Ｓ３１２は、実施形態１におけるフォーカス調整Ｓ１１３と異なる方法として説明したが、同様な方法であってもよい。

＜効果＞
本実施形態は、二つの特性の異なる光センサからの検出信号によって、レーザ光路を逆行した光が、光学素子に損傷を与える可能性のある戻り光であるか、自励発振光であるか適切に判定し得る。本実施形態は、レーザ光路を逆行した光が光学素子に損傷を与える可能性のある光かどうか判定して適切に対応し得るので、光学素子の損傷を抑制し得る。本実施形態は、レーザ光路を逆行した光を戻り光と判定した場合、フォーカス調整を行って戻り光を低減し得る。このため、高出力化に伴い光学素子の熱レンズ効果が大きくなっても、光学素子の損傷を抑制し得る。

本実施形態は、レーザ光路を逆行した光を自励発振光と判定した場合、即座にレーザ装置３を停止し得る。これにより、オペレータが、光学素子の損傷確認及びアライメント確認等の契機を取得し得る。

高出力化に伴って増幅器を高ゲイン化した場合、戻り光によって生じた光学素子のわずかな損傷によっても自励発振が生じることが多くなり得る。本実施形態は、戻り光と区別して自励発振を検知することで、高出力化した場合に、より早期に光学素子の損傷を検出し得る。以上により、レーザ装置３からのパルスレーザ光を高出力化することに伴う、戻り光及び自励発振光による光学素子の損傷を抑制し、レーザ装置３を安定して稼働させ得る。

６．構成要素の説明
６．１ 光アイソレータ
＜構成＞
図１４は、光アイソレータ３１５の構成例を示す。光アイソレータ３１５は、ポッケルスセル５０１、第１偏光子５０２、第２偏光子５０３、及び高電圧電源５０４を含んでもよい。ポッケルスセル５０１は、ＥＯポッケルスセル又はＡＯポッケルスセルであってもよい。

第１偏光子５０２は、ポッケルスセル５０１の入力側の光路に配置されていてもよい。第２偏光子５０３は、ポッケルスセル５０１の出力側の光路に配置されていてもよい。高電圧電源５０４は、ポッケルスセル５０１の制御電圧を出力してもよい。高電圧電源５０４は、レーザ制御部３１６から、制御信号を受信してもよい。

高電圧電源５０４は、制御信号がＯＮである場合に０Ｖとは異なる所定の電圧を生成し、その電圧をポッケルスセル５０１に印加してもよい。高電圧電源５０４は、制御信号がＯＦＦである場合に、ポッケルスセル５０１に約０Ｖの電圧を印加してもよい。

図１５は、パルスレーザ光の光強度の時間変化と、高電圧電源５０４からポッケルスセル５０１に印加される制御電圧の時間変化との関係を示す。レーザ制御部３１６は、マスタオシレータ３１０から出力されたパルスレーザ光がポッケルスセル５０１を透過するタイミングに同期して、高電圧電源５０４からポッケルスセル５０１に所定の電圧を印加してもよい。

所定の電圧の印加時間は、透過するパルスレーザ光のパルス幅よりも長くてもよい。パルス幅は、例えば２０ｎｓであり、所定の電圧印加時間は、例えば１００ｎｓであってもよい。光アイソレータ３１５の上記制御により、光アイソレータ３１５の開／閉をパルスレーザ光に同期して切り替え得る。

＜動作＞
光アイソレータ３１５に入射するパルスレーザ光は、Ｚ方向に進んでもよい。パルスレーザ光は、偏光方向がＹ方向の直線偏光であってもよい。第１偏光子５０２は、偏光方向がＹ方向の直線偏光であるパルスレーザ光を高い透過率で透過させ、偏光方向がＸ方向の直線偏光を入射光路と異なる方向に反射してもよい。

ポッケルスセル５０１は、所定の電圧が印加されている時に、パルスレーザ光の偏光方向を９０度回転させて透過させてもよい。ポッケルスセル５０１は、約０Ｖの電圧が印加されているときに、パルスレーザ光の偏光方向を変えずに透過させてもよい。

第２偏光子５０３は、パルスレーザ光における偏光方向がＸ方向の直線偏光を透過させ、偏光方向がＹ方向の直線偏光をパルスレーザ光の光路と異なる方向に反射してもよい。すなわち、第２偏光子５０３は、制御電圧が所定の電圧である場合に、ポッケルスセル５０１によって偏光方向が回転させられたパルスレーザ光を透過させてもよい。第２偏光子５０３は、制御電圧が約０Vである場合に、ポッケルスセル５０１によって偏光方向が回転させられなかったパルスレーザ光を入射光路と異なる方向に反射してもよい。

このように、光アイソレータ３１５は、ポッケルスセル５０１に所定の電圧が印加されている場合は上流及び下流からの光を高透過し、所定の電圧が印加されず印加電圧が約０Ｖのとき、上流及び下流からの双方向の光の透過を抑制し、光アイソレータとしての機能を示し得る。

６．２ ビーム調節器
＜構成＞
図１６Ａは、ビーム調節器３１７の構成例を示す。ビーム調節器３１７は、２つの軸外放物面凹面ミラー６３１、６３４と２つの軸外放物面凸面ミラー６３２、６３３とを含んでもよい。パルスレーザ光の光路上において、軸外放物面凹面ミラー６３１、軸外放物面凸面ミラー６３２、軸外放物面凸面ミラー６３３、及び軸外放物面凹面ミラー６３４は、この順序で配置されてもよい。

図１６Ａの状態において、軸外放物面凹面ミラー６３１の焦点Ｆ１と軸外放物面凸面ミラー６３２の焦点Ｆ２とが一致するように、ビーム調節器３１７は構成されてもよい。さらに、軸外放物面凸面ミラー６３３の焦点Ｆ３と軸外放物面凹面ミラー６３４の焦点Ｆ４とが一致するように、ビーム調節器３１７は構成されてもよい。

軸外放物面凹面ミラー６３１と軸外放物面凸面ミラー６３２との間の光軸ＯＡ２と、軸外放物面凸面ミラー６３３と軸外放物面凹面ミラー６３４と間の光軸ＯＡ４が平行となるよう、軸外放物面凹面ミラー６３１、６３４及び軸外放物面凸面ミラー６３２、６３３は配置されてもよい。

軸外放物面凹面ミラー６３１に入射するパルスレーザ光の光軸ＯＡ１と、軸外放物面凹面ミラー６３４から出射するパルスレーザ光の光軸ＯＡ５とが一致するよう、軸外放物面凹面ミラー６３１、６３４及び軸外放物面凸面ミラー６３２、６３３は配置されてもよい。

軸外放物面凸面ミラー６３２と軸外放物面凸面ミラー６３３間との光軸ＯＡ３、軸外放物面凹面ミラー６３１に入射するパルスレーザ光の光軸ＯＡ１、及び軸外放物面凹面ミラー６３４から出射するパルスレーザ光の光軸ＯＡ５が平行となるよう、軸外放物面凹面ミラー６３１、６３４及び軸外放物面凸面ミラー６３２、６３３は配置されてもよい。

軸外放物面凸面ミラー６３２と軸外放物面凹面ミラー６３１との間の距離と軸外放物面凸面ミラー６３３と軸外放物面凹面ミラー６３４との間の距離とは同一であってもよい。これらの距離はＨで表わされている。

ビーム調節器３１７は、さらに、ベースプレート６３８及び１軸移動ステージ６３５を含んでもよい。１軸移動ステージ６３５は、１軸移動ステージ６３５上を１軸方向において移動可能な移動プレート６３７含んでもよい。

１軸移動ステージ６３５は、ベースプレート６３８上に配置され、ベースプレート６３８に対して移動プレート６３７を移動できるように構成されてもよい。移動プレート６３７の移動方向は、光軸ＯＡ２及び光軸ＯＡ４に対して平行であってもよい。軸外放物面凹面ミラー６３１、６３４はベースプレート６３８に固定されてもよい。軸外放物面凸面ミラー６３２、６３３は、移動プレート６３７に固定されてもよい。

＜動作＞
図１６Ａ〜図１６Ｃを参照して、ビーム調節器３１７の動作を説明する。図１６Ｂは、図１６Ａに示すビーム調節器３１７の状態から、移動プレート６３７を軸外放物面凹面ミラー６３１、６３４から離した状態を示す。図１６Ｃは、図１６Ａに示すビーム調節器３１７の状態から、移動プレート６３７を軸外放物面凹面ミラー６３１、６３４に近づけた状態を示す。

図１６Ａにおいて、軸外放物面凹面ミラー６３１に入射するパルスレーザ光は平行光でよい。軸外放物面凹面ミラー６３１は、パルスレーザ光が焦点Ｆ１にて集光されるように、パルスレーザ光を反射してもよい。軸外放物面凸面ミラー６３２は、軸外放物面凹面ミラー６３１で反射され焦点Ｆ１に集光するように進行するパルスレーザ光を、平行光に変換して反射し得る。軸外放物面凸面ミラー６３２によって平行光に変換されたパルスレーザ光のビーム径ＢＤ２は、入射ビーム径ＢＤ１の１／Ｍ１２倍に縮小され得る。

軸外放物面凹面ミラー６３１の焦点距離をＬＦ１、軸外放物面凸面ミラー６３２の焦点距離ＬＦ２とする。上述のように、焦点Ｆ１と焦点Ｆ２とは一致してもよい。倍率Ｍ１２は、ＬＦ１／ＬＦ２であり得る。また、軸外放物面凹面ミラー６３１と軸外放物面凸面ミラー６３２との間の距離Ｈは、ＬＦ２−ＬＦ１であり得る。

ビーム径ＢＤ２の平行光となったパルスレーザ光は、軸外放物面凸面ミラー６３３によって、焦点Ｆ３から発散するようなパルスレーザ光として反射され得る。上述のように、焦点Ｆ３と焦点Ｆ４とは一致してもよい。したがって、軸外放物面凹面ミラー６３４は、焦点Ｆ３から発散するようなパルスレーザ光を、軸外放物面凹面ミラー６３１に入射したパルスレーザ光と略同一の光軸ＯＡ５を持つ平行光に変換して反射し得る。

軸外放物面凸面ミラー６３３で反射され軸外放物面凹面ミラー６３４に入射するパルスレーザ光のビーム径は、倍率Ｍ４３で拡大され得る。軸外放物面凸面ミラー６３３の焦点距離ＬＦ３、軸外放物面凹面ミラー６３４の焦点距離をＬＦ４とする。Ｍ４３は、ＬＦ４／ＬＦ３であり得る。ＬＦ１＝ＬＦ４、ＬＦ２＝ＬＦ３である場合、倍率Ｍ１２と倍率Ｍ４３は同一となり得る。したがって、軸外放物面凹面ミラー６３４からの出射光のビーム径ＢＤ３は、軸外放物面凹面ミラー６３１に入射したパルスレーザ光とビーム径ＢＤ１と同一であり得る。

レーザ制御部３１６からの制御により、１軸移動ステージ６３５は、ベースプレート６３８に対して移動プレート６３７を移動してもよい。レーザ制御部３１６は、移動プレート６３７を移動することで、距離Ｈを増減させ得る。距離Ｈを変化させることで、レーザ制御部３１６は、ビーム調節器３１７からの出射光を、集光又は発散させ得る。

図１６Ｂに示すように、レーザ制御部３１６は、図１６Ａの状態から距離ＨをｄＬだけ増加させてもよい。軸外放物面凹面ミラー６３４から出射するパルスレーザ光の発散角は減少し得る。軸外放物面凹面ミラー６３１に入射したパルスレーザ光のビーム径ＢＤ１に対して、軸外放物面凹面ミラー６３４から出射するパルスレーザ光のビーム径ＢＤ３は、わずかに小さくなるものの略等しい径であり得る。軸外放物面凹面ミラー６３１に入射したパルスレーザ光の光軸ＯＡ１と、軸外放物面凹面ミラー６３４から出射するパルスレーザ光の光軸ＯＡ５とは、一致し得る。

図１６Ｃに示すように、レーザ制御部３１６は、図１６Ａの状態から距離ＨをｄＬだけ減少させてもよい。軸外放物面凹面ミラー６３４から出射するパルスレーザ光の発散角は増加し得る。軸外放物面凹面ミラー６３１に入射したパルスレーザ光のビーム径ＢＤ１に対して、軸外放物面凹面ミラー６３４から出射するパルスレーザ光のビーム径ＢＤ３は、わずかに大きくなるものの略等しい径であり得る。軸外放物面凹面ミラー６３１に入射したパルスレーザ光の光軸ＯＡ１と、軸外放物面凹面ミラー６３４から出射するパルスレーザ光の光軸ＯＡ５とは、一致し得る。

６．３ 制御部
レーザ制御部３１６及びＥＵＶ光生成制御部５を含む、上述した本開示の制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。例えば、以下のように構成されてもよい。

＜構成＞
図１７は、制御部の構成を示す。制御部は、処理部１０００と、処理部１０００に接続される、ストレージメモリ１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とによって構成されてもよい。また、処理部１０００は、ＣＰＵ１００１と、ＣＰＵ１００１に接続された、メモリ１００２、タイマ１００３、ＧＰＵ１００４とから構成されてもよい。

＜動作＞
処理部１０００は、ストレージメモリ１００５に記憶されたプログラムを読み出してもよい。また、処理部Ｘ０００は、読み出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ１００５からデータを読み出したり、ストレージメモリ１００５にデータを記憶させたりしてもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器に接続されてもよい。パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うパラレルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器に接続されてもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うシリアルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して通信可能な機器に接続されてもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うアナログポートを介した、アナログ信号による通信を制御してもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、オペレータが処理部１０００によるプログラムの実行過程を表示し、オペレータによるプログラム実行の中止や割り込み処理を処理部１０００に行わせるように構成されてもよい。

処理部１０００のＣＰＵ１００１はプログラムの演算処理を行ってもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１がプログラムを実行する過程で、プログラムの一時記憶や、演算過程でのデータの一時記憶を行ってもよい。タイマ１００３は、時刻や経過時間を計測し、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に時刻や経過時間を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、処理部１０００に画像データが入力された際、プログラムの実行に従って画像データを処理し、その結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

＜接続機器＞
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０に接続される、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器は、表示装置３３５、他の制御部等であってもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０に接続される、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器は、マスタオシレータ３１０、ＰＡ電源３２１〜３２４、光アイソレータ３１５、ビーム調節器３１７、レーザ光マニュピレータ８４等であってもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器は、光センサ３２８、３３１、３３２等であってもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えてもよいことは、当業者には明らかであろう。

ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換え得る。ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加え得る。各実施形態の構成の一部について、削除、他の構成の追加、他の構成による置換をし得る。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

３ レーザ装置、１１ ＥＵＶ光生成システム、２２ａ レーザ光集光光学系、２７ ターゲット、８４ レーザ光マニュピレータ、３１０ マスタオシレータ、３１１〜３１４ 増幅器、３１５ 光アイソレータ、３１６ レーザ制御部、３１７ ビーム調節器、３２８、３３１、３３２ 光センサ

Claims (8)

1. レーザ光路上を進行するレーザ光を出力するマスタオシレータと、
   前記レーザ光路上において、前記マスタオシレータから出力されたレーザ光を増幅する複数の増幅器と、
   前記レーザ光路を逆行する光のエネルギを検出する第１光センサと、前記レーザ光路を逆行する光のパワーを検出する第２光センサと、を含む光センサ装置と、
   前記第１光センサのエネルギ検出信号と前記第２光センサのパワー検出信号とを受信し、前記エネルギ検出信号及び前記パワー検出信号の強度を監視し、前記エネルギ検出信号の強度が第１閾値を超えた場合に戻り光が発生していると判定し、前記パワー検出信号の強度が第２閾値を超えた場合に自励発振光が発生していると判定し、前記戻り光及び前記自励発振光についての判定結果をメモリに格納する、制御部と、
   を備えたレーザ装置。
2. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
   表示装置をさらに含み、
   前記制御部は、前記判定結果を前記表示装置に出力する、レーザ装置。
3. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
   前記制御部は、
   前記戻り光が発生していると判定すると、前記増幅器の動作を維持し、前記マスタオシレータを停止し、
   前記自励発振光が発生していると判定すると、前記マスタオシレータ及び前記増幅器を停止する、レーザ装置。
4. 請求項３に記載のレーザ装置であって、
   前記制御部は、前記戻り光が発生していると判定すると、前記マスタオシレータを再稼働させ、ターゲットに対するパルスレーザ光のフォーカスを調整する、レーザ装置。
5. パルスレーザ光をターゲットに照射することによって、プラズマを生成し、極端紫外光を生成する極端紫外光生成システムであって、
   前記パルスレーザ光を出力する、請求項１に記載のレーザ装置と、
   チャンバと、
   ターゲットを前記チャンバ内に供給するターゲット供給部と、
   前記レーザ装置からのパルスレーザ光を前記ターゲットに集光するレーザ光集光光学系と、を含む極端紫外光生成システム。
6. レーザ光路上を進行するレーザ光を出力するマスタオシレータと、
   前記レーザ光路上において、前記マスタオシレータから出力されたレーザ光を増幅する複数の増幅器と、
   前記レーザ光路を逆行する光を検出する光センサ装置と、
   前記光センサ装置からの検出信号の強度が第１閾値を超えた時間が０より長く第２閾値以下の場合に戻り光が発生していると判定し、前記光センサ装置からの検出信号の強度が第３閾値を超えた時間が前記第２閾値以上の第４閾値より長い場合に自励発振光が発生していると判定し、前記戻り光及び前記自励発振光についての判定結果をメモリに格納する、制御部と、
   を備えたレーザ装置。
7. 請求項６に記載のレーザ装置であって、
   前記光センサ装置は一つの光センサで構成され、
   前記第１閾値及び前記第３閾値が同一値であり、前記第２閾値及び前記第４閾値が同一値である、レーザ装置。
8. パルスレーザ光をターゲットに照射することによって、プラズマを生成し、極端紫外光を生成する極端紫外光生成システムであって、
   前記パルスレーザ光を出力する、請求項６に記載のレーザ装置と、
   チャンバと、
   ターゲットを前記チャンバ内に供給するターゲット供給部と、
   前記レーザ装置からのパルスレーザ光を前記ターゲットに集光するレーザ光集光光学系と、を含む極端紫外光生成システム。

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