JPWO2016117512A1 - 導電性基板、および導電性基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

透明基材と、前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有し、前記酸素を５原子％以上６０原子％以下含有する黒化層と、を備えた導電性基板を提供する。

Description

本発明は、導電性基板、および導電性基板の製造方法に関する。

高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。（特許文献１参照）
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。

このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて導電性が優れている銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば配線層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。

そこで、上記の導電性と視認性の両特性の改善を実現するために、銅等の金属箔により構成される配線層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。

しかしながら、配線パターンを有する導電性基板とするためには、配線層と黒化層とを形成した後に、配線層と黒化層とをエッチングして所望のパターンを形成する必要があるが、エッチング液に対する反応性が配線層と黒化層とで大きく異なるという問題があった。すなわち、配線層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできないという問題であった。また、配線層のエッチングと黒化層のエッチングとを別の工程で実施する場合、工程数が増加するという問題があった。

日本国特開２００３−１５１３５８号公報 日本国特開２０１１−０１８１９４号公報 日本国特開２０１３−０６９２６１号公報

上記従来技術の種々の問題に鑑み、本発明の一側面では同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有し、前記酸素を５原子％以上６０原子％以下含有する黒化層と、を備えた導電性基板を提供する。

本発明の一側面によれば、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板を提供することができる。

本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。 図３のＡ−Ａ´線における断面図。 図３のＡ−Ａ´線における断面図。 実験例２の導電性基板の反射率の波長依存性を示す図。

以下、本発明の導電性基板、および、導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、
透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有し、酸素を５原子％以上６０原子％以下含有する黒化層（以下、単に「黒化層」とも記載する）とを備えた構成とすることができる。

なお、本実施形態における導電性基板とは、銅層等をパターニングする前の透明基材の表面に銅層や黒化層を有する基板と、銅層や黒化層をパターニングして配線の形状にした基板、すなわち、配線基板とを含む。

ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。

透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。

可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム等の樹脂フィルム、ポリカーボネート系フィルム等を好ましく用いることができる。

透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。

次に銅層について説明する。

銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、黒化層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。

他の部材の上面に銅層を直接形成するため、銅層は銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有していてもよい。

例えば透明基材または黒化層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し該銅薄膜層を銅層とすることができる。これにより、透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。

また、銅層の膜厚が厚い場合には、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することにより、銅薄膜層と銅めっき層とを有する銅層とすることもできる。銅層が銅薄膜層と銅めっき層とを有することにより、この場合も透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。

銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に十分に電流を供給できるように銅層は厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましい。

なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。

次に、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層について説明する。

銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングした配線を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきたが、黒化層がエッチング液に対する反応性を十分に有していない場合があり、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングすることは困難であった。そこで本発明の発明者らが検討を行ったところ、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する層は黒色であるため黒化層として使用でき、さらに、エッチング液に対して十分な反応性を示すため、銅層と同時にエッチング処理を行えることを見出したものである。

黒化層の成膜方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により成膜することができる。ただし、比較的容易に黒化層を成膜できることから、スパッタリング法により成膜することが好ましい。

黒化層は例えば、銅−ニッケル−モリブデンターゲットを用いてチャンバー内に酸素を含有するガスを供給しながらスパッタリング法により成膜することができる。

なお、ここでいう銅−ニッケル−モリブデンターゲットとしては、銅、ニッケル、及びニッケルを含有するターゲットであれば良く、例えば、銅、ニッケル及びモリブデンの混合焼結ターゲット（以下、「銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲット」とも記載する）、または銅−ニッケル−モリブデンの熔解合金ターゲットを好適に用いることができる。

また、黒化層は例えば、銅−ニッケル合金ターゲットと、モリブデンのターゲットと、を用い、あるいは銅のターゲットとニッケル−モリブデン合金ターゲットを用い、チャンバー内に酸素を供給しながら２元同時スパッタリング法により成膜することもできる。

銅−ニッケル−モリブデンの熔解合金ターゲット、及び銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットの製造方法の一構成例について説明する。

銅とモリブデンは熔解することが難しく固溶しないため、熔解法でターゲットを作製する場合はニッケルとモリブデンとが固溶できるように、モリブデン／ニッケル比を２５／７５以下となるように原料を混合、熔解して熔解合金を作製することが好ましい。なお、モリブデン／ニッケル比を２５／７５以下にするとは、モリブデンと、ニッケルとの合計の物質量を１００とした場合に、モリブデンの物質量比を２５以下にすることを意味する。

モリブデン／ニッケル比が２５／７５を超える場合は銅、ニッケル及びモリブデンの混合粉末からホットプレス法や熱間等方圧加工法（ＨＩＰ）により焼結体を作製することが好ましい。焼結温度は８５０℃以上１０８３℃以下が好ましく、より好ましくは９５０℃以上１０５０℃である。

これは、８５０℃より低い温度では焼結が十分進行しないため焼結体密度が低く、ターゲット化する平面加工で冷却水が焼結体の気孔に残留する場合があるという問題があるためである。また、１０８３℃を超えると銅の融点を超えるため銅が流れ出すため好ましくない。

そして得られた熔解合金、または焼結体を所定の形状に加工した後、バッキングプレートに貼りつけてターゲットとすることができる。

なお、銅−ニッケル−モリブデンの熔解合金ターゲット、及び銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットの製造方法は、上記製造方法に限定されるものではなく、所望の組成を有するターゲットとなるように製造できる方法であれば特に限定されるものではなく、用いることができる。

スパッタリング時にチャンバー内に供給するガス中の酸素の含有割合は特に限定されないが、酸素の含有割合が５体積％以上４５体積％以下であるガスをチャンバーに供給しながら、黒化層を成膜することが好ましい。

上述のようにチャンバー内へ供給するガス中の酸素の含有割合を５体積％以上とすることにより、黒化層の色を十分な黒色とすることができ、黒化層としての機能を十分に発揮できるため好ましい。チャンバー内へ供給するガス中の酸素の含有割合は７．５体積％以上とすることがより好ましい。

また、チャンバー内へ供給するガス中の酸素の含有割合を４５体積％以下とすることにより、黒化層のエッチング液に対する反応性を特に高めることができる。このため、銅層と共に黒化層のエッチングを行う際、銅層と、黒化層とを容易に所望のパターンとすることができ好ましい。さらに、光学特性の反射率、明度（Ｌ^＊）、色度（ａ^＊、ｂ^＊）のいずれも黒化層として良好となり好ましい。

特に色度（ａ^＊、ｂ^＊）を黒化層として特に良好とする観点からは、チャンバー内へ供給するガス中の酸素の供給割合は４２体積％以下とすることがより好ましい。

なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素以外の残部については例えばアルゴン、キセノン、ネオン、ヘリウムから選択された１種類以上のガスを供給することができる。

スパッタリングの際に用いるターゲットの組成は特に限定されるものではなく、成膜する黒化層の組成にあわせて任意に選択することができる。なお、スパッタリング中のターゲットからの元素の飛び易さは、元素の種類により異なる。このため、目的とする黒化層の組成と、ターゲット中の元素の飛び易さに応じてターゲットの組成を選択することができる。

スパッタリングを行う際用いるターゲットとして、上述のように例えば銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットを用いることができる。この場合、上述のようにターゲットの組成は特に限定されないが、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットは、モリブデンを４原子％以上７５原子％以下の割合で含有することが好ましく、７原子％以上６５原子％以下の割合で含有することがより好ましい。ニッケルは１０原子％以上８０原子％以下が好ましい。これらの場合、残部は銅により構成することができる。

成膜した黒化層中には、酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有することができる。黒化層中の各成分の含有割合は特に限定されないが、黒化層に含まれる銅とニッケルとモリブデンとの含有量の合計、すなわち金属元素の含有量の合計を１００原子％とした場合に、モリブデンの含有量が２原子％以上７０％原子以下であることが好ましい。

これは、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有量を２原子％以上とすることで、黒化層表面での光の反射率を特に低下させることができるためである。また、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有量を７０原子％以下とすることで、黒化層が高いエッチング性を示し、所望のパターンを有する導電性基板を容易に作製することができるためである。

また、黒化層中に含まれる酸素は５原子％以上６０原子％以下であることが好ましく、２０原子％以上５５原子％以下であることがより好ましい。

これは、黒化層中に酸素が５原子％以上含まれていることにより黒化層が半透明になることで光の干渉効果により十分な黒色とすることができ、光の反射を特に抑制できるためである。また黒化層中の酸素の含有量が６０原子％より多くなると黒化層が透明化して銅膜の反射が多くなり黒化しない、また黒化層のシート抵抗が高くなるため、６０原子％以下であることが好ましい。

成膜した黒化層中において酸素、銅、ニッケル及びモリブデンはどのような形態で含まれていてもよい。例えば銅とモリブデンとが混合焼結体を形成し、酸素を含有する銅−モリブデン混合焼結体が黒化層に含有されていてもよい。また、銅、ニッケルまたはモリブデンが例えば酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ_３）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３、ＭｏＯ_２、Ｍｏ_２Ｏ_３）、さらにはＣｕＭｏＯ_４、Ｃｕ_２ＭｏＯ_５等の酸化物を生成し、該化合物が黒化層に含まれていてもよい。

なお、黒化層は例えば酸素を含有する銅−ニッケル−モリブデン混合物のように、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを同時に含有する１種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述した酸素を含有する銅−モリブデン混合焼結体や、銅の酸化物、ニッケルの酸化物、モリブデンの酸化物から選択される１種類以上の物質を含有する層であってもよい。

黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、２５ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層は、上述のように黒色をしており、銅層による光の反射を抑制する黒化層として機能するが、黒化層の厚さが薄い場合には、十分な黒色が得られず銅層による光の反射を十分に抑制することができない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを上記範囲とすることにより、銅層の反射をより抑制できるため好ましい。

黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、黒化層の厚さを厚くすると、光学特性の反射率、明度（Ｌ^＊）、色度（ａ^＊、ｂ^＊）が黒化層としては劣る特性となる場合があり、好ましくない。このため、黒化層の厚さは４５ｎｍ以下とすることが好ましく、４０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

また、黒化層はシート抵抗が十分に小さい場合、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成することができ、黒化層が最表面に位置する場合でも銅層を露出する必要がなくなるため好ましい。

そして、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成するためには、黒化層のシート抵抗としては、１ｋΩ／□未満であることが好ましい。

次に、本実施形態の導電性基板の構成例について説明する。

上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、銅層と、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層と、を備えている。この際、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。なお、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。また、銅層は黒化層に挟まれた構造を有していることがより好ましい。

さらに、上述のようにシート抵抗の小さい黒化層を含む場合、該シート抵抗の小さい黒化層は導電性基板の最表面に配置されていることが好ましい。これは、シート抵抗の小さい黒化層は配線等の電気部材と接続できるため、接続しやすいように導電性基板の最表面に配置されていることが好ましいためである。

具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂは、本実施形態の導電性基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。

例えば、図１Ａに示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１Ａ、図１Ｂの例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。

また、例えば黒化層を透明基材１１の一方の面１１ａ側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２Ａに示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、銅層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。

この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図２Ｂに示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。

なお、図１Ｂ、図２Ｂでは、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２Ｂにおいて、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１Ａの構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。

ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅層と、黒化層と、を設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。

本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されないが、例えば本実施形態の導電性基板は、波長５５０ｎｍの光の反射率は３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが特に好ましい。

また波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光に対する反射率の平均値である可視光平均反射率は３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが特に好ましい。

これは波長５５０ｎｍの光の反射率、および可視光平均反射率の少なくとも一方が３０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないためである。ディスプレイの視認性の低下を特に抑制する観点から、波長５５０ｎｍの光の反射率、及び可視光平均反射率は、共に３０％以下であることがより好ましい。

反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして行うことができる。すなわち、導電性基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化層側から測定を行うことができる。

具体的には例えば図１Ａのように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、図中Ａで示した表面側から測定できる。

また、図１Ａの場合と銅層１２と黒化層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１３、銅層１２の順に積層した場合、透明基材１１を除いて黒化層１３が最表面に位置する側である、透明基材１１の面１１ｂ側から反射率を測定できる。

なお、後述のように導電性基板は銅層及び黒化層をエッチングすることにより配線を形成できるが、上記反射率は導電性基板のうち透明基材を除いた場合に最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における反射率を示している。このため、エッチング処理前、または、エッチング処理を行った後であれば、銅層及び黒化層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。

また、測定した反射率から、明度（Ｌ^＊）、色度（ａ^＊、ｂ^＊）を算出することができる。明度（Ｌ^＊）、及び色度（ａ^＊、ｂ^＊）については特に限定されないが、明度（Ｌ^＊）は６０以下であることが好ましく、５５以下であることがより好ましい。また、色度（ａ^＊、ｂ^＊）は少なくとも一方が０未満、すなわち負であることが好ましく、ａ^＊、ｂ^＊共に０未満であることがより好ましい。

これは明度（Ｌ^＊）が６０以下の場合暗い色調となるために、光の反射を特に抑制できるからである。また、色度（ａ＊、ｂ＊）の少なくとも一方が０未満の場合に、黒化層は光の反射を抑制するのに特に適した色となるためである。

本実施形態の導電性基板は上述のように例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。

メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。

例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を銅層、黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の配線３１ＡとＹ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは銅層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。

透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４Ａ、図４Ｂに示す。図４Ａ、図４Ｂは図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。

まず、図４Ａに示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、この場合、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。

また、図４Ｂに示したように、１組の透明基材１１Ａ、１１Ｂを用い、一方の透明基材１１Ａを挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１Ａと透明基材１１Ｂとの間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、銅層との配置は限定されるものではない。このため、図４Ａ、図４Ｂいずれの場合でも黒化層３２Ａ、３２Ｂと配線３１Ａ、３１Ｂの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化層を複数層設けることもできる。

ただし、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４Ｂに示した導電性基板において、例えば、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆にすることが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。

図３及び図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１Ｂ、図２Ｂのように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた導電性基板から形成できる。

図１Ｂの導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１Ｂ中Ｘ軸方向に平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。図１Ｂ中のＸ軸方向とは、図１Ｂ中の各層の幅方向と平行な方向を意味している。

そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１Ｂ中Ｙ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１Ｂ中のＹ軸方向は、紙面と垂直な方向を意味している。

以上の操作により図３、図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。

図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１Ａまたは図２Ａに示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１Ａの導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図１Ａに示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではなく、図４Ｂのように銅層１２等が積層された図１Ａにおける面Ａと、銅層１２等が積層されていない図１Ａにおける面１１ｂとを貼り合せてもよい。

なお、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４Ｂに示した導電性基板において、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆に配置することが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。

また、例えば透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図１Ａにおける面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４Ａに示した構造となるように貼り合せてもよい。

なお、図３、図４Ａ、図４Ｂに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。

また、図３、図４Ａ、図４Ｂにおいては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。

このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の構成例について説明する。

本実施形態の導電性基板の製造方法は、
透明基材を準備する透明基材準備工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有し、酸素を５原子％以上６０原子％以下含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有することが好ましい。

以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため一部説明を省略する。

上述のように、本実施形態の導電性基板においては、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成工程と、黒化層形成工程の順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する導電性基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。

透明基材を準備する工程は、例えば可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の各工程に供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。

なお、可視光を透過する絶縁体フィルムとして特に好適に用いることができるフィルムについては既述のため、ここでは説明を省略する。

次に銅層形成工程について説明する。

銅層は既述のように、銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅薄膜層と銅めっき層とを有することもできる。このため、銅層形成工程は、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程を有することができる。また、銅層形成工程は、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程と、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。

銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。

巻取式スパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。まず、銅ターゲットをスパッタリング用カソードに装着し、真空チャンバー内に基材、具体的には透明基材や黒化層を形成した透明基材等をセットする。真空チャンバー内を真空排気後、Ａｒガスを導入して装置内を０．１３Ｐａ〜１.３Ｐａ程度に保持する。この状態で、巻出ロールから基材を例えば毎分１〜２０ｍ程度の速さで搬送しながら、カソードに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。

湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。

次に、黒化層形成工程について説明する。

黒化層形成工程も特に限定されるものではないが、既述のように、スパッタリング法により、黒化層を成膜する工程とすることができる。

この際、ターゲットとしては例えば、銅−ニッケル−モリブデンターゲットを用いることができる。銅−ニッケル−モリブデンターゲットは、銅、ニッケル、及びニッケルを含有するターゲットであれば良く、銅−ニッケル−モリブデンターゲットとしては、例えば、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットや、銅−ニッケル−モリブデンの熔解合金ターゲットを好適に用いることができる。

また、既述のように銅−ニッケル合金ターゲットと、モリブデンターゲットとを用い、あるいは銅のターゲットとニッケル−モリブデン合金ターゲットとを用いて２元同時スパッタリング法により成膜することもできる。

スパッタリングの際に用いるターゲットの組成は特に限定されるものではなく、成膜する黒化層の組成等にあわせて任意に選択することができる。なお、スパッタリング中のターゲットからの元素の飛び易さは、元素の種類により異なる。このため、目的とする黒化層の組成と、ターゲット中の元素の飛び易さに応じてターゲットの組成を選択することができる。

例えば、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットは、モリブデンを４原子％以上７５原子％以下、ニッケルを１０原子％以上８０原子％以下の割合で含んでいることが好ましい。また、モリブデンを７原子％以上６５原子％以下の割合で含有することがより好ましい。なお、残部は銅により構成することができる。

また、スパッタリング法により黒化層を成膜する際、チャンバー内に酸素を含有するガスを供給しながら黒化層を成膜できる。チャンバー内に供給するガス中の酸素の供給割合は特に限定されないが、酸素を５体積％以上４５体積％以下の割合で含有するガスをチャンバー内に供給しながらスパッタリング法により黒化層の成膜を実施することが好ましい。

特に、チャンバー内へ供給するガス中の酸素の含有割合は７．５体積％以上４２体積％以下とすることがより好ましい。

なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素以外の残部については例えばアルゴン、キセノン、ネオン、ヘリウムから選択される１種類以上を供給することができる。

そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、既述の導電性基板と同様に、銅層は厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。また、銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましい。

また、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板においても、黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、２５ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、４５ｎｍ以下とすることが好ましく、４０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

成膜した黒化層は酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有することができる。黒化層中の各成分の含有割合は特に限定されるものではないが、黒化層に含まれる金属元素である銅、ニッケル及びモリブデンの合計を１００原子％とした場合に、モリブデンの含有量が２原子％以上７０原子％以下であることが好ましい。これは、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有量を２原子％以上とすることで、黒化層表面での光の反射率を特に低下させることができるためである。また、金属元素中のモリブデンの含有量を７０原子％以下とすることで、高いエッチング性を示し、所望のパターンを有する導電性基板を容易に作製することができるためである。

また、黒化層中に含まれる酸素は５原子％以上６０原子％以下であることが好ましく、２０原子％以上５５原子％以下であることがより好ましい。

これは、黒化層中に酸素が５原子％以上含まれていることにより黒化層を十分な黒色とすることができ、光の反射を特に抑制できるためである。また黒化層中の酸素の含有量が６０原子％より多くなると黒化層のシート抵抗が高くなるため、６０原子％以下であることが好ましい。

成膜した黒化層中において酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンはどのような形態で含まれていてもよい。例えば銅とモリブデンとが混合焼結体を形成し、酸素を含有する銅−モリブデン混合焼結体が黒化層に含有されていてもよい。また、銅、ニッケル、またはモリブデンが例えば酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ_３）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３、ＭｏＯ_２、Ｍｏ_２Ｏ_３）、さらにはＣｕＭｏＯ_４、Ｃｕ_２ＭｏＯ_５等の酸化物を生成し、該化合物が黒化層に含まれていてもよい。

なお、黒化層は例えば酸素を含有する銅−ニッケル−モリブデン混合物のように、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを同時に含有する１種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述した酸素を含有する銅−モリブデン混合焼結体や、銅の酸化物、ニッケルの酸化物、モリブデンの酸化物から選択される１種類以上の物質を含有する層であってもよい。

そして成膜した黒化層はシート抵抗が十分に小さい場合、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成することができ、黒化層が最表面に位置する場合でも銅層を露出する必要がなくなるため好ましい。

そして、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成するためには、黒化層のシート抵抗としては、１ｋΩ／□未満であることが好ましい。

そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、メッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。この場合、上述の工程に加えて、銅層と、黒化層と、をエッチングすることにより、配線を形成するエッチング工程をさらに有することができる。

係るエッチング工程は例えば、まず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、導電性基板の最表面に形成する。図１Ａに示した導電性基板の場合、導電性基板に配置した黒化層１３の露出した面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。

次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。

なお、図１Ｂのように透明基材１１の両面に銅層、黒化層を配置した場合には、導電性基板の最表面Ａ及びＢにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、黒化層を同時にエッチングしてもよい。

また、透明基材１１の両側に形成された銅層及び黒化層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。

黒化層は銅層とほぼ同様のエッチング液への反応性を示すことから、エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と、塩酸と、の混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と、塩酸との含有量は特に限定されるものではないが例えば、塩化第二鉄を５質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１０質量％以上３０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１質量％以上２０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。

エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温していることが好ましく、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることが好ましい。

上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。

また、既述のように、図１Ａ、図２Ａに示した透明基材１１の一方の面側に銅層、黒化層を有する導電性基板を２枚貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。

以上に本実施形態の導電性基板及び導電性基板の製造方法について説明した。係る導電性基板によれば、銅層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示すことから、同時にエッチング処理を行うことができ、容易に所望の配線を形成することができる。また、黒化層は黒色であるため、銅層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。

以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。

まず、後述する各実験例において作製した試料の評価方法について説明する。
（評価方法）
（１）光学特性（反射率、明度、色度）
以下の実験例２、実験例３において作製した導電性基板について、光学特性（反射率）の測定を行い、必要に応じて測定した光学特性（反射率）から明度（Ｌ^＊）、色度（ａ^＊、ｂ^＊）を算出した。

反射率の測定は、紫外可視分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製 型式：Ｕ−４０００）に反射率測定ユニットを設置して行った。

以下の実験例２、実験例３では断面形状が図１Ａと同様の構造を有する導電性基板を作製した。そこで、作製した導電性基板の銅層及び黒化層を形成した側の図１Ａにおける最表面Ａに対して、入射角５°、受光角５°として、波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光を照射した際の反射率を測定した。なお、測定に際しては波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以上の範囲で、波長を１ｎｍごとに変化させた光を照射し、各波長についての反射率を測定した。

そして、波長が３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光に対する反射率の平均値を可視光平均反射率とした。また、波長が５５０ｎｍの光に対する反射率の測定値を波長５５０ｎｍの光に対する反射率とした。

なお、測定の際にはＰＥＴフィルムの反りを矯正するためガラス基板上に各実験例の試料を載置しクランプで固定して、黒化層側から光を照射して測定した。

測定した反射率から、ＪＩＳ Ｚ８７８１−４:２０１３に準拠した色彩計算プログラムを用いて、光源Ａ、視野２度の条件でＣＩＥ １９７６（Ｌ^＊，ａ^＊，ｂ^＊）色空間上の座標を計算した。
（２）溶解試験
以下の実験例１、実験例３において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料をエッチング液に浸漬して黒化層の溶解試験を行った。

エッチング液としては、銅層のエッチング液として用いられる塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液を用い、エッチング液の温度は室温（２５℃）として溶解試験を実施した。

次に溶解試験の評価方法について説明する。

溶解試験の評価を規定するため、実験例１で用いた透明基材である縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ樹脂）の一方の面上の全面に、厚さ３００ｎｍの銅層を形成した試料をエッチング液に浸漬する予備実験を行った。この場合、銅層は１０秒以内に溶解することが確認できた。

そこで、各実験例で作製した透明基材上に黒化層を形成した試料を上記エッチング液に浸漬後、黒化層が全量溶解するまでに要した時間により以下のように評価を行った。

エッチング液に浸漬後１０秒以内に黒化層が全量溶解したものを◎と評価した。また、エッチング液に浸漬後、黒化層が全量溶解するのに要した時間が１０秒より長く３０秒以内のものを○とし、３０秒より長く１分以内のものを◇とし、１分よりも長く３分以内のものを△と評価した。そして、エッチング液に浸漬後、３分を超えても黒化層が全量は溶解せず一部が残存したものを×と評価した。

なお、溶解試験において黒化層が１分以内に溶解する場合には、エッチング液に対して銅層と同様の反応性を有しているといえ、係る黒化層と、銅層とを含む導電性基板は同時にエッチング処理できる銅層と黒化層を備えた導電性基板といえる。
（３）ＥＤＳ分析
実験例１、実験例３において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料の黒化層の組成について、ＳＥＭ−ＥＤＳ装置（ＳＥＭ：日本電子株式会社製 型式：ＪＳＭ−７００１Ｆ、ＥＤＳ：サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製 型式：検出器 ＵｌｔｒａＤｒｙ 解析システム ＮＯＲＡＮ Ｓｙｓｔｅｍ ７）によりＥＤＳ分析を行った。
（４）シート抵抗
実験例１において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料について、黒化層のシート抵抗の評価を行った。

シート抵抗は、四探針法を用いて測定を行った。四探針法は測定する試料の表面に四本の針状電極を同一直線上に配置し、外側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定して抵抗を測定する方法である。測定に際しては四探針測定器（三菱化学株式会社製 型式：Ｌｏｒｅｓｔａ ＩＰ）を用いて測定を行った。

以下に各実験例における試料の製造条件、及びその評価結果を説明する。
［実験例１］
実験例１においては、以下に示す実験例１−１−１〜実験例１−１−１４の１４種の試料を作製し、黒化層の組成についてのＥＤＳ分析、溶解試験、及びシート抵抗評価を実施した。また、実験例１−２−１〜実験例１−２−４の４種の試料を作製し、溶解試験を実施した。

なお、本実験例は後述する実験例２のための予備実験として実施したものであり、参考例となる。
（１）銅−ニッケル−モリブデン混合焼結ターゲットの作製
実験例１、２において黒化層を成膜する際に用いるためにまず、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットを作製した。以下に具体的な手順を示す。

出発原料粉末として、Ｃｕ粉末（高純度化学製 ３Ｎ ＣＵＥ１３ＰＢ ＜４３μｍ）と、Ｎｉ粉末（高純度化学製 ３Ｎ ＮＩＥ０８ＰＢ ６３μｍ）と、Ｍｏ粉末（新日本金属製、２次粒子径約２００μｍ〜５００μｍ）とを所定量秤量し、乳鉢で混合した。この際、各実験番号における出発原料粉末の混合比が、原子％で表１に示す値となるように秤量、混合した。

次いで、得られた出発原料粉末の混合粉末を内径３インチのグラファイト型に入れてホットプレス法で焼結し、組成の異なる実験Ｎｏ.１〜実験Ｎｏ.７の７種類の焼結体を作製した。なお、ホットプレス法で焼結する際の面圧は１３６ｋｇ重／ｃｍ^２、ホットプレス温度（ＨＰ温度）は表１中に示す９００℃または１０００℃、保持時間は１時間とした。得られた焼結体の相対密度は表１に示すように８２．０％から９６．８％であり、スパッタターゲットとして使用可能であることが確認できた。

作製した焼結体のうち、実験Ｎｏ．３の焼結体についてバッキングプレートに貼り付けてターゲットとし、以下の実験例１−１−１〜実験例１−１−７に供した。また、実験Ｎｏ．４焼結体についてバッキングプレートに貼り付けてターゲットとし、以下の実験例１−１−８〜実験例１−１−１２に供した。さらに、実験Ｎｏ．６、実験Ｎｏ．７の焼結体について、バッキングプレートに貼り付けてターゲットとし、以下の実験例１−１−１３、実験例１−１−１４に供した。

（２）実験例１−１−１〜実験例１−１−１４、実験例１−２−１〜実験例１−２−４の試料の作製条件
（実験例１−１−１〜実験例１−１−７）
まず、透明基材であるＰＥＴ基材上に、酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有する黒化層を形成した試料（実験例１−１−１〜実験例１−１−７）を作製した。具体的な手順について、以下に説明する。

なお、実験例１−１−１〜実験例１−１−６は黒化層を成膜する際にチャンバー内に供給するガス中の、酸素ガスと、アルゴンガスとの比が各実験例で異なる点以外は同様にして試料を作製した。また、実験例１−１−７は、実験例１−１−４の条件において、ターゲットに２００Ｗの電力を印加するところ、１２５Ｗの電力とした以外は同様にして試料を作製した。

まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材を準備した。

次に、直流スパッタリング法により黒化層を成膜した。

黒化層の成膜はスパッタリング装置（アルバック株式会社製 型式：ＳＩＨ−４５０）を用いて行った。

黒化層を成膜する際、実験例１−１−１〜実験例１−１−７では、黒化層を成膜する際のターゲットとしていずれも表１に示した実験Ｎｏ．３の組成が４２Ｃｕ−４２Ｎｉ−１６Ｍｏ混合焼結ターゲットを用い、上述のスパッタリング装置にセットした。

そして、準備した透明基材をスパッタリング装置の基板ホルダーにセットし、チャンバー内を真空にした。なお、スパッタリング前のチャンバー内の到達真空度は１．５×１０^−４Ｐａとした。

チャンバー内を真空にした後、黒化層をスパッタリングにより成膜している間、チャンバー内には酸素ガスとアルゴンガスとを合計で１０ＳＣＣＭになるように供給した。

黒化層の成膜時にチャンバー内に供給する酸素ガスとアルゴンガスとの比は、各実験例について、体積％比で表２に示した値となるように調整した。すなわち、実験例１−１−１〜実験例１−１−６についてそれぞれ体積％比で（Ｏ_２：Ａｒ）＝１０：９０、１５：８５、２０：８０、２５：７５、３０：７０、４０：６０となるように調整した。実験例１−１−７については、実験例１−１−４と同様に、（Ｏ_２：Ａｒ）＝２５：７５としている。なお、表２にはチャンバーに供給したガス中の酸素ガスの比率（体積％）のみを示している。

また、黒化層を成膜する際には、透明基材をセットした基板ホルダーを３０ｒｐｍの速度で回転させた。

黒化層の成膜に当たってはまず、ターゲットに２００Ｗの電力を印加して２０分スパッタを行い、成膜速度を測定した。そして、測定した成膜速度から膜厚が３００ｎｍになるまでの成膜時間を算出し、再度２００ＷのＤＣ電力をターゲットに印加して所定時間スパッタリングを行い、膜厚３００ｎｍ黒化層を成膜した。

なお、実験例１−１−７については既述のようにターゲットに１２５Ｗの電力を印加した点以外は、同様にして膜厚３００ｎｍの黒化層を成膜した。

以上の条件、手順により実験例１−１−１〜実験例１−１−７の試料を作製した。
（実験例１−１−８〜実験例１−１−１２）
また、作製した実験Ｎｏ．４の焼結体（組成が６０Ｃｕ−２５Ｎｉ−１５Ｍｏ）から得られた混合焼結ターゲットを使用して、実験例１−１−８〜実験例１−１−１２の５種の試料を作製した。なお、実験例１−１−８〜実験例１−１−１２では、ターゲットを変更し、黒化層の成膜時にチャンバー内に供給する酸素ガスとアルゴンガスとの比、及びターゲットに供給する電力量を表２に示した値にした点以外は、実験例１−１−１〜実験例１−１−７と同様にして試料を作製した。
（実験例１−１−１３）
作製した実験Ｎｏ．６の焼結体（組成が２８Ｃｕ−６７Ｎｉ−５Ｍｏ）から得られた混合焼結ターゲットを使用して、実験例１−１−１３の試料を作製した。なお、実験例１−１−１３では、ターゲットを変更し、黒化層の成膜時にチャンバー内に供給する酸素ガスとアルゴンガスとの比、及びターゲットに供給する電力量を表２に示した値にした点以外は、実験例１−１−１〜実験例１−１−７と同様にして試料を作製した。
（実験例１−１−１４）
作製した実験Ｎｏ．７の焼結体（組成が２０Ｃｕ−７６Ｎｉ−４Ｍｏ）から得られた混合焼結ターゲットを使用して、実験例１−１−１４の試料を作製した。なお、実験例１−１−１４では、ターゲットを変更し、黒化層の成膜時にチャンバー内に供給する酸素ガスとアルゴンガスとの比、及びターゲットに供給する電力量を表２に示した値にした点以外は、実験例１−１−１〜実験例１−１−７と同様にして試料を作製した。
（実験例１−２−１〜実験例１−２−４）
また比較のため、酸素、銅、ニッケル、モリブデンを含有する黒化層にかえて、モリブデンの酸化膜を形成した点以外は、それぞれ上述の実験例１−１−１〜実験例１−１−４と同様にして実験例１−２−１〜実験例１−２−４の試料を作製した。実験例１−２−１〜実験例１−２−４は、使用するターゲットを４２Ｃｕ−４２Ｎｉ−１６Ｍｏ混合焼結ターゲットから、Ｍｏターゲットに変更した以外はそれぞれ実験例１−１−１〜実験例１−１−４と同じ条件で試料を作製した。

なお、実験例１−２−１〜実験例１−２−４の試料については後述する溶解試験のみを実施した。
（３）評価結果
以下に、実験例１−１−１〜実験例１−１−１４、実験例１−２−１〜実験例１−２−４で作製した試料の評価結果を説明する。
（黒化層の組成評価：ＥＤＳ分析結果）
実験例１−１−１〜実験例１−１−１４で作製した試料について、ＥＤＳを用いて黒化層の組成分析を行った。測定結果を表２に示す。

ＥＤＳ分析から、実験例１−１−１〜実験例１−１−１４で透明基材上に成膜した黒化層はいずれも銅、ニッケル、モリブデン、酸素を含有することが確認できた。特に実験例１−１−１〜実験例１−１−６の比較から、酸素濃度を増加することにより、黒化層中の酸素濃度も増加するが、酸素濃度を変化しても、成膜した黒化層中の金属成分中の銅、ニッケル、モリブデンの比率の変化は少ないことが確認できた。

（溶解試験結果）
実験例１−１−１〜実験例１−１−５、実験例１−１−８、実験例１−１−１０〜実験例１−１−１４で作製した試料について、エッチング液として塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液を用いて、２５℃で溶解試験を行った。その結果を表３に示す。

表３に示した結果によると、実験例１−１−１〜実験例１−１−５、実験例１−１−８、実験例１−１−１０〜実験例１−１−１４のいずれの試料においてもエッチング液に試料を浸漬後、３０秒以内に黒化層が溶解していることが確認できた。すなわち、これらの実験例の黒化層は、銅層と同等の溶解性を示すことが確認できた。

以上の結果から、実験例１−１−１〜実験例１−１−５、実験例１−１−８、実験例１−１−１０〜実験例１−１−１４で透明基材上に作製した黒化層を銅層の上に形成し、パターニングを行った場合、銅層、及び黒化層を同時にエッチング処理できることを確認できた。このため、後述する実験例２で作製する実験例２−１〜実験例２−１１の導電性基板はいずれも同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板であることを確認できた。

また、実験例１−２−１〜実験例１−２−４の試料についても同様にして溶解試験を実施した。結果を表４に示す。

実験例１−２−１〜実験例１−２−４の試料については、表４に示すように、エッチング液に試料を浸漬後、モリブデンの酸化膜が溶解するのに３０秒よりもはるかに長い時間要することが確認できた。

（シート抵抗の評価）
そして、実験例１−１−１〜実験例１−１−５で作製した試料について黒化層のシート抵抗の評価を行った。結果を表５に示す。

表５から、黒化層を成膜する際にチャンバーへの供給ガス中の酸素比率が１０体積％〜２５体積％である実験例１−１−１〜実験例１−１−４では、いずれの試料についてもシート抵抗は１ｋΩ／□未満であり、十分小さいことが確認できた。これに対して、黒化層を成膜する際にチャンバーへの供給ガス中の酸素比率が３０体積％である実験例１−１−５では急激にシート抵抗が増加することが確認できた。
［実験例２］
次に、実験例１で行った予備実験の結果を参考に導電性基板を作製し、その評価を行った。

本実験例では、実験例２−１〜実験例２−１２として、表６に示した１２種類の条件で成膜した黒化層、またはモリブデン酸化膜を備え、図１Ａに示した構造を有する導電性基板を作製した。すなわち透明基材の片側面上に銅層、さらに黒化層、またはモリブデン酸化膜が形成された構造の導電性基板を作製した。

以下に説明する実験例２−１〜実験例２−１１は実施例となる。また実験例２−１２は比較例となる。

以下に実験例２−１〜実験例２−１２の導電性基板の作製手順について詳述する。
（実験例２−１）
ここではまず、実験例２−１の導電性基板の作製手順を例に説明する。

まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材１１を準備した。

次に透明基材１１の一方の面の全面に銅層１２を形成した。銅層１２は、銅薄膜層、及び銅めっき層を有している。従ってまず、スパッタリング法により銅薄膜層を形成し、次いで、該銅薄膜層を給電層として湿式めっき法により銅めっき層を形成し、銅層とした。

具体的にはまず、Ｃｕターゲット（住友金属鉱山株式会社製）を用いた直流スパッタリング法により、透明基材１１の一方の面上に１００ｎｍの厚さの銅薄膜層を成膜した。その後、電気めっきにより銅めっき層を０．５μｍ積層し、銅層１２とした。

次に、銅層１２上の全面に、膜厚を２５ｎｍとした点を除いて、実験例１−１−１と同様の条件でスパッタリング法により黒化層１３を成膜した。

すなわち、黒化層を形成する際に、スパッタリングターゲットは実験例１−１−１と同じ、４２Ｃｕ−４２Ｎｉ−１６Ｍｏ混合焼結ターゲットを使用した。そして、黒化層を成膜する際にチャンバー内に供給する酸素、アルゴンのガス比（体積％）をＯ_２：Ａｒ＝１０：９０とし、膜厚のみ３００ｎｍではなく２５ｎｍに変更した。

以上の手順により導電性基板を作製し、以下の評価に供した。
（実験例２−２〜実験例２−４）
実験例２−２〜実験例２−４については黒化層の成膜条件を変更した点以外は実験例２−１と同様にして導電性基板を作製した。

具体的には、銅層までは実験例２−１と同様にして作製した後、実験例２−２〜実験例２−４は、黒化層の膜厚を２５ｎｍとした点以外はそれぞれ、実験例１−１−２〜実験例１−１−４と同じ条件で銅層上に黒化層を成膜した。

すなわち、例えば実験例２−２の場合、黒化層を形成する際に、スパッタリングターゲットは実験例１−１−２と同じ、４２Ｃｕ−４２Ｎｉ−１６Ｍｏ混合焼結ターゲットを使用した。そして、黒化層を成膜する際にチャンバー内に供給する酸素、アルゴンのガス比（体積％）を実験例１−１−２と同じＯ_２：Ａｒ＝１５：８５とし、膜厚のみ３００ｎｍではなく２５ｎｍに変更した。
（実験例２−５）
実験例２−５については、黒化層の膜厚を３８ｎｍとした点以外は実験例２−４と同様にして導電性基板を作製した。
（実験例２−６）
実験例２−６については、黒化層の膜厚を５０ｎｍとした点以外は実験例２−４と同様にして導電性基板を作製した。
（実験例２−７）
実験例２−７については、銅層までは実験例２−１と同様にして作製した後、銅層上に黒化層の膜厚を２５ｎｍとした点以外は、実験例１−１−５と同じ条件で黒化層を成膜した。

すなわち、４２Ｃｕ−４２Ｎｉ−１６Ｍｏ混合焼結ターゲットを使用し、黒化層を成膜する際にチャンバー内に供給する酸素、アルゴンのガス比（体積％）をＯ_２：Ａｒ＝３０：７０として、膜厚が２５ｎｍの黒化層を成膜した。
（実験例２−８）
実験例２−８については黒化層の成膜条件を変更した点以外は実験例２−１と同様にして導電性基板を作製した。

具体的には、銅層までは実験例２−１と同様にして作製した後、黒化層の膜厚を３２ｎｍとした点以外は、実験例１−１−１０と同じ条件で銅層上に黒化層を成膜した。

すなわち、黒化層を形成する際に、スパッタリングターゲットは実験例１−１−１０と同じ、６０Ｃｕ−２５Ｎｉ−１５Ｍｏ混合焼結ターゲットを使用した。そして、黒化層を成膜する際にチャンバー内に供給する酸素、アルゴンのガス比（体積％）を実験例１−１−１０と同じＯ_２：Ａｒ＝２５：７５とし、膜厚のみ３００ｎｍではなく３２ｎｍに変更した。
（実験例２−９）
実験例２−９については黒化層の成膜条件を変更した点以外は実験例２−１と同様にして導電性基板を作製した。

具体的には、銅層までは実験例２−１と同様にして作製した後、黒化層の膜厚を３０ｎｍとした点以外は、実験例１−１−１２と同じ条件で銅層上に黒化層を成膜した。

すなわち、黒化層を形成する際に、スパッタリングターゲットは実験例１−１−１２と同じ、６０Ｃｕ−２５Ｎｉ−１５Ｍｏ混合焼結ターゲットを使用した。そして、黒化層を成膜する際にチャンバー内に供給する酸素、アルゴンのガス比（体積％）を実験例１−１−１２と同じＯ_２：Ａｒ＝３０：７０とし、膜厚のみ３００ｎｍではなく３０ｎｍに変更した。
（実験例２−１０）
実験例２−１０については黒化層の成膜条件を変更した点以外は実験例２−１と同様にして導電性基板を作製した。

具体的には、銅層までは実験例２−１と同様にして作製した後、黒化層の膜厚を２５ｎｍとした点以外は、実験例１−１−１３と同じ条件で銅層上に黒化層を成膜した。

すなわち、黒化層を形成する際に、スパッタリングターゲットは実験例１−１−１３と同じ、２８Ｃｕ−６７Ｎｉ−５Ｍｏ混合焼結ターゲットを使用した。そして、黒化層を成膜する際にチャンバー内に供給する酸素、アルゴンのガス比（体積％）を実験例１−１−１３と同じＯ_２：Ａｒ＝３０：７０とし、膜厚のみ３００ｎｍではなく２５ｎｍに変更した。
（実験例２−１１）
実験例２−１１については黒化層の成膜条件を変更した点以外は実験例２−１と同様にして導電性基板を作製した。

具体的には、銅層までは実験例２−１と同様にして作製した後、黒化層の膜厚を２５ｎｍとした点以外は、実験例１−１−１４と同じ条件で銅層上に黒化層を成膜した。

すなわち、黒化層を形成する際に、スパッタリングターゲットは実験例１−１−１４と同じ、２０Ｃｕ−７６Ｎｉ−４Ｍｏ混合焼結ターゲットを使用した。そして、黒化層を成膜する際にチャンバー内に供給する酸素、アルゴンのガス比（体積％）を実験例１−１−１４と同じＯ_２：Ａｒ＝３０：７０とし、膜厚のみ３００ｎｍではなく２５ｎｍに変更した。
（実験例２−１２）
実験例２−１２については、銅層までは実験例２−１と同様にして作製した後、銅層上に黒化層にかえてモリブデンの酸化膜を成膜した。モリブデンの酸化膜は、膜厚を２５ｎｍとした点以外は実験例１−２−４と同様にして成膜した。

モリブデンの酸化膜は具体的には、Ｍｏターゲットを用い、チャンバー内に供給する酸素、及びアルゴンのガス比（体積％）をＯ_２：Ａｒ＝２５：７５として、膜厚が２５ｎｍとなるように成膜した。

以上の工程により得られた各実験例の導電性基板の評価結果について説明する。
（光学特性：反射率の評価）
作製した実験例２−１〜実験例２−１２の導電性基板について反射率測定を実施した。その結果を表６にまとめて示す。また、一部の試料の反射率の波長依存性を図５に示す。

実施例である実験例２−１から実験例２−１１の導電性基板における、波長５５０ｎｍの光の反射率、及び波長が３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光に対する反射率の平均値である可視光平均反射率はいずれも、３０％未満であることが確認できた。

また反射率から計算した明度、色度の値は表６に示すとおり、実験例２−１から実験例２−１１のうち、実験例２−６については明度Ｌ^＊が５５を若干超えたものの、実験例２-６を除く実験例２−１〜実験例２−１１はいずれも明度Ｌ^＊は約５５以下と低くなっていることを確認できた。特に実験例２−１〜実験例２−５、実験例２−８〜実験例２−１１については色度（ａ^＊，ｂ^＊）はいずれも負であり、黒化層として特に良好な特性であることを確認できた。

実施例である実験例２−４〜実験例２−７の波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光に対する反射率の測定結果を図５に示す。

実験例２−７は上述のように、黒化層を成膜する際のチャンバーへの供給ガス中の酸素比率が２８体積％を超え、膜厚以外は同条件で黒化層を成膜した実験例１−１−５のＥＤＳ分析の結果によれば、黒化層中の酸素の含有率が４２．６原子％となっている。このように黒化層中の酸素の含有率が４０原子％を超える場合、図５に示したように、波長６００ｎｍ以上の領域で反射率が急激に上昇することが確認できた。ただし、特に反射の抑制が求められる波長６００ｎｍ以下の光に対する反射率は十分に低く、実用上問題ないことが確認できる。

実験例２−１〜実験例２−４においては、上述のようにそれぞれ実験例１−１−１〜実験例１−１−４と膜厚以外は同様の条件で黒化層を成膜している。また実験例２−５、実験例２−６については実験例１−１−４と、実験例２−７については実験例１−１−５と、膜厚以外はそれぞれ同様の条件で黒化層を成膜している。実験例２−８は実験例１−１−１０と膜厚以外は同様の条件で黒化層を成膜している。実験例２−９は実験例１−１−１２と膜厚以外は同様の条件で黒化層を成膜している。実験例２−１０は実験例１−１−１３と膜厚以外は同様の条件で黒化層を成膜している。実験例２−１１は実験例１−１−１４と膜厚以外は同様の条件で黒化層を成膜している。

このため、実験例２−１〜実験例２−１１で作製した導電性基板に含まれる黒化層は、実験例１−１−１〜実験例１−１−５、実験例１−１−１０、実験例１−１−１２〜実験例１−１−１４で評価を行った黒化層と同様の特性、すなわち同様の「膜組成」、「エッチング性」、「シート抵抗」を有するものといえる。

また、実験例１で説明したように実験例１−１−１〜実験例１−１−５、実験例１−１−１０、実験例１−１−１２〜実験例１−１−１４で評価した黒化層は、溶解試験においてエッチング液に対して銅層と同等の溶解性を示すことが確認できた。このことから、実験例２−１〜実験例２−１１で作製した導電性基板については、いずれも同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板であるといえる。

なお、実験例２−１２は光学特性は良好であるが、実験例１−２−４で示したように溶解試験の結果が×であるため、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板であるとはいえない。

以上のように、透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と、酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有し、酸素を５原子％以上６０原子％以下含有する黒化層と、を備えた実験例２−１〜実験例２−１１の導電性基板は、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備えた導電性基板であることが確認できた。すなわち、係る導電性基板は、従来よりもエッチング性に優れていることが確認できた。また、係る導電性基板は低反射率、低明度、低色度であるため、タッチパネル用の導電性基板として好適に使用することができることを確認できた。
［実験例３］
実験例３ではまず、透明基材であるＰＥＴ基材上に、酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有する黒化層を形成した試料である、実験例３−１−１〜実験例３−１−４の試料を作製し、黒化層の組成についてのＥＤＳ分析、溶解試験を実施した。

また、さらに本実験例では、図１Ａに示した構造を有する導電性基板である、実験例３−２−１〜実験例３−２−４の試料を作製した。すなわち透明基材の片側面上に銅層、さらに黒化層を備えた導電性基板を作製し、光学特性の評価を行った。以下、具体的に説明する。
（実験例３−１−１、実験例３−１−２）
本実験例では、透明基材であるＰＥＴ基材上に、酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有する黒化層を形成した試料を作製した。

試料の作製に当たって、成膜用のスパッタリングターゲットとして、４６Ｃｕ−４６Ｎｉ−８Ｍｏの組成を有する熔解法で作製した熔解合金ターゲットを使用した。実験例３−１−１、実験例３−１−２では、上述のターゲットを用い、黒化層の成膜時にチャンバー内に供給する酸素ガスとアルゴンガスとの比、及びターゲットに供給する電力量を表７に示した値にした点以外は、実験例１と同様にして試料を作製した。

なお、実験例３−１−１は供給ガス中の酸素割合を３０体積％、実験例３−１−２は供給ガス中の酸素割合を４０体積％とした。そして、２００ＷのＤＣ電力をターゲットに印加して所定時間スパッタリングを行い、膜厚３００ｎｍの黒化層を成膜した。

作製した試料について黒化層のＥＤＳ分析、溶解試験を行った結果を表７、表８に示す。
（実験例３−１−３、実験例３−１−４）
本実験例では、透明基材であるＰＥＴ基材上に、酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有する黒化層を形成した試料を作製した。

試料の作製に当たって、成膜用のスパッタリングターゲットとして、４９Ｃｕ−４３Ｎｉ−８Ｍｏの組成を有する熔解法で作製した熔解合金ターゲットを使用した。実験例３−１−３、実験例３−１−４では、上述のターゲットを用い、黒化層の成膜時にチャンバー内に供給する酸素ガスとアルゴンガスとの比、及びターゲットに供給する電力量を表７に示した値にした点以外は、実験例１と同様にして試料を作製した。

なお、実験例３−１−３は供給ガス中の酸素割合を３０体積％、実験例３−１−４は供給ガス中の酸素割合を４０体積％とした。そして、２００ＷのＤＣ電力をターゲットに印加して所定時間スパッタリングを行い、膜厚３００ｎｍの黒化層を成膜した。

作製した試料について黒化層のＥＤＳ分析、溶解試験を行った結果を表７、表８に示す。

表７に示した結果から、４６Ｃｕ−４６Ｎｉ−８Ｍｏの熔解合金ターゲット、または４９Ｃｕ−４３Ｎｉ−８Ｍｏの熔解合金ターゲットを用いた場合でも、黒化層はいずれも銅、ニッケル、モリブデン、酸素を含有することが確認できた。

また、表８に示した結果から、４６Ｃｕ−４６Ｎｉ−８Ｍｏの熔解合金ターゲット、または４９Ｃｕ−４３Ｎｉ−８Ｍｏの熔解合金ターゲットを使用した黒化層においても、いずれも１分以内で溶解するエッチング特性を有することが確認できた。すなわち、本実験例の黒化層についても、銅層と同等の溶解性を示すことが確認できた。

次に、実験例３−２−１〜実験例３−２−４として、以下の手順により導電性基板を作製し、評価を行った。実験例３−２−１〜実験例３−２−４いずれについても実施例となる。
（実験例３−２−１、実験例３−２−２）
まず、実験例３−２−１、実験例３−２−２のいずれの導電性基板においても、実験例２−１と同様にして透明基材の一方の面上に銅薄膜層、及び銅めっき層を有する銅層を形成した。

次いで、実験例３−２−１、実験例３−２−２の各試料については、黒化層の膜厚を３５ｎｍとした点以外は、それぞれ実験例３−１−１、実験例３−１−２と同じ条件で銅層上に黒化層を形成し、図１Ａに示した構造を有する導電性基板を作製した。

作製した導電性基板について、反射率測定を実施した。また、測定した反射率から明度、及び色度を算出した。結果を表９に示す。
（実験例３−２−３、実験例３−２−４）
まず、実験例３−２−３、実験例３−２−４のいずれの導電性基板においても、実験例２−１と同様にして透明基材の一方の面上に銅薄膜層、及び銅めっき層を有する銅層を形成した。

次いで、実験例３−２−３、実験例３−２−４の各試料については、黒化層の膜厚を３５ｎｍとした点以外は、それぞれ実験例３−１−３、実験例３−１−４と同じ条件で銅層上に黒化層を形成し、図１Ａに示した構造を有する導電性基板を作製した。

作製した導電性基板について、反射率測定を実施した。また、測定した反射率から明度、及び色度を算出した。結果を表９に示す。

表９に示した結果によると、いずれの試料においても波長５５０ｎｍの光の反射率、及び波長が３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光に対する反射率の平均値である可視光平均反射率はいずれも、３０％未満であることが確認できた。

また、実験例３−２−１〜実験例３−２−４においては、上述のようにそれぞれ実験例３−１−１〜実験例３−１−４と膜厚以外は同様の条件で黒化層を成膜している。

このため、実験例３−２−１〜実験例３−２−４で作製した導電性基板に含まれる黒化層は、実験例３−１−１〜実験例３−１−４で評価を行った黒化層と同様の特性、すなわち同様の「膜組成」、「エッチング性」を有するものといえる。

そして、既述のように実験例３−１−１〜実験例３−１−４で評価した黒化層は、溶解試験においてエッチング液に対して銅層と同等の溶解性を示すことが確認できた。このことから、実験例３−２−１〜実験例３−２−４で作製した導電性基板についても、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板であるといえる。

以上のように、透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と、酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有し、酸素を５原子％以上６０原子％以下含有する黒化層と、を備えた実験例３−２−１〜実験例３−２−４の導電性基板は、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備えた導電性基板であることが確認できた。すなわち、係る導電性基板は、従来よりもエッチング性に優れていることが確認できた。また、係る導電性基板は低反射率、低明度、低色度であるため、タッチパネル用の導電性基板として好適に使用することができることも確認できた。

以上に導電性基板、及び導電性基板の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

本出願は、２０１５年１月２０日に日本国特許庁に出願された特願２０１５−００８９１３号、及び２０１５年４月２７日に日本国特許庁に出願された特願２０１５−０９００１７号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１５−００８９１３号、及び特願２０１５−０９００１７号の全内容を本国際出願に援用する。

１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０ 導電性基板
１１、１１Ａ、１１Ｂ 透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ 銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ 黒化層
３１Ａ、３１Ｂ 配線

Claims (7)

1. 透明基材と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有し、前記酸素を５原子％以上６０原子％以下含有する黒化層と、を備えた導電性基板。
2. 前記黒化層は、
   前記黒化層の銅とニッケルとモリブデンとの含有量を１００原子％とした場合に、前記モリブデンの含有量が２原子％以上７０原子％以下である請求項１に記載の導電性基板。
3. 前記銅層は厚さが１００ｎｍ以上であり。
   前記黒化層は厚さが２０ｎｍ以上である請求項１または２に記載の導電性基板。
4. 波長５５０ｎｍの光の反射率が３０％以下である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板。
5. メッシュ状の配線を備えた請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性基板。
6. 透明基材を準備する透明基材準備工程と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有し、前記酸素を５原子％以上６０原子％以下含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有する導電性基板の製造方法。
7. 前記黒化層形成工程は、
   銅−ニッケル−モリブデンターゲットを用い、
   酸素を５体積％以上４５体積％以下の割合で含有するガスをチャンバー内に供給しながらスパッタリング法により、前記黒化層を成膜する請求項６に記載の導電性基板の製造方法。

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