CN108388382B - 触控面板及其触控显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种触控面板及其触控显示装置，触控面板包括：一基材、一导电层以及一黑化层。导电层设置于基材上。黑化层设置于导电层上，且包括一种非金属元素；其中，黑化层的厚度为T，黑化层在距离导电层1/12T的位置具有第一浓度的非金属元素，黑化层在距离导电层7/12T的位置具有第二浓度的非金属元素，且第一浓度小于第二浓度。

Description

触控面板及其触控显示装置
技术领域
本发明涉及一种触控面板及其应用，且特别是涉及一种具有多层结构的触控电极及其应用。
背景技术
薄膜导电结构具有导电性与透光性，可运用来作为触控面板的感应层(sensorlayer)。现有的触控面板的感应层一般是通过沉积制作工艺，例如物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)，将导电材料沉积在基材上，再通过图案化来形成感应电极。而为了符合低阻值的需求，具有金属网格(metal mesh)结构的感应电极为一种受到瞩目的解决方案。
发明内容
本发明的一个实施例是提供一种触控面板，此触控电极包括：一基材、一导电层以及一黑化层。导电层设置于基材上。黑化层设置于导电层上，且包括一种非金属元素，其中黑化层的厚度为T，黑化层在距离导电层1/12T的位置非金属元素具有第一浓度，黑化层在距离导电层7/12T的位置非金属元素具有第二浓度，且第一浓度小于第二浓度。
本发明的另一个实施例是提供一种触控显示装置，此触控显示装置包括：一触控面板和一显示介质。触控面板具有一触控电极位于显示介质的一侧。且触控电极包括：一基材、一导电层以及一黑化层。导电层设置于基材上。黑化层设置于导电层上，且包括一种非金属元素；其中，黑化层的厚度为T，黑化层在距离导电层1/12T的位置非金属元素具有第一浓度，黑化层在距离导电层7/12T的位置非金属元素具有第二浓度，且第一浓度小于第二浓度。
附图说明
图1A至图1D为本发明的一实施例所绘示的一系列用来形成触控面板的制作工艺结构剖面示意图；
图2为本发明的另一实施例所绘示的触控面板的结构剖面示意图；
图3为本发明的再一实施例所绘示的触控面板的结构剖面示意图；
图4为本发明的又一实施例所绘示的触控面板的结构剖面示意图；
图5为本发明的又另一实施例所绘示的触控面板的结构剖面示意图；
图6A为采用本发明实施例所制备的触控面板的片电阻变化曲线图；
图6B为采用传统连续金属氮化层镀膜制作工艺所制备的触控面板的片电阻变化曲线图；
图7为应用图3的触控面板所建构的显示装置的结构剖视图；以及
图8A至图8C为本发明不同实施例绘示黑化层中非金属元素的浓度梯度分布样态。
符号说明
100：触控面板 101：基材
101a：基材下表面 101b：基材上表面
102：导电层 102a：导电层的上表面
103：黑化层 103a：低含氮部分
103b：高含氮部分 103c：黑化层的上表面
104：光学匹配层
200：触控面板 201：开口
300：触控面板 305：阻障层
400：触控面板 405：阻障层
500：触控面板 501：开口
70：显示装置 71：触控模块
72：显示单元 73：背光模块
74：显示面板
706：保护基板 711：彩色滤光层
712：液晶层 713：薄膜晶体管基板
714：底部偏光片 715：顶部偏光片
Z：轴 T：黑化层的厚度
具体实施方式
本发明是提供一种触控面板及应用此触控面板的显示装置。为了对本发明能更明显易懂，下文举数个实施例，并配合所附的附图作详细说明。
但必须注意的是，这些特定的实施案例与方法，并非用以限定本发明。本发明仍可采用其他特征、元件、方法及参数来加以实施。数个实施例的提出，仅用以例示本发明的技术特征，并非用以限定本发明的权利要求。该技术领域中具有通常知识者，将可根据以下揭露的描述，在不脱离本发明的精神范围内，作均等的修饰与变化。在不同实施例与附图之中，相同的元件，将以相同的元件符号加以表示。
须知悉的是，在本发明中，第一特征位于第二特征上以及第一特征设置于第二特征上的叙述，包含有第一特征与第二特征直接接触的态样，以及第一特征与第二特征之间尚包含有另一特征，以致于第一特征与第二特征未直接接触的态样。
须知悉的是，在本发明中，黑化层的材料包含金属氮化物或金属氧化物，其可吸收部分的外界入射光的效果，其中，黑化层的颜色并不限定于任何一种颜色，它的颜色会因为成分组成不同而有所变化。
须知悉的是，在本发明中，黑化层中的非金属元素浓度，可采用但不限制于EDX线扫描成分分析，其可以量测非金属元素在黑化层中沿深度方向(在本发明中，深度方向平行于Z轴方向)的浓度变化，其中，浓度的单位可为原子百分比或重量百分比。另一方面，由于具有不同非金属元素浓度的层别对于特定的蚀刻剂具有不同的蚀刻速率，因此，通过蚀刻率实验也可直接证实黑化层中的非金属元素存在有浓度梯度。
请参照图1A至图1D，图1A至图1D是根据本发明的一实施例所绘示的一系列用来形成触控面板100的制作工艺结构剖面示意图。其中形成触控面板100的方法包含下述步骤，但须知悉的是，下述步骤的顺序可以依照设计需求而变动：首先提供一个基材101(如图1A所绘示)。请再搭配图7，在本发明的一实施例之中，基材101可以是显示面板中用来形成彩色滤光层711的透光基板。例如在显示面板71中，彩色滤光层711形成于透光基板(基材101)靠近液晶层的下表面101a上；而本实施例所提供的触控电极，则形成于透光基板(基材101)远离液晶层712的上表面101b上。在本发明的另一实施例中，基材101可以是自发光显示面板中位于发光层上的封装层(encapsulation layer)、无机-有机-无机层(inorganic-organic-inorganic layer)、阻障层(barrier layer)、偏光层或透光基材等。
接着，沿着Z轴方向，形成导电层102于基材101的上表面101b上(如第1B图所绘示)。在本发明的一实施例之中，导电层102可以是通过沉积制作工艺，例如溅镀、物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition，CVD)，或其他可行的方法，在基材101的上表面101b上所形成的金属薄膜。导电层102的材质至少包括一种金属材料，而此金属材料可以选自于金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、钨(W)、铟(In)、锌(Zn)、铝(Al)、钕(Nd)、铜(Cu)以及上述金属材料的任意组合。导电层102的厚度例如介于
Figure BDA0001220158950000041
(angstrom，埃米)至
Figure BDA0001220158950000042
之间，或
Figure BDA0001220158950000043
至
Figure BDA0001220158950000044
之间。然而，本发明的导电层102的厚度并不以前述范围为限。因为导电层102的厚度可以依照金属材料的阻值不同而有所变化。举例来说，若金属材料的阻值越低，导电层102的厚度可以越薄。在本发明的一实施例之中，导电层102是厚度约为
Figure BDA0001220158950000045
的铝合金层。
之后，沿着Z轴方向，形成黑化层103于导电层102的上表面102a上。其中，黑化层103包含一种非金属元素。且黑化层103具有非金属元素的浓度差异，且于远离导电层102的位置此非金属元素的浓度会大于靠近导电层102的位置。在本发明的一实施例中，黑化层103例如是一种金属氮化物层。此黑化层103具有厚度T。黑化层103在与导电层102距离1/12T的位置，其中非金属元素具有第一浓度；黑化层103在与导电层102距离7/12T的位置，其中非金属元素具有第二浓度，其中，第一浓度小于第二浓度。
例如，在本发明的一实施例之中，黑化层103中的非金属元素可具有浓度梯度。黑化层103是一种金属氮化物层，且非金属元素是氮(N)。其中，黑化层103的氮的浓度，例如原子百分比(atomic percent，at％)或重量百分比(weight percent，wt％)，会朝远离导电层102的方向增加。然而，须知悉的是，黑化层中的非金属元素在朝远离导电层102的方向上具有浓度梯度，可以包含浓度持续增加的态样，如图8A所绘示；或是由低浓度陡然爬升至高浓度的态样，如图8B所绘示；或是由低浓度爬升至高浓度的过程中浓度有些微下滑的态样，如图8C所绘示。在本发明的另一实施例中，黑化层103可以是金属氧化物层，且非金属元素是氧(O)。且须知悉的是，图8A至图8C中绘示的浓度增加态样以线性为例，但实际上的浓度增加态样可为线性也可为非线性。
在本发明的一实施例中，黑化层103例如是一种铝合金氮化物(Al-X-N)层。此黑化层103具有厚度T。黑化层103在与导电层102的上表面102a距离1/12T的位置，其中非金属元素(于一实施例中，例如是氮)具有第一浓度；黑化层103在与导电层102的上表面102a距离7/12T的位置，其中非金属元素(于一实施例中，例如是氮)具有第二浓度，其中，第一浓度小于第二浓度。例如，第一浓度大于等于2at％(原子百分比)且小于30at％；第二浓度大于等于30at％且小于等于80at％。在本发明的一实施例中，第一浓度实质为20at％；第二浓度实质为40at％。但第一浓度与第二浓度的范围与数值并不以前述为限。须知悉的是，非金属元素的浓度可采用EDX(Energy-dispersive X-ray spectroscopy)或SIMS(Secondary IonMass Spectrometry)分析。例如，在本发明的一实施例中，采用EDX的小范围电子束在待测的位置(例如与导电层102的上表面102a距离1/12T的位置与7/12T的位置)采样多个点后取其平均值。在本发明的另一实施例中，也可搭配TEM-EDX或SEM-EDX以线扫描(line scan)方式扫描各个位置的浓度。但须知悉的是，浓度的量测手法并不以上述揭露为限。在本发明的另一实施例中，非金属元素可以是氧(O)。
在本发明的一实施例中，黑化层103从与导电层102接触的上表面102a起算至与导电层102的上表面102a距离1/6T的位置，其中非金属元素(于一实施例中，例如是氮)具有第一平均浓度；黑化层103从与导电层102的上表面102a距离1/6T的位置起算至与导电层102的上表面102a距离1T的位置(即黑化层103的上表面103c)，其中非金属元素(于一实施例中，例如是氮)具有第二平均浓度，其中，第一平均浓度小于第二平均浓度。在本发明的一实施例中，第一平均浓度实质为20at％；第二平均浓度实质为40at％。在本发明的一实施例中，采用TEM-EDX或SEM-EDX以线扫描(line scan)方式扫描各个位置的浓度后，分别计算出第一平均浓度与第二平均浓度。须知悉的是，第一平均浓度与第二平均浓度的数值，以及计算平均浓度的方法(例如：积分法或采用量测机台内建的计算模型)并不以上述揭露为限。在本发明的另一实施例中，非金属元素可以是氧(O)。
在本发明的一实施例中，形成黑化层103的方法包括溅镀制作工艺，在含氮气的反应气氛中，以高能量的氩气或其他惰性气体所形成的电浆，来轰击铝合金靶材，用于在导电层102的第二表面102a上方形成铝合金氮化物(Al-X-N)层。铝合金靶材可以是铝以及其他金属元素的组合，其他金属元素例如钕(Nd)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、钨(W)、铟(In)、锌(Zn)或上述的任意组合。黑化层103的厚度T介于
Figure BDA0001220158950000061
至
Figure BDA0001220158950000062
之间。但本发明并不以此为限。制作黑化层103时，可通过调整反应气氛中的氮气含量来达到控制黑化层103中氮的浓度，以在黑化层中形成氮含量不同的低含氮部分103a和高含氮部分103b。例如，在形成黑化层的过程中，先在反应气氛中通以较低含量的氮气以形成低含氮部分103a，再于反应气氛中通以较高含量的氮气以形成高含氮部分103b。或者可通过调整溅镀时间来控制低含氮部分103a和高含氮部分103b的厚度。例如，在形成黑化层的过程中，在第一时间内，在反应气氛中通以较低含量的氮气以形成低含氮部分103a；在第二时间内，在反应气氛中通以较高含量的氮气以形成高含氮部分103b。若控制第一时间短于第二时间，则低含氮部分103a的厚度将小于高含氮部分103b的厚度。在本发明的一实施例中，低含氮部分103a对应于黑化层103系由导电层102与黑化层103接触的上表面102a起算至与导电层102上的表面102a距离1/6T的范围，而高含氮部分103b则由与导电层102的上表面102a距离1/6T的位置起算至黑化层103的上表面103c(与导电层102的表面102a距离1T)的范围。然须知悉的是，前述仅为举例而已，通过调整不同的制作工艺参数，或可达到相同的结果。在本发明的另一实施例中，非金属元素可以是氧(O)，可通过调整反应气氛中的氧气含量来达到控制黑化层103中氧的浓度。
例如，在本发明的一实施例中，氮元素含量较高的高含氮部分103b的厚度5/6T大于氮元素含量较低的低含氮部分103a的厚度1/6T。其中，低含氮部分103a的厚度实质介于
Figure BDA0001220158950000063
至
Figure BDA0001220158950000064
之间。高含氮部分103b的厚度实质介于
Figure BDA0001220158950000065
至
Figure BDA0001220158950000066
之间。在本发明的另一实施例中，氮含量较高的高含氮部分103b的厚度可以小于氮含量较低的低含氮部分103a的厚度。
接着，沿着Z轴方向，形成光学匹配层104在黑化层103的上表面103c上，完成如图1D所绘示的触控面板100的制备。在本发明的一实施例之中，光学匹配层104是一种金属氧化物层，且光学匹配层104折射率不同于黑化层103的折射率。例如：光学匹配层104折射率实质小于黑化层103的折射率，但本发明并不以此为限。形成光学匹配层104的方式可包含，例如溅镀、物理气相沉积法、化学气相沉积法或其他可行的方法。光学匹配层104的厚度实质介于
Figure BDA0001220158950000071
至
Figure BDA0001220158950000072
之间。但本发明并不以此为限。
构成光学匹配层104的材质可以包括下述材质之一者或多者的组合。所述的材质可以是：铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、氧化铌(Nb2O5)、氮化硅(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、氧化锌(ZnO)、硅铝氧化物(SiAlO)、铝锌锡氧化物(ATZO)、氧化锡锑(ATO)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氟掺杂的氧化锡(F-doped Tin Oxide，FTO)、二氧化铜铝(CuAlO2)、钛钒铬锆钽氧化物((TiVCrZrTa)xO1-x)、钛钒铬锆钽氮化物((TiVCrZrTa)xNyO1-x-y)、氧化铝锌(Al:ZnO，AZO)、氧化镉(CdO)、氧化锌镓(Ga doped Zinc Oxide，GZO)、氧化锌铟(Zn2In2O5)、氧化铟钼(Indium molybdenum oxide，IMO)、氧化锌锡(Zn2SnO4)、氧化锡镉(Cd2SnO4)、氧化铟镉(Cd2InO4)、氧化锌掺杂氧化铟(In2O3-ZnO)、氮化铬(CrN)、氧化铬(CrO)、氮化钛(TiN)、氟掺杂氧化锡(SnO2：F)、氧化铜(Cu2O)、氧化亚铁(FeO)、铜镓氧化物(CuGaO2)、铜酸锶(SrCu2O2)、二氧化钛(TiO2)、氧化镍(NiO)、氧化钽(Ta2O5)。在本发明的一实施例之中，光学匹配层104是厚度约为
Figure BDA0001220158950000073
的铟锌氧化物层。
请参照图2，为根据本发明的另一实施例所绘示的触控面板200的结构剖面示意图。其中制作触控面板200的制作工艺与触控面板100的制作工艺大致相似，差别在于触控面板200具有图案化的触控电极，例如在俯视图上为金属网格(metal mesh)。而形成图案化的触控电极的步骤，包括在图1D所绘示的结构上进行一图案化制作工艺，例如蚀刻制作工艺，以移除一部分的光学匹配层104、一部分的黑化层103和一部分的导电层102，用于形成多开口201，其中，移除一部分光学匹配层104、黑化层103和导电层102的步骤，可分别实施于不同道的蚀刻制作工艺中，也可实施于同一道的蚀刻制作工艺中。在本发明的另一实施例中，更可以在光学匹配层104上覆盖一阻障层，使得阻障层完全覆盖开口201。或是将阻障层进行一图案化制作工艺，使得阻障层部分覆盖开口201，并覆盖光学匹配层104的顶部、黑化层103以及导电层102的侧壁，且暴露一部分的基材101的上表面101b。
请参照图3，在本发明的另一实施例中，还可以省略光学匹配层104，并选择性的覆盖一阻障层305于图案化后的黑化层103上方，使得阻障层305完全覆盖开口201，并覆盖黑化层103的顶部以及导电层102的侧壁。请参照图4，在本发明的另一实施例之中，触控面板400的阻障层405可以进行一图案化制作工艺，使得阻障层405部分覆盖开口201，并覆盖黑化层103的顶部以及导电层102的侧壁，且暴露一部分的基材101的上表面101b。在此实施例中，由于触控面板300不包含光学匹配层，可避开因为图案化制作工艺对光学匹配层104和黑化层103二者蚀刻速率不同造成的光学匹配层104悬突(overhang)问题，进而提高良率。在此须说明的是，光学匹配层104的悬突(overhang)问题由于蚀刻速率的差异使得光学匹配层104的侧壁较突出于黑化层103的侧壁。
构成阻障层305或405的材料可以包括下述材质之一者或多者的组合。所述的材质可以是：有机光致抗蚀剂材质、氮化硅、氧化铝、铟锡氧化物、氧化铌、硅氧化物、氧化锌、硅铝氧化物、铝锌锡氧化物、氧化锡锑、氧化铟、氧化锡、氟掺杂的氧化锡、氧化铝锌、二氧化铜铝、钛钒铬锆钽氧化物、钛钒铬锆钽氮化物、氧化镉、氧化锌镓、氧化锌铟、氧化铟钼、氧化锌锡、氧化锡镉、氧化铟镉、氧化锌掺杂氧化铟、氮化铬、氧化铬、氮化钛、氟掺杂氧化锡、氧化铜、氧化亚铁、铜镓氧化物、铜酸锶、二氧化钛、氧化镍、氧化钽或其他具有透光性且可阻挡盐水腐蚀的材料。
请参照图5，在本发明的另一实施例中，触控面板400可以省略光学匹配层104与阻障层405，以形成触控面板500。形成图案化的触控电极的步骤104，包括在图1C所绘示的结构上进行一图案化制作工艺，例如蚀刻制作工艺，以移除一部分的黑化层103和一部分的导电层102，用于形成多个开口201。在此实施例中，由于触控面板500不包含光学匹配层，可避开因为图案化制作工艺对光学匹配层104和黑化层103二者蚀刻速率不同造成的光学匹配层104悬突(overhang)问题，进而提高良率。
比较采用前述实施例所制备而成且具有未图案化的触控电极的触控面板300与采用比较例所制备且未图案化的触控电极的触控面板的片电阻变化趋势。请参照图6A和图6B，图6A绘示采用本发明实施例所制备的触控面板300的片电阻变化曲线图。图6B绘示采用比较例所制备的触控面板的片电阻变化曲线图。实施例的触控面板300与比较例的触控面板的差异，在于实施例在形成黑化层的过程中，先在反应气氛中通入较低含量的氮气，再于反应气氛中通入较高含量的氮气；而比较例在形成黑化层的过程中，不改变于反应气氛中通入的氮气含量。在图6A和图6B中，横轴的每个点代表一次制作工艺，而数个相邻的点即代表由数个连续的溅镀制作工艺所组成一个批次制作工艺，将该些点连成一线即可看出在一个批次制作工艺中的片电阻的变化曲线。纵轴为量测触控电极所得的片电阻(欧姆/平方，ohm/sq)。
比较图6A和图6B可看出：采用比较例所制备的触控电极，经过多次连续的溅镀制作工艺，所量测到的金属氮化物层的片电阻有逐渐上升的趋势(如图6B所绘示)。片电阻可从200ohm/sq陡升超过400ohm/sq甚至高达450ohm/sq。反观图6A，采用前述制作工艺制作而成的触控电极经过多次连续的溅镀制作工艺之后，片电阻仍稳定的维持在200ohm/sq左右。显见，采用实施例制作而成的触控电极，并未因为连续的溅镀制作工艺而产生靶材毒化现象，因此不会导致触控电极的片电阻逐渐上升。
又分别对采用前述实施例所制备而成的触控面板300以及采用比较例所制备的触控面板进行盐雾测试，以分析二者在严苛环境下的可靠度(Reliability)。将图3的实施例所提供的触控面板300，浸渍在浓度为5wt％的氯化钠(NaCl)溶液中24小时之后，观察位于黑化层103下方的导电层102，并未发现有腐蚀现象。须知悉的是，在此描述的未发现有腐蚀现象，以巨观而言，若以微观而言，或可发现轻微的腐蚀现象，本发明并不予以排除此可能性。反观，比较例所提供的触控面板，浸渍在浓度为5wt％的氯化钠(NaCl)溶液中24小时之后，位于氮化层下方的导电层则出现严重的腐蚀状况。由此显示，本案实施例所提供的触控面板300，抗腐蚀程度与可靠度高于比较例所提供的触控面板。
后续，可对上述实施例所提供的触控面板100(200、300、400或500)进行一系列的后段制作工艺(downstream process)，例如图案化、布线、组装、贴合等制作工艺，以形成触控模块71，并与显示单元72结合，形成具有触控功能的显示装置70。在本发明的一些实施例之中，显示单元72包含背光模块73和显示面板74，且显示面板74的上基板同时作为触控模块71的基材101。在本发明的另一实施例中，显示单元72包含自发光显示面板，例如量子点(QD)面板、发光二极管(LED)面板或有机发光二极管(OLED)面板，而在此实施例中，用以覆盖发光层的阻障层或封装层同时作为触控模块71的基材101。触控模块71可以是一种电容式触控模块。其中，触控电极可以被图案化而形成电容式触控模块的触控电极。
例如请参照图7，图7绘示应用图3的触控面板300所建构的显示装置70的结构剖视图。在本实施例中，显示装置70分别具有背光模块73和显示面板74和保护基板706。背光模块73邻接于显示面板74；而保护基板706设置于显示面板74相对于背光模块73的一侧。
详言之，显示面板74至少包括：基材101、彩色滤光层711、显示介质层712、薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)基板713、底部偏光片714以及顶部偏光片715。背光模块73邻接于显示面板74的底部偏光片714；触控面板300位于彩色滤光层711与顶部偏光片715之间。在本发明的另一实施例中，显示面板74还包括量子点增强膜(QDEF)，或彩色滤光层711以掺杂量子点的彩色光致抗蚀剂或透明光致抗蚀剂取代。
根据上述，本发明的实施例是提供一种触控面板和应用此触控面板的触控显示装置。在触控面板的导电层上形成一黑化层，并使黑化层中的一种非金属元素具有浓度差异。此种具有特定非金属元素浓度分布的黑化层，在连续的溅镀制作工艺中并不会产生靶材毒化现象。或可在不影响触控面板显示品质的状况下，防止触控电极受到外界污染物，例如盐雾，的侵蚀毁损，达到提高触控面板的可靠度的效果。
须知悉的是，在不会产生互斥的前提下，本发明的数个实施例的特征可以在不脱离本发明的精神和范围内混合搭配，而形成本发明的另一实施例。
虽然结合以上实施例已公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何该技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (10)

1.一种触控面板，包括：
基材；
导电层，设置于该基材上；以及
黑化层，设置于该导电层上，并与该导电层直接接触，该黑化层包含非金属元素；
其中，该黑化层具有一厚度T，该厚度T介于
Figure FDA0002172833780000011
至
Figure FDA0002172833780000012
该黑化层在距离该导电层1/12T的一位置该非金属元素具有第一浓度，该黑化层在距离该导电层7/12T的一位置该非金属元素具有第二浓度，其中，该第一浓度小于该第二浓度。
2.如权利要求1所述的触控面板，其中，该黑化层从接触该导电层的一第一位置至距离该导电层1/6T的一第二位置该非金属元素具有第一平均浓度，该黑化层从该第二位置至距离该导电层1T的一第三位置该非金属元素具有第二平均浓度，其中，该第一平均浓度小于该第二平均浓度。
3.如权利要求1所述的触控面板，其中，该黑化层具有该非金属元素的一浓度梯度，且该浓度梯度实质上朝着远离该导电层的方向增加。
4.如权利要求1所述的触控面板，其中该非金属元素是氧(O)或氮(N)。
5.如权利要求1所述的触控面板，其中该第一浓度大于等于2at％且小于30at％，该第二浓度大于等于30at％且小于等于80at％。
6.如权利要求1所述的触控面板，还包括一光学匹配层，设置于该黑化层上。
7.如权利要求1所述的触控面板，还包括一阻障层，覆盖该基材、该导电层与该黑化层。
8.如权利要求1所述的触控面板，还包括图案化的阻障层，覆盖该导电层以及该黑化层，并且暴露一部分的该基材。
9.一种触控显示装置，包括：
显示单元；
基材，设置于该显示单元上；
导电层，设置于该基材上；以及
黑化层，设置于该导电层上，并与该导电层直接接触，该黑化层包含非金属元素；
其中，该黑化层具有一厚度T，该厚度T介于
Figure FDA0002172833780000021
至
Figure FDA0002172833780000022
该黑化层在距离该导电层1/12T的一位置该非金属元素具有第一浓度，该黑化层在距离该导电层7/12T的一位置该非金属元素具有第二浓度，其中，该第一浓度小于该第二浓度。
10.如权利要求9所述的触控显示装置，其中，该黑化层从接触该导电层的一第一位置至距离该导电层1/6T的一第二位置该非金属元素具有第一平均浓度，该黑化层从该第二位置至距离该导电层1T的一第三位置该非金属元素具有第二平均浓度，其中，该第一平均浓度小于该第二平均浓度。
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