JPWO2016111301A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

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Abstract

本発明の有機ＥＬ素子は、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極をこの順に有しており、前記正孔輸送層が下記一般式（１）；【化１】式中、Ａｒ１〜Ａｒ４は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基である、で表されるアリールアミン化合物を含有し、前記発光層がＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物を含有していることを特徴とする。

Description

本発明は、各種の表示装置に好適な自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関するものであリ、詳しくは、正孔輸送層に特定の分子構造を有するアリールアミン化合物を含んでいる有機ＥＬ素子に関するものである。
有機ＥＬ素子は自己発光性素子であるため、液晶素子にくらべて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能であることから、有機ＥＬ素子について多くの研究がなされてきた。
１９８７年にイーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらは、発光のための各種の役割を各材料に分担した積層構造とすることにより、実用的な有機ＥＬ素子の開発に成功した。かかる有機ＥＬ素子は、電子を輸送することのできる蛍光体と正孔を輸送することのできる有機物とを積層することにより構成されるものであり、正電荷と負電荷とを蛍光体の層の中に注入して発光させることにより、１０Ｖ以下の電圧で１０００ｃｄ／ｍ２以上の高輝度が得られるというものである。
現在まで、有機ＥＬ素子の実用化のために多くの改良がなされており、例えば、積層構造の各種の役割をさらに細分化し、基板上に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極を設けた積層構造とすることにより、高効率と耐久性が達成されることが一般に知られている。
また、発光効率の更なる向上を目的として三重項励起子の利用が試みられ、燐光発光性化合物の利用が検討されている。
さらに、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）による発光を利用する素子も開発されている。例えば、２０１１年に九州大学の安達らは、熱活性化遅延蛍光材料を用いた素子によって５．３％の外部量子効率を実現させている。
発光層は、一般的にホスト材料と称される電荷輸送性の化合物に、蛍光性化合物や燐光発光性化合物または遅延蛍光を放射する材料をドープして作製することもできる。有機ＥＬ素子における有機材料の選択は、その素子の効率や耐久性など諸特性に大きな影響を与える。
有機ＥＬ素子においては、両電極から注入された電荷が発光層で再結合して発光が得られるが、正孔、電子の両電荷を如何に効率良く発光層に受け渡すかが重要であり、キャリアバランスに優れた素子とする必要がある。また、正孔注入性を高め、陰極から注入された電子をブロックする電子阻止性を高めることによって、正孔と電子が再結合する確率を向上させ、更には発光層内で生成した励起子を閉じ込めることによって、高発光効率を得ることができる。そのため、正孔輸送材料の果たす役割は重要であり、正孔注入性が高く、正孔の移動度が大きく、電子阻止性が高く、さらには電子に対する耐久性が高い正孔輸送材料が求められている。
また、素子の寿命に関しては材料の耐熱性やアモルファス性も重要である。耐熱性が低い材料では、素子駆動時に生じる熱により、低い温度でも熱分解が起こり、材料が劣化する。アモルファス性が低い材料では、短い時間でも薄膜の結晶化が起こり、素子が劣化してしまう。そのため使用する材料には耐熱性が高く、アモルファス性が良好な性質が求められる。
これまで有機ＥＬ素子に用いられてきた正孔輸送材料としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン（ＮＰＤ）や種々の芳香族アミン誘導体が知られていた（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。ＮＰＤは良好な正孔輸送能力を持っているが、耐熱性の指標となるガラス転移点（Ｔｇ）が９６℃と低く、高温条件下では結晶化による素子特性の低下が起こってしまう。
また、特許文献１，２に記載の芳香族アミン誘導体の中には、正孔の移動度が１０−３ｃｍ２／Ｖｓ以上と優れた移動度を有する化合物もあるが、電子阻止性が不十分であるため、電子の一部が発光層を通り抜けてしまい、発光効率の向上が期待できないなど、更なる高効率化のため、より電子阻止性が高く、薄膜がより安定で耐熱性の高い材料が求められていた。
さらに、耐久性の高い芳香族アミン誘導体も報告されているが（例えば、特許文献３参照）、電子写真感光体に用いられる電荷輸送材料として用いたもので、有機ＥＬ素子として用いた例はなかった。
耐熱性や正孔注入性などの特性を改良した化合物として、置換カルバゾール構造を有するアリールアミン化合物が提案されているが（例えば、特許文献４及び５参照）、これらの化合物を正孔注入層または正孔輸送層に用いた素子では、耐熱性や発光効率などの改良はされているものの、未だ十分とはいえず、さらなる低駆動電圧化や、さらなる高発光効率化が求められている。
有機ＥＬ素子の素子特性の改善や素子作製の歩留まり向上のために、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた材料を組み合わせることで、正孔および電子が高効率で再結合できる、発光効率が高く、駆動電圧が低く、長寿命な素子が求められている。
また、有機ＥＬ素子の素子特性を改善させるために、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた材料を組み合わせることで、キャリアバランスのとれた高効率、低駆動電圧、長寿命な素子が求められている。
特開平８−０４８６５６号公報 特許第３１９４６５７号公報 特許第４９４３８４０号公報 特開２００６−１５１９７９号公報 ＷＯ２００８／６２６３６号公報
本発明の目的は、正孔の注入・輸送性能、電子阻止能力、薄膜状態での安定性や耐久性に優れた正孔輸送材料により正孔輸送層が形成されており、該正孔輸送材料の優れた特性が十分に発揮されるように、他の層が組み合わされており、この結果として、高効率、低駆動電圧、長寿命が実現された有機ＥＬ素子を提供することにある。
本発明者等は、特定の分子構造を有するアリールアミン化合物が正孔輸送材料として優れた特性を示すと共に、かかる化合物を用いて正孔輸送層を形成したとき、発光層がＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物を含んでいる場合には、優れたキャリアバランスが確保され、各種特性に優れた有機ＥＬ素子が得られるという知見を見出し、本発明を完成させるに至った。
本発明によれば、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔輸送層が下記一般式（１）で表されるアリールアミン化合物を含有し、前記発光層がＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物を含有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
アリールアミン化合物；
式中、
Ａｒ１〜Ａｒ４は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素
環基を示す。
本発明の有機ＥＬ素子において、前記発光層に使用されるＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物としては、下記一般式（２）で表されるインデノインドール化合物または一般式（３）で表されるカルバゾール化合物が好適に使用される。
インデノインドール化合物；
式中、
Ａ１は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結
合を示し、
Ａｒ５は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基であ
り、
Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シア
ノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０
のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ない
し６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ
基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基、
アリールオキシ基またはジ芳香族置換アミノ基であり、
これらのＲ１〜Ｒ８は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン
基、酸素原子または硫黄原子を介して、互いに結合して環を形成しても
よく、さらに、Ｒ１〜Ｒ４の一部あるいはＲ５〜Ｒ８の一部がベンゼン環
から脱離しており、この脱離により生じた該ベンゼン環の空位に、Ｒ１
〜Ｒ４の他の基あるいはＲ５〜Ｒ８の他の基が、置換基を有していてもよ
いメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介し
て結合して環を形成してもよく、
Ｒ９及びＲ１０は、炭素数１ないし６のアルキル基、１価の芳香族炭
化水素基または１価の芳香族複素環基であって、これらの基は、単結合
、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介
して互いに結合して環を形成してもよい。
カルバゾール化合物；
式中、
Ａ２は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結
合を示し、
Ａｒ６は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示
し、
Ｒ１１〜Ｒ１８は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、
シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし
１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１
ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオ
キシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル
基、アリールオキシ基またはジ芳香族置換アミノ基であって、
これらのＲ１１〜Ｒ１８は、単結合、置換基を有していてもよいメチ
レン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互いに結合して環を形成し
てもよく、さらに、Ｒ１１〜Ｒ１４の一部あるいはＲ１５〜Ｒ１８の一部がベ
ンゼン環から脱離しており、この脱離により生じた該ベンゼン環の空位
に、Ｒ１１〜Ｒ１４の他の基あるいはＲ１５〜Ｒ１８の他の基が、置換基を
有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリール
アミノ基を介して結合して環を形成してもよい。
また、本発明の有機ＥＬ素子においては、正孔輸送層に用いる前記アリールアミン化合物が、下記一般式（１ａ）或いは（１ｃ）で表されるものであることが好適である。
一般式（１ａ）のアリールアミン化合物；
式中、
Ａｒ１〜Ａｒ３は、前記一般式（１）で示したとおりであり、
Ａｒ７及びＡｒ８は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複
素環基である。
一般式（１ｂ）のアリールアミン化合物；
式中、
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ７及びＡｒ８は、前記一般式（１）或いは前記
一般式（１ａ）で示したとおりであり、
Ａｒ９及びＡｒ１０は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族
複素環基である。
さらに、本発明の有機ＥＬ素子においては、前記電子輸送層が、下記一般式（４）で表されるアントラセン誘導体を含有していることがより好適である。
アントラセン誘導体；
式中、
Ａ３は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結
合を示し、
Ｂは、１価の芳香族複素環基を示し、
Ｃは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｄは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭
素数１ないし６のアルキル基、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳
香族複素環基を示し、
ｐ及びｑは、両者の合計が９であることを条件として、ｐが７または
８の整数であり、ｑが１または２の整数である。
上記のアントラセン誘導体としては、下記一般式（４ａ）、（４ｂ）或いは（４ｃ）で表される分子構造を有するものが好適に使用される。
一般式（４ａ）のアントラセン誘導体；
式中、
Ａ３は、前記一般式（４）に示すとおりであり、
Ａｒ１１、Ａｒ１２及びＡｒ１３は、それぞれ、１価の芳香族炭化水
素基または１価の芳香族複素環基であり、
Ｒ１９〜Ｒ２５は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、
シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし
１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１
ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオ
キシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル
基またはアリールオキシ基であって、これらの基は、単結合、置換基を
有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに
結合して環を形成してもよく、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、これらのいずれか１つのみが窒素原子
であることを条件として、それぞれ、炭素原子または窒素原子を表し、
該窒素原子には、水素原子を含めてＲ１９〜Ｒ２５の何れも結合していな
いものとする。
一般式（４ｂ）のアントラセン誘導体；
式中、
Ａ３は、前記一般式（４）に示すとおりであり、
Ａｒ１４、Ａｒ１５及びＡｒ１６は、１価の芳香族炭化水素基または
１価の芳香族複素環基である。
一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体；
式中、
Ａ３は、前記一般式（４）に示すとおりであり、
Ａｒ１７、Ａｒ１８及びＡｒ１９は、１価の芳香族炭化水素基または
１価の芳香族複素環基であり、
Ｒ２６は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基
、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシ
クロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６
のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、
１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基または
アリールオキシ基である。
さらに、本発明の有機ＥＬ素子においては、
（Ａ）前記正孔輸送層が、第一正孔輸送層および第二正孔輸送層の２層構造を有しており、該第二正孔輸送層が前記発光層側に位置しており且つ前記一般式（１）で表されるアリールアミン化合物を含有していること、
（Ｂ）前記発光層が、赤色の発光材料を含有していること、
（Ｃ）前記発光層が、燐光性の発光材料を含有していること、
（Ｄ）前記燐光性の発光材料がイリジウムまたは白金を含む金属錯体であること、
がより好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子において、正孔輸送層に含まれる一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は、後述する実施例にも示されているように、
（１）正孔の注入・輸送特性が良い、
（２）電子阻止能力に優れている、
（３）薄膜状態が安定である、
（４）耐熱性に優れている、
という特性を有している。しかも、本発明の有機ＥＬ素子は、このようなアリールアミン化合物が正孔輸送層に含まれていることに加え、発光層にＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物（例えば、Ｎ−芳香族置換インデノインドール化合物或いはＮ−芳香族置換カルバゾール化合物）を含んでおり、これにより、上記アリールアミン化合物の優れた特性が十分に発揮され、発光層に正孔を効率良く注入・輸送でき、高効率、低駆動電圧での発光を実現でき、さらには、素子の長寿命化も実現できる。
また、本発明においては、上記の正孔輸送層及び発光層と共に、前述した一般式（４）で表されるアントラセン誘導体により形成された電子輸送層を設けることにより、発光層へ正孔と電子をより効率良く注入・輸送でき、高いキャリアバランスを確保することができ、より高い特性向上を実現できる。
さらに、本発明においては、正孔輸送層を第一正孔輸送層と第二正孔輸送層の２層構造とし、発光層に隣接する側に位置する第二正孔輸送層を、前述した一般式（１）のアリールアミン化合物により形成することにより、該アリールアミン化合物が有する電子阻止性能を最大限に活用することができ、より高効率で長寿命（高耐久性）の有機ＥＬ素子を実現することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の好適な層構成を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１）〜（１−５）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−６）〜（１−１０）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１１）〜（１−１５）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１６）〜（１−２０）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−２１）〜（１−２５）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−２６）〜（１−３０）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−３１）〜（１−３５）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−３６）〜（１−４０）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１〜４１）〜（１−４５）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−４６）〜（１−５０）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−５１）〜（１−５４）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−５５）〜（１−５９）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−６０）〜（１−６４）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−６５）〜（１−６９）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−７０）〜（１−７４）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−７５）〜（１−７９）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−８０）〜（１−８４）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−８５）〜（１−８９）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−９０）〜（１−９３）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−９４）〜（１−９８）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−９９）〜（１−１０２）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１０３）〜（１−１０７）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１０８）〜（１−１１１）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１１２）〜（１−１１６）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１１７）〜（１−１２１）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１２２）〜（１−１２６）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１２７）〜（１−１３１）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１３２）〜（１−１３６）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１３７）〜（１−１４１）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１４２）〜（１−１４５）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１４６）〜（１−１５０）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１５１）〜（１−１５４）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１５５）〜（１−１５８）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリールアミン化合物における化合物Ｎｏ．（１−１５９）及び（１−１６０）の構造式を示す図。 一般式（２）のインデノインドール化合物における化合物Ｎｏ．（２−１）及び（２−２）の構造式を示す図。 一般式（２）のインデノインドール化合物における化合物Ｎｏ．（２−３）〜（２−６）の構造式を示す図。 一般式（２）のインデノインドール化合物における化合物Ｎｏ．（２−７）〜（２−１１）の構造式を示す図。 一般式（２）のインデノインドール化合物における化合物Ｎｏ．（２−１２）〜（２−１５）の構造式を示す図。 一般式（３）のカルバゾール化合物における化合物Ｎｏ．（３−１）〜（３−５）の構造式を示す図。 一般式（３）のカルバゾール化合物における化合物Ｎｏ．（３−６）〜（３−１０）の構造式を示す図。 一般式（３）のカルバゾール化合物における化合物Ｎｏ．（３−１１）〜（３−１５）の構造式を示す図。 一般式（３）のカルバゾール化合物における化合物Ｎｏ．（３−１６）〜（３−２０）の構造式を示す図。 一般式（３）のカルバゾール化合物における化合物Ｎｏ．（３−２１）〜（３−２３）の構造式を示す図。 一般式（４ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ａ−１）及び（４ａ−２）の構造式を示す図。 一般式（４ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ａ−３）〜（４ａ−７）の構造式を示す図。 一般式（４ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ａ−８）〜（４ａ−１１）の構造式を示す図。 一般式（４ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ａ−１２）〜（４ａ−１６）の構造式を示す図。 一般式（４ａ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ａ−１７）〜（４ａ−２０）の構造式を示す図。 一般式（４ｂ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｂ−１）〜（４ｂ−５）の構造式を示す図。 一般式（４ｂ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｂ−６）〜（４ｂ−１０）の構造式を示す図。 一般式（４ｂ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｂ−１１）〜（４ｂ−１５）の構造式を示す図。 一般式（４ｂ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｂ−１６）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−１）〜（４ｃ−３）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−４）〜（４ｃ−７）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−８）〜（４ｃ−１１）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−１２）〜（４ｃ−１５）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−１６）〜（４ｃ−１９）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−２０）〜（４ｃ−２３）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−２４）〜（４ｃ−２６）の構造式を示す図。 一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体における化合物Ｎｏ．（４ｃ−２７）〜（４ｃ−３０）の構造式を示す図。 一般式（５）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（５−１）〜（５−５）の構造式を示す図。 一般式（５）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（５−６）〜（５−１０）の構造式を示す図。 一般式（５）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（５−１１）〜（５−１５）の構造式を示す図。 一般式（５）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（５−１６）〜（５−２０）の構造式を示す図。 一般式（５）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（５−２１）〜（５−２３）の構造式を示す図。 トリアリールアミン誘導体Ｎｏ．（５’−１）、（５’−２）の構造式を示す図。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（６−１）〜（６−５）の構造式を示す図。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（６−６）〜（６−１０）の構造式を示す図。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（６−１１）〜（６−１５）の構造式を示す図。 一般式（６）のトリアリールアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（６−１６）〜（６−１７）の構造式を示す図。
本発明の有機ＥＬ素子は、ガラス基板や透明プラスチック基板（例えばポリエチレンテレフタレート基板）などの透明基板上に、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極が、この順に形成された基本構造を有している。このような基本構造を有している限り、その層構造は種々の態様を採ることができ、例えば、正孔輸送層を、陽極側に位置する第一正孔輸送層と発光層に隣接する第二正孔輸送層との２層構造とすることもできるし、透明電極と正孔輸送層との間に正孔注入層を設けることもでき、さらには、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けることもできる。例えば、図１には、後述する実施例で採用された層構造が示されており、この例では、透明基板１上に、陽極２、正孔注入層３、第一正孔輸送層４、第二正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７、電子注入層８及び陰極９が、この順に形成されている。
以下、本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。
＜陽極＞
陽極２は、ＩＴＯや金のような仕事関数の大きな電極材料の蒸着により、透明基板１上に形成されるものである。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は、上記の陽極２と発光層６との間に設けられるものであり、本発明においては、この正孔輸送層は、下記の一般式（１）で表されるアリールアミン化合物を含んでいる。
式中、
Ａｒ１〜Ａｒ４は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素
環基を示す。
かかるアリールアミン化合物は、３つの水素原子が全て芳香族基で置換されているトリアリールアミンであり、特に、アミノ基の窒素原子に対してｐ位及びｍ位のそれぞれに１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基が置換基（例えば式（１）中のＡｒ１及びＡｒ２）として結合しているベンゼン環（以下、ｐｍ−置換ベンゼン環と略すことがある）を少なくとも一つ有しているという構造を有している。
このような構造のアリールアミン化合物は、後述する実施例からも理解されるようにガラス転移点Ｔｇが高く（例えば１００℃以上）、従って、薄膜状態が安定であり、耐熱性も優れている。また、一般的な正孔輸送材料が有する仕事関数（約５．４ｅＶ）と比較して、高い仕事関数を有しており、従って、正孔輸送性に優れており、正孔の移動度が大きく且つ正孔の注入特性もよい。さらには、電子阻止性にも優れている。
上記の一般式（１）において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに同一でも異なっていてもよく、これらの基Ａｒ１〜Ａｒ４が示す１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基としては、以下のものを挙げることができる。
１価の芳香族炭化水素基；
フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アント
ラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレ
ニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、スピ
ロビフルオレニル基等。
１価の芳香族複素環基；
ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、フリル基、ピロリル基
、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾ
チエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベ
ンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾキ
ナゾリニル基、ピリドピリミニジル基、ピラゾリル基、ナフトピリミジニ
ル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フ
ェナントロリニル基、アクリジニル基、カルボリニル基等。
また、上記の１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基は、置換基を有していてもよい。
このような置換基としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基に加え、以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子
；
炭素数１ないし６のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基；
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、例えば、メチルオキシ基、エチ
ルオキシ基、プロピルオキシ基；
アルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基；
アリール基、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基
、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基
、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリ
フェニレニル基、スピロビフルオレニル基；
アリールオキシ基、例えば、フェニルオキシ基、トリルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えば、ベンジルオキシ基、フェネチルオ
キシ基；
芳香族複素環基、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル
基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、
ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、
ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾ
イミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル
基、カルボリニル基；
アリールビニル基、例えば、スチリル基、ナフチルビニル基；
アシル基、例えば、アセチル基、ベンゾイル基；
これらの置換基は、さらに、上記で例示している置換基を有していてもよい。
上述した一般式（１）において、基Ａｒ１としては、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、インドリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基が好ましく、これらの中でも芳香族炭化水素基、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントレニル基、フルオレニル基が特に好ましい。勿論、これらの基は、置換基を有していてもよい。
また、基Ａｒ２としては、芳香族炭化水素基が好ましく、芳香族炭化水素基の中でも、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオレニル基がより好ましく、さらには、フェニル基、ビフェニリル基が好ましい。また、これらの基は、置換基を有していてもよいが、最も好ましいものは、無置換のフェニル基、無置換のビフェニリル基である。
さらに、基Ａｒ３及びＡｒ４としては、芳香族炭化水素基が好ましく、これらの中でもフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、フルオレニル基がより好ましく、これらの基は、置換基を有していてもよい。特に好適な基Ａｒ３及びＡｒ４は、無置換のビフェニリル基、無置換のターフェニリル基、置換基を有するフェニル基、置換基を有するフルオレニル基であり、フェニル基の置換基としては、ナフチル基もしくはフルオレニル基が好ましく、フルオレニル基の置換基としては、メチル基、フェニル基が好ましい。
本発明において、上述した一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は、前述したように、ｐｍ−置換ベンゼン環を少なくとも一つ有している点に構造上の特徴を有している。
例えば、下記一般式（１ａ）で表されるアリールアミン化合物は、上記のｐｍ−置換ベンゼン環を少なくとも二つ有しており、下記一般式（１ｂ）で表されるアリールアミン化合物は、ｐｍ−置換ベンゼン環を三つ有している。
一般式（１ａ）のアリールアミン化合物；
一般式（１ｂ）のアリールアミン化合物；
前記一般式（１ａ）及び（１ｂ）においては、
Ａｒ１〜Ａｒ３は、前記一般式（１）で示したとおりであり、
Ａｒ７、Ａｒ８、Ａｒ９及びＡｒ１０も、１価の芳香族炭化水素基ま
たは１価の芳香族複素環基を示す。
上記の一般式（１ａ）の化合物は、一般式（１）中の基Ａｒ４が、前述したｐｍ−置換ベンゼン環を有する基であり、式（１ａ）中のＡｒ７及びＡｒ８が、ｐｍ−置換ベンゼン環が有する２つの置換基に相当する。
かかる一般式（１ａ）においては、基Ａｒ１とＡｒ７（窒素原子に対して、ベンゼン環のｐ位に結合している基同士）が同一の基であり、かつ、基Ａｒ２とＡｒ８（窒素原子に対して、ベンゼン環のｍ位に結合している基同士）が同一の基であることが、合成上の観点から好ましい。
上記の一般式（１ｂ）の化合物は、一般式（１）中の基Ａｒ３及びＡｒ４が、前述したｐｍ−置換ベンゼン環を有する基であり、式（１ｂ）におけるＡｒ７及びＡｒ８、並びにＡｒ９及びＡｒ１０が、それぞれ、ｐｍ−置換ベンゼン環が有する２つの置換基に相当する。
このような一般式（１ｂ）においては、上記の一般式（１ａ）と同様、基Ａｒ１、Ａｒ７およびＡｒ９が同一の基であり、かつ、基Ａｒ２、Ａｒ８およびＡｒ１０が同一の基であることが、合成上の観点から好ましい。
上述した一般式（１）（或いは一般式（１ａ）もしくは一般式（１ｂ））で表されるアリールアミン化合物の具体例としては、図２〜図３５で示されている構造式を有する化合物（１−１）〜（１−１６０）を挙げることができる。
尚、一般式（１）で表される化合物は、後述する実施例に示されているようにＳｕｚｕｋｉカップリングなどの公知の方法を利用して合成することができ、合成された化合物の精製は、カラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土等による吸着精製や、溶媒による再結晶や晶析法、昇華精製法などによっても行うことができる。
また、本発明の有機ＥＬ素子に用いられる化合物は、最後に昇華精製法によって精製したものを用いた。
例えば、ｐｍ−置換ベンゼン環を一つ有するアリールアミン化合物は、以下のようにして製造することができる。
即ち、２つの水素原子が芳香族基で置換されているＮ，Ｎ−ビスアリールアミン（ジ置換芳香族アミン）を出発原料として使用し、ｍ位に臭素原子などのハロゲン原子を有するｍ−置換ハロゲン化芳香族化合物を反応させることにより、該ジ置換芳香族アミンの窒素原子にｍ−置換ベンゼン環基を導入する。次いで、Ｎ−ブロモスクシンイミドなどの臭素化剤を反応させて、ｍ−置換ベンゼン環基のｐ位にハロゲン基を導入し、相当するボロン酸とテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムなどのカップリング化剤を反応させて、ｍ−置換ベンゼン環基のｐ位に芳香族基を導入することにより、目的とするｐｍ−置換ベンゼン環を一つ有するアリールアミン化合物を製造することができる。
また、ｐｍ−置換ベンゼン環を二つ有するアリールアミン化合物は、以下のようにして製造することができる。
即ち、ｍ位が芳香族基で置換されているｍ置換芳香族基を有するＮ，Ｎ−ビス（ｍ置換芳香族）アミンを合成し、合成されたジ置換アミンにハロゲン化芳香族化合物を反応させてＮ−アリール−Ｎ，Ｎ−ビス（ｍ置換芳香族）アミンを合成した後、Ｎ−ブロモスクシンイミドなどの臭素化剤を反応させて、ｍ−置換ベンゼン環基のｐ位にハロゲン基を導入し、相当するボロン酸とテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムなどのフェニルカップリング化剤を反応させて、ｍ−置換ベンゼン環基のｐ位に芳香族基を導入することにより、目的とするｐｍ−置換ベンゼン環を二つ有するアリールアミン化合物を製造することができる。
さらに、ｐｍ−置換ベンゼン環を三つ有するアリールアミン化合物は、以下のようにして製造することができる。
即ち、ｍ位が芳香族基で置換されているｍ置換芳香族基を有するトリス（ｍ置換芳香族）アミンを使用し、このトリアリールアミンが有する３つのｍ置換芳香族基のｐ位に、上記と同様に芳香族基を導入することにより、目的とするｐｍ−置換ベンゼン環を三つ有するアリールアミン化合物を製造することができる。
本発明において、上述した一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は、それぞれ１種単独で使用することもできるし、２種以上を混合して使用することもでき、さらには、かかるアリールアミン化合物が有する優れた特性が損なわれない範囲において、公知の正孔輸送剤と併用して正孔輸送層を形成することもできる。
このような公知の正孔輸送剤としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニリルベンジジンなどのベンジジン誘導体；１，１−ビス［４−(ジ−４−トリルアミノ)フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）；後述する一般式（３）または一般式（４）で表されるトリアリールアミン誘導体；その他、種々のトリフェニルアミン３量体などをあげることができる。
また、かかる正孔輸送層においては、さらにトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモン、ラジアレン誘導体（例えば、国際公開２０１４／００９３１０号参照）などをＰドーピングしたものや、ＴＰＤなどのベンジジン誘導体の分子構造を含む高分子化合物などを併用することもできる。
上述した正孔輸送層は、一般式（１）のアリールアミン化合物を含むガスの蒸着もしくは共蒸着により形成することが好適であるが、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によっても形成することができる。
このような正孔輸送層の厚みは、通常２５〜６０ｎｍ程度であるが、低い駆動電圧で発光させることができるため、その厚みを例えば１００ｎｍ以上に厚くした場合にも駆動電圧の上昇を抑えることができる。即ち、正孔輸送層の厚みの自由度が高く、例えば、２０〜３００ｎｍ、特に２０〜２００ｎｍの厚みで実用駆動電圧を維持できる。
また、本発明では、上記のアリールアミン化合物を含む正孔輸送層は、例えば図１に示されているように、陽極側に位置する第一正孔輸送層４と発光層６側に位置する第二正孔輸送層５との二層構造を有していることが好適である。
このような二層構造の正孔輸送層については、後述する。
＜発光層＞
本発明の有機ＥＬ素子における発光層は、Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物を含有しているものであり、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等の公知の方法によって形成される。
即ち、発光材料と共に、Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物が発光層６中に存在していることにより、前述した正孔輸送層５に含まれているアリールアミン化合物の正孔輸送・注入性が活かされ、発光層６に効率よく正孔を注入することができ、高効率、低駆動電圧での発光を実現できる。
本発明において、上記のＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物としては、特にインデノインドール化合物或いはカルバゾール化合物が好適に使用される。
インデノインドール化合物；
上記のインデノインドール化合物は、含窒素複素環としてインデノインドール環を有するものであり、このインデノインドール環中の窒素原子に、置換基として芳香族基が導入されており、例えば下記一般式（２）で表される。
前記一般式（２）において、窒素原子に結合しているＡ１は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合を示し、このＡ１に結合している基Ａｒ５は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す。
ここで、２価の芳香族炭化水素基は、２つの結合手を有する芳香族炭化水素環から形成されているものであり、このような芳香族炭化水素環としては、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、テトラキスフェニル、スチレン、ナフタレン、アントラセン、アセナフタレン、フルオレン、フェナントレン、インダン、ピレン、トリフェニレン、フルオランテンなどを挙げることができる。
また、２価の芳香族複素環基は、２つの結合手を有する芳香族複素環から形成されているものであり、このような芳香族複素環としては、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ピロール、フラン、チオフェン、キノリン、イソキノリン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドリン、カルバゾール、カルボリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、ピラゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ナフチリジン、フェナントロリン、アクリジン、キナゾリン、ベンゾキナゾリンなどをあげることができる。
さらに、Ａｒ５が示す１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基としては、前述した一般式（１）におけるＡｒ１〜Ａｒ４について例示したものと同様の基をあげることができる。
上記の２価の基Ａ１及び１価の基Ａｒ５も、前述したＡｒ１〜Ａｒ４と同様、置換基を有していてもよく、かかる置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
一般式（２）中のＲ１〜Ｒ８は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、または、ジ芳香族置換アミノ基を示す。
尚、上記のジ芳香族置換アミノ基は、アミノ基の窒素原子に、２つの芳香族基（即ち、１価の芳香族炭化水素基及び／または１価の芳香族複素環基）が置換基として結合しているものである。
上記のＲ１〜Ｒ８或いはジ芳香族置換アミノ基における１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基としては、前述した一般式（１）におけるＡｒ１〜Ａｒ４について例示したものと同様の基をあげることができる。
また、Ｒ１〜Ｒ８が示す上記のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基の例としては、以下のものを例示することができる。
アルキル基（Ｃ数１〜６）：
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチ
ル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基等。
アルケニル基（Ｃ数２〜６）：
ビニル基、アリル基等。
アルキルオキシ基（Ｃ数１〜６）：
メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基等。
シクロアルキルオキシ基（Ｃ数５〜１０）：
メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基等。
アラルキル基：
ベンジル基、フェネチル基等。
アリールオキシ基：
フェニルオキシ基、トリルオキシ基等。
さらに、上述したＲ１〜Ｒ８が示す各基は、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互いに結合して環（即ち、縮合環）を形成していてもよい（例えば、後述する一般式（２ｄ）及び（２ｅ）参照）。
さらに、Ｒ１〜Ｒ４の一部あるいはＲ５〜Ｒ８の一部がベンゼン環から脱離しており、この脱離により生じた該ベンゼン環の空位に、Ｒ１〜Ｒ４の他の基あるいはＲ５〜Ｒ８の他の基（これら他の基は上記であげた基である）が、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環（即ち、縮合環）を形成していてもよい（例えば、後述する一般式（２ａ）〜（２ｃ）参照）。
また、一般式（２）中のＲ９及びＲ１０は、炭素数１ないし６のアルキル基、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基である。これらの基の具体例としては、一般式（２）におけるＲ１〜Ｒ８の炭素数１ないし６のアルキル基、一般式（１）におけるＡｒ１〜Ａｒ４について例示されているものをあげることができ、これらの基も、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
上述した一般式（２）で表されるインデノインドール化合物においては、Ｒ１〜Ｒ８により環が形成されていることが好ましい。
例えば、下記一般式（２ａ）〜（２ｅ）に示されているインデノインドール化合物は、Ｒ１〜Ｒ８の一部の基によって環が形成されているときの例である。
尚、下記の一般式（２ａ）〜（２ｅ）において、Ａ１、Ａｒ５、Ｒ１〜Ｒ１０は、前記一般式（２）で示したとおりの意味を表し、Ｘは、２価の連結基であり、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を表す。
上記一般式（２ａ）は、一般式（２）中のＲ１が脱離して空位となっている位置に、Ｒ１と隣接しているＲ２が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。
上記一般式（２ｂ）は、一般式（２）中のＲ３が脱離して空位となっている位置に、Ｒ３と隣接しているＲ４が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。
上記一般式（２ｃ）は、一般式（２）中のＲ２が脱離して空位となっている位置に、Ｒ２と隣接しているＲ３が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。
上記一般式（２ａ）〜（２ｃ）において、連結基Ｘを介してのベンゼン環への結合により形成される縮合環の例としては、フルオレン環（Ｘ＝メチレン）、カルバゾール環（Ｘ＝モノアリールアミノ基）、ジベンゾフラン環（Ｘ＝酸素原子）、ジベンゾチオフェン環（Ｘ＝硫黄原子）をあげることができる。
また、上記一般式（２ｄ）は、一般式（２）中のＲ３（ビニル基）とＲ４（ビニル基）とが結合してベンゼン環を形成している構造を有している。
さらに、上記一般式（２ｅ）は、一般式（２）中のＲ３（フェニル基）とＲ４（フェニル基）とが結合してフェナントレン環を形成している構造を有している。
上記の一般式（２ａ）〜（２ｅ）では、Ｒ１〜Ｒ４の一部が環を形成している構造が示されているが、Ｒ５〜Ｒ８が環を形成している構造では、Ｒ５〜Ｒ８が結合しているベンゼン環への縮合により環が形成されることとなる。
本発明において、上述した一般式（２）（或いは一般式（２ａ）〜（２ｅ））で表されるインデノインドール化合物の具体例としては、図３６〜図３９で示されている構造式を有する化合物（２−１）〜（２−１５）をあげることができる。
カルバゾール化合物；
本発明において、発光層６の形成に使用されるカルバゾール化合物は、含窒素複素環としてカルバゾール環を有するものであり、このカルバゾール環中の窒素原子に、置換基として芳香族基が導入されており、例えば下記一般式（３）で表される。
前記一般式（３）において、Ａ２、Ａｒ６及びＲ１１〜Ｒ１８は、前述した一般式（２）におけるＡ１、Ａｒ５及びＲ１〜Ｒ８と同様の基を示す。
即ち、一般式（３）において、窒素原子に結合しているＡ２は、一般式（２）におけるＡ１と同様、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、または単結合を示す。
かかる２価の芳香族炭化水素基及び２価の芳香族複素環基としては、一般式（２）におけるＡ１について示したものと同様の基を例示することができ、これらの基は、Ａ１について例示されている基と同様の置換基を有していてよく、さらに、かかる置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
また、上記一般式（３）中のＡｒ６は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示す。かかる１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基としては、一般式（２）におけるＡｒ５（或いは一般式（１）におけるＡｒ１〜Ａｒ４）と同様の基を例示することができ、またＡｒ５と同様、置換基を有していてよく、さらに、かかる置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
一般式（３）中のＲ１１〜Ｒ１８は、一般式（２）のＲ１〜Ｒ８と同様、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基または、ジ芳香族置換アミノ基であり、これらの具体例も、一般式（２）におけるＲ１〜Ｒ８について例示されているものと同じであり、これらの基も、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環（即ち、縮合環）を形成していてもよい。
さらに、上記のＲ１１〜Ｒ１４の一部或いはＲ１５〜Ｒ１８の一部がベンゼン環から脱離しており、この脱離により生じたベンゼン環の空位に、当該ベンゼン環に結合している他の基（特に脱離している基に隣接している基）が、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環（即ち、縮合環）を形成していてもよい。
このようなカルバゾール化合物においては、Ｒ１１〜Ｒ１８の一部により環が形成されていることが好ましい。即ち、カルバゾール環が有しているベンゼン環に環が縮合している構造が好適である。特に、下記一般式（３ａ−１）〜（３ａ−４）及び（３ｂ−１）に示されているように、Ｒ１１〜Ｒ１８の一部が脱離した空位に、隣接している他の基が置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成していることが好ましい。
尚、下記の一般式（３ａ−１）〜（３ａ−４）及び（３ｂ−１）において、Ａ２、Ａｒ６、Ｒ１１〜Ｒ１８は、前記一般式（３）で示したとおりの意味を表し、Ｘは、２価の連結基であり、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を表す。
上記一般式（３ａ−１）は、一般式（３）中のＲ１１が脱離して空位となっている位置に、Ｒ１１と隣接しているＲ１２（置換基として２つのメチル基を有しているインデニル基）が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。
上記一般式（３ａ−２）も、一般式（３ａ−１）と同様、一般式（３）中のＲ１１が脱離して空位となっている位置に、Ｒ１１と隣接しているＲ１２（置換基として２つのメチル基を有しているインデニル基）が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。
上記一般式（３ａ−３）は、一般式（３）中のＲ１４が脱離して空位となっている位置に、Ｒ１４と隣接しているＲ１３（置換基として２つのメチル基を有しているインデニル基）が連結基Ｘを介してベンゼン環に結合して縮合環を形成している構造を有している。
上記一般式（３ａ−４）は、一般式（３）中のＲ１１が脱離して空位となっている位置に、Ｒ１１と隣接しているＲ１２（置換基として２つのフェニル基を有しているインデニル基）が連結基Ｘを介してベンゼン環に縮合環を形成している構造を有している。
上記一般式（３ｂ−１）は、一般式（３）中のＲ１１が脱離して空位となっている位置に、Ｒ１１と隣接しているＲ１２（Ｎ−フェニル置換インドリル基）が連結基Ｘを介して結合して縮合環を形成している構造を有している。
上記一般式（３ａ−１）〜（３ａ−４）において、連結基Ｘを介してのベンゼン環への結合により形成される縮合環の例としては、インデノインダン環（Ｘ＝メチレン）、インデノインドール環（Ｘ＝モノアリールアミノ基）、インデノベンゾフラン環（Ｘ＝酸素原子）、インデノベンゾチオフェン環（Ｘ＝硫黄原子）などであってもよい。
上述した一般式（３ａ−１）〜（３ａ−４）及び（３ｂ−１）では、Ｒ１１〜Ｒ１４が環を形成している構造が示されているが、勿論、Ｒ１５〜Ｒ１８が、これらの式と同様に環を形成していてもよい。
本発明において、上述した一般式（３）（或いは一般式（３ａ−１）〜（３ａ−４）及び（３ｂ−１））で表されるカルバゾール化合物の具体例としては、図４０〜図４４で示されている構造式を有する化合物（３−１）〜（３−２３）をあげることができる。
また、上記のカルバゾール化合物としては、前述した一般式（３）で表されるものが好適であるが、このような一般式（３）で表されるカルバゾール化合物以外にも、例えば、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）やＴＣＴＡ、ｍＣＰなどのカルバゾール誘導体などを使用することもできる。
上述したＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物、特にインデノインドール化合物及びカルバゾール化合物は、発光層のホスト材料としての特性に優れ、これらの化合物を、それぞれ、単独で或いは２種以上を併用し、発光材料と組み合わせて発光層６を形成することにより、前述した正孔輸送層に含まれているアリールアミン化合物の正孔輸送・注入性が活かされ、高い発光効率を達成することが可能となる。
また、上述したインデノインドール化合物及びカルバゾール化合物の優れた特性が損なわれない範囲で、従来から発光材料と共に使用されている化合物、例えば、Ａｌｑ３をはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体の他、各種の金属錯体、アントラセン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体、キナゾリン誘導体などを併用することもできるし、さらに、電子輸送性を有する化合物、例えば、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン(ＵＧＨ２)や２，２’,２’’−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）などを併用することもできる。
発光材料としては、特に制限されず、それ自体公知のものを使用することができるが、本発明では、特に燐光発光体を使用することが好ましい。
燐光発光体としては、イリジウムや白金などの金属錯体が代表的であり、この金属錯体の燐光発光体には、ビス（３−メチル−２−フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（Ｉｒ（３‘−Ｍｅｐｑ）２（ａｃａｃ））、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）などの赤色の燐光発光体、Ｉｒ（ｐｐｙ）３などの緑色の燐光発光体、ＦＩｒｐｉｃ、ＦＩｒ６などの青色の燐光発光体などがある。
本発明では、上記の燐光発光体の中でも特に赤色の燐光発光体が好適である。
また、発光材料としてＰＩＣ−ＴＲＺ、ＣＣ２ＴＡ、ＰＸＺ−ＴＲＺ、４ＣｚＩＰＮなどのＣＤＣＢ誘導体などの遅延蛍光を放射する材料を使用することも可能である（例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．，９８，０８３３３０２参照）。
本発明においては、上記の発光材料をドーパントとして使用し、前述したＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物及びその他の材料をホスト材料として使用することができる。
燐光性の発光材料のホスト材料へのドープは濃度消光を避けるため、発光層６の全体に対して１〜３０重量パーセントの範囲で、共蒸着によってドープすることが好ましい。
本発明において、最も好適な発光層６は、ドーパントとして赤色発光性のもの（即ち、赤色の燐光発光体）を用いたものである。
発光層６を上記のようなホスト材料とドーパントとにより形成したとき、ドーパント材料として、キナクリドン、クマリン、ルブレン、ペリレンおよびそれらの誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、アミノスチリル誘導体などを用いることもできる。
＜電子輸送層＞
本発明において、上述した発光層６の上に設けられる電子輸送層７は、公知の電子輸送性材料を用いての蒸着法、スピンコート法、インクジェット法などの公知の方法によって形成することができる。
電子輸送層は、それ自体公知の電子輸送材料から形成されていてよく、Ａｌｑ３等のキノリノール誘導体の金属錯体のほか、亜鉛、ベリリウム、アルミニウムなどの各種の金属錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、カルボジイミド誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体などを用いることができる。
また、本発明においては、下記一般式（４）で表されるアントラセン誘導体を電子輸送材料として使用して電子輸送層を形成することが好ましい。かかるアントラセン誘導体は、電子注入および輸送能力、薄膜の安定性や耐久性に優れており、このようなアントラセン誘導体により形成された電子輸送層を、前述した一般式（１）のアリールアミン化合物を含む正孔輸送層と組み合わせることにより、正孔と電子とを発光層６に効率よく注入することができ、これにより、最適なキャリアバランスを確保することができ、有機ＥＬ素子の特性を大きく向上させることが可能となる。
アントラセン誘導体；
式中、
Ａ３は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結
合を示し、
Ｂは、１価の芳香族複素環基を示し、
Ｃは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示し、
Ｄは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭
素数１ないし６のアルキル基、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳
香族複素環基を示し、
ｐ及びｑは、両者の合計が９であることを条件として、ｐが７または
８の整数であり、ｑが１または２の整数である。
上記の一般式（４）から理解されるように、このアントラセン誘導体は、基Ａ３（２価の基或いは単結合）により、アントラセン環と基Ｂとが連結された分子構造を有しており、基Ｂが連結されているアントラセン環には、１または２個の１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基（基Ｃ）が置換基として結合している。
かかる一般式（４）において、Ａ３は、単結合或いは２価の基を示すものであるが、かかる２価の基は、２価の芳香族炭化水素基または２価の芳香族複素環基であり、その具体例は、一般式（２）におけるＡ１であげたものと同様、以下のとおりである。
２価の芳香族炭化水素基は、２つの結合手を有する芳香族炭化水素環から形成されているものであり、このような芳香族炭化水素環としては、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、テトラキスフェニル、スチレン、ナフタレン、アントラセン、アセナフタレン、フルオレン、フェナントレン、インダン、ピレン、トリフェニレンをあげることができる。
また、２価の芳香族複素環基は、２つの結合手を有する芳香族複素環から形成されているものであり、このような芳香族複素環としては、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ピロール、フラン、チオフェン、キノリン、イソキノリン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドリン、カルバゾール、カルボリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、ピラゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ナフチリジン、フェナントロリン、アクリジニンなどをあげることができる。
上記の芳香族炭化水素環及び芳香族複素環も、このアントラセン誘導体の優れた特性を損なわない限りにおいて、導入可能な置換基を有していてもよい。
このような置換基は、前述した一般式（１）中の基Ａｒ１〜Ａｒ４が示す１価の芳香族炭化水素基或いは１価の芳香族複素環基が有していてよい置換基と同様のものである。
本発明において、特に好適な２価の基は、置換または未置換のベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環及びフェナントレン環に由来するものである。
また、一般式（４）の基Ｂは、１価の芳香族複素環基であり、かかる複素環基としては、トリアジニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基、およびカルボリニル基などをあげることができる。
上記の基Ｂにおける１価の芳香族複素環基も、このアントラセン誘導体の優れた特性を損なわないような置換基を有していてもよく、このような置換基としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基に加え、以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子
などのハロゲン原子；
炭素数１ないし６のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基；
炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、例えば、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基；
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、例えば、メチルオキシ基、エチ
ルオキシ基、プロピルオキシ基；
炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、例えば、シクロペンチ
ルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−
アダマンチルオキシ基；
アルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基；
アリールオキシ基、例えば、フェニルオキシ基、トリルオキシ基、ビフ
ェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナ
ントレニルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えば、ベンジルオキシ基、フェネチルオ
キシ基；
芳香族炭化水素基、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニ
リル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレ
ニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基
、トリフェニレニル基、スピロビフルオレニル基；
芳香族複素環基、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル
基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、
ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、
ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾ
イミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル
基、カルボリニル基；
アリールビニル基、例えば、スチリル基、ナフチルビニル基；
アシル基、例えば、アセチル基、ベンゾイル基；
上記で例示した置換基は、それぞれ、独立して存在していてもよいし、これらの置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
本発明において、上記の基Ｂとして好適な１価の芳香族複素環基としては、含窒素芳香族複素環基、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、およびカルボリニル基などが好ましく、これらの中でもピリジル基、ピリミジニル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、ピラゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、およびカルボリニル基がより好ましい。
また、一般式（４）中のＣは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基としては、一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４について例示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、前述したＡｒ１〜Ａｒ４が示す芳香族基と同様、置換基を有していてよい。
尚、かかる基Ｃが分子中に２個存在する場合（式（４）中のｑ＝２）、二つの基Ｃは、同一でも異なっていてもよい。
さらに、一般式（４）中のＤは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基または炭素数１ないし６のアルキル基であり、これらの内の炭素数１ないし６のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などをあげることができる。
これらのアルキル基も、例えば、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基等の置換基を有していてもよい。
また、複数個存在するＤは、互いに同一でも異なってもよい。
本発明において、最も好適なＤは、水素原子である。
上述した一般式（４）のアントラセン誘導体において、Ｂは含窒素芳香族複素環基であり且つＤが水素原子であることが好ましいが、このような好適なアントラセン誘導体は、特に、下記一般式（４ａ）、（４ｂ）または（４ｃ）で表される。
一般式（４ａ）で表されるアントラセン誘導体；
前記、一般式（４ａ）において、Ａ３は、前記式（４）に示すとおりであり、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合である。
また、上記Ａ３が結合している３環構造の含窒素複素環は、一般式（４）における基Ｂに相当する。
上記式（４ａ）中のＸ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、上記の含窒素複素環の一部を構成する環内元素であり、これらのいずれか１つのみが窒素原子であることを条件として、それぞれ、炭素原子または窒素原子を示す。
また、Ｒ１９〜Ｒ２５及びＡｒ１１は、この含窒素複素環に結合している置換基を示している。
即ち、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４が形成している環には、置換基としてＲ１９〜Ｒ２２が示されているが、この環内元素が窒素原子であるときには、この窒素原子には、Ｒ１９〜Ｒ２２の何れも（水素原子を含めて）結合していないものとする。例えば、Ｘ１が窒素原子である場合はＲ１９が存在せず、Ｘ２が窒素原子である場合は、Ｒ２０が存在せず、Ｘ３が窒素原子である場合はＲ２１が存在せず、Ｘ４が窒素原子である場合は、Ｒ２２が存在しないことを意味する。
また、上記の含窒素複素環に結合しているＲ１９〜Ｒ２５は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基である。
上記の炭素数１ないし６のアルキル基としては、前記一般式（４）のＤについて、例示したものと同じものをあげることができる。
上記の炭素数５ないし１０のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基を例示することができる。
上記の炭素数２ないし６のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基などをあげることができる。
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基としては、メチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基をあげることができる。
上記の炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基としては、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基をあげることができる。
さらに、１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基としては、一般式（１）における基Ａｒ１〜Ａｒ４に関して例示したものと同じ基をあげることができる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ペリレニルオキシ基などをあげることができる。
上述したＲ１９〜Ｒ２５が示す各基は、置換基を有していてもよく、このような置換基としては、炭素数に関する条件を満足する範囲において、一般式（１）における基Ａｒ１〜Ａｒ４が有する置換基として例示したものと同じ基をあげることができる。
また、これらの置換基は、それぞれ、独立して存在していてもよいし、これらの置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
さらに、上記一般式（４ａ）中のＡｒ１１は、前記含窒素芳香族環に結合している置換基であり、Ａｒ１２及びＡｒ１３は、一般式（４）中のＣに相当する（即ち、ｑ＝２）。
このようなＡｒ１１〜Ａｒ１３は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基としては、一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４について例示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、前述したＡｒ１〜Ａｒ４が示す芳香族基と同様、置換基を有していてよい。
上述した一般式（４ａ）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、図４５〜図４９で示されている構造式を有する化合物（４ａ−１）〜（４ａ−２０）を挙げることができる。
上述した一般式（４ａ）で表されるアントラセン誘導体の中では、下記一般式（４ａ’）で表されるものが最も好適である。
上記の一般式（４ａ’）において、Ｒ１９〜Ｒ２５、Ａｒ１１〜Ａｒ１３は、一般式（４ａ）で述べたとおりの意味である。
一般式（４ｂ）で表されるアントラセン誘導体；
一般式（４ｂ）において、Ａ３は、前記式（４）に示すとおりであり、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合である。
また、上記Ａ３が結合している含窒素複素環は、一般式（４）における基Ｂに相当する。
さらに、上記一般式（４ｂ）中のＡｒ１４及びＡｒ１５は、一般式（４）中のＣに相当し（即ち、ｑ＝２）、Ａｒ１６は、前記含窒素芳香族環に結合している置換基である。
このようなＡｒ１４〜Ａｒ１６は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基の具体例としては、一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４が示す１価の芳香族炭化水素基或いは１価の芳香族複素環基と同様のものを例示することができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４が示す基と同様、置換基を有していてよい。
上述した一般式（４ｂ）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、図５０〜図５３で示されている構造式を有する化合物（４ｂ−１）〜（４ｂ−１６）を挙げることができる。
一般式（４ｃ）のアントラセン誘導体；
一般式（４ｃ）において、Ａ３は、前記式（４）に示すとおりであり、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基または単結合である。
また、上記Ａ３が結合している含窒素複素環は、一般式（４）における基Ｂに相当する。
さらに、上記一般式（４ｃ）中のＡｒ１７は、一般式（４）中のＣに相当し（即ち、ｑ＝１）、Ａｒ１８、Ａｒ１９及びＲ２６は、前記含窒素芳香族環に結合している置換基である。
上記のＡｒ１７〜Ａｒ１９は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を示すが、これらの基としては、前記Ａｒ１１〜Ａｒ１３と同様、一般式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ４について例示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基も、前記Ａｒ１１〜Ａｒ１３と同様、置換基を有していてよい。
また、上記の含窒素複素環に結合しているＲ２６は、前述した一般式（４ａ）中のＲ１９〜Ｒ２５と同じであり、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環基またはアリールオキシ基である。
Ｒ２６が示す上記各基も、一般式（１）におけるＡｒ１〜Ａｒ４が示す基と同様の置換基を有していてもよく、この置換基が複数存在している場合、複数の置換基は、独立して存在していることが好ましいが、複数の置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
上述した一般式（４ｃ）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、図５４〜図６１で示されている構造式を有する化合物（４ｃ−１）〜（４ｃ−３０）を挙げることができる。
本発明においては、上述したアントラセン誘導体により電子輸送層が形成されていることが望ましく、上記で例示した種々のアントラセン誘導体は、それ自体公知の方法によって合成することができる（例えば、国際公開第２０１１／０５９３０００号、国際公開第２００３／０６０９５６号、韓国公開特許２０１３−０６０９５６号参照）。
これらのアントラセン誘導体は、それぞれ、単独で電子輸送層を形成していてもよいし、複数種が混合されて電子輸送層を形成していてもよい。
＜電子注入層＞
陰極９と電子輸送層７との間には、電子注入層８が適宜設けられる。かかる電子注入層８は、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどのアルカリ金属塩、フッ化マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩、酸化アルミニウムなどの金属酸化物などを用いて形成することができる。
＜陰極＞
本発明の有機ＥＬ素子の陰極９としては、アルミニウムのような仕事関数の低い金属や、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金のような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。
＜その他の層＞
本発明の有機ＥＬ素子は、必要に応じてその他の層を有していてもよい。例えば、図１には示されていないが、正孔輸送層と発光層との間には電子阻止層を設けることができるし、発光層と電子輸送層との間に正孔阻止層を設けることもできる。
適宜設けられる各層は、それ自体公知の材料から形成されていてよく、何れも用いる材料の種類に応じて、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等の公知の方法によって形成される。
電子阻止層；
電子阻止層は、図１では示されていないが、正孔輸送層と発光層との間に設けられるものであり、発光層からの電子の透過を阻止し、発光効率を高めるために形成される。電子阻止層を形成するための材料としては、電子阻止性を有する種々の化合物を使用することができ、下記のカルバゾール誘導体が代表的である。
４，４’,４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン
（ＴＣＴＡ）；
９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］フルオレン；
１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）；
２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンタン
(Ａｄ−Ｃｚ)；
また、上記のカルバゾール誘導体以外にも、９−［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−９−［４−（トリフェニルシリル）フェニル］−９Ｈ−フルオレンに代表されるトリフェニルシリル基を有しており且つトリアリールアミン骨格を分子中に有している化合物なども、電子阻止層形成用の材料として使用することができる。
正孔阻止層；
正孔阻止層も、図１には示されていないが、電子輸送層と発光層との間に適宜設けられるものであり、発光層からの正孔の透過を阻止し、発光効率を高めるために形成される。正孔阻止層を形成するための材料としては、バソクプロイン（ＢＣＰ）などのフェナントロリン誘導体、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノレート（ＢＡｌｑ）などのキノリノール誘導体の金属錯体の他、各種の希土類錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体など、正孔阻止作用を有する化合物により形成される。
本発明の有機ＥＬ素子は、これを構成する各層が、前述した各種の材料により形成された単層構造であってもよいし、また、各層を、各種の材料を適宜組み合わせて複層構造とすることもできる。
特に本発明においては、前述した一般式（１）のアリールアミン化合物の優れた特性を発揮させるため、図１に示されているように、正孔輸送層を第一正孔輸送層４と第二正孔輸送層５との２層構造とすることが好適である。
以下、この２層構造の正孔輸送層について説明する。
＜２層構造の正孔輸送層＞
本発明の有機ＥＬ素子においては、正孔輸送層の形成に一般式（１）で表されるアリールアミン化合物が使用されるが、このようなアリールアミン化合物を含む正孔輸送層を２層構造とすることが好ましい。
即ち、図１に示されているように、正孔輸送層を、陽極２側に位置している第一正孔輸送層４と発光層６側に位置している第二正孔輸送層５とに分割した２層構造とし、前記一般式（１）で表されるアリールアミン化合物を第二正孔輸送層５に含有させることが好適である。この場合、第一正孔輸送層４の形成には、第二正孔輸送層５に用いられているアリールアミン化合物とは異なる正孔輸送材料が使用される。
上記のように正孔輸送層が２層に分割されている場合、発光層６側の第二正孔輸送層５は、正孔輸送性と共に、極めて高い電子阻止性を示す。前述した一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は、正孔輸送性に加え、高い電子阻止性を示すからである。従って、特に、図１のように、第二正孔輸送層５を発光層６に隣接することにより、発光層６でのキャリアバランスをより高く保持することができ、この有機ＥＬ素子の特性向上に極めて有利となる。
このような２層構造において、第二正孔輸送層５は、一般式（１）で表されるアリールアミン化合物により形成されるが、第一正孔輸送層４は、第二正孔輸送層５の形成に使用されているアリールアミン化合物とは異なっている正孔輸送材料を用いて形成される。
かかる正孔輸送材料は、第二正孔輸送層５の形成に使用しているものと異なっていれば、前記一般式（１）で表されるアリールアミン化合物であってもよいが、一般的には、トリアリールアミン誘導体を用いて形成されることが望ましい。トリアリールアミン誘導体は、電子阻止性の点では、上記のアリールアミン化合物に劣るものの、正孔輸送性の点では、該アリールアミン化合物と同等或いはそれ以上の性能を示し、しかも、発光層６と直接接触していない第一正孔輸送層４には、電子阻止性はあまり要求されないからである。
このようなトリアリールアミン誘導体としては、正孔輸送性に加え、薄膜安定性や耐熱性に優れていること及び合成が容易であるという観点から、
（１）分子中にトリアリールアミン骨格を２個有しており且つこれらのトリアリールアミン骨格が、単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で連結した構造を有しているジ（トリアリールアミン）化合物、
（２）トリアリールアミン骨格を３個〜６個有しており且つこれらのトリアリールアミン骨格が、単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で連結した構造を有しているポリ（トリアリールアミン）化合物、
をあげることができる。
このようなトリアリールアミン誘導体は、１種単独で使用することもできるし、２種以上を混合して使用することもできるし、さらに、前述した第二正孔輸送層５と同様、それ自体公知の正孔輸送材料と併用することもできる。
ジ（トリアリールアミン）化合物について；
ジ（トリアリールアミン）化合物は、分子中にトリアリールアミン骨格を２個有するものであり、例えば、一般式（５）で表される。
一般式（５）において、ｒ２７〜ｒ３２は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基Ｒ２７〜Ｒ３２の数を示す整数であり、ｒ２７、ｒ２８、ｒ３１及びｒ３２は、０〜５の整数を表し、ｒ２９及びｒ３０は、０〜４の整数を表す。
このようなｒ２７〜ｒ３２としては、０〜３の整数が好ましく、０〜２の整数であることがより好ましい。
また、Ｌ１は、トリアリールアミン骨格を結合する橋絡基であり、それぞれ、単結合、または下記式（Ｂ）〜（Ｇ）で示される２価の有機基を表す。
（ｎ１は、１〜４の整数である）
このようなＬ１としては、単結合及び式（Ｂ）、（Ｄ）或いは（Ｇ）で表される２価の有機基が好ましく、単結合及び式（Ｂ）或いは（Ｄ）で表される２価の有機基がより好ましい。さらに、式（Ｂ）中のｎ１は、２または３が好ましい。
さらに、上記一般式（５）において、Ｒ２７〜Ｒ３２は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基を表し、同一のベンゼン環に複数個のＲ２７〜Ｒ３２が結合している場合、複数存在している基は、単結合、酸素原子、硫黄原子または置換基を有していてもよいメチレン基を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
上記のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アラルキル基及びアリールオキシ基の具体例としては、前述した一般式（２）における基Ｒ１〜Ｒ８について例示したものと同じ基をあげることができる。
上述したＲ２７〜Ｒ３２が示す各基も置換基を有していてもよく、このような置換基としても、前述した基Ｒ１〜Ｒ８について例示したものと同じ基をあげることができ、これらの置換基は、それぞれ、独立して存在していてもよいし、これらの置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
上記で述べたＲ２７〜Ｒ３２が示す各基として好ましいものは、重水素原子、アルキル基、アルケニル基及び芳香族炭化水素基であり、より好ましいものは、重水素原子、フェニル基、ビフェニル基である。また、これらの基同士が単結合を介して互いに結合して縮合芳香族環を形成しているものも好適である。
上述した一般式（５）で表されるジ（トリアリールアミン）化合物の具体例としては、図６２〜図６６で示されている構造式の化合物（５−１）〜（５−２３）をあげることができる。
また、一般式（５）で表されるジ（トリアリールアミン）化合物ではないが、図６７で示されている構造式の化合物（５’−１）及び（５’−２）も、トリアリールアミン骨格を２個有しており、第一正孔輸送層４の形成に好適に使用することができる。
ポリ（トリアリールアミン）化合物について；
上記のポリ（トリアリールアミン）化合物は、例えば、一般式（６）で表される。
かかる一般式（６）で表されるポリ（トリアリールアミン）化合物は、トリアリールアミン骨格を４個有している。
上記一般式（６）において、ｒ３３〜ｒ４４は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基Ｒ３３〜Ｒ４４の数を示す整数であり、ｒ３３、ｒ３４、ｒ３７、ｒ４０、ｒ４３及びｒ４４は、０〜５の整数を表し、またｒ３５、ｒ３６、ｒ３８、ｒ３９、ｒ４１及びｒ４２は、０〜４の整数を表す。
このようなｒ３３〜ｒ４４としては、０〜３の整数が好ましく、０〜２の整数であることがより好ましい。
また、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、トリアリールアミン骨格を結合する橋絡基であり、それぞれ、単結合または、下記式（Ｂ’）もしくは前述した一般式（５）における式（Ｃ）〜（Ｇ）と同様の２価の有機基を表す。
（ｎ２は１〜３の整数である）
このようなＬ１、Ｌ２、Ｌ３としては、単結合及び式（Ｂ’）或いは式（Ｄ）で表される２価の有機基が好ましく、単結合及び式（Ｂ’）で表される２価の有機基がより好ましい。さらに、式（Ｂ’）中のｎ２は、１または２が好ましく、１であることがより好ましい。
さらに、上記一般式（６）において、芳香族環に結合している置換基Ｒ３３〜Ｒ４４は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基を表す。
複数個のＲ２３〜Ｒ４４が同一のベンゼン環に結合している場合、複数存在している基は、単結合、酸素原子、硫黄原子または置換基を有していてもよいメチレン基を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
上記の炭素数１ないし６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基をあげることができる。
上記の炭素数５ないし１０のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基を例示することができる。
上記の炭素数２ないし６のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基などをあげることができる。
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基としては、メチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基をあげることができる。
上記の炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基としては、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基をあげることができる。
さらに、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、一般式（１）における基Ａｒ１〜Ａｒ４に関して例示したものと同じ基をあげることができる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基をあげることができる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、ビフェニルオキシ基、ターフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ペリレニルオキシ基などをあげることができる。
上述したＲ３３〜Ｒ４４が示す各基は、置換基を有していてもよく、このような置換基としては、炭素数に関する条件を満足する範囲において、一般式（１）における基Ａｒ１〜Ａｒ４が示す芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有する置換基として例示したものと同じ基をあげることができる。
また、これらの置換基は、それぞれ、独立して存在していてもよいし、これらの置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
上記で述べたＲ３３〜Ｒ４４が示す各基として好ましいものは、重水素原子、アルキル基、アルケニル基及び芳香族炭化水素基であり、特に好ましいものは、重水素原子、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基及びビニル基であり、また、これらの基同士が単結合を介して互いに結合して縮合芳香族環を形成しているものも好適である。
上述した一般式（６）で表されるポリ（トリアリールアミン）化合物の具体例としては、図６８〜図７１で示されている構造式の化合物（６−１）〜（６−１７）をあげることができる。
上述した一般式（１）のアリールアミン化合物を用いて形成される第二正孔輸送層５やその他のトリアリールアミン誘導体を用いて形成される第一正孔輸送層４の厚みは、特に制限されるものではないが、これら層の特性を最大限に発揮させるためには、通常、第一正孔輸送層４の厚みｔ１と第二正孔輸送層５の厚みｔ２とのトータル厚み（ｔ１＋ｔ２）が、２０〜３００ｎｍの範囲、さらには５０〜２００ｎｍの範囲、特に５０〜１５０ｎｍの範囲にあることが、低い駆動電圧で発光させる上で好適である。
本発明において、上記で例示した種々のトリアリールアミン化合物は、それ自体公知の方法によって合成することができる（例えば、特開平７−１２６６１５号、特開平０８−０４８６５６号、特開２００５−１０８８０４号参照）。
また、上述した第一正孔輸送層４及び第二正孔輸送層５は、所定のトリアリールアミン誘導体或いはアリールアミン化合物を含むガスの蒸着もしくは共蒸着により形成することが好適であるが、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によっても形成することができる。
上述した構造を有する本発明の有機ＥＬ素子では、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた有機ＥＬ素子用の材料を、キャリアバランスを考慮しながら組み合わせているため、従来の有機ＥＬ素子に比べて、正孔輸送層から発光層への正孔輸送効率が向上しており、電子輸送層から発光層への電子輸送効率も向上している。さらに、正孔輸送層を第一正孔輸送層と第二正孔輸送層の２層構造とした場合においては、キャリアバランスがより向上しており、発光効率のさらなる向上、駆動電圧のさらなる低下がもたされ、この有機ＥＬ素子の耐久性がより向上している。
このように本発明によれば、高効率、低駆動電圧、長寿命の有機ＥＬ素子を実現することが可能となった。
本発明を、次の実験例により説明する。
＜合成例１＞
アリールアミン化合物（１−１）の合成；
（第１工程）
窒素置換した反応容器に、
ビス（ビフェニル−４−イル）アミン ４０．５ｇ
３−ブロモビフェニル ２８．０ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム １３．７ｇ
トルエン ４００ｍＬ
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム ０．５４ｇ、
ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液
１．４６ｇ
を加えて加熱し、９５℃で４時間撹拌した。
ろ過により不溶物を除いた後加熱し、１００℃でシリカゲルを用いた吸着精製を行い、熱時ろ過を行った。ろ液を撹拌しながら室温まで冷却し、析出する固体をろ過によって採取することによって、
ビス（ビフェニル−４−イル）−（ビフェニル−３−イル）アミンの
緑白色固体 ５０．２ｇ（収率８８％）
を得た。
（第２工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られたビス（ビフェニル−４−イル）−（ビフェニル−３
−イル）アミン ５０．０ｇ
ジメチルホルムアミド ５００ｍＬ
を加え、氷浴にて冷却した。
次いで、
Ｎ−ブロモスクシンイミド ２２．１ｇ
をゆっくり加え、４時間撹拌した。この後、メタノールを加え、析出する粗製物をろ過によって採取した。
続いて、酢酸エチルを用いた還流洗浄を行い、
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−（６−ブロモビフェニル−
３−イル）アミンの桃色粉体 ４０．２ｇ（収率６９％）
を得た。
（第３工程）
次に、窒素置換した反応容器に、
上記で得られたビス（ビフェニル−４−イル）−（６−ブロモビフェ
ニル−３−イル）アミン １１．８ｇ
トルエン ９４ｍＬ
フェニルボロン酸 ２．７ｇ
炭酸カリウム５．９ｇを水３６ｍＬに溶解した水溶液
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
その後、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム ０．７４ｇ
を加えて加熱し、７２℃で１８時間撹拌した。室温まで冷却し、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄、飽和食塩水を用いた洗浄を順次行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。
続いて、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって
ビス（ビフェニル−４−イル）−｛（１，１’：２’，１’’−ター
フェニル）−４’−イル｝アミンの白色粉体
８．４ｇ（収率７２％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−１）である。
上記で得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５６−７．６８（７Ｈ）
７．４５−７．５２（４Ｈ）
７．１４−７．４１（２０Ｈ）
＜合成例２＞
アリールアミン化合物（１−９）の合成；
合成例１の第３工程で使用されているフェニルボロン酸を、４−ターフェニルボロン酸を用い、合成例１と同様の条件で反応を行うことによって、
ビス（ビフェニル−４−イル）−｛（１，１’：２’，１’’：４’’
，１’’’：４’’’，１’’’’−クィンクフェニル）−５’’’−
イル｝アミンの白色粉体 ４．５ｇ（収率４０％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−９）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．１９−７．５３（３９Ｈ）
＜合成例３＞
アリールアミン化合物（１−２０）の合成；
実施例１の第３工程で使用されているフェニルボロン酸に代えて、４−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）フェニルボロン酸を用い、合成例１と同様の条件で反応を行うことによって、
ビス（ビフェニル−４−イル）−［｛４−（９，９−ジメチルフルオ
レン−２−イル）−１，１’：２’，１’’−ターフェニル｝−４’−
イル］アミンの白色粉体 １３．１ｇ（収率８１％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−２０）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．７２−７．７７（２Ｈ）
７．５５−７．６７（１０Ｈ）
７．１８−７．４９（２５Ｈ）
１．５５（６Ｈ）
＜合成例４＞
アリールアミン化合物（１−２９）の合成；
（第１工程）
窒素置換した反応容器に、
（ビフェニル−４−イル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イ
ル）アミン １００ｇ
３−ブロモビフェニル ７０．９ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム ３２．５ｇ
トルエン９９０ｍＬを加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガス
を通気した。
次いで、
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム ２．５ｇ
ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液
３．９ｍＬ
を加えて加熱し、８２℃で２時間撹拌した後、シリカゲル１００ｇを加え、不溶物とともにろ過により除き、室温にてシリカゲル、活性白土による吸着精製を行った。この後、ろ液を濃縮し、析出した固体に酢酸エチル、メタノールを加え、分散洗浄を行った。固体をろ過により採取することによって、
（ビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）−（９，９
−ジメチルフルオレン−２−イル）アミンの茶色粉体
１１９ｇ（収率８３％）
を得た。
（第２工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られた（ビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル
）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミン １１９ｇ
ジクロロメタン １２００ｍＬ
を加え、一度加熱溶解した後に氷浴にて冷却した。
続いて、
Ｎ−ブロモスクシンイミド ４１．３ｇ
をゆっくり加え、３時間撹拌した。水を加え、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄を行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、シリカゲルを用いた吸着精製を２回行った。この後、ろ液を濃縮して粗製物を得、続いて、アセトン、ヘプタンを用いた晶析を行い、
（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）−
（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミンの白色粉体
１２１ｇ（収率８８％）
を得た。
（第３工程）
次に、窒素置換した容器に、
上記で得られた（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル
−４−イル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミン
２０．１ｇ
トルエン ２００ｍＬ
エタノール ５０ｍＬ
４−ビフェニルボロン酸 ４．７ｇ
炭酸カリウム５．４ｇを水２０ｍＬに溶解した水溶液
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
この後、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム ０．５４ｇ
を加えて加熱し、７２℃で１９時間撹拌した。室温まで冷却し、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄を２回行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。続いて、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−｛（１，１’：２’，１’’：４’’，
１’’’−クォーターフェニル−５’−イル｝−（９，９−ジメチルフ
ルオレン−２−イル）アミンの白色粉体
１７．８ｇ（収率８９％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−２９）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５７−７．７０（７Ｈ）
７．１８−７．５２（２６Ｈ）
１，５２（６Ｈ）
＜合成例５＞
アリールアミン化合物（１−５５）の合成；
（第１工程）
窒素置換した反応容器に、
ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミン
１００ｇ
３−ブロモビフェニル ６３．９ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム ２９．０ｇ
トルエン ９６５ｍＬ
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
続いて、
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム ２．３ｇ
ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液
３．５ｍＬ
を加えて加熱し、９８℃で３時間撹拌した。セライト（登録商標）を加え、不溶物とともにろ過により除いた。室温にてシリカゲル、活性白土による吸着精製を行った。ろ液を濃縮し、析出した固体に酢酸エチル、アセトンを加え、晶析を行った。続けて、トルエン、メタノール、アセトンで晶析を行い、固体をろ過に採取することによって、
（ビフェニル−３−イル）−ビス（９，９−ジメチルフルオレン−
２−イル）アミンの白色粉体 １２３ｇ（収率８９％）
を得た。
（第２工程）
次に、窒素置換した反応容器に、
上記で得られた（ビフェニル−３−イル）−ビス（９，９−ジメチル
フルオレン−２−イル）アミン １２３ｇ
ジクロロメタン １０００ｍＬ
を加え、氷浴にて冷却した。
この後、
Ｎ−ブロモスクシンイミド ３８．５ｇ
をゆっくり加え、２時間撹拌した。水を加え、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄を行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、シリカゲル、活性白土を用いた吸着精製を行った。ろ液を濃縮し、粗製物を得た。続いて、アセトン、ヘプタンを用いた晶析を行い、
（６−ブロモビフェニル−３−イル）−ビス（９，９−ジメチル
フルオレン−２−イル）アミンの白色粉体
１１１ｇ（収率７９％）
を得た。
（第３工程）
続いて、窒素置換した反応容器に、
上記で得られた（６−ブロモビフェニル−３−イル）−ビス
（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミン ２０．１ｇ
トルエン ２００ｍＬ
エタノール ５０ｍＬ
フェニルボロン酸 ４．７ｇ
炭酸カリウム５．７ｇを水２１ｍＬに溶解した水溶液
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
この後、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム ０．５６ｇ
を加えて加熱し、７２℃で１９時間撹拌した。室温まで冷却し、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄を２回行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。続いて、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−｛（１，１’：
２’，１’’−ターフェニル）−４’−イル｝アミンの白色粉体
１１．５ｇ（収率５７％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−５５）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６５−７．７１（４Ｈ）
７．１０−７．４５（２３Ｈ）
１．４９（１２Ｈ）
＜合成例６＞
アリールアミン化合物（１−５６）の合成；
合成例５の第３工程で用いたフェニルボロン酸に代えて４−ビフェニルボロン酸を用いて、合成例５と同様の条件で反応を行うことによって、
ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−｛（１，１’：２
’，１’’：４’’，１’’’−クォーターフェニル−５’−イル）ア
ミンの白色粉体 １６．７ｇ（収率９２％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−５６）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６２−７．７０（６Ｈ）
７．１９−７．５２（２５Ｈ）
１．５０（１２Ｈ）
＜合成例７＞
アリールアミン化合物（１−６０）の合成；
合成例５の第３工程で用いたフェニルボロン酸に代えて４−ビフェニルボロン酸を用いて、合成例５と同様の条件で反応を行うことによって、
ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−［｛２−（ナフタ
レン−２−イル）−１，１’ビフェニル｝−５−イル］アミンの白色粉
体 １２．１ｇ（収率６７％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−６０）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６２−７．８２（８Ｈ）
７．１６−７．５１（２１Ｈ）
１．５１（１２Ｈ）
＜合成例８＞
アリールアミン化合物（１−８７）の合成；
合成例４の第３工程で用いた４−ビフェニルボロン酸に代えて、４−（ナフタレン−１−イル）フェニルボロン酸を用いて、合成例４と同様の条件で反応を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−{４−（ナフタレン−１−イル）−
｛（１，１’：２’，１’’−ターフェニル）−４−イル}−９，９−
ジメチルフルオレン−２−イル｝アミンの白色粉体
１７．８ｇ（収率８９％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−８７）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．８５−７．９６（３Ｈ）
７．１８−７４（３２Ｈ）
１．５３（６Ｈ）
＜合成例９＞
アリールアミン化合物（１−８９）の合成；
（第１工程）
窒素置換した反応容器に、
(ビフェニル−４−イル)−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル
）アミン ２０ｇ
３−ブロモターフェニル １８．８ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム ６．４ｇ
トルエン ２５０ｍＬ
を加えた。
続いて、
酢酸パラジウム ０．１２ｇ
ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液
０．３９ｍＬ
を加えて加熱し、９８℃で１３時間撹拌した。セライト（登録商標）を加えた後、ろ過によって不溶物を除去した。ろ液にアセトンを加え、析出する固体をろ過により除いた後に、ろ液を濃縮した。濃縮物にヘプタンを加え、析出物をろ過によって採取し、
（ビフェニル−４−イル）−（１，１’：４’，１’’−ターフェニ
ル−３−イル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミンの
黄白色粉体 ２８．９ｇ（収率８８％）
を得た。
（第２工程）
次に、窒素置換した反応容器に、
上記で得られた（ビフェニル−４−イル）−（１，１’：４’，１’
’−ターフェニル−３−イル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル
）アミン ２８．８ｇ
ジクロロメタン ５００ｍＬ
を加え、氷浴にて冷却した。
この後、
Ｎ−ブロモスクシンイミド ８．３ｇ
をゆっくり加え、３時間撹拌した。水を加え、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄を行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、シリカゲルを用いた吸着精製を行った。ろ液を濃縮することによって、
（ビフェニル−４−イル）−（６−ブロモ−１，１’：４’，１’’
−ターフェニル−３−イル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イ
ル）アミンの白色アモルファス ３１．２ｇ（収率９６％）
を得た。
（第３工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られた（ビフェニル−４−イル）−（６−ブロモ−１，１’
：４’，１’’−ターフェニル−３−イル）−（９，９−ジメチルフル
オレン−２−イル）アミン ３１．１ｇ
トルエン ３１０ｍＬ
エタノール ３１０ｍＬ
フェニルボロン酸 ５．９ｇ
炭酸カリウム８．４ｇを水３０ｍＬに溶解した水溶液
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
この後、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム １．１ｇ
を加えて加熱し、７２℃で１３時間撹拌した。室温まで冷却し、水２００ｍＬを加えた後に、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄を２回行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。アセトンを用いた晶析精製、続いてヘプタンを用いた晶析精製を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−（１，１’：２’，１’’：４’’，１
’’’−クォーターフェニル−４’−イル）−（９，９−ジメチルフル
オレン−２−イル）アミンの白色粉体 ２２．０ｇ（収率７１％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−５６）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５１−７．７６（７Ｈ）
７．２０−７．４８（２６Ｈ）
１．５３（６Ｈ）
＜合成例１０＞
アリールアミン化合物（１−９２）の合成；
合成例９の第３工程で用いたフェニルボロン酸に代えて２−ビフェニルボロン酸を用い、合成例９と同様の条件で反応を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−（１，１’：２’，１’’：２’’，１
’’’：４’’’，１’’’’−クィンクフェニル−４’’−イル）−
（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミンの白色粉体
６．８ｇ（収率３０％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−９２）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．１５−７．５９（３１Ｈ）
６．６４−６．７８（４Ｈ）
１．５４（６Ｈ）
＜合成例１１＞
アリールアミン化合物（１−９４）の合成；
合成例９の第３工程で用いた（ビフェニル−４−イル）−（６−ブロモ−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−３−イル）−（９，９ジメチルフルオレン−２−イル）アミン及びフェニルボロン酸に代えて、
｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−（６−ブロモビフェニ
ル−３−イル）−（９，９ジメチルフルオレン−２−イル）アミン
及び、
４−ビフェニルボロン酸
を用いて合成例９と同様の条件で反応を行うことによって、
｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−（１，１’：２’，１
’’：４’’，１’’’−クォーターフェニル−５’−イル）−（９，
９ジメチルフルオレン−２−イル）アミンの白色粉体
１９．９ｇ（収率８９％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−９４）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０７−８．１３（１Ｈ）
７．８８−７．９６（２Ｈ）
７．１６−７．７２（３２Ｈ）
１．５４（６Ｈ）
＜合成例１２＞
アリールアミン化合物（１−１１３）の合成；
（第１工程）
窒素置換した反応容器に、
（ビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）アミン
４１．４ｇ
２−（４−ブロモフェニル）−９，９−ジメチルフルオレン
４７．２ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム １４．９ｇ
トルエン ７６０ｍＬ
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム ０．５８ｇ
ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液
２．１ｇ
を加えて加熱し、１０２℃で２時間撹拌した。セライト（登録商標）を加え、ろ過によって不溶物を除去した。ろ液を濃縮し、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
（ビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）−｛４−
（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）フェニル}アミンの白色粉体
６９．０ｇ（収率９１％）
を得た。
（第２工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られた（ビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル
）−｛４−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）フェニル｝アミ
ン ６８．８ｇ
ジメチルホルムアミド ６８０ｍＬ
を加え、氷浴にて冷却した。
この後、
Ｎ−ブロモスクシンイミド ２１．８ｇ
をゆっくり加え、５時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、１時間撹拌した後に析出する粗製物をろ過によって採取した。得られた粗製物にメタノールを加え、還流下の分散洗浄による精製を行うことによって、
（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）−
｛４−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）フェニル}アミンの
白色粉体 ７５．３ｇ（収率９７％）
を得た。
（第３工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られた（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル
−４−イル）−｛４−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）フェ
ニル｝アミン １７．５ｇ
トルエン １４０ｍＬ
エタノール ３５ｍＬ
フェニルボロン酸 ３．５ｇ
炭酸カリウム４．３ｇを水３１ｍＬに溶解した水溶液
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム ０．６０ｇ
を加えて加熱し、７２℃で２０時間撹拌した。室温まで冷却し、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄を２回行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。続いて、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−｛４−（９，９−ジメチルフルオレン−
２−イル）フェニル｝−（１，１’：２’，１’’−ターフェニル−４’
−イル）アミンの白色粉体 ８．３ｇ（収率４８％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−１１３）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．７７−７．８２（２Ｈ）
７．５７−７．７０（９Ｈ）
７．１８−７．５０（２２Ｈ）
１，５５（６Ｈ）
＜合成例１３＞
アリールアミン化合物（１−１１５）の合成；
合成例１２の第３工程で用いたフェニルボロン酸に代えて３−ビフェニルボロン酸を用い、合成例１２と同様の条件で反応を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−｛４−（９，９−ジメチルフルオレン−
２−イル）フェニル}−｛（１，１’：２’，１’’：３’’，１’’’
−クォーターフェニル）−５’−イル｝アミンの白色粉体
８．７ｇ（収率４９％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−１１５）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．７２−７．８６（２Ｈ）
７．４６−７．６４（７Ｈ）
７．１７−７．４４（２８Ｈ）
１．５３（６Ｈ）。
＜合成例１４＞
アリールアミン化合物（１−１２２）の合成；
合成例４の第３工程で用いた（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミン及び４−ビフェニルボロン酸に代えて、
（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）−
（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）アミン
及び、
フェニルボロン酸
を用いて、合成例４と同様の条件で反応を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−（１，１’：２’，１’’−ターフェニ
ル−４’−イル）−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）アミ
ンの白色粉体 １１．０ｇ（収率６１％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−１２２）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６０−７．７４（４Ｈ）
７．１４−７．５２（３３Ｈ）
７．００−７．０３（２Ｈ）
＜合成例１５＞
アリールアミン化合物（１−１２３）の合成；
合成例４の第３工程で用いた（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミンに代えて、
（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）−
（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）アミン
を用いて、合成例４と同様の条件で反応を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−（１，１’：２’，１’’：４’’，１
’’’−クォーターフェニル−５’−イル）−（９，９−ジフェニルフ
ルオレン−２−イル）アミンの白色粉体 ６．５ｇ（収率７１％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−１２３）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６１−７．７７（６Ｈ）
７．２０−７．５１（３４Ｈ）
７．０６−７．１１（３Ｈ）
＜合成例１６＞
アリールアミン化合物（１−１２４）の合成；
合成例４の第３工程で用いた（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミン及び４−ビフェニルボロン酸に代えて、
（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）−
（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）アミン
及び
４−ビフェニルボロン酸
を用いて、合成例４と同様の条件で反応を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−（１，１’：２’，１’’：３’’，１
’’’−クォーターフェニル−５’−イル）−（９，９−ジフェニルフ
ルオレン−２−イル）アミンの白色粉体 ８．０ｇ（収率８７％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−１２４）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．７０−７．７６（２Ｈ）
７．６３−７．６５（２Ｈ）
７．１８−７．５４（３６Ｈ）
７．０８−７．１２（３Ｈ）
＜合成例１７＞
アリールアミン化合物（１−１２８）の合成；
（第１工程）
窒素置換した反応容器に、
（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）アミン
５１．５ｇ
３−ブロモビフェニル ３０．０ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム ２４．７ｇ
トルエン ３００ｍＬ
を加え、続いて、
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム ２．４ｇ
２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１−ビナフチル
１．６ｇ
を加えて加熱し、７５℃で２４時間撹拌した。メタノールを加え、固体をろ過により採取した後、トルエンを加え、加熱溶解し、熱ろ過によって不溶物を除いた。ろ液を濃縮し、トルエンを用いた再結晶による精製、続いて、ヘプタンを用いた再結晶による精製を行うことによって、
(ビフェニル−３−イル)−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イ
ル）アミンの黄白色粉体 ４５．０ｇ（収率７２％）
を得た。
（第２工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られた(ビフェニル−３−イル)−（９，９−ジフェニル
フルオレン−２−イル）アミン ４３．０ｇ
ジメチルホルムアミド ４３０ｍＬ
を加え、氷浴にて冷却した。
次いで、
Ｎ−ブロモスクシンイミド １６．５ｇ
をゆっくり加え、６時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、１時間撹拌した後に析出する粗製物をろ過によって採取した。得られた粗製物にメタノールを加え、還流下の分散洗浄による精製を行うことによって、
（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（９，９−ジフェニルフルオ
レン−２−イル）アミンの白色粉体 ４１．０ｇ（収率８２％）
を得た。
（第３工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られた(６−ブロモビフェニル−３−イル)−（９，９−
ジフェニルフルオレン−２−イル）アミン １０．２ｇ
トルエン ８２ｍＬ
エタノール ４０ｍＬ
４−ビフェニルボロン酸 ４．３ｇ
炭酸カリウム５．０ｇを水３０ｍＬに溶解した水溶液
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
この後、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム ０．５ｇ
を加えて加熱し、７２℃で１３時間撹拌した。室温まで冷却し、水２００ｍＬを加えた後に、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄を２回行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。続いて、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
（１，１’：２’，１’’：４’’，１’’’−クォーターフェニル
−５’−イル）−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）アミン
の白色粉体 １０．２ｇ（収率８８％）
を得た。
（第４工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られた得られた（１，１’：２’，１’’：４’’，１’’
’−クォーターフェニル−５’−イル）−（９，９−ジフェニルフルオ
レン−２−イル）アミン １０．１ｇ
ブロモベンゼン ２．７ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム １．８ｇ
トルエン １００ｍＬ
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム ０．０７ｇ
ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液 ０．１ｍＬ
を加えて加熱し、１００℃で３時間撹拌した。６０℃まで冷却し、セライト（登録商標）、シリカゲルを加え、ろ過によって不溶物を除去した。ろ液を濃縮し、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
フェニル−（１，１’：２’，１’’：４’’，１’’’−クォータ
ーフェニル５’−イル）−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル
）アミンの白色粉体 ４．２ｇ（収率３７％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−２８）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５５−７．７９（４Ｈ）
７．０６−７．５２（３５Ｈ）
＜合成例１８＞
アリールアミン化合物（１−１３０）の合成；
合成例１７の第３工程で用いた４−ビフェニルボロン酸に代えて、２−ビフェニルボロン酸を用いて、合成例１７と同様の条件で反応を行うことによって、
フェニル−（１，１’：２’，１’’：２’’，１’’’−クォータ
ーフェニル−５’−イル）−（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イ
ル）アミンの白色粉体 ９．５ｇ（収率８２％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−１３０）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６２−７．７６（２Ｈ）
６．９５−７．４９（３３Ｈ）
６．６８−６．７０（２Ｈ）
６．５３−６．５５（２Ｈ）
＜合成例１９＞
アリールアミン化合物（１−１３３）の合成；
窒素置換した反応容器に、
（ビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）アミン
４０．０ｇ
ジメチルホルムアミド ３２０ｍＬ
を加え、氷浴にて冷却した。
次いで、
Ｎ−ブロモスクシンイミド ２３．３ｇ
をゆっくり加え、６時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、ジクロロメタンで抽出し、有機層を水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をジクロロメタンを用いた再結晶による精製、ヘプタンを用いた再結晶による精製を行うことによって、
（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル−４−イル）
アミンの白色粉体 ３２ｇ（収率６４％）
を得た。
（第２工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られた（６−ブロモビフェニル−３−イル）−（ビフェニル
−４−イル）アミン １０．０ｇ
トルエン ８０ｍＬ
エタノール ４０ｍＬ
フェニルボロン酸 ３．７ｇ
炭酸カリウム６．９ｇを水３０ｍＬに溶解した水溶液
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
この後、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム ０．６０ｇ
を加えて加熱し、７０℃で６時間撹拌した。室温まで冷却し、分液操作によって有機層を採取した。水を用いた洗浄を２回行った後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。続いて、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−（１，１’：２’，１’’−ターフェニ
ル−４’−イル）アミンの白色粉体 ６．５ｇ（収率６５％）
を得た。
（第３工程）
窒素置換した反応容器に、
上記で得られた（ビフェニル−４−イル）−（１，１’：２’，１’
’−ターフェニル−４’−イル）アミン ６．５ｇ
２−ブロモ−９，９−スピロビフルオレン ７．８ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム １．９ｇ
トルエン ６５ｍＬ
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
続いて、
酢酸パラジウム ０．１ｇ
ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液 ０．３ｍＬ
を加えて加熱し、１００℃で３時間撹拌した。６０℃まで冷却し、セライト（登録商標）、シリカゲルを加え、ろ過によって不溶物を除去した。ろ液を濃縮し、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−（１，１’：２’，１’’−ターフェニ
ル−４’−イル）−（９，９’−スピロビフルオレン−２−イル）アミ
ンの白色粉体 ６．０ｇ（収率５２％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−１３３）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３７個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．８１−７．８８（４Ｈ）
７．５９−７．６２（２Ｈ）
７．３４−７．５０（８Ｈ）
７．０３−７．２８（１５Ｈ）
６．７３−６．９２（８Ｈ）
＜合成例２０＞
アリールアミン化合物（１−１３６）の合成；
合成例１９の第２工程で用いたフェニルボロン酸に代えて、２−ビフェニルボロン酸を用いて、合成例１９と同様の条件で反応を行うことによって、
（ビフェニル−４−イル）−（１，１’：２’，１’’：４’’，１
’’’−クォーターフェニル−５’−イル）−（９，９’−スピロビフ
ルオレン−２−イル）アミンの白色粉体 ６．１ｇ（収率４２％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−１３６）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．７５−７．８６（４Ｈ）
７．３４−７．５８（１４Ｈ）
６．８５−２０（１７Ｈ）
６．７０−６．７２（２Ｈ）
６．５９−６．６２（２Ｈ）
６．４０−６．４２（２Ｈ）
＜合成例２１＞
アリールアミン化合物（１−１４７）の合成；
（第１工程）
窒素置換した反応容器に、
（１，１’：２’，１’’−ターフェニル−４’−イル）アミン
１４．５ｇ
９−ブロモフェナントレン １８．０ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム １０．８ｇ
トルエン １４５ｍＬ
を加え、減圧下脱気を行った後に窒素置換を行った。
次いで、
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム １．０ｇ
２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１−ビナフチル
１．７ｇ
を加えて加熱し、１００℃で１３時間撹拌した。水、ジクロロメタンを加え、抽出操作を行うことによって有機層を採取した後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濃縮することによって粗製物を得た。カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことにより、
（フェナントレン−９−イル）−（１，１’：２’，１’’−ターフ
ェニル−４’−イル）アミンの黄白色粉体
１８．４ｇ（収率７７％）
を得た。
（第２工程）
上記で得られた（フェナントレン−９−イル）−（１，１’：２’，
１’’−ターフェニル−４’−イル）アミン ８．０ｇ
２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレン ５．７ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム ２．２ｇ
トルエン ８０ｍＬ
を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
続いて、
酢酸パラジウム ０．１ｇ
ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液
０．１５ｍＬ
を加えて加熱し、１００℃で１３時間撹拌した。セライト（登録商標）、シリカゲルを加え、ろ過によって不溶物を除去した。ろ液を濃縮し、カラムクロマトグラフィーを用いた精製を行うことにより、
（フェナントレン−９−イル）−（１，１’：２’，１’’−ターフ
ェニル−４’−イル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）ア
ミンのの白色粉体 ３．２ｇ（収率２８％）
を得た。
このアリールアミン化合物は、下記式で表される構造式を有する化合物（１−１４７）である。
得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）で以下の３５個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．７５−８．８２（２Ｈ）
８．１９−８．２２（１Ｈ）
７．０９−７．８６（２６Ｈ）
１．４８（６Ｈ）
＜評価試験１＞
前述した合成例で合成されたアリールアミン化合物について、高感度示差走査熱量計（ブルカー・エイエックスエス製、ＤＳＣ３１００ＳＡ）によってガラス転移点を求めた。その結果は、以下のとおりであった。
ガラス転移点
合成例２の化合物（１−９） １１６℃
合成例３の化合物（１−２０） １２７℃
合成例４の化合物（１−２９） １１６℃
合成例５の化合物（１−５５） １１９℃
合成例６の化合物（１−５６） １３２℃
合成例７の化合物（１−６０） １２８℃
合成例８の化合物（１−８７） １１９℃
合成例９の化合物（１−８９） １１９℃
合成例１０の化合物（１−９２） １２３℃
合成例１１の化合物（１−９４） １２１℃
合成例１２の化合物（１−１１３） １１２℃
合成例１３の化合物（１−１１５） １１２℃
合成例１４の化合物（１−１２２） １２５℃
合成例１５の化合物（１−１２３） １３６℃
合成例１６の化合物（１−１２４） １２４℃
合成例１７の化合物（１−１２８） １２５℃
合成例１８の化合物（１−１３０） １１４℃
合成例１９の化合物（１−１３３） １２８℃
合成例２０の化合物（１−１３６） １３３℃
合成例２１の化合物（１−１４７） １２８℃
上記の結果から、一般式（１）で表されるアリールアミン化合物は１００℃以上、特に１１０℃以上のガラス転移点を有しており、薄膜状態が安定であることが判る。
＜評価試験２＞
上記合成例で製造されたアリールアミン化合物を用いて、ＩＴＯ基板の上に膜厚１００ｎｍの蒸着膜を作製して、イオン化ポテンシャル測定装置（住友重機械工業株式会社製、ＰＹＳ−２０２）によって仕事関数を測定した。その結果は、次のとおりであった。
仕事関数
合成例１の化合物（１−１） ５．６８ｅＶ
合成例２の化合物（１−９） ５．７０ｅＶ
合成例３の化合物（１−２０） ５．６６ｅＶ
合成例４の化合物（１−２９） ５．６２ｅＶ
合成例５の化合物（１−５５） ５．５５ｅＶ
合成例６の化合物（１−５６） ５．５５ｅＶ
合成例７の化合物（１−６０） ５．６２ｅＶ
合成例８の化合物（１−８７） ５．６３ｅＶ
合成例９の化合物（１−８９） ５．６３ｅＶ
合成例１０の化合物（１−９２） ５．６５ｅＶ
合成例１１の化合物（１−９４） ５．６３ｅＶ
合成例１２の化合物（１−１１３） ５．６３ｅＶ
合成例１３の化合物（１−１１５） ５．６４ｅＶ
合成例１４の化合物（１−１２２） ５．６６ｅＶ
合成例１５の化合物（１−１２３） ５．６７ｅＶ
合成例１６の化合物（１−１２４） ５．６８ｅＶ
合成例１７の化合物（１−１２８） ５．７１ｅＶ
合成例１８の化合物（１−１３０） ５．７３ｅＶ
合成例１９の化合物（１−１３３） ５．６４ｅＶ
合成例２０の化合物（１−１３６） ５．６５ｅＶ
合成例２１の化合物（１−１４７） ５．７０ｅＶ
上記の結果から、一般式（１）で表されるアリールアミン化合物はＮＰＤ、ＴＰＤなどの一般的な正孔輸送材料がもつ仕事関数５．４ｅＶと比較して、好適なエネルギー準位を示しており、良好な正孔輸送能力を有していることが分かる。
＜合成例２４＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−１）の合成；
窒素置換した反応容器に、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ
［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドール ４．９ｇ
２−クロロ−４−フェニルキナゾリン ５．７ｇ
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム ０．３ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート
０．４ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ４．０ｇ
キシレン ７４ｍｌ
を加えて加熱し、１２時間還流撹拌した。室温まで冷却した後、酢酸エチル、水を加え、分液操作によって有機層を採取した。有機層を濃縮し、カラムクロマトグラフによる精製を行うことによって、
７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−
７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ
［１，２−ｂ］インドールの粉体 ３．０ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−１）である。
＜合成例２５＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−２）の合成；
合成例２４おいて、２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリンを用い、合成例２４と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−
２−イル）−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ
］インデノ［１，２−ｂ］インドールの粉体
３．２ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−２）である。
＜合成例２６＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−３）の合成；
合成例２４において、２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて２−クロロ−４，７−ジフェニルキナゾリンを用い、合成例２４と同様の条件で反応を行うことによって、
１２−（４，７−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメ
チル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデ
ノ［１，２−ｂ］インドールの粉体 ３．３ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−３）である。
＜合成例２７＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−４）の合成；
合成例２４において、２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンを用い、合成例２４と同様の条件で反応を行うことによって、
１２−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメ
チル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデ
ノ［１，２−ｂ］インドールの粉体 ３．３ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−４）である。
＜合成例２８＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−５）の合成；
合成例２４において、７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、
１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ
［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドール
を用い、合成例２４と同様の条件で反応を行うことによって、
１３，１３−ジメチル−８−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）
−８,１３−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｅ］インデノ
［１，２−ｂ］インドールの粉体 ３．０ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−５）である。
＜合成例２９＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−６）の合成；
合成例２８において、２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンを用い、合成例２８と同様の条件で反応を行うことによって、
８−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−１３，１３−ジ
メチル−８,１３−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｅ］イン
デノ［１，２−ｂ］インドールの粉体 ３．３ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−６）である。
＜合成例３０＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−７）の合成；
合成例２４において、７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、
７，７，１３，１３−テトラメチル−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−ジ
インデノ［１，２−ｂ：１’,２’−ｆ］インドール
を用い、合成例２４と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７，１３，１３−テトラメチル−５−（４−フェニルキナゾリン
−２−イル）−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデノ［１，２−ｂ：
１’,２’−ｆ］インドールの粉体 ３．０ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−７）である。
＜合成例３１＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−８）の合成；
合成例３０において、２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−（３−ブロモフェニル）−４−フェニルキナゾリンを用い、合成例３０と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７，１３，１３−テトラメチル−５−［３−（４−フェニルキナ
ゾリン−２−イル）フェニル］−７，１３−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデ
ノ［１，２−ｂ：１’，２’−ｆ］インドールの粉体
３．４ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−８）である。
＜合成例３２＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−９）の合成；
合成例２５において、７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｇ］
インデノ［１，２−ｂ］インドール
を用い、合成例２５と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７−ジメチル−１２−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−
２−イル）−７，１２−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｇ］インデノ
［１，２−ｂ］インドールの粉体 ３．０ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−９）である。
＜合成例３３＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−１０）の合成；
合成例３２において、２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリンに代えて、２−クロロ−４，６−ジフェニルベンゾ［ｈ］キナゾリンを用い、合成例３２と同様の条件で反応を行うことによって、
１２−（４，６−ジフェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２−イル）−
７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｇ］イン
デノ［１，２−ｂ］インドールの粉体 ３．５ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−１０）である。
＜合成例３４＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−１１）の合成；
合成例２４において、７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、
１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ
］インデノ［１，２−ｂ］インドール
を用い、合成例２４と同様の条件で反応を行うことによって、
１３，１３−ジメチル−８−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）
−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ
］インドールの粉体 ３．０ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−１１）である。
＜合成例３５＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（２−１２）の合成；
合成例３４において、２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンを用い、合成例３４と同様の条件で反応を行うことによって、
１３，１３−ジメチル−８−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−
イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ］インデノ［１，
２−ｂ］インドールの粉体 ３．２ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるインデノインドール化合物（２−１２）である。
＜合成例３６＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−１）の合成；
合成例３５において、１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ｅ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、
７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，
５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール
を用い、合成例３５と同様の条件で反応を行うことによって、
１３−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメ
チル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２
，３−ａ］カルバゾールの粉体 ７．０ｇ（収率３８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−１）である。
＜合成例３７＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−２）の合成；
合成例３６において、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、４−（ビフェニル−４−イル）−２−クロロキナゾリンを用い、合成例３６と同様の条件で反応を行うことによって、
１３−［４−（ビフェニル−４−イル）キナゾリン−２−イル］−７
，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］
チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの粉体
６．７ｇ（収率３７％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−２）である。
＜合成例３８＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−３）の合成；
合成例３６において、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４−（フェニル−ｄ５）キナゾリンを用い、合成例３６と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７−ジメチル−１３−［４−（フェニル−ｄ５）キナゾリン−２
−イル］−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ
［２，３−ａ］カルバゾールの粉体 ８．４ｇ（収率３２％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−３）である。
＜合成例３９＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−４）の合成；
合成例３６において、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、２−（４−ブロモフェニル）−４−フェニルキナゾリンを用い、合成例３６と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７−ジメチル−１３−［４−（４−フェニルキナゾリン−２−イ
ル）フェニル］−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］
チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの粉体
５．２ｇ（収率２８％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−４）である。
＜合成例４０＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−５）の合成；
合成例３６において、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、２−（３−ブロモフェニル）−４−フェニルキナゾリンを用い、合成例３６と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７−ジメチル−１３−［３−（４−フェニルキナゾリン−２−イ
ル）フェニル］−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］
チエノ［２，３−ａ］カルバゾールの粉体
８．４ｇ（収率３２％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−５）である。
＜合成例４１＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−６）の合成；
合成例３６において、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリンを用い、合成例３６と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−
２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエ
ノ［２，３−ａ］カルバゾールの粉体 ８．４ｇ（収率３２％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−６）である。
＜合成例４２＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−７）の合成；
合成例４１において、７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾールに代えて、
８，８−ジメチル−５，８−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５
］チエノ［３，２−ｃ］カルバゾール
を用い、合成例４１と同様の条件で反応を行うことによって、
８，８−ジメチル−５−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−２
−イル）−５，８−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［
３，２−ｃ］カルバゾールの粉体 ９．３ｇ（収率３５％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−７）である。
＜合成例４３＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−８）の合成；
合成例２４において、７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、
７，７−ジメチル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，
５］フロ［２，３−ａ］カルバゾール
を用い、合成例２４と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−
７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，３−ａ
］カルバゾールの粉体 ６．２ｇ（収率３２％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−８）である。
＜合成例４４＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−９）の合成；
合成例４３において、２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリンを用い、合成例４３と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７−ジメチル−１３−（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン−
２−イル）−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ
［２，３−ａ］カルバゾールの粉体 ８．６ｇ（収率３０％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−９）である。
＜合成例４５＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−１０）の合成；
合成例４３において、２−クロロ−４−フェニルキナゾリンに代えて、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンを用い、合成例４３と同様の条件で反応を行うことによって、
１３−（４，６−ジフェニルキナゾリン−２−イル）−７，７−ジメ
チル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］フロ［２，
３−ａ］カルバゾールの粉体 ７．２ｇ（収率２９％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−１０）である。
＜合成例４６＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−１１）の合成；
合成例２４において、７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、
７，７−ジフェニル−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４
，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール
を用い、合成例２４と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７−ジフェニル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）
−７，１３−ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３
−ａ］カルバゾール（化合物３−１１）の粉体
６．７ｇ（収率３７％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−１１）である。
＜合成例４７＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−１２）の合成；
合成例２４において、７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、
９，９−ジメチル−９，１５−ジヒドロベンゾ［ａ］インデノ［２’
，１’：４，５］チエノ［３，２−ｉ］カルバゾール
を用い、合成例２４と同様の条件で反応を行うことによって、
９，９−ジメチル−１５−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−
９，１５−ジヒドロベンゾ［ａ］インデノ［２’，１’：４，５］チエ
ノ［３，２−ｉ］カルバゾールの粉体 ４．８ｇ（収率４２％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−１２）である。
＜合成例４８＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−１３）の合成；
合成例２４において、７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、
７−フェニル−７，１３−ジヒドロインドロ［２’，３’：４，５］
チエノ［２，３−ａ］カルバゾール
を用い、合成例２４と同様の条件で反応を行うことによって、
７−フェニル−１３−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）−７，
１３−ジヒドロインドロ［２’，３’：４，５］チエノ［２，３−ａ］
カルバゾールの粉体 ４．３ｇ（収率４３％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−１３）である。
＜合成例４９＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−１４）の合成；
合成例２４において、７，７−ジメチル−７，１２−ジヒドロベンゾ［４,５］チエノ［３，２−ｇ］インデノ［１，２−ｂ］インドールに代えて、
１２，１２−ジメチル−１，１２−ジヒドロインデノ［１’，２’：
４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバゾール
を用い、合成例２４と同様の条件で反応を行うことによって、
１２，１２−ジメチル−１−（４−フェニルキナゾリン−２−イル）
−１，１２−ジヒドロインデノ［１’，２’：４，５］チエノ［２，３
−ａ］カルバゾールの粉体 ６．３ｇ（収率４４％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−１４）である。
＜合成例５０＞
Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物（３−１５）の合成；
合成例３６において、２−クロロ−４，６−ジフェニルキナゾリンに代えて、２−ブロモナフタレンを用い、合成例３６と同様の条件で反応を行うことによって、
７，７−ジメチル−１３−（ナフタレン−２−イル）−７，１３−
ジヒドロインデノ［２’，１’：４，５］チエノ［２，３−ａ］カルバ
ゾールの粉体 ５．４ｇ（収率４７％）
を得た。
得られたＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−１５）である。
＜実施例１＞
図１に示されている構造の有機ＥＬ素子を下記の手順にしたがい蒸着により作製した。
先ず、ガラス基板（透明基板１）上に膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ電極（透明陽極２）が形成されているＩＴＯ付きガラス基板を用意した。
このガラス基板１をイソプロピルアルコール中にて２０分間、超音波洗浄した後、２００℃に加熱したホットプレート上にて１０分間乾燥を行った。その後、ＵＶオゾン処理を１５分間行った後、このＩＴＯ付きガラス基板を真空蒸着機内に取り付け、０．００１Ｐａ以下まで減圧した。
続いて、透明陽極２を覆うように正孔注入層３として、下記構造式の化合物（ＨＩＭ−１）を膜厚５ｎｍとなるように形成した。
この正孔注入層３の上に、第一正孔輸送層４として下記構造式の分子中にトリアリールアミン骨格を２個有するジ（トリアリールアミン）化合物（５−１）を膜厚６０ｎｍとなるように形成した。
このようにして形成された第一正孔輸送層４の上に第二正孔輸送層５として合成例１で合成されたアリールアミン化合物（１−１）を膜厚５ｎｍとなるように形成した。
この第二正孔輸送層５の上に、下記構造式の化合物（ＥＭＤ−１）と合成例２５で合成された下記構造式のインデノインドール化合物（２−２）とを、蒸着速度比がＥＭＤ−１：化合物（２−２）＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚２０ｎｍの発光層６を形成した。
この発光層６の上に、下記構造式のアントラセン誘導体（４ａ−１）と下記構造式の化合物（ＥＴＭ−１）とを、蒸着速度比が化合物（４ａ−１）：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を形成した。
この電子輸送層７の上に、電子注入層８としてフッ化リチウムを膜厚１ｎｍとなるように形成した。
最後に、アルミニウムを１００ｎｍ蒸着して陰極９を形成した。
上記のように作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。
作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
尚、素子寿命は、発光開始時の発光輝度（初期輝度）を７０００ｃｄ／ｍ２として定電流駆動を行った時、発光輝度が６７９０ｃｄ／ｍ２（初期輝度を１００％とした時の９７％に相当：９７％減衰）に減衰するまでの時間として測定した。
＜実施例２＞
合成例２で合成された下記のアリールアミン化合物（１−９）を用いて膜厚が５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例３＞
合成例３で合成された下記のアリールアミン化合物（１−２０）を用いて膜厚が５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例４＞
合成例４で合成された下記のアリールアミン化合物（１−２９）を用いて膜厚が５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例５＞
合成例５で合成された下記のアリールアミン化合物（１−５５）を用いて膜厚が５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例６＞
合成例８で合成された下記のアリールアミン化合物（１−８７）を用いて膜厚が５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例７＞
合成例１０で合成された下記のアリールアミン化合物（１−９２）を用いて膜厚が５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例８＞
インデノインドール化合物（２−２）に代えて、下記構造式で表されるカルバゾール化合物（３−１６）を使用し、このカルバゾール化合物（３−１６）と実施例１で用いた化合物（ＥＭＤ−１）とを、蒸着速度比が（ＥＭＤ−１）：化合物（３−１６）＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚２０ｎｍの発光層６を形成し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例９＞
合成例２で合成されたアリールアミン化合物（１−９）を用いて膜厚が５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例８と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例１０＞
合成例３で合成されたアリールアミン化合物（１−２０）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例８と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例１１＞
合成例４で合成されたアリールアミン化合物（１−２９）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例８と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例１２＞
合成例５で合成されたアリールアミン化合物（１−５５）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例８と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例１３＞
合成例８で合成されたアリールアミン化合物（１−８７）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例８と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜実施例１４＞
合成例１０で合成されたアリールアミン化合物（１−９２）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例８と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜比較例１＞
合成例１で合成された化合物（１−１）に代えて前記構造式で表されるジ（トリアリールアミン）化合物（５−１）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜比較例２＞
合成例１で合成された化合物（１−１）に代えて、下記構造式の化合物（ＨＴＭ−１）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜比較例３＞
合成例１で合成された化合物（１−１）に代えて前記構造式で表される化合物（ＨＴＭ−１）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例８と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
＜比較例４＞
前記構造式の化合物（５−１）に代えて下記構造式で表される分子中にトリフェニルアミン構造を２個有するジ（アリールアミン）化合物（５’−２）を用いて膜厚６０ｎｍの第一正孔輸送層４を形成し、さらに、合成例１で合成されたアリールアミン化合物（１−１）に代えて下記構造式のアリールアミン化合物（５’−２）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例８と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。
作成した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
上記の実験結果から理解されるように、発光層６の材料が同じ組み合わせである実施例１〜７と比較例１〜２とを比較すると、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの発光効率は、比較例１〜２の有機ＥＬ素子の２０．５３〜２６．０１ｃｄ／Ａに対し、実施例１〜７の有機ＥＬ素子では２６．３５〜２８．２３ｃｄ／Ａといずれも高効率であった。
また、電力効率においても、比較例１〜２の有機ＥＬ素子の１６．８７〜１８．８２ｌｍ／Ｗに対し、実施例１〜７の有機ＥＬ素子では２０．３０〜２１．９５ｌｍ／Ｗといずれも高効率であった。
さらに、素子寿命（９７％減衰）においては、比較例１〜２の有機ＥＬ素子の５７〜６１時間に対し、実施例１〜７の有機ＥＬ素子では１５５〜２７０時間と大きく長寿命化していることが分かる。
また、発光層６の材料が同じ組み合わせである実施例８〜１４と比較例３〜４とを比較すると、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの発光効率は、比較例３〜４の有機ＥＬ素子の２０．３４〜２５．１９ｃｄ／Ａに対し、実施例８〜１４の有機ＥＬ素子では２５．３０〜２７．７７ｃｄ／Ａといずれも高効率であった。
電力効率においても比較例３〜４の有機ＥＬ素子の１６．８６〜１７．７７ｌｍ／Ｗに対し、実施例８〜１４の有機ＥＬ素子では２０．１０〜２１．９８ｌｍ／Ｗといずれも高効率であった。
さらに、素子寿命（９７％減衰）においては、比較例３〜４の有機ＥＬ素子の３２〜４６時間に対し、実施例８〜１４の有機ＥＬ素子では２３３〜３３９時間と大きく長寿命化していることが分かる。
特定のアリールアミン化合物とＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物とが素子材料として使用されている本発明の有機ＥＬ素子では、発光効率が向上していると共に、その耐久性も大きく改善されており、例えば、家庭電化製品や照明の用途への展開が期待される。
１：ガラス基板
２：透明陽極
３：正孔注入層
４：第一正孔輸送層
５：第二正孔輸送層
６：発光層
７：電子輸送層
８：電子注入層
９：陰極

Claims (13)

  1. 陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔輸送層が下記一般式（１）で表されるアリールアミン化合物を含有し、前記発光層がＮ−芳香族置換含窒素複素環化合物を含有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子；
    式中、
    Ａｒ１〜Ａｒ４は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香
    族複素環基を示す。
  2. 前記Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物が、下記一般式（２）で表されるインデノインドール化合物である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
    式中、
    Ａ１は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基また
    は単結合を示し、
    Ａｒ５は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環
    基であり、
    Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子
    、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数
    ５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニ
    ル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし
    １０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価
    の芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基またはジ芳
    香族置換アミノ基であり、
    これらのＲ１〜Ｒ８は、単結合、置換基を有していてもよいメ
    チレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互いに結合して環
    を形成してもよく、さらに、Ｒ１〜Ｒ４の一部あるいはＲ５〜Ｒ
    ８の一部がベンゼン環から脱離しており、この脱離により生じた
    該ベンゼン環の空位に、Ｒ１〜Ｒ４の他の基あるいはＲ５〜Ｒ８の
    他の基が、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子、硫
    黄原子またはモノアリールアミノ基を介して結合して環を形成し
    てもよく、
    Ｒ９及びＲ１０は、炭素数１ないし６のアルキル基、１価の芳
    香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基であって、これらの
    基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子
    または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
  3. 前記Ｎ−芳香族置換含窒素複素環化合物が、下記一般式（３）で表されるカルバゾール化合物である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
    式中、
    Ａ２は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基また
    は単結合を示し、
    Ａｒ６は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環
    基を示し、
    Ｒ１１〜Ｒ１８は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素
    原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭
    素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアル
    ケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ない
    し１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１
    価の芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基またはジ
    芳香族置換アミノ基であって、
    これらのＲ１１〜Ｒ１８は、単結合、置換基を有していてもよ
    いメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互いに結合し
    て環を形成してもよく、さらに、Ｒ１１〜Ｒ１４の一部あるいは
    Ｒ１５〜Ｒ１８の一部がベンゼン環から脱離しており、この脱離
    により生じた該ベンゼン環の空位に、Ｒ１１〜Ｒ１４の他の基あ
    るいはＲ１５〜Ｒ１８の他の基が、置換基を有していてもよいメ
    チレン基、酸素原子、硫黄原子またはモノアリールアミノ基を
    介して結合して環を形成してもよい。
  4. 前記アリールアミン化合物が、下記一般式（１ａ）；
    式中、
    Ａｒ１〜Ａｒ３は、前記一般式（１）で示したとおりであり、
    Ａｒ７及びＡｒ８は、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳
    香族複素環基である、
    で表される請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 前記アリールアミン化合物が、下記一般式（１ｂ）；
    式中、
    Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ７及びＡｒ８は、前記一般式（１）或い
    は前記一般式（１ａ）で示したとおりであり、
    Ａｒ９及びＡｒ１０は、１価の芳香族炭化水素基または１価の
    芳香族複素環基である、
    で表される請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 前記電子輸送層が、下記一般式（４）で表されるアントラセン誘導体を含有している請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
    式中、
    Ａ３は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基また
    は単結合を示し、
    Ｂは、１価の芳香族複素環基を示し、
    Ｃは、１価の芳香族炭化水素基または１価の芳香族複素環基を
    示し、
    Ｄは、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ
    基、炭素数１ないし６のアルキル基、１価の芳香族炭化水素基ま
    たは１価の芳香族複素環基を示し、
    ｐ及びｑは、両者の合計が９であることを条件として、ｐが７
    または８の整数であり、ｑが１または２の整数である。
  7. 前記アントラセン誘導体が、下記一般式（４ａ）で表される請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
    式中、
    Ａ３は、前記一般式（４）に示すとおりであり、
    Ａｒ１１、Ａｒ１２及びＡｒ１３は、それぞれ、１価の芳香族
    炭化水素基または１価の芳香族複素環基であり、
    Ｒ１９〜Ｒ２５は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素
    原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭
    素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアル
    ケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ない
    し１０のシクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１
    価の芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基であ
    って、これらの基は、単結合、置換基を有していてもよいメチレ
    ン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成
    してもよく、
    Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、これらのいずれか１つのみが窒
    素原子であることを条件として、それぞれ、炭素原子または窒
    素原子を表し、該窒素原子には、水素原子を含めてＲ１９〜
    Ｒ２５の何れも結合していないものとする。
  8. 前記アントラセン誘導体が、下記一般式（４ｂ）で表される請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
    式中、
    Ａ３は、前記一般式（４）に示すとおりであり、
    Ａｒ１４、Ａｒ１５及びＡｒ１６は、１価の芳香族炭化水素基
    または１価の芳香族複素環基である。
  9. 前記アントラセン誘導体が、下記一般式（４ｃ）で表される請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子；
    式中、
    Ａ３は、前記一般式（４）に示すとおりであり、
    Ａｒ１７、Ａｒ１８及びＡｒ１９は、１価の芳香族炭化水素基
    または１価の芳香族複素環基であり、
    Ｒ２６は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シ
    アノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５な
    いし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基
    、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０の
    シクロアルキルオキシ基、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香
    族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基である。
  10. 前記正孔輸送層が、第一正孔輸送層および第二正孔輸送層の２層構造を有しており、該第二正孔輸送層が前記発光層側に位置しており且つ前記一般式（１）で表されるアリールアミン化合物を含有している請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 前記発光層が、赤色の発光材料を含有している請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  12. 前記発光層が、燐光性の発光材料を含有している請求項１１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  13. 前記燐光性の発光材料がイリジウムまたは白金を含む金属錯体である請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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