CN100466332C - 一种发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法 - Google Patents

一种发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法 Download PDF

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Abstract

一种颜色可调控的有机发光二极管的制备方法，包括界面型和混合型两种类型，其中界面型的制备步骤为：1)向锡铟氧化物玻璃基片上真空蒸镀或旋涂空穴传输材料；2)再真空蒸镀有较强吸电子能力的电子传输材料；3)再真空蒸镀阴极层。其中混合型的制备步骤是在界面型的步骤1后再共蒸镀或旋涂空穴传输材料和电子传输材料的混合层。本发明无需蒸镀发光材料，减少了材料的使用、便利了器件的制备过程，利用生成的不同激基复合物可实现不同颜色的发光。

Description

一种发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管的制备方法，具体地说涉及一种基于激基复合物调控发光颜色的有机发光二极管的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLEDs)自1987年被报道后(C.W.Tang，S.A.VanSlyke，Appl.Phys.Lett.1987，51，913)，由于其在显示和照明方面的潜在应用，至今已取得了长足的发展。众所周知，用于显示需要有红、绿、蓝三原色，为此人们合成了各种各样的能够发射红光、绿光、蓝光的有机发光材料(C.T.Chen，Chem.Mater.2004，16，4389；A.Kraft，A.C.Grimsdale，A.B.Holmes，Angew.Chem.，Int.Ed.1998，37，402；Y.Sato，Semicond.Semimet.2000，64，209.)。在制备彩色显示器件时，需要把这些红、绿、蓝发光材料都依次旋涂或蒸镀到基板上。但用这些红、绿、蓝发光材料制备的单层结构器件往往亮度和发光效率不高，需要引入空穴传输层和电子传输层来提高器件的发光性能。制备器件所需材料和层数的增加会导致制造工艺复杂、制造成本增加等弊端。我们知道具有较强给电子能力的分子(电子给体)容易与具有较强吸电子能力的分子(电子受体)形成电荷转移复合物或激基复合物，这些新物种的出现会导致在相对于电子给体和电子受体各自发射峰的长波长方向出现低能量发射峰(N.Mataga，Y.Murata，J.Am.Chem.Soc.1969，91，3144；D.D.Gebler，Y.Z.Wang，J.W.Blatchford，Appl.Phys.Lett.1997，70，1644；R.Aroca，T.D.Cano，J.A.De Saja，Chem.Mater.2003，15，38)。通过选用有不同给电子能力和吸电子能力的电子给体和电子受体可以调控电荷转移复合物或激基复合物的发光颜色。通常用的空穴传输材料一般都为电子给体，如果选用合适的电子受体作为电子传输材料，使其与不同的空穴传输材料形成电荷转移复合物或激基复合物实现不同颜色的发光，这样可省去发光材料这一层，从而简化器件的制备和省略不同发光颜色材料的合成及使用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于激基复合物的颜色可调控的有机发光二极管的制备方法，本发明制备的有机发光二极管包括界面型和混合型两种类型。
为实现上述目的，本发明制备界面型有机发光二极管的方法，其主要步骤为：
a)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以0.1～2/s的速率在锡铟氧化物(ITO)玻璃基片上蒸镀或旋涂空穴传输材料，形成空穴传输层；
b)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以0.1～2/s的速率在空穴传输层上蒸镀电子传输材料，形成电子传输层；
c)在电子传输层上蒸镀阴极层；
所述的空穴传输材料为：
N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)，结构如式1所示：
Figure C200610011227D00091
         式1、
4，4′-二-(N-萘基-N-苯基氨基)联苯(NPB)，结构如式2所示：
Figure C200610011227D00092
聚乙烯咔唑(PVK)，结构如式3所示：
   式3       或
4，4′-二-(N-咔唑基)-2，2′-联苯(CBP)，结构如式4所示：
Figure C200610011227D00102
所述的电子传输材料为：
6，7-二氰基-2，3-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基喹喔啉(CPQ)，结构如式5所示：
Figure C200610011227D00103
式5
2，3-二氰基-5，6-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基吡嗪(CPP)，结构如式6所示：
Figure C200610011227D0011162033QIETU
6，7-二甲基-2，3-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基喹喔啉(MPQ)，结构如式7所示：
所述阴极层为锂、钙、钡、镁、银、铝及它们的合金。
制备混合型有机发光二极的主要步骤为：
a)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以0.1～2
Figure C200610011227D0011161822QIETU
/s的速率在锡铟氧化物(ITO)玻璃基片上蒸镀或旋涂空穴传输材料，形成空穴传输层；
b)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以0.1～2
Figure C200610011227D0011161822QIETU
/s的速率在空穴传输层上蒸镀或旋涂空穴传输材料和电子传输材料的混合材料，以形成空穴传输材料和电子传输材料的混合层，其中电子传输材料在混合物中的重量百分比为1％～50％；
c)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以0.1～2
Figure C200610011227D0011161822QIETU
/s的速率在空穴传输层上蒸镀电子传输材料，形成电子传输层；
d)在电子传输层上蒸镀阴极层；
所述的空穴传输材料为：
N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)，结构如式1所示：
Figure C200610011227D00121
          式1           、
4，4′-二-(N-萘基-N-苯基氨基)联苯(NPB)，结构如式2所示：
Figure C200610011227D00122
聚乙烯咔唑(PVK)，结构如式3所示：
Figure C200610011227D00123
   式3    或
4，4′-二-(N-咔唑基)-2，2′-联苯(CBP)，结构如式4所示：
Figure C200610011227D00124
所述的电子传输材料为：
6，7-二氰基-2，3-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基喹喔啉(CPQ)，结构如式5所示：
式5
2，3-二氰基-5，6-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基吡嗪(CPP)，结构如式6所示：
Figure C200610011227D0013162208QIETU
6，7-二甲基-2，3-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基喹喔啉(MPQ)，结构如式7所示：
Figure C200610011227D0013162238QIETU
所述阴极层为锂、钙、钡、镁、银、铝及它们的合金。
所述的有机发光二极管，其中衬底是由玻璃、陶瓷、聚合物其中之一制成。
所述的有机发光二极管，其中空穴传输材料是具有给电子能力的有机小分子材料、高分子聚合物材料或它们的混合物，可以采用真空蒸镀、甩膜、滴膜、印刷技术制备它们的薄膜。
所述的有机发光二极管，其中电子传输材料是具有接受电子能力的有机小分子材料、高分子聚合物材料或它们的混合物，可以采用真空蒸镀、甩膜、滴膜、印刷技术制备它们的薄膜。
所述的有机发光二极管，其中空穴传输材料与电子传输材料易形成电荷转移复合物或激基复合物。
所述的有机发光二极管，其中有机层的层数不局限于2或3层，可以是1层或3层以上。
本发明具有以下特征：
1、对于界面型器件：器件结构包括ITO阳极，空穴传输层，具有较强吸电子能力的电子传输层，阴极。
对于混合型器件：器件结构包括ITO阳极，空穴传输层，空穴传输材料和有较强吸电子能力的电子传输材料形成的混合层，具有较强吸电子能力的电子传输层，阴极。
2、对于界面型器件：器件的发光是来源于空穴传输层和电子传输层界面处中形成的激基复合物的发光。
对于混合型器件：器件的发光是来源于空穴传输材料和电子传输材料混合层中形成的激基复合物的发光。
3、本发明通过一种有较强吸电子能力的电子传输材料与不同给电子能力的空穴传输材料作用，可以产生不同颜色的激基复合物的发光，实现发光颜色调控。
本发明具有以下优点：
1、本发明制备OLEDs无需蒸镀发光材料，只需空穴传输材料和电子传输材料两种材料便可，减少了材料的使用、便利了器件的制备过程。
2、本发明利用生成的不同激基复合物可实现不同颜色的发光。
3、本发明通过空穴传输材料的选择及其与不同受体材料的组合可调控发光颜色。
4、本发明制备的OLEDs具有较高的发光亮度和效率。
附图说明
图1为本发明的器件结构示意图：(a)界面型器件，(b)混合型器件。
图2为本发明所用的空穴传输材料及电子传输材料在薄膜状态下的荧光光谱。
图3为本发明所用电子传输材料CPQ分别与空穴传输材料TPD、NPB、PVK、CBP的混合物的荧光光谱。
图4为本发明所用电子传输材料CPP分别与空穴传输材料TPD、NPB、PVK、CBP的混合物的荧光光谱。
图5为本发明所用电子传输材料MPQ分别与空穴传输材料TPD、NPB、PVK、CBP的混合物的荧光光谱。
图6为本发明制备的界面型器件的电致发光光谱：电子传输材料为CPQ，器件结构分别为：
ITO/TPD/CPQ/Al、ITO/NPB/CPQ/Al、ITO/PVK/CPQ/Al、ITO/NPB/CBP/CPQ/Al。
图7为本发明制备的界面型器件的电致发光光谱：电子传输材料为CPP，器件结构分别为：
ITO/TPD/CPP/Al、ITO/NPB/CPP/Al、ITO/PVK/CPP/Al、ITO/NPB/CBP/CPP/Al。
图8为本发明制备的混合型器件的电致发光光谱：电子传输材料为CPQ，器件结构分别为：
ITO/TPD/TPD:CPQ/CPQ/Al、ITO/NPB/NPB:CPQ/CPQ/Al、
ITO/PVK:CPQ/CPQ/Al、ITO/NPB/CBP/CBP:CPQ/CPQ/Al。
图9为本发明制备的混合型器件的电致发光光谱：电子传输材料为CPP，器件结构分别为：
ITO/T.PD/TPD:CPP/CPP/Al、ITO/NPB/NPB:CPP/CPP/Al、
ITO/PVK:CPP/CPP/Al，ITO/NPB/CBP/CBP:CPP/CPP/Al。
图10为本发明制备的混合型器件的电致发光光谱：电子传输材料为MPQ，器件结构分别为：
ITO/TPD/TPD:MPQ/MPQ/Al、ITO/NPB/NPB:MPQ/MPQ/Al、
ITO/PVK:MPQ/MPQ/Al、ITO/NPB/CBP/CBP:MPQ/MPQ/Al。
具体实施方式：
下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明，其中实施例1-8为界面型器件的制备，实施例9-20为混合型器件的制备。
实施例1
制备界面型OLEDs的有机半导体材料：空穴传输材料为TPD，其结构式分别如式1所示
Figure C200610011227D00161
        式1
电子传输材料为CPQ，其结构式如式5所示
式5
器件所用的阳极为ITO，阴极为铝(Al)，但阴极并不限于此，也可以是锂、钙、钡、镁、银等金属及它们的合金。构建的器件结构见图1a。
实施步骤：
第一步：ITO玻璃的清洗
ITO玻璃依次用洗涤剂、自来水、去离子水、丙酮、无水乙醇清洗，然后置于烘箱中烘干。
第二步：蒸镀空穴传输层
将洗净的ITO玻璃片置于真空腔内，在4×10-4Pa的真空度下，以2
Figure C200610011227D0017160328QIETU
/s的速率沉积空穴传输材料TPD。
第三步：蒸镀电子传输层
子真空腔内，在4×10-4Pa的真空度下，以2
Figure C200610011227D0017160328QIETU
/s的速率沉积电子传输材料CPQ。
器件中有机半导体层的总厚度为100nm。
第四步：阴极制备
向蒸镀完有机层的ITO基片上蒸镀Al阴极，厚度为100nm。
第五步：器件性能的测试
将上述器件于室温、大气环境下测试：电流-电压曲线由HP4140B半导体测试仪测得；光功率由NewPort2835C光功率计测得，经转换可得到发光亮度值；色坐标由PR-650色度计测得。
制备的器件结构为ITO/TPD/CPQ/Al。
实施例2
按实施例1的方法制备器件，所不同的是空穴传输材料用NPB，结构如式2所示。
Figure C200610011227D00171
制备的器件结构为ITO/NPB/CPQ/Al。
实施例3
制备OLEDs的有机半导体材料：空穴传输材料为PVK，其结构式分别如式3所示：
   式3
电子传输材料为CPQ。
器件所用的阳极为ITO，阴极为铝(Al)，但阴极并不限于此，也可以是锂、钙、钡、镁、银等金属及它们的合金。构建的器件结构见图1a。
实施步骤：
第一步：ITO玻璃的清洗
ITO玻璃依次用洗涤剂、自来水、去离子水、丙酮、无水乙醇清洗，然后置于烘箱中烘干。
第二步：旋涂空穴传输层
向洗净的ITO玻璃片上旋涂PVK的氯仿溶液(6mg/ml)。
其余步骤同实施例1。
制备的器件结构为ITO/PVK/CPQ/Al。
实施例4
制备OLEDs的有机半导体材料：空穴传输材料为NPB和CBP，CBP的结构式如式4所示。
Figure C200610011227D00182
电子传输材料为CPQ。
器件所用的阳极为ITO，阴极为铝(Al)，但阴极并不限于此，也可以是锂、钙、钡、镁、银等金属及它们的合金。构建的器件结构见图1a。
实施步骤：
第一步：ITO玻璃的清洗
ITO玻璃依次用洗涤剂、自来水、去离子水、丙酮、无水乙醇清洗，然后置于烘箱中烘干。
第二步：蒸镀空穴传输层
将洗净的ITO玻璃片置于真空腔内，在4×10-4Pa的真空度下，以2
Figure C200610011227D0019160259QIETU
/s的速率先沉积一层空穴传输材料NPB，再沉积一层空穴传输材料CBP。沉积NPB层的目的是为了减小空穴注入到CBP层的能垒。
其余步骤同实施例1。
制备的器件结构为ITO/NPB/CBP/CPQ/Al。
实施例5
按实施例1的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用CPP，结构如式6所示。
Figure C200610011227D00191
式6
制备的器件结构为ITO/TPD/CPP/Al。
实施例6
按实施例2的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用CPP。
制备的器件结构为ITO/NPB/CPP/Al。
实施例7
按实施例3的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用CPP。
制备的器件结构为ITO/PVK/CPP/Al。
实施例8
按实施例4的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用CPP。
制备的器件结构为ITO/NPB/CBP/CPP/Al。
实施例9
制备混合型OLEDs的有机半导体材料：空穴传输材料为TPD，电子传输材料为CPQ。器件所用的阳极为ITO，阴极为铝(Al)，但阴极并不限于此，也可以是锂、钙、钡、镁、银等金属及它们的合金。构建的器件结构见图1b。
实施步骤：
第一步：ITO玻璃的清洗
ITO玻璃依次用洗涤剂、自来水、去离子水、丙酮、无水乙醇清洗，然后置于烘箱中烘干。
第二步：蒸镀空穴传输层
将洗净的ITO玻璃片置于真空腔内，在4×10-4Pa的真空度下，以2
Figure C200610011227D0020160238QIETU
/s的速率沉积空穴传输材料TPD。
第三步：蒸镀空穴传输材料和电子传输材料的混合层
于真空腔内，在4×10-4Pa的真空度下，以2
Figure C200610011227D0020160238QIETU
/s的速率同时沉积空穴传输材料TPD和电子传输材料CPQ，形成TPD：CPQ混合层。
第四步：蒸镀电子传输层
于真空腔内，在4×10-4Pa的真空度下，以2
Figure C200610011227D0020160238QIETU
/s的速率沉积电子传输材料CPQ。
器件中有机半导体层的总厚度为100nm。
第五步：阴极制备
向蒸镀完有机层的ITO基片上蒸镀Al阴极，厚度为100nm。
第六步：器件性能的测试
将上述器件于室温、大气环境下测试：电流-电压曲线由HP4140B半导体测试仪测得；光功率由NewPoft2835C光功率计测得，经转换可得到发光亮度值；色坐标由PR-650色度计测得。
制备的器件结构为：ITO/TPD/TPD:CPQ/CPQ/Al。
实施例10
按实施例9的方法制备器件，所不同的是空穴传输材料用NPB。
制备的器件结构为：ITO/NPB/NPB:CPQ/CPQ/Al。
实施例11
制备OLEDs的有机半导体材料：空穴传输材料为PVK，电子传输材料为CPQ。器件所用的阳极为ITO，阴极为铝(Al)，但阴极并不限于此，也可以是锂、钙、钡、镁、银等金属及它们的合金。构建的器件结构见图1b。
实施步骤：
第一步：ITO玻璃的清洗
ITO玻璃依次用洗涤剂、自来水、去离子水、丙酮、无水乙醇清洗，然后置于烘箱中烘干。
第二步：旋涂空穴传输材料和电子传输材料的混合层
将空穴传输材料PVK和电子传输材料CPQ共同溶于氯仿中，配制成溶液，其中PVK的浓度为6mg/ml，CPQ相对于PVK的重量比为5％～30％。向洗净的ITO玻璃上旋涂上述溶液，形成PVK：CPQ混合层。
第三步：蒸镀电子传输层
于真空腔内，在4×10-4Pa的真空度下，以2
Figure C200610011227D0021160226QIETU
/s的速率沉积电子传输材料CPQ。
器件中有机半导体层的总厚度为100nm。
阴极制备及器件性能测试同实施例9。
制备的器件结构为ITO/PVK:CPQ/CPQ/Al。
实施例12
制备OLEDs的有机半导体材料：空穴传输材料为NPB及CBP，电子传输材料为CPQ。器件所用的阳极为ITO，阴极为铝(Al)，但阴极并不限于此，也可以是锂、钙、钡、镁、银等金属及它们的合金。构建的器件结构见图1b。
实施步骤：
第一步：ITO玻璃的清洗
ITO玻璃依次用洗涤剂、自来水、去离子水、丙酮、无水乙醇清洗，然后置于烘箱中烘干。
第二步：蒸镀空穴传输层
将洗净的ITO玻璃片置于真空腔内，在4×10-4Pa的真空度下，以2
Figure C200610011227D0022160202QIETU
/s的速率先沉积一层空穴传输材料NPB，再沉积一层空穴传输材料CBP。沉积NPB层的目的是减小空穴注入到CBP层的能垒。
第三步：蒸镀空穴传输材料和电子传输材料的混合层
于真空腔内，在4×10-4Pa的真空度下，以2
Figure C200610011227D0022160202QIETU
/s的速率同时沉积空穴传输材料CBP和电子传输材料CPQ，形成CBP：CPQ混合层。
其余步骤同实施例9。
制备的器件结构为ITO/NPB/CBP/CBP:CPQ/CPQ/Al。
实施例13
按实施例9的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用CPP。
制备的器件结构为ITO/TPD/TPD:CPP/CPP/Al。
实施例14
按实施例10的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用CPP。
制备的器件结构为ITO/NPB/NPB:CPP/CPP/Al。
实施例15
按实施例11的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用CPP。
制备的器件结构为ITO/PVK:CPP/CPP/Al。
实施例16
按实施例12的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用CPP。
制备的器件结构为ITO/NPB/CBP/CBP:CPP/CPP/Al。
实施例17
按实施例9的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用MPQ，结构如式7所示。
Figure C200610011227D00231
式7
制备的器件结构为ITO/TPD/TPD:MPQ/MPQ/Al。
实施例18
按实施例10的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用MPQ。
制备的器件结构为ITO/NPB/NPB:MPQ/MPQ/Al。
实施例19
按实施例11的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用MPQ。
制备的器件结构为ITO/PVK:MPQ/MPQ/Al。
实施例20
按实施例12的方法制备器件，所不同的是电子传输材料用MPQ。
制备的器件结构为ITO/NPB/CBP/CBP:MPQ/MPQ/Al。
图2中展示了本发明所用的空穴传输材料及电子传输材料在薄膜状态下的荧光光谱，可看出空穴传输材料的荧光发射都在蓝紫光或紫光区域，电子传输材料CPQ荧光发射在蓝绿光区域、CPP的荧光发射在蓝光区域，MPQ的荧光发射在紫光区域。
图3、4和5为电子传输材料与不同给电子能力的空穴传输材料相混合时的荧光光谱。可以看出在相对于其单组分发射峰的长波长方向会出现一个新的发射峰，这是电子传输材料与空穴传输材料形成激基复合物发光的结果。
图6和7为本发明制备的界面型器件的电致发光光谱，可看出分别同图3和4的荧光光谱相似，出现了激基复合物的发射而且占主导地位。
图8、9和10为本发明制备的混合型器件的电致发光光谱，分别与图3、4和5的荧光光谱相似。
表1中给出了本发明制备的器件的电致发光特性。用CPP与空穴传输材料形成激基复合物的器件有着较好的性能，最大亮度可达到3140cd/m2(器件CBP:CPP)。
表1
 
给体和受体   电致发光峰位(nm) CIE坐标 发光颜色 最大亮度(cd/m<sup>2</sup>)  最大发光效率(cd/A)  
TPD/CPQ 656 (0.64，0.33) 红 148 0.1
NPB/CPQ 645 (0.60，0.33) 红 135 0.1
 
PVK/CPQ 593 (0.49，0.46) 黄 867 1.4
CBP/CPQ 539 (0.37，0.53) 黄绿 1759 1.7
TPD/CPP 629 (0.62，0.35) 红 275 0.2
NPB/CPP 621 (0.63，0.35) 红 214 0.2
PVK/CPP 585 (0.44，0.44) 黄 1526 2.9
CBP/CPP 525 (0.32，0.48) 黄绿 2148 1.8
TPD:CPQ 651 (0.65，0.33) 红 79 0.06
NPB:CPQ 643 (0.60，0.33) 红 60 0.04
PVK:CPQ 591 (0.46，0.47) 黄 1106 2.2
CBP:CPQ 542 (0.37，0.53) 黄绿 983 1.0
TPD:CPP 631 (0.62，0.35) 红 272 0.2
NPB:CPP 624 (0.62，0.36) 红 261 0.2
PVK:CPP 577 (0.44，0.44) 黄 1760 3.3
CBP:CPP 527 (0.31，0.48) 黄绿 3140 1.9
TPD:MPQ 490 (0.20，0.34) 蓝绿 328 0.4
NPB:MPQ 488 (0.19，0.33) 蓝绿 378 0.6
PVK:MPQ 419 (0.11，0.19) 蓝紫 4 0.04
CBP:MPQ 428 (0.16，0.09) 蓝紫 101 0.3

Claims (6)

1.一种发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法，其中制备界面型有机发光二极管的主要步骤为：
a)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以
Figure C200610011227C00021
的速率在锡铟氧化物(ITO)玻璃衬底上蒸镀或旋涂空穴传输材料，形成空穴传输层的薄膜；
b)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以
Figure C200610011227C00022
的速率在空穴传输层上蒸镀电子传输材料，形成电子传输层的薄膜；
c)在电子传输层上蒸镀阴极层；
所述的空穴传输材料为：
N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺，结构如式1所示：
Figure C200610011227C00023
式1
4，4′-二-(N-萘基-N-苯基氨基)联苯，结构如式2所示：
Figure C200610011227C00024
聚乙烯咔唑，结构如式3所示：
Figure C200610011227C00025
式3 或
4，4′-二-(N-咔唑基)-2，2′-联苯，结构如式4所示：
所述的电子传输材料为：
6，7-二氰基-2，3-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基喹喔啉，结构如式5所示：
Figure C200610011227C00032
2，3-二氰基-5，6-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基吡嗪，结构如式6所示：
Figure C200610011227C0003085048QIETU
                                      或
6，7-二甲基-2，3-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基喹喔啉，结构如式7所示：
所述阴极层为锂、钙、钡、镁、银、铝或它们的合金。
2.一种发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法，其中制备混合型有机发光二极管的主要步骤为：
a)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以的速率在锡铟氧化物(ITO)玻璃衬底上蒸镀或旋涂空穴传输材料，形成空穴传输层的薄膜；
b)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以
Figure C200610011227C00043
的速率在空穴传输层上蒸镀或旋涂空穴传输材料和电子传输材料的混合材料，以形成空穴传输材料和电子传输材料的混合层的薄膜，其中电子传输材料在混合物中的重量百分比为1％～50％；
c)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以
Figure C200610011227C00044
的速率在混合层上蒸镀电子传输材料，形成电子传输层的薄膜；
d)在电子传输层上蒸镀阴极层；
所述的空穴传输材料为：
N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺，结构如式1所示：
Figure C200610011227C00045
式1、
4，4′-二-(N-萘基-N-苯基氨基)联苯，结构如式2所示：
Figure C200610011227C00051
聚乙烯咔唑，结构如式3所示：
Figure C200610011227C00052
式3    或
4，4′-二-(N-咔唑基)-2，2′-联苯，结构如式4所示：
Figure C200610011227C00053
所述的电子传输材料为：
6，7-二氰基-2，3-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基喹喔啉，结构如式5所示：
Figure C200610011227C00054
2，3-二氰基-5，6-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基吡嗪，结构如式6所示：
Figure C200610011227C0003085048QIETU
                                      或
6，7-二甲基-2，3-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基喹喔啉，结构如式7所示：
Figure C200610011227C00062
所述阴极层为锂、钙、钡、镁、银、铝或它们的合金。
3.如权利要求1或2所述的发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，用陶瓷衬底或聚合物衬底替代所述玻璃衬底。
4.如权利要求1或2所述的发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴传输材料是具有给电子能力的有机小分子材料、高分子聚合物材料或它们的混合物，采用真空蒸镀、甩膜、滴膜或印刷技术替代所述蒸镀或所述旋涂来制备它们的薄膜。
5.如权利要求1或2所述的发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电子传输材料是具有接受电子能力的有机小分子材料、高分子聚合物材料或它们的混合物，采用真空蒸镀、甩膜、滴膜或印刷技术替代所述蒸镀或所述旋涂来制备它们的薄膜。
6.如权利要求1或2所述的发光颜色可调控的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴传输材料与电子传输材料形成电荷转移复合物或激基复合物。
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