JPWO2016111269A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

本発明の有機ＥＬ素子は、陽極２、第一正孔輸送層４、第二正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７および陰極８をこの順に有しており、第二正孔輸送層５が下記一般式（１）；【化１】で表されるアリールアミン誘導体を含有し、電子輸送層７が下記一般式（２）；【化２】で表されるピリミジン化合物を含有していることを特徴とする。

Description

本発明は、各種の表示装置に好適な自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関するものであり、詳しくは、特定のアリールアミン化合物と特定のピリミジン化合物を含んでいる有機ＥＬ素子に関するものである。

有機ＥＬ素子は自己発光性素子であるため、液晶素子に比べて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能であることから、多くの研究がなされてきた。

１９８７年にイーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらは、発光のための各種の役割を各材料に分担した積層構造とすることにより、実用的な有機ＥＬ素子の開発に成功した。かかる有機ＥＬ素子は、電子を輸送することのできる蛍光体と正孔を輸送することのできる有機物とを積層することにより構成されるものであり、正電荷と負電荷とを蛍光体の層の中に注入して発光させることにより、１０Ｖ以下の電圧で１０００ｃｄ／ｍ^２以上の高輝度が得られるというものである。

現在まで、有機ＥＬ素子の実用化のために多くの改良がなされ、積層構造の各種の役割をさらに細分化して、基板上に順次に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極を設けた電界発光素子によって高効率と耐久性が達成されることが一般に知られている。

また、発光効率のさらなる向上を目的として三重項励起子の利用が試みられ、燐光発光性化合物の利用が検討されている。
そして、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）による発光を利用する素子も開発されている。例えば、２０１１年に九州大学の安達らは、熱活性化遅延蛍光材料を用いた素子によって５．３％の外部量子効率を実現させている。

発光層は、一般的にホスト材料と称される電荷輸送性の化合物に、蛍光性化合物や燐光発光性化合物または遅延蛍光を放射する材料をドープして作製することもできる。有機ＥＬ素子における有機材料の選択は、その素子の効率や耐久性など諸特性に大きな影響を与える。

有機ＥＬ素子においては、両電極から注入された電荷が発光層で再結合して発光が得られるが、正孔、電子の両電荷を如何に効率良く発光層に受け渡すかが重要であり、キャリアバランスに優れた素子とする必要がある。また、正孔注入性を高め、陰極から注入された電子をブロックする電子阻止性を高めることによって、正孔と電子が再結合する確率を向上させ、さらには発光層内で生成した励起子を閉じ込めることによって、高発光効率を得ることができる。そのため、正孔輸送材料の果たす役割は重要であり、正孔注入性が高く、正孔の移動度が大きく、電子阻止性が高く、さらには電子に対する耐久性が高い正孔輸送材料が求められている。

また、素子の寿命に関しては材料の耐熱性やアモルファス性も重要である。耐熱性が低い材料では、素子駆動時に生じる熱により、低い温度でも熱分解が起こり、材料が劣化する。アモルファス性が低い材料では、短い時間でも薄膜の結晶化が起こり、素子が劣化してしまう。そのため使用する材料には耐熱性が高く、アモルファス性が良好な性質が求められる。

これまで有機ＥＬ素子に用いられてきた正孔輸送材料としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン（ＮＰＤ）や種々の芳香族アミン誘導体が知られていた（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。ＮＰＤは良好な正孔輸送能力を持っているが、耐熱性の指標となるガラス転移点（Ｔｇ）が９６℃と低く、高温条件下では結晶化による素子特性の低下が起こってしまう。
また、芳香族アミン誘導体の中には、正孔の移動度が１０^−３ｃｍ^２／Ｖｓ以上と優れた移動度を有する化合物もあるが（例えば、特許文献１及び２参照）、電子阻止性が不十分であるため、電子の一部が発光層を通り抜けてしまい、発光効率の向上が期待できないなど、さらなる高効率化のため、より電子阻止性が高く、薄膜がより安定で耐熱性の高い材料が求められていた。
さらに、耐久性の高い芳香族アミン誘導体の報告があるが（例えば、特許文献３参照）、電子写真感光体に用いられる電荷輸送材料として用いたもので、有機ＥＬ素子として用いた例はなかった。

耐熱性や正孔注入性などの特性を改良した化合物として、置換カルバゾール構造を有するアリールアミン化合物が提案されているが（例えば、特許文献４および特許文献５参照）、これらの化合物を正孔注入層または正孔輸送層に用いた素子では、耐熱性や発光効率などの改良はされているものの、未だ十分とはいえず、さらなる低駆動電圧化や、さらなる高発光効率化が求められている。

有機ＥＬ素子の素子特性の改善や素子作製の歩留まり向上のために、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた材料を組み合わせることで、正孔および電子が高効率で再結合でき、発光効率が高く、駆動電圧が低く、長寿命な素子が求められている。

また、有機ＥＬ素子の素子特性を改善させるために、正孔および電子の注入・輸送性能、薄膜の安定性や耐久性に優れた材料を組み合わせることで、キャリアバランスのとれた高効率、低駆動電圧、長寿命な素子が求められている。

特開平８−０４８６５６号公報 特許第３１９４６５７号公報 特許第４９４３８４０号公報 特開２００６−１５１９７９号公報 国際公開第２００８／６２６３６号

本発明の目的は、正孔および電子の注入・輸送性能、電子阻止能力、薄膜状態での安定性及び耐久性に優れた有機ＥＬ素子用の各種材料を、それぞれの材料が有する特性が効果的に発現できるように組み合わせることで、高効率、低駆動電圧であって、特に長寿命が実現された有機ＥＬ素子を提供することにある。

本発明者等は、正孔輸送層を第一正孔輸送層と第二正孔輸送層との２層構造としたとき、発光層に隣接している第二正孔輸送層が特定の分子構造を有するアリールアミン誘導体を含み且つ電子輸送層が特定の分子構造を有するピリミジン化合物を含んでいる場合には、優れたキャリアバランスが確保され、各種特性に優れた有機ＥＬ素子が得られるという知見を見出し、本発明を完成させるに至った。

本発明によれば、陽極、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層、電子輸送層および陰極をこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第二正孔輸送層が下記一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体を含有し、前記電子輸送層が下記一般式（２）で表されるピリミジン化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

アリールアミン誘導体；
式中、
Ａｒ^１〜Ａｒ^４は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族複素環
基を示す。

ピリミジン化合物；
式中、
Ａｒ^５は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
Ａｒ^６及びＡｒ^７は、それぞれ、水素原子、芳香族炭化水素基または
芳香族複素環基を表し、但し、Ａｒ^６とＡｒ^７とが同時に水素原子とな
ることはないものとし、
Ａは、下記一般式（３）で示される１価の有機基を表す、
式中、
Ａｒ^８は、芳香族複素環基を表し、
Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素
原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、炭素数１ないし６のアルキル
基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^４の何れ
かとＡｒ⁸とが、単結合、酸素原子、硫黄原子または置換基を有してい
てもよいメチレン基を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

本発明の有機ＥＬ素子においては、第一正孔輸送層が、第二正孔輸送層に含まれている前記アリールアミン誘導体とは異なる分子構造を有する正孔輸送性のアリールアミン化合物を含有していることが好ましい。
かかる第一正孔輸送層に含まれるアリールアミン化合物としては、
（１）トリアリールアミン骨格を３個〜６個有しており且つこれらのトリアリールアミン骨格が、単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で連結した構造を有しているポリ（トリアリールアミン）化合物であること、
或いは、
（２）分子中にトリアリールアミン骨格を２個有しており且つこれらのトリアリールアミン骨格が、単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で連結した構造を有しているジ（トリアリールアミン）化合物であること、
が好適である。

また、前記ポリ（トリアリールアミン）化合物としては、下記一般式（４）；
式中、
ｒ^５〜ｒ^１６は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基Ｒ^５〜
Ｒ^１６の数を示す整数であり、ｒ^５、ｒ^６、ｒ^９、ｒ^１２、ｒ^１５及び
ｒ^１６は、０〜５の整数を表し、ｒ^７、ｒ^８、ｒ^１０、ｒ^１１、ｒ^１３
及びｒ^１４は、０または１〜４の整数を表し、
Ｒ^５〜Ｒ^１６は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、
シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし
１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１
ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオ
キシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アラルキル基またはアリ
ールオキシ基を表し、同一のベンゼン環に複数個のＲ^５〜Ｒ^１６が結合し
ている場合、複数存在している基は、単結合、酸素原子、硫黄原子また
は置換基を有していてもよいメチレン基を介して互いに結合して環を形
成していてもよく、
Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３は、それぞれ、下記式（Ｂ）〜（Ｇ）で示される２
価の有機基、または単結合を表す；
（ｎ１は、１〜３の整数である）
で表されるものが好適である。

さらに、前記ジ（トリアリールアミン）化合物としては、下記一般式（５）；
式中、
ｒ^１７〜ｒ^２２は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基Ｒ^１７
〜Ｒ^２２の数を示す整数であり、ｒ^１７、ｒ^１８、ｒ^２１及びｒ^２２は
、０〜５の整数を表し、ｒ^１９及びｒ^２０は、０または１〜４の整数を
表し、
Ｒ^１７〜Ｒ^２２は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、
シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし
１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１
ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオ
キシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アラルキル基またはアリ
ールオキシ基を表し、同一のベンゼン環に複数個のＲ^１７〜Ｒ^２２が結合
している場合、複数存在している基は、単結合、酸素原子、硫黄原子ま
たは置換基を有していてもよいメチレン基を介して互いに結合して環を
形成していてもよく、
Ｌ^４は、単結合、または前記一般式（４）における式（Ｂ）〜（Ｇ）
で示される２価の有機基を示す、
で表されるものが好適である。

また、本発明においては、前記ピリミジン化合物が、下記一般式（２ａ）または一般式（２ｂ）；
前記一般式（２ａ）及び（２ｂ）において、
Ａｒ^５〜Ａｒ^７及びＡは、前記一般式（２）で示したとおりである、
で表されるものであることが好ましい。

さらに、ピリミジン化合物を表す前記一般式（２）において、１価の有機基Ａが下記一般式（３ａ）；
式中、
Ａｒ^８及びＲ^１〜Ｒ^４は、前記一般式（３）で示したとおりである、
で表されることが好ましい。

上述した本発明の有機ＥＬ素子においては、
（１）前記発光層が、青色発光性ドーパントを含有していること、
（２）前記青色発光性ドーパントがピレン誘導体であること、
（３）前記発光層が、アントラセン誘導体を含有していること、
（４）アントラセン誘導体がホスト材料であること、
が望ましい。

本発明の有機ＥＬ素子は、陽極、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層、電子輸送層および陰極をこの順に有するという基本構造を有しているが、第二正孔輸送層に含まれる一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体及び電子輸送層に含まれるピリミジン化合物が、
（１）正孔或いは電子の注入・輸送特性が良い、
（２）薄膜状態が安定であり、耐久性に優れている、
という特性を有している。このため、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層に正孔及び電子を効率良く注入・輸送でき、高効率、低駆動電圧での発光が実現され、さらには、素子の長寿命化も実現されている。

また、本発明においては、第一正孔輸送層が、第二正孔輸送層に含まれている前記アリールアミン誘導体とは異なる分子構造を有する正孔輸送性のアリールアミン化合物、例えば一般式（４）で表されるポリ（トリアリールアミン）化合物或いは一般式（５）で表されるジ（トリアリールアミン）化合物を含有していることにより、発光層へ正孔と電子をより効率良く注入・輸送でき、高いキャリアバランスを確保することができ、より高い特性向上を実現できる。

本発明の有機ＥＬ素子の好適な層構成の一例を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−１）〜（１−７）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−８）〜（１−１４）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−１５）〜（１−２１）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−２２）〜（１−２７）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−２８）〜（１−３３）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−３４）〜（１−３９）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−４０）〜（１−４６）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−４７）〜（１−５２）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１〜５３）〜（１−５８）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−５９）〜（１−６４）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−６５）〜（１−７２）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−７３）〜（１−７９）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−８０）〜（１−８６）の構造式を示す図。 一般式（１）のアリーアミン誘導体における化合物Ｎｏ．（１−８７）〜（１−９４）の構造式を示す図。 一般式（４）のポリ（トリアリールアミン）化合物における化合物Ｎｏ．（４−１）〜（４−６）の構造式を示す図。 一般式（４）のポリ（トリアリールアミン）化合物における化合物Ｎｏ．（４−７）〜（４−１１）の構造式を示す図。 一般式（４）のポリ（トリアリールアミン）化合物における化合物Ｎｏ．（４−１２）〜（４−１６）の構造式を示す図。 一般式（４）のポリ（トリアリールアミン）化合物における化合物Ｎｏ．（４−１７）の構造式を示す図。 ポリ（トリアリールアミン）化合物における化合物Ｎｏ．（４’−１）〜（４’−２）の構造式を示す図。 一般式（５）のジ（トリアリールアミン）化合物における化合物Ｎｏ．（５−１）〜（５−５）の構造式を示す図。 一般式（５）のジ（トリアリールアミン）化合物における化合物Ｎｏ．（５−６）〜（５−１１）の構造式を示す図。 一般式（５）のジ（トリアリールアミン）化合物における化合物Ｎｏ．（５−１２）〜（５−１６）の構造式を示す図。 一般式（５）のジ（トリアリールアミン）化合物における化合物Ｎｏ．（５−１７）〜（５−２１）の構造式を示す図。 一般式（５）のジ（トリアリールアミン）化合物における化合物Ｎｏ．（５−２２）〜（５−２３）の構造式を示す図。 ジ（トリアリールアミン）化合物における化合物Ｎｏ．（５’−１）〜（５’−２）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−１）〜（２−７）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−８）〜（２−１３）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−１４）〜（２−１９）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−２０）〜（２−２５）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−２６）〜（２−３１）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−３２）〜（２−３６）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−３７）〜（２−４１）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−４２）〜（２−４６）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−４７）〜（２−５２）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−５３）〜（２−５７）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−５８）〜（２−６２）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−６３）〜（２−６７）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−６８）〜（２−７２）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−７３）〜（２−７７）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−７８）〜（２−８２）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−８３）〜（２−８７）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−８８）〜（２−９２）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−９３）〜（２−９６）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−９７）〜（２−１０１）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−１０２）〜（２−１０６）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−１０７）〜（２−１１１）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−１１２）〜（２−１１５）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−１１６）〜（２−１２０）の構造式を示す図。 一般式（２）のピリミジン化合物における化合物Ｎｏ．（２−１２１）〜（２−１２５）の構造式を示す図。

本発明の有機ＥＬ素子は、ガラス基板や透明プラスチック基板（例えばポリエチレンテレフタレート基板）などの透明基板上に、陽極、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極が、この順に形成された基本構造を有している。このような基本構造を有している限り、その層構造は種々の態様を採ることができ、例えば、陽極と第一正孔輸送層との間に正孔注入層を設けることもでき、さらには、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けることもできる。例えば、図１には、本発明の有機ＥＬ素子が採用し得る好適な層構造の一例（後述する実施例で採用）が示されており、透明基板１上に、陽極２、正孔注入層３、第一正孔輸送層４、第二正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７、電子注入層８及び陰極９が、この順に形成されている。
以下、図１を例にとって、本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。

＜陽極２＞
陽極２は、ＩＴＯや金のような仕事関数の大きな電極材料の蒸着により、透明基板１上に形成されるものである。

＜正孔注入層３＞
陽極２と第一の正孔輸送層５との間には、必要に応じて、正孔注入層３が適宜形成される。かかる正孔注入層３は、それ自体公知の材料、例えば、スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体、種々のトリフェニルアミン４量体などの材料；銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン化合物；ヘキサシアノアザトリフェニレンのようなアクセプター性の複素環化合物や塗布型の高分子材料；などを用いて形成することができる。また、トリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモン、ラジアレン誘導体（例えば、国際公開第２０１４／００９３１０号参照）などをＰドーピングしたものや、ＴＰＤなどのベンジジン誘導体の構造をその部分構造に有する高分子化合物なども用いることができる。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は、上記の陽極２と発光層６との間に設けられるものであるが、本発明において、この正孔輸送層は、図１から明らかなとおり、陽極２側に位置している第一正孔輸送層４と、発光層６側に位置している第二正孔輸送層５との２層構造を有している。

第二正孔輸送層５；
本発明において、発光層６側に位置している第二正孔輸送層５は、下記一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体を含んでいる。
アリールアミン誘導体；
前記一般式（１）において、Ａｒ^１〜Ａｒ^４は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、これらの基は、置換基を有していてもよい。
また、上記のＡｒ^１〜Ａｒ^４は、互いに独立に存在していることが好ましいが、Ａｒ^１とＡｒ^２、或いはＡｒ^３とＡｒ^４とが、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

上記の芳香族炭化水素基は、１つの結合手を有する芳香族炭化水素環から形成されているものであり、上記の芳香族複素環基は１つの結合手を有する芳香族複素環から形成されているものであり、これらは、何れも、縮合多環構造を有するものであってよい。これらの例としては、以下のものを例示することができる。

芳香族炭化水素基；
フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、
スチリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フル
オレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニ
ル基、トリフェニレニル基等。

芳香族複素環基；
ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、フリル基、ピロリル基
、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾ
チエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、キナゾリニル基、ベンゾオ
キサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾ
リル基、ベンゾキナゾリニル基、ピリドピリミジニル基、ピラゾリル基、
ナフトピリミジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフ
チリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基、カルボリニル基
等。

さらに、上記の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてよい置換基としては、重水素原子、シアノ基、ニトロ基などに加え、以下のものを例示することができる。
ハロゲン原子、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子；
炭素数１ないし６のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基など；
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、例えば、メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基など；
アルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基など；
アリール基、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、スピロビフルオレニル基など；
アリールオキシ基、例えば、フェニルオキシ基、トリルオキシ基など；
アラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基など；
アリールアルキルオキシ基、例えば、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基；
芳香族複素環基、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、キナゾリニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾキナゾリニル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基、アザフルオレニル基、ジアザフルオレニル基、アザスピロビフルオレニル基、ジアザスピロビフルオレニル基など；
アリールビニル基、例えば、スチリル基、ナフチルビニル基など；
アシル基、例えば、アセチル基、ベンゾイル基など；

これらの置換基は、さらに、ここで例示している置換基をさらに有していてもよい。
また、上記で例示した置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

本発明において、上述した一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体は、後述する実施例からも理解されるようにガラス転移点Ｔｇが高く（例えば１１０℃以上）、従って、薄膜状態が安定であり、耐熱性も優れている。また、一般的な正孔輸送材料が有する仕事関数（約５．４ｅＶ）と比較して、高い仕事関数を有しており、従って、正孔輸送性に優れており、正孔の移動度が大きく且つ正孔の注入特性もよい。さらには、電子阻止性にも優れている。

上記のアリールアミン誘導体を示す一般式（１）において、芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基が好ましい。
また、芳香族複素環基の中では、チエニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチアゾリル基、ジベンゾチエニル基などの含硫黄芳香族複素環基、フリル基、ピロリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾオキサゾリル基、ジベンゾフラニル基などの含酸素芳香族複素環基、及びＮ−置換カルバゾリル基が好ましく、ジベンゾフラニル基がより好ましい。

また、上記の炭化水素基或いは芳香族複素環基が有していてよい置換基としては、重水素原子、アルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ジベンゾフラニル基、ビニル基がより好ましい。また、これらの基同士が単結合を介して互いに結合して縮合芳香環を形成する場合も好ましい。

このような一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体は、素子寿命に影響を与える薄膜安定性や耐熱性の観点から、その分子が非対称構造を有していることが望ましく、例えば、Ａｒ^１とＡｒ^２、或いはＡｒ^３とＡｒ^４とが異なる基であることが好ましく、Ａｒ^１とＡｒ^２とが異なっており且つＡｒ^３とＡｒ^４とが異なっていることがより好ましい。

さらに、薄膜安定性の観点から、上記アリールアミン誘導体の分子は、非直線性を有していることが望ましく、例えば、分子の中央に位置しているフェニレン基と両端の芳香族アミノ基含有フェニル基との結合様式が、４，４’’−ジアミノ−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル骨格となるような分子構造（全ての結合が１，４−結合となる構造）は好ましくなく、１，２−結合もしくは１，３−結合が混在していることが好適である。
即ち、４，４’’−ジアミノ−［１，１’；３’，１’’］ターフェニル骨格、３，３’’−ジアミノ−［１，１’；３’，１’’］ターフェニル骨格、２，２’’−ジアミノ−［１，１’；３’，１’’］ターフェニル骨格、４，４’’−ジアミノ−［１，１’；２’，１’’］ターフェニル骨格、３，３’’−ジアミノ−［１，１’；２’，１’’］ターフェニル骨格、２，２’’−ジアミノ−［１，１’；２’，１’’］ターフェニル骨格、２，４’’−ジアミノ−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル骨格、２，２’’−ジアミノ−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル骨格、３，３’’−ジアミノ−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル骨格、などのように非直線構造を有していることが好適である。

上記のような非直線構造を有するアリールアミン誘導体は、例えば下記一般式（１ａ−ａ）、（１ａ−ｂ）、（１ｂ−ａ）、（１ｃ−ａ）、（１ｃ−ｂ）もしくは（１ｃ−ｃ）で表される。
なお、これらの一般式において、Ａｒ^１〜Ａｒ^４は、前記一般式（１）で説明しているとおりの基である。

上述した一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体の具体例としては、これに限定されるものではないが、図２〜図１５で表される構造式を有しているＮｏ．（１−１）〜Ｎｏ．（１−９４）の化合物をあげることができる。

このようなアリールアミン誘導体は、正孔輸送性に加え、高い電子阻止性を示すため、発光層６側の第二正孔輸送層５が該アリールアミン誘導体を含有していることにより、発光層６でのキャリアバランスをより高く保持することができ、この有機ＥＬ素子の特性向上に極めて有利となる。

上述したアリールアミン誘導体は、それぞれ１種単独で使用することもできるし、２種以上を混合して使用することもでき、さらには、かかるアリールアミン誘導体が有する優れた特性が損なわれない範囲において、公知の正孔輸送材料と併用して第二正孔輸送層５を形成することもできる。

このような公知の正孔輸送材料としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニルベンジジンなどのベンジジン誘導体；１，１−ビス［４−(ジ−４−トリルアミノ)フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）；後述する一般式（４）または一般式（５）で表されるトリアリールアミン化合物；その他、種々のトリフェニルアミン３量体などをあげることができる。

また、かかる第二正孔輸送層５においては、さらにトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモン、ラジアレン誘導体（例えば、国際公開２０１４／００９３１０号参照）などをＰドーピングしたものや、ＴＰＤなどのベンジジン誘導体の分子構造を含む高分子化合物などを併用することもできる。

第一正孔輸送層４；
本発明において、第二正孔輸送層５は、一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体により形成されるが、陽極２側に位置している第一正孔輸送層４は、第二正孔輸送層５の形成に使用されているアリールアミン誘導体とは異なっている正孔輸送材料を用いて形成される。
かかる正孔輸送材料は、第二正孔輸送層５の形成に使用しているものと異なっていれば、前記一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体であってもよいが、一般的には、トリアリールアミン骨格を有するトリアリールアミン化合物を用いて形成されることが望ましい。このようなトリアリールアミン化合物は、電子阻止性の点では、上記のアリールアミン誘導体に劣るものの、正孔輸送性の点では、該アリールアミン誘導体と同等或いはそれ以上の性能を示し、しかも、発光層６と直接接触していない第一正孔輸送層４には、電子阻止性はあまり要求されないからである。

このようなトリアリールアミン化合物としては、正孔輸送性に加え、薄膜安定性や耐熱性に優れていること及び合成が容易であるという観点から、
（１）トリアリールアミン骨格を３個〜６個有しており且つこれらのトリアリールアミン骨格が、単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で連結した構造を有しているポリ（トリアリールアミン）化合物、
或いは、
（２）分子中にトリアリールアミン骨格を２個有しており且つこれらのトリアリールアミン骨格が、単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で連結した構造を有しているジ（トリアリールアミン）化合物、
をあげることができる。
このようなトリアリールアミン化合物は、１種単独で使用することもできるし、２種以上を混合して使用することもできるし、さらに、前述した第二正孔輸送層５と同様、それ自体公知の正孔輸送材料と併用することもできる。

ポリ（トリアリールアミン）化合物について；
上記のポリ（トリアリールアミン）化合物は、例えば、一般式（４）で表される。

かかる一般式（４）で表されるポリ（トリアリールアミン）化合物は、トリアリールアミン骨格を４個有している。

上記一般式（４）において、ｒ^５〜ｒ^１６は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基Ｒ^５〜Ｒ^１６の数を示す整数であり、ｒ^５、ｒ^６、ｒ^９、ｒ^１２、ｒ^１５及びｒ^１６は、０〜５の整数を表し、またｒ^７、ｒ^８、ｒ^１０、ｒ^１１、ｒ^１３及びｒ^１４は、０〜４の整数を表す。
このようなｒ^５〜ｒ^１６としては、０〜３の整数が好ましく、０〜２の整数であることがより好ましい。

また、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３は、トリアリールアミン骨格を結合する橋絡基であり、それぞれ、単結合または下記式（Ｂ）〜（Ｇ）で示される２価の有機基を表す。
（ｎ１は、１〜３の整数である）

このようなＬ^１、Ｌ^２、Ｌ^３としては、単結合及び式（Ｂ）或いは式（Ｄ）で表される２価の有機基が好ましく、単結合及び式（Ｂ）で表される２価の有機基がより好ましい。さらに、式（Ｂ）中のｎ１は、１または２が好ましく、１であることがより好ましい。

さらに、上記一般式（４）において、芳香族環に結合している置換基Ｒ^５〜Ｒ^１６は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基を表す。
これらの置換基が同一のベンゼン環に複数個のＲ^５〜Ｒ^１６が結合している場合、複数存在している基は、単結合、酸素原子、硫黄原子または置換基を有していてもよいメチレン基を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

上記の炭素数１ないし６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基をあげることができる。
上記の炭素数５ないし１０のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基を例示することができる。
上記の炭素数２ないし６のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基などをあげることができる。
炭素数１ないし６のアルキルオキシ基としては、メチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基をあげることができる。
上記の炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基としては、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基をあげることができる。
さらに、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、一般式（１）における基Ａｒ^１〜Ａｒ^４に関して例示したものと同じ基をあげることができる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基をあげることができる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、ビフェニルオキシ基、ターフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ペリレニルオキシ基などをあげることができる。

上述したＲ^５〜Ｒ^１６が示す各基は、置換基を有していてもよく、このような置換基としては、炭素数に関する条件を満足する範囲において、一般式（１）における基Ａｒ^１〜Ａｒ^４が示す芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有する置換基として例示したものと同じ基をあげることができる。
また、これらの置換基は、それぞれ、独立して存在していてもよいし、これらの置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

上記で述べたＲ^５〜Ｒ^１６が示す各基として好ましいものは、重水素原子、アルキル基、アルケニル基及び芳香族炭化水素基であり、特に好ましいものは、重水素原子、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基及びビニル基であり、また、これらの基同士が単結合を介して互いに結合して縮合芳香族環を形成しているものも好適である。

上述した一般式（４）で表されるポリ（トリアリールアミン）化合物の具体例としては、図１６〜図１９で示されている構造式の化合物（４−１）〜（４−１７）をあげることができる。
また、一般式（４）で表されるポリ（トリアリールアミン）化合物ではないが、図２０で示されている構造式の化合物（４’−１）及び（４’−２）は、トリアリールアミン骨格を３個、または６個有しており、第一正孔輸送層４の形成に好適に使用することができる。

ジ（トリアリールアミン）化合物について；
ジ（トリアリールアミン）化合物は、分子中にトリアリールアミン骨格を２個有するものであり、例えば、一般式（５）で表される。

一般式（５）において、ｒ^１７〜ｒ^２２は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基Ｒ^１７〜Ｒ^２２の数を示す整数であり、ｒ^１７、ｒ^１８、ｒ^２１及びｒ^２２は、０〜５の整数を表し、ｒ^１９及びｒ^２０は、０〜４の整数を表す。
このようなｒ^１７〜ｒ^２２としては、０〜３の整数が好ましく、０〜２の整数であることがより好ましい。

また、Ｌ^４は、トリアリールアミン骨格を結合する橋絡基であり、それぞれ、単結合、または前記一般式（４）で示されている式（Ｂ）〜（Ｇ）で示される２価の有機基を表す。
このようなＬ^４としては、単結合及び式式（Ｂ）、（Ｄ）或いは（Ｇ）で表される２価の有機基が好ましく、単結合及び式（Ｄ）或いは（Ｇ）で表される２価の有機基がより好ましい。さらに、式（Ｂ）中のｎ１は、１または２が好ましい。

さらに、上記一般式（５）において、Ｒ^１７〜Ｒ^２２は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基を表し、同一のベンゼン環に複数個のＲ^１７〜Ｒ^２２が結合している場合、複数存在している基は、単結合、酸素原子、硫黄原子または置換基を有していてもよいメチレン基を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

上記のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アラルキル基及びアリールオキシ基の具体例としては、前述した基Ｒ^５〜Ｒ^１６について例示したものと同じ基をあげることができる。

上述したＲ^１７〜Ｒ^２２が示す各基は、Ｒ^５〜Ｒ^１６が示す各基と同様、置換基を有していてもよく、このような置換基としても、前述した基Ｒ^５〜Ｒ^１６について例示したものと同じ基をあげることができ、これらの置換基は、それぞれ、独立して存在していてもよいし、これらの置換基同士が、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

上記で述べたＲ^１７〜Ｒ^２２が示す各基として好ましいものは、重水素原子、アルキル基、アルケニル基及び芳香族炭化水素基であり、より好ましいものは、重水素原子、フェニル基、ビフェニル基である。また、これらの基同士が単結合を介して互いに結合して縮合芳香族環を形成しているものも好適である。

上述した一般式（５）で表されるジ（トリアリールアミン）化合物の具体例としては、図２１〜図２５で示されている構造式の化合物（５−１）〜（５−２３）をあげることができる。
また、一般式（５）で表されるジ（トリアリールアミン）化合物ではないが、図２６で示されている構造式の化合物（５’−１）及び（５’−２）も、トリアリールアミン骨格を２個有しており、第一正孔輸送層４の形成に好適に使用することができる。

上述した一般式（１）のアリールアミン誘導体を用いて形成される第二正孔輸送層５やその他のトリアリールアミン化合物を用いて形成される第一正孔輸送層４の厚みは、特に制限されるものではないが、これら層の特性を最大限に発揮させるためには、通常、第一正孔輸送層４の厚みｔ１と第二正孔輸送層５の厚みｔ２とのトータル厚み（ｔ１＋ｔ２）が、２０〜３００ｎｍの範囲、さらには５０〜２００ｎｍの範囲、特に５０〜１５０ｎｍの範囲にあることが、低い駆動電圧で発光させる上で好適である。

本発明において、上記で例示した種々のアリールアミン誘導体やトリアリールアミン化合物は、それ自体公知の方法によって合成することができる（例えば、特開平７−１２６６１５号、特開平０８−０４８６５６号、特開２００５−１０８８０４号参照）。

また、上述した第一正孔輸送層４及び第二正孔輸送層５は、所定のトリアリールアミン化合物或いはアリールアミン誘導体を含むガスの蒸着もしくは共蒸着により形成することが好適であるが、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によっても形成することができる。

＜発光層６＞
発光層６は、従来公知の有機ＥＬ素子に使用されているものと同じであり、用いる材料の種類に応じて、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等の公知の方法によって形成される。

例えば、発光層６を形成するために、Ａｌｑ_３をはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体の他、各種の金属錯体、アントラセン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体、キナゾリン誘導体などを、１種または２種以上の組み合わせで発光材料として用いることができるし、さらに、電子輸送性を有する化合物、例えば、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン(ＵＧＨ２)や２，２’,２’’−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）なども用いることができる。

また、発光層６をホスト材料とドーパントとにより構成することもできる。
この場合、ホスト材料としては、アントラセン誘導体が好ましく用いられるが、その他にも、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体なども使用することができる。
また、ドーパントとしては、青色発光性のピレン誘導体が最も好適に使用されるが、これ以外に、キナクリドン、クマリン、ルブレン、ペリレンおよびそれらの誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、アミノスチリル誘導体などを用いることもできる。

また、発光材料として燐光発光体を使用することも可能である。このような燐光発光体としては、イリジウムや白金などの金属錯体が代表的であり、この金属錯体の燐光発光体には、ビス（３−メチル−２−フェニルキノリン）イリジウム（III）アセチルアセトナート（Ｉｒ（３‘−Ｍｅｐｑ）_２（ａｃａｃ））、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）などの赤色の燐光発光体、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３などの緑色の燐光発光体、ＦＩｒｐｉｃ、ＦＩｒ６などの青色の燐光発光体などがある。
このような燐光発光体を用いたときの正孔注入・輸送性のホスト材料としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）、ＴＣＴＡ、ｍＣＰなどのカルバゾール誘導体を用いることができる。また、電子輸送性のホスト材料として、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン(ＵＧＨ２)や２，２’,２’’−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（ＴＰＢI）などを用いることもできる。

尚、燐光性の発光材料のホスト材料へのドープは濃度消光を避けるため、発光層全体に対して１〜３０重量パーセントの範囲で、共蒸着によってドープすることが好ましい。

また、発光材料としてＰＩＣ−ＴＲＺ、ＣＣ２ＴＡ、ＰＸＺ−ＴＲＺ、４ＣｚＩＰＮなどのＣＤＣＢ誘導体などの遅延蛍光を放射する材料を使用することも可能である（例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．，９８，０８３３３０２参照）。

本発明において、最も好適な発光層６は、ドーパントとして青色発光性のピレン誘導体を用いたものである。

＜電子輸送層７＞
本発明において、上述した発光層６の上に設けられる電子輸送層７は、電子輸送材料を使用し、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法などの公知の方法によって形成されるが、電子輸送材料として、下記一般式（２）で表されるピリミジン化合物を使用することが重要である。
即ち、かかるピリミジン化合物は、電子の注入・輸送性能に優れており、さらに、薄膜状態での安定性及び耐久性にも優れている。従って、このようなピリミジン化合物を用いて電子輸送層７を形成することにより、前述した２層構造の正孔輸送層（第一及び第二正孔輸送層４，５）と相俟って、優れたキャリアバランスを確保することができ、これら層の性能が効果的に発現し高効率、低駆動電圧であって、特に長寿命が実現された有機ＥＬ素子を得ることができる。

ピリミジン化合物；

上記の一般式（２）において、Ａｒ^５は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。この芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、何れも、縮合多環構造を有するものであってよい。
このような芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、以下のものを例示することができる。

芳香族炭化水素基（Ａｒ^５）；
フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、
スチリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フル
オレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニ
ル基、トリフェニレニル基、スピロビフルオレニル基等。
これらの芳香族炭化水素基の中では、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基が好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、スピロビフルオレニル基が最も好ましい。

芳香族複素環基（Ａｒ^５）；
フリル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベン
ゾフラニル基、ジベンゾチエニル基等の含酸素或いは含窒素複素環基など
。
これらの芳香族複素環基の中では、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基が好ましい。

また、上記の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基も置換基を有していてもよく、このような置換基としては、一般式（１）の基Ａｒ^１〜Ａｒ^４（芳香族炭化水素基または芳香族複素環基）が有していてよい置換基と同様のものを例示することができる。
特に、前記芳香族炭化水素基がフェニル基である場合、かかるフェニル基は置換基を有していることが好ましい。また、このフェニル基が有する置換基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントレニル基、ピレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、スピロビフロオレニル基が好適である。

一般式（２）中のＡｒ^６及びＡｒ^７は、それぞれ、水素原子、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表すが、Ａｒ^６とＡｒ^７とが同時に水素原子となることはないものとする。
かかるＡｒ^６及びＡｒ^７において、上記の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基の例としては、上記の基Ａｒ^５について例示したものと同じ基をあげることができ、このような芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が、さらに置換基を有していてよいこと及び該置換基の種類も、上記の基Ａｒ^５と全く同様である。

さらに、一般式（２）中のＡは、下記一般式（３）で示される１価の有機基を表す。

上記式中、
Ａｒ^８は、芳香族複素環基を表し、
Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素
原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、炭素数１ないし６のアルキル
基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。

上記のＡｒ^８が示す芳香族複素環基も、縮合多環構造を有するものであってよい。
このようなＡｒ^８が示す芳香族複素環基としては、以下のものを例示することができる。
芳香族複素環基（Ａｒ^８）；
トリアジニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基
、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾ
チエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベ
ンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリ
ル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、アザフルオレニル基、
ジアザフルオレニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アク
リジニル基、カルボリニル基、アザスピロビフルオレニル基、ジアザスピ
ロビフルオレニル基等。

上記の芳香族複素環基の中では、含窒素芳香族複素環基、例えば、トリアジニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、アザフルオレニル基、ジアザフルオレニル基、ジアザフルオレニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基、カルボリニル基、アザスピロビフルオレニル基、ジアザスピロビフルオレニル基が好ましい。
より好ましい芳香族複素環基は、トリアジニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、カルバゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、アザフルオレニル基、ジアザフルオレニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基、アザスピロビフルオレニル基及びジアザスピロビフルオレニル基である。
また、最も好ましい芳香族複素環基は、ピリジル基、ピリミジニル基、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、アザフルオレニル基、ジアザフルオレニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基、アザスピロビフルオレニル基及びジアザスピロビフルオレニル基である。

また、上記の芳香族複素環基も置換基を有していてもよく、このような置換基としては、一般式（１）の基Ａｒ^１〜Ａｒ^４（芳香族炭化水素基または芳香族複素環基）が有していてよい置換基と同様のものを例示することができる。

また、一般式（３）中、Ｒ^１〜Ｒ^４が示す炭素数１ないし６のアルキル基の例としては、前述した一般式（４）における基Ｒ^５〜Ｒ^１６について例示したものと同様のものをあげることができる。
さらに、一般式（３）中のＲ^１〜Ｒ^４が示す芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基の例としては、一般式（２）中の基Ａｒ^５について例示したものと同様の基をあげることができる。

上述した一般式（２）のピリミジン化合物においては、ピリミジン環に結合している基Ａｒ^５〜Ａｒ^７及び基Ａが下記式（２ａ）または（２ｂ）で示される位置に結合しているものが好ましい。
上記式中、Ａｒ^５〜Ａｒ^７及びＡは、前述したとおりの意味である。

さらに、一般式（３）で表される基Ａとしては、ベンゼン環に結合している基Ａｒ^８及び基Ｒ^１〜Ｒ^４が下記式（３ａ）で示される位置に結合しているものが好ましい。
上記式中、Ａｒ^８及びＲ^１〜Ｒ^４は、前述したとおりの意味である。

上述した一般式（２）で表されるピリミジン化合物の具体例としては、図２７〜図５０で示されている構造式の化合物（２−１）〜（２−１２５）をあげることができる。

本発明において、上述した一般式（２）で表されるピリミジン化合物は、それ自体公知の方法によって合成することができる（例えば、韓国公開特許２０１３−０６０１５７号参照）。

本発明においては、電子輸送層７は、上述した一般式（２）で表されるピリミジン化合物を用いて形成されるが、かかるピリミジン化合物の優れた特性が損なわれない限りにおいて、それ自体公知の電子輸送材料が併用されていてもよい。
例えば、Ａｌｑ_３等のキノリノール誘導体の金属錯体のほか、亜鉛、ベリリウム、アルミニウムなどの各種の金属錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、カルボジイミド誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体などを、上記のピリミジン化合物と組み合わせて電子輸送層７の形成に用いることができる。
また、上記のピリミジン化合物を用いての成膜により形成された層と、他の電子輸送材料を用いての成膜により形成された層との積層体を電子輸送層７として使用することもできる。

＜電子注入層８＞
陰極９と電子輸送層７との間には、電子注入層８が適宜設けられる。かかる電子注入層８は、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどのアルカリ金属塩、フッ化マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩、酸化アルミニウムなどの金属酸化物などを用いて形成することができる。

＜陰極９＞
本発明の有機ＥＬ素子の陰極９としては、アルミニウムのような仕事関数の低い金属や、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金のような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。

＜その他の層＞
本発明の有機ＥＬ素子は、上述した各層以外にも、必要に応じてその他の層を有していてもよい。例えば、図１には示されていないが、第二正孔輸送層５と発光層６との間に電子阻止層を設けることもできるし、発光層６と電子輸送層７との間に正孔阻止層を設けることもできる。
適宜設けられる各層は、それ自体公知の材料から形成されていてよく、何れも用いる材料の種類に応じて、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等の公知の方法によって形成される。

電子阻止層；
第二正孔輸送層５と発光層６との間に適宜設けられる電子阻止層は、発光層６からの電子の透過を阻止し、発光効率を高めるために形成される。電子阻止層を形成するための材料としては、電子阻止性を有する種々の化合物を使用することができ、下記のカルバゾール誘導体が代表的である。
４，４’,４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン
（ＴＣＴＡ）；
９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］フルオレン；
１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）；
２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンタン
(Ａｄ−Ｃｚ)；

また、上記のカルバゾール誘導体以外にも、９−［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−９−［４−（トリフェニルシリル）フェニル］−９Ｈ−フルオレンに代表されるトリフェニルシリル基を有しており且つトリアリールアミン骨格を分子中に有している化合物なども、電子阻止層形成用の材料として使用することができる。

正孔阻止層；
電子輸送層７と発光層６との間に適宜設けられる正孔阻止層は、発光層６からの正孔の透過を阻止し、発光効率を高めるために形成される。正孔阻止層を形成するための材料としては、バソクプロイン（ＢＣＰ）などのフェナントロリン誘導体、アルミニウム（III）ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノレート（ＢＡｌｑ）などのキノリノール誘導体の金属錯体の他、各種の希土類錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体など、正孔阻止作用を有する化合物により形成される。

上述した各層から形成される本発明の有機ＥＬ素子は、一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体を用いて第二正孔輸送層５が形成され且つ一般式（２）のピリミジン化合物を用いて電子輸送層７が形成されているため、正孔と電子とを発光層６に効率よく注入することができ、これにより、最適なキャリアバランスが確保され、有機ＥＬ素子の特性が大きく向上している。

以下、本発明の実施の形態について、実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

＜合成例１＞
アリールアミン誘導体（化合物１−５）の合成；
窒素置換した反応容器に、下記成分を加えて加熱し、７０℃で１６時間撹拌した。
Ｎ−（ビフェニル−４−イル)−Ｎ−（４−ブロモフェニル）アニリン
８．０ｇ
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−
｛３’−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボ
ラン−２−イル）ビフェニル−４−イル｝アニリン
１１．４ｇ
炭酸カリウム ７．５ｇ
水 ６４ｍｌ
トルエン ６４ｍｌ
エタノール １６ｍｌ
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム ０．８ｇ
上記のように加熱した後、室温まで冷却し、酢酸エチルと水を加えた後、分液操作によって有機層を採取した。
有機層を濃縮した後、ＴＨＦ／アセトンの混合溶媒を用いた再結晶を行うことによって、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−５）の白色粉体９．５４ｇ(収率６９％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−５）は、４−｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ）−４’’−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．８６（１Ｈ）
７．６８−６．９７（３７Ｈ）
１．４１（６Ｈ）

＜合成例２＞
アリールアミン誘導体（化合物１−６）の合成；
Ｎ−（ビフェニル−４−イル)−Ｎ−（４−ブロモフェニル）アニリン
及び
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛３’−
（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボラン−２
−イル）ビフェニル−４−イル｝アニリン
に代えて、
Ｎ−（３’−ブロモビフェニル−４−イル)−Ｎ−（ナフタレン−１−イ
ル）アニリン
及び
４−｛Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェ
ニルアミノ}−フェニルボロン酸
を用いた以外は、合成例１と同様の操作により、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−６）の淡黄色粉体７．８８ｇ(収率６２％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−６）は、４−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−４’’−｛（ナフタレン−１−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた淡黄色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４２個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．９８（１Ｈ）
７．９２（１Ｈ）
７．８４−７．７５（２Ｈ）
７．７０−６．９４（３２Ｈ）
１．４９（６Ｈ）

＜合成例３＞
アリールアミン誘導体（化合物１−２１）の合成；
窒素置換した反応容器に下記成分を加え、３０分間超音波を照射しながら窒素ガスを通気した。
１，４−ジブロモベンゼン ６．２０ｇ
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−テトラメ
チル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニル｝アニリン
２５．１ｇ
炭酸カリウム １０．８ｇ
水 ３９ｍｌ
トルエン ３８０ｍｌ
エタノール ９５ｍｌ
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム ０．９５ｇ
を加えて加熱し、１８時間還流撹拌した。
室温まで冷却し、水２００ｍｌ、ヘプタン１９０ｍｌを加えた後、析出物をろ過によって採取した。

析出物を１，２−ジクロロベンゼン１２００ｍｌに加熱溶解し、シリカゲル３９ｇを用いた吸着精製、続いて、活性白土１９ｇを用いた吸着精製を行った後、メタノール７２５ｍｌを加え、析出する粗製物をろ過によって採取した。
この粗製物を１，２−ジクロロメタン／メタノールの混合溶媒を用いた晶析を繰り返した後、メタノール３００ｍｌを用いた還流洗浄を行うことによって、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−２１）の白色粉体１５．２２ｇ(収率８１％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−２１）は、３、３’’−ビス｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４０個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６１（２Ｈ）
７．５６−６．８３（３８Ｈ）

＜合成例４＞
アリールアミン誘導体（化合物１−２２）の合成；
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−テトラメ
チル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニル｝アニリン
に代えて、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛２−（４，４，５，５−テトラメ
チル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニル｝アニリン
を用いた以外は、合成例３と同様の操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−２２）の白色粉体１１．１１ｇ(収率５８％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−２２）は、２、２’’−ビス｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色紛体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４０個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５２（４Ｈ）
７．４０−７．２０（１８Ｈ）
７．０３（８Ｈ）
６．９０−６．７５（１０Ｈ）

＜合成例５＞
アリールアミン誘導体（化合物１−３２）の合成；
窒素置換した反応容器に、下記成分を加えて加熱し、一夜、１００℃で撹拌した。
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（２’’−ブロモ−１，１’：４’
，１’’−ターフェニル−４−イル）アニリン １０．０ｇ
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
６．２ｇ
酢酸パラジウム ０．０８１ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム ３．５ｇ
トリ−ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液
０．１４６ｇ
トルエン １００ｍｌ
次いで、ろ過によって不溶物を除き、濃縮した後、カラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：ヘプタン／ジクロロメタン）を用いた精製を行うことによって、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−３２）の白色粉体４．７７ｇ(収率３５％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−３２）は、４−｛（ビフェニル−４イル）−フェニルアミノ｝−２’’−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色紛体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６１−７．４８（４Ｈ）
７．４２−６．９２（３２Ｈ）
６．８１（１Ｈ）
６．７６（１Ｈ）
１．２８（６Ｈ）

＜合成例６＞
アリールアミン誘導体（化合物１−３４）の合成；
窒素置換した反応容器に、下記成分を加えて加熱し、２時間還流撹拌した。
４，４’’−ジブロモ−１，１’：３’，１’’−ターフェニル
８．８１ｇ
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
１３．６ｇ
ｔ−ブトキシナトリウム ５．１２ｇ
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム ０．３３ｇ
トリ−ｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶液
０．６３ｍｌ
次いで、放冷した後、メタノールを加え、析出物をろ過によって採取した。析出物をクロロベンゼンに加熱溶解し、加熱溶解し、シリカゲルを用いた吸着精製、続いて、活性白土を用いた吸着精製を行った。この後、クロロベンゼン／メタノールの混合溶媒を用いた晶析を行い、メタノールを用いた還流洗浄を行うことによって、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−３４）の白色粉体１６．２５ｇ(収率９０％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−３４）は、４，４’’−ビス｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．８４（１Ｈ）
７．７０−７．０３（３５Ｈ）
１．４８（１２Ｈ）

＜合成例７＞
アリールアミン誘導体（化合物１−３７）の合成；
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（２’’−ブロモ−１，１’：４’
，１’’−ターフェニル−４−イル）アニリン
及び、
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
に代えて、
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−（２’’
−ブロモ−１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）アニリン
及び、
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）アニリン
を用いて、合成例５と同様の操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−３７）の白色粉体１１．７ｇ(収率７３％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−３７）は、２−｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−４’’−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６８（１Ｈ）
７．６４−６．８４（３７Ｈ）
１．４８（６Ｈ）

＜合成例８＞
アリールアミン誘導体（化合物１−３８）の合成；
１，４−ジブロモベンゼン
及び
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−テトラメ
チル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニル｝
に代えて、
１，２−ジヨードベンゼン
及び
４−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルア
ミノ｝−フェニルボロン酸
を用いた以外は、合成例３と同様の操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−３８）の白色粉体６．６ｇ(収率３９％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−３８）は、４，４’’−ビス｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：２’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６４（２Ｈ）
７．５８（２Ｈ）
７．４５−６．９９（３２Ｈ）
１．３８（１２Ｈ）

＜合成例９＞
アリールアミン誘導体（化合物１−３９）の合成；
１，４−ジブロモベンゼン
及び
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−テトラメ
チル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニル｝アニリン
に代えて、
１，２−ジヨードベンゼン
及び
４−｛ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ｝−フェニルボロン酸
を用いた以外は、合成例３と同様の操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−３９）の白色粉体４．６ｇ(収率２４％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−３９）は、４,４’’−ビス｛ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ｝−１，１’：２’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５７−７．２８（３２Ｈ）
７．２１（８Ｈ）
７．１１（８Ｈ）

＜合成例１０＞
アリールアミン誘導体（化合物１−４１）の合成；
４，４’’−ジブロモ−１，１’：３’，１’’−ターフェニル
及び
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
に代えて、
４，４’’−ジブロモ−１，１’：２’，１’’−ターフェニル
及び
（ビフェニル−４−イル）−（ナフタレン−１−イル）アミン
を用いた以外は、合成例６と同様の操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−４１）の白色粉体５．０ｇ(収率３０％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−４１）は、４，４’’−ビス｛（ビフェニル−４−イル）−（ナフタレン−１−イル）アミノ｝−１，１’：２’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．９３−７．８４（４Ｈ）
７．７９（２Ｈ）
７．６０−７．２６（２４Ｈ）
７．２５−６．９２（１４Ｈ）

＜合成例１１＞
アリールアミン誘導体（化合物１−４２）の合成；
４，４’’−ジブロモ−１，１’：３’，１’’−ターフェニル
及び
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
に代えて、
４，４’’−ジブロモ−１，１’：２’，１’’−ターフェニル
及び
Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝アニリン
を用いた以外は、合成例６と同様の操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−４２）の白色粉体７．３ｇ(収率４３％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−４２）は、４，４’’−ビス［｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−フェニルアミノ］−１，１’：２’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０１（２Ｈ）
７．９１（２Ｈ）
７．８４（２Ｈ）
７．５３−６．９８（３８Ｈ）

＜合成例１２＞
アリールアミン誘導体（化合物１−４５）の合成；
４，４’’−ジブロモ−１，１’：３’，１’’−ターフェニル
及び
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
に代えて、
４，４’’−ジブロモ−１，１’：３’，１’’−ターフェニル
及び
Ｎ−｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝アニリン
を用いた以外は、合成例６と同様の操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−４５）の白色粉体１６．７ｇ(収率７９％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−４５）は、４，４’’−ビス［｛４−（ナフタレン−１−イル）フェニル｝−フェニルアミノ］−１，１’：３’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．０８（２Ｈ）
７．９４（２Ｈ）
７．９０−７．８０（３Ｈ）
７．６５−７．００（３７Ｈ）

＜合成例１３＞
アリールアミン誘導体（化合物１−４７）の合成；
１，４−ジブロモベンゼン
及び
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−テトラメ
チル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニル｝アニリン
に代えて、
１，３−ジヨードベンゼン
及び
２−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルア
ミノ｝−フェニルボロン酸
を用いた以外は、合成例３と同様の操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−４７）の白色粉体４．２ｇ(収率２５％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−４７）は、２，２’’−ビス｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：３’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６０（２Ｈ）
７．３８−７．０９（１４Ｈ）
６．９５−６．７１（１４Ｈ）
６．６６−６．５６（４Ｈ）
６．３５（２Ｈ）
１．２６（１２Ｈ）

＜合成例１４＞
アリールアミン誘導体（化合物１−４９）の合成；
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛３−（４，４，５，５−テトラメ
チル−［１，３，２］ジオキサボラン−２−イル）フェニル｝アニリン
に代えて、
２−｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルア
ミノ｝−フェニルボロン酸
を用いた以外は、合成例３と同様の操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−４９）の白色粉体１３．７ｇ(収率７６％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−４９）は、２，２’’−ビス｛（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’：４’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５３（２Ｈ）
７．３５−６．８１（３０Ｈ）
６．７６（２Ｈ）
６．６７（２Ｈ）
１．２９（１２Ｈ）

＜合成例１５＞
アリールアミン誘導体（化合物１−８８）の合成；
４，４’’−ジブロモ−１，１’：３’，１’’−ターフェニル
及び
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
に代えて、
４，４’’−ジヨード−１，１’；４’，１’’−ターフェニル
及び
Ｎ−（トリフェニレン−２−イル）アニリン
を用いた以外は、合成例６と同様の操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−８８）の白色粉体１１．４ｇ(収率７４％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−８８）は、４，４’’−ビス｛（トリフェニレン−２−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’；４’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４４個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．７２−８．６２（８Ｈ）
８．４５（２Ｈ）
８．３６（２Ｈ）
７．７５（４Ｈ）
７．７０−７．２１（２６Ｈ）
７．０９（２Ｈ）

＜合成例１６＞
アリールアミン誘導体（化合物１−９１）の合成；
Ｎ−（ビフェニル−４−イル)−Ｎ−（４−ブロモフェニル）アニリン
及び
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛３’
−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボラン
−２−イル）ビフェニル−４−イル｝アニリン
に代えて、
Ｎ−（４’−ブロモ−１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−｛４−
（１−フェニル−インドール−４−イル）フェニル｝アニリン
及び、
｛４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラ
ン−２−イル）フェニル｝−（ビフェニル−４−イル）
を用いた以外は、合成例１と同様の操作により、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−９１）の淡黄色粉体６．８０ｇ(収率６７％)を得た。

このアリールアミン誘導体（化合物１−９１）は、４−｛（ビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−４’’−［｛４−（１−フェニル−インドール−４−イル）フェニル｝−フェニルアミノ］−１，１’；４’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた淡黄色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４５個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．７０（４Ｈ）
７．６８−７．５０（１６Ｈ）
７．４２−７．１１（２３Ｈ）
７．０５（１Ｈ）
６．８８（１Ｈ）

＜合成例１７＞
アリールアミン誘導体（化合物１−９２）の合成；
窒素置換した反応容器に、下記成分を加えて加熱し、２１０℃で２４時間撹拌した。
４，４’’−ジヨード−１，１’；４’，１’’−ターフェニル
１３．０ｇ
Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−フェニルビフェニル−４−イル）アニリン
２０．０ｇ
銅粉 ０．１８ｇ
炭酸カリウム １１．３ｇ
３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルサリチル酸 ０．７ｇ
亜硫酸水素ナトリウム ０．８６ｇ
ドデシルベンゼン ３０ｍｌ
次いで、冷却した後、
キシレン ３０ｍｌ
メタノール ６０ｍｌ
を加え、ろ過によって析出物を採取した。析出物にトルエン２５０ｍｌ、シリカ２０ｇを加え、９０℃まで加熱した後、熱ろ過によって不溶物を除去した。濃縮した後、酢酸エチル、メタノールを加えることによって析出する粗製物をろ過によって採取した。
クロロベンゼンを用いた再結晶、続いて、メタノールを用いた還流洗浄操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−９２）の白色粉体１６．９ｇ(収率７２％)を得た。

このアリールアミン誘導体は、４，４’’−ビス｛（２−フェニルビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’；４’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．６８（４Ｈ）
７．６２−７．５５（４Ｈ）
７．３９−７．０６（４０Ｈ）

＜合成例１８＞
アリールアミン誘導体（化合物１−９３）の合成；
４，４’’−ジブロモ−１，１’：３’，１’’−ターフェニル
及び
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
に代えて、
４，４’’−ジブロモ−１，１’；２’，１’’−ターフェニル
及び、
Ｎ−（２−フェニルビフェニル−４−イル）アニリン
を用いた以外は、合成例６と同様の操作により、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−９３）の白色粉体４．３ｇ(収率４２％)を得た。

このアリールアミン誘導体は、４，４’’−ビス｛（２−フェニルビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’；２’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．５０−７．３９（４Ｈ）
７．３１−６．９７（４４Ｈ）

＜合成例１９＞
アリールアミン誘導体（化合物１−９４）の合成；
２−（フェニルアミノ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
に代えて、
Ｎ−（２−フェニルビフェニル−４−イル）アニリン
を用いた以外は、合成例６と同様の操作を行うことにより、第二正孔輸送層の形成に用いるアリールアミン誘導体（化合物１−９４）の白色粉体７．７ｇ(収率５３％)を得た。

このアリールアミン誘導体は、４，４’’−ビス｛（２−フェニルビフェニル−４−イル）−フェニルアミノ｝−１，１’；３’，１’’−ターフェニルであり、下記式で表される。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４８個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝７．８１（２Ｈ）
７．６１−７．４８（１４Ｈ）
７．３９−７．０６（３２Ｈ）

＜物性評価試験１＞
上記合成例で合成した各種のアリールアミン誘導体について、高感度示差走査熱量計（ブルカー・エイエックスエス製、ＤＳＣ３１００Ｓ）によってガラス転移点を求めた。結果は、以下のとおりであった。
ガラス転移点
合成例１の化合物（１−５） １１７℃
合成例２の化合物（１−６） １１７℃
合成例３の化合物（１−２１） １０３℃
合成例５の化合物（１−３２） １１５℃
合成例６の化合物（１−３４） １２４℃
合成例７の化合物（１−３７） １１４℃
合成例８の化合物（１−３８） １１９℃
合成例９の化合物（１−３９） １０６℃
合成例１０の化合物（１−４１） １２７℃
合成例１１の化合物（１−４２） １１１℃
合成例１２の化合物（１−４５） １２２℃
合成例１３の化合物（１−４７） １１６℃
合成例１４の化合物（１−４９） １１７℃
合成例１５の化合物（１−８８） １６３℃
合成例１６の化合物（１−９１） １２５℃
合成例１７の化合物（１−９２） １２４℃
合成例１８の化合物（１−９３） １１５℃
合成例１９の化合物（１−９４） １２２℃

上記の結果から、一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体は１００℃以上のガラス転移点を有しており、特に好ましいものは１１０℃以上の高いガラス転移点を有している。このことから、このアリールアミン誘導体は、薄膜状態が安定であることが判る。

＜物性評価試験２＞
上記合成例で合成した各種のアリールアミン誘導体を用いて、ＩＴＯ基板の上に膜厚１００ｎｍの蒸着膜を作製し、イオン化ポテンシャル測定装置（住友重機械工業株式会社製、ＰＹＳ−２０２）によって仕事関数を測定した。
その結果は、以下のとおりであった。
仕事関数
合成例１の化合物（１−５） ５．６８ｅＶ
合成例２の化合物（１−６） ５．６５ｅＶ
合成例３の化合物（１−２１） ５．７９ｅＶ
合成例４の化合物（１−２２） ５．８３ｅＶ
合成例５の化合物（１−３２） ５．６９ｅＶ
合成例６の化合物（１−３４） ５．６５ｅＶ
合成例７の化合物（１−３７） ５．６７ｅＶ
合成例８の化合物（１−３８） ５．６４ｅＶ
合成例９の化合物（１−３９） ５．６６ｅＶ
合成例１０の化合物（１−４１） ５．６９ｅＶ
合成例１１の化合物（１−４２） ５．７５ｅＶ
合成例１２の化合物（１−４５） ５．７６ｅＶ
合成例１３の化合物（１−４７） ５．７２ｅＶ
合成例１４の化合物（１−４９） ５．７２ｅＶ
合成例１５の化合物（１−８８） ５．６２ｅＶ
合成例１６の化合物（１−９１） ５．６７ｅＶ
合成例１７の化合物（１−９２） ５．６７ｅＶ
合成例１８の化合物（１−９３） ５．７５ｅＶ
合成例１９の化合物（１−９４） ５．７６ｅＶ

上記の結果から、一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体は、ＮＰＤ、ＴＰＤなどの一般的な正孔輸送材料がもつ仕事関数５．４ｅＶと比較して、好適なエネルギー準位を示しており、良好な正孔輸送能力を有していることが分かる。

＜実施例１＞
図１に示されている素子構成の有機ＥＬ素子を下記の手順にしたがって蒸着を行って作製した。

先ず、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ電極（透明陽極２）がガラス基板（透明基板）１上に形成されているＩＴＯ付ガラス基板を用意した。
このガラス基板１をイソプロピルアルコール中にて超音波洗浄を２０分間行った後、２００℃に加熱したホットプレート上にて１０分間乾燥を行った。その後、ＵＶオゾン処理を１５分間行った後、このＩＴＯ付きガラス基板を真空蒸着機内に取り付け、０．００１Ｐａ以下まで減圧した。
続いて、透明陽極２を覆うように、正孔注入層３として下記構造式の化合物（ＨＩＭ−１）を膜厚５ｎｍとなるように形成した。

この正孔注入層３の上に、トリフェニルアミン骨格を分子中に２個有するジ（トリアリールアミン）化合物（５−１）を用いて、膜厚６０ｎｍの第一正孔輸送層４を形成した。

このようにして形成された第一正孔輸送層４の上に、合成例１で合成された下記のアリールアミン誘導体（化合物１−５）を用いて膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した。

この第二正孔輸送層５の上に、下記構造式の化合物（ＥＭＤ−１）と化合物（ＥＭＨ−１）とを蒸着速度比がＥＭＤ−１：ＥＭＨ−１＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚２０ｎｍの発光層６を形成した。

次いで、この発光層６の上に、下記構造式のピリミジン化合物（２−９２）と下記構造式の化合物ＥＴＭ−１とを、蒸着速度比が化合物（２−９２）：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を形成した。

さらに、上記の電子輸送層７の上に、フッ化リチウムを用いて膜厚１ｎｍの電子注入層８を形成した。
最後に、上記の電子注入層８上にアルミニウムを１００ｎｍ蒸着して陰極９を形成した。

上記のように作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。
作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
尚、素子寿命は、発光開始時の発光輝度（初期輝度）を２０００ｃｄ／ｍ^２として定電流駆動を行った時、発光輝度が１９００ｃｄ／ｍ^２（初期輝度を１００％とした時の９５％に相当：９５％減衰）に減衰するまでの時間として測定した。

＜実施例２＞
合成例１０で合成されたアリールアミン誘導体（１−４１）を用いて膜厚が５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。

作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。

＜実施例３＞
合成例１２で合成されたアリールアミン誘導体（１−４５）を用いて膜厚が５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。

作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。

＜実施例４＞
合成例１７で合成されたアリールアミン誘導体（１−９２）を用いて膜厚が５ｎｍの第二正孔輸送層５を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。

作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。

＜実施例５＞
電子輸送層７用の材料として下記構造式のピリミジン化合物（２−１２３）を用い、該ピリミジン化合物（２−１２３）と化合物（ＥＴＭ−１）とを蒸着速度比が化合物（２−１２３）：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。

作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。

＜実施例６＞
電子輸送層７用の材料として前記構造式のピリミジン化合物（２−１２３）を用い、該ピリミジン化合物（２−１２３）と化合物（ＥＴＭ−１）とを蒸着速度比が化合物（２−１２３）：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を形成した以外は、実施例２と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。

作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。

＜実施例７＞
電子輸送層７用の材料として前記構造式のピリミジン化合物（２−１２３）を用い、該ピリミジン化合物（２−１２３）と化合物（ＥＴＭ−１）とを蒸着速度比が化合物（２−１２３）：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を形成した以外は、実施例３と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。

作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。

＜実施例８＞
電子輸送層７用の材料として前記構造式のピリミジン化合物（２−１２３）を用い、該ピリミジン化合物（２−１２３）と化合物（ＥＴＭ−１）とを蒸着速度比が化合物（２−１２３）：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を形成した以外は、実施例４と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。

作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。

＜比較例１＞
合成例１で合成されたアリールアミン誘導体（化合物１−５）を使用せず、ジ（トリアリールアミン）化合物（５−１）を用いて、膜厚５ｎｍの第二正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作成し、その発光特性及び素子寿命を測定した。

作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。

＜比較例２＞
電子輸送層７用の材料として前記構造式のピリミジン化合物（２−１２３）を用い、該ピリミジン化合物（２−１２３）と化合物（ＥＴＭ−１）とを蒸着速度比が化合物（２−１２３）：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を形成した以外は、比較例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。

作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。

＜比較例３＞
電子輸送層７用の材料として、国際公開第２００３／０６０９５６号等に開示されている下記式で表されるアントラセン化合物（ＥＴＭ−２）を用意した。

上記のアントラセン化合物（ＥＴＭ−２）と化合物（ＥＴＭ−１）とを、蒸着速度比がＥＴＭ−２：ＥＴＭ−１＝５０：５０となる蒸着速度で二元蒸着を行って、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した以外は、比較例１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製し、その発光特性及び素子寿命を測定した。

作製した有機ＥＬ素子について、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の形成に使用した材料を表１に示し、さらに、発光特性及び素子寿命の測定結果を表２に示した。
作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表１にまとめて示した。

上記の実験結果（表２）に示されているように、公知の電子輸送材料であるアントラセン化合物（ＥＴＭ−２）を用いて電子輸送層が形成されている比較例３の有機ＥＬ素子では、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流したときの発光効率は、６．３５ｃｄ／Ａである。
これに対して、一般式（２）で表されるピリミジン化合物を用いて電子輸送層が形成されている比較例１〜２の有機ＥＬ素子では、上記の発光効率は、７．９５〜７．９６ｃｄ／Ａと高効率となった。
また、一般式（２）で表されるピリミジン化合物を用いて電子輸送層が形成されていると同時に、一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体を用いて第二正孔輸送層が形成されている実施例１〜８の有機ＥＬ素子では、前記発光効率は、８．３７〜８．７３ｃｄ／Ａとさらに高くなっている。
さらに、電力効率においても、比較例３の有機ＥＬ素子が５．２０ｌｍ／Ｗであるのに対して、比較例１〜２の有機ＥＬ素子では、６．６５〜６．７８ｌｍ／Ｗと高効率となり、実施例１〜８の有機ＥＬ素子では６．９５〜７．２１ｌｍ／Ｗとさらに高効率となっている。
素子寿命（９５％減衰）においても同様の結果が得られている。
即ち、比較例３の有機ＥＬ素子が５５時間であるのに対し、比較例１〜２の有機ＥＬ素子では８３〜８７時間と長寿命化している。そして、実施例１〜８の有機ＥＬ素子では１５０〜２７８時間と、さらに大きく長寿命化していることが分かる。

特定のアリールアミン誘導体と特定のピリミジン化合物とが素子材料として使用されている本発明の有機ＥＬ素子では、発光効率が向上していると共に、その耐久性も大きく改善されており、例えば、家庭電化製品や照明の用途への展開が期待される。

１ ガラス基板
２ 透明陽極
３ 正孔注入層
４ 第一正孔輸送層
５ 第二正孔輸送層
６ 発光層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極

Claims (12)

1. 陽極、第一正孔輸送層、第二正孔輸送層、発光層、電子輸送層および陰極をこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第二正孔輸送層が下記一般式（１）で表されるアリールアミン誘導体を含有し、前記電子輸送層が下記一般式（２）で表されるピリミジン化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子；
   式中、
   Ａｒ^１〜Ａｒ^４は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族
   複素環基を示す、
   式中、
   Ａｒ^５は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、
   Ａｒ^６及びＡｒ^７は、それぞれ、水素原子、芳香族炭化水素基
   または芳香族複素環基を表し、但し、Ａｒ^６とＡｒ^７とが同時に
   水素原子となることはないものとし、
   Ａは、下記一般式（３）で示される１価の有機基を表す、
   式中、
   Ａｒ^８は、芳香族複素環基を表し、
   Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、重水素原子、フッ素原子
   、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、炭素数１ないし
   ６のアルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し
   、Ｒ^１〜Ｒ^４の何れかとＡｒ⁸とが、単結合、酸素原子、硫黄原子
   または置換基を有していてもよいメチレン基を介して互いに結合
   して環を形成していてもよい。
2. 第一正孔輸送層が、第二正孔輸送層に含まれている前記アリールアミン誘導体とは異なる分子構造を有する正孔輸送性のアリールアミン化合物を含有する、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 第一正孔輸送層に含まれる前記アリールアミン化合物が、（１）分子中にトリアリールアミン骨格を３個〜６個有しており且つこれらのトリアリールアミン骨格が、単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で連結した構造を有しているポリ（トリアリールアミン）化合物であること、または（２）分子中にトリアリールアミン骨格を２個有しており且つこれらのトリアリールアミン骨格が、単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で連結した構造を有しているジ（トリアリールアミン）化合物である、請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 前記ポリ（トリアリールアミン）化合物が、下記一般式（４）；
   式中、
   ｒ^５〜ｒ^１６は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基
   Ｒ^５〜Ｒ^１６の数を示す整数であり、ｒ^５、ｒ^６、ｒ^９、ｒ^１２
   、ｒ^１５及びｒ^１６は、０〜５の整数を表し、ｒ^７、ｒ^８、
   ｒ^１０、ｒ^１１、ｒ^１３及びｒ^１４は、０または１〜４の整数を
   表し、
   Ｒ^５〜Ｒ^１６は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原
   子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭
   素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のア
   ルケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５
   ないし１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳
   香族複素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基を表し、
   同一のベンゼン環に複数個のＲ^５〜Ｒ^１６が結合している場合、
   複数存在している基は、単結合、酸素原子、硫黄原子または置換
   基を有していてもよいメチレン基を介して互いに結合して環を形
   成していてもよく、
   Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３は、それぞれ、下記式（Ｂ）〜（Ｇ）で示さ
   れる２価の有機基、または単結合を表す；
   （ｎ１は、１〜３の整数である）
   で表される請求項３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 前記ジ（トリアリールアミン）化合物が、下記一般式（５）；
   式中、
   ｒ^１７〜ｒ^２２は、それぞれ、芳香族環に結合している置換基
   Ｒ^１７〜Ｒ^２２の数を示す整数であり、ｒ^１７、ｒ^１８、ｒ^２１
   及びｒ^２２は、０〜５の整数を表し、ｒ^１９及びｒ^２０は、０ま
   たは１〜４の整数を表し、
   Ｒ^１７〜Ｒ^２２は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素
   原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１ないし６のアルキル基、炭
   素数５ないし１０のシクロアルキル基、炭素数２ないし６のアル
   ケニル基、炭素数１ないし６のアルキルオキシ基、炭素数５ない
   し１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複
   素環基、アラルキル基またはアリールオキシ基を表し、同一のベ
   ンゼン環に複数個のＲ^１７〜Ｒ^２２が結合している場合、複数存在
   している基は、単結合、酸素原子、硫黄原子または置換基を有し
   ていてもよいメチレン基を介して互いに結合して環を形成してい
   てもよく、
   Ｌ^４は、下記式（Ｂ）〜（Ｇ）で示される２価の有機基、また
   は単結合を表す；
   （ｎ１は１〜３の整数である）
   で表される請求項３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 前記ピリミジン化合物が、下記一般式（２ａ）；
   式中、
   Ａｒ^５〜Ａｒ^７及びＡは、前記一般式（２）で示したとおりで
   ある、
   で表される請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 前記ピリミジン化合物が、下記一般式（２ｂ）；
   式中、
   Ａｒ^５〜Ａｒ^７及びＡは、前記一般式（２）で示したとおりで
   ある、
   で表される請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 前記一般式（２）において、Ａが下記一般式（３ａ）；
   式中、
   Ａｒ^８及びＲ^１〜Ｒ^４は、前記一般式（３）で示したとおりで
   ある、
   で表される請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 前記発光層が、青色発光性ドーパントを含有している請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 前記青色発光性ドーパントがピレン誘導体である請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 前記発光層が、アントラセン誘導体を含有している請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. アントラセン誘導体がホスト材料である請求項１１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。