JPWO2016072010A1 - 配線形成方法および回路基板 - Google Patents

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Abstract

回路基板34と導電体60bとの上に配線72が形成される際に、インクジェットヘッド24により、金属微粒子を含有する金属インク70が、回路基板と導電体とに跨って塗布される。そして、塗布された金属インクにレーザ照射装置26によりレーザが照射される。これにより、レーザ照射された金属インクが焼成され、配線72が形成される。この際、回路基板の上の金属インクには、回路基板の素材である樹脂に応じた単位面積当たりのレーザ照射量に相当するレーザが照射され、導電体の上の金属インクには、導電体に応じた単位面積当たりのレーザ照射量に相当するレーザが照射される。これにより、回路基板の上の金属インクと導電体の上の金属インクとが適切に焼成され、回路基板と導電体とに跨って適切に配線を形成することが可能となる。

Description

本発明は、金属微粒子を含有する液体である金属含有液の焼成により、基材上に配線を形成する配線形成方法、および回路基板に関するものである。
近年、下記特許文献に記載されているように、金属微粒子を含有する液体である金属含有液の焼成により、回路基板上に配線を形成する技術が開発されている。詳しくは、例えば、回路基板上に配設された複数の電極等の導電体の間に、金属含有液を塗布し、その金属含有液にレーザを照射する。これにより、金属含有液が焼成することで、配線が形成される。
特開2006−059942号公報
上記特許文献に記載の技術によれば、ある程度、適切に回路基板上に配線を形成することが可能となる。しかしながら、回路基板上には、例えば、金や銅などの導電体だけでなく、樹脂等も配設されており、導電体と樹脂とに跨って配線を形成する際に、適切に配線を形成することができない虞がある。具体的には、導電体の熱伝導率は高いため、導電体の上の金属含有液にレーザが照射された際に、レーザによる熱は導電体を伝わって逃げ易い。このため、導電体の上の金属含有液を焼成するために必要な単位面積当たりのレーザ照射量(以下、「導電体用照射量」と記載する場合がある)は、比較的大きい。一方、樹脂の熱伝導率は低いため、樹脂の上の金属含有液にレーザが照射された際に、レーザによる熱は樹脂を伝わって逃げ難い。このため、樹脂の上の金属含有液を焼成するために必要な単位面積当たりのレーザ照射量(以下、樹脂用照射量と記載する場合がある)は、比較的小さい。
このため、例えば、導電体および、樹脂の上の金属含有液全体に、導電体用照射量に相当するレーザが照射された場合には、導電体の上の金属含有液は、適切に焼成され、配線が形成される。一方、樹脂の上の金属含有液は、焼成されるが、焼成により形成された配線は、過剰な熱により損傷する虞がある。また、導電体および、樹脂の上の金属含有液全体に、樹脂用照射量に相当するレーザが照射された場合には、樹脂の上の金属含有液は、適切に焼成され、配線が形成される。一方、導電体の上の金属含有液は、焼成されずに、配線が形成されない虞がある。本発明は、そのような実情に鑑みてなされたものであり、異種類の材質の基材に跨って、適切に配線を形成する技術の提供を課題とする。
上記課題を解決するために、本発明に記載の配線形成方法は、金属微粒子を含有する液体である金属含有液の焼成により、基材上に配線を形成する配線形成方法であって、前記配線形成方法が、異種類の材質の複数の基材に跨って金属含有液を塗布する塗布工程と、前記塗布工程において塗布された金属含有液をレーザにより焼成する焼成工程とを含み、前記焼成工程において金属含有液が焼成される際に、前記複数の基材毎に、基材の材質に応じて、単位面積当たりのレーザ照射量を変更することを特徴とする。
また、本発明に記載の回路基板は、異種類の材質の複数の基材が配設され、それら複数の基材に跨って、金属微粒子を含有する液体である金属含有液が塗布されており、その塗布された金属含有液がレーザにより焼成されることで、基材上に配線が形成された回路基板であって、金属含有液が焼成される際の単位面積当たりのレーザ照射量が、前記複数の基材毎に、基材の材質に応じて異なっていることを特徴とする。
本発明に記載の配線形成方法、および回路基板では、金属含有液が焼成される際に、異種類の材質の複数の基材毎に、基材の材質に応じて、単位面積当たりのレーザ照射量が変更される。つまり、例えば、導電体の上の金属含有液には、導電体用照射量に相当するレーザが照射され、樹脂の上の金属含有液には、樹脂用照射量に相当するレーザが照射される。これにより、異種類の材質の複数の基材に跨って適切に配線を形成することが可能となる。
対基板作業装置を示す平面図である。 回路基板を示す側面図である。 金属インクが吐出された状態の回路基板を示す側面図である。 回路基板の上の金属インクが焼成された状態の回路基板を示す側面図である。 回路基板および導電体の上の金属インクが焼成された状態の回路基板を示す側面図である。 回路基板の上の金属インク、および、導電体の回路基板側の端部の上の金属インクが焼成された状態の回路基板を示す側面図である。 回路基板の上の金属インク、および、導電体の回路基板側の端部以外の部分の上の金属インクが焼成された状態の回路基板を示す側面図である。 回路基板の導電体側の端部にレーザが照射された状態の回路基板を示す側面図である。
以下、本発明を実施するための形態として、本発明の実施例を、図を参照しつつ詳しく説明する。
<対基板作業装置の構成>
図1に、本発明の実施例の対基板作業装置10を示す。対基板作業装置10は、搬送装置20と、ヘッド移動装置22と、インクジェットヘッド24と、レーザ照射装置26とを備えている。
搬送装置20は、X軸方向に延びる1対のコンベアベルト30と、コンベアベルト30を周回させる電磁モータ(図示省略)とを有している。1対のコンベアベルト30は、回路基板34を支持し、その回路基板34は、電磁モータの駆動により、X軸方向に搬送される。また、搬送装置20は、保持装置(図示省略)を有している。保持装置は、コンベアベルト30によって支持された回路基板34を、所定の位置(図1での回路基板34が図示されている位置)において固定的に保持する。
ヘッド移動装置22は、X軸方向スライド機構50とY軸方向スライド機構52とによって構成されている。X軸方向スライド機構50は、X軸方向に移動可能にベース54上に設けられたX軸スライダ56を有している。そのX軸スライダ56は、電磁モータ(図示省略)の駆動により、X軸方向の任意の位置に移動する。また、Y軸方向スライド機構52は、Y軸方向に移動可能にX軸スライダ56の側面に設けられたY軸スライダ58を有している。そのY軸スライダ58は、電磁モータ(図示省略)の駆動により、Y軸方向の任意の位置に移動する。そのY軸スライダ58には、インクジェットヘッド24が取り付けられている。このような構造により、インクジェットヘッド24は、ヘッド移動装置22によってベース54上の任意の位置に移動する。
インクジェットヘッド24は、下面側に形成された吐出口(図示省略)を有し、その吐出口から回路基板34の上に金属インクを吐出する。金属インクは、金属の微粒子が溶剤中に分散されたものであり、後に詳しく説明するが、レーザ照射装置26のレーザの照射により焼成することで、配線となる。
レーザ照射装置26は、レーザを照射する装置であり、下方を向いた状態でY軸スライダ58の下面に固定されている。これにより、Y軸スライダ58が、ヘッド移動装置22によって移動させられることで、回路基板34上の任意の位置にレーザを照射することが可能である。なお、レーザ照射装置26は、使用する波長を照射可能なレーザを搭載し、レーザ強度を任意に変更することが可能である。
<回路基板上での配線の形成>
対基板作業装置10は、上述した構成によって、回路基板34上に配線を形成し、回路基板34上に配設された複数の電極等の導電体が、配線により接続される。詳しくは、回路基板34上には、図2に示すように、複数の導電体60a,60bが配設されている。そして、ヘッド移動装置22の作動により、インクジェットヘッド24が導電体60aの上方から導電体60bの上方まで移動する。この際、インクジェットヘッド24は、金属インクを吐出している。これにより、図3に示すように、導電体60aと導電体60bとが金属インク70によって接続される。そして、金属インク70にレーザ照射装置26によってレーザが照射されることで、金属インク70が焼成し、配線が形成される。なお、金属インクの焼成とは、エネルギーを付与することによって、溶媒の気化や金属微粒子保護膜の分解等が行われ、金属微粒子が接触または融着をすることで、導電率が高くなる現象である。金属インク70が焼成することで、金属製の配線が形成される。
ただし、金属インク70は、材質の異なる導電体60a,60bと回路基板34とに跨って吐出されているため、適切に配線を形成できない虞がある。詳しくは、導電体60a,60bの熱伝導率は高いため、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70にレーザが照射された際に、レーザによる熱が導電体60a,60bを伝わって逃げ易い。このため、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70を焼成するために必要な単位面積当たりのレーザ照射量(以下、導電体用照射量と記載する場合がある)は、比較的大きい。一方、回路基板34は、樹脂を素材とするものであり、樹脂の熱伝導率は低いため、回路基板34の上に吐出された金属インク70にレーザが照射された際に、レーザによる熱は回路基板34を伝わって逃げ難い。このため、回路基板34の上に吐出された金属インク70を焼成するために必要な単位面積当たりのレーザ照射量(以下、樹脂用照射量と記載する場合がある)は、比較的小さい。
このため、例えば、導電体60a,60bおよび、回路基板34の上に吐出された金属インク70全体に、導電体用照射量に相当するレーザが照射された場合には、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70は、適切に焼成され、配線が形成される。一方、回路基板34の上に吐出された金属インク70は、焼成されるが、焼成により形成された配線は、過剰な熱により損傷する虞がある。さらに、回路基板34も損傷する虞がある。
また、導電体60a,60bおよび、回路基板34の上に吐出された金属インク70全体に、樹脂用照射量に相当するレーザが照射された場合には、回路基板34の上に吐出された金属インク70は、適切に焼成され、配線が形成される。一方、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70は、焼成せずに、配線が形成されない虞がある。
このため、対基板作業装置10では、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70には、導電体用照射量に相当するレーザが照射され、回路基板34の上に吐出された金属インク70には、樹脂用照射量に相当するレーザが照射される。ただし、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70と、回路基板34の上に吐出された金属インク70との境目には、照射量が変更される際に、導電体用照射量に相当するレーザと、樹脂用照射量に相当するレーザとの両方が照射される。このため、回路基板34の上に吐出された金属インク70の導電体60a,60b側の端部(以下、「樹脂上金属インク端部」と記載する場合がある)に、導電体用照射量に相当するレーザが照射され、樹脂上金属インク端部が損傷する虞がある。
このようなことに鑑みて、対基板作業装置10では、まず、回路基板34の上に吐出された金属インク70に、樹脂用照射量に相当するレーザが照射される。具体的には、レーザの単位面積当たりのレーザ照射量は、レーザ強度と単位面積当たりのレーザの照射時間とを乗じることで定められるため、単位面積当たりのレーザの照射時間を所定の時間tとした場合には、回路基板34の上に吐出された金属インク70に照射されるレーザの強度Aは、樹脂用照射量Xを所定の時間tで除した値となる。なお、単位面積当たりの金属インク70にレーザが所定の時間t、照射されるように、レーザ照射装置26が移動される。つまり、レーザ照射装置26の移動速度、言い換えれば、ヘッド移動装置22によるレーザ照射装置26の走査速度は、L/tとなる。ちなみに、Lは定数である。
このため、回路基板34の上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際には、レーザ照射装置26は、速度L/tで走査された状態で、レーザ強度Aのレーザを照射する。これにより、図3に示す回路基板34の上に吐出された金属インク70に、樹脂用照射量Xに相当するレーザが照射され、回路基板34の上に吐出された金属インク70が焼成されることで、図4に示すように、回路基板34の上に配線72が形成される。なお、図4には、回路基板34と導電体60bとの境界部分が図示されている。また、金属インク70に照射されるレーザの波長は、500〜1500nmとされている。この波長は、金属インク70に含まれる金属微粒子に吸収されやすい波長であるため、適切に金属インク70が焼成される。
そして、回路基板34の上に吐出された金属インク70が焼成された後に、レーザ強度が、樹脂用照射量Xに応じたレーザ強度Aから導電体用照射量Yに応じたレーザ強度Bに変更される。ちなみに、導電体用照射量Yに応じたレーザ強度Bは、導電体用照射量Yを所定の時間tで除した値であり、導電体用照射量Yは樹脂用照射量Xより大きい。このため、導電体用照射量Yに応じたレーザ強度Bは、樹脂用照射量Xに応じたレーザ強度Aより高くなる。
これにより、導電体60bの上に吐出された金属インク70と、回路基板34の上に吐出された金属インク70との境目には、樹脂用照射量Xに応じたレーザ強度Aより高いレーザ強度Bのレーザが照射されるが、回路基板34の上に吐出された金属インク70は焼成しているため、樹脂上金属インク端部の損傷が防止される。詳しくは、金属インク70に照射されるレーザの波長は、上述したように、500〜1500nmとされており、この波長は、金属微粒子に吸収されやすい波長である。つまり、樹脂上金属インク端部は、金属微粒子が焼成により金属の塊、つまり、配線72となり、レーザの吸収性が低くなっている。このため、レーザ強度Aより高いレーザ強度Bのレーザが照射されても、樹脂上金属インク端部の損傷が防止される。
そして、レーザ強度が、樹脂用照射量Xに応じたレーザ強度Aから導電体用照射量Yに応じたレーザ強度Bに変更された後に、導電体60bの上に吐出された金属インク70に、レーザが照射される。この際のレーザ照射装置26の走査速度は、回路基板34の上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際と同様に、L/tである。これにより、導電体60bの上に吐出された金属インク70に、導電体用照射量Yに相当するレーザが照射され、導電体60bの上に吐出された金属インク70が焼成されることで、図5に示すように、導電体60bの上に配線72が形成される。
つまり、対基板作業装置10では、回路基板34の上に吐出された金属インク70に、樹脂用照射量Xに相当するレーザを照射することで、回路基板34の上に配線72が形成された後に、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70に、導電体用照射量Yに相当するレーザを照射することで、導電体60a,60bの上に配線72が形成される。これにより、樹脂上金属インク端部の損傷を防止しつつ、導電体60a,60bと回路基板34とに跨って吐出された金属インク70を適切に焼成し、配線72を形成することが可能となる。
<変形例1>
上述した実施例では、回路基板34の上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際と、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際とにおいて、レーザ照射装置26の走査速度を変更せずに、レーザ強度が変更されているが、レーザ強度を変更せずに、レーザ照射装置26の走査速度を変更することが可能である。
具体的には、回路基板34の上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際には、レーザ照射装置26は、速度L/tで走査された状態で、レーザ強度Aのレーザを照射する。これにより、回路基板34の上に吐出された金属インク70に、樹脂用照射量Xに相当するレーザが照射され、図4に示すように、回路基板34の上に配線72が形成される。その後、導電体60bの上に吐出された金属インク70にレーザが照射されるが、その際、レーザ強度は変更されずに、レーザ照射装置26の走査速度が変更される。
詳しくは、樹脂用照射量Xより大きな導電体用照射量Yに相当するレーザを照射するためには、レーザ強度Aのレーザを、所定の時間tより長い時間t(>t)照射する必要がある。このため、レーザ照射装置26の走査速度は、L/tとなり、回路基板34の上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際のレーザ照射装置26の走査速度L/tより遅くなる。つまり、導電体60bの上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際には、レーザ照射装置26は、速度L/tで走査された状態で、レーザ強度Aのレーザを照射する。これにより、導電体60bの上に吐出された金属インク70に、導電体用照射量Yに相当するレーザが照射され、図5に示すように、導電体60bの上に配線72が形成される。このように、レーザ照射装置26の走査速度を変更することでも、上記実施例と同様の効果を得ることが可能である。さらに、変形例1では、導電体60bの上に吐出された金属インク70へのレーザ強度が、実施例と比較して低いため、樹脂上金属インク端部の損傷を、更に好適に防止することが可能となる。
<変形例2>
また、上述した実施例では、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際に、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70の一方の端部から他方の端部に、1回、レーザが照射されるが、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70の一方の端部と他方の端部との間に、複数回にわたって、レーザを照射することが可能である。
具体的には、回路基板34の上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際には、レーザ照射装置26は、速度L/tで走査された状態で、レーザ強度Aのレーザを照射する。これにより、回路基板34の上に吐出された金属インク70に、樹脂用照射量Xに相当するレーザが照射され、図4に示すように、回路基板34の上に配線72が形成される。その後に、導電体60bの上に吐出された金属インク70にレーザが照射されるが、その際に、レーザ強度が、レーザ強度B未満、かつレーザ強度Aより大きくされる。
そして、レーザ照射装置26が、導電体60bの上に吐出された金属インク70の回路基板34側の一方の端部から、反対側の他方の端部に向かって走査される。さらに、レーザ照射装置26は、導電体60bの上に吐出された金属インク70の他方の端部から一方の端部に向かって走査される。この際、導電体60bの上に吐出された金属インク70に、導電体用照射量Yに相当するレーザが照射されるまで、金属インク70の一方の端部と他方の端部との間を繰り返し、レーザ照射装置26は走査される。これにより、導電体60bの上に吐出された金属インク70に、導電体用照射量Yに相当するレーザが照射され、導電体60bの上に吐出された金属インク70が焼成されることで、図5に示すように、導電体60bの上に配線72が形成される。なお、導電体60bの上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際のレーザ照射装置26の走査速度は、任意の速度にすることが可能であるが、レーザ照射装置26の走査速度が遅いほど、金属インク70の一方の端部と他方の端部との間でレーザが照射される回数は、少なくなる。
このように、導電体60bの上に吐出された金属インク70の一方の端部と他方の端部との間で、複数回にわたってレーザが照射されることでも、上記変形例1と同様の効果を得ることが可能である。
<変形例3>
また、上述した変形例2では、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70の一方の端部と他方の端部との間で、複数回にわたってレーザが照射されているが、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70の回路基板34側の端部(以下、「導電体上金属インク端部」と記載する場合がある)に、複数回にわたってレーザを照射することが可能である。
具体的には、回路基板34の上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際には、レーザ照射装置26は、速度L/tで走査された状態で、レーザ強度Aのレーザを照射する。これにより、回路基板34の上に吐出された金属インク70に、樹脂用照射量Xに相当するレーザが照射され、図4に示すように、回路基板34の上に配線72が形成される。その後に、導電体上金属インク端部にレーザが照射される。
導電体上金属インク端部にレーザが照射される際には、レーザ強度は、レーザ強度B未満、かつレーザ強度Aより大きくされる。そして、レーザ照射装置26が、導電体上金属インク端部の回路基板34側の一方の端部から他方の端部に向かって走査される。さらに、レーザ照射装置26は、導電体上金属インク端部の他方の端部から一方の端部に向かって走査される。この際、導電体上金属インク端部に、導電体用照射量Yに相当するレーザが照射されるまで、導電体上金属インク端部の一方の端部と他方の端部との間を繰り返し、レーザ照射装置26は走査される。これにより、導電体上金属インク端部に、導電体用照射量Yに相当するレーザが照射され、導電体上金属インク端部が焼成されることで、図6に示すように、導電体60bの回路基板34側の端部の上に配線72が形成される。
なお、導電体上金属インク端部にレーザが照射される際のレーザ照射装置26の走査速度は、任意の速度にすることが可能であるが、レーザ照射装置26の走査速度が遅いほど、導電体上金属インク端部の一方の端部と他方の端部との間でレーザが照射される回数は、少なくなる。
次に、導電体60bの上に吐出された金属インク70の導電体上金属インク端部以外の部分にレーザが照射される。この際、レーザ強度はBとされ、レーザ照射装置26の走査速度は、L/tとされる。これにより、導電体60bの上に吐出された金属インク70の導電体上金属インク端部以外の部分に、導電体用照射量Yに相当するレーザが照射され、導電体60bの上に吐出された金属インク70の導電体上金属インク端部以外の部分が焼成されることで、図5に示すように、導電体60bの上に配線72が形成される。
このように、導電体上金属インク端部の一方の端部と他方の端部との間で、複数回にわたってレーザが照射されることでも、上記変形例2と同様の効果を得ることが可能である。
<変形例4>
また、上述した実施例および変形例では、金属インク70に直接レーザが照射されることで、金属インク70が焼成されているが、配線72にレーザを照射し、配線72を加熱することで、配線72に接する金属インク70を焼成することが可能である。
具体的には、回路基板34の上に吐出された金属インク70にレーザが照射される際には、レーザ照射装置26は、速度L/tで走査された状態で、レーザ強度Aのレーザを照射する。これにより、回路基板34の上に吐出された金属インク70に、樹脂用照射量Xに相当するレーザが照射され、図4に示すように、回路基板34の上に配線72が形成される。その後に、導電体60bの上に吐出された金属インク70の導電体上金属インク端部以外の部分にレーザが照射される。
導電体60bの上に吐出された金属インク70の導電体上金属インク端部以外の部分にレーザが照射される際には、レーザ強度はBとされ、レーザ照射装置26の走査速度は、L/tとされる。これにより、導電体60bの上に吐出された金属インク70の導電体上金属インク端部以外の部分に、導電体用照射量Yに相当するレーザが照射され、図7に示すように、導電体60bの上の導電体上金属インク端部に相当する部分を除く箇所に配線72が形成される。
次に、導電体上金属インク端部が焼成されるが、この際、導電体上金属インク端部に、直接、レーザが照射されずに、樹脂上金属インク端部にレーザが照射される。詳しくは、図8に示すように、レーザ照射装置26が樹脂上金属インク端部の上方に移動される。そして、樹脂上金属インク端部に、レーザが照射される。なお、樹脂上金属インク端部にレーザが照射される際に、レーザの波長は、500〜1500nmから200〜600nmに変更される。200〜600nmの波長のレーザは、金属の塊に吸収されやすい波長であり、樹脂上金属インク端部は、既に焼成され、配線72、つまり、金属の塊となっている。このため、樹脂上金属インク端部が焼成された配線72へのレーザ照射によって、その配線72がレーザにより加熱され、その熱が導電体上金属インク端部に伝わる。これにより、導電体上金属インク端部が焼成され、導電体60bの回路基板34側の端部の上に配線72が形成される。つまり、図5に示すように、導電体60bの上に配線72が形成される。
このように、配線72を加熱することで、金属インク70を焼成させた場合でも、上記実施例と同様の効果を得ることが可能である。なお、導電体上金属インク端部を焼成する際に、樹脂上金属インク端部が焼成された配線72にレーザが照射されているが、導電体60bの上に形成された配線72の導電体上金属インク端部側の端部にレーザを照射しても、導電体上金属インク端部を加熱することが可能である。ただし、この場合には、導電体60bの上に形成された配線72が加熱されても、熱が導電体60bに逃げるため、導電体上金属インク端部を適切に焼成できない虞がある。
ちなみに、上記実施例において、回路基板34は、回路基板および第1の基材の一例である。導電体60a,60bは、第2の基材の一例である。金属インク70は、金属含有液の一例である。また、導電体60a,60bと回路基板34とに跨って配線を形成する方法は、配線形成方法の一例である。導電体60a,60bと回路基板34とに跨って金属インク70を吐出する工程は、塗布工程の一例である。回路基板34の上に吐出された金属インク70を焼成する工程は、焼成工程および第1焼成工程の一例である。導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70を焼成する工程は、焼成工程および第2焼成工程の一例である。
なお、本発明は、上記実施例および変形例に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を施した種々の態様で実施することが可能である。具体的には、例えば、上記実施例および変形例では、導電体60a,60bおよび、回路基板34の上に吐出された金属インク70にレーザが照射され、金属インク70が焼成されているが、導電体60a,60b、回路基板34以外の種々の材質の基材の上に吐出された金属インク70にレーザを照射し、金属インク70を焼成することが可能である。
また、上記実施例および変形例では、金属インク70が吐出される基材の熱伝導率に応じて、単位面積当たりのレーザ照射量が変更されているが、金属インク70が吐出される基材の体積、若しくは、熱容量に応じて単位面積当たりのレーザ照射量を変更してもよい。ちなみに、金属インク70が吐出される基材の体積が大きいほど、単位面積当たりのレーザ照射量は大きくなり、金属インク70が吐出される基材の熱容量が大きいほど、単位面積当たりのレーザ照射量は大きくなる。
また、上記変形例3では、導電体上金属インク端部に、複数回にわたってレーザが照射された後に、導電体60a,60bの上の金属インク70のうちの導電体上金属インク端部以外の部分にレーザが照射されているが、導電体60a,60bの上の金属インク70のうちの導電体上金属インク端部以外の部分にレーザが照射された後に、導電体上金属インク端部に、複数回にわたってレーザが照射されてもよい。
また、上記変形例4では、樹脂上金属インク端部に照射されるレーザの波長が、200〜600nmであるが、200〜1500nmの波長のレーザを樹脂上金属インク端部に照射することが可能である。
また、上記実施例および変形例では、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70と、回路基板34の上に吐出された金属インク70との境界において、レーザ強度、若しくは、レーザ照射装置26の走査速度が変更されるが、導電体60a,60bの上に吐出された金属インク70の回路基板34側の端部、つまり、導電体上金属インク端部において、若しくは、回路基板34の上に吐出された金属インク70の導電体60a,60b側の端部、つまり、樹脂上金属インク端部において、レーザ強度、若しくは、レーザ照射装置26の走査速度を変更してもよい。
34:回路基板(第1の基材) 60a,60b:導電体(第2の基材) 70:金属インク

Claims (9)

  1. 金属微粒子を含有する液体である金属含有液の焼成により、基材上に配線を形成する配線形成方法において、
    前記配線形成方法が、
    異種類の材質の複数の基材に跨って金属含有液を塗布する塗布工程と、
    前記塗布工程において塗布された金属含有液をレーザにより焼成する焼成工程と
    を含み、
    前記焼成工程において金属含有液が焼成される際に、前記複数の基材毎に、基材の材質に応じて、単位面積当たりのレーザ照射量を変更することを特徴とする配線形成方法。
  2. 前記焼成工程において金属含有液が焼成される際に、前記複数の基材毎に、基材の熱伝導率と熱容量と体積とのうちの少なくとも1つに応じて、単位面積当たりのレーザ照射量を変更することを特徴とする請求項1に記載の配線形成方法。
  3. 前記塗布工程が、
    (a)第1の基材と、(b)前記第1の基材の熱伝導率より高い熱伝導率と、前記第1の基材の熱容量より高い熱容量と、前記第1の基材の体積より大きい体積との少なくとも1つを有する第2の基材とに跨って金属含有液を塗布し、
    前記焼成工程は、
    前記第1の基材に応じて設定された単位面積当たりのレーザ照射量である第1設定照射量に相当するレーザを、前記第1の基材上に塗布された金属含有液に照射することで、前記第1の基材上に塗布された金属含有液を焼成する第1焼成工程と、
    前記第1焼成工程が完了した後に、前記第2の基材に応じて設定された単位面積当たりのレーザ照射量である第2設定照射量以下かつ、前記第1設定照射量より多い照射量に相当するレーザを、前記第2の基材上に塗布された金属含有液に照射することで、前記第2の基材上に塗布された金属含有液を焼成する第2焼成工程と
    を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の配線形成方法。
  4. 前記第2焼成工程は、
    前記第2設定照射量に相当するレーザを、前記第2の基材上に塗布された金属含有液に照射することで、前記第2の基材上に塗布された金属含有液を焼成することを特徴とする請求項3に記載の配線形成方法。
  5. 前記第2焼成工程は、
    前記第2設定照射量未満かつ、前記第1設定照射量より多い照射量に相当するレーザを、複数回にわたって、前記第2の基材上に塗布された金属含有液に照射することで、前記第2の基材上に塗布された金属含有液を焼成することを特徴とする請求項3に記載の配線形成方法。
  6. 前記第2焼成工程は、
    前記第2設定照射量未満かつ、前記第1設定照射量より多い照射量に相当するレーザを、複数回にわたって、前記第2の基材上に塗布された金属含有液のうちの前記第1の基材側の端部である基材側端部に照射することで、第2の基材上に塗布された金属含有液のうちの前記基材側端部を焼成し、前記第2設定照射量に相当するレーザを、前記第2の基材上に塗布された金属含有液のうちの前記基材側端部を除く部分に照射することで、前記第2の基材上に塗布された金属含有液のうちの前記基材側端部を除く部分を焼成することを特徴とする請求項3に記載の配線形成方法。
  7. 前記第1の基材および、前記第2の基材上に塗布された金属含有液に照射されるレーザの波長が、500〜1500nmであることを特徴とする請求項3ないし請求項6のいずれか1つに記載の配線形成方法。
  8. 前記第2焼成工程は、
    前記第2設定照射量に相当するレーザを、前記第2の基材上に塗布された金属含有液のうちの前記第1の基材側の端部である基材側端部を除く部分に照射することで、前記第2の基材上に塗布された金属含有液のうちの前記基材側端部を除く部分を焼成した後に、波長が200〜1500nmのレーザを、前記第1の基材上の金属含有液の焼成により形成された配線の前記第2の基材側の端部に照射することで、前記第2の基材上に塗布された金属含有液のうちの前記基材側端部を焼成することを特徴とする請求項3に記載の配線形成方法。
  9. 異種類の材質の複数の基材が配設され、それら複数の基材に跨って、金属微粒子を含有する液体である金属含有液が塗布されており、その塗布された金属含有液がレーザにより焼成されることで、基材上に配線が形成された回路基板において、
    金属含有液が焼成される際の単位面積当たりのレーザ照射量が、前記複数の基材毎に、基材の材質に応じて異なっていることを特徴とする回路基板。
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