JPH08203898A - 電子回路基板の配線修正方法及びその装置並びに電子回路基板 - Google Patents
電子回路基板の配線修正方法及びその装置並びに電子回路基板Info
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- JPH08203898A JPH08203898A JP7012278A JP1227895A JPH08203898A JP H08203898 A JPH08203898 A JP H08203898A JP 7012278 A JP7012278 A JP 7012278A JP 1227895 A JP1227895 A JP 1227895A JP H08203898 A JPH08203898 A JP H08203898A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】電子回路基板上の配線断線部を修正する方法及
びその装置を提供すること。 【構成】ＴＦＴ基板上配線の断線部にトリフロロ酢酸パ
ラジウム溶液１３を局所供給した後，Ａｒレーザ光１４
を配線上に照射しつつ走査して該断線部に近付けてい
き，一方の断線端部１２とその近傍のトリフロロ酢酸パ
ラジウム溶液１３を加熱する。そして断線端部１２近傍
にパラジウム膜１３’を析出させた時点でレーザ光１４
の照射を一旦停止する。次に同様に再度他方の断線端部
１２’からレーザ光１４の照射を開始してパラジウム膜
１３’を析出させた後，継続してレーザ光１４を走査す
ることで，断線端部１２，１２’間にパラジウム膜１
３’を析出させて断線部を電気的に接続する。以上によ
り，断線端部１２，１２’でのパラジウム膜１３’との
接続性を良好とした断線修正を行う。
びその装置を提供すること。 【構成】ＴＦＴ基板上配線の断線部にトリフロロ酢酸パ
ラジウム溶液１３を局所供給した後，Ａｒレーザ光１４
を配線上に照射しつつ走査して該断線部に近付けてい
き，一方の断線端部１２とその近傍のトリフロロ酢酸パ
ラジウム溶液１３を加熱する。そして断線端部１２近傍
にパラジウム膜１３’を析出させた時点でレーザ光１４
の照射を一旦停止する。次に同様に再度他方の断線端部
１２’からレーザ光１４の照射を開始してパラジウム膜
１３’を析出させた後，継続してレーザ光１４を走査す
ることで，断線端部１２，１２’間にパラジウム膜１
３’を析出させて断線部を電気的に接続する。以上によ
り，断線端部１２，１２’でのパラジウム膜１３’との
接続性を良好とした断線修正を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置や半導体集
積回路，あるいは電子計算機等の大規模電子機器に使用
されるマルチチップモジュール(ＭＣＭ)基板上に設けら
れた配線の断線修正技術に係り，特に配線の断線部に液
体材料を微量供給して欠陥を修正する技術に関する。
積回路，あるいは電子計算機等の大規模電子機器に使用
されるマルチチップモジュール(ＭＣＭ)基板上に設けら
れた配線の断線修正技術に係り，特に配線の断線部に液
体材料を微量供給して欠陥を修正する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置や半導体集積回路に代表さ
れる電子回路基板では表示性能や集積度の向上に伴い，
基板上に形成される回路配線の微細化，高密度化が進ん
でいる。これらの回路配線は通常，レジスト塗布・露光
・現像・エッチング・レジスト剥離といった一連の工程
により形成されるが，電子回路基板の高性能化が進むに
つれ上記工程における良品歩留まりが低下する。特にレ
ジスト露光時の異物に起因した配線の断線欠陥は致命的
であり，基板上において１箇所発生しただけでも製品と
して不良となる場合が多い。従って製造歩留まりの向
上，即ち製品コスト低減のためには配線パターンの欠落
欠陥修正技術が必要不可欠である。
れる電子回路基板では表示性能や集積度の向上に伴い，
基板上に形成される回路配線の微細化，高密度化が進ん
でいる。これらの回路配線は通常，レジスト塗布・露光
・現像・エッチング・レジスト剥離といった一連の工程
により形成されるが，電子回路基板の高性能化が進むに
つれ上記工程における良品歩留まりが低下する。特にレ
ジスト露光時の異物に起因した配線の断線欠陥は致命的
であり，基板上において１箇所発生しただけでも製品と
して不良となる場合が多い。従って製造歩留まりの向
上，即ち製品コスト低減のためには配線パターンの欠落
欠陥修正技術が必要不可欠である。
【０００３】従来，基板上において配線を形成する技術
としては，特開平６−１０４２５５による方法が開示さ
れている。即ち，ディスペンサで基板上の任意位置に導
体ペーストを供給しつつ基板を搭載したステージを走査
し，その供給に同期してレーザを照射し導体ペーストを
加熱することで，金属膜を連続的に形成する方法であ
る。この場合，導体ペーストは金属膜を形成する部分の
みに供給すればよく，供給した導体ペースト全てにレー
ザを照射して金属膜を得るため，不要な部分に付着した
ペーストの除去の必要が無い。
としては，特開平６−１０４２５５による方法が開示さ
れている。即ち，ディスペンサで基板上の任意位置に導
体ペーストを供給しつつ基板を搭載したステージを走査
し，その供給に同期してレーザを照射し導体ペーストを
加熱することで，金属膜を連続的に形成する方法であ
る。この場合，導体ペーストは金属膜を形成する部分の
みに供給すればよく，供給した導体ペースト全てにレー
ザを照射して金属膜を得るため，不要な部分に付着した
ペーストの除去の必要が無い。
【０００４】また，特開平４−２７７６９２では，レー
ザにより断線部の下地膜に溝パターンを形成し，有機金
属溶液を溝内に供給した後加熱して固化させ，更にレー
ザを照射して導体化することで断線部を接続する方法が
開示されている。これによれば，有機金属溶液の供給量
を制御することで不要部分への材料の付着を防止するこ
とが可能となり，更に配線の断線端部と形成金属との接
続面積が増大するため，接続部での信頼性が向上する。
ザにより断線部の下地膜に溝パターンを形成し，有機金
属溶液を溝内に供給した後加熱して固化させ，更にレー
ザを照射して導体化することで断線部を接続する方法が
開示されている。これによれば，有機金属溶液の供給量
を制御することで不要部分への材料の付着を防止するこ
とが可能となり，更に配線の断線端部と形成金属との接
続面積が増大するため，接続部での信頼性が向上する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記の
基板上における配線の形成に関する従来技術では，導体
ペーストの供給とレーザの照射を同期して行っているた
め，次の問題点がある。加熱することで材料を結晶化あ
るいは分解・析出させて金属膜を得るための液体材料は
一般的に加熱後の体積収縮が大きいため，断線幅が概ね
配線幅以上，あるいは液体材料を加熱するためのレーザ
の照射サイズ以上となった場合，断線端部近傍で形成金
属の段切れが発生する。以下，図２を用いてその現象を
説明する。尚，図２（ａ）〜（ｄ）では平面図と断面図
を同時に示す。
基板上における配線の形成に関する従来技術では，導体
ペーストの供給とレーザの照射を同期して行っているた
め，次の問題点がある。加熱することで材料を結晶化あ
るいは分解・析出させて金属膜を得るための液体材料は
一般的に加熱後の体積収縮が大きいため，断線幅が概ね
配線幅以上，あるいは液体材料を加熱するためのレーザ
の照射サイズ以上となった場合，断線端部近傍で形成金
属の段切れが発生する。以下，図２を用いてその現象を
説明する。尚，図２（ａ）〜（ｄ）では平面図と断面図
を同時に示す。
【０００６】図２（ａ）において基板２１表面で配線２
２，２２’が断線している場合，まず図２（ｂ）の如く
図示しないステージを走査しつつ図示しないディスペン
サにより液体材料２３が断線部に供給される。続いて，
供給された液体材料２３は，図示しないステージの走査
によってレーザ光２４の照射領域２４’に到達する。こ
こで，回路基板の配線材料として通常よく用いられるＡ
ｌ，Ｃｕ等の金属配線にレーザ光を照射した場合，レー
ザ光の大半は反射されるだけであるが一部は吸収され配
線を加熱することが可能である。尚且つそれらの配線材
料は一般的に熱伝導率が高く，従って断線端部２２では
それまでのレーザ光２４の照射による伝導熱により温度
が上昇する。しかるに図２（ｃ）の様に断線端部２２近
傍に供給された液体材料２３は充分加熱されることによ
り分解し，該端部２２と析出した金属膜２３’との接続
が良好に行われる。但し，供給された液体材料２３が加
熱され金属膜となる際に極めて大きな体積収縮が発生す
るため，析出した金属膜２３’上に加熱前の液体材料２
３の流れ込み２５が発生するが，断線端部２２での接続
性に影響を与えることはない。この様に，レーザ照射領
域２４’近傍では常に析出した金属膜２３’上への液体
材料２３の流れ込み２５を伴って処理が進行する。そし
てレーザ光２４は基板２１に対して相対的に移動し，基
板２１上の液体材料２３を順次加熱することで金属膜２
３’を形成しつつ，図２（ｄ）の如く断線端部２２’近
傍に到達する。しかしながら断線端部２２’近傍におい
ては，該端部２２’上の液体材料２３の流れ込み２５が
発生することにより，該端部２２’上の液体材料２３の
体積が減少することによって，図２（ｅ）の如く該端部
２２’近傍に析出する金属膜２３’の膜厚が減少し，金
属膜２３’の段切れ２６が発生する。即ち，析出後の金
属膜の膜厚分布の影響により断線部が電気的に接続され
ない，または電気抵抗が非常に高い状態で接続され，結
果的に断線欠陥の修正が不可能となる。更に，断線端部
２２’にレーザ光２４が照射された初期の段階において
は該端部から熱が拡散し該端部の温度が上昇せず，該端
部上の液体材料の加熱が不十分となるといった問題があ
る。
２，２２’が断線している場合，まず図２（ｂ）の如く
図示しないステージを走査しつつ図示しないディスペン
サにより液体材料２３が断線部に供給される。続いて，
供給された液体材料２３は，図示しないステージの走査
によってレーザ光２４の照射領域２４’に到達する。こ
こで，回路基板の配線材料として通常よく用いられるＡ
ｌ，Ｃｕ等の金属配線にレーザ光を照射した場合，レー
ザ光の大半は反射されるだけであるが一部は吸収され配
線を加熱することが可能である。尚且つそれらの配線材
料は一般的に熱伝導率が高く，従って断線端部２２では
それまでのレーザ光２４の照射による伝導熱により温度
が上昇する。しかるに図２（ｃ）の様に断線端部２２近
傍に供給された液体材料２３は充分加熱されることによ
り分解し，該端部２２と析出した金属膜２３’との接続
が良好に行われる。但し，供給された液体材料２３が加
熱され金属膜となる際に極めて大きな体積収縮が発生す
るため，析出した金属膜２３’上に加熱前の液体材料２
３の流れ込み２５が発生するが，断線端部２２での接続
性に影響を与えることはない。この様に，レーザ照射領
域２４’近傍では常に析出した金属膜２３’上への液体
材料２３の流れ込み２５を伴って処理が進行する。そし
てレーザ光２４は基板２１に対して相対的に移動し，基
板２１上の液体材料２３を順次加熱することで金属膜２
３’を形成しつつ，図２（ｄ）の如く断線端部２２’近
傍に到達する。しかしながら断線端部２２’近傍におい
ては，該端部２２’上の液体材料２３の流れ込み２５が
発生することにより，該端部２２’上の液体材料２３の
体積が減少することによって，図２（ｅ）の如く該端部
２２’近傍に析出する金属膜２３’の膜厚が減少し，金
属膜２３’の段切れ２６が発生する。即ち，析出後の金
属膜の膜厚分布の影響により断線部が電気的に接続され
ない，または電気抵抗が非常に高い状態で接続され，結
果的に断線欠陥の修正が不可能となる。更に，断線端部
２２’にレーザ光２４が照射された初期の段階において
は該端部から熱が拡散し該端部の温度が上昇せず，該端
部上の液体材料の加熱が不十分となるといった問題があ
る。
【０００７】一方，断線部の下地膜に溝パターンを形成
し，該溝内に液体材料を供給して断線部を接続する従来
技術では，溝パターンを形成するための紫外線レーザが
新たに必要であり，装置が大規模となり従って製品コス
トが増大する。また，欠陥の修正に要する時間も長くな
る。
し，該溝内に液体材料を供給して断線部を接続する従来
技術では，溝パターンを形成するための紫外線レーザが
新たに必要であり，装置が大規模となり従って製品コス
トが増大する。また，欠陥の修正に要する時間も長くな
る。
【０００８】本発明の目的は，電子回路基板上の配線修
正技術に関して，安価且つ信頼性の高い断線修正方法
と，それを実現するための装置を提供すること，並びに
安価且つ信頼性の高い電子回路基板を提供することであ
る。
正技術に関して，安価且つ信頼性の高い断線修正方法
と，それを実現するための装置を提供すること，並びに
安価且つ信頼性の高い電子回路基板を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は，電子回路基
板上配線の断線部に供給された液体材料を加熱する際，
各断線端部での加熱前の液体材料の流動を制御すると共
に，断線端部間に析出する金属膜の膜厚分布を均一化す
ることによって達成される。
板上配線の断線部に供給された液体材料を加熱する際，
各断線端部での加熱前の液体材料の流動を制御すると共
に，断線端部間に析出する金属膜の膜厚分布を均一化す
ることによって達成される。
【００１０】即ち，電子回路基板上配線の断線部に液体
材料を局所供給した後，レーザ光を配線上に照射しつつ
走査して該断線部に近付けていき，一方の断線端部近傍
の液体材料を加熱して金属膜を析出させた時点でレーザ
光の照射を一旦停止させ，同様に再度他方の断線端部か
らレーザ光の照射を開始して金属膜を析出させた後，更
にレーザ光の走査を継続することで断線端部間に金属膜
を形成して断線部を電気的に接続することにより達成さ
れる。
材料を局所供給した後，レーザ光を配線上に照射しつつ
走査して該断線部に近付けていき，一方の断線端部近傍
の液体材料を加熱して金属膜を析出させた時点でレーザ
光の照射を一旦停止させ，同様に再度他方の断線端部か
らレーザ光の照射を開始して金属膜を析出させた後，更
にレーザ光の走査を継続することで断線端部間に金属膜
を形成して断線部を電気的に接続することにより達成さ
れる。
【００１１】即ち，電子回路基板上配線の断線部に液体
材料を局所供給した後，該液体材料に一括してレーザ光
を照射することで断線端部間に金属膜を形成して断線部
を電気的に接続することにより達成される。
材料を局所供給した後，該液体材料に一括してレーザ光
を照射することで断線端部間に金属膜を形成して断線部
を電気的に接続することにより達成される。
【００１２】また，上記目的は電子回路基板上配線の断
線部に液体材料を局所供給し，レーザ光を照射して該液
体材料を加熱し金属膜を析出させた後，不活性ガス雰囲
気で再度金属膜を加熱することにより達成される。
線部に液体材料を局所供給し，レーザ光を照射して該液
体材料を加熱し金属膜を析出させた後，不活性ガス雰囲
気で再度金属膜を加熱することにより達成される。
【００１３】また，上記目的は電子回路基板を搭載して
その位置決めを行う機構，電子回路基板表面を観察する
機構，電子回路基板上の配線の断線部に液体材料を局所
供給する機構，電子回路基板上にレーザ光を照射する機
構，電子回路基板上のレーザ照射領域に不活性ガスを供
給する機構を備えた配線修正装置により達成される。
その位置決めを行う機構，電子回路基板表面を観察する
機構，電子回路基板上の配線の断線部に液体材料を局所
供給する機構，電子回路基板上にレーザ光を照射する機
構，電子回路基板上のレーザ照射領域に不活性ガスを供
給する機構を備えた配線修正装置により達成される。
【００１４】また，上記目的は安価且つ信頼性の高い方
法で電子回路基板を修正し，電子回路基板の製造歩留ま
りを向上させることにより達成される。
法で電子回路基板を修正し，電子回路基板の製造歩留ま
りを向上させることにより達成される。
【００１５】
【作用】液体材料としてはＰｄ，Ａｕ，Ｐｔ等の金属錯
体，例えばトリフロロ酢酸パラジウム錯体（Ｐｄ（ＣＦ
3ＣＯＯ）2）をアセトニトリル，Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン，トルエン，キシレン，アルコール等の有機溶媒
に溶解させた金属錯体溶液を使用する。この金属錯体溶
液を先端の内径をφ１〜２μｍに成形したガラスピペッ
ト内部にマイクロシリンジで注入し，ピペット先端を基
板表面に接触させると同時に，ピペット内部に窒素等の
不活性ガスをパルス状に供給してピペット先端から金属
錯体溶液を吐出させる。更に基板上におけるピペット先
端の接触位置を制御することにより，高精度な材料の供
給が可能となる。
体，例えばトリフロロ酢酸パラジウム錯体（Ｐｄ（ＣＦ
3ＣＯＯ）2）をアセトニトリル，Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン，トルエン，キシレン，アルコール等の有機溶媒
に溶解させた金属錯体溶液を使用する。この金属錯体溶
液を先端の内径をφ１〜２μｍに成形したガラスピペッ
ト内部にマイクロシリンジで注入し，ピペット先端を基
板表面に接触させると同時に，ピペット内部に窒素等の
不活性ガスをパルス状に供給してピペット先端から金属
錯体溶液を吐出させる。更に基板上におけるピペット先
端の接触位置を制御することにより，高精度な材料の供
給が可能となる。
【００１６】上記方法により，電子回路基板上の配線の
断線部に金属錯体溶液の局所供給を行う。そして溶液の
供給後，適当なサイズに成形したレーザ光を配線上に照
射しつつ走査して該断線部に近付けていき，一方の断線
端部とその近傍の金属錯体溶液を加熱する。ここで回路
配線として通常よく用いられているＡｌ，Ｃｕ等の材料
にレーザ光を照射した場合，レーザ光の大半は反射され
るだけであるが一部は吸収され配線を加熱することが可
能である。尚且つそれらの材料は一般的に熱伝導率が高
く，従って断線端部ではそれまでのレーザ光の照射によ
る伝導熱により温度が上昇する。しかるに，断線端部近
傍の金属錯体溶液の有機溶媒が蒸発し更に錯体が分解さ
れて金属膜が析出し，その結果該端部と析出した金属膜
との接続が良好に行われる。但し，供給された溶液が加
熱され金属膜となる際に極めて大きな体積収縮が発生す
るため，析出した金属膜上に加熱前の溶液の流れ込みが
発生するが，断線端部での接続性に影響を与えることは
ない。この時点でレーザ光の照射を一旦停止させ，同様
に再度他方の断線端部からレーザ光の照射を開始して金
属膜を析出させる。その後レーザ光の走査を継続し，断
線端部間に金属膜を形成して断線部を電気的に接続する
ものである。その結果，両断線端部における析出金属膜
との接続性が確保されると共に，断線端部間の析出金属
膜の膜厚分布を一様にすることが可能となる。即ち，加
熱前の溶液が析出金属膜上に流れ込むことにより生じる
断線端部間における析出金属膜の膜厚分布を抑制するこ
とにより，信頼性の高い断線修正が実現する。
断線部に金属錯体溶液の局所供給を行う。そして溶液の
供給後，適当なサイズに成形したレーザ光を配線上に照
射しつつ走査して該断線部に近付けていき，一方の断線
端部とその近傍の金属錯体溶液を加熱する。ここで回路
配線として通常よく用いられているＡｌ，Ｃｕ等の材料
にレーザ光を照射した場合，レーザ光の大半は反射され
るだけであるが一部は吸収され配線を加熱することが可
能である。尚且つそれらの材料は一般的に熱伝導率が高
く，従って断線端部ではそれまでのレーザ光の照射によ
る伝導熱により温度が上昇する。しかるに，断線端部近
傍の金属錯体溶液の有機溶媒が蒸発し更に錯体が分解さ
れて金属膜が析出し，その結果該端部と析出した金属膜
との接続が良好に行われる。但し，供給された溶液が加
熱され金属膜となる際に極めて大きな体積収縮が発生す
るため，析出した金属膜上に加熱前の溶液の流れ込みが
発生するが，断線端部での接続性に影響を与えることは
ない。この時点でレーザ光の照射を一旦停止させ，同様
に再度他方の断線端部からレーザ光の照射を開始して金
属膜を析出させる。その後レーザ光の走査を継続し，断
線端部間に金属膜を形成して断線部を電気的に接続する
ものである。その結果，両断線端部における析出金属膜
との接続性が確保されると共に，断線端部間の析出金属
膜の膜厚分布を一様にすることが可能となる。即ち，加
熱前の溶液が析出金属膜上に流れ込むことにより生じる
断線端部間における析出金属膜の膜厚分布を抑制するこ
とにより，信頼性の高い断線修正が実現する。
【００１７】また一般に，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ等の貴金属
類は一定温度以上に加熱することで酸素との結合を解離
させることができる。従って，電子回路基板上配線の断
線部に上記金属錯体溶液を局所供給し，レーザ光を照射
して該溶液を加熱し断線端部間に金属膜を析出させた
後，不活性ガス雰囲気で再度加熱することで金属と結合
した酸素が還元され，良質な金属膜を得ることが可能と
なり，結果として断線端部間の接続抵抗が減少する。
類は一定温度以上に加熱することで酸素との結合を解離
させることができる。従って，電子回路基板上配線の断
線部に上記金属錯体溶液を局所供給し，レーザ光を照射
して該溶液を加熱し断線端部間に金属膜を析出させた
後，不活性ガス雰囲気で再度加熱することで金属と結合
した酸素が還元され，良質な金属膜を得ることが可能と
なり，結果として断線端部間の接続抵抗が減少する。
【００１８】また，断線欠陥の発生によって本来不良品
として廃棄されていた製品を修正することで，電子回路
基板の商品価値を復活させ，その製造歩留まりを向上さ
せることが可能となり，電子回路基板の価格が低下す
る。
として廃棄されていた製品を修正することで，電子回路
基板の商品価値を復活させ，その製造歩留まりを向上さ
せることが可能となり，電子回路基板の価格が低下す
る。
【００１９】
【実施例】以下本発明の第１の実施例として，電子回路
基板上の配線の断線部を接続する方法について説明す
る。
基板上の配線の断線部を接続する方法について説明す
る。
【００２０】本実施例では，断線部に供給する液体材料
として，トリフロロ酢酸パラジウム錯体（Ｐｄ（ＣＦ3
ＣＯＯ）2）をアセトニトリル及びＮ−メチル−２−ピ
ロリドンの有機溶剤の混合液に，重量比３５：３２．
５：３２．５の割合で溶解させた溶液を用いた。また，
このパラジウム錯体溶液を基板上に局所供給する手段と
しては，熱処理によって先端の内径をφ１〜２μｍに成
形した硬質ガラス製のマイクロピペットを使用した。そ
してこのピペット内にマイクロシリンジで上記溶液を約
１μｌ充填し，ピペット先端と電子回路基板表面とを接
触させると共に，ピペット内部に窒素ガスを例えば１０
０ＫＰａの供給圧力で０．０５ｓのみ印加し，ピペット
先端から上記溶液を微量吐出するものである。
として，トリフロロ酢酸パラジウム錯体（Ｐｄ（ＣＦ3
ＣＯＯ）2）をアセトニトリル及びＮ−メチル−２−ピ
ロリドンの有機溶剤の混合液に，重量比３５：３２．
５：３２．５の割合で溶解させた溶液を用いた。また，
このパラジウム錯体溶液を基板上に局所供給する手段と
しては，熱処理によって先端の内径をφ１〜２μｍに成
形した硬質ガラス製のマイクロピペットを使用した。そ
してこのピペット内にマイクロシリンジで上記溶液を約
１μｌ充填し，ピペット先端と電子回路基板表面とを接
触させると共に，ピペット内部に窒素ガスを例えば１０
０ＫＰａの供給圧力で０．０５ｓのみ印加し，ピペット
先端から上記溶液を微量吐出するものである。
【００２１】図１（ａ）は，液晶表示装置用のＴＦＴ
（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板の
製造工程中に発生した，回路配線の断線欠陥の様子を示
している。尚，図１（ａ）〜（ｅ）では，平面図と断面
図とを同時に示す。
（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板の
製造工程中に発生した，回路配線の断線欠陥の様子を示
している。尚，図１（ａ）〜（ｅ）では，平面図と断面
図とを同時に示す。
【００２２】図１（ａ）において，ＳｉＮ絶縁膜１１上
にＡｌからなる幅１５μｍ，厚さ２０００Åの配線が形
成されており，配線の端部１２，１２’間で配線パター
ンが約５０μｍ欠落し断線欠陥が生じている。この配線
断線部に，上記マイクロピペットの先端部を接触させ，
上記方法によってピペット先端からパラジウム錯体溶液
を吐出して該溶液を一滴だけ付着させる。上記方法によ
れば，ＳｉＮ絶縁膜上におけるパラジウム錯体溶液の濡
れ広がり径をφ１０〜１５μｍに抑えて（供給量として
１００ｆｌ≒１０~7μｌ）高精度に供給することが可能
である。そしてこの操作を繰返し，配線断線部に図１
（ｂ）に示す形状でパラジウム錯体溶液１３を供給す
る。
にＡｌからなる幅１５μｍ，厚さ２０００Åの配線が形
成されており，配線の端部１２，１２’間で配線パター
ンが約５０μｍ欠落し断線欠陥が生じている。この配線
断線部に，上記マイクロピペットの先端部を接触させ，
上記方法によってピペット先端からパラジウム錯体溶液
を吐出して該溶液を一滴だけ付着させる。上記方法によ
れば，ＳｉＮ絶縁膜上におけるパラジウム錯体溶液の濡
れ広がり径をφ１０〜１５μｍに抑えて（供給量として
１００ｆｌ≒１０~7μｌ）高精度に供給することが可能
である。そしてこの操作を繰返し，配線断線部に図１
（ｂ）に示す形状でパラジウム錯体溶液１３を供給す
る。
【００２３】その後，すくなくともパラジウム錯体溶液
１３の供給幅よりも大きいサイズに成形したＡｒレーザ
光１４を配線上のレーザ照射領域１４’に照射する。本
実施例では，Ａｒレーザの照射サイズ（レーザ照射領域
１４’）をφ３０μｍとし，レーザ照射パワーを４．０
〜１０．０ＫＷ／ｃｍ2に設定した。そして，Ａｒレー
ザ光１４を３０〜６０μｍ／ｍｉｎの速度で移動させな
がら配線上を走査しつつ断線端部１２に近付けていき，
一方の断線端部１２とその近傍のパラジウム錯体溶液１
３を加熱する。ここでＡｌをはじめ，電子回路基板の配
線として用いられている材料は一般的に熱伝導率が高
く，従って断線端部１２ではそれまでのレーザ光１４の
照射による伝導熱により温度が上昇するため，パラジウ
ム錯体溶液１３の有機溶媒が蒸発し更に錯体が分解され
て図１（ｃ）の如く断線端部１２近傍にパラジウム膜１
３’が析出し，断線端部１２と析出したパラジウム膜１
３’との接続が良好に行われる。即ち，断線端部１２を
加熱することによって該端部１２と析出したパラジウム
膜１３’との接続性を確保する。
１３の供給幅よりも大きいサイズに成形したＡｒレーザ
光１４を配線上のレーザ照射領域１４’に照射する。本
実施例では，Ａｒレーザの照射サイズ（レーザ照射領域
１４’）をφ３０μｍとし，レーザ照射パワーを４．０
〜１０．０ＫＷ／ｃｍ2に設定した。そして，Ａｒレー
ザ光１４を３０〜６０μｍ／ｍｉｎの速度で移動させな
がら配線上を走査しつつ断線端部１２に近付けていき，
一方の断線端部１２とその近傍のパラジウム錯体溶液１
３を加熱する。ここでＡｌをはじめ，電子回路基板の配
線として用いられている材料は一般的に熱伝導率が高
く，従って断線端部１２ではそれまでのレーザ光１４の
照射による伝導熱により温度が上昇するため，パラジウ
ム錯体溶液１３の有機溶媒が蒸発し更に錯体が分解され
て図１（ｃ）の如く断線端部１２近傍にパラジウム膜１
３’が析出し，断線端部１２と析出したパラジウム膜１
３’との接続が良好に行われる。即ち，断線端部１２を
加熱することによって該端部１２と析出したパラジウム
膜１３’との接続性を確保する。
【００２４】しかしながら，パラジウム錯体を重量比で
３５％含有した上記溶液１３に含まれている純金属の体
積比は全体の１％程度にすぎず，供給された該溶液１３
が加熱されパラジウム膜となる際に極めて大きな体積収
縮が発生する。そのため加熱前のパラジウム錯体溶液１
３が流動し，析出したパラジウム膜１３’上への流れ込
み１５が発生するが，断線端部１２での接続性に影響を
与えることはない。この時点でレーザ光１４の照射を一
旦停止させた後，図１（ｄ）の如く，レーザ光１４の走
査方向を逆にして同様の手順で他方の断線端部１２’に
パラジウム膜１３’を析出させる。その後継続してレー
ザ光１４を走査することにより，図１（ｅ）に示す様に
断線端部１２，１２’間にパラジウム膜１３’を析出さ
せる。
３５％含有した上記溶液１３に含まれている純金属の体
積比は全体の１％程度にすぎず，供給された該溶液１３
が加熱されパラジウム膜となる際に極めて大きな体積収
縮が発生する。そのため加熱前のパラジウム錯体溶液１
３が流動し，析出したパラジウム膜１３’上への流れ込
み１５が発生するが，断線端部１２での接続性に影響を
与えることはない。この時点でレーザ光１４の照射を一
旦停止させた後，図１（ｄ）の如く，レーザ光１４の走
査方向を逆にして同様の手順で他方の断線端部１２’に
パラジウム膜１３’を析出させる。その後継続してレー
ザ光１４を走査することにより，図１（ｅ）に示す様に
断線端部１２，１２’間にパラジウム膜１３’を析出さ
せる。
【００２５】以上により，断線端部１２，１２’近傍の
パラジウム錯体溶液１３の流動に影響されることなく，
該端部１２，１２’におけるパラジウム膜１３’との接
続性を確保すると同時に，該端部１２，１２’間のパラ
ジウム膜１３’の膜厚分布を一様なものとすることがで
き，結果として信頼性の高い断線修正が実現する。
パラジウム錯体溶液１３の流動に影響されることなく，
該端部１２，１２’におけるパラジウム膜１３’との接
続性を確保すると同時に，該端部１２，１２’間のパラ
ジウム膜１３’の膜厚分布を一様なものとすることがで
き，結果として信頼性の高い断線修正が実現する。
【００２６】その後更に，図示しないノズルにより窒素
等の不活性ガスを配線接続部に吹き付けつつ，Ａｒレー
ザ光を再度パラジウム膜に照射してアニールを行う。こ
の時のレーザ照射サイズと強度及び走査速度はパラジウ
ム膜を析出させた場合と同等の条件でよい。また，レー
ザの照射方法は析出したパラジウム膜の片側から走査を
開始し，該析出膜全体に順次レーザを照射する。このア
ニール照射によって，錯体の分解が不充分であった部分
を再加熱してパラジウムの析出を完全なものとすると共
に，パラジウム膜１３’の酸化が還元され，析出したパ
ラジウム膜の電気的特性を向上させることができる。
等の不活性ガスを配線接続部に吹き付けつつ，Ａｒレー
ザ光を再度パラジウム膜に照射してアニールを行う。こ
の時のレーザ照射サイズと強度及び走査速度はパラジウ
ム膜を析出させた場合と同等の条件でよい。また，レー
ザの照射方法は析出したパラジウム膜の片側から走査を
開始し，該析出膜全体に順次レーザを照射する。このア
ニール照射によって，錯体の分解が不充分であった部分
を再加熱してパラジウムの析出を完全なものとすると共
に，パラジウム膜１３’の酸化が還元され，析出したパ
ラジウム膜の電気的特性を向上させることができる。
【００２７】以上の方法により，平均膜厚２５０〜３５
０Å，比抵抗１００〜２００μΩ・ｃｍの良好なパラジ
ウム膜が析出し，その結果断線部を１００〜２００Ωの
接続抵抗で電気的に良好に接続可能となる。
０Å，比抵抗１００〜２００μΩ・ｃｍの良好なパラジ
ウム膜が析出し，その結果断線部を１００〜２００Ωの
接続抵抗で電気的に良好に接続可能となる。
【００２８】尚，これまで配線断線部に供給する液体材
料について，トリフロロ酢酸パラジウム溶液を例にして
説明してきたがそれに限定されるわけではなく，その他
の材料として，ペンタフロロプロピオン酸パラジウム錯
体をはじめ，Ａｕ，Ｐｔ等の金属錯体をアセトニトリ
ル，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，トルエン，キシレ
ン，アルコール等の有機溶媒に溶解させた金属錯体溶液
を使用することが可能である。また，配線の断線部に供
給した液体材料を加熱する手段については，Ａｒレーザ
の４８８ｎｍ，５１４．５ｎｍ光の他，連続励起ＹＡＧ
レーザの基本波（１０６４ｎｍ），第２高調波（５３２
ｎｍ），及びＣＯ2レーザ（１０．６μｍ）が使用でき
る。更に，アニール照射時に供給する不活性ガスについ
ても，窒素のみに限定されず，アルゴン，ヘリウム，キ
セノン，ネオン等の不活性ガスが適用可能である。
料について，トリフロロ酢酸パラジウム溶液を例にして
説明してきたがそれに限定されるわけではなく，その他
の材料として，ペンタフロロプロピオン酸パラジウム錯
体をはじめ，Ａｕ，Ｐｔ等の金属錯体をアセトニトリ
ル，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，トルエン，キシレ
ン，アルコール等の有機溶媒に溶解させた金属錯体溶液
を使用することが可能である。また，配線の断線部に供
給した液体材料を加熱する手段については，Ａｒレーザ
の４８８ｎｍ，５１４．５ｎｍ光の他，連続励起ＹＡＧ
レーザの基本波（１０６４ｎｍ），第２高調波（５３２
ｎｍ），及びＣＯ2レーザ（１０．６μｍ）が使用でき
る。更に，アニール照射時に供給する不活性ガスについ
ても，窒素のみに限定されず，アルゴン，ヘリウム，キ
セノン，ネオン等の不活性ガスが適用可能である。
【００２９】次に，上記配線の断線修正を行うに好適な
装置の実施例を図３に示し，電子回路基板上の断線欠陥
部を修正する動作について説明する。
装置の実施例を図３に示し，電子回路基板上の断線欠陥
部を修正する動作について説明する。
【００３０】本装置は，ＴＦＴ基板３０２を搭載してそ
の位置決めを行うステージ３０１と，ＴＦＴ基板３０２
をステージ３０１上に搭載ないしはステージ３０１上か
ら格納するためのローダ・アンローダ３０３と，ＴＦＴ
基板３０２表面を観察するための対物レンズ３０４及び
結像レンズ３０５及びＣＣＤカメラ３０６と，画像処理
装置３０７と，モニタ３０８と，照明光源３０９と，ハ
ーフミラー３１０，３１１と，Ａｒレーザ発振器３１２
と，レーザ反射ミラー３１３と，レーザ光を所望の形状
・寸法に成形するためのスリット３１４と，レーザ光の
ＣＣＤカメラ３０６への入射を防止するレーザカットフ
ィルタ３１５と，モニタ３０８上でレーザの照射位置を
参照するための参照光源３１６と，内部に配線接続用の
液体材料を充填したガラスピペット３１７と，ガラスピ
ペット３１７を保持しその位置決めを行うマニピュレー
タ３１８と，ガラスピペット３１７内部に窒素ガスをパ
ルス状に供給するための窒素パルス発生装置３１９及び
テフロンチューブ３２０と，ＴＦＴ基板３０２上に不活
性ガスを吹き付けるためのノズル３２１によって構成さ
れている。ここで対物レンズ３０４は，倍率２０倍と１
００倍の２種類のものを図示しないレボルバ（交換機
構）に装着した構成とする。また，ステージ３０１，ロ
ーダ・アンローダ３０３，画像処理装置３０７，Ａｒレ
ーザ発振器３１２，及び図示しない対物レンズのレボル
バは図示しないコントローラによってその動作が制御さ
れている。
の位置決めを行うステージ３０１と，ＴＦＴ基板３０２
をステージ３０１上に搭載ないしはステージ３０１上か
ら格納するためのローダ・アンローダ３０３と，ＴＦＴ
基板３０２表面を観察するための対物レンズ３０４及び
結像レンズ３０５及びＣＣＤカメラ３０６と，画像処理
装置３０７と，モニタ３０８と，照明光源３０９と，ハ
ーフミラー３１０，３１１と，Ａｒレーザ発振器３１２
と，レーザ反射ミラー３１３と，レーザ光を所望の形状
・寸法に成形するためのスリット３１４と，レーザ光の
ＣＣＤカメラ３０６への入射を防止するレーザカットフ
ィルタ３１５と，モニタ３０８上でレーザの照射位置を
参照するための参照光源３１６と，内部に配線接続用の
液体材料を充填したガラスピペット３１７と，ガラスピ
ペット３１７を保持しその位置決めを行うマニピュレー
タ３１８と，ガラスピペット３１７内部に窒素ガスをパ
ルス状に供給するための窒素パルス発生装置３１９及び
テフロンチューブ３２０と，ＴＦＴ基板３０２上に不活
性ガスを吹き付けるためのノズル３２１によって構成さ
れている。ここで対物レンズ３０４は，倍率２０倍と１
００倍の２種類のものを図示しないレボルバ（交換機
構）に装着した構成とする。また，ステージ３０１，ロ
ーダ・アンローダ３０３，画像処理装置３０７，Ａｒレ
ーザ発振器３１２，及び図示しない対物レンズのレボル
バは図示しないコントローラによってその動作が制御さ
れている。
【００３１】はじめにＴＦＴ基板の製造工程では，全て
の製品に対して回路特性検査が行われ，回路配線に断線
欠陥を有する基板が選別され工程から抜き取られる。そ
して抜き取られた基板は，十枚程度の単位で断線修正装
置のローダ・アンローダ３０３に格納されると共に，検
査装置からの検査情報（各基板上での欠陥位置情報）が
図示しないコントローラに入力される。
の製品に対して回路特性検査が行われ，回路配線に断線
欠陥を有する基板が選別され工程から抜き取られる。そ
して抜き取られた基板は，十枚程度の単位で断線修正装
置のローダ・アンローダ３０３に格納されると共に，検
査装置からの検査情報（各基板上での欠陥位置情報）が
図示しないコントローラに入力される。
【００３２】図示しないコントローラは，ローダ・アン
ローダ３０３からＴＦＴ基板３０２をステージ３０１上
に搭載した後，画像処理装置３０７のオートフォーカス
機能により，ステージ３０１を上下に駆動してＴＦＴ基
板３０２表面に焦点を合わせる。これによりＴＦＴ基板
３０２表面がモニタ３０８上で拡大して観察される。こ
の時の観察倍率は，対物レンズ３０４を２０倍とし，モ
ニタ３０８上での拡大倍率が７００倍程度となることが
望ましい。
ローダ３０３からＴＦＴ基板３０２をステージ３０１上
に搭載した後，画像処理装置３０７のオートフォーカス
機能により，ステージ３０１を上下に駆動してＴＦＴ基
板３０２表面に焦点を合わせる。これによりＴＦＴ基板
３０２表面がモニタ３０８上で拡大して観察される。こ
の時の観察倍率は，対物レンズ３０４を２０倍とし，モ
ニタ３０８上での拡大倍率が７００倍程度となることが
望ましい。
【００３３】しかる後，図示しないコントローラに入力
された検査情報に基き，モニタ３０８の視野内に断線欠
陥が現れる位置にステージ３０１を移動する。その後作
業者は，モニタ３０８を観察しながらステージ３０１の
微調整を行い，マニピュレータ３１８を駆動してピペッ
ト３１７先端をモニタ３０３の視野内に位置合せする。
そして更にピペット３１７先端をＴＦＴ基板３０２表面
に接触させ，窒素パルス発生装置３１９のトリガスイッ
チにより，ピペット３１７内部に窒素パルスを供給す
る。しかるにピペット３１７先端から液体材料が吐出
し，ＴＦＴ基板３０２上の断線部に微量供給される。こ
の様に作業者は，モニタ３０８を観察しながらマニピュ
レータ３１８と窒素パルス発生装置３１９を用いて，断
線部に液体材料を高精度に供給する。その後作業者は，
マニピュレータ３１８を駆動してピペット２１７先端を
ステージ３０１上から退避させる。
された検査情報に基き，モニタ３０８の視野内に断線欠
陥が現れる位置にステージ３０１を移動する。その後作
業者は，モニタ３０８を観察しながらステージ３０１の
微調整を行い，マニピュレータ３１８を駆動してピペッ
ト３１７先端をモニタ３０３の視野内に位置合せする。
そして更にピペット３１７先端をＴＦＴ基板３０２表面
に接触させ，窒素パルス発生装置３１９のトリガスイッ
チにより，ピペット３１７内部に窒素パルスを供給す
る。しかるにピペット３１７先端から液体材料が吐出
し，ＴＦＴ基板３０２上の断線部に微量供給される。こ
の様に作業者は，モニタ３０８を観察しながらマニピュ
レータ３１８と窒素パルス発生装置３１９を用いて，断
線部に液体材料を高精度に供給する。その後作業者は，
マニピュレータ３１８を駆動してピペット２１７先端を
ステージ３０１上から退避させる。
【００３４】次に，上記で供給した液体材料にレーザを
照射する。図示しないコントローラは，図示しないレボ
ルバを回転させて対物レンズ３０４の倍率を１００倍と
し，画像処理装置３０７のオートフォーカス機能によ
り，ステージ３０１を上下に駆動してＴＦＴ基板３０２
表面に焦点を合わせる。その後作業者は，モニタ３０８
上でのレーザ照射開始位置及び終了位置を入力し，レー
ザ照射をスタートさせる。レーザ光はスリット３１４で
φ３ｍｍに成形されて対物レンズ３０４に入射し，その
結果ＴＦＴ基板３０２上にφ３０μｍの大きさで投影さ
れる。ここでのレーザ発振器３１２の出力は，レーザ照
射面でのパワーが５ＫＷ／ｃｍ2となる様，予め設定さ
れているものとする。また，レーザの照射開始と同時
に，ステージ３０１を３０μｍ／ｍｉｎの速度で移動さ
せることで，ＴＦＴ基板３０２に対して相対的にレーザ
を走査する。以上により，ＴＦＴ基板３０２上に供給し
た液体材料を加熱し，断線部に金属膜を析出させる。更
にその後，先にモニタ３０８の画面上で入力したレーザ
の照射開始位置及び終了位置の情報に基き，同様のレー
ザ条件とステージ３０１の移動条件で，レーザを再度照
射しアニールを行う。この時，ノズル３２１から窒素ガ
スを５ｌ／ｍｉｎの条件でレーザ照射部に吹き付けるこ
とで，析出した金属膜の酸化を還元することができる。
以上により，ＴＦＴ基板３０２上の配線断線部の修正が
終了する。
照射する。図示しないコントローラは，図示しないレボ
ルバを回転させて対物レンズ３０４の倍率を１００倍と
し，画像処理装置３０７のオートフォーカス機能によ
り，ステージ３０１を上下に駆動してＴＦＴ基板３０２
表面に焦点を合わせる。その後作業者は，モニタ３０８
上でのレーザ照射開始位置及び終了位置を入力し，レー
ザ照射をスタートさせる。レーザ光はスリット３１４で
φ３ｍｍに成形されて対物レンズ３０４に入射し，その
結果ＴＦＴ基板３０２上にφ３０μｍの大きさで投影さ
れる。ここでのレーザ発振器３１２の出力は，レーザ照
射面でのパワーが５ＫＷ／ｃｍ2となる様，予め設定さ
れているものとする。また，レーザの照射開始と同時
に，ステージ３０１を３０μｍ／ｍｉｎの速度で移動さ
せることで，ＴＦＴ基板３０２に対して相対的にレーザ
を走査する。以上により，ＴＦＴ基板３０２上に供給し
た液体材料を加熱し，断線部に金属膜を析出させる。更
にその後，先にモニタ３０８の画面上で入力したレーザ
の照射開始位置及び終了位置の情報に基き，同様のレー
ザ条件とステージ３０１の移動条件で，レーザを再度照
射しアニールを行う。この時，ノズル３２１から窒素ガ
スを５ｌ／ｍｉｎの条件でレーザ照射部に吹き付けるこ
とで，析出した金属膜の酸化を還元することができる。
以上により，ＴＦＴ基板３０２上の配線断線部の修正が
終了する。
【００３５】最後にステージ３０１上のＴＦＴ基板３０
２をローダ・アンローダ３０３に格納する。これまでの
動作を繰返し，全てのＴＦＴ基板の修正が終了すると，
それらはＴＦＴ製造工程に再投入される。
２をローダ・アンローダ３０３に格納する。これまでの
動作を繰返し，全てのＴＦＴ基板の修正が終了すると，
それらはＴＦＴ製造工程に再投入される。
【００３６】以上本発明により，配線断線部において断
線端部と析出金属膜との接続性を良好とすることが可能
となり，接続した断線部の信頼性が向上する効果があ
る。
線端部と析出金属膜との接続性を良好とすることが可能
となり，接続した断線部の信頼性が向上する効果があ
る。
【００３７】また本発明によれば，断線端部と析出金属
膜との接続性を確保するために，配線の下地膜（絶縁
膜）に溝パターンを形成する等の処理を必要としないた
め，絶縁膜を加工するための紫外線レーザを必要とせ
ず，安価に欠陥を修正することができるとともに，修正
に要する時間を短縮する効果がある。
膜との接続性を確保するために，配線の下地膜（絶縁
膜）に溝パターンを形成する等の処理を必要としないた
め，絶縁膜を加工するための紫外線レーザを必要とせ
ず，安価に欠陥を修正することができるとともに，修正
に要する時間を短縮する効果がある。
【００３８】最後に，本発明により電子回路基板上の配
線断線部を修正するための第２の実施例を図４に示す。
尚，図４（ａ）〜（ｃ）では平面図と断面図とを同時に
示す。また，本実施例では第１の実施例と同様に，ＴＦ
Ｔ基板上の配線断線部にトリフロロ酢酸パラジウム錯体
をアセトニトリル及びＮ−メチル−２−ピロリドンの有
機溶剤の混合液に，重量比３５：３２．５：３２．５の
割合で溶解させた溶液を熱処理によって先端の内径をφ
１〜２μｍに成形した硬質ガラス製のマイクロピペット
を使用して供給するものとする。
線断線部を修正するための第２の実施例を図４に示す。
尚，図４（ａ）〜（ｃ）では平面図と断面図とを同時に
示す。また，本実施例では第１の実施例と同様に，ＴＦ
Ｔ基板上の配線断線部にトリフロロ酢酸パラジウム錯体
をアセトニトリル及びＮ−メチル−２−ピロリドンの有
機溶剤の混合液に，重量比３５：３２．５：３２．５の
割合で溶解させた溶液を熱処理によって先端の内径をφ
１〜２μｍに成形した硬質ガラス製のマイクロピペット
を使用して供給するものとする。
【００３９】図４（ａ）は，ＳｉＮ絶縁膜４１上に形成
されたＡｌからなる幅１５μｍ，厚さ２０００Åの配線
に，配線の端部４２，４２’間で配線パターンが約５０
μｍ欠落した断線欠陥上に，上記マイクロピペットを用
いてパラジウム錯体溶液４３を局所供給した状態を示し
ている。
されたＡｌからなる幅１５μｍ，厚さ２０００Åの配線
に，配線の端部４２，４２’間で配線パターンが約５０
μｍ欠落した断線欠陥上に，上記マイクロピペットを用
いてパラジウム錯体溶液４３を局所供給した状態を示し
ている。
【００４０】そして図４（ｂ）に示す如く，すくなくと
もパラジウム錯体溶液４３の供給領域よりも大きいサイ
ズに成形したＡｒレーザ光４４を配線上のレーザ照射領
域４４’に照射する。本実施例では，Ａｒレーザの照射
サイズ（レーザ照射領域４４’）を３０×１００μｍと
し，レーザ照射パワーを４．０〜１０．０ＫＷ／ｃｍ2
に設定した。そしてこのＡｒレーザ光４４をレーザ照射
領域４４’に１〜６０ｓ間照射することにより，断線端
部４２，４２’及び断線部に供給されたパラジウム錯体
溶液４３を均一に加熱する。その結果，図４（ｃ）の如
く，パラジウム錯体溶液４３に含まれる有機溶媒が蒸発
し更に錯体が分解され，断線端部４２，４２’間にパラ
ジウム膜４３’が析出する。尚，パラジウム錯体溶液４
３が加熱されパラジウム膜４３’が析出する際，極めて
大きな体積収縮が発生するが，供給したパラジウム錯体
溶液４３に一括してＡｒレーザ光４４を照射することで
該溶液４３の流動が抑制され，断線端部４２，４２’で
のパラジウム膜４３’との接続性に影響を与えることは
ない。
もパラジウム錯体溶液４３の供給領域よりも大きいサイ
ズに成形したＡｒレーザ光４４を配線上のレーザ照射領
域４４’に照射する。本実施例では，Ａｒレーザの照射
サイズ（レーザ照射領域４４’）を３０×１００μｍと
し，レーザ照射パワーを４．０〜１０．０ＫＷ／ｃｍ2
に設定した。そしてこのＡｒレーザ光４４をレーザ照射
領域４４’に１〜６０ｓ間照射することにより，断線端
部４２，４２’及び断線部に供給されたパラジウム錯体
溶液４３を均一に加熱する。その結果，図４（ｃ）の如
く，パラジウム錯体溶液４３に含まれる有機溶媒が蒸発
し更に錯体が分解され，断線端部４２，４２’間にパラ
ジウム膜４３’が析出する。尚，パラジウム錯体溶液４
３が加熱されパラジウム膜４３’が析出する際，極めて
大きな体積収縮が発生するが，供給したパラジウム錯体
溶液４３に一括してＡｒレーザ光４４を照射することで
該溶液４３の流動が抑制され，断線端部４２，４２’で
のパラジウム膜４３’との接続性に影響を与えることは
ない。
【００４１】以上により，断線端部４２，４２’におけ
るパラジウム膜４３’との接続性を確保すると同時に，
該端部４２，４２’間のパラジウム膜４３’の膜厚分布
を一様なものとすることができ，結果として信頼性の高
い断線修正が実現する。
るパラジウム膜４３’との接続性を確保すると同時に，
該端部４２，４２’間のパラジウム膜４３’の膜厚分布
を一様なものとすることができ，結果として信頼性の高
い断線修正が実現する。
【００４２】その後更に，図示しないノズルにより窒素
等の不活性ガスを配線接続部に吹き付けつつ，Ａｒレー
ザ光を再度パラジウム膜に照射してアニールを行う。こ
の時のレーザ照射サイズと強度はパラジウム膜を析出さ
せた場合と同等の条件でよい。このアニール照射によっ
て，錯体の分解が不充分であった部分を再加熱してパラ
ジウムの析出を完全なものとすると共に，パラジウム膜
４３’の酸化が還元され，析出したパラジウム膜の電気
的特性を向上させることができる。
等の不活性ガスを配線接続部に吹き付けつつ，Ａｒレー
ザ光を再度パラジウム膜に照射してアニールを行う。こ
の時のレーザ照射サイズと強度はパラジウム膜を析出さ
せた場合と同等の条件でよい。このアニール照射によっ
て，錯体の分解が不充分であった部分を再加熱してパラ
ジウムの析出を完全なものとすると共に，パラジウム膜
４３’の酸化が還元され，析出したパラジウム膜の電気
的特性を向上させることができる。
【００４３】以上の方法により，平均膜厚２５０〜３５
０Å，比抵抗１００〜２００μΩ・ｃｍの良好なパラジ
ウム膜が析出し，その結果断線部を１００〜２００Ωの
接続抵抗で電気的に良好に接続可能となる。
０Å，比抵抗１００〜２００μΩ・ｃｍの良好なパラジ
ウム膜が析出し，その結果断線部を１００〜２００Ωの
接続抵抗で電気的に良好に接続可能となる。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば，電子回路基板上の配線
断線部に局所的に断線修正用液体材料を供給した後，両
断線端部に順次レーザ光を照射して該断線端部とその近
傍の液体材料を加熱すると共にレーザ光を走査して該断
線端部間に金属膜を析出させることにより，断線端部間
の析出金属膜の膜厚分布を一様なものとすることで両断
線端部での析出金属との接続性を良好とすることが可能
となり，接続部の信頼性を向上させる効果がある。
断線部に局所的に断線修正用液体材料を供給した後，両
断線端部に順次レーザ光を照射して該断線端部とその近
傍の液体材料を加熱すると共にレーザ光を走査して該断
線端部間に金属膜を析出させることにより，断線端部間
の析出金属膜の膜厚分布を一様なものとすることで両断
線端部での析出金属との接続性を良好とすることが可能
となり，接続部の信頼性を向上させる効果がある。
【００４５】また，電子回路基板上の配線断線部に局所
的に断線修正用液体材料を供給した後，少なくとも該液
体材料の供給領域よりも大きいサイズに成形したレーザ
光を該液体材料に一括して照射することにより，断線端
部間の析出金属膜の膜厚分布を一様なものとすることで
両断線端部での析出金属との接続性を良好とすることが
可能となり，接続部の信頼性を向上させる効果がある。
的に断線修正用液体材料を供給した後，少なくとも該液
体材料の供給領域よりも大きいサイズに成形したレーザ
光を該液体材料に一括して照射することにより，断線端
部間の析出金属膜の膜厚分布を一様なものとすることで
両断線端部での析出金属との接続性を良好とすることが
可能となり，接続部の信頼性を向上させる効果がある。
【００４６】また，配線断線部に供給した液体材料にレ
ーザを照射して金属膜を析出させた後，不活性ガス雰囲
気で再度レーザを照射することで，析出した金属膜の電
気的特性を向上させる効果がある。
ーザを照射して金属膜を析出させた後，不活性ガス雰囲
気で再度レーザを照射することで，析出した金属膜の電
気的特性を向上させる効果がある。
【００４７】更に，本発明による方法で電子回路基板の
修正を行った場合，製品歩留まりを大幅に向上させると
共に，製品コストを低下させる効果がある。
修正を行った場合，製品歩留まりを大幅に向上させると
共に，製品コストを低下させる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例である断線欠陥の修正方
法を示す平面図及び断面図
法を示す平面図及び断面図
【図２】従来技術による断線欠陥の修正方法を示す平面
図及び断面図
図及び断面図
【図３】本発明を実施するための装置の構成図
【図４】本発明の第２の実施例である断線欠陥の修正方
法を示す平面図及び断面図
法を示す平面図及び断面図
１１・・・・ＳｉＮ絶縁膜 １２，１２’・・・・断線端部，１
３・・・・トリフロロ酢酸パラジウム溶液 １３’・・・・パラ
ジウム膜 １４・・・・Ａｒレーザ光 １４’・・・・レーザ照射領域
３・・・・トリフロロ酢酸パラジウム溶液 １３’・・・・パラ
ジウム膜 １４・・・・Ａｒレーザ光 １４’・・・・レーザ照射領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/538 // Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０５Ｋ 3/22 Ａ 7511−4Ｅ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２ Ａ (72)発明者 奥中 正昭 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 松崎 英夫 千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製 作所電子デバイス事業部内
Claims (7)
- 【請求項１】電子回路基板上の配線断線部に液体材料を
供給し，該液体材料にレーザ光を照射して加熱し導電性
膜とすることで該配線断線部を電気的に接続する電子回
路基板の配線修正方法において，配線断線部に該液体材
料を局所供給した後，一方の断線端部にレーザ光を照射
して該断線端部とその近傍の該液体材料を加熱して導電
性膜を析出させた時点でレーザ光の照射を一旦停止し，
再度他方の断線端部からレーザ光を照射しつつレーザ光
と電子回路基板を相対的に移動して断線端部間に導電性
膜を析出させることにより，両断線端部間における析出
した導電性膜の膜厚分布を一様として，両断線端部と導
電性膜との接続性を向上させることを特徴とする電子回
路基板の配線修正方法。 - 【請求項２】電子回路基板上の配線断線部に液体材料を
供給し，該液体材料にレーザ光を照射して加熱し導電性
膜とすることで該配線断線部を電気的に接続する電子回
路基板の配線修正方法において，配線断線部に該液体材
料を局所供給した後，少なくとも該液体材料の供給領域
よりも大きいサイズに成形したレーザ光を該液体材料に
一括して照射することにより断線端部間に導電性膜を析
出させることで，両断線端部間における析出した導電性
膜の膜厚分布を一様として，両断線端部と導電性膜との
接続性を向上させることを特徴とする電子回路基板の配
線修正方法。 - 【請求項３】電子回路基板上の配線断線部に液体材料を
供給し，該液体材料にレーザ光を照射して加熱し導電性
膜とすることで該配線断線部を電気的に接続する電子回
路基板の配線修正方法において，配線断線部に液体材料
を供給し，該液体材料を加熱して導電性膜とした後，不
活性ガス雰囲気で再度該導電性膜を加熱することによ
り，該導電性膜の電気的特性を向上させることを特徴と
する電子回路基板の配線修正方法。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項ないし第３項のいず
れかに記載の電子回路基板の配線修正方法において，供
給する液体材料として，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択され
る金属錯体を含む溶液を使用することを特徴とする電子
回路基板の配線修正方法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第１項ないし第３項のいず
れかに記載の電子回路基板の配線修正方法において，供
給する液体材料として，トリフロロ酢酸パラジウム（Ｐ
ｄ（ＣＦ3ＣＯＯ）2）を有機溶媒に溶解させた溶液を使
用することを特徴とする電子回路基板の配線修正方法。 - 【請求項６】配線断線部を導電性膜により再接続するこ
とで修正した電子回路基板であり，断線端部近傍に析出
した導電性膜の膜厚が，断線端部間に析出した導電性膜
の膜厚よりも大であることを特徴とする電子回路基板。 - 【請求項７】電子回路基板を保持しその位置決めを行う
機構と，液体材料を充填したピペットを保持しその位置
決めを行う機構と，ピペット内部に不活性ガスを供給す
る手段と，電子回路基板表面を観察する手段と，電子回
路基板上にレーザ光を照射する手段と，電子回路基板上
のレーザ光の照射領域に不活性ガスを供給する手段から
構成される事を特徴とする，電子回路基板の配線修正装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01227895A JP3414024B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 電子回路基板の配線修正方法 |
| KR1019950058347A KR100213603B1 (ko) | 1994-12-28 | 1995-12-27 | 전자회로기판의 배선수정방법 및 그 장치와 전자회로기판 |
| US08/580,531 US5883437A (en) | 1994-12-28 | 1995-12-28 | Method and apparatus for inspection and correction of wiring of electronic circuit and for manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01227895A JP3414024B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 電子回路基板の配線修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203898A true JPH08203898A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3414024B2 JP3414024B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=11800905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01227895A Expired - Lifetime JP3414024B2 (ja) | 1994-12-28 | 1995-01-30 | 電子回路基板の配線修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3414024B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10177844A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Hitachi Ltd | 平面ディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| US6924651B2 (en) | 2001-08-08 | 2005-08-02 | Renesas Technology Corp. | Printed board inspecting apparatus |
| JP2006013343A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | V Technology Co Ltd | パターン修正装置 |
| JP2007142453A (ja) * | 2007-01-25 | 2007-06-07 | Renesas Technology Corp | 半導体デバイスの断面観察方法及び断面観察装置 |
| JP2009516396A (ja) * | 2005-12-28 | 2009-04-16 | インテル・コーポレーション | レーザ支援メタライゼーションおよび基板パターニングを利用するプリント回路基板のための方法および装置 |
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| JP2009251120A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Ntn Corp | パターン修正方法およびパターン部品 |
| WO2012117656A1 (ja) | 2011-03-02 | 2012-09-07 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 |
| JP2013105077A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Ntn Corp | 欠陥修正方法、欠陥修正装置、および、プログラム |
| WO2016072010A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | 富士機械製造株式会社 | 配線形成方法および回路基板 |
| CN110828374A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-02-21 | 广东工业大学 | 一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法及装置 |
-
1995
- 1995-01-30 JP JP01227895A patent/JP3414024B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
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| WO2012117656A1 (ja) | 2011-03-02 | 2012-09-07 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 |
| US8587002B2 (en) | 2011-03-02 | 2013-11-19 | Panasonic Corporation | Organic EL panel and method of manufacturing the same |
| JP2013105077A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Ntn Corp | 欠陥修正方法、欠陥修正装置、および、プログラム |
| WO2016072010A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | 富士機械製造株式会社 | 配線形成方法および回路基板 |
| JPWO2016072010A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2017-08-17 | 富士機械製造株式会社 | 配線形成方法および回路基板 |
| US10212823B2 (en) | 2014-11-07 | 2019-02-19 | Fuji Corporation | Wiring forming method and circuit board |
| CN110828374A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-02-21 | 广东工业大学 | 一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法及装置 |
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|---|---|
| JP3414024B2 (ja) | 2003-06-09 |
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