JPWO2016052246A1 - 電子ビーム蒸着装置および薄膜作製方法 - Google Patents

Abstract

電子ビーム蒸着装置（１００）は、蒸着材料を充填するための坩堝（１４）と、蒸着材料に入射する電子ビーム（２０）を生成するための電子銃（１６）と、磁界発生部（３０）と、磁気遮蔽体（４０）とを備える。磁界発生部（３０）は、蒸着材料で反射した反射電子を偏向させるための第１の磁界（Ｂ１）を発生する。磁気遮蔽体（４０）は、第１の磁界（Ｂ１）が電子ビーム（２０）の軌道に影響を及ぼさないように、第１の磁界（Ｂ１）を遮蔽する。

Description

この発明は、電子ビーム蒸着装置およびそれを用いた薄膜作製方法に関する。

電子ビーム蒸着装置では、坩堝内に入射した電子ビームの全部が蒸着材料の加熱に用いられるのではなく、電子ビームの一部は蒸着材料の表面で反射する。この反射電子が成膜用基板に入射すると、基板表面に損傷を与える可能性がある。

このような理由による基板表面の損傷を防止するために、成膜用基板の表面に対して平行方向に磁界を印加する方法がしばしば用いられる（たとえば、特開平７−２１１６４１号公報（特許文献１）参照）。基板平行方向の磁界によって反射電子が偏向されるために、成膜用基板への反射電子の入射を防止することができる。

特開平７−２１１６４１号公報

ところで、成膜速度を上げるためには、薄膜形成用基板を坩堝に接近させる必要がある。しかしながら、上記文献の装置構成において成膜用基板と坩堝を接近させると、反射電子を遮蔽するための磁界が、坩堝へ入射する電子ビームに影響を与えるようになり、電子ビームを精度良く坩堝に導くのが困難になるという問題が生じる。

この発明は、上記の問題点を考慮してなされたものであり、その主な目的は、坩堝と成膜対象物とを比較的接近させた場合でも、電子ビームを精度良く坩堝内に導くことが可能であるとともに、成膜対象物への反射電子の入射を防止することが可能な電子ビーム蒸着装置を提供することである。

この発明による電子ビーム蒸着装置は、蒸着材料を充填するための坩堝と、蒸発した蒸着材料を堆積させるための成膜対象物を保持する保持部と、蒸着材料に入射する電子ビームを生成するための電子銃と、第１の磁界発生部と、磁気遮蔽体とを備える。第１の磁界発生部は、蒸着材料で反射した反射電子を偏向させるための第１の磁界を発生する。磁気遮蔽体は、第１の磁界が電子ビームの軌道に影響を及ぼさないように、第１の磁界を遮蔽する。

上記構成によれば、第１の磁界発生部が発生する第１の磁界によって反射電子を偏向させることができるので、成膜対象物への反射電子の入射を防止することができる。さらに、磁気遮蔽体によって上記の第１の磁界を遮蔽するので、電子ビームを精度良く坩堝内に導くことが可能である。

好ましくは、磁気遮蔽体は、坩堝の上方かつ第１の磁界発生部の下方に設けられる。好ましくは、坩堝の真上から見て、第１の磁界発生部は電子ビームの入射方向と反対側に設けられる。好ましくは、坩堝の真上から見て、磁気遮蔽体は電子ビームの入射方向と反対側に設けられる。

上記の磁気遮蔽体および第１の磁界発生部の配置によって、反射電子を効率良く偏向させるとともに、第１の磁界発生部が発生する第１の磁界を効率良く遮蔽することができる。

好ましくは、第１の磁界発生部は、水平方向に対向する第１および第２の永久磁石と、ヨークとを含む。ヨークは、第１の永久磁石の第２の永久磁石に対する対向面の反対側と、第２の永久磁石の第１の永久磁石に対する対向面の反対側とを接続する。好ましくは、上記の第１および第２の永久磁石は、成膜対象物よりも下方に設けられる。さらに好ましくは、第１の磁界発生部が設けられていない場合に、所定の閾値密度以上の反射電子が観測される範囲のうちで最大の仰角で飛来する反射電子の軌道と、第１および第２の永久磁石間を結ぶ直線とが交差するように、上記の第１および第２の永久磁石が配置される。

上記の第１の磁界発生部の構成によって、反射電子を偏向させるための第１の磁界を効率良く発生させることができる。

好ましくは、磁気遮蔽体は板状である。坩堝の真上から見て、板状の磁気遮蔽体の坩堝に近接する側の端部は円弧状に凹んだ形状を有する。さらに好ましくは、電子ビーム蒸着装置は、成膜中に保持部を回転させるための回転部をさらに備える。この場合、磁気遮蔽体は、保持部のうち坩堝に対向する面と坩堝の開口の中心とを結ぶ仮想錐体に近接して設けられる。

上記の磁気遮蔽体の形状および配置によって、坩堝から成膜対象物に向かって放出される蒸着物質をできるだけ遮蔽しないようにすることができる。

好ましくは、電子ビーム蒸着装置は、電子ビームの軌道を制御するための第２の磁界を発生する第２の磁界発生部をさらに備える。磁気遮蔽体は、第１の磁界発生部から下方に向かって第１の磁界の強度に応じた第１の距離以上離れ、かつ、坩堝から上方に向かって第２の磁界の強度に応じた第２の距離以上離れた高さ範囲に配置される。さらに好ましくは、磁気遮蔽体は、上記の高さ範囲の最下端に配置される。

上記の磁気遮蔽体の配置によって、第１の磁界発生部が発生する第１の磁界および第２の磁界発生部が発生する第２の磁界をできるだけ弱めないようにすることができる。第２の磁界に対する磁気遮蔽体からの第１の磁界の漏れ磁界の比は、０．０５以下であるのが望ましい。

この発明は他の局面において、上記の電子ビーム蒸着装置を用いて薄膜を形成する薄膜作製方法である。

この発明によれば、坩堝と成膜対象物とを比較的接近させた場合でも、電子ビームを精度良く坩堝内に導くことが可能であるとともに、成膜対象物への反射電子の入射を防止することが可能な電子ビーム蒸着装置を提供することができる。

実施の一形態による電子ビーム蒸着装置の構成を模式的に示す図である。 図１の真空容器内部の斜視図である。 図１の真空容器内部の上面図である。 反射電子偏向用の第１の磁界発生部に設けられたヨークの機能について説明するための図である。 磁気遮蔽体の配置についてさらに詳細に説明するための図である。 反射電子偏向用の第１の磁界発生部の配置について説明するための図である。 薄膜作製方法の手順を示すフローチャートである。

以下、実施の一形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して、その説明を繰返さない。

［電子ビーム蒸着装置の構成］
図１は、実施の一形態による電子ビーム蒸着装置１００の構成を模式的に示す図である。図２は、図１の真空容器内部の斜視図である。図３は、図１の真空容器内部の上面図である。図１において断面部分にはハッチングを付している。図３では、ホルダー６を破線で示し、ホルダー６よりも下部の配置が示されている。

図１〜図３において、電子ビーム蒸着装置１００の左右方向をＸ軸方向とし、前後方向をＹ軸方向とし、上下方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向であり、Ｚ軸方向は鉛直方向である。Ｘ軸方向の左右を区別する場合には、＋Ｘ方向および−Ｘ方向のように符号を付して区別する。Ｙ軸方向およびＺ軸方向についても同様である。

図１〜図３を参照して、電子ビーム蒸着装置１００は、真空容器２と、その内部に設けられたホルダー（保持部）６、坩堝１４、電子銃１６、第１の磁界発生部３０、および磁気遮蔽体４０と、真空ポンプ２４と、モータ１０と、制御部２６とを含む。

真空容器２には、使用者の作業用に前扉４が設けられている。また、成膜中に真空容器２の内部を観察するために、前扉４には図示しない窓部が設けられている。真空容器２の内部は、排気管２２を介して真空ポンプ２４によって排気可能である。

ホルダー６はドーム状の形状を有し、坩堝１４の開口に対向する対向面（ホルダー６の下面）には成膜対象物として基板等が取り付けられる。ホルダー６は、その上部に結合された回転軸８を介してモータ１０と接続される。モータ１０によって回転軸８を駆動することによって、成膜中にホルダー６を回転させる。

坩堝１４は、真空容器２の下部に設けられたテーブル１２の中央部に取り付けられる。坩堝１４の内部に蒸着材料が充填される。電子ビーム蒸着では、蒸着材料が電子ビームによって加熱されることによって蒸発し、蒸発した蒸着材料が成膜対象物の表面に堆積することによって薄膜が形成される。

電子銃１６は、テーブル１２の下方に設けられる。図１の場合、電子銃１６から射出された電子ビーム２０は、電子銃１６の第２の磁界発生部（不図示）が生成する＋Ｙ方向の第２の磁界Ｂ２によって中心角２７０°の円弧状の軌道を描いて坩堝１４に到達する。テーブル１２には電子ビーム２０が通過する開口１８が形成されている。

坩堝１４に入射する電子ビーム２０は、その全てが蒸着材料の加熱に用いられるわけではない。電子ビーム２０の一部は坩堝１４に充填された蒸着材料で反射する。この反射電子３４が成膜対象物としての基板に入射すると基板の表面を損傷させる可能性がある。そこで、反射電子３４を偏向させるために、ホルダー６の下方の領域３２に＋Ｙ方向の第１の磁界Ｂ１を発生する第１の磁界発生部３０が設けられる。反射電子は電子ビーム２０の入射方向に対して鏡面反射方向を中心に概ね分布するので、坩堝１４を真上から見た場合に、第１の磁界発生部３０は電子ビーム２０の入射方向と反対側に設けられるのが望ましい。

図２および図３を参照して第１の磁界発生部３０のより詳細な構成例を説明すると、第１の磁界発生部３０は、Ｙ軸方向に対向する永久磁石４４Ａ，４４Ｂと、ヨーク４６とを含む。ヨーク４６は、永久磁石４４Ａの永久磁石４４Ｂに対する対向面の反対側と、永久磁石４４Ｂの永久磁石４４Ａに対する対向面の反対側とを接続する。永久磁石４４Ａ，４４Ｂの対向面がそれぞれ磁極のＮ極およびＳ極となっている。永久磁石４４Ａ，４４Ｂは、ホルダー６の下方に設けられる。ヨーク４６は、鉄などの磁性体で形成された板棒状の部材４６Ａ，４６Ｂ，４６ＣがＵ字状に接続された構造を有する。

図４は、反射電子偏向用の第１の磁界発生部３０に設けられたヨークの機能について説明するための図である。図４に示すように、ヨーク４６を設けることによって磁力線４８をヨークの内部を通過させるとともに、永久磁石４４Ａ，４４Ｂ間の空間に生じる磁束５０の密度を増加させることができる。

再び図１〜図３を参照して、次に、磁気遮蔽体４０について説明する。一般に成膜速度を上げるためには、ホルダー６と坩堝１４との距離をより接近させる必要がある。しかしながら、反射電子偏向用の第１の磁界発生部３０が設けられている場合には、第１の磁界発生部３０が生成する第１の磁界Ｂ１が電子ビーム２０の軌道に影響を及ぼし、電子ビーム２０を精度良く坩堝１４に導くのが困難になってしまう。そこで、本実施形態では、真空容器２の内部に、第１の磁界発生部３０による第１の磁界Ｂ１を遮蔽するために、鉄などの磁性体で形成された磁気遮蔽体４０が設けられる。

以下、磁気遮蔽体４０の詳細な構成および配置について説明する。図１〜図３に示す例の場合、磁気遮蔽体４０は板状に形成され、シャフト４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃによってテーブル１２上に固定される。磁気遮蔽体４０は、坩堝１４よりも上方かつ第１の磁界発生部３０よりも下方に設けられる。坩堝１４からホルダー６に向かって放出される蒸着物質を遮蔽しないように、坩堝１４の真上から見て、磁気遮蔽体４０の坩堝１４に近接する側の端部は円弧状に凹んだ形状を有している。板状の磁気遮蔽体４０の厚みは、第１の磁界Ｂ１を遮蔽するのに十分な厚みとなるようにする。

さらに、第１の磁界発生部３０による第１の磁界Ｂ１を効率的に（すなわち、できるだけ小面積の磁気遮蔽体４０で）遮蔽するためには、坩堝１４を真上から見た場合に、磁気遮蔽体４０は、坩堝１４に対して第１の磁界発生部３０と同じ側に（すなわち、電子ビーム２０の入射方向と反対側に）設けられるのが望ましい。この場合、真空容器２の前扉４側に空間が設けられるので、蒸発材料を坩堝１４に充填するなどの作業がし易くなるというメリットがある。なお、第１の磁界発生部３０による第１の磁界Ｂ１をできるだけ遮蔽することを重視し、作業性を重視しない場合には、たとえば、ドーナツ状の磁気遮蔽体を用いても構わない。

制御部２６は、コンピュータをベースに構成され、真空ポンプ２４、電子銃１６、およびホルダー６を回転させるためのモータ１０などの動作を制御する。

［磁気遮蔽体の配置について］
図５は、磁気遮蔽体の配置についてさらに詳細に説明するための図である。図５では、断面部分にハッチングを付している。ホルダー６の下面（坩堝１４との対向面６Ａ）には、成膜対象物としての基板５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５２Ｄが取り付けられている。

まず、図５を参照して、磁気遮蔽体４０の水平方向の配置について説明する。前述したように、磁気遮蔽体４０は、坩堝１４を真上から見て電子ビーム２０の入射方向と反対側に設けられる。さらに、坩堝１４からホルダー６に向かって放出される蒸着物質を遮蔽しないようにするために、磁気遮蔽体４０は、坩堝１４の開口の中心とホルダー６の対向面６Ａとを結ぶ錐体６０にできるだけ近接した位置に設けられる。

次に、磁気遮蔽体４０の上下方向（鉛直方向）の配置について説明する。既に説明したように、磁気遮蔽体４０は、坩堝１４の上方および第１の磁界発生部３０の下方に設けるようにする。しかしながら、この場合、磁性体で形成された磁気遮蔽体４０を、第１の磁界発生部３０に近付け過ぎたり、逆に坩堝１４に近付け過ぎたりするのは望ましくない。磁気遮蔽体４０を第１の磁界発生部３０に近付け過ぎると、磁気遮蔽体４０が第１の磁界発生部３０で生成された第１の磁界Ｂ１を吸収するように働くので、反射電子を十分に偏向できなくなるからである。同様に、磁気遮蔽体４０を坩堝１４に近付け過ぎると、磁気遮蔽体４０が電子銃１６で生成された第２の磁界Ｂ２を吸収するように働くので、電子ビーム２０の軌道制御が十分できなくなるからである。

そこで、図５に示すように、磁気遮蔽体４０は、第１の磁界発生部３０から下方に距離ＤＵ以上離れ、かつ、坩堝１４から上方に距離ＤＬ以上離れた高さ範囲ＭＲに配置される。ここで、距離ＤＵは第１の磁界Ｂ１の強度に応じて決まり（第１の磁界Ｂ１の強度が大きいほど、距離ＤＵは短くなる）、距離ＤＬは第２の磁界Ｂ２の強度に応じて決まる（第２の磁界Ｂ２の強度が大きい程、距離ＤＬは短くなる）。さらに、磁気遮蔽体４０は、上記の高さ範囲ＭＲの最下端に配置するのが望ましい。これによって、前述の錐体６０の断面積が小さくなるので、磁気遮蔽体４０を坩堝１４の直上により近付けて配置することが可能になる。

磁気遮蔽体４０は、第２の磁界Ｂ２に対する磁気遮蔽体４０からの第１の磁界Ｂ１の漏れ磁界の比が０．０５以下となる（すなわち、第１の磁界Ｂ１の漏れ磁界の大きさは、第２の磁界Ｂ２の大きさの０．０５倍以下である）ように形成されていることが望ましい。ここで、第１の磁界Ｂ１の漏れ磁界とは、第１の磁界発生部３０によって発生した第１の磁界Ｂ１が磁気遮蔽体４０によって完全に遮蔽できずに、磁気遮蔽体４０から漏れ出た磁界のことをいう。たとえば、磁気遮蔽体４０が板状の場合は、第２の磁界Ｂ２に対する第１の磁界Ｂ１の漏れ磁界の比が０．０５以下となるように磁気遮蔽体４０の厚みを厚くする。この条件では、電子ビームの位置ずれが目視では確認できない程度に小さくなるという結果が得られた。一方、第２の磁界Ｂ２に対する第１の磁界Ｂ１の漏れ磁界の比が０．０５より大きくなるように、磁気遮蔽体４０が形成されている場合には、電子ビームの位置ずれが目視で確認できる程度に大きくなるという結果が得られた。

［反射電子偏向用の磁界発生部の配置について］
図６は、反射電子偏向用の第１の磁界発生部３０の配置について説明するための図である。図６では、第１の磁界発生部３０の断面部分にハッチングを付している。

一般に、坩堝１４内の蒸着材料で反射した反射電子は、入射電子ビームの鏡面反射方向を概ね中心として分布している。図６のグラフは、第１の磁界発生部３０が設けられていない場合において反射電子密度（電流密度）の分布を模式的に示すものである。図６のグラフは、０からθの範囲の仰角において所定の閾値密度を超える反射電子が観測されている様子を示している（閾値密度を超える反射電子が基板に入射すると、基板に損傷を与える可能性がある）。この場合、最大仰角θにおいて反射電子を偏向させるべき角度が最も大きくなるので、永久磁石４４Ａ，４４Ｂは、最大仰角θで飛来する反射電子の軌道と永久磁石４４Ａ，４４Ｂ間を結ぶ線分とが交差するように配置するのが望ましい。これによって、最大仰角θで飛来する反射電子に最も強度の強い第１の磁界Ｂ１を印加することができる。

［薄膜作製方法］
図７は、薄膜作製方法の手順を示すフローチャートである。以下、これまでの説明を総括して、図１〜図６で説明した電子ビーム蒸着装置１００を用いた薄膜作製方法の手順について説明する。

まず、第１の磁界発生部３０と磁気遮蔽体４０とを備える電子ビーム蒸着装置１００を準備する（ステップＳ１１０）。第１の磁界発生部３０と磁気遮蔽体４０に制御機構はないため、第１の磁界発生部３０は常に第１の磁界Ｂ１を発生する。反射電子を偏向させるための第１の磁界発生部３０は、ホルダー６の下方で、かつ、坩堝１４の真上から見て電子ビーム２０の入射方向と反対側に取り付けられている。磁気遮蔽体４０は、第１の磁界発生部３０の下方かつ坩堝１４の上方に取り付けられている。坩堝１４の真上から見た場合に、磁気遮蔽体４０は、電子ビーム２０の入射方向と反対側に設けられるとともに、坩堝１４の開口の中心とホルダー６の下面（坩堝１４に対する対向面６Ａ）とを結ぶ錐体６０にできるだけ近接して配置される。

その後、坩堝１４内に蒸着材料を充填し（ステップＳ１２０）、成膜対象物をホルダー６の下面に取り付ける（ステップＳ１３０）。真空容器２内を真空にした後（ステップＳ１４０）、電子ビームによって蒸着材料を加熱し蒸発させることによって、成膜対象物の表面に薄膜が形成される（ステップＳ１５０）。所定の膜厚の薄膜の形成が終了した後、真空容器２の内部が大気圧に戻され、薄膜形成後の成膜対象物が真空容器２から取り出される（ステップＳ１６０）。

［まとめ］
以上のとおり、本実施形態の電子ビーム蒸着装置１００によれば、第１の磁界発生部３０を設けることによって成膜対象物への反射電子の入射を防止することができる。さらに、磁気遮蔽体４０を坩堝１４の上方かつ第１の磁界発生部３０の下方に設けることによって、第１の磁界発生部３０が発生する第１の磁界Ｂ１が電子ビームの軌道に影響を及ぼさないようにできる。この結果、坩堝１４と成膜対象物とを比較的接近させた場合でも、電子ビームを精度良く坩堝１４内に導くことが可能であるとともに、成膜対象物への反射電子の入射を防止することが可能である。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものでないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

たとえば、上記実施形態では、電子ビームの軌道を制御するための第２の磁界Ｂ２を発生する第２の磁界発生部（不図示）が電子銃１６に含まれているとしているが、この構成には限られない。電子ビームを生成する電子銃１６とは別に電子ビームの軌道を制御するため第２の磁界を発生する第２の磁界発生部を設けてもよい。たとえば、第２の磁界Ｂ２を発生する第２の磁界発生部は、電子銃の外に設けられた一対の永久磁石と、ヨークとを含むものであってもよい。ヨークは、一方の永久磁石の対向面の反対側と他方の永久磁石の対向面の反対側とを接続する。

２ 真空容器、４ 前扉、６ ホルダー（保持部）、６Ａ 対向面、１４ 坩堝、１６ 電子銃、２０ 電子ビーム、３０ 第１の磁界発生部、３４ 反射電子、４０ 磁気遮蔽体、４４Ａ，４４Ｂ 永久磁石、４６ ヨーク、５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５２Ｄ 基板、６０ 錐体、１００ 電子ビーム蒸着装置、Ｂ１ 第１の磁界、Ｂ２ 第２の磁界。

Claims (13)

1. 蒸着材料を充填するための坩堝と、
   蒸発した前記蒸着材料を堆積させるための成膜対象物を保持する保持部と、
   前記蒸着材料に入射する電子ビームを生成するための電子銃と、
   前記蒸着材料で反射した反射電子を偏向させるための第１の磁界を発生する第１の磁界発生部と、
   前記第１の磁界が前記電子ビームの軌道に影響を及ぼさないように、前記第１の磁界を遮蔽する磁気遮蔽体とを備えた電子ビーム蒸着装置。
2. 前記磁気遮蔽体は、前記坩堝の上方かつ前記第１の磁界発生部の下方に設けられる、請求項１に記載の電子ビーム蒸着装置。
3. 前記坩堝の真上から見て、前記第１の磁界発生部は前記電子ビームの入射方向と反対側に設けられる、請求項１または２に記載の電子ビーム蒸着装置。
4. 前記坩堝の真上から見て、前記磁気遮蔽体は前記電子ビームの入射方向と反対側に設けられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子ビーム蒸着装置。
5. 前記第１の磁界発生部は、
   水平方向に対向する第１および第２の永久磁石と、
   ヨークとを含み、
   前記ヨークは、前記第１の永久磁石の前記第２の永久磁石に対する対向面の反対側と、前記第２の永久磁石の前記第１の永久磁石に対する対向面の反対側とを接続する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子ビーム蒸着装置。
6. 前記第１および第２の永久磁石は、前記成膜対象物よりも下方に設けられる、請求項５に記載の電子ビーム蒸着装置。
7. 前記第１の磁界発生部が設けられていない場合に、所定の閾値密度以上の反射電子が観測される範囲のうちで最大の仰角で飛来する反射電子の軌道と、前記第１および第２の永久磁石間を結ぶ直線とが交差するように、前記第１および第２の永久磁石が配置される、請求項６に記載の電子ビーム蒸着装置。
8. 前記磁気遮蔽体は板状であり、
   前記坩堝の真上から見て、前記板状の磁気遮蔽体の前記坩堝に近接する側の端部は円弧状に凹んだ形状を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子ビーム蒸着装置。
9. 成膜中に前記保持部を回転させるための回転部をさらに備え、
   前記磁気遮蔽体は、前記保持部のうち前記坩堝に対向する面と前記坩堝の開口の中心とを結ぶ仮想錐体に近接して設けられる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子ビーム蒸着装置。
10. 電子ビームの軌道を制御するための第２の磁界を発生する第２の磁界発生部をさらに備え、
    前記磁気遮蔽体は、前記第１の磁界発生部から下方に向かって前記第１の磁界の強度に応じた第１の距離以上離れ、かつ、前記坩堝から上方に向かって前記第２の磁界の強度に応じた第２の距離以上離れた高さ範囲に配置される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子ビーム蒸着装置。
11. 前記磁気遮蔽体は、前記高さ範囲の最下端に配置される、請求項１０に記載の電子ビーム蒸着装置。
12. 前記第２の磁界に対する前記磁気遮蔽体からの前記第１の磁界の漏れ磁界の比は、０．０５以下である、請求項１０または１１に記載の電子ビーム蒸着装置。
13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子ビーム蒸着装置を用いて薄膜を形成する薄膜作製方法。

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