JP2017002404A - Pvdアレイ用の多方向レーストラック回転カソード - Google Patents
Pvdアレイ用の多方向レーストラック回転カソード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017002404A JP2017002404A JP2016126325A JP2016126325A JP2017002404A JP 2017002404 A JP2017002404 A JP 2017002404A JP 2016126325 A JP2016126325 A JP 2016126325A JP 2016126325 A JP2016126325 A JP 2016126325A JP 2017002404 A JP2017002404 A JP 2017002404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- assembly
- magnet
- cathode assembly
- angular coordinate
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 60
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 35
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 claims 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- -1 etc.) Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- 基板(280、480、481)上のコーティングのためのコーティング側を有するスパッタ堆積装置用のカソードアセンブリ(130、200、300、400)であって、前記カソードアセンブリは、
回転軸(220、320、420)の周りでターゲット材料(210、310、410)を回転させるように適合された回転ターゲットアセンブリと、
前記回転軸に対して固定の位置で保持され、内側磁極(236、332、337)および少なくとも1つの外側磁極(236、331、336)を有し、1つまたは複数のプラズマ領域(240、250、340、341、350、351、440、441、442、443、444、445、446、447)を生成するように適合された少なくとも1つの第1の磁石アセンブリ(230、330、340、430、431、432、433)とを備え、
前記カソードアセンブリ(130、200、300、400)は、前記コーティング側に対して設けられた磁極に対する第1の角座標(260、360、460、462)と、前記コーティング側に対して設けられたさらなる磁極に対する第2の角座標(270、370、461、463)とを有し、
前記第1の角座標(260、360、460、462)および前記第2の角座標(270、370、461)が約20度より大きく約160度より小さい角度αを画定する、カソードアセンブリ。 - 前記第1の磁石アセンブリ(230)の前記内側磁極(236)が、前記第1の角座標(260)に設けられ、前記第1の磁石アセンブリ(230)の前記少なくとも1つの外側磁極(235)が、前記第2の角座標(270)に設けられる、請求項1に記載のカソードアセンブリ。
- 内側磁極(337、473、475、477)および少なくとも1つの外側磁極(336、472、474、476)を有し、1つまたは複数のプラズマ領域(350、351、442、443、444、445、446、447)を生成するように適合された第2の磁石アセンブリ(335、431、432、433)をさらに備え、前記第1の磁石アセンブリ(330、430)の前記内側磁極(332、471)が、前記第1の角座標(360、460)に設けられ、前記第2の磁石アセンブリ(335、431、432、433)の前記内側磁極(337、473、475、477)が、前記第2の角座標(370、461、462、463)に設けられる、請求項1に記載のカソードアセンブリ。
- 前記第1の磁石アセンブリ(330、430)および/または前記第2の磁石アセンブリ(335、431、432、433)がそれぞれ、2つのプラズマ領域(340、341、440、441、442、443、444、445、446、447)を提供する、請求項1ないし3のいずれか一項に記載のカソードアセンブリ。
- 前記第1の角座標(260、360、460)および前記第2の角座標(270、370、461、462、463)が、約30度より大きく約80度より小さい角度αを形成する、請求項1ないし4のいずれか一項に記載のカソードアセンブリ。
- 前記磁石アセンブリ(230、330、340、430、431、432、433)が、前記ターゲットアセンブリ内に配置づけされる、請求項1ないし5のいずれか一項に記載のカソードアセンブリ。
- 前記磁石アセンブリ(230、330、340、430、431、432、433)が、2つ以上のプラズマ領域(340、341、440、441、442、443、444、445、446、447)を同時に生成するように適合される、請求項1ないし6のいずれか一項に記載のカソードアセンブリ。
- 前記カソードアセンブリ(130、200、300、400)が、2つ以上の磁石アセンブリ(230、330、340、430、431、432、433)を備え、前記カソードアセンブリ(130、200、300、400)内の前記磁石アセンブリ(230、330、340、430、431、432、433)の配置が実質上対称である、請求項1ないし7のいずれか一項に記載のカソードアセンブリ。
- 前記第1の磁石アセンブリおよび/または第2の磁石アセンブリ(230、330、340、430、431、432、433)の磁極が、閉ループを形成するように配置された磁石要素(520、620、630)を備える、請求項1ないし8のいずれか一項に記載のカソードアセンブリ。
- 前記第1の磁石アセンブリおよび/または第2の磁石アセンブリ(230、330、340、430、431、432、433)の磁極が、閉ループ内に構造を形成するように配置された磁石要素(530、630)を備える、請求項1ないし9のいずれか一項に記載のカソードアセンブリ。
- 前記磁石要素(520、530、620、630)の磁極が、前記閉ループによって画定された平面の外側の方向を向いている、請求項9または10に記載のカソードアセンブリ。
- 前記少なくとも2つの磁石アセンブリ(330、340、430、431、432、433)が、互いに堅く接続される、請求項3ないし11のいずれか一項に記載のカソードアセンブリ。
- 前記少なくとも2つの磁石アセンブリ(330、335、430、431、432、433)が、同じ基板を同時にコーティングするように適合される、請求項3ないし12のいずれか一項に記載のカソードアセンブリ。
- 回転ターゲットアセンブリを有し、基板上のコーティングのためのコーティング側を有するスパッタ堆積装置(100)内で、基板(110、280、480、481)上に膜を堆積させる方法であって、前記ターゲットアセンブリが、回転軸(220、320、420)の周りでターゲット材料(210、310、410)を回転させるように適合され、
前記カソードアセンブリが、前記回転軸に対して固定の位置で保持され、内側磁極(236、332、337)および少なくとも1つの外側磁極(236、331、336)を有し、1つまたは複数のプラズマ領域(240、250、340、341、350、351、440、441、442、443、444、445、446、447)を生成するように適合された少なくとも1つの磁石アセンブリ(230、330、340、430、431、432、433)を備え、
前記カソードアセンブリ(130、200、300、400)が、前記コーティング側に対して設けられた磁極に対する第1の角座標(260、360、460、462)と、前記コーティング側に対して設けられたさらなる磁極に対する第2の角座標(270、370、461、463)とをさらに備え、前記方法が、
前記コーティング側で前記基板(110、280、480、481)をコーティングするために、前記第1の角座標(260、360)に配置される磁極(236)によって生成される磁場を有する少なくとも1つの第1のプラズマ領域(240、340、341)と、前記第2の角座標(270、370)に配置される磁極(235、337)によって生成される磁場を有する少なくとも1つの第2のプラズマ領域(250、350、351)とを生成することを含み、
前記第1の角座標および前記第2の角座標が、約20度より大きく約160度より小さい角度αを画定する、方法。 - 前記第1の角座標(260、360)および前記第2の角座標(270、370)が、約30度より大きく約80度より小さい角度αを形成する、請求項14に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016126325A JP6396367B2 (ja) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | Pvdアレイ用の多方向レーストラック回転カソード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016126325A JP6396367B2 (ja) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | Pvdアレイ用の多方向レーストラック回転カソード |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014536119A Division JP2014534341A (ja) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | Pvdアレイ用の多方向レーストラック回転カソード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017002404A true JP2017002404A (ja) | 2017-01-05 |
JP6396367B2 JP6396367B2 (ja) | 2018-09-26 |
Family
ID=57751442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016126325A Active JP6396367B2 (ja) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | Pvdアレイ用の多方向レーストラック回転カソード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6396367B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108768288A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-06 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种应用于光伏组件的线盒 |
CN114381700A (zh) * | 2020-10-06 | 2022-04-22 | 东京毅力科创株式会社 | 磁控溅射装置和磁控溅射方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0565636A (ja) * | 1991-01-29 | 1993-03-19 | Boc Group Inc:The | 円筒マグネトロンシールド構造 |
JPH10509773A (ja) * | 1995-04-25 | 1998-09-22 | ザ ビーオーシー グループ インコーポレイテッド | 基板上に誘電体層を形成するためのスパッタリング装置及び方法 |
JP2005520935A (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-14 | ヴルチンガー・ディーター | 回転可能な管状カソード |
JP2006316340A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | ターゲットを含むスパッタ・カソードの操作方法 |
US20070089983A1 (en) * | 2005-10-24 | 2007-04-26 | Soleras Ltd. | Cathode incorporating fixed or rotating target in combination with a moving magnet assembly and applications thereof |
WO2009001614A1 (ja) * | 2007-06-25 | 2008-12-31 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 成膜装置 |
WO2011039316A1 (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-07 | Applied Materials, Inc. | Method for coating a substrate and coater |
US20110079511A1 (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-07 | Applied Materials, Inc. | Magnet arrangement for a target backing tube and target backing tube comprising the same |
WO2011123688A2 (en) * | 2010-04-02 | 2011-10-06 | NuvoSun, Inc. | Target utilization improvement for rotatable magnetrons |
-
2016
- 2016-06-27 JP JP2016126325A patent/JP6396367B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0565636A (ja) * | 1991-01-29 | 1993-03-19 | Boc Group Inc:The | 円筒マグネトロンシールド構造 |
JPH10509773A (ja) * | 1995-04-25 | 1998-09-22 | ザ ビーオーシー グループ インコーポレイテッド | 基板上に誘電体層を形成するためのスパッタリング装置及び方法 |
JP2005520935A (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-14 | ヴルチンガー・ディーター | 回転可能な管状カソード |
JP2006316340A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | ターゲットを含むスパッタ・カソードの操作方法 |
US20070089983A1 (en) * | 2005-10-24 | 2007-04-26 | Soleras Ltd. | Cathode incorporating fixed or rotating target in combination with a moving magnet assembly and applications thereof |
WO2009001614A1 (ja) * | 2007-06-25 | 2008-12-31 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 成膜装置 |
WO2011039316A1 (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-07 | Applied Materials, Inc. | Method for coating a substrate and coater |
US20110079511A1 (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-07 | Applied Materials, Inc. | Magnet arrangement for a target backing tube and target backing tube comprising the same |
WO2011123688A2 (en) * | 2010-04-02 | 2011-10-06 | NuvoSun, Inc. | Target utilization improvement for rotatable magnetrons |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108768288A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-06 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种应用于光伏组件的线盒 |
CN108768288B (zh) * | 2018-06-15 | 2024-04-26 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种应用于光伏组件的线盒 |
CN114381700A (zh) * | 2020-10-06 | 2022-04-22 | 东京毅力科创株式会社 | 磁控溅射装置和磁控溅射方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6396367B2 (ja) | 2018-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014534341A (ja) | Pvdアレイ用の多方向レーストラック回転カソード | |
EP2483907B1 (en) | Method for coating a substrate | |
US9394603B2 (en) | Soft sputtering magnetron system | |
EP2855729B1 (en) | Method for coating a substrate and coater | |
JP6073383B2 (ja) | スパッタ堆積用の小型の回転可能なスパッタデバイス | |
JP6396367B2 (ja) | Pvdアレイ用の多方向レーストラック回転カソード | |
TW200902743A (en) | Swinging magnets to improve target utilization | |
KR20190077575A (ko) | 기판 상으로의 층 증착을 위한 장치 및 방법 | |
JP2019094533A (ja) | スパッタリング装置 | |
US8852412B2 (en) | Magnetron source and method of manufacturing | |
KR20140126514A (ko) | 스퍼터링 장치 및 이를 포함하는 증착장치 | |
JP7471236B2 (ja) | マグネトロンスパッタリングのための方法および装置 | |
KR102548205B1 (ko) | 스퍼터링 장치용 스퍼터건 | |
JP2020506287A (ja) | 基板をコーティングするためのスパッタ堆積装置、及びスパッタ堆積処理を実行する方法 | |
TW201538768A (zh) | 用於沈積設備之電極組以及用於組裝電極組之方法 | |
KR20190080124A (ko) | 고효율 스퍼터장치 | |
JP4877058B2 (ja) | 対向ターゲットスパッタ装置及び方法 | |
KR20190080126A (ko) | 각도조절형 스퍼터건을 구비한 스퍼터장치 | |
KR20190080127A (ko) | 각도 조절형 스퍼터건 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180402 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180731 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180829 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6396367 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |