JPWO2016001969A1 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 141
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 101000800065 Homo sapiens Treslin Proteins 0.000 description 2
- 101100533625 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) drc-4 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150090425 SLD1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150033482 SLD2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100059532 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CDC45 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100533627 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) drc1 gene Proteins 0.000 description 2
- 102100033387 Treslin Human genes 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000029553 photosynthesis Effects 0.000 description 1
- 238000010672 photosynthesis Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract
Description
図1は本発明の実施例1に係る半導体レーザ装置の構成を示す図である。本発明の実施例1に係る半導体レーザ装置は、図1に示すように、複数の半導体レーザLD1〜LD4、LD駆動回路10、光合成器11、フォトダイオードPD、抵抗R、中央処理装置(CPU)13、メモリ14、表示部15を備える。
図4は本発明の実施例2に係る半導体レーザ装置の構成を示す図である。実施例2に係る半導体レーザ装置は、LD駆動回路10、バイポーラ型のNPNのトランジスタQ1,Q2、半導体レーザLD1,LD2、光合成器11a、フォトダイオードPD、CPU13、メモリ14、表示部15を備える。
図5は本発明の実施例3に係る半導体レーザ装置の構成を示す図である。実施例3に係る半導体レーザ装置は、図1に示す実施例1に係る半導体レーザ装置に対して、さらに、半導体レーザLD4と光合成器11との間の光路にプリズム16a,16bを配置したことを特徴とする。プリズム16a,16bは、本発明の光伝搬調整用の光学素子に対応する。
図6は本発明の実施例4に係る半導体レーザ装置の構成を示す図である。実施例4に係る半導体レーザ装置は、図1に示す実施例1に係る半導体レーザ装置に対して、各々の半導体レーザLD1〜LD4を誘電率が異なる導電パターンPT1〜PT4により接続したことを特徴とする。
Claims (4)
- 複数の半導体レーザと、
前記複数の半導体レーザに電流を供給する駆動回路と、
前記複数の半導体レーザのレーザ光を合成する光合成器と、
前記光合成器で合成された前記複数の半導体レーザのレーザ光を検知する光検知素子を備え、
前記光合成器は、前記複数の半導体レーザの各々の半導体レーザから前記光合成器内の合波端までの光到達時間が前記各々の半導体レーザ毎に異なるように、前記各々の半導体レーザから前記光合成器までの光路長を設定する半導体レーザ装置。 - 前記駆動回路に前記複数の半導体レーザを直列に接続することにより、前記駆動回路から前記各々の半導体レーザまでの線路長を調整する請求項1記載の半導体レーザ装置。
- 前記光到達時間を調整するために、光路に光伝搬調整用の光学素子を配置した請求項1又は請求項2記載の半導体レーザ装置。
- 前記駆動回路から前記各々の半導体レーザまでの電流到達時間を調整するために、誘電率が異なる導電パターンにより前記各々の半導体レーザを接続した請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の半導体レーザ装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/067375 WO2016001969A1 (ja) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016001969A1 true JPWO2016001969A1 (ja) | 2017-04-27 |
JP6245364B2 JP6245364B2 (ja) | 2017-12-13 |
Family
ID=55018571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016530694A Expired - Fee Related JP6245364B2 (ja) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6245364B2 (ja) |
WO (1) | WO2016001969A1 (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2014
- 2014-06-30 WO PCT/JP2014/067375 patent/WO2016001969A1/ja active Application Filing
- 2014-06-30 JP JP2016530694A patent/JP6245364B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6245364B2 (ja) | 2017-12-13 |
WO2016001969A1 (ja) | 2016-01-07 |
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