JPWO2015194252A1 - パージストッカ及びパージ方法 - Google Patents

パージストッカ及びパージ方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2015194252A1
JPWO2015194252A1 JP2016529137A JP2016529137A JPWO2015194252A1 JP WO2015194252 A1 JPWO2015194252 A1 JP WO2015194252A1 JP 2016529137 A JP2016529137 A JP 2016529137A JP 2016529137 A JP2016529137 A JP 2016529137A JP WO2015194252 A1 JPWO2015194252 A1 JP WO2015194252A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
purge
storage container
supply
purge gas
supply unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016529137A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6217854B2 (ja
Inventor
真司 大西
真司 大西
村田　正直
正直 村田
山路　孝
孝 山路
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Machinery Ltd
Original Assignee
Murata Machinery Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Machinery Ltd filed Critical Murata Machinery Ltd
Publication of JPWO2015194252A1 publication Critical patent/JPWO2015194252A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6217854B2 publication Critical patent/JP6217854B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H01L21/67393—Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

パージガスの消費を抑制しつつ、簡易な構成とすることができるパージストッカ及びパージ方法を提供する。パージストッカ１は、格納容器Ｆを支持する第１支持部２２と、第１支持部２２に支持された格納容器Ｆにパージガスを供給する第１供給管２３と、第１供給管２３におけるパージガスの流量を調整する第１流量調整部２４と、を有する第１パージ装置２１をＮ台備える第１供給ユニット２０と、格納容器Ｆを支持する第２支持部３２と、第２支持部３２に支持された格納容器Ｆにパージガスを供給する第２供給管３４と、を有する第２パージ装置３１をＭ台備える第２供給ユニット３０と、を備え、第２供給ユニット３０は、所定数の第２支持部３２に格納容器Ｆが支持される場合に、パージガスを第２供給管３４によって格納容器Ｆに供給する。

Description

本発明は、パージストッカ及びパージ方法に関する。
従来のパージストッカとして、例えば特許文献１に記載されたパージシステムを備えたストッカが知られている。特許文献１に記載のパージシステムは、第１ガス流量のパージガスを供給する自動パージ機構を備えた一次保管ユニットと、第１ガス流量を下回る第２ガス流量のパージガスを供給する自動パージ機構を備えた二次保管ユニットと、を備え、一定期間にわたって一次保管ユニットに置かれた容器を搬送機構によって二次保管ユニットに移動させる。これにより、このパージシステムでは、パージガスの消費量の削減を図っている。
特開２０１０−１８２７４７号公報
上記二次保管ユニットが備える自動パージ機構は、容器が載置されたときにパージガスを供給するパージバルブを備えている。パージバルブは、アクチュエータを有しており、容器が載置されることでアクチュエータが動作して、供給管とアクチュエータに設けられたガス通路とが連通し、容器にパージガスを供給する機構とされている。これにより、二次保管ユニットでは、パージバルブによって、パージガスが無駄に放出されることを防止できるため、パージガスの消費を抑制できるものの、構成が複雑化するという問題がある。二次保管ユニットの供給管に電磁弁や流量制御部（ＭＦＣ：Mas Flow Controller）を設けることで、上記パージノズルを必要としない構成とすることができるが、装置が高価になるばかりか、構成が複雑化するという問題は解決されない。
本発明は、パージガスの消費を抑制しつつ、簡易な構成とすることができるパージストッカ及びパージ方法を提供することを目的とする。
本発明に係るパージストッカは、被格納物が格納される格納容器の内部をパージガスによってパージ処理するパージストッカであって、格納容器を支持する第１支持部と、第１支持部に支持された格納容器にパージガスを供給する第１供給管と、第１供給管におけるパージガスの流量を調整する第１流量調整部と、を有する第１パージ装置をＮ台（Ｎは２以上の整数）備える第１供給ユニットと、格納容器を支持する第２支持部と、第２支持部に支持された格納容器にパージガスを供給する第２供給管と、を有する第２パージ装置をＭ台（ＭはＮ以下の正の整数）備える第２供給ユニットと、第１供給ユニットと第２供給ユニットとの間で格納容器を移載する移載装置と、を備え、第２供給ユニットは、所定数の第２支持部に格納容器が支持される場合に、パージガスを第２供給管によって格納容器に供給する。
このパージストッカでは、第２供給ユニットは、所定数の第２支持部に格納容器が支持される場合に、パージガスを第２供給管によって格納容器に供給する。すなわち、第２供給ユニットでは、第２支持部に格納容器が支持されている個数が所定数よりも少ない場合には、パージ処理を実施しない。これにより、格納容器が支持されていない第２支持部において第２供給管からパージガスが大量に放出されることを抑制できるため、パージガスの消費を抑制することができる。また、複雑な構成を有するパージノズルを必要としないため、構成の簡易化を図ることができる。なお、所定数は、例えばＭの８０％以上である。また、格納容器が支持される場合とは、支持部に格納容器が実際に支持された状態となった場合は勿論のこと、移載装置に対して移載指令が出された場合等、支持部によって格納容器が支持されることが確定した場合を含む。
一実施形態においては、第２供給ユニットは、Ｍ台の第２パージ装置の第２支持部の全てに格納容器が支持される場合に、パージガスを第２供給管によって格納容器に供給してもよい。これにより、パージガスが無駄に放出されないため、パージガスの消費を抑制できる。また、第２パージ装置の第２支持部の全てに格納容器が支持されるため、圧力負荷のバランスをとることができ、格納容器に対して精度良くパージガスを供給できる。
一実施形態においては、移載装置は、第１供給ユニットにおいて所定の流量のパージガスが所定の時間供給された格納容器の個数がＭ個となった場合に、Ｍ個の当該格納容器を、第１供給ユニットから第２供給ユニットに移載し、第２供給ユニットは、Ｍ個の格納容器の移載が完了する場合に、第２供給管により格納容器にパージガスを供給してもよい。所定の流量のパージガスが所定の時間供給された格納容器を第１供給ユニットから第２供給ユニットに逐次移載すると、第２パージ装置の第２支持部の全てに格納容器が支持されるまでに時間を要する場合がある。この場合、先に第２供給ユニットに移載された格納容器には、他の格納容器が移載されるまでの間パージガスが供給されない。そこで、第１供給ユニットにおいて所定の流量のパージガスが所定の時間供給された格納容器の個数がＭ個となった場合に第２供給ユニットに移載することで、格納容器にパージガスが供給されない時間を低減できる。なお、格納容器の移載が完了する場合とは、格納容器の移載が実際に完了した状態となった場合は勿論のこと、移載装置に対して移載指令が出された場合等、Ｍ個の格納容器の移載が完了することが確定した場合を含む。
一実施形態においては、第２供給ユニットは、複数の第２供給管が接続されると共に、複数の第２供給管のそれぞれにパージガスを供給する主管と、主管におけるパージガスの流量を調整する第２流量調整部と、を有していてもよい。これにより、第２供給管に供給するパージガスの流量を調整できる。また、主管に第２流量調整部を１つだけ設ける構成であるため、各第２供給管に流量調整部を設ける構成に比べて、構成の簡易化を図ることができると共に、コストの増大を抑制できる。
一実施形態においては、第２流量調整部は、主管におけるパージガスの流量が第２供給ユニットにおいて第２供給管に接続される格納容器の個数に応じて設定される設定流量となるように調整してもよい。これにより、格納容器のそれぞれに一定量のパージガスの供給を行うことができる。また、例えば、第２供給ユニットにおいてＭ台よりも少ない数の格納容器に対してパージ処理を行うこととなった場合、パージガスの流量を、Ｍ台の格納容器に第２供給管が接続されている場合よりも増大させた設定流量とする。これにより、格納容器に接続されていない第２供給管からパージガスが放出される場合であっても、格納容器に対して一定量のパージガスの供給を行うことができる。
一実施形態においては、第１流量調整部は、格納容器に対してパージガスの供給を開始させる際には、所定の供給流量となるように第１供給管におけるパージガスの流量を連続的又は段階的に増加させてもよい。これにより、パージガスの供給開始時に、格納容器の内部に塵埃が巻き上がることを抑制できる。
一実施形態においては、移載装置は、第２供給ユニットから格納容器が搬出された場合、搬出された個数の格納容器を第１供給ユニットから第２供給ユニットに移載してもよい。これにより、第２供給ユニットにおいては、常に、Ｍ台の格納容器が存在することになる。そのため、全ての第２供給管が格納容器に接続された状態で格納容器にパージガスを供給することができる。そのため、パージガスの消費量の削減を図れると共に、格納容器に対して精度良くパージガスを供給できる。
一実施形態においては、被格納物が格納されていない空の格納容器を一又は複数備え、移載装置は、第２供給ユニットから格納容器が搬出された場合、搬出された個数の空の格納容器を第２供給ユニットに移載してもよい。これにより、第２供給ユニットにおいては、常に、Ｍ個の格納容器が存在することになる。そのため、全ての第２供給管が格納容器に接続された状態で格納容器にパージガスを供給することができる。そのため、格納容器に対して一定量のパージガスの供給を良好に行うことができる。
本発明に係るパージ方法は、被格納物が格納される格納容器の内部をパージガスによってパージ処理するパージストッカにおけるパージ方法であって、パージストッカは、格納容器を支持する第１支持部と、第１支持部に支持された格納容器にパージガスを供給する第１供給管と、第１供給管におけるパージガスの流量を調整する第１流量調整部と、を有する第１パージ装置をＮ台（Ｎは２以上の整数）備える第１供給ユニットと、格納容器を支持する第２支持部と、第２支持部に支持された格納容器にパージガスを供給する第２供給管と、を有する第２パージ装置をＭ台（ＭはＮ以下の正の整数）備える第２供給ユニットと、第１供給ユニットと第２供給ユニットとの間で格納容器を移載する移載装置と、を備えており、所定数の第２支持部に格納容器が支持される場合に、第２供給ユニットにおいて、パージガスを第２供給管によって格納容器に供給させる。
このパージ方法では、所定数の第２支持部に格納容器が支持される場合に、第２供給ユニットにおいて、パージガスを第２供給管によって格納容器に供給させる。すなわち、第２支持部に格納容器が支持されている個数が所定数よりも少ない場合には、第２供給ユニットにおいてパージ処理を実施させない。これにより、格納容器が支持されていない第２支持部において第２供給管からパージガスが大量に放出されることを抑制できるため、パージガスの消費を抑制することができる。また、複雑な構成を有するパージノズルを必要としないため、簡易な構成でパージ処理を行うことができる。
本発明によれば、パージ処理の効率の向上を図ることができる。
図１は、一実施形態に係るパージストッカを示す図である。 図２は、パージシステムの構成を示す図である。 図３は、パージストッカの構成を示す図である。 図４は、パージガスの供給方法を説明するための図である。 図５は、パージストッカにおけるパージ処理の動作を説明するための図である。 図６は、格納容器を第１供給システムから第２供給システムに移載するタイミングを示す図である。 図７は、パージストッカにおけるパージ処理の動作を説明するための図である。 図８は、パージストッカにおけるパージ処理の動作を説明するための図である。 図９は、パージストッカにおけるパージ処理の動作を説明するための図である。 図１０は、パージストッカにおけるパージ処理の動作を説明するための図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
図１に示されるパージストッカ１は、半導体ウェハ及びガラス基板などの被格納物が格納されたＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）などの格納容器Ｆの内部をパージガス（例えば、窒素ガス）によってパージ処理すると共に、複数の格納容器Ｆを保管する保管庫としての機能を有している。パージ処理は、被格納物が格納されるＦＯＵＰの内部にパージガスを注入することによって清浄度を保つための処理ある。パージストッカ１は、例えば、クリーンルーム（図示しない）に設けられる。
図１〜図３に示されるように、パージストッカ１は、パーティション３と、ラック５と、クレーン（移載装置）７と、ＯＨＴポート１１と、マニュアルポート１３と、パージシステム１５と、制御部１７と、を備えている。
パーティション３は、パージストッカ１のカバー板であって、その内側に格納容器Ｆを保管する保管領域を形成している。ラック５は、格納容器Ｆを保管する部分であり、保管領域内に、通常１〜２列（ここでは、２列）設けられている。各ラック５は、所定方向Ｘに延在しており、隣り合う２つのラック５，５が対向するように略平行に配置されている。各ラック５には、所定方向Ｘ及び鉛直方向Ｚに沿って、格納容器Ｆを載置（支持）して保管する保管棚５Ａが複数形成されている。
クレーン７は、格納容器Ｆを保管棚５Ａに対して出し入れをすると共に、保管棚５Ａ間を移動させる機構であり、対向するラック５，５に挟まれた領域に配置されている。クレーン７は、ラック５の所定方向Ｘに沿って、床面に配置された走行レール（図示しない）を走行することにより、ラック５に沿って所定方向Ｘに移動することができる。クレーン７の荷台７Ａは、ガイドレール７Ｂに沿って昇降可能に設けられており、鉛直方向に設けられた複数の保管棚５Ａに対して、格納容器Ｆを出し入れすることができる。クレーン７の動作は、制御部１７によって制御される。
パージストッカ１への格納容器Ｆの出し入れは、ＯＨＴ（Overhead HoistTransfer）ポート１１及びマニュアルポート１３から行われる。ＯＨＴポート１１は、天井に敷設された走行レールＲを走行する天井走行車１４（ＯＨＴ）とパージストッカ１との間で格納容器Ｆを受け渡しする部分であり、格納容器Ｆを搬送するコンベヤ１１Ａを有している。マニュアルポート１３は、作業者とパージストッカ１との間で格納容器Ｆを受け渡しする部分であり、格納容器Ｆを搬送するコンベヤ１３Ａを有している。ＯＨＴポート１１のコンベヤ１１Ａ、及び、マニュアルポート１３のコンベヤ１３Ａの動作は、制御部１７によって制御される。
パージシステム１５は、第１供給ユニット２０と、第２供給ユニット３０と、を備えている。本実施形態のパージシステム１５では、第１供給ユニット２０は、１つ設けられており、第２供給ユニット３０は、複数設けられている。
第１供給ユニット２０は、第１パージ装置２１をＮ台備えている。Ｎは、２以上の整数である。第１パージ装置２１は、格納容器Ｆが載置される載置部（第１支持部）２２と、載置部２２に載置された格納容器Ｆにパージガスを供給する供給管（第１供給管）２３と、供給管２３におけるパージガスの流量を調整するＭＦＣ（Mas Flow Controller、第１流量調整部）２４と、を備えている。
載置部２２は、保管棚５Ａに配置されている。載置部２２には、格納容器Ｆが載置部２２に載置されたことを検知する検知部２５（図３参照）が設けられている。検知部２５は、例えば格納容器Ｆの有無を検知する光学センサなどであり、格納容器Ｆを検知すると載置部２２に格納容器Ｆが載置されたとして、検知信号を制御部１７に出力する。載置部２２には、格納容器Ｆが載置されたときに、格納容器Ｆに設けられたパージガス導入部（図示しない）に対応する位置に、パージノズル（図示しない）が設けられている。載置部２２に格納容器Ｆが載置されると、パージガス導入部にパージノズルが位置し、パージガスが供給可能な状態となる。
供給管２３は、主管２６に接続されている。供給管２３の一端は、パージノズルに接続されており、供給管２３の他端は、主管２６に接続されている。主管２６は、パージガス源４０に接続されている。主管２６には、パージガス源４０からパージガスが供給される。パージガス源４０は、パージガスを貯蔵するタンクである。
供給管２３には、パーティクルフィルタ２７が設けられている。パーティクルフィルタ２７は、塵埃（パーティクル）を捕集可能なフィルタである。
ＭＦＣ２４は、供給管２３を流れるパージガスの質量流量を計測し、流量制御を行う機器である。ＭＦＣ２４における流量制御は、制御部１７によって制御される。具体的には、ＭＦＣ２４は、制御部１７から出力される信号を受け取ると、信号に応じて供給管２３におけるパージガスの流量を制御する。
第２供給ユニット３０は、第２パージ装置３１をＭ台備えている。Ｍは、Ｎ以下の正の整数である。第２パージ装置３１は、格納容器Ｆが載置される載置部（第２支持部）３２と、載置部３２に載置された格納容器Ｆにパージガスを供給する供給管（第２供給管）３４と、を備えている。
載置部３２は、保管棚５Ａに配置されている。載置部３２には、格納容器Ｆが載置部３２に載置されたことを検知する検知部３３（図３参照）が設けられている。検知部３３は、例えば格納容器Ｆの有無を検知する光学センサなどであり、格納容器Ｆを検知すると載置部３２に格納容器Ｆが載置されたとして、検知信号を制御部１７に出力する。載置部３２には、格納容器Ｆが載置されたときに、格納容器Ｆに設けられたパージガス導入部に対応する位置に、パージノズル（図示しない）が設けられている。載置部３２に格納容器Ｆが載置されると、パージガス導入部にパージノズルが位置し、パージガスが供給可能な状態となる。
供給管３４には、パーティクルフィルタ３５と、オリフィス３６と、が設けられている。オリフィス３６は、供給管３４から供給されるパージガスの流量が複数の供給管３４同士で等しくなるように調整する。供給管３４は、主管３７に接続されている。供給管３４の一端は、パージノズルに接続されており、供給管３４の他端は、主管３７に接続されている。主管３７は、パージガス源４０に接続されている。主管３７には、パージガス源４０からパージガスが供給される。
主管３７には、主管３７におけるパージガスの流量を調整するＭＦＣ（第２流量調整部）３８が設けられている。具体的には、ＭＦＣ３８は、主管３７において供給管３４が接続される部分よりも上流側に設けられている。ＭＦＣ３８は、主管３７を流れるパージガスの質量流量を計測し、流量制御を行う機器である。ＭＦＣ３８における流量制御は、制御部１７によって制御される。具体的には、ＭＦＣ３８は、制御部１７から出力される信号を受け取ると、信号に応じて主管３７におけるパージガスの流量を制御する。
制御部１７は、パージストッカ１の動作を統括的に制御する。制御部１７は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read OnlyMemory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）などからなる電子制御ユニットである。
制御部１７は、クレーン７の動作を制御する。制御部１７は、図示しない上位コントローラから送信されてくる格納容器Ｆの入出庫情報（格納容器Ｆの搬入及び搬出を指示する情報）に基づいて、クレーン７を制御する。また、制御部１７は、第１供給ユニット２０及び第２供給ユニット３０における格納容器Ｆのパージ処理の状況に応じて、第１供給ユニット２０と第２供給ユニット３０との間で格納容器Ｆを移載するように、クレーン７を制御する。制御部１７は、クレーン７の動作を指示する搬送信号をクレーン７に出力する。
制御部１７は、ＭＦＣ２４の動作を制御する。制御部１７は、載置部２２に載置された格納容器Ｆに目標供給流量でパージガスを供給する際には、ＭＦＣ２４を制御して、供給管２３におけるパージガスの流量が、目標供給流量となるように調整する。このとき、制御部１７は、目標供給流量となるまでは供給管２３におけるパージガスの流量を徐々（連続的）に増加させるようにＭＦＣ２４を制御する。より詳細には、制御部１７は、図７に示されるように、パージガスの供給を開始する時間ｔ０から第１目標供給流量ＴＦ１となる時間ｔ１までは、パージガスの流量を連続的に増加させるようにする。制御部１７は、時間ｔ１から時間ｔ２までは、第１目標供給流量ＴＦ１を維持するようにＭＦＣ２４を制御する。
制御部１７は、パージ時間が時間ｔ２を経過すると、第２目標供給流量ＴＦ２となるように、パージガスの流量を徐々に減少させるようにＭＦＣ２４を制御する。詳細には、制御部１７は、時間ｔ２から第２目標供給流量ＴＦ２となる時間ｔ３までは、パージガスの流量を連続的に減少させるようにする。第２目標供給流量ＴＦ２は、第１目標供給流量ＴＦ１よりも少なく、例えば、第１目標供給流量ＴＦ１の１／５程度である。なお、以下の説明においては、第１目標供給流量ＴＦ１でのパージ処理を初期パージ、第２目標供給流量ＴＦ２でのパージ処理を維持パージと称する。第１目標供給流量ＴＦ１及び第２目標供給流量ＴＦ２は、適宜設定されればよい。時間ｔ１，ｔ２，ｔ３は、第１目標供給流量ＴＦ１及び第２目標供給流量ＴＦ２などに応じて適宜設定されればよい。
制御部１７は、ＭＦＣ３８の動作を制御する。制御部１７は、載置部３２に載置された格納容器Ｆに第１目標供給流量ＴＦ１又は第２目標供給流量ＴＦ２でパージガスを供給する際には、ＭＦＣ３８を制御して、主管３７（供給管３４）におけるパージガスの流量が、第１目標供給流量ＴＦ１又は第２目標供給流量ＴＦ２となるように調整する。制御部１７は、ＭＦＣ３８においても、パージガスの流量を徐々に増加又は減少させるように制御してもよい。
続いて、パージストッカ１におけるパージ処理の動作（パージ方法）について、図５〜図９を参照して説明する。以下の説明においては、１つの第１供給ユニット２０は、５台の第１パージ装置２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅを備えていることとする。また、４つの第２供給ユニット３０のそれぞれには、３台の第２パージ装置３１が備えられていることとする。
パージストッカ１に例えばＯＨＴポート１１を介して格納容器Ｆが入庫されると、制御部１７は、格納容器Ｆを第１供給ユニット２０に搬送することを指示する搬送信号をクレーン７に出力する。クレーン７は、搬送信号に基づいて、図５に示されるように、格納容器Ｆを第１供給ユニット２０の第１パージ装置２１Ａ〜２１Ｅに搬送する。ここでは、制御部１７は、第１パージ装置２１Ａ、第１パージ装置２１Ｂ、第１パージ装置２１Ｃ、第１パージ装置２１Ｄ及び第１パージ装置２１Ｅの順番、すなわち、図示左側の第１パージ装置２１Ａから右側に向かって順番に格納容器Ｆを搬送するようにクレーン７を制御する。
第１パージ装置２１Ａ〜２１Ｅの載置部２２に格納容器Ｆが載置されると、載置部２２に設けられた検知部２５は、格納容器Ｆが載置部２２に載置されたことを示す検知信号を制御部１７に出力する。制御部１７は、検知信号を受け取ると、ＭＦＣ２４にパージ処理の開始を指示する信号を出力する。ＭＦＣ２４は、信号を受け取ると、供給管２３による格納容器Ｆへのパージガスの供給を開始させる。ここでは、格納容器Ｆが載置部２２に載置された順番、すなわち第１パージ装置２１Ａから順にパージ処理（初期パージ）が開始される。
図６に示されるように、第１パージ装置２１Ａ〜２１Ｅでは、載置部２２に格納容器Ｆが載置されるタイミング（搬送されるタイミング）が異なっているため、パージ処理が開始されるタイミングが異なっている。制御部１７は、各第１パージ装置２１Ａ〜２１Ｅにおける格納容器Ｆのパージ処理の状態を監視（把握）する。詳細には、制御部１７は、第１パージ装置２１Ａ〜２１Ｅにおいてパージ処理が開始されてからの経過時間を計測する。すなわち、制御部１７は、載置部２２に格納容器Ｆが載置されてからの経過時間に基づいて、第１パージ装置２１Ａ〜２１Ｅにおけるパージ処理の状態を監視する。
図７に示されるように、制御部１７は、第１供給ユニット２０において初期パージが完了した格納容器Ｆの個数が所定数、すなわち、１つの第２供給ユニット３０に設けられる第２パージ装置３１の台数であるＭ台（ここでは３台）となった場合に、格納容器Ｆを、一の第２供給ユニット３０の第２パージ装置３１に移載させる。詳細には、制御部１７は、図６に示されるように、第１パージ装置２１Ｃにおけるパージ処理が維持パージに切り替わる（図６に示す時間ｔが図４における時間ｔ３を経過する）と、クレーン７に搬送信号を出力する。また、制御部１７は、格納容器Ｆが搬出された第１パージ装置２１Ａ〜２１Ｃの供給管２３によるパージガスの供給をＭＦＣ２４を制御して停止させる。
第２パージ装置３１の載置部３２に格納容器Ｆが載置されると、載置部３２に設けられた検知部３３は、格納容器Ｆが載置部３２に載置されたことを示す検知信号を制御部１７に出力する。制御部１７は、第２供給ユニット３０に格納容器Ｆが移載され、全て（所定数）の第２パージ装置３１の載置部３２に格納容器Ｆが載置されたことを検知信号に基づいて確認すると、ＭＦＣ３８に信号を出力し、供給管３４による格納容器Ｆへのパージガスの供給を開始させる。すなわち、制御部１７は、一の第２供給ユニット３０に属する全ての第２パージ装置３１の検知部３３から検知信号を受け取ると、ＭＦＣ３８に信号を出力して、供給管３４による格納容器Ｆへのパージガスの供給を開始させる。第２供給ユニット３０では、パージ処理として、維持パージが実施される。
図８に示されるように、制御部１７は、上位コントローラから格納容器Ｆの出庫指示を受け取ると、クレーン７を制御して、一の第２供給ユニット３０から格納容器Ｆを出庫させる。図８に示す例では、１個の格納容器Ｆを出庫している。これにより、一の第２供給ユニット３０においては、全ての第２パージ装置３１の載置部３２に格納容器Ｆが載置されていない状態となる。このとき、制御部１７は、図８に示されるように、例えば、第１供給ユニット２０の第１パージ装置２１Ａにおいて維持パージが実施されている場合には、第１パージ装置２１Ａから第２供給ユニット３０に格納容器Ｆを移載させる。これにより、一の第２供給ユニット３０の全ての第２パージ装置３１の載置部３２に格納容器Ｆが載置されている状態となる。
図９に示されるように、２台の格納容器Ｆが一の第２供給ユニット３０から出庫された場合、一の第２供給ユニット３０においては、１台の第２パージ装置３１の載置部３２にのみ格納容器Ｆが載置されている状態となる。この場合、制御部１７は、例えば、第１供給ユニット２０の第１パージ装置２１Ｅの載置部２２に格納容器Ｆが載置されていないときには、第２パージ装置３１から第１供給ユニット２０の第１パージ装置２１Ｅに格納容器Ｆを移載させる。これにより、一の第２供給ユニット３０の全ての第２パージ装置３１の載置部３２に格納容器Ｆが載置されていない状態となる。制御部１７は、一の第２供給ユニット３０のＭＦＣ３８を制御し、供給管３４（主管３７）におけるパージガスの供給を停止させる。なお、制御部１７は、第１供給ユニット２０の第１パージ装置２１Ａ〜２１Ｅにおいて２台以上の格納容器Ｆに維持パージが実施されている場合には、その格納容器Ｆを一の第２供給ユニット３０に移載させてもよい。
以上説明したように、本実施形態のパージストッカ１では、第２供給ユニット３０は、全ての載置部３２に格納容器Ｆが載置された場合に、パージガスを供給管３４によって格納容器Ｆに供給する。すなわち、第２供給ユニット３０では、載置部３２に格納容器Ｆが載置されていない場合には、パージ処理を実施しない。これにより、パージガスが放出されることを抑制できるため、パージガスの消費を抑制することができる。また、複雑な構成を有するパージノズルを必要としないため、構成の簡易化を図ることができる。
本実施形態では、制御部１７の制御により、クレーン７は、第１供給ユニット２０において初期パージが完了した格納容器Ｆの個数がＭ個となった場合に、このＭ個の格納容器Ｆを、第１供給ユニット２０から第２供給ユニット３０に移載する。第２供給ユニット３０は、Ｍ個の格納容器Ｆの移載が完了した場合に、供給管３４により格納容器Ｆにパージガスを供給する。初期パージが完了した格納容器Ｆを第１供給ユニット２０から第２供給ユニット３０に逐次移載すると、第２パージ装置３１の載置部３２の全てに格納容器Ｆが載置されるまでに時間を要する場合がる。この場合、先に第２供給ユニット３０に移載された格納容器Ｆには、他の格納容器Ｆが移載されるまでの間、パージガスが供給されない。この場合、格納容器Ｆの内部の環境が良好に維持されなくなるおそれがある。そこで、第１供給ユニット２０において初期パージが完了した格納容器Ｆの個数がＭ個となった場合に第２供給ユニット３０に移載することで、格納容器Ｆにパージガスが供給されない時間を低減できる。
本実施形態では、第２供給ユニット３０は、複数の供給管３４が接続されると共に、複数の供給管３４のそれぞれにパージガスを供給する主管３７と、主管３７におけるパージガスの流量を調整するＭＦＣ３８と、を有している。これにより、供給管３４に供給するパージガスの流量を調整できる。また、主管３７にＭＦＣ３８を１つだけ設ける構成であるため、各供給管３４にＭＦＣを設ける構成に比べて、構成の簡易化を図ることができると共に、コストの増大を抑制できる。更に、例えばパージストッカ１において停電等が発生した後にパージストッカ１を立ち上げたときには、第２供給ユニット３０において格納容器Ｆに初期パージを行うことがある。この場合、主管３７にＭＦＣ３８を設けているため、供給管３４により格納容器Ｆに供給するパージガスの流量を徐々に増加させることができる。したがって、格納容器Ｆの内部に塵埃が巻き上がることを抑制できる。
本実施形態では、ＭＦＣ２４は、格納容器Ｆに対してパージガスの供給を開始させる際には、第１目標供給流量ＴＦ１となるように供給管２３におけるパージガスの流量を連続的又は段階的に増加させる。これにより、格納容器Ｆの内部に塵埃が巻き上がることを抑制できる。
本実施形態では、制御部１７の制御により、クレーン７は、第２供給ユニット３０から格納容器Ｆが搬出された場合、搬出された個数の格納容器Ｆを第１供給ユニット２０から第２供給ユニット３０に移載する。これにより、第２供給ユニット３０においては、常に、Ｍ個の格納容器Ｆが存在することになる。そのため、全ての供給管３４が格納容器Ｆに接続された状態で格納容器Ｆにパージガスを供給することができる。そのため、パージガスの消費量の削減を図れると共に、格納容器Ｆに対して精度良くパージガスを供給できる。
本発明は、上記実施形態に限定されない。例えば、上記実施形態では、一の第２供給ユニット３０から格納容器Ｆが搬出された場合、第１供給ユニット２０から第２供給ユニット３０に格納容器Ｆを移載、又は、第２供給ユニット３０から第１供給ユニット２０に格納容器Ｆを移載する形態を一例に説明した。これについて、図１０に示されるように、一の第２供給ユニット３０から格納容器Ｆが搬出された場合、被格納物が格納されていない空の格納容器ＦＤを保管する棚５０から第２供給ユニット３０に空の格納容器ＦＤを移載してもよい。これにより、第２供給ユニット３０では、全ての第２パージ装置３１の載置部３２に格納容器Ｆ，ＦＤが載置された状態でパージガスを供給することができる。
上記実施形態では、第２供給ユニット３０において全ての第２パージ装置３１の載置部３２に格納容器Ｆが載置された場合に、供給管３４により格納容器Ｆにパージガスを供給しているが、全ての第２パージ装置３１の載置部３２に格納容器Ｆが載置されていない場合であっても、所定数の載置部３２に格納容器Ｆが載置されている場合には、供給管３４により格納容器Ｆにパージガスを供給してもよい。所定数は、例えば、全ての載置部３２の８０％以上である。この場合、制御部１７は、ＭＦＣ３８において主管３７におけるパージガスの流量を増大させる。具体的には、制御部１７は、第２パージ装置３１の供給管３４に接続される格納容器Ｆの個数に応じて、パージガスの流量を設定する。例えば、一の第２供給ユニット３０に第２パージ装置３１が３台設けられている場合、設定流量は、目標供給流量（例えば、１０ｌ／ｍｉｎ）に供給管３４に接続される格納容器Ｆの個数（載置部３２の台数：３）を乗じた流量とされる。全ての供給管３４に格納容器Ｆが接続されない場合には、設定流量は、通常の設定流量よりも増大させた流量とされる。これにより、格納容器Ｆに接続されていない供給管３４からパージガスが放出される場合であっても、格納容器Ｆに対して一定量のパージガスの供給を行うことができる。
上記実施形態では、載置部２２（載置部３２）に格納容器Ｆが載置されたことを検知部２５（検知部３３）により検知する構成を一例に説明したが、格納容器Ｆが載置されたことを把握（検知）する方法はこれに限定されない。例えば、制御部１７は、クレーン７の動作（搬送指令の情報）に基づいて、格納容器Ｆが載置部２２（載置部３２）に載置されたことを把握してもよい。
上記実施形態では、載置部３２に格納容器Ｆが載置（支持）された場合に、パージガスを供給管３４によって格納容器Ｆに供給する形態を一例に説明したが、クレーン７に対して移載指令が出された場合等、載置部３２によって格納容器Ｆが支持されることが確定した場合にパージガスを供給してもよい。
上記実施形態では、第２供給ユニット３０の主管３７にＭＦＣ３８が設けられている形態を一例に説明したが、ＭＦＣ３８は設けられていなくてもよい。主管３７には、ＭＦＣ３８に替えて、レギュレータが設けられていてもよい。
上記実施形態では、第２パージ装置３１の供給管３４にオリフィス３６が設けられている構成を一例に説明したが、オリフィス３６は設けられていなくてもよい。
１…パージストッカ、７…クレーン（移載装置）、１７…制御部、２０…第１供給ユニット、２１…第１パージ装置、２２…載置部（第１支持部）、２３…供給管（第１供給管）、２４…ＭＦＣ（第１流量調整部）、３０…第２供給ユニット、３１…第２パージ装置、３２…載置部（第２支持部）、３４…供給管（第２供給管）、３７…主管、３８…ＭＦＣ（第２流量調整部）、Ｆ…格納容器、ＦＤ…空の格納容器。

Claims (9)

  1. 被格納物が格納される格納容器の内部をパージガスによってパージ処理するパージストッカであって、
    前記格納容器を支持する第１支持部と、前記第１支持部に支持された前記格納容器に前記パージガスを供給する第１供給管と、前記第１供給管における前記パージガスの流量を調整する第１流量調整部と、を有する第１パージ装置をＮ台（Ｎは２以上の整数）備える第１供給ユニットと、
    前記格納容器を支持する第２支持部と、前記第２支持部に支持された前記格納容器に前記パージガスを供給する第２供給管と、を有する第２パージ装置をＭ台（ＭはＮ以下の正の整数）備える第２供給ユニットと、
    前記第１供給ユニットと前記第２供給ユニットとの間で前記格納容器を移載する移載装置と、を備え、
    前記第２供給ユニットは、所定数の前記第２支持部に前記格納容器が支持される場合に、前記パージガスを前記第２供給管によって前記格納容器に供給する、パージストッカ。
  2. 前記第２供給ユニットは、Ｍ台の前記第２パージ装置の前記第２支持部の全てに前記格納容器が支持される場合に、前記パージガスを前記第２供給管によって前記格納容器に供給する、請求項１記載のパージストッカ。
  3. 前記移載装置は、前記第１供給ユニットにおいて所定の流量の前記パージガスが所定の時間供給された前記格納容器の個数がＭ個となった場合に、Ｍ個の当該格納容器を、前記第１供給ユニットから前記第２供給ユニットに移載し、
    前記第２供給ユニットは、Ｍ個の前記格納容器の移載が完了する場合に、前記第２供給管により前記格納容器に前記パージガスを供給する、請求項２記載のパージストッカ。
  4. 前記第２供給ユニットは、前記第２供給管が接続されると共に、前記第２供給管のそれぞれに前記パージガスを供給する主管と、前記主管における前記パージガスの流量を調整する第２流量調整部と、を有している、請求項１〜３のいずれか一項記載のパージストッカ。
  5. 前記第２流量調整部は、前記主管における前記パージガスの流量が前記第２供給ユニットにおいて前記第２供給管に接続される前記格納容器の個数に応じて設定される設定流量となるように調整する、請求項４記載のパージストッカ。
  6. 前記第１流量調整部は、前記格納容器に対してパージガスの供給を開始させる際には、所定の供給流量となるように前記第１供給管における前記パージガスの流量を連続的又は段階的に増加させる、請求項１〜５のいずれか一項記載のパージストッカ。
  7. 前記移載装置は、前記第２供給ユニットから前記格納容器が搬出された場合、搬出された個数の前記格納容器を前記第１供給ユニットから前記第２供給ユニットに移載する、請求項１〜６のいずれか一項記載のパージストッカ。
  8. 前記被格納物が格納されていない空の格納容器を一又は複数備え、
    前記移載装置は、前記第２供給ユニットから前記格納容器が搬出された場合、搬出された個数の前記空の格納容器を前記第２供給ユニットに移載する、請求項１〜７のいずれか一項記載のパージストッカ。
  9. 被格納物が格納される格納容器の内部をパージガスによってパージ処理するパージストッカにおけるパージ方法であって、
    前記パージストッカは、
    前記格納容器を支持する第１支持部と、前記第１支持部に支持された前記格納容器に前記パージガスを供給する第１供給管と、前記第１供給管における前記パージガスの流量を調整する第１流量調整部と、を有する第１パージ装置をＮ台（Ｎは２以上の整数）備える第１供給ユニットと、
    前記格納容器を支持する第２支持部と、前記第２支持部に支持された前記格納容器に前記パージガスを供給する第２供給管と、を有する第２パージ装置をＭ台（ＭはＮ以下の正の整数）備える第２供給ユニットと、
    前記第１供給ユニットと前記第２供給ユニットとの間で前記格納容器を移載する移載装置と、を備えており、
    所定数の前記第２支持部に前記格納容器が支持される場合に、前記第２供給ユニットにおいて、前記パージガスを前記第２供給管によって前記格納容器に供給させる、パージ方法。
JP2016529137A 2014-06-16 2015-04-21 パージストッカ及びパージ方法 Active JP6217854B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014123376 2014-06-16
JP2014123376 2014-06-16
PCT/JP2015/062132 WO2015194252A1 (ja) 2014-06-16 2015-04-21 パージストッカ及びパージ方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2015194252A1 true JPWO2015194252A1 (ja) 2017-04-20
JP6217854B2 JP6217854B2 (ja) 2017-10-25

Family

ID=54935249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016529137A Active JP6217854B2 (ja) 2014-06-16 2015-04-21 パージストッカ及びパージ方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10410894B2 (ja)
EP (1) EP3157047B1 (ja)
JP (1) JP6217854B2 (ja)
KR (1) KR101865091B1 (ja)
CN (1) CN107534004B (ja)
IL (1) IL249418B (ja)
SG (1) SG11201609705SA (ja)
TW (1) TWI643684B (ja)
WO (1) WO2015194252A1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106415812B (zh) * 2014-06-16 2019-01-11 村田机械株式会社 清洗装置、清洗系统、清洗方法以及清洗系统中的控制方法
JP6414525B2 (ja) * 2015-09-02 2018-10-31 株式会社ダイフク 保管設備
US10583983B2 (en) 2016-03-31 2020-03-10 Daifuku Co., Ltd. Container storage facility
JP6729115B2 (ja) * 2016-03-31 2020-07-22 株式会社ダイフク 容器収納設備
JP6623988B2 (ja) * 2016-09-09 2019-12-25 株式会社ダイフク 容器収納設備
JP6610476B2 (ja) * 2016-09-09 2019-11-27 株式会社ダイフク 容器収納設備
JP6631446B2 (ja) * 2016-09-09 2020-01-15 株式会社ダイフク 物品収納設備
SG11201905531SA (en) * 2017-02-20 2019-09-27 Murata Machinery Ltd Purge stocker
CN110838461B (zh) * 2018-08-16 2023-09-08 细美事有限公司 净化处理装置及净化处理方法
JP7090513B2 (ja) * 2018-09-06 2022-06-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びパージ方法
KR102102413B1 (ko) * 2018-09-19 2020-04-20 크린팩토메이션 주식회사 모듈형 용기 스토커 장치 및 그에 사용되는 카로셀 타입의 용기 보관 모듈
KR102318029B1 (ko) * 2020-06-29 2021-10-27 주식회사 아셀 유량 테스트 수단을 포함하는 퍼지가스 공급장치

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000332095A (ja) * 1999-05-20 2000-11-30 Dan Sangyo Kk 基板保管装置及び基板保管方法
US20090053017A1 (en) * 2006-03-17 2009-02-26 Shlomo Shmuelov Storage and purge system for semiconductor wafers
JP2010016199A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Murata Mach Ltd パージ装置
JP2010182747A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Dan Takuma:Kk 保管システムおよび保管方法
JP2013131712A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Daifuku Co Ltd 不活性ガス注入装置
JP2013139318A (ja) * 2012-01-04 2013-07-18 Daifuku Co Ltd 物品保管設備
JP2013139319A (ja) * 2012-01-04 2013-07-18 Daifuku Co Ltd 物品保管設備
JP2013142009A (ja) * 2012-01-06 2013-07-22 Daifuku Co Ltd 物品保管設備
US20140112739A1 (en) * 2012-10-23 2014-04-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, purging apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990004094A (ko) * 1997-06-27 1999-01-15 윤종용 반도체장치 제조설비의 배관 퍼지장치와 그 퍼지방법 및 이들 퍼지장치와 퍼지방법을 이용한 제조설비의 클리닝 방법
JP4413376B2 (ja) * 2000-05-29 2010-02-10 全協化成工業株式会社 ウェハー保管装置
JP4670808B2 (ja) * 2006-12-22 2011-04-13 ムラテックオートメーション株式会社 コンテナの搬送システム及び測定用コンテナ
JP5503389B2 (ja) * 2010-04-16 2014-05-28 株式会社ダン・タクマ 保管システムおよび保管方法
JP5440871B2 (ja) * 2010-08-20 2014-03-12 株式会社ダイフク 容器保管設備
JP5598729B2 (ja) * 2011-12-26 2014-10-01 株式会社ダイフク 物品保管設備
JP5527624B2 (ja) * 2012-01-05 2014-06-18 株式会社ダイフク 保管棚用の不活性ガス注入装置
KR101418812B1 (ko) * 2012-10-31 2014-07-16 크린팩토메이션 주식회사 웨이퍼 퍼지 가능한 천장 보관 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000332095A (ja) * 1999-05-20 2000-11-30 Dan Sangyo Kk 基板保管装置及び基板保管方法
US20090053017A1 (en) * 2006-03-17 2009-02-26 Shlomo Shmuelov Storage and purge system for semiconductor wafers
JP2010016199A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Murata Mach Ltd パージ装置
JP2010182747A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Dan Takuma:Kk 保管システムおよび保管方法
JP2013131712A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Daifuku Co Ltd 不活性ガス注入装置
JP2013139318A (ja) * 2012-01-04 2013-07-18 Daifuku Co Ltd 物品保管設備
JP2013139319A (ja) * 2012-01-04 2013-07-18 Daifuku Co Ltd 物品保管設備
JP2013142009A (ja) * 2012-01-06 2013-07-22 Daifuku Co Ltd 物品保管設備
US20140112739A1 (en) * 2012-10-23 2014-04-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, purging apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
US10410894B2 (en) 2019-09-10
EP3157047A1 (en) 2017-04-19
TWI643684B (zh) 2018-12-11
WO2015194252A1 (ja) 2015-12-23
KR101865091B1 (ko) 2018-06-07
EP3157047A4 (en) 2018-03-07
SG11201609705SA (en) 2017-01-27
IL249418A0 (en) 2017-02-28
IL249418B (en) 2020-07-30
KR20170015994A (ko) 2017-02-10
EP3157047B1 (en) 2021-03-24
JP6217854B2 (ja) 2017-10-25
CN107534004A (zh) 2018-01-02
TW201607632A (zh) 2016-03-01
US20170140949A1 (en) 2017-05-18
CN107534004B (zh) 2020-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6217854B2 (ja) パージストッカ及びパージ方法
JP6217855B2 (ja) パージ装置、パージシステム、パージ方法及びパージシステムにおける制御方法
US9064918B2 (en) Article storage facility and article storage method
JP5874691B2 (ja) 不活性気体供給設備
US9524893B2 (en) Inactive gas introducing facility and inactive gas introducing method
JP5709011B2 (ja) 物品保管設備
JP6813097B2 (ja) 保管システムと保管システムでのパージ方法
US20140014229A1 (en) Article Storage Facility and Article Storage Method
US10991606B2 (en) Purge stocker

Legal Events

Date Code Title Description
A529 Written submission of copy of amendment under article 34 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A5211

Effective date: 20161117

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170829

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170911

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6217854

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250