JPWO2015189982A1 - スイッチ回路およびこれを用いた超音波探触子ならびに超音波診断装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、本発明の実施の形態の概要について説明する。本実施の形態の概要では、一例として、括弧内に実施の形態の対応する構成要素の符号等を付して説明する。
本発明に対する比較技術における送受分離スイッチ回路について、図10〜図11を用いて説明する。図10は、前述した特許文献1の図1を本発明者の視点で描き直した送受分離スイッチ回路の構成を示す回路図である。図11は、前述した特許文献2の図1を本発明者の視点で描き直した送受分離スイッチ回路の構成を示す回路図である。
本発明の実施の形態1における送受分離スイッチ回路について、図1〜図4を用いて説明する。
図1は、本実施の形態1における送受分離スイッチ回路の構成の一例を示す回路図である。この図1は、シャント回路を共通ゲート−共通ソース間に挿入し、高耐圧PMOSFETを共通ゲートのプルアップに使用する回路構成である。
図2は、図1の送受分離スイッチ回路の構成において、動作の一例を説明するタイミングチャートである。この図2は、スイッチオフ期間の送信回路の高圧信号の送波、スイッチオン期間の微小信号の受波を示した図である。
図3は、図1の送受分離スイッチ回路の構成に対して、シャント回路SHNTを削除した場合の動作の一例を説明するタイミングチャートである。本実施の形態1におけるシャント回路SHNTの役割を補足説明するために、図1の回路においてシャント回路SHNTが存在しない場合の波形を図3に示す。
以上説明した本実施の形態1における送受分離スイッチ回路によれば、高耐圧MOSFETをNMOSFET(MN1、MN2)、PMOSFET(MP1)の3素子で構成して小面積な回路を実現することができ、かつ、シャント回路SHNTにより定常電流を流さずに低消費電力な回路を実現することができる。すなわち、本実施の形態1によれば、送信時にはスイッチオフ状態となり、送信回路の生成する高電圧の駆動信号から受信回路を分離して電気的に保護し、かつ、受信時にはスイッチオン状態となり、振動子からの微弱な受信信号を低損失で通過させる送受分離スイッチ回路を、小面積かつ低消費電力で実現可能となる。より詳細には、以下のような効果も得ることができる。
本発明の実施の形態2における送受分離スイッチ回路について、図5を用いて説明する。図5は、本実施の形態2における送受分離スイッチ回路の構成の一例を示す回路図である。この図5は、共通ゲート−共通ソース間に抵抗を挿入し、共通ゲートのフローティングとリーク電流に起因するスイッチオフ状態からオン状態への意図しない遷移の影響を低減した回路構成である。本実施の形態2では、前述した実施の形態1と異なる点を主に説明する。
本発明の実施の形態3における送受分離スイッチ回路について、図6を用いて説明する。図6は、本実施の形態3における送受分離スイッチ回路の構成の一例を示す回路図である。この図6は、送受分離スイッチ回路の出力にクランプダイオードを設けることで送受分離性能を向上させた回路構成である。本実施の形態3では、前述した実施の形態1および2と異なる点を主に説明する。
本発明の実施の形態4における送受分離スイッチ回路について、図7を用いて説明する。図7は、本実施の形態4における送受分離スイッチ回路の構成の一例を示す回路図である。この図7は、送受分離スイッチ回路の出力をGNDに短絡するスイッチを設けることで送受分離性能を向上させた回路構成である。本実施の形態4では、前述した実施の形態1〜3と異なる点を主に説明する。
本発明の実施の形態5における送受分離スイッチ回路を用いた超音波探触子ならびに超音波診断装置について、図8および図9を用いて説明する。図8は、本実施の形態5における超音波診断装置の構成の一例を示すブロック図である。図9は、サブアレイの構成の一例を示すブロック図である。本実施の形態5は、前述した実施の形態1〜4で説明した送受分離スイッチ回路を用いた超音波探触子、この超音波探触子を用いた超音波診断装置の例である。
MP1 PMOSFET
C1 キャパシタ
R1 抵抗
D1〜2 ダイオード
INV1〜2 論理インバータ
SHNT シャント回路
Vdd 電源電圧
COMG 共通ゲート
COMS 共通ソース
SWIN スイッチ入力
SWOUT スイッチ出力
Claims (14)
- 入力端子と出力端子との間に接続された第1MOSFETおよび第2MOSFETを有し、送信時にはスイッチオフ状態となり、受信時にはスイッチオン状態となるスイッチ回路であって、
前記第1MOSFETおよび前記第2MOSFETのゲートが互いに接続された共通ゲートとソースが互いに接続された共通ソースと間に接続されたシャント回路を有し、
前記シャント回路は、前記入力端子に基準電圧に対して負電圧の信号が印加された場合に、一時的にオンになるスイッチにより前記共通ゲートと前記共通ソースとの間を短絡する、スイッチ回路。 - 請求項1記載のスイッチ回路において、
前記シャント回路は、
前記共通ゲートと前記共通ソースとの間に接続され、抵抗およびキャパシタからなるフィルタと、
前記フィルタに接続され、前記抵抗の抵抗値と前記キャパシタの容量値との積である時定数以下で前記共通ゲートと前記共通ソースとの間の電圧が増加した場合に前記共通ゲートと前記共通ソースとの間を短絡する前記スイッチである第3MOSFETと、
を有し、
前記抵抗の抵抗値と前記キャパシタの容量値との積である前記時定数が調整可能である、スイッチ回路。 - 請求項2記載のスイッチ回路において、
前記第1MOSFETおよび前記第2MOSFETは、前記第3MOSFETよりも耐電圧が高い、スイッチ回路。 - 請求項3記載のスイッチ回路において、
前記共通ゲートと前記共通ソースとの間に、前記シャント回路と並列に接続され、前記スイッチオフ状態において前記共通ソースからみた前記共通ゲートのフローティング状態を回避して前記スイッチオフ状態を維持する抵抗を有する、スイッチ回路。 - 請求項3記載のスイッチ回路において、
前記出力端子に接続され、前記スイッチオン状態で前記入力端子に印加される信号の前記基準電圧に対して高電位側および低電位側にクランプをかけるダイオードを有する、スイッチ回路。 - 請求項3記載のスイッチ回路において、
前記出力端子に接続され、前記スイッチオン状態で前記入力端子に印加される信号の前記基準電圧に対して前記出力端子を短絡する第4MOSFETを有し、
前記第4MOSFETは、前記第1MOSFETおよび前記第2MOSFETよりも耐電圧が低い、スイッチ回路。 - 請求項3記載のスイッチ回路において、
前記共通ゲートに接続され、オンにより前記共通ゲートに所定の電源電圧を印加することで前記スイッチオン状態にし、オフにより前記共通ゲートと前記共通ソースとの間の電圧を閾値電圧以下にすることで前記スイッチオフ状態にする第5MOSFETを有し、
前記第5MOSFETは、前記第3MOSFETよりも耐電圧が高い、スイッチ回路。 - 請求項7記載のスイッチ回路において、
前記第5MOSFETは、前記第5MOSFETの耐電圧よりも低い電圧の論理ハイレベルまたはローレベルの制御信号により制御される、スイッチ回路。 - 請求項8記載のスイッチ回路において、
前記第5MOSFETのソースは、前記第5MOSFETの耐電圧よりも低い電圧の論理ハイレベルまたはローレベルの制御信号により制御され、前記スイッチオン状態と前記スイッチオフ状態との間の遷移時には、前記制御信号を駆動する論理回路から、前記第5MOSFETを介して、前記共通ゲートの充放電電流が供給される、スイッチ回路。 - 請求項1記載のスイッチ回路を用いた超音波探触子であって、
前記超音波探触子は、
振動子を駆動する第1電圧の信号を送信する送信回路と、
前記振動子からの前記第1電圧より低い第2電圧の信号を受信する受信回路と、
送信時にはスイッチオフ状態となり、前記送信回路の送信する信号から前記受信回路を分離し、受信時にはスイッチオン状態となり、前記振動子からの信号を前記受信回路へ通過させる前記スイッチ回路と、
を有する、超音波探触子。 - 請求項10記載の超音波探触子において、
前記超音波探触子は、
複数の前記送信回路と、
複数の前記受信回路と、
複数の前記スイッチ回路と、
前記複数の受信回路からの信号を加算する1つの加算回路と、
を有する、超音波探触子。 - 請求項11記載の超音波探触子において、
前記複数の送信回路、前記複数の受信回路、前記複数のスイッチ回路、および、前記1つの加算回路はサブアレイを構成し、
前記サブアレイは複数からなる、超音波探触子。 - 請求項12記載の超音波探触子において、
前記複数のサブアレイの前記複数の送信回路、前記複数の受信回路、前記複数のスイッチ回路、および、前記1つの加算回路は集積回路からなり、
前記集積回路は、2次元配列の前記振動子と重ねて実装される、超音波探触子。 - 請求項10記載の超音波探触子を用いた超音波診断装置であって、
前記超音波診断装置は、
前記超音波探触子と、
前記超音波探触子を制御すると共に画像処理する本体装置と、
を有する、超音波診断装置。
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