JPWO2015099001A1 - 石英ガラスルツボ及びその歪み測定装置 - Google Patents

石英ガラスルツボ及びその歪み測定装置 Download PDF

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Abstract

石英ガラスルツボ全体の歪み分布を非破壊で測定する。歪み測定装置は、石英ガラスルツボ1にその外側から投光する光源11と、光源11と石英ガラスルツボ1の壁体の外表面との間に配置された第1の偏光板12及び第1の1/4波長板13と、石英ガラスルツボ1の内側に配置されたカメラ14と、カメラ14の撮影方向を制御するカメラ制御機構15と、カメラ14と石英ガラスルツボ1の壁体の内表面との間に配置された第2の偏光板16及び第2の1/4波長板17とを備える。第2の1/4波長板17の光学軸は第1の1/4波長板13の光学軸に対して90度傾けられている。カメラ14は、光源11から投光され、第1の偏光板12、第1の1/4波長板13、石英ガラスルツボ1の壁体、第2の1/4波長板17及び第2の偏光板16を通過した光を撮影する。【選択図】図1

Description

本発明は、石英ガラスルツボ及びその歪み測定装置に関し、特に、シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの歪みを非破壊測定する歪み測定装置に関する。
チョクラルスキー法(CZ法)によるシリコン単結晶の製造では石英ガラスルツボが用いられている(例えば特許文献1参照)。CZ法では、シリコン原料を石英ガラスルツボに入れて加熱溶融し、このシリコン融液に種結晶を浸漬し、ルツボを回転させながら種結晶を徐々に引き上げて単結晶を成長させる。半導体デバイス用の高品質なシリコン単結晶を低コストで製造するためには、一回の引き上げ工程での単結晶収率を高めることが必要であり、そのためには多量の原料を保持できる大容量のルツボを用いる必要がある。
CZ法によるシリコン単結晶の引き上げの準備段階では、石英ガラスルツボ内にシリコン原料が予め充填される。この充填作業は人手により行われることが多い。石英ガラスルツボは非常に繊細で割れや欠けが生じやすく、多量の原料を勢いよく投入すれば容易に割れてしまうからである。また、一回の引き上げ工程で出来るだけ大きなシリコン単結晶インゴットを得るためには、最初にできるだけ多量の原料をルツボ内に隙間なく詰め込む必要がある。そのためには、多結晶シリコン小片の大きさ、形状等を考慮した丁寧な充填作業が必要である。
しかしながら、たとえ人手による慎重な充填作業を行ったとしても、多結晶シリコン小片の充填時に石英ガラスルツボが突然割れる現象が見られる。その理由は、石英ガラスルツボの製造過程で石英ガラス中に残留する歪みが原因であると考えられる。すなわち、残留歪みが大きな位置に多結晶シリコンの小片を置いたとき、たとえ弱い衝撃であっても、その衝撃が引き金となって石英ガラスの割れが発生するものと推測される。石英ガラスルツボの残留歪みは、一度完成したルツボをアニール処理したアニールルツボや、一度完成したルツボを再びアーク溶融したいわゆるリアークルツボにおいて特に顕著である(特許文献2参照)。
石英ガラスルツボが割れてしまった場合、ルツボ自体が使用できなくなるだけでなく、これまで行ってきた原料の充填作業もすべて無駄になってしまうため、コストや工数の面で非常に大きな損失となる。このような割れを完全に防止することは難しいが、石英ガラス中の残留歪みが大きい場合には不良品又はB級製品として取り扱うようにすれば問題を解消することが可能である。そのためには、石英ガラスルツボ中の残留歪みの分布を正確に測定する方法が必要である。
特開2010−280567号公報 特開2001−342030号公報
現在主流の大口径シリコン単結晶インゴットの引き上げに用いられるルツボの開口部の直径(口径)は32インチ(約800mm)以上である。このような大口径のルツボは直径300mm以上の大口径シリコン単結晶インゴットの引き上げに用いられる。ルツボの肉厚は10mm以上から20mm以上である。通常、口径32インチ(約800mm)以上の大型ルツボの肉厚は10mm以上、40インチ(約1000mm)以上の大型ルツボの肉厚は13mm以上である。ルツボの外表面側には多数の微小な気泡を含む不透明な石英ガラス層であり、内表面側には気泡をほとんど含まない透明な石英ガラス層である。
石英ガラスルツボは、石英粉をカーボン製の回転モールドに充填し、ルツボの形状に整形された石英粉をアーク溶融し、冷却してガラス化することにより製造されるため、石英ガラスルツボ全体を均一に加熱することができない。そのため、石英ガラス中には残留歪みが存在する。残留歪みは、ガラス密度の分布を表している。透明なガラスは密度差があると光軸方向に対して垂直面内に密度分布があるので、その密度分布を残留歪みとして測定することが可能である。
従来の一般的な歪み測定器は、薄く透明なガラス平板の歪み測定はできたが、石英ガラスルツボの歪みを非破壊で測定することはできなかった。そのため、従来の石英ガラスルツボの歪み測定方法は、いわゆる破壊検査であり、ルツボを垂直方向に切り出し、ルツボの断面を歪み測定器で測定していた。シリコン単結晶引き上げ用の石英ガラスルツボの外表面側には多数の微小な気泡を含む不透明層があるため、ルツボの表面に照射した光の透過光を用いて歪みを光学的に測定しようとしても不透明層によって光の透過が邪魔され、歪みを測定することができなかったからである。
しかしながら、ルツボ製品から切り出されたサンプルと、切り出される前の全周に亘って拘束されたルツボ製品とでは、歪みの状態が違うと考えられる。例えば、切り出されたサンプルでは残留歪みが大きかったとしても拘束状態では残留歪みがほとんどない場合も有り得る。したがって、ルツボ製品の状態においてどのような残留歪みが含まれているかを非破壊で正確に調べることができることが望まれている。
したがって、本発明の目的は、石英ガラスルツボ全体の歪み分布を非破壊で測定することが可能な石英ガラスルツボの歪み測定装置を提供することにある。また本発明の目的は、非破壊で測定する歪み測定装置によって特定される残留歪み分布を有し、原料充填時に割れにくい石英ガラスルツボを提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明による歪み測定装置は、多数の気泡を含む不透明な外層と、気泡が除去された透明な内層とを有する石英ガラスルツボの歪み測定装置であって、前記石英ガラスルツボの外側に配置された光源と、前記光源と前記石英ガラスルツボの壁体の外表面との間に配置された第1の偏光板と、前記第1の偏光板と前記石英ガラスルツボの壁体の外表面との間に配置された第1の1/4波長板と、前記石英ガラスルツボの内側に配置されたカメラと、前記カメラの撮影方向を制御するカメラ制御機構と、前記カメラと前記石英ガラスルツボの壁体の内表面との間に配置された第2の偏光板と、前記カメラと前記石英ガラスルツボの壁体の内表面との間に配置され、前記第1の1/4波長板に対して光学軸が90度傾けられた第2の1/4波長板とを備え、前記カメラは、前記光源から投光され、前記第1の偏光板、前記第1の1/4波長板、前記石英ガラスルツボの壁体、前記第2の1/4波長板及び前記第2の偏光板を通過した光をカラー撮影することを特徴とする。
本発明によれば、光源からの光を第1の偏光板で直線偏光に変換し、これをさらに1/4波長板で円偏光に変換した後、ルツボの壁体に照射することで、ルツボの歪みの測定が可能となる。例えば横波の光は気泡の影響を受けて不透明層を透過できない場合や、縦波の光は気泡の影響を受けて不透明層を透過できない場合があるが、円偏光であれば気泡の影響をそれほど受けることなく不透明な外層を透過することができる。透過光は、第1の1/4波長板に対して90度傾けられた第2の1/4波長板および第2の偏光板を通して、CCDカメラで撮影することができる。したがって、石英ガラスルツボの歪みの影響を受けた透過光を撮影することができる。
本発明において、前記第2の1/4波長板は、前記第2の偏光板と前記石英ガラスルツボの壁体の内表面との間に配置されていることが好ましい。この構成によれば、石英ガラス中の歪みが色の変化として現れるので、歪み分布を容易に把握することができる。
本発明において、前記第2の1/4波長板は、前記カメラと前記第2の偏光板との間に配置されていてもよい。この構成によれば、石英ガラス中の歪みがカラーではなく白黒の模様として現れるので、歪み分布を容易に把握することが可能である。
本発明において、前記第1の偏光板は、前記石英ガラスルツボの高さ方向の全体をカバーする第3の偏光板と、前記石英ガラスルツボの底部の全面をカバーする第4の偏光板を含み、前記第1の1/4波長板は、前記石英ガラスルツボの高さ方向の全体をカバーする第3の1/4波長板と、前記石英ガラスルツボの底部の全面をカバーする第4の1/4波長板を含むことが好ましい。第1の偏光板及び第1の1/4波長板のサイズが小さい場合には、カメラの撮影位置を変更する度にそれらの位置も変更しなければならず、ルツボ一個当たりの測定時間が長くなる。また、撮影時のカメラとそれらの光学素子との距離・角度等の微妙な変化によって測定結果に違いが出るという問題もある。しかし、サイズの大きな偏光板と1/4波長板とを使用することで撮影毎の位置変更を不要にすることができる。また、偏光板と1/4波長板を固定することで位置調整による測定結果のばらつきを抑えることができる。
本発明において、前記光源は、前記石英ガラスルツボの高さ方向に沿って所定の間隔で配列され、前記石英ガラスルツボの側部に投光する複数の第1のLEDライトと、前記石英ガラスルツボの径方向に沿って所定の間隔で配置され、前記石英ガラスルツボの底部に投光する複数の第2のLEDライトを含むことが好ましい。光源として1個のLEDライトを用いる場合には、カメラの撮影位置を変更する度にLEDライトの位置も変更しなければならず、ルツボ一個当たりの測定時間が長くなる。また、撮影時のカメラと光源の距離・角度等の微妙な変化によって測定結果に違いが出るという問題もある。しかし、複数のLEDライトを使用することで撮影毎の位置変更を不要にすることができる。また、LEDライトを固定することで位置調整による測定結果のばらつきを抑えることができる。
本発明において、前記カメラ制御機構は、前記カメラの撮影方向を前記石英ガラスルツボの高さ方向に沿って一方向に移動させながら連続的に撮影することが好ましい。この構成によれば、ルツボの高さ方向の全体、すなわちルツボのリム上端から底部中心までの範囲全体の歪みを測定することができ、ルツボの高さ方向の歪みの分布を客観的に把握することができる。
本発明において、前記カメラ制御機構は、前記カメラの撮影方向を前記石英ガラスルツボの周方向に移動させて、前記石英ガラスルツボの全内周面を撮影することが好ましい。あるいは、前記カメラの位置を固定し、前記石英ガラスルツボを回転させることにより、前記石英ガラスルツボの全内周面を撮影してもよい。この構成によれば、ルツボ全体の歪みの分布を一見して把握することができ、ルツボの信頼性を容易に評価することができる。
さらに、本発明による石英ガラスルツボは、円筒状の直胴部と、前記直胴部の下端に形成されたコーナー部と、前記コーナー部を介して前記直胴部に接続された底部とを有するシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボであって、気泡を内包する不透明な外層と、気泡が排除された透明な内層とを備え、非破壊状態における石英ガラス内表面測定での残留歪みの分布が光路差(リタデーション値)130nm以下であることを特徴とする。本発明によれば、原料の充填作業中にルツボが割れてしまう確率を大幅に低減することが可能であり、信頼性の高い石英ガラスルツボを提供することができる。
本発明によれば、石英ガラスルツボ全体の歪み分布を非破壊で測定することが可能な歪み測定装置を提供することができる。また、本発明によれば、そのような歪み測定装置によって特定される残留歪み分布を有し、原料充填時に割れにくい石英ガラスルツボを提供することができる。
図1は、本発明の第1の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す側面図である。 図2は、図1の歪み測定装置の構成を模式的に示す平面図である。 図3は、歪み測定装置の測定原理の一例を説明するための模式図である。 図4は、本発明の第2の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す図であって、(a)は平面図、(b)は断面図である。 図5は、本発明の第3の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す図であって、(a)は平面図、(b)は断面図である。 図6は、本発明の第4の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す断面図である。 図7は、本発明の第5の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す断面図である。 図8は、本発明の第6の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す断面図である。 図9は、本発明の第7の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置であって、特に図3に示した測定原理の他の例を説明するための模式図である。 図10は、石英ガラスルツボの歪み分布の測定結果を示す図であって、(a)は通常ルツボの撮影画像、(b)はリアークルツボの撮影画像、(c)はアニールルツボの撮影画像である。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す側面図である。また、図2は、図1の歪み測定装置の構成を模式的に示す平面図である。
図1及び図2に示すように、本実施形態による歪み測定装置10Aは、石英ガラスルツボ1の外側に配置された光源11と、光源11と石英ガラスルツボ1の壁体の外表面との間に配置された第1の偏光板12と、第1の偏光板12と石英ガラスルツボ1の壁体の外表面との間に配置された第1の1/4波長板13と、石英ガラスルツボ1の内側に配置されたCCDカメラ14と、CCDカメラ14の撮影方向を制御するカメラ制御機構15と、CCDカメラ14と石英ガラスルツボ1の壁体の内表面との間に配置された第2の偏光板16と、第2の偏光板16と石英ガラスルツボ1の壁体の内表面との間に配置され、第1の1/4波長板13に対して光学軸が90度傾けられた第2の1/4波長板17とを備えている。
石英ガラスルツボ1は主にシリコン単結晶の引き上げに用いられるものであり、円筒状の直胴部1aと、直胴部の下端に形成されたコーナー部1cと、コーナー部を介して直胴部に接続された底部1bとを有している。ルツボの壁体の厚さはその部位によっても異なるが10mm以上であることが好ましい。また石英ガラスルツボ1の壁体は、多数の気泡を含む不透明な外層2と、気泡が除去された透明な内層3とを有している。外層2中の多数の気泡は光を散乱させ、偏光方向をばらつかせるため、透過光を用いた歪み(複屈折位相差)の観察が困難である。しかし、本発明の歪み測定装置10Aによれば、石英ガラスルツボ1の歪みを測定することが可能である。
光源11は、石英ガラスルツボ1の側部を照明する第1のLEDライト群11aと、石英ガラスルツボ1の底部を照明する第2のLEDライト群11bを含む。第1のLEDライト群11aは、石英ガラスルツボ1の高さ方向に沿って所定の間隔で配列された複数のLEDライトからなり、第2のLEDライト群11bは、石英ガラスルツボ1の径方向に沿って所定の間隔で配置された複数のLEDライトからなる。
各LEDライトの出力光は例えば可視光の波長範囲内で、青色(中心波長450nm前後)、緑色(中心波長520nm前後)、赤色(中心波長660nm前後)の単波長の組み合わせの光源であることが好ましい。なお緑色光の波長範囲は490〜580nmである。この波長範囲の出力光を用いた場合には、ガラスの歪みを撮影画像中の色むらとして明確に表すことができる。なお、歪み測定装置10Aは暗室に設けられることが好ましい。光源11以外の光の影響による歪み分布の測定結果のばらつきを防止するためである。
第1の偏光板12は、石英ガラスルツボ1の高さ方向の全体をカバーする第3の偏光板12aと、石英ガラスルツボ1の底部の全面をカバーする第4の偏光板12bとで構成されている。また、第1の1/4波長板13は、石英ガラスルツボ1の高さ方向の全体をカバーする第3の1/4波長板13aと、石英ガラスルツボ1の底部の全面をカバーする第4の1/4波長板13bとで構成されている。第3及び第4の偏光板12a,12b並びに第3の1/4波長板13a及び第4の1/4波長板13bは定位置に固定されている。
第1の偏光板12及び第1の1/4波長板13のサイズが小さい場合には、CCDカメラ14の撮影位置を変更する度にそれらの光学素子の位置も変更する必要があるため、ルツボ一個当たりの測定時間が長くなるという問題がある。また、撮影時のCCDカメラ14と光学素子との距離・角度等の微妙な変化によって測定結果に違いが出るという問題もある。しかし、サイズの大きな偏光板と1/4波長板とを使用することで撮影毎の位置変更を不要にすることができる。また、偏光板と1/4波長板を固定することで位置調整による測定結果のばらつきを抑えることができる。
第2の偏光板16及び第2の1/4波長板17は追加レンズとしてCCDカメラ14に直接取り付けられており、CCDカメラ14と一緒に移動するものである。これらは第1の偏光板12や第1の1/4波長板13のように広範囲をカバーするものではなく、CCDカメラ14の撮影範囲をカバーできる程度の大きさであればよい。
CCDカメラ14はルツボの内表面を撮影する。石英ガラスの歪み分布を色の変化としてとらえるため、CCDカメラ14はカラー撮影可能なものであることが必要である。CCDカメラ14は、光源11から投光され、第1の偏光板12、第1の1/4波長板13、石英ガラスルツボ1の壁体、第2の1/4波長板17及び第2の偏光板16を通過した光を受光する。CCDカメラ14が撮影した画像データは不図示のコンピュータに取り込まれ、所定の画像処理を経てディスプレイに表示される。
カメラ制御機構15は、矢印D1で示すようにルツボの中心軸Zを含む垂直面(第1の基準平面)内でCCDカメラ14を回転させるチルト角調整機能と、矢印D2で示すようにルツボの中心軸Zの方向にCCDカメラ14を進退させる高さ調整機能を有している。これにより、カメラ制御機構15は、CCDカメラ14の撮影方向を石英ガラスルツボ1の高さ方向に沿って移動させることができ、CCDカメラ14はルツボのリム上端から底部中心までの範囲を移動しながらルツボの内表面を連続的に撮影する。すなわち、ルツボの高さ方向の歪み分布を測定することができる。
またカメラ制御機構15は、矢印D3で示すようにルツボの中心軸と直交する水平面(第2の基準平面)内でCCDカメラ14を回転させるパン角調整機能を有している。これにより、カメラ制御機構15は、CCDカメラ14の撮影方向を水平方向に移動させることができ、CCDカメラ14は石英ガラスルツボ1をその全周に亘って撮影することができる。すなわち、カメラ制御機構15は、高さ方向の歪み分布を測定した後、撮影ラインを周方向の隣に移動させて再び高さ方向の歪み分布を測定する工程を全周にわたって繰り返す。あるいは、周方向の歪み分布を測定した後、撮影ラインを高さ方向の隣に移動させて再び周方向の歪み分布を測定する工程を全高にわたって繰り返してもよい。これによれば、ルツボ全体の歪み分布を測定することができる。したがって、撮影画像からルツボ全体の歪み分布を一見して把握することができ、ルツボの信頼性を容易に評価することができる。
図3は、歪み測定装置10Aの測定原理の一例を説明するための模式図である。
図3に示すように、光源11からの自然偏光は第1の偏光板12を通過することで直線偏光に変換され、さらに第1の1/4波長板13を通過することで円偏光に変換される。円偏光は石英ガラスルツボ1の壁体を通過し、さらに第2の1/4波長板17及び第2の偏光板16を通過する。
第1の偏光板12からの直線偏光をそのまま石英ガラスルツボ1の壁体に投光する場合、ルツボの外層2中の多数の気泡が光を散乱させるため、十分な透過光量を得られず、歪み(複屈折位相差)の観察が困難である。しかし、本発明の歪み測定装置10Aによれば、直線偏光を円偏光に変換してから石英ガラスルツボ1に投光するので、気泡の影響で光が散乱したとしても必要な等価光量を得ることができ、石英ガラスの歪みを測定することが可能である。
石英ガラスルツボ1の壁体を透過した円偏光は、第2の1/4波長板17を通過することで直線偏光に変換され、さらに第2の偏光板16を通過してCCDカメラ14に取り込まれる。CCDカメラ14の撮影画像には、石英ガラスルツボ1の残留歪みが現れる。歪みのある石英ガラスは複屈折性を示し、偏光写真によりその歪みの程度を判断している。歪みがないところでは光源11の波長色である黄緑色がそのまま現れるが、圧縮歪みは青色で現れ、引っ張り歪みは赤色で現れる。このように、石英ガラス中の歪みが色の変化として現れるので、歪み分布を容易に把握することができる。
以上説明したように、本実施形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置は、直線偏光を円偏光に変換してからルツボの壁体に投光するので、ルツボの外層2に含まれる多数の気泡の影響を抑えて光を透過させることができ、これにより石英ガラス中の歪みを観察することができる。したがって、石英ガラスルツボの歪みを非破壊測定することができ、ルツボ全体の歪み分布を正確に測定することができる。
石英ガラスルツボ1は、部分的に切り出された破片の状態ではなく、全周が拘束された非破壊状態における石英ガラス内表面測定での残留歪みの分布が光路差(リタデーション値)130nm以下であることが好ましい。ここでいう石英ガラス中の残留歪みは、石英ガラスルツボ1の内表面側から複屈折位相差を測定した結果であり、内部の残留圧縮応力と残留引っ張り応力の総和である。ルツボ壁の厚さ方向に対して圧縮応力と引っ張り応力とが同じ程度残留していれば、残留応力の総和はゼロとなり、光路差もほぼゼロとなる。これらの圧縮残留応力と引っ張り残留応力は単結晶引き上げ工程においてルツボが加熱されたときに相殺されるので、ルツボの変形を引き起こす原因とならない。
この石英ガラスルツボ1によれば、原料の充填作業中にルツボが割れてしまう確率を大幅に低減することが可能であり、石英ガラスルツボの信頼性を高めることができる。このような石英ガラスルツボの残留歪みの大きさは、上記歪み測定装置を用いることで初めて測定が可能となるものであり、本発明による歪み測定装置は石英ガラスルツボの品質判定に大きな効果を発揮するものである。
上記実施形態においては、第1の偏光板12並びに第1の1/4波長板13は完全に固定された部材であるが、CCDカメラ14の撮影位置に合わせて第1の偏光板12並びに第1の1/4波長板13が移動するように構成してもよい。
図4は、本発明の第2の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す図であって、(a)平面図、(b)は断面図である。
図4(a)及び(b)に示すように、本実施形態による歪み測定装置10Bは、光源11、第1の偏光板12、及び第1の1/4波長板13がルツボの全周を取り囲むのではなく、平面視にてCCDカメラ14の光学軸上にのみ配置されている点にある。そのため、ルツボの全周を撮影する場合には、ルツボを回転させてCCDカメラ14をルツボの周方向に走査する。
図4(b)に示すように、第1の偏光板12並びに第1の1/4波長板13は、周方向のみならず高さ方向に対してもCCDカメラ14の光学軸上にのみ配置されている。そのため、ルツボを支持するステージが回転機能及び昇降機能を有し、CCDカメラ14の撮影位置に合わせてルツボを周方向と高さ方向の両方に対して移動するように構成することが好ましい。このような構成であっても、第1の実施の形態と同様、ルツボ全体の歪み分布を測定することができる。したがって、撮影画像からルツボ全体の歪み分布を一見して把握することができ、ルツボの信頼性を容易に評価することができる。
上記第1の実施形態においては、第1の偏光板12並びに第1の1/4波長板13は完全に固定された部材であるが、例えば、第1の偏光板12並びに第1の1/4波長板13は、ルツボの高さ方向及び径方向についてはその全体をカバーするが、周方向についてはCCDカメラ14の撮影位置の一点のみをカバーし、撮影位置に合わせてルツボの周方向に相対的に移動してもよい。
図5は、本発明の第3の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す図であって、(a)は平面図、(b)は断面図である。
図5(a)及び(b)に示すように、本実施形態による歪み測定装置10Cは、光源11、第1の偏光板12、及び第1の1/4波長板13がルツボの周方向に対してCCDカメラ14の光学軸上の一点に配置されるが、ルツボの高さ方向及び径方向に対しては、ルツボの側面全体及び底面全体を広範囲にカバーしている点にある。第3の偏光板12aおよび第3の1/4波長板13aは、高さ方向に細長い帯状の部材からなり、第4の偏光板12bおよび第4の1/4波長板13bは、水平方向に細長い帯状の部材からなる。
ルツボの全周を撮影する場合には、第2の実施形態と同様に、ルツボを回転させてCCDカメラ14をルツボの周方向に走査する。またルツボの高さ方向及び径方向の測定は、CCDカメラ14を移動させて測定する。このような構成であっても、第1の実施の形態と同様、ルツボ全体の歪み分布を測定することができる。したがって、撮影画像からルツボ全体の歪み分布を一見して把握することができ、ルツボの信頼性を容易に評価することができる。
図6は、本発明の第4の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す断面図である。
図6に示すように、本実施形態による歪み測定装置10Dは、石英ガラスルツボ1を横向きの状態で測定するものである。すなわち、ルツボはその開口部が水平方向を向いた状態でセットされる。ルツボ底部を照明する光源11aはルツボの横に配置されており、ルツボ側部を照明する光源11bはルツボの下方に配置されている。ルツボ側部を照明する光源11bはルツボの上方に配置されてもよい。その他の構成は第3の実施の形態と同様であり、ルツボの周方向の測定ではCCDカメラ14を固定し、ルツボを回転させる。
本実施形態によれば、上記実施形態と同様にルツボ全体の歪み分布を測定することができる。したがって撮影画像からルツボ全体の歪み分布を一見して把握することができ、ルツボの信頼性を容易に評価することができる。
図7は、本発明の第5の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す断面図である。
図7に示すように、本実施形態による歪み測定装置10Eは、石英ガラスルツボ1を下向きの状態で測定するものである。すなわち、ルツボはその開口部が下方を向いた状態で例えば回転台上にセットされる。ルツボ底部を照明する光源11aはルツボの上方に配置され、ルツボ側部を照明する光源11bはルツボの横に配置されている。その他の構成は第3の実施の形態と同様であり、ルツボの周方向の測定ではCCDカメラ14を固定し、ルツボを回転させる。
本実施形態によれば、上記実施形態と同様にルツボ全体の歪み分布を測定することができる。したがって撮影画像からルツボ全体の歪み分布を一見して把握することができ、ルツボの信頼性を容易に評価することができる。
図8は、本発明の第6の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置の構成を模式的に示す断面図である。
図8に示すように、本実施形態による歪み測定装置10Fは、ルツボの内側ではなく外側にCCDカメラ14、第2の偏光板16、及び第2の1/4波長板17を配置したものである。ルツボはその開口部が上方を向いた状態でセットされる。ルツボ底部を照明する光源11aはルツボの下方に配置され、ルツボ側部を照明する光源11bはルツボの横に配置されている。その他の構成は第3の実施の形態と同様であり、ルツボの周方向の測定ではCCDカメラ14を固定し、ルツボを回転させることでCCDカメラを周方向に走査する。
本実施形態によれば、上記実施形態と同様にルツボ全体の歪み分布を測定することができる。したがって撮影画像からルツボ全体の歪み分布を一見して把握することができ、ルツボの信頼性を容易に評価することができる。
図9は、本発明の第7の実施の形態による石英ガラスルツボの歪み測定装置であって、特に図3に示した測定原理の他の例を説明するための模式図である。
図9に示すように、この歪み測定装置10Gは、図3における第2の1/4波長板17と第2の偏光板16の位置を入れ替えたものである。光源11から出射されて第1の偏光板12、第1の1/4波長板13、及び石英ガラスルツボ1の壁体を順に通過した光は、第2の偏光板16を通過し、次いで第2の1/4波長板17を通過してCCDカメラ14に取り込まれる。CCDカメラ14の撮影画像には石英ガラス中の残留歪みが現れるが、このときの残留歪みはカラーではなく白黒の模様として現れる。したがって、図3の測定原理と同様に歪み分布を把握することが可能である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態においては、第1の偏光板12並びに第1の1/4波長板13は、ルツボの側部に対応する素子(第3の偏光板12a並びに第3の1/4波長板13a)と底部に対応する素子(第4の偏光板12b並びに第4の1/4波長板13b)とで分かれているが、ルツボの外形に沿って一体的に形成された単一の素子で構成しても構わない。
本発明による歪み測定装置を用いて石英ガラスルツボの歪み分布の非破壊測定を行った。測定対象の石英ガラスルツボとしては、アーク溶融法により作製された通常の石英ガラスルツボ(通常ルツボ)、通常ルツボを再度アーク溶融したリアークルツボ、通常ルツボをアニール処理したアニールルツボの3種類とした。アニール条件としては、1100度で1時間加熱し、その後室温まで除冷した。その結果を図10に示す。図10(a)は通常ルツボ、(b)はリアークルツボ、(c)はアニールルツボの撮影画像である。3種類のルツボを内面方向から測定した結果を図10に示す。
図10に示すように、(a)の通常ルツボと(c)のアニールルツボについては歪みが非常に少なく、(b)のリアークルツボについてはリム上端部に黒い縞、ボトム部に濃淡のあるまだら状の特徴的な歪み分布を観測できた。リアークルツボの歪み分布は、従来法で測定した場合と同様の傾向であった。
1 石英ガラスルツボ
2 ルツボ外層
3 ルツボ内層
10A〜10G 歪み測定装置
11 光源
11a 第1のLEDライト群
11b 第2のLEDライト群
12 第1の偏光板
12a 第3の偏光板
12b 第4の偏光板
13 第1の波長板
13a 第3の波長板
13b 第4の波長板
14 CCDカメラ
15 カメラ制御機構
16 第2の偏光板
17 第2の波長板

Claims (9)

  1. 多数の気泡を含む不透明な外層と、気泡が除去された透明な内層とを有する石英ガラスルツボの歪み測定装置であって、
    前記石英ガラスルツボの外側に配置された光源と、
    前記光源と前記石英ガラスルツボの壁体の外表面との間に配置された第1の偏光板と、
    前記第1の偏光板と前記石英ガラスルツボの壁体の外表面との間に配置された第1の1/4波長板と、
    前記石英ガラスルツボの内側に配置されたカメラと、
    前記カメラの撮影方向を制御するカメラ制御機構と、
    前記カメラと前記石英ガラスルツボの壁体の内表面との間に配置された第2の偏光板と、
    前記カメラと前記石英ガラスルツボの壁体の内表面との間に配置され、前記第1の1/4波長板に対して光学軸が90度傾けられた第2の1/4波長板とを備え、
    前記カメラは、前記光源から投光され、前記第1の偏光板、前記第1の1/4波長板、前記石英ガラスルツボの壁体、前記第2の1/4波長板及び前記第2の偏光板を通過した光をカラー撮影することを特徴とする石英ガラスルツボの歪み測定装置。
  2. 前記第2の1/4波長板は、前記第2の偏光板と前記石英ガラスルツボの壁体の内表面との間に配置されている、請求項1に記載の石英ガラスルツボの歪み測定装置。
  3. 前記第2の1/4波長板は、前記カメラと前記第2の偏光板との間に配置されている、請求項1に記載の石英ガラスルツボの歪み測定装置。
  4. 前記第1の偏光板は、前記石英ガラスルツボの高さ方向の全体をカバーする第3の偏光板と、前記石英ガラスルツボの底部の全面をカバーする第4の偏光板を含み、
    前記第1の1/4波長板は、前記石英ガラスルツボの高さ方向の全体をカバーする第3の1/4波長板と、前記石英ガラスルツボの底部の全面をカバーする第4の1/4波長板を含む、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の石英ガラスルツボの歪み測定装置。
  5. 前記光源は、前記石英ガラスルツボの高さ方向に沿って所定の間隔で配列され、前記石英ガラスルツボの側部に投光する複数の第1のLEDライトと、
    前記石英ガラスルツボの径方向に沿って所定の間隔で配置され、前記石英ガラスルツボの底部に投光する複数の第2のLEDライトを含む、請求項4に記載の石英ガラスルツボの歪み測定装置。
  6. 前記カメラ制御機構は、前記カメラの撮影方向を前記石英ガラスルツボの高さ方向に沿って一方向に移動させながら連続的に撮影する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の石英ガラスルツボの歪み測定装置。
  7. 前記カメラ制御機構は、前記カメラの撮影方向を前記石英ガラスルツボの周方向に移動させて、前記石英ガラスルツボの全内周面を撮影する、請求項6に記載の石英ガラスルツボの歪み測定装置。
  8. 前記カメラの位置を固定し、前記石英ガラスルツボを回転させることにより、前記石英ガラスルツボの全内周面を撮影する、請求項6に記載の石英ガラスルツボの歪み測定装置。
  9. 円筒状の直胴部と、前記直胴部の下端に形成されたコーナー部と、前記コーナー部を介して前記直胴部に接続された底部とを有するシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボであって、気泡を内包する不透明な外層と、気泡が排除された透明な内層とを備え、
    非破壊状態における石英ガラス内表面測定での残留歪みの分布が光路差130nm以下であることを特徴とする石英ガラスルツボ。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017110763A1 (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 株式会社Sumco シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法、シリコン単結晶の引き上げ装置、インゴットおよびホモエピタキシャルウェーハ
GB201601960D0 (en) 2016-02-03 2016-03-16 Glaxosmithkline Biolog Sa Novel device
WO2017158655A1 (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社Sumco ルツボ測定装置、ルツボ測定方法、ルツボの製造方法
WO2017158656A1 (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社Sumco シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法
US10247970B2 (en) 2016-12-20 2019-04-02 Microsoft Technology Licensing, Llc Measuring strain on display device
US10352789B2 (en) 2017-02-09 2019-07-16 Microsoft Technology Licensing, Llc Measuring strain on display device
FR3067111B1 (fr) * 2017-05-31 2019-08-30 Saint-Gobain Glass France Dispositifs optiques pour l'analyse qualite d'un vitrage.
JP2019151494A (ja) * 2018-02-28 2019-09-12 株式会社Sumco シリカガラスルツボ
US11703452B2 (en) 2018-05-17 2023-07-18 Sumco Corporation Method and apparatus for measuring transmittance of quartz crucible
US10871400B2 (en) 2018-08-27 2020-12-22 Corning Incorporated Retardation profile for stress characterization of tubing
JP6935790B2 (ja) * 2018-10-15 2021-09-15 株式会社Sumco 石英るつぼ内周面の評価方法及び石英るつぼ内周面の評価装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06147986A (ja) * 1992-11-12 1994-05-27 Sadao Nakai 複屈折分布測定方法
JP2000247778A (ja) * 1999-02-25 2000-09-12 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラスルツボおよびその製造方法ならびにこれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法
WO2013094318A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 ジャパンスーパークォーツ株式会社 シリカガラスルツボの評価方法、シリコン単結晶の製造方法
US20130250277A1 (en) * 2012-03-16 2013-09-26 National Tsing Hua University Apparatus for quantifying unknown stress and residual stress of a material and method thereof

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5980629A (en) * 1995-06-14 1999-11-09 Memc Electronic Materials, Inc. Methods for improving zero dislocation yield of single crystals
DE19957375A1 (de) * 1999-11-29 2001-06-07 Specialty Minerals Michigan Verfahren zur Identifikation und Bestimmung der Position insbesondere eines metallurgischen Gefäßes
DE19962449C2 (de) * 1999-12-22 2003-09-25 Heraeus Quarzglas Quarzglastiegel und Verfahren für seine Herstellung
JP4424825B2 (ja) * 2000-05-30 2010-03-03 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボの製造方法
US7174787B2 (en) * 2003-03-13 2007-02-13 Andec Manufacturing Ltd. System and method for inspecting an industrial furnace or the like
EP1632592B1 (en) * 2003-05-01 2012-06-20 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for manufacture thereof
US20060186585A1 (en) * 2005-02-22 2006-08-24 Afshin Sadri Systems, methods and apparatus for non-disruptive and non-destructive inspection of metallurgical furnaces and similar vessels
US7383696B2 (en) * 2005-09-08 2008-06-10 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Silica glass crucible with bubble-free and reduced bubble growth wall
DE102005057733B4 (de) * 2005-12-02 2009-10-22 Specialty Minerals (Michigan) Inc., Bingham Farms Verfahren zum Vermessen der Feuerfestauskleidung eines metallurgischen Schmelzgefäßes
KR100868374B1 (ko) * 2006-10-31 2008-11-12 한국생산기술연구원 잔류응력 추정 방법 및 장치
JP4671999B2 (ja) * 2007-11-30 2011-04-20 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボの試験方法
JP5008695B2 (ja) * 2008-06-30 2012-08-22 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボおよび石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の引き上げ方法
JP4951040B2 (ja) * 2009-08-05 2012-06-13 信越石英株式会社 シリカ容器及びその製造方法
JP5058378B2 (ja) * 2009-09-09 2012-10-24 ジャパンスーパークォーツ株式会社 複合ルツボ
KR101048586B1 (ko) * 2009-10-06 2011-07-12 주식회사 엘지실트론 고강도 석영 도가니 및 그 제조방법
US20130015318A1 (en) * 2010-03-31 2013-01-17 Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. Layered crucible for casting silicon ingot and method of producing same
JP2010280567A (ja) 2010-09-17 2010-12-16 Covalent Materials Corp シリカガラスルツボの製造方法
JP5678635B2 (ja) * 2010-12-13 2015-03-04 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造装置、シリコン単結晶の製造方法
JP5574534B2 (ja) * 2010-12-28 2014-08-20 株式会社Sumco 複合ルツボ
JP5773382B2 (ja) * 2010-12-29 2015-09-02 株式会社Sumco シリカガラスルツボ及びその製造方法
US8264675B1 (en) * 2011-05-12 2012-09-11 Georgia Tech Research Corporation Polariscope stress measurement tool and method of use
US8958058B2 (en) * 2011-11-15 2015-02-17 Process Metrix Apparatus, process, and system for monitoring the integrity of containers
JP6072405B2 (ja) * 2011-11-30 2017-02-01 株式会社Sumco シリカガラスルツボ及びその製造方法
JP5818675B2 (ja) 2011-12-22 2015-11-18 株式会社Sumco シリカガラスルツボの気泡分布の三次元分布の決定方法、シリコン単結晶の製造方法
CN104114976B (zh) * 2011-12-27 2017-08-04 株式会社Sumco 氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法、单晶硅的制造方法
KR101497385B1 (ko) * 2012-05-15 2015-03-03 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 단결정 실리콘 인상용 실리카 용기 및 그 제조 방법
CN105765424A (zh) * 2013-11-15 2016-07-13 日本瑞翁株式会社 相位差膜的制造方法
US9279773B2 (en) * 2014-07-18 2016-03-08 Process Metrix Crack detection and measurement in a metallurgical vessels

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06147986A (ja) * 1992-11-12 1994-05-27 Sadao Nakai 複屈折分布測定方法
JP2000247778A (ja) * 1999-02-25 2000-09-12 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラスルツボおよびその製造方法ならびにこれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法
WO2013094318A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 ジャパンスーパークォーツ株式会社 シリカガラスルツボの評価方法、シリコン単結晶の製造方法
US20130250277A1 (en) * 2012-03-16 2013-09-26 National Tsing Hua University Apparatus for quantifying unknown stress and residual stress of a material and method thereof

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
岸井 貫, 外2名: ""ガラス工業に利用される光弾性技術 第6回"", 応用光学, JPN7015000670, 2002, JP, pages 16 - 20, ISSN: 0003561675 *
岸井 貫: ""歪検査器の利用技術"", NEW GLASS TECHNOLOGY, vol. 2, no. 2, JPN7015000669, 1982, JP, pages 44 - 56, ISSN: 0003561674 *

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