JPWO2015029344A1 - 電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
と、を備える電解コンデンサの製造方法に関する。
≪実施形態1≫
本発明の一実施形態に係る電解コンデンサについて、図1および図2を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る電解コンデンサ20の断面模式図である。
<電解コンデンサ>
電解コンデンサ20は、ほぼ直方体の外形を有するコンデンサ素子10と、コンデンサ素子10を封止する樹脂外装体11と、樹脂外装体11の外部にそれぞれ露出する陽極端
子7および陰極端子9と、を備えている。電解コンデンサ20は、コンデンサ素子10と同じく、ほぼ直方体の外形を有する。
<陽極>
本実施形態においては、陽極1は弁作用金属の粒子の多孔質体である。陽極リード2は、例えば導電性を有するワイヤから構成されている。陽極1は、例えば、陽極リード2の第一端部2aを弁作用金属又は弁作用金属を含む合金の粒子に埋め込み、その状態で金属粒子を直方体に成形し、成形体を焼結させることにより作製される。すなわち、陽極1は、弁作用金属又は弁作用金属を含む合金の粒子の結合体(焼結体)である。これにより、陽極1の外周面から、陽極リード2の第二端部2bが植立するように引き出される。
<誘電体層>
誘電体層3は、陽極1を構成する導電性材料の表面を酸化することにより、酸化被膜として形成することができる。従って、誘電体層3は、陽極1を構成する多孔質体または箔の表面(孔またはエッチングピットの内壁面を含む)に沿って均一に形成されている。誘電体層3の厚さは、例えば、10nm〜200nmである。
<有機半導体層>
有機半導体層4は、誘電体層3の表面を覆うように形成されている。具体的には、有機半導体層4は、陽極1を構成する多孔質体または箔に由来する凹部(孔またはエッチングピットの内壁面)を含む表面に沿って形成されている。
具体的には、縮合環を含む化合物としては、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ルブレン、ピセン、ベンゾピレン、クリセン、ピレンおよびトリフェニレンなどが挙げられる。その誘導体としては、(6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン(6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene、TIPS-pentacene)などが挙げられる。
benzothiophene、C8-BTBT)などのBTBT誘導体、ジナフト[2,3-b:2',3'-f]チオフェノ[3,2-b]チオフェン(dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]
thieno [3,2-b] thiophene、DNTT)、ジアントラ[2,3-b:2',3'-f]チオフェノ[3,2-b]チオフェン(dianthra [2,3-b:2',3'-f] thieno [3,2-b] thiophene、DATT)および、5,5'-ビス(7-ヘキシル-9H-フルオレン-2-イル)-2,2'-ビチオフェン(5,5'-Bis(7-hexyl-9H-fluoren-2-yl)-2,2'-bithiophene、DHFTTF)などのチオフェン化合物が挙げられる。
<導電性高分子層>
本実施形態においては、導電性高分子層6が、有機半導体層4上に形成されている。具体的には、例えば、原料モノマーを有機半導体層4上で化学重合することにより、導電性高分子層6を形成することができる。あるいは、導電性高分子が溶解した溶液、または、導電性高分子が分散した分散液を有機半導体層4に塗布することにより、導電性高分子層6を形成することができる。導電性高分子層6の厚さは、例えば1〜50μmである。
<陰極層>
陰極層5は、導電性高分子層6の表面を覆うように形成されている。陰極層5は、カーボン層5aと、カーボン層5aの表面に形成された銀ペースト層5bと、を有している。カーボン層5aは、黒鉛などの導電性炭素材料を含む組成物により構成される。銀ペースト層5bは、銀粒子と樹脂とを含む組成物により構成される。なお、陰極層5の構成は、これに限られず、集電機能を有する構成であればよい。
≪電解コンデンサの製造方法≫
(i)陽極の準備工程
誘電体層3を有する陽極1を準備する。具体的には、電解水溶液(例えばリン酸水溶液)が満たされた化成槽に、陽極1を浸漬し、陽極リード2の第二端部2bを化成槽の陽極に接続して、陽極酸化を行うことにより、陽極1の表面に弁作用金属の酸化被膜からなる誘電体層3を形成することができる。電解水溶液としては、リン酸水溶液に限らず、硝酸、酢酸、硫酸などを用いることができる。
(ii)誘電体層の疎水化工程
この工程は必要に応じて行われ、シランカップリング剤を含む溶液を、誘電体層3に塗布し、その後、乾燥させることにより行われる。溶媒としては、特に限定されないが、水またはエタノール、プロパノール、ブタノールなどの1価アルコールを用いることができる。
(iii)有機半導体層の形成工程
テトラヒドロフラン(THF)などの低沸点(沸点66℃)の溶媒に低分子系有機半導体化合物が溶解した溶液を、誘電体層3に付与し、熱処理などにより溶媒を除去することにより、有機半導体層4を形成する。付与の方法としては、低分子系有機半導体化合物の溶液を誘電体層3に塗布する方法や、低分子系有機半導体化合物の溶液に、誘電体層3が形成されたコンデンサ素子の前駆体を含浸する方法などが挙げられる。低分子系有機半導体化合物が低分子であるため、溶液を付与するという簡単な方法により、誘電体層3の表面に高い被覆率で有機半導体層4を形成することができる。
(Pentacene-N
-sulfinyl-tert -butylcarbamate)などが挙げられる。
(iv)導電性高分子層の形成工程
有機半導体層4が形成されたコンデンサ素子の前駆体にモノマーやオリゴマーを含浸させ、その後、化学重合や電解重合によりモノマーやオリゴマーを重合させる方法により、導電性高分子層6を形成することができる。溶液中の原料モノマーの濃度は、例えば、0.1〜2.0mol/L(リットル)である。あるいは、コンデンサ素子に形成された有機半導体層4に、導電性高分子の溶液または分散液を塗布し、乾燥させることにより、導電性高分子層6を形成することができる。溶液中の導電性高分子の濃度は、例えば、0.5〜6g/L(リットル)である。
(v)陰極層の形成工程
導電性高分子層6(または第2導電性高分子層6b)の表面に、カーボンペーストおよび銀ペーストを順次、塗布することにより、カーボン層5aと銀ペースト層5bとで構成される陰極層5を形成することができる。陰極層5の構成は、これに限られず、集電機能を有する構成であればよい。
≪実施形態2≫
本発明の実施形態2について、図3により説明する。
≪実施形態3≫
本発明の実施形態3について、図4により説明する。
≪実施形態4≫
本発明の実施形態4について、図5により説明する。
《実施形態5》
本実施形態の電解コンデンサは、巻回体のコンデンサ素子を具備する。巻回型のコンデンサ素子は、巻回体から作製される。巻回体とは、コンデンサ素子の半製品であり、リードタブと接続された陽極と、他のリードタブと接続された陰極と、セパレータとを備える。陽極および陰極は、セパレータを介して巻回されている。巻回体の最外周は、巻止めテープにより固定される。
[実施例]
以下、実施例に基づいて、本発明をより詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
《実施例1》
下記の要領でコンデンサ素子を作製し、その特性を評価した。
<工程1:陽極1の形成>
弁作用金属として、一次粒子径が約0.5μm、二次粒子径が約100μmであるタンタル金属粒子を用いた。タンタルからなる陽極リード2の第一端部2aがタンタル金属粒子に埋め込まれるように、タンタル金属粒子を直方体に成形し、その後、成形体を真空中で焼結した。これにより、タンタルの多孔質焼結体からなる陽極1を得た。陽極1は、長さ4.4mm、幅3.3mm、厚さ0.9mmの直方体である。陽極1の一側面(3.3mm×0.9mm)からは、陽極リード2の第二端部2bが突出した状態で固定されている。
<工程2:誘電体層3の形成>
電解水溶液である0.01〜0.1重量%のリン酸水溶液が満たされた化成槽に、陽極1と陽極リード2の一部を浸漬し、陽極リード2の第二端部2bを化成槽の陽極に接続した。そして、陽極酸化を行うことにより、図1に示すように、陽極1の表面および陽極リード2の一部の表面に、酸化タンタル(Ta2O5)の誘電体層3を形成した。この陽極酸化により、図2に示すように、陽極1を構成する多孔質体の表面(孔の内壁面を含む)および陽極リード2の一部に、均一な誘電体層3が形成された。
<工程3:疎水化処理>
シランカップリング剤を水に溶解して、シランカップリング剤の溶液を調製した。この溶液を、誘電体層3に塗布し、100℃で10分間乾燥させた。
<工程4:有機半導体層4の形成>
疎水化処理された誘電体層3上に、下記式6に示すC8−BTBTをTHFに溶解した溶液(濃度0.05重量%)を塗布し、100℃で10分間乾燥した。
ピロールモノマーを含む溶液に、有機半導体層4が形成されたコンデンサ素子の前駆体を浸漬し、化学重合することにより、導電性高分子層6を形成した。
<工程6:陰極層5の形成>
導電性高分子層6の表面に、カーボンペーストを塗布することにより、カーボン層5aを形成した。次に、カーボン層5aの表面に、銀ペーストを塗布することにより、銀ペースト層5bを形成した。こうして、カーボン層5aと銀ペースト層5bとで構成される陰極層5を形成した。
<工程7:電解コンデンサの作製>
得られたコンデンサ素子を封止して、図1に示す実施例1の電解コンデンサを完成させた。
《実施例2》
有機半導体層4を形成するため、ペンタセンの前駆体であるNSFAAP(下記式7)と、有機半導体層4のドーパントとしてF4TCNQとを、THFに溶解させた溶液を調製した。NSFAAPとF4TCNQとのモル比(NSFAAP:F4TCNQ)は、1:3とした。F4TCNQの濃度は、0.5重量%であった。この溶液を誘電体層3上に塗布し、100℃で10分間乾燥し、誘電体層3上に、低分子系有機半導体化合物としてペンタセンを生成させ、有機半導体層4を形成した。
有機半導体層4のドーパントとしてF4TCNQを用いなかったこと以外は、実施例2と同様にして、電解コンデンサを得た。
《実施例4》
シランカップリング剤処理に変えて、誘電体層3上に、化学重合によりポリピロールを含む導電性高分子層を形成した後、有機半導体層4を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、電解コンデンサを得た。
《比較例1》
有機半導体層4を形成せずに、さらに電解重合によりポリピロールを含む第2導電性高分子層6bを形成したこと以外は、実施例4と同様にして、電解コンデンサを得た。
[評価]
《静電容量》
LCRメータを用いて、120Hzで測定した。
《容量出現率》
得られた電解コンデンサの静電容量を、陽極に誘電体層のみを形成したコンデンサ素子を用いた電解コンデンサを酸液中に浸漬して測定した静電容量(水中容量)で除して容量出現率(静電容量/水中容量)を求めた。
《漏れ電流》
陽極と陰極との間に6.3Vの電圧を印加し、40秒後の漏れ電流(LC40)を測定した。
Claims (10)
- 陽極と、
前記陽極上に形成された誘電体層と、
前記誘電体層の少なくとも一部を覆う有機半導体層と、を備え、
前記有機半導体層は、数平均分子量が100〜10,000であり、かつ、π電子雲を有する有機半導体化合物を含み、
前記有機半導体化合物が、前記π電子雲を介して、前記有機半導体化合物の分子間のキャリア移動を行う、電解コンデンサ。 - 前記有機半導体層の少なくとも一部を覆う導電性高分子層を有する、請求項1に記載の電解コンデンサ。
- 前記有機半導体層と前記導電性高分子層とで囲まれた空隙を有する、請求項2に記載の電解コンデンサ。
- 前記誘電体層が、導電性高分子層で覆われず、かつ、前記有機半導体層で覆われた部分と、前記有機半導体層で覆われず、かつ、前記導電性高分子層で覆われた部分と、を有する、請求項1に記載の電解コンデンサ。
- 前記有機半導体化合物が、縮合環およびヘテロ環よりなる群から選択される少なくとも1種を含む化合物である、請求項1〜4いずれか1項に記載の電解コンデンサ。
- 前記有機半導体層が、ドーパントを含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の電解コンデンサ。
- 前記ドーパントが、電子供与性分子および電子受容性分子よりなる群から選択される少なくとも1種である、請求項6に記載の電解コンデンサ。
- 前記有機半導体化合物が、100℃以下の沸点を有する溶媒に可溶である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の電解コンデンサ。
- 誘電体層を有する陽極を準備する工程と、
前記誘電体層の表面に、数平均分子量100〜10,000であり、かつ、π電子雲を有する有機半導体化合物が溶解した溶液を付与することにより、前記誘電体層の表面の少なくとも一部を覆う有機半導体層を形成する工程と、を備える電解コンデンサの製造方法。 - 誘電体層を有する陽極を準備する工程と、
前記誘電体層の表面に、数平均分子量100〜10,000であり、かつ、π電子雲を有する有機半導体化合物の前駆体が溶解した溶液を付与する工程と、
前記前駆体から前記有機半導体化合物を生成させ、前記誘電体層の表面の少なくとも一部を覆う有機半導体層を形成する工程と、を備える電解コンデンサの製造方法。
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