JPWO2014196482A1 - ゲート絶縁膜形成用組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス - Google Patents
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Abstract
本発明は、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させるゲート絶縁膜形成用組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスを提供する。本発明のゲート絶縁膜形成用組成物は、絶縁性材料と、一般式（１）〜（８）のいずれかで表される化合物、一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）、および、一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）からなる群から選択されるマイグレーション抑制剤とを含有する。
Description
本発明は、ゲート絶縁膜形成用組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイスに関する。
軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（ＲＦタグ）やメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）が利用されている。
昨今、有機薄膜トランジスタへの期待が高まるなか、有機薄膜トランジスタには、移動度（特に電界効果移動度）の向上や安定性などが求められている。
このようななか、特許文献１には、有機半導体層の酸化劣化を低減するために、酸化防止剤を含有する組成物で有機半導体層を形成した有機薄膜トランジスタが開示されている。
昨今、有機薄膜トランジスタへの期待が高まるなか、有機薄膜トランジスタには、移動度（特に電界効果移動度）の向上や安定性などが求められている。
このようななか、特許文献１には、有機半導体層の酸化劣化を低減するために、酸化防止剤を含有する組成物で有機半導体層を形成した有機薄膜トランジスタが開示されている。
本発明者らが特許文献１に開示される組成物を用いて有機薄膜トランジスタを作製したところ、有機薄膜トランジスタの移動度が大きく低下することが明らかとなった。また、寿命試験を行ったところ、ソース／ドレイン電極間の絶縁信頼性も更なる改良が必要であることが明らかとなった。
そこで、本発明は、上記実情を鑑みて、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させるゲート絶縁膜形成用組成物、および、そのようなゲート絶縁膜形成用組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、フッ素原子を含有する所定のマイグレーション抑制剤を含むゲート絶縁膜形成用組成物を使用することで、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させることができることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
（１） 絶縁性材料と、後述する一般式（１）〜（８）のいずれかで表される化合物、後述する一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）、および、後述する一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）からなる群から選択されるマイグレーション抑制剤とを含有するゲート絶縁膜形成用組成物。
なお、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）は以下の通りである。
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ 一般式（Ｙ−１）
（一般式（Ｙ−１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ２Ｒ３またはＣＨＲ４Ｒ５を表す。Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、ＣＲ６または窒素原子を表す。Ｒ１およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５またはＲ６で表される基は、そのうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ４Ｒ５であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ１＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ 一般式（Ｙ−２）
（一般式（Ｙ−２）中、Ｒ７は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｒ７で表される基中には、ヒドロキシ基または−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。）
（一般式（Ｙ−３）中、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。）
（一般式（Ｙ−４）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。Ｒ１１およびＲ１２は互いに結合して環を形成してもよい。）
Ｚ−ＳＨ 一般式（Ｙ−５）
（一般式（Ｙ−５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚで表される基には置換基が含まれていてもよい。）
（一般式（Ｙ−６）中、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３は、それぞれ独立に、−ＮＨ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−ＣＲｘ＝、＝ＣＲｘ−または−Ｓ−を表す。Ｒｘは、水素原子、−ＮＨ２または直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３のうち少なくとも１つは−ＣＲｘ＝または＝ＣＲｘ−ではない。
Ｒ６１およびＲ６２は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、−Ｓｐ−Ｐ、直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基、または、置換基を有してもよい、炭素数２〜３０の、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオキシカルボニル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｓｐは、単結合または２価の有機基を表す。Ｐは、重合性基または架橋性基を表す。Ｒ６１およびＲ６２は、互いに結合して、環原子数５〜７の、芳香環または芳香族複素環を形成してもよい。芳香環および芳香族複素環は、１〜６個の置換基を有してもよい。）
（一般式（Ｙ−７）中、Ｒ７１およびＲ７２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。）
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２ 一般式（Ｙ−８）
（一般式（Ｙ−８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つには、置換基が含まれていてもよい。）
（２） 後述する一般式（６）で表される化合物が、後述する一般式（２２）で表される化合物である、（１）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（３） 後述する一般式（８）で表される化合物が、後述する一般式（２３）で表される化合物である、（１）または（２）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（４） 後述する一般式（１）で表される化合物が、後述する一般式（２４）で表される化合物である、（１）〜（３）のいずれかに記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（５） 後述する一般式（１）で表される化合物が、後述する一般式（３１）〜一般式（４６）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、（１）〜（３）のいずれかに記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（６） 後述する一般式（５）で表される化合物が、後述する一般式（５１）〜一般式（５４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、（１）〜（５）のいずれかに記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（７） マイグレーション抑制剤が、後述する一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）である、（１）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（８） 一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位中、Ｂは、一般式（Ｙ−１）で表される化合物若しくは一般式（Ｙ−６）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、一般式（２５）で表される基である、（７）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（９） マイグレーション抑制剤が、後述する一般式（Ｘ１）で表される化合物、後述する一般式（３３）で表される化合物、後述する一般式（２）で表される化合物、後述する一般式（３）で表される化合物、後述する一般式（４Ａ）で表される化合物、後述する一般式（Ｙ）で表される化合物、後述する一般式（２２）で表される化合物、後述する一般式（７Ａ）で表される化合物、および、後述する一般式（２３）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、（１）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（１０） マイグレーション抑制剤が、後述する一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）である、（１）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（１１） 一般式（Ａ）で表される繰り返し単位中、Ａは、後述する一般式（Ｘ１）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、後述する一般式（Ｘ１）で表される化合物であって分子内に２個以上のフッ素原子を有する化合物からフッ素原子を１個取り去った１価の基である、（１０）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（１２） （１）〜（１１）のいずれかに記載のゲート絶縁膜形成用組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ。
（１３） （１２）に記載の有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパー。
（１４） （１２）に記載の有機薄膜トランジスタを使用したディスプレイデバイス。
なお、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）は以下の通りである。
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ 一般式（Ｙ−１）
（一般式（Ｙ−１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ２Ｒ３またはＣＨＲ４Ｒ５を表す。Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、ＣＲ６または窒素原子を表す。Ｒ１およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５またはＲ６で表される基は、そのうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ４Ｒ５であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ１＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ 一般式（Ｙ−２）
（一般式（Ｙ−２）中、Ｒ７は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｒ７で表される基中には、ヒドロキシ基または−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。）
（一般式（Ｙ−３）中、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。）
（一般式（Ｙ−４）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。Ｒ１１およびＲ１２は互いに結合して環を形成してもよい。）
Ｚ−ＳＨ 一般式（Ｙ−５）
（一般式（Ｙ−５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚで表される基には置換基が含まれていてもよい。）
（一般式（Ｙ−６）中、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３は、それぞれ独立に、−ＮＨ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−ＣＲｘ＝、＝ＣＲｘ−または−Ｓ−を表す。Ｒｘは、水素原子、−ＮＨ２または直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３のうち少なくとも１つは−ＣＲｘ＝または＝ＣＲｘ−ではない。
Ｒ６１およびＲ６２は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、−Ｓｐ−Ｐ、直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基、または、置換基を有してもよい、炭素数２〜３０の、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオキシカルボニル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｓｐは、単結合または２価の有機基を表す。Ｐは、重合性基または架橋性基を表す。Ｒ６１およびＲ６２は、互いに結合して、環原子数５〜７の、芳香環または芳香族複素環を形成してもよい。芳香環および芳香族複素環は、１〜６個の置換基を有してもよい。）
（一般式（Ｙ−７）中、Ｒ７１およびＲ７２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。）
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２ 一般式（Ｙ−８）
（一般式（Ｙ−８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つには、置換基が含まれていてもよい。）
（２） 後述する一般式（６）で表される化合物が、後述する一般式（２２）で表される化合物である、（１）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（３） 後述する一般式（８）で表される化合物が、後述する一般式（２３）で表される化合物である、（１）または（２）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（４） 後述する一般式（１）で表される化合物が、後述する一般式（２４）で表される化合物である、（１）〜（３）のいずれかに記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（５） 後述する一般式（１）で表される化合物が、後述する一般式（３１）〜一般式（４６）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、（１）〜（３）のいずれかに記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（６） 後述する一般式（５）で表される化合物が、後述する一般式（５１）〜一般式（５４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、（１）〜（５）のいずれかに記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（７） マイグレーション抑制剤が、後述する一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）である、（１）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（８） 一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位中、Ｂは、一般式（Ｙ−１）で表される化合物若しくは一般式（Ｙ−６）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、一般式（２５）で表される基である、（７）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（９） マイグレーション抑制剤が、後述する一般式（Ｘ１）で表される化合物、後述する一般式（３３）で表される化合物、後述する一般式（２）で表される化合物、後述する一般式（３）で表される化合物、後述する一般式（４Ａ）で表される化合物、後述する一般式（Ｙ）で表される化合物、後述する一般式（２２）で表される化合物、後述する一般式（７Ａ）で表される化合物、および、後述する一般式（２３）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、（１）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（１０） マイグレーション抑制剤が、後述する一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）である、（１）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（１１） 一般式（Ａ）で表される繰り返し単位中、Ａは、後述する一般式（Ｘ１）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、後述する一般式（Ｘ１）で表される化合物であって分子内に２個以上のフッ素原子を有する化合物からフッ素原子を１個取り去った１価の基である、（１０）に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（１２） （１）〜（１１）のいずれかに記載のゲート絶縁膜形成用組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ。
（１３） （１２）に記載の有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパー。
（１４） （１２）に記載の有機薄膜トランジスタを使用したディスプレイデバイス。
以下に示すように、本発明によれば、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させるゲート絶縁膜形成用組成物、および、そのようなゲート絶縁膜形成用組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタを提供することができる。
以下、本発明のゲート絶縁膜形成用組成物および有機薄膜トランジスタの好適態様について詳述する。
まず、本発明の特徴点としては、フッ素原子を含有する所定のマイグレーション抑制剤（以後、Ｆ含有マイグレーション抑制剤とも称する）を使用している点が挙げられる。
以下、図１を用いて、本発明のメカニズムについて詳述する。なお、図１では、ボトムコンタクト型（ボトムコンタクト−ボトムゲート型）の有機薄膜トランジスタの場合について詳述する。
図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体層５０と、封止層６０を備える。
有機薄膜トランジスタ１００に電圧を印加すると、電界の作用によりソース電極４０および／またはドレイン電極４２中の金属がイオン化し、ソース電極４０およびドレイン電極４２の間で金属イオンが移動（マイグレーション）することにより、ソース電極４０／ドレイン電極４２間の絶縁性が低下してしまう。特に、上記イオンマイグレーションは、ソース電極４０とドレイン電極４２との間に位置する、ゲート絶縁膜３０と有機半導体層５０との界面付近で顕著に生じるものと考えられる。
まず、本発明の特徴点としては、フッ素原子を含有する所定のマイグレーション抑制剤（以後、Ｆ含有マイグレーション抑制剤とも称する）を使用している点が挙げられる。
以下、図１を用いて、本発明のメカニズムについて詳述する。なお、図１では、ボトムコンタクト型（ボトムコンタクト−ボトムゲート型）の有機薄膜トランジスタの場合について詳述する。
図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体層５０と、封止層６０を備える。
有機薄膜トランジスタ１００に電圧を印加すると、電界の作用によりソース電極４０および／またはドレイン電極４２中の金属がイオン化し、ソース電極４０およびドレイン電極４２の間で金属イオンが移動（マイグレーション）することにより、ソース電極４０／ドレイン電極４２間の絶縁性が低下してしまう。特に、上記イオンマイグレーションは、ソース電極４０とドレイン電極４２との間に位置する、ゲート絶縁膜３０と有機半導体層５０との界面付近で顕著に生じるものと考えられる。
上述したように、本発明のゲート絶縁膜形成用組成物にはＦ含有マイグレーション抑制剤が含まれている。ゲート絶縁膜３０に含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤はその表面エネルギーの低さのため、有機半導体層５０側の表面近傍に移動する。つまり、ソース電極４０とドレイン電極４２との間に位置する、ゲート絶縁膜３０と有機半導体層５０との界面付近に偏在する。このようにＦ含有マイグレーション抑制剤を偏在させることにより、ソース電極４０とドレイン電極４２から析出する金属イオンのゲート絶縁膜３０と有機半導体層５０との界面付近における拡散を効率よく抑制することができ、微細な電極を有する有機ＴＦＴを作製した際のマイグレーション耐性を向上させる。また、同時に有機半導体層内部において、移動度を低下させる不純物の量を低減させることができ、結果として移動度を損なわず、優れた性能を達成することができる。
以下、本発明のゲート絶縁膜形成用組成物に含有される各成分について詳述する。
＜絶縁性材料＞
絶縁性材料は、絶縁性を有するものであればよく、無機系の絶縁材料および有機系の絶縁性材料のいずれであってもよいが、有機半導体層との密着性を考慮して、有機系の絶縁性材料が好適に用いられる。
また、有機系の絶縁性材料としては、特に限定されないが、高分子系の有機絶縁性材料（絶縁性樹脂）であるのが好ましい。このような材料で構成されるゲート絶縁膜は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層との密着性の向上を図ることもできる。
絶縁性材料は、絶縁性を有するものであればよく、無機系の絶縁材料および有機系の絶縁性材料のいずれであってもよいが、有機半導体層との密着性を考慮して、有機系の絶縁性材料が好適に用いられる。
また、有機系の絶縁性材料としては、特に限定されないが、高分子系の有機絶縁性材料（絶縁性樹脂）であるのが好ましい。このような材料で構成されるゲート絶縁膜は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層との密着性の向上を図ることもできる。
このような絶縁性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンのようなオレフィン系樹脂、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）またはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの絶縁性樹脂の中でも、この絶縁性樹脂を構成するモノマー成分が、主として非共有電子対が１以下のものを選択するのが好ましく、非共有電子対を有さないものを選択するのが好ましい。このような極性の低い絶縁性樹脂を選択することにより、絶縁性樹脂による金属イオンの伝達（拡散）を好適に防止または抑制することができる。
具体的には、非共有電子対の数が１以下のモノマー成分で構成される絶縁性樹脂、すなわち非共有電子対が１以下のモノマーを含む絶縁性ポリマーとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンのような鎖状の脂肪族炭化水素で構成されるポリオレフィン、ポリスチレン等が挙げられる他、環状の脂肪族炭化水素を有するポリオレフィン（以下、「シクロオレフィン含有ポリマー」と略す。）が挙げられる。これらの中でも、シクロオレフィン含有ポリマーは、高耐圧性、低吸湿性、高耐熱性、高密度性、溶媒選択性等の特性に優れることから、好ましい。また、このポリマーは、主鎖が剛直でガラス転移温度が高い高分子であることから、好ましい。
このようなシクロオレフィン含有ポリマーに含まれる環状の脂肪族炭化水素は、好ましくは炭素数３〜２０のもの、より好ましくは炭素数４〜１５のものが選択される。具体的には、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロデカン、ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセンなどが挙げられ、これらのうちの、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、ノルボルネンを含むものが好ましい。ノルボルネンは、分子構造がかさ高いので、立体障害により、ポリオレフィンを容易にアモルファス構造にすることができる。その結果、均質なゲート絶縁膜を得ることができる。
具体的には、非共有電子対の数が１以下のモノマー成分で構成される絶縁性樹脂、すなわち非共有電子対が１以下のモノマーを含む絶縁性ポリマーとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンのような鎖状の脂肪族炭化水素で構成されるポリオレフィン、ポリスチレン等が挙げられる他、環状の脂肪族炭化水素を有するポリオレフィン（以下、「シクロオレフィン含有ポリマー」と略す。）が挙げられる。これらの中でも、シクロオレフィン含有ポリマーは、高耐圧性、低吸湿性、高耐熱性、高密度性、溶媒選択性等の特性に優れることから、好ましい。また、このポリマーは、主鎖が剛直でガラス転移温度が高い高分子であることから、好ましい。
このようなシクロオレフィン含有ポリマーに含まれる環状の脂肪族炭化水素は、好ましくは炭素数３〜２０のもの、より好ましくは炭素数４〜１５のものが選択される。具体的には、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロデカン、ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセンなどが挙げられ、これらのうちの、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、ノルボルネンを含むものが好ましい。ノルボルネンは、分子構造がかさ高いので、立体障害により、ポリオレフィンを容易にアモルファス構造にすることができる。その結果、均質なゲート絶縁膜を得ることができる。
＜Ｆ含有マイグレーション抑制剤＞
本発明の組成物に含有されるＦ含有マイグレーション抑制剤（Ｆ含有マイグレーション防止剤）は、下記一般式（１）〜（８）のいずれかで表される化合物、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）、並びに、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および下記一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）からなる群から選択される化合物である。Ｆ含有マイグレーション抑制剤は、フッ素原子を含有し、金属イオンのマイグレーションを抑制する化合物である。
Ｆ含有マイグレーション抑制剤中のフッ素原子の含有率（フッ素含有率）は、特に限定されず、使用する絶縁性材料の種類などに応じて適宜調整され得るが、表面エネルギーを低くして、ゲート絶縁膜の露出表面付近により多くのＦ含有マイグレーション抑制剤を偏在させ、有機半導体の移動度を損なわない点で、２質量％以上６５質量％未満であることが好ましく、５〜６０質量％がより好ましく、１０〜５０質量％がさらに好ましい。なお、フッ素含有率とは、マイグレーション抑制剤の全分子量中におけるフッ素原子の占める質量の割合（含有率）を表したものである。つまり、｛（化合物中のフッ素原子の数）×（フッ素の原子量）／（化合物の全分子量）｝×１００（％）で表される値である。例えば、マイグレーション抑制剤の全分子量が１００であり、フッ素原子が３個含まれる場合、フッ素原子の占める質量割合（％）は、｛（１９×３）／１００｝×１００で、５７質量％と計算される。
以下、Ｆ含有マイグレーション抑制剤について詳述する。
なお、本明細書においては、アルキル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
本発明の組成物に含有されるＦ含有マイグレーション抑制剤（Ｆ含有マイグレーション防止剤）は、下記一般式（１）〜（８）のいずれかで表される化合物、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）、並びに、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および下記一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）からなる群から選択される化合物である。Ｆ含有マイグレーション抑制剤は、フッ素原子を含有し、金属イオンのマイグレーションを抑制する化合物である。
Ｆ含有マイグレーション抑制剤中のフッ素原子の含有率（フッ素含有率）は、特に限定されず、使用する絶縁性材料の種類などに応じて適宜調整され得るが、表面エネルギーを低くして、ゲート絶縁膜の露出表面付近により多くのＦ含有マイグレーション抑制剤を偏在させ、有機半導体の移動度を損なわない点で、２質量％以上６５質量％未満であることが好ましく、５〜６０質量％がより好ましく、１０〜５０質量％がさらに好ましい。なお、フッ素含有率とは、マイグレーション抑制剤の全分子量中におけるフッ素原子の占める質量の割合（含有率）を表したものである。つまり、｛（化合物中のフッ素原子の数）×（フッ素の原子量）／（化合物の全分子量）｝×１００（％）で表される値である。例えば、マイグレーション抑制剤の全分子量が１００であり、フッ素原子が３個含まれる場合、フッ素原子の占める質量割合（％）は、｛（１９×３）／１００｝×１００で、５７質量％と計算される。
以下、Ｆ含有マイグレーション抑制剤について詳述する。
なお、本明細書においては、アルキル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
（一般式（１）で表される化合物）
まず、一般式（１）で表される化合物について説明する。
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ 一般式（１）
まず、一般式（１）で表される化合物について説明する。
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ 一般式（１）
一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ２Ｒ３またはＣＨＲ４Ｒ５を表す。Ｙは、ＣＲ６または窒素原子を表す。ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ４Ｒ５であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ１＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
窒素原子に置換可能な基としては窒素原子に置換できる基であれば特に制限されないが、例えば、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
窒素原子に置換可能な基としては窒素原子に置換できる基であれば特に制限されないが、例えば、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
さらに詳しくは、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から５０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族の複素環基である。例えば、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）を好ましい例として挙げることができる。
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに置換されていてもよい。
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに置換されていてもよい。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルキル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜５０、さらに好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数１〜２０である。
好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、シクロペンチル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ドコシル、トリアコンチルなどを挙げることができる。さらに好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルであり、特に好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルである。
なお、アルキル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。なお、アルキル基中に上記連結基が含まれる場合、その位置は特に制限されず、末端であってもよい。例えば、−Ｓ−Ｒｘ（Ｒｘ：アルキル基）であってもよい。
好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、シクロペンチル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ドコシル、トリアコンチルなどを挙げることができる。さらに好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルであり、特に好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルである。
なお、アルキル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。なお、アルキル基中に上記連結基が含まれる場合、その位置は特に制限されず、末端であってもよい。例えば、−Ｓ−Ｒｘ（Ｒｘ：アルキル基）であってもよい。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルキル基は、さらに置換基を有していてもよい。
置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
さらに詳しくは、置換基としては、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。なお、アルキル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、
アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、
シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、
アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表す。
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基などが挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基などが挙げられる。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルケニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表し、好ましくは炭素数２〜５０、さらに好ましくは炭素数２〜３０、特に好ましくは炭素数２〜２０である。好ましい例としては、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イルなどを挙げることができる。さらに好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルであり、特に好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルである。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルケニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
なお、アルケニル基には、上記アルキル基と同様に、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルケニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
なお、アルケニル基には、上記アルキル基と同様に、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルキニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキニル基を表し、好ましくは炭素数２〜５０、さらに好ましくは炭素数２〜３０、特に好ましくは炭素数２〜２０である。好ましい例としては、エチニル、プロパルギルなどを挙げることができる。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルキニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
なお、アルキニル基には、上記アルキル基と同様に、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ２およびＲ３で表されるアルキニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
なお、アルキニル基には、上記アルキル基と同様に、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ２およびＲ３で表されるアリール基は、置換または無置換のアリール基を表し、好ましくは炭素数６〜５０、さらに好ましくは炭素数６〜３０、特に好ましくは炭素数６〜２０である。好ましい例としては、フェニル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、３−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニル、２−メチルカルボニルフェニル、４−メチルカルボニルフェニルなどを挙げることができる。
さらに好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができ、特に好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができる。
Ｒ２およびＲ３で表されるアリール基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
さらに好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができ、特に好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができる。
Ｒ２およびＲ３で表されるアリール基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ４およびＲ５で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基（アルキル基が有していてもよい置換基）を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ４およびＲ５で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ４およびＲ５で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基（アルキル基が有していてもよい置換基）を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ４およびＲ５で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ１およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ１およびＲ６で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ１およびＲ６で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ１およびＲ６で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ１およびＲ６で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
一般式（１）で表される化合物は、鎖状であっても環状であってもよく、環状である場合は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５またはＲ６で表される基のうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。
なお、二つの基が結合する際には、単結合、二重結合および三重結合のいずれかの結合形式が含まれていてもよい。
なお、二つの基が結合する際には、単結合、二重結合および三重結合のいずれかの結合形式が含まれていてもよい。
Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。フッ素原子は、一般式（１）で表される化合物の任意の炭素原子に置換してもよい。なお、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されていることが好ましい。なかでも、フッ素原子は、フルオロアルキル基（以下、Ｒｆ基もいう）またはＲｆ基で置換された基として含まれることが好ましい。つまり、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも一つの基中には、フルオロアルキル基（好ましくは、パーフルオロアルキル基）が含まれることが好ましい。なお、一般式（１）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
上記フルオロアルキル基とは、水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。パーフルオロアルキル基とは、水素原子の全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。
Ｒｆ基は、炭素原子数１ないし１４（好ましくは炭素原子数１〜１０、より好ましくは炭素原子数１〜７）の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基、または、炭素原子数１ないし１４の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基で置換された、炭素原子数２ないし２０の置換基であることが好ましい。
炭素原子数１ないし１４の直鎖または分岐鎖パーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ３−、Ｃ２Ｆ５−、Ｃ３Ｆ７−、Ｃ４Ｆ９−、Ｃ５Ｆ１１−、（ＣＦ３）２−ＣＦ−（ＣＦ２）２−、Ｃ６Ｆ１３−、Ｃ７Ｆ１５−、（ＣＦ３）２−ＣＦ−（ＣＦ２）４−、Ｃ８Ｆ１７−、Ｃ９Ｆ１９−、Ｃ１０Ｆ２１−、Ｃ１２Ｆ２５−およびＣ１４Ｆ２９−を挙げることができる。
炭素原子数１ないし１４のパーフルオロアルキル基により置換された炭素原子数２ないし２０の置換基の例としては、（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２−、Ｃ９Ｆ１９ＣＨ２−、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣ＝ＯＣＨ２−、（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２ＯＣ＝ＯＣＨ２−、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ２）２−、（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ２）２−、（ＣＦ３）２ＣＦＯＣ２Ｆ４−、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ〔ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ〕４−ＣＦ（ＣＦ３）−などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Ｒｆ基は１分子中に１ないし４個含まれることが好ましい。
なお、上述した一般式（１）で表される化合物は、２種以上使用してもよい。
上記フルオロアルキル基とは、水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。パーフルオロアルキル基とは、水素原子の全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。
Ｒｆ基は、炭素原子数１ないし１４（好ましくは炭素原子数１〜１０、より好ましくは炭素原子数１〜７）の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基、または、炭素原子数１ないし１４の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基で置換された、炭素原子数２ないし２０の置換基であることが好ましい。
炭素原子数１ないし１４の直鎖または分岐鎖パーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ３−、Ｃ２Ｆ５−、Ｃ３Ｆ７−、Ｃ４Ｆ９−、Ｃ５Ｆ１１−、（ＣＦ３）２−ＣＦ−（ＣＦ２）２−、Ｃ６Ｆ１３−、Ｃ７Ｆ１５−、（ＣＦ３）２−ＣＦ−（ＣＦ２）４−、Ｃ８Ｆ１７−、Ｃ９Ｆ１９−、Ｃ１０Ｆ２１−、Ｃ１２Ｆ２５−およびＣ１４Ｆ２９−を挙げることができる。
炭素原子数１ないし１４のパーフルオロアルキル基により置換された炭素原子数２ないし２０の置換基の例としては、（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２−、Ｃ９Ｆ１９ＣＨ２−、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣ＝ＯＣＨ２−、（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２ＯＣ＝ＯＣＨ２−、Ｃ８Ｆ１７ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ２）２−、（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ２）２−、（ＣＦ３）２ＣＦＯＣ２Ｆ４−、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ〔ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ〕４−ＣＦ（ＣＦ３）−などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Ｒｆ基は１分子中に１ないし４個含まれることが好ましい。
なお、上述した一般式（１）で表される化合物は、２種以上使用してもよい。
一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（２４）で表される化合物であることが好ましい。なお、一般式（２４）で表される化合物はフッ素原子を含み、さらにフッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
なお、一般式（２４）で表される化合物は、後述する一般式（３６）で表される化合物の下位概念に該当する。具体的は、以下のＲ２４１が一般式（３６）中のＣＨＲ３６１Ｒ３６２に該当し、Ｒ２４２〜Ｒ２４４、および、Ｒｆ１（Ｘ１）（Ｆ）Ｃ−Ｌ１−Ｙ１−Ｌ２−Ｚ１−Ｌ３−が一般式（３６）中のＶ３６に該当する。
なお、一般式（２４）で表される化合物は、後述する一般式（３６）で表される化合物の下位概念に該当する。具体的は、以下のＲ２４１が一般式（３６）中のＣＨＲ３６１Ｒ３６２に該当し、Ｒ２４２〜Ｒ２４４、および、Ｒｆ１（Ｘ１）（Ｆ）Ｃ−Ｌ１−Ｙ１−Ｌ２−Ｚ１−Ｌ３−が一般式（３６）中のＶ３６に該当する。
一般式（２４）中、Ｒ２４１およびＲ２４２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキル基を表す。なかでも、マイグレーション抑制能がより優れる理由から、炭素数１〜８のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜６のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜５のアルキル基であることが特に好ましい。アルキル基の好適な具体例としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、２，２−ジメチルプロピル、ヘキシル、シクロヘキシルなどが挙げられる。
一般式（２４）中、Ｒ２４３およびＲ２４４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。
一般式（２４）中、Ｒｆ１は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。
上記フルオロアルキル基中の水素原子はフッ素原子以外の他のハロゲン原子に置換されていてもよい。他のハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。また、エーテル性酸素原子（−Ｏ−）は、フルオロアルキル基の炭素−炭素結合間に存在してもよく、フルオロアルキル基の末端に存在してもよい。また、フルオロアルキル基の構造は、直鎖構造、分岐構造、環構造、または部分的に環を有する構造が挙げられ、直鎖構造が好ましい。
Ｒｆ１としては、ペルフルオロアルキル基または水素原子１個を含むペルフルオロアルキル基であることが好ましく、ペルフルオロアルキル基が特に好ましい（ただし、エーテル性酸素原子を有するものを含む。）。
Ｒｆ１としては、炭素数が４〜６のペルフルオロアルキル基、または、エーテル性酸素原子を有する炭素数が４〜９のペルフルオロアルキル基が好ましい。
Ｒｆ１の具体例としては、以下が挙げられる。
−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＨＦ２、−（ＣＦ２）２ＣＦ３、−（ＣＦ２）３ＣＦ３、−（ＣＦ２）４ＣＦ３、−（ＣＦ２）５ＣＦ３、−（ＣＦ２）６ＣＦ３、−（ＣＦ２）７ＣＦ３、−（ＣＦ２）８ＣＦ３、−（ＣＦ２）９ＣＦ３、−（ＣＦ２）１１ＣＦ３、−（ＣＦ２）１５ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）５ＣＦ３、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐＣＦ３（ｐは１〜８の整数）、−ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）ｑＣ６Ｆ１３（ｑは１〜４の整数）、−ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）ｒＣ３Ｆ７（ｒは１〜５の整数）。
Ｒｆ１としては、特に−（ＣＦ２）ＣＦ３または−（ＣＦ２）５ＣＦ３が好ましい。
上記フルオロアルキル基中の水素原子はフッ素原子以外の他のハロゲン原子に置換されていてもよい。他のハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。また、エーテル性酸素原子（−Ｏ−）は、フルオロアルキル基の炭素−炭素結合間に存在してもよく、フルオロアルキル基の末端に存在してもよい。また、フルオロアルキル基の構造は、直鎖構造、分岐構造、環構造、または部分的に環を有する構造が挙げられ、直鎖構造が好ましい。
Ｒｆ１としては、ペルフルオロアルキル基または水素原子１個を含むペルフルオロアルキル基であることが好ましく、ペルフルオロアルキル基が特に好ましい（ただし、エーテル性酸素原子を有するものを含む。）。
Ｒｆ１としては、炭素数が４〜６のペルフルオロアルキル基、または、エーテル性酸素原子を有する炭素数が４〜９のペルフルオロアルキル基が好ましい。
Ｒｆ１の具体例としては、以下が挙げられる。
−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＨＦ２、−（ＣＦ２）２ＣＦ３、−（ＣＦ２）３ＣＦ３、−（ＣＦ２）４ＣＦ３、−（ＣＦ２）５ＣＦ３、−（ＣＦ２）６ＣＦ３、−（ＣＦ２）７ＣＦ３、−（ＣＦ２）８ＣＦ３、−（ＣＦ２）９ＣＦ３、−（ＣＦ２）１１ＣＦ３、−（ＣＦ２）１５ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）５ＣＦ３、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐＣＦ３（ｐは１〜８の整数）、−ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）ｑＣ６Ｆ１３（ｑは１〜４の整数）、−ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）ｒＣ３Ｆ７（ｒは１〜５の整数）。
Ｒｆ１としては、特に−（ＣＦ２）ＣＦ３または−（ＣＦ２）５ＣＦ３が好ましい。
一般式（２４）中、Ｘ１は、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。なかでも、フッ素原子、トリフルオロメチル基が好ましい。
一般式（２４）中、Ｌ１は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。なかでも、炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
一般式（２４）中、Ｌ２は、単結合、または、水酸基もしくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。なかでも、炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
一般式（２４）中、Ｌ３は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。なかでも、単結合または炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
一般式（２４）中、Ｌ２は、単結合、または、水酸基もしくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。なかでも、炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
一般式（２４）中、Ｌ３は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。なかでも、単結合または炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
一般式（２４）中、Ｙ１およびＺ１は、単結合、−ＣＯ２−、−ＣＯ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＣＯＮＲ２４５−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２４５−、または、−ＮＲ２４５−を表す。なかでも、−ＣＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２４５−、または、−ＣＯＮＲ２４５−が好ましい。Ｒ２４５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
ただし、Ｙ１およびＺ１がいずれも単結合以外の場合、Ｌ２はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。
ただし、Ｙ１およびＺ１がいずれも単結合以外の場合、Ｌ２はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。
一般式（１）で表される化合物の別の好適な態様としては、例えば、下記一般式（３１）〜（４６）で表される化合物からなる群から選択される化合物が挙げられる。なお、一般式（３１）〜（４６）で表される化合物はフッ素原子を含み、さらにフッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
一般式（３１）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の化合物である。
一般式（３１）において、Ｖ３１は置換基を表す。ａは、１〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。なお、Ｖ３１のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ３１が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ３１が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ３１にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ３１で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ３１中に上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。
Ｖ３１で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３１）に複数のＶ３１が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
一般式（３１）において、Ｖ３１は置換基を表す。ａは、１〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。なお、Ｖ３１のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ３１が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ３１が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ３１にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ３１で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ３１中に上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。
Ｖ３１で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３１）に複数のＶ３１が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
以下に、一般式（３１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（３２）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（３２）において、Ｖ３２は置換基を表す。ａは、１〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。なお、Ｖ３２のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ３２が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ３２が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ３２にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ３２で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ３２中に上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。
Ｖ３２で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３２）に複数のＶ３２が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
一般式（３２）において、Ｖ３２は置換基を表す。ａは、１〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。なお、Ｖ３２のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ３２が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ３２が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ３２にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ３２で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ３２中に上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。
Ｖ３２で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３２）に複数のＶ３２が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
以下に、一般式（３２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（３３）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ２Ｒ３であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（３３）において、Ｖ３３は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３３で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３３）に複数のＶ３３が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３３１およびＲ３３２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３３が複数ある場合、複数のＶ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
一般式（３３）において、Ｖ３３は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３３で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３３）に複数のＶ３３が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３３１およびＲ３３２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３３が複数ある場合、複数のＶ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
以下に、一般式（３３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（３４）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ２Ｒ３であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（３４）において、Ｖ３４は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは０〜２の整数、さらに好ましくは１を表す。Ｖ３４で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３４）に複数のＶ３４が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３４１およびＲ３４２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３４が複数ある場合、複数のＶ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
一般式（３４）において、Ｖ３４は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは０〜２の整数、さらに好ましくは１を表す。Ｖ３４で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３４）に複数のＶ３４が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３４１およびＲ３４２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３４が複数ある場合、複数のＶ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
以下に、一般式（３４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（３５）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ４Ｒ５であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（３５）において、Ｖ３５は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３５で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３５）に複数のＶ３５が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３５１およびＲ３５２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ３５１およびＲ３５２で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ３５１およびＲ３５２が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。なかでも、Ｖ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。
なお、Ｖ３５が複数ある場合、複数のＶ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
一般式（３５）において、Ｖ３５は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３５で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３５）に複数のＶ３５が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３５１およびＲ３５２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ３５１およびＲ３５２で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ３５１およびＲ３５２が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。なかでも、Ｖ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。
なお、Ｖ３５が複数ある場合、複数のＶ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
以下に、一般式（３５）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（３６）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ４Ｒ５であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（３６）において、Ｖ３６は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３６で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３６）に複数のＶ３６が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３６１およびＲ３６２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ３６１およびＲ３６２で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ３６１またはＲ３６２が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３６が複数ある場合、複数のＶ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
一般式（３６）において、Ｖ３６は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３６で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３６）に複数のＶ３６が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３６１およびＲ３６２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ３６１およびＲ３６２で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ３６１またはＲ３６２が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３６が複数ある場合、複数のＶ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
以下に、一般式（３６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（３７）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（３７）において、Ｖ３７は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３７で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３７）に複数のＶ３７が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３７が複数ある場合、複数のＶ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
一般式（３７）において、Ｖ３７は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３７で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３７）に複数のＶ３７が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３７が複数ある場合、複数のＶ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
以下に、一般式（３７）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（３８）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（３８）において、Ｖ３８は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３８で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３８）に複数のＶ３８が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３８が複数ある場合、複数のＶ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
一般式（３８）において、Ｖ３８は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ３８で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３８）に複数のＶ３８が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ３８が複数ある場合、複数のＶ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
以下に、一般式（３８）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（３９）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（３９）において、Ｖ３９は置換基を表す。ｃは、１〜２の整数、好ましくは１を表す。なお、Ｖ３９のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ３９が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ３９が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ３９にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ３９で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ３９中に上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
Ｖ３９で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３９）に複数のＶ３９が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
一般式（３９）において、Ｖ３９は置換基を表す。ｃは、１〜２の整数、好ましくは１を表す。なお、Ｖ３９のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ３９が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ３９が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ３９にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ３９で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ３９中に上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
Ｖ３９で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（３９）に複数のＶ３９が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
以下に、一般式（３９）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（４０）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ２Ｒ３であり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ１およびＱに隣接する炭素原子上のＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（４０）において、Ｖ４０は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ４０で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４０）に複数のＶ４０が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４０１およびＲ４０２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４０が複数ある場合、複数のＶ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
一般式（４０）において、Ｖ４０は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ４０で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４０）に複数のＶ４０が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４０１およびＲ４０２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４０が複数ある場合、複数のＶ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
以下に、一般式（４０）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（４１）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ｎが０であり、Ｒ２およびＲ３が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（４１）において、Ｖ４１は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。Ｖ４１で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４１）に複数のＶ４１が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４１１およびＲ４１２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４１が複数ある場合、複数のＶ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
一般式（４１）において、Ｖ４１は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。Ｖ４１で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４１）に複数のＶ４１が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４１１およびＲ４１２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４１が複数ある場合、複数のＶ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
以下に、一般式（４１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（４２）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ｎが０であり、Ｒ２およびＲ３が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（４２）において、Ｖ４２は置換基を表す。ｄは、０または１を表す。Ｖ４２で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４２）に複数のＶ４２が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４２が複数ある場合、複数のＶ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
一般式（４２）において、Ｖ４２は置換基を表す。ｄは、０または１を表す。Ｖ４２で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４２）に複数のＶ４２が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４２が複数ある場合、複数のＶ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
以下に、一般式（４２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（４３）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６および窒素原子であり、ｎが３であり、Ｒ１およびＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（４３）において、Ｖ４３は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ４３で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４３）に複数のＶ４３が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４３１は、水素原子または置換基を表す。Ｒ４３１で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ４３１が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ４３およびＲ４３１のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４３およびＲ４３１の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４３およびＲ４３１のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４３が複数ある場合、複数のＶ４３およびＲ４３１のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
一般式（４３）において、Ｖ４３は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ４３で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４３）に複数のＶ４３が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４３１は、水素原子または置換基を表す。Ｒ４３１で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ４３１が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ４３およびＲ４３１のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４３およびＲ４３１の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４３およびＲ４３１のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４３が複数ある場合、複数のＶ４３およびＲ４３１のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
以下に、一般式（４３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（４４）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６および窒素原子であり、ｎが２であり、Ｒ１およびＲ６が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（４４）において、Ｖ４４は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ４４で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４４）に複数のＶ４４が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４４１は、水素原子または置換基を表す。Ｒ４４１で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ４４１が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ４４およびＲ４４１のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４４およびＲ４４１の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４４およびＲ４４１のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４４が複数ある場合、複数のＶ４４およびＲ４４１のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
一般式（４４）において、Ｖ４４は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数、好ましくは１〜２の整数、より好ましくは１を表す。Ｖ４４で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（４４）に複数のＶ４４が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ４４１は、水素原子または置換基を表す。Ｒ４４１で表される置換基としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｒ４４１が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｖ４４およびＲ４４１のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ４４およびＲ４４１の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ４４およびＲ４４１のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ４４が複数ある場合、複数のＶ４４およびＲ４４１のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
以下に、一般式（４４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（４５）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ｎが０である場合の一例である。
一般式（４５）において、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
一般式（４５）において、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
以下に、一般式（４５）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（４６）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがそれぞれＮＲ２Ｒ３であり、ＱがＯＨであり、ｎが０である場合の一例である。
一般式（４６）において、Ｒ４６１およびＲ４６２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｒ４６１およびＲ４６２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ４６１およびＲ４６２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ４６１およびＲ４６２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
一般式（４６）において、Ｒ４６１およびＲ４６２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｒ４６１およびＲ４６２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ４６１およびＲ４６２の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ４６１およびＲ４６２のうち少なくとも１つには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。
以下に、一般式（４６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
また、一般式（１）で表される化合物の最好適態様としては、以下の一般式（Ｘ１）で表される化合物が挙げられる。なお、一般式（Ｘ１）で表される化合物はフッ素原子を含み、さらにフッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
以下の一般式（Ｘ１）で表される化合物は、上述した一般式（３５）の下位概念に該当する。つまり、一般式（３５）中のＣＲ３５１Ｒ３５２が、以下の−Ａ−ＣＯＯ−Ｘ１１−Ｙ１１に該当する。
以下の一般式（Ｘ１）で表される化合物は、上述した一般式（３５）の下位概念に該当する。つまり、一般式（３５）中のＣＲ３５１Ｒ３５２が、以下の−Ａ−ＣＯＯ−Ｘ１１−Ｙ１１に該当する。
Ｒｘ１およびＲｘ２の定義、具体例および好適な態様は、Ｒ２４１およびＲ２４２と同じである。
Ａは、炭素数１〜２のアルキレン基を表す。Ａとして好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−であり、より好ましくは、−ＣＨ２ＣＨ２−である。
Ｘ１１は、水酸基を含んでいてもよい炭素数１〜３のアルキレン基を表す。Ｘ１１として好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−であり、さらに好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−であり、特に好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−である。
Ｙ１１は、炭素数４〜１２の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表す。好ましいパーフルオロアルキル基の例としては、Ｃ４Ｆ９−、Ｃ５Ｆ１１−、Ｃ６Ｆ１３−、Ｃ７Ｆ１５−、Ｃ８Ｆ１７−、Ｃ９Ｆ１９−、Ｃ１０Ｆ２１−、Ｃ１２Ｆ２５−が挙げられる。炭素数が上記範囲内であれば、マイグレーション抑制機能がより優れる。
上記Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ａ、およびＸ１１は、さらに上述した置換基を有していてもよい。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。
上記Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ａ、およびＸ１１は、さらに上述した置換基を有していてもよい。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。
（一般式（２）で表される化合物）
次に、一般式（２）で表される化合物について説明する。
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ 一般式（２）
次に、一般式（２）で表される化合物について説明する。
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ 一般式（２）
本発明において一般式（２）で表される化合物には、アルデヒド体とヘミアセタール体との間に平衡が存在することにより還元性を示す化合物（アルドースなど）や、ロブリー・ドブリュイン−ファン エッケンシュタイン転位反応によるアルドース−ケトース間の異性化によりアルデヒド体を形成しうる化合物（フルクトースなど）も含有する。
一般式（２）中、Ｒ７は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。
Ｒ７がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基を表すとき、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ７が複素環基を表すとき、好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族または非芳香族の複素環基である。好ましい例としては、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾオキサゾリル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリル、トリアゾリル、ベンゾトリアゾリル、チアジアゾリル、ピロリジニル、ピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、モルホリニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチエニルなどを挙げることができる。
Ｒ７としてさらに好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基であり、特に好ましくは、アルキル基、アリール基である。
Ｒ７で表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ７がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基を表すとき、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ７が複素環基を表すとき、好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族または非芳香族の複素環基である。好ましい例としては、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾオキサゾリル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリル、トリアゾリル、ベンゾトリアゾリル、チアジアゾリル、ピロリジニル、ピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、モルホリニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチエニルなどを挙げることができる。
Ｒ７としてさらに好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基であり、特に好ましくは、アルキル基、アリール基である。
Ｒ７で表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ７で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）はフッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ７中には、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。なお、一般式（２）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
また、Ｒ７で表される基中には、ヒドロキシル基、または、−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。
Ｒ７の好適態様の一つとしては、フッ素原子が含まれるアリール基が挙げられる。
また、Ｒ７で表される基中には、ヒドロキシル基、または、−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。
Ｒ７の好適態様の一つとしては、フッ素原子が含まれるアリール基が挙げられる。
以下に、一般式（２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
（一般式（３）で表される化合物）
次に、一般式（３）で表される化合物について説明する。
次に、一般式（３）で表される化合物について説明する。
一般式（３）中、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ８〜Ｒ１０の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）はフッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ８〜Ｒ１０の少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。Ｒ８〜Ｒ１０の好適態様の一つとしては、Ｒｆ基が置換したアリール基が挙げられる。アリール基に置換したＲｆ基の数は特に制限されず、１〜４個が好ましく、１〜２個がより好ましい。
なお、一般式（３）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ８〜Ｒ１０の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）はフッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ８〜Ｒ１０の少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。Ｒ８〜Ｒ１０の好適態様の一つとしては、Ｒｆ基が置換したアリール基が挙げられる。アリール基に置換したＲｆ基の数は特に制限されず、１〜４個が好ましく、１〜２個がより好ましい。
なお、一般式（３）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
以下に、一般式（３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
（一般式（４）で表される化合物）
次に、一般式（４）で表される化合物について説明する。
次に、一般式（４）で表される化合物について説明する。
一般式（４）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ１１およびＲ１２で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ１１およびＲ１２は、互いに結合して環を形成していてもよい。形成される環には、置換基が含まれていてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ１１〜Ｒ１２の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ１１〜Ｒ１２の少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。なお、一般式（４）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
一般式（４）で表される化合物の好適態様の一つとしては、以下の一般式（４Ａ）で表される化合物が挙げられる。
Ｒ１１およびＲ１２で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ１１およびＲ１２は、互いに結合して環を形成していてもよい。形成される環には、置換基が含まれていてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ１１〜Ｒ１２の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ１１〜Ｒ１２の少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。なお、一般式（４）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
一般式（４）で表される化合物の好適態様の一つとしては、以下の一般式（４Ａ）で表される化合物が挙げられる。
Ｒ１０Ａ〜Ｒ１３Ａは、それぞれ独立にアルキル基を表す。
Ｒ１４Ａは、フッ素原子が含まれる置換基を表す。
置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ１４Ａで表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ１４Ａには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ１４Ａ中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ１４Ａには、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましく、Ｒ１４Ａは−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基が含まれていてもよいＲｆ基がより好ましい。なお、一般式（４Ａ）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
以下に、一般式（４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
（一般式（５）で表される化合物）
次に、一般式（５）で表される化合物について説明する。
Ｚ−ＳＨ 一般式（５）
次に、一般式（５）で表される化合物について説明する。
Ｚ−ＳＨ 一般式（５）
一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。
Ｚで表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｚで表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｚ中には、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。なお、一般式（５）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
Ｚで表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｚで表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｚ中には、上述したＲｆ基が含まれることが好ましい。なお、一般式（５）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
一般式（５）で表される化合物は、一般式（５１）ないし一般式（５４）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（５１）において、Ｒ５１１は、フッ素原子が含まれる置換基を表す。
置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ５１１で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ５１１には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５１１中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５１１には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５１）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ５１１で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ５１１には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５１１中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５１１には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５１）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
以下に、一般式（５１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（５２）において、Ｒ５２１およびＲ５２２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ５２３は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。また、置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ５２１、Ｒ５２２およびＲ５２３は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ５２１、Ｒ５２２、およびＲ５２３のうち少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５２１、Ｒ５２２、およびＲ５２３のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５２１、Ｒ５２２、およびＲ５２３のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５２）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
Ｒ５２１、Ｒ５２２、およびＲ５２３のうち少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５２１、Ｒ５２２、およびＲ５２３のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５２１、Ｒ５２２、およびＲ５２３のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５２）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
以下に、一般式（５２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
一般式（５３）において、Ｒ５３１は、水素原子または置換基を表す。Ｒ５３２は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。また、置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ５３１およびＲ５３２は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ５３１およびＲ５３２のうち少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５３１およびＲ５３２のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５３１およびＲ５３２のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５３）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
Ｒ５３１およびＲ５３２のうち少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５３１およびＲ５３２のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５３１およびＲ５３２のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５３）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
以下に、一般式（５３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
一般式（５４）において、Ｒ５４１はフッ素原子が含まれる窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｒ５４１には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５４１中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５４１には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５４）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
Ｒ５４１には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ５４１中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ５４１には、上述したＲｆ基が含まれることがより好ましい。なお、一般式（５４）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
以下に、一般式（５４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
また、一般式（５）で表される化合物の最好適態様としては、以下の一般式（Ｙ）で表される化合物が挙げられる。
一般式（Ｙ）中、Ｒｙ１およびＲｙ２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。ｎ１は１または２を表し、好ましくは２を表す。ｎ１が２であるとき、複数のＣＲｙ１Ｒｙ２で表される単位の構造は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒｙ１およびＲｙ２がアルキル基を表すとき、好ましくは炭素数１〜３０、さらに好ましくは炭素数１〜１５、特に好ましくは炭素数１〜６であり、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、クロロメチル、ヒドロキシメチル、アミノエチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−ヒドロキシエチル、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、２−エチルヘキシルなどが好ましく挙げられる。
（ＣＲｙ１Ｒｙ２）ｎ１で表される構造として、好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、であり、さらに好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−であり、特に好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−である。
Ｒｙ１およびＲｙ２がアルキル基を表すとき、好ましくは炭素数１〜３０、さらに好ましくは炭素数１〜１５、特に好ましくは炭素数１〜６であり、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、クロロメチル、ヒドロキシメチル、アミノエチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−ヒドロキシエチル、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、２−エチルヘキシルなどが好ましく挙げられる。
（ＣＲｙ１Ｒｙ２）ｎ１で表される構造として、好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、であり、さらに好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−であり、特に好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−である。
Ｒｙ３およびＲｙ４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。ｍ１は１〜６の整数を表す。ｍ１が２以上であるとき、複数のＣＲｙ３Ｒｙ４で表される単位の構造は、同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒｙ３およびＲｙ４は、互いに結合して環を形成していてもよい。
（ＣＲｙ３Ｒｙ４）ｍ１で表される構造として、好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−であり、さらに好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−であり、特に好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−である。
Ｒｙ５は、炭素数１〜２０のパーフルオロアルキル基を表す。パーフルオロアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
炭素原子数１〜２０の直鎖状または分岐鎖状のパーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ３−、Ｃ２Ｆ５−、Ｃ３Ｆ７−、Ｃ４Ｆ９−、Ｃ５Ｆ１１−、Ｃ６Ｆ１３−、Ｃ７Ｆ１５−、Ｃ８Ｆ１７−、Ｃ９Ｆ１９−、Ｃ１０Ｆ２１−、Ｃ１２Ｆ２５−、Ｃ１４Ｆ２９−などが挙げられる。
炭素原子数１〜２０の直鎖状または分岐鎖状のパーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ３−、Ｃ２Ｆ５−、Ｃ３Ｆ７−、Ｃ４Ｆ９−、Ｃ５Ｆ１１−、Ｃ６Ｆ１３−、Ｃ７Ｆ１５−、Ｃ８Ｆ１７−、Ｃ９Ｆ１９−、Ｃ１０Ｆ２１−、Ｃ１２Ｆ２５−、Ｃ１４Ｆ２９−などが挙げられる。
一般式（６）で表される化合物について説明する。なお、一般式（６）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
一般式（６）中、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３は、それぞれ独立に、−ＮＨ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−ＣＲｘ＝、＝ＣＲｘ−または−Ｓ−を表す。Ｒｘは、水素原子、−ＮＨ２または直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。ヘテロ原子としては特に制限されないが、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子などが挙げられる。Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３のうち少なくとも１つは−ＣＲｘ＝または＝ＣＲｘ−ではない。
Ｒ６１およびＲ６２は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、−Ｓｐ−Ｐ、直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基、または、置換基（置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じ）を有してもよい炭素数２〜３０の、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオキシカルボニル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。Ｓｐは、単結合または２価の有機基を表す。２価の有機基の具体例および好適な態様は、後述するＬＡと同じである。Ｐは、重合性基または架橋性基を表す。重合性基および架橋性基の具体例としては、メタクリロイル基、アクリロイル基、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基などが挙げられる。Ｒ６１およびＲ６２は、互いに結合して、環原子数５〜７の、芳香環または芳香族複素環を形成してもよい。芳香環および芳香族複素環は、１〜６個の置換基を有してもよい。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基と同じである。
上記「カルビル基」は、任意の非炭素原子を含まないか（例えば、−Ｃ≡Ｃ−のような）、またはＮ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅもしくはＧｅのような少なくとも一つの非炭素原子と随意に結合した少なくとも一つの炭素原子を含む（例えば、カルボニル等）任意の一価もしくは多価有機基部分を指す。上記「ヒドロカルビル基」は、１以上のＨ原子を追加的に含み、随意に、例えば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅもしくはＧｅのような１以上のヘテロ原子を含むカルビル基を指す。
Ｒ６１、Ｒ６２、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３の基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）はフッ素原子で置換されている。なお、一般式（６）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
一般式（６）で表される化合物は、下記一般式（２２）で表される化合物であることが好ましい。なお、一般式（２２）で表される化合物はフッ素原子を含み、さらにフッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
一般式（２２）中、Ｒｆ1、Ｘ1、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3、Ｙ1およびＺ1の定義、具体例および好適な態様は、それぞれ上述した一般式（２４）中のＲｆ1、Ｘ1、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3、Ｙ1およびＺ1と同じである。
Ｒ２２１は、水素原子、炭素数１〜８に直鎖若しくは分岐のアルキル基、または、Ｒｆ１−ＣＦＸ１−Ｌ１−Ｙ１―Ｌ２−Ｚ１−Ｌ３−を表す。
ただし、Ｙ１およびＺ１がいずれも単結合以外の場合、Ｌ２はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。
ただし、Ｙ１およびＺ１がいずれも単結合以外の場合、Ｌ２はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。
以下に、一般式（２２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
（一般式（７）で表される化合物）
次に、一般式（７）で表される化合物について説明する。
次に、一般式（７）で表される化合物について説明する。
一般式（７）において、Ｒ７１およびＲ７２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。なかでも、Ｒ７１は水素原子であることが好ましく、Ｒ７２はアルキル基、アリール基であることが好ましい。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
Ｒ７１およびＲ７２のうち少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。なお、一般式（７）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
一般式（７）で表される化合物の好適態様としては、一般式（７Ａ）で表される化合物が挙げられる。
Ｒ７１およびＲ７２のうち少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。なお、一般式（７）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
一般式（７）で表される化合物の好適態様としては、一般式（７Ａ）で表される化合物が挙げられる。
ＬＡは、単結合または２価の有機基を表す。２価の有機基としては、例えば、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の脂肪族炭化水素基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の芳香族炭化水素基（例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ２２２−、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ２２２−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＳＯ２ＮＲ２２２−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−またはこれらを複数組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。ここで、Ｒ２２２は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
Ｒｆ基は、フルオロアルキル基（好ましくは、パーフルオロアルキル基）を表し、Ｒｆ基の定義および好適範囲は上述の通りである。
Ｒｆ基は、フルオロアルキル基（好ましくは、パーフルオロアルキル基）を表し、Ｒｆ基の定義および好適範囲は上述の通りである。
（一般式（８）で表される化合物）
次に、一般式（８）で表される化合物について説明する。なお、一般式（８）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
次に、一般式（８）で表される化合物について説明する。なお、一般式（８）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２ 一般式（８）
一般式（８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。なかでも、アリール基、複素環基であることが好ましい。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
なお、Ｚ１およびＺ２には、置換基が含まれていてもよい。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基と同じである。
Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。なお、一般式（８）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
なお、上記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基には、ヘテロ原子（例えば、酸素原子、硫黄原子など）が含まれていてもよい。
一般式（８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。なかでも、アリール基、複素環基であることが好ましい。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ２およびＲ３の例を挙げることができる。なお、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
なお、Ｚ１およびＺ２には、置換基が含まれていてもよい。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基と同じである。
Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。なお、一般式（８）で表される化合物は、フッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
なお、上記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基には、ヘテロ原子（例えば、酸素原子、硫黄原子など）が含まれていてもよい。
一般式（８）で表される化合物は、下記一般式（２３）で表される化合物であることが好ましい。なお、一般式（２３）で表される化合物はフッ素原子を含み、さらにフッ素含有率が上述した範囲を満たすことが好ましい。
一般式（２３）中、Ｒ２３１およびＲ２３２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ２３１およびＲ２３２がアルキル基を表すとき、好ましくは炭素数１〜３０、さらに好ましくは炭素数１〜１５、特に好ましくは炭素数１〜６であり、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、クロロメチル、ヒドロキシメチル、アミノエチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−ヒドロキシエチル、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、２−エチルヘキシルなどが好ましく挙げられる。
（ＣＲ２３１Ｒ２３２）ｎで表される構造として、好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−であり、さらに好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−であり、特に好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−である。
（ＣＲ２３１Ｒ２３２）ｎで表される構造として、好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−であり、さらに好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−であり、特に好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−である。
Ｒ２３３およびＲ２３４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
（ＣＲ２３３Ｒ２３４）ｍで表される構造として、好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−であり、さらに好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−であり、特に好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−である。
（ＣＲ２３３Ｒ２３４）ｍで表される構造として、好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−であり、さらに好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−であり、特に好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−である。
Ｙ２は、単結合、−ＣＯ−または−ＣＯＯ−を表す。
Ｙ２が単結合または−ＣＯ−のとき、ｎは０を表し、ｍは０〜６の整数を表す。なかでも、ｍは０〜４が好ましく、１〜２がより好ましい。
Ｙ２が−ＣＯＯ−のとき、ｎは１または２を表し、好ましくは２を表す。ｍは１から６の整数を表し、１〜４が好ましく、１〜２がより好ましい。
Ｙ２が単結合または−ＣＯ−のとき、ｎは０を表し、ｍは０〜６の整数を表す。なかでも、ｍは０〜４が好ましく、１〜２がより好ましい。
Ｙ２が−ＣＯＯ−のとき、ｎは１または２を表し、好ましくは２を表す。ｍは１から６の整数を表し、１〜４が好ましく、１〜２がより好ましい。
Ｒｆ２は、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロエーテル基を表す。
パーフルオロアルキレン基の炭素数は１〜２０であるが、２〜１５が好ましく、３〜１２がより好ましい。パーフルオロアルキレン基の具体例としては、例えば、−Ｃ４Ｆ８−、−Ｃ５Ｆ１０−、−Ｃ６Ｆ１２−、−Ｃ７Ｆ１４−、−Ｃ８Ｆ１６−、−Ｃ９Ｆ１８−、−Ｃ１０Ｆ２０−、−Ｃ１２Ｆ２４−などが挙げられる。
パーフルオロエーテル基とは、上記パーフルオロアルキレン基中の１箇所以上の炭素−炭素原子間、またはパーフルオロアルキレン基の結合末端にエーテル性酸素原子（−Ｏ−）が挿入された基を意味する。パーフルオロアルキレン基の炭素数は１〜２０であるが、２〜１５が好ましく、３〜１２がより好ましい。パーフルオロエーテル基の具体例としては、−（ＣｇＦ２ｇＯ）ｈ−（式中、ｇはそれぞれ独立に１〜２０の整数であり、ｈは１以上の整数であり、ｇ×ｈ≦２０以下の関係を満たす。）で表されるパーフルオロエーテル基が挙げられる。
パーフルオロアルキレン基の炭素数は１〜２０であるが、２〜１５が好ましく、３〜１２がより好ましい。パーフルオロアルキレン基の具体例としては、例えば、−Ｃ４Ｆ８−、−Ｃ５Ｆ１０−、−Ｃ６Ｆ１２−、−Ｃ７Ｆ１４−、−Ｃ８Ｆ１６−、−Ｃ９Ｆ１８−、−Ｃ１０Ｆ２０−、−Ｃ１２Ｆ２４−などが挙げられる。
パーフルオロエーテル基とは、上記パーフルオロアルキレン基中の１箇所以上の炭素−炭素原子間、またはパーフルオロアルキレン基の結合末端にエーテル性酸素原子（−Ｏ−）が挿入された基を意味する。パーフルオロアルキレン基の炭素数は１〜２０であるが、２〜１５が好ましく、３〜１２がより好ましい。パーフルオロエーテル基の具体例としては、−（ＣｇＦ２ｇＯ）ｈ−（式中、ｇはそれぞれ独立に１〜２０の整数であり、ｈは１以上の整数であり、ｇ×ｈ≦２０以下の関係を満たす。）で表されるパーフルオロエーテル基が挙げられる。
ｐは２〜３の整数を表し、ｌは０〜１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。なかでも、ｐが３で、ｌが０であることが好ましい。
以下に、一般式（２３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
（高分子化合物（Ｘ））
高分子化合物（Ｘ）は、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。高分子化合物（Ｘ）は、側鎖にマイグレーション抑制能を有する特定の基（一般式（Ａ）中のＡ）を有する。
高分子化合物（Ｘ）は、一般式（Ａ）で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでもよい。高分子化合物（Ｘ）中の一般式（Ａ）で表される繰り返し単位の割合は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、２０質量％以上であることがさらに好ましく、３０質量％以上であることが特に好ましく、５０質量％以上であることが最も好ましい。
高分子化合物（Ｘ）に含まれる一般式（Ａ）で表される複数の繰り返し単位は、同一であっても異なってもよい。
高分子化合物（Ｘ）は、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。高分子化合物（Ｘ）は、側鎖にマイグレーション抑制能を有する特定の基（一般式（Ａ）中のＡ）を有する。
高分子化合物（Ｘ）は、一般式（Ａ）で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでもよい。高分子化合物（Ｘ）中の一般式（Ａ）で表される繰り返し単位の割合は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、２０質量％以上であることがさらに好ましく、３０質量％以上であることが特に好ましく、５０質量％以上であることが最も好ましい。
高分子化合物（Ｘ）に含まれる一般式（Ａ）で表される複数の繰り返し単位は、同一であっても異なってもよい。
一般式（Ａ）中、ＲＡは、水素原子、または、炭素数１〜４の置換基を有してもよいアルキル基を表す。なかでも、水素原子またはメチル基であることがより好ましい。
ＬＡは、単結合または２価の有機基を表す。２価の有機基としては、例えば、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の脂肪族炭化水素基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の芳香族炭化水素基（例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ２２２−、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ２２２−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＳＯ２ＮＲ２２２−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−またはこれらを複数組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。ここで、Ｒ２２２は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
ＬＡの好適な態様としては、例えば、下記一般式（Ａ−１）で表される２価の有機基が挙げられる。
一般式（Ａ−１）中、Ｚ２は、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＲ２２２−）またはエーテル基（−Ｏ−）を表す。Ｒ２２２の定義は上述のとおりである。
一般式（Ａ−１）中、Ｌ４は、単結合または２価の有機基を表す。２価の有機基は、直鎖状、分岐状若しくは環状の２価の脂肪族炭化水素基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、直鎖状、分岐状若しくは環状の２価の芳香族炭化水素基（例えば、フェニレン基）、または、これらを組み合わせた基であることが好ましい。上記組み合わせた基は、エーテル基（−Ｏ−）、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＲ２２２−）、ウレタン基（−ＮＨＣＯＯ−）、ウレア基（−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−）を介して組み合わせた基であってもよい。Ｒ２２２の定義は上述のとおりである。
Ｌ４は、総炭素数が１〜１５であることが好ましい。ここで、総炭素数とは、Ｌ4に含まれる総炭素原子数を意味する。
Ｌ４の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、および、これらの基が、メトキシ基、ヒドロキシル基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、さらには、これらを組み合わせた基などが挙げられる。
Ｌ４は、総炭素数が１〜１５であることが好ましい。ここで、総炭素数とは、Ｌ4に含まれる総炭素原子数を意味する。
Ｌ４の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、および、これらの基が、メトキシ基、ヒドロキシル基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、さらには、これらを組み合わせた基などが挙げられる。
一般式（Ａ−１）中、Ｚ３は、単結合、−ＣＯ２−、−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＣＯＮＲ２２２−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２２２−、または、−ＮＲ２２２−を表す。Ｒ２２２の定義は上述のとおりである。
一般式（Ａ−１）中、上側の＊（Ｚ２に隣接する＊）は、一般式（Ａ）中のＲＡが結合する炭素原子との結合位置を表す。
一般式（Ａ−１）中、下側の＊（Ｚ３に隣接する＊）は、一般式（Ａ）中のＡとの結合位置を表す。
すなわち、ＬＡが一般式（Ａ−１）で表される２価の有機基である場合、一般式（Ａ）は下記一般式（Ａ−２）で表される。
一般式（Ａ−１）中、下側の＊（Ｚ３に隣接する＊）は、一般式（Ａ）中のＡとの結合位置を表す。
すなわち、ＬＡが一般式（Ａ−１）で表される２価の有機基である場合、一般式（Ａ）は下記一般式（Ａ−２）で表される。
一般式（Ａ−２）中、ＲＡの定義および好適な態様は、上述した一般式（Ａ）中のＲＡと同じである。
一般式（Ａ−２）中、Ｚ２、Ｌ４およびＺ３の定義、具体例および好適な態様は、それぞれ上述した一般式（Ａ−１）中のＺ２、Ｌ４およびＺ３と同じである。
一般式（Ａ−２）中、Ａの定義および好適な態様は、後述する一般式（Ａ）中のＡと同じである。
一般式（Ａ−２）中、Ｚ２、Ｌ４およびＺ３の定義、具体例および好適な態様は、それぞれ上述した一般式（Ａ−１）中のＺ２、Ｌ４およびＺ３と同じである。
一般式（Ａ−２）中、Ａの定義および好適な態様は、後述する一般式（Ａ）中のＡと同じである。
一般式（Ａ）中、Ａは、上記一般式（１）〜（８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、上記一般式（１）〜（８）で表される化合物であって、分子内に２個以上のフッ素原子を有する化合物からフッ素原子を１個取り去った１価の基を表す。ここで、「一般式（１）〜（８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基」とは、一般式（１）〜（８）で表される化合物において、化合物の有する水素原子のうち、水酸基の水素原子以外の任意の水素原子を１個取り去った１価の基を表す。また、「一般式（１）〜（８）で表される化合物であって、分子内に２個以上のフッ素原子を有する化合物からフッ素原子を１個取り去った１価の基」とは、一般式（１）〜（８）で表される化合物であって、分子内に２個以上のフッ素原子を有する化合物において、化合物の有するフッ素原子のうち、任意のフッ素原子を１個取り去った１価の基を表す。Ａで表される基は、マイグレーション抑制能を有する。
上述した一般式（１）〜（８）で表される化合物のうち、水素原子が取り去られる位置は特に制限されないが、マイグレーション抑制能がより優れる点で、一般式（１）〜（４）で表される化合物においてはＲ１〜Ｒ１２のいずれか、一般式（５）で表される化合物においてはＺ、一般式（６）で表される化合物においてはＲ６１またはＲ６２、一般式（７）で表される化合物においてはＲ７1またはＲ７２、一般式（８）で表される化合物においてはＺ１またはＺ２が好ましく挙げられる。言い換えると、一般式（Ａ）中のＬＡは、一般式（１）〜（４）で表される化合物においてはＲ１〜Ｒ１２のいずれか、一般式（５）で表される化合物においてはＺ、一般式（６）で表される化合物においてはＲ６１またはＲ６２、一般式（７）で表される化合物においてはＲ７1またはＲ７2、一般式（８）で表される化合物においてはＺ１またはＺ２と結合していることが好ましい。
また、上述した一般式（１）〜（８）で表される化合物のうち分子内にフッ素原子を２個以上有するものからフッ素原子が取り去られる位置についても、上記の水素原子の場合と同様である。
また、上述した一般式（１）〜（８）で表される化合物のうち分子内にフッ素原子を２個以上有するものからフッ素原子が取り去られる位置についても、上記の水素原子の場合と同様である。
また、Ａとしては、上述した一般式（１）〜（８）で表される化合物の好適態様である一般式（２２）〜（２４）、一般式（３１）〜（４６）、一般式（５１）〜（５４）、一般式（Ｘ１）、および、一般式（Ｙ１）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、これらの化合物のうち分子内に２個以上のフッ素原子を有するものからフッ素原子を１個取り去った１価の基であってもよい。
（高分子化合物（Ｘ）の合成方法）
以下、本発明の側鎖にマイグレーション抑制部位（マイグレーション防止部位）を有する特定の基（一般式（Ａ）中のＡ）を有する高分子化合物（Ｘ）の合成方法について説明する。
高分子化合物（Ｘ）の合成方法は特に制限されないが、例えば、下記のｉ）〜ii）が挙げられる。
以下、本発明の側鎖にマイグレーション抑制部位（マイグレーション防止部位）を有する特定の基（一般式（Ａ）中のＡ）を有する高分子化合物（Ｘ）の合成方法について説明する。
高分子化合物（Ｘ）の合成方法は特に制限されないが、例えば、下記のｉ）〜ii）が挙げられる。
ｉ）一般式（Ａ―３）で表されるマイグレーション抑制部位を有する特定の基（一般式（Ａ）中のＡ）を有するモノマーを重合する方法
ii）反応性基を有する高分子化合物に、該高分子化合物中の反応性基と反応しうる基とマイグレーション抑制部位を有する特定の基とを有する化合物を反応させ、マイグレーション抑制部位を有する特定の基を導入する方法
これらの中でも、好ましいのは、合成適性の観点から、ｉ）の方法である。
以上のように、マイグレーション抑制部位を有する特定の基は、マイグレーション抑制部位を有する特定の基がペンダントされたモノマーを重合することで高分子化合物中に導入してもよいし、予め合成された反応性基を有するポリマーの一部に付加・置換させることで、高分子化合物中に導入してもよい。
なお本発明に好適に使用できる高分子化合物（Ｘ）において、一般式（Ａ）のユニット以外に他の共重合成分を含んでいてもよい。上記合成方法において、更に他のモノマーを共重合させることで導入することができ、本発明の効果を損なわないものであれば、いかなるモノマーも使用することができる。
以上のように、マイグレーション抑制部位を有する特定の基は、マイグレーション抑制部位を有する特定の基がペンダントされたモノマーを重合することで高分子化合物中に導入してもよいし、予め合成された反応性基を有するポリマーの一部に付加・置換させることで、高分子化合物中に導入してもよい。
なお本発明に好適に使用できる高分子化合物（Ｘ）において、一般式（Ａ）のユニット以外に他の共重合成分を含んでいてもよい。上記合成方法において、更に他のモノマーを共重合させることで導入することができ、本発明の効果を損なわないものであれば、いかなるモノマーも使用することができる。
使用されうる他のモノマーとしては、具体的には、メチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレートなどの無置換（メタ）アクリル酸エステル類、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、３，３，３−トリフルオロプロピル（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレート、２−クロロエチル（メタ）アクリレートなどのハロゲン置換（メタ）アクリル酸エステル類、ブチル（メタ）アクリルアミド、イソプロピル（メタ）アクリルアミド、オクチル（メタ）アクリルアミド、２−エチルヘキシルアクリルアミド、ジメチル（メタ）アクリルアミドなどの（メタ）アクリルアミド類、スチレン、α―メチルスチレンなどのスチレン類、Ｎ−ビニルカルバゾール、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどのビニル化合物類や、その他にジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、２−エチルチオ−エチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートなどが使用できる。また、上記記載のモノマーを用いて得られたマクロモノマーも使用できる。
上記ii）の合成方法において用いられる反応性基を有する高分子化合物は、マイグレーション抑制部位を有する特定の基導入のための反応性基を有するモノマーをラジカル重合することにより合成される。マイグレーション抑制部位を有する特定の基導入を有するモノマーとしては、反応性基として、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、またはイソシアネート基を有するモノマーが挙げられる。
カルボキシル基含有のモノマーとしては、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、安息香酸ビニル、東亞合成製のアロニクスＭ−５３００、Ｍ−５４００、Ｍ−５６００、三菱レーヨン製のアクリルエステルＰＡ、ＨＨ、共栄社化学(株）製のライトアクリレートＨＯＡ−ＨＨ、中村化学製のＮＫエステルＳＡ、Ａ−ＳＡなどが挙げられる。
ヒドロキシル基含有のモノマーとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、１−（メタ）アクリロイル−３−ヒドロキシ−アダマンタン、ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミド、２−（ヒドロキシメチル）−（メタ）アクリレート、２−（ヒドロキシメチル）−（メタ）アクリレートのメチルエステル、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３，５−ジヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、１−ヒドロキシメチル−４−（メタ）アクリロイルメチル−シクロヘキサン、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、１−メチル−２−アクリロイロキシプロピルフタル酸、２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシエチルフタル酸、１−メチル−２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタル酸、２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシ−３−クロロプロピルフタル酸、東亞合成（株）製のアロニクスＭ−５５４、Ｍ−１５４、Ｍ−５５５、Ｍ−１５５、Ｍ−１５８、日本油脂（株）製のブレンマーＰＥ−２００、ＰＥ−３５０、ＰＰ−５００、ＰＰ−８００、ＰＰ−１０００、７０ＰＥＰ−３５０Ｂ、５５ＰＥＴ８００、以下の構造を有するラクトン変性アクリレートが使用できる。
ＣＨ２＝ＣＲＣＯＯＣＨ２ＣＨ２［ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ５Ｈ１０］ｎＯＨ
（Ｒ＝ＨまたはＭｅ、ｎ＝１〜５）
（Ｒ＝ＨまたはＭｅ、ｎ＝１〜５）
また、エポキシ基を有するモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート、ダイセル化学製のサイクロマーＡ、Ｍなどが使用できる。
イソシアネート基を有するモノマーとしては、昭和電工製のカレンズＡＯＩ、ＭＯＩが使用できる。
イソシアネート基を有するモノマーとしては、昭和電工製のカレンズＡＯＩ、ＭＯＩが使用できる。
上記ii）の合成方法において、反応性基を有する高分子化合物と反応させるマイグレーション抑制部位を有する特定の基を有する化合物としては、高分子化合物中の反応性基の種類によって異なるが、以下の組合せの官能基を有する化合物を使用することができる。
即ち、（ポリマーの反応性基、マイグレーション抑制部位を有する特定の基を有する化合物）＝（カルボキシル基、カルボキシル基）、（カルボキシル基、エポキシ基）、（カルボキシル基、イソシアネート基）、（カルボキシル基、ハロゲン化ベンジル）、（水酸基、カルボキシル基）、（水酸基、エポキシ基）、（水酸基、イソシアネート基）、（水酸基、ハロゲン化ベンジル）（イソシアネート基、水酸基）、（イソシアネート基、カルボキシル基）、（エポキシ基、カルボキシル基）等を挙げることができる。
即ち、（ポリマーの反応性基、マイグレーション抑制部位を有する特定の基を有する化合物）＝（カルボキシル基、カルボキシル基）、（カルボキシル基、エポキシ基）、（カルボキシル基、イソシアネート基）、（カルボキシル基、ハロゲン化ベンジル）、（水酸基、カルボキシル基）、（水酸基、エポキシ基）、（水酸基、イソシアネート基）、（水酸基、ハロゲン化ベンジル）（イソシアネート基、水酸基）、（イソシアネート基、カルボキシル基）、（エポキシ基、カルボキシル基）等を挙げることができる。
上記のような官能基を有するモノマーとして、具体的には、アクリル酸、グリシジルアクリレート、サイクロマーＡ（ダイセル化学製）、カレンズＡＯＩ（昭和電工製）、メタクリル酸、グリシジルメタクリレート、サイクロマーＭ（ダイセル化学製）、カレンズＭＯＩ（昭和電工製）を使用することができる。
本発明における高分子化合物（Ｘ）の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
（高分子化合物（Ｙ））
高分子化合物（Ｙ）は、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位、および、下記一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。高分子化合物（Ｙ）は、側鎖にマイグレーション抑制能を有する特定の基（一般式（Ｂ）中のＢ）を有すると共に、一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位中にフッ素原子が含まれる。
高分子化合物（Ｙ）中の一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位の割合は、５〜９５質量％であることが好ましく、２０〜８０質量％であることがより好ましい。
高分子化合物（Ｙ）中の一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位の割合は、５〜９５質量％であることが好ましく、２０〜８０質量％であることがより好ましい。
高分子化合物（Ｙ）に含まれる一般式（Ｂ）および（Ｃ）で表される複数の繰り返し単位は、同一であっても異なってもよい。
高分子化合物（Ｙ）は、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位、および、下記一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。高分子化合物（Ｙ）は、側鎖にマイグレーション抑制能を有する特定の基（一般式（Ｂ）中のＢ）を有すると共に、一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位中にフッ素原子が含まれる。
高分子化合物（Ｙ）中の一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位の割合は、５〜９５質量％であることが好ましく、２０〜８０質量％であることがより好ましい。
高分子化合物（Ｙ）中の一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位の割合は、５〜９５質量％であることが好ましく、２０〜８０質量％であることがより好ましい。
高分子化合物（Ｙ）に含まれる一般式（Ｂ）および（Ｃ）で表される複数の繰り返し単位は、同一であっても異なってもよい。
一般式（Ｂ）中のＲＢおよびＬＢの定義は、それぞれ上述した一般式（Ａ）中のＲＡおよびＬＡの定義と同じで、好適態様も同じである。
一般式（Ｂ）中、Ｂは、後述する一般式（Ｙ―１）〜（Ｙ−８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、下記一般式（２５）で表される基を表す。ここで、「一般式（Ｙ―１）〜（Ｙ−８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基」とは、一般式（Ｙ―１）〜（Ｙ−８）で表される化合物において、化合物の有する水素原子のうち、水酸基の水素原子以外の任意の水素原子を１個取り去った１価の基を表す。Ｂで表される基は、マイグレーション抑制能を有する。
一般式（Ｂ）中、Ｂは、後述する一般式（Ｙ―１）〜（Ｙ−８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、下記一般式（２５）で表される基を表す。ここで、「一般式（Ｙ―１）〜（Ｙ−８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基」とは、一般式（Ｙ―１）〜（Ｙ−８）で表される化合物において、化合物の有する水素原子のうち、水酸基の水素原子以外の任意の水素原子を１個取り去った１価の基を表す。Ｂで表される基は、マイグレーション抑制能を有する。
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ 一般式（Ｙ−１）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ 一般式（Ｙ−２）
Ｚ−ＳＨ 一般式（Ｙ−５）
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２ 一般式（Ｙ−８）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ 一般式（Ｙ−２）
Ｚ−ＳＨ 一般式（Ｙ−５）
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２ 一般式（Ｙ−８）
上記一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）中の各基の定義は、上述した一般式（１）〜（８）中の各基の定義と同じである。
一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物と、一般式（１）〜（８）で表される化合物との違いとしては、一般式（１）〜（８）で表される化合物においては上述した基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されているが、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物ではそのようなフッ素原子による置換がなされていない。なお、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物にはフッ素原子は含まれていてもよい。
なお、一般式（Ｙ−１）の好適態様としては、上記一般式（１）と同じく、一般式（３１）〜（４６）で表される化合物が挙げられる。ただし、この場合、フッ素原子による置換がなされていても、なされていなくてもよい。より具体的には、以下の通りである。
一般式（３１）中、Ｖ３１は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。
一般式（３２）中、Ｖ３２は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。
一般式（３３）中、Ｖ３３は置換基を表す。Ｒ３３１およびＲ３３２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３４）中、Ｖ３４は置換基を表す。Ｒ３４１およびＲ３４２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３５）中、Ｖ３５は置換基を表す。Ｒ３５１およびＲ３５２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３６）中、Ｖ３６は置換基を表す。Ｒ３６１およびＲ３６２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３７）中、Ｖ３７は置換基を表す。Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３８）中、Ｖ３８は置換基を表す。Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３９）中、Ｖ３９は置換基を表す。ｃは、１〜２の整数を表す。
一般式（４０）中、Ｖ４０は置換基を表す。Ｒ４０１およびＲ４０２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４１）中、Ｖ４１は置換基を表す。Ｒ４１１およびＲ４１２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４２）中、Ｖ４２は置換基を表す。Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｄは、０または１を表す。
一般式（４３）中、Ｖ４３は置換基を表す。Ｒ４３１は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４４）中、Ｖ４４は置換基を表す。Ｒ４４１は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４５）中、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
一般式（４６）中、Ｒ４６１およびＲ４６２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物と、一般式（１）〜（８）で表される化合物との違いとしては、一般式（１）〜（８）で表される化合物においては上述した基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されているが、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物ではそのようなフッ素原子による置換がなされていない。なお、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物にはフッ素原子は含まれていてもよい。
なお、一般式（Ｙ−１）の好適態様としては、上記一般式（１）と同じく、一般式（３１）〜（４６）で表される化合物が挙げられる。ただし、この場合、フッ素原子による置換がなされていても、なされていなくてもよい。より具体的には、以下の通りである。
一般式（３１）中、Ｖ３１は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。
一般式（３２）中、Ｖ３２は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。
一般式（３３）中、Ｖ３３は置換基を表す。Ｒ３３１およびＲ３３２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３４）中、Ｖ３４は置換基を表す。Ｒ３４１およびＲ３４２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３５）中、Ｖ３５は置換基を表す。Ｒ３５１およびＲ３５２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３６）中、Ｖ３６は置換基を表す。Ｒ３６１およびＲ３６２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３７）中、Ｖ３７は置換基を表す。Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３８）中、Ｖ３８は置換基を表す。Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（３９）中、Ｖ３９は置換基を表す。ｃは、１〜２の整数を表す。
一般式（４０）中、Ｖ４０は置換基を表す。Ｒ４０１およびＲ４０２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４１）中、Ｖ４１は置換基を表す。Ｒ４１１およびＲ４１２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４２）中、Ｖ４２は置換基を表す。Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｄは、０または１を表す。
一般式（４３）中、Ｖ４３は置換基を表す。Ｒ４３１は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４４）中、Ｖ４４は置換基を表す。Ｒ４４１は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
一般式（４５）中、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
一般式（４６）中、Ｒ４６１およびＲ４６２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
上述した一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物のうち、水素原子が取り去られる位置は特に制限されないが、マイグレーション抑制能がより優れる点で、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−４）で表される化合物においてはＲ１〜Ｒ１２のいずれか、一般式（Ｙ−５）で表される化合物においてはＺ、一般式（Ｙ−６）で表される化合物においてはＲ６１またはＲ６２、一般式（Ｙ−７）で表される化合物においてはＲ７1またはＲ７2、一般式（Ｙ−８）で表される化合物においてはＺ１またはＺ２が好ましく挙げられる。言い換えると、一般式（Ａ）中のＬＡは、一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−４）で表される化合物においてはＲ１〜Ｒ１２のいずれか、一般式（Ｙ−５）で表される化合物においてはＺ、一般式（Ｙ−６）で表される化合物においてはＲ６１またはＲ６２、一般式（Ｙ−７）で表される化合物においてはＲ７1またはＲ７2、一般式（Ｙ−８）で表される化合物においてはＺ１またはＺ２と結合していることが好ましい。
一般式（２５）中、Ｒ２５１、Ｒ２５２、Ｒ２５３、およびＲ２５４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の例としては、前述のＲ２およびＲ３で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。移動度への影響が少なく、移動度がより優れる点で、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基が好ましい。特にＲ２５２またはＲ２５３のいずれかまたは双方がアルキル基またはアルコキシ基であることが好ましい。なお、アルキル基としてはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基等が好ましく、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基等が特に好ましい。Ｒ２５２またはＲ２５３のいずれかまたは双方が炭素数２〜５のアルキル基であることがさらに好ましく、エチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基であることがさらに好ましく、ｔ−ブチル基であることがもっとも好ましい。Ｒ２５１およびＲ２５４は、水素原子であることが好ましい。
＊は、一般式（Ｂ）中のＬＢとの結合位置を示す。
＊は、一般式（Ｂ）中のＬＢとの結合位置を示す。
一般式（Ｃ）中のＲＣおよびＬＣの定義は、上述した一般式（Ａ）中のＲＡおよびＬＡの定義と同じで、好適態様も同じである。
ＬＣの好適な態様としては、例えば、−Ｚ４−Ｌ５−で表される２価の有機基が挙げられる。
Ｚ４は、それぞれ独立に、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＲ２７１−）またはエーテル基（−Ｏ−）を表す。ここで、Ｒ２７１は、好ましくは、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
Ｌ５は、単結合または炭素数１〜６のフッ素を有さない２価の有機基を表す。２価の有機基としては、例えば、Ｌ４について記載したもののうち、炭素数１〜６のフッ素を有さないものが挙げられる。
Ｘは、水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。
Ｒｆは、エーテル性酸素原子を有していてもよい、水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素原子数２０以下のフルオロアルキル基またはフッ素原子を表す。
ＬＣの好適な態様としては、例えば、−Ｚ４−Ｌ５−で表される２価の有機基が挙げられる。
Ｚ４は、それぞれ独立に、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＲ２７１−）またはエーテル基（−Ｏ−）を表す。ここで、Ｒ２７１は、好ましくは、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
Ｌ５は、単結合または炭素数１〜６のフッ素を有さない２価の有機基を表す。２価の有機基としては、例えば、Ｌ４について記載したもののうち、炭素数１〜６のフッ素を有さないものが挙げられる。
Ｘは、水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。
Ｒｆは、エーテル性酸素原子を有していてもよい、水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素原子数２０以下のフルオロアルキル基またはフッ素原子を表す。
以下に、高分子化合物（Ｙ）の具体例を示す。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の組成物において、上述したＦ含有マイグレーション抑制剤の総含有量は、特に制限されないが、絶縁性材料全質量に対して、０．１〜２０質量％であることが好ましく、１〜１０質量％であることがより好ましい。
本発明の組成物には、上記絶縁性材料およびＦ含有マイグレーション抑制剤以外に他の成分が含まれていてもよい。例えば、形成されるゲート絶縁膜の均質性、成膜時の平坦性の観点から、溶媒を含有するのが好ましい。
溶媒としては特に制限されないが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン（テトラリン）、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アニソールなどの芳香族化合物、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテル系化合物、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系化合物などが好適に例示される。
溶媒としては特に制限されないが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン（テトラリン）、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アニソールなどの芳香族化合物、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテル系化合物、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系化合物などが好適に例示される。
本発明の組成物は、上述のとおり、優れた特性を示すため、有機薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成する組成物として好適である。
＜有機薄膜トランジスタ＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した本発明の組成物より形成されるゲート絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタである。なかでも、上述した図１に記載のボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタであることが好ましい。なお、有機薄膜トランジスタは、電子ペーパーまたはディスプレイデバイスなどに適用可能である。
以下、有機薄膜トランジスタの各部材について詳述する。
本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した本発明の組成物より形成されるゲート絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタである。なかでも、上述した図１に記載のボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタであることが好ましい。なお、有機薄膜トランジスタは、電子ペーパーまたはディスプレイデバイスなどに適用可能である。
以下、有機薄膜トランジスタの各部材について詳述する。
（ゲート絶縁膜）
ゲート絶縁膜は、上述した本発明の組成物を用いて形成される膜である。
ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、本発明の組成物を塗布し、必要に応じて、加熱乾燥処理を施す方法が挙げられる。
なお、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
ゲート絶縁膜は、上述した本発明の組成物を用いて形成される膜である。
ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、本発明の組成物を塗布し、必要に応じて、加熱乾燥処理を施す方法が挙げられる。
なお、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
＜基板＞
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性、コストの観点から、ガラス基板、プラスチック基板がより好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性、コストの観点から、ガラス基板、プラスチック基板がより好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。
＜ゲート電極＞
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＩＴＯ等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、アルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＩＴＯ等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、アルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。
＜ソース電極、ドレイン電極＞
ソース電極およびドレイン電極の材料の具体例は、上述したゲート電極と同じである。なかでも、金属であることが好ましく、導電性が優れることから、銅、銀または金が好ましく、性能とコストのバランスが優れることから、銀がより好ましい。特に、本発明においては、マイグレーションを起こしやすい金属である銀を電極材料として使用しても、マイグレーションが抑制され、絶縁信頼性を確保することができるので、性能のよい有機半導体トランジスタを作製することができる。
ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、有機半導体層が形成された基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。パターニング方法の具体例は、上述したゲート電極と同じである。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル長は特に制限されないが５〜３０μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル幅は特に制限されないが、１０〜２００μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極の材料の具体例は、上述したゲート電極と同じである。なかでも、金属であることが好ましく、導電性が優れることから、銅、銀または金が好ましく、性能とコストのバランスが優れることから、銀がより好ましい。特に、本発明においては、マイグレーションを起こしやすい金属である銀を電極材料として使用しても、マイグレーションが抑制され、絶縁信頼性を確保することができるので、性能のよい有機半導体トランジスタを作製することができる。
ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、有機半導体層が形成された基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。パターニング方法の具体例は、上述したゲート電極と同じである。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル長は特に制限されないが５〜３０μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル幅は特に制限されないが、１０〜２００μｍであることが好ましい。
＜有機半導体層＞
有機半導体層は、有機半導体からなる層である。
有機半導体層中に含まれる有機半導体の種類は特に制限されず、公知の材料を使用できる。より具体的には、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳペンタセン）、テトラメチルペンタセン、パーフルオロペンタセン等のペンタセン類、ＴＥＳ−ＡＤＴ、ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ等のアントラジチオフェン類、ＤＰｈ−ＢＴＢＴ、Ｃｎ−ＢＴＢＴ等のベンゾチエノベンゾチオフェン類、Ｃｎ−ＤＮＴＴ等のジナフトチエノチオフェン類、ペリキサンテノキサンテン等のジオキサアンタントレン類、ルブレン類、Ｃ６０、ＰＣＢＭ等のフラーレン類、銅フタロシアニン、フッ素化銅フタロシアニン等のフタロシアニン類、Ｐ３ＲＴ、ＰＱＴ、Ｐ３ＨＴ、ＰＱＴ等のポリチオフェン類、ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）等のポリチエノチオフェン類等が例示される。
有機半導体層は、有機半導体からなる層である。
有機半導体層中に含まれる有機半導体の種類は特に制限されず、公知の材料を使用できる。より具体的には、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳペンタセン）、テトラメチルペンタセン、パーフルオロペンタセン等のペンタセン類、ＴＥＳ−ＡＤＴ、ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ等のアントラジチオフェン類、ＤＰｈ−ＢＴＢＴ、Ｃｎ−ＢＴＢＴ等のベンゾチエノベンゾチオフェン類、Ｃｎ−ＤＮＴＴ等のジナフトチエノチオフェン類、ペリキサンテノキサンテン等のジオキサアンタントレン類、ルブレン類、Ｃ６０、ＰＣＢＭ等のフラーレン類、銅フタロシアニン、フッ素化銅フタロシアニン等のフタロシアニン類、Ｐ３ＲＴ、ＰＱＴ、Ｐ３ＨＴ、ＰＱＴ等のポリチオフェン類、ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）等のポリチエノチオフェン類等が例示される。
有機半導体層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極とが形成された基板上に、有機半導体層用組成物を塗布する方法などが挙げられる。有機半導体層用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。有機半導体層用組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
有機半導体層の厚みは特に制限されないが、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。
有機半導体層の厚みは特に制限されないが、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。
＜封止層＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。
封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体層とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜合成例１：マイグレーション抑制剤ｂ−１の合成＞
下記スキームに従って、化合物Ｍ−１を合成した。
反応容器に、３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（４．０ｇ，１４．４ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（２．８７ｇ，１４．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（２．７５ｇ，１４．４ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．１０ｇ，０．７２ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝８／１）にて精製し、化合物Ｍ−１を３．２ｇ得た（収率５８％）。
１００ｍＬの三口フラスコに、化合物Ｍ−１（３．５１ｇ）、メタクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−オクチル（２．５９ｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（５．１ｇ）を入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アゾビスイソブチロニトリル（和光純薬工業（株）製）（４９．３ｍｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１．０ｇ）溶液を加え、１６時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１８．０ｇ）で希釈した。メタノールで再沈を行った後、減圧下で乾燥し、マイグレーション抑制剤ｂ−１（Ｍｗ＝３５，０００）を４．８ｇ得た。
マイグレーション抑制剤ｂ−１の分子量は、重量平均分子量を意味し、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。
＜合成例２：マイグレーション抑制剤ｂ−２の合成＞
下記スキームに従って、化合物Ｍ−２を合成した。
反応容器に、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸（３．０ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（５４ｍｌ）、ジメチルホルムアミド（６ｍｌ），２−ヒドロキシエチルメタクリレート（２．３９ｇ，１８．４ｍｍｏｌ），１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（３．５４ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．２２ｇ，０．１８４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
７０℃で２４時間攪拌した後、水（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１００ｍｌ）で抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）にて精製し、化合物Ｍ−２を３．０ｇ得た（収率５９％）。
７０℃で２４時間攪拌した後、水（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１００ｍｌ）で抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）にて精製し、化合物Ｍ−２を３．０ｇ得た（収率５９％）。
１００ｍＬの三口フラスコに、化合物Ｍ−２（２．４８ｇ）、メタクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−オクチル（２．５９ｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（４．１ｇ）を入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アゾビスイソブチロニトリル（和光純薬工業（株）製）（４９．３ｍｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１．０ｇ）溶液を加え、１６時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１８．０ｇ）で希釈した。メタノールで再沈を行った後、減圧下で乾燥し、マイグレーション抑制剤ｂ−２（Ｍｗ＝４５，０００）を４．３ｇ得た。
マイグレーション抑制剤ｂ−２の分子量は、重量平均分子量を意味し、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。
＜合成例３：マイグレーション抑制剤ｂ−３の合成（化合物３３−５）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−３を合成した。
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−３を合成した。
反応容器に、４−アミノフェノール（和光純薬製）（１．９６ｇ，１８．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（４０ｍｌ）トリエチルアミン（１．８２ｇ，１８．０ｍｍｏｌ）を加えた。氷浴にて冷却して、ヘプタフルオロブチリルクロリド（４．１８ｇ，１８．０ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間かけて反応溶液に滴下した。その後、反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、粗結晶５ｇを得た。次に、得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−３を４ｇ得た（収率７３％）。
＜合成例４：マイグレーション抑制剤ｂ−４の合成（化合物３５−３）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−４を合成した。
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−４を合成した。
反応容器に、３−（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（３．５ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ノナデカフルオロデカン−１−オール（６．３ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（２．４ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．０５ｇ，０．４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、白色の粗結晶を得た。次に、得られた粗結晶を用いてメタノールで再結晶を行い、マイグレーション抑制剤ｂ−４を６．０ｇ得た（収率６３％）。
反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、白色の粗結晶を得た。次に、得られた粗結晶を用いてメタノールで再結晶を行い、マイグレーション抑制剤ｂ−４を６．０ｇ得た（収率６３％）。
＜マイグレーション抑制剤ｂ−５＞
マイグレーション抑制剤ｂ−５（化合物２−２）としては、ペンタフルオロベンズアルデヒド（東京化成社製）を使用した。
マイグレーション抑制剤ｂ−５（化合物２−２）としては、ペンタフルオロベンズアルデヒド（東京化成社製）を使用した。
＜合成例５：マイグレーション抑制剤ｂ−６の合成（化合物３−２）＞
Organic Letters, 2009, vol. 11, # 9, p. 1879-1881記載の合成例に従い、マイグレーション抑制剤ｂ−６（化合物３−２）を合成した。
Organic Letters, 2009, vol. 11, # 9, p. 1879-1881記載の合成例に従い、マイグレーション抑制剤ｂ−６（化合物３−２）を合成した。
＜合成例６：マイグレーション抑制剤ｂ−７の合成（化合物４−３）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−７を合成した。
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−７を合成した。
反応容器に、４−アミノ−２,２,６,６−テトラメチルピペリジン１−オキシル フリーラジカル（東京化成社製）（３．０８ｇ，１８．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（４０ｍｌ）、トリエチルアミン（１．８２ｇ，１８．０ｍｍｏｌ）を加えた。氷浴にて冷却して、ヘプタフルオロブチリルクロリド（４．１８ｇ，１８．０ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間かけて反応溶液に滴下した。その後、反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、粗結晶５．５ｇを得た。次に、得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−７を５ｇ得た（収率７６％）。
＜合成例７：マイグレーション抑制剤ｂ−８の合成（化合物５１−２）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−８を合成した。
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−８を合成した。
反応容器に、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジチオール（和光純薬製）（４．０ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（８０ｍｌ）を加えて完溶させた。その後、アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，８，８，８−ドデカフルオロ−７−（トリフルオロメチル）オクチル（１２．５ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間かけて反応溶液に滴下した。反応溶液を６５℃で６時間攪拌後、室温まで冷却し、反応溶液を減圧濃縮した。反応溶液にヘキサン２００ｍｌを添加し、氷浴にて冷却して、粗結晶１６ｇを得た。粗結晶のうち８ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−８を６ｇ得た（収率７２％）。
＜合成例８：マイグレーション抑制剤ｂ−９の合成（化合物２２−１）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−９を合成した。
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−９を合成した。
反応容器に、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸（３．０ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（５４ｍｌ）、ジメチルホルムアミド（６ｍｌ）、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−オクタノール（６．７ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（３．５４ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．２２ｇ，０．１８４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
７０℃で２４時間攪拌した後、水（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１００ｍｌ）で抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−９を６．０ｇ得た（収率６４％）。
７０℃で２４時間攪拌した後、水（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１００ｍｌ）で抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−９を６．０ｇ得た（収率６４％）。
＜合成例９：マイグレーション抑制剤ｂ−１０の合成（化合物７−１）＞
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−１０を合成した。
下記スキームに従って、マイグレーション抑制剤ｂ−１０を合成した。
反応容器に、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸（２．３ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（５４ｍｌ）、ジメチルホルムアミド（６ｍｌ）、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−オクタノール（６．７ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（３．５４ｇ，１８．４ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．２２ｇ，０．１８４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
７０℃で２４時間攪拌した後、水（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１００ｍｌ）で抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−１０を５．０ｇ得た（収率５７％）。
７０℃で２４時間攪拌した後、水（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１００ｍｌ）で抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−１０を５．０ｇ得た（収率５７％）。
＜合成例１０：マイグレーション抑制剤ｂ−１１の合成（化合物２３−１）＞
下記スキームに従って、マイグレーション防止ｂ−11を合成した。
下記スキームに従って、マイグレーション防止ｂ−11を合成した。
化合物５１−２と同様の方法で化合物２３−１Ａを合成した。反応容器に、化合物２３−１Ａ（３．０ｇ，５．２８ｍｍｏｌ）、酢酸エチル（２０ｍｌ）を加えて完溶させた。ヨウ化ナトリウム（７９．１ｍｇ，０．５２８ｍｍｏｌ）と３０％過酸化水素（２２．１１ｍｍｏｌ，２．３９ｇ）をこの順で加えて、室温で１時間撹拌した。析出した結晶を１００ｍｌの水で洗浄し、得られた粗結晶２．７ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、マイグレーション抑制剤ｂ−１１を２．４ｇ得た（収率８０％）。
＜合成例１１：マイグレーション抑制剤ｂ−１２の合成（化合物Ｘ−６）＞
下記スキームに従って、化合物Ｍ−２を合成した。
下記スキームに従って、化合物Ｍ−２を合成した。
反応容器に、３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（８．０ｇ，２８．８ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７−ドデカフルオロ−１,８−オクタンジオール（２０．８ｇ，５７．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（３０ｍｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（５．５ｇ，２８．８ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．２０ｇ、１．４４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ａ−１を１０ｇ得た。
反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、化合物Ａ−１を１０ｇ得た。
反応容器に、化合物Ａ−１（９．３４ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１００ｍｌ）、トリエチルアミン（１．５２ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）を加えた。氷浴にて冷却して、メタクリル酸クロリド（１．６ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間かけて反応溶液に滴下した。その後、反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル）にて精製し、Ｍ−２を８ｇ得た（収率７７％）。
１００ｍＬの三口フラスコに、化合物Ｍ−２（８ｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１６ｇ）を入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アゾビスイソブチロニトリル（和光純薬工業（株）製）（４９．３ｍｇ）、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（２．０ｇ）溶液を加え、１６時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）（１８．０ｇ）で希釈した。メタノールで再沈を行った後、減圧下で乾燥し、マイグレーション抑制剤ｂ−１２（Ｍｗ＝４，１０００）を５ｇ得た。
マイグレーション抑制剤ｂ−１２の分子量は、重量平均分子量を意味し、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。
マイグレーション抑制剤ｂ−１２の分子量は、重量平均分子量を意味し、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。
＜実施例１＞
（ゲート絶縁膜形成用組成物の調製）
ポリビニルフェノール／メラミン（質量比＝１／１）と上記マイグレーション抑制剤ｂ−１とをＰＧＭＥＡに溶解させて（絶縁性材料／マイグレーション抑制剤＝１００／２０（ｗｔ／ｗｔ）、溶液濃度（固形分濃度）：２質量％）、ゲート絶縁膜形成用組成物を調製した。得られたゲート絶縁膜形成用組成物を組成物１とする。
（ゲート絶縁膜形成用組成物の調製）
ポリビニルフェノール／メラミン（質量比＝１／１）と上記マイグレーション抑制剤ｂ−１とをＰＧＭＥＡに溶解させて（絶縁性材料／マイグレーション抑制剤＝１００／２０（ｗｔ／ｗｔ）、溶液濃度（固形分濃度）：２質量％）、ゲート絶縁膜形成用組成物を調製した。得られたゲート絶縁膜形成用組成物を組成物１とする。
（有機半導体トランジスタの作製）
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上にゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上に組成物１をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。
その上にＡｕをマスク蒸着し、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２００μｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。その上に後述する有機半導体層用組成物を回転数２０００ｒｐｍでスピンコートを行った後、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）（封止層形成用組成物）をスピンコートし、８０℃で１０分間ベークを行い、厚み２μｍの封止層（最上層）を形成して、有機半導体トランジスタを得た。
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上にゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上に組成物１をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。
その上にＡｕをマスク蒸着し、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２００μｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。その上に後述する有機半導体層用組成物を回転数２０００ｒｐｍでスピンコートを行った後、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）（封止層形成用組成物）をスピンコートし、８０℃で１０分間ベークを行い、厚み２μｍの封止層（最上層）を形成して、有機半導体トランジスタを得た。
（有機半導体層用組成物の調製）
ＴＩＰＳペンタセン（６，１３−Ｂｉｓ(ｔｒｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｓｉｌｙｌｅｔｈｙｎｙｌ)ｐｅｎｔａｃｅｎｅ、Ａｌｄｒｉｃｈ製）をトルエンに溶解させて（溶液濃度：２質量％）、有機半導体層用組成物を調製した。
ＴＩＰＳペンタセン（６，１３−Ｂｉｓ(ｔｒｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｓｉｌｙｌｅｔｈｙｎｙｌ)ｐｅｎｔａｃｅｎｅ、Ａｌｄｒｉｃｈ製）をトルエンに溶解させて（溶液濃度：２質量％）、有機半導体層用組成物を調製した。
（移動度の測定）
上記で作製した有機半導体トランジスタの各電極と、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製の４１５５Ｃに接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行なった。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ−Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（［ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ］）μ１を算出した。
次に、組成物１からマイグレーション抑制剤の除いたマイグレーション抑制剤を含まない組成物を用いて作製した有機薄層トランジスタを使用し同様の方法で移動度測定を行い、移動度μ２を算出した。
得られた移動度μ１とμ２を用いて変動（μ１／μ２）を計算し、以下の基準に従って評価をした。実用上はＣ以上が使用可能であり、Ｂ以上が好ましい。
「Ａ」：μ１／μ２≧０．８の場合
「Ｂ」：０．８＞μ１／μ２≧０．５の場合
「Ｃ」：０．５＞μ１／μ２≧０．１の場合
「Ｄ」：０．１＞μ１／μ２の場合
上記で作製した有機半導体トランジスタの各電極と、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製の４１５５Ｃに接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行なった。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ−Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（［ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ］）μ１を算出した。
次に、組成物１からマイグレーション抑制剤の除いたマイグレーション抑制剤を含まない組成物を用いて作製した有機薄層トランジスタを使用し同様の方法で移動度測定を行い、移動度μ２を算出した。
得られた移動度μ１とμ２を用いて変動（μ１／μ２）を計算し、以下の基準に従って評価をした。実用上はＣ以上が使用可能であり、Ｂ以上が好ましい。
「Ａ」：μ１／μ２≧０．８の場合
「Ｂ」：０．８＞μ１／μ２≧０．５の場合
「Ｃ」：０．５＞μ１／μ２≧０．１の場合
「Ｄ」：０．１＞μ１／μ２の場合
（絶縁信頼性評価方法）
得られた有機半導体トランジスタについて、ＥＨＳ−２２１ＭＤ（エスペック社製）を用いて、以下の条件により寿命試験を行い、ソース／ドレイン電極間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間を測定した。測定した時間をＴ１とする。
・温度：６０℃
・湿度：６０％ＲＨ
・圧力：１．０ａｔｍ
・ドレイン電圧：−４０Ｖ
・ソース／ドレイン電極間電圧：１５Ｖ
また、上述した移動度の評価と同様の手順に従って、マイグレーション抑制剤を含有しない比較用組成物を使用した有機半導体トランジスタを作製した。得られた有機半導体トランジスタについて、上記Ｔ１と同様の手順に従って、ソース／ドレイン電極間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間を測定した。測定した時間をＴ２とする。
算出したＴ１とＴ２からＴ１／Ｔ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。絶縁信頼性の観点から、Ａ、ＢまたはＣであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
・Ａ：Ｔ１／Ｔ２≧５
・Ｂ：５＞Ｔ１／Ｔ２≧２
・Ｃ：２＞Ｔ１／Ｔ２＞１
・Ｄ：１≧Ｔ１／Ｔ２
得られた有機半導体トランジスタについて、ＥＨＳ−２２１ＭＤ（エスペック社製）を用いて、以下の条件により寿命試験を行い、ソース／ドレイン電極間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間を測定した。測定した時間をＴ１とする。
・温度：６０℃
・湿度：６０％ＲＨ
・圧力：１．０ａｔｍ
・ドレイン電圧：−４０Ｖ
・ソース／ドレイン電極間電圧：１５Ｖ
また、上述した移動度の評価と同様の手順に従って、マイグレーション抑制剤を含有しない比較用組成物を使用した有機半導体トランジスタを作製した。得られた有機半導体トランジスタについて、上記Ｔ１と同様の手順に従って、ソース／ドレイン電極間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間を測定した。測定した時間をＴ２とする。
算出したＴ１とＴ２からＴ１／Ｔ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。絶縁信頼性の観点から、Ａ、ＢまたはＣであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
・Ａ：Ｔ１／Ｔ２≧５
・Ｂ：５＞Ｔ１／Ｔ２≧２
・Ｃ：２＞Ｔ１／Ｔ２＞１
・Ｄ：１≧Ｔ１／Ｔ２
＜実施例２＞
（ゲート絶縁膜形成用組成物の調製）
サイトップＣＴＬ−８０９Ｍ（旭硝子社製）と上記マイグレーション抑制剤ｂ−１とをサイトップＣＴ−ＳＯＬＶ１８０／１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール（東京化成社製）（９／１）（ｗ／ｗ）に溶解させて（絶縁性材料／マイグレーション抑制剤＝１００／１０（ｗ／ｗ）、溶液濃度：５質量％）、ゲート絶縁膜形成用組成物を調製した。得られたゲート絶縁膜形成用組成物を組成物２とする。
（ゲート絶縁膜形成用組成物の調製）
サイトップＣＴＬ−８０９Ｍ（旭硝子社製）と上記マイグレーション抑制剤ｂ−１とをサイトップＣＴ−ＳＯＬＶ１８０／１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール（東京化成社製）（９／１）（ｗ／ｗ）に溶解させて（絶縁性材料／マイグレーション抑制剤＝１００／１０（ｗ／ｗ）、溶液濃度：５質量％）、ゲート絶縁膜形成用組成物を調製した。得られたゲート絶縁膜形成用組成物を組成物２とする。
（有機半導体トランジスタの作製）
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上にゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上に組成物２をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。
その上にＡｕをマスク蒸着し、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２００μｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。その上に上述した有機半導体層用組成物を回転数２０００ｒｐｍでスピンコートを行った後、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）（封止層形成用組成物）をスピンコートし、８０℃で１０分間ベークを行い、厚み２μｍの封止層（最上層）を形成して、有機半導体トランジスタを得た。
得られた有機半導体トランジスタを用いて、上記（移動度の測定）および（絶縁信頼性評価方法）の評価を行った。
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上にゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上に組成物２をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。
その上にＡｕをマスク蒸着し、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２００μｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。その上に上述した有機半導体層用組成物を回転数２０００ｒｐｍでスピンコートを行った後、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）（封止層形成用組成物）をスピンコートし、８０℃で１０分間ベークを行い、厚み２μｍの封止層（最上層）を形成して、有機半導体トランジスタを得た。
得られた有機半導体トランジスタを用いて、上記（移動度の測定）および（絶縁信頼性評価方法）の評価を行った。
＜実施例３〜１３、比較例１〜２＞
マイグレーション抑制剤ｂ−１の代わりに、マイグレーション抑制剤ｂ−２〜ｂ−１２を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ゲート絶縁膜形成用組成物を調製した。
また、組成物１の代わりに、下記表１に示すゲート絶縁膜形成用組成物を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、有機半導体トランジスタを作製し、各種評価を行った。比較例１〜２に関しては、ゲート絶縁膜形成用組成物にマイグレーション抑制剤を含まない以外は実施例１〜１３と同様の手順に従い、有機半導体トランジスタを作製、評価を行った。
なお、表１中、「ＰＶＰ」はポリビニルフェノールを意図する。
マイグレーション抑制剤ｂ−１の代わりに、マイグレーション抑制剤ｂ−２〜ｂ−１２を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ゲート絶縁膜形成用組成物を調製した。
また、組成物１の代わりに、下記表１に示すゲート絶縁膜形成用組成物を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、有機半導体トランジスタを作製し、各種評価を行った。比較例１〜２に関しては、ゲート絶縁膜形成用組成物にマイグレーション抑制剤を含まない以外は実施例１〜１３と同様の手順に従い、有機半導体トランジスタを作製、評価を行った。
なお、表１中、「ＰＶＰ」はポリビニルフェノールを意図する。
表１に示すように、本発明のゲート絶縁膜形成用組成物を使用した場合、有機薄膜トランジスタの移動度、および、絶縁信頼性の両者を満足することができた。
一方、所定のマイグレーション抑制剤を含まない比較例においては、実施例と比較して移動度および絶縁信頼性に劣っていた。
一方、所定のマイグレーション抑制剤を含まない比較例においては、実施例と比較して移動度および絶縁信頼性に劣っていた。
１０：基板
２０：ゲート電極
３０：ゲート絶縁膜
４０：ソース電極
４２：ドレイン電極
５０：有機半導体層
６０：封止層
２０：ゲート電極
３０：ゲート絶縁膜
４０：ソース電極
４２：ドレイン電極
５０：有機半導体層
６０：封止層
Claims (14)
- 絶縁性材料と、
一般式（１）〜（８）のいずれかで表される化合物、一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）、並びに、一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）からなる群から選択されるマイグレーション抑制剤とを含有するゲート絶縁膜形成用組成物。
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ 一般式（１）
（一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ２Ｒ３またはＣＨＲ４Ｒ５を表す。Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、ＣＲ６または窒素原子を表す。Ｒ１およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５またはＲ６で表される基は、そのうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ４Ｒ５であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ１＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。なお、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ 一般式（２）
（一般式（２）中、Ｒ７は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｒ７で表される基中には、ヒドロキシ基または−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。なお、Ｒ７で表される基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
（一般式（３）中、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ８〜Ｒ１０の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
（一般式（４）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ１１〜Ｒ１２の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。Ｒ１１およびＲ１２は互いに結合して環を形成してもよい。）
Ｚ−ＳＨ 一般式（５）
（一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚで表される基には置換基が含まれていてもよい。なお、Ｚで表される基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
（一般式（６）中、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３は、それぞれ独立に、−ＮＨ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−ＣＲｘ＝、＝ＣＲｘ−または−Ｓ−を表す。Ｒｘは、水素原子、−ＮＨ２または直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３のうち少なくとも１つは−ＣＲｘ＝または＝ＣＲｘ−ではない。
Ｒ６１およびＲ６２は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、−Ｓｐ−Ｐ、直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基、または、置換基を有してもよい、炭素数２〜３０の、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオキシカルボニル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｓｐは、単結合または２価の有機基を表す。Ｐは、重合性基または架橋性基を表す。Ｒ６１およびＲ６２は、互いに結合して、環原子数５〜７の、芳香環または芳香族複素環を形成してもよい。芳香環および芳香族複素環は、１〜６個の置換基を有してもよい。なお、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３のうち少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
（一般式（７）中、Ｒ７１およびＲ７２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ７１〜Ｒ７２の少なくとも１つの基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２ 一般式（８）
（一般式（８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つには、置換基が含まれていてもよい。なお、Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つは、基中の一部または全部の水素原子はフッ素原子で置換されている。）
（一般式（Ａ）中、ＲＡは、水素原子、または、炭素数１〜４の置換基を有してもよいアルキル基を表す。ＬＡは、単結合または２価の有機基を表す。Ａは、前記一般式（１）〜（８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、前記一般式（１）〜（８）で表される化合物であって分子内に２個以上のフッ素原子を有する化合物からフッ素原子を１個取り去った１価の基を表す。）
（一般式（Ｂ）中、ＲＢは、水素原子、または、炭素数１〜４の置換基を有してもよいアルキル基を表す。ＬＢは、単結合または２価の有機基を表す。Ｂは、下記一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、下記一般式（２５）で表される基を表す。
一般式（Ｃ）中、ＲＣは、水素原子、または炭素数１〜４の置換基を有してもよいアルキル基を表す。ＬＣは、単結合または２価の有機基を表す。Ｘは、水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。Ｒｆは、エーテル性酸素原子を有していてもよい、水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素原子数２０以下のフルオロアルキル基またはフッ素原子を表す。）
Ｐ−（ＣＲ１＝Ｙ）ｎ−Ｑ 一般式（Ｙ−１）
（一般式（Ｙ−１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ２Ｒ３またはＣＨＲ４Ｒ５を表す。Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、ＣＲ６または窒素原子を表す。Ｒ１およびＲ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５またはＲ６で表される基は、そのうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ４Ｒ５であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ１＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ 一般式（Ｙ−２）
（一般式（Ｙ−２）中、Ｒ７は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｒ７で表される基中には、ヒドロキシ基または−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。）
（一般式（Ｙ−３）中、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。）
（一般式（Ｙ−４）中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。Ｒ１１およびＲ１２は互いに結合して環を形成してもよい。）
Ｚ−ＳＨ 一般式（Ｙ−５）
（一般式（Ｙ−５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚで表される基には置換基が含まれていてもよい。）
（一般式（Ｙ−６）中、Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３は、それぞれ独立に、−ＮＨ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−ＣＲｘ＝、＝ＣＲｘ−または−Ｓ−を表す。Ｒｘは、水素原子、−ＮＨ２または直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｘ６１、Ｘ６２およびＸ６３のうち少なくとも１つは−ＣＲｘ＝または＝ＣＲｘ−ではない。
Ｒ６１およびＲ６２は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、−Ｓｐ−Ｐ、直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基、または、置換基を有してもよい、炭素数２〜３０の、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオキシカルボニル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ０＝ＣＲ００−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ０およびＲ００は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｓｐは、単結合または２価の有機基を表す。Ｐは、重合性基または架橋性基を表す。Ｒ６１およびＲ６２は、互いに結合して、環原子数５〜７の、芳香環または芳香族複素環を形成してもよい。芳香環および芳香族複素環は、１〜６個の置換基を有してもよい。）
（一般式（Ｙ−７）中、Ｒ７１およびＲ７２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。）
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２ 一般式（Ｙ−８）
（一般式（Ｙ−８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、またはこれらの基を組み合わせた基を表す。また、Ｚ１およびＺ２のうち少なくとも１つには、置換基が含まれていてもよい。）
（一般式（２５）中、Ｒ２５１、Ｒ２５２、Ｒ２５３およびＲ２５４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。＊は、結合位置を示す。） - 前記一般式（６）で表される化合物が、一般式（２２）で表される化合物である、請求項１に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（一般式（２２）中、Ｒ２２１は、水素原子、炭素数１〜８に直鎖状もしくは分岐状のアルキル基またはＲｆ１−ＣＦＸ１−Ｌ１−Ｙ１―Ｌ２−Ｚ１−Ｌ３−を表す。Ｒｆ１は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基またはフッ素原子を表す。Ｘ１は、水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。Ｌ１は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ２は、単結合または水酸基もしくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ３は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｙ１およびＺ１は、それぞれ独立に、単結合、−ＣＯ２−、−ＣＯ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＣＯＮＲ２２２−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２２２−または−ＮＲ２２２−を表す。ここで、Ｒ２２２は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。ただし、Ｙ１およびＺ１がいずれも単結合以外の場合、Ｌ２はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。） - 前記一般式（８）で表される化合物が、一般式（２３）で表される化合物である、請求項１または２に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（一般式（２３）中、Ｒ２３１およびＲ２３２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ２３３およびＲ２３４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ２は、単結合、−ＣＯ−または−ＣＯＯ−を表す。Ｒｆ２は、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロエーテル基を表す。Ｙ２が単結合または−ＣＯ−のとき、ｎは０を表し、ｍは０〜６の整数を表す。Ｙ２が−ＣＯＯ−のとき、ｎは１または２を表し、ｍは１から６の整数を表す。ｐは２〜３の整数を表し、ｌは０〜１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。） - 前記一般式（１）で表される化合物が、一般式（２４）で表される化合物である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（一般式（２４）中、Ｒｆ１は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。Ｘ１は、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。Ｌ１は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ２は、単結合、または、水酸基もしくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ３は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｙ１およびＺ１は、単結合、−ＣＯ２−、−ＣＯ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＣＯＮＲ２４５−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２４５−、または、−ＮＲ２４５−を表す。Ｒ２４１およびＲ２４２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ２４３およびＲ２４４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ２４５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。） - 前記一般式（１）で表される化合物が、一般式（３１）〜一般式（４６）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（一般式（３１）中、Ｖ３１は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。なお、Ｖ３１のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。
一般式（３２）中、Ｖ３２は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。なお、Ｖ３２のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。
一般式（３３）中、Ｖ３３は置換基を表す。Ｒ３３１およびＲ３３２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３４）中、Ｖ３４は置換基を表す。Ｒ３４１およびＲ３４２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３４、Ｒ３４１およびＲ３４２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３５）中、Ｖ３５は置換基を表す。Ｒ３５１およびＲ３５２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３５、Ｒ３５１およびＲ３５２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３６）中、Ｖ３６は置換基を表す。Ｒ３６１およびＲ３６２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３６、Ｒ３６１およびＲ３６２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３７）中、Ｖ３７は置換基を表す。Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３７、Ｒ３７１、Ｒ３７２、Ｒ３７３およびＲ３７４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３８）中、Ｖ３８は置換基を表す。Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３８、Ｒ３８１、Ｒ３８２、Ｒ３８３およびＲ３８４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（３９）中、Ｖ３９は置換基を表す。ｃは、１〜２の整数を表す。なお、Ｖ３９のうち少なくとも１つにはフッ素原子が含まれる。
一般式（４０）中、Ｖ４０は置換基を表す。Ｒ４０１およびＲ４０２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ４０、Ｒ４０１およびＲ４０２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４１）中、Ｖ４１は置換基を表す。Ｒ４１１およびＲ４１２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ４１、Ｒ４１１およびＲ４１２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４２）中、Ｖ４２は置換基を表す。Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｄは、０または１を表す。なお、Ｖ４２、Ｒ４２１、Ｒ４２２およびＲ４２３のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４３）中、Ｖ４３は置換基を表す。Ｒ４３１は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ４３およびＲ４３１のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４４）中、Ｖ４４は置換基を表す。Ｒ４４１は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ４４およびＲ４４１のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４５）中、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。なお、Ｒ４５１、Ｒ４５２、Ｒ４５３およびＲ４５４のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
一般式（４６）中、Ｒ４６１およびＲ４６２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。なお、Ｒ４６１およびＲ４６２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。） - 前記一般式（５）で表される化合物が、一般式（５１）〜一般式（５４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（一般式（５１）中、Ｒ５１１は、フッ素原子が含まれる置換基を表す。
一般式（５２）中、Ｒ５２１およびＲ５２２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ５２１およびＲ５２２は、互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ５２３は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。なお、Ｒ５２１、Ｒ５２２、およびＲ５２３のうち少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。
一般式（５３）中、Ｒ５３１は水素原子または置換基を表す。Ｒ５３２は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。なお、Ｒ５３１およびＲ５３２のうち少なくとも１つの基中には、フッ素原子が含まれる。
一般式（５４）中、Ｒ５４１は、フッ素原子が含まれる窒素原子に置換可能な基を表す。） - 前記マイグレーション抑制剤が、前記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位および一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｙ）である、請求項１に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
- 前記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位中、Ｂは、前記一般式（Ｙ−１）で表される化合物若しくは前記一般式（Ｙ−６）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、前記一般式（２５）で表される基である、請求項７に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
- 前記マイグレーション抑制剤が、一般式（Ｘ１）で表される化合物、一般式（３３）で表される化合物、一般式（２）で表される化合物、一般式（３）で表される化合物、一般式（４Ａ）で表される化合物、一般式（Ｙ）で表される化合物、一般式（２２）で表される化合物、一般式（７Ａ）で表される化合物、および、一般式（２３）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（一般式（Ｘ１）中、Ｒｘ１およびＲｘ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ａは、炭素数１〜２のアルキレン基を表す。Ｘ１１は、水酸基を含んでいてもよい炭素数１〜３のアルキレン基を表す。Ｙ１１は、炭素数４〜１２の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表す。）
（一般式（３３）中、Ｖ３３は置換基を表す。Ｒ３３１およびＲ３３２は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。なお、Ｖ３３、Ｒ３３１およびＲ３３２のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。）
Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ 一般式（２）
（一般式（２）中、Ｒ７は、フルオロアルキル基が置換するアリール基を表す。）
（一般式（３）中、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、フルオロアルキル基が置換するアリール基を表す。）
（一般式（４Ａ）中、Ｒ１０Ａ〜Ｒ１３Ａは、それぞれ独立にアルキル基を表す。Ｒ１４Ａは、フッ素原子が含まれる置換基を表す。）
（一般式（Ｙ）中、Ｒｙ１およびＲｙ２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。ｎ１は１または２を表す。Ｒｙ３およびＲｙ４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｍ１は１〜６の整数を表す。Ｒｙ５は、炭素数１〜２０のパーフルオロアルキル基を表す。
（一般式（２２）中、Ｒ２２１は、水素原子、炭素数１〜８に直鎖状もしくは分岐状のアルキル基またはＲｆ１−ＣＦＸ１−Ｌ１−Ｙ１―Ｌ２−Ｚ１−Ｌ３−を表す。Ｒｆ１は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基またはフッ素原子を表す。Ｘ１は、水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。Ｌ１は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ２は、単結合または水酸基もしくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ３は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｙ１およびＺ１は、それぞれ独立に、単結合、−ＣＯ２−、−ＣＯ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ３−、−ＣＯＮＲ２２２−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２ＮＲ２２２−または−ＮＲ２２２−を表す。ここで、Ｒ２２２は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。ただし、Ｙ１およびＺ１がいずれも単結合以外の場合、Ｌ２はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。）
（一般式（７Ａ）中、ＬＡは、単結合または２価の有機基を表す。Ｒｆ基は、フルオロアルキル基を表す。）
（一般式（２３）中、Ｒ２３１およびＲ２３２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ２３３およびＲ２３４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ２は、単結合、−ＣＯ−または−ＣＯＯ−を表す。Ｒｆ２は、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロエーテル基を表す。Ｙ２が単結合または−ＣＯ−のとき、ｎは０を表し、ｍは０〜６の整数を表す。Ｙ２が−ＣＯＯ−のとき、ｎは１または２を表し、ｍは１から６の整数を表す。ｐは２〜３の整数を表し、ｌは０〜１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。） - 前記マイグレーション抑制剤が、前記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｘ）である、請求項１に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
- 前記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位中、Ａは、前記一般式（Ｘ１）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、前記一般式（Ｘ１）で表される化合物であって分子内に２個以上のフッ素原子を有する化合物からフッ素原子を１個取り去った１価の基である、請求項１０に記載のゲート絶縁膜形成用組成物。
（一般式（Ｘ１）中、Ｒｘ１およびＲｘ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ａは、炭素数１〜２のアルキレン基を表す。Ｘ１１は、水酸基を含んでいてもよい炭素数１〜３のアルキレン基を表す。Ｙ１１は、炭素数４〜１２の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表す。） - 請求項１〜１１のいずれか１項に記載のゲート絶縁膜形成用組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ。
- 請求項１２に記載の有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパー。
- 請求項１２に記載の有機薄膜トランジスタを使用したディスプレイデバイス。
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