JPWO2014129330A1 - 有機el素子、ならびにそれを用いた照明器具及びディスプレイ装置 - Google Patents
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Abstract
本発明の有機EL素子は、一対の電極(2,4)間に発光層(33)を備え、発光層は、ホスト材料と蛍光ドーパント材料とを有する。ホスト材料のS1エネルギーは、蛍光ドーパント材料のS1エネルギーよりも高く、かつ、ホスト材料のS1エネルギーと蛍光ドーパント材料のS1エネルギーとの差は、0.5ev以下である。ホスト材料は、S1エネルギーとT1エネルギーの差が0.24eV以下であり、所定の化合物を含む。当該ホスト化合物は、室温で逆項間交差によるエネルギー遷移が生じるため、高い発光効率が実現できる。
Description
本発明は、発光層が所定のホスト材料と蛍光ドーパント材料を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。なお、以下において、有機エレクトロルミネッセンス素子を「有機EL素子」と称することがある。
有機EL素子は、一対の電極間に発光層を有し、発光層は、通常、ホスト材料とドーパント材料で構成される。ホスト材料は、それ自身の発光能力は低いが、成膜性の高い材料であり、発光能力の高い他の材料を混合して用いられる。ドーパント材料は、それ自身の発光能力が高い材料である。ドーパント材料としては、蛍光材料もしくは燐光材料が一般的に知られている。
ドーパント材料が蛍光材料である有機EL素子(以下、「蛍光有機EL素子」と称する)は、多くの場合、次の(1)から(3)の過程を経て蛍光を放出する。
(1)発光層のホスト材料においてホールと電子の再結合が起こり、ホスト材料は基底状態から励起状態に状態遷移する。この時、励起状態に至ったホスト材料の25%が一重項最低励起状態(以下、「S1状態」と称する)、75%が三重項最低励起状態(以下、「T1状態」と称する)になる。
(2)再結合の後、ホスト材料からドーパント材料へエネルギー移動が起こり、ドーパント材料が基底状態から励起状態に状態遷移する。この時、原則的に、S1状態とT1状態の存在比はホスト材料での値が踏襲される。すなわち、励起状態に至ったドーパント材料の25%がS1状態、75%がT1状態になる。
(3)T1状態にあるドーパント材料の全部とS1状態にあるドーパント材料の一部は熱失活する。そして、熱失活しなかったS1状態のドーパント材料が蛍光を放出する。
(1)発光層のホスト材料においてホールと電子の再結合が起こり、ホスト材料は基底状態から励起状態に状態遷移する。この時、励起状態に至ったホスト材料の25%が一重項最低励起状態(以下、「S1状態」と称する)、75%が三重項最低励起状態(以下、「T1状態」と称する)になる。
(2)再結合の後、ホスト材料からドーパント材料へエネルギー移動が起こり、ドーパント材料が基底状態から励起状態に状態遷移する。この時、原則的に、S1状態とT1状態の存在比はホスト材料での値が踏襲される。すなわち、励起状態に至ったドーパント材料の25%がS1状態、75%がT1状態になる。
(3)T1状態にあるドーパント材料の全部とS1状態にあるドーパント材料の一部は熱失活する。そして、熱失活しなかったS1状態のドーパント材料が蛍光を放出する。
多くの蛍光有機EL素子がこの過程を経るため、蛍光有機EL素子の内部量子効率の理論上限は25%であると考えられていた。そのため、特に照明器具やディスプレイ装置等の応用分野において、励起したドーパント材料の75%を占めるT1状態からの発光を利用した有機EL素子、すなわち、燐光有機EL素子が注目され、種々のドーパント材料及びホスト材料が開発されている。例えば、特許文献1では、カルバゾール骨格を有する燐光性ホスト材料とイリジウムや白金等の金属錯体ドーパント材料とを用いることにより、低駆動電圧で外部量子効率に優れる燐光有機EL素子が提案されている。
しかし、特許文献1にも記載されているように、燐光を高効率に放出するドーパント材料の多くは、イリジウムや白金のような貴金属を含んだ金属錯体化合物であり、材料価格が極めて高いことが問題であった。そのため、安価な蛍光材料を用いつつ、蛍光有機EL素子の理論上限である25%を超える内部量子効率を達成する技術が望まれてきた。
蛍光有機EL素子の内部量子効率を25%以上にするために、ホスト材料に工夫を施した例がいくつか報告された。例えば、特許文献2及び3においては、ホスト材料をT1状態よりも高エネルギーの三重項励起状態(以下、これを「Tex状態」と称する)に遷移させ、Tex状態からT1状態へ失活する過程で、三重項励起状態から一重項励起状態への項間交差を起こすという技術が報告された。この技術を用いると、ホスト材料のS1状態の割合が25%よりも大きくなり、エネルギー移動後のドーパント材料のS1状態の割合も25%よりも大きくなる。この結果、蛍光有機EL素子の内部量子効率を25%よりも大きくすることが可能となる。
また、蛍光有機EL素子のドーパント材料に工夫を施した例も報告された。例えば、特許文献4〜6及び非特許文献1〜7においては、ドーパント材料として、熱活性型遅延蛍光材料を使用するという手法が報告された。熱活性型遅延蛍光材料とは、S1エネルギーとT1エネルギーの差が小さいことを特徴とする蛍光ドーパント材料であり、2つの状態のエネルギー差が小さいために、T1状態からS1状態への熱エネルギーによる状態遷移(以下、S1状態からT1状態への遷移を「逆項間交差」と称する)が起きる。ここで、S1及びT1エネルギーは、それぞれS1及びT1状態と一重項基底状態との断熱遷移エネルギーであり、分光学的な手法等で測定される。S1エネルギーは77Kにおける蛍光スペクトルの短波長側ピーク端のエネルギーに対応し、T1エネルギーは77Kにおける燐光スペクトルの短波長側ピーク端のエネルギーに対応する。
熱エネルギーによる逆項間交差が起きると、ドーパント材料のS1状態の割合が増加し、25%を超えることもある。この場合、熱活性型遅延蛍光材料を使用した蛍光有機EL素子の中には、25%を超える内部量子効率を達成するものが現れる。なお、熱エネルギーによる逆項間交差が起きた後に放出される蛍光を「熱活性型遅延蛍光」と称する。
ある材料が室温において十分な熱活性型遅延蛍光を放出するには、材料のS1−T1エネルギーギャップが十分に狭いことが必須である。この狭いエネルギーギャップの目安は0.24eV程度であり、実際、非特許文献1において、S1−T1エネルギーギャップが0.24eVの化合物が報告され、摂氏27度において熱活性型遅延蛍光が観測されている。
「熱活性型遅延蛍光材料をドーパント材料に使用する」という技術、言い換えると、「熱エネルギーによる逆項間交差を利用する」という技術は、蛍光有機EL素子の内部量子効率を高めるための手法として非常に有望である。実際、非特許文献7では、96.5%の内部量子効率を達成した例が報告されている。
また、特許文献7では、S1エネルギーとT1エネルギーの差が0.3eV未満のホスト材料を用いることにより、ホスト材料で逆項間交差を生じさせ、熱活性型遅延蛍光を利用する方法が提案されている。
Advanced Materials,21、4802、(2009)
Applied Physics Letters,98、083302、(2011)
Angewandte Chemie International Edition,51、11311、(2012)
Applied Physics Letters,101、093306、(2012)
Chemical Communication、48、9580、(2012)
Chemical Communication、48、11392、(2012)
Nature、492、234、(2012)
上記のように、熱活性型遅延蛍光材料を用いることにより、一般的な蛍光有機EL素子の理論上限である25%を超える内部量子効率を有する蛍光有機EL素子が得られる。しかし、熱活性型遅延蛍光材料を用いた蛍光有機EL素子においても、100%に近い内部量子効率を達成した例は少なく、技術改善の余地が残っている。また、特許文献7に開示されているように、ホスト材料による熱活性型遅延蛍光を利用すれば、遅延蛍光の比率が高められると予測される。
しかし、現状では、室温において高確率で逆項間交差を生じる蛍光ドーパント材料はほとんど見出されておらず、新たな遅延蛍光ホスト材料の開発が望まれる。
上記に鑑みて、本発明者が遅延蛍光材料について種々の検討を重ねた結果、所定の骨格を有する化合物が、S1エネルギーとT1エネルギーの差(以下、「S1−T1エネルギーギャップ」と称する場合がある。)が小さく、室温において熱による逆項間交差を生じる蛍光ホスト材料として有望であることを見出し、本発明に至った。
本発明は、一対の電極間に発光層を備え、発光層が、ホスト材料と蛍光ドーパント材料とを有する蛍光有機EL素子に関する。ホスト材料のS1エネルギーは、蛍光ドーパント材料のS1エネルギーよりも高く、ホスト材料のS1エネルギーと蛍光ドーパント材料のS1エネルギーとの差は0.5ev以下であることが好ましい。また、ホスト材料は、S1エネルギーとT1エネルギーの差が0.24eV以下である。発光層のホスト材料は、下記一般式(1)で表される化合物を含む。
上記一般式(1)において、R1〜R6は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルケニル基、炭素数1〜10のアルキニル基、炭素数4〜12のシクロアルキル基、炭素数6から12のアリール基、炭素数6〜12のヘテロアリール基、炭素数6〜12のヘテロ環基、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数4〜12のシクロアルコキシ基、炭素数1〜10のアリールオキシ基、炭素数1〜10のアルキルチオ基、炭素数4〜12のシクロアルキルチオ基、炭素数6〜12のアリールチオ基、炭素数1〜10のアルコキシカルボニル基、炭素数6〜12のアリールオキシカルボニル基、炭素数1〜10のスルファモイル基、炭素数1〜10のアシル基、炭素数1〜10のアシルオキシ基、炭素数1〜10のアミド基、炭素数1〜10のカルボニル基、炭素数1〜10のウレイド基、炭素数1〜10のスルフィニル基、炭素数1〜10のアルキルスルホニル基、炭素数6〜12のアリールスルホニリ基、及び炭素数1〜10のアミノ基からなる群から選ばれる1種である。
発光層の蛍光ドーパント材料は、S1エネルギーとT1エネルギーの差が0.24eV以下であることが好ましい。また、発光層のホスト材料のT1エネルギーは、蛍光ドーパント材料のT1エネルギーよりも高いことが好ましい。また、ホスト材料のT1エネルギーと蛍光ドーパント材料のT1エネルギーとの差は、0.5evよりも大きいことが好ましい。
さらに、本発明は、上記の有機EL発光素子を備える照明器具およびディスプレイ装置に関する。
本発明の蛍光有機EL素子は、室温においてホスト材料が熱エネルギーによる逆項間交差を起こすため、高い内部量子効率を示し、蛍光有機EL素子として優れた特性が期待できる。
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る有機EL素子の構成を表す模式断面図である。この素子は、基板1上に、陽極2及び陰極4を備え、これら一対の電極間に発光ユニット3を備える。発光ユニット3は複数の層を有するが、そのうちの少なくとも1つは発光層である。なお、本発明の有機EL素子は、一対の電極間に発光層を有していればよく、図1に示す構成に限定されるものではない。
有機EL素子を構成する基板1は特に限定されず、例えば、ガラスのような透明基板、シリコン基板、フレキシブルなフィルム基板等から適宜選択される。基板側から光を取り出すボトムエミッション型の有機EL素子の場合、発光層における発光の取出しロスを減少する観点から、基板1は、可視光域における透過率が80%以上であることが好ましく、95%以上であることがさらに好ましい。
基板1上に設けられる陽極2についても特に制限はない。その材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物(ITO)、インジウム・亜鉛酸化物(IZO)、SnO2、ZnO等が挙げられる。中でも、発光層からの光の取り出し効率やパターニングの容易性の観点から、透明性が高いITOあるいはIZOを好ましく使用することができる。また、陽極中には、必要に応じて、アルミニウム、ガリウム、ケイ素、ホウ素、二オブ等のドーパントがドーピングされていてもよい。
陽極2は、透明性の観点から、可視光域における透過率が70%以上であることが好ましく、80%以上であることがさらに好ましく、90%以上であることが特に好ましい。基板1上に陽極2を形成する方法については特に制限されず、例えば、スパッタ法や熱CVD法等により形成することができる。
次に発光ユニット3について説明する。発光ユニット3は、一般に複数の層が積層された構成を有しており、各層は、有機化合物、高分子化合物、無機化合物、遷移金属錯体等を含む薄膜である。発光ユニット3を構成する層のうち、少なくとも1層はアモルファス膜で構成される発光層である。
発光ユニット3の積層構成としては、例えば、図1に示すように、発光層33の陽極2側にホール注入層31やホール輸送層32を有し、発光層33の陰極4側に電子輸送層34や電子注入層35を有する構造を採用できる。
発光ユニット3を構成する各層の成膜方法については特に制限はなく、真空蒸着法やスピンコート法等によって形成できる。
発光ユニット3は、ホール輸送層32を有していることが好ましい。ホール輸送層に含まれる物質は、ラジカルカチオン化し易い化合物が好ましく、例えば、アリールアミン系化合物、イミダゾール系化合物、オキサジアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、トリアゾール系化合物、カルコン系化合物、スチリルアントラセン系化合物、スチルベン系化合物、テトラアリールエテン系化合物、トリアリールアミン系化合物、トリアリールエテン系化合物、トリアリールメタン系化合物、フタロシアニン系化合物、フルオレノン系化合物、ヒドラジン系化合物、カルバゾール系化合物、N−ビニルカルバゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、ピラゾロン系化合物、フェニルアントラセン系化合物、フェニレンジアミン系化合物、ポリアリールアルカン系化合物、ポリシラン系化合物、及びポリフェニレンビニレン系化合物からなる群から選ばれる1種類以上の化合物が考えられる。特に、アリールアミン化合物は、ラジカルカチオン化し易いことに加えてホール移動度が高いものが多く、ホール輸送層として適する。
アリールアミン化合物を含有するホール輸送層の中でも、トリアリールアミン誘導体を含有するホール輸送層が好ましく、特に、は、4、4’−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(「α―NPD」、または「NPB」と称される)を含有するホール輸送層が好ましい。
発光ユニット3は、電子輸送層34を有していることも好ましい。電子輸送層に含まれる物質は、ラジカルアニオン化し易い化合物が好ましく、例えば、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(「BCP」と称される)、トリス[(8−ハイドロキシキノリナート)]アルミニウム(III)(「Alq3」と称される)やその誘導体が考えられる。中でも、汎用性の観点から、Alq3が好適に用いられる。
発光ユニット3に含まれる発光層33は、本発明の特徴的な部分である。発光層33は、一般的な蛍光有機EL素子の発光層と同様に、ホスト材料と蛍光ドーパント材料で構成される。ここで、ホスト材料は、それ自身の発光能力は低いが、成膜性の高い材料である。蛍光ドーパント材料は、それ自身の発光能力が高く、蛍光を放出する材料である。発光層中のホスト材料全体の質量は、発光層全体の質量の51%以上であり、ドーパント材料全体の質量は、発光層全体の質量の49%以下である。好ましくは、ホスト材料全体の質量が75%以上、ドーパント材料全体の質量25%以下である。
蛍光ドーパント材料としては、通常、蛍光を放出する有機分子、高分子、遷移金属錯体が使われる。特に、発光効率の高い有機EL素子を作製するためには、熱活性型遅延蛍光材料を使用することが望ましい。すなわち、S1−T1エネルギーギャップが0.24eV以下である化合物を発光層の蛍光ドーパント材料として用いることが好ましい。なお、ドーパント材料は、イリジウム、白金、ロジウム等の貴金属を含まないものが好ましく用いられる。これらの貴金属を含まないことにより、ドーパント材料を安価に提供できる。
ホスト材料としては、良好な成膜性を示し、かつ、蛍光ドーパント材料の良好な分散性を確保する化合物が望まれる。加えて、本発明の有機EL素子では、発光層のホスト材料として、S1−T1エネルギーギャップが0.24eV以下の化合物が用いられる。また、ホスト材料は、成膜後のホール移動度と電子移動度が共に高い材料であることが好ましい。
本発明の有機EL素子では、発光層のホスト材料として、下記一般式(1)で表される化合物が用いられる。
上記一般式(1)において、R1〜R6は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルケニル基、炭素数1〜10のアルキニル基、炭素数4〜12のシクロアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数6〜12のヘテロアリール基、炭素数6〜12のヘテロ環基、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数4〜12のシクロアルコキシ基、炭素数1〜10のアリールオキシ基、炭素数1〜10のアルキルチオ基、炭素数4〜12のシクロアルキルチオ基、炭素数6〜12のアリールチオ基、炭素数1〜10のアルコキシカルボニル基、炭素数6〜12のアリールオキシカルボニル基、炭素数1〜10のスルファモイル基、炭素数1〜10のアシル基、炭素数1〜10のアシルオキシ基、炭素数1〜10のアミド基、炭素数1〜10のカルボニル基、炭素数1〜10のウレイド基、炭素数1〜10のスルフィニル基、炭素数1〜10のアルキルスルホニル基、炭素数6〜12のアリールスルホニリ基、及び炭素数1〜10のアミノ基からなる群から選ばれる1種である。
上記の中でも、S1−T1エネルギーギャップを小さくするためには、上記一般式(1)のR1〜R6が、各々独立に、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる1種であることが好ましい。中でも、上記一般式(1)のR1〜R6のすべてが水素原子である下記の化合物(A)が好ましく用いられる。
本発明の有機EL素子は、ホスト材料のS1状態から蛍光ドーパント材料のS1状態へのエネルギー移動が活発に起きることが望ましい。この観点から、本発明のホスト材料のS1エネルギーは、蛍光ドーパント材料のS1エネルギーよりも高く、かつ、ホスト材料のS1エネルギーと蛍光ドーパント材料のS1エネルギーとの差は、0.5eV以下が望ましい。
一方、熱失活による発光ロスを低減するためには、ホスト材料のT1状態からドーパント材料のT1状態へのエネルギー移動があまり起こらないことが望ましい。この観点から、本発明のホスト材料のT1エネルギーは、蛍光ドーパント材料のT1エネルギーよりも高く、かつ、2種類のT1エネルギーの差が0.5eVよりも大きいことが望ましい。なお、蛍光ドーパント材料が熱活性型遅延蛍光材料である場合は、ドーパント材料のT1状態からS1状態への逆項間交差により、T1状態を発光に寄与させることができる。そのため、蛍光ドーパント材料として、熱活性型遅延蛍光材料が用いられる場合は、ホスト材料と蛍光ドーパント材料のT1エネルギーの差が小さくてもよい。
上記一般式(1)で表されるホスト材料よりもS1エネルギーが低く、かつホスト材料とのS1エネルギー差が0.5ev以下である蛍光ドーパント材料としては、例えば、ペリレン、あるいはその誘導体等の青色蛍光材料、3−(2−ベンゾチアゾリル)−N,N−ジエチルウンベリフェリルアミン(「クマリン−6」と称される)等の緑色蛍光材料、青色熱活性型遅延蛍光材料、緑色熱活性型遅延蛍光材料等が挙げられる。
上記の中でも、S1エネルギーとT1エネルギーの差が0.24eV以下である蛍光ドーパント材料、すなわち、熱活性型遅延蛍光を生じる蛍光ドーパント材料としては、例えば、非特許文献7に記載されている、1,2−ビス(カルバゾロ−9−リル)‐4,5‐ジシアノベンゼン(「2CzPN」と称される)等の青色熱活性型遅延蛍光材料や、1,2,3,5‐テトラキス(カルバゾロ−9−リル)‐4,6‐ジシアノベンゼン(「4CzIPN」と称される)等の緑色熱活性型遅延蛍光材料等が挙げられる。
一方、上記一般式(I)で表されるホスト材料よりもT1エネルギーが低く、かつホスト材料とのT1エネルギー差が0.5evよりも大きい蛍光ドーパント材料としては、例えば、ルブレン等の黄色蛍光材料や、4‐(ジシアノメチレン)‐2‐メチル‐6‐(4‐ジメチルアミノスチリル)‐4H‐ピラン(「DCM」と称される」)等の赤色蛍光材料が挙げられる。
次に、陰極4について説明する。陰極4に用いられる材料は特に制限がなく、例えば、仕事関数の小さい金属、または、その合金や金属酸化物等が用いられる。仕事関数の小さい金属の例としては、アルカリ金属ではLi、アルカリ土類金属ではMg、Caが挙げられる。また、希土類金属等からなる金属単体、あるいは、これらの金属とAl、In、Ag等の合金が用いられることもある。さらに、特開2001−102175号公報等に開示されているように、陰極に接する有機層として、アルカリ土類金属イオン、及びアルカリ金属イオンからなる群から選択される少なくとも1種を含む有機金属錯体化合物を用いることもできる。この場合、陰極として、当該錯体化合物中の金属イオンを真空中で金属に還元し得る金属、例えばAl、Zr、Ti、Si等もしくはこれらの金属を含有する合金を用いることが好ましい。
有機EL素子は、使用環境における劣化を最小限に抑えるべきである。このためには、素子の一部または全体を、不活性ガス雰囲気下で封止ガラスや金属キャップを用いて封止する、あるいは、紫外線硬化樹脂等による保護層で被覆するのが好ましい。
本発明の有機EL素子は、室温において発光層のホスト材料が熱エネルギーによる逆項間交差を起こす。その後、ホスト材料から蛍光ドーパント材料へのエネルギー移動が起きる。この結果、本発明の蛍光有機EL素子は、蛍光ドーパント材料におけるS1状態の割合が高く、高い内部量子効率を示す。
なお、室温において熱エネルギーによる逆項間交差が生じる場合、室温における内部量子効率は25%以上となることが期待される。したがって、本発明の有機EL素子は、0℃〜100℃までのいずれかの温度における内部量子効率が25%以上であることが好ましい。また、熱エネルギーによる逆項間交差が生じる場合、温度が高いほど、S1状態からT1状態への逆項間交差の発生確率が上昇する。そのため、本発明の有機EL素子は、0℃〜100℃までの温度範囲において、温度上昇に伴って発光効率が上昇することが好ましい。
このような本発明の有機EL素子は、消費電力の少ない省エネルギーの光源となり得る。そのため、本発明の有機EL素子は、ディスプレイや照明器具等に有効に適用できる。
<化合物(1)の合成>
窒素雰囲気下、3,5−ジブロモピリジン−4−カルボニトリル(1.006g、3.8mmol)、カルバゾール(1.912g、11.5mmol)、ヨウ化銅(0.1174g、0.6mmol)、18−クラウン−6(0.158g、0.6mmol)、炭酸カリウム(1.212g、8.8mmol)、1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン(3ml)の混合液を170℃で5時間加熱した(scheme 1)。室温まで冷却した後、ジクロロメタンで洗浄し、シリカゲルクロマトグラフィーで精製した。この手順により、黄色固体の化合物(A)を0.470g得た(1.1mmol、収率29%)。
窒素雰囲気下、3,5−ジブロモピリジン−4−カルボニトリル(1.006g、3.8mmol)、カルバゾール(1.912g、11.5mmol)、ヨウ化銅(0.1174g、0.6mmol)、18−クラウン−6(0.158g、0.6mmol)、炭酸カリウム(1.212g、8.8mmol)、1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン(3ml)の混合液を170℃で5時間加熱した(scheme 1)。室温まで冷却した後、ジクロロメタンで洗浄し、シリカゲルクロマトグラフィーで精製した。この手順により、黄色固体の化合物(A)を0.470g得た(1.1mmol、収率29%)。
得られた結晶は、1H−NMRによって化合物(A)であることを確認した。測定結果は次の通りであった。1H−NMR(400MHz、CDCl3);δ=9.10(s、2H)、8.20(s、2H)、8.18(s、2H)、7.55−7.52(m、4H)、7.43−7.37(m、8H)。
<蛍光及び燐光スペクトルから評価した化合物(1)のS1−T1エネルギーギャップ>
化合物(A)を2−メチルテトラヒドロフランに分散させ、液体窒素を用いて77Kに冷却した後、分光蛍光光度計(日立製 F−7000)を用いて蛍光及び燐光スペクトルを測定した。図2の実線は、320nmの入射光から得られた蛍光スペクトル、破線は320nmの入射光から得られた燐光スペクトルである。なお、これらのスペクトルは発光強度の最大値が1.0となるように規格化されている。
化合物(A)を2−メチルテトラヒドロフランに分散させ、液体窒素を用いて77Kに冷却した後、分光蛍光光度計(日立製 F−7000)を用いて蛍光及び燐光スペクトルを測定した。図2の実線は、320nmの入射光から得られた蛍光スペクトル、破線は320nmの入射光から得られた燐光スペクトルである。なお、これらのスペクトルは発光強度の最大値が1.0となるように規格化されている。
蛍光及び燐光スペクトルの短波長側のピーク端をそれぞれS1エネルギー及びT1エネルギーと定義する。図2よりこれらの値を読み取ると、それぞれ415nm(2.99eV;図2の(a)の位置)、430nm(2.88eV;図2の(b)の位置)であった。S1エネルギーとT1エネルギーの差(S1−T1エネルギーギャップ)は0.11eVであった。この結果から、化合物(A)は、S1−T1エネルギーギャップが0.24eV以下であり、室温において、S1状態からT1状態への逆項間交差を生じる化合物であることが分かる。
なお、前述の特許文献1(特開2009−94486号公報)において、上記化合物(A)を燐光ホスト材料として用いた燐光有機EL素子が、十分な発光特性を有することが報告されている。そのため、化合物(A)は、安定なアモルファス膜を生成すること、ホール移動度と電子移動度が共に高いこと等、有機EL素子のホスト材料が満たすべき特性を満足していると考えられる。これらの結果から、発光層のホスト材料として化合物(A)を含み、かつ、かつドーパント材料として蛍光材料を有する有機EL素子は、室温においてドーパント材料のS1状態の割合が高くなり、高い内部量子効率を示すと考えられる。
Claims (9)
- 一対の電極間に発光層を備える有機EL素子であって、
前記発光層は、ホスト材料と蛍光ドーパント材料とを有し、
前記ホスト材料のS1エネルギーは、前記蛍光ドーパント材料のS1エネルギーよりも高く、かつ、前記ホスト材料のS1エネルギーと前記蛍光ドーパント材料のS1エネルギーとの差が0.5ev以下であり、
前記ホスト材料は、S1エネルギーとT1エネルギーの差が0.24eV以下であり、下記一般式(1)で表される化合物を含む、有機EL素子。
- 前記一般式(1)において、R1〜R6が、各々独立に、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる1種である、請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記一般式(1)において、R1〜R6がいずれも水素原子である、請求項2に記載の有機EL素子。
- 前記蛍光ドーパント材料は、S1エネルギーとT1エネルギーの差が0.24eV以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 前記ホスト材料のT1エネルギーが前記蛍光ドーパント材料のT1エネルギーよりも高く、かつ、前記ホスト材料のT1エネルギーと前記蛍光ドーパント材料のT1エネルギーとの差が0.5evよりも大きい、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 0℃〜100℃までのいずれかの温度における内部量子効率が25%以上である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 0℃〜100℃までの温度範囲において、温度上昇に伴って発光効率が上昇する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機EL素子を備える照明器具。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機EL素子を備えるディスプレイ装置。
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