KR20160057018A - 아민 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 아민 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 헤테로 고리 그룹을 포함하는 특정 구조의 비대칭 3차 아릴 아민 화합물을 제공함으로써, 이를 유기전계 발광소자의 정공수송 물질 등 유기물층 물질로 사용시 우수한 발광 특성, 발광효율, 수명 특성 및 열적 안정성과 더불어 낮은 구동전압을 구현할 수 있는 3차 아릴 아민 화합물, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 유기전계 발광 소자에 관한 것이다.

Description

아민 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광소자{AMINE COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 아민 화합물 및 이를 이용한 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 헤테로 고리 그룹을 포함하는 특정 구조의 비대칭 3차 아릴 아민 화합물을 제공함으로써, 이를 유기전계 발광소자의 정공수송 물질 등 유기물층 물질로 사용시 우수한 발광 특성, 발광효율, 수명 특성 및 열적 안정성과 더불어 낮은 구동전압을 구현할 수 있는 3차 아릴 아민 화합물, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 유기전계 발광 소자에 관한 것이다.
정보화 사회로의 움직임이 가속화되면서 정보전자 산업에서는 유기 반도체(Organic semiconductor)를 이용한 전자소자에 관심이 급증하고 있다. 따라서 최근 10여년간 유기물의 내구성 문제를 극복하며 반도체 성질을 띄는 유기 소재의 개발과 이를 이용한 다양한 응용 연구들이 활발히 진행되어 왔다. 전자파 차폐막, 유기 EL 디스플레이, 유기 박막 트랜지스터, 태양 전지 등 유기 반도체를 이용한 응용 연구의 영역은 계속해서 확장되고 있다. 유기 반도체는 제작 공정이 간단하고 비용이 저렴하며 충격에 의해 깨지지 않고 종이처럼 얇고 유연한 기판 위에 소자의 구현이 가능하다는 장점을 지니는바, 미래의 산업에 필수적인 요소가 될 것으로 예상되고 있다. 특히 이러한 요구를 충족시킬 수 있는 유기 디스플레이의 개발은 중요한 연구 분야로 대두된다.
유기 발광(EL)소자는 현재 상용되고 있는 디스플레이소자의 단점을 보완하는 천연색 표시소자로서 주목 받고 있으며, 고효율, 자체발광, 저온공정 가능, 유연 박형 디스플레이로의 제작 가능성 등 때문에 차세대 평면판(Flat panel) 디스플레이로 각광 받고 있다. 특히 유기전계 발광소자(Organic Light-Emitting Diode; OLED)는 큰 과제였던 소자의 구동수명 문제가 상당 부분 해결되었고, 사용되는 재료 또한 다양화되는 추세이다.
유기전계 발광소자는 전압을 가하면 유기물이 발광하는 특성을 이용한 것으로 양극과 음극 사이에 유기박막이 적층되어 있는 구조이다. 전극에 전압이 인가되면 투명한 양극으로부터 주입된 정공과 음극으로부터 주입된 전자가 발광층에서 재결합하여 이때 생긴 에너지 갭에 해당하는 빛이 발생하게 되는 것이다. 그러나 간단한 구조에서는 정공과 전자의 발광 영역으로의 층간 큰 에너지 차이로 효율이 떨어지게 된다. 많은 여기자를 생성해 높은 효율과 낮은 구동전압을 얻기 위해서는 정공주입층(Hole Injection Layer: HIL), 정공수송층(Hole Transfer Layer: HTL), 전자주입층(Electron Injection Layer: EIL), 전자수송층(Electron Transfer Layer: ETL) 등을 삽입해야 한다. 여기서 여기자를 형성하지 않은 정공과 전자는 누설전류가 되므로 균형있는 주입이 필요하다. 또한 전극으로부터 정공, 전자가 주입되기 위해서는 에너지 장벽을 넘어서야 하므로 양극은 장벽이 작아질 수 있는 일함수가 큰 ITO를 사용하고 음극은 일함수가 낮은 금속(Ca/Al, Li:Al, Mg:Ag, LiF/Al, LiF:Al/Al 등)을 사용한다.
유기전계 발광소자(OLED)의 발광 재료는 크게 형광과 인광으로 나뉘며, 발광층 형성 방법은 형광 호스트(Host)에 인광(Dopant)을 도핑하는 방법과 형광 호스트에 형광(Dopant)을 도핑하여 양자효율을 증가시키는 방법 및 발광체에 도펀트(DPVBi, Rubrene, DCJTB 등)를 이용하여 발광파장을 장파장으로 이동시키는 방법 등이 있다. 이러한 도핑을 통해 발광파장, 효율, 구동전압, 수명 등을 개선하려 하고 있다.
일반적인 유기전계 발광소자에서 진공증착법에 의해 형성된 이러한 박막 구조는 정공과 전자의 이동속도를 조절하여 발광층에서 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루도록 함으로써 발광효율을 높일 수 있게 한다. 또한 유기전계 발광소자의 실용화 및 특성 향상을 위해서는, 상기와 같이 다층 구조로 소자를 구성할 뿐만 아니라 소자 재료(예컨대, 정공전달 물질, 발광층 물질 등)가 열적, 전기적으로 안정해야 한다. 전압을 걸어주었을 때, 소자에서 발생되는 열로 인하여 열 안정성이 낮은 분자는 결정 안정성이 낮아져 재배열 현상이 일어나게 되고, 결국 국부적으로 결정화가 발생되어 소자의 열화 및 파괴를 가져오기 때문이다.
지금까지 사용되어 왔던 정공전달 물질에는 m-MTDATA [4,4',4"-트리스(N-3-메틸페닐-N-페닐아미노)-트리페닐아민], 2-TNATA [4,4',4"-트리스(N-(나프틸렌-2-일)-N-페닐아미노)-트리페닐아민], TPD [N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐] 및 NPB [N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐벤지딘] 등이 있다. 그러나 상기 m-MTDATA, 2-TNATA, TPD 및 NPB는 유리전이온도(Tg)가 60℃ 및 96℃ 정도로서 낮기 때문에 소자의 수명을 단축시킨다는 치명적인 단점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, OMeTAD, spiro-TAD, spiro-m-TTB, spiro-OMeTAD, spiro carb 등과 같은 스파이로(spiro) 계열의 물질에 대한 개발이 진행되었지만, 여전히 열적 안정성 및 정공전달 능력 부족 등의 문제점들을 나타내고 있다.
이에, 유기전계 발광소자의 유기물층 물질, 특히 정공전달 물질로 사용시 우수한 발광 특성, 수명 특성 및 열적 안정성과 더불어 낮은 구동전압 등 제반 성능을 조화롭게 구현할 수 있는 새로운 유기 재료에 대한 개발이 요구되는 실정이다.
대한민국공개특허 제10-2004-25986호 "스파이로 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광소자" (2004.3.27.)
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자 한 것으로, 유기전계 발광소자의 유기물층 재료로서 기존 물질에 비해 높은 발광효율 및 낮은 구동전압을 구현하고 수명을 향상시킬 수 있는 아민 화합물을 핵심으로 하는 새로운 구조의 헤테로 고리 화합물, 이러한 헤테로 고리 화합물을 효율적, 경제적으로 합성할 수 있는 방법, 및 이를 이용한 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상기한 기술적 과제를 달성하고자, 본 발명은 스파이로바이플루오렌, 플루오렌 및 헤테로 고리 그룹을 포함하는 특정 구조의 3차 아릴 아민 화합물을 제공한다.
또한, 상기 3차 아릴 아민 화합물을 효율적, 경제적으로 제조할 수 있는 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 3차 아릴 아민 화합물을 유기전계 발광소자의 유기물층 물질, 예컨대 정공수송층 물질로 포함하는 유기전계 발광소자를 제공한다.
본 발명은 스파이로바이플루오렌, 플루오렌 및 다양한 헤테로 고리(아릴) 그룹이 포함된 새로운 구조의 3차 아릴 아민 화합물을 유기전계 발광소자에 적용(예컨대, 다층 구조 유기전계 발광소자의 정공수송층 물질로 적용)함으로써, 소자의 우수한 발광 특성 및 열적, 전기적 안정성을 구현하고 구동전압, 발광효율, 발광휘도, 색순도 및 수명 특성을 크게 개선시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 3차 아릴 아민 화합물은 정공수송을 위한 물질 이외에 그 치환체의 종류에 따라 다양한 특성을 구비할 수 있는바 치환체에 따라 정공주입, 발광, 정공수송, 전자주입 및 전자수송 등의 역할을 모두 수행할 수 있으며, 고효율 및 색순도가 우수한 유기전계 발광소자를 제공하여 디스플레이 산업의 기술 향상에 크게 이바지할 것으로 기대된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단일층 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 복수층 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3 및 도 4는 각각 순서대로 본 발명에 따라 제조된 화합물 4A 및 4I의 UV(Ultraviolet)/PL(Photoluminescence) 스펙트럼이다.
도 5 및 도 6은 각각 순서대로 본 발명에 따라 제조된 화합물 4A 및 4I의 열적 안정성에 대한 데이터이다.
이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
3차 아릴 아민 화합물
본 발명에 따른 3차 아릴 아민 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 헤테로 고리 함유 화합물로서, 이를 유기전계 발광소자의 유기물층 물질로 적용시 소자의 우수한 발광 특성과 열 안정성, 전기 안정성을 구현하고 구동전압을 낮추며 발광효율, 색순도 및 수명 특성 또한 현저히 개선시킬 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00001
(상기 화학식 4에서,
Ar1, Ar2 및 Ar3는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 나프틸기로 치환되거나 비치환된 페닐, 비페닐, 나프틸, 안트라세닐, 플루오레닐 및 카바졸로 이루어진 군에서 선택되고,
Ar4는 N, S 및 O 중 1 이상의 원소를 함유하는 헤테로 고리형 그룹이며,
n은 0 또는 1이다.)
구체적으로, 본 발명의 3차 아릴 아민 화합물은 하기 구조식으로 표시되는 화합물 그룹 중에서 선택되는 것이며, 이들은 유기전계 발광소자의 유기물층 물질로 매우 적합하게 사용될 수 있다.
Figure pat00002
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010

하기 도 3 및 도 4는 각각 순서대로 본 발명에 따른 상기 화합물 4A 및 4I의 UV(Ultraviolet)/PL(Photoluminescence) 스펙트럼을 나타낸 것이다. UV/PL 스펙트럼은 OLED를 특성화하기 위하여 각 화합물이 갖는 발광파장을 측정하는 것으로, UV를 통하여 흡수되는 파장의 빛을 조사하여 가장 발광이 잘 일어나는 파장을 측정한 그래프이다. UV/PL 스펙트럼은 당업계의 공지의 방법을 통하여 얻을 수 있으며, 본 발명에서는 퀄츠(quartz)에 상기 화합물 4A 및 4I가 포함된 용액을 코팅하여 제조된 고체 필름에 약 343nm~356nm 파장의 여기광을 조사하여 스펙트럼을 얻었다. 그 결과, 하기 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 3차 아릴 아민 화합물은 약 425nm~500nm에서 최대 발광 피크를 가지므로 발광효율이 매우 우수할 것으로 기대된다. 그러나 그 구체적 수치는 화합물의 순도, 주변 환경 등에 따라 달라질 것인바 세부적 수치보다는 데이터의 경향이 중요하다고 할 수 있다.
하기 도 5 및 도 6은 각각 순서대로 본 발명에 따라 제조된 상기 화합물 4A 및 4I의 열적 안정성에 대한 데이터를 나타낸 것이다. 이는 정공전달 물질의 열 안정 특성을 알아보기 위한 것으로, 이 역시 당업계의 공지의 방법을 통하여 평가될 수 있으며, 본 발명에서는 열중량분석법(TGA)을 이용하여 질소 분위기 하에서 팬에 일정 무게의 화합물 시료를 달아 일정한 속도로 온도를 증가시키면서 시료의 무게 변화를 측정하여 열적 안정성에 대한 데이터를 얻었다. 그 결과, 하기 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이 화합물 4A 및 4I의 열분해 온도가 약 400℃ 이상으로 본 발명에 따른 3차 아릴 아민 화합물은 우수한 열적 안정성을 갖는 것을 확인할 수 있다.
본 발명에 따른 3차 아릴 아민 화합물은 평면 패널 디스플레이, 평면 발광체, 조명용 면발광 OLED의 발광체, 플렉서블(Flexible) 발광체, 복사기, 프린터, LCD 백라이트, 계량기 광원, 디스플레이판, 유기전계 발광소자 등에 적용될 수 있으며, 유기태양전지(OSC), 전자종이(e-paper), 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(OTFT)와 같은 유기전자소자에서도 유기발광소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
바람직하게는, 본 발명의 3차 아릴 아민 화합물은 유기전계 발광소자의 유기물층 물질로 사용되는 것이다. 여기서, 상기 유기물층은 발광층(Electroluminescence Layer), 정공주입층(Hole Injection Layer), 정공수송층(Hole Transport Layer), 정공저지층(Hole Blocking Layer), 전자수송층(Electron Transport Layer) 및 전자주입층(Electron Injection Layer)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있으며, 본 발명에 따른 상기 3차 아릴 아민 화합물은 우수한 전기적 특성 및 정공수송 특성을 보이는바 유기전계 발광소자의 정공전달 물질로서 특히 적합하게 사용될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 3차 아릴 아민 화합물은 정공수송층 물질 이외에 그 치환체의 종류에 따라 다양한 특성을 구비할 수 있는바 치환체에 따라 정공주입, 정공수송, 전자주입 및 전자수송 등의 역할을 모두 수행할 수 있는 다양성을 지닌다.
3차 아릴 아민 화합물의 제조방법
본 발명에 따른 3차 아릴 아민 화합물의 제조방법은 i) 하기 화학식 1의 화합물을 비스(트리-올쏘-톨릴포스핀)팔라듐(II) 디클로라이드와 반응시켜 하기 화학식 2의 화합물을 수득하고, ii) 얻어진 화학식 2의 화합물을 하기 화학식 3의 화합물과 반응시켜 하기 화학식 4의 화합물을 제조하는 것을 특징으로 한다.
상기 i) 단계는 하기 화학식 1의 스파이로바이플루오렌 화합물을 특정 팔라듐 착화합물인 비스(트리-올쏘-톨릴포스핀)팔라듐(II) 디클로라이드[(o-Tolyl)3P-ClPdCl-P(o-Tolyl)3]를 사용하여 짝지음 반응시킴으로써 하기 화학식 2로 표시되는 중간체를 수득하는 단계이다.
[화학식 1]
Figure pat00011
[화학식 2]
Figure pat00012
(상기 화학식 1 및 2에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 나프틸기로 치환되거나 비치환된 페닐, 비페닐, 나프틸, 안트라세닐, 플루오레닐 및 카바졸로 이루어진 군에서 선택되고,
n은 0 또는 1이다.)
본 발명에서는, 상기 비스(트리-올쏘-톨릴포스핀)팔라듐(II) 디클로라이드 외에 별도의 리간드 투입 없이 목적물인 3차 아릴 아민 화합물을 합성하는바 그 합성비용을 크게 절감할 수 있다.
상기 ii) 단계는 상기 i) 단계에서 얻어진 화학식 2의 중간체를 목적물의 중심원소 N을 부여하는 반응물인 하기 화학식 3의 아미노뷰틸틴 화합물과 반응시켜 하기 화학식 4로 표시되는 본 발명의 비대칭 구조의 3차 아릴 아민 화합물을 최종적으로 수득하는 단계이다.
[화학식 3]
Figure pat00013
[화학식 4]
Figure pat00014
(상기 화학식 3 및 4에서,
Ar1, Ar2 및 Ar3는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 나프틸기로 치환되거나 비치환된 페닐, 비페닐, 나프틸, 안트라세닐, 플루오레닐 및 카바졸로 이루어진 군에서 선택되고,
Ar4는 N, S 및 O 중 1 이상의 원소를 함유하는 헤테로 고리형 그룹이며,
n은 0 또는 1이다.)
본 발명에 따른 제조방법은 상기 화학식 2의 화합물과 화학식 3의 화합물의 반응이 낮고 온화한 온도에서 진행되는바 가혹한 반응온도에서 진행시 발생하는 부작용 내지 부산물을 배제할 수 있다. 일 구체예로, 상기 화학식 2의 화합물과 화학식 3의 화합물의 반응은 85~110℃ 수준(예컨대, 약 100℃)의 실험온도에서 진행될 수 있다. 온도가 85℃ 미만이면 반응 자체가 진행되지 않거나 미반응물이 많이 잔류할 수 있으며, 온도가 110℃를 초과하면 원치않는 부반응이 발생하거나 합성에 불필요하게 많은 에너지가 소요될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 제조방법은 상기 화학식 2의 화합물과 화학식 3의 화합물의 반응에 있어 소량의 염기만 사용하여도 목적물인 3차 아릴 아민 화합물을 원활하게 수득할 수 있는바 그 합성비용을 크게 절감할 수 있다. 일 구체예로, 0.5~1.0 당량(eq)의 염기를 사용할 수 있다. 염기의 사용량이 0.5 당량 미만이면 반응이 미진하게 진행되어 수득률이 저하될 수 있으며, 염기의 사용량이 1.0 당량을 초과하면 목적물 수득에 필요한 양보다 불필요하게 많은 염기가 투입되어 제조비용 증가를 초래할 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 3차 아릴 아민 화합물의 합성은 반응시간이 짧고, 고수율로 컬럼을 통해 쉽게 목적물을 수득할 수 있는 장점이 있다.
유기전계 발광소자
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기한 바와 같은 비대칭 구조의 3차 아릴 아민 화합물을 포함하는 유기전계 발광소자가 제공된다.
본 발명의 유기전계 발광소자 중 유기물층은 1층으로 이루어진 단층 구조일 수도 있으며, 발광층을 포함하는 2층 이상의 다층 구조일 수도 있다. 본 발명의 유기전계 발광소자 중 유기물층이 다층 구조인 경우, 이는 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등이 적층된 구조일 수 있다. 즉, 본 발명의 유기전계 발광소자는 하기 도 1(단일층 구조) 및 도 2(복수층 구조)에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로, 본 발명은 기판(01)상에 형성된 제1 전극(02), 제2 전극(03) 및 이들 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 유기물층의 적어도 1층 이상이 본 발명에 따른 3차 아릴 아민 화합물을 포함하는 유기전계 발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명의 유기전계 발광소자에서 유기물층은 정공주입층(04), 정공수송층(05), 발광층(06), 정공저지층(미도시), 전자수송층(08) 및 전자주입층(09)을 포함하고, 필요에 따라 정공주입층(04), 정공수송층(05), 정공저지층(미도시), 전자수송층(08) 및 전자주입층(09) 중 한 개 또는 두 개 층이 생략된 상태로 사용될 수 있다.
상기 유기전계 발광소자는 전술한 3차 아릴 아민 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기전계 발광소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
예를 들어, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 공지의 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여 기판상에 금속, 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층 등을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 또한, 기판상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기전계 발광소자를 제조할 수도 있다. 여기서, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로도 제조할 수 있다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 구체적으로, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 티타늄 산화물(TiO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등을 사용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질이 바람직하다. 구체적으로, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiAl 및 LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등을 사용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공주입층 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 또한 양극과의 표면 접착력이 좋으며, 양극의 표면 거칠기를 완화해줄 수 있는 평탄화 능력이 있는 물질이 바람직하다. 그리고 발광층의 밴드갭보다 큰 HOMO와 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 값을 갖는 물질 및 화학 구조적으로 열적 안정성이 높은 물질이 바람직하다. 구체적으로, 상기 정공주입층 물질로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴 아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등을 사용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공수송층 물질로는 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 또한 발광층의 밴드갭보다 큰 HOMO와 LUMO 값을 갖는 물질 및 화학 구조적으로 열적 안정성이 높은 물질이 바람직하다. 구체적으로, 아릴 아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등을 사용할 수 있으나, 바람직하게는 본 발명에 따른 3차 아릴 아민 화합물을 사용한다.
상기 발광층 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적으로, 청색 계열의 ADN 또는 MADN 및 DPVBi, BAlq 등과 녹색 계열의 Alq3 및 기타의 안트라센, 파이렌, 플루오렌, 스파이로바이플루오렌, 카르바졸, 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열로 표시되는 화합물 및 고분자성의 폴리(p-페닐렌비닐렌), 폴리스파이로, 폴리플루오렌 등을 사용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공저지층 물질로는 발광층의 HOMO 값보다 큰 물질이 바람직하다. 또한 화학 구조적으로 열적 안정성이 높은 물질이 바람직하다. 구체적으로, TPBi와 BCP가 주로 이용되며, CBP와 PBD 및 PTCBI, BPhen 등도 사용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자수송층 및 전자주입층 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 또한 화학 구조적으로 열적 안정성이 높은 물질이 적합하다. 구체적으로, 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등을 사용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
이하, 합성예 및 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나 이들 합성예 및 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 어떠한 의미로든 본 발명의 범위가 이들 예로 한정되는 것은 아니다.
합성예 1: 화합물 2A의 제조
Figure pat00015
건조된 둥근 플라스크에 2-브로모-9,9'-스파이로바이플루오렌(8.2g, 20.74mmol) 1.5eq, 비스(트리-올쏘-톨릴포스핀)팔라듐(II) 디클로라이드(227mg, 0.29mmol) 0.02eq, 무수 톨루엔 30ml을 넣어 80℃에서 약 1시간 환류 교반시켰다. 이후 상온으로 냉각시킨 후 농축하여 화합물 2A를 얻었다.
합성예 2: 화합물 4A의 제조
Figure pat00016

건조된 둥근 플라스크에 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이오펜-2-아민(5.1g, 17.52mmol) 1.0eq, N,N-디에틸아미노트리뷰틸틴(5.3g, 14.89mmol) 0.85eq를 넣고 질소를 충분히 충진시킨 후 무수 톨루엔 40ml을 넣어 85℃에서 1시간 반응을 진행한 다음, 화합물 2A를 무수 톨루엔 30ml에 녹인 뒤 첨가하여 100℃에서 약 4시간 환류 교반시켰다.
이후 상온으로 냉각시키고 반응을 종료하여 디에틸에테르와 4N HCl 용액을 사용하여 추출한 뒤, 감압 농축기를 이용하여 유기층의 용매를 제거하였다. 얻어진 화합물을 다시 디에틸에테르와 10% KF 수용액으로 추출한 후 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조하여 여과하였다. 여과된 유기층을 감압 농축하여 얻어진 혼합물을 에틸아세테이트와 헥산으로 컬럼 분리하여 화합물 4A(5.1g, 81%)를 얻었다.
FD-MS : m/z = 606.22 (C44H31NS = 605.79)
합성예 3: 화합물 4B의 제조
합성예 2에서 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이오펜-2-아민 대신에 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)-5-(나프탈렌-1-일)싸이에노[3,2-b]싸이오펜-2-아민을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방식으로 화합물 4B를 제조하였다.
FD-MS : m/z = 788.24 (C56H37S2 = 788.03)
합성예 4: 화합물 4C의 제조
합성예 2에서 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이오펜-2-아민 대신에 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)벤조[b]싸이오펜-2-아민을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방식으로 화합물 4C를 제조하였다.
FD-MS : m/z = 656.24 (C48H33N6S = 655.85)
합성예 5: 화합물 4D의 제조
합성예 2에서 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이오펜-2-아민 대신에 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)벤조[b]싸이오펜-6-아민을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방식으로 화합물 4D를 제조하였다.
FD-MS : m/z = 656.24 (C48H33NS = 655.85)
합성예 6: 화합물 4E의 제조
합성예 2에서 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이오펜-2-아민 대신에 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이아졸-2-아민을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방식으로 화합물 4E를 제조하였다.
FD-MS : m/z = 607.22 (C34H30N2S = 606.78)
합성예 7: 화합물 4F의 제조
합성예 2에서 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이오펜-2-아민 대신에 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)벤조[d]싸이아졸-2-아민을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방식으로 화합물 4F를 제조하였다.
FD-MS : m/z = 657.23 (C47H32N2S = 656.84)
합성예 8: 화합물 4G의 제조
합성예 2에서 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이오펜-2-아민 대신에 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)벤조퓨란-2-아민을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방식으로 화합물 4G를 제조하였다.
FD-MS : m/z = 640.26 (C48H33NO = 639.78)
합성예 9: 화합물 4H의 제조
합성예 2에서 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이오펜-2-아민 대신에 N-(4-(10H-페녹사진-10-일)페닐)-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방식으로 화합물 4H를 제조하였다.
FD-MS : m/z = 781.32 (C58H40N20 = 780.95)
합성예 10: 화합물 4I의 제조
합성예 2에서 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이오펜-2-아민 대신에 N-(4-(9,9-다이메틸아크리딘-10(9H)-일)페닐)-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방식으로 화합물 4I를 제조하였다.
FD-MS : m/z = 807.37 (C61H46N2 = 807.03)
합성예 11: 화합물 4J의 제조
합성예 2에서 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이오펜-2-아민 대신에 N-(4-(10-페닐페나진-5(10H)-일)페닐)-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방식으로 화합물 4J를 제조하였다.
FD-MS : m/z = 856.36 (C64H75N3 = 856.06)
합성예 12: 화합물 4K의 제조
합성예 2에서 N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)싸이오펜-2-아민 대신에 N-(4-(3,5-다이페닐-4H-1,2,4-트리아졸-4-일)페닐)-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민을 사용하는 것을 제외하고 동일한 방식으로 화합물 4K를 제조하였다.
FD-MS : m/z = 819.34 (C60H42N4 = 819.00)
실시예 1: 유기전계 발광소자의 제조
소자 제작을 위한 증착 전, ITO(indium tin oxide)가 1500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세정하였다(이는 표면에 있는 불순물 및 미립 물질이 유기물의 변형, ITO와 유기물 간의 계면 특성 저하, 전압 인가시 불순물이 타버리거나 ITO와의 접촉 불량 등에 의해 부분적 또는 전체적으로 발광이 일어나지 않는 현상을 유발하고, 소자 수명의 단축 등에 영향을 미치기 때문에 실시한다). 기판은 유기물 증착 전 기판에 존재하는 유기 물질, 이온 물질 및 금속 물질 등의 불순물을 제거하기 위하여 아세톤으로 ITO 표면에 붙은 이물질을 상온에서 5분간 초음파 세척으로 제거하였고, 이후 IPA(Isopropyl alcohol)로 7분간 초음파 세척을 한 다음, N2 gas를 이용하여 건조시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 아민 계열의 WDH-300을 150Å의 두께로 열 진공증착하여 정공주입층을 형성하였다. 그 위에 정공수송 물질인 상기 합성예 2에서 얻어진 화합물 4A를 250Å의 두께로 진공증착한 후, 발광층으로 CBP에 Ir 화합물을 도핑하여 250Å의 두께로 진공증착하였으며, 전자수송층으로 BCP 화합물을 200Å의 두께로 진공증착한 후, 순차적으로 5Å 두께의 리튬플루오라이드(LiF)와 1500Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. 여기서, 유기물의 증착속도는 1Å/sec, 리튬플루오라이드의 증착속도는 0.2Å/sec, 알루미늄의 증착속도는 2~3Å/sec를 유지하였다.
상기에서 제조된 유기전계 발광소자의 전류밀도 10mA/cm2에서의 구동전압, 발광휘도, 발광효율 등의 특성을 조사하여 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 2: 유기전계 발광소자의 제조
정공수송 물질로 화합물 4A 대신 합성예 6에서 얻어진 화합물 4E를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 유기전계 발광소자를 제작하였다.
상기 유기전계 발광소자의 전류밀도 10mA/cm2에서의 구동전압, 발광휘도, 발광효율 등의 특성을 조사하여 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 3: 유기전계 발광소자의 제조
정공수송 물질로 화합물 4A 대신 합성예 10에서 얻어진 화합물 4I를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 유기전계 발광소자를 제작하였다.
상기 유기전계 발광소자의 전류밀도 10mA/cm2에서의 구동전압, 발광휘도, 발광효율 등의 특성을 조사하여 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 4: 유기전계 발광소자의 제조
정공수송 물질로 화합물 4A 대신 합성예 11에서 얻어진 화합물 4J을 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 유기전계 발광소자를 제작하였다.
상기 유기전계 발광소자의 전류밀도 10mA/cm2에서의 구동전압, 발광휘도, 발광효율 등의 특성을 조사하여 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 5: 유기전계 발광소자의 제조
정공수송 물질로 화합물 4A 대신 합성예 12에서 얻어진 화합물 4K를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 유기전계 발광소자를 제작하였다.
상기 유기전계 발광소자의 전류밀도 10mA/cm2에서의 구동전압, 발광휘도, 발광효율 등의 특성을 조사하여 하기 표 1에 나타내었다.
비교예 1: 유기전계 발광소자의 제조
정공수송 물질로 화합물 4A 대신 다음 화학식 5로 표시되는 N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐벤지딘(NPB)을 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 유기전계 발광소자를 제작하였다.
[화학식 5]
Figure pat00017

상기에서 제조된 유기전계 발광소자의 전류밀도 10mA/cm2에서의 구동전압, 발광휘도, 발광효율 등의 특성을 조사하여 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure pat00018

상기 표 1에서 보듯이, 본 발명에 따른 아민 화합물을 정공수송층 물질로 사용하여 유기전계 발광소자를 제작할 경우, 우수한 정공전달 능력을 바탕으로 한 저전압, 고효율, 고휘도 및 열적 안정성 등 유기전계 발광소자에 요구되는 제반 특성들을 조화롭게 구현할 수 있다.
01: 기판
02: 양극(또는 제1 전극)
03: 음극(또는 제2 전극)
04: 정공주입층
05: 정공수송층
06: 발광층
07: 전자수송층
08: 전자주입층

Claims (9)

  1. 하기 화학식 4로 표시되는 3차 아릴 아민 화합물:
    [화학식 4]
    Figure pat00019

    상기 화학식 4에서,
    Ar1, Ar2 및 Ar3는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 나프틸기로 치환되거나 비치환된 페닐, 비페닐, 나프틸, 안트라세닐, 플루오레닐 및 카바졸로 이루어진 군에서 선택되고,
    Ar4는 N, S 및 O 중 1 이상의 원소를 함유하는 헤테로 고리형 그룹이며,
    n은 0 또는 1이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 4의 화합물은 하기 구조식으로 표시되는 화합물 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 3차 아릴 아민 화합물:
    Figure pat00020

    Figure pat00021
    .
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 4의 화합물은 하기 구조식으로 표시되는 화합물 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 3차 아릴 아민 화합물:
    Figure pat00022

    Figure pat00023

    Figure pat00024

    Figure pat00025

    Figure pat00026

    Figure pat00027

    Figure pat00028
    .
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 4의 화합물은 평면 패널 디스플레이, 평면 발광체, 조명용 면발광 OLED의 발광체, flexible 발광체, 복사기, 프린터, LCD 백라이트, 계량기 광원, 디스플레이판, 유기전계 발광소자, 유기태양전지(OSC), 전자종이(e-paper), 유기감광체(OPC) 또는 유기트랜지스터(OTFT)에 적용되는 것을 특징으로 하는 3차 아릴 아민 화합물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 화학식 4의 화합물은 유기전계 발광소자의 유기물층 물질로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차 아릴 아민 화합물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 화학식 4의 화합물은 유기전계 발광소자의 정공수송층 물질로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차 아릴 아민 화합물.
  7. 하기 화학식 1의 화합물을 비스(트리-올쏘-톨릴포스핀)팔라듐(II) 디클로라이드와 반응시켜 하기 화학식 2의 화합물을 수득하고,
    얻어진 화학식 2의 화합물을 하기 화학식 3의 화합물과 반응시켜 하기 화학식 4의 화합물을 제조하는 것을 특징으로 하는 3차 아릴 아민 화합물의 제조방법:
    [화학식 1]
    Figure pat00029

    [화학식 2]
    Figure pat00030

    [화학식 3]
    Figure pat00031

    [화학식 4]
    Figure pat00032

    상기 화학식 1 내지 4에서,
    Ar1, Ar2 및 Ar3는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 나프틸기로 치환되거나 비치환된 페닐, 비페닐, 나프틸, 안트라세닐, 플루오레닐 및 카바졸로 이루어진 군에서 선택되고,
    Ar4는 N, S 및 O 중 1 이상의 원소를 함유하는 헤테로 고리형 그룹이며,
    n은 0 또는 1이다.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 화학식 4의 화합물은 하기 구조식으로 표시되는 화합물 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 3차 아릴 아민 화합물의 제조방법:
    Figure pat00033

    Figure pat00034
    .
  9. 제1 전극, 제2 전극 및 이들 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전계 발광소자로서,
    상기 1층 이상의 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하며,
    상기 정공수송층은 상기 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 3차 아릴 아민 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.















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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017099471A1 (ko) * 2015-12-08 2017-06-15 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20170067644A (ko) * 2015-12-08 2017-06-16 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2018093107A1 (ko) * 2016-11-16 2018-05-24 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20180061825A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 이용한 발광다이오드 및 유기발광다이오드 표시장치
KR20180063707A (ko) * 2016-12-02 2018-06-12 (주)피엔에이치테크 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN108250083A (zh) * 2016-12-27 2018-07-06 东进世美肯株式会社 新颖化合物及包含其的有机发光器件
CN108912038A (zh) * 2018-06-07 2018-11-30 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳香胺化合物及其有机电致发光器件
CN109053547A (zh) * 2018-07-18 2018-12-21 长春海谱润斯科技有限公司 一种有机电致发光器件
KR20190002951A (ko) * 2017-06-30 2019-01-09 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN109761967A (zh) * 2019-03-12 2019-05-17 江苏三月光电科技有限公司 一种基于杂芳基胺类结构的有机化合物及其在oled上的应用
CN109860425A (zh) * 2019-03-12 2019-06-07 江苏三月光电科技有限公司 一种含有覆盖层的有机电致发光装置及用途
KR20190129076A (ko) * 2017-03-13 2019-11-19 메르크 파텐트 게엠베하 아릴아민 구조를 함유하는 화합물
CN110845501A (zh) * 2018-12-10 2020-02-28 广州华睿光电材料有限公司 一种芳胺化合物及其在有机电子器件上的应用
CN112851551A (zh) * 2019-11-28 2021-05-28 南京高光半导体材料有限公司 一种芴基有机电致发光化合物及含有该化合物的有机电致发光器件
CN112940013A (zh) * 2019-12-11 2021-06-11 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 一种咪唑并吡啶的芳胺类化合物及其应用
US11312710B2 (en) * 2018-07-27 2022-04-26 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Compound and organic light-emitting display device
CN115466262A (zh) * 2022-10-09 2022-12-13 武汉天马微电子有限公司 一种杂环芳胺化合物及其电致发光的应用
WO2023190987A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102639784B1 (ko) 2016-10-25 2024-02-26 삼성디스플레이 주식회사 모노아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040025986A (ko) 2002-09-17 2004-03-27 네오뷰코오롱 주식회사 스파이로 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20120100031A (ko) * 2011-03-02 2012-09-12 덕산하이메탈(주) 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치
KR20130099098A (ko) * 2010-09-15 2013-09-05 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 소자용 재료
KR101329047B1 (ko) * 2013-03-26 2013-11-13 (주)위델소재 아민계 정공수송 물질 및 이를 포함한 유기전계 발광소자
WO2014034791A1 (ja) * 2012-08-31 2014-03-06 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040025986A (ko) 2002-09-17 2004-03-27 네오뷰코오롱 주식회사 스파이로 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20130099098A (ko) * 2010-09-15 2013-09-05 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 소자용 재료
KR20120100031A (ko) * 2011-03-02 2012-09-12 덕산하이메탈(주) 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치
WO2014034791A1 (ja) * 2012-08-31 2014-03-06 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101329047B1 (ko) * 2013-03-26 2013-11-13 (주)위델소재 아민계 정공수송 물질 및 이를 포함한 유기전계 발광소자

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108368077A (zh) * 2015-12-08 2018-08-03 株式会社Lg化学 杂环化合物和包含其的有机发光器件
KR20170067644A (ko) * 2015-12-08 2017-06-16 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2017099471A1 (ko) * 2015-12-08 2017-06-15 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2018093107A1 (ko) * 2016-11-16 2018-05-24 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20180061825A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 이용한 발광다이오드 및 유기발광다이오드 표시장치
KR20180063707A (ko) * 2016-12-02 2018-06-12 (주)피엔에이치테크 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN108250083A (zh) * 2016-12-27 2018-07-06 东进世美肯株式会社 新颖化合物及包含其的有机发光器件
CN108250083B (zh) * 2016-12-27 2024-04-05 东进世美肯株式会社 新颖化合物及包含其的有机发光器件
KR20190129076A (ko) * 2017-03-13 2019-11-19 메르크 파텐트 게엠베하 아릴아민 구조를 함유하는 화합물
KR20190002951A (ko) * 2017-06-30 2019-01-09 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP2020525497A (ja) * 2017-06-30 2020-08-27 トゥサン ソーラス カンパニー リミテッドＤｏｏｓａｎ Ｓｏｌｕｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 有機化合物およびこれを含む有機電界発光素子
CN108912038A (zh) * 2018-06-07 2018-11-30 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳香胺化合物及其有机电致发光器件
CN109053547A (zh) * 2018-07-18 2018-12-21 长春海谱润斯科技有限公司 一种有机电致发光器件
US11312710B2 (en) * 2018-07-27 2022-04-26 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Compound and organic light-emitting display device
CN110845501A (zh) * 2018-12-10 2020-02-28 广州华睿光电材料有限公司 一种芳胺化合物及其在有机电子器件上的应用
CN109761967A (zh) * 2019-03-12 2019-05-17 江苏三月光电科技有限公司 一种基于杂芳基胺类结构的有机化合物及其在oled上的应用
CN109860425B (zh) * 2019-03-12 2021-07-13 江苏三月科技股份有限公司 一种含有覆盖层的有机电致发光装置及用途
CN109860425A (zh) * 2019-03-12 2019-06-07 江苏三月光电科技有限公司 一种含有覆盖层的有机电致发光装置及用途
CN112851551A (zh) * 2019-11-28 2021-05-28 南京高光半导体材料有限公司 一种芴基有机电致发光化合物及含有该化合物的有机电致发光器件
CN112940013A (zh) * 2019-12-11 2021-06-11 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 一种咪唑并吡啶的芳胺类化合物及其应用
WO2023190987A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
CN115466262A (zh) * 2022-10-09 2022-12-13 武汉天马微电子有限公司 一种杂环芳胺化合物及其电致发光的应用

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