JPWO2014115287A1 - 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
このとき、薄いポリシリコン膜109を使用する。従って、ポリシリコン膜中にボイドが形成されることを防ぐことができる。
金属膜108は、半導体工程に用いられ、トランジスタのしきい値電圧を設定する金属であればよく、例えば窒化チタンを用いることができる。。
ゲート絶縁膜107は、半導体工程に用いられるものであればよく、例えば酸化膜、酸窒化膜、高誘電体膜を用いることができる。
柱状半導体層106の側壁の金属膜108とポリシリコン膜109とでゲート電極111aが形成される。従って、自己整合プロセスとなる。
図1に示すように、上記方法によって得られる半導体装置は、半導体基板101上に形成されたフィン状半導体層103と、フィン状半導体層103上に形成された柱状半導体層106と、柱状半導体層106の周囲に形成されたゲート絶縁膜107と、ゲート絶縁膜107の周囲に形成されたゲート電極111aと、ゲート電極111aに接続されたゲート配線111bと、柱状半導体層106の上部に形成された第1の第1導電型拡散層114と、柱状半導体層106の下部とフィン状半導体層103の上部とに形成された第2の第1導電型拡散層113と、柱状半導体層106の上部側壁の周囲に形成された第1の金属からなる第1のサイドウォール122と、を有する。
102.第1のレジスト
103.フィン状半導体層
104.第1の絶縁膜
105.第2のレジスト
106.柱状半導体層
107.ゲート絶縁膜
108.金属膜
109.ポリシリコン膜
110.第3のレジスト
111a.ゲート電極
111b.ゲート配線
112.第4のレジスト
113.第2の第1導電型拡散層
114.第1の第1導電型拡散層
115.酸化膜
116a.酸化膜サイドウォール
116b.酸化膜サイドウォール
117.第2のシリサイド
118.第1のシリサイド
119.シリサイド
120.シリサイド
121.第1の層間絶縁膜
122.第1の金属、第1のサイドウォール
123.第2の層間絶縁膜
124.第5のレジスト
125.コンタクト孔
126.コンタクト孔
127.第2の金属
128.第1のコンタクト
129.第1のコンタクト
130.第6のレジスト
131.第6のレジスト
132.第6のレジスト
133.第1の金属配線
134.第1の金属配線
135.第1の金属配線
このとき、薄いポリシリコン膜109を使用する。従って、ポリシリコン膜中にボイドが形成されることを防ぐことができる。
金属膜108は、半導体工程に用いられ、トランジスタのしきい値電圧を設定する金属であればよく、例えば窒化チタンを用いることができる。
ゲート絶縁膜107は、半導体工程に用いられるものであればよく、例えば酸化膜、酸窒化膜、高誘電体膜を用いることができる。
Claims (13)
- 半導体基板上にフィン状半導体層を形成し、前記フィン状半導体層の周囲に第一の絶縁膜を形成し、前記フィン状半導体層の上部に柱状半導体層を形成する第1工程と、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の周囲に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極に接続されたゲート配線とを形成する第2の工程と、
前記柱状半導体層の上部に第1の第1導電型拡散層を形成すると共に、前記柱状半導体層の下部と前記フィン状半導体層の上部に第2の第1導電型拡散層を形成する第3の工程と、 第1の層間絶縁膜を堆積し、前記第1の層間絶縁膜を平坦化し、エッチバックを行い、前記柱状半導体層上部を露出し、前記柱状半導体層上部を露出した後、第1の金属を堆積し、エッチングを行うことで前記柱状半導体層の上部側壁の周囲に金属からなる第1のサイドウォールを形成する第4の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第4の工程の後、
第2の層間絶縁膜を堆積し、前記第2の層間絶縁膜を平坦化し、エッチバックを行い、前記柱状半導体層上部を露出し、第1のコンタクトを形成するための第5のレジストを形成し、前記第2の層間絶縁膜と第1の層間絶縁膜をエッチングすることによりコンタクト孔を形成し、第2の金属を堆積することにより前記第2の第1導電型拡散層上に第1のコンタクトを形成し、金属配線を形成するための第6のレジストを形成し、エッチングを行うことにより第1の金属配線を形成する第5の工程、を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体層はシリコン層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1導電型拡散層はn型であって、
前記第1のサイドウォールの金属の仕事関数は、4.0eVから4.2eVの間であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1導電型拡散層はp型であって、
前記第1のサイドウォールの金属の仕事関数は、5.0eVから5.2eVの間であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と、
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極に接続されたゲート配線と、
前記柱状半導体層の上部に形成された第1の第1導電型拡散層と、
前記柱状半導体層の下部と前記フィン状半導体層の上部とに形成された第2の第1導電型拡散層と、
前記柱状半導体層の上部側壁の周囲に形成された第1の金属からなる第1のサイドウォールと、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記柱状半導体層上部と前記第1のサイドウォール上に形成された第1の金属配線をさらに有することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記半導体層はシリコン層であることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置
- 前記第1導電型拡散層はn型であって、
前記第1のサイドウォールの金属の仕事関数は、4.0eVから4.2eVの間であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 - 前記第1導電型拡散層はp型であって、
前記第1のサイドウォールの金属の仕事関数は、5.0eVから5.2eVの間であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 - 前記第2の第1導電型拡散層上に形成された第1のコンタクトを有し、
前記第1のコンタクトの深さは前記柱状半導体層の高さ以下であることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。 - 前記柱状半導体層の幅は前記フィン状半導体層の幅と同じであることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。
- 前記第1のサイドウォールは、前記ゲート絶縁物と前記第1の金属の積層構造からなることを特徴とする請求項9又は10に記載の半導体装置。
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