JPWO2014098013A1 - Transparent electrode for touch panel, touch panel, and display device - Google Patents
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Abstract
アルミニウムを50atm%以下含むAgAl層と、AgAl層に隣接して設けられた銀を主成分とする導電層とを備えるタッチパネル用透明電極を構成する。A transparent electrode for a touch panel comprising an AgAl layer containing 50 atm% or less of aluminum and a conductive layer mainly composed of silver provided adjacent to the AgAl layer is formed.
Description
本発明は、タッチパネル用透明電極、このタッチパネル用透明電極を備えるタッチパネル、及び、表示装置に関する。 The present invention relates to a transparent electrode for a touch panel, a touch panel including the transparent electrode for a touch panel, and a display device.
表示パネルの表示面側に配置されるタッチパネルには、抵抗膜式、表面型静電容量式、投影型静電容量式、光学式、超音波式などの様々な方式がある。投影型静電容量式は多点入力できるという特徴を有しており、スマートフォンなどでの実用化が進んでいる。 There are various types of touch panels arranged on the display surface side of the display panel, such as a resistance film type, a surface type capacitance type, a projection type capacitance type, an optical type, and an ultrasonic type. The projected capacitive type has the feature that it can input multiple points, and is being put to practical use in smartphones and the like.
投影型静電容量方式のように、パネル面の全面にわたって電極が配置される構成のタッチパネルにおいては、透明性の導電性材料を用いて電極を構成することにより、タッチパネルを介して配置される表示画像の視認性を確保している。このようなタッチパネル用透明電極としては、主としてインジウムスズ酸化物(ITO)のような金属酸化物が用いられてきた。しかしながら、ITO等の金属酸化物は、光透過性には優れるものの導電性が十分ではなく、パネルの中央付近で電圧降下が起こりやすいため、タッチパネルの大型化が阻害される。また、抵抗値を低く抑えようとした場合、ある程度の厚さが必要となるため、投影型静電容量方式のように電極がパターンを有する場合、このパターンが視認され易くなり、結果として下地となる表示画像の視認性が低下する。 In the touch panel in which electrodes are arranged over the entire surface of the panel surface as in the projected capacitive method, the display is arranged via the touch panel by configuring the electrodes using a transparent conductive material. The visibility of the image is secured. As such a transparent electrode for a touch panel, a metal oxide such as indium tin oxide (ITO) has been mainly used. However, although metal oxides such as ITO are excellent in light transmittance, the conductivity is not sufficient, and a voltage drop tends to occur near the center of the panel. In addition, when the resistance value is to be kept low, a certain amount of thickness is required. Therefore, when the electrode has a pattern as in the projected capacitance method, this pattern is easily visible, and as a result, the base and The visibility of the displayed image becomes lower.
そこで近年においては、タッチパネル用透明電極として、ITOよりも導電性が高い金属ナノワイヤーを用いた構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, in recent years, a configuration using metal nanowires having higher conductivity than ITO has been proposed as a transparent electrode for a touch panel (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、金属ナノワイヤーを用いたタッチパネル用透明電極では、抵抗を下げるために金属ナノワイヤーの添加量を増加させると、金属ナノワイヤーの光散乱により下地となる表示画像の視認性が低下するという課題を有している。 However, in a transparent electrode for a touch panel using metal nanowires, if the amount of metal nanowires added is increased to reduce resistance, the visibility of the underlying display image decreases due to light scattering of the metal nanowires. have.
そこで、本発明は、十分な導電性と視認性とを兼ね備えたタッチパネル用透明電極、並びに、このタッチパネル用透明電極を用いることによって視認性の向上が図られたタッチパネル、及び、表示装置を提供する。 Therefore, the present invention provides a transparent electrode for a touch panel that has sufficient conductivity and visibility, a touch panel that is improved in visibility by using this transparent electrode for a touch panel, and a display device. .
本発明のタッチパネル用透明電極は、アルミニウムを50atm%以下含むAgAl層と、AgAl層に隣接して設けられた銀を主成分とする導電層とを備える。
本発明のタッチパネルは、上記タッチパネル用透明電極を備える。
また、本発明の表示装置は、上記タッチパネルと、このタッチパネルに重ねて配置された表示パネルとを備える。The transparent electrode for a touch panel of the present invention includes an AgAl layer containing 50 atm% or less of aluminum, and a conductive layer mainly composed of silver provided adjacent to the AgAl layer.
The touch panel of this invention is equipped with the said transparent electrode for touch panels.
Moreover, the display device of the present invention includes the touch panel and a display panel disposed on the touch panel.
本発明のタッチパネル用透明電極によれば、アルミニウムを50atm%以下含むAgAl層に隣接させて、銀を主成分とした導電層が設けられる。このAgAl層上に銀を主成分とする導電層を形成することにより、銀原子とAgAl層を構成する化合物との相互作用を得ることができ、銀の凝集が抑えられ、薄いながらも均一な厚さの導電層が得られる。
従って、銀を用いた透明電極において、導電性の向上と視認性の向上との両立が可能となる。また、この透明電極を用いて、導電性と視認性とに優れるタッチパネル及び表示装置を構成することができる。According to the transparent electrode for a touch panel of the present invention, a conductive layer mainly composed of silver is provided adjacent to an AgAl layer containing 50 atm% or less of aluminum. By forming a conductive layer mainly composed of silver on the AgAl layer, interaction between silver atoms and the compound constituting the AgAl layer can be obtained, and aggregation of silver is suppressed, and it is thin but uniform. A thick conductive layer is obtained.
Therefore, in the transparent electrode using silver, it becomes possible to achieve both improved conductivity and improved visibility. Moreover, the touchscreen and display apparatus which are excellent in electroconductivity and visibility can be comprised using this transparent electrode.
本発明によれば、導電性と視認性とを兼ね備えたタッチパネル用透明電極、タッチパネル及び表示装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a transparent electrode for a touch panel, a touch panel, and a display device that have both conductivity and visibility.
以下、本発明を実施するための最良の形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
1.タッチパネル用透明電極(第1実施形態)
2.タッチパネル用透明電極(第2実施形態)
3.タッチパネル用透明電極(第3実施形態)
4.タッチパネル(第4実施形態:2枚の透明基板を用いた構成)
5.タッチパネル(第5実施形態:透明基板の両面に導電層を設けた構成)
6.タッチパネル(第6実施形態:透明基板の片面に導電層を設けた構成)
7.表示装置(第7実施形態:タッチパネルを用いた構成)Examples of the best mode for carrying out the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following examples.
The description will be given in the following order.
1. Transparent electrode for touch panel (first embodiment)
2. Transparent electrode for touch panel (second embodiment)
3. Transparent electrode for touch panel (third embodiment)
4). Touch panel (fourth embodiment: configuration using two transparent substrates)
5. Touch panel (fifth embodiment: configuration in which conductive layers are provided on both sides of a transparent substrate)
6). Touch panel (sixth embodiment: configuration in which a conductive layer is provided on one side of a transparent substrate)
7). Display device (seventh embodiment: configuration using a touch panel)
〈1.タッチパネル用透明電極(第1実施形態)〉
本発明の第1実施形態について説明する。
図1に、第1実施形態のタッチパネル用透明電極の概略構成図(断面図)を示す。図1に示すように、タッチパネル用透明電極10は、AgAl層12と、導電層13とを備えて、透明基板11上に形成されている。タッチパネル用透明電極10は、AgAl層12の一方面上に隣接して導電層13が形成され、AgAl層12の他方面側に透明基板11を備える。<1. Transparent electrode for touch panel (first embodiment)>
A first embodiment of the present invention will be described.
In FIG. 1, the schematic block diagram (sectional drawing) of the transparent electrode for touchscreens of 1st Embodiment is shown. As shown in FIG. 1, the
以下に、本例のタッチパネル用透明電極10について、透明基板11、AgAl層12、及び導電層13の順に、詳細な構成を説明する。なお、本例のタッチパネル用透明電極10において、透明とは波長550nmでの光透過率が50%以上であることをいう。
Below, a detailed structure is demonstrated in order of the
[透明基板]
タッチパネル用透明電極10が形成される透明基板11は、表示パネルの前面板を兼ねるものであってもよい。このような透明基板11としては、例えば、ガラス、石英、透明樹脂フィルムが挙げられる。[Transparent substrate]
The
ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、タッチパネル用透明電極10との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理が行なわれ、或いは、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成される。
Examples of the glass include silica glass, soda-lime silica glass, lead glass, borosilicate glass, and alkali-free glass. The surface of these glass materials is subjected to physical treatment such as polishing as necessary from the viewpoint of adhesion to the
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル若しくはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)又はアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。 Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate ( CAP), cellulose esters such as cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, Cycloolefin resins such as polyether imide, polyether ketone imide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Apel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Is mentioned.
樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜及びハイブリッド被膜は、JIS−K−7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%RH)が0.01g/(m2・24時間)以下のバリア性フィルム(バリア膜等ともいう)であることが好ましい。さらに、JIS−K−7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が10−3ml/(m2・24時間・atm)以下、水蒸気透過度が10−5g/(m2・24時間)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。On the surface of the resin film, a film made of an inorganic material or an organic material or a hybrid film combining these films may be formed. Such coatings and hybrid coatings have a water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2% RH) measured by a method according to JIS-K-7129-1992 of 0.01 g / ( m 2 · 24 hours) or less of a barrier film (also referred to as a barrier film or the like) is preferable. Furthermore, the oxygen permeability measured by a method according to JIS-K-7126-1987 is 10 −3 ml / (m 2 · 24 hours · atm) or less, and the water vapor permeability is 10 −5 g / (m 2 · 24 hours) or less high barrier properties are preferred.
以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、樹脂フィルムの劣化をもたらす水分や酸素等素子の浸入を抑制する機能を有する材料を用いる。例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層(有機層)の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。 As a material for forming the barrier film as described above, a material having a function of suppressing intrusion of elements such as moisture and oxygen causing deterioration of the resin film is used. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Furthermore, in order to improve the brittleness of the barrier film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers (organic layers) made of an organic material. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.
バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。特に、特開2004−68143号公報に記載の大気圧プラズマ重合法を好ましく用いることができる。 The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma weighting. A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used. In particular, the atmospheric pressure plasma polymerization method described in JP-A-2004-68143 can be preferably used.
[AgAl層]
AgAl層12は、銀(Ag)とアルミニウム(Al)とを含み、Alを50atm%以下含んで構成されている。AgAl層12は、導電層13に隣接して形成された層である。導電層13と接してAgAl層12が形成されることにより、導電層13の主成分である銀と、AgAl層12を構成するAlとの相互作用により、AgAl層12表面における銀原子の拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。このため、一般的に、核成長型(Volumer-Weber:VW型)での成長により島状に孤立し易い薄銀層が、単層成長型(Frank-van der Merwe:FM型)の成長によって形成される。従って、AgAl層12に接して、銀を主成分とする導電層13を形成することにより、薄いながらも、均一な厚さの導電層13が得られる。[AgAl layer]
The
AgAl層12は、Alの含有量が50atm%を超えると、Alの含有量が多くなりすぎ、平坦性や均一性が低下する。Alは酸化しやすいため、Alの含有量が大きくなると、Alの酸化による影響がAgAl層12に支配的になる。具体的には、Alが酸化すると、Al酸化物の成長により、Al酸化物の凝集が発生し、AgAl層12に突起部や孔部が発生する。このため、AgAl層12の膜均一性が低下し、光散乱等が顕著になる。従って、Alの含有量が大きくなると、Alの酸化に起因するAgAl層12の形状変化による光学的な影響が支配的になり、AgAl層12の光学特性、特に光の透過性及び視認性が低下する。
In the
このため、Alの含有量は50atm%以下とすることが好ましい。また、Alの含有量は、Agを主成分とする導電層13の凝集抑制効果を発揮できる範囲において、少ない方が好ましい。例えば、Alの含有量を0.5atm%以上とすることが好ましい。
For this reason, the Al content is preferably 50 atm% or less. Further, the content of Al is preferably as small as possible within a range in which the aggregation suppressing effect of the
AgAl層12としては、AlとAg以外の金属が添加されていてもよい。これらの金属としては、例えば、マグネシウム(Mg)、銅(Cu)、インジウム(In)、イリジウム(Ir)、金(Au)、リチウム(Li)等が添加されていてもよい。
As the
また、AgAl層12は、タッチパネル用透明電極10の光透過性を阻害しない程度の厚さとし、例えば5nm以下とすることが好ましい。また、AgAl層12の厚さが大きいほど、導電層13の性質が向上し、タッチパネル用透明電極10の導電性がよくなる。このため、AgAl層12は、タッチパネル用透明電極10の導電性を確保できる程度の厚さが必要であり、例えばAgAl層12が0.5nm程度の厚さを有し、さらに連続膜であることが好ましい。
Further, the
なお、このようなAgAl層12の形成方法は特に限定されないが、例えば、蒸着法(EB、抵抗加熱)、及びスパッタ法を好ましく使用できる。
In addition, although the formation method of such an
[導電層]
導電層13は、銀を主成分として構成された層であって、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成され、AgAl層12に隣接して形成された層である。このような導電層13の形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法等)、スパッタ法、CVD法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。また、導電層13は、AgAl層12上に形成されることにより、形成後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、形成後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。[Conductive layer]
The
導電層13を構成する銀(Ag)を主成分とする合金は、一例として銀マグネシウム(AgMg)、銀銅(AgCu)、銀パラジウム(AgPd)、銀パラジウム銅(AgPdCu)、銀インジウム(AgIn)等が挙げられる。
As an example, an alloy mainly composed of silver (Ag) constituting the
以上のような導電層13は、銀又は銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。
The
さらに、タッチパネル用透明電極10の光透過性を阻害しないために、導電層13とAgAl層12との合計の厚さが、15nm以下となるように導電層13の厚さを設定することが好ましく、特に合計の厚さを12nm以下とすることが好ましい。導電層13とAgAl層12との合計の厚さが15nm以下では、層の吸収成分及び反射成分が低く抑えられ、タッチパネル用透明電極10の光透過率が維持されるため好ましい。さらに、導電層13とAgAl層12との合計の厚さを12nm以下とすることにより、タッチパネル用透明電極10の光透過性がさらに向上する。また、導電層13は、少なくとも厚さが3nm以上あれば、タッチパネル用透明電極10の導電性が確保される。
Furthermore, it is preferable to set the thickness of the
また、上述の導電層13及びAgAl層12は、電極パターンを有することが好ましい。導電層13及びAgAl層12の電極パターンとしては、例えば、マトリクス状に複数の電極パターンが形成されていることが好ましい。マトリクス状の電極パターンとしては、複数のx電極パターン又はy電極パターンを有し、各x電極パターン又はy電極パターンが、それぞれがx方向又はy方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置される。これらの各x電極パターン又はy電極パターンは、例えばx方向に配列されたひし形やその他の形状のパターン部分を、x方向又はy方向に直線状に連結した形状とすることができる。また、各x電極パターン、y電極パターンの端部に、導電層13及びAgAl層12からなる配線パターンが接続され、透明基板11上における周縁領域から端縁にこの配線パターンが引き出されていてもよい。
Moreover, it is preferable that the above-mentioned
また、タッチパネル用透明電極10は、x電極パターン又はy電極パターンのいずれか一方の電極パターンを有する構成としてもよく、x電極パターンとy電極パターンとの両方の電極パターンを有する構成としてもよい。さらに、電極パターンとしては、上記マトリクス状に限らず、他のパターンとしてもよい。
Moreover, the
[保護層]
上記AgAl層12、及び、AgAl層12に隣接して設けられた導電層13からなる積層構造のタッチパネル用透明電極10は、導電層13のAgAl層12と接していない側に、保護層を備えていてもよい。この場合、タッチパネル用透明電極10の光透過性を損なうことのないように、保護膜が光透過性を有することが好ましい。[Protective layer]
The
保護層は、タッチパネル用透明電極10の導電層13を覆う、板状又はフィルム状の部材や、導電層13を覆う無機材料、有機材料又は樹脂材料を用いて構成される。この保護層は、タッチパネル用透明電極10において少なくとも導電層13を覆う状態で設けられている。
The protective layer is configured using a plate-like or film-like member that covers the
保護層を構成する板状又はフィルム状の部材としては、上述の透明基板11と同様の部材を用いることができる。なかでも、タッチパネル用透明電極10を薄型化できることから、薄型の樹脂フィルムを好ましく使用することができる。
As a plate-like or film-like member constituting the protective layer, the same member as the above-described
さらに樹脂フィルムは、透明基板11と同様に、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。被膜は、JIS−K−7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/(m2・24h・atm)以下、JIS−K−7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m2・24h)以下であることが好ましい。Furthermore, as with the
また、無機材料、有機材料又は樹脂材料を用いて構成された保護膜としては、特に、水分や酸素等、導電層13やAgAl層12の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることが好ましい。このような材料として、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化炭化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜や、有機材料からなる膜を用いて積層構造としてもよい。また、保護層14には導電層13の腐食を防ぐ防腐剤を添加していてもよい。
Moreover, as a protective film comprised using an inorganic material, an organic material, or a resin material, it is a material which has a function which suppresses especially the penetration | invasion of the substance which brings about deterioration of the
これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。 The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
[タッチパネル用透明電極の効果]
以上のように構成されたタッチパネル用透明電極10は、AgAl層12に隣接させて、銀を主成分とした導電層13を設けた構成である。これにより、AgAl層12に隣接させて導電層13を形成する際には、導電層13を構成する銀原子がAgAl層12を構成するAlと相互作用し、銀原子のAgAl層12表面での拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。このため、一般的には核成長型(Volumer-Weber:VW型)での成長により島状に孤立し易い薄銀層が、単層成長型(Frank-van der Merwe:FM型)の成長によって形成されるようになる。したがって、薄いながらも、均一な厚さの導電層13が得られるようになる。[Effect of transparent electrode for touch panel]
The touch panel
以上の結果、この様なAgAl層12の上部に、薄く均一な厚さを有することで光透過性を確保しつつ、導電性を確保した導電層13が得られる。このため、銀を用いたタッチパネル用透明電極10における導電性を向上させ、さらに、光散乱を抑制して下地となる表示画像等の視認性を向上させることができる。
As a result of the above, the
〈2.タッチパネル用透明電極(第2実施形態)〉
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図2に、第2実施形態のタッチパネル用透明電極の概略構成図(断面図)を示す。図2に示すように、第2実施形態のタッチパネル用透明電極20は、高屈折率層24を備えることのみが、図1に示す第1実施形態のタッチパネル用透明電極10と異なる。以下、第1実施形態と同様の構成要素の重複する詳細な説明は省略し、第2実施形態のタッチパネル用透明電極の構成を説明する。<2. Transparent electrode for touch panel (second embodiment)>
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In FIG. 2, the schematic block diagram (sectional drawing) of the transparent electrode for touchscreens of 2nd Embodiment is shown. As shown in FIG. 2, the transparent electrode for
図2に示すように、タッチパネル用透明電極20は、高屈折率層24と、AgAl層12と、導電層13とを備えて、透明基板11上に形成されている。AgAl層12及び導電層13は、上述の第1実施形態と同様の構成である。また、タッチパネル用透明電極20は、高屈折率層24の一方面側にAgAl層12が形成されて、他方面側に透明基板11を備えている。導電層13はAgAl層12の一方面上に隣接して形成されている。
As shown in FIG. 2, the
[高屈折率層]
高屈折率層24は、波長550nmにおける屈折率(n)が2.0以上の層である。高屈折率層24は、導電層13との間にAgAl層12を挟持して設けられ、金属酸化物で構成された層である。このような高屈折率層24には金属酸化物が用いられ、例えば、二酸化チタン(TiO2:n=2.3〜2.4)、酸化ジルコニウム(ZrO2:n=2.4)、酸化カドミウム(CdO:n=2.49)、酸化インジウムスズ(ITO:n=2.1〜2.2)、酸化ハフニウム(HfO2:n=2.1)、五酸化タンタル(Ta2O5:n=2.16)、酸化ニオブ(Nb2O5:n=2.2〜2.4)、酸化セリウム(CeO2:n=2.2)等の光学フィルムに一般的に用いられる高屈折率材料が用いられる。[High refractive index layer]
The high
[低屈折率層]
また、タッチパネル用透明電極20は、高屈折率層24に接して低屈折率層(図示省略)を有していてもよい。図2に示す構成では、高屈折率層24のAgAl層12が形成されている面と反対側の面、つまり、透明基板11と高屈折率層24との間に低屈折率層を有していてもよい。高屈折率層24に接して低屈折率層を有することにより、タッチパネル用透明電極20の光透過性がさらに向上する。[Low refractive index layer]
The touch panel
低屈折率層は、高屈折率層よりも、低い屈折率を有する層である。さらに、波長550nmにおける屈折率が、高屈折率層よりも0.1以上低いことが好ましく、高屈折率層よりも0.3以上低いことが特に好ましい。このような低屈折率層は、低い屈折率と光透過性とを有する材料で構成される。例えば、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ化アルミニウム(AlF3)等の光学フィルムに一般的に用いられる低屈折率材料が用いられる。The low refractive index layer is a layer having a lower refractive index than the high refractive index layer. Furthermore, the refractive index at a wavelength of 550 nm is preferably 0.1 or more lower than the high refractive index layer, and particularly preferably 0.3 or lower than the high refractive index layer. Such a low refractive index layer is made of a material having a low refractive index and light transmittance. For example, a low refractive index material generally used for optical films such as magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium fluoride (LiF), calcium fluoride (CaF 2 ), and aluminum fluoride (AlF 3 ) is used.
[タッチパネル用透明電極の効果]
タッチパネル用透明電極20は、AgAl層12及び導電層13に加え、高屈折率層24を有する。このため、タッチパネル用透明電極20は、上述の第1実施形態のタッチパネル用透明電極の有する効果に加えて、銀を主成分とする導電層13で生じる反射が抑制され、タッチパネル用透明電極20における光散乱がさらに抑制され、視認性をさらに向上させることができる。[Effect of transparent electrode for touch panel]
The touch panel
〈3.タッチパネル用透明電極(第3実施形態)〉
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図3に、第3実施形態のタッチパネル用透明電極の概略構成図(断面図)を示す。図3に示すように、第3実施形態のタッチパネル用透明電極30は、第1高屈折率層35と、第2高屈折率層34とを備えることのみが、図1に示す第1実施形態のタッチパネル用透明電極10と異なる。以下、第1実施形態及び第2実施形態と同様の構成要素の重複する詳細な説明は省略し、第3実施形態のタッチパネル用透明電極の構成を説明する。<3. Transparent electrode for touch panel (third embodiment)>
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
In FIG. 3, the schematic block diagram (sectional drawing) of the transparent electrode for touchscreens of 3rd Embodiment is shown. As shown in FIG. 3, the
図3に示すように、タッチパネル用透明電極30は、第2高屈折率層34、AgAl層12、導電層13、及び、第1高屈折率層35をこの順に備えて、透明基板11上に形成されている。AgAl層12及び導電層13は、上述の第1実施形態と同様の構成である。
As shown in FIG. 3, the
タッチパネル用透明電極30は、AgAl層12の一方面上に隣接して導電層13が形成され、AgAl層12の他方面側に第2高屈折率層34を有している。さらに、導電層13において、AgAl層12と接していない面側に、第1高屈折率層35を有する。また、第2高屈折率層34において、AgAl層12と接していない面側に、透明基板11を備えている。
The
このように、タッチパネル用透明電極30は、AgAl層12と導電層13とが、第1高屈折率層35及び第2高屈折率層34からなる2層の高屈折率層により挟まれた構成である。
第1高屈折率層35及び第2高屈折率層34は、ともに波長550nmにおける屈折率が2.0以上の層である。このような第1高屈折率層35及び第2高屈折率層34としては、上述の第2実施形態のタッチパネル用透明電極における高屈折率層と同じ材料が使用できる。Thus, the
Both the first high
また、タッチパネル用透明電極30は、第1高屈折率層35及び第2高屈折率層34に接して低屈折率層を備えていてもよい。低屈折率層は、第1高屈折率層35及び第2高屈折率層34の外側に形成されていることが好ましい。例えば、図3に示すタッチパネル用透明電極30では、第1高屈折率層35の上部や、第2高屈折率層34と透明基板11との間に形成されていることが好ましい。
The touch panel
[タッチパネル用透明電極の効果]
タッチパネル用透明電極30は、AgAl層12及び導電層13が、第2高屈折率層34及び第1高屈折率層35に挟まれた構成を有する。このため、タッチパネル用透明電極30は、上述の第1実施形態及び第2実施形態のタッチパネル用透明電極の有する効果に加えて、タッチパネル用透明電極を透過する光の散乱、つまり、タッチパネル用透明電極における入射側の光と射出側の光の両方において光散乱を抑制することができる。このため、タッチパネル用透明電極30の光透過率を向上させることができ、視認性を向上させることができる。[Effect of transparent electrode for touch panel]
The touch panel
〈4.タッチパネル(第4実施形態:2枚の透明基板を用いた構成)〉
次に、本発明の第4実施形態について説明する。第4実施形態は、上述の第3実施形態のタッチパネル用透明電極を用いたタッチパネルについて説明する。図4〜7に、本実施形態のタッチパネルの概略構成を示す。<4. Touch panel (fourth embodiment: configuration using two transparent substrates)>
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. 4th Embodiment demonstrates the touchscreen using the transparent electrode for touchscreens of the above-mentioned 3rd Embodiment. 4 to 7 show a schematic configuration of the touch panel of the present embodiment.
図4は、本実施形態のタッチパネルの概略構成を示す斜視図である。また、図5は、本実施形態のタッチパネルに用いられる、2枚のタッチパネル用透明電極の電極構成を示す平面図である。図6は、図4及び図5に示すタッチパネルの電極部分の平面配置を示す模式図である。そして、図7は、図6に示すA−A断面に相当する、本実施形態のタッチパネルの断面模式図である。
なお、本実施形態のタッチパネルは、第1タッチパネル用透明電極と第2タッチパネル用透明電極との、2つのタッチパネル用透明電極を用いる構成について説明する。FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of the touch panel of the present embodiment. FIG. 5 is a plan view showing an electrode configuration of two transparent electrodes for a touch panel used in the touch panel of the present embodiment. FIG. 6 is a schematic diagram showing a planar arrangement of electrode portions of the touch panel shown in FIGS. 4 and 5. 7 is a schematic cross-sectional view of the touch panel of the present embodiment, corresponding to the AA cross-section shown in FIG.
In addition, the touch panel of this embodiment demonstrates the structure using two transparent electrodes for touch panels, the transparent electrode for 1st touch panels, and the transparent electrode for 2nd touch panels.
[タッチパネルの構成]
図4に示すタッチパネル40は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル40は、第1基板43、第1タッチパネル用透明電極41、第2基板45、及び、第2タッチパネル用透明電極42がこの順に配置され、この上部が前面板47で覆われている。第1タッチパネル用透明電極41、及び、第2タッチパネル用透明電極42は、上述の図3を用いて説明した第3実施形態のタッチパネル用透明電極30の構成である。従って、第1タッチパネル用透明電極41、及び、第2タッチパネル用透明電極42は、AgAl層、導電層、及び、高屈折率層が積層された構成である。[Configuration of touch panel]
A
以下、タッチパネル40を構成する主要各層の詳細を説明する。なお、以下の説明は、図4及び図5と共に、図6の電極部分の平面模式図を用いて行う。また、図4〜6においては、第1タッチパネル用透明電極41及び第2タッチパネル用透明電極42の構成は、第1導電層44及び第2導電層46のみを示し、他のAgAl層や高屈折率層の構成については図示を省略している。
Hereinafter, details of each main layer constituting the
[第1基板、第2基板]
第1基板43及び第2基板45は、上述のタッチパネル用透明電極の実施形態において説明した透明基板と同様の構成である。[First substrate, second substrate]
The 1st board |
[第1導電層]
第1導電層44は、上述のタッチパネル用透明電極の実施形態で説明した導電層であり、AgAl層上においてパターニングされた複数のx電極パターンx1,x2,・・・として構成されている。各x電極パターンx1,x2,・・・は、それぞれがx方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各x電極パターンx1,x2,・・・は、例えばx方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてx方向に直線状に連結した形状であることとする。[First conductive layer]
The first
また、各x電極パターンx1,x2,・・・には、それぞれの端部にx配線49xが接続されている。これらのx配線49xは、第1基板43上における周縁領域において配線され、第1基板43の端縁に引き出されている。このような各x配線49xは、x電極パターンx1,x2,・・・と同様に、銀を主成分とする第1導電層44として構成されたものであってもよいし、別途形成した導電層で構成されたものであってもよい。
Moreover,
[第2導電層]
第2導電層46は、上述のタッチパネル用透明電極の実施形態で説明した導電層であり、AgAl層上においてパターニングされた複数のy電極パターンy1,y2,・・・として構成されている。各y電極パターンy1,y2,・・・は、それぞれがx電極パターンx1,x2,・・・と直交するy方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各y電極パターンy1,y2,・・・は、例えばy方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてy方向に直線状に連結した形状であることとする。[Second conductive layer]
The second
ここで、図6に示すように、各y電極パターンy1,y2,・・・を構成するひし形のパターン部分は、x電極パターンx1,x2,・・・を形成するひし形のパターン部分に対して、平面視的に重ならない位置に配置され、重ならない範囲でできるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、第2基板45の中央部の領域においては、第1導電層44で構成されたx電極パターンx1,x2,・・・、及び、第2導電層46で構成されたy電極パターンy1,y2,・・・が視認され難い構成となっている。
Here, as shown in FIG. 6, the rhombus pattern portions constituting the y electrode patterns y1, y2,... Are in contrast to the rhombus pattern portions forming the x electrode patterns x1, x2,. It is arranged at a position that does not overlap in plan view, and has a shape that occupies as large a range as possible without overlapping. Thus, in the central region of the
各y電極パターンy1,y2,・・・は、ひし形の電極パターンの連結部分においてのみ、各x電極パターンx1,x2,・・・と積層される。これらの積層部分には、第2基板45等が挟持されるため、x電極パターンx1,x2,・・・とy電極パターンy1,y2,・・・との絶縁性が確保される。
Each of the y electrode patterns y1, y2,... Is stacked with each of the x electrode patterns x1, x2,. Since the
また、各y電極パターンy1,y2,・・・には、それぞれの端部にy配線49yが接続されている。これらのy配線49yは、第2基板45上における周縁領域において配線され、x配線49xと並ぶように第2基板45の端縁に引き出されている。このような各y配線49yは、y電極パターンy1,y2,・・・と同様に、銀を主成分とする第2導電層46として構成されたものであってもよいし、別途形成した導電層で構成されたものであってもよい。
Moreover,
尚、第1基板43又は第2基板45の端縁に引き出された、x配線49x及びy配線49yにはフレキシブルプリント基板などが接続される構成となっている。
A flexible printed circuit board or the like is connected to the
[前面板]
図4に示す前面板47は、タッチパネル40において入力位置に対応する部分が押圧される板材である。このような前面板47は、第1基板43及び第2基板45と同様に光透過性を有する板材が用いられる。また、この前面板47は、必要に応じて光学特性を備えた材料を選択して用いてもよい。このような前面板47は、例えば接着層(図示省略)等によって第2タッチパネル用透明電極42側に張り合わせられている。[Front plate]
The
また、この前面板47には、第1基板43及び第2基板45の周縁を覆う遮光膜が設けられ、x電極パターンx1,x2,・・・から引き出されたx配線49x、及び、y電極パターンy1,y2,・・・から引き出されたy配線49yが、前面板47側から視認されることを防いでいる。
Further, the
[タッチパネルの動作]
以上のようなタッチパネル40を動作させる場合、x配線49x及びy配線49yに接続させたフレキシブルプリント基板等から、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・に対して電圧を印加する。電圧を印加した状態で、前面板47の表面に指又はタッチペンが触れると、タッチパネル40内に存在する各部の容量が変化し、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・の電圧の変化となって現れる。この変化は、指又はタッチペンが触れた位置からの距離によって異なり、指又はタッチペンが触れた位置で最も大きくなる。このため、電圧の変化が最大となる、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・で指定された位置が、指又はタッチペンが触れた位置として検出される。[Touch panel operation]
When operating the
[タッチパネル用透明電極]
次に、図7に、図4〜6に示すタッチパネル40の断面構成、特に、図6に示すA−A断面に相当する断面模式図を示す。図7は、上述の第3実施形態のタッチパネル用透明電極の構成を適用したタッチパネルの構成である。また、図8は、図7に示すタッチパネルの変形例である。[Transparent electrode for touch panel]
Next, FIG. 7 shows a schematic cross-sectional view corresponding to the cross-sectional configuration of the
図7に示すように、タッチパネル40は、第1基板43、第1タッチパネル用透明電極41、第2基板45、第2タッチパネル用透明電極42、及び、前面板47がこの順に積層された構成である。第1タッチパネル用透明電極41は、第2高屈折率層53、第1AgAl層51、第1導電層44、及び、第4高屈折率層55がこの順に積層された構成である。また、第2タッチパネル用透明電極42は、第3高屈折率層56、第2AgAl層52、第2導電層46、及び、第1高屈折率層54がこの順に積層された構成である。
As shown in FIG. 7, the
また、タッチパネル40において、第1タッチパネル用透明電極41と第2タッチパネル用透明電極42とは、第1基板43及び第2基板45に対して、第1導電層44及び第2導電層46が同じ面方向となるように積層されている。そして、第1タッチパネル用透明電極41の第4高屈折率層55上に、第2タッチパネル用透明電極42が設けられた第2基板45を積層した構成である。
In the
[第1AgAl層、第2AgAl層]
第1AgAl層51、及び、第2AgAl層52は、上述のタッチパネル用透明電極の実施形態において説明したAgAl層と同様の構成である。なお、図7では、第2AgAl層52が第2導電層46と同じ電極パターンに形成されている例を示しているが、第1AgAl層51においても、第1導電層44と同じ電極パターンに形成されている。[First AgAl layer, second AgAl layer]
The
[第1〜4高屈折率層]
第2高屈折率層53、第1高屈折率層54、第4高屈折率層55、及び、第3高屈折率層56は、上述のタッチパネル用透明電極の実施形態において説明した高屈折率層と同様の構成である。[First to fourth high refractive index layers]
The second high-
[タッチパネルの効果]
以上のようなタッチパネル40は、上述の第3実施形態において説明したタッチパネル用透明電極を2層備えて構成されている。このため、第1AgAl層51又は第2AgAl層52に隣接させて、銀を主成分とした第1導電層44又は第2導電層46が設けられる構成である。従って、銀原子とAl原子との相互作用により、銀の拡散距離が減少し、単層成長型(Frank-van der Merwe:FM型)の成長によって、第1導電層44及び第2導電層46が形成される。
この結果、第1AgAl層51又は第2AgAl層52上に、薄く均一な厚さを有することで光透過性を確保しつつ、導電性を確保した第1導電層44及び第2導電層46が得られる。このため、タッチパネルにおいて、光透過性と共に充分な導電性を備え、下地の表示画像の視認性を良好に保ちつつ、導電性フィルムを大型化した際の電圧降下を抑えることができる。[Effect of touch panel]
The
As a result, on the
特に、このタッチパネル40は、x電極パターンx1,x2,・・・及びこれに直交して配置されたy電極パターンy1,y2,・・・を有する投影型静電容量式である。このため、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・には、高い導電性が要求される。本例のタッチパネルでは、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・が、銀を主成分とする透明導電層であるため、導電性を維持しつつ薄膜化が可能である。従って、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・自体が視認され難くなり、タッチパネル40を介した表示画像の視認性の劣化も防止できる。
In particular, the
[タッチパネルの変形例]
次に、第4実施形態のタッチパネルの変形例について説明する。図8に、第4実施形態のタッチパネルの変形例の断面構成、特に、図6に示すA−A断面に相当する断面模式図を示す。[Modification of touch panel]
Next, a modification of the touch panel according to the fourth embodiment will be described. FIG. 8 shows a cross-sectional configuration of a modified example of the touch panel of the fourth embodiment, in particular, a schematic cross-sectional view corresponding to the AA cross section shown in FIG.
図8に示す変形例のタッチパネル40Aは、第1基板43、第1タッチパネル用透明電極41A、第2基板45、第2タッチパネル用透明電極42A、及び、前面板47がこの順に積層された構成である。第1タッチパネル用透明電極41Aは、第2高屈折率層53、第1AgAl層51、及び、第1導電層44がこの順に積層された構成である。また、第2タッチパネル用透明電極42Aは、第2AgAl層52、第2導電層46、及び、第1高屈折率層54がこの順に積層された構成である。
つまり、図8に示す変形例のタッチパネル40Aは、図7に示すタッチパネル40の構成から、第4高屈折率層55と第3高屈折率層56とを除いた構成である。The
That is, the
また、タッチパネル40Aにおいて、第1タッチパネル用透明電極41Aと第2タッチパネル用透明電極42Aとは、第1基板43及び第2基板45に対して、第1導電層44及び第2導電層46が同じ方向となるように積層されている。そして、第1タッチパネル用透明電極41Aの第1導電層44上に、第2タッチパネル用透明電極42が設けられた第2基板45を積層した構成である。
In the
第1タッチパネル用透明電極41Aは、上述の第2実施形態として説明した図2に示すタッチパネル用透明電極20と同様の構成である。
第2タッチパネル用透明電極42Aは、上述の第1実施形態において説明した図1に示すタッチパネル用透明電極10において、導電層13上に高屈折率層を設けた構成である。或いは、第2タッチパネル用透明電極42Aは、上述の第3実施形態において説明した図3に示すタッチパネル用透明電極30において、透明基板11とAgAl層12との間に形成された第2高屈折率層34を除いた構成である。41 A of transparent electrodes for 1st touch panels are the structures similar to the
42 A of transparent electrodes for 2nd touch panels are the structures which provided the high refractive index layer on the
[タッチパネルの効果]
以上のような変形例のタッチパネル40Aにおいても、上述の実施形態において説明したタッチパネル用透明電極を2層備えて構成されている。このため、光透過性と共に充分な導電性を備え、下地の表示画像の視認性を良好に保ちつつ、導電性フィルムを大型化した際の電圧降下を抑えることができる。[Effect of touch panel]
The
さらに、タッチパネル40Aにおいても、第1AgAl層51から第2導電層46までの構成が、第1高屈折率層54と第2高屈折率層53に挟まれた構成となる。このため、このタッチパネル40Aの下地となる表示画像等からの光の入射面と射出面との両方に、高屈折率層が設けられた構成となる。このため、タッチパネル40Aの光透過率を向上させることができ、光散乱を抑制して下地となる表示画像等の視認性を向上させることができる。
Further, in the
〈5.タッチパネル(第5実施形態:透明基板の両面に導電層を設けた構成)〉
次に、本発明の第5実施形態について説明する。第5実施形態は、上述の第3実施形態のタッチパネル用透明電極30を用いたタッチパネルについて説明する。図9に、本実施形態のタッチパネルの構成を示す。
図9は、図6に示すA−A断面に相当する、本実施形態のタッチパネルの断面模式図である。なお、第5実施形態においても、タッチパネルの概略構成、タッチパネル用透明電極の電極構成、及び、タッチパネルの電極部分の平面配置については、図4〜6に示す構成と同様である。<5. Touch panel (fifth embodiment: configuration in which conductive layers are provided on both surfaces of a transparent substrate)>
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. 5th Embodiment demonstrates the touchscreen using the
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the touch panel of the present embodiment, corresponding to the AA cross-section shown in FIG. In addition, also in 5th Embodiment, about the schematic structure of a touch panel, the electrode structure of the transparent electrode for touch panels, and the planar arrangement | positioning of the electrode part of a touch panel, it is the same as that of the structure shown to FIGS.
[タッチパネルの構成]
図9に示すように、本実施形態のタッチパネル50は、基板57の両面に第1タッチパネル用透明電極41と第2タッチパネル用透明電極42とが設けられた構成であり、それ以外の構成は上述の実施形態と同様である。このため、上述の実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。[Configuration of touch panel]
As shown in FIG. 9, the
第1タッチパネル用透明電極41は、基板57側から、第2高屈折率層53、第1AgAl層51、第1導電層44、及び、第4高屈折率層55がこの順に積層された構成である。
第2タッチパネル用透明電極42は、基板57側から、第3高屈折率層56、第2AgAl層52、第2導電層46、及び、第1高屈折率層54がこの順に積層された構成である。
また、タッチパネル50において、第1タッチパネル用透明電極41と第2タッチパネル用透明電極42とは、基板57に対して、第1導電層44と第2導電層46とがそれぞれ異なる方向となるように積層されている。The
The
Further, in the
基板57は、上述のタッチパネル用透明電極の実施形態で説明した基板と同様の構成とすることができる。また、第1タッチパネル用透明電極41及び第2タッチパネル用透明電極42を構成する上記各層は、上述の第4実施形態のタッチパネルと同様の構成である。
The board |
さらに、第1導電層44及び第2導電層46の構成も、上述の第4実施形態のタッチパネルと同様であり、第1導電層44で構成されたx電極パターンx1,x2,・・・、及び第2導電層46で構成されたy電極パターンy1,y2,・・・が視認され難いパターン構成及び配置構成となっている。
Further, the configurations of the first
[タッチパネルの効果]
以上のようなタッチパネル50は、上述の第3実施形態において説明したタッチパネル用透明電極を2層備えて構成されている。このため、上述の第4実施形態のタッチパネルと同様の効果を有し、光透過性と共に充分な導電性を備え、下地の表示画像の視認性を良好に保ちつつ、導電性フィルムを大型化した際の電圧降下を抑えることができる。[Effect of touch panel]
The
[タッチパネルの変形例]
次に、第5実施形態のタッチパネルの変形例について説明する。図10に、第5実施形態のタッチパネルの変形例の断面構成、特に、図6に示すA−A断面に相当する断面模式図を示す。[Modification of touch panel]
Next, a modification of the touch panel according to the fifth embodiment will be described. FIG. 10 shows a cross-sectional configuration of a modified example of the touch panel of the fifth embodiment, in particular, a schematic cross-sectional view corresponding to the AA cross section shown in FIG.
図10に示す変形例のタッチパネル50Aは、第1タッチパネル用透明電極41A、基板57、第2タッチパネル用透明電極42A、及び、前面板47がこの順に積層された構成である。また、タッチパネル50Aにおいて、第1タッチパネル用透明電極41Aと第2タッチパネル用透明電極42Aとは、基板57のそれぞれの主面上に、第1AgAl層51又は第2AgAl層52が形成された構成である。つまり、図10に示す変形例のタッチパネル50Aは、図9に示すタッチパネル50の構成から、第2高屈折率層53と第3高屈折率層56とを除いた構成である。
The
第1タッチパネル用透明電極41Aは、基板57側から、第1AgAl層51、第1導電層44、及び、第4高屈折率層55がこの順に積層された構成である。また、第2タッチパネル用透明電極42Aは、第2AgAl層52、第2導電層46、及び、第1高屈折率層54がこの順に積層された構成である。
The
このように、第1タッチパネル用透明電極41A、及び、第2タッチパネル用透明電極42Aは、上述の第1実施形態において説明した図1に示すタッチパネル用透明電極10において、導電層13上に高屈折率層を設けた構成である。或いは、上述の第3実施形態において説明した図3に示すタッチパネル用透明電極30において、透明基板11とAgAl層12との間に形成された第2高屈折率層34を除いた構成である。
As described above, the first touch panel
[タッチパネルの効果]
以上のような変形例のタッチパネル50Aにおいても、上述の実施形態において説明したタッチパネル用透明電極を2層備えて構成されている。このため、光透過性と共に充分な導電性を備え、下地の表示画像の視認性を良好に保ちつつ、導電性フィルムを大型化した際の電圧降下を抑えることができる。[Effect of touch panel]
The
さらに、タッチパネル50Aにおいても、第1導電層44から第2導電層46までの構成が、第1高屈折率層54と第4高屈折率層55とに挟まれた構成となる。このため、このタッチパネル50Aの下地となる表示画像等からの光の入射面と射出面との両方に、高屈折率層が設けられた構成となる。このため、タッチパネル50Aの光透過率を向上させることができ、光散乱を抑制して下地となる表示画像等の視認性を向上させることができる。
Further, in the
〈6.タッチパネル(第6実施形態:透明基板の片面に導電層を設けた構成)〉
次に、本発明の第6実施形態について説明する。第6実施形態は、上述の第3実施形態のタッチパネル用透明電極30を用いたタッチパネルについて説明する。図11〜13に、本実施形態のタッチパネルの構成を示す。なお、本例のタッチパネルでは、1層のタッチパネル用透明電極を用いる構成について説明する。<6. Touch panel (sixth embodiment: configuration in which a conductive layer is provided on one side of a transparent substrate)>
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described. 6th Embodiment demonstrates the touchscreen using the
[タッチパネルの構成]
図11は、本実施形態のタッチパネルに用いられる、タッチパネル用透明電極の電極構成、及び、電極部分の平面配置を示す平面図である。図12は、タッチパネル用透明電極の電極部分の拡大図である。また、図13は、図11及び図12に示すB−B断面に相当する、本実施形態のタッチパネルの断面模式図である。
なお、第6実施形態のタッチパネルの構成は、図4に示すタッチパネルの構成において、使用するタッチパネル用透明電極を1層とすることを除き同様の構成である。このため、上述の実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。[Configuration of touch panel]
FIG. 11 is a plan view showing an electrode configuration of a transparent electrode for a touch panel used in the touch panel of the present embodiment and a planar arrangement of electrode portions. FIG. 12 is an enlarged view of an electrode portion of the transparent electrode for a touch panel. FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of the touch panel of the present embodiment, corresponding to the BB cross section shown in FIGS. 11 and 12.
The configuration of the touch panel of the sixth embodiment is the same as that of the touch panel configuration shown in FIG. 4 except that the touch panel transparent electrode to be used is a single layer. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel of the above-mentioned embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
図11に示すタッチパネル60は、基板61の同一平面上に、y電極パターンy1,y2,・・・を有する第1導電層62と、x電極パターンx1,x2,・・・を有する第2導電層63とを有する構成である。なお、図11では、基板61上に形成される第1導電層62及び第2導電層63のみを示し、他のAgAl層や高屈折率層の構成については図示を省略している。
The
すなわち、タッチパネル60は、図13に示すように、基板61と、基板61上に順に積層された、第2高屈折率層67、AgAl層66、第1導電層62、第2導電層63、層間絶縁膜65、接続電極64及び第1高屈折率層68と、前面板47とを備える。
第1導電層62と第2導電層63とは、同一層に形成されている。また、第1導電層62及び第2導電層63は、第1導電層62及び第2導電層63と同じパターンに形成されたAgAl層66上に隣接して形成されている。That is, as shown in FIG. 13, the
The first
また、第1導電層62及び第2導電層63は、互いに絶縁状態を保って設けられたx電極パターンx1,x2,・・・とy電極パターンy1,y2,・・・とを有する。
x電極パターンは、間隔を保ってマトリクス状に配列されたひし形パターンと、このひし形パターンの頂点付近から直線状にx方向に設けられ、隣接するひし形パターン同士をx方向に接続する連結部を有している。The first
The x electrode pattern has a rhombus pattern arranged in a matrix at intervals and a connecting portion that is provided in the x direction linearly from the vicinity of the apex of the rhombus pattern and connects adjacent rhombus patterns in the x direction. doing.
y電極パターンは、マトリクス状に配列されたひし形パターンと、このひし形パターンの頂点付近から直線状にy方向に設けられ、隣接するひし形パターン同士をy方向に接続する連結部とを有している。このy方向の連結部は、層間絶縁膜65を介してx方向の連結部上に設けられた接続電極64から構成されている。層間絶縁膜65は、第2導電層63のx方向の連結部上を覆う位置に設けられている。そして、この接続電極64の端部が、ひし形パターンの頂点付近に接続されて、第1導電層62によるy電極パターンが構成されている。
The y electrode pattern has a rhombus pattern arranged in a matrix and a connecting portion that is provided in the y direction linearly from the vicinity of the apex of the rhombus pattern and connects adjacent rhombus patterns in the y direction. . The connecting portion in the y direction is composed of a
[基板等]
基板61、AgAl層66、第1高屈折率層68、及び、第2高屈折率層67は、それぞれ上述のタッチパネル用透明電極の実施形態で説明した各構成と同様の構成とすることができる。また、AgAl層66は、一例として、第1導電層62及び第2導電層63と同一形状にパターニングされているが、x電極パターンとy電極パターンとの絶縁を確保できる構成であれば他のパターンとすることもできる。[Substrate]
The
[第1導電層、第2導電層]
第1導電層62及び第2導電層63は、上述のタッチパネル用透明電極の実施形態で説明した導電層であり、AgAl層66上においてパターニングされた複数のx電極パターンx1,x2,・・・と複数のy電極パターンy1,y2,・・・とを有して構成されている。[First conductive layer, second conductive layer]
The first
y電極パターンは、x電極パターンx1,x2,・・・と重なることなく絶縁状態を保てる程度の間隔を有して配置される。これにより、x電極パターンx1,x2,・・・とy電極パターンy1,y2,・・・とは、絶縁性が確保された状態となっている。またy電極パターンは、x電極パターンx1,x2,・・・と絶縁状態を保てる程度の間隔を有する範囲内で、できるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、基板61の中央部の領域においては、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・が視認され難い構成となっている。 The y electrode patterns are arranged with an interval sufficient to maintain an insulating state without overlapping with the x electrode patterns x1, x2,. Accordingly, the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,. In addition, the y electrode pattern has a shape that occupies as large a range as possible within a range having an interval sufficient to maintain an insulation state with the x electrode patterns x1, x2,. Thus, the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,.
また、各x電極パターンx1,x2,・・・及び各y電極パターンy1,y2,・・・には、上述のタッチパネルの各実施形態と同様に、それぞれの端部にx配線69x又はy配線69yが接続されている。
In addition, each x electrode pattern x1, x2,... And each y electrode pattern y1, y2,... Has an
[層間絶縁膜、接続電極]
接続電極64は、各y電極パターンを構成する、例えばひし形のy電極パターンの頂点付近においてy方向に直線状に連結する。接続電極64は、x電極パターンx1,x2,・・・のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。これらの交差部分において、層間絶縁膜65がx電極パターンx1,x2,・・・のひし形のパターンを連結する部分を覆い、接続電極64はx電極パターンx1,x2,・・・上に層間絶縁膜65を介して積層されている。従って、x電極パターンx1,x2,・・・とy電極パターンy1,y2,・・・との絶縁性が確保された状態となっている。なお、接続電極64には、銀等の一般的な電極材料、又はITO等の光透過性を有する電極材料を用いればよい。タッチパネル60を介した下地の表示画像の視認性の観点から、好ましくは、第1導電層62及び第2導電層63と同様に、Agを主成分として光透過性を有する電極材料を用いる。[Interlayer insulation film, connection electrode]
The
なお、本例では、接続電極64が第1導電層62及び第2導電層63の上層に設けられた例を説明したが、接続電極64は第1導電層62及び第2導電層63の下層に設けられてもよい。この際、接続電極64は、上述の例と同様に、x電極パターンx1,x2,・・・のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。これらの交差部分において、接続電極64とx電極パターンx1,x2,・・・のひし形のパターンを連結する部分との間には、少なくとも層間絶縁層が挟持される。従って、接続電極64が第1導電層62及び第2導電層63の下層に設けられた例においても、上述の例と同様に、x電極パターンx1,x2,・・・とy電極パターンy1,y2,・・・との絶縁性が確保されている。
In this example, the example in which the
[タッチパネルの効果]
上述のタッチパネル60は、光透過性と共に充分な導電性を備えた上述の第3実施形態において説明したタッチパネル用透明電極を用いたことにより、上述の実施形態のタッチパネルと同様に大型化が可能であり、タッチパネル60を介した表示画像の視認性の劣化を防止できる。[Effect of touch panel]
The
なお、本発明のタッチパネルは、上述した実施形態及び変形例の構成に限定されることはなく、タッチパネル用透明電極を用いた構成であれば、広く適用可能である。例えば、投影型静電容量式のタッチパネルであれば、x電極パターンx1,x2,・・・、及びこれらに直交して配置されたy電極パターンy1,y2,・・・が、絶縁性を保って配置されればよく、パターン形状が限定されることはない。また、タッチパネルは、べた膜状の導電層を備えた2枚のタッチパネル用透明電極を、スペーサを挟んで配置した抵抗膜式のものであってもよく、表面型静電容量式であってもよい。 In addition, the touch panel of this invention is not limited to the structure of embodiment mentioned above and a modified example, If it is a structure using the transparent electrode for touch panels, it can apply widely. For example, in the case of a projected capacitive touch panel, the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,. The pattern shape is not limited. In addition, the touch panel may be a resistance film type in which two transparent electrodes for a touch panel having a solid film-like conductive layer are arranged with a spacer interposed therebetween, or may be a surface type capacitive type. Good.
〈7.表示装置(第7実施形態:タッチパネルを用いた構成)〉
次に、本発明の第7実施形態について説明する。第7実施形態は、上述の実施形態のタッチパネルを用いた表示装置について説明する。図14に、本実施形態の表示装置の構成の斜視図を示す。<7. Display Device (Seventh Embodiment: Configuration Using Touch Panel)>
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described. 7th Embodiment demonstrates the display apparatus using the touchscreen of the above-mentioned embodiment. FIG. 14 is a perspective view of the configuration of the display device of this embodiment.
[タッチパネルを用いた構成]
図14に示す表示装置70は、表示パネル72における表示面上に、タッチパネル71を設けた情報入力機能付きの表示装置である。表示装置70のタッチパネル71には、上述の実施形態及び変形例のタッチパネルを適用することができる。[Configuration using touch panel]
A
表示パネル72は、特に限定されるものではないが、例えば、液晶表示パネル、有機電界発光素子を用いた表示パネル等の平面型の表示パネルや、CRT(Cathode Ray Tube)ディスプレイを用いることができる。また、表示パネル72は、動画を表示する表示パネルに限定されることはなく、静止画用の表示パネルであってもよい。
The
表示パネル72では、画像の表示面上に表示面を覆う状態でタッチパネル71が重ねて配置されている。また、タッチパネル71と表示パネル72とは、必要に応じてさらに枠状のケース部材73に収容されている。さらに、ケース部材73にさらに透明板材からなる前面板が設けられていてもよい。
In the
これにより、ユーザは、表示パネル72で表示された表示画像の一部に対して、タッチパネル71を介して指やタッチペンを接触させることにより、接触部分の位置情報をタッチパネル71に入力することができる。
Accordingly, the user can input the position information of the contact portion to the
[表示装置の効果]
本実施形態の表示装置70によれば、上述した実施形態及び各変形例のタッチパネル71を用いることにより、薄型化及び大型化が可能である。[Effect of display device]
According to the
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
[タッチパネル用透明電極の作製]
試料101〜143の各タッチパネル用透明電極(以下、透明電極と称する)を、面積が5cm×5cmとなるように透明基板上に作製した。透明基板としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板を用意した。下記表1に、試料101〜143の各透明電極における各層の構成を示した。以下に、試料101〜143の各透明電極の作製手順を説明する。[Production of transparent electrode for touch panel]
Transparent electrodes for touch panels (hereinafter referred to as transparent electrodes) of Samples 101 to 143 were produced on a transparent substrate so as to have an area of 5 cm × 5 cm. As the transparent substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate was prepared. Table 1 below shows the configuration of each layer in each of the transparent electrodes of Samples 101 to 143. Below, the preparation procedure of each transparent electrode of samples 101-143 is demonstrated.
[試料101の透明電極の作製]
透明基板の一主面上に、ITO膜(厚さ100nm)をスパッタ法によって形成した。これにより、ITO膜を導電層とした単層構造の透明電極を作製した。[Preparation of transparent electrode of sample 101]
An ITO film (thickness 100 nm) was formed on one main surface of the transparent substrate by sputtering. Thereby, a transparent electrode having a single layer structure using an ITO film as a conductive layer was produced.
[試料102〜104の透明電極の作製]
試料102〜104のそれぞれにおいて、透明基板の一主面上に、銀ナノワイヤーを用いた導電層を塗布法によって形成した。これにより銀ナノワイヤーを用いた導電層のみの単層構造の透明電極を作製した。この際、銀ナノワイヤーの分散液を塗布し、その後乾燥処理した後の厚さが、試料102では50nm、試料103では100nm、試料104では150nmとなるように銀ナノワイヤー分散液の塗布厚を調整した。[Preparation of Transparent Electrodes of Samples 102 to 104]
In each of samples 102 to 104, a conductive layer using silver nanowires was formed on one main surface of the transparent substrate by a coating method. This produced the transparent electrode of the single layer structure of only the conductive layer using silver nanowire. At this time, the coating thickness of the silver nanowire dispersion is applied so that the thickness after applying the dispersion of silver nanowire and then drying is 50 nm for sample 102, 100 nm for sample 103, and 150 nm for sample 104. It was adjusted.
[試料105〜107の透明電極の作製]
試料105〜107のそれぞれにおいて、透明基板の一主面上に、蒸着法によって銀(Ag)からなる導電層を、表1に示す各厚さに形成した。これにより、銀を導電層に用いた単層構造の透明電極を作製した。この際、透明基板を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で、銀からなる導電層を、試料105では6nm、試料106では8nm、試料107では15nmの厚さで形成した。[Preparation of Transparent Electrodes of Samples 105 to 107]
In each of Samples 105 to 107, a conductive layer made of silver (Ag) was formed on each main surface of the transparent substrate to a thickness shown in Table 1 by vapor deposition. Thereby, a transparent electrode having a single layer structure using silver as a conductive layer was produced. At this time, the transparent substrate was fixed to a base material holder of a commercially available vacuum deposition apparatus and attached to a vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the said vacuum chamber. Next, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the resistance heating boat is energized and heated, and the conductive layer made of silver is sampled at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second. The thickness was 6 nm for 105, 8 nm for sample 106, and 15 nm for sample 107.
[試料108〜110の透明電極の作製]
試料108〜110のそれぞれにおいて、透明基板の一主面上に、酸化チタン(TiO2)からなる高屈折率層を30nmの厚さで形成し、この上部に銀からなる導電層を、表1に示す各厚さに形成した。これにより、高屈折率層とこの上部の導電層との積層構造からなる透明電極を作製した。[Preparation of Transparent Electrodes of Samples 108 to 110]
In each of the samples 108 to 110, a high refractive index layer made of titanium oxide (TiO 2 ) was formed on one main surface of the transparent substrate with a thickness of 30 nm, and a conductive layer made of silver was formed on the upper layer. Each thickness shown in FIG. Thus, a transparent electrode having a laminated structure of the high refractive index layer and the upper conductive layer was produced.
この際、透明基板を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、酸化チタン(TiO2)を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。At this time, the transparent substrate is fixed to a base material holder of a commercially available electron beam evaporation apparatus, titanium oxide (TiO 2 ) is put into a heating boat, and these substrate holder and heating boat are attached to a vacuum chamber of the electron beam evaporation apparatus. It was. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached to the vacuum chamber of the vacuum evaporation system.
次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、酸化チタンの入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で透明基板上に厚さ30nmの酸化チタンからなる高屈折率層を設けた。Next, after reducing the pressure of the vacuum chamber of the electron beam evaporation apparatus to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing titanium oxide is heated by irradiating the electron beam with a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm. A high refractive index layer made of titanium oxide having a thickness of 30 nm was provided on the transparent substrate at a rate of / sec.
次に、高屈折率層まで形成した透明基板を真空のまま真空蒸着装置の真空槽に移し、当該真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、銀の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で、銀からなる導電層を、試料108では6nm、試料109では8nm、試料110では15nmの厚さで形成した。Next, the transparent substrate formed up to the high refractive index layer is transferred to a vacuum chamber of a vacuum deposition apparatus while being vacuumed, and after the pressure in the vacuum chamber is reduced to 4 × 10 −4 Pa, a resistance heating boat containing silver is energized. And heated. Thus, a conductive layer made of silver was formed at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second with a thickness of 6 nm for
[試料111の透明電極の作製]
以下のようにして、透明基板の一主面上に、AgAl層(Al含有率70atm%)を5nmの厚さで形成し、この上部に銀からなる導電層を10nmの厚さで形成した。[Preparation of transparent electrode of sample 111]
As described below, an AgAl layer (
先ず、透明基板を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートにAgAl(Al含有率70atm%)を入れ、真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、真空蒸着装置の第2真空槽に取り付けた。 First, the transparent substrate was fixed to a base material holder of a commercially available vacuum deposition apparatus and attached to the first vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus. Moreover, AgAl (Al content rate 70atm%) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached to the 1st vacuum chamber of the vacuum evaporation system. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached to the 2nd vacuum chamber of the vacuum evaporation system.
次に、真空蒸着装置の真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、AgAlの入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で高屈折率層上にAgAl層を5nmの厚さで設けた。Next, after reducing the vacuum tank of the vacuum evaporation apparatus to 4 × 10 −4 Pa, the resistance heating boat containing AgAl was energized and heated. As a result, an AgAl layer having a thickness of 5 nm was provided on the high refractive index layer at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second.
次に、AgAl層まで形成した基板を第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、銀の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で厚さ10nmの銀からなる導電層を形成した。Next, the substrate formed up to the AgAl layer was transferred to the second vacuum chamber, and after the pressure in the second vacuum chamber was reduced to 4 × 10 −4 Pa, the resistance heating boat containing silver was energized and heated. Thus, a conductive layer made of silver having a thickness of 10 nm was formed at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second.
[試料112の透明電極の作製]
導電層の厚さを3nmとした以外は、上記試料111と同様の手順で試料112の各透明電極を得た。[Preparation of transparent electrode of sample 112]
Each transparent electrode of Sample 112 was obtained in the same procedure as Sample 111 except that the thickness of the conductive layer was 3 nm.
[試料113〜117の透明電極の作製]
AgAl層を表1に示すAl含有率(50atm%、10atm%、5atm%、1atm%、0.5atm%)にそれぞれ変更した以外は、上記試料112と同様の手順で試料113〜117の各透明電極を得た。[Preparation of Transparent Electrodes of Samples 113 to 117]
Each of the samples 113 to 117 was transparent in the same manner as the sample 112 except that the AgAl layer was changed to the Al content (50 atm%, 10 atm%, 5 atm%, 1 atm%, 0.5 atm%) shown in Table 1. An electrode was obtained.
[試料118〜123の透明電極の作製]
AgAl層を表1に示すAl含有率(70atm%、50atm%、10atm%、5atm%、1atm%、0.5atm%)にそれぞれ変更し、さらに、導電層の厚さを7nmとした以外は、上記試料112と同様の手順で試料118〜123の各透明電極を得た。[Preparation of Transparent Electrodes of Samples 118 to 123]
The AgAl layer was changed to the Al content shown in Table 1 (70 atm%, 50 atm%, 10 atm%, 5 atm%, 1 atm%, 0.5 atm%), respectively, and the thickness of the conductive layer was changed to 7 nm. The transparent electrodes of Samples 118 to 123 were obtained in the same procedure as Sample 112 above.
[試料124〜129の透明電極の作製]
AgAl層を表1に示すAl含有率(70atm%、50atm%、10atm%、5atm%、1atm%、0.5atm%)にそれぞれ変更し、AgAl層の厚さを0.5nmとし、さらに、導電層の厚さを7.5nmとした以外は、上記試料112と同様の手順で試料124〜129の各透明電極を得た。[Preparation of Transparent Electrodes of Samples 124 to 129]
The AgAl layer was changed to the Al content shown in Table 1 (70 atm%, 50 atm%, 10 atm%, 5 atm%, 1 atm%, 0.5 atm%), the thickness of the AgAl layer was 0.5 nm, Each transparent electrode of Samples 124 to 129 was obtained in the same procedure as Sample 112 except that the layer thickness was 7.5 nm.
[試料130の透明電極の作製]
以下のようにして、透明基板上に、二酸化チタン(TiO2)からなる高屈折率層を30nmの厚さで形成し、この上部にAgAl層を5nmの厚さで形成し、さらに銀からなる導電層を3nmの厚さで形成した。[Preparation of transparent electrode of sample 130]
A high refractive index layer made of titanium dioxide (TiO 2 ) is formed with a thickness of 30 nm on a transparent substrate in the following manner, and an AgAl layer is formed with a thickness of 5 nm on this, and further made of silver. The conductive layer was formed with a thickness of 3 nm.
先ず、透明基板を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、二酸化チタン(TiO2)を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。次に、タングステン製の抵抗加熱ボートにAgAl(Al含有率10atm%)を入れ、真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、真空蒸着装置の第2真空槽に取り付けた。First, a transparent substrate was fixed to a base material holder of a commercially available electron beam evaporation apparatus, titanium dioxide (TiO 2 ) was put into a heating boat, and these substrate holder and heating boat were attached to a vacuum chamber of the electron beam evaporation apparatus. . Next, AgAl (Al content of 10 atm%) was put in a resistance heating boat made of tungsten, and attached to the first vacuum chamber of the vacuum evaporation apparatus. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached to the 2nd vacuum chamber of the vacuum evaporation system.
次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、二酸化チタンの入った加熱ボートに電子ビームを照射し加熱して、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で基板上に厚さ30nmの二酸化チタンからなる高屈折率層を設けた。Next, after reducing the vacuum chamber of the electron beam deposition apparatus to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing titanium dioxide is irradiated with an electron beam and heated to deposit a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm. A high refractive index layer made of titanium dioxide having a thickness of 30 nm was provided on the substrate at a rate of / sec.
続いて、高屈折率層まで形成した基板を真空のまま真空蒸着装置の第1真空槽に移し、第1真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、AgAlの入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で高屈折率層上にAgAl層を5nmの厚さで設けた。Subsequently, the substrate formed up to the high refractive index layer was transferred to the first vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus while being vacuumed, and after the pressure of the first vacuum chamber was reduced to 4 × 10 −4 Pa, a resistance heating boat containing AgAl was added. Heated with electricity. As a result, an AgAl layer having a thickness of 5 nm was provided on the high refractive index layer at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second.
次に、AgAl層まで形成した基板を第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、銀の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で厚さ3nmの銀からなる導電層を形成した。Next, the substrate formed up to the AgAl layer was transferred to the second vacuum chamber, and after the pressure in the second vacuum chamber was reduced to 4 × 10 −4 Pa, the resistance heating boat containing silver was energized and heated. Thus, a conductive layer made of silver having a thickness of 3 nm was formed at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second.
[試料131〜133の透明電極の作製]
AgAl層を表1に示すAl含有率(5atm%、1atm%、0.5atm%)にそれぞれ変更した以外は、上記試料130と同様の手順で試料131〜133の各透明電極を得た。[Preparation of Transparent Electrodes of Samples 131 to 133]
Transparent electrodes of Samples 131 to 133 were obtained in the same procedure as Sample 130, except that the AgAl layer was changed to the Al contents (5 atm%, 1 atm%, 0.5 atm%) shown in Table 1, respectively.
[試料134〜137の透明電極の作製]
AgAl層を表1に示すAl含有率(10atm%、5atm%、1atm%、0.5atm%)にそれぞれ変更し、AgAl層の厚さを0.5nmとし、さらに、導電層の厚さを7.5nmとした以外は、上記試料130と同様の手順で試料134〜137の各透明電極を得た。[Preparation of Transparent Electrodes of Samples 134 to 137]
The AgAl layer was changed to the Al content shown in Table 1 (10 atm%, 5 atm%, 1 atm%, 0.5 atm%), the thickness of the AgAl layer was 0.5 nm, and the thickness of the conductive layer was 7 Each transparent electrode of Samples 134 to 137 was obtained in the same procedure as Sample 130 except that the thickness was set to 0.5 nm.
[試料138の透明電極の作製]
高屈折率層に用いる材料を酸化ニオブ(Nb2O5)とした以外は、上記試料137と同様の手順で試料138の各透明電極を得た。[Preparation of transparent electrode of sample 138]
Each transparent electrode of Sample 138 was obtained in the same procedure as Sample 137 except that the material used for the high refractive index layer was niobium oxide (Nb 2 O 5 ).
[試料139の透明電極の作製]
高屈折率層に用いる材料を酸化タンタル(Ta2O5)とした以外は、上記試料137と同様の手順で試料139の各透明電極を得た。[Preparation of transparent electrode of sample 139]
Each transparent electrode of Sample 139 was obtained in the same procedure as Sample 137 except that the material used for the high refractive index layer was tantalum oxide (Ta 2 O 5 ).
[試料140の透明電極の作製]
高屈折率層に用いる材料を酸化セリウム(CeO2)とした以外は、上記試料137と同様の手順で試料140の各透明電極を得た。[Preparation of transparent electrode of sample 140]
Each transparent electrode of Sample 140 was obtained in the same procedure as Sample 137 except that the material used for the high refractive index layer was cerium oxide (CeO 2 ).
[試料141の透明電極の作製]
導電層に用いる材料をAgAu(Au含有率5atm%)とした以外は、上記試料129と同様の手順で試料141の各透明電極を得た。[Preparation of transparent electrode of sample 141]
Each transparent electrode of Sample 141 was obtained in the same procedure as Sample 129, except that the material used for the conductive layer was AgAu (
[試料142の透明電極の作製]
以下のようにして、透明基板上に、二酸化チタン(TiO2)からなる第2高屈折率層を30nmの厚さで形成し、この上部にAgAl層を0.5nmの厚さで形成し、AgAl層上に銀からなる導電層を7.5nmの厚さで形成し、さらに、導電層上に二酸化チタン(TiO2)からなる第1高屈折率層を30nmの厚さで形成した。[Preparation of transparent electrode of sample 142]
A second high refractive index layer made of titanium dioxide (TiO 2 ) is formed with a thickness of 30 nm on a transparent substrate as follows, and an AgAl layer is formed with a thickness of 0.5 nm on top of this, A conductive layer made of silver was formed with a thickness of 7.5 nm on the AgAl layer, and a first high refractive index layer made of titanium dioxide (TiO 2 ) was formed with a thickness of 30 nm on the conductive layer.
先ず、透明基板を市販の電子ビーム蒸着装置の基材ホルダーに固定し、二酸化チタン(TiO2)を加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。次に、タングステン製の抵抗加熱ボートにAgAl(Al含有率10atm%)を入れ、真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、真空蒸着装置の第2真空槽に取り付けた。First, a transparent substrate was fixed to a base material holder of a commercially available electron beam evaporation apparatus, titanium dioxide (TiO 2 ) was put into a heating boat, and these substrate holder and heating boat were attached to a vacuum chamber of the electron beam evaporation apparatus. . Next, AgAl (Al content of 10 atm%) was put in a resistance heating boat made of tungsten, and attached to the first vacuum chamber of the vacuum evaporation apparatus. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached to the 2nd vacuum chamber of the vacuum evaporation system.
次に、電子ビーム蒸着装置の真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、二酸化チタンの入った加熱ボートに電子ビームを照射し加熱して、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で基板上に厚さ30nmの二酸化チタンからなる第2高屈折率層を設けた。Next, after reducing the vacuum chamber of the electron beam deposition apparatus to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing titanium dioxide is irradiated with an electron beam and heated to deposit a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm. A second high refractive index layer made of titanium dioxide having a thickness of 30 nm was provided on the substrate at a rate of / sec.
続いて、第2高屈折率層まで形成した基板を真空のまま真空蒸着装置の第1真空槽に移し、第1真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、AgAlの入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で第2高屈折率層上にAgAl層を0.5nmの厚さで設けた。Subsequently, the substrate formed up to the second high refractive index layer is transferred to the first vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus while being vacuumed, and the first vacuum chamber is depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and then resistance heating containing AgAl is performed. The boat was energized and heated. As a result, an AgAl layer having a thickness of 0.5 nm was provided on the second high refractive index layer at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second.
次に、AgAl層まで形成した基板を第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、銀の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で厚さ7.5nmの銀からなる導電層を形成した。Next, the substrate formed up to the AgAl layer was transferred to the second vacuum chamber, and after the pressure in the second vacuum chamber was reduced to 4 × 10 −4 Pa, the resistance heating boat containing silver was energized and heated. As a result, a conductive layer made of silver having a thickness of 7.5 nm was formed at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second.
次に、導電層まで形成した基板を電子ビーム蒸着装置の真空槽に移し、電子ビーム蒸着装置の真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、二酸化チタンの入った加熱ボートに電子ビームを照射し加熱して、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で導電層上に厚さ30nmの二酸化チタンからなる第1高屈折率層を設けた。Next, the substrate formed up to the conductive layer is transferred to a vacuum chamber of an electron beam vapor deposition apparatus, and after the pressure of the vacuum chamber of the electron beam vapor deposition apparatus is reduced to 4 × 10 −4 Pa, an electron beam is applied to a heating boat containing titanium dioxide. Irradiation and heating were performed, and a first high refractive index layer made of titanium dioxide having a thickness of 30 nm was provided on the conductive layer at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second.
[試料143の透明電極の作製]
高屈折率層に用いる材料を酸化ニオブ(Nb2O5)とした以外は、上記試料142と同様の手順で試料143の各透明電極を得た。[Preparation of transparent electrode of sample 143]
Each transparent electrode of Sample 143 was obtained in the same procedure as Sample 142 except that the material used for the high refractive index layer was niobium oxide (Nb 2 O 5 ).
[実施例の各試料の評価]
上記で作製した試料101〜143の各透明電極について、文字の視認性、シート抵抗(面抵抗)、及び、保存性を測定した。
文字の視認性は、文字を表した画像の上部に透明電極が形成された透明基板を重ね合わせ、これらを介しての文字の見えやすさを5段階評価した。5段階評価は、透明電極の電極面に対する方線方向を0°とし0°と45°の2つの角度から行い、これを平均した。これらの評価結果を下記表1に合わせて示す。
シート抵抗の測定は、抵抗率計(三菱化学社製MCP−T610)を用い、4端子4探針法定電流印加方式で行った。
保存性の測定においては、高温環境(60℃)下に試料101〜143の各透明電極を7日間保存した後、文字を表した画像の上部に透明電極が形成された透明基板を重ね合わせ、これらを介しての文字の見えやすさを5段階評価した。5段階評価は、透明電極の電極面に対する方線方向を0°とし0°と45°の2つの角度から行い、これを平均した。
結果を下記表1に合わせて示す。[Evaluation of Samples in Examples]
About each transparent electrode of the samples 101-143 produced above, the visibility of a character, sheet resistance (surface resistance), and preservability were measured.
Visibility of characters was evaluated by evaluating the visibility of the characters through five levels by superimposing a transparent substrate on which a transparent electrode was formed on the image representing the characters. The five-level evaluation was performed from two angles of 0 ° and 45 °, where the direction of the direction of the transparent electrode relative to the electrode surface was 0 ° and averaged. These evaluation results are shown in Table 1 below.
The sheet resistance was measured using a resistivity meter (MCP-T610 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) by a four-terminal four-probe method constant current application method.
In the measurement of storage stability, after each transparent electrode of Samples 101 to 143 was stored for 7 days under a high temperature environment (60 ° C.), a transparent substrate on which the transparent electrode was formed was superimposed on the upper part of the image representing characters, The visibility of characters through these was evaluated on a five-point scale. The five-level evaluation was performed from two angles of 0 ° and 45 °, where the direction of the direction of the transparent electrode relative to the electrode surface was 0 ° and averaged.
The results are shown in Table 1 below.
[実施例の評価結果]
表1に示す結果から、導電層にAgを用いずに、ITOを用いた単層構造の試料101の透明電極は、100nmの厚膜でありながらも、シート抵抗が非常に高いことがわかる。また、銀ナノワイヤーを用いた単層構造の試料102〜104の透明電極では、厚さに対するシート抵抗の値が高く、さらに最もシート抵抗が低い試料104では、光散乱のために文字の視認性が1.5と極めて低い。[Evaluation results of Examples]
From the results shown in Table 1, it can be seen that the transparent electrode of the sample 101 having a single layer structure using ITO without using Ag for the conductive layer has a very high sheet resistance even though it is a thick film of 100 nm. In addition, in the transparent electrodes of the samples 102 to 104 having a single layer structure using silver nanowires, the sheet resistance value with respect to the thickness is high, and in the sample 104 with the lowest sheet resistance, the visibility of characters due to light scattering. Is as low as 1.5.
また、AgAl層を有していない試料105〜110は、視認性が低いことがわかる。これらは、AgAl層を備えていないことにより、導電層を構成するAgの凝集が起き、導電層の均一性が低下したためである。また、この試料105〜110では、Agの凝集により抵抗値が大きく、導電層を15nmと厚く形成した試料107と試料110以外は、抵抗値が測定できなかった。また、試料107と試料110では、導電層が15nmと厚いため、視認性が他の試料よりも低下している。 Moreover, it turns out that the samples 105-110 which do not have an AgAl layer have low visibility. These are because the AgAl layer is not provided, so that Ag constituting the conductive layer is aggregated and the uniformity of the conductive layer is lowered. In addition, the resistance values of Samples 105 to 110 were large due to Ag aggregation, and the resistance values could not be measured except for Sample 107 and Sample 110 in which the conductive layer was formed as thick as 15 nm. Moreover, in the sample 107 and the sample 110, since the conductive layer is as thick as 15 nm, the visibility is lower than the other samples.
また、AgAl層において、Al含有率が70atm%と高い試料111、試料112、試料118、及び、試料124では、保存性が低下している。これは、AgAl層中のAl含有量が大きいため、Alの酸化によるAgAl層の形状変化が発生したためである。高温保存時にAlの酸化が進行し、さらに酸化アルミニウムの結晶成長や凝集等が発生し、AgAl層の均一性が低下することにより透明電極の視認性が低下したと考えられる。 Further, in the AgAl layer, the preservability is lowered in the sample 111, the sample 112, the sample 118, and the sample 124 whose Al content is as high as 70 atm%. This is because the shape change of the AgAl layer due to the oxidation of Al occurred because the Al content in the AgAl layer was large. It is considered that the visibility of the transparent electrode was lowered due to the progress of oxidation of Al during high-temperature storage, further crystal growth or aggregation of aluminum oxide, and the deterioration of the uniformity of the AgAl layer.
さらに、試料111は、同じAl含有率の試料112、試料118、及び、試料124に比べて視認性が低下している。これは、試料111のAgAl層と導電層との合計厚さが15nmであり、他の試料よりも大きいため、視認性が低下した。これは、上記試料107及び試料110と同様の理由であり、AgAl層と導電層との合計の厚さが、透明電極の視認性に影響を与えることを意味している。この結果から、AgAl層と導電層の合計の厚さが小さい方が、透明電極の視認性が高くなることがわかる。 Further, the visibility of the sample 111 is lower than that of the sample 112, the sample 118, and the sample 124 having the same Al content. This is because the total thickness of the AgAl layer and the conductive layer of the sample 111 is 15 nm, which is larger than the other samples, so that the visibility is lowered. This is the same reason as the sample 107 and the sample 110, and means that the total thickness of the AgAl layer and the conductive layer affects the visibility of the transparent electrode. From this result, it can be seen that the smaller the total thickness of the AgAl layer and the conductive layer, the higher the visibility of the transparent electrode.
また、導電層とAgAl層の厚さを一定とし、AgAl層のAl含有率を変化させた、試料112〜117、試料118〜123、及び、試料124〜129では、Al含有率が低い方が、視認性、面抵抗、及び、保存性のすべての値が向上している。この結果から、AgAl層において、Al含有率が低い程、透明電極の特性が向上することがわかる。
しかしながら、AgAl層を設けていない試料105〜110の結果を考慮すると、AgAl層を有していない場合には、Agからなる導電層の形成が困難となる。
さらに、Al含有率を1atm%から0.5atm%に低下させた場合にも、透明電極の特性が向上していることから、AgAl層中のAlの含有率は、0.5atm%未満でも透明電極の特性の向上が可能であると考えられる。このため、Al含有率は、AgAl層上に形成されるAgを主成分とする導電層の膜均一性が維持できる限り、小さいことが好ましい。In Samples 112 to 117, Samples 118 to 123, and Samples 124 to 129 in which the thicknesses of the conductive layer and the AgAl layer are constant and the Al content of the AgAl layer is changed, the lower the Al content, All values of visibility, surface resistance, and storage stability are improved. From this result, it can be seen that the lower the Al content in the AgAl layer, the better the characteristics of the transparent electrode.
However, in consideration of the results of the samples 105 to 110 in which the AgAl layer is not provided, it is difficult to form a conductive layer made of Ag if the AgAl layer is not provided.
Furthermore, even when the Al content is reduced from 1 atm% to 0.5 atm%, the characteristics of the transparent electrode are improved, so the Al content in the AgAl layer is transparent even if it is less than 0.5 atm%. It is considered that the characteristics of the electrode can be improved. For this reason, it is preferable that the Al content is small as long as the film uniformity of the conductive layer mainly composed of Ag formed on the AgAl layer can be maintained.
高屈折率層としてTiO2を形成した試料130〜133、及び、試料134〜137では、高屈折率層を形成していないことを除いて同じ条件で形成された試料114〜117、及び、試料126〜129に比べて、面抵抗はほとんど変わらないものの、視認性が向上している。
同様に、高屈折率層としたNb2O5、Ta2O5、又は、CeO2を用いた試料138〜140では、試料129に比べて、視認性が向上している。
この結果から、高屈折率層を有することにより、透明電極の視認性が向上することがわかる。In Samples 130 to 133 and Samples 134 to 137 in which TiO 2 is formed as the high refractive index layer, Samples 114 to 117 and Samples formed under the same conditions except that the high refractive index layer is not formed. Compared with 126-129, although the sheet resistance is hardly changed, the visibility is improved.
Similarly, in the samples 138 to 140 using Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , or CeO 2 as the high refractive index layer, the visibility is improved as compared with the sample 129.
From this result, it can be seen that the visibility of the transparent electrode is improved by having the high refractive index layer.
さらに、試料141は、導電層として、AgのかわりにAgAuを用いている。この試料141においても、透明電極の透過率、面抵抗、及び、保存性は、Agのみで導電層を形成した他の試料と同程度の結果を示している。このため、試料141の結果から、導電層はAgを主成分とすることにより、Agのみから構成された場合以外でも透明電極の特性が向上することがわかる。 Further, the sample 141 uses AgAu as the conductive layer instead of Ag. Also in this sample 141, the transmittance, sheet resistance, and storage stability of the transparent electrode show the same results as other samples in which the conductive layer is formed of Ag alone. For this reason, it can be seen from the results of the sample 141 that the characteristics of the transparent electrode are improved even when the conductive layer is mainly composed of Ag by using Ag as a main component.
高屈折率層を2層形成し、導電層とAgAl層とを高屈折率層で挟んだ構成の試料142及び試料143では、高屈折率層を1層設けた構成の試料137及び試料138に比べ、面抵抗はほとんど変わらないものの、視認性が向上している。この結果から、導電層とAgAl層の構成の上下に高屈折率層を設け、導電層を高屈折率層で挟む構成とすることにより、透明電極の視認性が向上することがわかる。 In Sample 142 and Sample 143 having a structure in which two high refractive index layers are formed and a conductive layer and an AgAl layer are sandwiched between high refractive index layers, Sample 137 and Sample 138 having a structure in which one high refractive index layer is provided. In comparison, the surface resistance is almost the same, but the visibility is improved. From this result, it is understood that the visibility of the transparent electrode is improved by providing a high refractive index layer above and below the structure of the conductive layer and the AgAl layer and sandwiching the conductive layer between the high refractive index layers.
以上の結果から、本発明の構成のタッチパネル用透明電極によれば、光透過性を得るために薄膜でありながらも低抵抗な電極膜(すなわち透明電極)が得られることが確認された。さらに、均一な導電層が形成されることにより、光散乱を抑制することができ、下地となる表示画像等の視認性が向上することが確認された。特に、導電層とAgAl層とを高屈折率層で挟んだ構成、つまり、導電層に対して光の入射側と射出側との両側に高屈折率層を形成した構成とすることにより、透明電極の視認性がさらに向上することが確認された。 From the above results, according to the transparent electrode for a touch panel of the configuration of the present invention, it was confirmed that an electrode film (that is, a transparent electrode) having a low resistance although being a thin film was obtained in order to obtain light transmittance. Furthermore, it was confirmed that the formation of a uniform conductive layer can suppress light scattering and improve the visibility of a display image or the like as a base. In particular, a structure in which a conductive layer and an AgAl layer are sandwiched between high refractive index layers, that is, a structure in which a high refractive index layer is formed on both sides of the light incident side and the light emitting side with respect to the conductive layer is transparent. It was confirmed that the visibility of the electrode was further improved.
なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。 The present invention is not limited to the configuration described in the above-described embodiment, and various modifications and changes can be made without departing from the configuration of the present invention.
10,20,30・・・タッチパネル用透明電極、11・・・透明基板、57,61・・・基板、12,66・・・AgAl層、13・・・導電層、24・・・高屈折率層、34,53,67・・・第2高屈折率層、35,54,68・・・第1高屈折率層、40,40A,50,50A,60,71・・・タッチパネル、41,41A・・・第1タッチパネル用透明電極、42,42A・・・第2タッチパネル用透明電極、43・・・第1基板、44,62・・・第1導電層、45・・・第2基板、46,63・・・第2導電層、47・・・前面板、49x,69x・・・x配線、49y,69y・・・y配線、51・・・第1AgAl層、52・・・第2AgAl層、55・・・第4高屈折率層、56・・・第3高屈折率層、64・・・接続電極、65・・・層間絶縁膜、70・・・表示装置、72・・・表示パネル、73・・・ケース部材、x1・・・x電極パターン、y1・・・y電極パターン 10, 20, 30 ... transparent electrode for touch panel, 11 ... transparent substrate, 57, 61 ... substrate, 12, 66 ... AgAl layer, 13 ... conductive layer, 24 ... high refraction Index layer, 34, 53, 67 ... second high refractive index layer, 35, 54, 68 ... first high refractive index layer, 40, 40A, 50, 50A, 60, 71 ... touch panel, 41 , 41A ... transparent electrode for first touch panel, 42, 42A ... transparent electrode for second touch panel, 43 ... first substrate, 44, 62 ... first conductive layer, 45 ... second. Substrate, 46, 63 ... second conductive layer, 47 ... front plate, 49x, 69x ... x wiring, 49y, 69y ... y wiring, 51 ... first AgAl layer, 52 ... 2nd AgAl layer, 55 ... 4th high refractive index layer, 56 ... 3rd high refractive index layer, 64 ... Continued electrode, 65 ... interlayer insulation film, 70 ... display, 72 ... display panel, 73 ... case member, x1 ... x electrode pattern, y1 ... y electrode pattern
Claims (10)
前記AgAl層に隣接して設けられた銀を主成分とする導電層と、を備える
タッチパネル用透明電極。An AgAl layer containing 50 atm% or less of aluminum;
A transparent electrode for a touch panel, comprising: a conductive layer mainly composed of silver provided adjacent to the AgAl layer.
タッチパネル。A touch panel comprising the transparent electrode for a touch panel according to claim 1.
前記タッチパネルに重ねて配置された表示パネルと、を備える
表示装置。A touch panel according to claim 9;
A display panel disposed on the touch panel.
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