JPWO2014057759A1 - 高周波信号伝送線路及び電子機器 - Google Patents

Abstract

不要輻射を低減できると共に、特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる高周波信号伝送線路及び電子機器を提供することである。誘電体素体（１２）は、誘電体シート（１８ａ〜１８ｃ）が積層されてなる。信号線（２０）は、誘電体素体（１８ｂ）の裏面上に設けられている。補助グランド導体（２４）は、信号線（２０）に対してｚ軸方向の負方向側に設けられており、信号線（２０）に沿って並ぶ複数の開口（３０）が設けられている。ｚ軸方向の最も負方向側に設けられている誘電体シート（１８ｃ）の裏面において、ｚ軸方向から平面視したときに、開口（３０）と重なる領域内には凹凸が設けられている。

Description

本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に関し、より特定的には、高周波信号の伝送に用いられる高周波信号伝送線路及び電子機器に関する。

従来の高周波信号伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の高周波信号線路が知られている。図３７は、特許文献１に記載の高周波信号線路５００の断面構造図である。

高周波信号線路５００は、誘電体素体５１２、高誘電率層５１５、信号線５２０及びグランド導体５２２，５２４を備えている。誘電体素体５１２は、複数の誘電体シートが積層されて構成されている。信号線５２０は、誘電体素体５１２内に設けられている。グランド導体５２２は、信号線５２０のｚ軸方向の正方向側に設けられている。グランド導体５２４は、信号線５２０のｚ軸方向の負方向側に設けられている。グランド導体５２４には、開口５３０が設けられている。高誘電率層５１５は、誘電体素体５１２のｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。高誘電率層５１５の比誘電率は、誘電体素体５１２の比誘電率よりも高い。

以上のように構成された高周波信号線路５００では、高誘電率層５１５が開口５３０と重なっている。これにより、高誘電率層５１５と空気層との界面において、信号線５２０から放射された電磁界が高周波信号線路５００内により多く反射されるようになる。その結果、不要輻射が低減される。

ところで、高周波信号線路５００において、高誘電率層５１５の比誘電率を大きくすると、高周波信号線路５００の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれるおそれがある。より詳細には、不要輻射の低減の観点からは、高誘電率層５１５の比誘電率は大きい方が好ましい。ところが、高誘電率層５１５の比誘電率が大きい場合には、開口５３０の近傍に金属物等が存在すると、信号線５２０と金属物等との間に大きな容量が形成されてしまう。その結果、高周波信号線路５００の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスよりも低くなってしまう。

国際公開第２０１２／０７４１００号パンフレット

そこで、本発明の目的は、不要輻射を低減できると共に、特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる高周波信号伝送線路及び電子機器を提供することである。

本発明の第１の形態に係る高周波信号伝送線路は、複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられており、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられている第１のグランド導体と、を備えており、積層方向の最も一方側に設けられている前記誘電体層の積層方向の一方側の主面において、積層方向から平面視したときに、前記開口と重なる領域内には凹凸が設けられていること、を特徴とする。

本発明の第１の形態に係る電子機器は、高周波信号伝送線路と、前記高周波信号伝送線路を収容する筐体と、を備えており、前記高周波信号伝送線路は、複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられており、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられている第１のグランド導体と、を備えており、積層方向の最も一方側に設けられている前記誘電体層の積層方向の一方側の主面において、積層方向から平面視したときに、前記開口と重なる領域内には凹凸が設けられていること、を特徴とする。

本発明の第２の形態に係る高周波信号伝送線路は、複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられており、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられている第１のグランド導体と、を備えており、前記誘電体素体の一方側の主面において、積層方向から平面視したときに、前記開口と重なる領域内には凹凸が設けられていること、を特徴とする。

本発明の第２の形態に係る電子機器は、高周波信号伝送線路と、前記高周波信号伝送線路を収容する筐体と、を備えており、前記高周波信号伝送線路は、複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられており、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられている第１のグランド導体と、を備えており、前記誘電体素体の一方側の主面において、積層方向から平面視したときに、前記開口と重なる領域内には凹凸が設けられていること、を特徴とする。

本発明によれば、不要輻射を低減できると共に、特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。

本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号伝送線路の積層体の分解図である。 高周波信号伝送線路の線路部の分解斜視図である。 高周波信号伝送線路の線路部を平面視した図である。 図３のＡ−Ａにおける断面構造図である。 図３のＢ−Ｂにおける断面構造図である。 高周波信号伝送線路のコネクタの外観斜視図である。 高周波信号伝送線路のコネクタの断面構造図である。 高周波信号伝送線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。 高周波信号伝送線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。 高周波信号伝送線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号伝送線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号伝送線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号伝送線路の圧着時の工程断面図である。 第１の変形例に係る高周波信号伝送線路の線路部の断面構造図である。 第２の変形例に係る高周波信号伝送線路の積層体の分解図である。 高周波信号伝送線路の線路部を平面視した図である。 線路部のブリッジ部における断面構造図である。 線路部の開口における断面構造図である。 線路部の信号線に沿った断面構造図である。 第３の変形例に係る高周波信号伝送線路の分解図である。 高周波信号伝送線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号伝送線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号伝送線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号伝送線路の圧着時の工程断面図である。 第４の変形例に係る高周波信号伝送線路の外観斜視図である。 図２６の高周波信号伝送線路の誘電体素体の分解図である。 図２６の高周波信号伝送線路の区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９における断面構造図である。 図２６の高周波信号伝送線路の区間Ａ１２，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１８における断面構造図である。 高周波信号伝送線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号伝送線路の圧着時の工程断面図である。 第５の変形例に係る高周波信号伝送線路の外観斜視図である。 図３２の高周波信号伝送線路の誘電体素体の分解図である。 図３２の高周波信号伝送線路の区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９における断面構造図である。 図３２の高周波信号伝送線路の区間Ａ１２，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１８における断面構造図である。 第６の変形例に係る高周波信号伝送線路の断面構造図である。 特許文献１に記載の高周波信号伝送線路の断面構造図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号伝送線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。

（高周波信号伝送線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号伝送線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、高周波信号伝送線路１０の線路部１２ａの分解斜視図である。図４は、高周波信号伝送線路１０の線路部１２ａを平面視した図である。図５は、図３のＡ−Ａにおける断面構造図である。図６は、図３のＢ−Ｂにおける断面構造図である。以下では、高周波信号伝送線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号伝送線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号伝送線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられるフラットケーブルである。高周波信号伝送線路１０は、図１ないし図３に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、基準グランド導体２２、補助グランド導体２４、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、図１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する可撓性を有する板状部材であり、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４、誘電体シート１８ａ〜１８ｃ及び保護層１５がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

線路部１２ａは、図１に示すように、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも大きい。

誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されているシートである。以下では、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

誘電体シート１８ａの厚さＤ１と誘電体シート１８ｂの厚さＤ２との合計は、図５及び図６に示すように、誘電体シート１８ｃの厚さＤ３の合計よりも大きい。誘電体シート１８ａ〜１８ｃの積層後において、厚さＤ１と厚さＤ２との合計は、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＤ１と厚さＤ２との合計は１５０μｍである。そして、厚さＤ１は、７５μｍである。厚さＤ２は、７５μｍである。また、厚さＤ３は、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＤ３は５０μｍである。

また、誘電体シート１８ａは、図２に示すように、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、図２に示すように、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

信号線路２０は、図２、図３、図５及び図６に示すように、高周波信号が伝送され、誘電体素体１２内に設けられている導体である。本実施形態では、信号線路２０は、誘電体シート１８ｂの裏面上に形成されており、ｘ軸方向に延在する直線状の導体である。信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｂの中央に位置している。信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｃの中央に位置している。信号線路２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線路２０が誘電体シート１８ｂの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることを指す。また、信号線路２０の表面には平滑化が施されるので、信号線路２０において誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは、信号線路２０において誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

基準グランド導体（第２のグランド導体）２２は、図２、図３、図５及び図６に示すように、信号線路２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられているベタ状の導体層である。より詳細には、基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に形成され、誘電体シート１８ａ，１８ｂを介して信号線路２０と対向している。基準グランド導体２２には、信号線路２０と重なる位置には開口が設けられていない。基準グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、基準グランド導体２２において誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは、基準グランド導体２２において誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

また、基準グランド導体２２は、図２に示すように、主要導体２２ａ及び端子導体２２ｂ，２２ｃにより構成されている。主要導体２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子導体２２ｂは、線路部１８ａ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２２ｂは、主要導体２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子導体２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２２ｃは、主要導体２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

補助グランド導体（第１のグランド導体）２４は、図２に示すように、信号線路２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている導体層である。より詳細には、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの裏面に形成され、誘電体シート１８ｃを介して信号線路２０と対向している。補助グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｃの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることや、誘電体シート１８ｃの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることを指す。また、補助グランド導体２４の表面には平滑化が施されるので、補助グランド導体２４において誘電体シート１８ｃに接している面の表面粗さは、補助グランド導体２４において誘電体シート１８ｃに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

また、補助グランド導体２４は、図２、図３、図５及び図６に示すように、主要導体２４ａ及び端子導体２４ｂ，２４ｃにより構成されている。主要導体２４ａは、線路部１８ｃ−ａの裏面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子導体２４ｂは、線路部１８ｃ−ｂの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２４ｂは、主要導体２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子導体２４ｃは、接続部１８ｃ−ｃの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２４ｃは、主要導体２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

また、主要導体２４ａには、図２及び図３に示すように、ｘ軸方向に沿って並び、かつ、長方形状をなす複数の開口３０が設けられている。これにより、主要導体２４ａは、梯子状をなしている。また、補助グランド導体２４において、隣り合う開口３０に挟まれた部分をブリッジ部６０と呼ぶ。ブリッジ部６０は、ｙ軸方向に延在している。複数の開口３０及び複数のブリッジ部６０とは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０に交互に重なっている。そして、本実施形態では、信号線路２０は、開口３０及びブリッジ部６０のｙ軸方向の中央をｘ軸方向に横切っている。

以上のように、基準グランド導体２２には開口が設けられず、補助グランド導体２４には開口が設けられている。よって、基準グランド導体２２と信号線路２０とが重なっている面積は、補助グランド導体２４と信号線路２０とが重なっている面積よりも大きい。

外部端子１６ａは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｂは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されている。ここで、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることを指す。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には平滑化が施されるので、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、略等しい厚さを有している。外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の厚さは、例えば、１０μｍ〜２０μｍである。

以上のように、信号線路２０は、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４によってｚ軸方向の両側から挟まれている。すなわち、信号線路２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線路２０と基準グランド導体２２との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図５及び図６に示すように誘電体シート１８ａの厚さＤ１及び誘電体シート１８ｂの厚さＤ２の合計と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線路２０と基準グランド導体２２との間隔は、１５０μｍである。また、信号線路２０と補助グランド導体２４との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図５及び図６に示すように誘電体シート１８ｃの厚さＤ３と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線路２０と補助グランド導体２４との間隔は、５０μｍである。よって、信号線路２０と基準グランド導体２２とのｚ軸方向の距離は、信号線路２０と補助グランド導体２４とのｚ軸方向の距離よりも大きい。

複数のビアホール導体Ｂ１は、図２に示すように、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側において誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ２は、図２に示すように、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側において誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ３は、図２に示すように、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側において誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されている。ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されており、より詳細には、ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の正方向側において補助グランド導体２４に接続されている。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに形成されたビアホールに対して銀、スズ、または銅等を主成分とする導電性ペーストが充填され、固化されることによって形成される。

複数のビアホール導体Ｂ４は、図２に示すように、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側において誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ５は、図２に示すように、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側において誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ６は、図２に示すように、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側において誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されている。ビアホール導体Ｂ６のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されており、より詳細には、ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の負方向側において補助グランド導体２４に接続されている。ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに形成されたビアホールに対して銀、スズ、または銅等を主成分とする導電性ペーストが充填され、固化されることによって形成される。

ビアホール導体ｂ１は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ３は、図２に示すように、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１，ｂ３は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、外部端子１６ａに接続されている。ビアホール導体ｂ３のｚ軸方向の負方向側の端部は、信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。

ビアホール導体ｂ２は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ４は、図２に示すように、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ２，ｂ４は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の正方向側の端部は、外部端子１６ｂに接続されている。ビアホール導体ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。これにより、信号線路２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１〜ｂ４は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成されたビアホールに対して銀、スズ、または銅等を主成分とする導電性ペーストが充填され、固化されることによって形成される。

保護層１４は、ｚ軸方向の最も正方向側に設けられている誘電体シート１８ａの表面上に設けられている絶縁膜であり、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１４は、基準グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの比誘電率ε１よりも大きな比誘電率ε２を有している。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、主要導体２２ａを覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

保護層１５は、ｚ軸方向の最も負方向側に設けられている誘電体シート１８ｃの裏面上に設けられている絶縁膜であり、誘電体シート１８ｃの裏面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１５は、補助グランド導体２４を覆っている。保護層１５は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの比誘電率ε１よりも大きな比誘電率ε２を有している。保護層１５は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

ところで、高周波信号伝送線路１０では、図３ないし図６に示すように、ｚ軸方向の最も負方向側に設けられている誘電体シート１８ｃの裏面において、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と重なる領域内に凹凸が設けられている。より詳細には、信号線路２０に沿ってｘ軸方向に延在する溝Ｇ１，Ｇ２が、誘電体シート１８ｃの裏面に設けられることにより、誘電体シート１８ｃの裏面に凹凸が形成されている。溝Ｇ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、誘電体シート１８ｃの裏面がｚ軸方向の正方向側に窪んでいることにより形成されている。溝Ｇ２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、誘電体シート１８ｃの裏面がｚ軸方向の正方向側に窪んでいることにより形成されている。溝Ｇ１，Ｇ２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっていない。すなわち、溝Ｇ１，Ｇ２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向（信号線路２０の線幅方向）の両側に設けられている。

また、溝Ｇ１，Ｇ２は、前記の通り、ｘ軸方向に延在しているので、図４に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４のブリッジ部６０と重なっている。これにより、ブリッジ部６０にも、誘電体シート１８ｃと同様に凹凸が形成されている。これにより、図５に示すように、ブリッジ部６０において、ｚ軸方向から平面視したときに信号線路２０と重ならない部分（溝Ｇ１，Ｇ２と重なる部分）は、ｚ軸方向から平面視したときに信号線路２０と重なる部分よりもｚ軸方向の正方向側に突出している。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０では、信号線路２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。より詳細には、信号線路２０において開口３０と重なっている区間Ａ１では、信号線路２０と補助グランド導体２４との間に相対的に小さな容量が形成される。そのため、区間Ａ１における信号線路２０の特性インピーダンスは、相対的に高いインピーダンスＺ１となる。

一方、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なっている区間Ａ２では、信号線路２０と補助グランド導体２４との間に相対的に大きな容量が形成される。そのため、区間Ａ２における信号線路２０の特性インピーダンスは、相対的に低いインピーダンスＺ２となる。そして、区間Ａ１と区間Ａ２とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。よって、信号線路２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。インピーダンスＺ１は、例えば、５５Ωであり、インピーダンスＺ２は、例えば、４５Ωである。そして、信号線路２０全体の平均の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、図１に示すように、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図７は、高周波信号伝送線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図８は、高周波信号伝送線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。

コネクタ１００ｂは、図１、図７及び図８に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子導体２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図７及び図８に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子導体２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線路２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波信号伝送線路１０は、以下に説明するように用いられる。図９は、高周波信号伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図１０は、高周波信号伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波信号伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

筐体２１０は、高周波信号伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ及びバッテリーパック２０６を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号伝送線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。これにより、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間には、開口が設けられていないベタ状の基準グランド導体２２が存在している。

（高周波信号伝送線路の製造方法）
以下に、高周波信号伝送線路１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図１１ないし図１４は、高周波信号伝送線路１０の圧着時の工程断面図である。以下では、一つの高周波信号伝送線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号伝送線路１０が作製される。

まず、一方の主面の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ〜１８ｃを準備する。具体的には、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの一方の主面に銅箔を張り付ける。更に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、液晶ポリマである。また、銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、誘電体シート１８ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２に示すように、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面上に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面の銅箔上に、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジスト液を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。

次に、図２に示すように、信号線路２０を誘電体シート１８ｂの裏面上に形成する。また、図２に示すように、補助グランド導体２４を誘電体シート１８ｃの裏面上に形成する。なお、信号線路２０及び補助グランド導体２４の形成工程は、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０及び基準グランド導体２２の形成工程と同じであるので説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填し、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６を形成する。

次に、図１１及び図１２に示すように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ね、圧着ツールＴ１，Ｔ２により誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対して圧着処理及び加熱処理を施す。以下に、圧着ツールＴ１，Ｔ２について説明する。

圧着ツールＴ１は、図１３及び図１４に示すように、誘電体シート１８ａの表面に接触する。誘電体シート１８ａの表面に対する圧着ツールＴ１の接触面は平坦面である。一方、圧着ツールＴ２は、図１３及び図１４に示すように、誘電体シート１８ｃの裏面に接触する。誘電体シート１８ｃの裏面に対する圧着ツールＴ２の接触面は凹凸面である。より詳細には、圧着ツールＴ２の接触面には、ｚ軸方向に向かって突出し、かつ、ｘ軸方向に延在する突起Ｐ１，Ｐ２が設けられている。突起Ｐ１が設けられている位置は、溝Ｇ１が形成される位置に対応しており、突起Ｐ２が設けられている位置は、溝Ｇ２が形成される位置に対応している。以上のような圧着ツールＴ１，Ｔ２には、ヒータが内蔵されている。そして、圧着ツールＴ１，Ｔ２により、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対して加熱処理及び加圧処理を施すことにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが軟化する。これにより、図１３及び図１４に示すように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが接合されると共に、誘電体シート１８ｃの裏面に突起Ｐ１，Ｐ２に倣った形状の溝Ｇ１，Ｇ２が形成される。

次に、図２に示すように、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成する。

次に、図２に示すように、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ｃの裏面上に補助グランド導体２４を覆う保護層１５を形成する。なお、保護層１５の裏面には凹凸が形成されていない。

最後に、接続部１２ｂ，１２ｃ上の外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子導体２２ｂ，２２ｃ上にはんだを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。これにより、図１に示す高周波信号伝送線路１０が得られる。

（効果）
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０によれば、不要輻射を低減できる。より詳細には、高周波信号伝送線路１０では、誘電体シート１８ｃの裏面に凹凸が形成されているので、誘電体シート１８ｃの裏面の凹凸において電磁界が乱反射して高周波信号伝送線路１０内に戻る。これにより、乱反射した電磁界エネルギーが、基準グランド導体２２又は補助グランド導体２４や誘電体素体１２にて消費される。その結果、高周波信号伝送線路１０では、不要輻射が低減される。

また、高周波信号伝送線路１０では、保護層１５は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの比誘電率ε１よりも高い比誘電率ε２を有している。これにより、保護層１５と空気層との界面において、信号線路２０から放射された電磁界が高周波信号伝送線路１０内により多く反射されるようになる。その結果、高周波信号伝送線路１０では、不要輻射が低減される。なお、高周波信号伝送線路１０では、誘電体シート１８ｃの裏面に凹凸が形成されることにより、不要輻射が低減されている。そのため、高周波信号伝送線路１０における保護層１５の比誘電率ε２は、高周波信号線路５００の高誘電率層５１５の比誘電率よりも低いか同等でもよい。

また、高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。より詳細には、高周波信号伝送線路１０では、誘電体シート１８ｃの裏面に凹凸が形成されることによって、不要輻射が低減されている。そのため、高周波信号伝送線路１０における保護層１５の比誘電率ε２は、高周波信号線路５００の高誘電率層５１５の比誘電率よりも低いか同等でもよい。これにより、高周波信号伝送線路１０の開口３０近傍に電子機器の筐体等の金属体が存在している場合に、信号線路２０と金属体との間に形成される容量が大きくなり過ぎることが抑制される。その結果、高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。また、製造ばらつきによって高周波信号伝送線路１０と金属体との距離にばらつきが生じたとしても、信号線路２０と金属体との間に形成される容量が小さいので、該容量のばらつきも小さい。その結果、高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスがばらつくことが抑制される。

また、高周波信号伝送線路１０によれば、薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号伝送線路１０では、区間Ａ１において、信号線路２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。そのため、信号線路２０と補助グランド導体２４との間に容量が形成されにくい。したがって、信号線路２０と補助グランド導体２４とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線路２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、信号線路２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波信号伝送線路１０によれば、信号線路２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。

また、高周波信号伝送線路１０によれば、高周波信号伝送線路１０がバッテリーパック２０６等の金属体に貼り付けられた場合に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。より詳細には、高周波信号伝送線路１０は、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間にベタ状の基準グランド導体２２が位置するように、バッテリーパック２０６に貼り付けられる。これにより、信号線路２０とバッテリーパック２０６とが開口を介して対向しなくなり、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間に容量が形成されることが抑制される。その結果、高周波信号伝送線路１０がバッテリーパック２０６に貼り付けられることによって、信号線路２０の特性インピーダンスが低下することが抑制される。

また、高周波信号伝送線路１０では、挿入損失を低減できる。より詳細には、信号線路２０に電流が流れると、基準グランド導体２２と信号線路２０との間に電気力線が発生する。この電気力線は、距離が小さいところほど電流密度が高くなる。よって、基準グランド導体２２において電流が流れる領域が狭くなり、基準グランド導体２２に電流が流れにくくなる。

そこで、溝Ｇ１，Ｇ２は、図５に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０のｙ軸方向の両側に設けられている。これにより、基準グランド導体２２において信号線路２０とほぼ等距離となる領域が広くなる。その結果、基準グランド導体２２のより広い領域に電流が流れるようになり、信号線路２０に電流が流れやすくなる。以上より、高周波信号伝送線路１０における、挿入損失が低減される。

また、高周波信号伝送線路１０によれば、ｘ軸方向の位置によって特性インピーダンスが変動することが抑制される。より詳細には、高周波信号伝送線路１０では、溝Ｇ１，Ｇ２が線路部１２ａの全体にわたって設けられている。そのため、線路部１２ａの断面構造が均一に近くなる。その結果、高周波信号伝送線路１０では、ｘ軸方向の位置によって特性インピーダンスが変動することが抑制される。

また、誘電体素体１２には信号線路２０に沿って溝Ｇ１，Ｇ２が設けられているため、信号線路２０の長さ方向において誘電体素体１２を曲がりにくくすることができる。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号伝送線路について図面を参照しながら説明する。図１５は、第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ａの線路部１２ａの断面構造図である。高周波信号伝送線路１０ａの外観斜視図について図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ａは、溝の本数において高周波信号伝送線路１０と相違する。より詳細には、高周波信号伝送線路１０ａでは、４本の溝Ｇ１〜Ｇ４が設けられることによって、誘電体シート１８ｃの裏面において、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と重なる領域内に凹凸が設けられている。そして、溝Ｇ２，Ｇ３は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっている。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ａでは、高周波信号伝送線路１０よりも多くの溝Ｇ１〜Ｇ４が設けられているので、誘電体シート１８ｃの裏面において電磁界が乱反射しやすくなる。その結果、高周波信号伝送線路１０ａでは、不要輻射がより効果的に低減される。

なお、高周波信号伝送線路１０ａは、高周波信号伝送線路１０と同じ製造方法により作製できる。ただし、高周波信号伝送線路１０ａでは、信号線路２０と溝Ｇ２，Ｇ３とが重なっている。信号線路２０は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃよりも変形しにくい。そのため、高周波信号伝送線路１０ａでは、溝Ｇ１，Ｇ４に比べて溝Ｇ２，Ｇ３を形成することが難しい。換言すれば、高周波信号伝送線路１０では、溝Ｇ１，Ｇ２が信号線路２０と重なっていないので、凹凸を容易に形成することが可能である。また、高周波信号伝送線路１０では、溝Ｇ１，Ｇ２が信号線路２０と重なっていないので、溝Ｇ１，Ｇ２の凹凸の大きさなどにおいて製造バラツキが発生したとしても高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスが変動しにくい。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号伝送線路について図面を参照しながら説明する。図１６は、第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｂの誘電体素体１２の分解図である。図１７は、高周波信号伝送線路１０ｂの線路部１２ａを平面視した図である。図１８は、線路部１２ａのブリッジ部６０における断面構造図である。図１９は、線路部１２ａの開口３０における断面構造図である。図２０は、線路部１２ａの信号線路２０に沿った断面構造図である。高周波信号伝送線路１０ｂの外観斜視図は図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｂは、図１６ないし図１９に示すように、信号線路２０の線幅が均一ではない点において高周波信号伝送線路１０と相違する。より詳細には、図２０に示すように、区間Ａ２にはブリッジ部６０が設けられているので、区間Ａ２における高周波信号伝送線路１０ｂのｚ軸方向の厚みは、区間Ａ１における高周波信号伝送線路１０ｂのｚ軸方向の厚みよりもブリッジ部６０の厚みの分だけ大きい。よって、圧着時に、区間Ａ２における信号線路２０は、ブリッジ部６０によってｚ軸方向の正方向側に押される。その結果、図２０に示すように、信号線路２０は、ｘｚ断面において蛇行する。具体的には、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なる部分と基準グランド導体２２とのｚ軸方向の距離Ｄ５は、信号線路２０において開口３０と重なる部分と基準グランド導体２２とのｚ軸方向の距離Ｄ４よりも小さい。これにより、区間Ａ１では区間Ａ２よりも、信号線路２０と基準グランド導体２２との間に容量が形成されにくくなる。

そこで、図１６ないし図１９に示すように、信号線路２０において開口３０と重なる部分（区間Ａ１における信号線路２０）の線幅を、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なる部分（区間Ａ２における信号線路２０）の線幅よりも大きくしてもよい。これにより、信号線路２０と基準グランド導体２２との間に形成される容量を大きくすることなく、信号線路２０の抵抗値を低減できる。すなわち、高周波信号伝送線路１０ｂの特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスから変動させることなく、高周波信号伝送線路１０ｂの挿入損失を低減できる。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｃ及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図２１は、第３の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｃの分解図である。高周波信号伝送線路１０ｃの外観斜視図については図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｃでは、図２１に示すように、補強グランド導体４０，４２が設けられている点において、高周波信号伝送線路１０と相違する。より詳細には、補強グランド導体４０は、誘電体シート１８ｂの裏面に形成されており、ｘ軸方向に延在している。補強グランド導体４０は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりも、ｙ軸方向の正方向側に設けられており、開口３０及びブリッジ部６０とは重なっておらず、補助グランド導体２４と重なっている。

また、補強グランド導体４２は、誘電体シート１８ｂの裏面に形成されており、ｘ軸方向に延在している。補強グランド導体４２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりも、ｙ軸方向の負方向側に設けられており、開口３０及びブリッジ部６０とは重なっておらず、補助グランド導体２４と重なっている。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｃの製造方法について図面を参照しながら説明する。図２２ないし図２５は、高周波信号伝送線路１０ｃの圧着時の工程断面図である。以下では、一つの高周波信号伝送線路１０ｃが作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号伝送線路１０ｃが作製される。

高周波信号伝送線路１０ｃの製造方法は、圧着工程において高周波信号伝送線路１０の製造方法と相違する。そこで、以下では、圧着工程について説明する。

まず、図２２及び図２３に示すように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ね、圧着ツールＴ３，Ｔ４により誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対して圧着処理及び加熱処理を施す。圧着ツールＴ３は、誘電体シート１８ａの表面を押圧する。誘電体シート１８ａの表面に対する圧着ツールＴ３の接触面は平坦面である。一方、圧着ツールＴ４は、クッション材Ｃ１を介して誘電体シート１８ｃの裏面を押圧する。クッション材Ｃ１に対する圧着ツールＴ４の接触面は平坦面である。クッション材Ｃ１は、ゴム等の弾性体からなるシートである。以上のような圧着ツールＴ３，Ｔ４には、ヒータが内蔵されている。

以上のような圧着ツールＴ３，Ｔ４により、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対して加熱処理及び加圧処理を施すと、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが軟化する。ここで、誘電体シート１８ｂの裏面上には信号線路２０及び補強グランド導体４０，４２が設けられている。これにより、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体シート１８ｃにおいて開口３０と重なる部分は、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体シート１８ｃにおいて信号線路２０及び補強グランド導体４０，４２と重なる部分よりも変形しやすくなる。その結果、図２４及び図２５に示すように、クッション材Ｃ１が変形して、誘電体シート１８ｃの裏面に溝Ｇ１，Ｇ２が形成される。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｃでは、信号線路２０から放射された電磁界が補強グランド導体４０，４２により吸収されるようになる。その結果、高周波信号伝送線路１０ｃでは、不要輻射がより効果的に低減される。

（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図２６は、第４の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｄの外観斜視図である。図２７は、図２６の高周波信号伝送線路１０ｄの誘電体素体１２の分解図である。図２８は、図２６の高周波信号伝送線路１０ｄの区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９における断面構造図である。図２９は、図２６の高周波信号伝送線路１０ｄの区間Ａ１２，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１８における断面構造図である。

高周波信号伝送線路１０ｄは、溝Ｇ１，Ｇ２の代わりに、溝Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ２１〜Ｇ２３が設けられている点において高周波信号伝送線路１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路１０ｄについて説明する。高周波信号伝送線路１０ｄの構成において高周波信号伝送線路１０と同じ構成については同じ参照符号を付した。

高周波信号伝送線路１０ｄの誘電体素体１２は、誘電体シート１８ｄ，１８ａ〜１８ｃ，１８ｅがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されてなる。誘電体シート１８ｄ，１８ｅは、誘電体シート１８ａ〜１８ｃと同じ形状を有している。また、誘電体シート１８ｄには、開口Ｈａ〜Ｈｈが設けられている。誘電体シート１８ｄの開口Ｈａ〜Ｈｈは、保護層１４の開口Ｈａ〜Ｈｈと同じであるので説明を省略する。

また、誘電体素体１２には、図２６に示すように、区間Ａ１１〜Ａ１９がｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並ぶように設けられている。区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９は、使用時に折り曲げられない区間である。一方、区間Ａ１２，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１８は、使用時に折り曲げられる区間である。

高周波信号伝送線路１０ｄでは、図２７ないし図２９に示すように、ｚ軸方向の最も負方向側に設けられている誘電体シート１８ｅのｚ軸方向の負方向側の主面（裏面）において、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と重なる領域内に凹凸が設けられている。より詳細には、信号線路２０に沿ってｘ軸方向に延在する溝Ｇ１１，Ｇ１２が、誘電体シート１８ｅの裏面に設けられることにより、誘電体シート１８ｅの裏面に凹凸が形成されている。誘電体シート１８ｅの裏面は誘電体素体１２の裏面を構成しているので、溝Ｇ１１，Ｇ１２は誘電体素体１２の裏面に設けられている。

溝Ｇ１１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、誘電体シート１８ｅの裏面がｚ軸方向の正方向側に窪んでいることにより形成されている。溝Ｇ１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、誘電体シート１８ｅの裏面がｚ軸方向の正方向側に窪んでいることにより形成されている。溝Ｇ１１，Ｇ１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっていない。すなわち、溝Ｇ１１，Ｇ１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向（信号線路２０の線幅方向）の両側に設けられている。

また、溝Ｇ１１，Ｇ１２は、前記の通り、ｘ軸方向に延在しているので、図２７に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４のブリッジ部６０と重なっている。ただし、高周波信号伝送線路１０ｄでは、高周波信号伝送線路１０と異なり、ブリッジ部６０には、凹凸が形成されていない。

また、溝Ｇ２１〜Ｇ２３は、図２７ないし図２９に示すように、ｚ軸方向の最も正方向側に設けられている誘電体シート１８ｄのｚ軸方向の正方向側の主面（表面）に設けられている。誘電体シート１８ｄの表面は誘電体素体１２の表面を構成しているので、溝Ｇ１１，Ｇ１２は誘電体素体１２の表面に設けられている。

溝Ｇ２１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、誘電体シート１８ｄの表面がｚ軸方向の負方向側に窪んでいることにより形成されている。溝Ｇ２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっており、誘電体シート１８ｄの表面がｚ軸方向の負方向側に窪んでいることにより形成されている。溝Ｇ２３は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、誘電体シート１８ｄの表面がｚ軸方向の負方向側に窪んでいることにより形成されている。

また、溝Ｇ２１〜Ｇ２３は、図２６に示すように、区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９に設けられており、区間Ａ１２，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１８に設けられていない。これにより、後述するように、誘電体素体１２の区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９は、誘電体素体１２の区間Ａ１２，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１８に比べて曲がりにくくなるように構成されている。高周波信号伝送線路１０ｄのその他の構成は、高周波信号伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

次に、高周波信号伝送線路１０ｄの製造方法について図面を参照しながら説明する。図３０及び図３１は、高周波信号伝送線路１０ｄの圧着時の工程断面図である。

高周波信号伝送線路１０ｄの製造方法は、誘電体素体１２の圧着工程において高周波信号伝送線路１０の製造方法と相違する。そこで、以下では、誘電体素体１２の圧着工程について説明し、他の工程の説明については省略する。

図３０に示すように、誘電体シート１８ｄ，１８ａ〜１８ｃ，１８ｅをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ね、図３１に示すように、圧着ツールＴ１１，Ｔ１２により誘電体シート１８ｄ，１８ａ〜１８ｃ，１８ｅに対して圧着処理及び加熱処理を施す。以下に、圧着ツールＴ１１，Ｔ１２について説明する。

圧着ツールＴ１１は、図３１に示すように、誘電体シート１８ｄの表面に接触する。誘電体シート１８ｄの表面に対する圧着ツールＴ１１の接触面は凹凸面である。より詳細には、圧着ツールＴ１１の接触面には、ｚ軸方向の負方向側に向かって突出し、かつ、ｘ軸方向に延在する突起Ｐ２１〜Ｐ２３が設けられている。突起Ｐ２１が設けられている位置は、溝Ｇ２１が形成される位置に対応しており、突起Ｐ２２が設けられている位置は、溝Ｇ２２が形成される位置に対応しており、突起Ｐ２３が設けられている位置は、溝Ｇ２３が形成される位置に対応している。一方、圧着ツールＴ１２は、図３１に示すように、誘電体シート１８ｅの裏面に接触する。誘電体シート１８ｅの裏面に対する圧着ツールＴ１２の接触面は凹凸面である。より詳細には、圧着ツールＴ１２の接触面には、ｚ軸方向の正方向側に向かって突出し、かつ、ｘ軸方向に延在する突起Ｐ１１，Ｐ１２が設けられている。突起Ｐ１１が設けられている位置は、溝Ｇ１１が形成される位置に対応しており、突起Ｐ１２が設けられている位置は、溝Ｇ１２が形成される位置に対応している。以上のような圧着ツールＴ１１，Ｔ１２には、ヒータが内蔵されている。そして、圧着ツールＴ１１，Ｔ１２により、誘電体シート１８ａ〜１８ｅに対して加熱処理及び加圧処理を施すことにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｅが軟化する。これにより、図３１に示すように、誘電体シート１８ａ〜１８ｅが接合されると共に、誘電体シート１８ｄの表面に突起Ｐ２１〜Ｐ２３に倣った形状の溝Ｇ２１〜Ｇ２３が形成され、誘電体シート１８ｅの裏面に突起Ｐ１１，Ｐ１２に倣った形状の溝Ｇ１１，Ｇ１２が形成される。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｄによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、不要輻射を低減できる。より詳細には、高周波信号伝送線路１０ｄでは、誘電体シート１８ｅの裏面に凹凸が形成されているので、誘電体シート１８ｅの裏面の凹凸において電磁界が乱反射して高周波信号伝送線路１０ｄ内に戻る。これにより、乱反射した電磁界エネルギーが、基準グランド導体２２又は補助グランド導体２４や誘電体素体１２にて消費される。その結果、高周波信号伝送線路１０ｄでは、不要輻射が低減される。

また、高周波信号伝送線路１０ｄでは、区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９において誘電体素体１２が曲がりにくい。より詳細には、高周波信号伝送線路１０ｄでは、誘電体素体１２の圧着時に、突起Ｐ２１〜Ｐ２３が設けられた圧着ツールＴ１１を用いている。圧着の際に、突起Ｐ２１〜Ｐ２３は、誘電体シート１８ｄの表面に対して減り込む。圧着ツールＴ１１にはヒータが内蔵されているので、誘電体シート１８ｄが加熱されて軟化及び流動する。突起Ｐ２１〜Ｐ２３が減り込んだ部分の誘電体材料が突起Ｐ２１〜Ｐ２３のｙ軸方向の両側に移動する。これにより、誘電体素体１２において溝Ｇ２１〜Ｇ２３が設けられていない部分のｚ軸方向の厚みが大きくなる。その結果、誘電体素体１２の断面二次モーメントが大きくなる。溝Ｇ２１〜Ｇ２３は、区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９に設けられている。よって、高周波信号伝送線路１０ｄでは、区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９において誘電体素体１２が曲がりにくい。

なお、誘電体素体１２の区間Ａ１２，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１８には、溝Ｇ２１〜Ｇ２３が設けられていない。したがって、図９に示すように、高周波信号伝送線路１０ｄを曲げて用いることができる。

（第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図３２は、第５の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｅの外観斜視図である。図３３は、図３２の高周波信号伝送線路１０ｅの誘電体素体１２の分解図である。図３４は、図３２の高周波信号伝送線路１０ｅの区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９における断面構造図である。図３５は、図３２の高周波信号伝送線路１０ｅの区間Ａ１２，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１８における断面構造図である。

高周波信号伝送線路１０ｅは、誘電体シート１８ｄ，１８ｅの代わりに保護層１４，１５が設けられている点において高周波信号伝送線路１０ｄと相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路１０ｄについて説明する。高周波信号伝送線路１０ｅの構成において高周波信号伝送線路１０ｄと同じ構成については同じ参照符号を付した。

高周波信号伝送線路１０ｅの誘電体素体１２は、保護層１４、誘電体シート１８ａ〜１８ｃ及び保護層１５がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されてなる。高周波信号伝送線路１０ｅの保護層１４，１５は、高周波信号伝送線路１０の保護層１４，１５と同じであるので説明を省略する。

高周波信号伝送線路１０ｅでは、図３２ないし図３５に示すように、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面（裏面）において、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と重なる領域内に凹凸が設けられている。より詳細には、信号線路２０に沿ってｘ軸方向に延在する溝Ｇ１１，Ｇ１２が、保護層１５の裏面に設けられることにより、保護層１５の裏面に凹凸が形成されている。保護層１５の裏面は誘電体素体１２の裏面を構成しているので、溝Ｇ１１，Ｇ１２は誘電体素体１２の裏面に設けられている。

溝Ｇ１１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、保護層１５の裏面がｚ軸方向の正方向側に窪んでいることにより形成されている。溝Ｇ１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、保護層１５の裏面がｚ軸方向の正方向側に窪んでいることにより形成されている。溝Ｇ１１，Ｇ１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっていない。すなわち、溝Ｇ１１，Ｇ１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向（信号線路２０の線幅方向）の両側に設けられている。

また、高周波信号伝送線路１０ｅでは、図３２ないし図３５に示すように、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面（表面）において、ｚ軸方向から平面視したときに、凹凸が設けられている。より詳細には、溝Ｇ２１〜Ｇ２３は、図３２ないし図３５に示すように、保護層１４のｚ軸方向の正方向側の主面（表面）に設けられている。保護層１４の表面は誘電体素体１２の表面を構成しているので、溝Ｇ１１，Ｇ１２は誘電体素体１２の表面に設けられている。

溝Ｇ２１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、保護層１４の表面がｚ軸方向の負方向側に窪んでいることにより形成されている。溝Ｇ２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっており、保護層１４の表面がｚ軸方向の負方向側に窪んでいることにより形成されている。溝Ｇ２３は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、保護層１４の表面がｚ軸方向の負方向側に窪んでいることにより形成されている。

また、溝Ｇ２１〜Ｇ２３は、図３２に示すように、区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９に設けられており、区間Ａ１２，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１８に設けられていない。これにより、誘電体素体１２の区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９は、誘電体素体１２の区間Ａ１２，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１８に比べて曲がりにくくなるように構成されている。高周波信号伝送線路１０ｅのその他の構成は、高周波信号伝送線路１０ｄと同じであるので説明を省略する。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｅによれば、高周波信号伝送線路１０ｄと同様に、不要輻射を低減できる。

また、高周波信号伝送線路１０ｅでは、高周波信号伝送線路１０ｄと同様に、区間Ａ１１，Ａ１３，Ａ１５，Ａ１７，Ａ１９において誘電体素体１２が曲がりにくい。また、誘電体素体１２の区間Ａ１２，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１８には、溝Ｇ２１〜Ｇ２３が設けられていない。したがって、図９に示すように、高周波信号伝送線路１０ｅを曲げて用いることができる。

（第６の変形例）
以下に、第６の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図３６は、第６の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｆの断面構造図である。高周波信号伝送線路１０ｆの外観斜視図は、図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｆは、溝Ｇ２１〜Ｇ２３が設けられていない点において高周波信号伝送線路１０ｅと相違する。高周波信号伝送線路１０ｆにおいて、折り曲げにくい区間を設ける必要がない場合には、溝Ｇ２１〜Ｇ２３は不要である。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号伝送線路は、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆの構成や製造方法の各工程を組み合わせてもよい。

保護層１４，１５は、スクリーン印刷によって形成されているが、フォトリソグラフィ工程によって形成されてもよい。

なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆにおいて、コネクタ１００ａ，１００ｂが実装されていなくてもよい。この場合、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆの端部と回路基板とがはんだによって接続される。なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆの一方の端部のみにコネクタ１００ａが実装されてもよい。

また、コネクタ１００ａ，１００ｂは、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆの表面に実装されているが、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆの裏面に実装されていてもよい。また、コネクタ１００ａが高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆの表面に実装され、コネクタ１００ｂが高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆの裏面に実装されてもよい。

また、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆにおいて、基準グランド導体２２が設けられていなくてもよい。

また、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｂの表面に設けられていてもよい。

また、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆでは、溝Ｇ１，Ｇ２、溝Ｇ１〜Ｇ４、又は溝溝Ｇ１１，Ｇ１２が誘電体シート１８ｃ，１８ｅ又は保護層１５の裏面に形成されることによって、誘電体シート１８ｃ，１８ｅ又は保護層１５の裏面において、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と重なる領域内に凹凸が設けられている。しかしながら、誘電体シート１８ｃの裏面において、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と重なる領域内に凹凸が設ける方法はこれに限らない。溝Ｇ１，Ｇ２は、ｙ軸方向に延在していてもよいし、ｘ軸方向又はｙ軸方向に対して傾いた方向に延在していてもよい。また、複数の溝が２方向に延在することによってメッシュ状をなしていてもよい。また、ドット状の複数の窪みが溝の代わりに形成されて凹凸が設けられていてもよい。

なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号伝送線路として用いられてもよい。

なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄ，１０ｆにおいて、誘電体シート１８ａ〜１８ｃ（又は誘電体シート１８ａ〜１８ｅ）を圧着した後に、誘電体シート１８ｃ又は誘電体シート１８ｅの裏面をひっかくことによって溝Ｇ１〜Ｇ４，Ｇ１１，Ｇ１２を形成してもよい。同様に、高周波信号伝送線路１０ｅにおいて、保護層１５の裏面をひっかくことによって溝Ｇ１１，Ｇ１２を形成してもよい。

なお、保護層１４，１５の比誘電率ε２は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃ（又は誘電体シート１８ａ〜１８ｅ）の比誘電率ε１よりも必ずしも大きくなくてもよい。

なお、高周波信号伝送線路１０，１０ｂ〜１０ｆにおいて、溝Ｇ１，Ｇ２、溝Ｇ１１，Ｇ１２は、信号線路２０のｙ軸方向の両側に設けられているが、信号線路２０のｙ軸方向のいずれか一方に設けられていてもよい。

なお、高周波信号伝送線路１０ａ〜１０ｆも、高周波信号伝送線路１０と同様に、電子機器に用いられる。

以上のように、本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に有用であり、特に、不要輻射を低減できると共に、特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる点において優れている。

Ｇ１〜Ｇ４，Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ２１〜Ｇ２３ 溝
１０，１０ａ〜１０ｆ 高周波信号伝送線路
１２ 誘電体素体
１４，１５ 保護層
２０ 信号線路
２２ 基準グランド導体
２４ 補助グランド導体
３０ 開口
４０，４２ 補強グランド導体

Claims (12)

1. 複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、
   前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、
   前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられており、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられている第１のグランド導体と、
   を備えており、
   積層方向の最も一方側に設けられている前記誘電体層の積層方向の一方側の主面において、積層方向から平面視したときに、前記開口と重なる領域内には凹凸が設けられていること、
   を特徴とする高周波信号伝送線路。
2. 前記凹凸は、前記信号線路に沿って延在する溝が、積層方向の最も一方側に設けられている前記誘電体層の積層方向の一方側の主面に設けられることによって形成されていること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号伝送線路。
3. 前記溝は、積層方向から平面視したときに、前記信号線路よりも該信号線路の線幅方向の一方側又は両側に設けられていること、
   を特徴とする請求項２に記載の高周波信号伝送線路。
4. 前記第１のグランド導体は、隣り合う前記開口間にブリッジ部が設けられることにより梯子状をなしており、
   前記溝は、積層方向から平面視したときに、前記ブリッジ部と重なっていること、
   を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
5. 前記信号線路に対して積層方向の他方側に設けられている第２のグランド導体を、
   更に備えており、
   前記信号線路と前記第１のグランド導体との積層方向の距離は、該信号線路と前記第２のグランド導体との積層方向の距離よりも小さいこと、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
6. 前記第１のグランド導体は、隣り合う前記開口間にブリッジ部が設けられることにより梯子状をなしており、
   前記信号線路において前記ブリッジ部と重なる部分と前記第２のグランド導体との積層方向の距離は、該信号線路において前記開口と重なる部分と該第２のグランド導体との積層方向の距離よりも小さいこと、
   を特徴とする請求項５に記載の高周波信号伝送線路。
7. 前記信号線路において前記開口と重なる部分の線幅は、該信号線路において前記ブリッジ部と重なる部分の線幅よりも大きいこと、
   を特徴とする請求項６に記載の高周波信号伝送線路。
8. 前記誘電体素体は、積層方向の最も一方側に設けられている前記誘電体層の積層方向の一方側の主面上に設けられており、かつ、該誘電体層の比誘電率よりも大きな比誘電率を有するレジスト層を含んでいること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
9. 前記誘電体層の積層方向の一方側の主面に凹凸が設けられていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
10. 高周波信号伝送線路と、
    前記高周波信号伝送線路を収容する筐体と、
    を備えており、
    前記高周波信号伝送線路は、
    複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、
    前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、
    前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられており、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられている第１のグランド導体と、
    を備えており、
    積層方向の最も一方側に設けられている前記誘電体層の積層方向の一方側の主面において、積層方向から平面視したときに、前記開口と重なる領域内には凹凸が設けられていること、
    を特徴とする電子機器。
11. 複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、
    前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、
    前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられており、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられている第１のグランド導体と、
    を備えており、
    前記誘電体素体の一方側の主面において、積層方向から平面視したときに、前記開口と重なる領域内には凹凸が設けられていること、
    を特徴とする高周波信号伝送線路。
12. 高周波信号伝送線路と、
    前記高周波信号伝送線路を収容する筐体と、
    を備えており、
    前記高周波信号伝送線路は、
    複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、
    前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、
    前記信号線路に対して積層方向の一方側に設けられており、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられている第１のグランド導体と、
    を備えており、
    前記誘電体素体の一方側の主面において、積層方向から平面視したときに、前記開口と重なる領域内には凹凸が設けられていること、
    を特徴とする電子機器。

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