JP5867621B2 - 高周波信号線路及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、高周波信号線路及びその製造方法に関し、より特定的には、高周波信号の伝送に用いられる高周波信号線路及びその製造方法に関する。

従来の高周波信号線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の高周波信号線路が知られている。該高周波信号線路は、誘電体素体、信号線及び２つのグランド導体を備えている。誘電体素体は、可撓性材料からなる複数の誘電体シートが積層されて構成されおり、所定方向に直線状に延在している。信号線は、誘電体シート上に設けられている線状導体である。２つのグランド導体は、誘電体シート上に設けられており、積層方向において信号線を挟んでいる。これにより、信号線及び２つのグランド導体は、ストリップライン構造をなしている。該高周波信号線路は、例えば、電子機器内の２つの回路基板の接続に用いられる。

ところで、特許文献１に記載の高周波信号線路は、電子機器内において折り曲げて用いられる。そのため、高周波信号線路の誘電体素体は可撓性を有している。ところが、高周波信号線路が全体にわたって可撓性を有しているために、例えば、高周波信号線路において湾曲せずに直線状に延在してほしい部分が湾曲する場合がある。このような場合、高周波信号線路の湾曲した部分における信号線とグランド導体との間隔が小さくなるので、信号線とグランド導体との間に形成される容量が大きくなる可能性がある。その結果、高周波信号線路において湾曲した部分の特性インピーダンスは、湾曲前の特性インピーダンスよりも低くなる。すなわち、特許文献１に記載の高周波信号線路では、特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれてしまうおそれがある。

国際公開第２０１２／０７３５９１号パンフレット

そこで、本発明の目的は、可撓性を有する高周波信号線路において特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制することである。

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、可撓性を有する複数の誘電体層が積層されることにより構成されている線状の誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられ、かつ、該誘電体素体に沿って延在している線状の信号線と、前記誘電体素体に設けられ、かつ、前記信号線に沿って延在している第１のグランド導体であって、積層方向に互いに対向する第１の主面及び第２の主面を有する第１のグランド導体と、を備えており、前記第１のグランド導体の前記第２の主面には、積層方向から平面視したときに、前記信号線と重ならず、かつ、前記信号線に沿って延在する筋状の突起が形成されていること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る高周波信号線路の製造方法は、第１の誘電体層上に線状の信号線を形成する工程と、第２の誘電体層上に第１のグランド導体を形成する工程と、前記第１のグランド導体が前記信号線と対向するように前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とを積層及び圧着することによって、誘電体素体を形成する工程と、を備えており、前記積層及び圧着する工程では、前記信号線に直交する断面において前記第１のグランド導体の一部が積層方向の他方側に向けて突出するように該第１のグランド導体の一部を湾曲させて、該信号線に向かって突出する筋状の突起であって、積層方向から平面視したときに、前記信号線と重ならず、かつ、該信号線に沿って延在する筋状の突起を該第１のグランド導体に形成すること、を特徴とする。

本発明によれば、可撓性を有する高周波信号線路において特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。

本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 高周波信号線路の線路部の分解斜視図である。 図２のＡ−Ａにおける断面構造図である。 図２のＢ−Ｂにおける断面構造図である。 図２のＣ−Ｃにおける断面構造図である。 高周波信号線路のコネクタの外観斜視図である。 高周波信号線路のコネクタの断面構造図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の線路部のブリッジ部における断面構造図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の線路部の開口における断面構造図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 高周波信号線路の線路部のブリッジ部における断面構造図である。 線路部の開口における断面構造図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 第３の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号線路の圧着時の工程断面図である。 高周波信号線路の線路部の開口における断面構造図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。

（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、高周波信号線路１０の線路部１２ａの分解斜視図である。図４は、図２のＡ−Ａにおける断面構造図である。図２は、図３のＢ−Ｂにおける断面構造図である。図６は、図２のＣ−Ｃにおける断面構造図である。以下では、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられるフラットケーブルである。高周波信号線路１０は、図１ないし図３に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線２０、基準グランド導体２２、補助グランド導体２４、絶縁部材６０ａ，６０ｂ、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、図１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する線状をなす可撓性を有する板状部材であり、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４、誘電体シート１８ａ〜１８ｃ及び保護層１５がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

線路部１２ａは、図１に示すように、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも大きい。

誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されているシートである。以下では、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

誘電体シート１８ａの厚さＤ１と誘電体シート１８ｂの厚さＤ２との合計は、図４及び図５に示すように、誘電体シート１８ｃの厚さＤ３よりも大きい。誘電体シート１８ａ〜１８ｃの積層後において、厚さＤ１と厚さＤ２との合計は、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＤ１と厚さＤ２との合計は１５０μｍである。そして、厚さＤ１は、７５μｍである。厚さＤ２は、７５μｍである。また、厚さＤ３は、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＤ３は５０μｍである。

また、誘電体シート１８ａは、図２に示すように、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、図２に示すように、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

信号線２０は、図２ないし図６に示すように、高周波信号が伝送され、誘電体素体１２内に設けられている線状の導体である。本実施形態では、信号線２０は、誘電体シート１８ｂの裏面上に形成されており、誘電体素体１２に沿ってｘ軸方向に延在する直線状の導体である。信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｂの中央に位置している。信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｃの中央に位置している。

信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線２０が誘電体シート１８ｂの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線２０が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線２０が形成されていることを指す。また、信号線２０の表面には平滑化が施されるので、信号線２０において誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは、信号線２０において誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

基準グランド導体２２は、図２ないし図６に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられており、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在しているベタ状の導体層である。より詳細には、基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に形成され、誘電体シート１８ａ，１８ｂを介して信号線２０と対向している。基準グランド導体２２には、信号線２０と重なる位置には開口が設けられていない。以下では、基準グランド導体２２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、基準グランド導体２２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

基準グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、基準グランド導体２２において誘電体シート１８ａに接している面（裏面）の表面粗さは、基準グランド導体２２において誘電体シート１８ａに接していない面（表面）の表面粗さよりも大きくなる。

また、基準グランド導体２２は、図２に示すように、線路部２２ａ及び端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２２ｂは、線路部１８ａ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

補助グランド導体２４は、図２に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられており、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している導体層である。より詳細には、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの裏面に形成され、誘電体シート１８ｃを介して信号線２０と対向している。補助グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｃの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることや、誘電体シート１８ｃの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることを指す。また、補助グランド導体２４の表面には平滑化が施されるので、補助グランド導体２４において誘電体シート１８ｃに接している面の表面粗さは、補助グランド導体２４において誘電体シート１８ｃに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

また、補助グランド導体２４は、図２ないし図６に示すように、線路部２４ａ及び端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｃ−ａの裏面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２４ｂは、線路部１８ｃ−ｂの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｃは、接続部１８ｃ−ｃの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

また、線路部２４ａには、図２及び図３に示すように、ｘ軸方向に沿って並び、かつ、長方形状をなす複数の開口３０が設けられている。これにより、線路部２４ａは、梯子状をなしている。また、補助グランド導体２４において、隣り合う開口３０に挟まれた部分をブリッジ部６０と呼ぶ。ブリッジ部６０は、ｙ軸方向に延在している。複数の開口３０及び複数のブリッジ部６０とは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０に交互に重なっている。そして、本実施形態では、信号線２０は、開口３０及びブリッジ部６０のｙ軸方向の中央をｘ軸方向に横切っている。

以上のように、基準グランド導体２２には開口が設けられず、補助グランド導体２４には開口３０が設けられている。よって、基準グランド導体２２と信号線２０とが重なっている面積は、補助グランド導体２４と信号線２０とが重なっている面積よりも大きい。

外部端子１６ａは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｂは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。

外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されている。ここで、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることを指す。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には平滑化が施されるので、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、略等しい厚さを有している。外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の厚さは、例えば、１０μｍ〜２０μｍである。

以上のように、信号線２０は、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４によってｚ軸方向の両側から挟まれている。すなわち、信号線２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図４及び図５に示すように誘電体シート１８ａの厚さＤ１及び誘電体シート１８ｂの厚さＤ２の合計と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔は、１５０μｍである。また、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図４及び図５に示すように誘電体シート１８ｃの厚さＤ３と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔は、５０μｍである。よって、信号線２０と基準グランド導体２２とのｚ軸方向の距離は、信号線２０と補助グランド導体２４とのｚ軸方向の距離よりも大きい。

複数のビアホール導体Ｂ１は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ２は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ３は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されている。ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されており、より詳細には、ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の正方向側において補助グランド導体２４に接続されている。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに形成されたビアホールに対して銀、スズ、または銅等を主成分とする導電性ペーストが充填され、固化されることによって形成される。

複数のビアホール導体Ｂ４は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ５は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ６は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されている。ビアホール導体Ｂ６のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されており、より詳細には、ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の負方向側において補助グランド導体２４に接続されている。ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに形成されたビアホールに対して銀、スズ、または銅等を主成分とする導電性ペーストが充填され、固化されることによって形成される。

ビアホール導体ｂ１は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ３は、図２に示すように、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１，ｂ３は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、外部端子１６ａに接続されている。ビアホール導体ｂ３のｚ軸方向の負方向側の端部は、信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。

ビアホール導体ｂ２は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ４は、図２に示すように、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ２，ｂ４は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の正方向側の端部は、外部端子１６ｂに接続されている。ビアホール導体ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１〜ｂ４は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成されたビアホールに対して銀、スズ、または銅等を主成分とする導電性ペーストが充填され、固化されることによって形成される。

保護層１４は、ｚ軸方向の最も正方向側に設けられている誘電体シート１８ａの表面上に設けられている絶縁膜であり、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁膜である。すなわち、保護層１４は、基準グランド導体２２のｚ軸方向の正方向側に積層されており、基準グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

保護層１５は、ｚ軸方向の最も負方向側に設けられている誘電体シート１８ｃの裏面上に設けられている絶縁膜であり、補助グランド導体２４のｚ軸方向の負方向側に積層されており、誘電体シート１８ｃの裏面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１５は、補助グランド導体２４を覆っている。保護層１５は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

ところで、高周波信号線路１０の線路部１２ａには、使用時に折り曲げられたくない区間Ｅ１及び使用時に折り曲げられてもよい区間Ｅ２，Ｅ３が設けられている。本実施形態では、区間Ｅ２は、区間Ｅ１よりもｘ軸方向の負方向側に設けられており、区間Ｅ３は、区間Ｅ１よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。区間Ｅ１における線路部１２ａが区間Ｅ２，Ｅ３における線路部１２ａよりも折り曲げられにくくするために、図４及び図５に示すように、区間Ｅ１における基準グランド導体２２は、信号線２０に直交する断面（ｘ軸方向に直交する断面）において波打った形状をなしている。一方、図６に示すように、区間Ｅ２，Ｅ３における基準グランド導体２２は、信号線２０に直交する断面（ｘ軸方向に直交する断面）において波打っていない。以下に、より詳細に説明する。

図４及び図５に示すように、ｘ軸方向に直交する断面において、ｚ軸方向に信号線２０と重なる領域を領域Ａ１３と定義する。また、ｘ軸方向に直交する断面において、ｚ軸方向に開口３０と重なると共に信号線２０と重ならない領域を領域Ａ１１，Ａ１２と定義する。領域Ａ１１は、領域Ａ１３よりもｙ軸方向の正方向側に位置し、領域Ａ１２は、領域Ａ１３よりもｙ軸方向の負方向側に位置する。また、領域Ａ１１，Ａ１２は、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している。したがって、領域Ａ１１，Ａ１２は、図４に示すように、ブリッジ部６０における高周波信号線路１０の断面においても、開口３０における高周波信号線路１０の断面と同様に存在している。

また、ｘ軸方向に直交する断面において、領域Ａ１１よりもｙ軸方向の正方向側の領域を領域Ａ１４と定義し、領域Ａ１２よりもｙ軸方向の負方向側の領域を領域Ａ１５と定義する。

領域Ａ１１における基準グランド導体２２の表面には、図４及び図５に示すように、溝Ｇ１が設けられている。溝Ｇ１は、区間Ｅ１の領域Ａ１１における基準グランド導体２２の表面において、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している筋状（線状）の溝である。一方、領域Ａ１１における基準グランド導体２２の裏面には、図４及び図５に示すように、ｚ軸方向の負方向側に突出する突起Ｐ１が設けられている。突起Ｐ１は、区間Ｅ１の領域Ａ１１における基準グランド導体２２の裏面において、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している筋状（線状）の突起である。このように、ｘ軸方向に直交する断面において基準グランド導体２２の一部がｚ軸方向の負方向側に向かって突出するように湾曲していることによって、基準グランド導体２２の表面に溝Ｇ１が形成され、基準グランド導体２２の裏面に突起Ｐ１が形成されている。そして、溝Ｇ１，突起Ｐ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、信号線２０と重なっていない。

また、絶縁部材６０ａは、図２ないし図５に示すように、溝Ｇ１内に埋め込まれ、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している。絶縁部材６０ａは、保護層１４とは異なる部材であり、誘電体シート１８ａ〜１８ｃよりも硬質な材料により作製されている。絶縁部材６０ａは、例えば、樹脂等により作製されている。

領域Ａ１２における基準グランド導体２２の表面には、図４及び図５に示すように、溝Ｇ２が設けられている。溝Ｇ２は、区間Ｅ１の領域Ａ１２における基準グランド導体２２の表面において、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している筋状（線状）の溝である。一方、領域Ａ１２における基準グランド導体２２の裏面には、図４及び図５に示すように、ｚ軸方向の負方向側に突出する突起Ｐ２が設けられている。突起Ｐ２は、区間Ｅ１の領域Ａ１２における基準グランド導体２２の裏面において、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している筋状（線状）の突起である。このように、ｘ軸方向に直交する断面において基準グランド導体２２の一部がｚ軸方向の負方向側に向かって突出するように湾曲していることによって、基準グランド導体２２の表面に溝Ｇ２が形成され、基準グランド導体２２の裏面に突起Ｐ２が形成されている。そして、溝Ｇ２，突起Ｐ２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、信号線２０と重なっていない。

また、絶縁部材６０ｂは、図２ないし図５に示すように、溝Ｇ２内に埋め込まれ、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している。絶縁部材６０ｂは、絶縁部材６０ａと同様に保護層１４とは異なる部材であり、誘電体シート１８ａ〜１８ｃよりも硬質な材料により作製されている。絶縁部材６０ｂは、例えば、樹脂等により作製されている。

以上のように構成された高周波信号線路１０では、高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。より詳細には、信号線２０において開口３０と重なっている区間Ａ１では、信号線２０と補助グランド導体２４との間に相対的に小さな容量が形成される。そのため、区間Ａ１における高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、相対的に高いインピーダンスＺ１となる。

一方、信号線２０においてブリッジ部６０と重なっている区間Ａ２では、信号線２０と補助グランド導体２４との間に相対的に大きな容量が形成される。そのため、区間Ａ２における高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、相対的に低いインピーダンスＺ２となる。そして、区間Ａ１と区間Ａ２とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。よって、高周波信号線路１０の信号線２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。インピーダンスＺ１は、例えば、５５Ωであり、インピーダンスＺ２は、例えば、４５Ωである。そして、高周波信号線路１０全体の平均の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、図１に示すように、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図７は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図８は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。

コネクタ１００ｂは、図１、図７及び図８に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図７及び図８に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図９は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図１０は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。なお、図９及び図１０における区間Ｅ１〜Ｅ３の長さは、図２及び図３における区間Ｅ１〜Ｅ３の長さとは一致していない。図２及び図３では、単純化のために、区間Ｅ１を短く表記した。

電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

また、図９に示すように、区間Ｅ１における誘電体素体１２の表面がバッテリーパック２０６に接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、開口が設けられていないベタ状の基準グランド導体２２が存在している。

また、区間Ｅ２，Ｅ３における誘電体素体１２は、バッテリーパック２０６の角に沿うように折り曲げられている。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図１１ないし図１４は、高周波信号線路１０の圧着時の工程断面図である。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。

まず、一方の主面の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ〜１８ｃを準備する。具体的には、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの一方の主面に銅箔を張り付ける。更に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、液晶ポリマである。また、銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、誘電体シート１８ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２に示すように、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面上に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面の銅箔上に、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、洗浄液を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。

次に、図２に示すように、信号線２０を誘電体シート１８ｂの裏面上に形成する。また、図２に示すように、補助グランド導体２４を誘電体シート１８ｃの裏面上に形成する。なお、信号線２０及び補助グランド導体２４の形成工程は、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線２０及び基準グランド導体２２の形成工程と同じであるので説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填し、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６を形成する。

次に、図１１及び図１２に示すように、区間Ｅ１の領域Ａ１１，Ａ１２における誘電体シート１８ａの表面上に絶縁部材６０ａ，６０ｂを配置する。更に、信号線２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４とが対向するように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層する。

次に、図１３及び図１４に示すように、基準グランド導体２２上に絶縁部材６０ａ，６０ｂを配置した状態で、圧着ツールＴ１，Ｔ２により誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の両側から圧着処理及び加熱処理を施す。この際、絶縁部材６０ａ，６０ｂは、圧着ツールＴ１により基準グランド導体２２の表面に押さえ付けられて、基準グランド導体２２に対してめり込む。その結果、絶縁部材６０ａ，６０ｂが基準グランド導体２２に埋め込まれて、ｘ軸方向に直交する断面において、基準グランド導体２２が波打った形状をなすようになる。以上のように、誘電体素体１２を形成する工程では、ｘ軸方向に直交する断面において、基準グランド導体２２の一部がｚ軸方向の負方向側に向けて突出するように基準グランド導体２２を湾曲させて、信号線２０に沿って延在する筋状（線状）の溝Ｇ１，Ｇ２及び突起Ｐ１，Ｐ２を基準グランド導体２２に形成している。

次に、図２に示すように、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成する。

次に、図２に示すように、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ｃの裏面上に補助グランド導体２４を覆う保護層１５を形成する。なお、保護層１５の裏面には凹凸が形成されていない。これにより、誘電体素体１２が形成される。

最後に、接続部１２ｂ，１２ｃ上の外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子部２２ｂ，２２ｃ上にはんだを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。

（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０によれば、可撓性を有する高周波信号線路１０において特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０では、図４及び図５に示すように、ｘ軸方向に直交する断面において、区間Ｅ１の領域Ａ１１，Ａ１２における基準グランド導体２２がｚ軸方向の負方向側に向かって突出するように湾曲している。そのため、ｘ軸方向に直交する断面において、区間Ｅ１における基準グランド導体２２が波打った形状をなすようになる。これにより、ｘ軸方向に直交する断面において、区間Ｅ１における基準グランド導体２２のｙ軸方向の断面二次モーメントが、区間Ｅ２，Ｅ３における基準グランド導体２２のｙ軸方向の断面二次モーメントよりも大きくなる。その結果、区間Ｅ１における高周波信号線路１０は、区間Ｅ２，Ｅ３における高周波信号線路１０よりも湾曲しにくくなる。以上より、区間Ｅ１における高周波信号線路１０が湾曲することによって、区間Ｅ１における高周波信号線路１０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

また、高周波信号線路１０では、区間Ｅ１に絶縁部材６０ａ，６０ｂが設けられている。これにより、区間Ｅ１における高周波信号線路１０が湾曲することが抑制され、区間Ｅ１における高周波信号線路１０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

また、区間Ｅ１における高周波信号線路１０が湾曲しにくくなるので、区間Ｅ１において信号線２０に加わる引っ張り応力が小さくなる。その結果、信号線２０に断線が発生することが抑制される。

また、高周波信号線路１０によれば、薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号線路１０では、図２に示すように、区間Ａ１において、信号線２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。そのため、信号線２０と補助グランド導体２４との間に容量が形成されにくい。したがって、信号線２０と補助グランド導体２４とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波信号線路１０によれば、信号線２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。

また、高周波信号線路１０によれば、高周波信号線路１０がバッテリーパック２０６等の金属体に貼り付けられた場合に、信号線２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。より詳細には、高周波信号線路１０は、信号線２０とバッテリーパック２０６との間にベタ状の基準グランド導体２２が位置するように、バッテリーパック２０６に貼り付けられる。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６とが開口を介して対向しなくなり、信号線２０とバッテリーパック２０６との間に容量が形成されることが抑制される。その結果、高周波信号線路１０がバッテリーパック２０６に貼り付けられることによって、信号線２０の特性インピーダンスが低下することが抑制される。

また、高周波信号線路１０では、挿入損失を低減できる。より詳細には、信号線２０に電流が流れると、基準グランド導体２２と信号線２０との間に電気力線が発生する。この電気力線は、基準グランド導体２２と信号線２０との距離が小さいところほど電流密度が高くなる。よって、基準グランド導体２２において電流が流れる領域が狭くなり、基準グランド導体２２に電流が流れにくくなる。

そこで、突起Ｐ１，Ｐ２は、図５に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０のｙ軸方向の両側に設けられている。これにより、基準グランド導体２２において信号線２０とほぼ等距離となる領域が広くなる。その結果、基準グランド導体２２のより広い領域に分散して電流が流れるようになり、信号線２０に電流が流れやすくなる。以上より、高周波信号線路１０における、挿入損失が低減される。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１５は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの線路部１２ａのブリッジ部６０における断面構造図である。図１６は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの線路部１２ａの開口３０における断面構造図である。高周波信号線路１０ａの外観斜視図について図１を援用する。

高周波信号線路１０ａは、保護層１４の代わりに誘電体シート１８ｄが、誘電体シート１８ａのｚ軸方向の正方向側に積層されている点において、高周波信号線路１０と相違する。これにより、基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ｄによって覆われている。

次に、高周波信号線路１０ａの製造方法について説明する。以下では、高周波信号線路１０ａの製造方法において、高周波信号線路１０の製造方法と相違する点について説明し、高周波信号線路１０の製造方法と同じ点について説明を省略する。図１７及び図１８は、高周波信号線路１０の圧着時の工程断面図である。

図１７及び図１８に示すように、誘電体シート１８ｄの裏面に、絶縁部材６０ａ，６０ｂを張り付ける。更に、信号線２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４とが対向するように、誘電体シート１８ｄ，１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層する。

次に、圧着ツールＴ１，Ｔ２により誘電体シート１８ｄ，１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の両側から圧着処理及び加熱処理を施している。この際、絶縁部材６０ａ，６０ｂは、圧着ツールＴ１からの圧力が誘電体シート１８ｄを介して伝わってくることにより基準グランド導体２２の表面に押さえ付けられて、基準グランド導体２２に対してめり込む。その結果、絶縁部材６０ａ，６０ｂが基準グランド導体２２に埋め込まれて、ｘ軸方向に直交する断面において、基準グランド導体２２が波打った形状をなすようになる。

以上のように構成された高周波信号線路１０ａ及びその製造方法によっても、高周波信号線路１０と同様に、可撓性を有する高周波信号線路１０ａにおいて特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１９は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの誘電体素体１２の分解図である。図２０は、高周波信号線路１０ｂの線路部１２ａのブリッジ部６０における断面構造図である。図２１は、線路部１２ａの開口３０における断面構造図である。高周波信号線路１０ｂの外観斜視図は図１を援用する。

高周波信号線路１０ｂは、図１９ないし図２１に示すように、絶縁部材６０ａ，６０ｂが設けられていない点において高周波信号線路１０ａと相違する。よって、高周波信号線路１０ｂでは、図２０及び図２１に示すように、溝Ｇ１，Ｇ２内には保護層１４が充填されている。

次に、高周波信号線路１０ｂの製造方法について説明する。以下では、高周波信号線路１０ｂの製造方法において、高周波信号線路１０の製造方法と相違する点について説明し、高周波信号線路１０の製造方法と同じ点について説明を省略する。図２２ないし図２５は、高周波信号線路１０ｂの圧着時の工程断面図である。

図２２及び図２３に示すように、信号線２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４とが対向するように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層する。

次に、図２４及び図２５に示すように、圧着ツールＴ１'，Ｔ２により誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の両側から圧着処理及び加熱処理を施す。以下に、圧着ツールＴ１'，Ｔ２について説明する。

圧着ツールＴ１'は、図２４及び図２５に示すように、誘電体シート１８ａの表面及び基準グランド導体２２の表面に接触する。誘電体シート１８ａの表面及び基準グランド導体２２の表面に対する圧着ツールＴ１'の接触面は凹凸面である。より詳細には、圧着ツールＴ１'の接触面には、ｚ軸方向の負方向側に向かって突出し、かつ、ｘ軸方向に延在する突起Ｐ１１，Ｐ１２が設けられている。突起Ｐ１１が設けられている位置は、溝Ｇ１が形成される位置（すなわち、区間Ｅ１の領域Ａ１１）に対応しており、突起Ｐ１２が設けられている位置は、溝Ｇ２が形成される位置（区間Ｅ１の領域Ａ１２）に対応している。一方、圧着ツールＴ２は、図２４及び図２５に示すように、誘電体シート１８ｃの裏面及び補助グランド導体２４に接触する。誘電体シート１８ａの表面及び補助グランド導体２４に対する圧着ツールＴ２の接触面は平坦面である。

以上のような圧着ツールＴ１'，Ｔ２には、ヒータが内蔵されている。そして、圧着ツールＴ１'，Ｔ２により、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対して加熱処理及び加圧処理を施すことにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが軟化する。これにより、図１３及び図１４に示すように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが接合される。更に、突起Ｐ１１，Ｐ１２が基準グランド導体２２に対してめり込む。その結果、ｘ軸方向に直交する断面において、基準グランド導体２２が波打った形状をなすようになる。すなわち、高周波信号線路１０ｂの製造方法では、誘電体素体１２を形成する工程において、基準グランド導体２２に型押しを行うことにより、筋状（線状）の溝Ｇ１，Ｇ２及び突起Ｐ１，Ｐ２を形成している。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｂ及びその製造方法によっても、高周波信号線路１０と同様に、可撓性を有する高周波信号線路１０ｂにおいて特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃ及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図２６は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの分解図である。高周波信号線路１０ｃの外観斜視図については図１を援用する。

高周波信号線路１０ｃでは、図２６に示すように、補強グランド導体４０，４２が設けられている点において、高周波信号線路１０ｂと相違する。より詳細には、補強グランド導体４０は、区間Ｅ１において誘電体シート１８ｂの裏面に形成されており、ｘ軸方向に延在している。補強グランド導体４０は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりも、ｙ軸方向の正方向側に設けられており、開口３０及びブリッジ部６０とは重なっておらず、補助グランド導体２４と重なっている。すなわち、補強グランド導体４０は、領域Ａ１１とは重なっていない。補強グランド導体４０には、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ３が接続されている。

また、補強グランド導体４２は、区間Ｅ１において誘電体シート１８ｂの裏面に形成されており、ｘ軸方向に延在している。補強グランド導体４２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりも、ｙ軸方向の負方向側に設けられており、開口３０及びブリッジ部６０とは重なっておらず、補助グランド導体２４と重なっている。すなわち、補強グランド導体４２は、領域Ａ１２と重なっていない。補強グランド導体４２には、ビアホール導体Ｂ５，Ｂ６が接続されている。

これにより、ｘ軸に直交する断面において、領域Ａ１３では、信号線２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の３層の導体が存在している。また、ｘ軸方向に直交する断面において、領域Ａ１４，Ａ１５では、基準グランド導体２２、補助グランド導体２４及び補強グランド導体４０の３層の導体が設けられている。一方、ｘ軸に直交する断面において、領域Ａ１１，Ａ１２では、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の２層の導体しか設けられていない。このように、ｘ軸方向に直交する断面において、筋状（線状）の溝Ｇ１，Ｇ２及び突起Ｐ１，Ｐ２とｚ軸方向に重なる領域Ａ１１において導体が占める割合は、筋状（線状）の突起Ｐ１，Ｐ２と重ならない領域Ａ１３〜Ａ１５において導体が占める割合よりも少ない。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｃの製造方法について図面を参照しながら説明する。図２７ないし図３０は、高周波信号線路１０ｃの圧着時の工程断面図である。以下では、一つの高周波信号線路１０ｃが作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０ｃが作製される。

高周波信号線路１０ｃの製造方法は、圧着工程において高周波信号線路１０の製造方法と相違する。そこで、以下では、圧着工程について説明する。

まず、図２７及び図２８に示すように、信号線２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４とが対向するように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層する。

次に、図２９及び図３０に示すように、圧着ツールＴ３，Ｔ４及びクッション材Ｃ１により誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の両側から圧着処理及び加熱処理を施す。以下に、圧着ツールＴ３，Ｔ４及びクッション材Ｃ１について説明する。

圧着ツールＴ３は、クッション材Ｃ１を介して誘電体シート１８ａの表面及び基準グランド導体２２の表面を押圧する。クッション材Ｃ１に対する圧着ツールＴ３の接触面は平坦面である。クッション材Ｃ１は、ゴム等の弾性体からなるシートである。圧着ツールＴ４は、誘電体シート１８ｃの裏面及び補助グランド導体２４を押圧する。誘電体シート１８ｃの裏面及び補助グランド導体２４に対する圧着ツールＴ４の接触面は平坦面である。以上のような圧着ツールＴ３，Ｔ４には、ヒータが内蔵されている。

以上のような圧着ツールＴ３，Ｔ４及びクッション材Ｃ１により、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対して加熱処理及び加圧処理を施すと、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが軟化する。ここで、ｘ軸方向に直交する断面において、筋状（線状）の溝Ｇ１，Ｇ２及び突起Ｐ１，Ｐ２とｚ軸方向に重なる領域Ａ１１において導体が占める割合は、筋状（線状）の突起Ｐ１，Ｐ２と重ならない領域Ａ１３〜Ａ１５において導体が占める割合よりも少ない。導体は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに比べて変形しやすい。そのため、領域Ａ１１，Ａ１２における基準グランド導体２２が、領域Ａ１３〜Ａ１５における基準グランド導体２２よりも変形しやすくなる。その結果、図２９及び図３０に示すように、クッション材Ｃ１が変形して、基準グランド導体２２が、ｘ軸方向に直交する断面において、基準グランド導体２２が波打った形状をなすようになる。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｃ及びその製造方法によっても、高周波信号線路１０と同様に、可撓性を有する高周波信号線路１０ｃにおいて特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。

（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図３１は、高周波信号線路１０ｄの線路部１２ａの開口３０における断面構造図である。高周波信号線路１０ｄの外観斜視図は図１を援用する。

高周波信号線路１０ｄは、溝Ｇ３〜Ｇ６及び突起Ｐ３〜Ｐ６の数において高周波信号線路１０と相違する。また、溝Ｇ３〜Ｇ６には、絶縁部材６０ｃ〜６０ｆが埋め込まれている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｄによっても、高周波信号線路１０と同様に、可撓性を有する高周波信号線路１０ｄにおいて特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路及びその製造方法は、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄ及びその製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄの構成や製造方法の各工程を組み合わせてもよい。

保護層１４，１５は、スクリーン印刷によって形成されているが、フォトリソグラフィ工程によって形成されてもよい。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄにおいて、コネクタ１００ａ，１００ｂが実装されていなくてもよい。この場合、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｃの端部と回路基板とがはんだによって接続される。なお、高周波信号線路１０，１０ａの一方の端部のみにコネクタ１００ａが実装されてもよい。

また、コネクタ１００ａ，１００ｂは、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄの表面に実装されているが、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄの裏面に実装されていてもよい。また、コネクタ１００ａが高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄの表面に実装され、コネクタ１００ｂが高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄの裏面に実装されてもよい。

また、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄにおいて、基準グランド導体２２又は補助グランド導体２４のいずれか一方が設けられていなくてもよい。すなわち、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄは、トリプレート型のマイクロストリップラインであってもよい。

また、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄにおいて、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の代わりに、誘電体シート１８ｂの裏面上に信号線２０に沿って延在するグランド導体が設けられていてもよい。すなわち、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄは、コプレナー構造を有する高周波信号線路であってもよい。

また、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄにおいて、信号線２０のｙ軸方向の両側に溝Ｇ１，Ｇ２及び突起Ｐ１，Ｐ２が設けられているが、信号線２０のｙ軸方向の少なくとも一方に溝Ｇ１及び突起Ｐ１又は溝Ｇ２又は突起Ｐ２が設けられていればよい。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄにおいて、基準グランド導体２２には、溝Ｇ１，Ｇ２が設けられておらず、突起Ｐ１，Ｐ２のみが設けられていてもよい。このような基準グランド導体２２の断面二次モーメントは、突起Ｐ１，Ｐ２が設けられていない平坦な基準グランド導体の断面二次モーメントよりも大きくなる。そのため、可撓性を有する高周波信号線路において特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。

なお、絶縁部材６０ａ〜６０ｆの代わりに、金属等の導電性部材が用いられてもよい。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。

以上のように、本発明は、高周波信号線路及びその製造方法に有用であり、特に、可撓性を有する高周波信号線路において特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる点において優れている。

Ｃ１ クッション材
Ｇ１〜Ｇ６ 溝
Ｐ１〜Ｐ６，Ｐ１１，Ｐ１２ 突起
Ｔ１〜Ｔ４ 圧着ツール
１０，１０ａ〜１０ｄ 高周波信号線路
１２ 誘電体素体
１４ 保護層
２０ 信号線
２２ 基準グランド導体
２４ 補助グランド導体
３０ 開口
４０，４２ 補強グランド導体
６０ ブリッジ部
６０ａ〜６０ｆ 絶縁部材

Claims (13)

1. 可撓性を有する複数の誘電体層が積層されることにより構成されている線状の誘電体素体と、
   前記誘電体素体に設けられ、かつ、該誘電体素体に沿って延在している線状の信号線と、
   前記誘電体素体に設けられ、かつ、前記信号線に沿って延在している第１のグランド導体であって、積層方向に互いに対向する第１の主面及び第２の主面を有する第１のグランド導体と、
   を備えており、
   前記第１のグランド導体の前記第２の主面には、積層方向から平面視したときに、前記信号線と重ならず、かつ、前記信号線に沿って延在する筋状の突起が形成されていること、
   を特徴とする高周波信号線路。
2. 前記第１のグランド導体は、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線と対向しており、
   前記第１の主面は、積層方向の一方側の主面であり、
   前記第２の主面は、積層方向の他方側の主面であり、
   前記第２の主面には、前記信号線に沿って延在する筋状の突起が設けられていること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
3. 前記第２の主面に設けられている前記筋状の突起は、前記信号線に直交する断面において前記第１のグランド導体の一部が積層方向の他方側に向かって突出するように湾曲していることによって形成されていること、
   を特徴とする請求項２に記載の高周波信号線路。
4. 前記信号線に直交する断面において前記第１のグランド導体の一部が積層方向の他方側に向かって突出するように湾曲していることによって、前記第１の主面には筋状の溝が形成されており、
   前記第１のグランド導体の積層方向の一方側には、絶縁体層が積層されており、
   前記筋状の溝内には、前記絶縁体層とは異なる部材が埋め込まれていること、
   を特徴とする請求項３に記載の高周波信号線路。
5. 前記第２の主面に設けられている前記筋状の突起は、積層方向から平面視したときに、前記信号線よりも該信号線の線幅方向の少なくともいずれか一方に設けられていること、
   を特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の高周波信号線路。
6. 前記第２の主面に設けられている前記筋状の突起は、積層方向から平面視したときに、前記信号線に対して該信号線の線幅方向の両側に設けられていること、
   を特徴とする請求項５に記載の高周波信号線路。
7. 前記信号線に沿って延在しているグランド導体であって、該信号線よりも積層方向の他方側に設けられ、かつ、該信号線と対向する第２のグランド導体を、
   を更に備えていること、
   を特徴とする請求項２ないし請求項６のいずれかに記載の高周波信号線路。
8. 前記誘電体素体の一部の区間において、前記第１の主面及び／又は前記第２の主面には、前記信号線に沿って延在する筋状の突起が形成されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の高周波信号線路。
9. 第１の誘電体層上に線状の信号線を形成する工程と、
   第２の誘電体層上に第１のグランド導体を形成する工程と、
   前記第１のグランド導体が前記信号線と対向するように前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とを積層及び圧着することによって、誘電体素体を形成する工程と、
   を備えており、
   前記積層及び圧着する工程では、前記信号線に直交する断面において前記第１のグランド導体の一部が積層方向の他方側に向けて突出するように該第１のグランド導体の一部を湾曲させて、該信号線に向かって突出する筋状の突起であって、積層方向から平面視したときに、前記信号線と重ならず、かつ、該信号線に沿って延在する筋状の突起を該第１のグランド導体に形成すること、
   を特徴とする高周波信号線路の製造方法。
10. 前記信号線に直交する断面において、前記筋状の突起と積層方向に重なる領域に占める導体の割合は、該筋状の突起と積層方向に重ならない領域に占める導体の割合よりも少ないこと、
    を特徴とする請求項９に記載の高周波信号線路の製造方法。
11. 前記積層及び圧着する工程では、前記第１のグランド導体を弾性体で押圧することにより圧着処理を施すこと、
    を特徴とする請求項１０に記載の高周波信号線路の製造方法。
12. 前記積層及び圧着する工程では、前記第１のグランド導体上に前記信号線に沿って延在する部材を配置した状態で圧着処理を施すこと、
    を特徴とする請求項９又は請求項１０のいずれかに記載の高周波信号線路の製造方法。
13. 前記積層及び圧着する工程では、前記第１のグランド導体に型押しを行うことにより、前記筋状の突起を形成すること、
    を特徴とする請求項９又は請求項１０のいずれかに記載の高周波信号線路の製造方法。

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