JPWO2013108527A1 - 絶縁物状態判定アセンブリおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、直流電源を使用して、絶縁物の電気的な等価回路の静電容量を算出することが可能な絶縁物状態判定アセンブリおよび方法を提供することを目的とする。
ここでは、絶縁物の静電容量だけでなく、絶縁物の抵抗も算出される。従って、絶縁物の漏れ電流を評価することができる。
ここでは、絶縁物の等価回路として、コンデンサおよび抵抗器の直列回路を含むものが仮定される。
ここでは、第2抵抗体が、放電状態で第1抵抗体に直列に接続される態様で、絶縁物を含む回路に組み込まれる。従って、放電状態に切り替えられた直後、第1抵抗体に印加される電圧の急激な立ち上がりが抑制される。その結果、第1抵抗体の電圧の測定値から、絶縁物の静電容量がより安定的に算出される。
V=m1{exp(m2t)−exp(m3t)}
の式にフィッティングすることにより、変数m1、変数m2および変数m3を算出し、変数m1、変数m2および変数m3を、
C1=m1(m2−m3)/m2m3ER
の式に代入することにより、等価回路の静電容量を算出する。
ここでは、絶縁物の静電容量が精度よく算出される。
ここでは、絶縁物の等価回路として、コンデンサおよび抵抗器の並列回路を含むものが仮定される。
V=m1exp(m2t)
の式にフィッティングすることにより、変数m1および変数m2を算出し、変数m1および変数m2を、
C1=−C2+(1+m2RC2)E/m1m2R
の式に代入することにより、等価回路の静電容量を算出する。
ここでは、絶縁物の静電容量が精度よく算出される。
ここでは、プローブの内部抵抗が、第1抵抗体の役割を担う。従って、回路を簡略化することができる。
ここでは、絶縁物が、直流電源に接続された状態で使用される。つまり、絶縁物の静電容量を測定するアセンブリも、そのアセンブリが組み込まれる元の装置も、同じく直流電源を使用する。従って、元の装置の駆動時と同様の条件下で、絶縁物の静電容量を測定することができる。
ここでは、静電チャックのウェハとの接触面である絶縁物の静電容量を測定することができる。
ここでは、絶縁物の電極として、金属柱が使用される。金属柱は、絶縁物の上に配置される。従って、絶縁物の電極を簡便に形成することができる。
ここでは、絶縁物の静電容量だけでなく、絶縁物の抵抗も算出される。従って、絶縁物の漏れ電流を評価することができる。
ここでは、絶縁物の等価回路として、コンデンサおよび抵抗器の直列回路を含むものが仮定される。
ここでは、第2抵抗体が、放電状態で第1抵抗体に直列に接続される態様で、絶縁物を含む回路に組み込まれる。従って、放電状態に切り替えられた直後、第1抵抗体に印加される電圧の急激な立ち上がりが抑制される。その結果、第1抵抗体の電圧の測定値から、絶縁物の静電容量がより安定的に算出される。
V=m1{exp(m2t)−exp(m3t)}
の式にフィッティングすることにより、変数m1、変数m2および変数m3を算出するステップである。静電容量算出ステップは、変数m1、変数m2および変数m3を、
C1={m1(m2−m3)}/m2m3ER
の式に代入することにより、等価回路の静電容量を算出するステップである。
ここでは、絶縁物の静電容量が精度よく算出される。
ここでは、絶縁物の等価回路として、コンデンサおよび抵抗器の並列回路を含むものが仮定される。
V=m1exp(m2t)
の式にフィッティングすることにより、変数m1および変数m2を算出するステップである。静電容量算出ステップは、変数m1および変数m2を、
C1=−C2+(1+m2RC2)E/m1m2R
の式に代入することにより、等価回路の静電容量を算出するステップである。
ここでは、絶縁物の静電容量が精度よく算出される。
ここでは、プローブの内部抵抗が、第1抵抗体の役割を担う。従って、回路を簡略化することができる。
ここでは、絶縁物が、直流電源に接続された状態で使用される。つまり、絶縁物の静電容量を測定するアセンブリも、そのアセンブリが組み込まれる元の装置も、同じく直流電源を使用する。従って、元の装置の駆動時と同様の条件下で、絶縁物の静電容量を測定することができる。
ここでは、静電チャックのウェハとの接触面である絶縁物の静電容量を測定することができる。
図1に示す半導体製造装置1は、シリコンウェハW1にエッチング処理、アッシング処理、成膜処理等の加工処理を施す装置である。半導体製造装置1は、上部電極80と、静電チャック90とを有する。シリコンウェハW1は、静電チャック90上に載置された状態で加工処理される。半導体製造装置1は、減圧雰囲気にある真空チャンバ内に配置され、減圧雰囲気下で、上部電極80と静電チャック90との間にプラズマを発生させ、シリコンウェハW1をプラズマ処理する。
皮膜状態判定アセンブリ5は、静電チャック90の皮膜10の状態を定量的に判定するツールである。皮膜状態判定アセンブリ5は、皮膜10の電気的な等価回路を、直列等価回路L1(図2参照)又は並列等価回路L2(図3参照)と仮定し、皮膜10の静電容量および抵抗を算出することで、皮膜10の状態を判定する。直列等価回路L1は、コンデンサおよび抵抗器を直列に接続した回路である。並列等価回路L2は、コンデンサおよび抵抗器を並列に接続した回路である。以下、直列等価回路L1のコンデンサの静電容量をCcsとし、直列等価回路L1の抵抗器の抵抗をRcsとし、並列等価回路L2のコンデンサの静電容量をCcpとし、並列等価回路L2の抵抗器の抵抗をRcpとする。
図4に示すように、直列モデルアセンブリ5aは、直流電源PSと、スイッチSWと、シャント抵抗器20と、高圧プローブ30と、オシロスコープ40と、金属円柱50と、抵抗器60と、コンピュータ70と、これらを接続する配線とを有する。直流電源PSは、半導体製造装置1と共用される。
図2に示す皮膜10の直列等価回路L1の静電容量Ccsおよび抵抗Rcsの算出時、まず、測定者は、静電チャック90が組み込まれた測定用回路2を形成する。測定用回路2は、静電チャック90と、直列モデルアセンブリ5aの直流電源PS、スイッチSW、シャント抵抗器20、高圧プローブ30、オシロスコープ40、金属円柱50および抵抗器60とを図4のとおり接続することにより、後述する充電用回路2aおよび放電用回路2bを有するように形成される。
図6に示すコンピュータ70は、汎用のパーソナルコンピュータであり、解析プログラム8がインストールされている。解析プログラム8は、コンピュータ70に後述する演算処理に含まれる各ステップを実行させる。
測定用回路2およびコンピュータ70の上述の準備が終わると、測定者は、シャント抵抗器20に印加される電圧V(t)を測定する。まず、測定者は、スイッチSWを切り替え、測定用回路2が定常状態に達するまで、測定用回路2を充電状態に維持する。その後、測定者は、スイッチSWを切り替え、測定用回路2を放電状態にする。測定者は、測定用回路2を放電状態に切り替えた直後の、測定用回路2が過渡状態にある間、シャント抵抗器20に印加される電圧V(t)をオシロスコープ40により測定する。オシロスコープ40は、電圧V(t)の測定値を、逐次コンピュータ70に出力する。
コンピュータ70の制御部74は、オシロスコープ40から受信された電圧V(t)の測定値に基づいて、皮膜10の静電容量Ccsおよび抵抗Rcsを算出する。これらの測定値は、時系列に並ぶ離散的な電圧の値である。以下、皮膜10の静電容量Ccsおよび抵抗Rcsを算出する解析プログラム8のアルゴリズムについて説明する。
R1=Rcs+Re (式1)
R2=RsRp/(Rs+Rp) (式2)
となる。
I1=I2+I3 (式3)
V(t)=R2I2 (式6)
である。式3〜式6をV(t)について解くと、
V(t)=m1{exp(m2t)−exp(m3t)} (式7)
となる。ただし、変数m1、変数m2および変数m3には、以下の関係が成り立つ。
R1=−E/Cpm1(m2−m3) (式8)
Ccs=m1(m2−m3)/m2m3ER2 (式9)
なお、式1および式8より、
Rcs=−E/Cpm1(m2−m3)−Re (式10)
となる。
以下、並列モデルアセンブリ5bについて、直列モデルアセンブリ5aとの差異を中心に説明する。なお、並列モデルアセンブリ5bの要素の中で、直列モデルアセンブリ5aと共通の参照符号が付された要素については、特に説明がない限り、直列モデルアセンブリ5aと同様の構成を有するものとする。
図3に示す皮膜10の並列等価回路L2の静電容量Ccpおよび抵抗Rcpの算出時、まず、測定者は、測定用回路3を形成する。測定用回路3は、測定用回路2から抵抗器60を省略したものである。従って、スイッチSWの第2端子は、シャント抵抗器20の第1端子と直流電源のプラス極との間に接続される。スイッチSWは、充電用回路3aが閉じた状態である充電状態と、放電用回路3bが閉じた状態である放電状態とを切り替える。充電用回路3aは、充電用回路2aと同様の回路であり、放電用回路3bは、放電用回路2bから抵抗器60を省略したものである。充電状態は、皮膜10の並列等価回路L2のコンデンサが充電される状態である。放電状態は、皮膜10の並列等価回路L2のコンデンサが放電される状態である。
コンピュータ70の制御部74は、オシロスコープ40から受信された電圧V(t)の測定値に基づいて、皮膜10の静電容量Ccpおよび抵抗Rcpを算出する。以下、皮膜10の静電容量Ccpおよび抵抗Rcpを算出する解析プログラム8のアルゴリズムについて説明する。
R2=RsRp/(Rs+Rp) (式11)
となる。
I1+I2=I3+I4 (式12)
V(t)=R2I3 (式16)
である。式12〜式16をV(t)について解くと、
V=m1exp(m2t) (式17)
となる。ただし、変数m1および変数m2には、以下の関係が成り立つ。
Ccp=−Cp+(1+m2R2Cp)E/m1m2R2 (式18)
Rcp=−m1R2/{(1+m2R2Cp)E+m1} (式19)
となる。
<3−1>
上記実施形態では、皮膜10の静電容量Ccs,Ccpを算出するために、皮膜10を含む回路に直流電圧が印加される。具体的には、皮膜10は、直流電源PS、シャント抵抗器20およびスイッチを含む回路に組み込まれる。スイッチSWは、皮膜10の直流電圧V(t)による充電状態と皮膜10の放電状態とを切り替えるために使用される。そして、充電状態から放電状態へ切り替えた後のシャント抵抗器20の電圧V(t)の測定値から、皮膜10の静電容量Ccs,Ccpが算出される。これにより、直流電源PSを使用して、皮膜10の電気的な等価回路L1,L2の静電容量Ccs,Ccpを算出することができる。
上記実施形態では、皮膜10の静電容量Ccs,Ccpだけでなく、皮膜10の抵抗Rcs,Rcpも算出される。従って、皮膜10の漏れ電流を評価することができる。
直列モデルアセンブリ5aは、抵抗器60を有する。抵抗器60は、放電状態で、皮膜10およびシャント抵抗器20に直列に接続される。
すなわち、抵抗器60は、放電状態でシャント抵抗器20に直列に接続される態様で、皮膜10を含む回路に組み込まれる。従って、放電状態に切り替えられた直後、シャント抵抗器20に印加される電圧V(t)の急激な立ち上がりが抑制される。その結果、シャント抵抗器20の電圧V(t)の測定値から、皮膜10の静電容量Ccsがより安定的に算出される。
半導体製造装置1において、皮膜10が形成されている基台15は、内部電極10aに直流電源PSに接続された状態で、シリコンウェハW1を載置するために使用される。つまり、皮膜10の静電容量Ccs,Ccpを測定する皮膜状態判定アセンブリ5も、皮膜状態判定アセンブリ5が組み込まれた半導体製造装置1も、同じ直流電源PSを使用する。従って、半導体製造装置1の駆動時と同様の条件下で、皮膜10の静電容量Ccs,Ccpを測定することができる。
上記実施形態では、皮膜10の電極として、金属円柱50が使用される。金属円柱50は、単に皮膜10の上に配置され、ねじ等により固定される。従って、従来の態様、例えば、金属箔を皮膜10上に張り付ける方法に比べて、皮膜10の電極を簡便に形成することができる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、種々の変更が可能である。例えば、以下の変更が可能である。
直列モデルアセンブリ5aから抵抗器60を省略してもよいし、並列モデルアセンブリ5bに抵抗器60を追加してもよい。かかる場合、それぞれ回路方程式を立て直し、電圧V(t)の測定値をフィッティングするためのV(t)の式を新たに求め、新たなV(t)の式を解析プログラム2に与えればよい。
皮膜10の等価回路は、直列等価回路L1および並列等価回路L2に限定されない。例えば、皮膜10の等価回路として、図13に示すような直列回路および並列回路を組み合わせた等価回路L3を仮定してもよい。かかる場合も、回路方程式を立て直し、電圧V(t)の測定値をフィッティングするためのV(t)の式を新たに求め、新たなV(t)の式を解析プログラム2に与えればよい。
皮膜状態判定アセンブリ5を利用して、半導体製造装置1の稼働中に、皮膜10の状態をリアルタイムに判定してもよい。それにより、測定者は、半導体製造装置1の稼働中に、半導体製造装置1を停止させたり、半導体製造装置1の稼働時のパラメータを変更したりする等の適切な処置をリアルタイムに取ることができる。あるいは、制御部74が、半導体製造装置1の稼働中に、皮膜10の劣化のレベルに従って、半導体製造装置1を停止させたり、半導体製造装置1の稼働時のパラメータを変更したりする等の適切な処理をリアルタイムに実行するようにしてもよい。
皮膜10の電極として、金属円柱50以外を利用してもよい。例えば、JIS規格(JISC2138)に従って、金属箔を貼り付けたり、スパッタリングしたりしてもよい。しかし、上記実施形態のように、皮膜状態判定アセンブリ5を半導体製造装置1に組み込む場合には、金属円柱50を皮膜10上に載置する方法が特に簡便である。また、金属円柱50には、ガードリングを装着することがさらに好ましい。ガードリングの内径は、金属円柱50の外径よりも数mm程度大きなサイズとすることが好ましい。なお、金属円柱50の代わりに、角柱等、他の形状の金属柱を使用してもよい。金属円柱50を使用する場合でも、その形状は、完全に円柱形状である必要はなく、概ね円柱形状であればよい。
皮膜状態判定アセンブリ5からシャント抵抗器20を省略してもよい。かかる場合、回路を簡略化することができる。シャント抵抗器20を省略した場合、式2および式11が、
R2=Rp (式20)
となるが、他の式1、式3〜式10および式12〜式19は、変わらない。従って、シャント抵抗器20を省略したとしても、上記実施形態と同様に、静電容量Ccs,Ccpおよび抵抗Rcs,Rcpを算出可能である。
しかし、本変形例では、高圧プローブ30の内部抵抗が、シャント抵抗器20の役割を担う。従って、測定用回路2,3を簡略化することができる。
上記実施形態では、皮膜状態判定アセンブリ5を、静電チャック90の皮膜10の静電容量Ccs,Ccpおよび抵抗Rcs,Rcpを測定するのに使用したが、静電チャック90の皮膜10に限らず、その他の皮膜の静電容量および抵抗の測定にも使用することができる。
上記実施形態では、皮膜状態判定アセンブリ5による静電容量および抵抗の測定の対象は、溶射により形成された皮膜10であったが、これに限定されない。測定の対象は、例えば、セラミックス焼結板等であってもよく、アセンブリ5は、様々な絶縁物の静電容量および抵抗を測定するのに適用可能である。
以下、本発明の実施例について説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されない。本実施例では、図4および図5の測定用回路2,3を使用して、静電容量Ccs,Ccpおよび抵抗Rcs,Rcpを以下の条件下で測定した。
Rs=10MΩ、Re=3MΩとした。高圧プローブ30としては、Rp=100MΩ、Cp=3pFで、Tektronix社製の6015Aを使用した。直流電源PSとしては、E=1kVで、ムサシインテック社製の耐電圧試験器IP−701Gを使用した。スイッチSWとしては、Kilovac社製のガス封入リレーHC−6を使用した。皮膜10としては、アルミナ(TS5116−HP)から形成され、平面研磨#400仕上げされており、膜厚が250μmのものを使用した。金属円柱50としては、SUS304ステンレス鋼製のものを使用した。また、金属円柱50としては、直径20mm×高さ30mmと直径30mm×高さ30mmのサイズのものを2つ用意し、それぞれの場合について測定を行った。
ところで、静電容量は、電極の面積に比例する。そうすると、{C(φ30)/C(φ20)}0.5の値は、理論的には、{302/202}0.5=1.5となるはずである。なお、C(φ20)、C(φ30)は、それぞれ直径20mm、直径30mmの金属円柱50を使用した場合の静電容量Ccs,Ccpである。図11に示すとおり、本実施例における{C(φ20)/C(φ30)}0.5は、直列等価回路L1のモデルで、1.383となり、並列等価回路L2のモデルで、1.351となった。従って、理論値からのずれが10%未満となり、本発明に係る静電容量および抵抗の算出方法の妥当性が認められる。
5 皮膜状態判定アセンブリ(アセンブリ)
5a 直列モデルアセンブリ(アセンブリ)
5b 並列モデルアセンブリ(アセンブリ)
10 皮膜(絶縁物)
15 基台
20 シャント抵抗器(第1抵抗体)
30 高圧プローブ(第1抵抗体、プローブ)
40 オシロスコープ(電圧測定器)
50 金属円柱(金属柱)
60 抵抗器(第2抵抗体)
70 コンピュータ
74 制御部(算出部)
L1 直列等価回路(等価回路)
L2 並列等価回路(等価回路)
L3 等価回路
PS 直流電源
SW スイッチ
W1 シリコンウェハ(ウェハ)
Claims (21)
- 絶縁物の状態を判定するためのアセンブリであって、
直流電源と、
前記直流電源および前記絶縁物に直列に接続され、既知の第1抵抗を有する第1抵抗体と、
前記絶縁物および前記第1抵抗体に前記直流電源から直流電圧が印加され、前記絶縁物が充電される充電状態と、前記絶縁物および前記第1抵抗体に前記直流電源から直流電圧が印加されず、前記絶縁物が放電される放電状態とを切り替えるスイッチと、
前記スイッチが前記充電状態から前記放電状態に切り替えられた後に、前記第1抵抗体に印加される電圧を測定する電圧測定器と、
前記第1抵抗および前記電圧に基づいて、前記絶縁物の電気的な等価回路の静電容量を算出する算出部と
を備える、アセンブリ。 - 前記算出部は、前記電圧に基づいて、前記等価回路の抵抗をさらに算出する、
請求項1に記載のアセンブリ。 - 前記等価回路は、直列に接続されたコンデンサおよび抵抗器を含む回路と仮定したものである、
請求項1又は2に記載のアセンブリ。 - 前記放電状態で、前記絶縁物および前記第1抵抗体に直列に接続される第2抵抗体、
をさらに備える、
請求項3に記載のアセンブリ。 - 前記算出部は、Eを前記直流電源の直流電圧とし、C1を前記等価回路の静電容量とし、Rを前記第1抵抗、又は前記第1抵抗と前記電圧測定器用のプローブの抵抗との合成抵抗とし、Vを前記電圧とし、tを時間としたときに、前記電圧を、
V=m1{exp(m2t)−exp(m3t)}
の式にフィッティングすることにより、変数m1、変数m2および変数m3を算出し、前記変数m1、前記変数m2および前記変数m3を、
C1={m1(m2−m3)}/m2m3ER
の式に代入することにより、前記等価回路の静電容量を算出する、
請求項3又は4に記載のアセンブリ。 - 前記等価回路は、並列に接続されたコンデンサおよび抵抗器を含む回路と仮定したものである、
請求項1又は2に記載のアセンブリ。 - 前記算出部は、Eを前記直流電源の直流電圧とし、C1を前記等価回路の静電容量とし、C2を前記電圧測定器用のプローブの静電容量とし、Rを前記第1抵抗、又は前記第1抵抗と前記プローブの抵抗との合成抵抗とし、Vを前記電圧とし、tを時間としたときに、前記電圧を、
V=m1exp(m2t)
の式にフィッティングすることにより、変数m1および変数m2を算出し、前記変数m1および前記変数m2を、
C1=−C2+(1+m2RC2)E/m1m2R
の式に代入することにより、前記等価回路の静電容量を算出する、
請求項6に記載のアセンブリ。 - 前記第1抵抗は、前記電圧測定器用のプローブの抵抗である、
請求項1〜7いずれかに記載のアセンブリ。 - 前記絶縁物は、直流電源に接続された状態で使用される、
請求項1〜8のいずれかに記載のアセンブリ。 - 前記絶縁物は、基台上に配置され、前記ウェハのエッチング時に前記絶縁物に前記ウェハが静電気力により吸着されるように、直流電圧が印加される、
請求項9に記載のアセンブリ。 - 前記絶縁物の上に配置され、前記絶縁物を前記直流電源、前記第1抵抗体および前記スイッチを含む回路に接続する金属柱、
をさらに備える、
請求項1〜10のいずれかに記載のアセンブリ。 - 絶縁物の状態を判定する方法であって、
前記絶縁物と、前記絶縁物に直列に接続され、既知の第1抵抗を有する第1抵抗体とを含む測定用回路を形成するステップと、
前記絶縁物および前記第1抵抗体に直流電圧が印加され、前記絶縁物が充電される充電状態を保持するステップと、
前記充電状態から、前記絶縁物および前記第1抵抗体に直流電圧が印加されず、前記絶縁物が放電される放電状態に切り替えるステップと、
前記充電状態から前記放電状態に切り替えられた後に、前記第1抵抗体に印加される電圧を測定するステップと、
前記第1抵抗および前記電圧に基づいて、前記絶縁物の電気的な等価回路の静電容量を算出するステップと
を備える、方法。 - 前記電圧に基づいて、前記等価回路の抵抗を算出するステップ、
をさらに備える、
請求項12に記載の方法。 - 前記等価回路は、直列に接続されたコンデンサおよび抵抗器を含む回路と仮定したものである、
請求項12又は13に記載の方法。 - 前記測定用回路は、前記放電状態で、前記絶縁物および前記第1抵抗体に直列に接続される第2抵抗体をさらに含む、
請求項14に記載の方法。 - 前記等価回路の静電容量を算出するステップは、
Eを前記直流電圧とし、C1を前記等価回路の静電容量とし、Rを前記第1抵抗、又は前記第1抵抗と前記電圧を測定する電圧測定器用のプローブの抵抗との合成抵抗とし、Vを前記電圧とし、tを時間としたときに、前記電圧を、
V=m1{exp(m2t)−exp(m3t)}
の式にフィッティングすることにより、変数m1、変数m2および変数m3を算出するステップと、
前記変数m1、前記変数m2および前記変数m3を、
C1=m1(m2−m3)/m2m3ER
の式に代入することにより、前記等価回路の静電容量を算出するステップと
を含む、
請求項14又は15に記載の方法。 - 前記等価回路は、並列に接続されたコンデンサおよび抵抗器を含む回路と仮定したものである、
請求項12又は13に記載の方法。 - 前記等価回路の静電容量を算出するステップは、
Eを前記直流電圧とし、C1を前記等価回路の静電容量とし、C2を前記電圧を測定する電圧測定器用のプローブの静電容量とし、Rを前記第1抵抗、又は前記第1抵抗と前記プローブの抵抗との合成抵抗とし、Vを前記電圧とし、tを時間としたときに、前記電圧を、
V=m1exp(m2t)
の式にフィッティングすることにより、変数m1および変数m2を算出するステップと、
前記変数m1および前記変数m2を、
C1=−C2+(1+m2RC2)E/m1m2R
の式に代入することにより、前記等価回路の静電容量を算出するステップと、
を含む、
請求項17に記載の方法。 - 前記第1抵抗は、前記充電状態から前記放電状態に切り替えられた後に、前記電圧を測定する電圧測定器用のプローブの抵抗である、
請求項12〜18いずれかに記載の方法。 - 前記絶縁物は、直流電源に接続された状態で使用される、
請求項12〜19のいずれかに記載の方法。 - 前記絶縁物は、基台上に配置され、前記ウェハのエッチング時に前記絶縁物に前記ウェハが静電気力により吸着されるように、直流電圧が印加される、
請求項20に記載の方法。
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Citations (8)
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---|---|---|---|---|
JPS57128857A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-10 | Matsuo Denki Kk | Detecting method for leakage current and/or polarity of capacitor |
JPS62123367A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Advantest Corp | 容量素子の充電電流測定方法 |
JPH01180464A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Aisuke Shimizu | コンデンサ測定器 |
JPH06201634A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-22 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 水分測定方法及び水分測定装置 |
JP2000150327A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
JP2001230310A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 静電チャック評価装置及び静電チャック評価方法 |
JP2003004780A (ja) * | 2001-04-20 | 2003-01-08 | Nf Corp | インピーダンスパラメータの推定方法及び装置 |
JP2010025667A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Yazaki Corp | 並列抵抗測定方法及びその装置 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57128857A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-10 | Matsuo Denki Kk | Detecting method for leakage current and/or polarity of capacitor |
JPS62123367A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Advantest Corp | 容量素子の充電電流測定方法 |
JPH01180464A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Aisuke Shimizu | コンデンサ測定器 |
JPH06201634A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-22 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 水分測定方法及び水分測定装置 |
JP2000150327A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
JP2001230310A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 静電チャック評価装置及び静電チャック評価方法 |
JP2003004780A (ja) * | 2001-04-20 | 2003-01-08 | Nf Corp | インピーダンスパラメータの推定方法及び装置 |
JP2010025667A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Yazaki Corp | 並列抵抗測定方法及びその装置 |
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