JPWO2013038622A1 - グラフェンの製造方法およびグラフェン - Google Patents

Abstract

転写プロセスの際に発生する、銅などの金属微粒子の付着を低減し、高い移動度を保った高品質のグラフェンを形成する。
遷移金属基板の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させる工程と、前記グラフェン上に樹脂支持膜を形成する工程と、前記遷移金属基板をエッチングにより除去する工程と、前記樹脂支持膜上のグラフェンを任意の基板あるいは層に貼り付ける工程と、前記樹脂支持膜を除去する工程とを有し、さらに、樹脂支持膜を除去する工程の前に、樹脂支持膜の表面に存在する金属微粒子を取り除く工程を有する

Description

本発明は、グラフェンの製造方法およびグラフェンに関し、特に単層グラフェンを、特定の単結晶基板上に形成した遷移金属単結晶薄膜上に形成する、グラフェンの製造方法およびグラフェンに関する。

グラフェンは、炭素原子がｓｐ^２結合で結合して、同一平面内に並んだ炭素原子のシートである。
近年、非特許文献１及び非特許文献２に記載のように、単層のグラフェンが発見され、半整数ホール効果などの２次元性に由来する特異な量子伝導が報告され、物性物理の分野で非常に高い注目を集めている。

また、グラフェンの移動度は１５０００ｃｍ^２／Ｖｓとシリコンに比べ一桁以上高い値を示すことから、産業応用としてさまざまなものが提案されており、Siを超えるトランジスタへの応用、スピン注入デバイス、単分子を検出するガスセンサーなど多岐にわたる。中でも導電性薄膜や透明導電膜への適用は注目されており活発に開発が行われている。

導電性薄膜としての重要な特性は低シート抵抗である。シート抵抗は導電率と膜厚に反比例するため膜厚が厚くなるほど低い値を得ることが出来る。また、導電率は移動度に比例するため、膜質の高いグラフェンを成膜させることによりその向上が見込める。例えば非特許文献３ではＣＶＤ法によってＣｕフォイル上に膜質の良いグラフェン薄膜を均一に成膜することに成功している。

K.S.Novoselov,A.K.Geim,S.V.Morozov,D.Jiang,Y.Zhang,S.V.Dubonos,I.V.Grigorieva,A.A.Firsov,Science306(2004)666. K.S.Novoselov,D.Jiang,F.Schedin,T.J.Booth,V.V.Khotkevich,S.V.Morozovand A.K.Geim,Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.102(2005)10451. Xuesong et al.,Nano Lett.9(2009)4359-4362.

ＣＶＤ法によってＣｕフォイル上にグラフェンを成膜する場合、ＣｕフォイルをＣＶＤ炉中に配置し、水素を導入した状態で１０００℃まで昇温を行い、メタンなどの炭化水素系のガスを供給し、30分程度保持することでグラフェンが成膜される。このグラフェン上に、樹脂支持膜としてＰＭＭＡを形成して、Ｃｕフォイルのエッチングを行う。次にグラフェン／ＰＭＭＡ膜を任意の基板に貼り付け、アセトンなどでＰＭＭＡを溶解させることによってグラフェンを転写ことができる。しかし、ＰＭＭＡを形成する際に、グラフェン上にＰＭＭＡ溶液をスピンコートや塗布にて成膜し、１８０℃程度でキュアを行う際に、Ｃｕフォイルの表面に形成された自然酸化膜がＰＭＭＡ側に移動し、銅の微粒子を形成する。この微粒子はＰＭＭＡ中の溶剤の蒸発とともにＰＭＭＡの表面に偏析する。この状態で転写の際にＰＭＭＡをアセトンなどで溶解すると、ＰＭＭＡ中の金属微粒子がアセトン中に分散され、グラフェンの表面に再付着する。グラフェンのキャリア移動度は散乱体の数に反比例するため、金属微粒子が表面に付着すると移動度が低下するという問題がある。

産業応用上、グラフェンの表面の付着物の制御は、グラフェンの膜質の制御と安定生産を確保するために重要な課題である。

本発明の目的は、転写プロセスの際に発生する、銅などの金属微粒子の付着を低減し、高い移動度を保った高品質のグラフェンを形成することにある。

上記目的を達成するため、本発明のグラフェンの製造方法は、樹脂支持膜（例えばＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート））を形成したグラフェンを任意の基板あるいは層に配置し、ＰＭＭＡを除去する際に、あらかじめＰＭＭＡの表面に存在している微粒子を除去することに特徴を有するものである。すなわち、グラフェンを、不純物（微粒子）を付着させることなく、任意の基板あるいは層に転写することを特徴とするものである。

樹脂支持膜としては、上記のＰＭＭＡや、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）が用いられる。
遷移金属基板はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔまたはこれらの合金であることが好ましい。これらの遷移金属では触媒効果により、炭素原子が6員環を形成し易くより高い結晶性のグラフェンを得ることが出来る。
また、面心立方を持つＣｕ（１１１）や、Ｉｒ（１１１）は、カーボンの溶解性が低いため、炭素の過飽和による析出が生じず、供給した炭素量によってグラフェンの層数を制御できるため特に好ましい。さらに、同じく面心立方を持つＮｉ（１１１）は、グラフェンと結晶のミスマッチが約１％と小さいため特に好ましい。また六方晶を有するＲｕやＣｏは、グラフェンと対称性が類似している６回対称を有する（０００１）面が好ましい。

樹脂支持膜の厚みは０．１μｍから１００μｍが好ましく、１μｍから１０μｍがより好ましい。樹脂支持膜の厚みが０．１μｍ以下では樹脂支持膜が破れてしまいハンドリングできず、１００μｍ以上では樹脂中の溶剤を除去することが難しく、変形などがおこるため適さない。

本発明によれば、転写プロセスにおいてグラフェンに付着する金属微粒子を低減することが可能であり、高い移動度を維持した高品質なグラフェンを任意基板に形成することが出来る。
通常グラフェンは金属上にしか成長することができない。
しかし、転写を用いれば所望の基板あるいは層の上にグラフェンを形成することができる。
例えば、太陽電池用の透明導電膜の場合、透明導電膜としてのグラフェンを成膜するのはp型半導体層またはｎ型半導体層の上であるが、その上にグラフェンを直接成膜することはあらゆる制約から難しい。しかし、転写であれば、できたグラフェンをp型半導体層またはｎ型半導体層の上に形成できるため実用上重要となる。
また、本発明によれば、グラフェンの特性の安定性が確保でき歩留まりの高いプロセスを構築することが可能である。

グラフェンを任意基板に転写するプロセスの概念図である。 ＰＭＭＡ中の銅微粒子が存在している層を取り除くプロセスの概念図である。 ＰＭＭＡ中の銅微粒子が存在している層を取り除くプロセスの概念図である。 ＰＭＭＡ中の銅微粒子が存在している層を取り除くプロセスの概念図である。 ＰＭＭＡ／グラフェン／銅フォイルの断面ＴＥＭ像の図である。 本発明ならびに従来のプロセスで作製したグラフェンに存在している銅微粒子数の図である。 グラフェンに金属微粒子が存在している状態を示す図である。

本発明のグラフェンの成長方法としては、ＣＶＤ法（化学的気相堆積）またはＰＶＤ法（物理的気相堆積）により成膜出来る。
＜実施の形態１＞

グラフェンを成長させるＣＶＤでは、遷移金属基板を１×１０⁻⁷Ｐａ以下の超高真空中や１０〜１００００Ｐａ程度の低圧、大気圧などのさまざまな条件において、基板を６００〜１２００℃程度に加熱した状態で、メタンなどの炭化水素ガスを遷移金属単結晶薄膜表面に吹き付けることで、メタンガスがクラッキング（解離吸着）され、表面に炭素原子が供給される。炭素原子は遷移金属基板の表面の触媒効果を受け、長い距離をマイグレーションすることで、グラフェンの核に到達し、グラフェンを成長することができる。

また、ＰＶＤ成長としてはＭＢＥ（分子線エピタキシー法）やＰＬＤ（パルスレーザー堆積）などによりグラフェンを成長させることが可能である。
ＭＢＥでは超高真空中（１０^−７Ｐａ以下）でグラファイトを１２００〜２０００℃に加熱することで原子状の炭素を発生させ、分子線となった原子状炭素を、加熱した遷移金属基板表面上に供給することで、触媒効果を受けグラフェンを成膜させることが可能である。

また、ＰＬＤでは超高真空中（１０^−７Ｐａ以下）でグラファイトをＫｒＦのエキシマレーザーにてアブレーションすることにより、瞬時に蒸発した炭素が分子線の状態で、加熱された遷移金属基板に、グラフェンを成膜することが可能である。

遷移金属基板としてはフォイル、単結晶、薄膜などが使用可能である。
［実施例］
以下、本発明を、実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実施例１）
図１に示すように遷移金属基板１１として１０ｃｍ角のＣＭＰ研磨（ケミカルメカニカルポリッシング）したＣｕフォイル（膜厚１００μｍ）をＣＶＤの反応炉に配置し、１×１０^−３Ｐａまで真空引きを行う。そして、水素を６．７×１０^２Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）導入した状態で、５０℃／ｍｉｎで１０００℃まで加熱した後、１０００℃を保持した状態で水素の供給を中止し、メタンを約４．０×１０^３Ｐａ（約３０Ｔｏｒｒ）導入する。基板温度とガス圧を保持した状態で３０ｍｉｎ成膜を行い、成膜後は１００℃／ｓｅｃにて急冷を行うことで図１（ａ）に示すグラフェン１０を成長した。このグラフェン１０の表面にジククロベンゼンで１０ｗｔ％に溶解したＰＭＭＡ溶液を数１０μｌ滴下し、回転数１０００ｒｐｍ、６０秒の条件でスピンコートを行い、１８０℃、5分でキュアすることで図１（ｂ）に示すようにＰＭＭＡ膜を形成し樹脂支持膜１２とした。この樹脂支持膜１２には、金属微粒子１３が含まれている。このサンプルを塩酸１０ｍｌ、過酸化水素１０ｍｌ、純水５０ｍｌの混合液に浸漬し、遷移金属基板１１であるＣｕフォイルをエッチングした後、5分間の流水洗浄を行うことで図１（ｃ）の構造を形成した。そして、樹脂支持膜１２に形成されたグラフェン１０を任意基板１４であるＳｉＯ_２／Ｓｉ基板に配置し、８０℃に加熱した状態で5分保持することで図１（ｄ）に示す構造を作製した。その後、アセトンにて1分間浸漬し、樹脂支持膜１２の表面から５００ｎｍを除去し、超純水にて5分間洗浄することで、図２（ａ）に示すように、樹脂支持膜１２の銅微粒子が存在する層を取り除いた。そして、再度、樹脂支持膜１２をアセトンで溶解し、超純水で5分洗浄することで図２（ｂ）のようにグラフェンを成膜した。

（実施例２）
図１（ｄ）の工程までは同様で、その後、サンプルを水素５％のアルゴン雰囲気中で３００℃、1時間処理することで、樹脂支持膜１２のＰＭＭＡの表面を分解除去することで図３（ａ）のように金属微粒子１３（銅微粒子）が露出した構造を作製し、超純水で金属微粒子１３を洗浄除去することで、図３（ｂ）のように金属微粒子１３が存在しない樹脂支持膜１２を形成した。そして、樹脂支持膜１２をアセトンで溶解し、超純水で5分洗浄することで図３（ｃ）のようにグラフェンを成膜した。

（実施例３）
図１（ｄ）の工程までは同様で、その後、ＰＭＭＡ溶液を数１０μｌ滴下し、回転数１０００ｒｐｍ、６０秒の条件でスピンコートを行い、図４（ａ）のように樹脂支持膜１２−２を形成した。そして、８０℃、5分の条件で加熱することで、図４（ｂ）のように金属微粒子１３を樹脂支持膜１２から樹脂支持膜１２−１に移動させた。その後、アセトンにて１分間浸漬し、樹脂支持膜１２−１のみを溶解し、超純水にて5分間洗浄することで、図４（ｃ）に示すように、樹脂支持膜１２の銅微粒子が存在する層を取り除いた。そして、再度、樹脂支持膜１２をアセトンで溶解し、超純水で5分洗浄することで図４（ｄ）のようにグラフェンを成膜した。

（比較例１）
図１（ｄ）の工程までは同様で、その後、樹脂支持膜１２をアセトンで溶解し、超純水で5分洗浄することで図７のようにグラフェンを成膜した。金属微粒子１３が残存していることが明らかである。

図５は、図１（ｄ）の工程まで終了したサンプルの断面ＴＥＭ像の図である。この図より、樹脂支持膜１２であるＰＭＭＡの表面近傍に金属微粒子１３である銅微粒子が存在していることが確認された。

図６に示すように、本発明によって作製したグラフェンの表面の金属微粒子の数はμｍ^２当たり数個程度であり、比較例である金属微粒子を除去しないプロセスに比べて2桁以上の低減をすることに成功した。
以上の結果より本発明の効果が実証された。

１０ グラフェン（単層グラフェン）
１１ 遷移金属基板
１２ 樹脂支持膜
１３ 金属微粒子
１４ 任意基板

Claims (7)

1. 遷移金属基板の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させる工程と、前記グラフェン上に樹脂支持膜を形成する工程と、前記遷移金属基板をエッチングにより除去する工程と、前記樹脂支持膜上のグラフェンを任意の基板あるいは層に貼り付ける工程と、前記樹脂支持膜を除去する工程とを有し、さらに、樹脂支持膜を除去する工程の前に、樹脂支持膜の表面に存在する金属微粒子を取り除く工程を有することを特徴とするグラフェンの製造方法。
2. 遷移金属基板はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔまたはこれらの合金であることを特徴とする請求項１に記載のグラフェンの製造方法。
3. 樹脂支持膜はＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、またはＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）であることを特徴とする請求項１に記載のグラフェンの製造方法。
4. 樹脂支持膜は膜厚が０．１μｍから１００μｍであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のグラフェンの製造方法。
5. 炭素の供給方法として化学的気相成長法（ＣＶＤ）または物理的気相成長法（ＰＶＤ）を用いることを特徴とする請求項１に記載のグラフェンの製造方法。
6. 任意の基板上に形成されたグラフェンに存在している金属微粒子
   が、μｍ^２あたり６個以下であることを特徴とするグラフェン。
7. 任意の基板が、太陽電池を構成する半導体層であることを特徴と
   する請求項６に記載のグラフェン。

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