JPWO2013005646A1 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

半導体発光素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2013005646A1
JPWO2013005646A1 JP2013522954A JP2013522954A JPWO2013005646A1 JP WO2013005646 A1 JPWO2013005646 A1 JP WO2013005646A1 JP 2013522954 A JP2013522954 A JP 2013522954A JP 2013522954 A JP2013522954 A JP 2013522954A JP WO2013005646 A1 JPWO2013005646 A1 JP WO2013005646A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor sheet
semiconductor light
led
manufacturing
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013522954A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5843859B2 (ja
Inventor
和昭 反町
和昭 反町
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Holdings Co Ltd
Citizen Electronics Co Ltd
Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Holdings Co Ltd
Citizen Electronics Co Ltd
Citizen Watch Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Holdings Co Ltd, Citizen Electronics Co Ltd, Citizen Watch Co Ltd filed Critical Citizen Holdings Co Ltd
Priority to JP2013522954A priority Critical patent/JP5843859B2/ja
Publication of JPWO2013005646A1 publication Critical patent/JPWO2013005646A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5843859B2 publication Critical patent/JP5843859B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

複数種類の蛍光体シートを準備する必要がない半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。LEDダイ(20)を含む半導体発光素子(10)の製造方法では、蛍光体を含有した蛍光体シート(11)にLEDダイを配置し、半導体発光素子の発光色が所望の値になるように蛍光体シートに前記LEDダイを押し込むための押し込み量を調整する、ステップを含むことを特徴とする。

Description

本発明は、発光ダイオードであるダイの上面に蛍光体層を備えた半導体発光素子の製造方法に関し、さらに詳しくは発光色が調整された半導体発光素子の製造方法に係わる。
発光ダイオードであるダイ(以下とくに断らない限りLEDダイと呼ぶ)と蛍光体を備える半導体発光素子(以下とくに断らない限りLED素子と呼ぶ)は、LEDダイが青色又は近紫外を発光し、蛍光体層による波長変換作用を利用して白色発光することが多い。この白色発光は蛍光体の量や発光のピーク波長など様々な要因により色度が変動する。
発光色がLED素子毎に変化することは好ましくないので、LED素子の色度調整を行うことがある。例えば特許文献1の図5には色度調整のフローチャート、図4には色度調整工程を含むラミネート加工が図示されている。特許文献1の図4では、まず基板24上に青色発光ダイオード12(LEDダイ)を実装し、その上に蛍光体を含有する合成フィルム51(蛍光体シート)を置き、発光色をテストする。発光色が所定の色度範囲に入らないときには、合成フィルム51を取り替えて再度テストする。発光色が所定範囲に入ったら最後の合成フィルム51で青色発光ダイオード12をラミネート加工する。
特開2007−123915号公報 (図4、図5)
特許文献1に示された製造方法は、予め特性の異なった蛍光体シートを複数通り準備しておかなければならないという課題がある。また青色発光ダイオード12が発する光のピーク波長に敏感な蛍光体を使う場合、一枚の基板24に実装する青色発光ダイオード12のピーク波長特性を揃えておかなければならないという課題もあった。
本発明は、上記のような課題を解決することを可能とする半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、複数種類の蛍光体シートを準備する必要がない半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、ピーク波長を揃えなくても色度調整が可能な半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、複数通りの蛍光体シートを準備する必要とせず、且つピーク波長を揃えなくても色度調整が可能な半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
半導体発光素子の製造方法は、蛍光体を含有した蛍光体シートにLEDダイを配置し、半導体発光素子の発光色が所望の値になるように、蛍光体シートにLEDダイを押し込むための押し込み量を調整するステップを有することを特徴とする。
半導体発光素子の製造方法では、発光波長分布の揃った複数のLEDダイを準備するステップを更に有し、蛍光体シートに発光波長分布の揃った複数のLEDダイを整列して配置し、ヘッドを用いて発光波長分布の揃った複数のLEDダイを同時に加圧することによって蛍光体シートに押し込む、ことが好ましい。
半導体発光素子の製造方法では、複数のLEDダイの内の一部のLEDダイを点灯させ、点灯させた一部のLEDダイの発光色を計測しながら加圧し、点灯させた一部のLEDダイの発光色が所望の値となるような押し込み量を決定し、決定された押し込み量となるように、複数のLEDダイの内の点灯させた一部のLEDダイ以外の他のLEDダイを同時に加圧して蛍光体シートに押し込む、ことが好ましい。
半導体発光素子の製造方法では、ヘッドは、加圧及び加熱可能である、ことが好ましい。
半導体発光素子の製造方法では、透明ステージに前記蛍光体シートを貼り付け、LEDダイを点灯させながら蛍光体シートに押し込み、透明ステージを介して発光色を計測し、発光色が所望の値になるよう押し込み量を調整する、ことが好ましい。
半導体発光素子の製造方法では、蛍光体シートに前記LEDダイを押し込む前に、蛍光体シートとLEDダイとの間に接着材を塗布するステップを更に有することが好ましい。
半導体発光素子の製造方法では、押し込み量を調整した後、LEDダイの周囲を反射性樹脂でモールドするステップを更に有することが好ましい。
半導体発光素子の製造方法では、モールドを行うステップの後に、蛍光体シートとともに反射性樹脂を切断して各半導体発光素子に個片化し、個片化された半導体発光素子をサーフェースマウンタ用のキャリアテープに装填するステップを更に有することが好ましい。
本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、透明ステージ上に置かれた蛍光体シートにLEDダイを押し込み、押し込み量の大小で色度が変化するのを利用して発光色を調整するので、複数とおりの蛍光体シート準備する必要がなくなる。
本発明の半導体発光素子の製造方法において、個々のLED素子について色度を計測しながら適切な押し込み量を調整し色度調整を行う場合には、個々のLED素子に対し色度調整するために準備すべき蛍光体シートは一通りで良く、さらに発光ピーク波長等を揃える必要もない。即ち、本発明の半導体発光素子の製造方法は、複数通りの蛍光体シートを準備する必要がなく、ピーク波長を揃えなくても色度調整が可能となる。
LED素子の上面図である。 LED素子の正面図である。 LED素子の底面図である。 図1に示すLED素子のAA´断面図である。 図1に示すLED素子の製造工程の説明図(1)である。 図1に示すLED素子の製造工程の説明図(2)である。 図1に示すLED素子の製造工程の説明図(3)である。 図1に示すLED素子の製造工程の説明図(4)である。 図1に示すLED素子の製造工程の説明図(5)である。 図1に示すLED素子の製造工程の説明図(6)である。 図1に示すLED素子の製造工程の説明図(7)である。 図1に示すLED素子の製造工程の説明図(8)である。 他の製造工程の説明図である。
以下図面を参照して、半導体発光素子の製造方法について説明する。但し、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。
図1は、LED素子10の外観を示す図である。図1(a)がLED素子10の上面図であり、図1(b)がLED素子10の正面図であり、図1(c)がLED素子10の底面図である。
LED素子10を上面から観察すると、長方形の蛍光体シート11だけが見える(図1(a)参照)。また、LED素子10を正面から観察すると、蛍光体シート11の下に白色反射層12、白色反射層12の下に素子電極13及び14が見える(図1(b)参照)。さらに、LED素子10を下から観察すると、白色反射層12に囲まれた半導体層15、半導体層15の内側に素子電極13及び14が見える(図1(c)参照)。
図2は、図1(a)のAA´断面図である。
図2に示す様に、LED素子10は、LEDダイ20、LEDダイ20の図中の上部に配置された蛍光体シート11、LEDダイ20の側部に配置された白色反射層12、LEDダイ20の図中の上部及び側部を覆う接着材18等から構成される。蛍光体シート11は、LEDダイ20の直上部に対応する部分が凹んでいる。
LEDダイ20は、サファイア基板16、半導体層15、保護膜17、素子電極13及び14から構成されている。LEDダイ20は、サファイアを透明絶縁基板としたウェハから切り出されたものであり、ウェハ状態で素子電極13及び14が形成されている。
サファイア基板16は、厚さが70〜150μm程度でLEDダイ20の平面的な外形を定めている。サファイア基板16の下面に形成された半導体層15は、p型半導体層15c上に、発光層15b及びn型半導体層15aが積層した積層体である。
n型半導体層15aは、格子定数を調整するバッファ層とn型GaN層とから構成され、その厚さは5μm程度である。発光層15bの厚さは100nm程度であり、青色光を出射する。p型半導体層15cは、複数の金属からなる金属層とp型GaN層の積層体であり、厚さが1μm程度である。p型半導体層15cの金属層は反射層を含み、発光層15bから図中で下向きに出射する光線を上側に反射する。
保護膜17は半導体層15を覆い、p型半導体層15cの占める領域及びn型半導体層15aの露出した領域に開口部を備えている。それぞれの開口部において、p型半導体層15cと素子電極13、並びにn型半導体層15aと素子電極14が接続する。素子電極13及び14は、銅メッキで形成されたメッキバンプであり、それぞれの厚さは10〜30μmで、表面に錫層を備えている。
素子電極13及び14は、LED素子10のアノードとカソードであり、マザー基板と接続するための接続電極となっている。マザー基板とは、抵抗やコンデンサなど他の電子部品とともにLED素子10を実装するための基板である。素子電極14は、n型半導体層15aの露出部が小さいため、図2に示す様に、一部が保護膜17を介してp型半導体層15cと積層している。
蛍光体シート11は、シリコーン樹脂に蛍光体を混練しシート状に加工したもので、厚さは100μm程度である。蛍光体シート11の蛍光体は、LEDダイ20から出射してくる青色光の一部を波長変換する。蛍光体シート11で波長変換した光と青色光の残りが混色して、LED素子10の発光色が白色化する。
白色反射部層12は、シリコーン樹脂に酸化チタン等の反射性微粒子を混練し熱硬化させたものである。接着材18は、熱硬化型のシリコーン接着材であり、その厚さが概ね数10μmである。
白色反射層12に含まれる反射性微粒子及びp型半導体層15cに含まれる金属反射層は、発光層15bから出射し、LEDダイ20の図中の側方及び下方に向かおうとする光線を反射して、LED素子10の図中の上方に向かわせる機能を有している。
図1及び図2に示すLED素子10では、LEDダイ20の底面を1.0mm×0.5mm、白色反射層12の幅Tを0.2mm、LED素子10の大きさ(X×Y)を1.4mm×0.9mmとして、サーフェースマウンタ(表面実装機)で扱いやすい大きさとした。なお、上記は一例であって、これに限定されるものではない。
図3及び図4は、LED素子10の製造工程を説明するための図である。
最初に、透明ステージ31に蛍光体を含有した蛍光体シート11を貼り付ける(図3(a)参照)。透明ステージ31として、ガラスを用いることが好ましい。蛍光体シート11は、薄く軟性であるため両面を離型材(図示せず、セパレータともいう)で保護された状態取り扱われる。本工程では、蛍光体シート11を離型材ごと透明ステージ31に貼付け、上面の離型材だけを剥がすようにしており、後に蛍光体シート11を透明ステージ31から剥離しやすくしている。
次に、LEDダイ20を搭載する部分に接着剤18を塗布する(図3(b)参照)。接着剤18の塗布は、スクリーン印刷により行う。蛍光体シート11に接着性を持たせた場合には、接着材18を省くことができる。蛍光体シート11は大判であり、多数のLEDダイ20を搭載することができるが、図3及び図4では、便宜上、搭載するLEDダイ20を2個としている。
次に、蛍光体シート11にLEDダイ20を搭載する(図3(c)参照)。蛍光体シート11にサファイア基板面が接触するようにLEDダイ20を配列する。ピッカー(又はソーター)でLEDダイ20を一個ずつ蛍光体シート11上に配置する。一旦、他の粘着シート(図示せず)に複数のLEDダイ20を配列させておき、複数のLEDダイ20を一括して蛍光体シート11に貼り付け(転写し)ても良い。
次に、LED素子10aの発光色を所望の発光色とするために押し込み量を調整する(図3(d)参照)。LED素子10aは、LED素子10を製作する途中段階であることを示すためサフィックスaを付けた。
押し込み量の調整は、まず、電源33から測定シリンダー32を介してLEDダイ20に電流を印加しLEDダイ20を点灯させる。次に。測定シリンダー32によりLEDダイ20を点灯させながら蛍光体シート11に押し込む(図中の矢印Bの方向)。このとき、受光器34により透明ステージ31越しにLED素子10aの発光色を計測し、発光色が所望の値になるように、測定シリンダー32による押し込み量を調整する。
所望の発光色としては、例えば、昼光色が6500K(ケルビン)、昼白色が5000K、白色が4000〜4500K、温白色が3500K、電球色が3000K以下に設定される。また、押し込み量は、0〜20μm程度である。なお、調整する押し込み量は、色度座標(X,Y)上で、目標とする色度座標と測定した発光色の色度座標との差に応じて予め定めておくことが好ましい。例えば、5000Kの色度座標は、(0.345,0.352)と表現することができる。このとき押し込み量の調整により色度座標を10/1000程度シフトさせる。
LEDダイ20は、通電により発熱し百数十℃になる。蛍光体シート11は、発熱したLEDダイ20により軟化する。測定シリンダー32の加圧力を大きくすると、LEDダイ20が蛍光体シート11に入り込む量が大きくなる。LEDダイ20が蛍光体シート11に多く入り込むと、実質的に蛍光体シート厚が薄くなって色度が青方向に変化する。例えば、受光器34により測定した発光色が所望の発光色よりも黄色寄りの場合、測定シリンダー32の圧力を増やし青方向に移動させる。所望の発光色になったら、LEDダイ20の発熱で接着材18とともに蛍光体シート11を硬化させる。
蛍光体シート11は、架橋が不完全なシリコーンからなり、80℃程度に加熱すると軟化し、100℃程度で架橋が進み始め、150℃で硬化する。そこで、まずLEDダイ20の点灯による発熱で蛍光体シート11を軟化させながら発光色を調整する。その後、点灯を継続して、同時に、蛍光体シート11及び接着材18を硬化させる。蛍光体シート11及び接着材18の硬化は、仮硬化でよい。仮硬化とは、架橋を途中段階で止めたものである。架橋を完成させる本硬化は、後の工程で実施する。なお、蛍光体シート11及び接着材18を硬化させる場合に、LEDダイ20へ印加する電流を増加させても良い。
図4(a)は、LEDダイ20を押し込んだ状態を示している。蛍光体シート11には、押し込みにより凹部が形成される。接着材18はLEDダイ20のサファイア基板面と蛍光体シート11の対向部からはみ出し、LEDダイ20の側部にフィレットを形成する。
次に、LEDダイ20の周囲を白色反射層12でモールドする(図4(b)参照)。押し込みにより発光色を調整した後、LEDダイ20の周囲をディスペンサにより反射性樹脂でモールドし、加熱して硬化させて白色反射層12を形成する。このとき、同時に蛍光体層11及び接着材18を本硬化させる。なお、別の工程において本硬化を行っても良い。また、素子電極13及び14が埋まるまで反射性樹脂を塗布し、研磨により素子電極13及び14の上面を露出させるようにして白色反射層12を形成しても良い。その場合、LEDダイ20の電極面も白色反射層12で覆われるので、電極面からの洩れ光が無くなり好ましい。
次に、LEDダイ20及び蛍光体シート11を含むウェハにダイシングシート35を貼り付ける(図4(c)参照)。このステップでは、透明ステージ31からこのウェハを剥がし、素子電極13及び14側にダイシングシート35を貼り付ける。なおウェハは表裏反転した状態で図示している。
次に、ウェハをLED素子10に個片化する(図4(d)参照)。ダイサーによりLED素子10aの間を切断し、LED素子10に個片化し、LED素子10の製造を完了する。前述したようにLED素子10はサーフェースマウンタで扱いやすい大きさであるため、LED素子10を個片化したらサーフェースマウンタ用のキャリアテープに装填することができる。またLED10をインターポーザ(中間基板)にフリップチップ実装しても良い。
図5は、他の製造工程の説明図である。
図5に示す他の製造工程は、LED素子10を製造する図3(d)に示した製造工程の代わりに用いることが可能である。図3(d)に示した製造工程では、個々のLEDダイ20ごとに押し込み量を決めていた。しかしながら、この方法では製造時間がかかるため大量にLED素子を製造しようとする場合に問題となる可能性がある。これに対して、図5に示す他の製造工程を利用すれば、更に、短時間で大量にLED素子を製造することが可能となる。
図5に示す他の製造工程においても、図3(d)に示した製造工程と同様に、透明ステージ31に貼り付けられた蛍光体を含有した蛍光体シート11にLEDダイ20を押し込み、この押し込み量により発光色が所望の値になるよう調整する。しかしながら、図5に示す他の製造工程では、図3(d)に示す製造工程と、以下の二つの点で相違する。
第1の相違点は、まずピーク波長など発光波長分布特性の揃った複数のLEDダイ20を準備することである。次に、図3(a)〜図3(c)で示したしたものと同様に、透明ステージ31に蛍光体を含有した蛍光体シート11を貼り付け、LEDダイ20を搭載する部分に接着剤18を塗布し、蛍光体シート11にLEDダイ20を搭載する。上記のようにして蛍光体シート11に複数のLEDダイ20を整列させる。
第2の相違点は、図5に示すような加圧と加熱が可能なヘッド51で、複数のLEDダイ20を同時に加圧し蛍光体シートに押し込むことである。LEDダイ20を蛍光体シート11に押し込んだら、次に、図4(a)〜図4(d)で示した製造工程と同じ製造工程を経てLED素子10を得る。
蛍光体シート11の厚さ及び蛍光体濃度が一定の場合、LEDダイ20の波長分布特性とLEDダイ20の押し込み量の関係を予め求めておき、この結果にもとづいて図5に示す他の製造工程でLEDダイ20を蛍光体シート11に押し込んでも良い。また、蛍光体シート11の厚さ及び/又は蛍光体濃度がばらつく場合、蛍光体シートに複数のダイを配列させたら、まずは、一部のLEDダイ20をサンプルとして、図3(d)で示した方法により発光色度を調整しながら押し込み量を計測する。次に、測定した押し込み量を用い、ヘッド51を利用して、全体のLEDダイ20を蛍光体シート31に押し込んでも良い。このようにすると蛍光体シート11の蛍光体濃度等が変化しても所望の発光色が得られる。
図5に示した複数のLEDダイ20を同時に加圧するヘッド51は、加圧と同時に加熱できるものであった。しかしながら、ヘッド51は加圧のみを行い、蛍光体シート11側から別の部材を用いて加熱しても良い。その場合、蛍光体シート11を搭載するテージは、透明ステージ31の代わりに熱伝導性の高い材料で構成することが好ましい。

Claims (8)

  1. LEDダイを含む半導体発光素子の製造方法において、
    蛍光体を含有した蛍光体シートに前記LEDダイを配置し、
    半導体発光素子の発光色が所望の値になるように、前記蛍光体シートに前記LEDダイを押し込むための押し込み量を調整する、
    ステップを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
  2. 発光波長分布の揃った複数のLEDダイを準備するステップを更に有し、
    前記蛍光体シートに前記発光波長分布の揃った複数のLEDダイを整列して配置し、
    ヘッドを用いて、前記発光波長分布の揃った複数のLEDダイを同時に加圧することによって、前記蛍光体シートに押し込む、
    請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
  3. 前記複数のLEDダイの内の一部のLEDダイを点灯させ、
    前記点灯させた一部のLEDダイの発光色を計測しながら加圧し、
    前記点灯させた一部のLEDダイの発光色が所望の値となるような押し込み量を決定し、
    前記決定された押し込み量となるように、複数のLEDダイの内の前記点灯させた一部のLEDダイ以外の他のLEDダイを同時に加圧して、前記蛍光体シートに押し込む、
    請求項2に記載の半導体発光素子の製造方法。
  4. 前記ヘッドは、加圧及び加熱可能である、請求項2又は3に記載の半導体発光素子の製造方法。
  5. 透明ステージに前記蛍光体シートを貼り付け、
    前記LEDダイを点灯させながら前記蛍光体シートに押し込み、
    前記透明ステージを介して発光色を計測し、
    前記発光色が所望の値になるよう押し込み量を調整する、
    請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
  6. 前記蛍光体シートに前記LEDダイを押し込む前に、前記蛍光体シートと前記LEDダイとの間に接着材を塗布するステップを更に有する、請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
  7. 前記押し込み量を調整した後、前記LEDダイの周囲を反射性樹脂でモールドするステップを更に有する、請求項1〜6の何れか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
  8. 前記モールドを行うステップの後に、前記蛍光体シートとともに前記反射性樹脂を切断して各半導体発光素子に個片化し、
    個片化された半導体発光素子をサーフェースマウンタ用のキャリアテープに装填する、
    ステップを更に有する、請求項7に記載の半導体発光素子の製造方法。
JP2013522954A 2011-07-01 2012-06-28 半導体発光素子の製造方法 Active JP5843859B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013522954A JP5843859B2 (ja) 2011-07-01 2012-06-28 半導体発光素子の製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011146988 2011-07-01
JP2011146988 2011-07-01
JP2013522954A JP5843859B2 (ja) 2011-07-01 2012-06-28 半導体発光素子の製造方法
PCT/JP2012/066586 WO2013005646A1 (ja) 2011-07-01 2012-06-28 半導体発光素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013005646A1 true JPWO2013005646A1 (ja) 2015-02-23
JP5843859B2 JP5843859B2 (ja) 2016-01-13

Family

ID=47437001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013522954A Active JP5843859B2 (ja) 2011-07-01 2012-06-28 半導体発光素子の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8956887B2 (ja)
JP (1) JP5843859B2 (ja)
WO (1) WO2013005646A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793447B2 (en) 2013-04-24 2017-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor component

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6055259B2 (ja) * 2012-10-03 2016-12-27 日東電工株式会社 封止シート被覆半導体素子、その製造方法、半導体装置およびその製造方法
JP2014096491A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Nitto Denko Corp 蛍光体層被覆半導体素子、その製造方法、半導体装置およびその製造方法
JP2015173142A (ja) * 2014-03-11 2015-10-01 株式会社東芝 半導体発光装置
KR102408839B1 (ko) 2014-06-19 2022-06-14 루미리즈 홀딩 비.브이. 작은 소스 크기를 갖는 파장 변환 발광 디바이스
JP6065135B2 (ja) * 2015-04-02 2017-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10249802B2 (en) 2015-04-02 2019-04-02 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
JP6424738B2 (ja) 2015-05-26 2018-11-21 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
DE102015112969A1 (de) * 2015-08-06 2017-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102015120855B4 (de) * 2015-12-01 2021-06-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP6711021B2 (ja) * 2016-03-02 2020-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6940740B2 (ja) * 2016-05-06 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102016208489A1 (de) * 2016-05-18 2017-11-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
JP6729525B2 (ja) * 2017-09-14 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7048883B2 (ja) * 2017-11-30 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6784287B2 (ja) * 2018-12-27 2020-11-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6669292B2 (ja) * 2019-02-28 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7243330B2 (ja) * 2019-03-15 2023-03-22 市光工業株式会社 発光素子及び車両用灯具、並びに発光素子の製造方法
US20220199862A1 (en) * 2020-05-28 2022-06-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Intermediate substrate and fabrication method of display panel
US12051771B2 (en) * 2020-10-30 2024-07-30 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP7389364B2 (ja) 2021-07-30 2023-11-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN115425124B (zh) * 2022-10-17 2024-01-26 硅能光电半导体(广州)有限公司 一种倒装白光led封装结构的制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004186488A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
JP2005244076A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2006303373A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具
JP2007311663A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Sharp Corp 発光装置の製造方法、発光装置、および発光装置の製造装置
JP2008145300A (ja) * 2006-12-11 2008-06-26 Sharp Corp 蛍光体層厚み判定方法および発光装置の製造方法
JP2009158541A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
JP2009259868A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Sharp Corp 発光装置の色度調整方法および製造方法
JP2011091101A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Stanley Electric Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005097938A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Nippon Electric Glass Co., Ltd. 蛍光体及び発光ダイオード
US7344952B2 (en) 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
JP2009229507A (ja) 2008-03-19 2009-10-08 Hitachi Chem Co Ltd 封止フィルム
JP5390472B2 (ja) 2010-06-03 2014-01-15 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004186488A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
JP2005244076A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2006303373A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具
JP2007311663A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Sharp Corp 発光装置の製造方法、発光装置、および発光装置の製造装置
JP2008145300A (ja) * 2006-12-11 2008-06-26 Sharp Corp 蛍光体層厚み判定方法および発光装置の製造方法
JP2009158541A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
JP2009259868A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Sharp Corp 発光装置の色度調整方法および製造方法
JP2011091101A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Stanley Electric Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793447B2 (en) 2013-04-24 2017-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor component

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013005646A1 (ja) 2013-01-10
JP5843859B2 (ja) 2016-01-13
US8956887B2 (en) 2015-02-17
US20140220714A1 (en) 2014-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5843859B2 (ja) 半導体発光素子の製造方法
JP6599295B2 (ja) 斜角反射体を備えた発光素子およびその製造方法
US9490398B2 (en) Manufacturing method of light emitting device in a flip-chip configuration with reduced package size
EP1943686B1 (en) Laminating encapsulant film containing phosphor over leds
JP6008940B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
US8847261B1 (en) Light-emitting devices having engineered phosphor elements
US20140227812A1 (en) Discrete phosphor chips for light-emitting devices and related methods
JP2013501372A (ja) シリコーン層及び積層された遠隔蛍光体層を備えるled
JP2014112669A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP2012094578A (ja) 半導体発光装置の製造方法
US20150171286A1 (en) Light-emitting diode package and method for manufacturing the same
US20120021542A1 (en) Method of packaging light emitting device
JP2002064112A (ja) 光電子部品の製造方法
WO2013175338A1 (en) Phosphor coating process for discrete light emitting devices
JP2012256678A (ja) 半導体発光素子の製造方法
JP2002280613A (ja) 照明装置の製造方法及び部材
KR20130077058A (ko) 단차를 갖는 세라믹 led 패키지 및 그 형성방법
TWI565101B (zh) 發光二極體封裝體及其製造方法
CN105990498A (zh) 芯片封装结构及其制造方法
JP6210211B2 (ja) 発光装置の製造方法
TW201515274A (zh) 發光二極體製造方法
KR20130077065A (ko) 칩 노출형 led 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151020

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151117

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5843859

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250