JPWO2013005631A1 - 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 - Google Patents
銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013005631A1 JPWO2013005631A1 JP2013522940A JP2013522940A JPWO2013005631A1 JP WO2013005631 A1 JPWO2013005631 A1 JP WO2013005631A1 JP 2013522940 A JP2013522940 A JP 2013522940A JP 2013522940 A JP2013522940 A JP 2013522940A JP WO2013005631 A1 JPWO2013005631 A1 JP WO2013005631A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- molybdenum
- etching
- etching solution
- main component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 263
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 167
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 165
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 165
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 77
- -1 maleate ion Chemical class 0.000 claims abstract description 63
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 154
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 152
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 150
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 52
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 46
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 26
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 18
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 14
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 13
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 13
- MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N molybdate Chemical compound [O-][Mo]([O-])(=O)=O MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 9
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 8
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 8
- JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L Copper hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Cu+2] JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- 239000005750 Copper hydroxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910001956 copper hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 5
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 5
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 2
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 157
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 42
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 38
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 14
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 13
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229960004106 citric acid Drugs 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 5
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 150000007524 organic acids Chemical group 0.000 description 5
- SHVRRGGZMBWAJT-ODZAUARKSA-N (z)-but-2-enedioic acid;copper Chemical compound [Cu].OC(=O)\C=C/C(O)=O SHVRRGGZMBWAJT-ODZAUARKSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- CKKXWJDFFQPBQL-UAIGNFCESA-N diazanium;(z)-but-2-enedioate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)\C=C/C([O-])=O CKKXWJDFFQPBQL-UAIGNFCESA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 3
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P ammonium molybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 3
- 239000011609 ammonium molybdate Substances 0.000 description 3
- 235000018660 ammonium molybdate Nutrition 0.000 description 3
- 229940010552 ammonium molybdate Drugs 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K dicopper;2-oxidopropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]C(=O)CC([O-])(C([O-])=O)CC([O-])=O FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001715 Ammonium malate Substances 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- KGECWXXIGSTYSQ-UHFFFAOYSA-N ammonium malate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C(O)CC([O-])=O KGECWXXIGSTYSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019292 ammonium malate Nutrition 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- NGPGDYLVALNKEG-UHFFFAOYSA-N azanium;azane;2,3,4-trihydroxy-4-oxobutanoate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O NGPGDYLVALNKEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWZACWPILWGEQL-UHFFFAOYSA-M azanium;copper(1+);sulfate Chemical compound [NH4+].[Cu+].[O-]S([O-])(=O)=O AWZACWPILWGEQL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- RSJOBNMOMQFPKQ-UHFFFAOYSA-L copper;2,3-dihydroxybutanedioate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O RSJOBNMOMQFPKQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WMYBXRITVYIFCO-UHFFFAOYSA-N copper;2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound [Cu].OC(=O)C(O)CC(O)=O WMYBXRITVYIFCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- MSJMDZAOKORVFC-UAIGNFCESA-L disodium maleate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)\C=C/C([O-])=O MSJMDZAOKORVFC-UAIGNFCESA-L 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 235000007686 potassium Nutrition 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011684 sodium molybdate Substances 0.000 description 2
- 235000015393 sodium molybdate Nutrition 0.000 description 2
- TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N sodium molybdate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012453 solvate Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- ZFYIQPIHXRFFCZ-QMMMGPOBSA-N (2s)-2-(cyclohexylamino)butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)NC1CCCCC1 ZFYIQPIHXRFFCZ-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFTRTWQBIOMVPK-YFKPBYRVSA-N Citramalic acid Natural products OC(=O)[C@](O)(C)CC(O)=O XFTRTWQBIOMVPK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- YASYEJJMZJALEJ-UHFFFAOYSA-N Citric acid monohydrate Chemical compound O.OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O YASYEJJMZJALEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DSLZVSRJTYRBFB-LLEIAEIESA-N D-glucaric acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O DSLZVSRJTYRBFB-LLEIAEIESA-N 0.000 description 1
- ODBLHEXUDAPZAU-ZAFYKAAXSA-N D-threo-isocitric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-ZAFYKAAXSA-N 0.000 description 1
- DSLZVSRJTYRBFB-UHFFFAOYSA-N Galactaric acid Natural products OC(=O)C(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O DSLZVSRJTYRBFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical class ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODBLHEXUDAPZAU-FONMRSAGSA-N Isocitric acid Natural products OC(=O)[C@@H](O)[C@H](C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-FONMRSAGSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003868 ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- YVBOZGOAVJZITM-UHFFFAOYSA-P ammonium phosphomolybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]P([O-])=O.[O-][Mo]([O-])(=O)=O YVBOZGOAVJZITM-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- XFTRTWQBIOMVPK-UHFFFAOYSA-N citramalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)(C)CC(O)=O XFTRTWQBIOMVPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002303 citric acid monohydrate Drugs 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- DSLZVSRJTYRBFB-DUHBMQHGSA-N galactaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)C(O)=O DSLZVSRJTYRBFB-DUHBMQHGSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940049920 malate Drugs 0.000 description 1
- 150000002688 maleic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000016768 molybdenum Nutrition 0.000 description 1
- 239000005078 molybdenum compound Substances 0.000 description 1
- 150000002752 molybdenum compounds Chemical class 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000004686 pentahydrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical group 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- VRVKOZSIJXBAJG-ODZAUARKSA-M sodium;(z)-but-2-enedioate;hydron Chemical compound [Na+].OC(=O)\C=C/C([O-])=O VRVKOZSIJXBAJG-ODZAUARKSA-M 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 1
- 150000004685 tetrahydrates Chemical class 0.000 description 1
- ODBLHEXUDAPZAU-UHFFFAOYSA-N threo-D-isocitric acid Natural products OC(=O)C(O)C(C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer or layered thin film adhesion layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
[2] さらに、(C)分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源を含有することを特徴とする、第1項に記載のエッチング液。
[3] (A)マレイン酸イオン供給源が、マレイン酸、無水マレイン酸およびマレイン酸のアルカリ金属塩から選ばれる少なくとも一種である、第1項または第2項に記載のエッチング液。
[4] (B)銅イオン供給源が、銅、水酸化銅、硫酸銅および硝酸銅から選ばれる少なくとも一種である、第1項〜第3項のいずれかに記載のエッチング液。
[5] マレイン酸イオン濃度が0.01〜2mol/kgであり、銅イオン濃度が0.01〜1mol/kgであり、マレイン酸イオン濃度の銅イオン濃度に対する配合比(モル比)が0.01〜50である、第1項〜第4項のいずれかに記載のエッチング液。
[6] (C)分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源が、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸およびこれらの塩から選ばれる少なくとも一種である、第2項〜第5項のいずれかに記載のエッチング液。
[7] (C)分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源の(B)銅イオン供給源に対する配合比(モル比)が0.1〜2.0である、第2項〜第6項のいずれかに記載のエッチング液。
[8] さらに、pH調節剤を含有することを特徴とする、第1項〜第7項のいずれかに記載のエッチング液。
[9] さらに、pHが0〜9であることを特徴とする、第1項〜第8項のいずれかに記載のエッチング液。
[10] さらに、(D)アンモニアおよび/またはアンモニウムイオン供給源を含有することを特徴とする、第1項〜第9項のいずれかに記載のエッチング液。
[11] さらに、(E)モリブデンおよび/またはモリブデン酸イオン供給源を含有することを特徴とする、第1項〜第10項のいずれかに記載のエッチング液。
[12] 銅または銅を主成分とする化合物が、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜を含む多層膜であることを特徴とする、第1項〜第11項のいずれかに記載のエッチング液。
[13] 多層膜が、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜を含む二層構造であるか、あるいはモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜を含む三層構造であることを特徴とする、第12項に記載のエッチング液。
[14] 銅または銅を主成分とする化合物を、第1項〜第13項のいずれかに記載のエッチング液に接触させることを特徴とする、エッチング方法。
[15] 銅または銅を主成分とする化合物が、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜を含む多層膜であることを特徴とする、第14項に記載のエッチング方法。
[16] 多層膜が、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜を含む二層構造、あるいはモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜を含む三層構造であることを特徴とする、第15項に記載のエッチング方法。
本発明のエッチング液は、銅または銅を主成分とする化合物のエッチングに用いられ、(A)マレイン酸イオン供給源と、(B)銅イオン供給源とを含有することを特徴とするものである。
本発明のエッチング液で用いられるマレイン酸イオン供給源(以下、単に(A)成分ということがある。)としては、マレイン酸イオンを供給できるものであれば特に制限はないが、マレイン酸、マレイン酸ナトリウム、マレイン酸アンモニウムなどのマレイン酸塩類を、単独で、または複数を混合して用いることができる。また、マレイン酸の酸無水物である無水マレイン酸は水と容易に反応してマレイン酸を生成することから、無水マレイン酸を用いることもできる。これらのなかでも、入手の容易さなどの点から、マレイン酸、無水マレイン酸、マレイン酸二ナトリウムを用いることが好ましく、特に無水マレイン酸が好ましい。
本発明のエッチング液で用いられる銅イオン供給源(以下、単に(B)成分ということがある。)は、液中で銅(II)イオンを発生できるものであれば特に制限はない。良好なエッチング速度を得るためには、硫酸銅、硝酸銅、酢酸銅、マレイン酸銅、クエン酸銅、リンゴ酸銅、酒石酸銅、硫酸アンモニウム銅、塩化アンモニウム銅などの銅塩類(溶媒和物、特に水和物を含む)が好ましく挙げられ、これらを単独で、または複数を混合して用いることができる。これらの銅塩類は液中で解離して銅(II)イオンを供給することができる。また銅(金属)や酸化銅、水酸化銅などの銅化合物を化学的に溶解させて、銅(II)イオンを供給することもできる。銅イオン供給源としてはこれらを単独または複数を組み合わせて用いることができ、これらのなかでも、硫酸銅、硝酸銅、銅、水酸化銅がより好ましく、特に硫酸銅、硝酸銅、水酸化銅が好ましい。
本発明のエッチング液は、(A)マレイン酸イオン供給源および(B)銅イオン供給源に加えて、(C)有機酸イオン供給源を含有するものであってもよい。本発明のエッチング液で用いられる(C)有機酸イオン供給源(以下、単に(C)成分ということがある。)は、分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸構造を含むものである。この(C)有機酸イオン供給源は、銅イオンに対する配位子としての役割を持ち、銅または銅を主成分とする化合物のエッチングに用いた際にエッチング速度を調節する機能やエッチング液の安定性を調節する機能を有する。また、基板上に形成された銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜を含む構造のエッチングに用いた場合において、エッチング後の基板を水リンスする際、基板上の残渣物や析出物の発生を抑制しうるものである。(C)有機酸イオン供給源としては、例えばリンゴ酸、酒石酸、シトラマル酸などのモノまたはジヒドロキシジカルボン酸;クエン酸、イソクエン酸などのモノヒドロキシトリカルボン酸;グルカル酸、ガラクタル酸などのヒドロキシ糖酸類;ヒドロキシアミンのカルボン酸類などの有機酸またはその塩類(溶媒和物、特に水和物を含む)が好ましく挙げられ、これらを単独で、または複数を混合して用いることができる。これらのなかでも、エッチング液中で安定した溶解性を示し、かつ基板上の残渣物や析出物の発生を抑制する観点からは、モノもしくはジヒドロキシジカルボン酸またはモノヒドロキシトリカルボン酸が好ましく、特にクエン酸、リンゴ酸、酒石酸またはその塩が好ましい。
本発明のエッチング液における(A)マレイン酸イオン供給源の配合量は、(A)成分の量、または(B)成分としてマレイン酸銅を含む場合は、(A)成分の量と(B)成分の量との合計量となる。(A)マレイン酸イオン濃度の(B)銅イオン濃度に対する配合比(モル比)は、0.01〜50であることが好ましく、0.01〜30であることがより好ましく、更に0.1〜20が好ましく、特に1〜15がより好ましい。本発明のエッチング液におけるマレイン酸イオンの含有量が上記範囲内であれば、良好なエッチング速度(例えばフラットパネルディスプレイなどの表示デバイスの配線形成工程では0.1〜1μm/分程度)を得ることができる。
本発明のエッチング液では、pH調整を行うため、必要に応じてpH調整剤を配合することができる。本発明のエッチング液のpH値に制限はなく、所望のエッチング速度を得るために調節することができる。ただし、pH値が0より小さい場合はエッチング速度が過度に速くなり、またpH値が9より大きい場合はエッチング速度が所望以上に遅くなる傾向が見られる。そのため、好ましくはpH値を9以下に、より好ましくはpH値を8以下に、特に好ましくはpH値を7以下に調節することで、良好なエッチング速度を得ることができる。また、pH値が0より小さいとモリブデンのエッチング速度が極端に遅くなる傾向が見られる。
本発明のエッチング液は、必要に応じて、(D)アンモニアおよび/またはアンモニウムイオン供給源(以下、単に(D)成分ということがある。)を含有するものであってもよい。本発明のエッチング液で用いられる(D)アンモニアおよび/またはアンモニウムイオン供給源は、銅イオンに対する配位子としての役割を持ち、銅または銅を主成分とする化合物のエッチングに用いた際にエッチング速度を調節する機能やエッチング液の安定性を調節する機能を有する。(D)成分としては、アンモニアおよび/またはアンモニウムイオンを供給できるものであれば特に制限はなく、アンモニアまたはアンモニウム塩を用いることができる。アンモニウム塩としては硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、マレイン酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、およびリンゴ酸アンモニウムなどが挙げられ、これらを単独で、または複数を混合して用いることができる。これらのなかでも、アンモニア、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、マレイン酸アンモニウム、およびクエン酸アンモニウムが好ましく、特にアンモニア、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、酢酸アンモニウムが好ましい。
本発明のエッチング方法は、銅または銅を主成分とする化合物をエッチングする方法であり、本発明のエッチング液、典型的には、(A)マレイン酸イオン供給源および(B)銅イオン供給源を含有するエッチング液を用いることを特徴とし、エッチング対象物と本発明のエッチング液とを接触させる工程を含むものである。本発明のエッチング方法により銅または銅を主成分とする化合物のエッチングを行うことができる。
本発明のエッチング方法において、エッチングの対象となる銅または銅を主成分とする化合物としては、銅(金属)や銅合金あるいはそれらの酸化物である酸化銅、窒化物である窒化銅などが挙げられる。また銅(金属)の表面に自然酸化膜が形成されたものでもよい。銅または銅を主成分とする化合物の形状としては、薄膜状、板状、管状、繊維状など特に制限はなく、複雑な形状をした構造物でもよい。
エッチング対象物にエッチング液を接触させる方法には特に制限はなく、例えば対象物をエッチング液に浸漬させる方法や、エッチング液を滴下(枚葉スピン処理)やスプレーなどの形式により対象物に接触させる方法などの湿式(ウェット)エッチング方法を採用することができる。本発明においては、対象物をエッチング液に浸漬させる方法、対象物をエッチング液にスプレーして接触させる方法が好ましく採用される。エッチング液を対象物にスプレーして接触させる方法では、対象物の上方からエッチング液を下向きにスプレーする方法、対象物の下方からエッチング液を上向きにスプレーする方法などが挙げられる。この際のスプレーノズルは、固定してもよいし、首振りや滑動などの動作を加えてもよい。鉛直下向きに設置してもよいし、傾けて設置してもよい。エッチング対象物は、固定してもよいし、揺動や回転などの動作を加えてもよい。水平に配置してもよいし、傾けて配置してもよい。
モリブデン(Mo)/銅(Cu)/モリブデン(Mo)/ガラス基板の作製
ガラス基板上(寸法:150mm×150mm)に、モリブデンをスパッタしてモリブデン(金属)からなる薄膜(モリブデン膜厚:200Å)を形成し、次いで銅をスパッタして銅(金属)からなる薄膜を成膜(銅膜厚:5000Å)し、さらにモリブデンをスパッタしてモリブデン(金属)からなる薄膜(モリブデン膜厚:200Å)を形成し、三層の金属薄膜構造とした。その後レジストを塗布し、ライン状パターンマスク(ライン幅:20μm)を露光転写後、現像することで、モリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を作製した。
銅(Cu)/モリブデン(Mo)/ガラス基板の作製
ガラス基板上(寸法:150mm×150mm)に、モリブデンをスパッタしてモリブデン(金属)からなる薄膜(モリブデン膜厚:200Å)を形成し、次いで銅をスパッタして銅(金属)からなる薄膜を成膜(銅膜厚:5000Å)し、二層の金属薄膜構造とした。その後レジストを塗布し、ライン状パターンマスク(ライン幅:20μm)を露光転写後、現像することで、銅/モリブデン/ガラス基板を作製した。
容量10Lのポリプロピレン容器にマレイン酸イオン供給源としてマレイン酸(和光純薬工業株式会社製、特級グレード、分子量116.1)500g(マレイン酸イオンとして4.3mol)および純水7000gを投入した。これを攪拌して溶解を確認した。続いて、銅イオン供給源として硫酸銅(II)五水和物(和光純薬工業株式会社製、特級グレード、分子量249.7)を782g(銅イオンとして3.1mol)および純水1718gを投入した。これを攪拌して溶解し、エッチング液を調製した(エッチング液の合計重量は10kg)。得られたエッチング液のマレイン酸イオンの濃度は0.43mol/kg−エッチング液であり、銅イオンの濃度は0.31mol/kg−エッチング液であり、マレイン酸イオンの銅イオンに対する配合比(モル比)は1.4であり、pH値は1.1であった。
参考例1で得られたモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を、上記のようにして得られたエッチング液に対して、小型エッチング機(関東機械工業製)を使用して、35℃でスプレー処理を行った。モリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板は、成膜面が上方になるようにして水平に設置し(水平方向に揺動)、スプレーノズルは鉛直下向きにして固定した(首振りしない)。スプレーノズルには、スプレーの当たり方(流量分布)が均一なノズル(スプレーパターンは円形)を用いた。レジストで覆われていない部分のモリブデン/銅/モリブデン積層膜が消失し、透明なガラス基板が露出するまで時間(ジャストエッチング時間)は、目視で確認した結果、99秒であった。結果を表1に記した。ジャストエッチング時間の1.5倍の時間(149秒)をかけてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)をした後のモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を、光学顕微鏡を用いて観察した結果、パターニングされたレジストで覆われた以外のむき出しのモリブデン/銅/モリブデン積層膜が完全に消失していることが確認された。
スプレー処理後のモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を、N−メチルピロリドン中に60℃で300秒間浸漬してレジストを剥離したのちに、光学顕微鏡を用いて観察した結果、ガラス基板上にはレジストで覆われていたモリブデン/銅/モリブデン積層膜が残存していることが確認された。また、ガラス基板上にエッチング残渣は確認されなかった。結果として、モリブデン/銅/モリブデン積層膜を所望のパターンにエッチングすることができた。
実施例1のエッチング液において、最後に投入した純水1718gの代わりに、pH調整剤として硫酸(濃度47質量%,和光純薬工業株式会社製)851gおよび純水867g投入した以外は、実施例1と同様にしてエッチング液を調製した。エッチング液のpH値は0.3であった(実施例2)。
また実施例1において、最後に投入した純水1718gの代わりに、pH調整剤として水酸化カリウム水溶液(濃度48質量%,関東化学株式会社製)369gおよび純水を1349g投入した以外は、実施例1と同様にしてエッチング液を調製した。エッチング液のpH値は2.0であった(実施例3)。
これらのエッチング液を用いてモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板のエッチングを行った。その結果、いずれのエッチング液を用いた場合も、モリブデン/銅/モリブデン積層膜を所望のパターンにエッチングすることができた。結果を表1に記した。
実施例1において、(C)成分としてクエン酸一水和物(和光純薬工業株式会社製、特級グレード、分子量210.1)383g(クエン酸の濃度は0.18mol/kg−エッチング液)を加えた以外は、実施例1と同様にしてエッチング液を調製した。エッチング液のpH値は1.1であった(実施例4)。実施例5〜7では、さらにpH調節剤として、水酸化カリウム水溶液(濃度48質量%,関東化学株式会社製)またはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(濃度15質量%,和光純薬工業株式会社製)を用い、pH値を第1表に示す値とした以外は、実施例4と同様にしてエッチング液を調製した(エッチング液のpH値は、それぞれ3.0、5.0、5.5であった)。これらのエッチング液を用いてモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板のエッチングを行った。その結果、いずれのエッチング液を用いた場合も、モリブデン/銅/モリブデン積層膜を所望のパターンにエッチングすることができた。結果を表1に記した。
実施例1において、エッチング液の組成を第1表に示す値とし、かつpH調節剤として、水酸化カリウム水溶液(濃度48質量%,関東化学株式会社製)またはアンモニア水溶液(濃度10質量%,和光純薬工業株式会社製)を用い、pH値を第1表に示す値とした以外は、実施例1と同様にしてエッチング液を調製した。マレイン酸イオンの銅イオンに対するモル比は、それぞれ0.1、1.4、2.8、5.5、13.8、27.5、45.8であった。これらのエッチング液を用いてモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板のエッチングを行った。その結果、いずれのエッチング液を用いた場合も、モリブデン/銅/モリブデン積層膜を所望のパターンにエッチングすることができた。結果を表1に記した。
なお、実施例15ではpH調節剤としてアンモニア水溶液を使用しているが、pH調節剤からのアンモニア濃度およびアンモニウムイオン濃度の合計は、0.85mol/kg−エッチング液であった。また、エッチング液からアンモニアの臭気はなかった。
実施例9において、第1表に示すようにマレイン酸の代わりに無水マレイン酸(和光純薬工業株式会社製)(実施例17)、またはマレイン酸二ナトリウム(東京化成工業株式会社製)(実施例18)を用いた以外は実施例9と同様にしてエッチング液を調製した。これらのエッチング液を用いてモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板のエッチングを行った。その結果、いずれのエッチング液を用いた場合も、モリブデン/銅/モリブデン積層膜を所望のパターンにエッチングすることができた。結果を表1に記した。
実施例11において、第1表に示すように硫酸銅(II)五水和物の代わりに硝酸銅(II)三水和物(和光純薬工業株式会社製)(実施例19)、または、水酸化銅(II)(和光純薬工業株式会社製)(実施例20)を用いた以外は、実施例11と同様にしてエッチング液を調製した。なお、水酸化銅を用いた場合は、化学的に溶解させるため、調製時に硫酸(硫酸の濃度は0.04mol/kg−エッチング液)を添加した。これらのエッチング液を用いて参考例1で得られたモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板のエッチングを行った。その結果、いずれのエッチング液を用いた場合も、モリブデン/銅/モリブデン積層膜を所望のパターンにエッチングすることができた。レジストで覆われていない部分のモリブデン/銅/モリブデン積層膜が消失し、透明なガラス基板が露出するまで時間(ジャストエッチング時間)は目視で確認した結果、実施例19で103秒、実施例20で79秒であった。結果を表1に記した。
実施例7および14のエッチング液を用いて、参考例2で得られた銅/モリブデン/ガラス基板を、それぞれのエッチング液に対して、小型エッチング機(関東機械工業製)を使用して、35℃でスプレー処理を行った。銅/モリブデン/ガラス基板は、成膜面が上方になるようにして水平に設置し(水平方向に揺動)、スプレーノズルは鉛直下向きにして固定した(首振りしない)。スプレーノズルには、スプレーの当たり方(流量分布)が均一なノズル(スプレーパターンは円形)を用いた。スプレー処理後の銅/モリブデン/ガラス基板を、光学顕微鏡を用いて観察した結果、パターニングされたレジストで覆われた以外のむき出しの銅/モリブデン積層膜が完全に消失していることが確認された。スプレー処理後の銅/モリブデン/ガラス基板を、N−メチルピロリドン中に60℃で300秒間浸漬してレジストを剥離したのちに、光学顕微鏡を用いて観察した結果、ガラス基板上にはレジストで覆われていた銅/モリブデン積層膜が残存していることが確認された。結果として、銅/モリブデン積層膜を所望のパターンにエッチングすることができた。レジストで覆われていない部分の銅/モリブデン積層膜が消失し、透明なガラス基板が露出するまで時間(ジャストエッチング時間)は、目視で確認した結果、実施例7のエッチング液では194秒(実施例21)、実施例14のエッチング液では305秒(実施例22)であった。結果を表2に示した。
実施例15において、(D)アンモニアおよび/またはアンモニウムイオン供給源として硫酸アンモニウム(和光純薬工業株式会社製)を0.11mol/kg−エッチング液になるように添加し、エッチング液の組成を第3表に示される組成とし、pH値を第3表に示す値とした以外は実施例15と同様にしてエッチング液を調製した。なお、アンモニア濃度およびアンモニウムイオン濃度は、硫酸アンモニウムの2倍量の0.22mol/kg−エッチング液と、pH調節剤として用いたアンモニア水溶液からの1.46mol/kg−エッチング液との合計として、1.68mol/kg−エッチング液であった。このエッチング液を用いて、参考例1で作成したモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板のエッチングを行った。その結果、レジストで覆われていない部分のモリブデン/銅/モリブデン積層膜が消失し、透明なガラス基板が露出するまで時間(ジャストエッチング時間)は、目視で確認した結果、185秒であった。また、エッチング液からアンモニアの臭気はなかった。
実施例13において、(E)モリブデンおよび/またはモリブデン酸イオン供給源として七モリブデン酸六アンモニウム四水和物を、オルトモリブデン酸イオン換算で0.03mol/kg−エッチング液になるように添加し、エッチング液の組成を第4表に示される組成とした以外は実施例13と同様にしてエッチング液を調製した。このエッチング液を用いて、参考例1で作成したモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板のエッチングを行った。その結果、レジストで覆われていない部分のモリブデン/銅/モリブデン積層膜が消失し、透明なガラス基板が露出するまで時間(ジャストエッチング時間)は、目視で確認した結果、94秒であった。
実施例1において、エッチング液の組成およびpH値を第5表に示す値とした以外は、実施例1と同様にしてエッチング液を調製した。これらのエッチング液を用いて、参考例で作成したモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を、実施例1と同様に参考例1で得られたモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板のエッチングを行った。35℃で600秒間スプレー処理後のモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を、光学顕微鏡を用いて観察した結果、いずれのエッチング液を用いた場合も、モリブデン/銅/モリブデン積層膜が完全には消失しておらず、エッチング残渣が確認された。
実施例1において、エッチング液の組成およびpH値を第6表に示す値とした以外は、実施例1と同様にしてエッチング液を調製した。(A)マレイン酸イオン供給源の代わりに、コハク酸、フマル酸またはフタル酸を配合した比較例7、8および9では、不溶物が残存し、エッチング液を調製することができなかった。(A)マレイン酸イオン供給源の代わりに、乳酸または酢酸を配合した比較例10および11のエッチング液を用いて、参考例で作成したモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を、実施例1と同様に参考例1で得られたモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板のエッチングを行った。35℃で600秒間スプレー処理した結果、いずれのエッチング液を用いた場合も、モリブデン/銅/モリブデン積層膜が完全には消失しておらず、エッチング残渣が確認された。
Claims (16)
- (A)マレイン酸イオン供給源と、(B)銅イオン供給源とを含有することを特徴とする、銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液。
- さらに、(C)分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源を含有することを特徴とする、請求項1に記載のエッチング液。
- (A)マレイン酸イオン供給源が、マレイン酸、無水マレイン酸およびマレイン酸のアルカリ金属塩から選ばれる少なくとも一種である、請求項1または2に記載のエッチング液。
- (B)銅イオン供給源が、銅、水酸化銅、硫酸銅および硝酸銅から選ばれる少なくとも一種である、請求項1〜3のいずれかに記載のエッチング液。
- マレイン酸イオン濃度が0.01〜2mol/kgであり、銅イオン濃度が0.01〜1mol/kgであり、マレイン酸イオン濃度の銅イオン濃度に対する配合比(モル比)が0.01〜50である、請求項1〜4のいずれかに記載のエッチング液。
- (C)分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源が、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸およびこれらの塩から選ばれる少なくとも一種である、請求項2〜5のいずれかに記載のエッチング液。
- (C)分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源の(B)銅イオン供給源に対する配合比(モル比)が0.1〜2.0である、請求項2〜6のいずれかに記載のエッチング液。
- さらに、pH調節剤を含有することを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載のエッチング液。
- さらに、pHが0〜9であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれかに記載のエッチング液。
- さらに、(D)アンモニアおよび/またはアンモニウムイオン供給源を含有することを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載のエッチング液。
- さらに、(E)モリブデンおよび/またはモリブデン酸イオン供給源を含有することを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載のエッチング液。
- 銅または銅を主成分とする化合物が、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜を含む多層膜であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載のエッチング液。
- 多層膜が、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜を含む二層構造であるか、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜を含む三層構造であることを特徴とする、請求項12に記載のエッチング液。
- 銅または銅を主成分とする化合物を、請求項1〜13のいずれかに記載のエッチング液に接触させることを特徴とする、エッチング方法。
- 銅または銅を主成分とする化合物が、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜を含む多層膜であることを特徴とする、請求項14に記載のエッチング方法。
- 多層膜が、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜を含む二層構造であるか、あるいはモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜、銅または銅を主成分とする化合物からなる薄膜およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物からなる薄膜を含む三層構造であることを特徴とする、請求項15に記載のエッチング方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011148542 | 2011-07-04 | ||
JP2011148542 | 2011-07-04 | ||
PCT/JP2012/066533 WO2013005631A1 (ja) | 2011-07-04 | 2012-06-28 | 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013005631A1 true JPWO2013005631A1 (ja) | 2015-02-23 |
JP5971246B2 JP5971246B2 (ja) | 2016-08-17 |
Family
ID=47436986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013522940A Active JP5971246B2 (ja) | 2011-07-04 | 2012-06-28 | 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9644274B2 (ja) |
JP (1) | JP5971246B2 (ja) |
CN (1) | CN103649373B (ja) |
TW (1) | TWI545228B (ja) |
WO (1) | WO2013005631A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9365934B2 (en) | 2013-04-12 | 2016-06-14 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Liquid composition used in etching copper- and titanium-containing multilayer film, etching method in which said composition is used, method for manufacturing multilayer-film wiring, and substrate |
JP6176321B2 (ja) * | 2013-04-23 | 2017-08-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびその液体組成物を用いた基板の製造方法、並びにその製造方法により製造される基板 |
JP5866566B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2016-02-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | モリブデンと銅を含む多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法 |
KR102255577B1 (ko) * | 2014-08-25 | 2021-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 |
WO2017188108A1 (ja) | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 三洋化成工業株式会社 | エッチング液及び電子基板の製造方法 |
CN107385442B (zh) * | 2017-07-26 | 2020-06-16 | 苏州天承化工有限公司 | 一种铜面有机酸型超粗化剂及制备方法 |
CN117144366A (zh) * | 2023-10-30 | 2023-12-01 | 苏州博洋化学股份有限公司 | 一种铜蚀刻液及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009091656A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-30 | Nagase Chemtex Corp | エッチング組成物 |
JP2010537042A (ja) * | 2007-08-14 | 2010-12-02 | マクダーミッド インコーポレーテッド | マイクロエッチング組成物及びその使用方法 |
JP2011017054A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Adeka Corp | 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法 |
JP2011084781A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Mec Kk | 導体パターンの形成方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3615272A (en) | 1968-11-04 | 1971-10-26 | Dow Corning | Condensed soluble hydrogensilsesquioxane resin |
JPS60243286A (ja) | 1984-05-15 | 1985-12-03 | Canon Inc | エツチング剤 |
JPS61591A (ja) | 1984-06-13 | 1986-01-06 | Fujitsu Ltd | 銅のエツチング方法 |
JPH06287774A (ja) | 1993-04-05 | 1994-10-11 | Metsuku Kk | 銅および銅合金の表面処理剤 |
JP4063475B2 (ja) * | 1999-11-10 | 2008-03-19 | メック株式会社 | 銅または銅合金のエッチング剤 |
US6677286B1 (en) | 2002-07-10 | 2004-01-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions for removing etching residue and use thereof |
AU2003266619A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-19 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing compound composition, method for producing same and polishing method |
KR100505328B1 (ko) * | 2002-12-12 | 2005-07-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법 |
US7186653B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-03-06 | Climax Engineered Materials, Llc | Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing |
US20050282384A1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | Hidemi Nawafune | Method for forming protective film and electroless plating bath |
US7435356B2 (en) | 2004-11-24 | 2008-10-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Abrasive-free chemical mechanical polishing compositions and methods relating thereto |
WO2006086265A2 (en) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US20060222613A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-05 | Milbon Co., Ltd. | Hair treating agent |
US7456114B2 (en) | 2005-12-21 | 2008-11-25 | Kesheng Feng | Microetching composition and method of using the same |
KR100860367B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2008-09-25 | 제일모직주식회사 | 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인 식각 선택성이 향상된 식각용액 |
JP5158339B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2013-03-06 | 東ソー株式会社 | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
KR101400585B1 (ko) * | 2009-02-16 | 2014-05-27 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 구리 연마용 연마제 및 이를 이용한 연마 방법 |
TWI480360B (zh) | 2009-04-03 | 2015-04-11 | Du Pont | 蝕刻劑組成物及方法 |
JP5443863B2 (ja) * | 2009-07-09 | 2014-03-19 | 株式会社Adeka | 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法 |
CN102985596B (zh) * | 2010-06-18 | 2016-08-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 用于包含铜层和钼层的多层结构膜的蚀刻液 |
-
2012
- 2012-06-28 JP JP2013522940A patent/JP5971246B2/ja active Active
- 2012-06-28 US US14/130,779 patent/US9644274B2/en active Active
- 2012-06-28 CN CN201280032769.0A patent/CN103649373B/zh active Active
- 2012-06-28 WO PCT/JP2012/066533 patent/WO2013005631A1/ja active Application Filing
- 2012-07-03 TW TW101123882A patent/TWI545228B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010537042A (ja) * | 2007-08-14 | 2010-12-02 | マクダーミッド インコーポレーテッド | マイクロエッチング組成物及びその使用方法 |
JP2009091656A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-30 | Nagase Chemtex Corp | エッチング組成物 |
JP2011017054A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Adeka Corp | 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法 |
JP2011084781A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Mec Kk | 導体パターンの形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140131615A1 (en) | 2014-05-15 |
TW201311933A (zh) | 2013-03-16 |
TWI545228B (zh) | 2016-08-11 |
CN103649373B (zh) | 2017-04-12 |
WO2013005631A1 (ja) | 2013-01-10 |
JP5971246B2 (ja) | 2016-08-17 |
US9644274B2 (en) | 2017-05-09 |
CN103649373A (zh) | 2014-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5971246B2 (ja) | 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 | |
JP5682624B2 (ja) | 銅層及びモリブデン層を含む多層構造膜用エッチング液 | |
JP6135999B2 (ja) | 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびそれを用いたエッチング方法 | |
JP5692472B1 (ja) | 銅およびチタンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、および該組成物を用いたエッチング方法、多層膜配線の製造方法、基板 | |
JP5687685B2 (ja) | エッチャント組成物および方法 | |
JP6420903B2 (ja) | エッチング液組成物、多層膜のエッチング方法、並びに表示装置の製造方法 | |
WO2015162934A1 (ja) | モリブデンと銅を含む多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法 | |
JP2006077241A (ja) | 酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物及びそれを用いたエッチング方法 | |
JP6176321B2 (ja) | 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびその液体組成物を用いた基板の製造方法、並びにその製造方法により製造される基板 | |
JP5874308B2 (ja) | 銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液 | |
JP5799791B2 (ja) | 銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液 | |
JP2009267115A (ja) | エッチング方法及び半導体デバイス用基板の製造方法 | |
WO2015005053A1 (ja) | インジウム、ガリウム、亜鉛、および酸素からなる酸化物(igzo)の表面より銅を含む付着物を洗浄・除去する液体組成物、およびその液体組成物を用いたigzo表面の洗浄方法、並びにその洗浄方法により洗浄される基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150320 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160614 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160627 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5971246 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |