JPWO2012147141A1 - 太陽電池を用いて電力を発生させる方法 - Google Patents
太陽電池を用いて電力を発生させる方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2012147141A1 JPWO2012147141A1 JP2012535517A JP2012535517A JPWO2012147141A1 JP WO2012147141 A1 JPWO2012147141 A1 JP WO2012147141A1 JP 2012535517 A JP2012535517 A JP 2012535517A JP 2012535517 A JP2012535517 A JP 2012535517A JP WO2012147141 A1 JPWO2012147141 A1 JP WO2012147141A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- gaas
- ingap
- peripheral portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 125
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 78
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 34
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 InGaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0693—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells the devices including, apart from doping material or other impurities, only AIIIBV compounds, e.g. GaAs or InP solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
Abstract
Description
d1はZ方向に沿ったGaAs中央部の厚みを表し、d2はZ方向に沿った第1のGaAs周辺部の厚みを表し、d3はZ方向に沿った第2のGaAs周辺部の厚みを表し、d4はZ方向に沿ったInGaP中央部の厚みを表し、d5はZ方向に沿った第1のInGaP周辺部の厚みを表し、d6はZ方向に沿った第2のInGaP周辺部の厚みを表す。
ここで、w1は、X方向に沿った、GaAs中央部の幅を表し、w6は、Z方向を含む断面視において、領域SのX方向に沿った幅を表し、Z方向から見たときに、GaAs中央部は領域Sに重なる。
(工程(a))
工程(a)では、太陽電池を用意する。
上述の通り、値d1は前記Z方向に沿ったGaAs中央部104aの厚みを表す。値d2は前記Z方向に沿った第1のGaAs周辺部104bの厚みを表す。値d3は前記Z方向に沿った第2のGaAs周辺部104cの厚みを表す。値d4は前記Z方向に沿ったInGaP中央部106aの厚みを表す。値d5は前記Z方向に沿った第1のInGaP周辺部106bの厚みを表す。値d6は前記Z方向に沿った第2のInGaP周辺部106cの厚みを表す。値w2は前記X方向に沿った第1のGaAs周辺部104bの幅を表す。値w3は前記X方向に沿った第2のGaAs周辺部104cの幅を表す。値w4は前記X方向に沿った第1のInGaP周辺部106bの幅を表す。値w5は前記X方向に沿った第2のInGaP周辺部106cの幅を表す。
以下、図3A〜図3Hを参照しながら太陽電池素子102を製造する方法を説明する。
工程(b)においては、集光レンズ101を介してp型窓層107に光を照射して、n側電極114およびp側電極115の間に電位差を発生させる。図2に示されるように、p型窓層107の領域Sに光が照射される。
上述したように、w1の値は、X方向に沿ったGaAs中央部104aの幅を表す。
以下の実施例により、本発明をより詳細に説明する。
実施例1では、図2に示される太陽電池素子102を、図3A〜図3Hに示される方法によって作成した。
d2:4ナノメートル
d3:4ナノメートル
d4:0.9マイクロメートル
d5:4ナノメートル
d6:4ナノメートル
w1:80マイクロメートル
w2:5マイクロメートル
w3:5マイクロメートル
w4:5マイクロメートル
w5:5マイクロメートル
実施例1における集光レンズ101は4ミリメートル四方であり、3mmの厚みを有していた。集光レンズ101は、80マイクロメートル四方の焦点スポットを有していた。
上記等式において記述された最大出力値は、非特許文献1の図1.8に「パワー密度」として示されるように、以下の等式(II)で定義される出力値の最大値である。
詳しくは、非特許文献1に開示された11頁〜13頁を参照せよ。
d2=d3=2ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d2=d3=1ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d5=d6=5ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d5=d6=2ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d5=d6=1ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w1=89.8マイクロメートルおよびw2=w3=0.1マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w1=89マイクロメートルおよびw2=w3=0.5マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w1=89.8マイクロメートルおよびw4=w5=0.1マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w1=89マイクロメートルおよびw4=w5=0.5マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w6=76マイクロメートルおよびw7=w8=12マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w1=60マイクロメートル、w2=w3=w4=w5=10マイクロメートル、w6=60マイクロメートル、およびw7=w8=20マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w1=60マイクロメートル、w2=w3=w4=w5=10マイクロメートル、w6=56マイクロメートル、およびw7=w8=22マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d2=d3=2.4マイクロメートル、d4=d5=0.9マイクロメートル、およびw6=100マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d2=d3=2.4マイクロメートル、およびd4=d5=0.9マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w6=100マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d2=d3=0.1マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d2=d3=0.01マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d2=d3=0.005マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d2=d3=0マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d5=d6=0.1マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d5=d6=0.01マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
d5=d6=0マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w1=89.9マイクロメートルおよびw2=w3=0.05マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w1=89.9マイクロメートルおよびw4=w5=0.05マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w6=88マイクロメートルおよびw7=w8=6マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w6=84マイクロメートルおよびw7=w8=8マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w1=60マイクロメートル、w2=w3=w4=w5=10マイクロメートル、w6=68マイクロメートルおよびw7=w8=16マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
w1=60マイクロメートル、w2=w3=w4=w5=10マイクロメートル、w6=64マイクロメートル、およびw7=w8=18マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。
2 ボトムセル
3 トンネル効果層
11 太陽電池素子
12 半導体基板
13a p型GaAsバッファ層
13b p型InGaP−BSF層
13c p型GaAsベース層
13d n型GaAsエミッタ層
13e n型InGaP窓層
15 反射防止層
101 レンズ
102 太陽電池素子
103 p型GaAs層
104 n型GaAs層
104a GaAs中央部
104b 第1のGaAs周辺部
104c 第2のGaAs周辺部
105 p型InGaP層
106 n型InGaP層
106a InGaP中央部
106b 第1のInGaP周辺部
106c 第2のInGaP周辺部
107 p型窓層
108 トンネル効果層
109 第1のn型バリア層
110 p型バリア層
111 第2のn型バリア層
112 n型コンタクト層
113 p型コンタクト層
114 n側電極
115 p側電極
116 絶縁膜
117 太陽光
118 GaAs基板
119 犠牲層
120 第1のマスク
121 第2のマスク
122 第3のマスク
123 下地基板
124 金属膜
Claims (8)
- 太陽電池を用いて電力を発生させる方法であって、
集光レンズおよび太陽電池素子を具備する前記太陽電池を用意する工程(a)と、
前記太陽電池素子は、n型GaAs層、p型GaAs層、トンネル効果層、n型InGaP層、p型InGaP層、p型窓層、n側電極、およびp側電極を具備し、
Z方向は前記p型GaAs層の法線方向であり、
X方向は前記Z方向に直交する方向であり、
前記n型GaAs層、前記p型GaAs層、前記トンネル効果層、前記n型InGaP層、前記p型InGaP層、および前記p型窓層はこの順でZ方向に沿って積層されており、
前記p型窓層は、InGaPよりも大きいバンドギャップを有するp型化合物半導体からなり、
前記n側電極は、前記n型GaAs層に電気的に接続されており、
前記p側電極は、前記p型InGaP層に電気的に接続されており、
前記n型GaAs層は、GaAs中央部、第1のGaAs周辺部、および第2のGaAs周辺部に分割されており、
前記GaAs中央部は、前記X方向に沿って、前記第1のGaAs周辺部および前記第2のGaAs周辺部の間に挟まれており、
前記第1のGaAs周辺部および前記第2のGaAs周辺部は層の形状を有しており、
前記n型InGaP層は、InGaP中央部、第1のInGaP周辺部、および第2のInGaP周辺部に分割されており、
前記InGaP中央部は、前記X方向に沿って、前記第1のInGaP周辺部および前記第2のInGaP周辺部の間に挟まれており、
前記第1のInGaP周辺部および前記第2のInGaP周辺部は層の形状を有しており、
以下の不等式のセット(I)が充足され、
d2<d1、d3<d1、1ナノメートル≦d2≦4ナノメートル、1ナノメートル≦d3≦4ナノメートル、d5<d4、d6<d4、1ナノメートル≦d5≦5ナノメートル、1ナノメートル≦d6≦5ナノメートル、100ナノメートル≦w2、100ナノメートル≦w3、100ナノメートル≦w4、および100ナノメートル≦w5 ・・・ (I)
d1は前記Z方向に沿った前記GaAs中央部の厚みを表し、
d2は前記Z方向に沿った前記第1のGaAs周辺部の厚みを表し、
d3は前記Z方向に沿った前記第2のGaAs周辺部の厚みを表し、
d4は前記Z方向に沿った前記InGaP中央部の厚みを表し、
d5は前記Z方向に沿った前記第1のInGaP周辺部の厚みを表し、
d6は前記Z方向に沿った前記第2のInGaP周辺部の厚みを表し、
w2は前記X方向に沿った前記第1のGaAs周辺部の幅を表し、
w3は前記X方向に沿った前記第2のGaAs周辺部の幅を表し、
w4は前記X方向に沿った前記第1のInGaP周辺部の幅を表し、
w5は前記X方向に沿った前記第2のInGaP周辺部の幅を表し、
以下の不等式(II)を充足するように前記集光レンズを介して前記p型窓層の表面に含まれる領域Sに光を照射して、前記n側電極および前記p側電極の間に電位差を生じさせる工程(b)とを包含し、
w6≦w1・・・(II)
w1は、前記X方向に沿った、前記GaAs中央部の幅を表し、
w6は、前記Z方向を含む断面視において、前記領域Sの前記X方向に沿った幅を表し、
前記Z方向から見たときに、前記GaAs中央部は前記領域Sに重なる、
電力を発生させる方法。 - 前記n型InGaP層の幅は、前記p型窓層の幅と等しい、請求項1に記載の方法。
- 前記太陽電池素子は、前記n側電極および前記GaAs中央部の間に挟まれているn型バリア層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。
- 前記太陽電池素子は、前記n側電極および前記GaAs中央部の間に挟まれているn型コンタクト層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。
- 前記太陽電池素子は、前記p側電極および前記p型InGaP層の間に挟まれているp型コンタクト層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。
- 前記太陽電池素子は、前記トンネル効果層および前記InGaP中央部の間に挟まれているn型バリア層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。
- 前記太陽電池素子は、前記p型GaAs層および前記トンネル効果層の間に挟まれているp型バリア層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。
- 前記太陽電池素子は、前記n型GaAs層、前記p型GaAs層、前記トンネル効果層、前記n型InGaP層、前記p型InGaP層、および前記p型窓層の側面を被覆する絶縁層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012535517A JP5136730B2 (ja) | 2011-04-27 | 2011-12-14 | 太陽電池を用いて電力を発生させる方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011099178 | 2011-04-27 | ||
JP2011099178 | 2011-04-27 | ||
PCT/JP2011/006974 WO2012147141A1 (ja) | 2011-04-27 | 2011-12-14 | 太陽電池を用いて電力を発生させる方法 |
JP2012535517A JP5136730B2 (ja) | 2011-04-27 | 2011-12-14 | 太陽電池を用いて電力を発生させる方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5136730B2 JP5136730B2 (ja) | 2013-02-06 |
JPWO2012147141A1 true JPWO2012147141A1 (ja) | 2014-07-28 |
Family
ID=47071684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012535517A Expired - Fee Related JP5136730B2 (ja) | 2011-04-27 | 2011-12-14 | 太陽電池を用いて電力を発生させる方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8404513B2 (ja) |
JP (1) | JP5136730B2 (ja) |
CN (1) | CN103168368A (ja) |
WO (1) | WO2012147141A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016225454A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 日産自動車株式会社 | 光電変換装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103155167A (zh) * | 2011-03-24 | 2013-06-12 | 松下电器产业株式会社 | 使用太阳能电池产生电力的方法 |
JP5404979B1 (ja) * | 2012-04-12 | 2014-02-05 | パナソニック株式会社 | 太陽電池、及び、太陽電池を用いて電力を発生させる方法 |
DE102015006379B4 (de) * | 2015-05-18 | 2022-03-17 | Azur Space Solar Power Gmbh | Skalierbare Spannungsquelle |
DE102017223869B4 (de) | 2017-12-29 | 2021-09-02 | Infineon Technologies Ag | MEMS-Bauelement und mobiles Gerät mit dem MEMS-Bauelement |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4591654A (en) * | 1983-07-18 | 1986-05-27 | Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation | Solar cells based on indium phosphide |
JPH0964386A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-03-07 | Japan Energy Corp | 多接合太陽電池 |
US5911839A (en) * | 1996-12-16 | 1999-06-15 | National Science Council Of Republic Of China | High efficiency GaInP NIP solar cells |
US20030015700A1 (en) * | 2001-07-20 | 2003-01-23 | Motorola, Inc. | Suitable semiconductor structure for forming multijunction solar cell and method for forming the same |
US7842881B2 (en) * | 2006-10-19 | 2010-11-30 | Emcore Solar Power, Inc. | Solar cell structure with localized doping in cap layer |
JP2008124381A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Sharp Corp | 太陽電池 |
EP2249401A1 (en) * | 2008-02-21 | 2010-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and method for manufacturing solar cell |
US8138002B2 (en) * | 2008-08-21 | 2012-03-20 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting element, fabrication method thereof, convex part formed on backing, and convex part formation method for backing |
US20100089440A1 (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | Emcore Corporation | Dual Junction InGaP/GaAs Solar Cell |
US8193078B2 (en) * | 2008-10-28 | 2012-06-05 | Athenaeum, Llc | Method of integrating epitaxial film onto assembly substrate |
US8609984B2 (en) * | 2009-06-24 | 2013-12-17 | Florida State University Research Foundation, Inc. | High efficiency photovoltaic cell for solar energy harvesting |
US10505062B2 (en) * | 2009-07-09 | 2019-12-10 | Faquir Chand Jain | High efficiency tandem solar cells and a method for fabricating same |
-
2011
- 2011-12-14 WO PCT/JP2011/006974 patent/WO2012147141A1/ja active Application Filing
- 2011-12-14 CN CN201180049688.7A patent/CN103168368A/zh active Pending
- 2011-12-14 JP JP2012535517A patent/JP5136730B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-01 US US13/486,843 patent/US8404513B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016225454A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 日産自動車株式会社 | 光電変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5136730B2 (ja) | 2013-02-06 |
WO2012147141A1 (ja) | 2012-11-01 |
CN103168368A (zh) | 2013-06-19 |
US20120301993A1 (en) | 2012-11-29 |
US8404513B2 (en) | 2013-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11233166B2 (en) | Monolithic multijunction power converter | |
JP5158291B2 (ja) | 太陽電池を用いて電力を発生させる方法 | |
JP5136730B2 (ja) | 太陽電池を用いて電力を発生させる方法 | |
JP6410362B2 (ja) | 効率を改善するように構成された低バンドギャップ活性層を有する光活性デバイス及び関連する方法 | |
TW201029197A (en) | Surrogate substrates for inverted metamorphic multijunction solar cells | |
US20100006136A1 (en) | Multijunction high efficiency photovoltaic device and methods of making the same | |
JP5404979B1 (ja) | 太陽電池、及び、太陽電池を用いて電力を発生させる方法 | |
JP2015521365A (ja) | エピタキシャル成長に基づく半導体メソッドデバイスの製造方法 | |
CN106025798A (zh) | 一种异质结半导体激光器及其制备方法 | |
JP6950101B2 (ja) | フレキシブル二重接合太陽電池 | |
JP6888859B2 (ja) | マルチスタック積層レーザ太陽電池及びその製造方法 | |
US20110297213A1 (en) | Triple Junction Solar Cell | |
JP5333703B1 (ja) | 太陽電池素子 | |
JP2002289884A (ja) | 太陽電池、太陽電池装置 | |
JP2014220350A (ja) | 多接合太陽電池およびその製造方法 | |
TW201349545A (zh) | 多接面光伏電池及其製造方法 | |
JP2005072192A (ja) | 光起電力素子、太陽電池、及び光起電力素子の製造方法 | |
JP5978464B2 (ja) | 太陽電池素子を製造する方法 | |
JP5866492B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JP5327859B2 (ja) | 太陽電池セルおよびその製造方法 | |
JP2010283208A (ja) | タンデム太陽電池及びその生産方法 | |
JP2012256711A (ja) | 集光型太陽電池およびその製造方法 | |
JP2013004886A (ja) | 太陽電池 | |
TW201123501A (en) | Multijunction solar cell | |
WO2016072005A1 (ja) | 太陽電池セル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121029 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5136730 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |