JPWO2012133380A1 - 回路基板及び回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

回路基板（１）は、表面に半導体素子（１０）が実装される絶縁層（２）と、絶縁層（２）に設けられた配線部（３１，３２，３３）とを備えている。配線部（３１，３２，３３）は、上側配線部（３１１，３２１，３３１）、下側配線（３１２，３２２，３３２）、および層間接続部（３１３，３２３，３３３）から構成されている。上側配線部（３１１，３２１，３３１）、下側配線部（３１２，３２２，３３２）、および層間接続部（３１３，３２３，３３３）は、一つの銅板から一体形成されている。これにより、大電流に対応可能な回路基板及びその製造方法を提供する。

Description

本発明は、大電流に対応可能な回路基板及び回路基板の製造方法に関する。

一般的な回路基板は、絶縁樹脂などからなる基板に導体性の配線パターンが形成された構成となっている。回路基板を搭載する機器等によっては、大電流が必要となる場合があるため、これまでに、例えば、配線パターンの厚みを厚くすることで、大電流にも対応できる回路基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。図１は、特許文献１に記載の回路基板を模式的に示す図である。

特許文献１に記載の回路基板は、プリプレグからなる基体１０１の上下面に、銅板をエッチングして形成された導体パターン１０２，１０３が設けられている。この導体パターン１０２，１０３を導通するために、基体１０１に上下面を貫通する貫通孔１０５を形成して、導体パターン１０２，１０３を含む基体１０１の上下面および貫通孔１０５の内面に銅メッキ１０４が施されている。

この銅メッキ１０４が施された貫通孔１０５が、基体１０１の上下面に形成された導体パターン１０２，１０３を導通するビアホール導体としている。このように構成された回路基板は、導体パターン１０２，１０３の厚さが厚くされており、これにより、大電流への対応を可能としている。

特開２００２−７６５７１号公報

しかしながら、特許文献１の場合、導体パターン１０２，１０３は、銅メッキ１０５により導通しているため、導体パターン１０２，１０３に大電流を流せても、銅メッキ１０５の厚さも厚くする必要がある。このため、銅メッキ１０５を大電流に対応させるには、製造時間および製造コストがかかるという問題が発生する。

また、銅メッキ１０５を形成する銅膜には不純物が含まれるため、純銅と比較して抵抗値が高くなり、ビアホール導体として機能する銅メッキ１０５が大電流の妨げとなるといった問題もある。

そこで、本発明の目的は、大電流に対応可能な回路基板及び回路基板の製造方法を提供することにある。

本発明に係る回路基板は、絶縁層と、導電性の一つの金属部材から一体形成され、前記絶縁層の上下面それぞれから一部が露出するように、前記絶縁層内に設けられた配線部と、を備える。

この構成では、導電性の一つの金属部材から一体形成した配線部の一部を、絶縁層の上下面それぞれから露出させている。換言すれば、絶縁層の上下面に形成する導電性の配線パターンと、配線パターンを導通するビアホール導体とが、導電性の一つの金属部材から一体形成されている。

配線パターンおよびビアホール導体を別々に形成する場合、それぞれ異なる物質で形成され、接合されることから、接合部分で抵抗値が大きくなる。このため、配線パターンおよびビアホール導体を導電性の一つの金属部材から一体形成することで、配線パターンとビアホール導体との間に接合界面が存在しなくなり、配線部の抵抗値を小さくできる。その結果、大電流に対応可能な回路基板とすることができる。

また、配線パターンとビアホール導体とが一体形成されていることから、配線パターンとビアホール導体との接合部分に剥離が生じることがないため、接合信頼性を向上させることができる。

本発明に係る回路基板において、前記絶縁層の上下面における前記配線部の一部が露出する位置は、前記絶縁層の上下方向に重ならないようにしてある構成でもよい。

この構成では、配線部が絶縁層の上下方向に沿った直線形状とならないため、絶縁層から配線部が抜け出る可能性を低減できる。

本発明に係る回路基板において、前記配線部は、前記絶縁層の上下方向に沿った柱状であって、かつ、前記絶縁層の上下面それぞれから上下方向の中央部に向かって膨らむ形状としてある構成でもよい。

この構成では、中央部が膨らんだ柱状に形成されているため、配線部が絶縁層から抜け出るおそれを抑制できる。

本発明に係る回路基板は、前記絶縁層の上下面から露出した前記配線部の一部にニッケルメッキ皮膜が形成されている構成でもよい。

この構成では、ニッケルメッキ皮膜を形成することで、露出部分における強度を確保することができる。

本発明に係る回路基板は、前記絶縁層の上面から露出した前記配線部の一部に電子部品が直接実装されている構成でもよい。

この構成では、貫通孔をメッキで充填した場合に比べて露出部分に凹部が発生しにくく露出部分の平坦性が高いため、電子部品を直接実装でき、ランド形成が不要となる。

本発明に係る回路基板において、前記電子部品はパワー半導体素子である構成でもよい。ここで、パワー半導体素子とは、電力変換用半導体素子や電力制御用半導体素子のことをいい、電力用半導体素子ともいう。

この構成では、高電圧で大電流を扱うパワー半導体素子に対応可能な回路基板を実現している。

本発明に係る回路基板において、前記電子部品は樹脂により封止されている構成でもよい。

この構成では、電子部品が樹脂により封止することで、電子部品を保護できる。

本発明に係る回路基板の製造方法には、導電性の一つの金属部材の第１の面をエッチングして配線パターンを形成する工程と、前記第１の面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁体を充填する工程と、前記金属部材の第２の面をエッチングして配線パターンを形成する工程と、前記第２の面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁体を充填する工程と、を含むことを特徴とする。

この構成では、絶縁体の第１および第２の面に形成する配線パターンと、配線パターンを導通するビアホール導体とが、一つの金属部材から一体形成された回路基板を製造できる。配線パターンおよびビアホール導体が別々に形成された回路基板の場合、それぞれ異なる物質で形成され、接合されることから、接合部分で抵抗値が大きくなる。このため、配線パターンおよびビアホール導体を導電性の一つの金属部材から一体形成することで、配線パターンとビアホール導体との間に接合界面が存在しなくなり、配線部の抵抗値を小さくできる。その結果、大電流に対応可能な回路基板とすることができる。また、エッチングにより第１の面に配線パターンを形成した後に、絶縁体を充填するため、第２の面に配線パターンを形成した後においても、各配線パターンが分離することなく、絶縁層と配線部が一体化した回路基板を製造することができる。

本発明によれば、絶縁層における配線部の抵抗値が大きくならないようにすることで、回路基板を大電流に対応させることができる。

特許文献１に記載の回路基板を模式的に示す図 実施形態１に係る回路基板の模式図 実施形態１に係る回路基板の製造工程を順に示した模式図 実施形態１に係る回路基板の別の例を示す図 実施形態２に係る回路基板の模式図 実施形態２に係る回路基板の製造工程を順に示した模式図 実施形態２に係る回路基板の別の例を示す図 実施形態３に係る回路基板の模式図 実施形態３に係る回路基板の製造工程を順に示した模式図 実施形態３に係る回路基板の別の例を示す図 半導体素子を樹脂により封止した回路基板の断面を示す模式図

（実施形態１）
図２は、実施形態１に係る回路基板の模式図である。図２（ａ）は回路基板の上面図である。図２（ｂ）は図２（ａ）のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。実施形態１に係る回路基板１は、主面（上面）に半導体素子１０が実装され、半導体素子１０と、下面側に接続される基板、素子又はグランド等の電極とを電気的に接続する。

本実施形態では、回路基板１に実装する電子部品を半導体素子１０としているが、例えばシリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等の能動素子、又はコンデンサ、インダクタ等の受動素子等で適宜変更可能である。本実施形態では、半導体素子１０は、パワー半導体素子、例えばパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）とする。

回路基板１は、絶縁層２および配線部３１，３２，３３を備えている。絶縁層２は、シート状の絶縁樹脂であり、上下面が略正方形状の直方体を有している。絶縁層２の上面には半導体素子１０が搭載される。絶縁樹脂は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等が挙げられる。絶縁層２は、一層であってもよいし、多層であってもよい。また、以下では、絶縁層２の上下面に隣接する四面を側面という。

配線部３１，３２，３３は、絶縁層２の上面に搭載される半導体素子１０と、絶縁層２の下面に接続される電極とを電気的に接続する。より具体的には、配線部３１は半導体素子１０のゲート端子に対する配線であり、配線部３２はソース端子に対する配線であり、配線部３３はドレイン端子に対する配線である。

配線部３１，３２，３３はそれぞれ一つの銅板から形成されている。すなわち、従来では、絶縁層２の上下面に形成した導電性の配線パターンを、絶縁層２に設けた貫通孔に金属粉末を分散させた樹脂組成物を充填して形成したビアホール導体で導通しているのに対し、本実施形態では、配線パターンおよびビアホール導体を配線部３１，３２，３３として一つの銅板で形成している。

このため、従来では、異なる物質の配線パターンとビアホール導体とを接合することで配線経路の抵抗値が大きくなるが、配線部３１，３２，３３は、接合部分が存在しないことから抵抗値が大きくならない。

また、配線部３１，３２，３３が一つの銅板から形成されていることから、金属粉末を分散させた樹脂組成物を用いる場合に比べて金属成分の比率が高く、配線部３１，３２，３３自体の抵抗値が小さい。

従って、半導体素子１０が大電流を必要としても、配線部３１，３２，３３は大電流の妨げとならない。

配線部３１は、上側配線部３１１、下側配線部３１２および層間接続部３１３から構成されている。

上側配線部３１１は、各面が長方形からなる直方体を有している。この直方体の最大面積をなす対向する二面を上下面とする。上側配線部３１１は、直方体の長手方向が絶縁層２の一側面と平行し、かつ、上面が絶縁層２の上面から露出するよう設けられている。絶縁層２の上面から露出した上側配線部３１１の上面にはニッケルメッキ皮膜が形成され、半導体素子１０のゲート端子が直接接続される。ニッケルメッキ皮膜を形成することで、露出部分における強度を確保している。

下側配線部３１２は、上側配線部３１１と略同形状であって、長手方向の長さが上側配線部３１１より長くなっている。下側配線部３１２は、絶縁層２の上下方向（厚み方向）において上側配線部３１１と重ならない位置に、下面が絶縁層２の下面から露出するよう設けられている。絶縁層２の下面から露出した下側配線部３１２の下面は、基板等の電極に接続される。

層間接続部３１３は、絶縁層２の平面方向（厚み方向の直交方向）に平行な直方体形状の平板である。層間接続部３１３は、長手方向が上側配線部３１１および下側配線部３１２の長手方向と一致し、平行する二側面の一方が上側配線部３１１の下部に、他方が下側配線部３１２の上部にそれぞれ接続している。

このように、配線部３１は、一つの銅板から上側配線部３１１、下側配線部３１２および層間接続部３１３が一体形成されているため、途中に異なる物質の接合部がなく、抵抗値が大きくなることを防止している。また、上側配線部３１１および下側配線部３１２が上下方向において重ならないようにしてあり、絶縁層２の上下方向に直線状とならないため、配線部３１が絶縁層２から抜け落ち易くなることを防止している。

また、配線部３１を構成する上側配線部３１１、下側配線部３１２および層間接続部３１３それぞれを角柱状（直方体形状）とすることで、円柱状とした場合との対比において、全体の体積を大きくすることができるため、配線部３１の抵抗値を軽減することができる。また、後述するが、配線部３１は、銅板からエッチングにより形成されるため、製造時における大きさ等の調整が、円柱状とする場合よりも容易となる。

配線部３２は、上側配線部３２１、下側配線部３２２および層間接続部３２３から構成されている。上側配線部３２１は半導体素子１０のソース端子が接続され、下側配線部３２２は基板等の電極に対し電気的に接続する。

配線部３３は、上側配線部３３１、下側配線部３３２および層間接続部３３３から構成されている。上側配線部３３１は半導体素子１０のドレイン端子が接続され、下側配線部３３２は基板等の電極に対し電気的に接続する。

これら配線部３２，３３は、大きさは異なるが配線部３１と同様の構成を有しているため、説明は省略する。

次に、実施形態１に係る回路基板１の製造方法について説明する。図３は、実施形態１に係る回路基板１の製造工程を順に示した模式図である。図３は、製造工程において、図２（ａ）のＩＩ−ＩＩ線における断面を示している。

第１工程では（図３（ａ））、厚み４００μｍの銅板（金属部材）３０の上下面に対し感光性レジスト膜を付着させ、サブトラクティブ法（不要な部分を取り除いて回路を残す方法）により厚さ２００μｍの矩形状のパターンが残るように露光および現像し、エッチングを行う。エッチングにより残ったパターンが、上側配線部３１１，３２１，３３１となる。

第２工程では（図３（ｂ））、銅板３０の上面において、エッチングにより除去した部分に、絶縁樹脂２１を充填する。このとき、エッチングにより残ったパターン（上側配線部３１１等）の少なくとも上面が露出するように絶縁樹脂２１を充填する。絶縁樹脂２１は、例えばポリイミド樹脂であり、充填後、絶縁樹脂２１をプレスし、硬化する。

第３工程では（図３（ｃ））、銅板３０の下面に、厚さ１００μｍの矩形状のパターンが残るように露光および現像し、エッチングを行う。エッチングにより残ったパターンが、下側配線部３１２，３２２，３３２となる。

第４工程では（図３（ｄ））、第３工程で露出した銅板３０の部分に感光性レジスト膜を付着させ、第１および第２工程で形成したパターン（上側配線部３１１および下側配線部３１２等）を接続する厚さ１００μｍのパターンが残るように、露光および現像し、エッチングする。これにより形成されたパターンが、層間接続部３１３，３２３，３３３となる。

第５工程では（図３（ｅ））、銅板３０の下面において、エッチングにより除去した部分に、絶縁樹脂２２を充填する。このとき、エッチングにより残ったパターン（下側配線部３１２等）の少なくとも下面が露出するように絶縁樹脂２２を充填する。絶縁樹脂２２は、例えばポリイミド樹脂であり、充填後、絶縁樹脂２２をプレスし、硬化する。この絶縁樹脂２１，２２が図２に示す絶縁層２となる。

この第１から第５工程により、一つの銅板から一体形成され、上側配線部、下側配線部および層間接続部が剥離することがない配線部３１，３２，３３を有する回路基板１を製造することができる。また、図３（ｂ）の第２工程で説明したように、エッチングにより上側配線部３１１，３２１，３３１を形成した後、絶縁樹脂２１を充填し、硬化させることにより、製造過程において、上側配線部３１１，３２１，３３１それぞれが分離することを防止できる。

なお、本実施形態では、上側配線部３１１、下側配線部３１２または層間接続部３１３等の厚さを具体的な数値を用いて説明したが、大きさ等は適宜変更可能である。図４は、実施形態１に係る回路基板１の別の例を示す図である。図２では、層間接続部３１３，３２３，３３３は、厚さ１００μｍとしているが、より大電流に対応すべく、例えば２００μｍの厚さとしてもよい。

本実施形態では、絶縁層２の上下面と配線部３１，３２，３３の露出した面とが同一平面にすることが容易であり、配線基板の平坦性を高めることができる。また、銅板３０の上面および下面から複数回に分けて絶縁樹脂２２を充填後、プレスしているため、絶縁層２と配線部３１，３２，３３との間に空隙が発生せず、密着性の高い回路基板１が得られる。

（実施形態２）
実施形態２に係る配線基板は、配線部が実施形態１に係る回路基板１の配線部３１，３２，３３と相違する。具体的には、実施形態１では、上側配線部３１１および下側配線部３１２、上側配線部３２１および下側配線部３２２、並びに、上側配線部３３１および下側配線部３３２のそれぞれは、絶縁層２の上下方向に重ならないよう形成されている。これに対し、本実施形態２では、一部が絶縁層２の上下方向に重なるよう形成されている。以下、その相違点について説明する。

図５は、実施形態２に係る回路基板の模式図である。図５（ａ）は回路基板の上面図である。図５（ｂ）は図５（ａ）のＶ−Ｖ線における断面図である。

実施形態２に係る回路基板１は、絶縁層２および配線部４１，４２，４３を備えている。絶縁層２は、実施形態１と同様である。配線部４１，４２，４３は、実施形態１と同様、それぞれ一つの銅板から形成されている。

配線部４１は、上側配線部４１１および下側配線部４１２から構成されている。上側配線部４１１は、実施形態１の上側配線部３１１と同様に、絶縁層２に設けられている。

下側配線部４１２は、上側配線部４１１と略同形状であって、長手方向の長さが上側配線部３１１より長くなっている。下側配線部４１２は、上面の一部が上側配線部４１１の下面の一部に接続し、下面が絶縁層２の下面から露出するよう設けられている。すなわち、下側配線部４１２は、図５（ａ）に示すように、上面から見た場合に、上側配線部４１１と一部が重なっている。

このように、配線部４１は、一つの銅板から上側配線部４１１および下側配線部４１２が一体形成されているため、途中に異なる物質の接合部がなく、抵抗値が大きくなることを防止している。また、上側配線部４１１および下側配線部４１２が上下方向において一部が重なっているため、実施形態1に係る層間接続部３１３が不要となり、回路基板１は、より大電流に対応することが可能となる。また、上側配線部４１１および下側配線部４１２が上下方向において完全に重なっていないため、配線部４１が絶縁層２から抜け落ち易くならない。

配線部４２は、上側配線部４２１および下側配線部４２２から構成されている。上側配線部４２１は半導体素子１０のソース端子が接続され、下側配線部４２２は基板等の電極に対し電気的に接続する。配線部４３は、上側配線部４３１および下側配線部４３２から構成されている。上側配線部４３１は半導体素子１０のドレイン端子が接続され、下側配線部４３２は基板等の電極に対し電気的に接続する。

これら配線部４２，４３は、大きさは異なるが配線部４１と同様の構成を有しているため、説明は省略する。

次に、実施形態２に係る回路基板１の製造方法について説明する。図６は、実施形態２に係る回路基板１の製造工程を順に示した模式図である。図６は、製造工程において、図５（ａ）のＶ−Ｖ線における断面を示している。

第１工程では（図６（ａ））、厚み４００μｍの銅板４０の上下面に対し感光性レジスト膜を付着させ、サブトラクティブ法により厚さ２００μｍの矩形状のパターンが残るように露光および現像し、エッチングを行う。エッチングにより残ったパターンが、上側配線部４１１，４２１，４３１となる。

第２工程では（図６（ｂ））、銅板４０の上面において、エッチングにより除去した部分に、絶縁樹脂２１を充填する。このとき、エッチングにより残ったパターン（上側配線部４１１等）の少なくとも上面が露出するように絶縁樹脂２１を充填する。絶縁樹脂２１は、例えばポリイミド樹脂であり、充填後、絶縁樹脂２１をプレスし、硬化する。

第３工程では（図６（ｃ））、銅板４０の下面に、第１工程で形成したエッチング（上側配線部４１１等）の下面の一部と重なる厚さ２００μｍの矩形状のパターンが残るように露光および現像し、エッチングを行う。エッチングにより残ったパターンが、下側配線部４１２，４２２，４３２となる。

第４工程では（図６（ｄ））、銅板４０の下面において、エッチングにより除去した部分に、絶縁樹脂２２を充填する。このとき、エッチングにより残ったパターン（下側配線部４１２等）の少なくとも下面が露出するように絶縁樹脂２２を充填する。絶縁樹脂２２は、例えばポリイミド樹脂であり、充填後、絶縁樹脂２２をプレスし、硬化する。この絶縁樹脂２１，２２が図５に示す絶縁層２となる。

この第１から第４工程により、一つの銅板から一体形成された配線部４１，４２，４３を有する回路基板１を製造することができる。

なお、本実施形態では、上側配線部４１１および下側配線部４１２等の厚さは、何れも２００μｍと同じにしているが、厚さ等は適宜変更可能である。図７は、実施形態２に係る回路基板１の別の例を示す図である。例えば、図７（ａ）に示すように、上側配線部４１１（又は４２１，４３１）の厚みを３００μｍとし、下側配線部４１２（又は４２２，４３２）の厚みを２００μｍとして、絶縁層２の平面方向において、上側配線部４１１（又は４２１，４３１）および下側配線部４１２（又は４２２，４３２）が一部重なるようにしてもよい。

また、図７（ｂ）に示すように、上側配線部４１１（又は４２１，４３１）および下側配線部４１２（又は４２２，４３２）のそれぞれの厚みを３００μｍとして、絶縁層２の平面方向において、上側配線部４１１（又は４２１，４３１）および下側配線部４１２（又は４２２，４３２）が一部重なるようにしてもよい。

図７（ａ）および図７（ｂ）において、何れも配線部４１，４２，４３の厚さを厚くすることができるため、回路基板１を、より大電流に対応させることができる。

（実施形態３）
実施形態３では、配線部が絶縁層２の厚み方向に沿って柱状に形成されている。以下、実施形態１，２との相違点について説明する。

図８は、実施形態３に係る回路基板の模式図である。図８（ａ）は回路基板の上面図である。図８（ｂ）は図８（ａ）のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。

実施形態３に係る回路基板１は、絶縁層２および配線部５１，５２，５３を備えている。絶縁層２は、実施形態１と同様である。配線部５１，５２，５３は、実施形態１，２と同様、それぞれ一つの銅板から形成されている。

配線部５１，５２，５３は、同じ大きさ及び形状の上下面を有し、上下面に垂直な軸方向における中央部が外側に膨らんだ柱状を有している。この配線部５１，５２，５３は、軸方向が絶縁層２の厚み方向に沿っており、上下面が絶縁層２の上下面から露出するよう、絶縁層２に設けられている。

配線部５１，５２，５３は中央部が膨らんだ形状であるため、絶縁層２から抜け落ち難くなっている。また、本実施形態では、絶縁層２の平面方向における配線部５１，５２，５３の幅を大きくできるため、回路基板１をより大電流に対応させることができる。

次に、実施形態３に係る回路基板１の製造方法について説明する。図９は、実施形態３に係る回路基板１の製造工程を順に示した模式図である。図９は、製造工程において、図８（ａ）のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面を示している。

第１工程では（図９（ａ））、厚み４００μｍの銅板５０の上下面に対し感光性レジスト膜を付着させ、サブトラクティブ法により断面が台形状となる厚さ２００μｍのパターン５１１，５２１が残るように露光および現像し、エッチングを行う。エッチングにより残ったパターンが、配線部５１，５２，５３の上側部分となる。

第２工程では（図９（ｂ））、銅板５０の上面において、エッチングにより除去した部分に、絶縁樹脂２１を充填する。このとき、エッチングにより残ったパターンの少なくとも上面が露出するように絶縁樹脂２１を充填する。絶縁樹脂２１は、例えばポリイミド樹脂であり、充填後、絶縁樹脂２１をプレスし、硬化する。

第３工程では（図９（ｃ））、銅板５０の下面に、第１工程で形成したパターンと同形状の厚さ２００μｍのパターンが残るように露光および現像し、エッチングを行う。エッチングにより残ったパターンが、配線部５１，５２，５３の下側部分となる。

第４工程では（図９（ｄ））、銅板５０の下面において、エッチングにより除去した部分に、絶縁樹脂２２を充填する。このとき、エッチングにより残ったパターンの少なくとも下面が露出するように絶縁樹脂２２を充填する。絶縁樹脂２２は、例えばポリイミド樹脂であり、充填後、絶縁樹脂２２をプレスし、硬化する。この絶縁樹脂２１，２２が図８に示す絶縁層２となる。

この第１から第４工程により、一つの銅板から一体形成された配線部５１，５２，５３を有する回路基板１を製造することができる。

なお、本実施形態では、配線部５１，５２，５３は、上下面に垂直な軸方向における中央部が外側に膨らんだ柱状としているが、形状は適宜変更可能である。図１０は、実施形態３に係る回路基板１の別の例を示す図である。例えば、図１０（ａ）に示すように、配線部５１，５２，５３は直方体形状としてもよい。また、図１０（ｂ）に示すように、配線部５１，５２，５３は、断面がＬ字状となる形状であってもよいし、図１０（ｃ）に示すように、断面がＴ字状となる形状であってもよい。

なお、回路基板１の具体的構成などは、適宜設計変更可能であり、上述の実施形態に記載された作用及び効果は、本発明から生じる最も好適な作用及び効果を列挙したに過ぎず、本発明による作用及び効果は、上述の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。

例えば、回路基板１に実装した半導体素子１０を熱硬化性エポキシ樹脂等により封止するようにしてもよい。図１１は、半導体素子１０を樹脂により封止した回路基板１の断面を示す模式図である。図１１に示すように、半導体素子１０を樹脂で封止することで、半導体素子１０を熱や湿度などの環境から保護することができる。

なお、図１１では、実施形態１に係る配線基板１を示しているが、配線基板は、実施形態１，２，３の何れであってもよいし、図４、図７および図１０等に示す変形例の配線基板１であってもよい。

１−配線基板
２−絶縁層
１０−半導体素子
３０−銅板（金属部材）
３１，３２，３３−配線部
３１１−上側配線部（配線パターン）
３１２−下側配線部（配線パターン）
３１３−層間接続部

Claims (8)

1. 絶縁層と、
   導電性の一つの金属部材から一体形成され、前記絶縁層の上下面それぞれから一部が露出するように、前記絶縁層内に設けられた配線部と、
   を備える回路基板。
2. 前記絶縁層の上下面における前記配線部の一部が露出する位置は、前記絶縁層の上下方向に重ならないようにされている、請求項１に記載の回路基板。
3. 前記配線部は、
   前記絶縁層の上下方向に沿った柱状に形成されており、かつ、前記絶縁層の上下面それぞれから上下方向の中央部に向かって膨らむ形状に形成されている、
   請求項１に記載の回路基板。
4. 前記絶縁層の上下面から露出した前記配線部の一部にニッケルメッキ皮膜が形成されている、請求項１から３の何れか一つに記載の回路基板。
5. 前記絶縁層の上面から露出した前記配線部の一部に電子部品が直接実装されている、請求項１から４の何れか一つに記載の回路基板。
6. 前記電子部品はパワー半導体素子である、請求項５に記載の回路基板。
7. 前記電子部品は樹脂により封止されている、請求項５又は６に記載の回路基板。
8. 導電性の一つの金属部材の第１の面をエッチングして配線パターンを形成する工程と、
   前記第１の面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁体を充填する工程と、
   前記金属部材の第２の面をエッチングして配線パターンを形成する工程と、
   前記第２の面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁体を充填する工程と、
   を含む回路基板の製造方法。

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