WO2014188964A1 - 部品内蔵配線基板および部品内蔵配線基板の製造方法 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a component built-in wiring board capable of handling a large current and a method for manufacturing the component built-in substrate.
- FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing an example of the wiring board 1 described in Patent Document 1. As shown in FIG.
- the wiring board 1 shown in FIG. 9 includes an insulating layer 2 and a wiring part 3 formed integrally from one metal member.
- the wiring part 3 is provided so that a part is exposed from each of the upper and lower surfaces of the insulating layer 2.
- the wiring portion 3 in the wiring board 1 has, for example, a metal wiring having a thickness of 0.20 mm or more, and can be optimally used as a wiring board for power electronics.
- the wiring board 1 provided with such a highly reliable wiring part 3 can be obtained easily.
- the wiring board 1 which is such a large power capacity board is used as, for example, a power supply wiring, a large cross-sectional area is required.
- the thickness is increasing.
- the wiring portion 3 formed on the wiring board 1 is not complicated in circuit as compared with the signal wiring. Therefore, a space in which the wiring part 3 is not formed may be generated in a considerable volume in the layer of the wiring board 1.
- a main object of the present invention is to realize a miniaturized component wiring board and a component built-in wiring board that can cope with a large current and can effectively utilize a space in which no wiring is formed. It is to provide a manufacturing method.
- the component built-in wiring board according to the present invention includes an insulating layer and a first wiring portion formed in the insulating layer and formed from one conductive continuous metal member, and the first wiring in the insulating layer.
- a wiring board with a built-in component is characterized in that a first electronic component having a thickness smaller than that of the first wiring portion is disposed in the same layer as the layer provided with the wiring portion.
- a second wiring part including a metal foil is provided on the surface of one main surface or the other main surface of the insulating part.
- the second electronic component is mounted on a part of the first wiring portion exposed from the one main surface of the insulating layer, and the first electronic component detects the temperature.
- the second electronic component is a power semiconductor element.
- the component built-in wiring board according to the present invention is preferably arranged so that the first electronic component and the second electronic component overlap when the component built-in wiring board is viewed in plan.
- the method of manufacturing a component built-in wiring board according to the present invention includes a step of etching one main surface of one conductive metal member to form a first wiring pattern, and the metal member is removed by etching on the one main surface.
- the component-embedded wiring includes: a step of forming a conductive portion connected to the wiring pattern and the first electronic component; and a step of filling an insulating resin in a portion of the other main surface where the metal member has been removed by etching.
- the method of manufacturing a component built-in wiring board according to the present invention includes a step of etching one main surface of one conductive metal member to form a first wiring pattern, and a metal member by etching on one main surface.
- the method of manufacturing the component built-in wiring board includes the step of disposing the first electronic component on the second main surface and the step of filling the portion of the other main surface where the metal member has been removed by etching with an insulating resin. Furthermore, in the method of manufacturing the component built-in wiring board according to the present invention, in the step of filling the other principal surface with the insulating resin in the portion where the metal member has been removed by etching, the surface of the insulating resin filled in the other principal surface is provided. It is preferable that the method further includes a step of placing the metal foil and simultaneously crimping the insulating resin and the metal foil, and a step of forming another wiring pattern by etching the crimped metal foil.
- the first wiring portion provided in the insulating layer is formed of one conductive continuous metal member, and the wiring and the conductor formed of different materials are used. Since the resistance value of the wiring portion can be reduced, it is possible to cope with a large current.
- the wiring in the component built-in wiring board is By effectively utilizing the space that is not formed, a component-embedded wiring board that achieves miniaturization can be obtained.
- the component built-in wiring board according to the present invention when the second wiring part including the metal foil is provided on the surface of one main surface or the other main surface of the insulating part, only the space inside the component built-in wiring board is provided. In addition, it is possible to obtain a component built-in wiring board that can effectively use the external surface of the component built-in wiring board. Furthermore, according to the component built-in wiring board according to the present invention, the second electronic component is mounted on a part of the first wiring portion exposed from the one main surface of the insulating layer, and the first electronic component is If the second electronic component is a power semiconductor element, the temperature of the second electronic component can be detected by the first electronic component. It can be carried out.
- the second electronic component when the component built-in wiring board is viewed in plan, the second electronic component is more accurately arranged when the first electronic component and the second electronic component are arranged to overlap each other.
- the temperature of the electronic component can be detected.
- the first wiring pattern and the second wiring pattern are formed by etching one metal member, and wiring formed of different substances Since it is not joined by a conductor, the resistance of the wiring portion can be reduced, so that it is possible to cope with a large current, and the first electronic component is mounted on the portion removed by etching.
- the metal foil is arranged on the surface of the insulating resin filled in the other main surface of the insulating layer, and after the insulating resin and the metal foil are simultaneously pressed, Since another wiring pattern is formed by etching the foil, it is possible to obtain a component built-in wiring board that can effectively utilize not only the space inside the component built-in wiring board but also the external surface of the component built-in wiring board.
- the present invention it is possible to obtain a component-embedded wiring board that can cope with a large current and that can effectively utilize a space in which no wiring is formed, thereby realizing miniaturization.
- FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method of forming a via in the method for manufacturing a component built-in wiring board shown in FIG. 3.
- FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a first embodiment of a component built-in wiring board according to the present invention.
- the component built-in wiring board 100 is a component built-in wiring board including a wiring board capable of handling a large current.
- the component built-in wiring board 100 is formed in a rectangular plate shape in plan view.
- the component built-in wiring board 100 includes an insulating layer 10, first wiring portions 21 and 22, and a first electronic component 30.
- the component built-in wiring board 100 includes a second wiring part 41. Further, the second electronic component 32 is mounted on the component built-in wiring board 100.
- the insulating layer 10 is a sheet-like insulating resin, and the upper and lower surfaces of the component built-in wiring board 100 are formed in a rectangular parallelepiped in plan view.
- the insulating layer 10 coats the periphery of the first wiring parts 21 and 22 and the first electronic component 30.
- the insulating resin include an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, a silicone resin, a bismaleimide resin, and the like.
- the insulating layer 10 may be a single layer or a multilayer.
- the four surfaces adjacent to the upper and lower surfaces of the insulating layer 10 are referred to as side surfaces.
- the first wiring portions 21 and 22 electrically connect the second electronic component 32 mounted on the one main surface 10a side of the insulating layer 10 and an electrode connected to the other main surface 10b of the insulating layer 10. To do.
- the first wiring parts 21 and 22 are each formed of a metal member, for example, a copper plate.
- a metal member for example, a copper plate.
- the material of the 1st wiring parts 21 and 22 in this Embodiment is using copper, it is not restricted to this, For example, if it is metals, such as silver, aluminum, stainless steel, which Such a material may be used. Moreover, it is preferable to use a material having a small specific resistance as the material of the first wiring parts 21 and 22.
- the first wiring part 21 is composed of a first wiring pattern 211 and a second wiring pattern 212.
- the first wiring pattern 211 is formed in a rectangular parallelepiped having each surface made of a rectangle. A part of the upper surface (the surface opposite to the one main surface 20a) of the first wiring pattern 211 is connected to a part of the lower surface (the surface opposite to the other main surface 20b) of the second wiring pattern 212. To do. Further, a part of the one main surface 20 a of the first wiring pattern 211 is provided so as to be exposed from the one main surface 10 a of the insulating layer 10. A terminal of the second electronic component 32 is connected to a part of the one main surface 20a of the first wiring pattern 211 exposed from the one main surface 10a of the insulating layer 10 using a bonding member 32a. For example, solder is used for the joining member 32a.
- the second wiring pattern 212 is formed in a rectangular parallelepiped having each surface made of a rectangle. Two opposing surfaces forming the maximum area of the rectangular parallelepiped are defined as upper and lower surfaces.
- the longitudinal direction of the rectangular parallelepiped is parallel to one side surface of the insulating layer 10, and a part of the other main surface 20 b of the second wiring pattern 212 is exposed from the other main surface 10 b of the insulating layer 10. It is provided to do.
- a nickel plating film is formed on the other main surface 20b of the second wiring pattern 212 exposed from the other main surface 10b of the insulating layer 10. By forming the nickel plating film, the strength in the exposed part is secured.
- the second wiring pattern 212 is electrically connected to an electrode such as a substrate.
- the 1st wiring part 21 has formed the 1st wiring pattern 211 and the 2nd wiring pattern 212 integrally from one copper plate, there is no joined part of a different substance in the middle, and resistance value is Preventing it from growing.
- the first wiring pattern 211 and the second wiring pattern 212 partially overlap in the vertical direction (the thickness direction of the component built-in wiring board 100), it is possible to cope with a large current.
- the first wiring pattern 211 and the second wiring pattern 212 do not completely overlap in the vertical direction (the thickness direction of the component built-in wiring board 100), the first wiring portion 21 may fall off the insulating layer 10. It is suppressed.
- the first wiring part 22 is composed of a first wiring pattern 221 and a second wiring pattern 222. Further, a part of the one main surface 20 a of the first wiring pattern 221 is provided so as to be exposed from the one main surface 10 a of the insulating layer 10. A terminal of the second electronic component 32 is connected to a part of the one main surface 20a of the first wiring pattern 221 exposed from the one main surface 10a of the insulating layer 10 using a bonding member 32a. On the other hand, the second wiring pattern 222 is electrically connected to an electrode such as a substrate. In addition, since the wiring part 22 has the same configuration as the wiring part 21, a description thereof will be omitted.
- the first electronic component 30 is mounted in a space (layer) between the first wiring pattern 211 of the first wiring part 21 and the first wiring pattern 221 of the first wiring part 22.
- the thickness of the first electronic component 30 is smaller than the thickness of the first wiring parts 21 and 22.
- the first electronic component 30 can be appropriately changed by a capacitor, an inductor, a thermistor, a semiconductor element (IC, diode, FET) or the like.
- the first electronic component 30 is preferably a temperature detecting element, for example, a thermistor.
- the semiconductor element for example, an active element such as a silicon semiconductor element or a gallium arsenide semiconductor element can be used.
- Conductive portions 23 are respectively formed on the upper surface of the first electronic component 30 via a bonding member 30a and are electrically connected to each other.
- a conductive bonding material is used as the bonding member 30a, but any type of bonding material may be used as long as it is a conductive bonding material such as a conductive resin or solder.
- the upper end side of the conduction part 23 is electrically connected to the second wiring part 41 via the via 40c.
- the second wiring part 41 is formed on the surface of the other main surface 10b of the insulating layer 10, and is composed of a metal foil 40a and a plating layer 40b.
- the second wiring portion 41 is formed on the other main surface 10 b of the insulating layer 10.
- the second wiring portion 41 is formed to have a desired wiring pattern.
- a copper foil is used as the metal foil 40a.
- the second electronic component 32 is mounted on the one main surface 10a side of the insulating layer 10 in the component built-in wiring board 100.
- the second electronic component 32 is mounted using the first wiring portions 21 and 22 exposed on the one main surface 10a of the insulating layer 10 and the bonding member 32a.
- the second electronic component 32 can be appropriately changed by a capacitor, an inductor, a thermistor, and a semiconductor element (IC, diode, FET: Field-Effect Transistor).
- IC diode, FET: Field-Effect Transistor
- the second electronic component 32 is mounted with a power semiconductor element having temperature dependency such as an FET, for example. Is preferred.
- the power semiconductor element refers to a power conversion semiconductor element or a power control semiconductor element, and is also referred to as a power semiconductor element. That is, the first electronic component 30 and the second electronic component 32 are disposed so as to overlap when the component built-in wiring board 100 is viewed in plan.
- 2 and 3 are schematic cross-sectional views sequentially illustrating an example of steps included in the method of manufacturing the component built-in wiring board 100 shown in FIG.
- a metal member 20 having a thickness of 0.06 mm is prepared.
- the prepared metal member 20 has, for example, a rectangular plate shape having one main surface 20a and the other main surface 20b.
- the prepared metal member 20 may be any material as long as it is a metal such as copper, silver, aluminum, and stainless steel. Moreover, it is preferable to use a metal member having a small specific resistance. In the present embodiment, a copper plate is used as the metal member 20.
- the one main surface 20a side of the metal member 20 is exposed and developed so that a rectangular pattern with a thickness of 0.30 mm remains in the thickness direction, and etching is performed. Is done.
- the pattern left by this etching becomes the first wiring patterns 211 and 221.
- a spray etching method using a ferric chloride solution is generally used, but any method can be used as long as it can be etched. In this embodiment, spray etching using a ferric chloride solution is used.
- the first electronic component 30 is installed.
- the first electronic component 30 is installed using, for example, a joining member 30a.
- a conductive bonding material is used as the bonding member 30a, but any type of bonding material may be used as long as it is a conductive bonding material such as a conductive resin or solder.
- the first electronic component 30 can be appropriately changed by a capacitor, an inductor, a thermistor, a semiconductor element (IC, diode, FET) or the like.
- the first electronic component 30 is preferably a thermistor.
- the semiconductor element for example, an active element such as a silicon semiconductor element or a gallium arsenide semiconductor element can be used.
- the first electronic component 30 is a thermistor having a thickness of 0.15 mm, and a conductive adhesive is used for the joining member 30a.
- the space removed by the etching in the second step is filled with, for example, the insulating resin 11.
- the insulating resin 11 is, for example, an epoxy resin, and after filling, the insulating resin 11 is pressed and cured.
- the epoxy resin for example, a polyimide resin, a phenol resin, a silicone resin, a bismaleimide resin, or the like can be used as the insulating resin 11.
- a desired wiring pattern having a thickness of 0.30 mm in the thickness direction on the other main surface 20b side of the metal member 20 that has not been etched in the second step is formed.
- exposure and development are performed so as to remain, and etching is performed.
- the pattern left by this etching becomes the second wiring patterns 212 and 222 and the conductive portion 23 formed from the bonding member 30a formed when the first electronic component 30 is installed toward the substrate surface.
- a spray etching method using a ferric chloride solution is generally used, but any method can be used as long as it can be etched. In this embodiment, spray etching using a ferric chloride solution is used.
- the space removed by the etching in the fourth step on the other main surface 20b of the metal member 20 is filled with, for example, an insulating resin 12 of an epoxy resin.
- the metal foil 40a is placed on the surface of the insulating resin 12 and is crimped.
- the insulating resins 11 and 12 become the insulating layer 10 shown in FIG.
- the metal foil 40a may be any material as long as it is a metal.
- the thickness of the metal foil 40a is, for example, 0.018 mm.
- a copper foil is used as the metal foil 40a.
- a polyimide resin, a phenol resin, a silicone resin, a bismaleimide resin, or the like can be used as the insulating resin 12.
- a via 40c is formed in order to electrically connect the metal foil 40a and the conductive portion 23.
- a general conformal via forming method is used to form the via 40c. That is, first, as shown in FIG. 4A, a copper foil as a metal foil 40a is conformally etched on the other main surface 10b of the insulating layer 10, and then, as shown in FIG. 4B, a laser is used. A through hole 10 c is formed by drilling the insulating layer 10.
- a plating layer 40b is formed on the surface of the metal foil 40a by electroless and electrolytic copper plating, and a via 40c is formed as shown in FIG. 4C.
- Any via forming method may be used as long as the metal foil 40a and the conductive portion 23 can be electrically connected.
- the metal foil 40a and the plating layer 40b are etched to form the second wiring part 41 formed in a desired wiring pattern.
- a spray etching method using a ferric chloride solution is generally used, but any method can be used as long as it can be etched. In this embodiment, a spray etching method using a ferric chloride solution is used.
- the second electronic component 32 is mounted on the component built-in wiring board 100.
- the second electronic component 32 is mounted using the first wiring portions 21 and 22 exposed on the one main surface 10a of the insulating layer 10 and the bonding member 32a.
- solder is used for the joining member 32a.
- the second electronic component 32 can be appropriately changed by a capacitor, an inductor, a thermistor, and a semiconductor element (IC, diode, FET: Field-Effect Transistor).
- the semiconductor element may be a power semiconductor element.
- the power semiconductor element refers to a power conversion semiconductor element or a power control semiconductor element, and is also referred to as a power semiconductor element.
- the second electronic component 32 is mounted with an IC as a semiconductor element.
- the first wiring patterns 211 and 221 and the second wiring patterns 212 and 222 are integrally formed in the first wiring portions 21 and 22, respectively, and are insulated. A part of the first wiring patterns 211 and 221 is exposed on one main surface 10a of the layer 10 and a part of the second wiring patterns 212 and 222 is exposed on the other main surface 10b. Since it is not joined by a wiring or a conductor formed of a substance, the resistance value of the wiring portion can be reduced, so that a large current can be supported. Further, in the component built-in wiring board 100 shown in FIG. 1, the first electronic component 30 is provided between the first wiring portions 21 and 22, that is, between the first wiring pattern 211 and the first wiring pattern 221. Therefore, the space in which wiring is not formed in the component built-in wiring board 100 can be effectively used, so that the component built-in wiring board 100 that achieves miniaturization can be obtained.
- the second wiring portion 41 is formed on the surface of the other main surface 10b of the insulating layer 10, not only the space inside the component built-in wiring board 100, The component built-in wiring board 100 that can effectively utilize the external surface of the component built-in wiring substrate 100 can be obtained.
- a temperature detection element is provided as the first electronic component 30, and the second electronic component 32 is a power semiconductor element having temperature dependency. Since the temperature of the second electronic component 32 can be detected by the electronic component 30, the temperature management of the second electronic component 32 can be performed. In addition, when the second electronic component 32 is mounted directly below the first electronic component 30, the temperature of the second electronic component 32 can be detected more accurately.
- FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of another example of the first embodiment of the component built-in wiring board according to the present invention. 5, the same parts as those in the component built-in wiring board 100 shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
- the one main surface 20a of the first wiring patterns 211 and 221 in the first wiring portions 21 and 22 is completely compared with the component built-in wiring board 100 shown in FIG. It differs in that it is exposed. Further, the component built-in wiring board 100 shown in FIG. 5 is formed on one main surface 20a of the first wiring patterns 211 and 221 in the first wiring portions 21 and 22 in the same manner as the component built-in wiring board 100 shown in FIG.
- the second electronic component 32 is mounted via a bonding member 32a, but a resist portion 50 is formed around the bonding member 32a as compared with the component built-in wiring board 100 shown in FIG. It is different.
- the component built-in wiring board 100 shown in FIG. 5 also has the same effect as that produced by the component built-in wiring board 100 shown in FIG. 5
- the resist portion 50 is formed on the one main surface 20 a of the first wiring patterns 211 and 221, for example, during the reflow process, the bonding member 32 a Even when melted, it is possible to prevent short-circuiting with other wirings.
- FIG. 6 is a schematic sectional view showing an example of the second embodiment of the component built-in wiring board according to the present invention.
- the component built-in wiring board 100 is formed in a rectangular plate shape in plan view.
- the component built-in wiring board 100 includes the insulating layer 10, the first wiring portion 61, and the first electronic component 30.
- the component built-in wiring board 100 includes a second wiring part 41. Further, the second electronic component 32 is mounted on the component built-in wiring board 100.
- the insulating layer 10 is a sheet-like insulating resin, and the upper and lower surfaces of the component built-in wiring board 100 are formed in a rectangular parallelepiped in plan view.
- the insulating layer 10 coats the periphery of the first wiring part 61 and the first electronic component 30.
- the insulating resin include an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, a silicone resin, a bismaleimide resin, and the like.
- the insulating layer 10 may be a single layer or a multilayer.
- the four surfaces adjacent to the upper and lower surfaces of the insulating layer 10 are referred to as side surfaces.
- the first wiring portion 61 electrically connects the second electronic component 32 mounted on the one main surface 10a side of the insulating layer 10 and the electrode connected to the other main surface 10b of the insulating layer 10.
- the first wiring part 61 is formed from one copper plate.
- the material of the 1st wiring part 61 in this Embodiment is using copper, it is not restricted to this, For example, if it is metals, such as silver, aluminum, stainless steel, what kind It may be a material. Moreover, it is preferable to use a material having a small specific resistance as the material of the first wiring part 61.
- the first wiring part 61 includes a first wiring pattern 611 and second wiring patterns 612 and 613.
- the 1st wiring pattern 611 is formed in the rectangular parallelepiped which each surface becomes a rectangle.
- the first wiring pattern 611 is, for example, a ground electrode.
- the entire surface of the first main surface 60 a of the first wiring pattern 611 is provided so as to be exposed from the one main surface 10 a of the insulating layer 10.
- the ground terminal of the second electronic component 32 is connected to the one main surface 60a of the first wiring pattern 611 exposed from the one main surface 10a of the insulating layer 10 using the bonding member 32a.
- solder is used for the joining member 32a.
- the second wiring patterns 612 and 613 are formed in a rectangular parallelepiped shape with each surface being a rectangle. Two opposing surfaces forming the maximum area of the rectangular parallelepiped are defined as upper and lower surfaces.
- the longitudinal direction of the rectangular parallelepiped is parallel to one side surface of the insulating layer 10, and the other main surface 60 b of the second wiring patterns 612 and 613 is the other main surface of the insulating layer 10. It is provided so as to be exposed from the surface 10b.
- a nickel plating film is formed on the other main surface 60b of the second wiring patterns 612 and 613 exposed from the other main surface 10b of the insulating layer 10. By forming the nickel plating film, the strength in the exposed part is secured.
- the second wiring patterns 612 and 613 are electrically connected to electrodes such as a substrate.
- the first wiring portion 61 is formed by integrally forming the first wiring pattern 611 and the second wiring patterns 612 and 613 from a single copper plate. The value is prevented from increasing. In addition, since the first wiring pattern 611 and the second wiring patterns 612 and 613 partially overlap in the vertical direction (thickness direction of the component built-in wiring board 100), it is possible to cope with a large current. . Further, since the first wiring pattern 611 and the second wiring patterns 612 and 613 are not completely overlapped in the vertical direction (thickness direction of the component built-in wiring board 100), the first wiring portion 61 falls off the insulating layer 10. It is suppressed.
- the first electronic component 30 is installed on the upper surface of the first wiring pattern 611 of the first wiring portion 61 (the surface opposite to the one main surface 60a) via the spacer 30b.
- an insulating resin can be used as the material of the spacer 30b.
- an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, a silicone resin, a bismaleimide resin, or the like can be used. It is preferable to use the same material as the material.
- the first electronic component 30 is installed in a space (layer) between the second wiring pattern 612 and the second wiring pattern 613. The thickness of the first electronic component 30 is smaller than the thickness of the second wiring patterns 612 and 613 in the first wiring portion 61.
- the first electronic component 30 can be appropriately changed by a capacitor, an inductor, a thermistor, a semiconductor element (IC, diode, FET) or the like.
- the first electronic component 30 is preferably a temperature detecting element, for example, a thermistor.
- the semiconductor element for example, an active element such as a silicon semiconductor element or a gallium arsenide semiconductor element can be used.
- a via 40c is formed on the upper surface of the first electronic component 30 via a bonding member 30a and is electrically connected to each other.
- a conductive bonding material is used as the bonding member 30a, but any type of bonding material may be used as long as it is a conductive bonding material such as a conductive resin or solder.
- the vias 40c are electrically connected to the second wiring part 41, respectively.
- the second wiring part 41 is formed on the surface of the other main surface 10b of the insulating layer 10, and is composed of a metal foil 40a and a plating layer 40b.
- the second wiring portion 41 is formed on the other main surface 10 b of the insulating layer 10.
- the second wiring portion 41 is formed to have a desired wiring pattern.
- a copper foil is used as the metal foil 40a.
- the second electronic component 32 is mounted on the one main surface 10a side of the insulating layer 10 in the component built-in wiring board 100.
- the second electronic component 32 is mounted using the first wiring portion 61 and the bonding member 32a exposed on the one main surface 10a of the insulating layer 10.
- the second electronic component 32 can be appropriately changed by a capacitor, an inductor, a thermistor, and a semiconductor element (IC, diode, FET: Field-Effect Transistor).
- IC diode, FET: Field-Effect Transistor
- the second electronic component 32 is mounted with a power semiconductor element having temperature dependency such as an FET. Is preferred.
- the second electronic component 32 is mounted immediately below the first electronic component 30.
- the power semiconductor element refers to a power conversion semiconductor element or a power control semiconductor element, and is also referred to as a power semiconductor element. That is, the first electronic component 30 and the second electronic component 32 are disposed so as to overlap when the component built-in wiring board 100 is viewed in plan.
- 7 and 8 are schematic cross-sectional views sequentially illustrating an example of the steps included in the method for manufacturing the component built-in wiring board 100 shown in FIG.
- a metal member 60 having a thickness of 0.06 mm is prepared.
- the prepared metal member 60 has, for example, a rectangular plate shape having one main surface 60a and the other main surface 60b.
- the prepared metal member 60 may be any material as long as it is a metal such as copper, silver, aluminum, and stainless steel.
- the metal member preferably has a small specific resistance.
- a copper plate is used as the metal member 60.
- the one main surface 60a side of the metal member 60 is exposed and developed so that a rectangular pattern having a thickness of 0.03 mm remains in the thickness direction, and etching is performed. Is done.
- the pattern left by this etching becomes the first wiring pattern 611.
- a spray etching method using a ferric chloride solution is generally used, but any method can be used as long as it can be etched. In this embodiment, spray etching using a ferric chloride solution is used.
- the space removed by the etching in the second step is filled with, for example, the insulating resin 11.
- the insulating resin 11 is, for example, an epoxy resin, and after filling, the insulating resin 11 is pressed and cured.
- the epoxy resin for example, a polyimide resin, a phenol resin, a silicone resin, a bismaleimide resin, or the like can be used as the insulating resin 11.
- a desired wiring pattern of 0.30 mm remains in the thickness direction on the other main surface 60b side of the metal member 60 not etched in the second step. Exposure, development, and etching are performed. The pattern remaining by this etching becomes second wiring patterns 612 and 613.
- a spray etching method using a ferric chloride solution is generally used, but any method can be used as long as it can be etched. In this embodiment, spray etching using a ferric chloride solution is used.
- the space removed by the etching in the fourth step which is between the second wiring pattern 612 and the second wiring pattern 613.
- the first electronic component 30 is installed in the space (layer).
- the first electronic component 30 is installed on the upper surface of the first wiring pattern 611 (the surface opposite to the one main surface 60a of the metal member 60) via the spacer 30b.
- an insulating resin can be used as the material of the spacer 30b.
- an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, a silicone resin, a bismaleimide resin, or the like can be used. It is preferable to use the same material as the material.
- a bonding member 30a is formed in advance on a terminal electrode (not shown) disposed on the upper surface of the first electronic component 30 (the surface opposite to the surface in contact with the spacer 30b).
- the first electronic component 30 can be appropriately changed by a capacitor, an inductor, a thermistor, a semiconductor element (IC, diode, FET) or the like.
- the first electronic component 30 is preferably a thermistor.
- the semiconductor element for example, an active element such as a silicon semiconductor element or a gallium arsenide semiconductor element can be used.
- the first electronic component 30 is a thermistor having a thickness of 0.15 mm, and a conductive adhesive is used for the joining member 30a.
- the space removed by the etching in the fourth step on the other main surface 60b of the metal member 60 is filled with, for example, an insulating resin 12 of an epoxy resin.
- an insulating resin 12 of an epoxy resin for example, a copper foil is placed on the surface of the insulating resin 12, and is crimped.
- the insulating resins 11 and 12 become the insulating layer 10 shown in FIG.
- the metal foil 40a may be any material as long as it is a metal.
- the thickness of the metal foil 40a is, for example, 0.018 mm.
- a copper foil is used as the metal foil 40a.
- a polyimide resin, a phenol resin, a silicone resin, a bismaleimide resin, or the like can be used as the insulating resin 12.
- a via 40 c is formed to electrically connect the metal foil 40 a and the bonding member 30 a formed on the first electronic component 30.
- the process of forming the via 40c is performed by the general method for forming a conformal via shown in FIG. Any via forming method may be used as long as the metal foil 40a and the bonding member 30a formed on the first electronic component 30 can be electrically connected.
- the metal foil 40a and the plating layer 40b are etched to form the second wiring portion 41 formed in a desired wiring pattern.
- a spray etching method using a ferric chloride solution is generally used, but any method can be used as long as it can be etched. In this embodiment, a spray etching method using a ferric chloride solution is used.
- the second electronic component 32 is mounted on the component built-in wiring board 100.
- the second electronic component 32 is mounted using the first wiring pattern 611 of the first wiring portion 61 exposed on the one main surface 10a of the insulating layer 10 and the bonding member 32a.
- solder is used for the joining member 32a.
- the second electronic component 32 can be appropriately changed by a capacitor, an inductor, a thermistor, and a semiconductor element (IC, diode, FET: Field-Effect Transistor).
- the semiconductor element may be a power semiconductor element.
- the power semiconductor element refers to a power conversion semiconductor element or a power control semiconductor element, and is also referred to as a power semiconductor element.
- the second electronic component 32 is mounted with an IC as a semiconductor element.
- the component built-in wiring board 100 shown in FIG. 6 has the same effect as the effect produced by the component built-in wiring board 100 shown in FIG.
- the first wiring pattern 611 in the first wiring portion 61 is formed as a ground wiring, it is possible to effectively shield a signal or the like as a disturbance. .
- the second electronic component 32 is mounted.
- the present invention is not limited to this, and may not necessarily be mounted.
- the second wiring portion 41 is formed on the other main surface 10b of the insulating layer 10.
- the present invention is not limited to this, and the first main surface 10a of the insulating layer 10 is not limited thereto.
- the second wiring part 41 may be formed.
- the second electronic component 32 is not mounted on the one main surface 10 a of the insulating layer 10.
- the second wiring portion 41 is formed on the other main surface 10b of the insulating layer 10, but is not limited thereto, and is formed on the one main surface 10a. Also good. Further, in each of the above-described built-in wiring boards 100, the second wiring portion 41 is formed with only one layer, but is not limited thereto, and may be formed in multiple layers.
- the second electronic component 32 is mounted immediately below the first electronic component 30, that is, when the component built-in wiring board 100 is viewed in plan, the first electronic component 30 and the second electronic unit 32 are arranged so as to overlap.
- the first electronic component 30 and the second electronic unit 32 are arranged so as to overlap.
- it is not limited to this.
- the second electronic component 32 mounted on the component built-in wiring board 100 is not protected at all, but is not limited thereto, and is sealed with an insulating resin. It may be. By sealing the second electronic component 32 with an insulating resin, the second electronic component 32 can be protected from the environment such as heat and humidity.
- an insulating resin for example, a polyimide resin, a phenol resin, a silicone resin, a bismaleimide resin, or the like can be used as the insulating resin.
- each surface of the first wiring patterns 211, 611 and the second wiring patterns 212, 612, 613 is formed in a rectangular shape, but the present invention is not limited to this.
- a substantially rectangular shape or other shapes may be used.
- the electronic component according to the present invention is particularly suitably used as a power electronics substrate that can handle a large current, for example.
- SYMBOLS 100 Component built-in wiring board 10 Insulation layer 10a One main surface 10b The other main surface 10c Through hole 11, 12 Insulating resin 20, 60 Metal member 20a, 60a One main surface 20b, 60b The other main surface 21, 22, 61 First wiring Portions 211, 221 and 611 First wiring pattern 212, 222, 612 and 613 Second wiring pattern 23 Conducting portion 30 First electronic component 30a Joining member 30b Spacer 32 Second electronic component 32a Joining member 40a Metal foil 40b Plating layer 40c Via 41 Second wiring part 50 Resist part
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Abstract
大電流に対応可能であり、かつ、配線が形成されていない空間を有効に活用し得ることにより、小型化を実現した部品内蔵配線基板および部品内蔵配線基板の製造方法を提供する。 部品内蔵配線基板100は、絶縁層10、第1の配線部21,22および第1の電子部品30を含む。絶縁層10は、第2の配線部21,22および第1の電子部品30をコーティングしている。絶縁層10の一方主面10aおよび他方主面10bから第1の配線部21,22の一部が露出している。第1の配線部21,22は、第1の配線パターン211,221および第2の配線パターン212,222から構成されている。第1の配線パターン211と第1の配線パターン221との間には、第1の電子部品30が実装されている。
Description
本発明は、大電流に対応可能な部品内蔵配線基板および部品内蔵基板の製造方法に関する。
近年のパワー機器の大容量化、大電流化に伴い、このようなパワー機器に用いられるパワーエレクトロニクス用の部品が実装される配線基板においては、パワー配線を厚くすることが要求されている。そのような要求に対し、たとえば、一つの金属部材から一体形成される厚配線形成技術が開示されている(たとえば、特許文献1参照)。図9は、特許文献1に記載の配線基板1の一例を示す断面模式図である。
図9に示される配線基板1は、絶縁層2と、一つの金属部材から一体に形成された配線部3とを備えている。また、配線部3は、絶縁層2の上下面それぞれから一部が露出するように設けられている。この配線基板1における配線部3は、たとえば、厚さ0.20mm以上の金属配線を有しており、パワーエレクトロニクス用の配線基板として最適に用いることができる。また、特許文献1に記載の配線基板1の製造方法では、このような信頼性の高い配線部3を備えた配線基板1を容易に得ることができる。
しかしながら、上述したように、このような大電力容量基板である配線基板1は、たとえば、電源配線として用いられていることから、大断面積化が求められることとなり、その結果、配線部3の厚みが増加している。一方、配線基板1に形成される配線部3は信号配線と比較して回路が複雑ではない。したがって、配線基板1の層内には、配線部3の形成されていない空間がかなりの体積で生じる場合がある。
それゆえに、この発明の主たる目的は、大電流に対応可能であり、かつ、配線が形成されていない空間を有効に活用し得ることにより、小型化を実現した部品内蔵配線基板および部品内蔵配線基板の製造方法を提供することである。
この発明にかかる部品内蔵配線基板は、絶縁層と、導電性の一つの連続した金属部材から形成され、絶縁層内に設けられた第1の配線部と、を備え、絶縁層内における第1の配線部が設けられた層と同一の層に、第1の配線部の厚みより小さい第1の電子部品が配置されることを特徴とする、部品内蔵配線基板である。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板は、絶縁部の一方主面または他方主面の表面に金属箔を含む第2の配線部が設けられることが好ましい。
さらに、この発明にかかる部品内蔵配線基板は、絶縁層の一方主面から露出した第1の配線部の一部に、第2の電子部品が実装されており、第1の電子部品が温度検出用素子であり、第2の電子部品がパワー半導体素子であることが好ましい。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板は、部品内蔵配線基板を平面視したとき、第1の電子部品と第2の電子部品とは重なるように配置されることが好ましい。
この発明にかかる部品内蔵配線基板の製造方法は、導電性の一つの金属部材の一方主面をエッチングして第1の配線パターンを形成する工程と、一方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に第1の電子部品を実装する工程と、一方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、金属部材の他方主面をエッチングして第2の配線パターンおよび第1の電子部品に接続される導通部を形成する工程と、他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、を含む、部品内蔵配線基板の製造方法である。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板の製造方法は、導電性の一つの金属部材の一方主面をエッチングして第1の配線パターンを形成する工程と、一方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、金属部材の他方主面をエッチングして、第2の配線パターンを形成する工程と、他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に第1の電子部品を配置する工程と、他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、を含む、部品内蔵配線基板の製造方法である。
さらに、この発明にかかる部品内蔵配線基板の製造方法は、他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程において、他方主面に充填された絶縁樹脂の表面に金属箔を配置して、絶縁樹脂と金属箔とを同時に圧着する工程と、圧着された金属箔をエッチングすることにより他の配線パターンを形成する工程と、をさらに含むことが好ましい。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板は、絶縁部の一方主面または他方主面の表面に金属箔を含む第2の配線部が設けられることが好ましい。
さらに、この発明にかかる部品内蔵配線基板は、絶縁層の一方主面から露出した第1の配線部の一部に、第2の電子部品が実装されており、第1の電子部品が温度検出用素子であり、第2の電子部品がパワー半導体素子であることが好ましい。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板は、部品内蔵配線基板を平面視したとき、第1の電子部品と第2の電子部品とは重なるように配置されることが好ましい。
この発明にかかる部品内蔵配線基板の製造方法は、導電性の一つの金属部材の一方主面をエッチングして第1の配線パターンを形成する工程と、一方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に第1の電子部品を実装する工程と、一方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、金属部材の他方主面をエッチングして第2の配線パターンおよび第1の電子部品に接続される導通部を形成する工程と、他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、を含む、部品内蔵配線基板の製造方法である。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板の製造方法は、導電性の一つの金属部材の一方主面をエッチングして第1の配線パターンを形成する工程と、一方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、金属部材の他方主面をエッチングして、第2の配線パターンを形成する工程と、他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に第1の電子部品を配置する工程と、他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、を含む、部品内蔵配線基板の製造方法である。
さらに、この発明にかかる部品内蔵配線基板の製造方法は、他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程において、他方主面に充填された絶縁樹脂の表面に金属箔を配置して、絶縁樹脂と金属箔とを同時に圧着する工程と、圧着された金属箔をエッチングすることにより他の配線パターンを形成する工程と、をさらに含むことが好ましい。
この発明にかかる部品内蔵配線基板によれば、絶縁層内に設けられた第1の配線部が、導電性の一つの連続した金属部材から形成されており、異なる物質で形成された配線や導体により接合されていないので、配線部の抵抗値を小さくできることから、大電流に対応可能とすることができる。また、絶縁層内における第1の配線部が設けられた層と同一の層に、第1の配線部の厚みより小さい第1の電子部品が配置されているので、部品内蔵配線基板における配線が形成されていない空間を有効に活用し得ることにより、小型化を実現した部品内蔵配線基板を得ることができる。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板によれば、絶縁部の一方主面または他方主面の表面に金属箔を含む第2の配線部が設けられると、部品内蔵配線基板の内部の空間だけでなく、部品内蔵配線基板の外部表面も有効に活用し得る部品内蔵配線基板を得ることができる。
さらに、この発明にかかる部品内蔵配線基板によれば、絶縁層の一方主面から露出した第1の配線部の一部に、第2の電子部品が実装されており、第1の電子部品が温度検出用素子であり、第2の電子部品がパワー半導体素子であると、第1の電子部品により第2の電子部品の温度を検出することができることから、第2の電子部品の温度管理を行うことができる。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板によれば、部品内蔵配線基板を平面視したとき、第1の電子部品と第2の電子部品とは重なるように配置されると、より正確に第2の電子部品の温度を検出することができる。
この発明にかかる部品内蔵配線基板の製造方法によれば、第1の配線パターンと第2の配線パターンとが一つの金属部材をエッチングすることで形成されており、異なる物質で形成された配線や導体により接合されていないので、配線部の抵抗を小さくできることから、大電流に対応可能とすることができ、エッチングにより除去された部分に第1の電子部品が実装されるので、部品内蔵配線基板における配線が形成されていない空間を有効に活用し得ることにより、小型化を実現した部品内蔵配線基板を得ることができる。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板の製造方法によれば、絶縁層の他方主面に充填された絶縁樹脂の表面に金属箔が配置され、絶縁樹脂と金属箔を同時に圧着した後、金属箔をエッチングすることにより他の配線パターンを形成するので、部品内蔵配線基板の内部の空間だけでなく、部品内蔵配線基板の外部表面も有効に活用し得る部品内蔵配線基板を得ることができる。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板によれば、絶縁部の一方主面または他方主面の表面に金属箔を含む第2の配線部が設けられると、部品内蔵配線基板の内部の空間だけでなく、部品内蔵配線基板の外部表面も有効に活用し得る部品内蔵配線基板を得ることができる。
さらに、この発明にかかる部品内蔵配線基板によれば、絶縁層の一方主面から露出した第1の配線部の一部に、第2の電子部品が実装されており、第1の電子部品が温度検出用素子であり、第2の電子部品がパワー半導体素子であると、第1の電子部品により第2の電子部品の温度を検出することができることから、第2の電子部品の温度管理を行うことができる。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板によれば、部品内蔵配線基板を平面視したとき、第1の電子部品と第2の電子部品とは重なるように配置されると、より正確に第2の電子部品の温度を検出することができる。
この発明にかかる部品内蔵配線基板の製造方法によれば、第1の配線パターンと第2の配線パターンとが一つの金属部材をエッチングすることで形成されており、異なる物質で形成された配線や導体により接合されていないので、配線部の抵抗を小さくできることから、大電流に対応可能とすることができ、エッチングにより除去された部分に第1の電子部品が実装されるので、部品内蔵配線基板における配線が形成されていない空間を有効に活用し得ることにより、小型化を実現した部品内蔵配線基板を得ることができる。
また、この発明にかかる部品内蔵配線基板の製造方法によれば、絶縁層の他方主面に充填された絶縁樹脂の表面に金属箔が配置され、絶縁樹脂と金属箔を同時に圧着した後、金属箔をエッチングすることにより他の配線パターンを形成するので、部品内蔵配線基板の内部の空間だけでなく、部品内蔵配線基板の外部表面も有効に活用し得る部品内蔵配線基板を得ることができる。
この発明によれば、大電流に対応可能であり、かつ、配線が形成されていない空間を有効に活用し得ることにより、小型化を実現した部品内蔵配線基板を得ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
この発明にかかる部品内蔵配線基板の第1の実施の形態の一例について説明する。図1は、この発明にかかる部品内蔵配線基板の第1の実施の形態の一例を示す断面模式図である。
この実施の形態にかかる部品内蔵配線基板100は、大電流に対応可能な配線基板を含む部品内蔵配線基板である。部品内蔵配線基板100は、平面視で、矩形板状に形成される。部品内蔵配線基板100は、絶縁層10、第1の配線部21,22および第1の電子部品30を含む。また、部品内蔵配線基板100は、第2の配線部41を含む。さらに、部品内蔵配線基板100には、第2の電子部品32が実装される。
絶縁層10は、シート状の絶縁樹脂であり、平面視で、部品内蔵配線基板100の上下面が正方形状の直方体に形成される。絶縁層10は、第1の配線部21,22および第1の電子部品30の周囲をコーティングしている。絶縁樹脂は、たとえば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂あるいはビスマレイミド樹脂等が挙げられる。絶縁層10は、一層であってもよいし、多層であってもよい。また、以下では、絶縁層10の上下面に隣接する四面を側面という。
第1の配線部21,22は、絶縁層10の一方主面10a側に搭載される第2の電子部品32と、絶縁層10の他方主面10bに接続される電極とを電気的に接続する。
第1の配線部21,22は、それぞれ一つの金属部材たる、たとえば銅板から形成されている。なお、本実施の形態における第1の配線部21,22の材料は、銅が用いられているが、これに限られるものではなく、たとえば、銀、アルミ、ステンレス等の金属であれば、どのような材質であってもよい。また、第1の配線部21,22の材料は、比抵抗が小さいものを用いるのが好ましい。
第1の配線部21は、第1の配線パターン211および第2の配線パターン212から構成されている。
第1の配線パターン211は、各面が長方形からなる直方体に形成されている。そして、第1の配線パターン211における上面(一方主面20aの反対側の面)の一部が、第2の配線パターン212の下面(他方主面20bの反対側の面)の一部に接続する。また、第1の配線パターン211の一方主面20aの一部が絶縁層10の一方主面10aから露出するように設けられている。絶縁層10の一方主面10aから露出した第1の配線パターン211の一方主面20aの一部には、第2の電子部品32の端子が接合部材32aを用いて接続される。接合部材32aは、たとえば、はんだが用いられる。
第2の配線パターン212は、各面が長方形からなる直方体に形成されている。この直方体の最大面積をなす対向する2面を上下面とする。第2の配線パターン212は、直方体の長手方向が絶縁層10の一側面と平行し、かつ、第2の配線パターン212の他方主面20bの一部が絶縁層10の他方主面10bから露出するように設けられている。絶縁層10の他方主面10bから露出した第2の配線パターン212の他方主面20bには、図示しないが、ニッケルメッキ皮膜が形成される。ニッケルメッキ皮膜を形成することで、露出部分における強度を確保している。第2の配線パターン212は、基板等の電極に対し電気的に接続される。
このように、第1の配線部21は、一つの銅板から第1の配線パターン211および第2の配線パターン212が一体形成されているため、途中に異なる物質の接合部がなく、抵抗値が大きくなることを防止している。また、第1の配線パターン211および第2の配線パターン212が上下方向(部品内蔵配線基板100の厚み方向)において一部重なっているため、大電流に対応することが可能となっている。また、第1の配線パターン211および第2の配線パターン212が上下方向(部品内蔵配線基板100の厚み方向)において完全に重なっていないため、第1の配線部21が絶縁層10から抜け落ちることが抑制される。
第1の配線部22は、第1の配線パターン221および第2の配線パターン222から構成されている。また、第1の配線パターン221の一方主面20aの一部が絶縁層10の一方主面10aから露出するように設けられている。絶縁層10の一方主面10aから露出した第1の配線パターン221の一方主面20aの一部には、第2の電子部品32の端子が接合部材32aを用いて接続される。一方、第2の配線パターン222は、基板等の電極に対し電気的に接続される。なお、配線部22は、配線部21と同様の構成を有しているため、説明は省略する。
また、第1の配線部21の第1の配線パターン211と第1の配線部22の第1の配線パターン221との間の空間(層)に、第1の電子部品30が実装される。第1の電子部品30の厚みは、第1の配線部21,22の厚みよりも小さい厚みである。第1の電子部品30は、コンデンサ、インダクタ、サーミスタ、半導体素子(IC、ダイオード、FET)等で適宜変更可能である。なお、第2の電子部品32の温度状態を監視するために、第1の電子部品30は、温度検出用素子である、たとえば、サーミスタであるのが好適である。また、半導体素子としては、たとえば、シリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等の能動素子を用いることができる。第1の電子部品30の上面には接合部材30aを介してそれぞれ導通部23が形成され、互いに電気的に接続されている。接合部材30aは、たとえば、導電性接合材が用いられるが、導電性樹脂、はんだ等、導電性を有する接合材であれば、種類は問わない。導通部23の上端側は、ビア40cを介して、それぞれ第2の配線部41と電気的に接続している。
第2の配線部41は、絶縁層10の他方主面10bの表面に形成されており、金属箔40aおよびめっき層40bにより構成される。第2の配線部41は、絶縁層10の他方主面10bに形成される。第2の配線部41は、所望の配線パターンとなるように形成されている。本実施の形態では、金属箔40aとして銅箔が用いられる。
また、上述したように、部品内蔵配線基板100において、絶縁層10の一方主面10a側には、第2の電子部品32が実装される。第2の電子部品32は、絶縁層10の一方主面10aにおいて露出されている第1の配線部21,22と接合部材32aを用いて実装される。第2の電子部品32は、コンデンサ、インダクタ、サーミスタ、半導体素子(IC、ダイオード、FET:Field-Effect Transistor)で適宜変更可能である。なお、第1の電子部品30として温度検出用素子であるサーミスタが実装されている場合には、第2の電子部品32は、たとえば、FET等の温度依存性を有するパワー半導体素子を実装するのが好適である。このとき、第2の電子部品32は、第1の電子部品30の直下に実装される。パワー半導体素子は、電力変換用半導体素子や電力制御用半導体素子のことをいい、電力用半導体素子ともいう。すなわち、部品内蔵配線基板100を平面視したとき、第1の電子部品30と第2の電子部品32とは重なるように配置される。
次に、上述した第1の実施の形態にかかる部品内蔵配線基板100の製造方法の一例について説明する。図2および図3は、図1に記載の部品内蔵配線基板100の製造方法に含まれる工程の一例を順次図解的に示す断面模式図である。
まず、図2(a)に示すように、第1工程では、たとえば、厚みが0.06mmの金属部材20が用意される。用意される金属部材20は、たとえば、一方主面20aおよび他方主面20bを有する矩形板状である。なお、用意される金属部材20は、たとえば、銅、銀、アルミ、ステンレス等の金属であれば、どのような材質であってもよい。また、金属部材は、比抵抗が小さいものを用いるのが好ましい。本実施の形態では、金属部材20として銅板が用いられる。
それから、図2(b)に示すように、第2工程では、金属部材20の一方主面20a側を厚み方向に厚さ0.30mmの矩形状のパターンが残るように露光および現像し、エッチングが行われる。このエッチングにより残ったパターンが、第1の配線パターン211,221となる。このエッチングには、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチング法が一般的に用いられるが、エッチングできるものであれば、その方法は問わない。本実施の形態では、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチングが用いられる。
次に、図2(c)に示すように、第3工程では、第2工程のエッチングにより形成された第1の配線パターン211と第1の配線パターン221との間の空間(層)に、第1の電子部品30が設置される。第1の電子部品30は、たとえば、接合部材30aを用いて設置される。接合部材30aは、たとえば、導電性接合材が用いられるが、導電性樹脂、はんだ等、導電性を有する接合材であれば、種類は問わない。また、第1の電子部品30は、コンデンサ、インダクタ、サーミスタ、半導体素子(IC、ダイオード、FET)等で適宜変更可能である。なお、第2の電子部品32の温度状態を監視するために、第1の電子部品30は、サーミスタであるのが好適である。また、半導体素子としては、たとえば、シリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等の能動素子を用いることができる。本実施の形態では、第1の電子部品30の厚みが0.15mmのサーミスタであり、接合部材30aは、導電性接着剤が用いられる。
それから、図2(d)に示すように、第4工程では、第2工程のエッチングにより除去された空間が、たとえば、絶縁樹脂11で充填される。絶縁樹脂11は、たとえば、エポキシ系樹脂であり、充填後、絶縁樹脂11がプレスされ、硬化される。なお、絶縁樹脂11は、エポキシ系樹脂以外にも、たとえば、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂等を用いることができる。
次に、図2(e)に示すように、第5工程では、第2の工程でエッチングしていない金属部材20の他方主面20b側を厚み方向に厚さ0.30mmの所望の配線パターンが残るように露光および現像し、エッチングが行われる。このエッチングにより残ったパターンが、第2の配線パターン212,222と、第1の電子部品30を設置する際に形成された接合部材30aから基板表面に向けて形成されている導通部23となる。このエッチングには、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチング法が一般的に用いられるが、エッチングできるものであれば、その方法は問わない。本実施の形態では、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチングが用いられる。
それから、図3(a)に示すように、第6工程では、金属部材20の他方主面20bにおいて、第4工程のエッチングにより除去された空間が、たとえば、エポキシ系樹脂の絶縁樹脂12により充填され、さらに、金属箔40aが絶縁樹脂12の表面に置かれ、圧着される。この絶縁樹脂11,12が、図1に示す絶縁層10となる。また、この金属箔40aは、金属であれば、どのような材質であってもよい。金属箔40aの厚みは、たとえば、0.018mmである。本実施の形態では、金属箔40aとして、銅箔が用いられる。また、絶縁樹脂12は、エポキシ系樹脂以外にも、たとえば、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂等を用いることができる。
次に、図3(b)に示すように、第7工程では、金属箔40aと導通部23とを電気的に接続するためにビア40cが形成される。ここで、図4を用いて、ビア40cが形成される工程について、詳細に説明する。ビア40cの形成には、一般的な、コンフォーマルビアの形成方法が用いられる。すなわち、まず、図4(a)のように、絶縁層10の他方主面10bに金属箔40aである銅箔をコンフォーマルエッチングし、続いて、図4(b)に示すように、レーザーで絶縁層10に穴あけすることによりスルーホール10cが形成される。続いて、デスミアして残渣を除去した後、無電解、電解銅めっきにより金属箔40aの表面にめっき層40bが形成され、図4(c)に示すように、ビア40cが形成される。なお、金属箔40aと導通部23とを電気的に接続できれば、どのようなビアの形成方法が用いられてもよい。
それから、図3(c)に示すように、第8工程では、金属箔40aおよびめっき層40bがエッチングされ、所望の配線パターンに形成された第2の配線部41が形成される。このエッチングには、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチング法が一般的に用いられるが、エッチングできるものであれば、その方法は問わない。本実施の形態では、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチング法が用いられる。
次に、図3(d)に示すように、第9工程では、部品内蔵配線基板100に第2の電子部品32が実装される。第2の電子部品32は、絶縁層10の一方主面10aにおいて露出されている第1の配線部21,22と接合部材32aを用いて実装される。接合部材32aは、たとえば、はんだが用いられる。また、第2の電子部品32は、コンデンサ、インダクタ、サーミスタ、半導体素子(IC、ダイオード、FET:Field-Effect Transistor)で適宜変更可能である。また、半導体素子は、パワー半導体素子でもよい。パワー半導体素子は、電力変換用半導体素子や電力制御用半導体素子のことをいい、電力用半導体素子ともいう。なお、本実施の形態では、第2の電子部品32は、半導体素子としてICが実装される。
図1に示す部品内蔵配線基板100では、第1の配線部21,22において、第1の配線パターン211,221と第2の配線パターン212,222とがそれぞれ一体に形成されており、かつ絶縁層10の一方主面10aにおいて第1の配線パターン211,221の一部が露出し、他方主面10bにおいて第2の配線パターン212,222の一部が露出するように形成されており、異なる物質で形成された配線や導体により接合されていないので、配線部の抵抗値を小さくできることから、大電流に対応可能とすることができる。さらに、図1に示す部品内蔵配線基板100では、第1の配線部21,22の間、すなわち第1の配線パターン211と第1の配線パターン221との間に、第1の電子部品30が配置されているので、部品内蔵配線基板100における配線が形成されていない空間を有効に活用し得ることにより、小型化を実現した部品内蔵配線基板100を得ることができる。
また、図1に示す部品内蔵配線基板100では、絶縁層10の他方主面10bの表面に第2の配線部41が形成されているので、部品内蔵配線基板100の内部の空間だけでなく、部品内蔵配線基板100の外部表面も有効に活用し得る部品内蔵配線基板100を得ることができる。
さらに、図1に示す部品内蔵配線基板100では、第1の電子部品30として温度検出用素子が設けられ、第2の電子部品32が温度依存性を有するパワー半導体素子であると、第1の電子部品30により第2の電子部品32の温度を検出することができることから、第2の電子部品32の温度管理を行うことができる。また、第2の電子部品32が、第1の電子部品30の直下に実装されていると、より正確に第2の電子部品32の温度を検出することができる。
次に、この発明にかかる部品内蔵配線基板の第1の実施の形態についての他の例について説明する。図5は、この発明にかかる部品内蔵配線基板の第1の実施の形態についての他の例における断面模式図である。なお、図5において、図1に示した部品内蔵配線基板100と同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図5に記載の部品内蔵配線基板100は、図1に示す部品内蔵配線基板100と比べて、第1の配線部21,22における第1の配線パターン211,221の一方主面20aが完全に露出している点で異なる。また、図5に記載の部品内蔵配線基板100は、図1に示す部品内蔵配線基板100と同様に、第1の配線部21,22における第1の配線パターン211,221の一方主面20aには、第2の電子部品32が接合部材32aを介して実装されているが、図1に示す部品内蔵配線基板100と比べて、接合部材32aの周りにはレジスト部50が形成されている点で異なる。
図5に示す部品内蔵配線基板100でも、図1に示す部品内蔵配線基板100によって奏する効果と同様の効果を奏する。
また、図5に示す部品内蔵配線基板100では、第1の配線パターン211,221の一方主面20aには、レジスト部50が形成されていることから、たとえば、リフロー処理時に、接合部材32aが溶融しても、他の配線等とショートすることを防ぐことができる。
次に、この発明にかかる部品内蔵配線基板の第2の実施の形態の一例について説明する。図6は、この発明にかかる部品内蔵配線基板の第2の実施の形態の一例を示す断面模式図である。
この実施の形態にかかる部品内蔵配線基板100は、平面視で、矩形板状に形成される。部品内蔵配線基板100は、絶縁層10、第1の配線部61および第1の電子部品30を含む。また、部品内蔵配線基板100は、第2の配線部41を含む。さらに、部品内蔵配線基板100には、第2の電子部品32が実装される。
絶縁層10は、シート状の絶縁樹脂であり、平面視で、部品内蔵配線基板100の上下面が正方形状の直方体に形成される。絶縁層10は、第1の配線部61および第1の電子部品30の周囲をコーティングしている。絶縁樹脂は、たとえば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂あるいはビスマレイミド樹脂等が挙げられる。絶縁層10は、一層であってもよいし、多層であってもよい。また、以下では、絶縁層10の上下面に隣接する四面を側面という。
第1の配線部61は、絶縁層10の一方主面10a側に搭載される第2の電子部品32と、絶縁層10の他方主面10bに接続される電極とを電気的に接続する。第1の配線部61は、一つの銅板から形成されている。なお、本実施の形態における第1の配線部61の材料は、銅が用いられているが、これに限られるものではなく、たとえば、銀、アルミ、ステンレス等の金属であれば、どのような材質であってもよい。また、第1の配線部61の材料は、比抵抗が小さいものを用いるのが好ましい。第1の配線部61は、第1の配線パターン611および第2の配線パターン612,613から構成されている。
第1の配線パターン611は、各面が長方形からなる直方体に形成される。第1の配線パターン611は、たとえば、グランド電極である。第1の配線パターン611の上面(一方主面60aの反対側の面)における両端側には、第2の配線パターン612,613の下面(他方主面60bの反対側の面)の一部が接続する。第1の配線パターン611の一方主面60aの全面は、絶縁層10の一方主面10aから露出するように設けられている。絶縁層10の一方主面10aから露出した第1の配線パターン611の一方主面60aは、たとえば、第2の電子部品32のグランド端子が接合部材32aを用いて接続される。接合部材32aは、たとえば、はんだが用いられる。
第2の配線パターン612,613は、各面が長方形からなる直方体に形成される。この直方体の最大面積をなす対向する2面を上下面とする。第2の配線パターン612,613は、直方体の長手方向が絶縁層10の一側面と平行し、かつ、第2の配線パターン612,613の他方主面60bの一部が絶縁層10の他方主面10bから露出するように設けられている。絶縁層10の他方主面10bから露出した第2の配線パターン612,613の他方主面60bには、図示しないが、ニッケルメッキ皮膜が形成される。ニッケルメッキ皮膜を形成することで、露出部分における強度を確保している。第2の配線パターン612,613は、基板等の電極に対し電気的に接続される。
このように、第1の配線部61は、一つの銅板から第1の配線パターン611および第2の配線パターン612,613が一体形成されているため、途中に異なる物質の接合部がなく、抵抗値が大きくなることを防止している。また、第1の配線パターン611および第2の配線パターン612,613が上下方向(部品内蔵配線基板100の厚み方向)において一部重なっているため、大電流に対応することが可能となっている。また、第1の配線パターン611および第2の配線パターン612,613が上下方向(部品内蔵配線基板100の厚み方向)において完全に重なっていないため、第1の配線部61が絶縁層10から抜け落ちることが抑制される。
また、第1の配線部61の第1の配線パターン611の上面(一方主面60aの反対側の面)にスペーサ30bを介して第1の電子部品30が設置される。スペーサ30bの材料は、絶縁樹脂を用いることができ、たとえば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂等を用いることができるが、絶縁層10に用いられる材料と同じ材料を用いるのが好ましい。また、第1の電子部品30は、第2の配線パターン612と第2の配線パターン613との間の空間(層)に設置される。第1の電子部品30の厚みは、第1の配線部61における第2の配線パターン612,613の厚みよりも小さい厚みである。第1の電子部品30は、コンデンサ、インダクタ、サーミスタ、半導体素子(IC、ダイオード、FET)等で適宜変更可能である。なお、第2の電子部品32の温度状態を監視するために、第1の電子部品30は、温度検出用素子である、たとえば、サーミスタであるのが好適である。また、半導体素子としては、たとえば、シリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等の能動素子を用いることができる。第1の電子部品30の上面には接合部材30aを介してビア40cが形成されており、互いに電気的に接続されている。接合部材30aは、たとえば、導電性接合材が用いられるが、導電性樹脂、はんだ等、導電性を有する接合材であれば、種類は問わない。そして、ビア40cは、それぞれ第2の配線部41と電気的に接続している。
第2の配線部41は、絶縁層10の他方主面10bの表面に形成されており、金属箔40aおよびめっき層40bにより構成される。第2の配線部41は、絶縁層10の他方主面10bに形成される。第2の配線部41は、所望の配線パターンとなるように形成されている。本実施の形態では、金属箔40aとして銅箔が用いられる。
また、上述したように、部品内蔵配線基板100において、絶縁層10の一方主面10a側には、第2の電子部品32が実装される。第2の電子部品32は、絶縁層10の一方主面10aにおいて露出されている第1の配線部61と接合部材32aを用いて実装される。第2の電子部品32は、コンデンサ、インダクタ、サーミスタ、半導体素子(IC、ダイオード、FET:Field-Effect Transistor)で適宜変更可能である。なお、第1の電子部品30として温度検出素子であるサーミスタが実装されている場合には、第2の電子部品32は、たとえば、FET等の温度依存性を有するパワー半導体素子を実装するのが好適である。このとき、第2の電子部品32は、第1の電子部品30の直下に実装される。パワー半導体素子は、電力変換用半導体素子や電力制御用半導体素子のことをいい、電力用半導体素子ともいう。すなわち、部品内蔵配線基板100を平面視したとき、第1の電子部品30と第2の電子部品32とは重なるように配置される。
次に、上述した第2の実施の形態にかかる部品内蔵配線基板100の製造方法の一例について説明する。図7および図8は、図6に記載の部品内蔵配線基板100の製造方法に含まれる工程の一例を順次図解的に示す断面模式図である。
まず、図7(a)に示すように、第1工程では、たとえば、厚みが0.06mmの金属部材60が用意される。用意される金属部材60は、たとえば、一方主面60aおよび他方主面60bを有する矩形板状である。なお、用意される金属部材60は、たとえば、銅、銀、アルミ、ステンレス等の金属であれば、どのような材質であってもよい。また、金属部材は、比抵抗が小さいものが好ましい。なお、本実施の形態では、金属部材60として銅板が用いられる。
それから、図7(b)に示すように、第2工程では、金属部材60の一方主面60a側を厚み方向に厚さ0.03mmの矩形状のパターンが残るように露光および現像し、エッチングが行われる。このエッチングにより残ったパターンが、第1の配線パターン611となる。このエッチングには、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチング法が一般的に用いられるが、エッチングできるものであれば、その方法は問わない。本実施の形態では、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチングが用いられる。
次に、図7(c)に示すように、第3工程では、第2工程のエッチングにより除去された空間が、たとえば、絶縁樹脂11で充填される。絶縁樹脂11は、たとえば、エポキシ系樹脂であり、充填後、絶縁樹脂11がプレスされ、硬化される。なお、絶縁樹脂11は、エポキシ系樹脂以外にも、たとえば、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂等を用いることができる。
それから、図7(d)に示すように、第4工程では、第2工程でエッチングしていない金属部材60の他方主面60b側を厚み方向に0.30mmの所望の配線パターンが残るように露光および現像し、エッチングが行われる。このエッチングにより残ったパターンが、第2の配線パターン612,613となる。このエッチングには、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチング法が一般的に用いられるが、エッチングできるものであれば、その方法は問わない。本実施の形態では、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチングが用いられる。
次に、図7(e)に示すように、第5工程では、第4の工程のエッチングにより除去された空間であって、第2の配線パターン612と第2の配線パターン613との間の空間(層)に、第1の電子部品30が設置される。第1の電子部品30は、第1の配線パターン611の上面(金属部材60の一方主面60aとは反対側の面)にスペーサ30bを介して第1の電子部品30が設置される。スペーサ30bの材料は、絶縁樹脂を用いることができ、たとえば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂等を用いることができるが、絶縁層10に用いられる材料と同じ材料を用いるのが好ましい。また、第1の電子部品30の上面(スペーサ30bと接する面とは反対側の面)に配置される端子電極(図示せず)に、接合部材30aが予め形成される。また、第1の電子部品30は、コンデンサ、インダクタ、サーミスタ、半導体素子(IC、ダイオード、FET)等で適宜変更可能である。なお、第2の電子部品32の温度状態を監視するために、第1の電子部品30は、サーミスタであるのが好適である。また、半導体素子としては、たとえば、シリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等の能動素子を用いることができる。本実施の形態では、第1の電子部品30の厚みが0.15mmのサーミスタであり、接合部材30aは、導電性接着剤が用いられる。
それから、図8(a)に示すように、第6工程では、金属部材60の他方主面60bにおいて、第4工程のエッチングにより除去された空間が、たとえば、エポキシ系樹脂の絶縁樹脂12により充填され、さらに、金属箔40aとして、たとえば、銅箔が絶縁樹脂12の表面に置かれ、圧着される。この絶縁樹脂11,12が、図6に示す絶縁層10となる。また、この金属箔40aは、金属であれば、どのような材質であってもよい。金属箔40aの厚みは、たとえば、0.018mmである。本実施の形態では、金属箔40aとして、銅箔が用いられる。また、絶縁樹脂12は、エポキシ系樹脂以外にも、たとえば、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂等を用いることができる。
次に、図8(b)に示すように、第7工程では、金属箔40aと第1の電子部品30に形成された接合部材30aとを電気的に接続するためにビア40cが形成される。なお、ビア40cが形成される工程ついては、上述した図4に示す一般的なコンフォーマルビアの形成方法により行われるので、詳細な説明は省略する。なお、金属箔40aと第1の電子部品30に形成された接合部材30aとを電気的に接続できれば、どのようなビアの形成方法が用いられてもよい。
それから、図8(c)に示すように、第8工程では、金属箔40aおよびめっき層40bがエッチングされ、所望の配線パターンに形成された第2の配線部41が形成される。このエッチングには、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチング法が一般的に用いられるが、エッチングできるものであれば、その方法は問わない。本実施の形態では、塩化第二鉄液を用いたスプレーエッチング法が用いられる。
次に、図8(d)に示すように、第9工程では、部品内蔵配線基板100に第2の電子部品32が実装される。第2の電子部品32は、絶縁層10の一方主面10aにおいて露出されている第1の配線部61の第1の配線パターン611と接合部材32aを用いて実装される。接合部材32aは、たとえば、はんだが用いられる。また、第2の電子部品32は、コンデンサ、インダクタ、サーミスタ、半導体素子(IC、ダイオード、FET:Field-Effect Transistor)で適宜変更可能である。また、半導体素子は、パワー半導体素子でもよい。パワー半導体素子は、電力変換用半導体素子や電力制御用半導体素子のことをいい、電力用半導体素子ともいう。なお、本実施の形態では、第2の電子部品32は、半導体素子としてICが実装される。
図6に示す部品内蔵配線基板100でも、図1に示す部品内蔵配線基板100によって奏する効果と同様の効果を奏する。
さらに、図6に示す部品内蔵配線基板100では、第1の配線部61における第1の配線パターン611がグランド配線として形成されているので、外乱としての信号等を効果的に遮蔽することができる。
なお、上述の各部品内蔵配線基板100では、第2の電子部品32が実装されているが、これに限るものではなく、必ずしも実装されていなくてもよい。
また、上述の各部品内蔵配線基板100では、絶縁層10の他方主面10bに第2の配線部41が形成されているが、これに限るものではなく、絶縁層10の一方主面10aに第2の配線部41が形成されるようにしてもよい。なお、この場合は、絶縁層10の一方主面10aには、第2の電子部品32は実装されない。
さらに、上述の各部品内蔵配線基板100では、第2の配線部41は、絶縁層10の他方主面10bに形成されているが、これに限るものではなく、一方主面10aに形成されてもよい。また、上述の各内蔵配線基板100では、第2の配線部41は、1層のみ形成されているが、これに限るものではなく、多層に形成されていてもよい。
また、上述の各部品内蔵配線基板100では、第1の電子部品30が温度検出用素子であり、第2の電子部品32が温度依存性を有するパワー半導体素子である場合、第2の電子部品32は、第1の電子部品30の直下に実装され、すなわち、部品内蔵配線基板100を平面視したとき、第1の電子部品30と第2の電子部に32とは重なるように配置されるが、これに限るものではない。
さらに、上述の各部品内蔵配線基板100では、この部品内蔵配線基板100に実装される第2の電子部品32は、なんら保護されていないが、これに限るものではなく、絶縁樹脂により封止されていてもよい。第2の電子部品32が絶縁樹脂により封止されることで、第2の電子部品32を熱や湿度などの環境から保護することができる。絶縁樹脂としては、エポキシ系樹脂以外にも、たとえば、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ビスマレイミド系樹脂等を用いることができる。
また、上述の各部品内蔵配線基板100では、第1の配線パターン211,611および第2の配線パターン212,612,613の各面が長方形に形成されているが、これに限るものではなく、略長方形であってもよいし、その他の形状であってもよい。
この発明にかかる電子部品は、特にたとえば大電流に対応可能なパワーエレクトロニクス用基板として好適に用いられる。
100 部品内蔵配線基板
10 絶縁層
10a 一方主面
10b 他方主面
10c スルーホール
11、12 絶縁樹脂
20、60 金属部材
20a、60a 一方主面
20b、60b 他方主面
21、22、61 第1の配線部
211、221、611 第1の配線パターン
212、222、612、613 第2の配線パターン
23 導通部
30 第1の電子部品
30a 接合部材
30b スペーサ
32 第2の電子部品
32a 接合部材
40a 金属箔
40b めっき層
40c ビア
41 第2の配線部
50 レジスト部
10 絶縁層
10a 一方主面
10b 他方主面
10c スルーホール
11、12 絶縁樹脂
20、60 金属部材
20a、60a 一方主面
20b、60b 他方主面
21、22、61 第1の配線部
211、221、611 第1の配線パターン
212、222、612、613 第2の配線パターン
23 導通部
30 第1の電子部品
30a 接合部材
30b スペーサ
32 第2の電子部品
32a 接合部材
40a 金属箔
40b めっき層
40c ビア
41 第2の配線部
50 レジスト部
Claims (7)
- 絶縁層と、
導電性の一つの連続した金属部材から形成され、前記絶縁層内に設けられた第1の配線部と、
を備え、
前記絶縁層内における前記第1の配線部が設けられた層と同一の層に、前記第1の配線部の厚みより小さい第1の電子部品が配置されることを特徴とする、部品内蔵配線基板。 - 前記絶縁部の一方主面または他方主面の表面に金属箔を含む第2の配線部が設けられることを特徴とする、請求項1に記載の部品内蔵配線基板。
- 前記絶縁層の一方主面から露出した前記第1の配線部の一部に、第2の電子部品が実装されており、
前記第1の電子部品が温度検出用素子であり、前記第2の電子部品がパワー半導体素子であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の部品内蔵配線基板。 - 前記部品内蔵配線基板を平面視したとき、前記第1の電子部品と前記第2の電子部品とは重なるように配置されることを特徴とする、請求項3に記載の部品内蔵配線基板。
- 導電性の一つの金属部材の一方主面をエッチングして第1の配線パターンを形成する工程と、
前記一方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に第1の電子部品を実装する工程と、
前記一方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、
前記金属部材の他方主面をエッチングして第2の配線パターンおよび前記第1の電子部品に接続される導通部を形成する工程と、
前記他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、
を含む、部品内蔵配線基板の製造方法。 - 導電性の一つの金属部材の一方主面をエッチングして第1の配線パターンを形成する工程と、
前記一方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、
前記金属部材の他方主面をエッチングして、第2の配線パターンを形成する工程と、
前記他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に第1の電子部品を配置する工程と、
前記他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程と、
を含む、部品内蔵配線基板の製造方法。 - 前記他方主面における、エッチングにより金属部材が除去された部分に絶縁樹脂を充填する工程において、
前記他方主面に充填された絶縁樹脂の表面に金属箔を配置して、前記絶縁樹脂と前記金属箔とを同時に圧着する工程と、
前記圧着された金属箔をエッチングすることにより他の配線パターンを形成する工程と、
をさらに含む、請求項5または請求項6に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
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- 2014-05-16 JP JP2015518217A patent/JP6075448B2/ja active Active
- 2014-05-16 WO PCT/JP2014/063008 patent/WO2014188964A1/ja active Application Filing
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