JPWO2012090360A1 - Metal base circuit board and method for manufacturing metal base circuit board - Google Patents
Metal base circuit board and method for manufacturing metal base circuit board Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2012090360A1 JPWO2012090360A1 JP2012550678A JP2012550678A JPWO2012090360A1 JP WO2012090360 A1 JPWO2012090360 A1 JP WO2012090360A1 JP 2012550678 A JP2012550678 A JP 2012550678A JP 2012550678 A JP2012550678 A JP 2012550678A JP WO2012090360 A1 JPWO2012090360 A1 JP WO2012090360A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- metal base
- base circuit
- aluminum substrate
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 140
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 138
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 138
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 118
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 36
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 28
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 20
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 claims description 18
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 claims description 18
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 16
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 11
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 10
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical group [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 113
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 30
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 15
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 8
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 6
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 4
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- -1 Ca 2+ Chemical class 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N (3ar,4s,7r,7as)-3a-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methano-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C([C@H]1C=C2)[C@H]2[C@H]2[C@]1(C)C(=O)OC2=O LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N 0.000 description 2
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 2
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 3-(cycloundecen-1-yl)-1,2-diazacycloundec-2-ene Chemical compound C1CCCCCCCCC=C1C1=NNCCCCCCCC1 WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WVRNUXJQQFPNMN-VAWYXSNFSA-N 3-[(e)-dodec-1-enyl]oxolane-2,5-dione Chemical compound CCCCCCCCCC\C=C\C1CC(=O)OC1=O WVRNUXJQQFPNMN-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QLBRROYTTDFLDX-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)cyclohexyl]methanamine Chemical compound NCC1CCCC(CN)C1 QLBRROYTTDFLDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HVLLSGMXQDNUAL-UHFFFAOYSA-N triphenyl phosphite Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 HVLLSGMXQDNUAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 1-[6-[4-(5-chloro-6-methyl-1H-indazol-4-yl)-5-methyl-3-(1-methylindazol-5-yl)pyrazol-1-yl]-2-azaspiro[3.3]heptan-2-yl]prop-2-en-1-one Chemical compound ClC=1C(=C2C=NNC2=CC=1C)C=1C(=NN(C=1C)C1CC2(CN(C2)C(C=C)=O)C1)C=1C=C2C=NN(C2=CC=1)C AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxybenzoyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001442654 Percnon planissimum Species 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100029290 Transthyretin Human genes 0.000 description 1
- 108050000089 Transthyretin Proteins 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010296 bead milling Methods 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- ARSRKIQSWHMOJO-UHFFFAOYSA-N cyclohexane cyclohexanone Chemical compound C1CCCCC1.C1(CCCCC1)=O.C1(CCCCC1)=O ARSRKIQSWHMOJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical class NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTUJJVSZIHQLHA-XPWFQUROSA-N pApA Chemical compound C1=NC2=C(N)N=CN=C2N1[C@@H]([C@@H]1O)O[C@H](COP(O)(O)=O)[C@H]1OP(O)(=O)OC[C@H]([C@@H](O)[C@H]1O)O[C@H]1N1C(N=CN=C2N)=C2N=C1 GTUJJVSZIHQLHA-XPWFQUROSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphate Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)OCCCC STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/44—Manufacturing insulated metal core circuits or other insulated electrically conductive core circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0307—Providing micro- or nanometer scale roughness on a metal surface, e.g. by plating of nodules or dendrites
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0315—Oxidising metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/385—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by conversion of the surface of the metal, e.g. by oxidation, whether or not followed by reaction or removal of the converted layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
金属ベース回路基板(10)は、アルミニウム基板(12)と、絶縁樹脂層(14)と、金属層(16)とが順に積層されている。アルミニウム基板(12)の表面は、表面粗度(Rz)が3μm以上9μm以下で、水との接触角が50°以上95°以下となるよう、50℃以上80℃以下の水に、0.5分間以上3分間以下接触させる。The metal base circuit board (10) has an aluminum substrate (12), an insulating resin layer (14), and a metal layer (16) laminated in order. The surface of the aluminum substrate (12) has a surface roughness (Rz) of 3 μm or more and 9 μm or less and a water contact angle of 50 ° C. or more and 95 ° C. or less. Contact for 5 minutes or more and 3 minutes or less.
Description
本発明は、金属ベース回路基板、金属ベース回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a metal base circuit board and a method for manufacturing the metal base circuit board.
従来から、実装部品から発せられる熱を放熱することを目的として、アルミニウム基板上に、絶縁樹脂層を介して金属層が積層された金属ベース回路基板が使用されている。 Conventionally, a metal base circuit board in which a metal layer is laminated on an aluminum substrate via an insulating resin layer has been used for the purpose of radiating heat generated from the mounted components.
金属ベース回路基板を構成する金属基板表面に酸化被膜が形成されている場合、絶縁樹脂層との密着性を低下させる。そのため、特許文献1または2に記載のように、アルミニウム基板表面の酸化被膜を除去するため、該表面を研磨する機械研磨や、特許文献3〜5に記載のように、該表面を化学エッチングする粗化方法が行われている。
また、近年では、LEDのような発光素子などを搭載し、液晶表示装置などの光源として用いられるようになってきている(特許文献6)。When an oxide film is formed on the surface of the metal substrate constituting the metal base circuit board, the adhesion with the insulating resin layer is lowered. Therefore, as described in Patent Document 1 or 2, in order to remove the oxide film on the surface of the aluminum substrate, mechanical polishing for polishing the surface or chemical etching of the surface as described in Patent Documents 3 to 5 is performed. A roughening method is performed.
In recent years, light emitting elements such as LEDs are mounted and used as light sources for liquid crystal display devices (Patent Document 6).
しかしながら、液晶表示装置などの電子機器に対する薄型化や小型化への要求に伴い、搭載位置の面積などに制限を受け、少スペースに実装する必要性が生じてきている。そのような少スペースに実装する場合、金属ベース回路基板が折り曲げられ、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との間で剥離するという問題が生じることがあった。 However, along with demands for thinning and miniaturization of electronic devices such as liquid crystal display devices, there is a need for mounting in a small space due to restrictions on the area of the mounting position. When mounting in such a small space, there has been a problem that the metal base circuit board is bent and peeled between the aluminum substrate and the insulating resin layer.
上記特許文献に記載の機械研磨や化学エッチング処理によれば、アルミニウム基板表面に凹凸が形成され、アンカー効果により樹脂層との密着性が向上する。しかしながら、アルミニウム基板表面の凹凸のため、該表面に形成される樹脂層が平坦とならず、樹脂層上に形成される回路も平坦でなくなることがあった。そのため、回路に搭載される素子との接続が不十分となり、金属ベース回路基板を用いた各種装置の歩留まりが低下することがあった。一方、これらの処理を行わなければ、アルミニウム基板表面と樹脂層との密着性が低く、金属ベース回路基板を用いた各種装置の歩留まりが大きく低下する。そのため、機械研磨や化学エッチングなどの表面処理は必須の工程となっていった。 According to the mechanical polishing and chemical etching treatment described in the above-mentioned patent document, irregularities are formed on the surface of the aluminum substrate, and the adhesion with the resin layer is improved by the anchor effect. However, due to the unevenness of the aluminum substrate surface, the resin layer formed on the surface is not flat, and the circuit formed on the resin layer may not be flat. Therefore, the connection with the elements mounted on the circuit becomes insufficient, and the yield of various devices using the metal base circuit board may be lowered. On the other hand, if these treatments are not performed, the adhesion between the aluminum substrate surface and the resin layer is low, and the yield of various devices using a metal base circuit board is greatly reduced. For this reason, surface treatment such as mechanical polishing and chemical etching has become an essential process.
また、機械研磨は大量の研磨カスが生じるため、これらを精度よく除去するための装置や工程が別途必要であった。一方、化学エッチング処理は処理時に水素ガスなどが発生したり、さらに処理後の基板表面を中和するための装置や工程が別途必要であった。このように、機械研磨や化学エッチング処理は、安全性や製造コスト、工程の煩雑さに改善すべき点があった。 In addition, since a large amount of polishing residue is generated in mechanical polishing, an apparatus and a process for accurately removing these are necessary. On the other hand, in the chemical etching process, hydrogen gas or the like is generated during the process, and an apparatus and a process for neutralizing the substrate surface after the process are separately required. As described above, the mechanical polishing and the chemical etching process have to be improved in safety, manufacturing cost, and complexity of the process.
このように、本発明者らは、アルミニウム基板と樹脂層との密着性を改善し、さらに金属ベース回路基板を用いた各種装置の歩留まりを向上させるという新規な課題を見出した。 As described above, the present inventors have found a novel problem of improving the adhesion between the aluminum substrate and the resin layer and further improving the yield of various devices using the metal base circuit board.
なお、特許文献6に記載のLED光源ユニットは、金属ベース回路基板が筺体内に配置された所定の形状を有するものであるが、様々な形状に加工した場合、依然として上記の課題を有していた。 The LED light source unit described in Patent Document 6 has a predetermined shape in which the metal base circuit board is disposed in the housing, but still has the above-described problems when processed into various shapes. It was.
本発明者らは上記の課題に鑑み鋭意研究したところ、アルミニウム基板表面が平滑な場合においても、水との接触角を所定の範囲とすることにより、樹脂層との密着性の向上と、金属ベース回路基板を用いた各種装置の歩留まり向上の何れをも満たすことができることを見出し、本発明を完成するに至った。 The present inventors have intensively studied in view of the above problems, and even when the surface of the aluminum substrate is smooth, by making the contact angle with water within a predetermined range, the adhesion with the resin layer is improved, and the metal It has been found that all of the improvement in the yield of various devices using the base circuit board can be satisfied, and the present invention has been completed.
また、本発明者らは上記の課題に鑑み鋭意研究したところ、アルミニウム基板表面を安全性に優れ、かつ簡便な方法により処理することにより、樹脂層との密着性の向上と、金属ベース回路基板を用いた各種装置の歩留まり向上の何れをも満たすことができることを見出し、本発明を完成するに至った。 In addition, the present inventors have intensively studied in view of the above problems, and by treating the surface of the aluminum substrate with a safe and simple method, the adhesion with the resin layer is improved and the metal base circuit board is obtained. The present inventors have found that it is possible to satisfy any of the improvement in yield of various devices using the present invention.
本発明によれば、
アルミニウム基板と、絶縁樹脂層と、金属層とが順に積層されてなる金属ベース回路基板であって、
前記アルミニウム基板表面の水との接触角が50°以上95°以下であり、
表面粗度(Rz)が3μm以上9μm以下である、金属ベース回路基板が提供される。According to the present invention,
A metal base circuit board in which an aluminum substrate, an insulating resin layer, and a metal layer are sequentially laminated,
The contact angle of the aluminum substrate surface with water is 50 ° or more and 95 ° or less,
A metal base circuit board having a surface roughness (Rz) of 3 μm or more and 9 μm or less is provided.
さらに、本発明によれば、
上記金属ベース回路基板の製造方法であって、
前記アルミニウム基板を50℃以上80℃以下の水に0.5分間以上3分間以下接触させる工程と、
処理後の前記アルミニウム基板表面に前記絶縁樹脂層を形成し、次いで前記絶縁樹脂層上に前記金属層を形成する工程と
を含む、金属ベース回路基板の製造方法が提供される。Furthermore, according to the present invention,
A method of manufacturing the metal base circuit board,
Contacting the aluminum substrate with water at 50 ° C. or more and 80 ° C. or less for 0.5 minutes or more and 3 minutes or less;
Forming the insulating resin layer on the surface of the aluminum substrate after processing, and then forming the metal layer on the insulating resin layer.
さらに、本発明によれば、
上記金属ベース回路基板に用いられるアルミニウム基板の処理方法であって、
前記アルミニウム基板を50℃以上80℃以下の水に0.5分間以上3分間以下接触させる、金属ベース回路基板用アルミニウム基板の処理方法が提供される。Furthermore, according to the present invention,
A method for treating an aluminum substrate used in the metal base circuit board,
There is provided a method for treating an aluminum substrate for a metal base circuit board, wherein the aluminum substrate is brought into contact with water at 50 ° C. or more and 80 ° C. or less for 0.5 minutes or more and 3 minutes or less.
さらに、本発明によれば、
上記金属ベース回路基板の製造方法であって、
前記アルミニウム基板表面に紫外線を照射する工程と、
前記紫外線を照射後の前記アルミニウム基板表面に前記絶縁樹脂層を形成し、次いで前記絶縁樹脂層上に前記金属層を形成する工程と
を含む、金属ベース回路基板の製造方法が提供される。Furthermore, according to the present invention,
A method of manufacturing the metal base circuit board,
Irradiating the aluminum substrate surface with ultraviolet rays;
Forming the insulating resin layer on the surface of the aluminum substrate after irradiation with the ultraviolet light, and then forming the metal layer on the insulating resin layer.
さらに、本発明によれば、
上記金属ベース回路基板に用いられるアルミニウム基板の処理方法であって、
前記アルミニウム基板表面に照射する前記紫外線の積算光量が0.1J/cm2以上1.0J/cm2以下である、金属ベース回路基板用アルミニウム基板の処理方法が提供される。Furthermore, according to the present invention,
A method for treating an aluminum substrate used in the metal base circuit board,
The integrated light quantity of the ultraviolet to be irradiated to the aluminum substrate surface is 0.1 J / cm 2 or more 1.0 J / cm 2 or less, the processing method of an aluminum substrate metal base circuit board is provided.
本発明の金属ベース回路基板は、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との密着性、半田耐熱性、耐屈曲性に優れるとともに、これを用いた各種装置の歩留まりを向上させることができる。 The metal base circuit board of the present invention is excellent in adhesion between the aluminum substrate and the insulating resin layer, solder heat resistance, and bending resistance, and can improve the yield of various devices using the same.
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。 The above-described object and other objects, features, and advantages will become more apparent from the preferred embodiments described below and the accompanying drawings.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宣説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, similar constituent elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted appropriately.
<金属ベース回路基板>
図1に記載のように、本実施形態に係る金属ベース回路基板10は、アルミニウム基板12と、絶縁樹脂層14と、金属層16とが順に積層されてなる。金属ベース回路基板10は、ヒートスプレッダーとして用いられる。<Metal base circuit board>
As shown in FIG. 1, the metal
(アルミニウム基板12)
絶縁樹脂層14と接触するアルミニウム基板12の表面は、表面粗度(Rz)が3μm以上9μm以下の範囲にあり、さらに好ましくは3μm以上5μm以下の範囲にあり平滑である。そして、アルミニウム基板12の表面は、水との接触角が50°以上95°以下、好ましくは55°以上90°以下である。(Aluminum substrate 12)
The surface of the
このような接触角であることにより、アルミニウム基板12表面が平滑な場合であっても、絶縁樹脂層14を形成する樹脂組成物との濡れ性が向上し、アルミニウム基板12と絶縁樹脂層14との密着性が向上する。
水との接触角は、JIS R3257に準拠して行い、5点以上の平均を接触角として算出することができる。表面粗度は、JIS B0601に準拠して行い、十点平均粗さ(Rz)として算出することができる。With such a contact angle, even when the surface of the
The contact angle with water can be calculated according to JIS R3257, and an average of 5 or more points can be calculated as the contact angle. The surface roughness can be calculated according to JIS B0601, and can be calculated as a ten-point average roughness (Rz).
本実施形態において、アルミニウム基板12の表面は、機械研磨や化学エッチングが行われていないため、自然酸化による酸化層を有する。アルミニウム基板12の厚さは100μm以上5000μm以下である。厚さが100μm未満であると、ヒートスプレッダーとしての放熱性が低下する。厚さが5000μmを超えると折り曲げなどの加工性が低下する。
In the present embodiment, since the surface of the
本実施形態において、アルミニウム基板12は、カップリング剤で表面処理されていなくてもよい。本実施形態のアルミニウム基板12は、カップリング剤で表面処理されていなくても、絶縁樹脂層14との密着性が優れている。そのため、アルミニウム基板12の表面をカップリング剤で処理する工程を省略することができる。
In the present embodiment, the
(絶縁樹脂層14)
絶縁樹脂層14の曲げ弾性率は、5GPa以上20GPa以下である。これにより、金属ベース回路基板に応力が加わった場合においても、絶縁樹脂層14は可とう性に優れるため、アルミニウム基板12と絶縁樹脂層14との密着性がより向上する。
曲げ弾性率は、以下のように測定することができる。
樹脂層同士が向かい合うように2枚の樹脂付き銅箔を重ね、220℃で180分間プレスを行い、両面銅箔付き樹脂板を得る。この両面銅箔付き樹脂板を全面エッチングし、6mm×25mm×0.2mm(厚)の試験片を作製する。そして、DMA装置(TAインスツルメント社製動的粘弾性測定装置DMA983)を用いて5℃/分で昇温し、25℃での曲げ弾性率を測定する。(Insulating resin layer 14)
The bending elastic modulus of the insulating
The flexural modulus can be measured as follows.
Two copper foils with resin are stacked so that the resin layers face each other and pressed at 220 ° C. for 180 minutes to obtain a resin plate with double-sided copper foil. The entire surface of the resin plate with the double-sided copper foil is etched to produce a test piece of 6 mm × 25 mm × 0.2 mm (thickness). And it heats up at 5 degree-C / min using DMA apparatus (TA Instruments company make dynamic viscoelasticity measuring apparatus DMA983), and measures the bending elastic modulus in 25 degreeC.
絶縁樹脂層14は単層であってもよく、多層で構成されていてもよい。
The insulating
絶縁樹脂層14は、主成分として熱硬化性樹脂と無機フィラーとを含んでいる。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、などを挙げることができ、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。The insulating
Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, and an unsaturated polyester resin, and it is preferable to use an epoxy resin.
エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば、とくに限定されず、例えば、ビスフェノールA型およびビスフェノールF型などのビスフェノール系、ビフェニル系、ノボラック系、多官能フェノール系、ナフタレン系、脂環式系およびアルコール系などのグリシジルエーテル系、グリシジルアミン系並びにグリシジルエステル系などが挙げられ、1種または2種以上を混合して使用することができる。
エポキシ樹脂の中でも、ビスフェノールF型またはA型のエポキシ樹脂、さらにこれらの樹脂が水素添加されたものを用いることが好ましい。とくに常温で液状のビスフェノールF型またはA型のエポキシ樹脂が好ましい。これらの樹脂を用いることにより、絶縁樹脂層14は可とう性に優れ、金属ベース回路基板10が曲げられて使用される場合においても、アルミニウム基板12と絶縁樹脂層14との剥離が抑制される。The epoxy resin is not particularly limited as long as it is an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. For example, bisphenol type such as bisphenol A type and bisphenol F type, biphenyl type, novolac type, polyfunctional phenol These include glycidyl ethers such as naphthylene, naphthalene, alicyclic and alcohols, glycidylamines and glycidylesters, and one or a mixture of two or more can be used.
Among epoxy resins, it is preferable to use bisphenol F-type or A-type epoxy resins and those obtained by hydrogenating these resins. In particular, bisphenol F type or A type epoxy resin which is liquid at normal temperature is preferable. By using these resins, the insulating
熱硬化性樹脂は、絶縁樹脂層14中に10質量%以上90質量%以下の量で含むことができる。なお、熱硬化性樹脂以外の樹脂を配合することもできる。これにより、アルミニウム基板12との密着性をより改善することができる。
The thermosetting resin can be included in the insulating
無機フィラーとしては、とくに限定されないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、炭化ケイ素などが挙げられる。
これらの中でも、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカが、高熱伝導性の観点から好ましい。さらに好ましくは、アルミナである。アルミナを用いた場合、高熱伝導性に加え、耐熱性、絶縁性の点で好ましい。また、結晶性シリカまたは非晶性シリカは、イオン性不純物が少ない点で好ましい。絶縁信頼性に優れる金属ベース基板を製造することができる。
結晶性シリカまたは非晶性シリカは、プレッシャークッカテストなどの水蒸気雰囲気下で絶縁性が高く、金属、アルミ線、アルミ板などの腐食が少ない点で好適である。
一方、難燃性の観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましい。
さらに、溶融粘度調整やチクトロピック性の付与の目的においては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。Examples of the inorganic filler include, but are not limited to, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, and crystallinity. Silica, amorphous silica, silicon carbide and the like can be mentioned.
Among these, alumina, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica are preferable from the viewpoint of high thermal conductivity. More preferred is alumina. When alumina is used, it is preferable in terms of heat resistance and insulation in addition to high thermal conductivity. Further, crystalline silica or amorphous silica is preferable in that it has few ionic impurities. A metal base substrate having excellent insulation reliability can be manufactured.
Crystalline silica or amorphous silica is preferable in that it has high insulation under a water vapor atmosphere such as a pressure cooker test and has little corrosion on metals, aluminum wires, aluminum plates, and the like.
On the other hand, from the viewpoint of flame retardancy, aluminum hydroxide and magnesium hydroxide are preferred.
Furthermore, for the purpose of adjusting melt viscosity and imparting cyclotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, crystalline silica, Amorphous silica is preferred.
無機フィラーの含有量は、とくに限定されないが、絶縁樹脂層14中に10質量%以上90質量%以下の量で含むことが好ましい。(B)無機充填剤の含有量を10質量%以上とすることにより、熱抵抗を低減させ、十分な放熱性を得ることができる。無機フィラーの含有量を90質量%以下とすることにより、プレス時の流動性が悪化し、ボイドなどが発生することを抑制することができる。
The content of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably included in the insulating
(金属層16)
金属層16は、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、錫などから構成され、2種以上含んでいてもよい。金属層16の層厚は、0.1〜1500μm程度である。なお、絶縁樹脂層14と金属層16との間には、接着層などの他の層が介在していてもよい。(Metal layer 16)
The
このような構成を有する金属ベース回路基板10は、アルミニウム基板12表面が水との接触角が50°以上95°以下の範囲にあるので、アルミニウム基板12と絶縁樹脂層14との密着性が向上する。さらに、半田耐熱性、耐屈曲性にも優れ、これを用いた各種装置の歩留まりが向上する。
In the metal
アルミニウム基板12表面の水との接触角が小さいほど、水との濡れ性は向上するものの、水との接触角が50°未満ではアルミニウム基板12と絶縁樹脂層14との密着性は低下する。この原因は明らかではないものの、アルミニウム基板12表面の水との接触角が所定の範囲であることで、絶縁樹脂層14を形成する樹脂組成物との濡れ性が適度な範囲となり、アルミニウム基板12表面が平滑であっても絶縁樹脂層14との密着性が向上すると考えられる。
The smaller the contact angle with water on the surface of the
本実施形態の金属ベース回路基板10においては、アルミニウム基板12と前記絶縁樹脂層14との密着強度を20kg/cm2以上50kg/cm2以下、好ましくは30kg/cm2以上45kg/cm2以下とすることができる。
密着強度は、以下の条件で測定することができる。
・試験装置:NXT−250P(富山産業社製)
・アルミニウム試験チップ(円盤状、接着面2.0cmφ)に、前記絶縁樹脂層を得るための樹脂ワニスを塗布し、塗布面を固定されたアルミニウム試験板に接着する。180℃60分間の条件で前記樹脂ワニスを硬化させ、前記アルミニウム試験チップと前記アルミニウム試験板とを樹脂層を介して接着させる。
・アルミニウム試験チップを1.5mm/分速度で垂直方向に引き上げ、前記アルミニウム試験チップまたは前記アルミニウム試験板と前記樹脂層とが剥がれた時点を密着強度として測定する。In the metal
The adhesion strength can be measured under the following conditions.
・ Test equipment: NXT-250P (manufactured by Toyama Sangyo Co., Ltd.)
A resin varnish for obtaining the insulating resin layer is applied to an aluminum test chip (disc-shaped, bonding surface 2.0 cmφ), and the coated surface is bonded to a fixed aluminum test plate. The resin varnish is cured under conditions of 180 ° C. for 60 minutes, and the aluminum test chip and the aluminum test plate are bonded via a resin layer.
-The aluminum test chip is pulled up in the vertical direction at a speed of 1.5 mm / min, and the time when the aluminum test chip or the aluminum test plate and the resin layer are peeled is measured as the adhesion strength.
本実施形態の金属ベース回路基板10は、金属層16を所定のパターンにエッチングなどすることにより回路を形成することができる。そして、この回路上にLED、半導体素子またはレーザ素子などの各種発熱素子を搭載することにより、金属ベース回路基板10はヒートスプレッダーとして機能する。
The metal
<金属ベース回路基板の製造方法>
本実施形態の金属ベース回路基板10の製造方法として、(1)アルミニウム基板を水で処理し、その後、絶縁樹脂層、金属層を形成する方法、(2)アルミニウム基板を紫外線で処理し、その後、絶縁樹脂層、金属層を形成する方法が挙げられる。<Manufacturing method of metal base circuit board>
As a manufacturing method of the metal
<金属ベース回路基板の製造方法(1)>
以下、(1)アルミニウム基板を水で処理し、その後、絶縁樹脂層、金属層を形成する方法について説明する。
本実施形態の金属ベース回路基板10の製造方法は以下の工程(a)〜(b)を含んでいる。
(a)アルミニウム基板12を、50℃以上80℃以下の水に0.5分〜3分間接触させる工程
(b)処理後のアルミニウム基板12表面に絶縁樹脂層14を形成し、次いで絶縁樹脂層14上に金属層16を形成する工程<Production Method of Metal Base Circuit Board (1)>
Hereinafter, (1) a method of treating an aluminum substrate with water and then forming an insulating resin layer and a metal layer will be described.
The manufacturing method of the metal
(A) The step of bringing the
(工程(a))
アルミニウム基板12を、50℃以上80℃以下、好ましくは50℃以上70℃以下の水に0.5分間以上3分間以下、好ましくは0.5分間以上2分間以下接触させる。当該処理に用いられる水としては、純水を用いることができる。また、アルミニウム基板12の表面張力に影響を与えない範囲で、イソプロピルアルコール、エタノール、tert-ブチルアルコールなどのアルコール類、Ca2+、Mg2+、Na+、K+、Cl−などの各種イオンを含んでいてもよい。(Process (a))
The
当該処理方法としては、アルミニウム基板12表面に上記条件で水を接触させることができればよく、浸漬処理、流水処理、噴霧処理などを挙げることができる。接触処理後、所定の方法により水分を除去する。アルミニウム基板12の表面粗度(Rz)は、処理前後でほとんど変化せず、3〜9μmであり、平滑である。表面粗度は、JIS B0601に準拠して行い、十点平均粗さ(Rz)として算出することができる。
このような接触処理により、アルミニウム基板12表面の水との接触角を50°以上95°以下、好ましくは55°以上85°以下に調整することができる。As the treatment method, it is sufficient if water can be brought into contact with the surface of the
By such contact treatment, the contact angle of the
本実施形態のアルミニウム基板12は、カップリング剤で表面処理されていなくても、絶縁樹脂層14との密着性が優れている。そのため、アルミニウム基板12の表面をカップリング剤で処理する工程を省略することができるので、工程の簡略化を図ることができる。
Even if the
(工程(b))
次いで、処理後のアルミニウム基板12表面に、絶縁樹脂層14を形成し、次いで絶縁樹脂層14上に金属層16を形成する。
具体的には、硬化後の厚みを考慮して、樹脂組成物をアルミニウム基板12表面に塗布し、予備硬化させてBステージ化状態とする。そして、金属箔を貼り合わせ、後硬化を行い、アルミニウム基板12表面に、絶縁樹脂層14と金属層16が積層された金属ベース回路基板10を製造する。(Process (b))
Next, an insulating
Specifically, taking into account the thickness after curing, the resin composition is applied to the surface of the
あるいは、樹脂組成物をアルミニウム基板12表面に塗布し、硬化させて絶縁樹脂層14を形成した後、絶縁樹脂層14上に金属蒸着により金属層16を形成することもできる。
また、工程(a)の後、金属箔表面に絶縁樹脂層を形成し、処理後のアルミニウム基板12と貼り合わせてもよい。具体的には、硬化後の厚みを考慮して、樹脂組成物を金属箔表面に塗布し、予備硬化させてBステージ化状態とする。そしてアルミニウム基板12と貼り合わせ、後硬化を行いアルミニウム基板12表面に、絶縁樹脂層14と金属層16が積層された金属ベース回路基板10を製造する。Alternatively, the resin composition can be applied to the surface of the
Further, after the step (a), an insulating resin layer may be formed on the surface of the metal foil and bonded to the processed
金属箔は、とくに限定されないが、例えば銅および銅系合金、アルミおよびアルミ系合金、銀および銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金、鉄および鉄系合金等の金属箔が挙げられる。これらの中でも、金属箔をエッチングにより導体回路として用いることができる点で銅箔が好ましい。また、低熱膨張の観点から、鉄−ニッケル合金が好ましい。 The metal foil is not particularly limited. For example, copper and copper alloys, aluminum and aluminum alloys, silver and silver alloys, gold and gold alloys, zinc and zinc alloys, nickel and nickel alloys, tin and tin alloys Metal foils, such as an alloy, iron, and an iron-type alloy, are mentioned. Among these, copper foil is preferable in that the metal foil can be used as a conductor circuit by etching. From the viewpoint of low thermal expansion, an iron-nickel alloy is preferable.
なお、金属箔の製造方法は、電解法または圧延法のいずれでもよい。また、金属箔上にはNiメッキ、Ni−Auメッキ、半田メッキなどの金属メッキがほどこされていてもかまわないが、絶縁樹脂層14との接着性の点から導体回路の絶縁樹脂層14に接する側の表面はエッチングやメッキ等により予め粗化処理されていることが一層好ましい。
The method for producing the metal foil may be either an electrolytic method or a rolling method. The metal foil may be plated with metal such as Ni plating, Ni-Au plating, or solder plating. However, from the viewpoint of adhesion to the insulating
金属箔の厚さは、とくに限定されないが、0.5μm以上105μm以下であることが好ましく、さらに1μm以上70μm以下が好ましく、とくに9μm以上35μm以下が好ましい。金属箔の厚さを下限値以下とすることにより、ピンホールの発生を抑制し、金属箔をエッチングし導体回路として用いた場合、回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する虞を回避することができる。また、金属箔の厚さを上限値以下とすることにより、金属箔の厚みバラツキを小さくして、金属箔粗化面の表面粗さバラツキを抑制することができる。
また、金属箔としては、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで絶縁層の両面に極薄金属箔層を形成できることから、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ10μm以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。The thickness of the metal foil is not particularly limited, but is preferably 0.5 μm or more and 105 μm or less, more preferably 1 μm or more and 70 μm or less, and particularly preferably 9 μm or more and 35 μm or less. By controlling the thickness of the metal foil to the lower limit or less, the occurrence of pinholes is suppressed, and when the metal foil is etched and used as a conductor circuit, plating variations during circuit pattern formation, circuit disconnection, etching solution and desmear solution It is possible to avoid the possibility of infiltration of a chemical solution such as the above. Moreover, the thickness variation of metal foil can be made small by making the thickness of metal foil below an upper limit, and the surface roughness variation of a metal foil roughening surface can be suppressed.
Further, as the metal foil, an ultrathin metal foil with a carrier foil can be used. The ultrathin metal foil with a carrier foil is a metal foil obtained by laminating a peelable carrier foil and an ultrathin metal foil. Since an ultrathin metal foil layer can be formed on both sides of an insulating layer by using an ultrathin metal foil with a carrier foil, for example, when forming a circuit by a semi-additive method, an ultrathin metal without performing electroless plating By electroplating the foil as a direct power supply layer, the ultrathin copper foil can be flash etched after the circuit is formed. By using an ultra-thin metal foil with a carrier foil, even with an ultra-thin metal foil having a thickness of 10 μm or less, for example, a reduction in handling properties of the ultra-thin metal foil in a pressing process, and cracking or cutting of the ultra-thin copper foil are prevented. Can do.
以下、絶縁樹脂層14の形成方法について具体的に説明する。
まず、樹脂組成物を、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンシクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソールなどの有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニスを作製する。Hereinafter, a method for forming the insulating
First, the resin composition is acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve, carbitol, anisole, etc. Dissolve, mix, and stir in various organic solvents using various mixing machines such as the ultrasonic dispersion method, high-pressure collision dispersion method, high-speed rotation dispersion method, bead mill method, high-speed shear dispersion method, and rotation and revolution dispersion method. To prepare a resin varnish.
樹脂ワニス中の樹脂組成物の含有量は、とくに限定されないが、45質量%以上85質量%以下が好ましく、とくに55質量%以上75質量%以下が好ましい。 Although content of the resin composition in a resin varnish is not specifically limited, 45 to 85 mass% is preferable, and 55 to 75 mass% is especially preferable.
つぎに、各種塗工装置を用いて、アルミニウム基板12表面に樹脂ワニスを塗工し、これを乾燥する。または、樹脂ワニスをスプレー装置によりアルミニウム基板12表面に噴霧塗工した後、これを乾燥する。
塗工装置は、とくに限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いる方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な厚みを有する絶縁樹脂層14を効率よく製造することができる。Next, a resin varnish is applied to the surface of the
The coating apparatus is not particularly limited, and for example, a roll coater, a bar coater, a knife coater, a gravure coater, a die coater, a comma coater, a curtain coater, or the like can be used. Among these, a method using a die coater, a knife coater, and a comma coater is preferable. Thereby, the insulating
絶縁樹脂層14の厚さは、20μm以上250μm以下の範囲が好ましい。絶縁樹脂層14の厚さを20μm以上とすることにより、アルミニウム基板12と絶縁樹脂層14との熱膨張率差による熱応力の発生を絶縁樹脂層14で緩和することが十分にできる。また、金属ベース回路基板10の絶縁性が向上する。
このような金属ベース回路基板10に半導体素子、抵抗部品などを表面実装した場合、部材間の歪が大きくなることを抑制し、十分な熱衝撃信頼性を得ることができる。また、絶縁樹脂層14の厚さを250μm以下とすることにより、金属ベース回路基板10の表面実装部分における歪量が少なくなり、良好な熱衝撃信頼性を得ることができるとともに、熱抵抗が低減し十分な放熱性を得ることができる。そのため、絶縁樹脂層14の厚さが上記範囲内にあれば、これらの特性のバランスに優れる。The thickness of the insulating
When a semiconductor element, a resistance component, or the like is surface-mounted on such a metal
本実施形態の金属ベース回路基板10の製造方法は、アルミニウム基板表面を所定の条件で水と接触させる工程を備えており、安全性に優れるとともに簡便な方法で、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との密着性、半田耐熱性、耐屈曲性に優れるとともに、これを用いた各種装置の歩留まりを向上させることが可能な金属ベース回路基板を得ることができる。
The manufacturing method of the metal
絶縁樹脂層14を調製するための樹脂組成物は、上記の熱硬化性樹脂、無機フィラー以外にも、硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤、可とう性付与成分、酸化防止剤、レベリング剤などを含むことができる。
In addition to the above thermosetting resin and inorganic filler, the resin composition for preparing the insulating
硬化剤としては、ジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシリレンジアミン(MXDA)、イソホロンジアミン(IPD)、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン(1,3BAC)、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、mフェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ヒドラジド、ドデセニル無水コハク酸(DDSA)、ポリアゼライン酸無水物(PAPA)、ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)、無水メチルナジック酸(MNA)、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)、テトラブロモ無水フタル酸(TBPA)、無水ヘット酸(HET)などを挙げることができる。 Curing agents include diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), metaxylylenediamine (MXDA), isophoronediamine (IPD), 1,3-bisaminomethylcyclohexane (1,3BAC), diaminodiphenylmethane (DDM) , Mphenylenediamine (MPDA), diaminodiphenylsulfone (DDS), dicyandiamide (DICY), organic acid hydrazide, dodecenyl succinic anhydride (DDSA), polyazelinic anhydride (PAPA), hexahydrophthalic anhydride (HHPA), methyl Tetrahydrophthalic anhydride (MTHPA), methyl nadic anhydride (MNA), trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA), tetrabromoanhydride Mention may be made of taric acid (TBPA), heptic anhydride (HET) and the like.
硬化促進剤としては、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどの各種イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスファイトなどの各種リン化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ピリジン、DBU(ジアザビシクロウンデセン)などの各種三級アミンおよび第四級アンモニウム塩などを挙げることができる。 Examples of curing accelerators include various imidazoles such as 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, and various phosphorus compounds such as triphenylphosphine and triphenylphosphite. And various tertiary amines such as triethylamine, benzyldimethylamine, pyridine, DBU (diazabicycloundecene), and quaternary ammonium salts.
カップリング剤としては、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどの各種シランカップリング剤を挙げることができる。 Coupling agents include 2- (3,4-epoxycyclohexyl), 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3- Glycidoxypropyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-isocyanate Examples include various silane coupling agents such as propyltriethoxysilane.
カップリング剤の含有量は、下記式(1)を満たすことが好ましい。
5×10−2<c−(b×1/100)<11 (1)
ここで、c(質量%)は、樹脂組成物の合計量100質量%に対するカップリング剤の含有量を示す。b(質量%)は、樹脂組成物の合計量100質量%に対する無機フィラーの含有量を示す。
上記式(1)中[c−(b×1/100)]は、無機フィラーの表面に付着せずに、樹脂組成物中に存在しているカップリング剤(すなわち、樹脂組成物中の遊離しているカップリング剤)の含有量を示す。The content of the coupling agent preferably satisfies the following formula (1).
5 × 10 −2 <c- (b × 1/100) <11 (1)
Here, c (mass%) shows content of a coupling agent with respect to 100 mass% of total amounts of a resin composition. b (mass%) shows content of the inorganic filler with respect to 100 mass% of total amounts of a resin composition.
In the above formula (1), [c- (b × 1/100)] is a coupling agent present in the resin composition without adhering to the surface of the inorganic filler (that is, free in the resin composition). Content of the coupling agent).
以下、この点を説明する。
まず、カップリング剤は、分子内に有機材料および無機材料と結合する官能基を合わせ持っている。このカップリング剤を介して、無機材料と有機材料とが結合されることになる。
カップリング剤は、本技術分野において、無機フィラーと樹脂組成物との接着に用いられており、無機フィラーの表面に処理されることになる。このため、カップリング剤の処理量(カップリング剤の樹脂組成物全体に対する含有量)は、無機フィラーの含有量に応じて、決定されることになる。
通常、カップリング剤の処理量は、無機フィラーの合計量100質量%に対して0.5〜1質量%程度であることが知られている。
したがって、上記式(1)中の(b×1/100)は、無機フィラーに対するカップリング剤の一般的な処理量を示す。そして、カップリング剤の全量cから、カップリング剤の処理量(b×1/100)を差し引くことにより、上述のとおり、樹脂組成物中の遊離しているカップリング剤の含有量[c−(b×1/100)]を見積もることができる。Hereinafter, this point will be described.
First, the coupling agent has a functional group bonded to an organic material and an inorganic material in the molecule. An inorganic material and an organic material are combined through this coupling agent.
In this technical field, the coupling agent is used for adhesion between the inorganic filler and the resin composition, and is treated on the surface of the inorganic filler. For this reason, the processing amount (content of a coupling agent with respect to the whole resin composition) of a coupling agent is determined according to content of an inorganic filler.
Usually, it is known that the processing amount of a coupling agent is about 0.5-1 mass% with respect to 100 mass% of the total amount of an inorganic filler.
Therefore, (b × 1/100) in the above formula (1) indicates a general processing amount of the coupling agent with respect to the inorganic filler. Then, by subtracting the amount (b × 1/100) of the coupling agent from the total amount c of the coupling agent, the content of the free coupling agent in the resin composition [c− (B × 1/100)] can be estimated.
このような樹脂組成物中の遊離しているカップリング剤は、無機フィラーの表面に付着せずに、樹脂組成物中に存在している。こうしたカップリング剤は、無機材料であるアルミニウム基板12に作用して、絶縁樹脂層14とアルミニウム基板12との密着性を高めることができる。
本実施形態において、樹脂組成物中の遊離しているカップリング剤の含有量を特定の範囲とすることにより、絶縁樹脂層14とアルミニウム基板12との密着性、およびヒートサイクル特性のバランスを実現することができる。すなわち、樹脂組成物中の遊離しているカップリング剤の含有量として、下限値は好ましくは5×10−2質量%以上、より好ましくは1×10−1質量%以上、さらに好ましくは5×10−1質量%以上であり、上限量は、とくに限定されないが、例えば、好ましくは11質量%以下であり、より好ましくは10質量%以下であり、さらに好ましくは9質量%以下である。Such a free coupling agent in the resin composition is present in the resin composition without adhering to the surface of the inorganic filler. Such a coupling agent acts on the
In this embodiment, by setting the content of the free coupling agent in the resin composition within a specific range, the adhesion between the insulating
樹脂組成物中の遊離しているカップリング剤の含有量を下限値以上とすることにより、無機フィラーから得られる効果を充分に引き出すとともに、絶縁樹脂層14とアルミニウム基板12との密着性を高め、金属ベース回路基板10の絶縁性特性を向上させることが可能となる。
また、樹脂組成物中の遊離しているカップリング剤の含有量を上限値以下とすることにより、カップリング剤が加水分解されて、半田耐熱性が低下することが抑制される。By making the content of the free coupling agent in the resin composition equal to or higher than the lower limit value, the effect obtained from the inorganic filler is sufficiently brought out and the adhesion between the insulating
Moreover, by making content of the coupling agent which is free in a resin composition below into an upper limit, it is suppressed that a coupling agent is hydrolyzed and solder heat resistance falls.
従来において、たとえば、[c−(b×1/100)]が0以下となるのは、カップリング剤の処理量が無機フィラーの合計量100質量%に対して1質量%程度である場合、言い換えると、カップリング剤の一般的な処理量を用いた場合であることを示すと言える。この種の樹脂組成物を用いた金属ベース回路基板には、金属板と樹脂層との密着性の改善において、相当の余地を有していた。
これに対して、本実施形態においては、[c−(b×1/100)]>0.05となる。これにより、絶縁樹脂層14とアルミニウム基板12との密着性を高め、金属ベース回路基板10の絶縁性特性を向上させることが可能となる。Conventionally, for example, [c- (b × 1/100)] is 0 or less when the amount of processing of the coupling agent is about 1% by mass with respect to 100% by mass of the total amount of inorganic fillers. In other words, it can be said that this is a case where a general processing amount of the coupling agent is used. The metal base circuit board using this type of resin composition has considerable room for improving the adhesion between the metal plate and the resin layer.
On the other hand, in this embodiment, [c− (b × 1/100)]> 0.05. As a result, the adhesion between the insulating
可とう性付与成分としては、フェノキシ樹脂およびゴム成分を挙げることができる。可とう性付与成分を絶縁樹脂層14に含むことにより、絶縁樹脂層14とアルミニウム基板12との密着性が向上するだけでなく、プレス時に、流動性が改善され、ボイドなどなく成形することが可能となる。
Examples of the flexibility-imparting component include a phenoxy resin and a rubber component. By including the flexibility imparting component in the insulating
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂などが挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。 Examples of the phenoxy resin include a phenoxy resin having a bisphenol skeleton, a phenoxy resin having a naphthalene skeleton, a phenoxy resin having an anthracene skeleton, and a phenoxy resin having a biphenyl skeleton. A phenoxy resin having a structure having a plurality of these skeletons can also be used.
これらの中でも、ビスフェノールA型またはビスフェノールF型のフェノキシ樹脂を用いるのが好ましい。これにより、回路基板の製造時に、配線層の積層板への密着性をさらに向上させることができる。 Among these, it is preferable to use bisphenol A type or bisphenol F type phenoxy resin. Thereby, the adhesiveness to the laminated board of a wiring layer can further be improved at the time of manufacture of a circuit board.
フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、とくに限定されないが、4.0×104以上8.0×104以下が好ましい。
分子量が4.0×104以上8.0×104以下であることにより、次の効果が得られる。第1に、低弾性率化が可能となり、金属ベース回路基板10に用いると応力緩和性にも優れることになる。例えば、電子部品などを実装した半導体装置を製造した場合、当該半導体装置は、急激な加熱/冷却の環境下においても、電子部品と金属ベース基板を接合する半田接合部、またはその近傍で、クラックなどの不良が発生することが抑制されることになる。The weight average molecular weight of the phenoxy resin is not particularly limited, but is preferably 4.0 × 10 4 or more and 8.0 × 10 4 or less.
When the molecular weight is 4.0 × 10 4 or more and 8.0 × 10 4 or less, the following effects can be obtained. First, the elastic modulus can be reduced, and when used for the metal
また、フェノキシ樹脂の重量平均分子量を4.0×104以上とすることにより、充分に低弾性率化することができるとともに、半導体装置に用いた場合、急激な加熱/冷却下で、半田接合部、またはその近傍でのクラックが発生しにくくなる。このように金属ベース基板のヒートサイクル特性を向上させることができる。また、フェノキシ樹脂の重量平均分子量を4.9×104以下とすることにより、粘度上昇により、プレス時の流動性が悪化し、ボイドなどが発生することが抑制されて、金属ベース回路基板10の絶縁信頼性を高めることが可能となる。このように金属ベース回路基板10の絶縁特性を向上させることができる。なお、フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定したポリスチレン換算の値である。Further, by setting the weight average molecular weight of the phenoxy resin to 4.0 × 10 4 or more, it is possible to sufficiently reduce the elastic modulus, and when used in a semiconductor device, solder bonding is performed under rapid heating / cooling. Cracks at or near the portion are less likely to occur. Thus, the heat cycle characteristics of the metal base substrate can be improved. In addition, by setting the weight average molecular weight of the phenoxy resin to 4.9 × 10 4 or less, the fluidity at the time of pressing deteriorates due to an increase in viscosity, and generation of voids and the like is suppressed. It becomes possible to improve the insulation reliability. Thus, the insulation characteristic of the metal
フェノキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物全体の10質量%以上40質量%以下であることが好ましい。フェノキシ樹脂の含有量を10質量%以上とすることにより、弾性率を下げる効果を十分に得られ、金属ベース回路基板10に用いたときの応力緩和性に優れ、急激な加熱/冷却を受けても半田或いはその近傍でのクラックが発生することを抑制することができる。フェノキシ樹脂の含有量を40質量%以下とすることにより、プレス時の流動性が悪化し、ボイドなどが発生することが抑制され、金属ベース回路基板10の絶縁信頼性を高めることができる。
なお、樹脂組成物全体とは、例えば、溶剤などを用いたワニスの場合は、溶剤を除く固形を意味し、液状エポキシ、カップリング剤などの液状成分は、樹脂組成物に含まれる。The content of the phenoxy resin is preferably 10% by mass or more and 40% by mass or less of the entire resin composition. By making the content of the
In addition, in the case of the varnish using a solvent etc., for example, the whole resin composition means solid except a solvent, and liquid components, such as a liquid epoxy and a coupling agent, are contained in a resin composition.
ゴム成分としては、例えば、ゴム粒子を用いることができる。ゴム粒子の好ましい例としては、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。 As the rubber component, for example, rubber particles can be used. Preferable examples of the rubber particles include core-shell type rubber particles, crosslinked acrylonitrile butadiene rubber particles, crosslinked styrene butadiene rubber particles, acrylic rubber particles, and silicone particles.
コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される2層構造、または外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される3層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メタクリル酸メチルの重合物などで構成される。ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物(ブチルゴム)などで構成される。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、スタフィロイドAC3832、AC3816N(商品名、ガンツ化成社製)、メタブレンKW−4426(商品名、三菱レイヨン社製)が挙げられる。架橋アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)粒子の具体例としては、XER−91(平均粒子径0.5μm、JSR社製)などが挙げられる。 The core-shell type rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer. For example, a two-layer structure in which an outer shell layer is formed of a glassy polymer and an inner core layer is formed of a rubbery polymer, or Examples include a three-layer structure in which the outer shell layer is made of a glassy polymer, the intermediate layer is made of a rubbery polymer, and the core layer is made of a glassy polymer. The glassy polymer layer is made of, for example, a polymer of methyl methacrylate. The rubbery polymer layer is made of, for example, a butyl acrylate polymer (butyl rubber). Specific examples of the core-shell type rubber particles include Staphyloid AC3832, AC3816N (trade names, manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd.), and Metabrene KW-4426 (trade names, manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.). Specific examples of the crosslinked acrylonitrile butadiene rubber (NBR) particles include XER-91 (average particle size: 0.5 μm, manufactured by JSR).
架橋スチレンブタジエンゴム(SBR)粒子の具体例としては、XSK−500(平均粒子径0.5μm、JSR社製)などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンW300A(平均粒子径0.1μm)、W450A(平均粒子径0.2μm)(三菱レイヨン社製)などが挙げられる。 Specific examples of the crosslinked styrene butadiene rubber (SBR) particles include XSK-500 (average particle size 0.5 μm, manufactured by JSR). Specific examples of the acrylic rubber particles include methabrene W300A (average particle size 0.1 μm), W450A (average particle size 0.2 μm) (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.), and the like.
シリコーン粒子は、オルガノポリシロキサンで形成されたゴム弾性微粒子であればとくに限定されず、例えば、シリコーンゴム(オルガノポリシロキサン架橋エラストマー)そのものからなる微粒子、および二次元架橋主体のシリコーンからなるコア部を三次元架橋型主体のシリコーンで被覆したコアシェル構造粒子などが挙げられる。シリコーンゴム微粒子としては、KMP−605、KMP−600、KMP−597、KMP−594(信越化学社製)、トレフィルE−500、トレフィルE−600(東レ・ダウコーニング社製)などの市販品を用いることができる。 The silicone particles are not particularly limited as long as they are rubber elastic fine particles formed of organopolysiloxane. For example, fine particles made of silicone rubber (organopolysiloxane crosslinked elastomer) itself and a core portion made of silicone mainly composed of two-dimensional crosslinks. Examples thereof include core-shell structure particles coated with silicone mainly composed of a three-dimensional crosslinking type. As silicone rubber fine particles, commercially available products such as KMP-605, KMP-600, KMP-597, KMP-594 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Trefil E-500, Trefil E-600 (manufactured by Toray Dow Corning) Can be used.
ゴム粒子の含有量は、とくに限定されないが、上記の無機フィラーと合わせて、樹脂組成物全体の20質量%以上80質量%以下が好ましく、とくに30質量%以上75質量%以下が好ましい。含有量が範囲内であると、とくに低吸水とすることができる。 The content of the rubber particles is not particularly limited, but is preferably 20% by mass or more and 80% by mass or less, and particularly preferably 30% by mass or more and 75% by mass or less of the whole resin composition together with the inorganic filler. When the content is within the range, particularly low water absorption can be achieved.
<金属ベース回路基板の製造方法(2)>
つづいて、(2)アルミニウム基板を紫外線で処理し、その後、絶縁樹脂層、金属層を形成する方法について説明する。
本実施形態の金属ベース回路基板10の製造方法は以下の工程(c)、(d)を含んでいる。
(c)アルミニウム基板12表面に紫外線を照射する工程
(d)処理後のアルミニウム基板12表面に絶縁樹脂層14を形成し、次いで絶縁樹脂層14上に金属層16を形成する工程
なお、工程(d)は、上述した工程(b)と同じ工程なので説明は省略する。<Method of manufacturing metal base circuit board (2)>
Next, (2) a method of treating an aluminum substrate with ultraviolet rays and then forming an insulating resin layer and a metal layer will be described.
The manufacturing method of the metal
(C) Step of irradiating the surface of the
(工程(c))
アルミニウム基板12表面に紫外線を照射する。当該処理に用いられる紫外線としては、波長が185nmまたは254nmのものを用いることができる。(Process (c))
The surface of the
アルミニウム基板12表面に照射する紫外線の積算光量は、好ましくは0.1J/cm2以上1.0J/cm2以下であり、さらに好ましくは0.2J/cm2以上0.8J/cm2以下である。この積算光量は、紫外線の放射強度(mW/cm2)と照射時間(秒)との積であるので、積算光量は使用する紫外線の強度や照射時間により調節することができる。
また、アルミニウム基板12表面に照射する紫外線の放射強度は、とくに限定されないが、好ましくは1.0mW/cm2以上100mW/cm2以下である。
このような紫外線処理により、アルミニウム基板12表面の水との接触角を50°以上95°以下、好ましくは55°以上90°以下に調整することができる。また、アルミニウム基板12の表面粗度(Rz)は、処理前後でほとんど変化せず、3〜9μmであり、平滑である。Integrated light quantity of ultraviolet light irradiating the aluminum surface of the
Moreover, the radiation intensity of the ultraviolet rays applied to the surface of the
By such ultraviolet treatment, the contact angle of the surface of the
なお、アルミニウム基板12との距離を5cm以下とすることが好ましく、3cm以下とすることがさらに好ましく、1cm以下とすることが特に好ましい。アルミニウム基板12との距離が5cmを超えると、照射の効果が十分に得られない場合がある。
The distance from the
使用する紫外線照射装置は、波長が185nmまたは254nmの紫外線を照射できるものであればとくに限定されないが、例えば低圧水銀灯を用いた紫外線照射装置が挙げられる。 The ultraviolet irradiation device to be used is not particularly limited as long as it can irradiate ultraviolet rays having a wavelength of 185 nm or 254 nm, and examples thereof include an ultraviolet irradiation device using a low-pressure mercury lamp.
本実施形態のアルミニウム基板12は、カップリング剤で表面処理されていなくても、絶縁樹脂層14との密着性が優れている。そのため、アルミニウム基板12の表面をカップリング剤で処理する工程を省略することができるので、工程の簡略化を図ることができる。
Even if the
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
(実施例1)
なお、以下の実施例1において樹脂ワニスaを用いた場合を「実施例1a」、樹脂ワニスbを用いた場合を「実施例1b」として表記する。その他の実施例、比較例についても同様である。EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.
Example 1
In the following Example 1, the case where the resin varnish a is used is referred to as “Example 1a”, and the case where the resin varnish b is used is referred to as “Example 1b”. The same applies to other examples and comparative examples.
(樹脂ワニスaの調製)
ビスフェノールF骨格とビスフェノールA骨格を有するフェノキシ樹脂(三菱化学社製、4275、重量平均分子量6.0×104、ビスフェノールF骨格とビスフェノールA骨格の比率=75:25)22.0質量部、ビスフェノールFエポキシ樹脂(DIC社製、830S、エポキシ当量170)10.0質量部、ビスフェノールAエポキシ樹脂(三菱化学社製、1001、エポキシ当量475)15.0質量部、2−フェニルイミダゾール(四国化成社製2PZ)1.0質量部、シランカップリング剤としてγ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製KBM−403)2.0質量部、水酸化アルミニウム(昭和電工社製、HP−360、粒径3.0μm)50.0質量部をシクロヘキサノンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、樹脂組成物が固形分基準で70質量%のワニスを得た。(Preparation of resin varnish a)
Phenoxy resin having bisphenol F skeleton and bisphenol A skeleton (Mitsubishi Chemical Co., Ltd., 4275, weight average molecular weight 6.0 × 10 4 , ratio of bisphenol F skeleton to bisphenol A skeleton = 75: 25) 22.0 parts by mass, bisphenol 10.0 parts by mass of F epoxy resin (DIC, 830S, epoxy equivalent 170), 15.0 parts by mass of bisphenol A epoxy resin (1001, epoxy equivalent 475), 2-phenylimidazole (Shikoku Chemicals) 2PZ) 1.0 parts by mass, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403, Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) 2.0 parts by mass as a silane coupling agent, aluminum hydroxide (Showa Denko, HP-360) , Particle size 3.0 μm) 50.0 parts by mass dissolved in cyclohexanone and mixed And stirred using a high speed stirrer, a resin composition was obtained 70 wt% of varnish on a solids basis.
(樹脂ワニスbの調製)
ビスフェノールF骨格とビスフェノールA骨格を有するフェノキシ樹脂(三菱化学社製、4275、重量平均分子量6.0×104、ビスフェノールF骨格とビスフェノールA骨格の比率=75:25)22.0質量部、ビフェニル骨格エポキシ樹脂(三菱化学社製、YX4000、エポキシ当量185)10.0質量部、ビスフェノールAエポキシ樹脂(三菱化学社製、1001、エポキシ当量475)15.0質量部、2−フェニルイミダゾール(四国化成社製2PZ)1.0質量部、シランカップリング剤としてγ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製KBM−403)2.0質量部、水酸化アルミニウム(昭和電工社製、HP−360、粒径3.0μm)50.0質量部をシクロヘキサノンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、樹脂組成物が固形分基準で70質量%のワニスを得た。(Preparation of resin varnish b)
Phenoxy resin having bisphenol F skeleton and bisphenol A skeleton (Mitsubishi Chemical Co., Ltd., 4275, weight average molecular weight 6.0 × 10 4 , ratio of bisphenol F skeleton to bisphenol A skeleton = 75: 25) 22.0 parts by mass, biphenyl Skeletal epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, YX4000, epoxy equivalent 185) 10.0 parts by mass, bisphenol A epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 1001, epoxy equivalent 475) 15.0 parts by mass, 2-phenylimidazole (Shikoku Chemicals) 2PZ) 1.0 parts by mass, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403, Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) 2.0 parts by mass as a silane coupling agent, aluminum hydroxide (Showa Denko, HP- 360, particle size 3.0 μm) 50.0 parts by mass dissolved in cyclohexanone Was, and stirred using a high speed stirrer, a resin composition was obtained 70 wt% of varnish on a solids basis.
(アルミニウム基板の湯洗処理)
厚さ1mm、縦横それぞれ10cmのアルミニウム板を基板とした。表1の処理条件に従ってこの基板を所定の温度の純水に所定の時間浸漬した後、アセトンで洗浄・乾燥し、アルミニウム試験板を得た。(Washing treatment of aluminum substrate)
An aluminum plate having a thickness of 1 mm and a length and width of 10 cm was used as a substrate. This substrate was immersed in pure water at a predetermined temperature for a predetermined time in accordance with the processing conditions shown in Table 1, and then washed and dried with acetone to obtain an aluminum test plate.
(実施例2〜5、および比較例1〜8)
表1〜3の処理条件に従ってアルミニウム板を処理し、アセトンで洗浄・乾燥し、アルミニウム試験板を得た。(Examples 2 to 5 and Comparative Examples 1 to 8)
The aluminum plate was processed according to the processing conditions of Tables 1 to 3, washed with acetone and dried to obtain an aluminum test plate.
(参考例)
厚さ1mm、縦横それぞれ10cmのアルミニウム板を基板とした。この基板の表面をサンドペーパー(#1500)で研磨した後、アセトンで洗浄し乾燥させアルミニウム試験板を得た。(Reference example)
An aluminum plate having a thickness of 1 mm and a length and width of 10 cm was used as a substrate. The surface of this substrate was polished with sandpaper (# 1500), then washed with acetone and dried to obtain an aluminum test plate.
(実施例6〜8)
厚さ1mm、縦横それぞれ10cmのアルミニウム板を基板とした。紫外線照射装置として、低圧水銀灯(オーク社製、波長:185nm、放射強度5.0mW/cm2)を使用した。表4の処理条件に従って基板の片面に紫外線を照射し、アルミニウム試験板を得た。(Examples 6 to 8)
An aluminum plate having a thickness of 1 mm and a length and width of 10 cm was used as a substrate. As the ultraviolet irradiation device, a low-pressure mercury lamp (manufactured by Oak Co., Ltd., wavelength: 185 nm, radiation intensity 5.0 mW / cm 2 ) was used. According to the processing conditions shown in Table 4, one side of the substrate was irradiated with ultraviolet rays to obtain an aluminum test plate.
各実施例、比較例および参考例により得られたアルミニウム試験板について、以下の測定法により次の各評価を行った。評価結果を表1〜表4に示す。接触角と密着強度の関係を図3に示す。また、処理条件と密着強度の関係を図4に示す。 The aluminum test plates obtained in each of the examples, comparative examples, and reference examples were subjected to the following evaluations by the following measurement methods. The evaluation results are shown in Tables 1 to 4. The relationship between the contact angle and the adhesion strength is shown in FIG. Moreover, the relationship between processing conditions and adhesion strength is shown in FIG.
a.水との接触角
JIS R3257に準拠して行い、5点以上の平均を接触角として算出した。
b.表面粗度(Rz)
JIS B0601に準拠して行い、十点平均粗さ(Rz)として算出した。
c.密着強度
密着性試験装置(形式:NXT−250P、富山産業株式会社製)を用い、図2のように、密着性試験装置のアルミニウム試験チップ(接着面2.0cmφ)に樹脂ワニスaまたはbを塗布し、塗布面を固定されたアルミニウム試験板に接着し、180℃60分間の硬化条件で硬化させた。そして、図2のように、アルミニウム試験チップを1.5mm/分速度で垂直方向に引き上げ、前記アルミニウム試験チップまたは前記アルミニウム試験板と前記樹脂層とが剥がれた時点を密着強度として測定した。評価結果を表1〜4に示す。a. Contact angle with water Measured according to JIS R3257, an average of 5 or more points was calculated as the contact angle.
b. Surface roughness (Rz)
It carried out based on JIS B0601 and computed as ten-point average roughness (Rz).
c. Adhesion strength Using an adhesion tester (model: NXT-250P, manufactured by Toyama Sangyo Co., Ltd.), as shown in FIG. 2, the resin varnish a or b was applied to the aluminum test chip (adhesion surface 2.0 cmφ) of the adhesion tester. It was applied, and the coated surface was adhered to a fixed aluminum test plate and cured under a curing condition of 180 ° C. for 60 minutes. Then, as shown in FIG. 2, the aluminum test chip was pulled up at a rate of 1.5 mm / min in the vertical direction, and the time when the aluminum test chip or the aluminum test plate and the resin layer were peeled was measured as the adhesion strength. The evaluation results are shown in Tables 1 to 4.
なお、表3の比較例7a,7b、8a,8bにおいては、別途行った曲げ試験の結果から、密着強度が明らかに低いことが推測されたため、密着強度の測定を行っていない。
以上のように、アルミニウム基板の表面が平滑(表面粗度(Rz):3〜9μm)であっても、アルミニウム基板表面の水との接触角が50°以上95°以下であることにより、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との密着強度に優れ、さらに半田耐熱性、耐屈曲性にも優れることが推測された。したがって、これを用いた各種装置の歩留まりを向上させることが明らかとなった。In Comparative Examples 7a, 7b, 8a, and 8b in Table 3, the adhesion strength was not measured because it was presumed that the adhesion strength was clearly low from the results of separate bending tests.
As described above, even when the surface of the aluminum substrate is smooth (surface roughness (Rz): 3 to 9 μm), the contact angle with water on the surface of the aluminum substrate is 50 ° or more and 95 ° or less. It was estimated that the adhesion strength between the substrate and the insulating resin layer was excellent, and that the solder heat resistance and bending resistance were also excellent. Therefore, it has been clarified that the yield of various devices using this is improved.
この出願は、2010年12月28日に出願された日本出願特願2010−291893号および2010年12月28日に出願された日本出願特願2010−291895号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。 This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2010-291893 filed on Dec. 28, 2010 and Japanese Application No. 2010-291895 filed on Dec. 28, 2010. , The entire disclosure of which is incorporated herein.
Claims (16)
前記アルミニウム基板表面の水との接触角が50°以上95°以下であり、
表面粗度(Rz)が3μm以上9μm以下である、金属ベース回路基板。A metal base circuit board in which an aluminum substrate, an insulating resin layer, and a metal layer are sequentially laminated,
The contact angle of the aluminum substrate surface with water is 50 ° or more and 95 ° or less,
A metal-based circuit board having a surface roughness (Rz) of 3 μm or more and 9 μm or less.
以下の条件で測定された、前記アルミニウム基板と前記絶縁樹脂層との密着強度が20kg/cm2以上50kg/cm2以下である、金属ベース回路基板;
・アルミニウム試験チップ(円盤状、接着面2.0cmφ)に、前記絶縁樹脂層を得るための樹脂ワニスを塗布し、塗布面を固定されたアルミニウム試験板に接着する。180℃60分間の条件で前記樹脂ワニスを硬化させ、前記アルミニウム試験チップと前記アルミニウム試験板とを樹脂層を介して接着させる。
・アルミニウム試験チップを1.5mm/分速度で垂直方向に引き上げ、前記アルミニウム試験チップまたは前記アルミニウム試験板と前記樹脂層とが剥がれた時点を密着強度として測定する。The metal base circuit board according to claim 1,
A metal base circuit board having an adhesion strength between the aluminum substrate and the insulating resin layer of 20 kg / cm 2 or more and 50 kg / cm 2 or less, measured under the following conditions;
A resin varnish for obtaining the insulating resin layer is applied to an aluminum test chip (disc-shaped, bonding surface 2.0 cmφ), and the coated surface is bonded to a fixed aluminum test plate. The resin varnish is cured under conditions of 180 ° C. for 60 minutes, and the aluminum test chip and the aluminum test plate are bonded via a resin layer.
-The aluminum test chip is pulled up in the vertical direction at a speed of 1.5 mm / min, and the time when the aluminum test chip or the aluminum test plate and the resin layer are peeled is measured as the adhesion strength.
前記絶縁樹脂層は、常温で液状のビスフェノールF型またはA型のエポキシ樹脂の硬化物を含む、金属ベース回路基板。The metal base circuit board according to claim 1 or 2,
The said insulating resin layer is a metal base circuit board containing the hardened | cured material of the bisphenol F type or A type epoxy resin which is liquid at normal temperature.
前記絶縁樹脂層は、フェノキシ樹脂およびゴム成分から選択される1種以上の可とう性付与成分を含む、金属ベース回路基板。The metal base circuit board according to any one of claims 1 to 3,
The said insulating resin layer is a metal base circuit board containing 1 or more types of flexibility provision components selected from a phenoxy resin and a rubber component.
前記可とう性付与成分の含有量は、前記絶縁樹脂層100質量%に対して10質量%以上40質量%以下である、金属ベース回路基板。The metal base circuit board according to claim 4,
Content of the said flexibility provision component is a metal base circuit board which is 10 to 40 mass% with respect to 100 mass% of said insulating resin layers.
前記アルミニウム基板はカップリング剤で表面処理されていない、金属ベース回路基板。The metal base circuit board according to any one of claims 1 to 5,
The aluminum substrate is a metal-based circuit board that is not surface-treated with a coupling agent.
前記絶縁樹脂層は、無機フィラーと、シランカップリング剤と、を含み、
前記絶縁樹脂層の合計量100質量%に対する前記シランカップリング剤の含有量をc質量%とし、
前記絶縁樹脂層の合計量100質量%に対する前記無機フィラーの含有量をb質量%としたとき、
5×10−2<c−(b×1/100)<11
を満たす、金属ベース回路基板。The metal base circuit board according to any one of claims 1 to 6,
The insulating resin layer includes an inorganic filler and a silane coupling agent,
The content of the silane coupling agent with respect to a total amount of 100% by mass of the insulating resin layer is c% by mass,
When the content of the inorganic filler with respect to 100% by mass of the total amount of the insulating resin layer is b% by mass,
5 × 10 −2 <c- (b × 1/100) <11
Meet the metal base circuit board.
前記無機フィラーが水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムまたはアルミナである、金属ベース回路基板。The metal base circuit board according to claim 7,
A metal-based circuit board, wherein the inorganic filler is aluminum hydroxide, magnesium hydroxide or alumina.
前記アルミニウム基板を50℃以上80℃以下の水に0.5分間以上3分間以下接触させる工程と、
処理後の前記アルミニウム基板表面に前記絶縁樹脂層を形成し、次いで前記絶縁樹脂層上に前記金属層を形成する工程と
を含む、金属ベース回路基板の製造方法。A method of manufacturing a metal base circuit board according to any one of claims 1 to 8,
Contacting the aluminum substrate with water at 50 ° C. or more and 80 ° C. or less for 0.5 minutes or more and 3 minutes or less;
Forming the insulating resin layer on the surface of the aluminum substrate after processing, and then forming the metal layer on the insulating resin layer.
前記アルミニウム基板はカップリング剤で表面処理されていない、金属ベース回路基板の製造方法。In the manufacturing method of the metal base circuit board of Claim 9,
The method of manufacturing a metal base circuit board, wherein the aluminum substrate is not surface-treated with a coupling agent.
前記アルミニウム基板表面に紫外線を照射する工程と、
前記紫外線を照射後の前記アルミニウム基板表面に前記絶縁樹脂層を形成し、次いで前記絶縁樹脂層上に前記金属層を形成する工程と
を含む、金属ベース回路基板の製造方法。A method of manufacturing a metal base circuit board according to any one of claims 1 to 8,
Irradiating the aluminum substrate surface with ultraviolet rays;
Forming the insulating resin layer on the surface of the aluminum substrate after irradiation with the ultraviolet light, and then forming the metal layer on the insulating resin layer.
前記紫外線の波長が185nmまたは254nmである、金属ベース回路基板の製造方法。In the manufacturing method of the metal base circuit board of Claim 11,
A method for producing a metal base circuit board, wherein the wavelength of the ultraviolet light is 185 nm or 254 nm.
前記アルミニウム基板表面に照射する前記紫外線の積算光量が0.1J/cm2以上1.0J/cm2以下である、金属ベース回路基板の製造方法。In the manufacturing method of the metal base circuit board of Claim 11 or 12,
It said aluminum integral light quantity of the ultraviolet rays irradiated to the substrate surface is 0.1 J / cm 2 or more 1.0 J / cm 2 or less, the production method of the metal base circuit board.
前記アルミニウム基板はカップリング剤で表面処理されていない、金属ベース回路基板の製造方法。In the manufacturing method of the metal base circuit board as described in any one of Claims 11 thru | or 13,
The method of manufacturing a metal base circuit board, wherein the aluminum substrate is not surface-treated with a coupling agent.
前記アルミニウム基板を50℃以上80℃以下の水に0.5分間以上3分間以下接触させる、金属ベース回路基板用アルミニウム基板の処理方法。A method for treating an aluminum substrate used in a metal base circuit board according to any one of claims 1 to 8,
A method for treating an aluminum substrate for a metal base circuit board, comprising bringing the aluminum substrate into contact with water at 50 ° C. or more and 80 ° C. or less for 0.5 minutes or more and 3 minutes or less.
前記アルミニウム基板表面に照射する前記紫外線の積算光量が0.1J/cm2以上1.0J/cm2以下である、金属ベース回路基板用アルミニウム基板の処理方法。A method for treating an aluminum substrate used in a metal base circuit board according to any one of claims 1 to 8,
The integrated quantity of ultraviolet light is 0.1 J / cm 2 or more 1.0 J / cm 2 or less, the processing method of an aluminum substrate metal base circuit board to be irradiated to the aluminum substrate surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012550678A JP5870934B2 (en) | 2010-12-28 | 2011-09-29 | Method for manufacturing metal-based circuit board |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010291893 | 2010-12-28 | ||
JP2010291895 | 2010-12-28 | ||
JP2010291893 | 2010-12-28 | ||
JP2010291895 | 2010-12-28 | ||
PCT/JP2011/005510 WO2012090360A1 (en) | 2010-12-28 | 2011-09-29 | Metal base circuit board, and method for producing metal base circuit board |
JP2012550678A JP5870934B2 (en) | 2010-12-28 | 2011-09-29 | Method for manufacturing metal-based circuit board |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012090360A1 true JPWO2012090360A1 (en) | 2014-06-05 |
JP5870934B2 JP5870934B2 (en) | 2016-03-01 |
Family
ID=46382506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012550678A Active JP5870934B2 (en) | 2010-12-28 | 2011-09-29 | Method for manufacturing metal-based circuit board |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5870934B2 (en) |
KR (1) | KR20130132560A (en) |
CN (1) | CN103283313A (en) |
TW (1) | TWI527504B (en) |
WO (1) | WO2012090360A1 (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105075404B (en) * | 2013-02-28 | 2018-07-20 | 住友化学株式会社 | Plywood and its manufacturing method |
JPWO2015056555A1 (en) * | 2013-10-17 | 2017-03-09 | 住友ベークライト株式会社 | Metal substrate, metal base circuit board, electronic device, and metal base circuit board manufacturing method |
WO2015056523A1 (en) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 住友ベークライト株式会社 | Epoxy-resin composition, carrier material with resin layer, metal-based circuit board, and electronic device |
JP2015207667A (en) * | 2014-04-21 | 2015-11-19 | 住友ベークライト株式会社 | Metal base board, manufacturing method thereof, metal base circuit board, and electronic device |
JP2015207666A (en) * | 2014-04-21 | 2015-11-19 | 住友ベークライト株式会社 | Metal base board, manufacturing method thereof, metal base circuit board, and electronic device |
JP2016039042A (en) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社日立製作所 | Insulated wire, rotary electric machine and method for producing insulated wire |
JP5659379B1 (en) * | 2014-09-04 | 2015-01-28 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | Printed wiring board |
CN115348737B (en) * | 2022-08-12 | 2023-09-26 | 江苏迪飞达电子有限公司 | Preparation method of double-sided thick copper-aluminum-based mixed pressing plate |
JP2024109534A (en) * | 2023-02-01 | 2024-08-14 | ダイキン工業株式会社 | Resin sheet, its manufacturing method, copper-clad laminate and circuit board |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3646890B2 (en) * | 1995-06-06 | 2005-05-11 | 日立化成工業株式会社 | Metal body with insulating adhesive material and manufacturing method thereof |
JP3257953B2 (en) * | 1996-06-19 | 2002-02-18 | 電気化学工業株式会社 | Method for manufacturing substrate for hybrid integrated circuit |
JP4263020B2 (en) * | 2003-05-15 | 2009-05-13 | 古河スカイ株式会社 | Method for manufacturing aluminum base plate for printed circuit board |
JP2005109363A (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Kunio Mori | Aluminum plate, its manufacturing method, and aluminum-based printed wiring board |
JP2009123980A (en) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Aluminum-based heat dissipation substrate for electric circuit and method for manufacturing the same |
-
2011
- 2011-09-29 JP JP2012550678A patent/JP5870934B2/en active Active
- 2011-09-29 WO PCT/JP2011/005510 patent/WO2012090360A1/en active Application Filing
- 2011-09-29 KR KR1020137019385A patent/KR20130132560A/en not_active Application Discontinuation
- 2011-09-29 CN CN201180063612XA patent/CN103283313A/en active Pending
- 2011-10-20 TW TW100138038A patent/TWI527504B/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI527504B (en) | 2016-03-21 |
TW201234940A (en) | 2012-08-16 |
JP5870934B2 (en) | 2016-03-01 |
KR20130132560A (en) | 2013-12-04 |
WO2012090360A1 (en) | 2012-07-05 |
CN103283313A (en) | 2013-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5870934B2 (en) | Method for manufacturing metal-based circuit board | |
JP4893046B2 (en) | Adhesive composition for electronic equipment and adhesive sheet for electronic equipment using the same | |
JP5742375B2 (en) | Adhesive composition for electronic equipment and adhesive sheet for electronic equipment using the same | |
US20130037310A1 (en) | Epoxy resin composition for circuit board, prepreg, laminate, resin sheet, laminated base material for printed wiring board, printed wiring board, and semiconductor device | |
JP2016196549A (en) | Resin composition for printed wiring board, prepreg, resin substrate, metal clad laminated board, printed wiring board, and semiconductor device | |
JP6477483B2 (en) | Epoxy resin composition, carrier material with resin layer, metal base circuit board, and electronic device | |
JP2008106231A (en) | Adhesive sheet for electronic equipment | |
JP2016196548A (en) | Resin composition for printed wiring board, prepreg, resin substrate, metal clad laminated board, printed wiring board, and semiconductor device | |
JP2009049062A (en) | Method of manufacturing substrate for metal base circuit, and substrate for metal base circuit | |
WO2015056555A1 (en) | Metal substrate, metal-based circuit board, electronic device, and method for manufacturing metal-based circuit board | |
JP5263134B2 (en) | Circuit board resin composition, prepreg, laminate, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device | |
JP2012211269A (en) | Precured product, roughened precured product and laminate | |
JP2007251138A (en) | Adhesive sheet for electronic material | |
JP5516190B2 (en) | Resin composition, metal foil with resin, and metal base substrate | |
JP5030103B2 (en) | Method of manufacturing metal base circuit board for light emitting element and metal base circuit board for light emitting element | |
JP2013181132A (en) | Epoxy resin material and multilayer board | |
JP5821355B2 (en) | Metal base circuit board, laminated board, inverter device and power semiconductor device | |
JP5821845B2 (en) | Resin composition used for formation of resin layer constituting metal base substrate, metal base substrate, and method of manufacturing metal base substrate | |
JP2011162622A (en) | Resin composition for printed wiring board, prepreg, laminated board, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device | |
JP2012131899A (en) | Resin composition, resin sheet, metal-based circuit board, inverter, and power semiconductor device | |
JP2001131501A (en) | Three-layer adhesive film, semiconductor chip-carrying substrate and semiconductor device | |
JP2013165136A (en) | Method for manufacturing metal base circuit board | |
JP6507668B2 (en) | Method of manufacturing printed wiring board | |
JP2012153770A (en) | Resin composition, resin sheet, metal-based circuit board, inverter device, and power semiconductor device | |
JP2013115180A (en) | Manufacturing method for metal base circuit board |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140729 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150527 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151021 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20151029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5870934 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |