JP2016196549A - Resin composition for printed wiring board, prepreg, resin substrate, metal clad laminated board, printed wiring board, and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition for a printed wiring board, a prepreg and a resin substrate for achieving a printed wiring board having a fine circuit dimension and excellent insulation reliability under high temperature and high humidity conditions, and a printed wiring board and a semiconductor device having excellent insulation reliability under high temperature and high humidity conditions.SOLUTION: The resin composition for a printed wiring board of the present invention is a thermosetting resin composition to be used for forming an insulation layer in a printed wiring board; and the composition comprises a maleimide compound (A), in which the maleimide compound (A) comprises at least a bismaleimide compound (A1) represented by formula (a) below.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、プリント配線基板用樹脂組成物、プリプレグ、樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置に関する。   The present invention relates to a resin composition for a printed wiring board, a prepreg, a resin substrate, a metal-clad laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device.

近年、電子機器の高機能化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んでおり、これらの電子機器に使用される半導体装置の小型化が急速に進行している。そして、半導体装置に使用されるプリント配線基板には、高密度で微細な回路が求められている。
微細な回路を形成する方法として、SAP(セミアディティブプロセス)法が提案されている。SAP法では、はじめに、絶縁層表面に粗化処理を施し、上記絶縁層表面上に下地になる無電解金属めっき膜を形成する。次いで、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けをおこなう。その後、めっきレジストを除去し、上記回路形成部以外の無電解金属めっき膜をフラッシュエッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する。SAP法は、絶縁層上に積層する金属層を薄膜化できるので、より微細な回路配線が可能となる。
In recent years, along with the demand for higher functionality of electronic devices, the integration of electronic components and the mounting of high-density packaging have progressed, and the miniaturization of semiconductor devices used in these electronic devices has rapidly progressed. ing. A printed wiring board used for a semiconductor device is required to have a high-density and fine circuit.
As a method for forming a fine circuit, an SAP (semi-additive process) method has been proposed. In the SAP method, first, a roughening treatment is performed on the surface of the insulating layer, and an electroless metal plating film serving as a base is formed on the surface of the insulating layer. Next, the non-circuit forming portion is protected by the plating resist, and the copper thickness of the circuit forming portion is thickened by electrolytic plating. Thereafter, the plating resist is removed, and the electroless metal plating film other than the circuit forming portion is removed by flash etching, thereby forming a circuit on the insulating layer. In the SAP method, since the metal layer laminated on the insulating layer can be thinned, finer circuit wiring is possible.

半導体装置は、例えば、プリント配線基板上に半導体素子を搭載することにより形成される。このようなプリント配線基板に関する技術としては、例えば、以下の特許文献1に記載のものが挙げられる。特許文献1には、ジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂及びマレイミド環を有する熱硬化性樹脂を必須成分として含有し、マレイミド環を有する熱硬化性樹脂の含有割合がジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂及びマレイミド環を有する熱硬化性樹脂の合計量に対して3〜30重量%であることを特徴とする熱硬化性組成物を用いたプリント配線板が記載されている。   The semiconductor device is formed, for example, by mounting a semiconductor element on a printed wiring board. As a technique related to such a printed wiring board, for example, one described in Patent Document 1 below can be cited. Patent Document 1 contains a thermosetting resin having a dihydrobenzoxazine ring and a thermosetting resin having a maleimide ring as essential components, and the content ratio of the thermosetting resin having a maleimide ring has a dihydrobenzoxazine ring. The printed wiring board using the thermosetting composition characterized by being 3-30 weight% with respect to the total amount of the thermosetting resin and the thermosetting resin which has a maleimide ring is described.

特開平10−259248号公報JP-A-10-259248

プリント配線基板上に半導体素子を搭載することにより形成される半導体装置については、配線間の絶縁信頼性に優れることが求められる。このような要求は、近年のプリント配線基板の配線の高密度化に伴って特に顕著となっている。しかしながら、本発明者らの検討によれば、特許文献1に記載の技術では、プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性を十分に得ることが困難であることが明らかになった。   A semiconductor device formed by mounting a semiconductor element on a printed wiring board is required to have excellent insulation reliability between wirings. Such a requirement is particularly noticeable with the recent increase in wiring density of printed wiring boards. However, according to the study by the present inventors, it has been clarified that it is difficult to obtain sufficient insulation reliability of the printed wiring board under high temperature and high humidity with the technique described in Patent Document 1.

本発明によれば、
プリント配線基板における絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
マレイミド化合物(A)を含み、
上記マレイミド化合物(A)が下記式(a)により示されるビスマレイミド化合物(A1)を少なくとも含むプリント配線基板用樹脂組成物が提供される。

Figure 2016196549
(上記式(a)において、Qは炭素数6以上の2価の直鎖状、分枝鎖状または環状の脂肪族炭化水素基であり、Pは2価の原子または有機基であり、nは1以上10以下の整数である) According to the present invention,
A thermosetting resin composition used for forming an insulating layer in a printed wiring board,
Including a maleimide compound (A),
There is provided a printed wiring board resin composition in which the maleimide compound (A) includes at least a bismaleimide compound (A1) represented by the following formula (a).
Figure 2016196549
(In the above formula (a), Q is a divalent linear, branched or cyclic aliphatic hydrocarbon group having 6 or more carbon atoms, P is a divalent atom or organic group, and n Is an integer from 1 to 10.

さらに、本発明によれば、上記プリント配線基板用樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグが提供される。   Furthermore, according to this invention, the prepreg formed by impregnating a fiber base material with the said resin composition for printed wiring boards is provided.

さらに、本発明によれば、上記プリプレグの硬化物を含む樹脂基板が提供される。   Furthermore, according to this invention, the resin substrate containing the hardened | cured material of the said prepreg is provided.

さらに、本発明によれば、上記プリプレグの硬化物または上記プリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の硬化物の片面または両面に金属箔が設けられている金属張積層板が提供される。   Furthermore, according to the present invention, there is provided a metal-clad laminate in which a metal foil is provided on one side or both sides of a cured product of the prepreg or a cured product of a laminate obtained by laminating two or more prepregs.

さらに、本発明によれば、上記樹脂基板または上記金属張積層板を回路加工して得られるものであり、1層又は2層以上の回路層が設けられているプリント配線基板が提供される。   Furthermore, according to the present invention, there is provided a printed wiring board that is obtained by processing a circuit on the resin substrate or the metal-clad laminate, and is provided with one or more circuit layers.

さらに、本発明によれば、プリント配線基板の上記回路層上に半導体素子を搭載した、半導体装置が提供される。   Furthermore, according to the present invention, there is provided a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on the circuit layer of a printed wiring board.

本発明によれば、微細な回路寸法を有し、かつ、高温高湿下での絶縁信頼性に優れるプリント配線基板を実現できるプリント配線基板用樹脂組成物、プリプレグおよび樹脂基板並びに高温高湿下での絶縁信頼性に優れるプリント配線基板および半導体装置を提供できる。   According to the present invention, a resin composition for a printed wiring board, a prepreg, a resin substrate, and a high temperature and high humidity environment that can realize a printed wiring board having fine circuit dimensions and excellent insulation reliability under high temperature and high humidity conditions. It is possible to provide a printed wiring board and a semiconductor device which are excellent in insulation reliability.

本実施形態における金属張積層板の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the metal-clad laminated board in this embodiment. 本実施形態におけるプリント配線基板の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the printed wiring board in this embodiment. 本実施形態におけるプリント配線基板の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the printed wiring board in this embodiment. 本実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the semiconductor device in this embodiment. 本実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the semiconductor device in this embodiment.

以下に、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。なお、文中の数字の間にある「〜」は特に断りがなければ、以上から以下を表す。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the drawings, similar constituent elements are denoted by common reference numerals, and description thereof is omitted as appropriate. Moreover, the figure is a schematic diagram and does not match the actual dimensional ratio. In addition, "-" between the numbers in a sentence represents the following from the above, unless there is particular notice.

本実施形態のプリント配線基板用樹脂組成物(P)(以下、樹脂組成物(P)とも呼ぶ。)はプリント配線基板における絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、マレイミド化合物(A)を含む。そして、上記マレイミド化合物(A)が下記式(a)により示されるビスマレイミド化合物(A1)を少なくとも含む。   The printed wiring board resin composition (P) of the present embodiment (hereinafter also referred to as a resin composition (P)) is a thermosetting resin composition used for forming an insulating layer in a printed wiring board. And a maleimide compound (A). The maleimide compound (A) includes at least a bismaleimide compound (A1) represented by the following formula (a).

Figure 2016196549
(上記式(a)において、Qは炭素数6以上の2価の直鎖状、分枝鎖状または環状の脂肪族炭化水素基であり、Pは2価の原子または有機基であり、nは1以上10以下の整数である)
Figure 2016196549
(In the above formula (a), Q is a divalent linear, branched or cyclic aliphatic hydrocarbon group having 6 or more carbon atoms, P is a divalent atom or organic group, and n Is an integer from 1 to 10.

本発明者の検討によれば、マレイミド化合物(A)を含む熱硬化性樹脂組成物において、マレイミド化合物(A)が上記式(a)により示されるビスマレイミド化合物(A1)を少なくとも含む熱硬化性樹脂組成物を用いて形成された硬化物は高温での熱収縮が小さいことが明らかになった。本発明者は上記知見を元にさらに鋭意検討した。その結果、このような硬化物をプリント配線基板における絶縁層に用いることにより、微細な回路寸法を有しながらも高温高湿下での絶縁信頼性に優れるプリント配線基板を実現できることを明らかにし、本発明を完成させた。
樹脂組成物(P)により形成される絶縁層は、高温での熱収縮が小さいため、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、絶縁層と回路層との密着性を維持することができる。そのため、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性を高めることができると考えられる。
また、樹脂組成物(P)により形成される絶縁層は高温での熱収縮が小さいため、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、半導体素子とプリント配線基板間で発生する応力を低減することができる。その結果、得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれを抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性を高めることができると考えられる。
According to the study of the present inventors, in the thermosetting resin composition containing the maleimide compound (A), the thermosetting resin contains at least the bismaleimide compound (A1) represented by the above formula (a). It became clear that the hardened | cured material formed using the resin composition had small thermal shrinkage at high temperature. The present inventor has made further studies based on the above findings. As a result, by using such a cured product as an insulating layer in a printed wiring board, it is clarified that a printed wiring board having excellent circuit reliability and high insulation reliability under high temperature and high humidity can be realized. The present invention has been completed.
The insulating layer formed of the resin composition (P) has low thermal shrinkage at high temperatures, and therefore can maintain the adhesion between the insulating layer and the circuit layer even when placed in a situation where the temperature changes drastically for a long time. it can. Therefore, it is considered that the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity can be improved.
In addition, the insulation layer formed from the resin composition (P) has low thermal shrinkage at high temperatures, reducing the stress generated between the semiconductor element and the printed wiring board even if it is left for a long period of time under severe temperature changes. can do. As a result, in the obtained semiconductor device, it is considered that the positional deviation of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be suppressed, and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be improved.

以下、樹脂組成物(P)、プリプレグ、樹脂基板、金属張積層板200、プリント配線基板300、および半導体装置400について詳細に説明する。   Hereinafter, the resin composition (P), the prepreg, the resin substrate, the metal-clad laminate 200, the printed wiring board 300, and the semiconductor device 400 will be described in detail.

マレイミド化合物(A)は下記式(a)により示されるビスマレイミド化合物(A1)を少なくとも含む。   The maleimide compound (A) includes at least a bismaleimide compound (A1) represented by the following formula (a).

Figure 2016196549
(上記式(a)において、Qは炭素数6以上の2価の直鎖状、分枝鎖状または環状の脂肪族炭化水素基であり、Pは2価の原子または有機基であり、nは1以上10以下の整数である)
Figure 2016196549
(In the above formula (a), Q is a divalent linear, branched or cyclic aliphatic hydrocarbon group having 6 or more carbon atoms, P is a divalent atom or organic group, and n Is an integer from 1 to 10.

ここで、Pで表される2価の原子は、O、S等が挙げられる。2価の有機基は、「−CO−」で表される基、「−COO−」で表される基、「−CH−」で表される基、「−C(CH−」で表される基、「−C(CF−」で表される基、「−S−」で表される基、「−SO−」で表される基、「−SO−」で表される基等が挙げられる。また、これらの原子または有機基を少なくとも1つ以上含む有機基が挙げられる。上記した原子または有機基を含む有機基としては、上記以外の構造として、炭素数1以上3以下の炭化水素基、ベンゼン環、シクロ環、ウレタン結合等を有するものが挙げられる。その場合のPとして次の化学式で表される基が例示できる。 Here, examples of the divalent atom represented by P include O and S. The divalent organic group includes a group represented by “—CO—”, a group represented by “—COO—”, a group represented by “—CH 2 —”, and “—C (CH 3 ) 2 —. , A group represented by “—C (CF 3 ) 2 —”, a group represented by “—S 2 —”, a group represented by “—SO—”, “—SO 2 ”. Group represented by-"and the like. Moreover, the organic group containing at least 1 or more of these atoms or organic groups is mentioned. Examples of the organic group including the above-described atom or organic group include those having a hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, a benzene ring, a cyclo ring, a urethane bond and the like as a structure other than the above. Examples of P in that case include groups represented by the following chemical formula.

Figure 2016196549
Figure 2016196549

このようなビスマレイミド化合物(A1)の具体例としては、例えば、以下の式(a1)により示されるビスマレイミド化合物、以下の式(a2)により示されるビスマレイミド化合物、以下の式(a3)により示されるビスマレイミド化合物等が挙げられる。式(a1)により示されるビスマレイミド化合物の具体例のとしてはBMI−1500(デジグナーモレキュールズ社製、分子量1500)等が挙げられる。式(a2)により示されるビスマレイミド化合物の具体例のとしてはBMI−1700(デジグナーモレキュールズ社製、分子量1700)、BMI−1400(デジグナーモレキュールズ社製、分子量 1400)等が挙げられる。式(a3)により示されるビスマレイミド化合物の具体例のとしてはBMI−3000(デジグナーモレキュールズ社製、分子量3000)等が挙げられる。   Specific examples of such a bismaleimide compound (A1) include, for example, a bismaleimide compound represented by the following formula (a1), a bismaleimide compound represented by the following formula (a2), and the following formula (a3). The bismaleimide compound shown etc. are mentioned. Specific examples of the bismaleimide compound represented by the formula (a1) include BMI-1500 (manufactured by Designa Molecules Co., Ltd., molecular weight 1500). Specific examples of the bismaleimide compound represented by the formula (a2) include BMI-1700 (manufactured by Designer Molecules, molecular weight 1700), BMI-1400 (manufactured by Diginer Molecules, molecular weight 1400), and the like. It is done. Specific examples of the bismaleimide compound represented by the formula (a3) include BMI-3000 (manufactured by Designa Molecules Co., Ltd., molecular weight 3000).

Figure 2016196549
上記式(a1)において、nは1以上10以下の整数を示す。
Figure 2016196549
In the above formula (a1), n represents an integer of 1 or more and 10 or less.

Figure 2016196549
上記式(a2)において、nは1以上10以下の整数を示す。
Figure 2016196549
In the above formula (a2), n represents an integer of 1 or more and 10 or less.

Figure 2016196549
上記式(a3)において、nは1以上10以下の整数を示す。
Figure 2016196549
In the above formula (a3), n represents an integer of 1 or more and 10 or less.

樹脂組成物(P)中に含まれるマレイミド化合物(A)の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、1.0質量%以上25.0質量%以下が好ましく、2.0質量%以上22.0質量%以下がより好ましく、5.0質量%以上20.0質量%以下がさらに好ましい。マレイミド化合物(A)の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の低熱収縮性および耐薬品性のバランスをより一層向上させることができる。   The content of the maleimide compound (A) contained in the resin composition (P) is not particularly limited, but when the total solid content of the resin composition (P) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass 1.0 mass% or more and 25.0 mass% or less is preferable, 2.0 mass% or more and 22.0 mass% or less are more preferable, and 5.0 mass% or more and 20.0 mass% or less are more preferable. When the content of the maleimide compound (A) is within the above range, the balance between low heat shrinkage and chemical resistance of the cured product of the prepreg and the resin substrate obtained can be further improved.

マレイミド化合物(A)中に含まれるビスマレイミド化合物(A1)の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(P)中に含まれるマレイミド化合物(A)を100質量%としたとき、1質量%以上100質量%以下が好ましく、1質量%以上95質量%以下がより好ましく、10質量%以上75質量%以下がさらに好ましく、30質量%以上75質量%以下が特に好ましい。ビスマレイミド化合物(A1)の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の低熱収縮性および耐薬品性のバランスをより一層向上させることができる。   The content of the bismaleimide compound (A1) contained in the maleimide compound (A) is not particularly limited, but is 1 mass when the maleimide compound (A) contained in the resin composition (P) is 100 mass%. % To 100% by mass, more preferably 1% to 95% by mass, still more preferably 10% to 75% by mass, and particularly preferably 30% to 75% by mass. When the content of the bismaleimide compound (A1) is within the above range, the balance of low heat shrinkage and chemical resistance of the cured product of the prepreg obtained and the resin substrate can be further improved.

マレイミド化合物(A)の重量平均分子量(Mw)の下限は、とくに限定されないが、Mw400以上が好ましく、とくにMw800以上が好ましい。Mwが上記下限値以上であると、プリプレグにタック性が生じるのを抑制することができる。Mwの上限は、とくに限定されないが、Mw4000以下が好ましく、Mw2500以下がより好ましい。Mwが上記上限値以下であると、樹脂基板作製時、繊維基材への含浸性が向上し、より均一な樹脂基板を得ることができる。マレイミド化合物(A)のMwは、例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。   Although the minimum of the weight average molecular weight (Mw) of a maleimide compound (A) is not specifically limited, Mw400 or more is preferable and especially Mw800 or more is preferable. It can suppress that tackiness arises in a prepreg as Mw is more than the said lower limit. The upper limit of Mw is not particularly limited, but is preferably Mw 4000 or less, and more preferably Mw 2500 or less. When the Mw is not more than the above upper limit value, the impregnation property to the fiber base material is improved during the production of the resin substrate, and a more uniform resin substrate can be obtained. Mw of the maleimide compound (A) can be measured, for example, by GPC (gel permeation chromatography, standard substance: converted to polystyrene).

樹脂組成物(P)は、ビスマレイミド化合物(A1)とは異なる種類のマレイミド化合物(A2)をさらに含むことができる。
このようなマレイミド化合物(A2)としては、例えば、下記式(1)により示されるマレイミド化合物;1,6'−ビスマレイミド−(2,2,4−トリメチル)ヘキサン、ヘキサメチレンジアミンビスマレイミド、N,N'−1,2−エチレンビスマレイミド、N,N'−1,3−プロピレンビスマレイミド、N,N'−1,4−テトラメチレンビスマレイミド等の脂肪族ビスマレイミド化合物等を挙げることができる。これらの中でも下記式(1)により示されるマレイミド化合物、1,6'−ビスマレイミド−(2,2,4−トリメチル)ヘキサンが特に好ましい。マレイミド化合物(A2)は、単独で使用しても良く、二種類以上を併用してもよい。
The resin composition (P) can further contain a different type of maleimide compound (A2) from the bismaleimide compound (A1).
Examples of such maleimide compound (A2) include a maleimide compound represented by the following formula (1); 1,6′-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane, hexamethylenediamine bismaleimide, N , N′-1,2-ethylene bismaleimide, N, N′-1,3-propylene bismaleimide, aliphatic bismaleimide compounds such as N, N′-1,4-tetramethylene bismaleimide, and the like. it can. Among these, a maleimide compound represented by the following formula (1) and 1,6′-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane are particularly preferable. A maleimide compound (A2) may be used independently and may use 2 or more types together.

Figure 2016196549
(式(1)において、nは0以上10以下の整数であり、Xはそれぞれ独立に炭素数1以上10以下のアルキレン基、下記式(1a)で表される基、式「−SO−」で表される基、「−CO−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Rはそれぞれ独立に炭素数1以上6以下の炭化水素基であり、aはそれぞれ独立に0以上4以下の整数であり、bはそれぞれ独立に0以上3以下の整数である)
Figure 2016196549
(In Formula (1), n 1 is an integer of 0 or more and 10 or less, X 1 is independently an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by the following Formula (1a), a formula “—SO A group represented by “ 2- ”, a group represented by “—CO—”, an oxygen atom or a single bond, each R 1 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and a is each Each independently represents an integer of 0 or more and 4 or less, and each b is independently an integer of 0 or more and 3 or less)

Figure 2016196549
(上記式(1a)において、Yは芳香族環を有する炭素数6以上30以下の炭化水素基であり、nは0以上の整数である)
Figure 2016196549
(In the above formula (1a), Y is a hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms having an aromatic ring, and n 2 is an integer of 0 or more)

における1以上10以下のアルキレン基としては、特に限定されないが、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。 The alkylene group of 1 to 10 in X 1 is not particularly limited, but is preferably a linear or branched alkylene group.

この直鎖状のアルキレン基としては、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デカニレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられる。   Specific examples of the linear alkylene group include methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, pentylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, nonylene group, decanylene group, trimethylene group, tetramethylene group. Group, pentamethylene group, hexamethylene group and the like.

また、分岐鎖状のアルキレン基としては、具体的には、−C(CH−(イソプロピレン基)、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−のようなアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−のようなアルキルエチレン基等が挙げられる。 Specific examples of the branched alkylene group include —C (CH 3 ) 2 — (isopropylene group), —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, and —C. (CH 3) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - alkyl methylene groups such as; -CH (CH 3 ) CH 2 -, - CH ( CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 Examples thereof include an alkylethylene group such as —CH 2 —.

なお、Xにおけるアルキレン基の炭素数は、1以上10以下であればよいが、1以上7以下であることが好ましく、1以上3以下であることがより好ましい。具体的には、このような炭素数を有するアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基が挙げられる。 Note that the number of carbon atoms of the alkylene group in X 1 may be 1 or more and 10 or less, preferably 1 or more and 7 or less, and more preferably 1 or more and 3 or less. Specifically, examples of the alkylene group having such a carbon number include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and an isopropylene group.

また、Rは、それぞれ独立して、炭素数1以上6以下の炭化水素基であるが、炭素数1または2の炭化水素基、具体的には、例えば、メチル基またはエチル基であるのが好ましい。 R 1 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and is a hydrocarbon group having 1 or 2 carbon atoms, specifically, for example, a methyl group or an ethyl group. Is preferred.

さらに、aは0以上4以下の整数であり、0以上2以下の整数であることが好ましく、0であることがより好ましい。また、bは0以上3以下の整数であり、0または1であることが好ましく、0であることがより好ましい。   Furthermore, a is an integer of 0 or more and 4 or less, preferably an integer of 0 or more and 2 or less, and more preferably 0. Further, b is an integer of 0 or more and 3 or less, preferably 0 or 1, and more preferably 0.

また、nは0以上10以下の整数であり、0以上6以下の整数であることが好ましく、0以上4以下の整数であるのがより好ましく、0以上3以下の整数であるのが特に好ましい。また、マレイミド化合物(A2)は上記式(1)においてnが1以上の化合物を少なくとも含むことがより好ましい。これにより、樹脂組成物(P)から得られる絶縁層はより優れた耐熱性を発揮するものとなる。
さらに、上記式(1a)において、Yは芳香族環を有する炭素数6以上30以下の炭化水素基であり、nは0以上の整数である。
N 1 is an integer of 0 or more and 10 or less, preferably an integer of 0 or more and 6 or less, more preferably an integer of 0 or more and 4 or less, and particularly preferably an integer of 0 or more and 3 or less. preferable. The maleimide compound (A2) more preferably includes at least a compound in which n 1 is 1 or more in the above formula (1). Thereby, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits more excellent heat resistance.
Further, in the above formula (1a), Y is 30 or less hydrocarbon group having 6 or more carbon atoms having an aromatic ring, n 2 is an integer of 0 or more.

この芳香族環を有する炭素数6以上30以下の炭化水素基は、芳香族環のみからなるものでもよいし、芳香族環以外の炭化水素基を有していてもよい。Yが有する芳香族環は、1つでもよいし、2つ以上でもよく、2つ以上の場合、これら芳香族環は、同一でも異なっていてもよい。また、上記芳香族環は、単環構造および多環構造のいずれでもよい。   The hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms and having an aromatic ring may be composed only of an aromatic ring or may have a hydrocarbon group other than the aromatic ring. Y may have one aromatic ring or two or more aromatic rings, and in the case of two or more, these aromatic rings may be the same or different. The aromatic ring may be a monocyclic structure or a polycyclic structure.

具体的には、芳香族環を有する炭素数6以上30以下の炭化水素基としては、例えば、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フルオレン、フェナントレイン、インダセン、ターフェニル、アセナフチレン、フェナレン等の芳香族性を有する化合物の核から水素原子を2つ除いた2価の基が挙げられる。   Specifically, examples of the hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms having an aromatic ring include aromatics such as benzene, biphenyl, naphthalene, anthracene, fluorene, phenanthrene, indacene, terphenyl, acenaphthylene, and phenalene. And a divalent group obtained by removing two hydrogen atoms from the nucleus of a compound having family properties.

また、これら芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。ここで芳香族炭化水素基が置換基を有するとは、芳香族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部が置換基により置換されたことをいう。置換基としては、例えば、アルキル基が挙げられる。   Moreover, these aromatic hydrocarbon groups may have a substituent. Here, that the aromatic hydrocarbon group has a substituent means that part or all of the hydrogen atoms constituting the aromatic hydrocarbon group are substituted by the substituent. Examples of the substituent include an alkyl group.

この置換基としてのアルキル基としては、鎖状のアルキル基であることが好ましい。また、その炭素数は1以上10以下であることが好ましく、1以上6以下であることがより好ましく、1以上4以下であることが特に好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基等が挙げられる。   The alkyl group as the substituent is preferably a chain alkyl group. The number of carbon atoms is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 6 or less, and particularly preferably 1 or more and 4 or less. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a tert-butyl group, and a sec-butyl group.

このような基Yは、ベンゼンまたはナフタレンから水素原子を2つ除いた基を有することが好ましく、上記式(1a)で表される基としては、下記式(1a−1)、(1a−2)のいずれかで表される基であることが好ましい。これにより、樹脂組成物(P)から得られる絶縁層はより優れた耐熱性を発揮するものとなる。   Such a group Y preferably has a group obtained by removing two hydrogen atoms from benzene or naphthalene. Examples of the group represented by the above formula (1a) include the following formulas (1a-1) and (1a-2). It is preferable that it is group represented by either of these. Thereby, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits more excellent heat resistance.

Figure 2016196549
上記式(1a−1)、(1a−2)中、Rは、それぞれ独立に炭素数1以上6以下の炭化水素基である。eはそれぞれ独立に0以上4以下の整数、より好ましくは0である。
Figure 2016196549
In the above formulas (1a-1) and (1a-2), R 4 is each independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms. Each e is independently an integer of 0 or more and 4 or less, more preferably 0.

さらに、上記式(1a)で表される基において、nは、0以上の整数であればよいが、0以上5以下の整数であることが好ましく、1以上3以下の整数であることがより好ましく、1または2であることが特に好ましい。 Further, in the group represented by the above formula (1a), n 2 may be an integer of 0 or more, preferably an integer of 0 or more and 5 or less, and preferably an integer of 1 or more and 3 or less. More preferably, 1 or 2 is particularly preferable.

以上のことから、上記式(1)により示されるマレイミド化合物(A2)は、Xが、炭素数1以上3以下の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、Rが1または2の炭化水素基であり、aが0以上2以下の整数であり、bが0または1であり、nが1以上4以下の整数であることが好ましい。または、Xは上記式(1a−1)、(1a−2)のいずれかで表される基であり、eが0であることが好ましい。これにより、樹脂組成物(P)から得られる絶縁層は、より優れた低熱収縮性および耐薬品性を発揮するものとなる。 From the above, in the maleimide compound (A2) represented by the above formula (1), X 1 is a linear or branched alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and R 1 is 1 or 2 It is preferable that a is an integer of 0 or more and 2 or less, b is 0 or 1, and n 1 is an integer of 1 or more and 4 or less. Alternatively, X 1 is a group represented by any one of the above formulas (1a-1) and (1a-2), and e is preferably 0. Thereby, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits more excellent low heat shrinkability and chemical resistance.

上記式(1)により示されるマレイミド化合物(A2)の好ましい具体例としては、例えば、下記式(1−1)により示されるマレイミド化合物が特に好ましく使用される。   As a preferable specific example of the maleimide compound (A2) represented by the above formula (1), for example, a maleimide compound represented by the following formula (1-1) is particularly preferably used.

Figure 2016196549
Figure 2016196549

樹脂組成物(P)は、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の低熱収縮性および耐薬品性をより一層向上させる観点から、ベンゾオキサジン化合物(B)をさらに含むことが好ましい。ベンゾオキサジン化合物(B)はベンゾオキサジン環を有する化合物である。ベンゾオキサジン化合物(B)としては、下記式(2)により示される化合物、下記式(3)により示される化合物から選択される一種または二種以上が挙げられる。   The resin composition (P) preferably further contains a benzoxazine compound (B) from the viewpoint of further improving the cured product of the obtained prepreg and the low thermal shrinkage and chemical resistance of the resin substrate. The benzoxazine compound (B) is a compound having a benzoxazine ring. Examples of the benzoxazine compound (B) include one or more selected from a compound represented by the following formula (2) and a compound represented by the following formula (3).

Figure 2016196549
(上記式(2)において、Xはそれぞれ独立に炭素数1以上10以下のアルキレン基、上記式(1a)で表される基、式「−SO−」で表される基、「−CO−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Rはそれぞれ独立に炭素数1以上6以下の炭化水素基であり、cはそれぞれ独立に0以上4以下の整数である)
Figure 2016196549
(In the above formula (2), each X 2 independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by the above formula (1a), a group represented by the formula “—SO 2 —”, “— A group represented by “CO—”, an oxygen atom or a single bond, R 2 is each independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and c is each independently an integer of 0 to 4)

Figure 2016196549
(上記式(3)において、Xはそれぞれ独立に炭素数1以上10以下のアルキレン基、上記式(1a)で表される基、式「−SO−」で表される基、「−CO−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Rはそれぞれ独立に炭素数1以上6以下の炭化水素基であり、dはそれぞれ独立に0以上4以下の整数である)
Figure 2016196549
(In the formula (3), X 3 each independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by the formula (1a), a group represented by the formula “—SO 2 —”, “— A group represented by "CO-", an oxygen atom or a single bond, each R 3 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and d is each independently an integer of 0 to 4)

上記式(2)および上記式(3)におけるXおよびXとしては、上記式(1)におけるXで説明したのと同様のものが挙げられる。また、上記式(2)および上記式(3)におけるRおよびRとしては、上記式(1)におけるRで説明したのと同様とすることができ、さらに、上記式(2)および上記式(3)におけるcおよびdとしては、上記式(1)におけるaで説明したのと同様とすることができる。 Examples of X 2 and X 3 in the above formula (2) and the above formula (3) include the same as those described for X 1 in the above formula (1). In addition, R 2 and R 3 in the above formula (2) and the above formula (3) can be the same as those described for R 1 in the above formula (1). Furthermore, the above formula (2) and C and d in the above formula (3) can be the same as those described for a in the above formula (1).

このようなベンゾオキサジン化合物(B)としては、上記式(2)で表される化合物および上記式(3)で表される化合物のうち、上記式(2)で表される化合物であるのが好ましい。これにより、樹脂組成物(P)から得られる絶縁層は、より優れた低熱収縮性および耐薬品性を発揮するものとなる。   The benzoxazine compound (B) is a compound represented by the above formula (2) among the compounds represented by the above formula (2) and the above formula (3). preferable. Thereby, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits more excellent low heat shrinkability and chemical resistance.

また、この上記式(2)で表される化合物は、上記Xが炭素数1以上3以下の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、Rが1または2の炭化水素基であり、cが0以上2以下の整数であることが好ましい。または、上記Xは上記式(1a−1)、(1a−2)のいずれかで表される基であり、cが0であることが好ましい。これにより、樹脂組成物(P)から得られる絶縁層は、より優れた低熱収縮性および耐薬品性を発揮するものとなる。 In the compound represented by the formula (2), X 2 is a linear or branched alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and R 2 is a hydrocarbon group having 1 or 2 carbon atoms. And c is preferably an integer of 0 or more and 2 or less. Alternatively, X 2 is a group represented by any one of the formulas (1a-1) and (1a-2), and c is preferably 0. Thereby, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits more excellent low heat shrinkability and chemical resistance.

ベンゾオキサジン化合物(B)の好ましい具体例としては、例えば、下記式(2−1)により示される化合物、下記式(2−2)により示される化合物、下記式(2−3)により示される化合物、下記式(3−1)により示される化合物、下記式(3−2)により示される化合物および下記式(3−3)により示される化合物から選択される一種または二種以上が挙げられる。   Preferred specific examples of the benzoxazine compound (B) include, for example, a compound represented by the following formula (2-1), a compound represented by the following formula (2-2), and a compound represented by the following formula (2-3). , One or more selected from compounds represented by the following formula (3-1), compounds represented by the following formula (3-2), and compounds represented by the following formula (3-3).

Figure 2016196549
(上記式(2−3)において、Rはそれぞれ独立に炭素数1〜4の炭化水素基である)
Figure 2016196549
(In the above formula (2-3), each R is independently a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms)

Figure 2016196549
Figure 2016196549

Figure 2016196549
Figure 2016196549

樹脂組成物(P)中に含まれるベンゾオキサジン化合物(B)の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、1.0質量%以上25.0質量%以下が好ましく、2.0質量%以上15.0質量%以下がより好ましい。ベンゾオキサジン化合物(B)の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の低熱収縮性および耐薬品性をより一層向上させることができる。   The content of the benzoxazine compound (B) contained in the resin composition (P) is not particularly limited, but the total solid content (that is, the component excluding the solvent) of the resin composition (P) is 100% by mass. In this case, 1.0% by mass to 25.0% by mass is preferable, and 2.0% by mass to 15.0% by mass is more preferable. When the content of the benzoxazine compound (B) is within the above range, the cured product of the obtained prepreg and the low thermal shrinkage and chemical resistance of the resin substrate can be further improved.

樹脂組成物(P)中に含まれるマレイミド化合物(A)の含有量は、マレイミド化合物(A)およびベンゾオキサジン化合物(B)の合計100質量%に対して35質量%以上80質量%以下であることが好ましい。これにより、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性、低熱収縮性および耐薬品性をより一層向上させることができる。   The content of the maleimide compound (A) contained in the resin composition (P) is 35% by mass or more and 80% by mass or less with respect to 100% by mass in total of the maleimide compound (A) and the benzoxazine compound (B). It is preferable. Thereby, the heat resistance of the hardened | cured material of the obtained prepreg and a resin substrate, low heat shrinkability, and chemical resistance can be improved further.

本実施形態に係る樹脂組成物(P)はエポキシ樹脂(D)をさらに含むことができる。
エポキシ樹脂(D)としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4'−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4'−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)等のビスフェノール型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂;ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、2官能ないし4官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;フェノキシ型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;ノルボルネン型エポキシ樹脂;アダマンタン型エポキシ樹脂;フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
The resin composition (P) according to the present embodiment can further include an epoxy resin (D).
Examples of the epoxy resin (D) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin (4,4 ′-(1,3- Phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4 '-(1,4-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol Z type epoxy resin (4,4' Bisphenol-type epoxy resins such as cyclohexenediene bisphenol-type epoxy resins; phenol novolak-type epoxy resins, cresol novolak-type epoxy resins, tetraphenol-based ethane-type novolak-type epoxy resins, and noses having a condensed ring aromatic hydrocarbon structure Novolak type epoxy resins such as rack type epoxy resins; biphenyl type epoxy resins; aralkyl type epoxy resins such as xylylene type epoxy resins and biphenyl aralkyl type epoxy resins; naphthylene ether type epoxy resins, naphthol type epoxy resins, naphthalenediol type epoxy resins Naphthalene type epoxy resins such as bifunctional to tetrafunctional epoxy type naphthalene resins, binaphthyl type epoxy resins, naphthalene aralkyl type epoxy resins; anthracene type epoxy resins; phenoxy type epoxy resins; dicyclopentadiene type epoxy resins; norbornene type epoxy resins; Examples thereof include adamantane type epoxy resins; fluorene type epoxy resins.

エポキシ樹脂(D)として、これらの中の一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよく、一種類または二種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。   As the epoxy resin (D), one of these may be used alone, two or more of them may be used in combination, and one or two or more thereof and a prepolymer thereof may be used in combination. .

エポキシ樹脂(D)の中でも、得られるプリント配線基板の耐熱性および絶縁信頼性をより一層向上できる観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上が好ましく、アラルキル型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂およびナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上がより好ましい。   Among epoxy resins (D), bisphenol type epoxy resin, novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, aralkyl type epoxy resin, naphthalene type from the viewpoint of further improving the heat resistance and insulation reliability of the obtained printed wiring board One or more selected from the group consisting of epoxy resins, anthracene type epoxy resins and dicyclopentadiene type epoxy resins are preferred, aralkyl type epoxy resins, novolak type epoxy resins having a condensed ring aromatic hydrocarbon structure and naphthalene types One or more selected from the group consisting of epoxy resins are more preferred.

ビスフェノールA型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「エピコート828EL」および「YL980」等を用いることができる。ビスフェノールF型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「jER806H」および「YL983U」、DIC社製の「EPICLON 830S」等を用いることができる。2官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、DIC社製の「HP4032」、「HP4032D」および「HP4032SS」等を用いることができる。4官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、DIC社製の「HP4700」および「HP4710」等を用いることができる。ナフトール型エポキシ樹脂としては、新日鐵化学社製の「ESN−475V」、日本化薬社製の「NC7000L」等を用いることができる。アラルキル型エポキシ樹脂としては、日本化薬社製の「NC3000」、「NC3000H」、「NC3000L」、「NC3000S」、「NC3000S−H」、「NC3100」、新日鐵化学社製の「ESN−170」、および「ESN−480」等を用いることができる。ビフェニル型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「YX4000」、「YX4000H」、「YX4000HK」および「YL6121」等を用いることができる。アントラセン型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「YX8800」等を用いることができる。ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、DIC社製の「HP6000」、「EXA−7310」、「EXA−7311」、「EXA−7311L」および「EXA7311−G3」等を用いることができる。   As the bisphenol A type epoxy resin, "Epicoat 828EL" and "YL980" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be used. As the bisphenol F type epoxy resin, “jER806H” and “YL983U” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, “EPICLON 830S” manufactured by DIC Corporation, and the like can be used. As the bifunctional naphthalene type epoxy resin, “HP4032”, “HP4032D”, “HP4032SS” manufactured by DIC, and the like can be used. As the tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, “HP4700” and “HP4710” manufactured by DIC, etc. can be used. As the naphthol type epoxy resin, “ESN-475V” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., “NC7000L” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. and the like can be used. As the aralkyl type epoxy resin, “NC3000”, “NC3000H”, “NC3000L”, “NC3000S”, “NC3000S-H”, “NC3100” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., “ESN-170” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. And “ESN-480” can be used. As the biphenyl type epoxy resin, “YX4000”, “YX4000H”, “YX4000HK”, “YL6121”, etc. manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be used. As the anthracene type epoxy resin, “YX8800” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be used. As the naphthylene ether type epoxy resin, “HP6000”, “EXA-7310”, “EXA-7311”, “EXA-7311L”, “EXA7311-G3” and the like manufactured by DIC can be used.

エポキシ樹脂(D)として、これらの中の一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよく、一種類または二種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。   As the epoxy resin (D), one of these may be used alone, two or more may be used in combination, or one or two or more and those prepolymers may be used in combination. Good.

これらエポキシ樹脂(D)の中でも特にアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、樹脂基板の吸湿半田耐熱性および難燃性をさらに向上させることができる。   Among these epoxy resins (D), an aralkyl type epoxy resin is particularly preferable. Thereby, the moisture absorption solder heat resistance and flame retardance of the resin substrate can be further improved.

エポキシ樹脂(D)の重量平均分子量(Mw)の下限は、特に限定されないが、Mw300以上が好ましく、特にMw800以上が好ましい。Mwが上記下限値以上であると、プリプレグにタック性が生じるのを抑制することができる。Mwの上限は、特に限定されないが、Mw20,000以下が好ましく、特にMw15,000以下が好ましい。Mwが上記上限値以下であると、プリプレグの作製時、繊維基材への含浸性が向上し、より均一なプリプレグを得ることができる。エポキシ樹脂のMwは、例えばGPCで測定することができる。   Although the minimum of the weight average molecular weight (Mw) of an epoxy resin (D) is not specifically limited, Mw300 or more is preferable and especially Mw800 or more is preferable. It can suppress that tackiness arises in a prepreg as Mw is more than the said lower limit. The upper limit of Mw is not particularly limited, but is preferably Mw 20,000 or less, and particularly preferably Mw 15,000 or less. When the Mw is not more than the above upper limit, the impregnation property to the fiber base material is improved at the time of producing the prepreg, and a more uniform prepreg can be obtained. The Mw of the epoxy resin can be measured by GPC, for example.

樹脂組成物(P)中に含まれるエポキシ樹脂(D)の含有量は、その目的に応じて適宜調整されれば良く特に限定されないが、樹脂組成物(P)中の無機充填材(C)を除く成分の全量を100質量%としたとき、1質量%以上50質量%以下であることが好ましい。エポキシ樹脂(D)の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上し、プリプレグを形成するのが容易となる。エポキシ樹脂(D)の含有量が上記上限値以下であると、得られるプリント配線基板の強度や難燃性が向上したり、プリント配線基板の線膨張係数が低下し、反りの低減効果が向上したりする場合がある。   The content of the epoxy resin (D) contained in the resin composition (P) is not particularly limited as long as it is appropriately adjusted according to the purpose, but the inorganic filler (C) in the resin composition (P). When the total amount of the components excluding is 100% by mass, it is preferably 1% by mass or more and 50% by mass or less. When the content of the epoxy resin (D) is not less than the above lower limit value, handling properties are improved, and it becomes easy to form a prepreg. When the content of the epoxy resin (D) is less than or equal to the above upper limit, the strength and flame retardancy of the obtained printed wiring board are improved, the linear expansion coefficient of the printed wiring board is lowered, and the warp reduction effect is improved. There is a case to do.

本実施形態に係る樹脂組成物(P)は、無機充填材(C)をさらに含むことが好ましい。これにより、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の貯蔵弾性率E'を向上させることができる。さらに、得られる絶縁層301の線膨張係数を小さくすることができる。   It is preferable that the resin composition (P) according to the present embodiment further includes an inorganic filler (C). Thereby, the hardened | cured material of the obtained prepreg and the storage elastic modulus E 'of a resin substrate can be improved. Furthermore, the linear expansion coefficient of the insulating layer 301 obtained can be reduced.

無機充填材(C)としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩;酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカ等の酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩;水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物;硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩;ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩;窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物;チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。
これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましく、シリカが特に好ましい。無機充填材(C)としては、これらの中の一種類を単独で用いてもよく、二種類以上を併用してもよい。
Examples of the inorganic filler (C) include silicates such as talc, fired clay, unfired clay, mica, and glass; oxides such as titanium oxide, alumina, boehmite, silica, and fused silica; calcium carbonate and magnesium carbonate Carbonates such as hydrotalcite; hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and calcium hydroxide; sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite; zinc borate, barium metaborate, Borates such as aluminum borate, calcium borate and sodium borate; nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride and carbon nitride; titanates such as strontium titanate and barium titanate it can.
Among these, talc, alumina, glass, silica, mica, boehmite, aluminum hydroxide, and magnesium hydroxide are preferable, and silica is particularly preferable. As the inorganic filler (C), one of these may be used alone, or two or more may be used in combination.

無機充填材(C)の平均粒子径は、特に限定されないが、0.01μm以上が好ましく、0.05μm以上がより好ましい。無機充填材(C)の平均粒子径が上記下限値以上であると、ワニスの粘度が高くなるのを抑制でき、プリプレグの作製時の作業性を向上させることができる。また、無機充填材(C)の平均粒子径は、特に限定されないが、5.0μm以下が好ましく、2.0μm以下がより好ましく、1.0μm以下がさらに好ましい。無機充填材(C)の平均粒子径が上記上限値以下であると、ワニス中で無機充填材(C)の沈降等の現象を抑制でき、より均一な樹脂層を得ることができる。また、プリント配線基板の回路寸法L/Sが20/20μmを下回る際には、配線間の絶縁性に影響を与えるのを抑制することができる。
無機充填材(C)の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA社製、LA−500)により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径(D50)を平均粒子径とすることができる。
Although the average particle diameter of an inorganic filler (C) is not specifically limited, 0.01 micrometer or more is preferable and 0.05 micrometer or more is more preferable. When the average particle diameter of the inorganic filler (C) is not less than the above lower limit value, it is possible to suppress the viscosity of the varnish from being increased, and the workability at the time of producing the prepreg can be improved. The average particle diameter of the inorganic filler (C) is not particularly limited, but is preferably 5.0 μm or less, more preferably 2.0 μm or less, and further preferably 1.0 μm or less. When the average particle size of the inorganic filler (C) is not more than the above upper limit value, phenomena such as sedimentation of the inorganic filler (C) in the varnish can be suppressed, and a more uniform resin layer can be obtained. Further, when the circuit dimension L / S of the printed wiring board is less than 20/20 μm, it is possible to suppress the influence on the insulation between the wirings.
The average particle size of the inorganic filler (C) is measured, for example, by measuring the particle size distribution on a volume basis using a laser diffraction particle size distribution measuring device (LA-500, manufactured by HORIBA), and the median diameter (D 50 ). Can be the average particle size.

また、無機充填材(C)は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および/または多分散の無機充填材を一種類または二種類以上で併用してもよい。   The inorganic filler (C) is not particularly limited, but an inorganic filler having a monodispersed average particle diameter may be used, or an inorganic filler having a polydispersed average particle diameter may be used. Furthermore, one type or two or more types of inorganic fillers having a monodispersed and / or polydispersed average particle size may be used in combination.

無機充填材(C)はシリカ粒子が好ましく、平均粒子径5.0μm以下のシリカ粒子が好ましく、平均粒子径0.1μm以上4.0μm以下のシリカ粒子がより好ましく、0.2μm以上2.0μm以下のシリカ粒子が特に好ましい。これにより、無機充填材(C)の充填性をさらに向上させることができる。   The inorganic filler (C) is preferably silica particles, preferably silica particles having an average particle size of 5.0 μm or less, more preferably silica particles having an average particle size of 0.1 μm to 4.0 μm, and 0.2 μm to 2.0 μm. The following silica particles are particularly preferred. Thereby, the filling property of an inorganic filler (C) can further be improved.

樹脂組成物(P)中に含まれる無機充填材(C)の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、50.0質量%以上85.0質量%以下が好ましく、60.0質量%以上80.0質量%以下がより好ましい。無機充填材(C)の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板をより低熱膨張、低吸水とすることができる。   The content of the inorganic filler (C) contained in the resin composition (P) is not particularly limited, but the total solid content (that is, the component excluding the solvent) of the resin composition (P) is 100% by mass. When it is 50.0 mass% or more and 85.0 mass% or less, 60.0 mass% or more and 80.0 mass% or less are more preferable. When the content of the inorganic filler (C) is within the above range, the obtained prepreg cured product or resin substrate can be further reduced in thermal expansion and water absorption.

樹脂組成物(P)は、低応力材(E)をさらに含むことが好ましい。これにより、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の応力を緩和させたり、回路層等の他の部材との密着性をより向上させたりすることができる。
低応力材(E)としては、例えば、(メタ)アクリル系ブロック共重合体;シリコーン化合物;カルボキシル基、アミノ基、ビニルアクリレート基またはエポキシ基により変性されたアクリロニトリル・ブタジエンゴム;脂肪族エポキシ樹脂;およびゴム粒子等から選択される一種または二種以上が挙げられる。
It is preferable that the resin composition (P) further includes a low stress material (E). Thereby, the cured product of the obtained prepreg and the stress of the resin substrate can be relaxed, and the adhesion with other members such as a circuit layer can be further improved.
Examples of the low stress material (E) include (meth) acrylic block copolymer; silicone compound; acrylonitrile-butadiene rubber modified with carboxyl group, amino group, vinyl acrylate group or epoxy group; aliphatic epoxy resin; And one or more selected from rubber particles and the like.

(メタ)アクリル系ブロック共重合体は(メタ)アクリル系モノマーを必須のモノマー成分として含有するブロック共重合体である。上記アクリル系モノマーとしては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸t−ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル酸ステアリル等の(メタ)アクリル酸アルキルエステル;アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル等の脂環構造を有する(メタ)アクリル酸エステル;メタクリル酸ベンジル等の芳香環を有する(メタ)アクリル酸エステル;メタクリル酸2−トリフルオロエチル等の(メタ)アクリル酸の(フルオロ)アルキルエステル;アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等の分子中にカルボキシル基を有するカルボキシル基含有アクリル単量体;アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、アクリル酸4−ヒドロキシブチル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸4−ヒドロキシブチル、グリセリンのモノ(メタ)アクリル酸エステル等の分子中に水酸基を有する水酸基含有アクリル単量体;メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸メチルグリシジル、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート等の分子中にエポキシ基を有するアクリル単量体;アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル等の分子中にアリル基を有するアリル基含有アクリル単量体;γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン等の分子中に加水分解性シリル基を有するシラン基含有アクリル単量体;2−(2′−ヒドロキシ−5′−メタクリロキシエチルフェニル)−2H−ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系紫外線吸収性基を有する紫外線吸収性アクリル単量体等が挙げられる。   The (meth) acrylic block copolymer is a block copolymer containing a (meth) acrylic monomer as an essential monomer component. Examples of the acrylic monomer include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, methacrylic acid. (Meth) acrylic acid alkyl esters such as t-butyl acid, 2-ethylhexyl methacrylate, lauryl methacrylate and stearyl methacrylate; (meth) acrylic acid esters having an alicyclic structure such as cyclohexyl acrylate and cyclohexyl methacrylate; methacryl (Meth) acrylic acid ester having an aromatic ring such as benzyl acid; (fluoro) alkyl ester of (meth) acrylic acid such as 2-trifluoroethyl methacrylate; acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, etc. Min A carboxyl group-containing acrylic monomer having a carboxyl group therein; 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, methacryl Hydroxyl group-containing acrylic monomer having hydroxyl group in molecule such as 4-hydroxybutyl acid, mono (meth) acrylic acid ester of glycerin; molecule such as glycidyl methacrylate, methyl glycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate An acrylic monomer having an epoxy group therein; an allyl group-containing acrylic monomer having an allyl group in a molecule such as allyl acrylate and allyl methacrylate; γ-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloyl Silane group-containing acrylic monomer having hydrolyzable silyl group in the molecule such as oxypropyltriethoxysilane; benzotriazole such as 2- (2'-hydroxy-5'-methacryloxyethylphenyl) -2H-benzotriazole And UV-absorbing acrylic monomers having a UV-absorbing group.

なお、上記(メタ)アクリル系ブロック共重合体には、上記アクリル系モノマー以外のモノマーがモノマー成分として用いられていてもよい。上記アクリル系モノマー以外のモノマーとしては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物、ブタジエン、イソプレン等の共役ジエン、エチレン、プロピレン、イソブテン等のオレフィン等が挙げられる。   In the (meth) acrylic block copolymer, a monomer other than the acrylic monomer may be used as a monomer component. Examples of the monomer other than the acrylic monomer include aromatic vinyl compounds such as styrene and α-methylstyrene, conjugated dienes such as butadiene and isoprene, and olefins such as ethylene, propylene and isobutene.

上記(メタ)アクリル系ブロック共重合体としては、特に限定されないが、例えば、2つの重合体ブロックからなるジブロック共重合体や、3つの重合体ブロックからなるトリブロック共重合体、4つ以上の重合体ブロックより構成されるマルチブロック共重合体等が挙げられる。   Although it does not specifically limit as said (meth) acrylic-type block copolymer, For example, the diblock copolymer which consists of two polymer blocks, the triblock copolymer which consists of three polymer blocks, 4 or more And a multi-block copolymer composed of the polymer block.

中でも、上記(メタ)アクリル系ブロック共重合体としては、耐熱性、耐光性、及び耐クラック性向上の観点で、ガラス転移温度(Tg)が低い重合体ブロック(S)(ソフトブロック)と、重合体ブロック(S)よりも高いTgを有する重合体ブロック(H)(ハードブロック)が交互に並んだブロック共重合体が好ましく、より好ましくは重合体ブロック(S)を中間に有し、その両端に重合体ブロック(H)を有するH−S−H構造のトリブロック共重合体が好ましい。   Among them, as the (meth) acrylic block copolymer, from the viewpoint of improving heat resistance, light resistance, and crack resistance, a polymer block (S) (soft block) having a low glass transition temperature (Tg), A block copolymer in which polymer blocks (H) (hard blocks) having a Tg higher than that of the polymer block (S) are alternately arranged is preferred, more preferably a polymer block (S) in the middle, A triblock copolymer having an HSH structure having polymer blocks (H) at both ends is preferred.

樹脂組成物(P)における(メタ)アクリル系ブロック共重合体の好ましい具体例としては、例えば、上記重合体ブロック(S)がブチルアクリレート(BA)を主たるモノマーとして構成された重合体であり、上記重合体ブロック(H)がメチルメタクリレート(MMA)を主たるモノマーとして構成された重合体である、ポリメチルメタクリレート−block−ポリブチルアクリレート−block−ポリメチルメタクリレートターポリマー(PMMA−b−PBA−b−PMMA)等が挙げられる。   As a preferable specific example of the (meth) acrylic block copolymer in the resin composition (P), for example, the polymer block (S) is a polymer composed of butyl acrylate (BA) as a main monomer, Polymethylmethacrylate-block-polybutylacrylate-block-polymethylmethacrylate terpolymer (PMMA-b-PBA-b), wherein the polymer block (H) is a polymer composed mainly of methyl methacrylate (MMA). -PMMA) and the like.

また、上記(メタ)アクリル系ブロック共重合体としては、例えば、商品名「ナノストレングス M52N」、「ナノストレングス M22N」、「ナノストレングス M51」、「ナノストレングス M52」、「ナノストレングス M53」(アルケマ社製、PMMA−b−PBA−b−PMMA)、商品名「ナノストレングス E21」、「ナノストレングス E41」(アルケマ社製、PSt(ポリスチレン)−b−PBA−b−PMMA)等の市販品を使用することもできる。   Examples of the (meth) acrylic block copolymer include trade names “Nano Strength M52N”, “Nano Strength M22N”, “Nano Strength M51”, “Nano Strength M52”, “Nano Strength M53” (Arkema). Commercial products such as PMMA-b-PBA-b-PMMA), trade names “Nanostrength E21”, “Nanostrength E41” (manufactured by Arkema, PSt (polystyrene) -b-PBA-b-PMMA) It can also be used.

シリコーン化合物としては、例えば、シリコーンゴム、シリコーンオイル、シリコーンパウダー、シリコーン樹脂、シリコーンエポキシ樹脂、アミン変性シリコーン樹脂、エポキシ基およびフェニル基含有3次元架橋型シリコーン樹脂等が挙げられる。   Examples of the silicone compound include silicone rubber, silicone oil, silicone powder, silicone resin, silicone epoxy resin, amine-modified silicone resin, epoxy group- and phenyl group-containing three-dimensional crosslinked silicone resin, and the like.

上記脂肪族エポキシ樹脂としては、グリシジル基以外に環状構造を有しない脂肪族エポキシ樹脂であることが好ましく、グリシジル基を2以上有する2官能以上の脂肪族エポキシ樹脂がより好ましい。このような脂肪族エポキシ樹脂は、エポキシ基が酸化されにくいため、熱履歴による弾性率の上昇が起こりにくいため優れている。   The aliphatic epoxy resin is preferably an aliphatic epoxy resin having no cyclic structure other than the glycidyl group, and more preferably a bifunctional or higher functional aliphatic epoxy resin having two or more glycidyl groups. Such an aliphatic epoxy resin is excellent because an epoxy group is not easily oxidized and an elastic modulus is hardly increased due to thermal history.

上記ゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子、シリコーン粒子等が挙げられる。   Examples of the rubber particles include core-shell type rubber particles, crosslinked acrylonitrile butadiene rubber particles, crosslinked styrene butadiene rubber particles, acrylic rubber particles, and silicone particles.

コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される2層構造、または外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される3層構造のもの等が挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メタクリル酸メチルの重合物等で構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物(ブチルゴム)等で構成される。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、スタフィロイドAC3832、AC3816N(商品名、ガンツ化成社製)、メタブレンKW−4426(商品名、三菱レイヨン社製)が挙げられる。架橋アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)粒子の具体例としては、XER−91(平均粒子径0.5μm、JSR社製)等が挙げられる。   The core-shell type rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer. For example, a two-layer structure in which an outer shell layer is formed of a glassy polymer and an inner core layer is formed of a rubbery polymer, or Examples include a three-layer structure in which the outer shell layer is made of a glassy polymer, the intermediate layer is made of a rubbery polymer, and the core layer is made of a glassy polymer. The glassy polymer layer is made of, for example, a polymer of methyl methacrylate, and the rubbery polymer layer is made of, for example, a butyl acrylate polymer (butyl rubber). Specific examples of the core-shell type rubber particles include Staphyloid AC3832, AC3816N (trade names, manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd.), and Metabrene KW-4426 (trade names, manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.). Specific examples of the crosslinked acrylonitrile butadiene rubber (NBR) particles include XER-91 (average particle size: 0.5 μm, manufactured by JSR).

架橋スチレンブタジエンゴム(SBR)粒子の具体例としては、XSK−500(平均粒子径0.5μm、JSR社製)等が挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンW300A(平均粒子径0.1μm)、W450A(平均粒子径0.2μm)(三菱レイヨン社製)等が挙げられる。   Specific examples of the crosslinked styrene butadiene rubber (SBR) particles include XSK-500 (average particle size: 0.5 μm, manufactured by JSR). Specific examples of the acrylic rubber particles include methabrene W300A (average particle size 0.1 μm), W450A (average particle size 0.2 μm) (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.), and the like.

シリコーン粒子は、オルガノポリシロキサンで形成されたゴム弾性微粒子であればとくに限定されず、例えば、シリコーンゴム(オルガノポリシロキサン架橋エラストマー)そのものからなる微粒子、および二次元架橋主体のシリコーンからなるコア部を三次元架橋型主体のシリコーンで被覆したコアシェル構造粒子等が挙げられる。シリコーンゴム微粒子としては、KMP−605、KMP−600、KMP−597、KMP−594(信越化学社製)、トレフィルE−500、トレフィルE−600(東レ・ダウコーニング社製)等の市販品を用いることができる。   The silicone particles are not particularly limited as long as they are rubber elastic fine particles formed of organopolysiloxane. For example, fine particles made of silicone rubber (organopolysiloxane crosslinked elastomer) itself and a core portion made of silicone mainly composed of two-dimensional crosslinks. Examples thereof include core-shell structured particles coated with silicone mainly composed of a three-dimensional crosslinking type. As silicone rubber fine particles, commercially available products such as KMP-605, KMP-600, KMP-597, KMP-594 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Trefil E-500, Trefil E-600 (manufactured by Toray Dow Corning), etc. Can be used.

樹脂組成物(P)中に含まれる低応力材(E)の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、0.1質量%以上10.0質量%以下が好ましく、1.0質量%以上8.0質量%以下がより好ましい。低応力材(E)の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の応力をより一層緩和させたり、回路層等の他の部材との密着性をより一層向上させたりすることができる。   The content of the low-stress material (E) contained in the resin composition (P) is not particularly limited, but the total solid content of the resin composition (P) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass. When it is 0.1 mass% or more and 10.0 mass% or less, 1.0 mass% or more and 8.0 mass% or less are more preferable. When the content of the low-stress material (E) is within the above range, the stress of the resulting prepreg cured product and resin substrate can be further relaxed, and the adhesion to other members such as circuit layers can be further improved. You can make it.

このほか、必要に応じて、樹脂組成物(P)には硬化促進剤、カップリング剤を適宜配合することができる。   In addition, a curing accelerator and a coupling agent can be appropriately blended in the resin composition (P) as necessary.

硬化促進剤としては、特に限定されず、例えば、ホスフィン化合物、ホスホニウム塩を有する化合物、イミダゾール系化合物等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらの中でもイミダゾール系化合物が好ましい。イミダゾール系化合物は、特に優れた触媒としての機能を有するものであることから、マレイミド化合物(A)の重合反応をより確実に促進させることができる。   The curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include phosphine compounds, compounds having a phosphonium salt, imidazole compounds, and the like, and one or a combination of two or more of these can be used. Of these, imidazole compounds are preferred. Since the imidazole compound has a particularly excellent function as a catalyst, the polymerization reaction of the maleimide compound (A) can be promoted more reliably.

イミダゾール系化合物としては、特に限定されず、例えば、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、1−ビニル−2−メチルイミダゾール、1−プロピル−2−メチルイミダゾール、2−イソプロピルイミダゾール、1−シアノメチル−2−メチル−イミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらの中でも、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、および2−エチル−4−メチルイミダゾールであることが好ましい。これらの化合物を用いることにより、マレイミド化合物(A)の反応がより促進され、成形加工性が向上するとともに、得られる硬化物の耐熱性が向上するという利点が得られる。   The imidazole compound is not particularly limited, and examples thereof include 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, 2-undecylimidazole, and 2-heptadecylimidazole. 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 1-vinyl-2-methylimidazole, 1-propyl-2-methylimidazole, 2-isopropylimidazole, 1-cyanomethyl-2-methyl-imidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl- 2- Down decyl imidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole and the like, it can be used in combination of one or two or more of these. Among these, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole, and 2-ethyl-4-methylimidazole are preferable. By using these compounds, the reaction of the maleimide compound (A) is further promoted, and the molding processability is improved and the heat resistance of the obtained cured product is improved.

ホスフィン化合物としては、エチルホスフィン、プロピルホスフィンのようなアルキルホスフィン、フェニルホスフィン等の1級ホスフィン;ジメチルホスフィン、ジエチルホスフィンのようなジアルキルホスフィン、ジフェニルホスフィン、メチルフェニルホスフィン、エチルフェニルホスフィン等の2級ホスフィン;トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィンのようなトリアルキルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、アルキルジフェニルホスフィン、ジアルキルフェニルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリ−p−スチリルホスフィン、トリス(2,6−ジメトキシフェニル)ホスフィン、トリ−4−メチルフェニルホスフィン、トリ−4−メトキシフェニルホスフィン、トリ−2−シアノエチルホスフィン等の3級ホスフィン等が挙げられる。これらの中でも、3級ホスフィンが好ましく使用される。   Examples of the phosphine compound include primary phosphines such as ethyl phosphine and alkyl phosphine such as propyl phosphine, and phenyl phosphine; Trialkylphosphine such as trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine, trioctylphosphine, tricyclohexylphosphine, triphenylphosphine, alkyldiphenylphosphine, dialkylphenylphosphine, tribenzylphosphine, tolylphosphine, tri-p-styrylphosphine , Tris (2,6-dimethoxyphenyl) phosphine, tri-4-methylphenol Le phosphine, tri-4-methoxyphenyl phosphine, tertiary phosphines such as tri-2-cyanoethyl phosphine, and the like. Among these, tertiary phosphine is preferably used.

また、ホスホニウム塩を有する化合物としては、テトラフェニルホスホニウム塩、アル
キルトリフェニルホスホニウム塩等を有する化合物が挙げられ、具体的には、テトラフェ
ニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムテトラ−p−メチルフェ
ニルボレート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。
Examples of the compound having a phosphonium salt include a compound having a tetraphenylphosphonium salt, an alkyltriphenylphosphonium salt, and the like. Specifically, tetraphenylphosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium tetra-p-methylphenylborate, butyl Examples include triphenylphosphonium thiocyanate.

硬化促進剤の含有量は、マレイミド化合物(A)100質量部に対し、0.01〜5.0質量部であることが好ましく、0.05〜3.0質量部であることがより好ましく、0.1〜1.5質量部であることが特に好ましい。硬化促進剤の含有量をかかる範囲内に設定することにより、樹脂組成物(P)から得られる硬化物の耐熱性をより優れたものとすることができる。   The content of the curing accelerator is preferably 0.01 to 5.0 parts by mass, more preferably 0.05 to 3.0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the maleimide compound (A). It is especially preferable that it is 0.1-1.5 mass parts. By setting content of a hardening accelerator in this range, the heat resistance of the hardened | cured material obtained from a resin composition (P) can be made more excellent.

さらに、樹脂組成物(P)は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤は樹脂組成物(P)の調製時に直接添加してもよいし、無機充填材(C)にあらかじめ添加しておいてもよい。カップリング剤の使用により、繊維基材または無機充填材(C)と各樹脂との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性を改良することができる。   Furthermore, the resin composition (P) may contain a coupling agent. The coupling agent may be added directly at the time of preparing the resin composition (P), or may be added in advance to the inorganic filler (C). By using the coupling agent, the wettability of the interface between the fiber substrate or the inorganic filler (C) and each resin can be improved. Therefore, it is preferable to use a coupling agent, and the heat resistance of the obtained prepreg cured product or resin substrate can be improved.

カップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。カップリング剤は一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよい。
これにより、繊維基材または無機充填材(C)と各樹脂との界面の濡れ性を高くすることができ、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性をより向上させることができる。
Examples of the coupling agent include silane coupling agents such as epoxy silane coupling agents, cationic silane coupling agents, and amino silane coupling agents, titanate coupling agents, and silicone oil type coupling agents. A coupling agent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
Thereby, the wettability of the interface of a fiber base material or an inorganic filler (C) and each resin can be made high, and the heat resistance of the hardened | cured material of a prepreg obtained or a resin substrate can be improved more.

シランカップリング剤としては、各種のものを用いることができるが、例えば、エポキシシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン、ビニルシラン等が挙げられる。   Various types of silane coupling agents can be used, and examples thereof include epoxy silane, amino silane, alkyl silane, ureido silane, mercapto silane, and vinyl silane.

具体的な化合物としては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−6−(アミノヘキシル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(3−(トリメトキシシリルプロピル)−1,3−ベンゼンジメタナン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらのうちエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシランが好ましく、アミノシランとしては、1級アミノシラン又はアニリドシランがより好ましい。   Specific examples of the compound include γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, and N-β (aminoethyl) γ-amino. Propylmethyldimethoxysilane, N-phenylγ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenylγ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltriethoxysilane, N-6- (aminohexyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (3- (trimethoxysilylpropyl) -1,3-benzenedimethanane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ -Glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, β- (3,4 Poxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, etc., and a combination of one or more of these. Of these, epoxy silane, mercapto silane, and amino silane are preferable, and as amino silane, primary amino silane or anilide silane is more preferable.

カップリング剤の添加量は、無機充填材(C)の比表面積に依存するので特に限定されないが、樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、0.01質量%以上1質量%以下が好ましく、0.05質量%以上0.5質量%以下がより好ましい。
カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材(C)を十分に被覆することができ、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性を向上させることができる。また、カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の曲げ強度等の低下を抑制することができる。
The addition amount of the coupling agent is not particularly limited because it depends on the specific surface area of the inorganic filler (C), but the total solid content (that is, the component excluding the solvent) of the resin composition (P) is 100% by mass. When it is 0.01 mass% or more and 1 mass% or less, 0.05 mass% or more and 0.5 mass% or less are more preferable.
When the content of the coupling agent is not less than the above lower limit value, the inorganic filler (C) can be sufficiently covered, and the obtained prepreg cured product and the heat resistance of the resin substrate can be improved. Moreover, it can suppress that reaction influences that content of a coupling agent is below the said upper limit, and can suppress the fall of the bending strength of the hardened | cured material of a prepreg obtained, or a resin substrate.

さらに、樹脂組成物(P)には、本発明の目的を損なわない範囲で、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加してもよい。   Furthermore, the resin composition (P) has pigments, dyes, antifoaming agents, leveling agents, ultraviolet absorbers, foaming agents, antioxidants, flame retardants, ion scavengers and the like as long as the object of the present invention is not impaired. Additives other than the above components may be added.

顔料としては、カオリン、合成酸化鉄赤、カドミウム黄、ニッケルチタン黄、ストロンチウム黄、含水酸化クロム、酸化クロム、アルミ酸コバルト、合成ウルトラマリン青等の無機顔料、フタロシアニン等の多環顔料、アゾ顔料等が挙げられる。   Examples of pigments include kaolin, synthetic iron oxide red, cadmium yellow, nickel titanium yellow, strontium yellow, hydrous chromium oxide, chromium oxide, cobalt aluminate, synthetic ultramarine blue, etc., polycyclic pigments such as phthalocyanine, azo pigments Etc.

染料としては、イソインドリノン、イソインドリン、キノフタロン、キサンテン、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン、アントラキノン、インジゴイド、オキサジン、キナクリドン、ベンツイミダゾロン、ビオランスロン、フタロシアニン、アゾメチン等が挙げられる。   Examples of the dye include isoindolinone, isoindoline, quinophthalone, xanthene, diketopyrrolopyrrole, perylene, perinone, anthraquinone, indigoid, oxazine, quinacridone, benzimidazolone, violanthrone, phthalocyanine, azomethine and the like.

樹脂組成物(P)は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、N−メチルピロリドン等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、自転公転式分散方式等の各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニス(I)とすることができる。
樹脂ワニス(I)の固形分は、特に限定されないが、40質量%以上80質量%以下が好ましく、特に50質量%以上70質量%以下が好ましい。これにより、樹脂ワニス(I)の繊維基材への含浸性をさらに向上させることができる。
Resin composition (P) is acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve, carbitol, In organic solvents such as anisole and N-methylpyrrolidone, using various mixing machines such as ultrasonic dispersion method, high-pressure collision dispersion method, high-speed rotation dispersion method, bead mill method, high-speed shear dispersion method, rotation and revolution dispersion method, etc. The resin varnish (I) can be obtained by dissolving, mixing and stirring.
The solid content of the resin varnish (I) is not particularly limited, but is preferably 40% by mass or more and 80% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or more and 70% by mass or less. Thereby, the impregnation property to the fiber base material of resin varnish (I) can further be improved.

以上の樹脂組成物(P)において、各成分の割合は、例えば、以下のようである。
樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、好ましくは、マレイミド化合物(A)の割合が1.0質量%以上25.0質量%以下であり、ベンゾオキサジン化合物(B)の割合が1.0質量%以上25.0質量%以下であり、無機充填材(C)の割合が50.0質量%以上85.0質量%以下である。
より好ましくは、マレイミド化合物(A)の割合が5.0質量%以上20.0質量%以下であり、ベンゾオキサジン化合物(B)の割合が2.0質量%以上15.0質量%以下であり、無機充填材(C)の割合が60.0質量%以上80.0質量%以下である。
In the above resin composition (P), the ratio of each component is as follows, for example.
When the total solid content of the resin composition (P) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass, the ratio of the maleimide compound (A) is preferably 1.0% by mass or more and 25.0% by mass or less. Yes, the proportion of the benzoxazine compound (B) is 1.0% by mass or more and 25.0% by mass or less, and the proportion of the inorganic filler (C) is 50.0% by mass or more and 85.0% by mass or less.
More preferably, the ratio of the maleimide compound (A) is 5.0% by mass or more and 20.0% by mass or less, and the ratio of the benzoxazine compound (B) is 2.0% by mass or more and 15.0% by mass or less. The ratio of the inorganic filler (C) is 60.0% by mass or more and 80.0% by mass or less.

つぎに、本実施形態におけるプリプレグについて説明する。   Next, the prepreg in the present embodiment will be described.

プリプレグは、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられるものである。プリプレグは、例えば、本実施形態における樹脂組成物(P)を繊維基材に含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料である。   The prepreg is used for forming an insulating layer of a printed wiring board. The prepreg is, for example, a sheet-like material obtained by impregnating the fiber base material with the resin composition (P) in the present embodiment and then semi-curing it.

また、樹脂基板は、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられる。
ここで、樹脂基板はプリプレグの硬化物を含むものであり、例えば、プリプレグを加熱硬化することによって得ることができる。
The resin substrate is used for forming an insulating layer of the printed wiring board.
Here, the resin substrate contains a cured product of prepreg, and can be obtained, for example, by heat-curing the prepreg.

プリプレグは、例えば、プリント配線基板におけるビルドアップ層中の絶縁層やコア層中の絶縁層を形成するために用いることができる。
プリプレグをプリント配線基板におけるコア層中の絶縁層を形成するために用いる場合は、例えば、2枚以上のプリプレグを重ね、得られた積層体を加熱硬化することによりコア層用の絶縁層とすることもできる。
The prepreg can be used, for example, to form an insulating layer in a buildup layer or an insulating layer in a core layer in a printed wiring board.
When the prepreg is used to form an insulating layer in the core layer of the printed wiring board, for example, two or more prepregs are stacked, and the obtained laminate is heat-cured to form an insulating layer for the core layer. You can also.

また、プリプレグを用いて得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性を向上させる観点から、昇温速度5℃/min、周波数1Hzの条件での動的粘弾性測定により測定される、プリプレグを、例えば、圧力4MPa、温度230℃で2時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板のガラス転移温度が、好ましくは250℃以上であり、より好ましくは260℃以上であり、さらに好ましくは270℃以上であり、特に好ましくは280℃以上である。上限については、例えば、400℃以下が好ましい。ガラス転移温度は、動的粘弾性分析装置(DMA)を用いて測定することができる。
また、上記硬化物または樹脂基板において、動的粘弾性測定によるガラス転移温度が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板の剛性が高まり、実装時のプリント配線基板の反りをより一層低減できる。その結果、得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。
このようなガラス転移温度を達成するためには、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。
Further, from the viewpoint of improving the rigidity and heat resistance of a printed wiring board obtained using the prepreg, a prepreg measured by dynamic viscoelasticity measurement under conditions of a temperature rising rate of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz, for example, The glass transition temperature of a cured product or resin substrate obtained by heat-press molding at a pressure of 4 MPa and a temperature of 230 ° C. for 2 hours is preferably 250 ° C. or higher, more preferably 260 ° C. or higher, and further preferably 270. It is at least 280 ° C, particularly preferably at least 280 ° C. About an upper limit, 400 degrees C or less is preferable, for example. The glass transition temperature can be measured using a dynamic viscoelasticity analyzer (DMA).
Moreover, in the said hardened | cured material or resin board | substrate, when the glass transition temperature by dynamic viscoelasticity measurement satisfy | fills the said range, the rigidity of the obtained printed wiring board will increase and the curvature of the printed wiring board at the time of mounting can be reduced further. As a result, in the obtained semiconductor device, the positional deviation of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further enhanced.
In order to achieve such a glass transition temperature, maleimide compound (A), benzoxazine compound (B), inorganic filler (C), epoxy resin (D), low stress material (E), fiber substrate, It is important to appropriately control the type and blending amount of the curing accelerator, the prepreg production method, and the like.

また、プリプレグを用いて得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性、応力緩和能のバランスをより一層向上させる観点から、プリプレグを、例えば、圧力4MPa、温度230℃で2時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板の30℃での貯蔵弾性率E'30が、好ましくは10GPa以上であり、さらに好ましくは20GPa以上である。上限値については、特に限定されるものではないが、例えば、40GPa以下とすることができる。
上記硬化物または樹脂基板において、30℃での貯蔵弾性率E'30が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性、応力緩和能の性能バランスが向上し、実装時のプリント配線基板の反りをより一層低減できる。その結果、得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。
In addition, from the viewpoint of further improving the balance of rigidity, heat resistance, and stress relaxation ability of the printed wiring board obtained using the prepreg, the prepreg is heated and pressed at a pressure of 4 MPa and a temperature of 230 ° C. for 2 hours, for example. The obtained cured product or resin substrate has a storage elastic modulus E ′ 30 at 30 ° C. of preferably 10 GPa or more, and more preferably 20 GPa or more. Although it does not specifically limit about an upper limit, For example, it can be 40 GPa or less.
When the storage elastic modulus E ′ 30 at 30 ° C. satisfies the above range in the cured product or resin substrate, the performance balance of rigidity, heat resistance, and stress relaxation ability of the obtained printed wiring board is improved, and printing at the time of mounting is performed. The warping of the wiring board can be further reduced. As a result, in the obtained semiconductor device, the positional deviation of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further enhanced.

また、プリプレグを用いて得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性、応力緩和能のバランスをより一層向上させる観点から、プリプレグを、例えば、圧力4MPa、温度230℃で2時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板の250℃での貯蔵弾性率E'250に対する30℃での貯蔵弾性率E'30の比(E'30/E'250)が、1.05以上1.75以下であることが好ましい。
上記硬化物または樹脂基板において、E'30/E'250が上記範囲を満たすと、温度変化に対するプリント配線基板の弾性率の変化をより一層抑制できる。これにより、大きな温度変化が生じても絶縁層の変形等が起きにくく、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれを抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。
In addition, from the viewpoint of further improving the balance of rigidity, heat resistance, and stress relaxation ability of the printed wiring board obtained using the prepreg, the prepreg is heated and pressed at a pressure of 4 MPa and a temperature of 230 ° C. for 2 hours, for example. The ratio (E ′ 30 / E ′ 250 ) of the storage elastic modulus E ′ 30 at 30 ° C. to the storage elastic modulus E ′ 250 at 250 ° C. of the obtained cured product or resin substrate is 1.05 or more and 1.75 or less. It is preferable that
In the cured product or a resin substrate, when E '30 / E' 250 satisfies the above range, can be further suppress a change in the elastic modulus of the printed wiring board to a temperature change. As a result, even when a large temperature change occurs, the insulating layer is not easily deformed, the positional deviation of the semiconductor element relative to the printed wiring board can be suppressed, and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board is further improved. Can do.

このような貯蔵弾性率E'30やE'30/E'250を達成するためには、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。 In order to achieve such storage elastic modulus E ′ 30 and E ′ 30 / E ′ 250 , maleimide compound (A), benzoxazine compound (B), inorganic filler (C), epoxy resin (D), It is important to appropriately control the types and blending amounts of the low-stress material (E), the fiber base material, the curing accelerator, the prepreg production method, and the like.

また、プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性や、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高める観点から、プリプレグを、例えば、圧力4MPa、温度230℃で2時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板の面内方向における、50℃から150℃の範囲において算出した平均線膨張係数αが好ましくは7.5ppm/℃以下であり、より好ましくは7.2ppm/℃以下であり、特に好ましくは6.0ppm/℃以下である。下限値については、特に限定されるものではないが、例えば、0.1ppm/℃以上とすることができる。
上記硬化物または樹脂基板において、平均線膨張係数αが上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板において、環境温度に大きな変化が生じても、回路層と絶縁層との間の線膨張係数差に起因して発生する応力をより一層低減することができる。そのため、得られるプリント配線基板や半導体装置において、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、回路層と絶縁層との密着性を維持することができる。これにより、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性をより一層高めることができる。
上記硬化物または樹脂基板において、平均線膨張係数αが上記範囲を満たすと、得られる半導体装置において、高い温度に曝された際にプリント配線基板と半導体素子との間の線膨張係数差に起因して発生する応力を低減することができる。その結果、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。
Further, from the viewpoint of further improving the insulation reliability of the printed wiring board under high temperature and high humidity and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board, the prepreg is, for example, 2 at a pressure of 4 MPa and a temperature of 230 ° C. in the in-plane direction of the cured product or a resin substrate obtained by molding time heating and pressurizing, it is preferably the average linear expansion coefficient alpha 1 calculated in the range of 0.99 ° C. from 50 ° C. or less 7.5 ppm / ° C., more preferably Is 7.2 ppm / ° C. or less, and particularly preferably 6.0 ppm / ° C. or less. Although it does not specifically limit about a lower limit, For example, it can be set as 0.1 ppm / degrees C or more.
In the cured product or resin substrate, the average coefficient of linear expansion alpha 1 satisfies the above range, the printed wiring board obtained, even if a large change in environmental temperature, linear expansion coefficient between the circuit layer and the insulating layer The stress generated due to the difference can be further reduced. Therefore, in the obtained printed wiring board and semiconductor device, the adhesion between the circuit layer and the insulating layer can be maintained even when the temperature change is severe for a long period of time. Thereby, the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity can be further enhanced.
In the cured product or resin substrate, the average coefficient of linear expansion alpha 1 satisfies the above range, the semiconductor device obtained, when exposed to a high temperature in the linear expansion coefficient difference between the printed circuit board and the semiconductor element The stress generated due to this can be reduced. As a result, the positional deviation of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability at high temperatures and the temperature cycle reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further enhanced.

また、プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性や、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高める観点から、プリプレグを、例えば、圧力4MPa、温度230℃で2時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板の面内方向における、50℃から150℃の範囲において算出した平均線膨張係数αに対する150℃から250℃の範囲において算出した平均線膨張係数αの比(α/α)が好ましくは0.7以上2.0以下、より好ましくは0.75以上1.5以下、さらに好ましくは0.8以上1.2以下である。
本実施形態において、平均線膨張係数αおよびαとは、TMA(熱機械分析)装置(TAインスツルメント社製、Q400)を用いて、温度範囲30℃〜260℃、昇温速度10℃/min、荷重10g、圧縮モードの条件で測定される、平面方向(XY方向)の線膨張係数(CTE)の平均値である。
上記硬化物または樹脂基板において、α/αが上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板において、環境温度に大きな変化が生じても、回路層と絶縁層との間の線膨張係数差に起因して発生する応力の変化を低減することができる。そのため、得られるプリント配線基板や半導体装置において、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、回路層と絶縁層との密着性を維持することができる。以上から、プリプレグを用いることにより、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性をより一層高めることができる。
さらに、上記硬化物または樹脂基板において、α/αが上記範囲を満たすと、得られる半導体装置において、環境温度に大きな変化が生じても、プリント配線基板と半導体素子との間の線膨張係数差に起因して発生する応力の変化を低減することができる。その結果、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。
Further, from the viewpoint of further improving the insulation reliability of the printed wiring board under high temperature and high humidity and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board, the prepreg is, for example, 2 at a pressure of 4 MPa and a temperature of 230 ° C. Average linear expansion calculated in the range of 150 ° C. to 250 ° C. with respect to the average linear expansion coefficient α 1 calculated in the range of 50 ° C. to 150 ° C. in the in-plane direction of the cured product or resin substrate obtained by time heating and pressing. The ratio of the coefficient α 22 / α 1 ) is preferably 0.7 or more and 2.0 or less, more preferably 0.75 or more and 1.5 or less, and further preferably 0.8 or more and 1.2 or less.
In the present embodiment, the average linear expansion coefficients α 1 and α 2 are a temperature range of 30 ° C. to 260 ° C. and a temperature increase rate of 10 using a TMA (thermomechanical analysis) apparatus (TA Instruments, Q400). It is the average value of the coefficient of linear expansion (CTE) in the plane direction (XY direction) measured under the conditions of ° C./min, load 10 g, and compression mode.
When α 2 / α 1 satisfies the above range in the cured product or the resin substrate, even if a large change occurs in the environmental temperature in the obtained printed wiring board, the difference in linear expansion coefficient between the circuit layer and the insulating layer It is possible to reduce a change in stress caused by the above. Therefore, in the obtained printed wiring board and semiconductor device, the adhesion between the circuit layer and the insulating layer can be maintained even when the temperature change is severe for a long period of time. From the above, by using the prepreg, the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity can be further improved.
Furthermore, when α 2 / α 1 satisfies the above range in the cured product or the resin substrate, even if a large change occurs in the environmental temperature in the obtained semiconductor device, the linear expansion between the printed wiring board and the semiconductor element It is possible to reduce a change in stress caused by the coefficient difference. As a result, the positional deviation of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability at high temperatures and the temperature cycle reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further enhanced.

また、プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性や、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性を高める観点から、プリプレグを、例えば、圧力4MPa、温度230℃で2時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板の面内方向における、150℃から250℃の範囲において算出した平均線膨張係数αが好ましくは8.0ppm/℃以下であり、より好ましくは7.5ppm/℃以下であり、特に好ましくは6.5ppm/℃以下。下限値については、特に限定されるものではないが、例えば、0.1ppm/℃以上とすることができる。
上記硬化物または樹脂基板において、平均線膨張係数αが上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板において、半田リフロー等の高い温度に曝された際に回路層と絶縁層との間の線膨張係数差に起因して発生する応力を低減することができる。そのため、得られるプリント配線基板や半導体装置において、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、回路層と絶縁層との密着性を維持することができる。これにより、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性をより一層高めることができる。
また、上記硬化物または樹脂基板において、平均線膨張係数αが上記範囲を満たすと、得られる半導体装置において、高い温度に曝された際にプリント配線基板と半導体素子との間の線膨張係数差に起因して発生する応力をより低減することができる。その結果、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。
Also, from the viewpoint of improving the insulation reliability of the printed wiring board under high temperature and high humidity and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board, the prepreg is heated at a pressure of 4 MPa and a temperature of 230 ° C. for 2 hours, for example. in the in-plane direction of the cured product or a resin substrate obtained by molding under pressure, it is preferably the average linear expansion coefficient alpha 2 calculated in a range of 250 ° C. from 0.99 ° C. or less 8.0 ppm / ° C., more preferably 7 0.5 ppm / ° C. or less, particularly preferably 6.5 ppm / ° C. or less. Although it does not specifically limit about a lower limit, For example, it can be set as 0.1 ppm / degrees C or more.
Line between the above cured product or resin substrate, the average coefficient of linear expansion alpha 2 satisfies the above range, the printed wiring board obtained, when exposed to high temperatures of the solder reflow or the like and the circuit layer insulating layer The stress generated due to the difference in expansion coefficient can be reduced. Therefore, in the obtained printed wiring board and semiconductor device, the adhesion between the circuit layer and the insulating layer can be maintained even when the temperature change is severe for a long period of time. Thereby, the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity can be further enhanced.
The linear expansion coefficient between the above cured product or resin substrate, the average coefficient of linear expansion alpha 2 satisfies the above range, the semiconductor device obtained, a printed wiring board and the semiconductor element when exposed to high temperatures The stress generated due to the difference can be further reduced. As a result, the positional deviation of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability at high temperatures and the temperature cycle reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further enhanced.

このような平均線膨張係数αやα、α/αを達成するためには、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。 In order to achieve such average linear expansion coefficients α 1 , α 2 , α 2 / α 1 , maleimide compound (A), benzoxazine compound (B), inorganic filler (C), epoxy resin (D) It is important to appropriately control the kind and blending amount of the low-stress material (E), fiber base material, curing accelerator, etc., the prepreg production method, and the like.

また、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高める観点から、プリプレグを、例えば、圧力4MPa、温度230℃で2時間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板において、熱機械分析装置を用いて、30℃から260℃まで10℃/minで昇温する過程と、260℃で1時間保持する過程とからなる熱機械分析測定を行ったとき、熱機械分析測定前の硬化物の縦方向の長さを基準長Lとし、硬化物の基準長Lからの最大の熱膨張量をLとし、硬化物を260℃で1時間保持したときの基準長Lからの熱膨張量をLとした場合、100×(L−L)/Lで示される寸法収縮率が0.15%以下であることが好ましく、0.10%以下であることがより好ましい。下限値については、特に限定されるものではないが、例えば、0.00%以上とすることができる。
なお、硬化物の縦方向はプリプレグの搬送方向(いわゆるMD)を指す。
上記硬化物または樹脂基板において、寸法収縮率が上記範囲を満たすと、得られる半導体装置において、高い温度に曝された際にプリント配線基板中の絶縁層の収縮に起因して発生する応力を低減することができる。その結果、温度変化が激しい状況に長期間置かれても、絶縁層と回路層との密着性を維持することができるため、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性を高めることができる。また、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。
In addition, from the viewpoint of further improving the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board, for example, in a cured product or a resin substrate obtained by heat-press molding the prepreg at a pressure of 4 MPa and a temperature of 230 ° C. for 2 hours. When using a thermomechanical analyzer, when performing a thermomechanical analysis consisting of a process of raising the temperature from 30 ° C to 260 ° C at 10 ° C / min and a process of maintaining at 260 ° C for 1 hour, reference length of a previous reference length L 0 of the longitudinal length of the cured product, when the maximum amount of thermal expansion from the reference length L 0 of the cured product as L 1, where the cured product was held for 1 hour at 260 ° C. When the amount of thermal expansion from L 0 is L 2 , the dimensional shrinkage represented by 100 × (L 1 −L 2 ) / L 0 is preferably 0.15% or less, and is 0.10% or less. More preferably. Although it does not specifically limit about a lower limit, For example, it can be 0.00% or more.
In addition, the vertical direction of hardened | cured material points out the conveyance direction (what is called MD) of a prepreg.
When the dimensional shrinkage rate satisfies the above range in the cured product or the resin substrate, the stress generated due to the shrinkage of the insulating layer in the printed wiring board is reduced in the obtained semiconductor device when exposed to a high temperature. can do. As a result, it is possible to maintain the adhesion between the insulating layer and the circuit layer even if the temperature change is severe for a long period of time, so that the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity is improved. be able to. Further, the positional deviation of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability at a high temperature and the temperature cycle reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.

このような寸法収縮率を達成するためには、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。   In order to achieve such a dimensional shrinkage rate, maleimide compound (A), benzoxazine compound (B), inorganic filler (C), epoxy resin (D), low stress material (E), fiber substrate, It is important to appropriately control the type and blending amount of the curing accelerator, the prepreg production method, and the like.

また、プリプレグの硬化物または樹脂基板の微細配線加工性をより一層高める観点から、プリプレグを、例えば、圧力4MPa、温度230℃で2時間加熱加圧成形して得られる硬化物において、上記硬化物の120℃で1時間乾燥後の質量を第1の質量とし、当該硬化物を下記条件で処理した後の硬化物の120℃で1時間乾燥後の質量を第2の質量としたとき、[{(第1の質量)−(第2の質量)}/(当該硬化物の表裏両面の面積の和)]×100で定義される減膜量が1.2g/m以下であることが好ましい。
<条件>
硬化物を3g/L水酸化ナトリウム溶液(溶媒:ジエチレングリコールモノブチルエーテル11.1体積%、エチレングリコール3.6体積%、純水85.3体積%)に60℃、5分間浸漬することにより硬化物を膨潤させ、次いで、膨潤した硬化物を粗化処理水溶液(過マンガン酸ナトリウム60g/L、水酸化ナトリウム45g/L)に80℃、5分間浸漬することにより硬化物を粗化処理し、次いで、粗化処理した硬化物を中和液(98質量%硫酸5.0体積%、硫酸ヒドロキシルアミン0.8体積%、純水94.2体積%)に40℃、5分間浸漬することにより硬化物を中和する。
In addition, from the viewpoint of further improving the cured product of the prepreg or the fine wiring workability of the resin substrate, the cured product obtained by subjecting the prepreg to, for example, heat pressure molding at a pressure of 4 MPa and a temperature of 230 ° C. for 2 hours. When the mass after drying at 120 ° C. for 1 hour is defined as the first mass, and the cured product after the cured product is treated under the following conditions, the mass after drying at 120 ° C. for 1 hour is defined as the second mass. {(First mass)-(second mass)} / (sum of the areas of the front and back surfaces of the cured product)] × 100 The film reduction amount defined by 100 is 1.2 g / m 2 or less. preferable.
<Conditions>
The cured product is immersed in a 3 g / L sodium hydroxide solution (solvent: 11.1% by volume of diethylene glycol monobutyl ether, 3.6% by volume of ethylene glycol, 85.3% by volume of pure water) at 60 ° C. for 5 minutes. Then, the cured product is roughened by immersing the swollen cured product in a roughening aqueous solution (sodium permanganate 60 g / L, sodium hydroxide 45 g / L) at 80 ° C. for 5 minutes, The cured product obtained by roughening was cured by immersing it in a neutralizing solution (98% by mass sulfuric acid 5.0% by volume, hydroxylamine sulfate 0.8% by volume, pure water 94.2% by volume) at 40 ° C. for 5 minutes. Neutralize things.

上記硬化物において、減膜量が上記範囲を満たすと、プリプレグの硬化物または樹脂基板の微細配線加工性を向上させることができる。これは、上記式で定義される減膜量が上記上限値以下であるプリプレグの硬化物または樹脂基板は、表面に粗化処理を施しても、金属層(回路層)に対する密着性を維持できるからだと考えられる。   In the cured product, when the amount of film reduction satisfies the above range, the cured product of the prepreg or the fine wiring processability of the resin substrate can be improved. This is because the prepreg cured product or resin substrate having a film reduction amount defined by the above formula being equal to or less than the upper limit value can maintain the adhesion to the metal layer (circuit layer) even if the surface is roughened. It is considered to be a body.

このような減膜量を達成するためには、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。   In order to achieve such a film reduction amount, maleimide compound (A), benzoxazine compound (B), inorganic filler (C), epoxy resin (D), low stress material (E), fiber substrate, It is important to appropriately control the type and blending amount of the curing accelerator, the prepreg production method, and the like.

プリプレグの厚さは、例えば、20μm以上220μm以下である。プリプレグの厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型のプリント配線基板に適した樹脂基板を得ることができる。   The thickness of the prepreg is, for example, 20 μm or more and 220 μm or less. When the thickness of the prepreg is within the above range, the balance between mechanical strength and productivity is particularly excellent, and a resin substrate suitable for a thin printed wiring board can be obtained.

図1は、本実施形態における金属張積層板200の構成の一例を示す断面図である。金属張積層板200は、プリプレグの硬化物(絶縁層301)、またはプリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の硬化物(絶縁層301)の片面または両面に金属箔105が設けられている。金属張積層板200は、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いることができる。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a metal-clad laminate 200 in the present embodiment. The metal-clad laminate 200 is provided with a metal foil 105 on one side or both sides of a cured product of prepreg (insulating layer 301) or a cured product of laminated body (insulating layer 301) in which two or more prepregs are stacked. The metal-clad laminate 200 can be used for forming an insulating layer of a printed wiring board.

つづいて、プリプレグの製造方法について説明する。
プリプレグは、例えば、本実施形態における樹脂組成物(P)を繊維基材に含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料である。このような構造のシート状材料は、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れ、プリント配線基板の絶縁層の製造に適している。
It continues and the manufacturing method of a prepreg is demonstrated.
The prepreg is, for example, a sheet-like material obtained by impregnating the fiber base material with the resin composition (P) in the present embodiment and then semi-curing it. The sheet-like material having such a structure is excellent in various properties such as dielectric properties, mechanical and electrical connection reliability under high temperature and high humidity, and is suitable for manufacturing an insulating layer of a printed wiring board.

樹脂組成物(P)を繊維基材に含浸させる方法としては、特に限定されないが、例えば、樹脂組成物(P)を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、繊維基材を上記樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより上記樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、スプレーにより上記樹脂ワニスを繊維基材に吹き付ける方法、繊維基材の両面から樹脂組成物(P)からなる樹脂層(P)で繊維基材をラミネートする方法等が挙げられる。   The method for impregnating the fiber base material with the resin composition (P) is not particularly limited. For example, the resin composition (P) is dissolved in a solvent to prepare a resin varnish, and the fiber base material is immersed in the resin varnish. A method of applying the resin varnish to the fiber base material with various coaters, a method of spraying the resin varnish onto the fiber base material by spraying, a resin layer (P) comprising the resin composition (P) from both sides of the fiber base material And a method of laminating the fiber base material.

つづいて、上記で得られたプリプレグを用いた金属張積層板200の製造方法について説明する。プリプレグを用いた金属張積層板200の製造方法は、例えば以下の通りである。
プリプレグまたはプリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の外側の上下両面または片面に金属箔105を重ね、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する、あるいはそのままプリプレグの外側の上下両面または片面に金属箔105を重ねる。また、プリプレグを2枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔105を重ねる。
次いで、プリプレグと金属箔105とを重ねた積層体を加熱加圧成形することで金属張積層板200を得ることができる。ここで、加熱加圧成形時に、冷却終了時まで加圧を継続することが好ましい。
Next, a method for manufacturing the metal-clad laminate 200 using the prepreg obtained above will be described. A method for producing the metal-clad laminate 200 using prepreg is, for example, as follows.
Two or more prepregs or a laminate of two or more prepregs stacked on top and bottom or one side of the laminate are laminated with metal foil 105 and bonded together under high vacuum conditions using a laminator or becquerel device, or directly outside the prepreg. The metal foil 105 is stacked on both upper and lower surfaces or one surface. When two or more prepregs are stacked, the metal foil 105 is stacked on the outermost upper and lower surfaces or one surface of the stacked prepregs.
Subsequently, the metal-clad laminate 200 can be obtained by heat-pressing the laminate in which the prepreg and the metal foil 105 are stacked. Here, it is preferable to continue the pressurization until the end of cooling at the time of heat-pressure molding.

上記の加熱加圧成形するときの加熱温度は、120℃以上250℃以下が好ましく、150℃以上240℃以下がより好ましい。
また、上記の加熱加圧成形するときの圧力は、0.5MPa以上5MPa以下が好ましく、2.5MPa以上5MPa以下の高圧がより好ましい。
The heating temperature at the time of the above-described heating and pressing is preferably 120 ° C. or higher and 250 ° C. or lower, and more preferably 150 ° C. or higher and 240 ° C. or lower.
Moreover, the pressure at the time of the above-described heat and pressure molding is preferably 0.5 MPa or more and 5 MPa or less, and more preferably 2.5 MPa or more and 5 MPa or less.

また、加熱加圧成形後に、必要に応じて、恒温槽等で後硬化をおこなってもよい。後硬化の温度は、好ましくは150℃以上300℃以下であり、より好ましくは250℃以上300℃以下である。   Further, after the heat and pressure molding, if necessary, post-curing may be performed in a thermostatic bath or the like. The post-curing temperature is preferably 150 ° C. or higher and 300 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or higher and 300 ° C. or lower.

また、この金属張積層板200または樹脂基板をコア基板として用いてプリント配線基板を得ることができる。   Moreover, a printed wiring board can be obtained using the metal-clad laminate 200 or the resin substrate as a core substrate.

以下、プリプレグ、金属張積層板200および樹脂基板を製造する際に使用する各材料について詳細に説明する。   Hereinafter, each material used when manufacturing the prepreg, the metal-clad laminate 200, and the resin substrate will be described in detail.

金属箔105を構成する金属としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、亜鉛、亜鉛系合金、ニッケル、ニッケル系合金、錫、錫系合金、鉄、鉄系合金、コバール(商標名)、42アロイ、インバー、スーパーインバー等のFe−Ni系の合金、W、Mo等が挙げられる。これらの中でも、金属箔105を構成する金属としては、導電性に優れ、エッチングによる回路形成が容易であり、また安価であることから銅または銅合金が好ましい。すなわち、金属箔105としては、銅箔が好ましい。
また、金属箔105としては、キャリア付金属箔等も使用することができる。
金属箔105の厚みは、好ましくは0.5μm以上20μm以下であり、より好ましくは1.5μm以上18μm以下である。
Examples of the metal constituting the metal foil 105 include copper, a copper alloy, aluminum, an aluminum alloy, silver, a silver alloy, gold, a gold alloy, zinc, a zinc alloy, nickel, a nickel alloy, tin, Examples thereof include tin-based alloys, iron, iron-based alloys, Kovar (trade name), 42-alloy, invar, super-invar and other Fe—Ni-based alloys, W, Mo, and the like. Among these, the metal constituting the metal foil 105 is preferably copper or a copper alloy because of its excellent conductivity, easy circuit formation by etching, and low cost. That is, the metal foil 105 is preferably a copper foil.
Further, as the metal foil 105, a metal foil with a carrier or the like can also be used.
The thickness of the metal foil 105 is preferably 0.5 μm or more and 20 μm or less, and more preferably 1.5 μm or more and 18 μm or less.

次いで、本実施形態に用いられる繊維基材について説明する。
繊維基材としては、とくに限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材;ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維;ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維;ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維のいずれかを主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材;クラフト紙、コットンリンター紙、あるいはリンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材;等が挙げられる。これらのうち、いずれかを使用することができる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、低吸水性で、高強度、低熱膨張性の樹脂基板を得ることができる。
Subsequently, the fiber base material used for this embodiment is demonstrated.
Although it does not specifically limit as a fiber base material, Glass fiber base materials, such as a glass woven fabric and a glass nonwoven fabric; Polyamide-type resin fibers, such as a polyamide resin fiber, an aromatic polyamide resin fiber, and a wholly aromatic polyamide resin fiber; Polyester resin fiber Polyester resin fibers such as aromatic polyester resin fibers and wholly aromatic polyester resin fibers; synthetic fiber base materials composed of woven or non-woven fabrics mainly composed of either polyimide resin fibers or fluororesin fibers; kraft paper , Cotton linter paper, or a paper base material mainly composed of linter and kraft pulp mixed paper. Any of these can be used. Among these, a glass fiber substrate is preferable. Thereby, a resin substrate with low water absorption, high strength, and low thermal expansion can be obtained.

繊維基材の厚みは、とくに限定されないが、好ましくは5μm以上150μm以下であり、より好ましくは10μm以上100μm以下であり、さらに好ましくは12μm以上90μm以下である。このような厚みを有する繊維基材を用いることにより、プリプレグ製造時のハンドリング性がさらに向上できる。
繊維基材の厚みが上記上限値以下であると、繊維基材中の樹脂組成物(P)の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の発生を抑制することができる。また炭酸ガス、UV、エキシマ等のレーザーによるスルーホールの形成を容易にすることができる。また、繊維基材の厚みが上記下限値以上であると、繊維基材やプリプレグの強度を向上させることができる。その結果、ハンドリング性が向上できたり、プリプレグの作製が容易となったり、樹脂基板の反りを抑制できたりする。
Although the thickness of a fiber base material is not specifically limited, Preferably it is 5 micrometers or more and 150 micrometers or less, More preferably, they are 10 micrometers or more and 100 micrometers or less, More preferably, they are 12 micrometers or more and 90 micrometers or less. By using the fiber base material having such a thickness, the handling property at the time of producing the prepreg can be further improved.
When the thickness of the fiber base material is not more than the above upper limit, the impregnation property of the resin composition (P) in the fiber base material can be improved, and the occurrence of strand voids and a decrease in insulation reliability can be suppressed. Further, it is possible to facilitate formation of a through hole by a laser such as carbon dioxide, UV, or excimer. Moreover, the intensity | strength of a fiber base material or a prepreg can be improved as the thickness of a fiber base material is more than the said lower limit. As a result, handling properties can be improved, production of a prepreg can be facilitated, and warping of the resin substrate can be suppressed.

ガラス繊維基材として、例えば、Eガラス、Sガラス、Dガラス、Tガラス、NEガラス、UTガラス、Lガラス、HPガラスおよび石英ガラスから選ばれる一種または二種以上のガラスにより形成されたガラス繊維基材が好適に用いられる。   As a glass fiber substrate, for example, glass fiber formed of one or more kinds of glass selected from E glass, S glass, D glass, T glass, NE glass, UT glass, L glass, HP glass and quartz glass A substrate is preferably used.

次に、本実施形態に係るプリント配線基板300について説明する。図2および図3は、本実施形態におけるプリント配線基板300の構成の一例を示す断面図である。   Next, the printed wiring board 300 according to the present embodiment will be described. 2 and 3 are cross-sectional views showing an example of the configuration of the printed wiring board 300 in the present embodiment.

プリント配線基板300は、ビアホール307が設けられた絶縁層301と、絶縁層301の少なくとも一方の面に設けられた金属層303とを少なくとも有する。なお、本実施形態において、ビアホール307とは層間を電気的に接続するための孔であり、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。   The printed wiring board 300 includes at least an insulating layer 301 provided with a via hole 307 and a metal layer 303 provided on at least one surface of the insulating layer 301. In the present embodiment, the via hole 307 is a hole for electrically connecting the layers, and may be either a through hole or a non-through hole.

本実施形態に係るプリント配線基板300は、図2に示すように、片面プリント配線基板であってもよいし、両面プリント配線基板または多層プリント配線基板であってもよい。両面プリント配線基板とは、絶縁層301の両面に金属層303を積層したプリント配線基板である。また、多層プリント配線基板とは、メッキスルーホール法やビルドアップ法等により、絶縁層301上に、層間絶縁層(ビルドアップ層とも呼ぶ。)を介して金属層303を2層以上積層したプリント配線基板である。
ここで、本実施形態に係るプリント配線基板300において、絶縁層301が本実施形態に係る樹脂基板または金属張積層板200の絶縁層301に相当する。
As shown in FIG. 2, the printed wiring board 300 according to the present embodiment may be a single-sided printed wiring board, a double-sided printed wiring board, or a multilayer printed wiring board. A double-sided printed wiring board is a printed wiring board in which a metal layer 303 is laminated on both sides of an insulating layer 301. The multilayer printed wiring board is a print in which two or more metal layers 303 are stacked on an insulating layer 301 via an interlayer insulating layer (also referred to as a buildup layer) by a plated through hole method, a buildup method, or the like. It is a wiring board.
Here, in the printed wiring board 300 according to the present embodiment, the insulating layer 301 corresponds to the insulating layer 301 of the resin substrate or the metal-clad laminate 200 according to the present embodiment.

金属層303は、例えば、回路層であり、金属箔105および/または無電解金属めっき膜308と、電解金属めっき層309とを有する。   The metal layer 303 is a circuit layer, for example, and includes the metal foil 105 and / or the electroless metal plating film 308 and the electrolytic metal plating layer 309.

プリント配線基板300が、図3に示すような多層プリント配線基板の場合は、金属層303は、コア層311またはビルドアップ層317中の回路層である。   When the printed wiring board 300 is a multilayer printed wiring board as shown in FIG. 3, the metal layer 303 is a circuit layer in the core layer 311 or the buildup layer 317.

金属層303は、例えば、薬液処理またはプラズマ処理された金属箔105または絶縁層301の面上に、SAP(セミアディティブプロセス)法により形成される。金属箔105または絶縁層301上に無電解金属めっき膜308を施した後、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより電解金属めっき層309付けを行い、めっきレジストの除去とフラッシュエッチングによる無電解金属めっき膜308の除去により、金属箔105または絶縁層301上に金属層303を形成する。   The metal layer 303 is formed by, for example, the SAP (semi-additive process) method on the surface of the metal foil 105 or the insulating layer 301 that has been subjected to chemical treatment or plasma treatment. After the electroless metal plating film 308 is applied on the metal foil 105 or the insulating layer 301, the non-circuit forming portion is protected by a plating resist, the electrolytic metal plating layer 309 is applied by electrolytic plating, the plating resist is removed, and flash etching is performed. The metal layer 303 is formed on the metal foil 105 or the insulating layer 301 by removing the electroless metal plating film 308 by the above.

金属層303の回路寸法は、ラインアンドスペース(L/S)で表わすとき、25μm/25μm以下とすることができ、特に15μm/15μm以下とすることができる。回路寸法を小さくし、微細配線にすると配線間の絶縁信頼性が低下する。しかし、本実施形態に係るプリント配線基板300は、ラインアンドスペース(L/S)15μm/15μm以下の微細配線が可能であり、ラインアンドスペース(L/S)10μm/10μm程度までの微細化を達成できる。   The circuit dimension of the metal layer 303 can be 25 μm / 25 μm or less, particularly 15 μm / 15 μm or less, when expressed in line and space (L / S). If the circuit dimensions are reduced and the wiring is made fine, the insulation reliability between the wirings decreases. However, the printed wiring board 300 according to the present embodiment is capable of fine wiring with a line and space (L / S) of 15 μm / 15 μm or less, and the line and space (L / S) can be refined to about 10 μm / 10 μm. Can be achieved.

金属層303の厚みは、特に限定されないが、通常は5μm以上25μm以下である。   The thickness of the metal layer 303 is not particularly limited, but is usually 5 μm or more and 25 μm or less.

ビルドアップ層317中の絶縁層305は、絶縁性の材料により構成されていれば特に限定されないが、例えば、樹脂フィルム、プリプレグのいずれかにより構成することができる。これらの中でも、プリプレグはシート状材料であり、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れ、プリント配線基板用のビルドアップ層317の製造に適しており好ましい。
プリプレグとしては、前述したプリプレグが特に好ましい。
The insulating layer 305 in the buildup layer 317 is not particularly limited as long as it is made of an insulating material, but can be made of, for example, a resin film or a prepreg. Among these, the prepreg is a sheet-like material, and has excellent dielectric properties, various characteristics such as mechanical and electrical connection reliability under high temperature and high humidity, and is suitable for manufacturing a build-up layer 317 for a printed wiring board. preferable.
As the prepreg, the prepreg described above is particularly preferable.

コア層311中の絶縁層301(ビルドアップ層317を含まないプリント配線基板300中の絶縁層301も含む。)の厚さは、好ましくは0.025mm以上0.3mm以下である。絶縁層301の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層301を得ることができる。   The thickness of the insulating layer 301 in the core layer 311 (including the insulating layer 301 in the printed wiring board 300 not including the build-up layer 317) is preferably 0.025 mm or more and 0.3 mm or less. When the thickness of the insulating layer 301 is within the above range, the balance between mechanical strength and productivity is particularly excellent, and the insulating layer 301 suitable for a thin printed wiring board can be obtained.

ビルドアップ層317中の絶縁層305の厚さは、好ましくは0.015mm以上0.05mm以下である。絶縁層305の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層305を得ることができる。   The thickness of the insulating layer 305 in the buildup layer 317 is preferably 0.015 mm or more and 0.05 mm or less. When the thickness of the insulating layer 305 is within the above range, the balance between mechanical strength and productivity is particularly excellent, and the insulating layer 305 suitable for a thin printed wiring board can be obtained.

つづいて、プリント配線基板300の製造方法の一例について説明する。ただし、本実施形態に係るプリント配線基板300の製造方法は、以下の例に限定されない。   Next, an example of a method for manufacturing the printed wiring board 300 will be described. However, the method for manufacturing the printed wiring board 300 according to the present embodiment is not limited to the following example.

はじめに、金属張積層板200を準備する。
次いで、エッチング処理により、金属箔105の一部またはすべてを除去する。
First, the metal-clad laminate 200 is prepared.
Next, part or all of the metal foil 105 is removed by etching.

次いで、絶縁層301にビアホール307を形成する。ビアホール307は、例えば、ドリル機やレーザー照射を用いて形成することができる。レーザー照射に用いるレーザーは、エキシマレーザー、UVレーザー、炭酸ガスレーザー等が挙げられる。ビアホール307を形成後の樹脂残渣等は、過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤等により除去してもよい。
なお、エッチング処理による金属箔105の除去前に、絶縁層301にビアホール307を形成してもよい。
Next, a via hole 307 is formed in the insulating layer 301. The via hole 307 can be formed using, for example, a drilling machine or laser irradiation. Examples of the laser used for laser irradiation include an excimer laser, a UV laser, and a carbon dioxide gas laser. Resin residues and the like after forming the via hole 307 may be removed by an oxidizing agent such as permanganate or dichromate.
Note that the via hole 307 may be formed in the insulating layer 301 before the metal foil 105 is removed by the etching treatment.

次いで、金属箔105または絶縁層301の表面に対して、薬液処理またはプラズマ処理を行う。
薬液処理としては、特に限定されず、有機物分解作用を有する酸化剤溶液等を使用する方法等が挙げられる。また、プラズマ処理としては、対象物となるものに直接酸化作用の強い活性種(プラズマ、ラジカル等)を照射して有機物残渣を除去する方法等が挙げられる。
Next, a chemical treatment or a plasma treatment is performed on the surface of the metal foil 105 or the insulating layer 301.
The chemical treatment is not particularly limited, and examples thereof include a method using an oxidizing agent solution having an organic substance decomposing action. Examples of the plasma treatment include a method of directly irradiating a target object with active species (plasma, radical, etc.) having a strong oxidizing action to remove organic residue.

次に、金属層303を形成する。金属層303は、例えば、セミアディティブプロセス(SAP)またはモディファイドセミアディティブプロセス(MSAP)により形成することができる。以下、具体的に説明する。   Next, the metal layer 303 is formed. The metal layer 303 can be formed by, for example, a semi-additive process (SAP) or a modified semi-additive process (MSAP). This will be specifically described below.

はじめに、無電解めっき法を用いて、金属箔105または絶縁層301の表面やビアホール307内に無電解金属めっき膜308を形成し、プリント配線基板300の両面の導通を図る。またビアホール307は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。無電解めっき法の例を説明する。例えば、まず金属箔105または絶縁層301の表面上やビアホール307内に触媒核を付与する。この触媒核としては、特に限定されないが、例えば、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができる。引き続き、この触媒核を核として、無電解めっき処理により無電解金属めっき膜308を形成する。無電解めっき処理には、例えば、硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウム等を含むものを用いることができる。なお、無電解めっき後に、100〜250℃の加熱処理を施し、めっき被膜を安定化させることが好ましい。120〜180℃の加熱処理が酸化を抑制できる被膜を形成できる点で、特に好ましい。また、無電解金属めっき膜308の平均厚さは、例えば、0.1〜2μm程度である。   First, an electroless metal plating film 308 is formed on the surface of the metal foil 105 or the insulating layer 301 or in the via hole 307 by using an electroless plating method, and conduction between both surfaces of the printed wiring board 300 is achieved. The via hole 307 can be appropriately filled with a conductor paste or a resin paste. An example of the electroless plating method will be described. For example, first, catalyst nuclei are provided on the surface of the metal foil 105 or the insulating layer 301 or in the via hole 307. The catalyst nucleus is not particularly limited. For example, a noble metal ion or palladium colloid can be used. Subsequently, an electroless metal plating film 308 is formed by electroless plating using the catalyst nucleus as a nucleus. For the electroless plating treatment, for example, a material containing copper sulfate, formalin, complexing agent, sodium hydroxide or the like can be used. In addition, it is preferable to heat-process 100-250 degreeC after electroless plating, and to stabilize a plating film. A heat treatment at 120 to 180 ° C. is particularly preferable in that a film capable of suppressing oxidation can be formed. Moreover, the average thickness of the electroless metal plating film 308 is, for example, about 0.1 to 2 μm.

次いで、金属箔105および/または無電解金属めっき膜308上に所定の開口パターンを有するめっきレジストを形成する。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。めっきレジストとしては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、めっきレジストとしては、感光性ドライフィルム等を用いることが好ましい。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、無電解金属めっき膜308上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、めっきレジストを形成する。   Next, a plating resist having a predetermined opening pattern is formed on the metal foil 105 and / or the electroless metal plating film 308. This opening pattern corresponds to, for example, a circuit pattern. The plating resist is not particularly limited, and known materials can be used, but liquid and dry films can be used. In the case of forming fine wiring, it is preferable to use a photosensitive dry film or the like as the plating resist. An example using a photosensitive dry film will be described. For example, a photosensitive dry film is laminated on the electroless metal plating film 308, the non-circuit formation region is exposed and photocured, and the unexposed portion is dissolved and removed with a developer. A plating resist is formed by leaving the cured photosensitive dry film.

次いで、少なくともめっきレジストの開口パターン内部かつ金属箔105および/または無電解金属めっき膜308上に、電気めっき処理により、電解金属めっき層309を形成する。電気めっき処理としては、特に限定されないが、通常のプリント配線基板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅等のめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流す等の方法を使用することができる。電解金属めっき層309は単層でもよく多層構造を有していてもよい。電解金属めっき層309の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、42合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか一種以上を用いることができる。   Next, an electrolytic metal plating layer 309 is formed by electroplating at least inside the opening pattern of the plating resist and on the metal foil 105 and / or the electroless metal plating film 308. Although it does not specifically limit as an electroplating process, The well-known method used with a normal printed wiring board can be used, For example, in the state immersed in plating solutions, such as copper sulfate, an electric current is supplied to a plating solution. A method such as flowing can be used. The electrolytic metal plating layer 309 may be a single layer or may have a multilayer structure. The material of the electrolytic metal plating layer 309 is not particularly limited, and for example, any one or more of copper, copper alloy, 42 alloy, nickel, iron, chromium, tungsten, gold, and solder can be used.

次いで、アルカリ性剥離液や硫酸または市販のレジスト剥離液等を用いてめっきレジストを除去する。   Next, the plating resist is removed using an alkaline stripping solution, sulfuric acid, a commercially available resist stripping solution, or the like.

次いで、電解金属めっき層309が形成されている領域以外の金属箔105および/または無電解金属めっき膜308を除去する。例えば、ソフトエッチング(フラッシュエッチング)等を用いることにより、金属箔105および/または無電解金属めっき膜308を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、例えば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、金属層303を形成することができる。金属層303は、金属箔105および/または無電解金属めっき膜308と、電解金属めっき層309と、により構成されることになる。   Next, the metal foil 105 and / or the electroless metal plating film 308 other than the region where the electrolytic metal plating layer 309 is formed are removed. For example, the metal foil 105 and / or the electroless metal plating film 308 can be removed by using soft etching (flash etching) or the like. Here, the soft etching treatment can be performed, for example, by etching using an etchant containing sulfuric acid and hydrogen peroxide. Thereby, the metal layer 303 can be formed. The metal layer 303 is constituted by the metal foil 105 and / or the electroless metal plating film 308 and the electrolytic metal plating layer 309.

さらに、プリント配線基板300上に、必要に応じてビルドアップ層317を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返すことにより、多層にすることができる。   Furthermore, a build-up layer 317 can be stacked on the printed wiring board 300 as necessary, and the steps of interlayer connection and circuit formation by a semi-additive process can be repeated to form a multilayer.

以上により、本実施形態のプリント配線基板300が得られる。   The printed wiring board 300 of this embodiment is obtained by the above.

つづいて、本実施形態に係る半導体装置400について説明する。図4および図5は、本実施形態における半導体装置400の構成の一例を示す断面図である。プリント配線基板300は、図4および図5に示すような半導体装置400に用いることができる。半導体装置400の製造方法としては、特に限定されないが、例えば以下のような方法がある。   Next, the semiconductor device 400 according to the present embodiment will be described. 4 and 5 are cross-sectional views showing an example of the configuration of the semiconductor device 400 according to the present embodiment. The printed wiring board 300 can be used in a semiconductor device 400 as shown in FIGS. A method for manufacturing the semiconductor device 400 is not particularly limited, and examples thereof include the following method.

まず、金属層303(回路層)上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返す。そして、必要に応じてソルダーレジスト層401をプリント配線基板300の両面または片面に積層する。   First, a build-up layer is laminated on the metal layer 303 (circuit layer) as necessary, and the steps of interlayer connection and circuit formation by a semi-additive process are repeated. And the soldering resist layer 401 is laminated | stacked on the both surfaces or single side | surface of the printed wiring board 300 as needed.

ソルダーレジスト層401の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像することにより形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。   The method of forming the solder resist layer 401 is not particularly limited. For example, a method of forming by laminating, exposing and developing a dry film type solder resist, or exposing and developing a liquid resist printed This is done by the forming method.

つづいて、リフロー処理を行なうことによって、半導体素子407を回路層の一部である接続端子上に半田バンプ410を介して固着させる。その後、半導体素子407、半田バンプ410等を封止材413で封止することによって、図4および図5に示す様な半導体装置400が得られる。   Subsequently, by performing a reflow process, the semiconductor element 407 is fixed to the connection terminal which is a part of the circuit layer via the solder bump 410. Thereafter, the semiconductor device 400 as shown in FIGS. 4 and 5 is obtained by sealing the semiconductor element 407, the solder bump 410, and the like with the sealing material 413.

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、本実施形態では、プリプレグが1層の場合を示したが、プリプレグを2層以上積層したものを用いて絶縁層を作製してもよい。
また、上記実施形態では、半導体素子407と、プリント配線基板300の回路層とを半田バンプ410で接続したが、これに限られるものではない。例えば、半導体素子407とプリント配線基板300の回路層とをボンディングワイヤで接続してもよい。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, these are illustrations of this invention and various structures other than the above are also employable. For example, in this embodiment, although the case where the prepreg is one layer was shown, you may produce an insulating layer using what laminated | stacked two or more layers of prepregs.
Moreover, in the said embodiment, although the semiconductor element 407 and the circuit layer of the printed wiring board 300 were connected by the solder bump 410, it is not restricted to this. For example, the semiconductor element 407 and the circuit layer of the printed wiring board 300 may be connected by a bonding wire.

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例では、部は特に特定しない限り質量部を表す。また、それぞれの厚みは平均膜厚で表わされている。   Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention, the present invention is not limited to these. In addition, in an Example, unless otherwise specified, a part represents a mass part. Moreover, each thickness is represented by the average film thickness.

実施例および比較例では、以下の原料を用いた。
マレイミド化合物1:式(a1)により示されるビスマレイミド化合物(BMI−1500、デジグナーモレキュールズ社製、分子量1500)
マレイミド化合物2:式(a2)により示されるビスマレイミド化合物(BMI−1700、デジグナーモレキュールズ社製、分子量1700)
マレイミド化合物3:式(a3)により示されるビスマレイミド化合物(BMI−3000、デジグナーモレキュールズ社製、分子量3000)
マレイミド化合物4:式(1)において、nが0以上3以下、Xが「−CH−」で表される基、aが0、bが0である化合物(BMI−2300、大和化成工業社製、Mw=750)
マレイミド化合物5:1,6'−ビスマレイミド−(2,2,4−トリメチル)ヘキサン(BMI−TMH、大和化成工業社製)
マレイミド化合物6:4,4'−ジフェニルメタンビスマレイミド(式(1)において、nは0、Xが「−CH−」で表される基、aが0、bが0である化合物、BMI−1000、大和化成工業社製)
In the examples and comparative examples, the following raw materials were used.
Maleimide compound 1: Bismaleimide compound represented by the formula (a1) (BMI-1500, manufactured by Designa Molecules, Inc., molecular weight 1500)
Maleimide compound 2: Bismaleimide compound represented by the formula (a2) (BMI-1700, manufactured by Designa Molecules Co., Ltd., molecular weight 1700)
Maleimide compound 3: Bismaleimide compound represented by the formula (a3) (BMI-3000, manufactured by Designa Molecules Co., Ltd., molecular weight 3000)
Maleimide compound 4: a compound represented by formula (1), wherein n 1 is 0 or more and 3 or less, X 1 is a group represented by “—CH 2 —”, a is 0, and b is 0 (BMI-2300, Yamato Kasei) Industrial company, Mw = 750)
Maleimide compound 5: 1,6′-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane (BMI-TMH, manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.)
Maleimide compound 6: 4,4′-diphenylmethane bismaleimide (in the formula (1), n 1 is 0, X 1 is a group represented by “—CH 2 —”, a is 0, b is 0, (BMI-1000, manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.)

ベンゾオキサジン化合物1:式(2−1)により示されるベンゾオキサジン化合物(P−d型ベンゾオキサジン、四国化成工業社製)
ベンゾオキサジン化合物2:式(3−1)により示されるベンゾオキサジン化合物(F−a型ベンゾオキサジン四国化成工業社製)
Benzoxazine compound 1: benzoxazine compound represented by formula (2-1) (Pd-type benzoxazine, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.)
Benzoxazine compound 2: benzoxazine compound represented by formula (3-1) (Fa type benzoxazine manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.)

エポキシ樹脂1:アラルキル型エポキシ樹脂(NC3000L、日本化薬社)
エポキシ樹脂2:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(EPICLON 830S、DIC社製)
エポキシ樹脂3:ナフタレンジオール型エポキシ樹脂(EPICLON HP−4032D、DIC社製)
Epoxy resin 1: Aralkyl epoxy resin (NC3000L, Nippon Kayaku Co., Ltd.)
Epoxy resin 2: bisphenol F type epoxy resin (EPICLON 830S, manufactured by DIC Corporation)
Epoxy resin 3: Naphthalene diol type epoxy resin (EPICLON HP-4032D, manufactured by DIC Corporation)

無機充填材1:シリカ(アドマテック社製、SC4050、平均粒径1.1μm、フェニルアミノシラン処理のシリカスラリー)   Inorganic filler 1: Silica (manufactured by Admatech, SC4050, average particle size 1.1 μm, silica slurry treated with phenylaminosilane)

低応力材1:カルボン酸末端アクリロニトリル・ブタジンゴム(PTIジャパン社製、CTBN1008SP)
低応力材2:アミノ基末端アクリロニトリル・ブタジンゴム(PTIジャパン社製、ATBN1300X16)
低応力材3:シリコーン化合物(エポキシ基およびフェニル基含有3次元架橋型シリコーン樹脂、東レ・ダウコーニング社製、AY42−119)
低応力材4:シリコーン化合物(シリコーンエポキシ樹脂、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、TSL9906)
低応力材5:シリコーン化合物(分子鎖両末端にアミノ基を有する変性シリコーン樹脂、東レ・ダウコーニング社製、BY16−853)
低応力材6:アクリル系ブロック共重合体(アクリルモノマーのブロック共重合体(PMMA−b−PBA−b−PMMA;b=ブロック)、数平均分子量:約10,000、アルケマ社製、ナノストレングスM51)
低応力材7:アクリル系共重合体(アクリル共重合体、均分子量:約150,000、ナガセケムテックス社製、SG−P3Mw4)
Low-stress material 1: carboxylic acid-terminated acrylonitrile / butazine rubber (manufactured by PTI Japan, CTBN1008SP)
Low stress material 2: Amino group-terminated acrylonitrile / butazine rubber (manufactured by PTI Japan, ATBN1300X16)
Low stress material 3: Silicone compound (epoxy group and phenyl group-containing three-dimensional cross-linked silicone resin, manufactured by Toray Dow Corning, AY42-119)
Low stress material 4: Silicone compound (silicone epoxy resin, manufactured by Momentive Performance Materials, TSL9906)
Low stress material 5: silicone compound (modified silicone resin having amino groups at both ends of molecular chain, manufactured by Toray Dow Corning, BY16-853)
Low stress material 6: acrylic block copolymer (block copolymer of acrylic monomer (PMMA-b-PBA-b-PMMA; b = block), number average molecular weight: about 10,000, manufactured by Arkema, Nano Strength M51)
Low stress material 7: acrylic copolymer (acrylic copolymer, average molecular weight: about 150,000, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-P3Mw4)

硬化促進剤1:2−フェニルイミダゾール(四国化成社製、2PZ−PW)
硬化促進剤2:テトラフェニルホスホニウムテトラ−p−トリルボレート(北興化学工業社製、TPP−MK)
Curing accelerator 1: 2-phenylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2PZ-PW)
Curing accelerator 2: Tetraphenylphosphonium tetra-p-tolylborate (manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd., TPP-MK)

次に、プリプレグの製造について説明する。使用した樹脂ワニスの組成を表1(質量部)に示し、得られたプリプレグ1〜19の厚み等を表2に示す。なお、表2に記載のP1〜P19とはプリプレグ1〜プリプレグ19を意味する。   Next, production of the prepreg will be described. The composition of the resin varnish used is shown in Table 1 (parts by mass), and the thicknesses and the like of the obtained prepregs 1 to 19 are shown in Table 2. In addition, P1-P19 of Table 2 means prepreg 1-prepreg 19.

[1]プリプレグ1
1.樹脂ワニス1の調製
表1に示す固形分割合で各成分を溶解または分散させ、メチルエチルケトンで不揮発分70質量%となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス1を調製した。
[1] Prepreg 1
1. Preparation of Resin Varnish 1 Each component was dissolved or dispersed at a solid content ratio shown in Table 1, and adjusted so as to have a nonvolatile content of 70% by mass with methyl ethyl ketone, and stirred using a high-speed stirrer to prepare Resin Varnish 1.

2.プリプレグの製造
(プリプレグ1)
ガラス織布(クロスタイプ♯2118、Tガラス、坪量114g/m)に樹脂ワニス1を塗布装置で含浸させ、140℃の熱風乾燥装置で10分間乾燥して、厚さ106μmのプリプレグ1(P1)を得た。
2. Manufacture of prepreg (prepreg 1)
A glass woven fabric (cross type # 2118, T glass, basis weight 114 g / m 2 ) is impregnated with a resin varnish 1 with a coating apparatus, dried with a hot air drying apparatus at 140 ° C. for 10 minutes, and a prepreg 1 having a thickness of 106 μm ( P1) was obtained.

(プリプレグ2〜19)
プリプレグ2〜19は、樹脂ワニスの種類を表1および2のように変えた以外は、プリプレグ1と同様にして製造した。ただし、ワニス19は溶解性の観点からジメチルホルムアミドで固形分濃度を調整した。
(Prepreg 2-19)
Prepregs 2 to 19 were produced in the same manner as prepreg 1 except that the types of resin varnishes were changed as shown in Tables 1 and 2. However, varnish 19 adjusted the solid content concentration with dimethylformamide from the viewpoint of solubility.

(実施例1)
1.樹脂基板の製造
プリプレグ1の両面に極薄銅箔(三井金属鉱業社製、マイクロシンEx、2.0μm)を重ね合わせ、圧力4MPa、温度230℃で2時間加熱加圧成形することにより、樹脂基板を得た。得られた金属箔付き樹脂基板のコア層(樹脂基板からなる部分)の厚みは、0.107mmであった。
Example 1
1. Production of Resin Substrate Super thin copper foil (Mitsui Metal Mining Co., Ltd., Micro Thin Ex, 2.0 μm) is superimposed on both sides of the prepreg 1, and the resin is formed by heating and pressing at a pressure of 4 MPa and a temperature of 230 ° C. for 2 hours. A substrate was obtained. The thickness of the core layer (part consisting of the resin substrate) of the obtained resin substrate with metal foil was 0.107 mm.

2.プリント配線基板の製造
前項で得られた金属箔付き樹脂基板の表面の極薄銅箔層に約1μmの粗化処理を施した後、炭酸ガスレーザーで、層間接続用のφ80μmのスルーホールを形成した。次いで、60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に5分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP)に2分間浸漬後、中和してスルーホール内のデスミア処理を行った。次に、無電解銅メッキを厚さ0.5μmで行い、電解銅メッキ用レジスト層を厚さ18μm形成し、パターン銅メッキし、温度150℃時間30分加熱してポストキュアした。次いでメッキレジストを剥離し全面をフラッシュエッチングして、L/S=15/15μmのパターンを形成した。
2. Fabrication of printed wiring board After the rough thin copper foil layer on the surface of the resin board with metal foil obtained in the previous section is roughened to about 1μm, a through hole of φ80μm for interlayer connection is formed with a carbon dioxide laser did. Next, it is immersed in a 60 ° C. swelling liquid (Atotech Japan, Swelling Dip Securigant P) for 5 minutes, and further immersed in an 80 ° C. aqueous potassium permanganate solution (Atotech Japan, Concentrate Compact CP) for 2 minutes. Then, it neutralized and the desmear process in a through hole was performed. Next, electroless copper plating was performed at a thickness of 0.5 μm, a resist layer for electrolytic copper plating was formed at a thickness of 18 μm, pattern copper plating was performed, and post-curing was performed by heating at a temperature of 150 ° C. for 30 minutes. Next, the plating resist was removed and the entire surface was flash etched to form a pattern of L / S = 15/15 μm.

(実施例2〜18および比較例1)
プリプレグの種類を表2に示すものに変えた以外は、実施例1と同様に樹脂基板、プリント配線板を作製した。
(Examples 2 to 18 and Comparative Example 1)
A resin substrate and a printed wiring board were produced in the same manner as in Example 1 except that the type of prepreg was changed to that shown in Table 2.

また、各実施例および比較例により得られた樹脂基板について、次の各評価を行った。評価結果を表2に示す。   In addition, the following evaluations were performed on the resin substrates obtained in the examples and comparative examples. The evaluation results are shown in Table 2.

(1)ガラス転移温度
ガラス転移温度の測定は、動的粘弾性測定(DMA装置、TAインスツルメント社製、Q800))で行った。
得られた樹脂基板から8mm×40mmのテストピースを切り出し、エッチング液(第二塩化鉄溶液、35℃)で銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。次いで、得られたプリプレグの硬化物を用いて昇温速度5℃/min、周波数1Hzで動的粘弾性測定をおこなった。なお、ガラス転移温度は、周波数1Hzにおいてtanδが最大値を示す温度とした。
(1) Glass transition temperature The glass transition temperature was measured by dynamic viscoelasticity measurement (DMA device, manufactured by TA Instruments, Q800).
A test piece of 8 mm × 40 mm was cut out from the obtained resin substrate, and the copper foil was removed with an etching solution (ferric chloride solution, 35 ° C.) to obtain a cured product of prepreg. Next, dynamic viscoelasticity measurement was performed at a heating rate of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz using the obtained prepreg cured product. The glass transition temperature was a temperature at which tan δ had a maximum value at a frequency of 1 Hz.

(2)貯蔵弾性率E'
貯蔵弾性率E'の測定は、動的粘弾性測定(DMA装置、TAインスツルメント社製、Q800)で行った。得られた樹脂基板から8mm×40mmのテストピースを切り出し、エッチング液(第二塩化鉄溶液、35℃)で銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。
得られたプリプレグの硬化物を用いて昇温速度5℃/min、周波数1Hzで、30℃および250℃での貯蔵弾性率測定をおこない、30℃での貯蔵弾性率E'30、250℃での貯蔵弾性率E'250、E'30/E'250を算出した。
(2) Storage elastic modulus E '
The storage elastic modulus E ′ was measured by dynamic viscoelasticity measurement (DMA device, manufactured by TA Instruments, Q800). A test piece of 8 mm × 40 mm was cut out from the obtained resin substrate, and the copper foil was removed with an etching solution (ferric chloride solution, 35 ° C.) to obtain a cured product of prepreg.
Using the obtained cured prepreg, the storage elastic modulus was measured at 30 ° C. and 250 ° C. at a heating rate of 5 ° C./min and at a frequency of 1 Hz, and the storage elastic modulus E ′ 30 at 30 ° C. was 250 ° C. The storage elastic moduli E ′ 250 and E ′ 30 / E ′ 250 were calculated.

(3)寸法収縮率
得られた樹脂基板から4mm×15mmのテストピースを切り出し、エッチング液(第二塩化鉄溶液、35℃)で銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。次いで、得られたプリプレグの硬化物に対し、熱機械分析装置TMA(TAインスツルメント社製、Q400)を用いて昇温速度10℃/min、荷重10g、圧縮モードの条件で、30℃から260℃まで昇温する過程と、260℃で1時間保持する過程とからなる熱機械分析測定を行った。そして、プリプレグの硬化物の基準長Lからの最大の熱膨張量Lおよびプリプレグの硬化物を260℃で1時間保持したときの基準長Lからの熱膨張量Lを求めた。次いで、100×(L−L)/Lで示される寸法収縮率を算出した。
(3) Dimensional Shrinkage A test piece of 4 mm × 15 mm was cut out from the obtained resin substrate, and the copper foil was removed with an etching solution (ferric chloride solution, 35 ° C.) to obtain a cured product of prepreg. Next, for the cured product of the obtained prepreg, from a temperature of 30 ° C. using a thermomechanical analyzer TMA (TA Instruments, Q400) at a heating rate of 10 ° C./min, a load of 10 g, and a compression mode. Thermomechanical analysis measurement was performed, which consisted of a process of raising the temperature to 260 ° C. and a process of maintaining at 260 ° C. for 1 hour. Then, the maximum thermal expansion amount L 1 from the reference length L 0 of the cured prepreg and the thermal expansion amount L 2 from the reference length L 0 when the cured prepreg was held at 260 ° C. for 1 hour were determined. Next, a dimensional shrinkage ratio represented by 100 × (L 1 −L 2 ) / L 0 was calculated.

(4)線膨張係数
得られた樹脂基板から4mm×15mmのテストピースを切り出し、エッチング液(第二塩化鉄溶液、35℃)で銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。次いで、得られたプリプレグの硬化物に対し、熱機械分析装置TMA(TAインスツルメント社製、Q400)を用いて、温度範囲30〜260℃、昇温速度10℃/min、荷重10g、圧縮モードの条件で熱機械分析(TMA)を2サイクル測定した。50℃から150℃の範囲における平面方向(XY方向)の線膨張係数の平均値αおよび150℃から250℃の範囲における平面方向(XY方向)の線膨張係数の平均値αを算出した。
なお、膨脹係数は、2サイクル目の値を採用した。
(4) Linear expansion coefficient A test piece of 4 mm x 15 mm was cut out from the obtained resin substrate, and the copper foil was removed with an etching solution (ferric chloride solution, 35 ° C) to obtain a cured product of prepreg. Subsequently, with respect to the cured product of the obtained prepreg, using a thermomechanical analyzer TMA (TA Instruments, Q400), a temperature range of 30 to 260 ° C., a heating rate of 10 ° C./min, a load of 10 g, and compression Thermomechanical analysis (TMA) was measured for 2 cycles under mode conditions. The average value α 1 of the linear expansion coefficient in the plane direction (XY direction) in the range of 50 ° C. to 150 ° C. and the average value α 2 of the linear expansion coefficient in the plane direction (XY direction) in the range of 150 ° C. to 250 ° C. were calculated. .
In addition, the value of the 2nd cycle was employ | adopted for the expansion coefficient.

(5)減膜量
得られた樹脂基板から4mm×15mmのテストピースを切り出し、エッチング液(第二塩化鉄溶液、35℃)で銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。次いで、得られたプリプレグの硬化物の120℃で1時間乾燥後の質量を第1の質量とし、当該硬化物を下記条件で処理した後の硬化物の120℃で1時間乾燥後の質量を第2の質量としたとき、[{(第1の質量)−(第2の質量)}/(当該硬化物の表裏両面の面積の和)]×100で定義される減膜量を算出した。
<条件>
硬化物を3g/L水酸化ナトリウム溶液(溶媒:ジエチレングリコールモノブチルエーテル11.1体積%、エチレングリコール3.6体積%、純水85.3体積%)に60℃、5分間浸漬することにより硬化物を膨潤させ、次いで、膨潤した硬化物を粗化処理水溶液(過マンガン酸ナトリウム60g/L、水酸化ナトリウム45g/L)に80℃、5分間浸漬することにより硬化物を粗化処理し、次いで、粗化処理した硬化物を中和液(98質量%硫酸5.0体積%、硫酸ヒドロキシルアミン0.8体積%、純水94.2体積%)に40℃、5分間浸漬することにより硬化物を中和する
(5) Film reduction amount A test piece of 4 mm × 15 mm was cut out from the obtained resin substrate, and the copper foil was removed with an etching solution (ferric chloride solution, 35 ° C.) to obtain a cured product of prepreg. Next, the mass after drying at 120 ° C. for 1 hour of the cured product of the obtained prepreg is defined as a first mass, and the mass after drying for 1 hour at 120 ° C. of the cured product after treating the cured product under the following conditions. When it was set as the second mass, the amount of film reduction defined by [{(first mass) − (second mass)} / (sum of areas of both sides of the cured product)] × 100 was calculated. .
<Conditions>
The cured product is immersed in a 3 g / L sodium hydroxide solution (solvent: 11.1% by volume of diethylene glycol monobutyl ether, 3.6% by volume of ethylene glycol, 85.3% by volume of pure water) at 60 ° C. for 5 minutes. Then, the cured product is roughened by immersing the swollen cured product in a roughening aqueous solution (sodium permanganate 60 g / L, sodium hydroxide 45 g / L) at 80 ° C. for 5 minutes, The cured product obtained by roughening was cured by immersing it in a neutralizing solution (98% by mass sulfuric acid 5.0% by volume, hydroxylamine sulfate 0.8% by volume, pure water 94.2% by volume) at 40 ° C. for 5 minutes. Neutralize things

(6)細線間絶縁信頼性評価
プリント配線基板のL/S=15/15μmの微細回路パターン上に、ビルドアップ材(住友ベークライト社製、BLA−3700GS)を積層、硬化した試験サンプルを作製した。この試験サンプルを用いて、温度130℃、湿度85%、印加電圧3.3Vの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値10Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
◎:500時間以上故障なし
〇:200〜500時間未満で故障あり(実質上問題なし)
×:200時間未満で故障あり
(6) Evaluation of insulation reliability between thin wires A test sample was prepared by laminating and curing a build-up material (BLA-3700GS, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) on a fine circuit pattern of L / S = 15/15 μm of a printed wiring board. . Using this test sample, the continuous humidity insulation resistance was evaluated under the conditions of a temperature of 130 ° C., a humidity of 85%, and an applied voltage of 3.3 V. A resistance value of 10 6 Ω or less was regarded as a failure. The evaluation criteria are as follows.
◎: No failure for 500 hours or more ○: There is a failure in 200 to less than 500 hours (substantially no problem)
×: Failure occurred in less than 200 hours

(7)細線加工性評価
上記したプリント配線基板の製造において、L/S=15/15μmの微細回路パターンを形成した後のプリント配線基板について、レーザー顕微鏡で細線の外観検査および導通チェックにより評価した。評価基準は以下の通りである。
◎:形状、導通ともに問題なし
〇:ショート、配線切れはなく、実質上問題ない
×:ショート、配線切れあり
(7) Evaluation of fine wire workability In the production of the above-described printed wiring board, the printed wiring board after forming a fine circuit pattern of L / S = 15/15 μm was evaluated by a thin wire appearance inspection and a continuity check with a laser microscope. . The evaluation criteria are as follows.
◎: No problem in both shape and continuity 〇: No short circuit or wire breakage, no problem ×: Short circuit, wire breakage

(8)スルーホール絶縁信頼性評価
上記したプリント配線板の製造において、層間接続のΦ80μmのスルーホールを壁間80μmで20対形成した。次に、回路パターン上に、ビルドアップ材(住友ベークライト社製、BLA−3700GS)を積層、硬化した試験サンプルを作製した。この試験サンプルを用いて、温度130℃、湿度85%、印加電圧5.5Vの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値10Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
◎:500時間以上故障なし(良好)
〇:200〜500時間未満で故障あり(実質上問題なし)
△:200時間未満で故障あり(実質上使用不可)
×:100時間未満で故障あり(使用不可)
(8) Evaluation of through-hole insulation reliability In manufacturing the printed wiring board described above, 20 pairs of through-holes of Φ80 μm for interlayer connection were formed with 80 μm between walls. Next, a test sample in which a build-up material (manufactured by Sumitomo Bakelite, BLA-3700GS) was laminated and cured on the circuit pattern was produced. Using this test sample, the insulation resistance in continuous humidity was evaluated under the conditions of a temperature of 130 ° C., a humidity of 85%, and an applied voltage of 5.5V. A resistance value of 10 6 Ω or less was regarded as a failure. The evaluation criteria are as follows.
A: No failure for 500 hours or more (good)
○: There is a failure in less than 200 to 500 hours (substantially no problem)
Δ: Failure in less than 200 hours (substantially unusable)
×: Failure occurred in less than 100 hours (cannot be used)

(9)半導体装置の反り評価
回路パターンを形成した後のプリント配線基板にビルドアップ材(住友ベークライト社製、BLA−3700GS)を積層硬化し、セミアディティブ法で回路加工した。その上に、10mm×10mm×100μm厚みの半田バンプ付半導体素子を実装し、アンダーフィル(住友ベークライト社製、CRP−4160G)で封止し、150℃で2時間硬化させた。最後に、15mm×15mmにダイシングし半導体装置を作製した。
得られた半導体装置の260℃での反りを温度可変レーザー三次元測定機(日立テクノロジーアンドサービス社製、形式LS220−MT100MT50)を用いて評価した。上記測定機のサンプルチャンバーに半導体素子面を下にして設置し、高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。評価基準は以下の通りである。
◎ :反り量が30μm未満
〇 :反り量が30μm以上50μm未満
× :反り量が50μm以上
(9) Warpage evaluation of semiconductor device Build-up material (BLA-3700GS, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was laminated and cured on the printed wiring board after the circuit pattern was formed, and circuit processing was performed by a semi-additive method. A 10 mm × 10 mm × 100 μm thick semiconductor element with solder bumps was mounted thereon, sealed with an underfill (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., CRP-4160G), and cured at 150 ° C. for 2 hours. Finally, a semiconductor device was manufactured by dicing to 15 mm × 15 mm.
The warpage of the obtained semiconductor device at 260 ° C. was evaluated using a temperature variable laser three-dimensional measuring machine (manufactured by Hitachi Technology and Service, model LS220-MT100MT50). The semiconductor element surface was placed in the sample chamber of the measuring machine, the displacement in the height direction was measured, and the largest value of the displacement difference was taken as the amount of warpage. The evaluation criteria are as follows.
A: Warpage amount is less than 30 μm 〇: Warpage amount is 30 μm or more and less than 50 μm ×: Warpage amount is 50 μm or more

(10)ヒートサイクル試験
(9)で得られた半導体装置4個を85℃、85%の条件下で168時間処理後、IRリフロー炉(ピーク温度:260℃)で3回処理し、大気中で、−55℃(15分)、125℃(15分)で500サイクル処理した。つぎに、超音波映像装置(日立建機ファインテック社製、FS300)を用いて、半導体素子、半田バンプに異常がないか観察した。
◎:半導体素子、半田バンプともに異常なし
〇:半導体素子および/または半田バンプの一部にクラックが見られるが実用上問題なし
×:半導体素子および/または半田バンプの一部または全部にクラックが見られ実用上問題あり
(10) Heat cycle test Four semiconductor devices obtained in (9) were treated at 85 ° C. and 85% for 168 hours, then treated three times in an IR reflow furnace (peak temperature: 260 ° C.), and in the atmosphere And 500 cycles at −55 ° C. (15 minutes) and 125 ° C. (15 minutes). Next, using an ultrasonic imaging apparatus (manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd., FS300), the semiconductor element and the solder bump were observed for abnormalities.
A: No abnormality in both semiconductor element and solder bump O: Cracks are found in some of the semiconductor elements and / or solder bumps, but there are no practical problems ×: Cracks appear in some or all of the semiconductor elements and / or solder bumps There are practical problems

Figure 2016196549
Figure 2016196549

Figure 2016196549
Figure 2016196549

105 金属箔
200 金属張積層板
300 プリント配線基板
301 絶縁層
303 金属層
305 絶縁層
307 ビアホール
308 無電解金属めっき膜
309 電解金属めっき層
311 コア層
317 ビルドアップ層
400 半導体装置
401 ソルダーレジスト層
407 半導体素子
410 半田バンプ
413 封止材
105 Metal foil 200 Metal-clad laminate 300 Printed wiring board 301 Insulating layer 303 Metal layer 305 Insulating layer 307 Via hole 308 Electroless metal plating film 309 Electrolytic metal plating layer 311 Core layer 317 Buildup layer 400 Semiconductor device 401 Solder resist layer 407 Semiconductor Element 410 Solder bump 413 Sealing material

Claims (26)

プリント配線基板における絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
マレイミド化合物(A)を含み、
前記マレイミド化合物(A)が下記式(a)により示されるビスマレイミド化合物(A1)を少なくとも含むプリント配線基板用樹脂組成物。
Figure 2016196549
(前記式(a)において、Qは炭素数6以上の2価の直鎖状、分枝鎖状または環状の脂肪族炭化水素基であり、Pは2価の原子または有機基であり、nは1以上10以下の整数である)
A thermosetting resin composition used for forming an insulating layer in a printed wiring board,
Including a maleimide compound (A),
The resin composition for printed wiring boards in which the maleimide compound (A) contains at least a bismaleimide compound (A1) represented by the following formula (a).
Figure 2016196549
(In the formula (a), Q is a divalent linear, branched or cyclic aliphatic hydrocarbon group having 6 or more carbon atoms, P is a divalent atom or organic group, and n Is an integer from 1 to 10.
請求項1に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
前記マレイミド化合物(A)が前記ビスマレイミド化合物(A1)とは異なる種類のマレイミド化合物(A2)をさらに含むプリント配線基板用樹脂組成物。
In the resin composition for printed wiring boards according to claim 1,
A resin composition for a printed wiring board, wherein the maleimide compound (A) further comprises a different type of maleimide compound (A2) from the bismaleimide compound (A1).
請求項2に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
前記マレイミド化合物(A2)が下記式(1)により示されるマレイミド化合物および1,6'−ビスマレイミド−(2,2,4−トリメチル)ヘキサンから選択される少なくとも一種を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
Figure 2016196549
(前記式(1)において、nは0以上10以下の整数であり、Xはそれぞれ独立に炭素数1以上10以下のアルキレン基、下記式(1a)で表される基、式「−SO−」で表される基、「−CO−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Rはそれぞれ独立に炭素数1以上6以下の炭化水素基であり、aはそれぞれ独立に0以上4以下の整数であり、bはそれぞれ独立に0以上3以下の整数である)
Figure 2016196549
(前記式(1a)において、Yは芳香族環を有する炭素数6以上30以下の炭化水素基であり、nは0以上の整数である)
In the resin composition for printed wiring boards according to claim 2,
The resin composition for a printed wiring board, wherein the maleimide compound (A2) contains at least one selected from a maleimide compound represented by the following formula (1) and 1,6′-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane object.
Figure 2016196549
(In Formula (1), n 1 is an integer of 0 to 10, X 1 is each independently an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by Formula (1a) below, a formula “— A group represented by “SO 2 —”, a group represented by “—CO—”, an oxygen atom or a single bond, each R 1 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and a is Each independently represents an integer of 0 or more and 4 or less, and b is independently an integer of 0 or more and 3 or less)
Figure 2016196549
(In the formula (1a), Y is a hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms having an aromatic ring, and n 2 is an integer of 0 or more.)
請求項1乃至3いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
ベンゾオキサジン化合物(B)をさらに含むプリント配線基板用樹脂組成物。
In the resin composition for printed wiring boards as described in any one of Claims 1 thru | or 3,
A resin composition for printed wiring boards, further comprising a benzoxazine compound (B).
請求項4に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
前記ベンゾオキサジン化合物(B)は下記式(2)により示される化合物、下記式(3)により示される化合物から選択される一種または二種以上を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
Figure 2016196549
(前記式(2)において、Xはそれぞれ独立に炭素数1以上10以下のアルキレン基、前記式(1a)で表される基、式「−SO−」で表される基、「−CO−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Rはそれぞれ独立に炭素数1〜6の炭化水素基であり、cはそれぞれ独立に0以上4以下の整数である)
Figure 2016196549
(前記式(3)において、Xはそれぞれ独立に炭素数1以上10以下のアルキレン基、前記式(1a)で表される基、式「−SO−」で表される基、「−CO−」で表される基、酸素原子または単結合であり、Rはそれぞれ独立に炭素数1〜6の炭化水素基であり、dはそれぞれ独立に0以上4以下の整数である)
In the resin composition for printed wiring boards according to claim 4,
The said benzoxazine compound (B) is a resin composition for printed wiring boards containing 1 type, or 2 or more types selected from the compound shown by following formula (2), and the compound shown by following formula (3).
Figure 2016196549
(In the formula (2), each X 2 independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by the formula (1a), a group represented by the formula “—SO 2 —”, “— A group represented by “CO—”, an oxygen atom or a single bond, R 2 is each independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and c is each independently an integer of 0 or more and 4 or less)
Figure 2016196549
(In the formula (3), X 3 each independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by the formula (1a), a group represented by the formula “—SO 2 —”, “— A group represented by "CO-", an oxygen atom or a single bond, each R 3 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and d is each independently an integer of 0 or more and 4 or less)
請求項5に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
前記ベンゾオキサジン化合物(B)が下記式(2−1)により示される化合物、下記式(2−2)により示される化合物、下記式(2−3)により示される化合物、下記式(3−1)により示される化合物、下記式(3−2)により示される化合物および下記式(3−3)により示される化合物から選択される一種または二種以上を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
Figure 2016196549
Figure 2016196549
Figure 2016196549
(前記式(2−3)において、Rはそれぞれ独立に炭素数1〜4の炭化水素基である)
In the resin composition for printed wiring boards according to claim 5,
The benzoxazine compound (B) is a compound represented by the following formula (2-1), a compound represented by the following formula (2-2), a compound represented by the following formula (2-3), the following formula (3-1) ), A compound represented by the following formula (3-2) and a compound represented by the following formula (3-3).
Figure 2016196549
Figure 2016196549
Figure 2016196549
(In the formula (2-3), each R is independently a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms)
請求項4乃至6いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
前記マレイミド化合物(A)の含有量が、前記マレイミド化合物(A)および前記ベンゾオキサジン化合物(B)の合計100質量%に対して35質量%以上80質量%以下であるプリント配線基板用樹脂組成物。
In the resin composition for printed wiring boards as described in any one of Claims 4 thru | or 6,
The resin composition for a printed wiring board, wherein the content of the maleimide compound (A) is 35% by mass to 80% by mass with respect to 100% by mass in total of the maleimide compound (A) and the benzoxazine compound (B). .
請求項1乃至7いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
低応力材(E)をさらに含むプリント配線基板用樹脂組成物。
In the resin composition for printed wiring boards as described in any one of Claims 1 thru | or 7,
A printed wiring board resin composition further comprising a low stress material (E).
請求項8に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
前記低応力材(E)が(メタ)アクリル系ブロック共重合体;シリコーン化合物;カルボキシル基、アミノ基、ビニルアクリレート基またはエポキシ基により変性されたアクリロニトリル・ブタジエンゴム;脂肪族エポキシ樹脂;およびゴム粒子から選択される一種または二種以上を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
In the resin composition for printed wiring boards according to claim 8,
The low stress material (E) is a (meth) acrylic block copolymer; a silicone compound; an acrylonitrile-butadiene rubber modified with a carboxyl group, an amino group, a vinyl acrylate group or an epoxy group; an aliphatic epoxy resin; and rubber particles The resin composition for printed wiring boards containing 1 type, or 2 or more types selected from.
請求項1乃至9いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
無機充填材(C)をさらに含むプリント配線基板用樹脂組成物。
In the resin composition for printed wiring boards as described in any one of Claims 1 thru | or 9,
A printed wiring board resin composition further comprising an inorganic filler (C).
請求項10に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
前記無機充填材(C)がタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、ベーマイト、水酸化アルミニウム、および水酸化マグネシウムから選択される一種または二種以上を含むプリント配線基板用樹脂組成物。
In the resin composition for printed wiring boards according to claim 10,
A resin composition for a printed wiring board, wherein the inorganic filler (C) contains one or more selected from talc, alumina, glass, silica, mica, boehmite, aluminum hydroxide, and magnesium hydroxide.
請求項10または11に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
前記無機充填材(C)の含有量が、前記プリント配線基板用樹脂組成物の全固形分100質量%に対し、50質量%以上85質量%以下であるプリント配線基板用樹脂組成物。
In the resin composition for printed wiring boards according to claim 10 or 11,
The resin composition for printed wiring boards whose content of the said inorganic filler (C) is 50 to 85 mass% with respect to 100 mass% of total solid content of the said resin composition for printed wiring boards.
請求項1乃至12いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
エポキシ樹脂(D)をさらに含むプリント配線基板用樹脂組成物。
In the resin composition for printed wiring boards as described in any one of Claims 1 thru | or 12,
A printed wiring board resin composition further comprising an epoxy resin (D).
請求項13に記載のプリント配線基板用樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂(D)の含有量が、前記プリント配線基板用樹脂組成物中の前記無機充填材(C)を除く成分の全量を100質量%としたとき、1質量%以上50質量%以下であるプリント配線基板用樹脂組成物。
In the resin composition for printed wiring boards according to claim 13,
The content of the epoxy resin (D) is 1% by mass or more and 50% by mass or less when the total amount of the components excluding the inorganic filler (C) in the resin composition for printed wiring board is 100% by mass. A printed wiring board resin composition.
請求項1乃至14いずれか一項に記載のプリント配線基板用樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグ。   A prepreg formed by impregnating a fiber base material with the resin composition for a printed wiring board according to any one of claims 1 to 14. 請求項15に記載のプリプレグにおいて、
昇温速度5℃/min、周波数1Hzの条件での動的粘弾性測定により測定される、当該プリプレグを230℃、2時間加熱処理して得られる硬化物のガラス転移温度が250℃以上であるプリプレグ。
The prepreg according to claim 15, wherein
The glass transition temperature of a cured product obtained by heat-treating the prepreg at 230 ° C. for 2 hours, which is measured by dynamic viscoelasticity measurement under conditions of a heating rate of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz, is 250 ° C. or higher. Prepreg.
請求項15または16に記載のプリプレグにおいて、
当該プリプレグを230℃、2時間加熱処理して得られる硬化物の250℃での貯蔵弾性率E'250に対する30℃での貯蔵弾性率E'30の比(E'30/E'250)が、1.05以上1.75以下であるプリプレグ。
The prepreg according to claim 15 or 16,
The ratio (E ′ 30 / E ′ 250 ) of the storage elastic modulus E ′ 30 at 30 ° C. to the storage elastic modulus E ′ 250 at 250 ° C. of the cured product obtained by heat-treating the prepreg at 230 ° C. for 2 hours. A prepreg of 1.05 or more and 1.75 or less.
請求項15乃至17いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
当該プリプレグを230℃、2時間加熱処理して得られる硬化物の面内方向における、50℃から150℃の範囲において算出した平均線膨張係数αに対する150℃から250℃の範囲において算出した平均線膨張係数αの比(α/α)が、0.7以上2.0以下であるプリプレグ。
The prepreg according to any one of claims 15 to 17,
Average calculated in the range of 150 ° C. to 250 ° C. with respect to the average linear expansion coefficient α 1 calculated in the range of 50 ° C. to 150 ° C. in the in-plane direction of the cured product obtained by heat treatment of the prepreg at 230 ° C. for 2 hours. A prepreg having a linear expansion coefficient α 2 ratio (α 2 / α 1 ) of 0.7 or more and 2.0 or less.
請求項15乃至18いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
当該プリプレグを230℃、2時間加熱処理して得られる硬化物に対し、
熱機械分析装置を用いて、
30℃から260℃まで10℃/minで昇温する過程と、260℃で1時間保持する過程とからなる熱機械分析測定を行ったとき、前記熱機械分析測定前の前記硬化物の縦方向の長さを基準長Lとし、前記硬化物の前記基準長Lからの最大の熱膨張量をLとし、前記硬化物を260℃で1時間保持したときの前記基準長Lからの熱膨張量をLとした場合、
100×(L−L)/Lで示される寸法収縮率が0.15%以下であるプリプレグ。
The prepreg according to any one of claims 15 to 18,
For the cured product obtained by heat-treating the prepreg at 230 ° C. for 2 hours,
Using a thermomechanical analyzer
When the thermomechanical analysis measurement comprising the process of raising the temperature from 30 ° C to 260 ° C at 10 ° C / min and the process of maintaining at 260 ° C for 1 hour is performed, the longitudinal direction of the cured product before the thermomechanical analysis measurement and the length of the the reference length L 0, the maximum amount of thermal expansion from the reference length L 0 of the cured product and L 1, from the reference length L 0 when the cured product was held for 1 hour at 260 ° C. When the amount of thermal expansion of L 2 is
A prepreg having a dimensional shrinkage represented by 100 × (L 1 −L 2 ) / L 0 of 0.15% or less.
請求項15乃至19いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
当該プリプレグを230℃、2時間加熱処理して得られる硬化物の質量を第1の質量とし、当該硬化物を下記条件で処理した後の硬化物の質量を第2の質量としたとき、
[{(第1の質量)−(第2の質量)}/(当該硬化物の表裏両面の面積の和)]×100で定義される減膜量が1.2g/m以下であるプリプレグ。
<条件>
前記硬化物を3g/L水酸化ナトリウム溶液(溶媒:ジエチレングリコールモノブチルエーテル11.1体積%、エチレングリコール3.6体積%、純水85.3体積%)に60℃、5分間浸漬することにより前記硬化物を膨潤させ、次いで、膨潤した前記硬化物を粗化処理水溶液(過マンガン酸ナトリウム60g/L、水酸化ナトリウム45g/L)に80℃、5分間浸漬することにより前記硬化物を粗化処理し、次いで、粗化処理した前記硬化物を中和液(98質量%硫酸5.0体積%、硫酸ヒドロキシルアミン0.8体積%、純水94.2体積%)に40℃、5分間浸漬することにより前記硬化物を中和する
The prepreg according to any one of claims 15 to 19,
When the mass of the cured product obtained by heat-treating the prepreg at 230 ° C. for 2 hours is the first mass, and the mass of the cured product after treating the cured product under the following conditions is the second mass,
[{(1st mass)-(2nd mass)} / (sum of the areas of the front and back surfaces of the cured product)] × 100 The prepreg whose film reduction amount defined by 100 is 1.2 g / m 2 or less .
<Conditions>
By immersing the cured product in a 3 g / L sodium hydroxide solution (solvent: diethylene glycol monobutyl ether 11.1% by volume, ethylene glycol 3.6% by volume, pure water 85.3% by volume) at 60 ° C. for 5 minutes. The cured product is swollen, and then the cured product is roughened by immersing the swollen cured product in a roughening solution (sodium permanganate 60 g / L, sodium hydroxide 45 g / L) at 80 ° C. for 5 minutes. The cured product that has been treated and then roughened is then added to a neutralization solution (98% by mass sulfuric acid 5.0% by volume, hydroxylamine sulfate 0.8% by volume, pure water 94.2% by volume) at 40 ° C. for 5 minutes. Neutralize the cured product by dipping
請求項15乃至20いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
前記繊維基材がEガラス、Sガラス、Dガラス、Tガラス、NEガラス、UTガラス、Lガラス、HPガラスおよび石英ガラスから選ばれる一種または二種以上のガラスにより形成されたガラス繊維基材であるプリプレグ。
The prepreg according to any one of claims 15 to 20,
The fiber substrate is a glass fiber substrate formed of one or more kinds of glass selected from E glass, S glass, D glass, T glass, NE glass, UT glass, L glass, HP glass and quartz glass. A prepreg.
請求項15乃至21いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
当該プリプレグの厚みが20μm以上220μm以下であるプリプレグ。
The prepreg according to any one of claims 15 to 21,
A prepreg having a thickness of 20 μm or more and 220 μm or less.
請求項15乃至22いずれか一項に記載のプリプレグの硬化物を含む樹脂基板。   A resin substrate comprising a cured product of the prepreg according to any one of claims 15 to 22. 請求項15乃至22いずれか一項に記載のプリプレグの硬化物または前記プリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の硬化物の片面または両面に金属箔が設けられている金属張積層板。   A metal-clad laminate in which a metal foil is provided on one or both sides of a cured product of the prepreg according to any one of claims 15 to 22 or a cured product of a laminate obtained by superimposing two or more prepregs. 請求項23に記載の樹脂基板または請求項24に記載の金属張積層板を回路加工して得られるものであり、1層又は2層以上の回路層が設けられているプリント配線基板。   A printed wiring board obtained by processing a circuit of the resin substrate according to claim 23 or the metal-clad laminate according to claim 24, wherein one or two or more circuit layers are provided. 請求項25に記載のプリント配線基板の前記回路層上に半導体素子を搭載した半導体装置。   The semiconductor device which mounted the semiconductor element on the said circuit layer of the printed wiring board of Claim 25.
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