JPWO2012035893A1 - β型サイアロン及びその製造方法並びに発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(β型サイアロン)
本発明の第1の目的を達成するβ型サイアロンは、一般式:Si6−ZAlZOZN8−Zで示されるβ型サイアロンをホスト結晶に、発光中心としてEu2+が固溶されているものである。
本発明の第2の目的を達成するβ型サイアロンの製造方法について説明する。
本発明者等は、β型サイアロンについてESR法で検討を行い、結晶欠陥に由来して存在する不対電子が励起光及びEu2+に基づく蛍光発光を吸収し、しかもその吸収が発光を伴わないことが発光強度を低下させていることを見出した。そして、本発明者等は、この構造欠陥に由来する不対電子存在量を低減させるために、β型サイアロンに関し製造方法をさらに種々検討した。その結果、β型サイアロンの焼成における昇温工程の昇温速度の最適化や熱間静水圧処理工程の導入によって不対電子存在量が減少し、発光強度を向上できるとの知見を得たのである。
図1に示すように、β型サイアロンを製造する第1の製造方法は、
上述のβ型サイアロン、すなわち、一般式:Si6−ZAlZOZN8−Zで示されるβ型サイアロンの原料を混合する混合工程と、
混合原料の雰囲気温度を1500℃から焼成温度まで2℃/min以下の速度で昇温する昇温工程と、
焼成工程後のβ型サイアロンにアニール処理を行うアニール工程と、
アニール工程後のβ型サイアロンに酸処理を行う酸処理工程と、を有する。
図2は、β型サイアロンの第2の製造方法を説明するフロー図である。図2に示すように、β型サイアロンの第2の製造方法は、第1の製造方法の混合工程、昇温工程、焼成工程、アニール工程及び酸処理工程を有し、焼成工程後のβ型サイアロンに熱間静水圧処理を行う熱間静水圧処理工程を有している。
本発明の第3の目的を達成するβ型サイアロンを用いた発光装置について説明する。
図3は、本発明のβ型サイアロンを用いた発光装置10の構造の一例を模式的に示した断面図である。図3に示すように、本発明の発光装置10は、発光光源12としてのLEDチップと、発光光源12を搭載する第1のリードフレーム13と、第2のリードフレーム14と、発光光源12を被覆する波長変換部材15と、発光光源12と第2のリードフレーム14を電気的につなぐボンディングワイヤ16と、これらを覆う合成樹脂製のキャップ19と、で形成されている。波長変換部材15は、蛍光体18と、蛍光体18を分散しつつ配合した封止樹脂17とからなる。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいてさらに詳細に説明する。
混合工程では、原料として、α型窒化ケイ素粉末(電気化学工業社製NP−400グレード、酸素含有量0.96質量%、β相含有量14.8質量%)、窒化アルミニウム粉末(トクヤマ社製Fグレード、酸素含有量0.84質量%)、酸化アルミニウム粉末(大明化学社製、TM−DARグレード)、酸化ユーロピウム粉末(信越化学工業社製、RUグレード)を用いた。原料中のAl量と酸化ユーロピウム粉末以外の酸素量から計算したz値が0.25、酸化ユーロピウム粉末を0.29モル%となるように配合して、重量1kgの原料を得た。
磁場掃引範囲:3200〜3400gauss(320〜340mT)
磁場変調:100kHz、5gauss
照射マイクロ波:周波数9.25GHz、出力10mW
掃引時間:240秒
データポイント数:2056ポイント
標準試料:MgOにMn2+を熱拡散させたものを試料と同時に測定した。
原料粉末中のAl量から計算したz値を0.1とし、酸化ユーロピウム粉末を0.29モル%となるように、実施例1で用いた出発原料と同じ窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末、酸化ユーロピウム粉末を配合し、実施例1と同様に混合工程を行った。
その後、実施例1と同じ条件にて昇温工程、焼成工程、粉砕処理を行った。
比較例1のβ型サイアロンは、昇温工程において、室温から1500℃まで20℃/min、2000℃まで5℃/minで昇温した以外は、実施例1と同様に作製した。
比較例2のβ型サイアロンは、実施例2と同様に混合工程、昇温工程及び焼成工程まで行って作製したものであり、焼成工程後のHIP工程、アニール工程、酸処理工程及び水中分級処理を施さなかったものである。
比較例3のβ型サイアロンでは、HIP工程を行わなかった。それ以外は、実施例2と同じ条件で作製したものである。
実施例1と比較例1との比較から、焼成温度までの昇温速度が、スピン密度及び発光ピーク強度に影響していることがわかる。
実施例2と比較例3との比較から、HIP工程がスピン密度及び発光ピーク強度に影響していることがわかる。さらに、実施例3と比較例3とから、Z値を低くしても、HIP工程を行うことで、スピン密度を低減でき、また、同等の発光ピーク値が得られることがわかる。
比較例4の発光装置10は、実施例3のβ型サイアロンの代わりに、比較例2のβ型サイアロンを用いた以外は実施例4と同様のものである。
12:発光光源
13:第1のリードフレーム
13a:上部
13b:凹部
14:第2のリードフレーム
15:波長変換部材
16:ボンディングワイヤ
17:封止樹脂
18:蛍光体
19:キャップ
Claims (10)
- 一般式:Si6−zAlzOzN8−zで示され、Euを固溶したβ型サイアロンであって、β型サイアロンの電子スピン共鳴法による25℃でのg=2.00±0.02の吸収に対応するスピン密度が6.0×1016個/g以下であるβ型サイアロン。
- 請求項1記載のβ型サイアロンの製造方法であって、
β型サイアロンの原料を混合する混合工程と、
混合原料の雰囲気温度を1500℃から焼成温度まで2℃/min以下の速度で昇温する昇温工程と、
昇温工程後の混合原料を焼成する焼成工程と、
焼成工程後のβ型サイアロンにアニール処理を行うアニール工程と、
アニール工程後のβ型サイアロンに酸処理を行う酸処理工程と、
を有するβ型サイアロンの製造方法。 - 請求項2記載のβ型サイアロンの製造方法の混合工程、昇温工程、焼成工程、アニール工程及び酸処理工程を有し、焼成工程後のβ型サイアロンに熱間静水圧処理を行う熱間静水圧処理工程を有するβ型サイアロンの製造方法。
- 前記アニール工程を、窒素分圧が10kPa以下の不活性ガス中で1350℃以上1650℃以下の雰囲気下において加熱処理するか、又は、真空中で1200℃以上1500℃以下の雰囲気下において加熱処理する、請求項2記載のβ型サイアロンの製造方法。
- 前記アニール工程を、窒素分圧が10kPa以下の不活性ガス中で1350℃以上1650℃以下の雰囲気下において加熱処理するか、又は、真空中で1200℃以上1500℃以下の雰囲気下において加熱処理する、請求項3記載のβ型サイアロンの製造方法。
- 前記酸処理工程が、アニール工程後のβ型サイアロンをフッ化水素酸と硝酸の混酸に含漬するか、又は、フッ化水素アンモニウムに含浸する処理である請求項2記載のβ型サイアロンの製造方法。
- 前記酸処理工程が、アニール工程後のβ型サイアロンをフッ化水素酸と硝酸の混酸に含漬するか、又は、フッ化水素アンモニウムに含浸する処理である請求項3記載のβ型サイアロンの製造方法。
- 前記酸処理工程が、アニール工程後のβ型サイアロンをフッ化水素酸と硝酸の混酸に含漬するか、又は、フッ化水素アンモニウムに含浸する処理である請求項4記載のβ型サイアロンの製造方法。
- 前記酸処理工程が、アニール工程後のβ型サイアロンをフッ化水素酸と硝酸の混酸に含漬するか、又は、フッ化水素アンモニウムに含浸する処理である請求項5記載のβ型サイアロンの製造方法。
- 請求項1記載のβ型サイアロンと、発光光源とを備えた発光装置。
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