JPWO2011136073A1 - ポジ型感放射線性組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、［Ａ］同一又は異なる重合体分子中に、下記式（１）で表される基を有する構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを含む重合体、［Ｂ］シロキサンポリマー、及び［Ｃ］光酸発生体を含有するポジ型感放射線性組成物である。［Ｂ］シロキサンポリマーは、下記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であることが好ましい。［Ａ］重合体と［Ｂ］シロキサンポリマーの合計に対する［Ａ］重合体の質量比は５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。

Description

本発明はポジ型感放射線性組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法に関する。

表示素子には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁する目的で層間絶縁膜が設けられている。層間絶縁膜の形成材料としては、必要なパターン形状を得るための工程数が少なく、しかも十分な平坦性を有するものが好ましいことから、ポジ型感放射線性組成物が幅広く使用されている。

このような表示素子として、例えば層間絶縁膜を用いたＴＦＴ型液晶表示素子等の表示素子は、層間絶縁膜の上に透明電極膜を形成し、さらにその上に液晶配向膜を形成する工程を経て製造される。この場合、層間絶縁膜は、透明電極膜の形成工程において高温条件に曝されるため、充分な耐熱性が必要となる。

また近年、ＴＦＴ型液晶表示素子は、大画面化、高輝度化、高精細化、高速応答化、薄型化等が進行し、配線パターンの微細化も著しい。これに伴い、透明性、屈折率の向上に加えて、レジストパターンの微細化技術の向上が望まれている。レジストパターンを微細化した場合、エッチングガスによるドライエッチング処理工程において、処理時間が最適時間よりわずかでも過剰となると、レジストの削れや剥がれが生じやすくなる。さらに、表示素子を備える表示装置の大型化により、被処理面全面を均一に処理するには、ドライエッチング処理時間を長くするか、又はエッチングガスの濃度を高める必要が生じており、このような厳しいドライエッチング条件に対する層間絶縁膜の耐ドライエッチング性及び表面硬度の向上が求められる。

かかる高性能を実現するため、例えばカルボキシル基を生じるアクリル系ポリマーと、カルボキシル基と反応する官能基を有する重合体（特開２００９−９８６７３号公報参照）や、アクリル系樹脂にポリシロキサン系材料を加えたものを、感放射線性樹脂組成物の成分として用いた技術（特開２００９−９８６６１号公報及び特開２００９−１１６２２３号公報参照）が提案されている。

しかし、これらの技術においても高い耐ドライエッチング性に加え、良好な耐熱性、透明性、表面硬度、屈折率を有する表示素子用層間絶縁膜を形成でき、かつ充分な放射線感度を有する感放射線性樹脂組成物は、未だ得られていない。

特開２００９−９８６７３号公報 特開２００９−９８６６１号公報 特開２００９−１１６２２３号公報

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は充分な表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性に加え、高い耐ドライエッチング性を有する表示素子用層間絶縁膜を形成でき、かつ充分な放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された表示素子用層間絶縁膜、並びにその形成方法を提供することである。

上記課題を解決するためになされた発明は、
［Ａ］同一又は異なる重合体分子中に、下記式（１）で表される基を有する構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを含む重合体（以下、「［Ａ］重合体」とも称する）、
［Ｂ］シロキサンポリマー、並びに
［Ｃ］光酸発生体
を含有するポジ型感放射線性組成物である。

（式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、Ｒ^１及びＲ^２が共に水素原子である場合はない。Ｒ^３は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−Ｍ（Ｒ^３ｍ）_３で表される基である。このＭは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである。Ｒ^３ｍは、それぞれ独立してアルキル基である。また、Ｒ^１とＲ^３とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、Ｒ^３で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。）

当該ポジ型感放射線性組成物は、上記特定構造の［Ａ］重合体及び［Ｃ］光酸発生体に加え、［Ｂ］シロキサンポリマーを配合することにより、充分な放射線感度を確保でき、さらに表面硬度、屈折率、耐熱性及び透明性をバランス良く満たし、かつ高い耐ドライエッチング性を有する層間絶縁膜等の硬化膜を形成することが可能である。

［Ｂ］シロキサンポリマーは、下記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であることが好ましい。

（式（２）中、Ｒ^４は、炭素数１〜２０の非加水分解性の有機基である。Ｒ^５は、炭素数１〜４のアルキル基である。ｎは、０から３の整数である。但し、Ｒ^４及びＲ^５が複数の場合、複数のＲ^４及びＲ^５はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）

当該ポジ型感放射線性組成物において、［Ｂ］シロキサンポリマーとして上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物を用いることによって、充分な放射線感度を確保しながら、表面硬度及び耐ドライエッチング性をより向上させた表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。

当該ポジ型感放射線性組成物において、［Ａ］重合体と［Ｂ］シロキサンポリマーの合計に対する［Ａ］重合体の質量比は、５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。［Ａ］重合体と［Ｂ］シロキサンポリマーの合計に対する［Ａ］重合体の質量比を上記特定範囲とすることで、より高い放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物を得ることができ、結果としてより高い屈折率、透明性及び耐ドライエッチング性を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。

当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。

本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
（１）当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
（４）上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。

当該方法においては、当該ポジ型感放射線性組成物が良好な放射線感度を有すること、及び形成される表示素子用層間絶縁膜が高い耐ドライエッチング性を有するため、大きなドライエッチングマージンを確保できることにより、従来では全体を均一かつ短時間で処理することが難しかった大型表示装置用の表示素子用層間絶縁膜であっても、容易に、微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。さらに表面硬度、屈折率、耐熱性及び透明性をバランス良く満たした表示素子用層間絶縁膜を得ることができる。

以上説明したように、本発明のポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］重合体、［Ｂ］シロキサンポリマー及び［Ｃ］光酸発生体を含有することによって、充分な感放射線性を有する。また、耐熱性、透明性、表面硬度及び屈折率をバランス良く満たすと共に、高い耐ドライエッチング性を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。

＜ポジ型感放射線性組成物＞
本発明のポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］重合体、［Ｂ］シロキサンポリマー及び［Ｃ］光酸発生体を含有する。また、当該ポジ型感放射線性組成物は好適成分として、［Ｄ］界面活性剤及び［Ｅ］密着助剤、［Ｆ］塩基性化合物、［Ｇ］キノンジアジド化合物を含有してもよい。さらに、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分を詳述する。

＜［Ａ］重合体＞
［Ａ］重合体は、同一又は異なる重合体分子中に、構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを含んでいる。また、必要に応じてその他の構造単位を含んでいてもよい。構造単位（Ｉ）及びエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含む［Ａ］重合体の態様としては特に限定されず、例えば
（ｉ）同一の重合体分子中に構造単位（Ｉ）及びエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）の両方を含んでおり、［Ａ］重合体中に１種の重合体分子が存在する場合；
（ｉｉ）一の重合体分子中に構造単位（Ｉ）を含み、それとは異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含んでおり、［Ａ］重合体中に２種の重合体分子が存在する場合；
（ｉｉｉ）一の重合体分子中に構造単位（Ｉ）及びエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）の両方を含むと共に、それとは異なる重合体分子中に構造単位（Ｉ）を含み、これらとはさらに異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含んでおり、［Ａ］重合体中に３種の重合体分子が存在する場合；
（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）に規定の重合体分子に加え、［Ａ］重合体中にさらに別の１種又は２種以上の重合体分子を含む場合等が挙げられる。上記いずれの場合であっても本発明の効果を享受することができる。なお、［Ａ］重合体は、各構造単位を２種以上含んでいてもよい。以下、各構造単位を詳述する。

［構造単位（Ｉ）］
構造単位（Ｉ）では、上記式（１）で表される基が、酸の存在下で解離して極性基を生じる基（酸解離性基）として存在しているので、放射線の照射により［Ｃ］光酸発生体から生じた酸により酸解離性基が解離し、その結果、アルカリ不溶性であった［Ａ］重合体はアルカリ可溶性となる。上記酸解離性基は、アルカリに対しては比較的安定なアセタール構造又はケタール構造を有しており、これらが酸の作用によって解離することとなる。

上記式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、Ｒ^１及びＲ^２が共に水素原子である場合はない。Ｒ^３は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−Ｍ（Ｒ^３ｍ）_３で表される基である。このＭは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである。Ｒ^３ｍは、それぞれ独立してアルキル基である。また、Ｒ^１とＲ^３とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、Ｒ^３で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。

上記Ｒ^１及びＲ^２で表されるアルキル基としては、例えば炭素数１〜３０の直鎖状及び分岐状のアルキル基等が挙げられる。このアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。上記炭素数１〜３０の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、ｉ−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ネオペンチル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等が挙げられる。

上記Ｒ^１及びＲ^２で表されるシクロアルキル基としては、例えば炭素数３〜２０のシクロアルキル基等が挙げられる。また、この炭素数３〜２０のシクロアルキル基は、多環でもよく、環内に酸素原子を有していてもよい。上記炭素数３〜２０のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。

上記Ｒ^１及びＲ^２で表されるアリール基としては、例えば炭素数６〜１４のアリール基等が挙げられる。上記炭素数６〜１４のアリール基は、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記炭素数６〜１４のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。

上記Ｒ^１及びＲ^２で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、シクロアルキル基（例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基等）、アシル基（例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ｉ−ブチリル基等の炭素数２〜２０のアシル基等）、アシロキシ基（例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、ｔ−ブチリルオキシ基、ｔ−アミリルオキシ基等の炭素数２〜１０のアシロキシ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等の炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基）、ハロアルキル基（例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、ｉ−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ネオペンチル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換された基等）等が挙げられる。

上記Ｒ^３で表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基としては、例えば上記Ｒ^１及びＲ^２で例示した基が適用できる。これらの基の置換基としては、例えば上記Ｒ^１及びＲ^２で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基として例示した基が適用できる。上記Ｒ^３で表されるアラルキル基としては、例えば炭素数７〜２０のアラルキル基等が挙げられる。上記炭素数７〜２０のアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。

上記−Ｍ（Ｒ^３ｍ）_３で表される基としては、例えばトリメチルシラニル基、トリメチルゲルミル基等が挙げられる。このＲ^３で表されるアラルキル基又は−Ｍ（Ｒ^３ｍ）_３で表される基の水素原子の一部又は全部を置換していてもよい置換基としては、上記置換基を好適に採用することができる。この基の置換基としては、例えば上記Ｒ^１及びＲ^２で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基として例示した基が適用できる。

上記Ｒ^１とＲ^３とが連結して形成してもよい環状エーテル構造を有する基としては、例えば２，２−オキセタンジイル基、２，２−テトラヒドロフランジイル基、２−テトラヒドロピランジイル基、２−ジオキサンジイル基等が挙げられる。

構造単位（Ｉ）は、他の炭素原子に結合することによりアセタール構造又はケタール構造を有することとなるべき官能基を有することにより、そのアセタール構造又はケタール構造を持つことができる。

上記他の炭素原子に結合することによりアセタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば１−メトキシエトキシ基、１−エトキシエトキシ基、１−ｎ−プロポキシエトキシ基、１−ｉ−プロポキシエトキシ基、１−ｎ−ブトキシエトキシ基、１−ｉ−ブトキシエトキシ基、１−ｓｅｃ−ブトキシエトキシ基、１−ｔ−ブトキシエトキシ基、１−シクロペンチルオキシエトキシ基、１−シクロヘキシルオキシエトキシ基、１−ノルボルニルオキシエトキシ基、１−ボルニルオキシエトキシ基、１−フェニルオキシエトキシ基、１−（１−ナフチルオキシ）エトキシ基、１−ベンジルオキシエトキシ基、１−フェネチルオキシエトキシ基、（シクロヘキシル）（メトキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（エトキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（ｎ−プロポキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（ｉ−プロポキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（フェノキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（ベンジルオキシ）メトキシ基、（フェニル）（メトキシ）メトキシ基、（フェニル）（エトキシ）メトキシ基、（フェニル）（ｎ−プロポキシ）メトキシ基、（フェニル）（ｉ−プロポキシ）メトキシ基、（フェニル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシ基、（フェニル）（フェノキシ）メトキシ基、（フェニル）（ベンジルオキシ）メトキシ基、（ベンジル）（メトキシ）メトキシ基、（ベンジル）（エトキシ）メトキシ基、（ベンジル）（ｎ−プロポキシ）メトキシ基、（ベンジル）（ｉ−プロポキシ）メトキシ基、（ベンジル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシ基、（ベンジル）（フェノキシ）メトキシ基、（ベンジル）（ベンジルオキシ）メトキシ基、２−テトラヒドロフラニルオキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基、１−トリメチルシラニルオキシエトキシ基、１−トリメチルゲルミルオキシエトキシ基等が挙げられる。

これらのうち、１−エトキシエトキシ基、１−シクロヘキシルオキシエトキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基、１−ｎ−プロポキシエトキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基が好ましい。

上記他の炭素原子に結合することにより、ケタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば１−メチル−１−メトキシエトキシ基、１−メチル−１−エトキシエトキシ基、１−メチル−１−ｎ−プロポキシエトキシ基、１−メチル−１−ｉ−プロポキシエトキシ基、１−メチル−１−ｎ−ブトキシエトキシ基、１−メチル−１−ｉ−ブトキシエトキシ基、１−メチル−１−ｓｅｃ−ブトキシエトキシ基、１−メチル−１−ｔ−ブトキシエトキシ基、１−メチル−１−シクロペンチルオキシエトキシ基、１−メチル−１−シクロヘキシルオキシエトキシ基、１−メチル−１−ノルボルニルオキシエトキシ基、１−メチル−１−ボルニルオキシエトキシ基、１−メチル−１−フェニルオキシエトキシ基、１−メチル−１−（１−ナフチルオキシ）エトキシ基、１−メチル−１−ベンジルオオキシエトキシ基、１−メチル−１−フェネチルオキシエトキシ基、１−シクロヘキシル−１−メトキシエトキシ基、１−シクロヘキシル−１−エトキシエトキシ基、１−シクロヘキシル−１−ｎ−プロポキシエトキシ基、１−シクロヘキシル−１−ｉ−プロポキシエトキシ基、１−シクロヘキシル−１−シクロヘキシルオキシエトキシ基、１−シクロヘキシル−１−フェノキシエトキシ基、１−シクロヘキシル−１−ベンジルオキシエトキシ基、１−フェニル−１−メトキシエトキシ基、１−フェニル−１−エトキシエトキシ基、１−フェニル−１−ｎ−プロポキシエトキシ基、１−フェニル−１−ｉ−プロポキシエトキシ基、１−フェニル−１−シクロヘキシルオキシエトキシ基、１−フェニル−１−フェニルオキシエトキシ基、１−フェニル−１−ベンジルオキシエトキシ基、１−ベンジル−１−メトキシエトキシ基、１−ベンジル−１−エトキシエトキシ基、１−ベンジル−１−ｎ−プロポキシエトキシ基、１−ベンジル−１−ｉ−プロポキシエトキシ基、１−ベンジル−１−シクロヘキシルオキシエトキシ基、１−ベンジル−１−フェニルオキシエトキシ基、１−ベンジル−１−ベンジルオキシエトキシ基、２−（２−メチル−テトラヒドロフラニル）オキシ基、２−（２−メチル−テトラヒドロピラニル）オキシ基、１−メトキシ−シクロペンチルオキシ基、１−メトキシ−シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

これらのうち、１−メチル−１−メトキシエトキシ基、１−メチル−１−シクロヘキシルオキシエトキシ基が好ましい。

上記アセタール構造又はケタール構造を有する構造単位（Ｉ）としては、例えば下記式（１−１）〜（１−３）で表される構造単位等が挙げられる。

上記式（１−１）〜（１−３）中、Ｒ’は、水素原子又はメチル基である。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、上記式（１）と同義である。

上記式（１−１）〜（１−３）で表される構造単位（Ｉ）を与える単量体としては、例えば
１−アルコキシアルキル（メタ）アクリレート、１−（シクロアルキルオキシ）アルキル（メタ）アクリレート、１−（ハロアルコキシ）アルキル（メタ）アクリレート、１−（アラルキルオキシ）アルキル（メタ）アクリレート、テトラヒドロピラニル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート系アセタール構造含有単量体；
２，３−ジ（１−（トリアルキルシラニルオキシ）アルコキシ）カルボニル）−５−ノルボルネン、２，３−ジ（１−（トリアルキルゲルミルオキシ）アルコキシ）カルボニル）−５−ノルボルネン、２，３−ジ（１−アルコキシアルコキシカルボニル）−５−ノルボルネン、２，３−ジ（１−（シクロアルキルオキシ）アルコキシカルボニル）−５−ノルボルネン、２，３−ジ（１−（アラルキルオキシ）アルコキシカルボニル）−５−ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体；
１−アルコキシアルコキシスチレン、１−（ハロアルコキシ）アルコキシスチレン、１−（アラルキルオキシ）アルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体が挙げられる。

これらのうち、１−アルコキシアルキル（メタ）アクリレート、テトラヒドロピラニル（メタ）アクリレート、１−アルコキシアルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレンが好ましく、１−アルコキシアルキル（メタ）アクリレートがより好ましい。

上記式（１−１）〜（１−３）で表される構造単位（Ｉ）を与える具体的な単量体としては、例えば
１−エトキシエチルメタクリレート、１−メトキシエチルメタクリレート、１−ｎ−ブトキシエチルメタクリレート、１−イソブトキシエチルメタクリレート、１−ｔ−ブトキシエチルメタクリレート、１−（２−クロルエトキシ）エチルメタクリレート、１−（２−エチルヘキシルオキシ）エチルメタクリレート、１−ｎ−プロポキシエチルメタクリレート、１−シクロヘキシルオキシエチルメタクリレート、１−（２−シクロヘキシルエトキシ）エチルメタクリレート、１−ベンジルオキシエチルメタクリレート、２−テトラヒドロピラニルメタクリレート等のメタクリレート系アセタール構造含有単量体；
１−エトキシエチルアクリレート、１−メトキシエチルアクリレート、１−ｎ−ブトキシエチルアクリレート、１−イソブトキシエチルアクリレート、１−ｔ−ブトキシエチルアクリレート、１−（２−クロルエトキシ）エチルアクリレート、１−（２−エチルヘキシルオキシ）エチルアクリレート、１−ｎ−プロポキシエチルアクリレート、１−シクロヘキシルオキシエチルアクリレート、１−（２−シクロヘキシルエトキシ）エチルアクリレート、１−ベンジルオキシエチルアクリレート、２−テトラヒドロピラニルアクリレート等のアクリレート系アセタール構造含有単量体；
２，３−ジ（１−（トリメチルシラニルオキシ）エトキシ）カルボニル）−５−ノルボルネン、２，３−ジ（１−（トリメチルゲルミルオキシ）エトキシ）カルボニル）−５−ノルボルネン、２，３−ジ（１−メトキシエトキシカルボニル）−５−ノルボルネン、２，３−ジ（１−（シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）−５−ノルボルネン、２，３−ジ（１−（ベンジルオキシ）エトキシカルボニル）−５−ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体；
ｐ又はｍ−１−エトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−メトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−ｎ−ブトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−イソブトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−（１，１−ジメチルエトキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−（２−クロルエトキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−（２−エチルヘキシルオキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−ｎ−プロポキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−（２−シクロヘキシルエトキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ−１−ベンジルオキシエトキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体等が挙げられる。なお、これらの単量体は単独又は２種以上を使用することができる。

これらのうち構造単位（Ｉ）を与える単量体としては、１−エトキシエチルメタクリレート、１−ｎ−ブトキシエチルメタクリレート、２−テトラヒドロピラニルメタクリレート、１−ベンジルオキシエチルメタクリレートが好ましい。

構造単位（Ｉ）を与える単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、上記式（１−１）で表される構造単位（Ｉ）を与える単量体は、下記式に示すように（メタ）アクリル酸を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。

上記式中、Ｒ’、Ｒ^１及びＲ^３は、上記式（１−１）と同義である。Ｒ^２１及びＲ^２２は、−ＣＨ（Ｒ^２１）（Ｒ^２２）として、上記式（１−１）におけるＲ^２と同義である。

［Ａ］重合体における構造単位（Ｉ）の含有量としては、［Ａ］重合体が酸によりアルカリ可溶性を示し、硬化膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを両方含む場合、［Ａ］重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、５質量％以上７０質量％以下が好ましく、１０質量％以上６０質量％以下がより好ましく、２０質量％以上５０質量％以下が特に好ましい。

一方、一の重合体分子に構造単位（Ｉ）を含み、かつこれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含む場合、構造単位（Ｉ）を有するその一の重合体分子における構造単位（Ｉ）の含有量としては、その重合体分子に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、４０質量％以上９９質量％以下が好ましく、５０質量％以上９８質量％以下がより好ましく、５５質量％以上９５質量％以下が特に好ましい。

［エポキシ基含有構造単位（ＩＩ）］
エポキシ基含有構造単位（ＩＩ）としては、エポキシ基含有単量体に由来する構造単位であれば特に限定されない。［Ａ］重合体が分子中にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含むことで、当該ポジ型感放射線性組成物から得られる硬化膜の表面硬度及び耐熱性をさらに高めることができる。なお、本明細書のエポキシ基とは、オキシラニル基（１，２−エポキシ構造）及びオキセタニル基（１，３−エポキシ構造）を含む概念である。

エポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を与える単量体としては、例えば
（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸３，４−エポキシブチル、アクリル酸３−メチル−３，４−エポキシブチル、メタクリル酸３−エチル−３，４−エポキシブチル、（メタ）アクリル酸５，６−エポキシヘキシル、メタクリル酸５−メチル−５，６−エポキシヘキシル、メタクリル酸５−エチル−５，６−エポキシヘキシル、（メタ）アクリル酸６，７−エポキシヘプチル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロへキシル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルメチル、（メタ）アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルエチル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルプロピル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルブチル、（メタ）アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルヘキシル、アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルメチル、アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルエチル、アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルプロピル、アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルブチル、アクリル酸３，４−エポキシシクロへキシルヘキシル等のオキシラニル基含有（メタ）アクリル系化合物；
ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のビニルベンジルグリシジルエーテル類；
ｏ−ビニルフェニルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルフェニルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルフェニルグリシジルエーテル等のビニルフェニルグリシジルエーテル類；
３−アクリロイルオキシメチルオキセタン、３−アクリロイルオキシメチル−３−メチルオキセタン、３−アクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン、３−アクリロイルオキシメチル−３−フェニルオキセタン、３−（２−アクリロイルオキシエチル）オキセタン、３−（２−アクリロイルオキシエチル）−３−エチルオキセタン、３−（２−アクリロイルオキシエチル）−３−エチルオキセタン、３−（２−アクリロイルオキシエチル）−３−フェニルオキセタン、３−メタクリロイルオキシメチルオキセタン、３−メタクリロイルオキシメチル−３−メチルオキセタン、３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン、３−メタクリロイルオキシメチル−３−フェニルオキセタン、３−（２−メタクリロイルオキシエチル）オキセタン、３−（２−メタクリロイルオキシエチル）−３−エチルオキセタン、３−（２−メタクリロイルオキシエチル）−３−エチルオキセタン、３−（２−メタクリロイルオキシエチル）−３−フェニルオキセタン、２−アクリロイルオキシメチルオキセタン、２−アクリロイルオキシメチル−２−メチルオキセタン、２−アクリロイルオキシメチル−２−エチルオキセタン、２−アクリロイルオキシメチル−２−フェニルオキセタン、２−（２−アクリロイルオキシエチル）オキセタン、２−（２−アクリロイルオキシエチル）−２−エチルオキセタン、２−（２−アクリロイルオキシエチル）−２−エチルオキセタン、２−（２−アクリロイルオキシエチル）−２−フェニルオキセタン、２−メタクリロイルオキシメチルオキセタン、２−メタクリロイルオキシメチル−２−メチルオキセタン、２−メタクリロイルオキシメチル−２−エチルオキセタン、２−メタクリロイルオキシメチル−２−フェニルオキセタン、２−（２−メタクリロイルオキシエチル）オキセタン、２−（２−メタクリロイルオキシエチル）−２−エチルオキセタン、２−（２−メタクリロイルオキシエチル）−２−エチルオキセタン、２−（２−メタクリロイルオキシエチル）−２−フェニルオキセタン等のオキセタニル基含有（メタ）アクリル系化合物等が挙げられる。これらの単量体は、単独又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの単量体のうち、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸−２−メチルグリシジル、メタクリル酸−３，４−エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸−３，４−エポキシシクロヘキシルメチル、３−（メタクリロイルオキシメチル）−３−メチルオキセタン、３−（メタクリロイルオキシメチル）−３−エチルオキセタンが他の単量体との共重合反応性、及びポジ型感放射線性組成物の現像性の観点から好ましい。

［Ａ］重合体におけるエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）の含有量としては、表示素子用層間絶縁膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを含む場合、［Ａ］重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、１０質量％以上６０質量％以下が好ましく、１５質量％以上５５質量％以下がより好ましく、２０質量％以上５０質量％以下が特に好ましい。

一方、一の重合体分子に構造単位（Ｉ）を有し、かつ他の重合体分子にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含む場合、エポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含む他の重合体分子に含まれる全構造単位に対するエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）の含有量としては、単量体仕込み比で、２０質量％以上８０質量％以下が好ましく、３０質量％以上７０質量％以下がより好ましく、３５質量％以上６５質量％以下が特に好ましい。

［その他の構造単位］
［Ａ］重合体は、本発明の効果を損なわない範囲において、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）以外のその他の構造単位を含んでいてもよい。

その他の構造単位を与える単量体としては、カルボキシル基又はその誘導体、水酸基を有する単量体等が挙げられる。

上記カルボキシル基又はその誘導体を有する単量体としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、２−アクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のモノカルボン酸；マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジカルボン酸；上記ジカルボン酸の酸無水物等が挙げられる。

上記水酸基を有する単量体としては、例えばアクリル酸−２−ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸−３−ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸−４−ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸−４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルエステル等のアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル；メタクリル酸−２−ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸−３−ヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸−４−ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸−５−ヒドロキシペンチルエステル、メタクリル酸−６−ヒドロキシヘキシルエステル、メタクリル酸−４−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステル等のメタクリル酸ヒドロキシアルキルエステル等が挙げられる。

これらの水酸基を有する単量体のうち、その他の単量体との共重合反応性及び得られる表示素子用層間絶縁膜の耐熱性の観点から、アクリル酸−２−ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸−３−ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸−４−ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸−４−ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸−４−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステル、メタクリル酸−４−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステルが好ましい。

その他の単量体としては、例えば
アクリル酸メチル、アクリル酸ｉ−プロピル等のアクリル酸アルキルエステル；
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル等のメタクリル酸アルキルエステル；
アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸−２−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル、アクリル酸−２−（トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イルオキシ）エチル、アクリル酸イソボルニル等のアクリル酸脂環式アルキルエステル；
メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸−２−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル、メタクリル酸−２−（トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イルオキシ）エチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸脂環式アルキルエステル；
アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸のアリールエステル及びアクリル酸のアラルキルエステル；
メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸のアリールエステル及びメタクリル酸のアラルキルエステル；
マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等のジカルボン酸ジアルキルエステル；
メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、メタクリル酸テトラヒドロフリル、メタクリル酸テトラヒドロピラン−２−メチル等の酸素１原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル及び不飽和複素六員環メタクリル酸エステル；
４−メタクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン、４−メタクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−イソブチル−１，３−ジオキソラン、４−メタクリロイルオキシメチル−２−シクロヘキシル−１，３−ジオキソラン、４−メタクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン、４−メタクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−イソブチル−１，３−ジオキソラン等の酸素２原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル；
４−アクリロイルオキシメチル−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシメチル−２、２−ジエチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−イソブチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシメチル−２−シクロペンチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシメチル−２−シクロヘキシル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシエチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシプロピル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン、４−アクリロイルオキシブチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン等の酸素２原子を含む不飽和複素五員環アクリル酸エステル；
スチレン、α−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、４−イソプロペニルフェノール等のビニル芳香族化合物；
Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−スクシンイミジル−３−マレイミドベンゾエート、Ｎ−スクシンイミジル−４−マレイミドブチレート、Ｎ−スクシンイミジル−６−マレイミドカプロエート、Ｎ−スクシンイミジル−３−マレイミドプロピオネート、Ｎ−（９−アクリジニル）マレイミド等のＮ位置換マレイミド；
１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン等の共役ジエン系化合物；
アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル等のその他の不飽和化合物が挙げられる。

これらのその他の単量体のうち、スチレン、４−イソプロペニルフェノール、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、１，３−ブタジエン、４−アクリロイルオキシメチル−２−メチル−２−エチル−１，３−ジオキソラン、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、メタクリル酸ベンジルが、上記の反応官能基を有する単量体との共重合反応性、及び当該ポジ型感放射線性組成物の現像性の点で好ましい。

［Ａ］重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）としては、好ましくは２．０×１０^３〜１．０×１０^５、より好ましくは５．０×１０^３〜５．０×１０^４である。［Ａ］重合体のＭｗを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び及び当該組成物により形成される表示素子用層間絶縁膜の表面硬度を高めることができる。

［Ａ］重合体のＧＰＣによるポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）としては、好ましくは２．０×１０^３〜１．０×１０^５、より好ましくは５．０×１０^３〜５．０×１０^４である。［Ａ］重合体のＭｎを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。

［Ａ］重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）としては、好ましくは３．０以下、より好ましくは２．６以下である。［Ａ］重合体のＭｗ／Ｍｎを３．０以下とすることで、得られる表示素子用層間絶縁膜の現像性を高めることができる。［Ａ］重合体を含む当該ポジ型感放射線性組成物は、現像する際に現像残りを生じることなく容易に所望のパターン形状を形成することができる。

なお、本明細書のＭｗ及びＭｎは、下記の条件によるＧＰＣにより測定した。
装置：ＧＰＣ−１０１（昭和電工製）
カラム：ＧＰＣ−ＫＦ−８０１、ＧＰＣ−ＫＦ−８０２、ＧＰＣ−ＫＦ−８０３及びＧＰＣ−ＫＦ−８０４を結合
移動相：テトラヒドロフラン
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料濃度：１．０質量％
試料注入量：１００μＬ
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン

＜［Ａ］重合体の合成方法＞
［Ａ］重合体は、上記各構造単位を与える単量体のラジカル共重合により合成できる。例えば、同一の重合体分子に構造単位（Ｉ）及びエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）の両方を含む［Ａ］重合体を合成する場合は、構造単位（Ｉ）を与える単量体とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を与える単量体とを含む混合物を用いて共重合させればよい。一方、一の重合体分子に構造単位（Ｉ）を有し、かつそれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を有する［Ａ］重合体を合成する場合は、構造単位（Ｉ）を与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位（Ｉ）を有する重合体分子を得ておき、別途エポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させてエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を有する重合体分子を得て、最後に両者を混合して［Ａ］重合体とすればよい。

［Ａ］重合体の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば後述する当該組成物の調製の項において例示した溶媒が挙げられる。

重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス−（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチル）等のアゾ化合物；ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオキシピバレート、１，１’−ビス−（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサン等の有機過酸化物；過酸化水素等が挙げられる。これらのうち、アゾ化合物が好ましく、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス−（２−メチルプロピオン酸メチル）がより好ましい。ラジカル重合開始剤として過酸化物を用いる場合には、過酸化物を還元剤とともに用いてレドックス型開始剤としてもよい。

［Ａ］重合体の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類；ｎ−ヘキシルメルカプタン、ｎ−オクチルメルカプタン、ｎ−ドデシルメルカプタン、ｔ−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類；ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類；ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。

＜［Ｂ］シロキサンポリマー＞
［Ｂ］シロキサンポリマーは、シロキサン結合を有するポリマーである限り特に限定されない。この［Ｂ］シロキサンポリマーは、加熱により自己縮合することで硬化物を形成する。

［Ｂ］シロキサンポリマーとしては、上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であることが好ましい。当該ポジ型感放射線性組成物において、［Ｂ］シロキサンポリマーとして上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物を用いることによって、充分な放射線感度を確保しながら、表面硬度及び耐ドライエッチング性をより向上させた表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。なお、本明細書における加水分解性シラン化合物とは、通常、無触媒、過剰の水の共存下、室温（約２５℃）〜約１００℃の温度範囲内で加熱することにより、加水分解してシラノール基を生成することができる加水分解性基を有するシラン化合物、又はシロキサン縮合物を形成することができる加水分解性基を有するシラン化合物をいう。一方、非加水分解性の基とは、このような加水分解条件下で、加水分解又は縮合を起こさず、安定に存在する基をいう。

上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解反応においては、一部の加水分解性基が未加水分解の状態で残っていてもよい。また、加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物とは、加水分解されたシラン化合物の一部のシラノール基同士が反応・縮合した加水分解縮合物をいう。

上記式（２）中、Ｒ^４は、炭素数１〜２０の非加水分解性の有機基である。Ｒ^５は、炭素数１〜４のアルキル基である。ｎは、０から３の整数である。但し、Ｒ^４及びＲ^５が複数の場合、複数のＲ^４及びＲ^５はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。

上記Ｒ^４で表される炭素数が１〜２０の非加水分解性の有機基としては、炭素数１〜１２の無置換のアルキル基（ビニル基、（メタ）アクリロイル基又はエポキシ基で１以上置換されていてもよい）、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基が好ましい。また、Ｒ^４は、ヘテロ原子を有する構造単位を含んでいてもよい。そのような構造単位としては、例えばエーテル、エステル、スルフィド等が挙げられる。

上記Ｒ^５で表される炭素数１〜４のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基等が挙げられる。これらのうち、加水分解の容易性の観点から、メチル基、エチル基が好ましい。ｎとしては、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１であり、特に好ましくは１である。ｎが０〜２の整数である場合には、加水分解・縮合反応の進行がより容易となり、その結果として［Ｂ］シロキサンポリマーの自己縮合による硬化反応の速度がさらに大きくなり、ひいては得られる表示素子用層間絶縁膜の表面硬度及び耐熱性をより向上させることができる。

上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物としては、４個の加水分解性基で置換されたシラン化合物、１個の非加水分解性基と３個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、２個の非加水分解性基と２個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、３個の非加水分解性基と１個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、又はそれらの混合物等が挙げられる。

このような上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物としては、例えば
４個の加水分解性基で置換されたシラン化合物として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、テトラベンジロキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン等；
１個の非加水分解性基と３個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、クロロトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等；
２個の非加水分解性基と２個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、ジクロロジメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジブチルジメトキシシラン等；
３個の非加水分解性基と１個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、トリクロロメトキシシラン、トリブチルメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリブチルエトキシシラン等が挙げられる。

これらのうち、４個の加水分解性基で置換されたシラン化合物、１個の非加水分解性基と３個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物が好ましく、１個の非加水分解性基と３個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物がより好ましく、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランが特に好ましく、メチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが最も好ましい。このような加水分解性シラン化合物は、単独又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。

上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物を加水分解・縮合させる条件としては、上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の少なくとも一部を加水分解して、加水分解性基をシラノール基に変換し、縮合反応を起こさせるものである限り、特に限定されるものではないが、例えば上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合に用いられる水は、逆浸透膜処理、イオン交換処理、蒸留等の方法により精製された水を使用することが好ましい。このような精製水を用いることによって、副反応を抑制し、加水分解の反応性を向上させることができる。水の使用量としては、上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解性基（−ＯＲ^５）の合計量１モルに対して、好ましくは０．１モル〜３モル、より好ましくは０．３モル〜２モル、特に好ましくは、０．５モル〜１．５モルである。このような量の水を用いることによって、加水分解・縮合の反応速度を最適化することができる。

上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合に使用することができる溶媒としては、通常、後述するポジ型感放射線性組成物の調製に用いられる溶媒と同様のものを使用することができる。このような溶媒としては、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピオン酸エステル類が好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチルがより好ましい。

上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合反応は、好ましくは酸触媒（例えば塩酸、硫酸、硝酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、リン酸、酸性イオン交換樹脂、各種ルイス酸）、塩基触媒（例えばアンモニア、１級アミン類、２級アミン類、３級アミン類、ピリジン等の含窒素化合物；塩基性イオン交換樹脂；水酸化ナトリウム等の水酸化物；炭酸カリウム等の炭酸塩；酢酸ナトリウム等のカルボン酸塩；各種ルイス塩基）、又はアルコキシド（例えばジルコニウムアルコキシド、チタニウムアルコキシド、アルミニウムアルコキシド）等の触媒の存在下で行われる。例えば、アルミニウムアルコキシドとしては、トリ−ｉ−プロポキシアルミニウム、テトラ−ｉ−プロポキシアルミニウム等を用いることができる。触媒の使用量としては、加水分解・縮合反応の促進の観点から、加水分解性シラン化合物１００質量部に対して、好ましくは０．５質量部以下であり、より好ましくは０．００００１質量部〜０．３質量部である。

上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合における反応温度としては、好ましくは４０℃〜２００℃、より好ましくは５０℃〜１５０℃である。反応時間としては、好ましくは３０分〜２４時間、より好ましくは１時間〜１２時間である。このような反応温度及び反応時間とすることによって、加水分解・縮合反応を最も効率的に行うことができる。この加水分解・縮合においては、反応系内に加水分解性シラン化合物、水及び触媒を一度に添加して反応を一段階で行ってもよく、又は加水分解性シラン化合物、水及び触媒を数回に分けて反応系内に添加することによって、加水分解及び縮合反応を多段階で行ってもよい。なお、加水分解・縮合反応の後には、脱水剤を加え、次いでエバポレーションによって、水及び生成したアルコールを反応系から除去することができる。この段階で用いられる脱水剤としえは、一般的に、過剰の水を吸着又は包接して脱水能が完全に消費されるか、又はエバポレーションにより除去されるため、ポジ型感放射線性組成物に添加される後述の［Ｉ］脱水剤の範疇には入らないものとする。

上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物のＭｗとしては、通常５．０×１０^２〜１．０×１０^４が好ましく、１．０×１０^３〜５．０×１０^３がより好ましい。Ｍｗを５．０×１０^２以上とすることで、ポジ型感放射線性組成物の塗膜の成膜性を改善することができる。一方、Ｍｗを１．０×１０^４以下とすることで、ポジ型感放射線性組成物の感放射線性の低下を防止することができる。

当該ポジ型感放射線性組成物において、［Ａ］重合体と［Ｂ］シロキサンポリマーの合計に対する［Ａ］重合体の質量比が５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。［Ａ］重合体と［Ｂ］シロキサンポリマーの合計に対する［Ａ］重合体の質量比を上記特定範囲とすることで、より高い放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物を得ることができ、結果としてより高い屈折率、透明性及び耐ドライエッチング性を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。また、耐ドライエッチング性に加え表面硬度の観点から５質量％以上８５質量％以上がより好ましい。

＜［Ｃ］光酸発生体＞
［Ｃ］光酸発生体は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を使用できる。当該ポジ型感放射線性組成物が、酸解離性基を有する［Ａ］重合体と［Ｃ］光酸発生体を含有することで、当該ポジ型感放射線性組成物はポジ型の感放射線特性を発揮することができる。［Ｃ］光酸発生体の当該ポジ型感放射線性組成物における含有形態としては、後述するような化合物の形態（以下、適宜「［Ｃ］光酸発生剤」とも称する）でも、［Ａ］重合体又は他の重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。

［Ｃ］光酸発生剤としては、オニウム塩、トリハロメチルトリアジン化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、リンオキソ酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、スルホンベンゾトリアゾール化合物、オキシムスルホネート化合物等が挙げられる。なお、これらの［Ｃ］光酸発生剤はそれぞれを単独又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。また、［Ｃ］光酸発生剤にキノンジアジド化合物は含まれない。

［オニウム塩］
オニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、アンモニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。

ジフェニルヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。

トリフェニルスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２、６−ジフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。

スルホニウム塩としては、例えばアルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。

アルキルスルホニウム塩としては、例えば４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−３−クロロ−４−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。

ベンジルスルホニウム塩としては、例えばベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−２−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。

ジベンジルスルホニウム塩としては、例えばジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。

置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えばｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ｐ−ニトロベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，５−ジクロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｏ−クロロベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。

ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、３−（ｐ−メトキシベンジル）ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−２−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。

アンモニウム塩化合物としては、例えばテトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラブチルアンモニウムハイドロジェンサルフェート、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラエチルアンモニウムｐ−トルエンスルホネート、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ベンジルアニリニウムヘキサフルオロアンチモネート、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ベンジルアニリニウムテトラフルオロボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ベンジルピリジニウムヘキサフルオロアンチモネート、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−ベンジルトリフルオロメタンスルホネート、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−（４−メトキシベンジル）ピリジニウムヘキサフルオロアンチモネート、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−（４−メトキシベンジル）トルイジニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。

ホスホニウム塩化合物としては、例えばエチルトリフェニルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、テトラブチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。

テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−１，１，２，２−テトラフルオロ−２−（ノルボルナン−２−イル）エタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（５−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（６−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。

［トリハロメチルトリアジン化合物］
トリハロメチルトリアジン化合物としては、例えばハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等が挙げられる。

［ジアゾメタン化合物］
ジアゾメタン化合物としては、例えばビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、フェニルスルホニル（ベンゾイル）ジアゾメタン等が挙げられる。

［スルホン化合物］
スルホン化合物としては、例えばβ−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物等が挙げられる。

［スルホン酸エステル化合物］
スルホン酸エステル化合物としては、例えばアルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。

［リンオキソ酸エステル化合物］
リンオキソ酸エステル化合物としては、例えばトリアルキルリン酸エステル、トリアリールリン酸エステル、ジアルキルリン酸エステル、モノアルキルリン酸エステル、トリアルキル亜リン酸エステル、トリアリール亜リン酸エステル、ジアルキル亜リン酸エステル、モノアルキル亜リン酸エステル、次亜リン酸エステル等が挙げられる。

［スルホンイミド化合物］
スルホンイミド化合物としては、例えばＮ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（ノナフルオロブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（エチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（プロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ペンチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘキシルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ヘプチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（オクチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（ノニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる。

［スルホンベンゾトリアゾール化合物］
スルホンベンゾトリアゾール化合物としては、例えば１−トリフルオロメタンスルホニルオキシベンゾトリアゾール、１−ノナフルオロブチルスルホニルオキシベンゾトリアゾール、１−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−ベンゾトリアゾール等が挙げられる。

［オキシムスルホネート化合物］
オキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式（３）で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物が好ましい。

上記式（３）中、Ｒ^Ｃ１は、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。但し、これらの基は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。

上記Ｒ^Ｃ１で表される直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。上記炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数１〜１０のアルコキシ基、７，７−ジメチル−２−オキソノルボルニル基等の有橋式脂環基を含む脂環式基等が挙げられる。なお、好ましい脂環式基としては、ビシクロアルキル基である。上記Ｒ^Ｃ１で表されるアリール基としては、炭素数６〜１１のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。上記アリール基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

上記式（３）で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば下記式（４）で表されるオキシムスルホネート化合物が好ましい。

上記式（４）中、Ｒ^Ｃ１は、上記式（３）と同義である。Ｘは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。ｍは、０〜３の整数である。但し、Ｘが複数の場合、複数のＸは同一であっても異なっていてもよい。

上記Ｘで表され得るアルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記Ｘで表されるアルコキシ基としては、炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記Ｘで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。ｍとしては、０又は１が好ましい。上記式（４）においては、ｍが１であり、Ｘがメチル基であり、Ｘの置換位置がオルトである化合物が好ましい。

上記式（４）で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式（４−１）〜（４−５）でそれぞれ表される化合物等が挙げられる。

上記化合物（４−１）（５−プロピルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、化合物（４−２）（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、化合物（４−３）（カンファースルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、化合物（４−４）（５−ｐ−トルエンスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル及び化合物（４−５）（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ）−（４−メトキシフェニル）アセトニトリルは、市販品として入手できる。

［Ｃ］光酸発生剤としては、感度及び溶解性の観点から、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩が好ましい。オキシムスルホネート化合物としては、上記式（３）で表される化合物がより好ましく、上記式（４）で表される化合物が特に好ましく、市販品として入手可能な、上記式（４−１）〜（４−５）で表される化合物が最も好ましい。オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩がより好ましく、４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートが特に好ましい。

当該組成物における［Ｃ］光酸発生体の含有量としては、［Ｃ］光酸発生体が［Ｃ］光酸発生剤である場合として、［Ａ］重合体及び［Ｂ］シロキサンポリマーの合計１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部〜１０質量部、より好ましくは１質量部〜５質量部である。［Ｃ］光酸発生剤の含有量を上記特定範囲とすることで、良好な放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物を得ることができ、これにより透明性を維持しつつ充分な表面硬度を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。

＜［Ｄ］界面活性剤＞
［Ｄ］界面活性剤は、当該ポジ型感放射線性組成物の塗布性の改善、塗布ムラの低減、膜厚均一性を改良するために添加することができる。［Ｄ］界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤等が挙げられる。これらの［Ｄ］界面活性剤は、単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び／又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば１，１，２，２−テトラフルオロｎ−オクチル（１，１，２，２−テトラフルオロｎ−プロピル）エーテル、１，１，２，２−テトラフルオロｎ−オクチル（ｎ−ヘキシル）エーテル、ヘキサエチレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロｎ−ペンチル）エーテル、オクタエチレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロｎ−ブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロｎ−ペンチル）エーテル、オクタプロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロｎ−ブチル）エーテル、パーフルオロｎ−ドデカンスルホン酸ナトリウム、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロｎ−デカン、１，１，２，２，３，３，９，９，１０，１０−デカフルオロｎ−ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキス（フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル）、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。

フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えばＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（以上、ＢＭ ＣＨＥＭＩＥ製）、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３、同Ｆ１７８、同Ｆ１９１、同Ｆ４７１、同Ｆ４７６（以上、大日本インキ化学工業製）、フロラードＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ−１７１、同ＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（以上、住友スリーエム製）、サーフロンＳ−１１２、同Ｓ−１１３、同Ｓ−１３１、同Ｓ−１４１、同Ｓ−１４５、同Ｓ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ−１０６（以上、旭硝子製）、エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（以上、新秋田化成製）、フタージェントＦＴ−１００、同ＦＴ−１１０、同ＦＴ−１４０Ａ、同ＦＴ−１５０、同ＦＴ−２５０、同ＦＴ−２５１、同ＦＴ−３００、同ＦＴ−３１０、同ＦＴ−４００Ｓ、同ＦＴＸ−２１８、同ＦＴ−２５１（以上、ネオス製）等が挙げられる。

シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えばトーレシリコーンＤＣ３ＰＡ、同ＤＣ７ＰＡ、同ＳＨ１１ＰＡ、同ＳＨ２１ＰＡ、同ＳＨ２８ＰＡ、同ＳＨ２９ＰＡ、同ＳＨ３０ＰＡ、同ＳＨ−１９０、同ＳＨ−１９３、同ＳＺ−６０３２、同ＳＦ−８４２８、同ＤＣ−５７、同ＤＣ−１９０、ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ（以上、東レダウコーニングシリコーン製）、ＴＳＦ−４４４０、ＴＳＦ−４３００、ＴＳＦ−４４４５、ＴＳＦ−４４４６、ＴＳＦ−４４６０、ＴＳＦ−４４５２（以上、ＧＥ東芝シリコーン製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業製）等が挙げられる。

ノニオン系界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類；ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類；ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステル類；（メタ）アクリル酸系共重合体類等が挙げられる。ノニオン系界面活性剤の販品としてはポリフローＮｏ．５７、９５（共栄社化学製）等が挙げられる。

当該ポジ型感放射線性組成物における［Ｄ］界面活性剤の含有量としては、［Ａ］重合体及び［Ｂ］シロキサンポリマーの合計１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上１０質量部以下であり、より好ましくは０．０５質量部以上５質量部以下である。［Ｄ］界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることでポジ型感放射線性組成物の塗布性を最適化することができる。

＜［Ｅ］密着助剤＞
当該ポジ型感放射線性組成物においては、基板となる無機物、例えばシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との接着性を向上させるために［Ｅ］密着助剤を使用することができる。このような密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましく使用される。官能性シランカップリング剤の例としては、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基（好ましくはオキシラニル基）、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。これらの［Ｅ］密着助剤は、単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

官能性シランカップリング剤としては、例えばトリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのうち、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。

当該ポジ型感放射線性組成物における［Ｅ］密着助剤の含有量としては、［Ａ］重合体及び［Ｂ］シロキサンポリマーの合計１００質量部に対して、好ましくは０．５質量部以上２０質量部以下、より好ましくは１質量部以上１０質量部以下の量で用いられる。［Ｅ］密着助剤の量を上記特定範囲とすることで、形成される表示素子用層間絶縁膜と基板との密着性が改善される。

＜［Ｆ］塩基性化合物＞
当該ポジ型感放射線性組成物が、［Ｆ］塩基性化合物を含有することで、露光により［Ｃ］光酸発生体から発生した酸の拡散長を適度に制御することができパターン現像性を良好にできる。塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用でき、例えば脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、４級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸４級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの［Ｆ］塩基性化合物は、単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

脂肪族アミンとしては、例えばトリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。

芳香族アミンとしては、例えばアニリン、ベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。

複素環式アミンとしては、例えばピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５，３，０］−７ウンデセン等が挙げられる。

４級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。

カルボン酸４級アンモニウム塩としては、例えばテトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。

［Ｆ］塩基性化合物としては、複素環式アミンが好ましく、４−ジメチルアミノピリジン、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノネンがより好ましい。

当該ポジ型感放射線性組成物における［Ｆ］塩基性化合物の含有量としては、［Ａ］重合体及び［Ｂ］シロキサンポリマーの合計１００質量部に対して０．００１質量部〜１質量部が好ましく、０．００５質量部〜０．２質量部がより好ましい。［Ｆ］塩基性化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。

＜［Ｇ］キノンジアジド化合物＞
［Ｇ］キノンジアジド化合物は放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物である。キノンジアジド化合物としては、フェノール性化合物又はアルコール性化合物（以下、「母核」とも称する）と１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。これらの［Ｇ］キノンジアジド化合物は、単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

上記母核としては、例えばトリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、（ポリヒドロキシフェニル）アルカン、その他の母核等が挙げられる。

トリヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。テトラヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，２’−テトラヒドロキシ−４’−メチルベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシ−３’−メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。ペンタヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば２，３，４，２’，６’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば２，４，６，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、３，４，５，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。（ポリヒドロキシフェニル）アルカンとしては、例えばビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，１−トリス（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン、４，４’−〔１−〔４−〔１−〔４−ヒドロキシフェニル〕−１−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール、ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインデン−５，６，７，５’，６’，７’−ヘキサノール、２，２，４−トリメチル−７，２’，４’−トリヒドロキシフラバン等が挙げられる。その他の母核として、例えば２−メチル−２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−４−（４−ヒドロキシフェニル）−７−ヒドロキシクロマン、１−［１−（３−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝−４，６−ジヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−３−（１−（３−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝−４，６−ジヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）ベンゼン、４，６−ビス｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝−１，３−ジヒドロキシベンゼンが挙げられる。

これらの母核のうち、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン、４，４’−〔１−〔４−〔１−〔４−ヒドロキシフェニル〕−１−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールが好ましい。

１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとしては、例えば１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸クロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド等が挙げられる。これらのうち、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドが好ましい。

フェノール性化合物又はアルコール性化合物と１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物としては、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドとの縮合物、４，４’−〔１−〔４−〔１−〔４−ヒドロキシフェニル〕−１−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドとの縮合物が好ましい。

フェノール性化合物又はアルコール性化合物（母核）と、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応では、フェノール性化合物又はアルコール性化合物中のＯＨ基数に対して、好ましくは３０モル％〜８５モル％、より好ましくは５０モル％〜７０モル％に相当する１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。

また、キノンジアジド化合物としては、上記例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば２，３，４−トリアミノベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸アミド等も好適に使用される。

［Ｇ］キノンジアジド化合物の使用量としては、［Ｃ］光酸発生体と［Ｇ］キノンジアジド化合物の合計が、［Ａ］重合体及び［Ｂ］シロキサンポリマーの合計１００質量部に対して好ましくは０．１質量部〜３０質量部、より好ましくは１質量部〜２０質量部である。

＜その他の任意成分＞
当該ポジ型感放射線性組成物は、上記［Ａ］〜［Ｇ］成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて［Ｈ］感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤、［Ｉ］脱水剤等のその他の任意成分を含有してもよい。

＜［Ｈ］感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤＞
［Ｈ］感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤は、加熱により、［Ｂ］シロキサンポリマー（好ましくは上記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物）を、自己縮合・硬化させる際の触媒として作用する酸性活性物質又は塩基性活性物質を放出することができる化合物と定義される。このような［Ｈ］感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤を用いることで、得られる表示素子用層間絶縁膜の表面硬度及び耐熱性をより向上させることができる。なお、［Ｈ］感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤としては、ポジ型感放射線性組成物の塗膜形成工程における比較的低温（例えば７０℃〜１２０℃）のプレベーク時には酸性活性物質又は塩基性活性物質を放出せず、現像後の加熱工程における比較的高温（例えば１２０℃〜２５０℃）のポストベーク時に酸性活性物質又は塩基性活性物質を放出する性質を有するものが好ましい。これらの［Ｈ］感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤は、単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

［Ｈ］感熱性酸発生剤としては、［Ｃ］光酸発生体の説明において列挙した化合物を好適に適用できる。また光、熱のいずれに感応させるかは、露光量、温度を調整することにより使い分けが可能である。

［Ｈ］感熱性塩基発生剤としては、例えば２−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、［〔（２，６−ジニトロベンジル）オキシ〕カルボニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−（２−ニトロベンジルオキシカルボニル）ピロリジン、ビス［〔（２−ニトロベンジル）オキシ〕カルボニル］ヘキサン−１，６−ジアミン、トリフェニルメタノール、Ｏ−カルバモイルヒドロキシアミド、Ｏ−カルバモイルオキシム、４−（メチルチオベンゾイル）−１−メチル−１−モルホリノエタン、（４−モルホリノベンゾイル）−１−ベンジル−１−ジメチルアミノプロパン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン、ヘキサアンミンコバルト（ＩＩＩ）トリス（トリフェニルメチルボレート）等が挙げられる。これらの［Ｈ］感熱性塩基発生剤のうち、得られる表示素子用層間絶縁膜の表面硬度及び耐熱性向上の観点から、２−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、Ｏ−カルバモイルヒドロキシアミドが好ましい。

［Ｈ］感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤の使用量としては、［Ａ］重合体及び［Ｂ］シロキサンポリマーの合計１００質量部に対し、好ましくは０．１質量部〜２０質量部、より好ましくは１質量部〜１０質量部である。［Ｈ］感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤の使用量を上記特定範囲とすることで、形成される表示素子用層間絶縁膜の表面硬度及び耐熱性が優れたポジ型感放射線性組成物を得ることができ、また塗膜の形成工程において析出物の発生を防止し、塗膜形成を容易にすることが可能となる。

＜［Ｉ］脱水剤＞
［Ｉ］脱水剤は、水を化学反応により水以外の物質に変換することができるか、又は水を物理吸着若しくは包接によりトラップすることができる物質として定義される。当該ポジ型感放射線性組成物が［Ｉ］脱水剤を含有することで、環境から侵入する水分、又はポジ型感放射線性組成物の現像後の加熱工程における［Ｂ］シロキサンポリマーの縮合の結果発生する水分を低減することができる。その結果、組成物の保存安定性を向上させることができる。さらに、［Ｂ］シロキサンポリマーの縮合の反応性を高め、ポジ型感放射線性組成物の耐熱性を向上させることができると考えられる。このような［Ｉ］脱水剤としては、例えばカルボン酸エステル、アセタール類（ケタール類を含む）、カルボン酸無水物等が挙げられる。

カルボン酸エステルとしては、オルトカルボン酸エステル、カルボン酸シリルエステルが好ましい。オルトカルボン酸エステルとしては、例えばオルト蟻酸メチル、オルト蟻酸エチル、オルト蟻酸プロピル、オルト蟻酸ブチル、オルト酢酸メチル、オルト酢酸エチル、オルト酢酸プロピル、オルト酢酸ブチル、オルトプロピオン酸メチル、オルトプロピオン酸エチル等が挙げられる。これらのオルトカルボン酸エステルのうち、オルト蟻酸メチル等のオルト蟻酸エステルが好ましい。カルボン酸シリルエステルとしては、例えば酢酸トリメチルシリル、酢酸トリブチルシリル、蟻酸トリメチルシリル、シュウ酸トリメチルシリル等が挙げられる。

アセタール類としては、ケトン類とアルコールとの反応物、ケトン類とジアルコールとの反応物、ケテンシリルアセタール類が好ましい。ケトン類とアルコールとの反応物としては、例えばジメチルアセタール、ジエチルアセタール、ジプロピルアセタール等が挙げられる。

カルボン酸無水物としては、例えば無水蟻酸、無水酢酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水安息香酸、酢酸安息香酸無水物等が挙げられる。これらのカルボン酸無水物のうち、脱水効果の点で、無水酢酸、無水コハク酸が好ましい。

［Ｉ］脱水剤の使用量としては、［Ａ］重合体及び［Ｂ］シロキサンポリマーの合計１００質量部に対して、好ましくは０．００１質量部〜１０質量部であり、より好ましくは０．０１質量部〜５質量部であり、特に好ましくは０．０３質量部〜１質量部である。［Ｉ］脱水剤の使用量を上記特定範囲とすることで、ポジ型感放射線性組成物の保存安定性を向上させることができる。

＜ポジ型感放射線性組成物の調製方法＞
当該ポジ型感放射線性組成物は、溶媒に［Ａ］重合体、［Ｂ］シロキサンポリマー、［Ｃ］光酸発生体、必要に応じて好適成分、及びその他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。例えば溶媒中で、各成分を所定の割合で混合することにより、当該ポジ型感放射線性組成物を調製できる。

溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。なお、これらの溶媒は、単独又は２種以上を使用することができる。

アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、２−フェニルエチルアルコール、３−フェニル−１−プロパノール等が挙げられる。

エーテル類としては、例えばテトラヒドロフラン等が挙げられる。

グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。

エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類としては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。

ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。

プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。

プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類としては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。

プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。

芳香族炭化水素類としては、例えばトルエン、キシレン等が挙げられる。

ケトン類としては、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等が挙げられる。

他のエステル類としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、３−ヒドロキシプロピオン酸メチル、３−ヒドロキシプロピオン酸エチル、３−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、３−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸ブチル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸ブチル、２−ブトキシプロピオン酸メチル、２−ブトキシプロピオン酸エチル、２−ブトキシプロピオン酸プロピル、２−ブトキシプロピオン酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸プロピル、３−エトキシプロピオン酸ブチル、３−プロポキシプロピオン酸メチル、３−プロポキシプロピオン酸エチル、３−プロポキシプロピオン酸プロピル、３−プロポキシプロピオン酸ブチル、３−ブトキシプロピオン酸メチル、３−ブトキシプロピオン酸エチル、３−ブトキシプロピオン酸プロピル、３−ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。

これらの溶媒のうち、溶解性又は分散性が優れていること、各成分と非反応性であること、及び塗膜形成の容易性の観点から、ジアルキルエーテル等のエーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ケトン類及びエステル類が好ましく、特に、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、酢酸プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、メトキシ酢酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチルが好ましい。

また、上記溶媒に加え、必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶媒を併用することもできる。

ポジ型感放射線性組成物の固形分濃度としては、使用目的や所望の膜厚等に応じて任意に設定することができるが、好ましくは１０質量％以上７０質量％以下、より好ましくは３０質量％以上６０質量％以下である。

＜表示素子用層間絶縁膜の形成方法＞
当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。

本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
（１）当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
（４）上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。

当該方法においては、当該ポジ型感放射線性組成物が良好な放射線感度を有すること、及び形成される表示素子用層間絶縁膜が高い耐ドライエッチング性を有するため、大きなドライエッチングマージンを確保できることにより、従来では全体を均一かつ短時間で処理することが難しかった大型表示装置用の表示素子用層間絶縁膜であっても、容易に、微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。さらに表面硬度、屈折率、耐熱性及び透明性をバランス良く満たした表示素子用層間絶縁膜を得ることができる。以下、各工程を詳述する。

［工程（１）］
本工程では、基板上に当該ポジ型感放射線性組成物の溶液又は分散液を塗布した後、好ましくは塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去して塗膜を形成する。塗布方法としては、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法（スピンコート法）、スリットダイ塗布法、バー塗布法等が挙げられる。これらのうち、スピンコート法、スリットダイ塗布法が好ましく、スリットダイ塗布法がより好ましい。

基板としては、例えばガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、７０℃〜１２０℃、１分〜１０分間程度とすることができる。

［工程（２）］
本工程では、上記形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、［Ｃ］光酸発生体に対して用いられる放射線が好適である。これらの放射線のうち、波長が１９０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲にある放射線が好ましく、３６５ｎｍの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、放射線の波長３６５ｎｍにおける強度を、照度計（ＯＡＩ ｍｏｄｅｌ３５６、ＯＡＩ Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ製）により測定した値で、３００Ｊ／ｍ^２〜３，０００Ｊ／ｍ^２が好ましく、３００Ｊ／ｍ^２〜２，０００Ｊ／ｍ^２がより好ましく、４００Ｊ／ｍ^２〜１，０００Ｊ／ｍ^２が特に好ましい。

［工程（３）］
本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分（放射線の照射部分）を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の４級アンモニウム塩等が挙げられる。

アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度しては、適当な現像性を得る観点から、０．１質量％以上５質量％以下が好ましい。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該ポジ型感放射線性組成物の組成によって異なるが、１０秒〜１８０秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を３０秒〜９０秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。

［工程（４）］
本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、［Ａ］重合体及び［Ｂ］シロキサンポリマーの硬化反応を促進して、硬化物を得ることができる。加熱温度としては、例えば１２０℃〜２５０℃程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレートでは５分〜３０分間程度、オーブンでは３０分〜９０分間程度である。また、２回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする表示素子用層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。なお、上記硬化膜の用途としては、表示素子用層間絶縁膜に限定されず、スペーサーや保護膜としても利用することができる。

形成された表示素子用層間絶縁膜の膜厚としては、好ましくは０．１μｍ〜８μｍ、より好ましくは０．１μｍ〜６μｍ、特に好ましくは０．１μｍ〜４μｍである。

以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。

＜［Ａ］成分の合成＞
［合成例１］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸５質量部、１−エトキシエチルメタクリレート４０質量部、スチレン５質量部、メタクリル酸グリシジル４０質量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１０質量部、及びα−メチルスチレンダイマー３質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持し重合体（Ａ−１）を含む重合体溶液を得た。重合体（Ａ−１）のＭｗは９，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３２．１質量％であった。

［合成例２］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸５質量部、２−テトラヒドロピラニルメタクリレート４０質量部、スチレン５質量部、メタクリル酸グリシジル４０質量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１０質量部及びα−メチルスチレンダイマー３質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持し重合体（Ａ−２）を含む重合体溶液を得た。重合体（Ａ−２）のＭｗは９，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３１．３質量％であった。

［合成例３］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチル）７質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２００質量部を仕込んだ。引き続き１−ｎ−ブトキシエチルメタクリレート６７質量部、メタクリル酸ベンジル２３質量部、メタクリル酸１０質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａ−１）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａ−１）のＭｗは９，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３０．３質量％であった。

［合成例４］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチル）７質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２００質量部を仕込んだ。引き続き１−ベンジルオキシエチルメタクリレート９０質量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル６質量部、メタクリル酸４質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａ−２）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａ−２）のＭｗは９，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３１．２質量％であった。

［合成例５］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチル）７質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２００質量部を仕込んだ。引き続き２−テトラヒドロピラニルメタクリレート８５質量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル７質量部、メタクリル酸８質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａ−３）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａ−３）のＭｗは１０，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、２９．２質量％であった。

［合成例６］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸グリシジル５２質量部、メタクリル酸ベンジル４８質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａａ−１）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａａ−１）のＭｗは１０，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３２．３質量％であった。

［合成例７］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシルメチル４５質量部、メタクリル酸ベンジル４５質量部、メタクリル酸１０質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａａ−２）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａａ−２）のＭｗは１０，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３３．２質量％であった。

［合成例８］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き１−ｎ−ブトキシエチルメタクリレート３５質量部、メタクリル酸ベンジル３５質量部、メタクリル酸グリシジル３０質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａａ−３）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａａ−３）のＭｗは１０，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３２．３質量％であった。

［合成例９］
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）５質量部、ｔ−ドデカンチオール５質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５０質量部仕込んだ。その後、メタクリル酸３０質量部、ベンジルメタクリレート３５質量部、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル３５質量部を仕込み、室温でしばらく攪拌し、フラスコ内を窒素置換した後、７０℃で５時間加熱攪拌した。次に、得られた溶液にメタクリル酸グリシジル１５質量部、ジメチルベンジルアミン１質量部、ｐ−メトキシフェノール０．２質量部添加し、１００℃で４時間加熱攪拌し、重合体（ＣＡ−１）溶液を得た。重合体（ＣＡ−１）のＭｗは５，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２であった。重合体溶液の固形分濃度は３８．０質量％であった。

＜［Ｂ］シロキサンポリマーの合成＞
［合成例１０］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込み、引き続きメチルトリメトキシシラン３０質量部、フェニルトリメトキシシラン２３質量部及びシュウ酸０．５質量部を仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、イオン交換水１８質量部を仕込み、７５℃になるまで加熱し、３時間保持した。次いで脱水剤としてオルト蟻酸メチル２８質量部を加え、１時間攪拌した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去した。以上により、加水分解縮合物（Ｂ−１）を得た。得られた加水分解縮合物（Ｂ−１）のＭｗは３，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２であった。加水分解縮合物（Ｂ−１）の固形分濃度は４０．５質量％であった。

［合成例１１］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込み、引き続きメチルトリメトキシシラン２２質量部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１２質量部、フェニルトリメトキシシラン２０質量部及びテトラ−ｉ−プロポキシアルミニウム０．１質量部を仕込み、合成例１０と同様に操作して、加水分解縮合物（Ｂ−２）を得た。得られた加水分解縮合物（Ｂ−２）のＭｗは３，２００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２であった。加水分解縮合物（Ｂ−２）の固形分濃度は３９．８質量％であった。

［合成例１２］
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５質量部を仕込み、引き続きメチルトリメトキシシラン２２質量部、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１２質量部、フェニルトリメトキシシラン２０質量部及びシュウ酸０．５質量部を仕込み、合成例１０と同様に操作して、加水分解縮合物（Ｂ−３）を得た。得られた加水分解縮合物（Ｂ−３）のＭｗは２，４００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２であった。加水分解縮合物（Ｂ−３）の固形分濃度は４１．０質量％であった。

＜ポジ型感放射線性組成物の調製＞
以下、実施例及び比較例のポジ型感放射線性組成物の調製に用いた成分を詳述する。

［Ｃ］光酸発生剤
Ｃ−１：４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート
Ｃ−２：ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート
Ｃ−３：（５−プロピルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＰＡＧ １０３）
Ｃ−４：（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＰＡＧ １０８）
Ｃ−５：（５−ｐ−トルエンスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＰＡＧ １２１）
Ｃ−６：（カンファースルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、ＣＧＩ１３８０）
Ｃ−７：（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ）−（４−メトキシフェニル）アセトニトリル（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、ＣＧＩ７２５）

［Ｄ］界面活性剤
Ｄ−１：シリコーン系界面活性剤（東レダウコーニングシリコーン製、ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ）
Ｄ−２：フッ素系界面活性剤（ネオス製、フタージェントＦＴＸ−２１８）

［Ｅ］密着助剤
Ｅ−１：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
Ｅ−２：β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン
Ｅ−３：γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン

［Ｆ］塩基性化合物
Ｆ−１：４−ジメチルアミノピリジン
Ｆ−２：１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノネン

［Ｇ］キノンジアジド化合物
Ｇ−１：１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）との縮合物

［実施例１］
［Ａ］重合体としての（Ａ−１）を含む溶液７０質量部（固形分に相当する量）、［Ｂ］シロキサンポリマーとしての（Ｂ−１）３０質量部、［Ｃ］光酸発生剤としての（Ｃ−１）４質量部、［Ｄ］界面活性剤としての（Ｄ−１）０．２０質量部及び［Ｅ］密着助剤としての（Ｅ−１）３．０質量部を混合し、孔径０．２μｍのメンブランフィルタで濾過することにより、ポジ型感放射線性組成物を調製した。

［実施例２〜１４及び比較例１〜６］
各成分の種類及び配合量を表１に記載の通りとした以外は、実施例１と同様に操作して各ポジ型感放射線性組成物を調製した。なお、表１中の「−」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。

＜評価＞
調製した各ポジ型感放射線性組成物を用いて、下記の評価を実施した。結果を表１にあわせて示す。

［放射線感度（Ｊ／ｍ^２）］
５５０×６５０ｍｍのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を塗布し、６０℃にて１分間加熱した。このＨＭＤＳ処理後のクロム成膜ガラス上に、各ポジ型感放射線性組成物をスリットダイコーター（東京応化工業製、ＴＲ６３２１０５−ＣＬ）を用いて塗布し、到達圧力を１００Ｐａに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに９０℃において２分間プレベークすることによって、膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。続いて、露光機（キヤノン製、ＭＰＡ−６００ＦＡ）を用い、６０μｍのライン・アンド・スペース（１０対１）のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した。その後、０．４質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃において８０秒間現像した。次いで、超純水で１分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、ＨＭＤＳ処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、６μｍのスペース・パターンが完全に溶解するために必要な露光量を放射線感度（Ｊ／ｍ^２）とした。この値が５００（Ｊ／ｍ^２）以下の場合に感度が良好と判断した。

［表面硬度］
マスクを介して露光しなかった以外は、上記放射線感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に硬化膜を形成した。ＪＩＳ Ｋ−５４００−１９９０の８．４．１鉛筆引っかき試験により硬化膜の鉛筆硬度（表面硬度）を測定した。この値が３Ｈ以上である場合、表示素子用層間絶縁膜としての表面硬度が良好と判断し、十分な硬化性を有するといえる。

［屈折率（％）］
上記表面硬度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に硬化膜を形成し、得られた硬化膜の屈折率（％）を、Ａｕｔｏ ＥＬ ＩＶ ＮＩＲ ＩＩＩ（ルドルフリサーチ製）エリプソメーターを用いて６３３ｎｍで測定した。この値が１．５０以上のとき、表示素子用層間絶縁膜としての屈折率は実用上問題ないレベルであると判断した。

［耐熱性（％）］
上記表面硬度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に硬化膜を形成し、得られた硬化膜の膜厚（Ｔ２）を測定した。次いで、この硬化膜が形成されたシリコン基板を、クリーンオーブン内にて２４０℃で１時間追加ベークした後、当該硬化膜の膜厚（ｔ２）を測定し、下記式から追加ベークによる膜厚変化率（％）を算出し、これを耐熱性（％）とした。
耐熱性（％）＝（｜ｔ２−Ｔ２｜／Ｔ２）×１００
この値が３％以下のとき、耐熱性は良好であると判断した。

［透過率（％）］
シリコン基板の代わりにガラス基板（コーニング７０５９、コーニング製）を用いたこと以外は、上記表面硬度の評価と同様に操作して、ガラス基板上に硬化膜を形成した。この硬化膜を有するガラス基板の光線透過率（％）を、分光光度計（１５０−２０型ダブルビーム、日立製作所製）を用いて４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲の波長で測定した。最低光線透過率が９５％以上の時、透過率は良好であると判断した。

［耐ドライエッチング性（μｍ）］
上記表面硬度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に硬化膜を形成し、ドライエッチング装置（ＣＤＥ−８０Ｎ、芝浦メカトロニクス製）を用い、エッチングガスＣＦ_４５０ｍＬ／分、Ｏ_２１０ｍＬ／分、出力４００ｍＷ、エッチング時間９０秒の条件でドライエッチングを行い、処理前後の膜厚（μｍ）の測定を行った。膜厚減少量が１．０μｍ以下のとき、耐ドライエッチング性は良好であると判断した。

表１の結果から明らかなように、［Ａ］重合体、［Ｂ］シロキサンポリマー及び［Ｃ］光酸発生体の全てを含むポジ型感放射線性組成物から形成された硬化膜は、比較例の組成物から得られた硬化膜と比べると、耐ドライエッチング性が向上していることが分かった。加えて耐熱性、透明性、表面硬度及び屈折率を充分に満足する硬化膜を形成可能であることが分かった。また、当該ポジ型感放射線性組成物から形成された硬化膜は、［Ｃ］光酸発生体の代わりに［Ｇ］キノンジアジド化合物を含む比較例の組成物から形成された硬化物と比較しても、耐ドライエッチング性が優れていることがわかった。さらに、［Ａ］重合体と［Ｂ］シロキサンポリマーの合計に対する［Ａ］重合体の質量比が５質量％以上９５質量％以下である実施例１から実施例１０のポジ型感放射線性組成物で形成された硬化膜は、上記特定範囲外の実施例１１〜１４の組成物から得られた硬化膜と比較すると、耐ドライエッチング性及び屈折率が高いことがわかった。これにより、［Ａ］重合体と［Ｂ］シロキサンポリマーの合計に対する［Ａ］重合体の質量比が５質量％以上９５質量％以下であることが好ましいことがわかった。

本発明のポジ型感放射線性組成物は、高い耐ドライエッチング性を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。また、本発明のポジ型感放射線性組成物は充分な放射線感度を有し、耐熱性、透明性、表面硬度及び屈折率を充分に満足する表示素子用層間絶縁膜を形成可能である。従って、当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用の表示素子用層間絶縁膜を形成するために好適に用いられる。

Claims (6)

1. ［Ａ］同一又は異なる重合体分子中に、下記式（１）で表される基を有する構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを含む重合体、
   ［Ｂ］シロキサンポリマー、及び
   ［Ｃ］光酸発生体
   を含有するポジ型感放射線性組成物。
   

   

   （式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、Ｒ^１及びＲ^２が共に水素原子である場合はない。Ｒ^３は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−Ｍ（Ｒ^３ｍ）_３で表される基である。このＭは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである。Ｒ^３ｍは、それぞれ独立してアルキル基である。また、Ｒ^１とＲ^３とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、Ｒ^３で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。）
2. ［Ｂ］シロキサンポリマーが、下記式（２）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物である請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
   

   

   （式（２）中、Ｒ^４は、炭素数１〜２０の非加水分解性の有機基である。Ｒ^５は、炭素数１〜４のアルキル基である。ｎは、０から３の整数である。但し、Ｒ^４及びＲ^５が複数の場合、複数のＲ^４及びＲ^５はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
3. ［Ａ］重合体と［Ｂ］シロキサンポリマーの合計に対する［Ａ］重合体の質量比が５質量％以上９５質量％以下である請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
4. 表示素子用層間絶縁膜の形成に用いられる請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
5. （１）請求項４に記載のポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
   （２）上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
   （３）上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
   （４）上記現像された塗膜を加熱する工程
   を有する表示素子用層間絶縁膜の形成方法。
6. 請求項４に記載のポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜。