JPWO2011132597A1 - アレイ状のキャパシタで構成されるインダクタ - Google Patents
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Abstract
Description
キャパシタの充放電によって、経路を流れる電流の抵抗が減少または増大し、それによってループ状の経路を流れる電流が増大または減少して、デバイス内に発生する磁束が調整されることから、本明細書ではこの電子または光子デバイスを「らせん状キャパシタ−インダクタデバイス」または、単に「キャパシタから作られたインダクタ」と呼ぶ。
A.前記単位キャパシタが物理的に移動して、前記デバイスの長さ方向に沿って秩序的または無秩序的にその相対的位置を変化させ、ループ内の電流の流れを有効にトリガし前記磁束を発生させる単位キャパシタの組立体。
B.弱い相互作用、共有結合、非共有結合、金属結合または非金属結合によって、1つの単位キャパシタから隣接する他の単位キャパシタに電流が流れ、その結果、デバイスの長さ方向に沿った1つまたは複数の前記ループに電流が流れるような定義済みのらせん状、ディスク型、円錐形またはランダムな幾何学構造を形成する、単位キャパシタの組立体。
A.単位キャパシタの組立体であって、単位キャパシタが物理的に移動して、デバイスの長さ方向に沿って秩序だってあるいは無秩序にその相対的位置を変化させ、ループ内の電流の流れを有効にトリガし、磁束を発生させるため、確定した構造を持っていないもの(半固体または液体状態)。
B.単位キャパシタの組立体であって、弱い相互作用、共有結合、非共有結合、金属結合および非金属結合のうちのいずれかによって、1つの単位キャパシタから隣接する他の単位キャパシタに電流が流れ、その結果、デバイスの長さ方向に沿った1つまたは複数のループに電流が流れるような、確定した構造を形成するもの。
図10及び図11はMTに基づいて実際に構成された本発明のデバイスのAFM像を示す。図からわかるように、MTが金でできた2本の平行電極間に上から下へ伸びている。
図13(a)のグラフの下側は振幅5V(>Vth)、幅1μ秒、周波数100KHzの矩形入力パルスアレイを示す。このパルスアレイがグラフ上側に示す同様な矩形出力アレイを生成した。入力信号と出力信号はともに47Ωの抵抗器で検出した。隣接する2つの矩形パルスのギャップは4μ秒であった。図13(b)の左側のグラフは、振幅5V、幅250n秒、周波数1MHzの入力矩形パルスアレイに対する出力の時間軸上の増大を示す。同様に、図13(b)の右側のグラフは入力パルス終了の際のこの出力の減衰を示す。図13(c)の上側と下側の2つのグラフは夫々LC並列接続回路とH中での電気エネルギー及び磁気エネルギー(夫々EとMであらわす)の時間軸上の増大と減衰を表す。上側のグラフにおいて、減少するカーブは電気エネルギーEを表し、増大するカーブは磁気エネルギーMを表す。これに対して、デバイスHについての下側のグラフでは、これらの2本のカーブは1本の線のように見える。これは、磁気エネルギーと電気エネルギーが両方とも時間とともに増大するからである。図13(d)はH、L及びCの間の時間軸上の増加、減衰レートの比較のグラフである。ここで、L=R=C=1としている。R=2、C=2の場合には、iHは、LあるいはCの電流がその飽和値の8%に到達する時点までに、飽和値に対する比率で表現して現在の値である63%から98%に到達する。
図14(a)は微小管構造を概念的に表した図を示す。外側の層CTはC終端(C termini:炭化水素(アルキル)鎖で終端、終端には負電荷が存在))、中間の層MTはチューブリンアセンブリ、中央部WTは水柱(watercolumn)である。図14(b)はデバイスHの入力信号及び出力信号を示す。このグラフから判るように、出力信号は周波数5MHzの入力交流信号と180度の位相差があり、また微小管上の特定の点で400mVのピーク−ピーク振幅を持つ。図14(c)は伝達される出力電力の入力電力に対する比率を現す。この比率は周波数によって変化し、ほぼ2MHz付近にピークを持つ。図14(d)は電荷量ΔQに対する磁束Δφの変化を示す。この変化は微小管の長さに沿ってプロットされている。このQは報告されている長さ方向の電荷密度3.8e/Åを使用して、従ってMT上の2つの異なる点に位置する2つのリング間のΔQを使用して計算された(交互に、ΔQは1αβ≒10eについてのQとして計算され、1つのリングは13αβ単位を有する)。この勾配つまりH(=Δφ/ΔQ)は15×109であり、これは抵抗Rよりも2桁大きい。
図15(a)は微小管の長さ方向(直線状の長さであらわす)に沿ってプロットした閾値電圧の変化を示す。電流−電圧カーブIVは、MT全体の充電を避けるため、金電極とMTの接合部から開始して遠端まで、個別のリングの頂部で測定した。図15(a)中の差し込み図は微小管を示す。同図において、21個の相対的に明るい部分はαβリングを示す。磁界の1.4×10−8T刻みの階段状変化は金−MT接合部における168nmMTチェーンに沿った8nm周期のαβリング毎に現れる。図15(b)は−0.5Vでの微小管の長さに沿ったコンダクタンスを示す。この長さつまりH−1は両対数目盛りでプロットしている。
102:単位キャパシタの組立体
305:円盤形状の本発明を集積チップ型にしたもの
308:円盤形状の本発明を立体の円錐型にしたもの
Claims (7)
- 中心軸が長さ方向に沿ってループの形態に構成されたアレイ状単位キャパシタを設けたらせん状キャパシタ−インダクタデバイスであって、
入力信号が前記アレイ状単位キャパシタの一方の端から印加され、出力信号が他方の端から取り出され、
前記単位キャパシタ内に蓄積される電荷が前記デバイスに印加されるバイアスの増大または減少に合わせて増加または減少し、
前記電荷の増大または減少が前記ループの電流をそれぞれ増大または減少させることにより、前記デバイス内に発生する磁束を変化させるらせん状キャパシタ−インダクタデバイス。 - 前記単位キャパシタが、外部から所定の条件が与えられたときにその構造内に電荷またはエネルギーを可逆的に蓄積・放出できる、たんぱく質、有機染料、無機合成物、ナノ粒子、デンドリマ、有機金属複合体、ポリマ、生体分子からなる材料のうちのいずれか1つまたは複数の組み合わせを使って構築される、請求項1に記載のらせん状キャパシタ−インダクタデバイス。
- 前記単位キャパシタが、前記デバイスの長さ方向に沿って1つまたは複数の閉ループの中を電流が流れるような構造に配置され、前記構造が下記AとBの2つの実現可能な構成のうちのいずれか一方である請求項2に記載のらせん状キャパシタ−インダクタデバイス。
A.前記単位キャパシタが物理的に移動して、前記デバイスの長さ方向に沿って秩序的または無秩序的にその相対的位置を変化させ、ループ内の電流の流れを有効にトリガし前記磁束を発生させる単位キャパシタの組立体。
B.弱い相互作用、共有結合、非共有結合、金属結合または非金属結合によって、1つの単位キャパシタから隣接する他の単位キャパシタに電流が流れることにより、デバイスの長さに沿った1つまたは複数の前記ループに電流が流れるような定義済みのらせん状、ディスク型、円錐形またはランダムな幾何学構造を形成する、単位キャパシタの組立体。 - 前記単位キャパシタの充電または放電によって1つまたは複数の前記閉ループの導電率が変化し、それによって前記ループ内を流れる電流を増大または減少させることにより、前記デバイス内に発生する磁束を変化させる、請求項3に記載のらせん状キャパシタ−インダクタデバイス。
- 前記単位キャパシタの材料の充電または放電は前記デバイス全体の1つまたは複数のループの中で秩序的または無秩序的に起こり、前記充電または放電の起こるループが秩序的またはランダムに選択され、磁束は電子的に充電されたループの個数が変化したときまたは前記デバイス内を流れる電流が変化したときにのみ変化する、請求項4に記載のらせん状キャパシタ−インダクタデバイス。
- 前記単位キャパシタの材料の充電と放電による電流の寄与と前記ループ内を流れる電流の寄与が特定の条件において共同して入力信号の位相を変化させ、デバイスの出力交流信号の位相を前記一方の端と前記他方の端の間に印加される入力信号から正または負の方向に180°ずらす、請求項1から5のいずれかに記載のらせん状キャパシタ−インダクタデバイス。
- 前記単位キャパシタの前記材料はチューブリンのαβヘテロ二量体を含む微小管であり、前記微小管の各端に前記らせん状キャパシタ−インダクタデバイスへの信号の入力及び出力のための電極が形成されている、請求項2に記載のらせん状キャパシタ−インダクタデバイス。
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---|---|---|---|---|
US3946397A (en) * | 1974-12-16 | 1976-03-23 | Motorola, Inc. | Inductor or antenna arrangement with integral series resonating capacitors |
JPH0766616A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-03-10 | Takahito Nagase | 通信用アンテナ |
JP3106942B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2000-11-06 | 株式会社村田製作所 | Lc共振部品 |
JP3386353B2 (ja) * | 1997-12-10 | 2003-03-17 | 科学技術振興事業団 | 導電性核酸ポリマー薄膜 |
US6664103B2 (en) * | 1998-05-20 | 2003-12-16 | Integrated Nano-Technologies, Llc | Chemically assembled nano-scale circuit elements |
US6469596B2 (en) | 2000-12-20 | 2002-10-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Annular composite capacitor/inductor with a switch across the gap |
US6642552B2 (en) * | 2001-02-02 | 2003-11-04 | Grail Semiconductor | Inductive storage capacitor |
JP2005294109A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Toyota Motor Corp | 燃料電池用基体及び燃料電池 |
JP4442335B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-03-31 | 富士ゼロックス株式会社 | デカップリング素子およびその製造方法、並びにそれを用いたプリント基板回路 |
US7400490B2 (en) | 2005-01-25 | 2008-07-15 | Naturalnano Research, Inc. | Ultracapacitors comprised of mineral microtubules |
US7902867B2 (en) | 2006-04-03 | 2011-03-08 | Blaise Laurent Mouttet | Memristor crossbar neural interface |
JP5596912B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2014-09-24 | キヤノン株式会社 | ブロックポリマーおよびデバイス |
JP5112017B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2013-01-09 | 株式会社日立製作所 | Rfコイルおよび磁気共鳴撮像装置 |
US9048414B2 (en) | 2008-01-22 | 2015-06-02 | The United States of America, as represented by the Secretary of Commerce, The National Institute of Standards and Technology | Nonvolatile memory device and processing method |
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